KR101683010B1 - 비정렬형 탄성 컨택터, 이를 포함하는 탄성 컨택시트, 이의 제조방법 및 이를 이용한 테스트 소켓 - Google Patents

비정렬형 탄성 컨택터, 이를 포함하는 탄성 컨택시트, 이의 제조방법 및 이를 이용한 테스트 소켓 Download PDF

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Abstract

본 발명의 비정렬형 탄성 컨택터, 이를 포함하는 테스트 소켓 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 종래에는 테스트 소켓 제조시, 테스트 소켓의 탄성 컨택터로서 요구되는 전기적 물성을 맞추기 위해 자기장을 가하여 탄성 컨택터 내 포함하는 도전성 성분을 일방향으로 정렬시켰으나, 본 발명은 도전성 성분이 비정렬형인 탄성 컨택터임에도 불구하고, 테스트 소켓의 탄성 컨택터로서 요구되는 전기적 물성을 만족시킬 수 있는 테스트 소켓용 탄성 컨택터, 이를 포함하는 테스트 소켓 및 이를 간단한 공정에 의해 높은 생산성으로 제조하는 방법에 관한 것이다.

Description

비정렬형 탄성 컨택터, 이를 포함하는 탄성 컨택시트, 이의 제조방법 및 이를 이용한 테스트 소켓{The non-alignment rubber contactor, Rubber contact sheet containing the same, Manufacturing method thereof and Test socket using the same}
본 발명은 비정렬형 탄성 컨택터, 이를 포함하는 탄성 컨택시트, 이를 포함하는 테스트 소켓에 관한 것으로, 더 구체적으로는 반도체 패키지 제조 공정을 통하여 제조되는 반도체 기기가 출하되기 전에 전기적 특성을 검사하는 테스트 소켓의 구성품인 탄성 컨택시트 및 상기 탄성 컨택시트를 구성하는 비정렬형 탄성 컨택터에 관한 것이다.
일반적으로 가공이 완료된 반도체 기기는 사용자에게 제공되기 전에 전기 검사 공정을 거치게 된다. 전기 검사 공정에서는 테스트 소켓을 이용하여 반도체 기기의 전기적 특성을 검사하게 된다.
종래에 QFN, MLF, LGA, BGA, QFP, SOP 형태를 가진 반도체 기기를 테스트하기 위한 테스트 소켓에는 스프링 프로브(포고 핀) 방식, 판재 핀(Stamping Pin) 방식, 및 가압전도 실리콘 고무(Pressure Sensitive Conductive Rubber : PCR) 방식 등이 있다.
RF(Radio Frequency) 반도체 소자와 같이 고주파에서의 테스트가 요구되는 경우에는 전기적 경로를 최소화해야 할 필요가 있으므로 짧은 스프링 프로브를 사용하거나 다양한 형상의 판재 핀을 사용하는 테스트 소켓이 개발되고 있다.
최근에는 짧은 도전 경로 구현 및 반도체 기기의 볼에 데미지를 최소화할 수 있다는 장점 때문에 실리콘 고무를 탄성체로 한 가압 전도 실리콘 고무 방식의 사용이 점차 확산되어 가고 있다.
그러나, 절연 실리콘 고무로 탄성 절연시트를 형성하는 공정이 매우 곤란하고, 도전성 탄성 컨택터를 전술한 절연성 바디 사이에 형성하는 제조 공정 또한 상당히 복잡한 공정상 문제점이 있다. 또한, 길이 방향으로 충분한 압력이 주어지는 경우에만 가압 전도 실리콘 고무의 도전성이 확대되는 경향에 있다.
그리고, 기존의 가압전도 실리콘 고무(PCR) 방식의 탄성 절연시트에 사용되는 도전성 탄성 컨택터는 실리콘 고무 내 도전성 입자를 정렬시켜서 통전성 향상 위해 도전성 탄성 컨택터 형성시, 자기장을 가하여 도전성 입자를 정렬시키는 공정을 수행하는 자성배열공정 또는 전도성 본딩제를 사용했기 때문에 제조공정이 복잡다단하여 탄성 절연시트 제조단가를 증가시키는 문제가 있었다.
KR 공개특허 10-2014-0021229호(공개일 2014.02.20)
따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 우수한 탄성을 제공하면서 낮은 전기저항성을 갖는 비정렬형 탄성 컨택터를 제공하고자 한다.
본 발명의 다른 목적은 복수개의 관통홀이 형성된 탄성 절연시트; 및 상기 관통홀에 비정렬형 탄성 컨택터;를 포함하는 탄성 컨택시트를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 탄성 컨택시트를 이용한 테스트 소켓을 제공하는 것이다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 비정렬형 탄성 컨택터(rubber contactor)는 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘(silicon)계 중합체 및 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 실리콘계 중합체 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 실리콘계 고무 수지, 은(Ag) 분말 및 백금(Pt) 촉매를 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112015071270883-pat00001
화학식 1에 있어서, R1 내지 R6 각각은 독립적으로 수소원자, C1 ~ C5의 알킬기 또는 C5 ~ C10의 아릴기이다. 그리고, 화학식 1의 n은 화학식 1의 중량평균분자량 90 ~ 2,000을 만족시키는 유리수이다.
[화학식 2]
Figure 112015071270883-pat00002
화학식 2에 있어서, R1 내지 R4 각각은 독립적으로 수소원자, C1 ~ C5의 알킬기 또는 C5 ~ C10의 아릴기이며, R5 및 R6 각각은 독립적으로 C1 ~ C5의 알킬렌기이고, R7 및 R8 각각은 독립적으로 수소원자, C1 ~ C5의 알킬기 또는 C5 ~ C10의 아릴기이다. 그리고, x 및 y는 반복단위의 몰비를 나타내는 것으로서, x+y=1 및 0.2≤x≤0.6을 만족하는 유리수이다. 그리고, 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 실리콘계 중합체는 중량평균분자량 1,500 ~ 30,000이다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 화학식 1의 R1 내지 R6 각각은 독립적으로 C1 ~ C3의 알킬기 또는 페닐기일 수 있고, 상기 화학식 2의 R1 내지 R4 각각은 독립적으로 C1 ~ C3의 알킬기 또는 페닐기이며, 화학식 2의 R5 및 R6 각각은 독립적으로 C2 ~ C4의 알킬렌기이고, R7 및 R8 각각은 독립적으로 수소원자, C1 ~ C3의 알킬기 또는 페닐기일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 비정렬형 탄성 컨택터는 상기 실리콘계 고무 수지 100 중량부에 대하여, 은(Ag) 분말 140 ~ 300 중량부 및 백금 촉매 2.8 ~ 4.5 중량부를 포함할 수 있으며, 바람직하게는 상기 실리콘계 고무 수지 100 중량부에 대하여, 은(Ag) 분말 200 ~ 300 중량부 및 백금 촉매 3.2 ~ 4.0 중량부를 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 실리콘 수지 및 은 분말을 2.5 ~ 3.0 : 7.0 ~ 7.5 중량비로 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 비정렬형 탄성 컨택터는 200㎛의 스트로크(stroke)로 가한 상태에서, 푸쉬풀 게이지로 측정시, 탄성복원력(Force)이 30.0 ~ 34.0 gf일 수 있으며, 바람직하게는 30.0 ~ 32.0 gf, 더욱 바람직하게는 31.0 ~ 32.0 gf일 수 있다
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 비정렬형 탄성 컨택터는200㎛의 스트로크(stroke)로 가한 상태에서, 전기저항값(Resistance)이 1Ω 이하이고, 바람직하게는 전기저항값이 0.0001 ~ 0.1000Ω일 수 있다.
본 발명의 다른 목적인 탄성 컨택시트는 제1표면과 제2표면을 가지며, 상기 제1표면과 상기 제2표면 사이에 탄성을 가지는 탄성 절연시트; 상기 탄성 절연시트에 복수개로 구비되어, 상기 제1표면과 상기 제2표면을 연통하는 관통홀; 및 상기 관통홀에 각각 구비된 상기 비정렬 탄성 컨택터;를 포함한다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 탄성 컨택시트의 제1표면에 상기 복수개의 관통홀에 각각 대응하는 복수개의 패드가 형성된 FPCB 필름이 부착되어 있을 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 탄성 컨택시트의 FPCB 필름에는 상기 패드 사이에 다수의 FPCB 체결홈이 형성되어 있고, 탄성 절연시트의 일부가 상기 FPCB 체결홈에 삽입되어 체결력을 강화할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 탄성 절연시트의 외측에는 상기 탄성 절연시트를 장력 결합하는 강성 베이스(base)가 더 형성되어 있고,
상기 강성 베이스에는 다수의 체결홈이 형성되며, 상기 탄성 절연층의 일부가 상기 체결홈에 삽입되어 체결력을 강화할 수 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 탄성 컨택시트의 제조방법에 관한 것으로서, 절연성 액상 실리콘 고무로 복수개의 관통홀이 구비된 탄성 절연시트를 성형하는 단계; 상기 복수개의 관통홀에 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 중합체 및 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 실리콘계 중합체 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 실리콘계 고무 수지, 은(Ag) 분말 및 백금(Pt) 촉매를 포함하는 비정렬형 탄성 컨택터 수지를 주입하는 단계; 및 상기 비정렬형 탄성 컨택터 수지를 경화시켜서 비정렬 탄성 컨택터를 형성하는 단계;를 포함하는 공정을 수행하여, 탄성 컨택시트를 제조할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 탄성 컨택시트의 제1측에 FPCB 필름을 구비하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 탄성 컨택시트 주변에 강성 베이스를 부착하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 비정렬형 탄성 컨택터 수지는 상기 실리콘계 고무 수지 100 중량부에 대하여, 은(Ag) 분말 140 ~ 300 중량부 및 백금 촉매 2.8 ~ 4.5 중량부를 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 비정렬형 탄성 컨택터 수지는 상기 실리콘계 고무 수지 및 은 분말을 2.5 ~ 3.0 : 7.0 ~ 7.5 중량비로 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 목적인 테스트 소켓은 반도체 기기의 리드 단자와 테스트 기기의 테스트 단자를 전기적으로 연결하는 테스트 소켓으로서, 상기 반도체 기기와 상기 테스트 기기 사이에 배치되고, 복수개의 관통 홀이 구비되는 탄성 절연시트를 포함하며, 상기 관통 홀은 상기 리드 단자와 상기 테스트 단자가 통전되도록 하는 앞서 설명한 비정렬형 탄성 컨택터를 포함하고, 상기 리드 단자는 본딩 패드를 통해 상기 비정렬형 탄성 컨택터와 접촉하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 탄성 절연시트는 상기 비정렬형 탄성 컨택터가 인서트 되는 절연 실리콘 고무; 및 상기 비정렬형 탄성 컨택터와 전기적으로 연결되는 회로 패턴 및 본딩 패드가 구리(Cu) 기타 금속 박막으로 형성되고, 상기 절연 실리콘 바디 일측에 일체로 결합되는 FPCB 필름;을 포함하고, 상기 리드 단자는 상기 본딩 패드를 통해 상기 비정렬형 탄성 컨택터와 접촉되어 있을 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 테스트 기기와 대응되는 탄성 절연시트의 외측에는 외부 전자기파를 차단하는 강성 베이스 필름이 더 형성되고, 상기 강성 베이스 필름에는 다수의 체결홈이 형성되며, 상기 탄성 절연시트의 일부가 상기 체결홈에 삽입되어 체결력을 강화할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 강성 베이스 필름은 SUS 베이스 필름을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 테스트 소켓을 제조하는 방법으로서, 하부 금형 상에 FPCB 필름을 탑재하는 단계; 상기 하부 금형 상에 강성 베이스 필름을 탑재하는 단계; 상기 하부 금형과 저면에 다수의 핀이 포함되는 상부 금형이 대응되도록 정렬하는 단계; 상기 하부 금형과 상기 상부 금형 사이에 절연성 액상 실리콘 고무를 주입 및 경화시켜서 탄성 절연시트를 형성시키는 단계; 상기 하부 금형과 상기 상부 금형로부터 상기 다수 핀에 대응되는 복수개의 관통 홀이 형성되어 있는 탄성 절연시트를 분리하는 단계; 및 탄성 절연시트의 관통 홀에 비정렬형 탄성 컨택터 수지을 주입 및 경화시켜서, 탄성 절연시트의 관통 홀 내에 비정렬형 탄성 컨택터를 형성시키는 단계;를 포함하는 공정을 수행하여 테스트 소켓을 제조할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 900㎛의 상기 테스트 소켓을 200㎛의 스트로크(stroke)로 가할 때, 상기 비정렬형 탄성 컨택터는 전기저항값(Resistance)이 1Ω 이하이고, 탄성복원력(Force)가 30.0 ~ 34.0 gf일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 FPCB 필름 일면에는 회로 패턴이 형성되고, 상기 회로 패턴이 외부와 전기적으로 연결되는 본딩 패드는 상기 다수 핀과 대응될 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 비정렬형 탄성 컨택터 수지는 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 중합체 및 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 실리콘계 중합체 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 실리콘계 수지, 은(Ag) 분말 및 백금(Pt) 촉매를 포함할 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 구성에 의하면 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.
첫째, 비정렬형 탄성 컨택터를 적용함에도 불구하고, 탄성, 통전성 및 내구성이 우수한 탄성 컨택시트를 높은 경제성으로 생산이 가능하다.
둘째, 상하부 금형을 통하여 탄성 컨택시트와 FPCB를 일체로 형성하는 소켓 바디를 제작할 수 있어 테스트 소켓의 대량 생산이 가능하다.
셋째, 상부 금형의 다수 핀을 통해 마련된 공간으로 탄성 컨택터가 도전성을 갖도록 하기 위해 최적의 조성 및 조성비를 갖는 탄성 컨택터 조성물을 주입함으로써 도전체의 수율을 개선할 수 있으며, 도전성 입자의 정렬을 위한 자기장 제어 설비 및 이를 통한 도전성 입자를 정렬시키는 공정이 불필요한 바, 높은 경제성으로 테스트 소켓을 제공할 수 있다.
도 1a, 도 1b, 및 도 1c는 본 발명의 바람직한 일구현예로서, 본 발명에 따른 테스트 소켓의 구성을 각각 나타내는 사시도, 분해 사시도, 및 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 바람직한 일구현예로서, 본 발명에 따른 테스트 소켓의 제조 금형의 구성을 각각 나타내는 분해 사시도 및 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 바람직한 일구현예로서, 본 발명에 따른 하부 금형 준비 공정의 사시도 및 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 바람직한 일구현예로서, 본 발명에 따른 강성 베이스 필름 탑재 공정의 사시도 및 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는본 발명의 바람직한 일구현예로서, 본 발명에 따른 상부 금형 준비 공정의 사시도 및 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 바람직한 일구현예로서, 본 발명에 따른 절연성 액상 실리콘 고무를 주입하는 공정의 사시도 및 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 바람직한 일구현예로서, 본 발명에 따른 상하부 금형로부터 탄성 절연시트를 제거하는 공정의 사시도 및 단면도이다.
도 8a는 본 발명에 의한 탄성 절연시트에 비정렬형 탄성 컨택터 수지을 주입하기 위한 준비 공정의 단면도이다.
도 8b는 본 발명의 바람직한 일구현예로서, 관통 홀에 비정렬형 탄성 컨택터 수지을 주입하는 공정에 대한 단면도이다.
도 8c는 기존의 탄성 컨택터 제조시, 자기장을 가하여 도전성 성분을 정렬시키는 공정에 대한 예시 단면도이다.
도 9는 본 발명의 바람직한 일구현예로서, 탄성 컨택터 도전성 파티클인 은(Ag) 파티클이 비정렬적으로 배치된 구성의 개략적인 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해 질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려 주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
본 발명의 비정렬형 탄성 컨택터는 일방향으로 연장되어 형성되어 있는 바디(body)를 가지며, 상기 바디의 일단과 타단이 탄성을 가지면서 전기적으로 연결되는 탄성 컨택터(contactor)로서, 실리콘(silicon)계 고무 수지, 도정성 분말 및 백금(Pt) 촉매를 포함하는 비정렬형 탄성 컨택터 수지로 제조할 수 있다.
상기 실리콘계 고무 수지는 당업계에서 사용하는 일반적인 실리콘계 고무를 사용할 수 있으나, 바람직하게는 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘(silicon)계 중합체 및 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 실리콘(silicon)계 중합체 중에서 선택된 1종 단독 또는 2종을 혼합하여 사용할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112015071270883-pat00003
상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R6 각각은 독립적으로 수소원자, C1 ~ C5의 알킬기 또는 C5 ~ C10의 아릴기이며, 바람직하게는 R1 내지 R6 각각은 독립적으로 C1 ~ C3의 알킬기 또는 페닐기이고, 더욱 바람직하게는 R1 내지 R6 각각은 독립적으로 C1 ~ C2의 알킬기이다. 그리고, 화학식 1의 n은 화학식 1의 중량평균분자량 90 ~ 2,000을, 바람직하게는 중량평균분자량 200 ~ 1,500을, 더욱 바람직하게는 중량평균분자량 450 ~ 1,200을 만족시키는 유리수이다.
[화학식 2]
Figure 112015071270883-pat00004
상기 화학식 2에 있어서, R1 내지 R4 각각은 독립적으로 수소원자, C1 ~ C5의 알킬기 또는 C5 ~ C10의 아릴기이며, 바람직하게는 R1 내지 R4 각각은 독립적으로 C1 ~ C3의 알킬기 또는 페닐기이고, 더욱 바람직하게는 R1 내지 R4 각각은 독립적으로 C1 ~ C2의 알킬기이다.
그리고, 화학식 2의 R5 및 R6 각각은 독립적으로 C1 ~ C5의 알킬렌기이고, 바람직하게는 R5 및 R6 각각은 독립적으로 C2 ~ C4의 알킬렌기이며, 더욱 바람직하게는 에틸렌기 또는 프로필렌기이다.
또한, 상기 화학식 2의 R7 및 R8 각각은 독립적으로 수소원자, C1 ~ C5의 알킬기 또는 C5 ~ C10의 아릴기이며, 바람직하게는 R7 및 R8 각각은 독립적으로 C1 ~ C3의 알킬기 또는 페닐기이고, 더욱 바람직하게는 R7 및 R8 각각은 독립적으로 C1 ~ C2의 알킬기이다.
그리고, 화학식 2의 x 및 y는 반복단위의 몰비를 나타내는 것으로서, x+y=1 및 0.2≤x≤0.6을 만족하는 유리수이며, 바람직하게는 x+y=1 및 0.3≤x≤0.4를 만족하는 유리수이다. 또한, 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 실리콘계 중합체는 중량평균분자량 1,500 ~ 30,000, 바람직하게는 중량평균분자량 3,500 ~ 25,000이다.
상기 비정렬형 탄성 컨택터의 조성 중 도전성 분말은 (Ag), 철, 니켈, 혹은 코발트 기타 자성을 띠는 단독 금속 또는 2종 이상의 금속을 포함할 수 있다. 그리고, 바람직하게는 은(Ag) 분말을 사용할 수 있다.
또한, 상기 은 분말은 평균입경 10㎛ ~ 50㎛, 바람직하게는 평균입경 20㎛ ~ 40㎛, 더욱 바람직하게는 평균입경 25㎛ ~ 35㎛인 것을 사용하는 것이 좋으며, 이때, 도전성 분말의 평균입경이 10㎛ 미만이면 은 분말이 사용량이 증가시켜야 하고 이로 인해 실리콘계 고무 수지에 대한 적정 사용량을 벗어나서 전기저항성이 증가하는 문제가 있을 수 있으며, 50㎛를 초과하면 은 분말의 분산력이 너무 떨어져서 도전성이 오히려 떨어지는 문제가 있을 수 있다.
그리고, 비정렬형 탄성 컨택터 조성에 있어서, 은 분말의 사용량은 상기 실리콘계 고무 수지 100 중량부에 대하여, 140 ~ 300 중량부를, 바람직하게는 200 ~ 300 중량부를, 더욱 바람직하게는 230 ~ 280 중량부를 사용하는 것이 낮은 전기저항성 확보면에서 유리하다.
또한, 상기 비정렬형 탄성 컨택터 조성은 상기 실리콘 고무 수지 및 도전성 분말, 바람직하게는 상기 은(Ag) 분말을 2.5 ~ 4.2 : 5.8 ~ 7.5 중량비로, 바람직하게는 2.5 ~ 3.0 : 7.0 ~ 7.5 중량비로, 더욱 바람직하게는 2.7 ~ 3.0 : 7.0 ~ 7.3 중량비로 사용하는 것이 낮은 전기저항성(resistance) 및 적정 탄성복원력(force) 확보면에서 유리하다.
또한, 상기 비정렬형 탄성 컨택터 조성 중 상기 백금 촉매는 경화촉진 역할을 하며, 그 사용량은 상기 실리콘계 고무 수지 100 중량부에 대하여, 2.8 ~ 4.5 중량부를, 바람직하게는 3.2 ~ 4.0 중량부를, 더욱 바람직하게는 3.2 ~ 3.7 중량부를 사용하는 것이 좋으며, 이때, 백금 촉매의 사용량이 2.8 중량부 미만이거나 4.5 중량부를 초과하여 사용하면 전기 저항값이 크게 증가하는 문제가 있다.
본 발명의 비정렬형 탄성 컨택터는 200㎛의 스트로크(stroke)로 가한 상태에서 푸쉬풀 게이지로 측정시, 탄성복원력(Force)이 30.0 ~ 34.0 gf를 갖을 수 있고, 바람직하게는 30.0 ~ 32.0 gf, 더욱 바람직하게는 31.0 ~ 32.0 gf, 더 더욱 바람직하게는 31.2 ~ 31.8 gf를 갖을 수 있다.
그리고, 상기 비정렬형 탄성 컨택터는 200㎛의 스트로크(stroke)로 가한 상태에서 전기저항 측정시, 전기저항값(Resistance)이 1Ω 이하, 바람직하게는 0.0001 ~ 0.1000Ω, 더욱 바람직하게는 0.005 ~ 0.0030 일 수 있다.
또한, 본 발명은 앞서 설명한 비정렬 탄성 컨택터를 포함하는 탄성 컨택시트에 관한 것으로서, 제1표면과 제2표면을 가지며, 상기 제1표면과 상기 제2표면 사이에 탄성을 가지는 탄성 절연시트; 상기 탄성 절연시트에 복수개로 구비되어, 상기 제1표면과 상기 제2표면을 연통하는 관통홀; 및 상기 관통홀에 각각 구비된 상기 비정렬 탄성 컨택터;를 포함한다.
상기 탄성 절연시트는 절연성 실리콘 고무로 구성되며, 당업계에서 사용하는 통상 전기 절연성을 가지며, 가교 구조를 갖는 내열성의 고분자 물질을 사용할 수도 있다. 소정의 탄성을 가지는 물질이라면 실리콘 고무에 제한되는 것은 아니며, 가령, 경화성의 고분자 물질로서 폴리부타디엔 고무, 우레탄 고무, 천연 고무, 폴리이소플렌 고무 기타 탄성 고무를 포함할 수 있는 것이다.
그리고, 상기 탄성 컨택시트의 제1표면에 상기 복수개의 관통홀에 각각 대응하는 복수개의 패드가 형성된 FPCB 필름이 부착되어 있을 수 있으며, 또한, FPCB 필름에는 상기 패드 사이에 다수의 FPCB 체결홈이 형성되어 있고, 탄성 절연시트의 일부가 상기 FPCB 체결홈에 삽입되어 체결력을 강화할 수 있다.
또한, 상기 탄성 절연시트의 외측에는 상기 탄성 절연시트를 장력 결합하는 강성 베이스(base)가 더 형성되어 있을 수 있다. 그리고, 상기 강성 베이스에는 다수의 체결홈이 형성되며, 상기 탄성 절연시트를 구성하는 성분의 일부가 상기 체결홈에 삽입되어 체결력을 강화할 수 있다.
상기 탄성 컨택시트의 제조방법에 대하여 설명하면, 절연성 액상 실리콘 고무로 구성되고, 복수개의 관통홀이 구비된 탄성 절연시트를 성형하는 단계; 상기 복수개의 관통홀에 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 중합체 및 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 실리콘계 중합체 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 실리콘계 고무 수지, 은(Ag) 분말 및 백금(Pt) 촉매를 포함하는 비정렬형 탄성 컨택터 수지를 주입하는 단계; 및 상기 비정렬형 탄성 컨택터 수지를 경화시켜서 비정렬 탄성 컨택터를 형성하는 단계;를 포함하는 공정을 수행하여, 탄성 컨택시트를 제조할 수 있다.
그리고, 상기 탄성 컨택시트의 제1측에 FPCB 필름을 구비하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
또한, 탄성 컨택시트 주변에 강성 베이스를 부착하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 비정렬형 탄성 컨택터 수지는 앞서 설명한 비정렬형 탄성 컨택터의 조성과 실질적으로 동일하며, 상기 비정렬형 탄성 컨택터 수지는 상기 실리콘계 고무 수지 100 중량부에 대하여, 은(Ag) 분말 140 ~ 300 중량부 및 백금 촉매 2.8 ~ 4.5 중량부를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 비정렬형 탄성 컨택터 수지는 상기 실리콘계 고무 수지 및 은 분말을 2.5 ~ 3.0 : 7.0 ~ 7.5 중량비로 포함할 수 있다.
상기 강성 베이스는 SUS 베이스일 수 있으며, 바람직하게는 SUS 베이스 필름일 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 구현예로서, 상기 탄성 컨택시트를 적용한 테스트 소켓 및 이의 제조방법을 통해서 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
도면에는 도시되어 있지 않지만, 테스트 소켓(아래 도 1 참조)은 일측에 검사 대상인 반도체 기기가 연결되고, 타측에는 검사 장치인 테스트 기기가 연결됨으로써 반도체 기기와 테스트 기기 사이에서 양자를 전기적으로 연결시켜 준다. 가령, 테스트 소켓의 도전체는 반도체 기기에 구비되는 단자와 테스트 기기의 단자를 상호 연결하여 반도체 기기를 전기적으로 테스트할 수 있다. 여기서, 반도체 기기의 단자는 볼(ball)이 다수 형성되는 BGA(ball grid array) 형태의 단자가 사용될 수 있다.
도 1a, 도 1b, 및 도 1c에는 본 발명에 의한 테스트 소켓의 구성이 사시도, 분해 사시도, 및 단면도로 각각 도시되어 있다.
도 1a 내지 도 1c를 참조하면, 테스트 소켓(100)은, 반도체 기기(도시되지 않음)와 테스트 기기(도시되지 않음) 사이에 배치되고, 복수개의 관통 홀(102)이 구비되는 탄성 절연시트(B), 및 상기 관통 홀(102)에 비정렬형 탄성 컨택터 수지가 충진됨으로써, 반도체 기기와 테스트 기기를 전기적으로 상호 연결하는 비정렬형 탄성 컨택터(130)를 포함할 수 있다.
소켓 바디(B)는, 탄성 컨택터(130)가 인서트 되는 탄성 절연시트(또는 절연 실리콘 고무, 110), 및 탄성 컨택터(130)와 전기적으로 연결되는 회로 패턴이 구리(Cu) 기타 금속 박막으로 형성되고, 탄성 절연시트(110)가 일측에 일체로 결합되는 FPCB 필름(120)을 포함할 수 있다.
소켓 바디(B) 외측에는 강성 베이스 필름(140)이 더 형성될 수 있다. 강성 베이스 필름(140)은 외부 전자파를 차단하는 기능을 수행할 수 있다. 따라서, 상기 강성 베이스 필름은 전자파 차단에 효과적인 SUS(Steel use stainless) 재질로 형성시킬 수 있다.
FPCB 필름(120)은 스크린 인쇄나 혹은 포토 리소그라피 공정을 이용하여 회로 패턴을 설계하기 용이하기 때문에, 작업성이 뛰어나고, 내구성, 및 내약품성이 강하며, 열에 강한 점에서 소켓 바디(B)에 사용하기 매우 적합하다.
도 2a 및 도 2b에는 본 발명에 의한 테스트 소켓 제조에 사용되는 제조 금형의 구성이 분해 사시도 및 측단면도로 도시되어 있다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명의 테스트 소켓 제조에 사용되는 제조 금형(200)은, 하부 금형(210), 및 상부 금형(220)으로 구성될 수 있다.
하부 금형(210)은, 제1레벨(L1)에 FPCB 필름 안착홈(212)이 형성될 수 있고, 제1레벨(L1)보다 높은 제2레벨(L2)에 탄성 절연시트 안착홈(214)이 형성될 수 있다. 탄성 절연시트 안착홈(214) 외측으로 제2레벨(L2)보다 높거나 혹은 같은 제3레벨(L3)에 강성 베이스 필름 안착홈(216)이 더 형성될 수 있다. FPCB 필름 안착홈(212)과 강성 베이스 필름 안착홈(216)은 상호 오버랩 되지 않는다.
상부 금형(220)은, 탄성 절연시트 안착홈(214)을 상하 방향으로 관통하는 다수 핀(222)이 저면으로부터 연장되며, 상부 금형(220)의 중앙 일측에는 액상 실리콘 고무를 주입하는 주입구(224)가 구비될 수 있다.
도 3a 내지 도 8b에는 본 발명에 의한 테스트 소켓의 제조 공정이 사시도 및 단면도로 각각 도시되어 있다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 하부 금형(210)을 준비한다.
하부 금형(210)의 상면에는 연성회로기판(FPCB)이 형성되는 필름(120)이 안착되는 FPCB 필름 안착홈(212) 및 탄성 절연시트를 구성하는 절연성 실리콘 고무가 형성되는 탄성 절연시트 안착홈(214)이 그리고 강성 베이스 필름(140)이 안착되는 강성 베이스 필름 안착홈(216)이 상하로 형성될 수 있다.
계속해서, 하부 금형 상면에 FPCB 필름(120)을 탑재한다.
하부 금형 저면에는 FPCB 필름 안착홈(212)이 구비되어 여기에 FPCB 필름(120)이 위치한다. 한편, FPCB 필름(120) 일면에는 회로 패턴이 형성되고, 회로 패턴이 외부와 전기적으로 연결되는 본딩 패드가 형성될 수 있다.
한편, FPCB 필름(120)에는 본딩 패드 사이에 FPCB 체결홈(124)이 형성되고, 여기에 주입 공정 시 탄성 절연시트를 구성하는 절연성 실리콘 고무가 결합되어 체결력을 강화한다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 하부 금형(210) 상에 강성 베이스 필름(140)을 탑재한다. 강성 베이스 필름(140)에는 다수의 체결홈(144)이 형성됨으로써, 후술하는 탄성 절연시트를 구성하는 절연성 실리콘 고무의 일부가 삽입되어 체결력을 강화한다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상부 금형(220)을 준비한다.
상부 금형(220)의 저면에는 다수의 핀(222)이 형성된다. 다수의 핀(222)은 후술하는 비정렬형 탄성 컨택터 수지의 주입 공정을 통하여, 비정렬형 탄성 컨택터 수지가 금형 내로 투입될 때, 도전부, 즉, 비정렬형 탄성 컨택터가 형성될 수 있는 스페이스를 제공한다. 스페이스는 비정렬형 탄성 컨택터 수지가 충진되는 관통 홀 기능을 수행한다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 하부 금형(210)과 상부 금형(220)을 조립하고, 상하 정렬하며, 상하부 금형(210, 220) 사이에 절연성 액상 실리콘 고무를 주입한다.
상하부 금형(210, 220) 사이에는 에어 라인(도시되지 않음)이 더 구비될 수 있다. 에어 라인은 절연성 액상 실리콘 고무 주입 시 내부를 진공 상태로 만들어 실리콘 고무의 주입을 용이하게 할 수 있다. 또한 에어 라인은 상하부 금형(210, 220)을 분리할 때, 에어를 투입하여 상하부 금형의 분리를 도와줄 수 있다.
상기 절연성 액상 실리콘 고무는 가교 구조를 갖는 내열성의 고분자 물질을 포함할 수 있다. 소정의 탄성을 가지는 물질이라면 실리콘 고무에 제한되는 것은 아니다. 가령, 경화성의 고분자 물질로서 폴리부타디엔 고무, 우레탄 고무, 천연 고무, 폴리이소플렌 고무 기타 탄성 고무를 포함할 수 있다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 탄성 절연시트(B)를 상하부 금형(210, 220)으로부터 분리하며, 절연 실리콘 고무(110) 사이에는 관통 홀(102)이 다수 형성된 것을 알 수 있다.
도 8a를 참조하면, 탄성 절연시트(B)의 관통 홀(102)에 비정렬형 탄성 컨택터 수지를 주입하기 위한 준비 공정을 실시한다.
도 8b를 참조하면, 소정 압력을 이용하여 비정렬형 탄성 컨택터 수지를 관통 홀(102)로 주입하며, 비정렬형 탄성 컨택터 수지의 조성 및 조성비는 앞서 설명한 바와 동일하다. 한편, 비정렬형 탄성 컨택터 수지가 관통 홀(102)의 상단까지 채워질 수 있도록 출구 측에는 비정렬형 탄성 컨택터 수지를 흡입하는 배출로(도면부호 생략)가 형성될 수 있다.
기존에는 도 8c에 개략도로 나타낸 바와 같이, 고무 내에 분산된 도전성 파티클을 소켓 바디(B)의 상하 방향으로 배향 및 일정 방향으로 정렬시키기 위해 상하에 자기장을 형성시키는 공정을 수행하였으며, 본 발명의 상기 비정렬형 탄성 컨텍터 수지로 형성된 비정렬형 탄성 컨택터(도 9 참조)는 앞서 설명한 바와 같이 이러한 자기장을 형성시키는 공정을 통해 도전성 분말, 바람직하게는 은 분말을 정렬시키지 않더라도, 우수한 전기적 특성을 갖을 수 있는 바, 경제성이 우수한 테스트 소켓을 제공할 수 있는 것이다.
다시 도 1c를 참조하면, 비정렬형 탄성 컨택터 수지의 경화를 통하여 탄성 절연시트의 관통 홀 내에 비정렬형 탄성 컨택터를 형성시켜서 탄성 컨택시트(또는 절연성 바디 소켓)(B)을 완성한다. 이때 경화 공정과 동시에 혹은 경화 공정 전에 비정렬형 탄성 컨택터에 상하 압력을 가하여 도전성 분말, 바람직하게는 은(Ag) 분말 간의 간격을 저감시킬 수 있다.
본 발명의 테스트 소켓(100)을 반도체 기기와 테스트 기기 사이에 배치하고 반도체 기기의 전기적 특성을 검사할 수 있다.
예컨대, 테스트 기기 상에 테스트 소켓(100)을 위치시키고, 테스트 소켓(100) 상에 반도체 기기를 위치시킨 상태에서, 이를 수직으로 가압함으로써, 반도체 기기의 리드 단자와 테스트 기기의 테스트 단자가 테스트 소켓의 도전 실리콘 고무를 통해서 상호 통전된다.
이로써, 반도체 기기의 리드 단자와 테스트 기기의 테스트 단자 사이의 전기적 흐름을 형성하여 반도체 기기의 전기적 특성을 검사할 수 있다. 이때 도전 실리콘 고무는 탄성을 제공하여 기기의 손상을 최소화하고 파티클을 통하여 전도성을 제공하여 검사 효율을 개선하게 된다.
이하에서는 본 발명을 실시예에 의거하여 설명을 한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로서, 실시예에 의해 본 발명의 권리범위를 한정하여 해석해서는 안된다.
[실시예]
실시예 1 : 비정렬형 탄성 컨택터 수지의 제조
하기 화학식 1-1로 표시되는 실리콘계 중합체를 포함하는 실리콘계 고무 수지(경도 30도), 평균입경 30㎛ ~ 32㎛인 은(Ag) 분말 및 백금 촉매를 혼합 및 교반하여 하기 표 1과 같은 조성비를 갖는 비정렬형 탄성 컨택터 수지를 제조하였다.
[화학식 1-1]
Figure 112015071270883-pat00005
화학식 1-1에 있어서, R1 내지 R6은 모두 C1의 알킬기이며, n은 실리콘계 중합체의 중량평균분자량 900 ~ 1,200을 만족시키는 유리수이다.
실시예 2 ~ 실시예 4 및 비교예 1 ~ 비교예 16
상기 실시예 1과 동일한 실리콘계 고무 수지, 은 분말 및 백금 촉매를 사용하여 하기 표 1과 같은 조성을 갖는 비정렬형 탄성 컨택터 수지를 각각 제조하여
실시예 2 ~ 실시예 4 및 비교예 1 ~ 비교예 16를 각각 실시하였다.
구분
(중량부)		 실리콘계
고무 수지		 은 분말 백금촉매 실리콘계
고무 수지 및 은 분말 중량비
비교예 1 100 150 1 4 : 6
비교예 2 100 233.3 1 3 : 7
비교예 3 100 270.4 1 2.7 : 7.3
비교예 4 100 244.9 1 2.9 : 7.1
비교예 5 100 150 1.5 4 : 6
비교예 6 100 233.3 1.5 3 : 7
비교예 7 100 270.4 1.5 2.7 : 7.3
비교예 8 100 244.9 1.5 2.9 : 7.1
비교예 9 100 150 2 4 : 6
비교예 10 100 233.3 2 3 : 7
비교예 11 100 270.4 2 2.7 : 7.3
비교예 12 100 244.9 2 2.9 : 7.1
실시예 1 100 150 3.5 4 : 6
실시예 2 100 233.3 3.5 3 : 7
실시예 3 100 270.4 3.5 2.7 : 7.3
실시예 4 100 244.9 3.5 2.9 : 7.1
비교예 13 100 150 5.0 4 : 6
비교예 14 100 233.3 5.0 3 : 7
비교예 15 100 270.4 5.0 2.7 : 7.3
비교예 16 100 244.9 5.0 2.9 : 7.1
비교예 17 ~ 비교예 25
실시예 1에서 사용한 실리콘계 고무 수지, 평균입경 35 ~ 40㎛인 니켈 분말, 카본나노튜브(CNT) 분산액(KH chemicals사 제품) 및 CNT 파우더(카본나노텍사의 CNT Regular)를 하기 표 2와 같은 조성으로 혼합하여 탄성 컨택터 조성물을 제조하여, 비교예 17 ~ 비교예 25를 각각 실시하였다.
구분
(중량부)		 실리콘계
고무 수지		 니켈 분말 CNT 분산액 CNT 파우더
비교예 17 100 250 25 2.5
비교예 18 100 250 25 12.5
비교예 19 100 250 25 25
비교예 20 100 250 2.5 -
비교예 21 100 250 12.5 -
비교예 22 100 250 25 -
비교예 23 100 250 50 -
비교예 24 100 250 125 -
비교예 25 100 250 250 -
제조예 1 ~ 제조예 4 및 비교제조예 1 ~ 비교제조예 25
상기 실시예 1 ~ 4 및 비교예 1 ~ 25에서 제조한 조성물 각각을 도 9의 참조부호 130과 같은 형태의 비정렬형 탄성 컨택터 각각을 제조하였다.
실험예 1 : 비정렬형 탄성 컨택터의 물성측정
제조예 1 ~ 4 및 비교제조예 1 ~ 25에서 제조한 비정렬형 탄성 컨택터의 탄성복원력(force) 및 전기저항값(resistance)를 각각 측정하였고, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
이때, 탄성 복원력은 900㎛의 테스트 소켓을 200㎛의 스트로크(stroke)로 가한 상태에서 푸쉬풀 게이지로 측정하였으며, 전기저항 역시 900㎛의 테스트 소켓을 200㎛의 스트로크(stroke)로 가한 상태에서 측정하였다.
구분
(중량부)		 스트로크
(stroke, ㎛)		 탄성복원력
(force, gf)		 전기저항값
(resistance, Ω)
비교제조예 1 200 32.5 11108
비교제조예 2 200 35.6 7286
비교제조예 3 200 32.8 4214
비교제조예 4 200 30.5 3321
비교제조예 5 200 38.8 12193
비교제조예 6 200 33.2 8163
비교제조예 7 200 32.4 3269
비교제조예 8 200 31.6 3269
비교제조예 9 200 31.8 7303
비교제조예 10 200 32.1 1131
비교제조예 11 200 33.2 1425
비교제조예 12 200 36.5 1126
제조예 1 200 31.2 0.39 ~ 0.78
제조예 2 200 31.8 0.053 ~ 0.027
제조예 3 200 31.4 0.006 ~ 0.011
제조예 4 200 31.3 0.022 ~ 0.011
비교제조예 13 200 37.5 2112
비교제조예 14 200 36.7 2005
비교제조예 15 200 35.1 1989
비교제조예 16 200 35.8 1772
비교제조예 17 200 23.5 108
비교제조예 18 200 25.6 86
비교제조예 19 200 28.5 214
비교제조예 20 200 30.5 21.1
비교제조예 21 200 28.7 9.3
비교제조예 22 200 32 163
비교제조예 23 200 29.4 269
비교제조예 24 200 30 68
비교제조예 25 200 30.8 303
상기 표 3의 실험결과를 살펴보면, 제조예 1 ~ 제조예 4의 경우, 비정렬 타입의 탄성 컨택터임에도 불구하고, 전기저항값이 1Ω의 매우 낮은 전기저항값을 보였으며, 이를 통하여 매우 우수한 전기전도성을 갖는 것을 확인할 수 있었다. 그러나, 비교제조예 1 ~ 비교제조예 25의 경우, 제조예 1 ~ 4와 비교할 때, 매우 높은 전기저항값을 갖는 것을 확인할 수 있었다.
그리고, 제조예 1 ~ 제조예 4의 경우, 30.0 ~ 32.0 gf의 탄성복원력에 대한 수치를 보였으며 이를 통해서 탄성 컨택터로서, 적절한 탄성복원력을 갖는 것을 확인할 수 있었다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 비정렬형 탄성 컨택터는 우수한 전기적 특성을 갖는 것을 확인할 수 있었으며, 이를 통하여 자기장을 이용한 도전성 성분의 정렬 공정 없이 테스트 소켓을 경제적으로 제공할 수 있을 것으로 기대된다.
100: 테스트 소켓 110: 탄성 절연시트
120: FPCB 필름 130: 비정렬형 탄성 컨택터
200: 제조 금형 210: 하부 금형
212: FPCB 필름 안착홈 214: 탄성 절연시트 안착홈
216: 강성 베이스 필름 안착홈 220: 상부 금형
222: 관통 홀 224: 주입구
B: 탄성 절연시트

Claims (18)

  1. 일방향으로 연장되어 형성되어 있는 바디(body)를 가지며, 상기 바디의 일단과 타단이 탄성을 가지면서 전기적으로 연결되는 탄성 컨택터(contactor)에 있어서,
    하기 화학식 1로 표시되는 실리콘(silicon)계 중합체 및 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 실리콘(silicon)계 중합체 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 실리콘(silicon)계 고무 수지, 은(Ag) 분말 및 백금(Pt) 촉매를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정렬형 탄성 컨택터;
    [화학식 1]
    Figure 112015071270883-pat00006

    화학식 1에 있어서, R1 내지 R6 각각은 독립적으로 수소원자, C1 ~ C5의 알킬기 또는 C5 ~ C10의 아릴기이며, n은 화학식 1의 중량평균분자량 90 ~ 2,000을 만족시키는 유리수이고,
    [화학식 2]
    Figure 112015071270883-pat00007

    화학식 2에 있어서, R1 내지 R4 각각은 독립적으로 수소원자, C1 ~ C5의 알킬기 또는 C5 ~ C10의 아릴기이며, R5 및 R6 각각은 독립적으로 C1 ~ C5의 알킬렌기이고, R7 및 R8 각각은 독립적으로 수소원자, C1 ~ C5의 알킬기 또는 C5 ~ C10의 아릴기이며, x 및 y는 반복단위의 몰비를 나타내는 것으로서, x+y=1 및 0.2≤x≤0.6을 만족하는 유리수이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 내지 R6 각각은 독립적으로 C1 ~ C3의 알킬기 또는 페닐기이고,
    상기 화학식 2의 R1 내지 R4 각각은 독립적으로 C1 ~ C3의 알킬기 또는 페닐기이며, 화학식 2의 R5 및 R6 각각은 독립적으로 C2 ~ C4의 알킬렌기이고, R7 및 R8 각각은 독립적으로 수소원자, C1 ~ C3의 알킬기 또는 페닐기인 것을 특징으로 하는 비정렬형 탄성 컨택터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 실리콘계 고무 수지 100 중량부에 대하여, 은(Ag) 분말 140 ~ 300 중량부 및 백금 촉매 2.8 ~ 4.5 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정렬형 탄성 컨택터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 실리콘계 고무 수지 100 중량부에 대하여, 은(Ag) 분말 200 ~ 300 중량부 및 백금 촉매 3.2 ~ 4.0 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정렬형 탄성 컨택터.
  5. 제3항에 있어서, 상기 실리콘계 고무 수지 및 은 분말을 2.5 ~ 3.0 : 7.0 ~ 7.5 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 비정렬형 탄성 컨택터.
  6. 제1항 내지 제5항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서, 200㎛의 스트로크(stroke)로 가한 상태에서, 전기저항값(Resistance)이 1Ω 이하이고, 탄성복원력가 30.0 ~ 34.0 gf인 것을 특징으로 하는 비정렬형 탄성 컨택터.
  7. 제6항에 있어서, 전기저항값이 0.0001 ~ 0.1000Ω이고, 탄성복원력이 30.0 ~ 32.0 gf인 것을 특징으로 하는 비정렬형 탄성 컨택터.
  8. 제1표면과 제2표면을 가지며, 상기 제1표면과 상기 제2표면 사이에 탄성을 가지는 탄성 절연시트;
    상기 탄성 절연시트에 복수개로 구비되어, 상기 제1표면과 상기 제2표면을 연통하는 관통홀; 및
    상기 관통홀에 각각 구비된 제6항의 비정렬 탄성 컨택터;를 포함하는 탄성 컨택시트.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1표면에 상기 복수개의 관통홀에 각각 대응하는 복수개의 패드가 형성된 FPCB 필름이 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 컨택시트.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 FPCB 필름에는 상기 패드 사이에 다수의 FPCB 체결홈이 형성되어 있고, 탄성 절연층의 일부가 상기 FPCB 체결홈에 삽입되어 체결력을 강화하는 것을 특징으로 하는 탄성 컨택시트.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 탄성 절연시트의 외측에는 상기 탄성 절연시트를 장력 결합하는 강성 베이스(base)가 더 형성되어 있고,
    상기 강성 베이스에는 다수의 체결홈이 형성되며, 상기 탄성 절연시트의 일부가 상기 체결홈에 삽입되어 체결력을 강화하는 것을 특징으로 하는 탄성 컨택시트.
  12. 절연성 액상 실리콘 고무로 복수개의 관통홀이 구비된 탄성 절연시트를 성형하는 단계;
    상기 복수개의 관통홀에 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘(silicon)계 중합체 및 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 실리콘(silicon)계 중합체 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 실리콘(silicon)계 고무 수지, 은(Ag) 분말 및 백금(Pt) 촉매를 포함하는 비정렬형 탄성 컨택터 수지를 주입하는 단계; 및
    상기 비정렬형 탄성 컨택터 수지를 경화시켜서 비정렬 탄성 컨택터를 형성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 컨택시트의 제조방법:
    [화학식 1]
    Figure 112015071270883-pat00008

    화학식 1에 있어서, R1 내지 R6 각각은 독립적으로 수소원자, C1 ~ C5의 알킬기 또는 C5 ~ C10의 아릴기이며, n은 화학식 1의 중량평균분자량 90 ~ 2,000을 만족시키는 유리수이고,
    [화학식 2]
    Figure 112015071270883-pat00009

    화학식 2에 있어서, R1 내지 R4 각각은 독립적으로 수소원자, C1 ~ C5의 알킬기 또는 C5 ~ C10의 아릴기이며, R5 및 R6 각각은 독립적으로 C1 ~ C5의 알킬렌기이고, R7 및 R8 각각은 독립적으로 수소원자, C1 ~ C5의 알킬기 또는 C5 ~ C10의 아릴기이며, x 및 y는 반복단위의 몰비를 나타내는 것으로서, x+y=1 및 0.2≤x≤0.6을 만족하는 유리수이다.
  13. 제12항에 있어서, 상기 탄성 컨택시트의 제1측에 FPCB 필름을 구비하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 컨택시트의 제조방법.
  14. 제12항에 있어서, 탄성 컨택시트 주변에 강성 베이스를 부착하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 컨택시트의 제조방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 실리콘계 고무 수지 100 중량부에 대하여, 은(Ag) 분말 140 ~ 300 중량부 및 백금 촉매 2.8 ~ 4.5 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 컨택시트의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 실리콘계 고무 수지 및 은 분말을 2.5 ~ 3.0 : 7.0 ~ 7.5 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 컨택시트의 제조방법.
  17. 반도체 기기의 리드 단자와 테스트 기기의 테스트 단자를 전기적으로 연결하는 테스트 소켓에 있어서,
    상기 반도체 기기와 상기 테스트 기기 사이에 배치되고, 복수개의 관통 홀이 구비되는 탄성 절연시트를 포함하며,
    상기 관통 홀은 상기 리드 단자와 상기 테스트 단자가 통전되도록 하는 제6항의 비정렬형 탄성 컨택터를 포함하고,
    상기 리드 단자는 본딩 패드를 통해 상기 비정렬형 탄성 컨택터와 접촉하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  18. 제17항에 있어서, 900㎛의 테스트 소켓을 200㎛의 스트로크(stroke)로 가할 때, 상기 비정렬형 탄성 컨택터는 전기저항값(Resistance)이 1Ω 이하이고, 탄성복원력이 30.0 ~ 34.0 gf인 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
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