KR101694856B1 - Conductive substrate having double layer conductive film and method of manufacturing thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 금속나노와이어 등과 같은 전도성 나노 구조체를 포함하는 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판에 관한 것으로, 단일층 전도막으로 형성된 전도성 기판과 대비하여 낮은 저항을 구현할 수 있고, 노광 영역과 비노광 영역의 저항을 자유롭게 조절할 수 있는 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판을 제공하는 데 목적이 있다. 또한 본 발명의 이중층 구조를 통해 정전기에 안정된 전도막 구조를 제공할 수 있다. 본 발명은 기판, 기판 상에 형성되는 제1 전극과, 제1 전극의 상부에 형성되고, 금속나노와이어와 감광성 물질을 포함하여 노광 및 세척에 의해 제2 패턴이 형성된 제2 전극을 구비하는 이중층 전도막을 포함한다.The present invention relates to a conductive substrate coated with a double-layer conductive film including a conductive nanostructure such as a metal nanowire, and can realize low resistance as compared with a conductive substrate formed of a single-layer conductive film, A conductive substrate coated with a double-layer conductive film capable of freely adjusting a resistance is provided. Further, the double layer structure of the present invention can provide a conductive film structure stable to static electricity. The present invention relates to a substrate, a first electrode formed on the substrate, and a second electrode formed on the first electrode and having a second electrode formed by exposure and washing, comprising a metal nanowire and a photosensitive material, Conductive film.

Description

이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판 및 그의 제조 방법{Conductive substrate having double layer conductive film and method of manufacturing thereof}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a conductive substrate coated with a double-layer conductive film,

본 발명은 전도성 기판에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속나노와이어 등과 같은 전도성 나노 구조체를 포함하는 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive substrate, and more particularly, to a conductive substrate coated with a double-layer conductive film including a conductive nanostructure such as a metal nanowire and a method of manufacturing the same.

금속나노와이어 또는 나노탄소를 포함한 전도성 박막은 와이어, 튜브, 나노입자 형태의 전도성 나노 구조체가 연속적으로 접촉되어 전도막이 형성된 것으로써 기판에 코팅되어 형성된다. 금속나노와이어 또는 나노탄소 전도성 박막은 간단한 용액 공정으로써 분산액을 형성하여 다양한 기판에 코팅함으로써 전기전도성을 가지는 전도막을 형성할 수 있어 터치패널 및 디스플레이 등에서 투명 전극 및 회로 전극으로 사용될 수 있다.The conductive thin film including the metal nanowires or nanocarbon is formed by coating the substrate with conductive films formed by continuous contact of the conductive nanostructures in the form of wires, tubes and nanoparticles. The metal nanowire or nano carbon conductive thin film can be used as a transparent electrode and a circuit electrode in a touch panel, a display, and the like by forming a dispersion using a simple solution process and forming a conductive film having electrical conductivity by coating on various substrates.

금속나노와이어 또는 나노탄소로 구성된 전도성 박막을 투명 전극 또는 회로 전극으로 사용하기 위해서는 전도성 박막의 국부적 영역에서 전기적 연결성, 비연결성을 조절하여 특정 패턴 형태로 전기가 흐르게 하는 것이 필요하다.In order to use a conductive thin film composed of metal nanowires or nanocarbons as a transparent electrode or a circuit electrode, it is necessary to control electric connection and non-connection in a local region of the conductive thin film to conduct electricity in a specific pattern form.

전도성 박막이 형성된 전도성 기판에서 패턴을 형성하는 방법으로 포토리소그래피, 레이즈 에칭 공정을 주로 적용하였다. 포토리소그래피 공정은 전도성 박막 위에 포토레지스트를 도포하고, 자외선을 노광하고 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 전도성 박막 위에 형성한 후, 습식 또는 건식 방법으로 전도성 박막을 특정 패턴 모양으로 식각함으로서 패턴을 형성하였다. 그리고 레이져 에칭 방법은 전도성 박막을 레이져를 이용하여 특정 패턴 모양으로 식각함으로서 제2 패턴을 형성하였다.Photolithography and raise etching processes are mainly applied as a method of forming a pattern on a conductive substrate on which a conductive thin film is formed. In the photolithography process, a photoresist is coated on a conductive thin film, a photoresist pattern is formed on the conductive thin film by exposing and developing ultraviolet rays, and then the conductive thin film is etched in a specific pattern by a wet or dry method to form a pattern. In the laser etching method, the conductive thin film was etched using a laser to form a second pattern.

이러한 방법은 기존 알려진 공정을 이용하여 전도성 박막의 미세 패턴을 형성할 수 있다. 하지만 패턴이 형성된 전도성 박막에서 식각된 영역과 식각되지 않은 영역에서 금속나노와이어 또는 나노탄소의 분포 차이로 인해 빛 반사도, 빛 투과도, 헤이즈 차이를 형성하고, 식각 부위의 높이 단차로 인해 전도성 박막의 제2 패턴이 시인되는 문제점을 야기할 수 있다.This method can form a fine pattern of the conductive thin film by using a known known process. However, due to the difference in the distribution of the metal nanowires or nano-carbon in the etched region and the non-etched region in the patterned conductive thin film, the light reflectance, light transmittance and haze difference are formed. 2 < / RTI > pattern is visible.

또한 포토리소그래피 공정의 경우 전도성 박막의 패턴을 형성하기 위해 별도의 공정을 진행해야 한다는 점에서 공정 비용이 추가적으로 소요되고 생산성이 떨어지는 단점이 있다.In addition, in the case of the photolithography process, a separate process is required to form a pattern of the conductive thin film, so that the process cost is further increased and the productivity is lowered.

이러한 문제점을 해결하기 위하여, 최근에는 전도성 박막의 직접 에칭 없이 간단한 노광 방법을 이용하여 전도성 박막의 국부적 영역에서 전기전도도 차이를 형성하여 특정 패턴 형태로 전기가 흐를 수 있는 전도막을 형성하는 방법이 개시되었다.In order to solve such a problem, a method of forming a conductive film capable of electric conduction in a specific pattern form by forming a difference in electric conductivity in a local region of a conductive thin film by using a simple exposure method without direct etching of the conductive thin film has been disclosed .

그러나 노광 방법을 이용하여 전도막을 형성할 경우, 단일층 전도막 자체로 저항을 낮추는데 한계가 있으며, 자외선 노광 영역에서는 면저항이 107Ω/sq 이상으로 절연성에 가깝게 저항이 높게 형성되어 저항을 자유롭게 조절하기가 어렵고, 패턴 형성된 전도막이 정전기에 취약하여 정전기에 의해 저항 특성이 일부 훼손되는 문제점이 있었다.However, when a conductive film is formed using an exposure method, there is a limit in lowering the resistance of the single-layer conductive film itself. In the ultraviolet exposure region, the sheet resistance is more than 10 7 Ω / sq, And the patterned conductive film is vulnerable to static electricity, so that there is a problem that the resistance characteristic is partially damaged by the static electricity.

한국공개특허 제2011-0027182호(2011.03.16.)Korean Patent Publication No. 2011-0027182 (March 16, 2011)

따라서 본 발명의 목적은 단일층 전도막으로 형성된 전도성 기판과 대비하여 낮은 저항을 구현할 수 있고, 노광 영역과 비노광 영역의 저항을 자유롭게 조절할 수 있는 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a conductive substrate coated with a double-layer conductive film capable of realizing low resistance as compared with a conductive substrate formed of a single-layer conductive film and capable of freely adjusting resistance between an exposed region and a non- I have to.

또한 본 발명의 목적은 정전기에 의해 저항 특성이 훼손되는 문제점을 해결할 수 있는 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a conductive substrate coated with a double-layer conductive film and a method of manufacturing the same, which can solve the problem that resistance characteristics are damaged by static electricity.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성되는 제1 전극과, 상기 제1 전극의 상부에 형성되고, 금속나노와이어와 감광성 물질을 포함하여 노광 및 세척에 의해 제2 패턴이 형성된 제2 전극을 구비하는 이중층 전도막을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display comprising a substrate, a first electrode formed on the substrate, and a second electrode formed on the first electrode and including a metal nanowire and a photosensitive material, And a second electrode formed thereon.

본 발명에 따른 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판에 있어서, 상기 제1 전극은 비감광성인 것을 특징으로 한다.In the conductive substrate coated with the double-layer conductive film according to the present invention, the first electrode is non-photosensitive.

본 발명에 따른 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판에 있어서, 상기 제1 전극의 소재로는 인듐주석산화물, 산화아연, 전도고분자, 탄소나노튜브 또는 그래핀을 포함하는 것을 특징으로 한다.The conductive substrate coated with the double-layer conductive film according to the present invention is characterized in that the first electrode includes indium tin oxide, zinc oxide, a conductive polymer, carbon nanotube, or graphene.

본 발명에 따른 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 제2 패턴의 하부에 형성되는 제1 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the conductive substrate coated with the double-layer conductive film according to the present invention, the first electrode includes a first pattern formed under the second pattern.

본 발명에 따른 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판에 있어서, 상기 제1 전극의 저항은 1 ~ 1000 Ω/sq 및 106 ~ 108 Ω/sq 중 어느 하나로 설정되는 것을 특징으로 한다.In the conductive substrate coated with the double-layer conductive film according to the present invention, the resistance of the first electrode is set to any one of 1 to 1000 Ω / sq and 10 6 to 10 8 Ω / sq.

본 발명에 따른 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판에 있어서, 상기 금속나노와이어로는 은나노와이어, 구리나노와이어, 금나노와이어를 포함하며, 상기 금속나노와이어는 직경이 1 ~ 100nm 이고, 길이가 1 ~ 300㎛ 인 것을 특징으로 한다.In the conductive substrate coated with the double-layer conductive film according to the present invention, the metal nanowires include silver nanowires, copper nanowires, and gold nanowires, and the metal nanowires have a diameter of 1 to 100 nm and a length of 1 to 300 Mu m.

본 발명에 따른 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판에 있어서, 상기 제2 전극은 노광된 영역과 비노광된 영역을 포함하고, 상기 노광된 영역 및 비노광된 영역 중 세척에 의한 용해도가 높은 영역이 상기 제2 패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다. 여기서 노광된 영역 및 비노광된 영역은 모두 금속나노와이어가 비슷한 분포와 형상으로 존재한다.In the conductive substrate coated with the double-layer conductive film according to the present invention, the second electrode includes an exposed region and an unexposed region, and a region of high solubility by washing among the exposed region and the non- Thereby forming a second pattern. Where the exposed and unexposed regions all have similar distributions and shapes of metal nanowires.

본 발명에 따른 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판의 제조 방법은 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 금속나노와이어와 감광성 물질을 포함하는 감광성 박막을 형성하는 단계, 상기 감광성 박막의 일부 영역을 노광하는 단계, 노광된 상기 감광성 박막을 용매로 세척하여 노광된 영역과 비노광된 영역간의 전기전도도 차이를 발생시켜 제2 패턴을 갖는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a conductive substrate coated with a double layer conductive film according to the present invention includes the steps of forming a first electrode on a substrate, forming a photosensitive thin film containing a photosensitive material on the first electrode, Exposing a portion of the thin film, and washing the exposed photosensitive thin film with a solvent to generate a difference in electrical conductivity between the exposed region and the non-exposed region to form a second electrode having a second pattern.

본 발명에 따른 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판은 제2 전극과, 기판과 제2 전극 사이에 별도의 제1 전극을 구비하는 이중층 구조로 기판 상에 전도막을 형성함으로써, 단일층 전도막으로 형성된 전도성 기판과 대비하여 낮은 저항을 구현할 수 있다.The conductive substrate coated with the double-layer conductive film according to the present invention may be formed by forming a conductive film on a substrate in a double-layer structure having a second electrode and a separate first electrode between the substrate and the second electrode, It is possible to realize a low resistance in comparison with the substrate.

또한 본 발명에 따른 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판은 제1 전극 및 제2 전극의 저항과 패턴을 각각 조절하여, 형성되는 전도막의 저항을 자유롭게 조절할 수 있다.In addition, the conductive substrate coated with the double-layer conductive film according to the present invention can freely control the resistance of the conductive film formed by adjusting the resistance and the pattern of the first electrode and the second electrode, respectively.

또한 본 발명에 따른 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판은 제1 전극의 저항을 106 ~ 108Ω/sq로 조절함으로써, 제2 전극과 기판 사이에서 대전 방지막 역할을 하여 전도막 제조 공정 중의 정전기에 대한 안정성을 향상시킬 수 있다.Also, the conductive substrate coated with the double layer conductive film according to the present invention controls the resistance of the first electrode to 10 6 to 10 8 Ω / sq to serve as an antistatic film between the second electrode and the substrate, It is possible to improve the stability.

도 1은 본 발명에 따른 이중층 구조 전도막이 코팅된 전도성 기판을 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 "A" 부분의 확대도이다.
도 3은 도 1의 전도성 기판의 제조 방법에 따른 흐름도이다.
도 4 내지 도 8은 도 3의 제조 방법에 따른 각 단계를 보여주는 도면들이다.1 is a perspective view showing a conductive substrate coated with a bilayer structure conductive film according to the present invention.
2 is an enlarged view of a portion "A" in Fig.
3 is a flow chart of a method of manufacturing the conductive substrate of FIG.
FIGS. 4 to 8 are views showing respective steps according to the manufacturing method of FIG.

하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않도록 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.In the following description, only parts necessary for understanding the embodiments of the present invention will be described, and the description of other parts will be omitted so as not to obscure the gist of the present invention.

이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.The terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary meanings and the inventor is not limited to the meaning of the terms in order to describe his invention in the best way. It should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely preferred embodiments of the present invention, and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention, so that various equivalents And variations are possible.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 이중층 구조 전도막이 코팅된 전도성 기판을 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 "A" 부분의 확대도이다.FIG. 1 is a perspective view showing a conductive substrate coated with a double-layered conductive film according to the present invention, and FIG. 2 is an enlarged view of a portion "A" of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 전도성 기판(100)은 기판(10)과, 이중층 전도막(50)을 포함한다. 여기서 이중층 전도막(50)은 기판(10) 상에 형성되는 제1 전극(20)과, 제1 전극(20)의 상부에 형성되는 제2 전극(30)을 포함한다.Referring to FIGS. 1 and 2, a conductive substrate 100 according to the present invention includes a substrate 10 and a double-layer conductive film 50. The double layer conductive film 50 includes a first electrode 20 formed on the substrate 10 and a second electrode 30 formed on the first electrode 20.

기판(10)은 광투과성을 갖는 투명한 소재로 제조될 수 있다. 예컨대 기판(10)의 소재로는 유리, 석영(quartz), 투명 플라스틱 기판, 투명 고분자 필름 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 투명 고분자 필름의 소재로는 PET, PC, PEN, PES, PMMA, PI, PEEK 등이 사용될 수 있으며, 이것에 한정되는 것은 아니다. 투명 고분자 필름 소재의 기판(10)은 10 내지 10,000㎛의 두께를 가질 수 있다.The substrate 10 may be made of a transparent material having light transmittance. For example, as the material of the substrate 10, any one of glass, quartz, transparent plastic substrate, and transparent polymer film may be used. As the material of the transparent polymer film, PET, PC, PEN, PES, PMMA, PI, PEEK and the like can be used, but the present invention is not limited thereto. The substrate 10 of the transparent polymeric film material may have a thickness of 10 to 10,000 mu m.

이중층 전도막(50)은 기판(10) 상에 형성되며 감광성 물질을 포함하지 않는 제1 전극(20)과, 제1 전극(20)의 상부에 형성되고 금속나노와이어(31)와 감광성 물질을 포함하여 노광 및 세척에 의해 제2 패턴(39)이 형성된 제2 전극(30)을 포함한다.The multilayered conductive film 50 is formed on the substrate 10 and includes a first electrode 20 not containing a photosensitive material and a second electrode formed on the first electrode 20 and including a metal nanowire 31 and a photosensitive material And a second electrode (30) formed with a second pattern (39) by exposure and cleaning.

그러나 이에 한정된 것은 아니고, 이중층 전도막(50)은 제1 전극(20)과, 제2 전극(30)의 순서를 바꿔서, 기판(10) 상부에 금속나노와이어(21)와 감광성 물질을 포함하여 노광 및 세척에 의해 제2 패턴(39)이 형성된 전극을 형성하고, 상부에 감광성 물질을 포함하지 않는 전극을 형성하여도 무방하다.However, the present invention is not limited thereto, and the double layer conductive film 50 may include a metal nanowire 21 and a photosensitive material on the substrate 10 by changing the order of the first electrode 20 and the second electrode 30 An electrode on which the second pattern 39 is formed by exposure and washing may be formed, and an electrode not containing a photosensitive material may be formed on the upper portion.

제1 전극(20)은 기판(10) 상부에 형성될 수 있으며, 빛(적외선, 가시광선, 자외선), 열, 레이저 등 한 가지 이상의 에너지 조사에 따라 노광되는 감광성 물질을 포함하지 않아야 한다.The first electrode 20 may be formed on the substrate 10 and may not include a photosensitive material exposed to one or more energy irradiation such as light (infrared light, visible light, ultraviolet light), heat,

그리고 제1 전극(20)으로는 인듐주석산화물 전극, 산화아연 전극, 전도성고분자 전극, 탄소나노튜브 전극, 그래핀 전극 등이 사용될 수 있으며, 이것에 한정되는 것은 아니다.As the first electrode 20, an indium tin oxide electrode, a zinc oxide electrode, a conductive polymer electrode, a carbon nanotube electrode, a graphene electrode, or the like may be used, but the present invention is not limited thereto.

제1 전극(20)의 저항은 1 ~ 1000Ω/sq 및 106 ~ 108Ω/sq 중 어느 하나로 설정할 수 있다.The resistance of the first electrode 20 can be set to any one of 1 to 1000? / Sq and 10 6 to 10 8 ? / Sq.

제1 전극(20)의 저항을 1 ~ 1000Ω/sq 으로 설정할 경우, 제1 전극(20) 및 제2 전극(30)의 저항과 패턴을 각각 조절하여, 형성되는 이중층 전도막(50)의 저항을 자유롭게 조절할 수 있다.When the resistance of the first electrode 20 is set to 1 to 1000? / Sq, the resistance and the pattern of the first electrode 20 and the second electrode 30 are adjusted, Can be freely adjusted.

제1 전극(20)의 저항을 106 ~ 108Ω/sq 으로 설정할 경우, 제2 전극(30)과 기판(10) 사이에서 대전 방지막 역할을 하여 전도막 제조 공정 중의 정전기에 대한 안정성을 향상시킬 수 있다.When the resistance of the first electrode 20 is set to 10 6 to 10 8 Ω / sq, it acts as an antistatic film between the second electrode 30 and the substrate 10 to improve the stability against static electricity during the conductive film manufacturing process .

제1 전극(20)의 저항에 따른 특성은 후술할 실시예들을 통해 설명하도록 한다.The characteristics according to the resistance of the first electrode 20 will be described in the following embodiments.

또한 제1 전극(20)은 패턴이 형성되지 않은 상태에서 상부에 제2 전극(30)이 형성되거나, 제2 패턴의 하부에 형성되는 제1 패턴이 형성된 상태로 상부에 제2 전극(30)이 형성될 수 있다. 여기서 패터닝 방법은 포토리소그래피 또는 레이져 에칭 공정 등이 사용될 수 있다.The second electrode 30 may be formed on the first electrode 20 in a state where no pattern is formed or the second electrode 30 may be formed on the first electrode 20 in a state where a first pattern formed under the second pattern is formed. Can be formed. The patterning method may be photolithography or laser etching.

한편 제2 전극(30)은 금속나노와이어(31)와, 감광성 물질을 포함하며, 그 외 분산제, 바인더, 첨가제 등의 기타 조성물이 포함될 수 있다.Meanwhile, the second electrode 30 may include a metal nanowire 31, a photosensitive material, and other compositions such as a dispersing agent, a binder, and an additive.

여기서 금속나노와이어로(31)는 은나노와이어, 구리나노와이어, 금나노와이어 등이 사용될 수 있으며, 이것에 한정되는 것은 아니다. 금속나노와이어로(31)는 1 ~ 100nm 이고, 길이가 1 ~ 300㎛ 인 금속나노와이어가 사용될 수 있다. 금속나노와이어(31)는 금속나노튜브를 포함할 수 있다.Here, the metal nanowire 31 may be a silver nano wire, a copper nanowire, a gold wire or a noyer wire, but is not limited thereto. Metal nanowires 31 having a diameter of 1 to 100 nm and a length of 1 to 300 μm can be used. The metal nanowires 31 may include metal nanotubes.

그리고 감광성 물질은 빛(적외선, 가시광선, 자외선), 열, 레이저 등 한 가지 이상의 에너지 조사에 따라 노광되는 물질을 사용하는 것이 바람직하며, 에너지원은 이것에 한정되는 것은 아니다.The photosensitive material is preferably a material which is exposed to one or more energy irradiation such as light (infrared light, visible light, ultraviolet light), heat, laser, etc., and the energy source is not limited thereto.

예컨대 감광성 물질로는 수용성 감광 물질이 사용될 수 있다. 수용성 감광 물질로 감광 작용기(Pyridinium methosulfate acetal)를 가진 폴리비닐알콜 물질로 "Poly(viny1 a1coho1), N-methy1-4(4'-formy1styry1)pyridinium methosu1fate aceta1" 이 사용될 수 있으며, 이것에 한정된 것은 아니다.For example, a water-soluble photosensitive material may be used as the photosensitive material. "Poly (viny1 a1coho1), N-methy1-4 (4'-formy1styry1) pyridinium methosulfate acetal" may be used as a polyvinyl alcohol material having a photosensitive functional group (Pyridinium methosulfate acetal) as a water-soluble photosensitive material, but not limited thereto .

감광성 물질은 광경화 타입의 재료를 이용하여 제조된 것일 수 있는데, 아크릴계 고분자 바인더, 2 이상의 에틸렌계 이중결합을 가지는 가교성 모노머, 광중합 개시제, 표면 개질을 위한 실리콘계 또는 불소계 첨가제 및 용제를 포함할 수 있다. 더욱 상세하게는, 아크릴계 고분자 바인더 0.5 내지 50 중량%, 적어도 2개 이상의 에틸렌계 이중결합을 가지는 가교성 모노머 0.1 내지 40 중량%, 광중합 개시제 0.1 내지 5 중량%, 표면 개질을 위한 실리콘계 또는 불소계 첨가제 0.05 내지 5 중량%, 및 잔량의 용제를 포함하는 감광성 수지 조성물일 수 있다.The photosensitive material may be one prepared by using a photocurable type material, and may include an acrylic polymer binder, a crosslinkable monomer having at least two ethylenic double bonds, a photopolymerization initiator, a silicone-based or fluorine-based additive for surface modification, have. More specifically, the present invention relates to a photosensitive resin composition comprising 0.5 to 50% by weight of an acrylic polymer binder, 0.1 to 40% by weight of a crosslinkable monomer having at least two ethylenic double bonds, 0.1 to 5% by weight of a photopolymerization initiator, To 5% by weight, and a residual amount of a solvent.

이때 아크릴계 고분자 바인더는 에틸렌계 산성기를 갖는 단량체와 에틸렌계 산성기를 갖지 않는 단량체의 공중합체일 수 있다. 더욱 상세하게는 에틸렌계 산성기를 갖는 단량체 5 내지 80 중량%와, 에틸렌계 산성기를 갖지 않는 단량체 95 내지 20 중량%의 공중합체일 수 있다.In this case, the acrylic polymer binder may be a copolymer of a monomer having an ethylene-based acid group and a monomer having no ethylene-based acid group. More specifically, it may be a copolymer of 5 to 80% by weight of a monomer having an ethylene-based acid group and 95 to 20% by weight of a monomer having no ethylene-based acid group.

에틸렌계 산성기를 갖는 단량체는 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 말레인산, 푸마르산, 비닐초산 또는 이들의 산 무수물 형태, 2-아크릴로옥시에틸히드로겐프탈레이트, 2-아크릴로옥시프로필히드로겐프탈레이트, 및 2-아크릴로옥시프로필헥사히드로겐프탈레이트로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택될 수 있다.The monomer having an ethylenic acid group is selected from the group consisting of acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, vinyl acetic acid or their acid anhydride form, 2-acryloxyethylhydrogenphthalate, 2-acryloxypropylhydrogenphthalate, And 2-acryloxypropylhexahydrogenphthalate. [0035] The term " a "

에틸렌계 산성기를 갖지 않는 단량체는 이소부틸아크릴레이트, t-부틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 알킬아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 2-히드록시아크릴레이트, 트리메톡시부틸아크릴레이트, 에틸카르비놀아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 4-히드록시부틸아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 히드록시에틸신나믹아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-아크릴옥시에틸2-히드록시프로필프탈레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트 및 이들의 메타크릴레이트류; 할로겐화합물을 포함하는 아크릴레이트 및 이들의 메타크릴레이트류; 및 실록산기를 포함하는 아크릴레이트 및 이들의 메타크릴레이트류로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택될 수 있다.The monomer having no ethylene-based acid group may be selected from the group consisting of isobutyl acrylate, t-butyl acrylate, lauryl acrylate, alkyl acrylate, stearyl acrylate, cyclohexyl acrylate, isobornyl acrylate, benzyl acrylate, Phenoxyethyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, phenoxypolyethylene glycol acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, hydroxyethyl cinnamate, hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-acryloxyethyl 2-hydroxypropyl phthalate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate and methacrylates thereof; Acrylates including halogen compounds and methacrylates thereof; And acrylates containing a siloxane group, and methacrylates thereof.

적어도 2개 이상의 에틸렌계 이중 결합을 갖는 가교성 모노머는 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨디아크릴레이트, 솔비톨트리아크릴레이트, 비스페놀 A 디아클릴레이트 유도체, 트리메틸프로판트리아크릴레이트, 디펜타에리스리톨폴리아크릴레이트, 및 이들의 메타크릴레이트류로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택될 수 있다.The crosslinkable monomer having at least two ethylenic double bonds is 1,4-butanediol diacrylate, 1,3-butylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, triethylene glycol di Acrylate, polyethylene glycol diacrylate, dipentaerythritol diacrylate, sorbitol triacrylate, bisphenol A diacrylate derivatives, trimethylpropane triacrylate, dipentaerythritol polyacrylate, and methacrylates thereof One or more kinds selected from the group consisting of

광중합 개시제는 트리아진계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인계 화합물, 이미다졸계 화합물, 및 크산톤계 화합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택될 수 있다.The photopolymerization initiator may be selected from the group consisting of a triazine-based compound, an acetophenone-based compound, a benzoin-based compound, an imidazole-based compound, and a xanthone-based compound.

그리고 감광성 물질에 포함되는 용제는 에틸아세테이트, 이소프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 아세톤, 메틸에틸키톤, 톨루엔, 테트라닌, 사이클로헥사논, 헥산, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 시클로헥사논, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 및 3-에톡시프로피온산에틸로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택될 수 있다.The solvent to be contained in the photosensitive material is at least one selected from the group consisting of ethyl acetate, isopropyl acetate, butyl acetate, acetone, methyl ethyl ketone, toluene, tetranin, cyclohexanone, hexane, ethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, Methyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, cyclohexanone, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, and ethyl 3-ethoxypropionate One or more kinds selected from the group consisting of

또는 감광성 물질로는 광분해 타입의 재료를 이용하여 제조된 것일 수 있는데, 고분자 바인더, 광분해 아크릴 성분, 가교제, 표면 개질을 위한 실리콘계 또는 불소계 첨가제, 및 용제를 포함할 수 있다.Alternatively, the photosensitive material may be one produced by using a photolytic type material, and may include a polymer binder, a photocatalytic acrylic component, a cross-linking agent, a silicone-based or fluorine-based additive for surface modification, and a solvent.

여기서 고분자 바인더는 에틸렌계 산성기를 갖는 단량체와 에틸렌계 산성기를 갖지 않는 단량체를 포함하는 3종 이상의 단량체의 공중합체일 수 있다. 또한, 광분해 아크릴 성분은 나프토퀴논디아지드계 화합물을 포함할 수 있고, 가교제는 실란계 및 실록산계 화합물을 포함할 수 있다. 그리고 제1 감광막에 포함되는 용제는 아세테이트류 및 에테르류로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 혼합한 것일 수 있다.Here, the polymer binder may be a copolymer of three or more monomers including a monomer having an ethylene-based acid group and a monomer having no ethylene-based acid group. In addition, the photocatalytic acrylic component may include a naphthoquinone diazide compound, and the crosslinking agent may include a silane-based compound and a siloxane-based compound. The solvent included in the first photoresist layer may be a mixture of at least one selected from the group consisting of acetates and ethers.

이러한 제2 전극(30)은 제1 전극(20) 위에 균일하게 형성된 금속나노와이어(31)를 포함한다. 제2 전극(30)은 노광된 영역(35)과 비노광된 영역(37)을 포함하고, 비노광된 영역(37)이 제2 패턴(39)을 형성할 수 있다. 노광된 영역(35)과 비노광된 영역(37)의 전기전도도는 2배 이상의 차이를 가질 수 있다.The second electrode 30 includes a metal nanowire 31 uniformly formed on the first electrode 20. The second electrode 30 may include an exposed region 35 and an unexposed region 37 and the unexposed region 37 may form a second pattern 39. The electrical conductivity of the exposed region 35 and the non-exposed region 37 may have a difference of two times or more.

또한 제2 전극(30)은 금속나노와이어(31)와 감광성 물질을 포함하여 하나의 층으로 형성되거나, 금속나노와이어(31) 층 위에 감광성 물질 층이 형성된 구조를 가질 수 있다.The second electrode 30 may include a metal nanowire 31 and a photosensitive material. The second electrode 30 may include a layer of a photosensitive material on the metal nanowire layer 31.

이와 같이 제2 전극(30)에 있어서, 노광된 영역(35)과 비노광된 영역(37) 간에 전기 전도도에 있어서 차이가 발생하는 이유는 다음과 같다.In the second electrode 30, the difference in electrical conductivity between the exposed region 35 and the unexposed region 37 is as follows.

제2 전극(30)으로 형성되기 전, 즉 노광 및 세척되기 전의 전도성 나노 구조체와 감광성 물질을 포함하는 감광성 박막은 감광성 물질 및 기타 조성물에 의해 아주 낮은 전기전도도를 갖는다.The photosensitive thin film including the conductive nanostructure and the photosensitive material before forming the second electrode 30, that is, before the exposure and cleaning, has a very low electric conductivity by the photosensitive material and other compositions.

그런데 감광성 박막을 노광하게 되면, 감광성 물질 간 또는 감광성 물질과 기타 조성물 간의 물리적 또는 화학적 결합이 형성되거나 끊어져 특정 용매에 대해 용해도 차이를 형성하게 된다. 반면에 노광 과정에서 금속나노와이어(31)의 화학적 또는 물리적 특성 변화는 거의 없다. 이때 특정 용매는 감광성 물질에 대해서 선택적으로 높은 용해도를 갖는 용매일 수 있다. 예컨데 감광성 물질로 수용성 감광 물질을 사용할 경우, 물에 대해서 용해도 차이를 형성하게 된다.However, when the photosensitive thin film is exposed, a physical or chemical bond between the photosensitive material or between the photosensitive material and the other composition is formed or broken to form a difference in solubility with respect to a specific solvent. On the other hand, there is little change in the chemical or physical properties of the metal nanowires 31 during the exposure process. Where a particular solvent can be a solvent with high solubility selectively for the photosensitive material. For example, when a water-soluble photosensitive material is used as a photosensitive material, a difference in solubility with respect to water is formed.

즉 감광성 물질은 노광되지 전에는 특정 용매에 대해 높은 용해도 특성을 갖지만, 노광되면 경화되기 때문에 해당 용매에 대한 용해도가 떨어지는 특성을 가질 수 있다. 따라서 본 발명은 감광성 물질이 갖는 특정 용매에 대한 용해도 차이를 이용하여 제2 패턴(39)을 형성한다.That is, the photosensitive material has a high solubility characteristic with respect to a specific solvent before being exposed, but may have a property that the solubility of the photosensitive material is lowered due to curing when exposed. Accordingly, the present invention forms the second pattern 39 using the difference in solubility of the photosensitive material with respect to a specific solvent.

따라서 제2 전극(30)에 있어서, 노광된 영역(35)과 비노광된 영역(37)은 특정 용매에 대해서 용해도 차이를 형성한다. 특히 감광성 박막에 기타 조성물이 다량 포함되어 있는 경우에는, 두 영역 간의 전기전도도 차이가 크게 형성되어 투명 전극 및 회로 전극의 패턴을 형성할 만큼 전기전도도 차이가 크게 나타난다. 보통 용매에 접촉했을 때 감광성 물질 및 기타 조성물이 많이 제거된 영역은 높은 전기전도성을 나타내게 되고, 감광성 물질 및 기타 조성물이 적게 제거된 영역은 낮은 전기전도성을 나타내게 된다.Thus, for the second electrode 30, the exposed region 35 and the unexposed region 37 form a solubility difference for a particular solvent. Particularly, when the photosensitive thin film contains a large amount of other composition, a difference in electric conductivity between the two regions is greatly formed, and a difference in electric conductivity is large enough to form a pattern of a transparent electrode and a circuit electrode. A region in which a photosensitive material and other compositions are largely removed when exposed to a solvent usually exhibits a high electrical conductivity and a region in which a photosensitive material and other compositions are less removed exhibits a low electrical conductivity.

예컨대 비노광된 영역(37)이 노광된 영역(35)에 비해서 용매에 대한 용해도가 높은 경우, 비노광된 영역(37)이 제2 패턴(29)으로 형성된다.For example, if the unexposed area 37 is more soluble in solvent than the exposed area 35, the unexposed area 37 is formed in the second pattern 29.

한편 본 발명에서는 비노광된 영역(37)이 노광된 영역(35)에 비해서 용해도가 높은 예를 개시하였지만, 감광성 물질의 종류에 따라서 반대의 특성을 나타낼 수도 있다. 즉 노광된 영역(35)이 비노광된 영역(37)에 비해서 용해도가 높은 경우, 노광된 영역(35)이 제2 패턴으로 형성될 수 있다.In the present invention, the non-exposed region 37 has a higher solubility than the exposed region 35, but may exhibit opposite characteristics depending on the type of the photosensitive substance. That is, when the exposed region 35 is more soluble than the unexposed region 37, the exposed region 35 can be formed in the second pattern.

제2 전극(30)을 형성하는 노광된 영역(35)과 비노광된 영역(37)의 폭은 1㎛ 이상이며, 제2 패턴(39)의 형상은 노광에 의해 결정된다. 통상 제2 패턴(39)의 형상은 노광에 사용되는 마스크의 형태에 따라 결정된다.The widths of the exposed region 35 and the non-exposed region 37 forming the second electrode 30 are 1 占 퐉 or more and the shape of the second pattern 39 is determined by exposure. The shape of the second pattern 39 is usually determined according to the shape of the mask used for exposure.

본 발명에 따른 이중층 전도막(50)은 제2 전극(30)의 하부에 제1 전극(20)이 존재하기 때문에 노광된 영역(35), 비노광된 영역(37)의 서로 다른 영역의 저항을 자유롭게 조절할 수 있다.Since the first electrode 20 is present under the second electrode 30 in the bilayer conductive film 50 according to the present invention, the resistivity of the exposed region 35, the non-exposed region 37, Can be freely adjusted.

즉 제1 전극(20)과, 제2 전극(30)의 저항을 조절하면서, 제2 전극(30)을 패터닝 하게 되면, 한개 기판(10)에서 서로 다른 저항을 가지는 저항 영역을 자유롭게 형성할 수 있다.That is, when the second electrode 30 is patterned while adjusting the resistances of the first electrode 20 and the second electrode 30, a resistive region having different resistances can be freely formed on one substrate 10 have.

이와 같은 본 발명에 따른 전도성 기판(100)의 제조 방법에 대하여 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 여기서 도 3은 도 1의 전도성 기판의 제조 방법에 따른 흐름도이고, 도 4 내지 도 8은 도 3의 제조 방법에 따른 각 단계를 보여주는 도면들이다.A method of manufacturing the conductive substrate 100 according to the present invention will now be described with reference to FIGS. 1 to 8. FIG. Here, FIG. 3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the conductive substrate of FIG. 1, and FIGS. 4 to 8 are views showing respective steps of the manufacturing method of FIG.

먼저 도 4에 도시된 바와 같이, 이중층 전도막(50)을 형성할 기판(10)을 준비한다.First, as shown in FIG. 4, a substrate 10 on which a double-layer conductive film 50 is to be formed is prepared.

다음으로 도 5에 도시된 바와 같이, S10단계에서 기판(10) 위에 감광성 물질을 포함하지 않는 제1 전극(20)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5, a first electrode 20 not containing a photosensitive material is formed on the substrate 10 in step S10.

이때 제1 전극(20)을 기판(10) 상에 패터닝 하지 않고 형성하거나, 기판(10) 상에 패터닝하여 형성할 수 있다.At this time, the first electrode 20 may be formed on the substrate 10 without patterning, or may be formed on the substrate 10 by patterning.

기판(10) 상에 패터닝하여 제1 전극(20)을 형성할 경우, 패터닝 하지 않은 경우와 대비하여, 상부에 제2 전극(30)을 형성하게 되면 하나의 기판(10) 상에 더욱 다양한 저항을 구현할 수 있다.When the first electrode 20 is formed by patterning on the substrate 10, the second electrode 30 may be formed on the upper portion of the substrate 10, as compared with the case where the first electrode 20 is not patterned. Can be implemented.

이어서 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 전극(20)의 상부에 금속나노와이어(31)와, 감광성 물질을 포함하는 감광성 박막(33)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 6, a metal nanowire 31 and a photosensitive thin film 33 containing a photosensitive material are formed on the first electrode 20.

여기서 감광성 박막(33)은 금속나노와이어(31)와 감광성 물질을 포함하여 하나의 층으로 형성되거나, 금속나노와이어(31)층 위에 감광성 물질층이 형성된 구조를 가질 수 있다. 전자와 같이 감광성 박막(33)이 하나의 층으로 형성하는 경우, 분산제, 바인더, 첨가제 등의 기타 조성물이 함께 포함될 수 있다. 후자의 감광성 박막(33)의 경우, 분산제, 바인더, 첨가제 등의 기타 조성물은 금속나노와이어(31)에 포함된다.Here, the photosensitive thin film 33 may be formed of a single layer including the metal nanowires 31 and a photosensitive material, or may have a structure in which a photosensitive material layer is formed on the metal nanowires 31. In the case where the photosensitive thin film 33 is formed as a single layer like the former, other compositions such as a dispersing agent, a binder, and an additive may be included together. In the case of the latter photosensitive thin film 33, other composition such as dispersing agent, binder, additive and the like are included in the metal nanowire 31. [

이어서 도 7에 도시된 바와 같이, S30단계에서 감광성 박막(33)의 일부 영역을 노광한다. 즉 노광할 영역에 대응되게 패턴홀(41)이 형성된 마스크(40)를 이용하여 감광성 박막(33)을 노광한다.Subsequently, as shown in FIG. 7, in step S30, a part of the photosensitive thin film 33 is exposed. The photosensitive thin film 33 is exposed using a mask 40 having pattern holes 41 corresponding to the areas to be exposed.

그리고 도 8에 도시된 바와 같이, S40단계에서 노광된 감광성 박막(33)을 용매로 세척 및 건조하여 제2 패턴을 갖는 제2 전극(30)을 형성한다. 즉 비노광된 영역(37)이 노광된 영역(35)에 비해서 용매에 대한 용해도가 상대적으로 높기 때문에, 비노광된 영역(37)에서 감광성 물질 및 기타 조성물의 제거가 더 많이 이루어 진다.8, the photosensitive thin film 33 exposed in step S40 is washed with a solvent and dried to form a second electrode 30 having a second pattern. The removal of the photosensitive material and other compositions in the unexposed area 37 is more likely because the unexposed area 37 has a relatively high solubility in the solvent compared to the exposed area 35. [

이와 같이 제2 전극(30)은 직접 식각이 없으며, 특정 영역에서 전도성 필러인 금속나노와이어(31)의 손상 및 화학적 변환이 없이 특정 영역에서 전기전도성을 조절하여 전기흐름을 형성할 수 있는 제2 패턴(39)을 갖는 이중층 전도막(50)을 형성할 수 있다.As described above, the second electrode 30 is free from direct etching, and the second electrode 30, which can form an electric current by controlling electrical conductivity in a specific region without damaging and chemically converting the metal nanowire 31, which is a conductive filler, The double-layer conductive film 50 having the pattern 39 can be formed.

본 발명에 따른 제2 전극(30)은 금속나노와이어(31)와 감광성 물질이 포함되어 있으며, 바인더, 분산제, 첨가제 등 기타 조성물 물질이 포함될 수 있다. 감광성 박막(33)의 표면 저항은 10,000 Ω/sq 이상이며, 자외선 노광 후 노광된 영역(35)의 저항은 10,000 Ω/sq 이상이다. 노광된 감광성 박막(33)을 감광성 물질의 용매, 기타 조성물의 용매에 세척하면 비노광된 영역(37)과 노광된 영역(35)에서 감광성 물질 및 기타 조성물에 대한 용해도 차이로 인해 전기전도도 차이가 나타나게 된다. 비노광된 영역(37)은 1 ~ 1000 Ω/sq 수준으로 형성될 수 있으며, 절연 영역에 해당하는 노광된 영역(35)은 107 Ω/sq 이상으로 충분히 저항을 높여 절연 특성을 보이게 하거나, 비노광된 영역(37) 대비 2배 이상의 저항을 형성할 수 있다.The second electrode 30 according to the present invention includes a metal nanowire 31 and a photosensitive material, and may include other composition materials such as a binder, a dispersant, and an additive. The surface resistance of the photosensitive thin film 33 is 10,000 Ω / sq or more, and the resistance of the exposed region 35 after ultraviolet exposure is 10,000 Ω / sq or more. If the exposed photosensitive thin film 33 is washed in a solvent of a photosensitive material or other solvent of the composition, the difference in solubility of the photosensitive material and other compositions in the unexposed region 37 and the exposed region 35 causes a difference in electric conductivity . The non-exposed region 37 may be formed at a level of 1 to 1000? / Sq. The exposed region 35 corresponding to the insulating region may have a resistance of more than 10 7 ? / Sq to exhibit insulation characteristics, It is possible to form a resistance more than twice as large as that of the unexposed region 37.

이와 같이 본 발명에 따른 전도성 기판(100)은 기판(10) 위에 금속나노와이어(31)와 함께 감광성 물질을 포함하는 감광성 박막(33)을 형성한 후, 형성할 제2 패턴(39)의 형태에 맞게 노광한 후 세척함으로써, 노광된 영역(35)과 비노광된 영역(37) 간의 전기전도성 차이를 갖는 제2 패턴(39)을 형성할 수 있다.As described above, the conductive substrate 100 according to the present invention is formed by forming a photosensitive thin film 33 containing a photosensitive material on the substrate 10 together with the metal nanowires 31 and then forming the second pattern 39 to be formed The second pattern 39 having an electrical conductivity difference between the exposed region 35 and the non-exposed region 37 can be formed.

즉 감광성 박막(33)에는 금속나노와이어(21) 이외에, 분산제, 바인더 및 첨가제 등과 같은 기타 조성물이 포함되어 있다. 감광성 박막(33)이 광에 노출되면, 감광성 물질과 기타 조성물 간의 물리적 또는 화학적 결합이 형성되거나 끊어져 물과 같은 특정 용매에 대해서 용해도 차이를 형성하게 된다. 용매에 접촉했을 때 감광성 물질 및 기타 조성물이 많이 제거된 영역은 높은 전기전도성을 나타내게 되고, 감광 물질 및 기타 조성물이 적게 제거된 영역은 낮은 전기전도성을 나타내게 된다. 예컨대 감광성 박막(33)에 대한 노광 후 용매로 세척하면, 노광된 영역(35)에 비해서 비노광된 영역(37)에서 감광성 물질 및 기타 조성물이 상대적으로 많이 제거되기 때문에, 노광된 영역(35)과 비노광된 영역(37)은 전기 흐름의 패턴을 형성할 수 있을 정도로 전기전도도의 차이를 갖게 된다.That is, the photosensitive thin film 33 includes other components such as a dispersant, a binder, and an additive in addition to the metal nanowires 21. When the photosensitive thin film 33 is exposed to light, a physical or chemical bond between the photosensitive material and the other composition is formed or broken to form a difference in solubility with respect to a specific solvent such as water. The region where the photosensitive material and other composition are removed much when exposed to the solvent exhibits high electrical conductivity and the region where the photosensitive material and other composition is less removed shows a low electrical conductivity. For example, washing with a post-exposure solvent for the photosensitive thin film 33 results in the exposed area 35 having a relatively large amount of photosensitive material and other composition removed in the unexposed area 37 as compared to the exposed area 35. [ And the unexposed region 37 have a difference in electric conductivity such that they can form a pattern of electric current flow.

여기서 본 발명에 따른 전도막(50)은 제2 전극(30)의 하부에 제1 전극(20)이 존재하기 때문에 노광된 영역(35), 비노광된 영역(37)의 서로 다른 영역의 저항을 자유롭게 조절할 수 있다.Since the first electrode 20 is present under the second electrode 30 in the conductive film 50 according to the present invention, the resistance of the exposed region 35 and the non-exposed region 37 Can be freely adjusted.

즉 제1 전극(20)과, 제2 전극(30)의 저항을 조절하면서 제2 전극(30)을 패터닝 하게 되면, 한개 기판(10)에서 서로 다른 저항을 가지는 저항 영역을 형성할 수 있다.That is, when the second electrode 30 is patterned while adjusting the resistances of the first electrode 20 and the second electrode 30, a resistive region having different resistances can be formed on one substrate 10.

이와 같이 본 발명에 따른 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판(100)은 제2 전극(30)과, 기판(10)과 제2 전극(30) 사이에 별도의 제1 전극(20)을 구비하는 이중층 구조로 기판(10) 상에 이중층 전도막(50)을 형성함으로써, 단일층 전도막으로 형성된 전도성 기판과 대비하여 낮은 저항을 구현할 수 있다.As described above, the conductive substrate 100 coated with the double-layer conductive film according to the present invention includes a second electrode 30 and a second electrode 30 having a separate first electrode 20 between the substrate 10 and the second electrode 30, By forming the double-layer conductive film 50 on the substrate 10 in a structure, a low resistance can be realized as compared with a conductive substrate formed of a single-layer conductive film.

또한 본 발명에 따른 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판(100)은 제1 전극(20) 및 제2 전극(30)의 저항과 패턴을 각각 조절하여, 형성되는 이중층 전도막(50)의 저항을 자유롭게 조절할 수 있다.In addition, the conductive substrate 100 coated with the double-layer conductive film according to the present invention can control the resistance and the pattern of the first electrode 20 and the second electrode 30, Can be adjusted.

또한 본 발명은 금속나노와이어(31)를 포함하는 전도막(50)에 대한 직접적인 에칭 없이 간단한 노광 방법을 이용하여 전도막의 국부적 영역에서 전기전도도 차이를 형성하여 특정 패턴 형태로 전기가 흐를 수 있는 제2 패턴(39)을 형성할 수 있다.The present invention also provides a method of forming an electrical conductivity difference in a localized region of a conductive film using a simple exposure method without directly etching the conductive film 50 including the metal nanowire 31, Two patterns 39 can be formed.

또한 본 발명에 따른 전도성 기판(100)은 노광 후 세척 공정으로 제2 패턴(39)을 형성함으로써, 국부 영역에 있어 전기전도도가 차이가 있는 전도막을 형성하지만 전도막(50)의 전도성 필러에 해당하는 금속나노와이어(31)가 전기전도도가 서로 다른 영역에 대해서도 분포 밀도 차이가 없이 전도막 전체에 대해 균일하게 분포시킬 수 있다.In addition, the conductive substrate 100 according to the present invention forms a conductive film having a difference in electric conductivity in the local region by forming the second pattern 39 in the post-exposure cleaning process, but the conductive film 100 corresponds to the conductive filler of the conductive film 50 It is possible to uniformly distribute the metal nanowires 31 over the entire conductive film even in regions having different electrical conductivities without a difference in distribution density.

또한 본 발명은 이중층 전도막(50)의 특정 영역에서 화학적 및 물리적으로 에칭 되지 않고, 화학적 방법으로 산화되거나 황화물이 형성되지 않고, 물리적으로 전도성 나노 구조체가 손상되지 않는 금속나노와이어(31)를 포함하는 전도성 기판(100)을 제공할 수 있다.
The present invention also includes a metal nanowire 31 that is not chemically and physically etched in a specific region of the bilayer conductive film 50, is not oxidized or formed by a chemical method, is not formed, and the conductive nanostructure is not physically damaged The conductive substrate 100 can be provided.

이와 같은 본 발명에 따른 전도성 기판에 대해서 비교예와 비교한 구체적인 실시예를 통하여 전도성 박막의 특성을 알아보면 다음과 같다.The conductive thin film according to the present invention will now be described in detail with reference to comparative examples and comparative examples.

비교예Comparative Example

비교예는 감광성 물질이 포함된 은나노와이어로 기판 상에 감광성 박막을 형성하고, 은나노와이어 수분산액과 수용성 감광 물질을 이용하여 전도도가 높은 영역과 전도도가 낮은 영역으로 구성된 패턴을 형성하였다.In the comparative example, a photosensitive thin film was formed on a substrate with a silver nano wire containing a photosensitive material, and a pattern composed of a region having a high conductivity and a region having a low conductivity was formed using a silver nano wire aqueous dispersion and an aqueous photosensitive material.

여기서 감광성 박막의 저항 값은 10 MΩ/sq 이상 수준으로 계측기 한계를 초과하였다. 마스크를 이용하여 자외선을 국부적으로 조사하였고 물로 세척하고 건조하였다.Here, the resistance value of the photosensitive thin film exceeded the instrument limit to the level of 10 MΩ / sq or more. Ultraviolet light was irradiated locally using a mask, washed with water and dried.

그리고, 자외선이 조사된 부분(노광된 영역)과 자외선이 조사되지 않은 영역(비노광된 영역)의 전기저항을 측정하였다.Then, the electric resistance of the portion irradiated with ultraviolet rays (exposed region) and the region not irradiated with ultraviolet ray (non-exposed region) were measured.

전기저항 측정 결과 자외선이 조사된 부분은 전기저항 값이 10 MΩ/sq 이상 수준으로 계측기 한계를 초과하는 매우 낮은 전기전도성을 나타내고, 자외선이 조사되지 않은 부분의 저항은 0.2 ㏀/sq 미만으로 높은 전기전도성을 나타내는 것을 확인하였다.As a result of the electrical resistance measurement, the portion irradiated with ultraviolet rays exhibits a very low electrical conductivity having an electric resistance value of more than 10 MΩ / sq, exceeding the limit of the meter, and the resistance of the portion not irradiated with ultraviolet rays is less than 0.2 ㏀ / Conductivity.

또한 완성된 전도성 기판의 상부면에 필름을 붙였다 떼는 방식으로 정전기를 형성시키고 저항을 측정하였을 때, 비노광된 영역의 절연 특성이 손상되어 일부 패턴에 있어 단락 불량이 발생하였다.
Also, when the static electricity was formed and the resistance measured by sticking and peeling the film to the upper surface of the completed conductive substrate, the insulation characteristic of the unexposed area was damaged and short-circuit failure occurred in some patterns.

제1 실시예First Embodiment

본 발명의 제1 실시예에 따른 전도성 기판은 기판 상에 제1 전극으로 저항이 100 Ω/sq 수준의 인듐주석산화물 전극을 형성하고, 제1 전극의 상부에 감광성 물질이 포함된 은나노와이어로 감광성 박막을 코팅하였다. 마스킹을 하고 자외선을 조사한 결과 자외선이 조사되지 않은 제2 전극의 전도성 영역에서 측정된 이중층 구조 전극의 면저항은 10 Ω/sq 이하인 것을 확인할 수 있었다.The conductive substrate according to the first embodiment of the present invention may be formed by forming an indium tin oxide electrode having a resistance of 100 Ω / sq as a first electrode on a substrate, forming a transparent electrode on the first electrode by a silver nano- The thin film was coated. As a result of masking and ultraviolet ray irradiation, it was confirmed that the sheet resistance of the double layered electrode measured in the conductive region of the second electrode not irradiated with ultraviolet ray was 10 Ω / sq or less.

이와 같이, 제1 실시예에서는 비교예에서 0.2 kΩ/sq 수준이었던 전도막 저항 값이, 10 kΩ/sq 이하로 낮아진 것을 확인할 수 있었다.As described above, it was confirmed that the conductive film resistance value in the first embodiment, which was 0.2 k? / Sq in the comparative example, was lowered to 10 k? / Sq or less.

이와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판은 제2 전극과, 기판과 제2 전극 사이에 별도의 제2 전극을 구비하는 이중층 구조로 기판 상에 전도막을 형성함으로써, 단일층 전도막으로 형성된 전도성 기판과 대비하여 낮은 저항을 구현할 수 있다.
As described above, the conductive substrate coated with the double-layer conductive film according to the first embodiment of the present invention has a double-layer structure including a second electrode and a second electrode between the substrate and the second electrode to form a conductive film on the substrate , A low resistance can be realized as compared with a conductive substrate formed of a single-layer conductive film.

제2 실시예Second Embodiment

본 발명의 제2 실시예에 따른 전도성 기판은 기판 상에 인듐주석산화물 전극, 산화아연 전극, 전도성고분자 전극, 탄소나노튜브 전극, 그래핀 전극 중 하나로 저항이 100 Ω/sq 인 제1 전극을 형성하였다.The conductive substrate according to the second embodiment of the present invention forms a first electrode having a resistance of 100? / Sq on one of indium tin oxide electrode, zinc oxide electrode, conductive polymer electrode, carbon nanotube electrode and graphene electrode Respectively.

그리고 단일층으로 전도막을 형성하였을 경우, 비노광 영역의 저항이 100 Ω/sq 이고, 노광 영역의 저항이 107 Ω/sq 인 제2 전극을 제1 전극의 상부에 코팅하고, 감광성 박막에 마스크를 이용하여 자외선을 국부적으로 조사하였고 물로 세척하고 건조하였다.When a conductive layer is formed as a single layer, a second electrode having a resistivity of 100? / Sq in a non-exposure region and a resistivity of 10 7 ? / Sq in an exposure region is coated on the top of the first electrode, UV light was irradiated locally, washed with water and dried.

전기저항 측정 결과, 제2 전극의 비노광 영역의 저항은 50 Ω/sq이고, 노광 영역의 저항은 100 Ω/sq 인 것을 확인할 수 있었다.As a result of the electrical resistance measurement, it was confirmed that the resistance of the non-exposure region of the second electrode was 50 OMEGA / sq and the resistance of the exposure region was 100 OMEGA / sq.

이와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 전도성 기판은 저항 값이 노광 영역에서 저항이 10 MΩ/sq 이상이고, 비노광 영역에서 저항이 0.2 ㏀/sq 미만으로 한정되어 있는 비교예와 달리, 제1 전극과, 제2 전극의 저항과 패턴을 각각 조절하여, 형성되는 전도막의 저항을 자유롭게 조절할 수 있다.
As described above, unlike the comparative example in which the resistance value of the conductive substrate according to the second embodiment of the present invention is 10 M? / Sq or more in the exposed region and the resistance is less than 0.2 k? / Sq in the non- The resistance of the conductive film to be formed can be freely adjusted by adjusting the resistance and the pattern of the first electrode and the second electrode, respectively.

제3 실시예Third Embodiment

본 발명의 제3 실시예에 따른 전도성 기판은 제2 실시예와 동일한 조건으로 패터닝 한 제1 전극을 형성하고, 패터닝 된 제1 전극의 상부에 감광성 물질과 금속나노와이어를 포함한 감광성 박막을 형성하였다.The conductive substrate according to the third embodiment of the present invention is formed with a first electrode patterned under the same conditions as those of the second embodiment and a photosensitive thin film containing a photosensitive material and metal nanowires is formed on the patterned first electrode .

그리고 감광성 박막에 마스크를 이용하여 자외선을 국부적으로 조사하였고 물로 세척하고 건조하여 전도막을 형성하였다.Then, ultraviolet rays were locally irradiated to the photosensitive thin film using a mask, washed with water and dried to form a conductive film.

전기저항 측정 결과, 패터닝 된 제1 전극의 패턴과 제2 전극의 패턴에 따라서 저항이 변하는 것을 확인할 수 있었다.As a result of the electrical resistance measurement, it was confirmed that the resistance varies according to the pattern of the patterned first electrode and the pattern of the second electrode.

이와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 전도성 기판은 제1 전극과, 제2 전극의 패턴 조절을 통해서 다양한 저항을 한 개의 전도성 기판상에 구현할 수 있다.
As described above, the conductive substrate according to the third embodiment of the present invention can realize various resistances on one conductive substrate through pattern adjustment of the first electrode and the second electrode.

제4 실시예Fourth Embodiment

본 발명의 제4 실시예에 따른 전도성 기판은 기판 상에 107 ~ 108Ω/sq 저항을 갖는 탄소나노튜브로 제1 전극을 형성하였다.A conductive substrate according to a fourth embodiment of the present invention has a first electrode formed of carbon nanotubes having a resistivity of 10 7 to 10 8 Ω / sq on a substrate.

그리고 제1 전극의 상부에 감광성 물질과 은나노와이어를 포함한 감광성 박막으로 코팅한 후, 좌외선 노광 및 세척 공정을 통해 제2 전극을 형성하고, 보호 필름을 붙였다 떼는 방식으로 정전기를 형성시키고 저항을 측정하였다.Then, the first electrode is coated with a photosensitive thin film including a photosensitive material and silver nano wires, and then a second electrode is formed through left and right external exposure and cleaning processes. Then, a static electricity is formed by attaching and detaching a protective film, Respectively.

그 결과, 3회 보호필름을 붙였다 뗏을 경우 패턴 및 절연 저항은 초기와 비슷하게 유지되었다.As a result, the pattern and insulation resistance remained similar to the initial case in the case of a raft with three protective films.

이와 같이, 본 발명의 제4 실시예에 따른 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판은 제1 전극의 저항을 106 ~ 108Ω/sq로 조절함으로써, 제2 전극과 기판 사이에서 대전 방지막 역할을 하여 전도막 제조 공정 중의 정전기에 대한 안정성을 향상시킬 수 있다.
As described above, the conductive substrate coated with the double layer conductive film according to the fourth embodiment of the present invention functions as an antistatic film between the second electrode and the substrate by controlling the resistance of the first electrode to 10 6 to 10 8 Ω / sq The stability against static electricity during the conductive film manufacturing process can be improved.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.It should be noted that the embodiments disclosed in the present specification and drawings are only illustrative of specific examples for the purpose of understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention are possible in addition to the embodiments disclosed herein.

10 : 기판
20 : 제1 전극
30 : 제2 전극
31 : 금속나노와이어
33 : 감광성 박막
35 : 노광된 영역
37 : 비노광된 영역
39 : 제2 패턴
40 : 마스크
41 : 패턴홀
50 : 전도막
100 : 전도성 기판10: substrate
20: first electrode
30: Second electrode
31: metal nanowire
33: Photosensitive thin film
35: exposed area
37: unexposed area
39: second pattern
40: mask
41: pattern hole
50: Conductive film
100: conductive substrate

Claims (8)

기판;
상기 기판 상에 형성되는 비감광성 물질을 포함하는 제1 전극과, 상기 제1 전극의 상부에 형성되고, 금속나노와이어와 감광성 물질을 포함하여 노광 및 세척에 의해 제2 패턴이 형성된 제2 전극을 구비하는 이중층 전도막; 을 포함하고,
상기 제1 전극은 저항을 1 ~ 1000Ω/sq 및 106 ~ 108Ω/sq 중 어느 하나로 설정하는 것을 특징으로 하는 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판.Board;
A second electrode formed on the first electrode and including a metal nanowire and a photosensitive material and having a second pattern formed by exposure and washing, the first electrode comprising a non- A double-layer conductive film; / RTI >
Wherein the first electrode has a resistance set to any one of 1 to 1000? / Sq and 10 6 to 10 8 ? / Sq. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 전극의 소재로는 인듐주석산화물, 산화아연, 전도성고분자, 탄소나노튜브 및 그래핀 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판.The method according to claim 1,
Wherein the first electrode includes at least one of indium tin oxide, zinc oxide, conductive polymer, carbon nanotube, and graphene. 제1항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 제2 패턴의 하부에 형성되는 제1 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판.The method according to claim 1,
Wherein the first electrode comprises a first pattern formed under the second pattern. ≪ Desc / Clms Page number 20 > 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 금속나노와이어로는 은나노와이어, 구리나노와이어 및 금나노와이어중 적어도 어느 하나를 포함하며,
상기 금속나노와이어는 직경이 1 ~ 100nm 이고, 길이가 1 ~ 300㎛ 인 것을 특징으로 하는 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판.The method according to claim 1,
The metal nanowire includes at least one of silver nanowire, copper nanowire, and gold nanowire,
Wherein the metal nanowire has a diameter of 1 to 100 nm and a length of 1 to 300 μm. 제1항에 있어서,
상기 제2 전극은 노광된 영역과 비노광된 영역을 포함하고, 상기 노광된 영역 및 비노광된 영역 중 세척에 의한 감광성 물질의 용해도가 높은 영역이 상기 제2 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판.The method according to claim 1,
Characterized in that the second electrode comprises an exposed region and an unexposed region and a region of the exposed and unexposed regions which is highly soluble in the photosensitive material by washing forms the second pattern Conductive substrate coated with conductive film. 기판 상에 비감광성 물질을 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에 금속나노와이어와 감광성 물질을 포함하는 감광성 박막을 형성하는 단계;
상기 감광성 박막의 일부 영역을 노광하는 단계;
노광된 상기 감광성 박막을 용매로 세척하여 노광된 영역과 비노광된 영역간의 전기전도도 차이를 발생시켜 제2 패턴을 갖는 제2 전극을 형성하는 단계; 를 포함하고,
상기 제1 전극은 저항을 1 ~ 1000Ω/sq 및 106 ~ 108Ω/sq 중 어느 하나로 설정하는 것을 특징으로 하는 이중층 전도막이 코팅된 전도성 기판의 제조 방법.Forming a first electrode comprising a non-photosensitive material on a substrate;
Forming a photosensitive thin film including a metal nanowire and a photosensitive material on the first electrode;
Exposing a part of the photosensitive thin film;
Cleaning the exposed photosensitive thin film with a solvent to generate a difference in electrical conductivity between the exposed area and the unexposed area to form a second electrode having a second pattern; Lt; / RTI >
Wherein the resistance of the first electrode is set to any one of 1 to 1000? / Sq and 10 6 to 10 8 ? / Sq.
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