KR101698384B1 - GSR sensor and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 피부 저항 변화 측정이 가능한 GSR 센서를 형성하는 방법을 위하여, 염화이온(Cl-)이 포함된 용액의 유무와 농도에 따른 전기적인 특성을 평가하는 GSR 센서를 형성하는 방법으로서, 기판을 제공하는 단계, 상기 기판 상에, 복수의 은 나노선이 코어를 형성하며, 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된, 코어-쉘(core-shell) 구조체를 형성하는 단계 및 상기 코어-쉘 구조체를 상기 기판에서 분리함으로써, 프리스탠딩 ACF(anisotropic conductive flexible)막을 형성하는 단계를 포함하는, GSR 센서 및 그 형성 방법을 제공한다.The invention for the method of forming the possible GSR sensors skin resistance change measurement, chloride ion (Cl -) A method of forming a GSR sensor to evaluate the electrical characteristics according to the presence and concentration of containing the solution, the substrate Forming a core-shell structure on the substrate, wherein a plurality of silver nanowires form a core and at least a portion of the polymer is molded; and forming a core-shell structure on the substrate, To form a free standing ACF (anisotropic, conductive flexible) film.

Description

GSR 센서 및 그 형성 방법{GSR sensor and method of manufacturing the same}GSR sensor and method of manufacturing same

본 발명은 GSR 센서 기술에 관한 것으로서, 더 상세하게는 GSR 센서 및 그 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to GSR sensor technology, and more particularly, to a GSR sensor and a method of forming the GSR sensor.

종래 피부저항측정기술은, 일반적으로 하나의 측정프로브와, 기준점이 되는 기준프로브를 구비해서 피부저항치를 측정하고 있다. 이러한 구성으로 이루어진 종래의 방법은, 기준프로브를 피검사자가 손으로 잡은 상태에서 검사자가 다른 하나의 측정프로브를 측정하고자 하는 피검사자의 인체 피부상의 여러 점에 측정프로브를 옮겨가며 접촉시킨 후, 상기 기준프로브에 소정의 전류를 인가하여, 기준프로브와 측정프로브 사이에 흐르는 미세전류값을 측정하고 있다. 이렇게 해서 측정된 값으로부터 측정점과 기준점 사이의 피부저항을 측정하는 방식이 이용되어진다.Conventionally, the skin resistance measurement technique generally includes a measurement probe and a reference probe serving as a reference point to measure the skin resistance value. In the conventional method having such a configuration, after the reference probe is held by the examinee's hand, the examiner moves and contacts the measuring probe to various points on the human skin of the examinee who wants to measure the other measuring probe, A minute current value flowing between the reference probe and the measurement probe is measured. In this way, a method of measuring the skin resistance between the measurement point and the reference point is used from the measured value.

그러나 종래의 피부저항측정방법은, 다음과 같은 문제점을 제시하고 있다. 검사자가 피검사자의 인체 피부상의 여러 점에 하나의 측정프로브를 옮겨가면서 피부 저항값을 측정하기 때문에, 이때 나타나는 시간 지연에 따른 검출오차가 발생되는 문제점이 있었다. 즉, 측정프로브를 통해서 인체로부터 검출되는 미세전류 값은, 시간경과에 따라서 변화가 발생되고, 이러한 변화로부터 검출값에 오차가 발생될 수 있다.However, the conventional skin resistance measuring method has the following problems. Since the inspector measures the skin resistance value while moving one measuring probe to various points on the human skin of the examinee, there is a problem that a detection error occurs due to the time delay appearing at this time. That is, a minute current value detected from the human body through the measurement probe changes in accordance with passage of time, and an error may be generated in the detected value from such a change.

또한, 상기 검출된 피부저항치는, 사람의 비만, 한의학에서 질병 등을 판단하는데 이용되어진다. 그렇기 때문에 상기 발생된 오차는 판단상의 오류를 범하게 하는 문제점을 갖게 하면서 제품에 대한 신뢰도 저하 및 성능의 불만족을 야기시키는 문제점이 있었다. 그리고 인체 피부의 표면 굴곡에 따라 측정프로브와의 접촉이 완벽히 이루어지기 어려워, 측정되는 피부저항이 노이즈를 포함하거나 부정확한 결과를 야기시키는 문제점도 있었다. 게다가 피부저항측정 기기로는 손가락밴드, 팔밴드, 머리띠, 패치 등이 있으나, 웨어러블한 디바이스로 이용하기에 무게와 부피가 큰 문제점이 있었다. In addition, the detected skin resistance value is used for judging human obesity, disease in Oriental medicine and the like. Therefore, there is a problem that the generated error has a problem of causing a judgment error, resulting in lower reliability of the product and unsatisfactory performance. In addition, it is difficult to make contact with the measurement probe completely according to the surface curvature of the human skin, and the measured skin resistance may include noise or cause inaccurate results. In addition, there are finger bands, arm bands, head bands, patches and the like as skin resistance measuring instruments, but they are heavy and bulky to use as wearable devices.

<선행기술 문헌><Prior Art Literature>

1. 한국공개특허 제10-2014-0076268호 (2014.06.20.)1. Korean Patent Publication No. 10-2014-0076268 (June 20, 2014)

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 피부 저항 변화 측정이 가능한 GSR 센서 및 그 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a GSR sensor capable of measuring skin resistance change and a method of forming the GSR sensor. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 일 관점에 따르면, 이방성 전도성을 갖는 복수의 은 나노선 및 상기 복수의 은 나노선 사이의 적어도 일부를 충전하고 가요성을 갖는 폴리머를 포함하는 프리스탠딩 ACF(anisotropic conductive flexible)막과, 상기 복수의 은 나노선의 상기 폴리머로부터 노출된 부분 상에 염화은(AgCl)으로 쉘을 형성하는 코어-쉘(core-shell) 구조체와, 상기 폴리머로부터 노출된 상기 복수의 은 나노선의 적어도 일부 상에 전원부가 연결될 수 있는 전극을 포함하며, 상기 전극을 통해서 상기 프리스탠딩 ACF막 내 상기 복수의 은 나노선과 상기 폴리머로부터 노출된 상기 코어-쉘 구조체를 통해서 전기적인 신호를 측정하고자 하는 피부에 인가하여 피부 저항을 측정하는, GSR(Galvanic Skin Reflex) 센서가 제공된다.According to one aspect of the present invention, there is provided a lithographic projection apparatus comprising: a free standing ACF (anisotropic conductive flexible) film comprising a plurality of silver nanowires having anisotropic conductivity and a polymer filling at least a portion between the plurality of silver nanowires, A core-shell structure that forms a shell of silver chloride (AgCl) on a portion of the plurality of silver nanowires exposed from the polymer, and a core-shell structure that forms a shell on at least a part of the plurality of silver nanowires exposed from the polymer. And an electrode through which the electrical signal is applied to the skin to be measured through the plurality of silver nanowires in the free standing ACF membrane and the core-shell structure exposed from the polymer, A Galvanic Skin Reflex (GSR) sensor is provided.

상기 복수의 은 나노선은 상기 폴리머를 관통하여 배치되고, 상기 복수의 은 나노선의 양단부는 상기 폴리머로부터 노출되고, 상기 복수의 은 나노선의 일단부는 측정하고자 하는 피부에 접촉될 수 있고, 타 단부에는 상기 전극이 연결될 수 있다.The plurality of silver nanowires are disposed through the polymer, both ends of the plurality of silver nanowires are exposed from the polymer, one end of the plurality of silver nanowires can be brought into contact with the skin to be measured, and the other end The electrode can be connected.

본 발명의 다른 관점에 따르면, 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판 상에, 이방성 전도성을 갖도록 복수의 은 나노선을 형성하는 단계와, 상기 복수의 은 나노선 사이의 적어도 일부를 가요성을 갖는 폴리머로 충전하는 단계와, 상기 복수의 은 나노선의 상기 폴리머로부터 노출된 부분 상에 염화은(AgCl)으로 쉘을 형성하여 코어-쉘(core-shell) 구조체를 형성하는 단계와, 상기 폴리머가 충전된 상기 코어-쉘 구조체를 상기 기판에서 분리함으로써, 프리스탠딩 ACF(anisotropic conductive flexible)막을 형성하는 단계와, 상기 폴리머로부터 노출된 상기 복수의 은 나노선의 적어도 일부 상에 전원부가 연결될 수 있는 전극을 형성하는 단계를 포함하는, GSR 센서의 형성 방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: providing a substrate; forming a plurality of silver nanowires on the substrate to have anisotropic conductivity; Forming a core-shell structure by forming a shell with silver chloride (AgCl) on a portion of the plurality of silver nanowires exposed from the polymer, wherein the core- Separating the core-shell structure from the substrate to form a free standing ACF (anisotropic conductive flexible) film; forming an electrode on the at least a portion of the plurality of silver nanowires exposed from the polymer, A method of forming a GSR sensor is provided.

상기 GSR 센서의 형성 방법에 있어서, 상기 기판 상에 복수의 은 나노선이 코어를 형성하고, 상기 코어 상에 금(Au) 또는 염화은(AgCl)이 쉘을 형성하는 복수의 코어-쉘(core-shell) 구조체를 형성하는 단계 및 상기 복수의 코어-쉘 구조체 사이의 적어도 일부를 폴리머로 충전하는 단계는, 상기 폴리머를 포함하는 폴리머 용액을 스핀 코팅을 이용하여, 상기 복수의 은 나노선이 코어를 형성한 상기 기판 상에 분사하는 단계, 상기 폴리머 용액을 경화시켜, 상기 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 형성하는 단계, 상기 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 큐어링(curing)하는 단계 및 상기 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 냉각하는 단계를 포함할 수 있다.The method for forming a GSR sensor according to claim 1, wherein a plurality of silver-nanowires are formed on the substrate and a plurality of core-shells are formed on the core to form a shell of gold (Au) or silver chloride (AgCl) shell structure and filling at least a portion of the polymer between the plurality of core-shell structures comprises spin-coating the polymer solution comprising the polymer, Curing the polymer solution to form a core-shell structure at least partially molded with the polymer, curing a core-shell structure at least partially molded with the polymer, curing the core-shell structure and at least partially cooling the core-shell structure with the polymer.

상기 GSR 센서의 형성 방법에 있어서, 상기 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 냉각하는 단계 이후에, 상기 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 플라즈마(plasma) 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.In the method of forming a GSR sensor, a step of plasma-treating a core-shell structure in which at least a part is molded with the polymer, after cooling the core-shell structure in which at least a part of the polymer is molded, .

상기 GSR 센서의 형성 방법에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 산소 플라즈마(O2 plasma) 처리를 포함할 수 있다.In the method of forming the GSR sensor, the plasma treatment may include an oxygen plasma (O 2 plasma) treatment.

상기 GSR 센서의 형성 방법에 있어서, 상기 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 큐어링하는 단계는, 200 ℃ 내지 300℃ 범위의 온도범위를 포함할 수 있다.In the method of forming a GSR sensor, the step of curing the core-shell structure, at least partially molded with the polymer, may include a temperature range of 200 ° C to 300 ° C.

상기 GSR 센서의 형성 방법에 있어서, 상기 폴리머는 가요성을 가지며 상기 은 나노선에 비하여 낮은 전기전도성을 가질 수 있다.In the method of forming the GSR sensor, the polymer is flexible and may have a lower electrical conductivity than the silver nanowire.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 피부 저항 변화 측정이 가능한 GSR 센서 및 그 형성 방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention as described above, a GSR sensor capable of measuring skin resistance change and a method of forming the GSR sensor can be implemented. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 GSR 센서의 형성 방법을 개략적으로 도시하는 순서도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 GSR 센서의 형성 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체의 형성 방법을 개략적으로 도시하는 순서도이다.
도 4는 본 발명의 따른 GSR 센서에 포함되는 은 나노선을 형성하는 은 나노선 형성 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 코어-쉘 구조체의 주사전자현미경 사진이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 프리스탠딩 ACF막의 광학적 이미지이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체의 형성 방법을 개략적으로 도시하는 순서도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체의 형성 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 코어-쉘 구조체의 몰딩을 수행하기 전의 주사전자현미경 사진 및 EDS를 이용한 line scan 스펙트럼이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체의 주사전자현미경 사진이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체의 형성 방법을 개략적으로 도시하는 순서도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체의 제조 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체의 주사전자현미경 사진이다.
도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 GSR 센서의 전기적인 특성을 평가하는 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 15는 도 14의 전기적인 특성을 기판에 변화에 따라 보여주는 IV curve 그래프이다.
도 16은 본 발명의 실시예들에 따른 GSR 센서의 Cl- 이온의 농도 변화에 따른 전기적인 특성을 평가하는 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 17은 도 16의 Cl- 이온의 농도 변화 따라 나타나는 저항 그래프이다.1 is a flowchart schematically showing a method of forming a GSR sensor according to embodiments of the present invention.
FIG. 2 is a view schematically showing a method of forming a GSR sensor according to embodiments of the present invention.
3 is a flow chart schematically illustrating a method of forming a core-shell structure in which at least a portion is molded with a polymer according to embodiments of the present invention.
FIG. 4 is a schematic view of a silver nanowire-forming apparatus for forming silver nanowires included in the GSR sensor according to the present invention.
5 is a scanning electron micrograph of a core-shell structure according to an embodiment of the present invention.
6 is an optical image of a free standing ACF membrane according to embodiments of the present invention.
7 is a flowchart schematically illustrating a method of forming a core-shell structure in which at least a part is molded with a polymer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a schematic view illustrating a method of forming a core-shell structure in which at least a part is molded with a polymer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a line scan spectrum using a scanning electron microscope and EDS before molding of a core-shell structure according to an embodiment of the present invention. FIG.
10 is a scanning electron micrograph of a core-shell structure in which at least a portion of the polymer is molded according to an embodiment of the present invention.
11 is a flow chart schematically illustrating a method of forming a core-shell structure in which at least a part is molded with a polymer according to another embodiment of the present invention.
12 is a view schematically showing a method of manufacturing a core-shell structure in which at least a part is molded with a polymer according to another embodiment of the present invention.
13 is a scanning electron micrograph of a core-shell structure in which at least a portion of the polymer is molded according to another embodiment of the present invention.
14 is a view schematically showing a method of evaluating electrical characteristics of a GSR sensor according to embodiments of the present invention.
15 is an IV curve graph showing the electrical characteristics of Fig. 14 as the substrate changes. Fig.
16 is a view schematically showing a method for evaluating electrical characteristics according to a concentration change of Cl - ion in a GSR sensor according to embodiments of the present invention.
FIG. 17 is a graph of the resistance of Cl - ion according to the concentration change of FIG. 16; FIG.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, Is provided to fully inform the user. Also, for convenience of explanation, the components may be exaggerated or reduced in size.

본 발명의 실시예들에서는, 은 나노선을 포함하는 이방성 프리스탠딩 ACF(anisotropic conductive flexible)막 구조체에 대하여 설명하고 있으나, 이는 예시적이며 다른 물질로 구성된 나노선을 포함하는 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다.In the embodiments of the present invention, an anisotropic conductive flexible film structure including silver nanowires is described. However, the present invention is not limited to the anisotropic conductive flexible film structure including silver nanowires, Included in thought.

일반적으로 GSR(피부전도도:Galvanic Skin Response) 측정은 피부의 전기전도도를 측정하는 것으로서, 신체의 건강상태를 체크하는 생체측정의 일종이며, 특히 사용자의 심리상태를 체크하는 심리학에서 많이 사용되고 있다. 또한, GSR 측정은 피부와 접촉하는 몇 개의 접점을 제공하여 이들 접점 사이에서 통상의 저항 측정회로를 이용하여 측정할 수 있다.In general, the GSR (Galvanic Skin Response) measurement measures the electrical conductivity of the skin. It is a kind of biometric measurement for checking the health state of the body. Especially, it is widely used in psychology that checks the psychological state of the user. GSR measurements can also be measured using conventional resistance measurement circuits between these contacts, providing several contacts that contact the skin.

본 발명의 실시예들에 따른 GSR 센서는, 복수의 코어-쉘 구조체와 상기 복수의 코어-쉘 구조체 사이의 적어도 일부를 충전(fill)하는 폴리머를 포함하는 프리스탠딩 ACF(anisotropic conductive flexible)막 및 상기 프리스탠딩 ACF막의 적어도 일부 상에 전원부가 연결될 수 있는 전극을 포함할 수 있다. A GSR sensor according to embodiments of the present invention includes a free standing ACF (anisotropic conductive flexible) film comprising a plurality of core-shell structures and a polymer filling at least a portion between the plurality of core- And an electrode capable of being connected to a power source on at least a part of the free standing ACF film.

또한, 상기 코어-쉘 구조체는 은 나노선이 코어를 형성하고, 상기 코어의 적어도 일부 상에 금(Au) 또는 염화은(AgCl)이 쉘을 형성할 수 있다. 또한, 상기 전원부는 전압 인가부 및/또는 전류 측정부를 포함할 수 있다.In addition, the core-shell structure may form a core of silver nanowires, and gold (Au) or silver chloride (AgCl) may form a shell on at least a portion of the core. Also, the power supply unit may include a voltage applying unit and / or a current measuring unit.

예를 들어, 도 14 및 도 16을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 GSR 센서는, 폴리머(40)가 복수의 코어-쉘 구조체(35) 사이의 적어도 일부를 충전하는 프리스탠딩 ACF막(100)을 포함할 수 있다. 또한, 프리스탠딩 ACF막(100)의 적어도 일부 상에 전압 인가부(V) 및/또는 전류 측정부(I)와 연결되는 적어도 하나 이상의 전극(80)을 포함할 수 있다. 14 and 16, a GSR sensor in accordance with embodiments of the present invention includes a polymeric 40, a free standing ACF membrane (not shown) that fills at least a portion of the plurality of core- (100). In addition, at least one electrode 80 connected to the voltage application unit V and / or the current measurement unit I may be included on at least a part of the free standing ACF film 100.

예컨대, 도 14와 같이, 전압 인가부(V) 및/또는 전류 측정부(I)는, 프리스탠딩 ACF막(100)의 적어도 일부 상에 위치하는 전극(80)과 측정 대상물 또는 지지기판(10b)와 연결될 수 있도록 형성될 수 있다. 또한, 도 16과 같이, 전압 인가부(V) 및/또는 전류 측정부(I)는 프리스탠딩 ACF막(100)의 적어도 일부 상에 위치하는 제 1 전극(80a)과 제 2 전극(80b)이 연결될 수 있도록 형성될 수 있다. 또한, 지지기판(10b) 상에 포함되는 패브릭(90) 상에 위치할 수 있다.14, the voltage applying unit V and / or the current measuring unit I may be configured to measure the voltage applied to the electrode 80 positioned on at least a part of the free standing ACF film 100 and the measuring object or the supporting substrate 10b As shown in FIG. 16, the voltage applying unit V and / or the current measuring unit I may include a first electrode 80a and a second electrode 80b positioned on at least a part of the free standing ACF film 100, As shown in Fig. It may also be located on the fabric 90 included on the support substrate 10b.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 GSR 센서의 형성 방법을 개략적으로 도시하는 순서도이다. 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 GSR 센서의 형성 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체의 형성 방법을 개략적으로 도시하는 순서도이다.1 is a flowchart schematically showing a method of forming a GSR sensor according to embodiments of the present invention. FIG. 2 is a view schematically showing a method of forming a GSR sensor according to embodiments of the present invention. 3 is a flow chart schematically illustrating a method of forming a core-shell structure in which at least a portion is molded with a polymer according to embodiments of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 GSR 센서를 형성하는 방법은, 기판을 제공하는 단계(S100), 기판 상에 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 형성하는 단계(S200) 및 코어-쉘 구조체를 기판에서 분리하여 프리스탠딩 ACF(anisotropic conductive flexible)막을 형성하는 단계(S300)를 포함할 수 있다. 1 to 3, a method of forming a GSR sensor according to embodiments of the present invention includes the steps of providing a substrate (S100), forming a core-shell structure in which at least a part of the polymer is molded on a substrate (S200) and separating the core-shell structure from the substrate to form a free standing ACF (anisotropic conductive flexible) film (S300).

예를 들어, 기판을 제공하고, 상기 기판 상에, 복수의 은 나노선이 코어를 형성하고 상기 코어 상에 금(Au) 또는 염화은(AgCl)이 쉘을 형성하는 복수의 코어-쉘(core-shell) 구조체를 형성할 수 있다. 그런 다음에, 상기 복수의 코어-쉘 구조체 사이의 적어도 일부를 폴리머로 충전할 수 있다.For example, there is a method of providing a substrate and providing a plurality of core-shells on the substrate, wherein a plurality of silver nanowires form a core and gold (Au) or silver chloride (AgCl) shell structure can be formed. At least a portion of the plurality of core-shell structures may then be filled with a polymer.

그런 다음에, 상기 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 상기 기판에서 분리함으로써, 프리스탠딩 ACF(anisotropic conductive flexible)막을 형성할 수 있다.Then, a free-standing ACF (anisotropic conductive flexible) film can be formed by separating the core-shell structure at least partially molded with the polymer from the substrate.

이때, 기판 상에 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 형성하는 단계(S200)는, 기판 상에 은 나노선을 형성하는 단계(S210), 폴리머 용액을 스핀 코팅을 이용하여 복수의 은 나노선이 코어를 형성한 기판 상에 분사하는 단계(S212), 상기 폴리머 용액을 경화시켜 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 형성하는 단계(S214), 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 큐어링(curing)하는 단계(S216) 및 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 냉각하는 단계(S218)를 포함할 수 있다.At this time, the step (S200) of forming a core-shell structure in which at least a part of the polymer is molded on the substrate includes the steps of forming silver nanowires on the substrate (S210) (S212) of injecting a nanowire onto a core-forming substrate, curing the polymer solution to form a core-shell structure at least partially molded with a polymer (S214), forming a core - curing the shell structure (S216) and cooling the core-shell structure (S218) at least partially molded with the polymer.

또한, 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 냉각하는 단계(S218) 이후에, 상기 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 플라스마(plasma) 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include plasma treating the at least partially molded core-shell structure with the polymer after step (S218) of cooling the at least partially molded core-shell structure.

구체적인 예를 들어, 도 2의 (a)와 같이, 기판(10) 상에 복수의 은 나노선(20)이 코어를 형성할 수 있다. 이때, 도면에는 도시하지 않았으나, 은 나노선(20)의 적어도 일부분은 금(Au) 또는 염화은(AgCl)으로 도핑되어 쉘을 형성할 수 있다.For example, as shown in FIG. 2A, a plurality of silver nanowires 20 may form a core on the substrate 10. [ At this time, although not shown in the drawing, at least a part of the silver nanowire 20 may be doped with gold (Au) or silver chloride (AgCl) to form a shell.

그런 다음에, 도 2의 (b)와 같이, 폴리머(40)를 포함하는 폴리머 용액을 스핀 코팅을 이용하여, 복수의 은 나노선(20)이 코어를 형성한 기판(10) 상에 분사한 후, 상기 폴리머 용액을 약 20 ℃ 내지 100 ℃의 온도범위에서 경화시켜, 폴리머(40)로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체(50)를 구현할 수 있다. 2 (b), a polymer solution containing the polymer 40 is spin-coated onto a substrate 10 on which a plurality of silver nanowires 20 are formed, The polymer solution can be cured at a temperature ranging from about 20 [deg.] C to 100 [deg.] C to form a core-shell structure 50 that is at least partially molded with polymer 40. [

이때, 상기 스핀 코팅은, 예를 들어 약 50초 내지 약 200 초 범위 동안 약 1000 rpm 내지 약 5000 rpm 범위의 속도로 수행될 수 있고, 예를 들어, 약 100 초 동안 약 5000 rpm의 속도로 수행될 수 있다. 또한, 상기 스핀 코팅은 1 회 수행되거나 또는 복수 회 수행될 수 있고, 엄격하게는, 5 회 수행될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 은 나노선(20)의 길이와 두께에 따라 다양하게 변화할 수 있다. 이러한 스핀코팅은 기판(10) 상의 은 나노선(20)에 폴리머(40)를 균일하게 공급할 수 있고, 폴리머(40)가 은 나노선(20) 사이를 균일하게 충전시킬 수 있다.The spin coating may be performed at a speed in the range of about 1000 rpm to about 5000 rpm for a range of, for example, about 50 seconds to about 200 seconds, and may be performed at a speed of about 5000 rpm for about 100 seconds, for example . In addition, the spin coating may be performed once or plural times, strictly, five times. However, the present invention is not limited thereto, and the silver nanowire 20 may vary in various lengths and thicknesses. This spin coating can uniformly supply the polymer 40 to the silver nanowire 20 on the substrate 10 and uniformly fill the space between the silver nanowires 20 with the polymer 40. [

그런 다음에, 폴리머(40)로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체(50)를 200 ℃ 내지 300 ℃ 범위의 온도범위에서 큐어링 한 후, 냉각할 수 있다. 또한, 폴리머(40)로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체(50)를 냉각 한 후에, 폴리머(40)로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체(50)의 상단 부분의 폴리머(40)가 일부 제외되는 정도로 플라즈마 처리를 수행 할 수 있다. 이때, 플라즈마 처리는, 예컨대, 산소 플라즈마(O2 plasma) 처리를 포함할 수 있다.The core-shell structure 50, at least partially molded with the polymer 40, may then be cured at a temperature ranging from 200 캜 to 300 캜 and then cooled. In addition, after cooling the core-shell structure 50 at least partially molded with the polymer 40, the polymer 40 in the upper portion of the core-shell structure 50, at least partially molded with the polymer 40, The plasma treatment can be performed to some extent. At this time, the plasma treatment may include, for example, an oxygen plasma (O 2 plasma) treatment.

그런 다음에, 도 2의 (C)와 같이, 폴리머(40)로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체(50)를 기판(10)에서 분리하여 프리스탠딩 ACF막(100)을 구현할 수 있다. 이때, 프리스탠딩 ACF막(100)을 기판(10)에서 분리하는 공정은, 블레이드, 커터 또는 그라인더 등을 이용하여 수행할 수 있다. 예를 들어, 상기 블레이드나 커터를 이용하여 기판(10)과 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체(50) 사이를 절단하여 분리하거나, 또는 그라인더를 이용하여 기판(10)을 연마하여 제거하여 분리할 수 있다.2 (C), the free-standing ACF membrane 100 can be realized by separating the core-shell structure 50, which is at least partially molded with the polymer 40, from the substrate 10. At this time, the step of separating the free standing ACF film 100 from the substrate 10 can be performed using a blade, a cutter, a grinder, or the like. For example, the substrate 10 may be cut and separated between the substrate 10 and the core-shell structure 50 at least partially molded using the blade or the cutter, or the substrate 10 may be polished and removed using a grinder .

또한, 프리스탠딩 ACF막(100)의 상면 또는 하면에는, 도 2의 (d)와 같이, 전극(80)이 형성될 수 있다.An electrode 80 may be formed on the upper surface or the lower surface of the free standing ACF film 100 as shown in FIG. 2 (d).

본 발명의 실시예들에 따른 프리스탠딩 ACF막(100)은 폴리머(40)로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체(50)에 의하여 형성될 수 있고, 구체적으로 경화된 폴리머(40) 내에 코어를 형성하는 복수의 은 나노선이 위치하는 이방성, 전기전도성, 가요성의 특성을 가지는 막일 수 있다. 은 나노선(20)은 이방성과 전기전도성을 제공하고, 폴리머(40)는 가요성을 제공할 수 있다. 즉, 은 나노선(20)에 의한 이방성 전기적 특성과 폴리머(40)에 의한 가요성 특성을 유지할 수 있다.The free standing ACF membrane 100 according to embodiments of the present invention may be formed by a core-shell structure 50 that is at least partially molded with a polymer 40, May be a film having anisotropic, electrically conductive, and flexible characteristics in which a plurality of silver nanowires forming the silver nanowire are located. The silver nanowires 20 provide anisotropy and electrical conductivity, and the polymer 40 can provide flexibility. That is, the anisotropic electrical characteristics of the silver nanowire 20 and the flexibility characteristics of the polymer 40 can be maintained.

또한, 본 발명의 따른 프리스탠딩 ACF막(100)은 간단한 공정을 통하여 형성될 수 있고, 전기전도성을 가지므로 전극으로 사용가능하다. 또한, 가요성을 가지므로 비용절감과 대량 생산을 위한 롤-투-롤(roll-to-roll) 제조 방법에 적용되기 쉬우며, 이방성을 가지므로 미세 피치화에 보다 효과적으로 대응할 수 있다.In addition, the free standing ACF membrane 100 according to the present invention can be formed through a simple process and can be used as an electrode because it has electrical conductivity. In addition, since it has flexibility, it is easy to apply to a roll-to-roll manufacturing method for cost reduction and mass production, and has anisotropy, so it can cope with fine pitching more effectively.

폴리머(40)는 복수의 은 나노선(20)의 사이를 충전(fill)할 수 있고, 은 나노선(20)의 외측을 몰딩할 수 있다. 또한, 폴리머(40)는, 예컨대, 액체일 수 있고, 경화되는 경우 고체가 되는 폴리머 용액을 포함할 수 있다. 폴리머(40)는 가요성을 가지고, 은 나노선(20)에 비하여 매우 낮은 전기전도성을 가질 수 있으며, 예를 들어, 폴리이미드(polyimide)를 포함할 수 있다. 엄격하게 예를 들어, 약 5 wt%(중량비) 내지 약 15 wt%의 범위의 폴리이미드를 폴리머(40)로서 포함할 수 있다.The polymer 40 can fill the spaces between the plurality of silver nanowires 20 and can mold the outside of the silver nanowires 20. The polymer 40 may also include, for example, a polymer solution which may be a liquid and solid when solidified. The polymer 40 is flexible and may have a much lower electrical conductivity than the silver nanowire 20 and may include, for example, polyimide. Strictly, for example, polyimide in the range of about 5 wt% (weight ratio) to about 15 wt% may be included as polymer 40.

또한, 폴리머(40)는, 예를 들어, 약 20 ℃ 내지 100℃의 온도범위에서 경화될 수 있으며, 엄격하게는, 상온(약 25 ℃)에서 경화되거나, 상기 상온에 비하여 고온에서의 열처리에 의하여 경화될 수 있다. 예컨대, 약 80 ℃온도에서 1 시간 열처리하고, 이어서 약 100 ℃ 온도에서 1 시간 열처리에 의하여 경화될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 열처리 온도, 시간, 횟수는 다양하게 변화될 수 있다.The polymer 40 may also be cured, for example, at a temperature ranging from about 20 DEG C to 100 DEG C, and may be cured at room temperature (about 25 DEG C), or heat treated at a higher temperature . For example, at a temperature of about 80 캜 for one hour, and then at a temperature of about 100 캜 for one hour. However, the present invention is not limited thereto, and the temperature, time, and the number of times of the heat treatment may be variously changed.

기판(10)은 은 나노선(20)을 코어로 성장시킬 수 있는 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 실리콘 기판을 포함할 수 있다. 또한, 기판(10)은 은 나노선(20)을 코어로 성장시킬 수 있는 물질로 구성된 성장 유도층을 표면에 포함할 수 있다. 상기 성장 유도층은 금속을 포함할 수 있고, 예컨대, 은(Ag), 은 합금, 금(Au) 또는 금 합금을 포함할 수 있다.The substrate 10 may be made of a material capable of growing the silver nanowire 20 into a core. For example, a silicon substrate. In addition, the substrate 10 may include on its surface a growth inducing layer composed of a material capable of growing the silver nanowire 20 into a core. The growth inducing layer may include a metal and may include, for example, silver (Ag), a silver alloy, gold (Au), or a gold alloy.

도 4는 본 발명의 따른 GSR 센서에 포함되는 은 나노선을 형성하는 형성 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다.4 is a view schematically showing a forming apparatus for forming silver nanowires included in the GSR sensor according to the present invention.

도 4를 참조하면, 나노선 형성 장치(1)는 용기(2), 기준 전극(3)(reference electrode), 상대 전극(4)(counter electrode), 작동 전극(5)(working electrode), 및 정전위 장치(6)를 포함할 수 있다. 용기(2)는 전해 용액(7)을 수용할 수 있고, 전해 용액(7)과 반응하지 않는 물질, 예를 들어, 유리 또는 스테인레스 스틸로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, the nanowire-forming apparatus 1 includes a container 2, a reference electrode 3, a counter electrode 4, a working electrode 5, And may include a constant-potential device 6. The container 2 can be formed of a material which can receive the electrolytic solution 7 and does not react with the electrolytic solution 7, for example, glass or stainless steel.

기준 전극(3), 상대 전극(4), 및 작동 전극(5)은 3전극 시스템을 구성할 수 있다. 기준 전극(3)은, 예를 들어 은/염화은(Ag/AgCl) 전극을 사용할 수 있다. 상대 전극(4)은, 예를 들어 백금(Pt) 선 전극을 사용할 수 있다. 작동 전극(5)은, 예를 들어, 도전성을 가지는 다양한 기판을 사용할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 기판 상에 금이 코팅되어 구성될 수 있는 기판(10)이 작동 전극(5)의 기능을 수행할 수 있다. 기준 전극(3), 상대 전극(4), 및 작동 전극(5)은 전해 용액(7) 내에 침지된다.The reference electrode 3, the counter electrode 4, and the working electrode 5 can constitute a three-electrode system. The reference electrode 3 can be, for example, a silver / silver chloride (Ag / AgCl) electrode. As the counter electrode 4, for example, a platinum (Pt) line electrode can be used. As the working electrode 5, for example, various substrates having conductivity can be used. For example, the substrate 10, which can be constituted by gold coating on a silicon substrate, can perform the function of the working electrode 5. The reference electrode 3, the counter electrode 4, and the working electrode 5 are immersed in the electrolytic solution 7.

정전위 장치(6)는 상대 전극(4)과 작동 전극(5) 사이에 전류를 인가하고, 작동 전극(5)에 인가되는 전압은 기준 전극(3)을 0 V로 설정하여 측정될 수 있다. 정전위 장치(6)에 의하여 전해 용액(7)으로부터 원하는 물질이 작동 전극(5)에 증착될 수 있고, 이에 따라 은 나노선이 형성될 수 있다. 또한, 정전위 장치(6)는 작동 전극(5)에 인가되는 전압의 크기와 극성을 변화시킬 수 있다. 분극 측정은 동전압 모드(potentiodynamic mode)를 이용하여 측정될 수 있다. The electrostatic chuck 6 applies a current between the counter electrode 4 and the working electrode 5 and the voltage applied to the working electrode 5 can be measured by setting the reference electrode 3 to 0 V . A desired substance can be deposited on the working electrode 5 from the electrolytic solution 7 by means of the electrostatic charging device 6, so that silver nanowires can be formed. Further, the constant-potential device 6 can change the magnitude and the polarity of the voltage applied to the working electrode 5. [ Polarization measurements can be measured using a potentiodynamic mode.

상기 동전압 모드는, 예를 들어, 500 mHz의 주파수, -18 V/0.5 V의 환원 전압/산화 전압, 50%의 듀티(duty), 4 시간의 지속 시간의 조건들 하에서 수행될 수 있다. 2 셀의 경우에는 500 mHz의 주파수, -40 V/0.5 V의 환원 전압/산화 전압, 50%의 듀티, 4 시간의 지속 시간의 조건들 하에서 수행될 수 있다.The copper voltage mode may be performed under conditions of, for example, a frequency of 500 mHz, a reduction voltage / oxidation voltage of -18 V / 0.5 V, a duty of 50%, and a duration of 4 hours. For two cells, a frequency of 500 mHz, a reduction voltage / oxidation voltage of -40 V / 0.5 V, a duty of 50%, and a duration of 4 hours.

전해 용액(7)은 복수의 은 나노선(20)을 형성하기 위한 물질이 용해된 용액일 수 있고, 은을 포함하는 수용액을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전해 용액(7)은 약 0.02 mM의 질산은(AgNO3)과 약 2.11 mM의 수산화암모늄(NH4OH)을 포함하는 혼합 용액일 수 있다.The electrolytic solution 7 may be a solution in which a material for forming a plurality of silver nanowires 20 is dissolved, and may contain an aqueous solution containing silver. For example, the electrolytic solution 7 may be a mixed solution containing about 0.02 mM silver nitrate (AgNO 3 ) and about 2.11 mM ammonium hydroxide (NH 4 OH).

은 나노선(20)은 피뢰침 효과를 이용하여 기판(10) 상에 성장될 수 있다. 은 나노선(20)의 성장을 상세하게 설명하면, 전해 용액(7) 내에서 작동 전극(5), 즉, 기판(10) 상에 은 나노 입자들이 우선적으로 핵생성되어 은 나노 아일랜드들을 형성한다. 상기 은 나노 아일랜드들의 말단(tip)들에서는 전기장이 국부적으로 증대되며, 이에 따라 계면 이방성이 야기된다. 이러한 계면 이방성에 의하여 은 나노 아일랜드들이 각각 성장하여 은 나노선(20)을 형성한다. The silver nanowire 20 can be grown on the substrate 10 using the lightning rod effect. Describing in detail the growth of the nanowire 20, the silver nanoparticles are preferentially nucleated on the working electrode 5, i.e., the substrate 10, in the electrolytic solution 7 to form silver nano-islands . At the tips of the silver nano-islands, the electric field is locally increased, thereby causing interface anisotropy. These interfacial anisotropies cause silver nano-islands to grow to form silver nanowires 20, respectively.

즉, 일단 은 나노 아일랜드들이 핵생성되면, 핵생성 거동의 속도보다는 은 나노 아일랜드들의 성장 거동의 속도가 빨라지게 되어, 결과적으로 일 방향으로 길게 성장된 은 나노선(20)을 형성한다. 이러한 은 나노선(20)의 성장은 피뢰침에 번개가 집중되어 흐르는 것과 유사하므로, 피뢰침 효과(lightening-rod effect)로 지칭될 수 있다. 또한, 이러한 일 방향으로 길게 성장된 은 나노선(20)은 이방성 특징을 제공할 수 있다. 또한, 은 나노선(20)은 은의 금속적 성질에 따라 전기전도성 특징을 제공할 수 있다.That is, once the nano-islands are nucleated, the growth behavior of silver nano-islands is faster than the rate of nucleation behavior, resulting in a silver nanowire 20 grown in one direction. The growth of this silver nanowire 20 is similar to the lightning-concentrated flow of lightning arresters, and thus can be referred to as the lightening-rod effect. Further, the silver nanowire 20 grown in one direction in this way can provide anisotropic characteristics. In addition, the silver nanowire 20 may provide an electrical conductivity characteristic according to the metallic properties of the silver.

은 나노선(20)은 기판(10)에 대하여 일정한 각도를 가지고 성장될 수 있고, 예를 들어, 기판(10)에 대하여 수직하게 성장될 수 있다. 은 나노선(20)의 직경, 개수 밀도(number density), 길이 등은 다양한 범위로 변화될 수 있다.The silver nanowire 20 can be grown at an angle with respect to the substrate 10 and grown perpendicular to the substrate 10, for example. The diameter, the number density, and the length of the silver nanowire 20 may be varied in various ranges.

또한, 은 나노선(20)은, 성장 조건을 제어함에 따라서, 예컨대, 덴드라이트(dendrite), 침상 또는 판상 등의 다른 형태를 포함할 수 있다.The silver nanowire 20 may also include other forms, such as dendrite, needle or plate, for example, as the growth conditions are controlled.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 코어-쉘 구조체의 주사전자현미경 사진이다.5 is a scanning electron micrograph of a core-shell structure according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 도 5의 (a)는 코어-쉘 구조체(35)의 몰딩을 수행하기 전의 주사전자현미경 사진으로, 상기 기판 상에 수직하게 형성된 덴드라이크 구조의 은 나노선을 확인할 수 있었다. 또한 도 5의 (b)는 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체의 주사전자현미경 사진으로, 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 확인할 수 있었으며, 산소 플라스마 처리에 의하여 폴리머가 일부 제외된 것을 확인할 수 있었다.5, (a) is a scanning electron microscope photograph before the molding of the core-shell structure 35 is performed, and a silver-nano-line structure of a dendritic structure vertically formed on the substrate is identified there was. FIG. 5 (b) is a scanning electron micrograph of a core-shell structure in which at least a part of the polymer is molded, and a core-shell structure in which at least a part of the polymer is molded can be identified. I could confirm that it was excluded.

도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 프리스탠딩 ACF막의 광학적 이미지이다.6 is an optical image of a free standing ACF membrane according to embodiments of the present invention.

도 6을 참조하면, 도 6은 상기 기판에서 분리된 프리스탠딩 ACF막의 광학적 이미지로써, 프리스탠딩 ACF막의 가요성을 확인할 수 있었다.Referring to FIG. 6, FIG. 6 is an optical image of a freestanding ACF film separated from the substrate, and the flexibility of the free standing ACF film can be confirmed.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체의 형성 방법을 개략적으로 도시하는 순서도이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체의 형성 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다.7 is a flowchart schematically illustrating a method of forming a core-shell structure in which at least a part is molded with a polymer according to an embodiment of the present invention. FIG. 8 is a schematic view illustrating a method of forming a core-shell structure in which at least a part is molded with a polymer according to an embodiment of the present invention.

도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른, 기판 상에 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 형성하는 단계(S200)는, 기판 상에 복수의 은 나노선을 형성하는 단계(S220), 은 나노선 상에 금을 도핑하는 단계(S222) 및 도핑된 은 나노선을 폴리머를 이용하여 몰딩하는 단계(S224)를 포함할 수 있다.7 and 8, a step S200 of forming a core-shell structure in which at least a part of a polymer is molded on a substrate according to an embodiment of the present invention includes a step of forming a plurality of silver nanowires (S220) forming a silver nanowire, doping gold on the silver nanowire (S222), and molding the doped silver nanowire using a polymer (S224).

구체적인 예를 들어, 도 8의 (a)와 같이, 금이 증착된 실리콘 기판(10a) 상에, 피뢰침 효과를 이용한 복수의 은 나노선(20)을 수직하게 성장시킬 수 있다.For example, as shown in FIG. 8A, a plurality of silver nanowires 20 using a lightning rod effect can be vertically grown on the silicon substrate 10a on which gold is deposited.

그런 다음에, 도 8의 (b)와 같이, 은 나노선(20)을 HAuCl4·nH2O 에 침지하여, -1 V를 30 분 동안 인가하여 은 나노선(20)이 코어를 형성하고, 은 나노선(20) 상에 금이 도핑되어 금을 포함하는 쉘(30a)이 형성될 수 있다. 이러한 방법으로 은(Ag)/금(Au) 나노선 코어-쉘(35a)을 구현할 수 있다. Then, as shown in FIG. 8B, the silver nanowire 20 is immersed in HAuCl 4 .nH 2 O and -1 V is applied for 30 minutes to form the silver nanowire 20 as a core The silver nanowire 20 may be formed with a shell 30a doped with gold and containing gold. In this way a silver (Ag) / gold (Au) nanowire core-shell 35a can be implemented.

이때, 정전위 전압(potentiostatic voltage)은 -1 V 이하에서 변경될 수 있고, 반응 시간은 2 시간 이하에서 변경될 수 있다.At this time, the potentiostatic voltage can be changed below -1 V, and the reaction time can be changed within 2 hours.

그런 다음에, 도 8의 (c)와 같이, 은(Ag)/금(Au) 나노선 코어-쉘(35a)이 형성된 실리콘 기판(10a) 상에 폴리이미드를 100 초 동안 5000 rpm에서 스핀 코팅을 1번 수행하여 몰딩할 수 있다. 그런 다음에, 폴리머로 몰딩된 은(Ag)/금(Au) 나노선 코어-쉘 구조체(50a)를 형성할 수 있다. 이때, 은(Ag)/금(Au) 나노선 코어-쉘(35a)의 길이에 따라 상기 폴리이미드의 몰딩되는 양은 변경될 수 있다. 8 (c), the polyimide was spin-coated at 5000 rpm for 100 seconds on the silicon substrate 10a on which the silver (Ag) / gold (Au) nanowire core-shell 35a was formed To perform molding once. The silver (Ag) / gold (Au) nanowire core-shell structure 50a molded with the polymer can then be formed. At this time, the molding amount of the polyimide may be changed according to the length of the silver (Ag) / gold (Au) nanowire core-shell 35a.

그런 다음에, 핫 플레이트(hot plate)에서 260 ℃ 온도에서 20 동안 처리하여 상기 폴리이미드를 큐어링할 수 있다. 상기 큐어링 온도는 200 ℃ 내지 300 ℃ 온도범위 내에서 변경될 수 있으며, 상기 큐어링 후에 시편을 충분히 냉각시키고, 산소 플라즈마(O2 plasma) 처리를 진행할 수 있다.The polyimide may then be cured by treatment at a temperature of 260 DEG C for 20 minutes in a hot plate. The curing temperature may be varied within a range of 200 ° C to 300 ° C. After curing, the specimen may be sufficiently cooled and an oxygen plasma (O 2 plasma) process may be performed.

또한, 상기 산소 플라즈마 처리 후, 은(Ag)/금(Au) 나노선이 수직적으로 형성된 폴리머로 몰딩된 은(Ag)/금(Au) 나노선 코어-쉘 구조체(50a)를 실리콘 기판(10a)에서 분리하여, 프리스탠딩 ACF막을 구현할 수 있다. 또한, 상기 프리스탠딩 ACF막 상에 금 전극을 형성할 수 있다.After the oxygen plasma treatment, a silver / gold (Au) nanowire core-shell structure 50a molded with a polymer in which silver (Ag) / gold (Au) ), Thereby realizing a free standing ACF film. In addition, a gold electrode may be formed on the free standing ACF film.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 코어-쉘 구조체의 몰딩을 수행하기 전의 주사전자현미경 사진 및 EDS를 이용한 line scan 스펙트럼이다. FIG. 9 is a line scan spectrum using a scanning electron microscope and EDS before molding of a core-shell structure according to an embodiment of the present invention. FIG.

도 9를 참조하면, 도 9의 (a)는 몰딩전 은(Ag)/금(Au) 나노선 코어-쉘 구조체(35a)를 옆면에서 촬영한 주사전자현미경사진으로, 은(Ag)/금(Au) 나노선 코어-쉘(35a)이 상기 기판 상에 수직적으로 형성된 것을 확인 할 수 있었다. 또한, 도 9의 (b)는 은(Ag)/금(Au) 나노선 코어-쉘 구조체(35a)의 EDS를 이용한 line scan 스펙트럼으로 (Ag)/금(Au) 나노선 코어-쉘(35a)이 은과 금으로만 이루어진 것을 확인할 수 있었다. 9 (a) is a scanning electron microscope photograph taken on the side of the (Ag) / gold (Au) nanowire core-shell structure 35a before molding, (Au) nanowire core-shell 35a was vertically formed on the substrate. 9 (b) is a line scan spectrum of the silver / gold (Au) nanowire core-shell structure 35a using the EDS of the silver (Ag) / gold (Au) nanowire core- ) Was only made of silver and gold.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체의 주사전자현미경 사진이다.10 is a scanning electron micrograph of a core-shell structure in which at least a portion of the polymer is molded according to an embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 도 10은 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 은(Ag)/금(Au) 나노선 코어-쉘 구조체(50a)의 옆면에서의 13도 각도의 경사 및 윗면에서 촬영한 주사전자현미경 사진으로, 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 상기 은(Ag)/금(Au) 나노선 코어-쉘 구조체(50a)를 확인할 수 있었다. 또한, 산소 플라즈마 처리에 의하여 폴리머가 일부 제외된 것을 확인할 수 있었다.10, there is shown a cross-sectional view of an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 10 is a cross-sectional view of a scanning electron (SEM) image taken at an angle of 13 degrees and on a side surface of a silver (Ag) Microphotographically, we could identify the silver (Ag) / gold (Au) nanowire core-shell structure 50a at least partially molded with a polymer. It was also confirmed that the polymer was partially removed by the oxygen plasma treatment.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체의 형성 방법을 개략적으로 도시하는 순서도이다. 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체의 형성 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다.11 is a flow chart schematically illustrating a method of forming a core-shell structure in which at least a part is molded with a polymer according to another embodiment of the present invention. 12 is a view schematically showing a method of forming a core-shell structure in which at least a part is molded with a polymer according to another embodiment of the present invention.

도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른, 기판 상에 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 형성하는 단계(S200)는, 기판 상에 복수의 은 나노선을 형성하는 단계(S230), 은 나노선을 폴리머를 이용하여 몰딩하는 단계(S232), 몰딩된 은 나노선 상에 플라즈마 처리하는 단계(S234), 기판을 PVP(polyvinylpyrrolidone) 용액 내에 침지시키는 단계(S236) 및 은 나노선 상에 FeCl3을 주입하는 단계(S238)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 11 and 12, a step S200 of forming a core-shell structure in which a polymer is at least partially molded on a substrate, according to another embodiment of the present invention, includes a step of forming a plurality of silver nanowires (S232) molding the silver nanowire using a polymer, S234 applying a plasma on the silver nanowire (S234), immersing the substrate in PVP (polyvinylpyrrolidone) solution S236 And injecting FeCl 3 on the silver nanowire (S238).

구체적인 예를 들어, 도 12의 (a)와 같이, 금이 증착된 실리콘 기판(10a) 상에, 피뢰침 효과를 이용한 복수의 은 나노선(20)을 수직하게 성장시킬 수 있다.For example, as shown in FIG. 12A, a plurality of silver nanowires 20 using a lightning rod effect can be vertically grown on the silicon substrate 10a on which gold is deposited.

그런 다음에, 도 12의 (b)와 같이, 실리콘 기판(10a) 상에 폴리이미드를 100 초 동안 5000 rpm에서 스핀 코팅을 1번 수행하여 몰딩할 수 있다. 이때, 상기 은 나노선(20)의 길이에 따라 상기 폴리이미드의 몰딩되는 양은 변경될 수 있다. Then, as shown in FIG. 12 (b), polyimide can be molded on the silicon substrate 10a by performing spin coating once at 5000 rpm for 100 seconds. At this time, the molding amount of the polyimide according to the length of the silver nanowire 20 may be changed.

그런 다음에, 도 12의 (c)와 같이, 핫 플레이트(hot plate)에서 260 ℃ 온도에서 20 동안 처리하여 상기 폴리이미드를 큐어링할 수 있다. 상기 큐어링 온도는 200 ℃ 내지 300 ℃ 온도범위 내에서 변경될 수 있으며, 상기 큐어링 후에 시편을 충분히 냉각시키고, 산소 플라즈마(O2 plasma) 처리를 진행할 수 있다.Then, as shown in Fig. 12 (c), the polyimide can be cured by treatment at a temperature of 260 DEG C for 20 minutes on a hot plate. The curing temperature may be varied within a range of 200 ° C to 300 ° C. After curing, the specimen may be sufficiently cooled and an oxygen plasma (O 2 plasma) process may be performed.

그런 다음에, 도 12의 (d)와 같이, 15 wt% PVP(P) 용액이 담긴 용기(60) 내에 상기 시편을 침지시킨 후, 20 mM FeCl3을 1 ㎕/min 속도로 주입시킬 수 있다. 이때, PVP(P) 농도는 10 wt% 내지 20 wt% 이내에서 변경될 수 있고, 분자량(molecular weight)은 40,000일 수 있다. 또한, FeCl3의 농도는 1 mM 내지 50 mM 이내에서 변경될 수 있고, 속도는 0.1 ~ 5 ㎕/min 이내로 변경될 수 있다.12 (d), 20 mM FeCl 3 may be injected at a rate of 1 μl / min after immersing the specimen in a container 60 containing 15 wt% PVP (P) solution . At this time, the PVP (P) concentration can be changed within 10 wt% to 20 wt%, and the molecular weight can be 40,000. In addition, the concentration of FeCl 3 can be changed within 1 mM to 50 mM, and the rate can be changed within 0.1 to 5 μl / min.

그런 다음에, 도 12의 (e)와 같이, 은 나노선(20) 상에 염화은을 포함하는 쉘(30b)이 형성된 은(Ag)/염화은(AgCl) 나노선 코어-쉘 구조체(35b)를 구현할 수 있다. 이에 따르면 도 12의 (e)에 도시된 바와 같이, 염화은의 쉘(30b)은 은 나노선(20)의 폴리머로부터 노출된 부분 상에 형성될 수 있고, 그에 따라 코어-쉘 구조체(35b)는 은 나노선(20)의 폴리머로부터 노출된 부분 상에 형성될 수 있다.Then, a silver (Ag) / silver chloride (AgCl) nanowire core-shell structure 35b having a shell 30b formed of silver chloride is formed on the silver nanowire 20 as shown in FIG. 12 (e) Can be implemented. 12 (e), the shell 30b of silver chloride may be formed on a portion exposed from the polymer of the silver nanowire 20, so that the core-shell structure 35b May be formed on a portion exposed from the polymer of the nanowire 20.

또한, 은(Ag)/염화은(AgCl) 나노선 코어-쉘 구조체(35b)가 수직적으로 형성된 폴리머로 몰딩된 은(Ag)/염화은(AgCl) 나노선 코어-쉘 구조체(50b)를 실리콘 기판(10a)에서 분리하여, 프리스탠딩 ACF막을 구현할 수 있다. 또한, 상기 프리스탠딩 ACF막 상에 금 전극을 형성할 수 있다. In addition, a silver (Ag) / silver chloride (AgCl) nanowire core-shell structure 50b molded with a polymer in which silver (Ag) / silver chloride (AgCl) nanowire core- 10a) to realize a free standing ACF film. In addition, a gold electrode may be formed on the free standing ACF film.

도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체의 주사전자현미경 사진이다.13 is a scanning electron micrograph of a core-shell structure in which at least a portion of the polymer is molded according to another embodiment of the present invention.

도 12 및 도 13을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 폴리머로 몰딩된 은(Ag)/염화은(AgCl) 나노선 코어-쉘 구조체(50b)가 형성된 것을 확인할 수 있었다.Referring to FIGS. 12 and 13, it can be seen that a silver (Ag) / silver chloride (AgCl) nanowire core-shell structure 50b molded with a polymer according to another embodiment of the present invention is formed.

도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 GSR 센서의 전기적인 특성을 평가하는 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 15는 도 14의 전기적인 특성을 기판에 변화에 따라 보여주는 IV curve 그래프이다. 14 is a view schematically showing a method of evaluating electrical characteristics of a GSR sensor according to embodiments of the present invention. 15 is an IV curve graph showing the electrical characteristics of Fig. 14 as the substrate changes. Fig.

도 14를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 프리스탠딩 ACF막(100)은 상면에 전극(80)을 포함할 수 있고, 하면에 지지기판(10b)을 부착하여 전기적인 특성을 평가할 수 있다. 도 14에 도시된 바와 같이, 전극(80)은 폴리머로부터 노출된 코어-쉘 구조체에 연결될 수 있다. 도 15를 참조하면, 지지기판(10b)의 종류에 따라, I-V 특성은 다르게 측정되었으며, 금 기판(A), 구리 박막기판(B), ITO 유리기판(C) 및 p-type 이 도핑된 실리콘 기판(D) 모두 0 V를 기준으로 양 전위가 인가되는 경우와 음 전위가 인가되는 경우가 거의 대칭에 가까운 I-V 특성을 나타내었다.14, a free standing ACF film 100 according to embodiments of the present invention may include an electrode 80 on an upper surface thereof, and a support substrate 10b may be attached to a lower surface thereof to evaluate electrical characteristics have. As shown in FIG. 14, the electrode 80 may be connected to the core-shell structure exposed from the polymer. 15, the IV characteristics were measured differently depending on the type of the support substrate 10b, and the gold substrate A, the copper thin film substrate B, the ITO glass substrate C, and the p-type doped silicon All of the substrate (D) exhibited IV characteristics in which both positive and negative potentials were almost symmetrical with respect to 0 V, respectively.

또한, p-type 이 도핑된 실리콘 기판(D)의 경우가, 금 기판(A), 구리 박막기판(B) 및 ITO 유리기판(C)보다 가장 큰 기울기를 갖는 I-V 특성을 나타내었다.The I-V characteristic of the silicon substrate D doped with the p-type exhibited the largest slope than that of the gold substrate A, the copper thin film substrate B and the ITO glass substrate C.

도 16은 본 발명의 실시예들에 따른 GSR 센서의 Cl- 이온의 농도 변화에 따른 전기적인 특성을 평가하는 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 17은 도 16의 Cl- 이온의 농도 변화 따라 나타나는 저항 그래프이다.16 is a view schematically showing a method for evaluating electrical characteristics according to a concentration change of Cl - ion in a GSR sensor according to embodiments of the present invention. FIG. 17 is a graph of the resistance of Cl - ion according to the concentration change of FIG. 16; FIG.

도 16을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 프리스탠딩 ACF막(100)은 제 1 전극(80a) 및 제 2 전극(80b)을 포함하여, 지지기판(10b) 상에 포함되는 패브릭(90) 상에 위치할 수 있으며, 마이크로 피페트(70)을 통하여 패브릭(90)에 주입되는 용액의 Cl- 이온의 농도 변화에 따른 전기적인 특성을 평가할 수 있다. 도 17을 참조하면, 시간에 따른 저항은 패브릭(90)에 주입되는 용액의 Cl- 이온의 농도 변화에 따라 다르게 나타났으며, 물(H2O, 도 17의 ①)의 경우가 가장 큰 저항값을 나타냈으며, 그 다음으로, 1 ㎛의 염화나트륨(NaCl, 도 17의 ②), 1M의 염화나트륨(NaCl, 도 17의 ③) 순으로 나타났다.16, the free standing ACF film 100 according to the embodiments of the present invention includes a first electrode 80a and a second electrode 80b, and is disposed on a supporting substrate 10b 90 and the electrical characteristics of the solution injected into the fabric 90 through the micropipette 70 according to the concentration of Cl - ions can be evaluated. Referring to FIG. 17, the resistance according to time varies depending on the concentration of Cl - ion in the solution injected into the fabric 90, and the resistance (H 2 O in FIG. 17) (NaCl, ② in FIG. 17) and 1M sodium chloride (NaCl, ③ in FIG. 17) in the order of 1 μm.

상술한 본 발명의 실시예들에 따른 GSR 센서는, 가요성을 갖는 폴리머로 적어도 일부분이 몰딩된 코어-쉘 구조체를 포함하고 있어, 인체 피분의 표면 굴곡에 따라 측정프로브와의 접촉이 쉽게 이루어질 수 있다. 또한, 측정되는 피부저항의 노이즈를 포함하지 않고, 정확한 결과를 측정할 수 있다. 또한, 이러한 상기 GSR 센서는, 피부저항측정 기기로, 예를 들어, 손가락 밴드, 팔 밴드, 머리띠. 패치 등에 포함될 수 있을 뿐만 아니라, 웨어러블 디바이스(wearable device) 등에 포함될 수 있다. 도 12에 도시된 실시에의 경우, GSR 센서는 전극을 통해서 프리스탠딩 ACF막 내 복수의 은 나노선과 폴리머로부터 노출된 코어-쉘 구조체를 통해서 전기적인 신호를 측정하고자 하는 피부에 인가하여 피부 저항을 측정할 수 있다.The GSR sensor according to embodiments of the present invention includes a core-shell structure in which at least a part of a flexible polymer is molded, so that the GSR sensor can easily contact the measurement probe according to the surface curvature of the human body have. Further, accurate results can be measured without including the noise of the skin resistance to be measured. The GSR sensor is a skin resistance measuring instrument, for example, a finger band, an arm band, and a headband. Patches, and the like, and may be included in a wearable device or the like. In the embodiment shown in FIG. 12, the GSR sensor applies an electrical signal to the skin to be measured through a plurality of silver nanowires in a free standing ACF film and a core-shell structure exposed from the polymer through the electrode, Can be measured.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

1 나노 구조체의 제조 장치
2: 용기
3: 기준 전극
4: 상대 전극,
5: 작동 전극
6: 정전위 장치
7: 전해 용액
8: 교반기
10: 기판
10a: 실리콘 기판
10b: 지지기판
20: 은 나노선(코어)
30a: 금을 포함하는 쉘
30b: 염화은을 포함하는 쉘
35: 코어-쉘 구조체
35a: 은(Ag)/금(Au) 나노선 코어-쉘 구조체
35b: 은(Ag)/염화은(AgCl) 나노선 코어-쉘 구조체
40: 폴리머
50: 폴리머로 몰딩된 코어-쉘 구조체
50a: 폴리머로 몰딩된 은(Ag)/금(Au) 나노선 코어-쉘 구조체
50b: 폴리머로 몰딩된 은(Ag)/염화은(AgCl) 나노선 코어-쉘 구조체
60: PVP 용액이 담긴 용기
70: 마이크로 피페트
80: 전극
80a: 제 1 전극
80b: 제 2 전극
90: 패브릭1 Manufacturing device of nanostructure
2: container
3: Reference electrode
4: Relative electrode,
5: working electrode
6:
7: electrolytic solution
8: Stirrer
10: substrate
10a: silicon substrate
10b: support substrate
20: silver nanowire (core)
30a: shell containing gold
30b: shell containing silver chloride
35: core-shell structure
35a: silver (Ag) / gold (Au) nanowire core-shell structure
35b: silver (Ag) / silver chloride (AgCl) nanowire core-shell structure
40: polymer
50: Core-shell structure molded with polymer
50a: a silver (Ag) / gold (Au) nanowire core-shell structure molded with a polymer
50b: a silver (Ag) / silver chloride (AgCl) nanowire core-shell structure
60: container containing PVP solution
70: Micropipette
80: Electrode
80a: first electrode
80b: second electrode
90: Fabric

Claims (5)

이방성 전도성을 갖는 복수의 은 나노선 및 상기 복수의 은 나노선 사이의 적어도 일부를 충전하고 가요성을 갖는 폴리머를 포함하는 프리스탠딩 ACF(anisotropic conductive flexible)막;
상기 복수의 은 나노선의 적어도 상기 폴리머로부터 노출된 부분 상에 금(Au) 또는 염화은(AgCl)으로 쉘을 형성하는 코어-쉘(core-shell) 구조체;
상기 폴리머로부터 노출된 상기 복수의 은 나노선의 적어도 일부 상에 전원부가 연결될 수 있는 전극;을 포함하며,
상기 코어-쉘 구조체는 상기 복수의 은 나노선을 HAuCl4·nH2O 용액 내에 침지시켜 상기 은 나노선 상에 금(Au)으로 쉘을 형성하거나 또는 상기 복수의 은 나노선을 PVP(polyvinylpyrrolidone) 용액에 침지하고 FeCl3을 주입하여 염화은(AgCl)으로 쉘을 형성하여 제조되고,
상기 전극을 통해서 상기 프리스탠딩 ACF막 내 상기 복수의 은 나노선과 상기 폴리머로부터 노출된 상기 코어-쉘 구조체를 통해서 전기적인 신호를 측정하고자 하는 피부에 인가하여 피부 저항을 측정하는, GSR(Galvanic Skin Reflex) 센서.A free standing ACF (anisotropic conductive flexible) film comprising a plurality of silver nanowires having anisotropic conductivity and a polymer filling at least a portion between the plurality of silver nanowires and having flexibility;
A core-shell structure forming a shell of gold (Au) or silver chloride (AgCl) on at least a portion of the plurality of silver nanowires exposed from the polymer;
An electrode capable of being connected to a power source on at least a part of the plurality of silver nanowires exposed from the polymer,
The core-shell structure is formed by immersing the plurality of silver nanowires in a solution of HAuCl 4 .nH 2 O to form a shell of gold (Au) on the silver nanowire, or forming a plurality of silver nanowires by polyvinylpyrrolidone (PVP) (FeCl 3 ) to form a shell with silver chloride (AgCl)
A galvanic skin reflex (GSR) method for measuring skin resistance by applying an electrical signal to a skin to be measured through the plurality of silver nanowires in the free standing ACF film and the core-shell structure exposed from the polymer through the electrode, ) sensor. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 은 나노선은 상기 폴리머를 관통하여 배치되고, 상기 복수의 은 나노선의 양단부는 상기 폴리머로부터 노출되고, 상기 복수의 은 나노선의 일단부는 측정하고자 하는 피부에 접촉될 수 있고, 타 단부에는 상기 전극이 연결된, GSR 센서.The method according to claim 1,
The plurality of silver nanowires are disposed through the polymer, both ends of the plurality of silver nanowires are exposed from the polymer, one end of the plurality of silver nanowires can be brought into contact with the skin to be measured, and the other end And the electrode is connected. 기판을 제공하는 단계;
상기 기판 상에, 이방성 전도성을 갖도록 복수의 은 나노선을 형성하는 단계;
상기 복수의 은 나노선 사이의 적어도 일부를 가요성을 갖는 폴리머로 충전하는 단계;
상기 복수의 은 나노선 상에 또는 상기 복수의 은 나노선의 상기 폴리머로부터 노출된 부분 상에 금(Au) 또는 염화은(AgCl)으로 쉘을 형성하여 코어-쉘(core-shell) 구조체를 형성하는 단계;
상기 폴리머가 충전된 상기 코어-쉘 구조체를 상기 기판에서 분리함으로써, 프리스탠딩 ACF(anisotropic conductive flexible)막을 형성하는 단계; 및
상기 폴리머로부터 노출된 상기 복수의 은 나노선의 적어도 일부 상에 전원부가 연결될 수 있는 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 코어-쉘 구조체를 형성하는 단계는, 상기 복수의 은 나노선을 HAuCl4·nH2O 용액 내에 침지시켜 상기 은 나노선 상에 금(Au)으로 쉘을 형성하거나 또는 상기 복수의 은 나노선을 PVP(polyvinylpyrrolidone) 용액에 침지하고 FeCl3을 주입하여 염화은(AgCl)으로 쉘을 형성하는 단계를 포함하는, GSR 센서의 형성 방법.Providing a substrate;
Forming a plurality of silver nanowires on the substrate so as to have anisotropic conductivity;
Filling at least a portion of the plurality of silver nanowires with a polymer having flexibility;
Forming a core-shell structure by forming a shell of gold (Au) or silver chloride (AgCl) on the plurality of silver nanowires or on portions of the plurality of silver nanowires exposed from the polymer ;
Separating the core-shell structure filled with the polymer from the substrate, thereby forming a free-standing ACF (anisotropic conductive flexible) film; And
Forming an electrode capable of being connected to a power source on at least a part of the plurality of silver nanowires exposed from the polymer,
The forming of the core-shell structure may include forming a plurality of silver nanowires in a HAuCl 4 .nH 2 O solution to form a shell of gold (Au) on the silver nanowire, Is immersed in a polyvinylpyrrolidone (PVP) solution and FeCl 3 is injected to form a shell with silver chloride (AgCl). 제 3 항에 있어서,
상기 복수의 은 나노선 사이의 적어도 일부를 상기 폴리머로 충전하는 단계 이후에, 상기 코어-쉘 구조체를 플라즈마(plasma) 처리하는 단계;를 더 포함하는, GSR 센서의 형성 방법.The method of claim 3,
Further comprising the step of plasma treating the core-shell structure after the step of filling at least a portion of the plurality of silver nanowires with the polymer. 제 4 항에 있어서,
상기 플라즈마 처리는 산소 플라즈마(O2 plasma) 처리를 포함하는, GSR 센서의 형성 방법.5. The method of claim 4,
Wherein the plasma treatment comprises an oxygen plasma (O 2 plasma) treatment.
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