KR101693852B1 - Light emitting device package and fabrication method thereof - Google Patents

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Abstract

실시 예는 발광 소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 상부가 개방된 캐비티를 포함하는 패키지 몸체; 상기 캐비티에 배치된 적어도 2개의 리드 프레임; 상기 리드 프레임들 중 제1 및 제2리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광 소자; 및 상기 리드 프레임들 중 적어도 한 리드 프레임 위에 배치되고 상기 제1 및 제2리드 프레임에 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체에 임베디드된 보호 소자를 포함한다. Embodiments relate to a light emitting device package and a manufacturing method thereof.
A light emitting device package according to an embodiment includes a package body including a cavity with an open top; At least two lead frames disposed in the cavity; A light emitting element electrically connected to the first and second lead frames of the lead frames; And a protection element disposed on at least one of the lead frames and electrically connected to the first and second lead frames and embedded in the package body.

Description

발광 소자 패키지 및 그 제조방법{Light emitting device package and fabrication method thereof}[0001] Light emitting device package and fabrication method [

실시 예는 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device package and a manufacturing method thereof.

Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는 통상 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있다.III-V nitride semiconductors (group III-V nitride semiconductors) are widely recognized as key materials for light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LD) due to their physical and chemical properties. The III-V group nitride semiconductors are usually made of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y?

발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.BACKGROUND ART Light emitting diodes (LEDs) are a kind of semiconductor devices that convert the electric power to infrared rays or light using the characteristics of compound semiconductors, exchange signals, or use as a light source.

이러한 질화물 반도체 재료를 이용한 LED 혹은 LD의 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 핸드폰의 키패드 발광부, 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다. Light emitting diodes (LEDs) or light emitting diodes (LD) using the nitride semiconductor materials, and are used as light sources for various products such as a keypad light emitting portion of a cellular phone, an electric sign board, and a lighting device.

실시 예는 복수의 리드 프레임 중 적어도 한 리드 프레임 위에 보호 소자가 임베디드된 발광 소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package in which a protection element is embedded on at least one of a plurality of lead frames, and a method of manufacturing the same.

실시 예는 보호 소자에 의한 발광소자의 광 효율 저하를 방지할 수 있는 발광 소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package and a method of manufacturing the same that can prevent deterioration of light efficiency of a light emitting device by a protective device.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 상부가 개방된 캐비티를 포함하는 패키지 몸체; 상기 캐비티에 배치된 적어도 2개의 리드 프레임; 상기 리드 프레임들 중 제1 및 제2리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광 소자; 및 상기 리드 프레임들 중 적어도 한 리드 프레임 위에 배치되고 상기 제1 및 제2리드 프레임에 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체에 임베디드된 보호 소자를 포함한다. A light emitting device package according to an embodiment includes a package body including a cavity with an open top; At least two lead frames disposed in the cavity; A light emitting element electrically connected to the first and second lead frames of the lead frames; And a protection element disposed on at least one of the lead frames and electrically connected to the first and second lead frames and embedded in the package body.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지 제조방법은, 적어도 2개의 리드 프레임 중 어느 한 리드 프레임 위에 배치되고 상기 적어도 2개의 리드 프레임 중 제1 및 제2리드 프레임에 보호 소자를 전기적으로 연결하는 단계; 상기 적어도 2개의 리드 프레임 위에 상부가 개방된 캐비티를 형성하고 상기 보호 소자를 임베디드한 패키지 몸체를 형성하는 단계; 상기 적어도 2개의 리드 프레임 중 제1 및 제2리드 프레임에 발광 소자를 전기적으로 연결하는 단계; 및 상기 캐비티에 수지물을 형성하는 단계를 포함한다. A method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes the steps of: electrically connecting a protection element to a first and a second lead frame of at least two lead frames disposed on one of the at least two lead frames; Forming a cavity having an open top on the at least two lead frames and forming a package body embedded with the protection element; Electrically connecting the light emitting device to the first and second lead frames of the at least two lead frames; And forming a resin material in the cavity.

실시 예는 보호 소자를 갖는 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device package having a protection element.

실시 예는 몸체 내부의 리드 프레임 위에 임베디드된 보호 소자를 구비할 수 있다.Embodiments may include a protection element embedded over a leadframe within the body.

실시 예는 보호 소자에 의한 광 흡수를 줄여 광 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.The embodiment can reduce the light absorption by the protection element and prevent the light efficiency from being lowered.

도 1은 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 1의 캐비티 내를 나타낸 평면도이다.
도 3은 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 4는 제3실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이다.
도 5는 도 4의 측 단면도이다.
도 6은 제4실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 7은 도 6의 평면도이다.
도 8은 제5실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 9는 도 8의 패키지에서 리드 프레임의 배치 형태를 나타낸 도면이다.
도 10은 도 8의 A-A측 단면도이다.
도 11은 도 8의 B-B측 단면도이다.1 is a side sectional view showing a light emitting device package according to a first embodiment.
1 is a plan view showing the inside of the cavity of Fig. 1; Fig.
3 is a plan view of a light emitting device package according to the second embodiment.
4 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to a third embodiment.
Fig. 5 is a side sectional view of Fig. 4. Fig.
6 is a side sectional view showing a light emitting device package according to a fourth embodiment.
Fig. 7 is a plan view of Fig. 6. Fig.
8 is a plan view of a light emitting device package according to the fifth embodiment.
FIG. 9 is a view showing a layout of lead frames in the package of FIG. 8. FIG.
10 is a cross-sectional view taken along line AA in Fig.
11 is a cross-sectional view taken along the line BB of Fig.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것일 수 있다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, it is described that each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, In this case, the terms "on" and "under" may be formed "directly" or "indirectly" through "other elements". In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이며, 도 2는 도 1의 평면도이다.1 is a side sectional view showing a light emitting device package according to a first embodiment, and Fig. 2 is a plan view of Fig.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 패키지 몸체(110), 캐비티(150), 리드 프레임(122,124), 발광 소자(130), 보호소자(140), 및 수지물(160)을 포함한다.1 and 2, a light emitting device package 100 includes a package body 110, a cavity 150, lead frames 122 and 124, a light emitting device 130, a protection device 140, ).

상기 패키지 몸체(110)는 수지 재료(예: PPA 등) 또는 반사 특성이 좋은 재료를 이용하여 일체로 형성되며, 기능적으로 캐비티(150)의 하부는 베이스부(111)이며, 캐비티 둘레는 반사부(113)가 될 수 있다. The package body 110 is integrally formed using a resin material (for example, PPA or the like) or a material having good reflection characteristics. Functionally, the lower part of the cavity 150 is a base part 111, (113).

상기 패키지 몸체(110)의 내측에는 상부가 개방된 캐비티(150)가 형성되며, 상기 패키지 몸체(110)의 내측에서 외측으로 관통된 복수의 리드 프레임(122,124)이 형성된다. Inside the package body 110, a cavity 150 having an open top is formed, and a plurality of lead frames 122 and 124 penetrating from the inside to the outside of the package body 110 are formed.

상기 복수의 리드 프레임(122,124)의 내측은 상기 캐비티(150)의 소정 측면 예컨대, 바닥면에 배치될 수 있고, 외측(123,125)은 상기 패키지 몸체(110)의 외측에 노출된다. 상기 복수의 리드 프레임(122,124)은 상기 캐비티(150)의 바닥면에서 분리부(117)에 의해 서로 이격되며 전기적으로 오픈된다. The inner sides of the plurality of lead frames 122 and 124 may be disposed on a predetermined side surface of the cavity 150 and the outer sides 123 and 125 may be exposed to the outside of the package body 110. The plurality of lead frames 122 and 124 are electrically separated from each other by a separating portion 117 at the bottom surface of the cavity 150.

상기 캐비티(150)의 둘레면은 수직하거나 경사지게 형성될 수 있으며, 또한 다단 캐비티 구조로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The circumferential surface of the cavity 150 may be formed to be vertical or inclined, or may have a multi-cavity structure, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 소자(130)는 복수의 리드 프레임(122,124) 중 적어도 한 리드 프레임 예컨대, 제1리드 프레임(122) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광 소자(130)는 상기 리드 프레임(122,124)에 적어도 하나의 와이어(132) 또는/및 플립 방식으로 연결될 수 있다. The light emitting device 130 may be disposed on at least one of the plurality of lead frames 122 and 124, for example, on the first lead frame 122. The light emitting device 130 may be connected to the lead frames 122 and 124 by at least one wire 132 or / and flip-flops.

상기 발광 소자(130)는 청색, 녹색, 적색 등과 같은 유색의 LED 칩을 포함하거나 소정 컬러를 방출하는 적어도 하나의 LED 칩 또는 UV LED 칩을 포함할 수 있다.The light emitting device 130 may include at least one LED chip or a UV LED chip that includes colored LED chips such as blue, green, and red or emits a predetermined color.

상기 캐비티(150)에는 수지물(160)이 형성된다. 상기 수지물(160)은 투광성 수지재료 또는 형광체가 첨가된 수지 재료로 형성될 수 있다. 상기 수지물(160)은 실리콘 또는 에폭시 재료를 포함하며, 상기 수지물(160)은 상기 발광 소자(130)의 광을 흡수하여 다른 컬러를 방출하는 적어도 한 종류의 형광체를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A resin material 160 is formed in the cavity 150. The resin material 160 may be formed of a light-transmitting resin material or a resin material to which a phosphor is added. The resin material 160 may include silicon or an epoxy material and the resin material 160 may include at least one kind of fluorescent material that absorbs light of the light emitting device 130 and emits different colors. The present invention is not limited thereto.

상기 리드 프레임(122,124)의 타측(123,125)은 적어도 하나로 분기될 수 있으며, 소정의 트림밍(trimming) 및 포밍(forming)되어 상기 패키지 몸체(110)의 다른 측면 예컨대, 측면 또는 바닥면 등에 연장되어 배치된다. The other sides 123 and 125 of the lead frames 122 and 124 may be branched into at least one and may be trimmed and formed to extend to the other side of the package body 110, .

상기 보호 소자(140)는 상기 패키지 몸체(110) 내에 임베디드될 수 있다. 상기 보호 소자(140)는 예컨대, TVS(Transient Voltage Suppressors) 소자 또는 제너 다이오드로서 상기 발광 소자(132)와 병렬로 연결되며, ESD와 같은 비정상적인 전원으로부터 상기 발광 소자(132)를 보호하게 된다.The protection element 140 may be embedded in the package body 110. The protection device 140 is connected in parallel with the light emitting device 132 as a TVS (Transient Voltage Suppressor) device or a Zener diode, for example, and protects the light emitting device 132 from an abnormal power source such as ESD.

상기 보호 소자(140)는 상기 복수의 리드 프레임(122,124) 중 어느 하나 예컨대, 제2리드 프레임(124)의 위에 배치되며, 구체적으로 상기 반사부(113) 내부에 배치된다. 상기 보호 소자(140)는 상기 반사부(113) 내에서 복수의 리드 프레임(122,124)과 적어도 하나의 와이어(142) 또는 플립 방식으로 연결될 수 있다.The protection element 140 is disposed on the second lead frame 124, for example, inside the reflective portion 113, in any one of the plurality of lead frames 122 and 124. The protection element 140 may be connected to the plurality of lead frames 122 and 124 in the reflective portion 113 by at least one wire 142 or a flip method.

상기 반사부(113) 내에서 상기 보호 소자(140)가 임베디드된 영역(115)(이하, 보호 소자 영역이라 함)에는 복수의 리드 프레임(122,124)의 단부가 배치된다.The end portions of the plurality of lead frames 122 and 124 are disposed in a region 115 (hereinafter, referred to as a protection element region) where the protection element 140 is embedded in the reflection portion 113.

상기 보호 소자 영역(115)은 상기 캐비티 영역으로 돌출되게 형성되며, 그 상면은 상기 반사부(113)의 상면과 동일 평면으로 형성될 수 있다. The protective element region 115 may protrude into the cavity region, and the upper surface of the protective element region 115 may be flush with the upper surface of the reflective portion 113.

도 2를 참조하면, 상기 캐비티(150)의 바닥면 폭(D2,D3)은 서로 다른 폭을 갖는다. 예컨대, 상기 캐비티(150)의 양측 바닥면 폭(D2, D3)은 보호 소자 영역(115)의 크기에 의해 달라지게 된다. 상기 캐비티(150)의 일측 바닥면 폭(D2)은 상기 리드 프레임(122)의 폭(D1) 이하이고 상기 캐비티(150)의 타측 바닥면 폭(D3) 보다는 크게 형성될 수 있다. 상기 캐비티(150)의 타측 바닥면 폭(D3)은 상기 보호 소자 영역(115)에 의해 달라질 수 있다. 또한 상기 캐비티(150)의 측면에 인접한 상기 반사부(113)의 한 쪽 폭은 보호 소자 영역(115)에 따라 서로 다른 폭(D4,D5)으로 형성될 수 있다. 이러한 보호 소자 영역(115)은 상기 캐비티(150)의 영역에 실질적으로 배치됨으로써, 작은 사이즈의 패키지에 적용할 수 있다. Referring to FIG. 2, the bottom surface widths D2 and D3 of the cavity 150 have different widths. For example, the bottom surface widths D2 and D3 of the cavity 150 are varied depending on the size of the protection device region 115. [ The bottom surface width D2 of one side of the cavity 150 may be less than the width D1 of the lead frame 122 and may be greater than the bottom side width D3 of the other side of the cavity 150. [ The width D3 of the other side of the cavity 150 may be varied by the protective device region 115. [ One side of the reflective portion 113 adjacent to the side surface of the cavity 150 may have a different width D4 and D5 according to the protection device region 115. [ The protective device region 115 is disposed substantially in the region of the cavity 150, so that the protective device region 115 can be applied to a small-sized package.

실시 예는 상기 패키지 몸체(110) 내에 보호 소자(140)를 배치함으로써, 발광 소자(130)로부터 방출된 광이 상기 보호 소자(140)에 의해 흡수되는 것을 방지할 수 있다. 또한 상기 보호 소자(140)를 상기 리드 프레임(124) 상에 배치함으로써, 상기 패키지 몸체(110)의 사출 성형시 사출 구조물의 주입구가 베이스부(111)에 배치되어 있어서, 상기 보호 소자(140)에 연결된 와이어(142)가 분리되는 것을 방지할 수 있다.
Embodiments can prevent the light emitted from the light emitting device 130 from being absorbed by the protection device 140 by arranging the protection device 140 in the package body 110. The protection element 140 is disposed on the lead frame 124 so that the injection port of the injection structure is disposed on the base part 111 during the injection molding of the package body 110, It is possible to prevent the wire 142 from being disconnected.

도 3은 제2실시 예를 나타낸 발광 소자 패키지의 평면도이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예를 참조하여 설명하기로 한다.3 is a plan view of a light emitting device package showing the second embodiment. In describing the second embodiment, the following description will be made with reference to the first embodiment.

도 3을 참조하면, 발광 소자 패키지(101)는 보호 소자(140)를 캐비티(150)에 벗어난 영역에 형성한 구조이다.Referring to FIG. 3, the light emitting device package 101 has a structure in which the protection device 140 is formed in an area outside the cavity 150.

상기 보호 소자(140)는 제2리드 프레임(24) 위에 배치되며, 제1 및 제2리드 프레임(122,124)에 전기적으로 연결된다.The protection element 140 is disposed on the second lead frame 24 and is electrically connected to the first and second lead frames 122 and 124.

상기 캐비티(150)의 바닥면에 배치된 상기 제1리드 프레임(122)과 상기 제2리드 프레임(124)은 적어도 2면이 대응된다. 상기 제1리드 프레임(122)의 일단(122A)은 캐비티 바닥면의 폭(D2)보다 작은 폭(D6)을 갖고 돌출되며, 상기 제2리드 프레임(124)의 타단(124A)은 상기 제2리드 프레임(124)의 폭보다 작은 폭을 갖고 돌출된다. 상기 제1리드 프레임(122)의 일단(122A)과 상기 제2리드 프레임(124)의 타단(124A)은 서로 엇갈리게 배치된다.At least two surfaces of the first lead frame 122 and the second lead frame 124 disposed on the bottom surface of the cavity 150 correspond to each other. One end 122A of the first lead frame 122 protrudes with a width D6 smaller than the width D2 of the bottom surface of the cavity and the other end 124A of the second lead frame 124 protrudes from the second And protrudes with a width smaller than the width of the lead frame 124. One end 122A of the first lead frame 122 and the other end 124A of the second lead frame 124 are staggered from each other.

상기 캐비티(150)의 바닥면 타측에는 상기 제2리드 프레임(124)의 타단(124A)이 노출된다. 상기 분리부(117)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(122,124) 사이에 2번 정도 꺾여진 형상으로 형성될 수 있다.The other end (124A) of the second lead frame (124) is exposed on the other side of the bottom surface of the cavity (150). The separator 117 may be bent twice between the first and second lead frames 122 and 124.

상기 보호 소자(140)는 상기 패키지 몸체(110)의 캐비티(150) 영역에 간섭을 주지 않는 영역 즉, 상기 제2리드 프레임(124) 위에 임베디드된다.
The protection element 140 is embedded in the area of the cavity 150 of the package body 110 that does not interfere with the area of the cavity 150, that is, on the second lead frame 124.

도 4 및 도 5는 제3실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도 및 그 측 단면도이다. 제3실시 예의 설명에 있어서, 상기 실시 예들과 동일한 부분에 대해서는 상기 실시 예들을 참조하기로 한다.4 and 5 are a perspective view and a side sectional view of the light emitting device package according to the third embodiment. In the description of the third embodiment, the same portions as those of the above embodiments will be described with reference to the above embodiments.

도 4 및 도 5를 참조하면, 발광 소자 패키지(102)는 캐비티(150)의 바닥면에 상기 제1 및 제2리드 프레임(126,127)이 경사지게 대응된다. 상기 제1리드 프레임(126)과 제2리드 프레임(127) 사이에는 경사진 분리부(117)가 배치되며, 상기 발광 소자(130A)는 제1리드 프레임(126)에 다이 본딩되고, 와이어(132)로 제2리드 프레임(127)에 연결된다.Referring to FIGS. 4 and 5, the first and second lead frames 126 and 127 are slantingly corresponded to the bottom surface of the cavity 150 in the light emitting device package 102. An inclined separator 117 is disposed between the first lead frame 126 and the second lead frame 127. The light emitting device 130A is die-bonded to the first lead frame 126, 132 to the second lead frame 127.

상기 캐비티(150)의 일측에는 상기 캐비티 방향으로 돌출된 보호 소자 영역(115)이 배치된다. 상기 보호 소자(140)는 패키지 몸체(110) 내에 임베디드되며, 상기 제1 및 제2리드 프레임(126,127)에 전기적으로 연결된다.A protective element region 115 protruding in the cavity direction is disposed on one side of the cavity 150. The protection element 140 is embedded in the package body 110 and is electrically connected to the first and second lead frames 126 and 127.

상기 제1리드 프레임(126) 및 제2리드 프레임(127)의 하면은 상기 패키지 몸체(110)의 하면과 동일 평면을 이루게 된다.
The lower surfaces of the first lead frame 126 and the second lead frame 127 are flush with the lower surface of the package body 110.

도 6 및 도 7은 제4실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 측 단면도 및 그 평면도이다. 제4실시 예의 설명에 있어서, 상기 실시 예들과 동일한 부분에 대해서는 상기 실시 예들을 참조하기로 한다.6 and 7 are a side sectional view and a plan view of the light emitting device package according to the fourth embodiment. In the description of the fourth embodiment, the same portions as those of the above embodiments will be described with reference to the above embodiments.

도 6 및 도 7을 참조하면, 발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체(210), 제1리드 프레임(222), 제2리드 프레임(224), 제3리드 프레임(226), 발광 소자(230), 보호 소자(240), 캐비티(250), 홈부(252), 및 수지물(260)을 포함한다.6 and 7, the light emitting device package 200 includes a package body 210, a first lead frame 222, a second lead frame 224, a third lead frame 226, a light emitting element 230 A protective element 240, a cavity 250, a groove 252,

상기 패키지 몸체(210)는 상부가 개방된 캐비티(250)를 구비하고, 상기 캐비티(250)의 중앙부에는 상기 제3리드 프레임(226)이 배치된다. The package body 210 includes a cavity 250 having an open top and a third lead frame 226 disposed at a center of the cavity 250.

상기 제3리드 프레임(226)은 상기 발광 소자(230)가 부착되며, 상기 발광 소자(230)로부터 발생된 열을 방열하게 된다. 상기 제3리드 프레임(226)은 상기 제1 및 제2리드 프레임(222,224)과 전기적으로 오픈되며, 적어도 2개의 양 단이 상기 패키지 몸체(210: 201,203)의 외측에 노출된다.The third lead frame 226 is attached to the light emitting device 230 and dissipates heat generated from the light emitting device 230. The third lead frame 226 is electrically opened with the first and second lead frames 222 and 224, and at least two ends of the third lead frame 226 are exposed to the outside of the package bodies 210 and 201 and 203.

상기 제3리드 프레임(226)의 내측 중앙에는 홈부(252)가 형성되며, 상기 홈부(252)는 상기 제3리드 프레임(226)의 일부로 형성되며, 상기 캐비티(250)에 배치된 상기 제1 및 제2리드 프레임(222,224)을 기준으로 소정 깊이로 형성된다. 상기 홈부(252)는 그 둘레 형상이 원형 또는 다각형 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제3리드 프레임(226)은 상기 제1 및 제2리드 프레임(222,224)와 전기적으로 분리된다.A groove 252 is formed at an inner center of the third lead frame 226 and the groove 252 is formed as a part of the third lead frame 226. The first lead frame 226, And the second lead frames 222 and 224 as a reference. The groove 252 may have a circular or polygonal shape, but the present invention is not limited thereto. The third lead frame 226 is electrically separated from the first and second lead frames 222 and 224.

상기 발광 소자(230)는 상기 제3리드 프레임(226)의 홈부(252)에 배치되며, 상기 제1 및 제2리드 프레임(222,224)에 와이어(232)를 이용하여 전기적으로 연결된다. The light emitting device 230 is disposed in the groove 252 of the third lead frame 226 and is electrically connected to the first and second lead frames 222 and 224 using a wire 232.

캐비티(250)의 외측에는 보호 소자(240)가 배치되며, 상기 보호 소자(240)는 상기 발광 소자(230)와 다른 평면에 배치된다. 상기 보호 소자(240)는 상기 패키지 몸체(210)의 반사부(203)에 배치되며, 복수의 와이어(242)를 이용하여 상기 제1리드 프레임(222)의 일단(222A)과 상기 제2리드 프레임(224)의 타단(224A)에 전기적으로 연결된다. 상기 제1리드 프레임(222)의 일단(222A)과 상기 제2리드 프레임(224)의 타단(224A) 사이에는 상기 제3리드 프레임(226)의 일단부(226A)가 배치된다.A protection device 240 is disposed outside the cavity 250 and the protection device 240 is disposed on a different plane from the light emitting device 230. The protection element 240 is disposed on the reflective portion 203 of the package body 210 and is electrically connected to one end 222A of the first lead frame 222 and the second lead 222A of the second lead frame 222 by using a plurality of wires 242. [ And is electrically connected to the other end 224A of the frame 224. One end 226A of the third lead frame 226 is disposed between one end 222A of the first lead frame 222 and the other end 224A of the second lead frame 224.

상기 제1리드 프레임(222)의 타측(223) 및 상기 제2리드 프레임(224)의 타측(225)은 상기 패키지 몸체(210)의 베이스부(201)에 접촉되며, 상기 제3리드 프레임(226)의 하면은 상기 패키지 몸체(210)의 하면과 동일 평면에 배치될 수 있으며, 이러한 배치 구조는 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The other side 223 of the first lead frame 222 and the other side 225 of the second lead frame 224 are in contact with the base portion 201 of the package body 210, 226 may be disposed on the same plane as the lower surface of the package body 210. Such an arrangement structure may improve the heat radiation efficiency.

상기와 같이 보호 소자(240)는 상기 발광 소자(230)과 서로 다른 평면에 배치됨으로써, 상기 발광 소자(230)의 광 지향 분포에 벗어난 영역에 존재할 수 있다. 이에 따라 상기 보호 소자(240)에 의한 상기 발광 소자(230)의 광 효율 저하를 방지할 수 있다.
As described above, the protection device 240 may be disposed on a different plane from the light emitting device 230, so that the protection device 240 may exist outside the light directing distribution of the light emitting device 230. Accordingly, the light efficiency of the light emitting device 230 can be prevented from being lowered by the protection device 240.

도 8 내지 도 11은 제5실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 도면이다. 도 8은 발광 소자 패키지의 평면도이고, 도 9는 도 8의 리드 프레임들과 소자들을 나타낸 도면이며, 도 10은 도 8의 A-A 측 단면도이고, 도 11은 도 8의 B-B측 단면도이다. 제5실시 예의 설명에 있어서, 상기 실시 예들과 동일한 부분에 대해서는 상기 실시 예들을 참조하기로 한다.8 to 11 are views showing a light emitting device package according to a fifth embodiment. 8 is a plan view of the light emitting device package, FIG. 9 is a view showing the lead frames and elements of FIG. 8, FIG. 10 is a sectional view taken along the line A-A of FIG. 8, and FIG. 11 is a sectional view taken along the line B-B of FIG. In the description of the fifth embodiment, the same portions as those of the above embodiments will be referred to above.

도 8 내지 도 11을 참조하면, 발광 소자 패키지(300)는 패키지 몸체(310), 제1리드 프레임(322), 제2리드 프레임(324), 제3리드 프레임(326), 발광 소자(330), 보호 소자(340), 캐비티(350) 및 수지물(360)를 포함한다.8 to 11, the light emitting device package 300 includes a package body 310, a first lead frame 322, a second lead frame 324, a third lead frame 326, a light emitting element 330 A protective element 340, a cavity 350,

상기 패키지 몸체(310)는 상부가 개방된 캐비티(350)를 구비하고, 상기 캐비티(350)의 중앙부에는 상기 제3리드 프레임(326)이 배치된다. 상기 제1리드 프레임(322)과 상기 제2리드 프레임(324) 사이에는 상기 제3리드 프레임(326)이 배치된다. 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 제 1내지 제3리드 프레임(322,324,326)은 동일 평면 상에 서로 평행하게 배치될 수 있다.The package body 310 includes a cavity 350 having an open top and the third lead frame 326 is disposed at a center of the cavity 350. The third lead frame 326 is disposed between the first lead frame 322 and the second lead frame 324. As shown in FIG. 10, the first to third lead frames 322, 324 and 326 may be arranged in parallel on the same plane.

상기 제3리드 프레임(326)에는 복수의 발광 소자(330)가 부착되며, 상기 복수의 발광 소자(330)로부터 발생된 열을 방열하게 된다. 상기 제3리드 프레임(326)은 상기 제1 및 제2리드 프레임(322,324)과 전기적으로 오픈되며, 적어도 2개의 양 단이 상기 패키지 몸체(310)의 외측에 노출된다.A plurality of light emitting devices 330 are attached to the third lead frame 326 to dissipate heat generated from the plurality of light emitting devices 330. The third lead frame 326 is electrically opened with the first and second lead frames 322 and 324 and at least two ends of the third lead frame 326 are exposed to the outside of the package body 310.

상기 복수의 발광 소자(330)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(222,224)에 전기적으로 연결되며 서로 병렬로 구성된다. The plurality of light emitting devices 330 are electrically connected to the first and second lead frames 222 and 224 and are formed in parallel with each other.

도 7 및 도 8과 같이, 상기 캐비티(350)의 폭(P5)의 외측에는 보호 소자(340)가 배치되며, 상기 보호 소자(340)는 상기 제3리드 프레임(326) 위에 상기 발광 소자(330)와 동일 평면에 배치된다. 상기 보호 소자(340)는 상기 패키지 몸체(310)의 반사부(303) 내에 배치되며, 상기 제1리드 프레임(322)과 제2리드 프레임(324)에 와이어(342)로 연결된다. 7 and 8, a protection element 340 is disposed outside the width P5 of the cavity 350. The protection element 340 is formed on the third lead frame 326, 330, respectively. The protection element 340 is disposed in the reflective portion 303 of the package body 310 and is connected to the first lead frame 322 and the second lead frame 324 by wires 342.

상기 캐비티(350)에는 수지물(360)이 형성되며, 상기 수지물(360)에는 적어도 한 종류의 형광체가 포함될 수 있다.A resin material 360 is formed in the cavity 350, and at least one kind of fluorescent material may be included in the resin material 360.

실시 예는 발광 소자 패키지에 있어서, 복수의 리드 프레임을 트림 및 포밍하는 과정에 대해 설명하였으나, 한 개의 리드 프레임은 비아 구조를 채용할 수 있어, 나머지 리드 프레임을 트림 및 포밍할 수 있으며, 실시 예의 기술적 범위 내에서 한 개 또는 복수의 리드 프레임의 외측에 대해 수행할 수 있으며, 상기의 실시 예로 한정하지는 않는다.Although the process of trim and form a plurality of lead frames in the light emitting device package has been described in the embodiment, one lead frame can employ a via structure, so that the remaining lead frames can be trimmed and formed. But may be performed on the outside of one or a plurality of lead frames within the technical scope, and is not limited to the above embodiment.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입으로 구현되어, 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등의 기판에 어레이 형태로 배치되어 라이트 유닛으로 제공되거나, 조명장치 및 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may be implemented as a top view or a side view type and may be arranged in an array on a substrate of a portable terminal or a notebook computer to be provided as a light unit or variously applied to an illumination device and a pointing device.

이상에서 그 바람직한 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments of the present invention can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100,101,102,200,300 : 발광 소자 패키지
110,210,310 : 패키지 몸체
122,124,222,224,226.322,324,326 : 리드 프레임
130,230,330 : 발광소자
140,240,340 : 보호소자
150,250,350 : 캐비티
160,260,360 : 수지물100, 101, 102, 200, 300:
110, 210, 310:
122, 124, 222, 224, 226, 322, 324, 326:
130, 230,
140, 240, 340:
150, 250, 350: Cavity
160, 260, 360:

Claims (19)

상부가 개방된 캐비티와 상기 캐비티 하부에 형성된 베이스부를 포함하는 패키지 몸체;
상기 캐비티 둘레에 배치되는 반사부;
상기 캐비티에 배치된 적어도 2개의 리드 프레임;
상기 리드 프레임들 중 제1 및 제2리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광 소자; 및
상기 리드 프레임들 중 적어도 한 리드 프레임 위에 배치되고 상기 제1 및 제2리드 프레임에 전기적으로 연결되는 보호소자; 및
상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 사이에 배치된 제3리드 프레임을 포함하며, 상기 제3리드 프레임에 형성된 홈부에 상기 발광 소자가 배치되며,
상기 제1리드 프레임의 타측 및 상기 제2리드 프레임의 타측은 상기 베이스부와 접촉하며, 상기 제3리드 프레임의 하면은 상기 패키지 몸체의 하면으로 노출되며,
상기 보호소자는 상기 반사부에 임베디드되며, 상기 보호소자와 상기 발광 소자는 다른 평면에 배치되는 발광 소자 패키지.
A package body including a cavity opened at an upper portion thereof and a base portion formed at a lower portion of the cavity;
A reflective portion disposed around the cavity;
At least two lead frames disposed in the cavity;
A light emitting element electrically connected to the first and second lead frames of the lead frames; And
A protective element disposed over at least one of the lead frames and electrically connected to the first and second lead frames; And
And a third lead frame disposed between the first lead frame and the second lead frame, wherein the light emitting device is disposed in a groove formed in the third lead frame,
The other side of the first lead frame and the other side of the second lead frame are in contact with the base portion and the lower surface of the third lead frame is exposed to the lower surface of the package body,
Wherein the protection element is embedded in the reflective portion, and the protection element and the light emitting element are disposed on different planes.
제1항에 있어서, 상기 보호 소자는 상기 제1 및 제2리드 프레임 중 적어도 한 리드 프레임 위에 배치되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 1, wherein the protection element is disposed on at least one of the first and second lead frames. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 캐비티의 일측에 상기 패키지 몸체의 보호소자 영역이 상기 캐비티 방향으로 돌출되며,
상기 캐비티의 일측 바닥면 폭은 상기 캐비티의 타측 바닥면 폭보다 좁게 형성되는 발광 소자 패키지.The package according to claim 1 or 2, wherein a protective element region of the package body protrudes in the cavity direction on one side of the cavity,
Wherein a width of one side of the cavity is smaller than a width of the other side of the cavity. 제1항에 있어서, 상기 보호 소자는 상기 제1 및 제2리드 프레임에 복수의 와이어 또는 플립 방식으로 연결되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 1, wherein the protection element is connected to the first and second lead frames by a plurality of wires or flip-flops. 제 1항에 있어서, 상기 보호소자가 임베디드된 영역에는 상기 제1 및 제2리드 프레임이 이격되게 배치되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 1, wherein the first and second lead frames are spaced apart from each other in a region where the protection device is embedded. 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 제1리드 프레임의 일단과 상기 제2리드 프레임의 타단은 상기 캐비티 바닥면에서 서로 경사지게 대응되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 1, wherein one end of the first lead frame and the other end of the second lead frame are inclined relative to each other at the bottom surface of the cavity. 제 1항에 있어서, 상기 캐비티에 제1리드 프레임의 일측 및 상기 제2리드 프레임의 타측이 배치되며,
상기 제1리드 프레임의 일측과 상기 제2리드 프레임의 타 측은 적어도 측면이 대응되게 배치되는 발광 소자 패키지.2. The semiconductor device according to claim 1, wherein one side of the first lead frame and the other side of the second lead frame are disposed in the cavity,
Wherein at least one side of the first lead frame and the other side of the second lead frame are disposed so as to correspond to each other. 제 1항에 있어서,
상기 복수의 리드 프레임은 상기 캐비티의 바닥면에서 분리부에 의해 이격되며 전기적으로 오픈되는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of lead frames are electrically separated from each other by a separating portion at a bottom surface of the cavity. 제1항에 있어서,
상기 홈부는 상기 캐비티의 중앙부에 원 또는 다각형 형상으로 형성되는 발광 소자 패키지. The method according to claim 1,
And the groove portion is formed in a circular or polygonal shape at the center of the cavity. 제1항에 있어서, 상기 제3리드 프레임은 캐비티의 중앙에 배치되며 복수의 발광 소자가 직렬 또는 병렬로 어레이되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 1, wherein the third lead frame is disposed at the center of the cavity, and a plurality of light emitting devices are arrayed in series or in parallel. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 발광 소자는 적어도 하나의 발광 다이오드 칩이며,
상기 보호 소자는 상기 발광 소자에 병렬로 연결된 제너 다이오드인 발광 소자 패키지.The light emitting device of claim 1, wherein the light emitting device is at least one light emitting diode chip,
Wherein the protection element is a zener diode connected in parallel to the light emitting element. 제1항에 있어서, 상기 보호소자가 임베디드된 영역에는 상기 제1 및 제2리드 프레임의 일단이 서로 이격되고, 상기 이격된 제1 및 제2리드 프레임 사이에 상기 제3리드 프레임의 단부가 배치되는 발광 소자 패키지.The apparatus of claim 1, wherein the first and second lead frames are spaced apart from each other, and the end of the third lead frame is disposed between the spaced apart first and second lead frames A light emitting device package. 제1항에 있어서,
상기 캐비티에 형성된 수지물을 포함하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
And a resin material formed in the cavity. 적어도 2개의 리드 프레임 중 어느 한 리드 프레임 위에 배치되고 상기 적어도 2개의 리드 프레임 중 제1 및 제2리드 프레임에 보호 소자를 전기적으로 연결하는 단계;
상기 적어도 2개의 리드 프레임 위에 상부가 개방된 캐비티와 상기 캐비티 하부에 베이스부와 상기 캐배티 둘레에 반사부를 형성하고 상기 보호 소자를 임베디드한 패키지 몸체를 형성하는 단계;
상기 적어도 2개의 리드 프레임 중 제1 및 제2리드 프레임에 발광 소자를 전기적으로 연결하는 단계; 및
상기 캐비티에 수지물을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 사이에 배치된 제3리드 프레임을 포함하며, 상기 제3리드 프레임에 형성된 홈부에 상기 발광 소자가 배치되며,
상기 제1리드 프레임의 타측 및 상기 제2리드 프레임의 타측은 상기 베이스부와 접촉하며, 상기 제3리드 프레임의 하면은 상기 패키지 몸체의 하면으로 노출되며,
상기 보호 소자는 상기 반사부에 임베디드되며, 상기 보호소자와 상기 발광 소자는 다른 평면에 배치되는 발광 소자 패키지 제조방법.Electrically connecting the protection element to the first and second lead frames of the at least two lead frames disposed on any one of the at least two lead frames;
Forming a package body having an upper portion opened on the at least two lead frames, a base portion under the cavity, and a reflection portion around the cavity and embedding the protection element;
Electrically connecting the light emitting device to the first and second lead frames of the at least two lead frames; And
And forming a resin material in the cavity,
And a third lead frame disposed between the first lead frame and the second lead frame, wherein the light emitting device is disposed in a groove formed in the third lead frame,
The other side of the first lead frame and the other side of the second lead frame are in contact with the base portion and the lower surface of the third lead frame is exposed to the lower surface of the package body,
Wherein the protective element is embedded in the reflective portion, and the protective element and the light emitting element are disposed on different planes. 제1항에 있어서,
상기 보호소자는 와이어에 의해 상기 제1 및 제2리드 프레임과 전기적으로 연결되는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the protection element is electrically connected to the first and second lead frames by a wire. 제1항에 있어서,
상기 제1리드 프레임의 일단과 상기 제2리드 프레임의 타단 사이에 상기 제3리드 프레임의 일단부가 배치되는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
And one end of the third lead frame is disposed between one end of the first lead frame and the other end of the second lead frame. 제1항에 있어서,
상기 제3 리드 프레임의 하면은 상기 패키지 몸체의 하면과 동일 평면에 배치되는 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
And a lower surface of the third lead frame is disposed in the same plane as the lower surface of the package body.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130118552A (en) * 2012-04-20 2013-10-30 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package and light emitting apparatus having the same
KR102006370B1 (en) * 2013-01-15 2019-08-02 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package
US11355679B2 (en) 2017-11-01 2022-06-07 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting device package and lighting source device
JP6669208B2 (en) * 2018-08-02 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
KR102029808B1 (en) * 2018-12-14 2019-10-08 럭스피아(주) Light emitting device package
JP7269510B2 (en) * 2020-09-30 2023-05-09 日亜化学工業株式会社 light emitting device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008112966A (en) * 2006-10-05 2008-05-15 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device
KR100870950B1 (en) * 2007-11-19 2008-12-01 일진반도체 주식회사 Light emitting diode device and manufacturing method thereof
JP2009200321A (en) * 2008-02-22 2009-09-03 Toshiba Corp Light-emitting device and its manufacturing method

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI284433B (en) * 2006-02-23 2007-07-21 Novalite Optronics Corp Light emitting diode package and fabricating method thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008112966A (en) * 2006-10-05 2008-05-15 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device
KR100870950B1 (en) * 2007-11-19 2008-12-01 일진반도체 주식회사 Light emitting diode device and manufacturing method thereof
JP2009200321A (en) * 2008-02-22 2009-09-03 Toshiba Corp Light-emitting device and its manufacturing method

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