KR101675851B1 - Liquid crystal display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 개구율이 증가될 수 있는 액정표시장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 액정표시장치는 서로 대향하는 제1 기판과 제2 기판; 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 충진되는 액정층; 상기 제2 기판에 마주하는 상기 제1 기판의 상면에, 서로 교차배치되어 형성되는 제1 게이트라인과 제1 데이터라인 및 상기 제1 게이트라인과 상기 제1 데이터라인이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 제1 트랜지스터를 포함하여, 복수의 제1 화소 각각의 광투과율을 제어하는 제1 트랜지스터 어레이; 및 상기 제1 트랜지스터 어레이와 중첩하고, 상기 제1 기판에 마주하는 상기 제2 기판의 배면에, 서로 교차배치되어 형성되는 제2 게이트라인과 제2 데이터라인, 상기 제2 게이트라인과 상기 제2 데이터라인이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 제2 트랜지스터를 포함하여, 일방향으로 상기 복수의 제1 화소와 교번하는 복수의 제2 화소 각각의 광투과율을 제어하는 제2 트랜지스터 어레이를 포함한다.The present invention relates to a liquid crystal display device in which an aperture ratio can be increased, and a liquid crystal display device according to the present invention includes a first substrate and a second substrate facing each other; A liquid crystal layer filled between the first substrate and the second substrate; A first gate line and a first data line formed on an upper surface of the first substrate facing the second substrate, the first gate line and the first data line intersecting with each other, and a plurality A first transistor array including a first transistor of the plurality of first pixels and controlling a light transmittance of each of the plurality of first pixels; And a second gate line and a second data line overlapping the first transistor array and formed on the back surface of the second substrate facing the first substrate so as to cross each other, And a second transistor array including a plurality of second transistors formed in a region where data lines intersect and controlling light transmittance of each of a plurality of second pixels alternating with the plurality of first pixels in one direction.

Description

액정표시장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}[0001] LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE [0002]

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히, 개구율이 증가될 수 있는 액정표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device in which an aperture ratio can be increased.

최근, 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display)분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 평판 표시장치(Flat Display Device)가 개발되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube: CRT)을 빠르게 대체하고 있다.In recent years, as the information age has come to a full-fledged information age, a display field for visually expressing electrical information signals has been rapidly developed. In response to this, various flat panel display devices having excellent performance of thinning, light weight, Flat Display Device) has been developed to replace CRT (Cathode Ray Tube).

이 같은 평판 표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 유기전계발광 표시장치(Organic Light Emitting Display: OLED), 전기영동표시장치(Electrophoretic Display: EPD, Electric Paper Display), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 전기발광표시장치(Electro luminescence Display Device: ELD) 및 전기습윤표시장치(Electro-Wetting Display: EWD) 등을 들 수 있다. 이들은 공통적으로 영상을 구현하는 평판 표시패널을 필수적인 구성요소로 하는 바, 평판 표시패널은 고유의 발광물질 또는 편광물질층을 사이에 두고 한 쌍의 기판을 대면 합착시킨 구성을 갖는다. 그 중, 액정표시장치는 평판표시장치의 대표적인 예로써, 전계를 이용하여 액정의 광 투과율을 조절함으로써 영상을 표시하는 장치이다.Specific examples of such flat panel display devices include a liquid crystal display device (LCD), an organic light emitting display (OLED), an electrophoretic display (EPD) A plasma display panel (PDP), a field emission display (FED), an electroluminescence display (ELD), and an electro-wetting display (EWD) And the like. In general, a flat panel display panel, which realizes images, is an essential component. The flat panel display panel has a structure in which a pair of substrates are bonded together with a unique light emitting material or a layer of polarizing material therebetween. Among them, a liquid crystal display device is a device for displaying an image by adjusting the light transmittance of a liquid crystal by using an electric field as a typical example of a flat panel display device.

도 1은 종래기술에 따른 액정표시장치의 단면도이다. 그리고, 도 2는 도 1에 도시된 액정표시장치에 있어서, 트랜지스터어레이의 등가회로도이고, 도 3은 도 1에 도시된 액정표시장치에 있어서, 블랙매트릭스층을 나타낸 평면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional liquid crystal display device. FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of a transistor array in the liquid crystal display device shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view showing a black matrix layer in the liquid crystal display device shown in FIG.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 액정표시장치(10)는, 서로 대향하는 하부기판(11)과 상부기판(12), 하부기판(11)과 상부기판(12) 사이에 충진되는 액정층(13, Liquid Crystal layer: LC), 하부기판(11)의 상면에 복수의 화소영역에 대응하는 액정층(13)의 광 투과율을 각각 제어하는 복수의 트랜지스터(14, Thin Film Transistor: TFT)로 이루어진 트랜지스터 어레이, 상부기판(12)의 배면에 복수의 화소영역 외곽에서의 빛샘을 방지하도록 형성되는 블랙매트릭스층(15) 및 상부기판(12)의 배면에 블랙매트릭스층(15)과 중첩하도록 형성되어, 복수의 화소영역에 대응하는 파장영역의 광을 각각 투과하는 컬러필터층(16, Color Filter layer: CF)을 포함한다. 1, a conventional liquid crystal display device 10 includes a lower substrate 11 and an upper substrate 12 opposed to each other, a liquid crystal layer 12 filled between the lower substrate 11 and the upper substrate 12, (TFT) 13 for controlling the light transmittance of the liquid crystal layer 13 corresponding to a plurality of pixel regions on the upper surface of the lower substrate 11, A black matrix layer 15 formed on the back surface of the upper substrate 12 to prevent light leakage from a plurality of pixel regions, and a black matrix layer 15 formed on the back surface of the upper substrate 12 so as to be overlapped with the black matrix layer 15 And a color filter layer (CF) 16 that transmits light in a wavelength region corresponding to a plurality of pixel regions, respectively.

여기서, 트랜지스터 어레이는, 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 화소영역이 각각 정의되도록 교차배치되는 게이트라인(GL)과 데이터라인(DL), 및 게이트라인(GL)과 데이터라인(DL)이 교차하는 영역에 각각 배치되는 복수의 트랜지스터(14)를 포함한다. 복수의 트랜지스터 각각에서, 게이트전극은 제어부(20, Controller)의 제어신호에 따라 게이트신호를 생성하는 게이트구동부(21, Gate Driver)와 게이트라인(GL)을 통해 연결되고, 소스전극은 제어부(20, Controller)의 제어신호에 따라 데이터신호를 생성하는 소스구동부(22, Source Driver)와 데이터라인(DL)을 통해 연결되며, 드레인전극은 복수의 화소에 각각 대응하는 영역(이하, "복수의 화소영역"으로 지칭함)에 형성되는 화소전극과 연결된다. 이에, 각 트랜지스터는 게이트라인(GL)을 통해 인가된 게이트신호에 대응하여 턴온-턴오프하고, 턴온하면 데이터라인(DL)을 통해 데이터신호를 받아서, 화소전극에 화소전압을 인가한다. 이와 같이, 화소전극에 화소전압이 인가되면, 화소전극과 공통전압이 인가되는 공통전극 사이에 전계가 발생되고, 화소영역의 광투과율이 조절되어, 화소가 소정 휘도를 표시하게 된다. 즉, 화소전극에 화소전압이 인가되면, 화소전극과 공통전극 사이, 즉 화소영역에 대응하는 액정층(13)의 정전용량(Liquid Crystal Capacitor: LC, 이하, "액정커패시터"로 지칭함)에 소정의 전계가 발생된다. 이러한 전계에 의해, 화소영역에 대응하는 액정층(13, LC)에 구비된 액정 셀의 셀 방향이 변동하면서, 화소영역의 광투과율이 조절되고, 이에 따라, 복수의 화소 각각의 휘도가 제어된다. 이때, 트랜지스터가 턴오프한 이후에도, 일정시간동안 액정커패시터의 전계를 유지하기 위하여, 스토리지커패시터(Storage Capacitor: Cst)가 액정커패시터(LC)와 병렬로 연결된다.2, the transistor array includes a gate line GL and a data line DL, and a gate line GL and a data line DL, which are cross- And a plurality of transistors (14) each disposed in an intersecting region. In each of the plurality of transistors, the gate electrode is connected to a gate driver (gate driver) 21, which generates a gate signal according to a control signal of the controller 20, through a gate line GL, The drain electrode is connected to a source driver 22 for generating a data signal in accordance with a control signal of a controller and a drain electrode is connected to a region corresponding to a plurality of pixels Quot; region "). Each transistor turns on and off in response to a gate signal applied through a gate line GL. When turned on, each transistor receives a data signal through a data line DL and applies a pixel voltage to the pixel electrode. When a pixel voltage is applied to the pixel electrode, an electric field is generated between the pixel electrode and the common electrode to which the common voltage is applied, and the light transmittance of the pixel region is adjusted, so that the pixel displays a predetermined luminance. That is, when a pixel voltage is applied to the pixel electrode, a voltage is applied to a liquid crystal capacitor (LC) (hereinafter referred to as a "liquid crystal capacitor") of the liquid crystal layer 13 corresponding to the pixel electrode and the common electrode, An electric field is generated. With such an electric field, the light transmittance of the pixel region is adjusted while the cell direction of the liquid crystal cell provided in the liquid crystal layer (13, LC) corresponding to the pixel region is changed, thereby controlling the brightness of each of the plurality of pixels . At this time, a storage capacitor (Cst) is connected in parallel with the liquid crystal capacitor (LC) in order to maintain the electric field of the liquid crystal capacitor for a predetermined time even after the transistor is turned off.

한편, 표시영역 상에 배치되는 게이트라인(GL)과 데이터라인(DL), 및 복수의 트랜지스터(14, TFT)는 광이 투과되는 화소영역이 아닌 화소영역의 외곽에 해당되는 영역으로, 블랙매트릭스층(15)에 의해 커버되어, 빛샘이 방지된다. 즉, 표시영역에서 블랙매트릭스층(15)에 커버되는 화소영역의 외곽영역을 뺀 나머지가 화소영역이 된다. On the other hand, the gate line GL and the data line DL and the plurality of transistors 14 (TFTs) arranged on the display region are regions corresponding to the outline of the pixel region, not the pixel region through which light is transmitted, Is covered by the layer (15), so that light leakage is prevented. That is, the remainder obtained by subtracting the outer region of the pixel region covered by the black matrix layer 15 in the display region becomes the pixel region.

일반적으로, 표시영역에서 화소영역이 차지하는 면적의 비율(이하, "개구율"로 지칭함)이 높아지면, 액정표시장치의 화질이 향상될 수 있다. 그런데, 게이트라인(GL)과 데이터라인(DL), 및 복수의 트랜지스터(14, TFT)가 하부기판(11)에 모두 형성되고, 게이트라인(GL)과 데이터라인(DL), 및 복수의 트랜지스터(14, TFT)는 안정적으로 구동될 수 있을 정도의 면적을 갖고 있다. 그러므로, 종래의 액정표시장치에서, 게이트라인(GL)과 데이터라인(DL), 및 복수의 트랜지스터(14, TFT)가 배치되는 영역에 의해, 최대개구율이 증가하는 것에 한계가 있고, 이에 따라 화질이 한계 이상으로 향상될 수 없는 문제점이 있다.Generally, if the ratio of the area occupied by the pixel area in the display area (hereinafter referred to as "aperture ratio") is increased, the image quality of the liquid crystal display device can be improved. The gate lines GL and the data lines DL and the plurality of transistors 14 are formed on the lower substrate 11 and the gate lines GL and the data lines DL, (14, TFT) has an area that can be stably driven. Therefore, in the conventional liquid crystal display device, the maximum opening ratio is limited by the region where the gate line GL, the data line DL, and the plurality of transistors 14 (TFT) are arranged, There is a problem that it can not be improved beyond this limit.

본 발명은, 표시영역에서 화소영역의 외곽에 해당하는 영역의 면적을 줄일 수 있어, 최대 개구율이 종래보다 증가될 수 있으므로, 화질이 향상될 수 있는 액정표시장치를 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of reducing the area of an area corresponding to the outline of the pixel area in the display area and increasing the maximum aperture ratio as compared with the prior art.

이와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은, 서로 대향하는 제1 기판과 제2 기판; 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 충진되는 액정층; 상기 제2 기판에 마주하는 상기 제1 기판의 상면에, 서로 교차배치되어 형성되는 제1 게이트라인과 제1 데이터라인 및 상기 제1 게이트라인과 상기 제1 데이터라인이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 제1 트랜지스터를 포함하여, 복수의 제1 화소 각각의 광투과율을 제어하는 제1 트랜지스터 어레이; 및 상기 제1 트랜지스터 어레이와 중첩하고, 상기 제1 기판에 마주하는 상기 제2 기판의 배면에, 서로 교차배치되어 형성되는 제2 게이트라인과 제2 데이터라인, 상기 제2 게이트라인과 상기 제2 데이터라인이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 제2 트랜지스터를 포함하여, 일방향으로 상기 복수의 제1 화소와 교번하는 복수의 제2 화소 각각의 광투과율을 제어하는 제2 트랜지스터 어레이를 포함하는 액정표시장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: a first substrate and a second substrate facing each other; A liquid crystal layer filled between the first substrate and the second substrate; A first gate line and a first data line formed on an upper surface of the first substrate facing the second substrate, the first gate line and the first data line intersecting with each other, and a plurality A first transistor array including a first transistor of the plurality of first pixels and controlling a light transmittance of each of the plurality of first pixels; And a second gate line and a second data line overlapping the first transistor array and formed on the back surface of the second substrate facing the first substrate so as to cross each other, And a second transistor array including a plurality of second transistors formed in a region where data lines intersect and controlling a light transmittance of each of a plurality of second pixels alternating with the plurality of first pixels in one direction, Device.

이상과 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는, 복수의 제1 화소와 복수의 제2 화소로 이루어지는 화소들로 화상을 표시하고, 하부기판에 형성되어 복수의 제1 화소 각각의 광투과율을 제어하는 제1 트랜지스터 어레이와, 상부기판에 제1 트랜지스터 어레이와 중첩되도록 형성되어 복수의 제2 화소 각각의 광투과율을 제어하는 제2 트랜지스터 어레이를 포함한다. 이에 따라, 복수의 제1 화소와 복수의 제2 화소가 제1 트랜지스터 어레이와 제2 트랜지스터 어레이에 의해 개별적으로 제어되고, 제1 트랜지스터 어레이와 제2 트랜지스터 어레이가 중첩되는 영역만큼 표시영역에서 화소영역이 차지하는 면적이 증가되어, 최대 개구율이 증가되므로, 액정표시장치의 화질이 향상될 수 있다. As described above, the liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device that displays an image by pixels composed of a plurality of first pixels and a plurality of second pixels, and controls the light transmittance of each of the plurality of first pixels And a second transistor array formed on the upper substrate so as to overlap the first transistor array and controlling a light transmittance of each of the plurality of second pixels. Accordingly, the plurality of first pixels and the plurality of second pixels are individually controlled by the first transistor array and the second transistor array, and the pixel array region and the second transistor array in the display region are controlled by the region where the first transistor array and the second transistor array overlap, And the maximum aperture ratio is increased, so that the image quality of the liquid crystal display device can be improved.

도 1은 종래기술에 따른 액정표시장치의 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 액정표시장치에 있어서, 트랜지스터어레이의 등가회로도이다.
도 3은 도 1에 도시된 액정표시장치에 있어서, 블랙매트릭스층을 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 등가회로도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 단면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 액정표시장치의 상세단면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 제1 트랜지스터 어레이 및 제2 트랜지스터 어레이와 게이트패드의 연결형태를 나타낸 모식도이다.
도 8은 도 6에 도시된 제1 트랜지스터 어레이 및 제2 트랜지스터 어레이와 데이터패드의 연결형태를 나타낸 모식도이다.
도 9는 도 7 및 도 8에 도시된 연결블록의 사시도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치의 단면도이다.
도 11은 도 4 내지 도 10에 도시된 액정표시장치에 있어서, 블랙매트릭스층을 나타낸 평면도이다.
1 is a cross-sectional view of a conventional liquid crystal display device.
Fig. 2 is an equivalent circuit diagram of a transistor array in the liquid crystal display shown in Fig. 1. Fig.
3 is a plan view showing a black matrix layer in the liquid crystal display device shown in Fig.
4 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
6 is a detailed sectional view of the liquid crystal display shown in Fig.
7 is a schematic view illustrating a connection mode of the first transistor array and the second transistor array shown in FIG. 6 and the gate pad.
8 is a schematic diagram showing a connection mode of the first transistor array and the second transistor array shown in FIG. 6 and the data pad.
Fig. 9 is a perspective view of the connection block shown in Figs. 7 and 8. Fig.
10 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.
11 is a plan view showing a black matrix layer in the liquid crystal display shown in Figs. 4 to 10. Fig.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치에 대하여, 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 4 내지 도 6를 참고하여, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치에 대해 설명한다. First, a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 6. FIG.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 등가회로도이다. 그리고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 단면도이고, 도 6은 도 5에 도시된 액정표시장치의 상세단면도이다. 4 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention. 5 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a detailed sectional view of the liquid crystal display device shown in FIG.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치(100)는, 화상을 표시될 수 있도록 각각의 휘도가 결정되는 화소(P1, P2)들을 포함하고, 전체 화소들은 제1 트랜지스터 어레이에 의해 제어되는 복수의 제1 화소(P1)와, 제2 트랜지스터 어레이에 의해 제어되는 복수의 제2 화소(P2)로 구분된다. 이때, 화상이 표시되는 표시영역 중에서, 복수의 제1 화소(P1)는 복수의 제1 화소영역에 각각 대응하고, 복수의 제2 화소(P2)는 복수의 제2 화소에 각각 대응한다. 그리고, 표시영역에서, 복수의 제1 화소(P1)와 복수의 제2 화소(P2)는 일방향 또는 서로 수직한 두 방향으로, 서로 교번하여 배치된다.4, the liquid crystal display 100 according to the embodiment of the present invention includes pixels P1 and P2 whose respective brightnesses are determined so that an image can be displayed, A plurality of first pixels P1 controlled by a transistor array, and a plurality of second pixels P2 controlled by a second transistor array. At this time, among the display areas in which an image is displayed, the plurality of first pixels P1 correspond to the plurality of first pixel areas, respectively, and the plurality of second pixels P2 correspond to the plurality of second pixels. In the display area, the plurality of first pixels P1 and the plurality of second pixels P2 are alternately arranged in one direction or two mutually perpendicular directions.

그리고, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치(100)는, 서로 대향하는 하부기판(110)과 상부기판(120), 하부기판(110)과 상부기판(120) 사이에 충진되는 액정층(130, Liquid Crystal layer: LC), 하부기판(110)을 지지하는 제1 지지기판(111), 상부기판(120)에 마주하는 제1 지지기판(111)의 상면에 형성되어 복수의 제1 화소(142, 144, 도 4의 "P1"에 해당됨) 각각의 광투과율을 제어하는 제1 트랜지스터 어레이(112), 제1 트랜지스터 어레이(112)를 포함한 제1 지지기판(111)의 상면에 형성되어 특정 파장영역의 광을 방출하는 컬러필터층(Color Filter: CF), 상부기판(120)을 지지하는 제2 지지기판(121), 하부기판(110)에 마주하는 제2 지지기판(121)의 배면에 제1 트랜지스터 어레이(112)와 중첩하도록 형성되어 제1 트랜지스터 어레이(112)가 배치되는 영역에서의 빛샘을 방지하는 블랙매트릭스층(122, black matrix layer), 블랙매트릭스층(122) 상에 형성되어 복수의 제2 화소(141, 143, 도 4의 "P2"에 해당됨) 각각의 광투과율을 제어하는 제2 트랜지스터 어레이(123)를 포함하여 이루어진다. 5 and 6, the liquid crystal display 100 according to the embodiment of the present invention includes a lower substrate 110, an upper substrate 120, a lower substrate 110, A liquid crystal layer (LC) 130 filled between the substrates 120, a first supporting substrate 111 supporting the lower substrate 110, a first supporting substrate 111 facing the upper substrate 120 A first transistor array 112 formed on the upper surface of the first transistor array 112 for controlling the light transmittance of each of the plurality of first pixels 142 and 144 (corresponding to "P1" in FIG. 4) A color filter CF formed on the upper surface of the support substrate 111 to emit light in a specific wavelength range, a second support substrate 121 supporting the upper substrate 120, The first transistor array 112 is formed so as to overlap with the first transistor array 112 on the backside of the second supporting substrate 121 facing the first transistor array 112, A black matrix layer 122 for preventing leakage is formed on the black matrix layer 122 to control the light transmittance of each of the plurality of second pixels 141 and 143 (corresponding to "P2" in FIG. 4) And a second transistor array 123 connected to the second transistor array.

그리고, 제1 트랜지스터 어레이(112)와 제2 트랜지스터 어레이(123)은 서로 중첩하도록, 하부기판(110)과 상부기판(120)에 각각 형성된다. 그리고, 블랙매트릭스층(122)은 제2 지지기판(121)과 제2 트랜지스터 어레이(123) 사이에 형성되어, 서로 중첩하도록 형성된 제1 트랜지스터 어레이(112) 및 제2 트랜지스터 어레이(123)에 대응하는 영역에서의 빛샘을 차단한다.The first transistor array 112 and the second transistor array 123 are formed on the lower substrate 110 and the upper substrate 120 so as to overlap each other. The black matrix layer 122 is formed between the second support substrate 121 and the second transistor array 123 and corresponds to the first transistor array 112 and the second transistor array 123 formed to overlap with each other And blocks the light leakage in the region where the light is emitted.

또한, 컬러필터층(CF)은 제1 지지기판(111)의 상면에 복수의 제1 화소영역(142, 144)과 복수의 제2 화소영역(141, 143)에 각각 대응하여 형성되고, 복수의 제1 화소(142, 144)와 복수의 제2 화소(141, 143)에 각각 대응하는 파장영역의 광을 각각 방출한다. 이때, 컬러필터층(CF)은 백색광에서 복수의 제1 화소(142, 144)와 복수의 제2 화소(141, 143)에 각각 대응하는 특정파장영역의 광을 투과하는 염료 또는 안료를 포함하여 이루어진다. 예를 들어, 컬러필터층(CF)은 각 화소별로, 적색(RED)의 광을 투과하는 영역(113a), 녹색(GREEN)의 광을 투과하는 영역(113b) 및 청색(BLUE)의 광을 투과하는 영역(113c)으로 구분되고, 복수의 제1 화소영역(142, 144)와 복수의 제2 화소영역(141, 143) 각각은 적색(RED, 113a), 녹색(GREEN, 113b), 청색(BLUE, 113c) 중 어느 하나의 파장영역에 대응하는 광을 방출하며, 적색(RED), 녹색(GREEN), 청색(BLUE)에 대응하는 세 개의 제1 화소 또는 제2 화소의 조합으로 백색광을 나타내는 하나의 단위화소가 정의될 수 있다. The color filter layer CF is formed on the upper surface of the first supporting substrate 111 in correspondence with the plurality of first pixel regions 142 and 144 and the plurality of second pixel regions 141 and 143, And emits light in the wavelength region corresponding to the first pixel 142 or 144 and the second pixel 141 or 143, respectively. The color filter layer CF includes a dye or a pigment that transmits light in a specific wavelength range corresponding to the plurality of first pixels 142 and 144 and the plurality of second pixels 141 and 143 in white light . For example, the color filter layer CF has a region 113a that transmits red light, a region 113b that transmits green light, and a blue light that transmits blue light, And a plurality of first pixel regions 142 and 144 and a plurality of second pixel regions 141 and 143 are divided into red (RED), green (GREEN), and green BLUE and 113c and emits light corresponding to one of the three wavelengths of red, green and blue, and represents a white light by a combination of three first pixels or second pixels corresponding to red, green and blue. One unit pixel can be defined.

도 4 및 도 5에 도시된 바에 따르면, 복수의 제1 화소(P1)의 광투과율을 각각 제어하는 제1 트랜지스터 어레이(112)는, 제1 지지기판(111)의 상면에 서로 교차배치되어 형성되는 제1 게이트라인(GL1)과 제1 데이터라인(DL), 및 제1 게이트라인(GL1)과 제1 데이터라인(DL)이 교차하는 영역에 형성되어, 제1 게이트라인(GL1)과 제1 데이터라인(DL)에 각각 게이트전극과 소스전극이 연결되는 복수의 제1 트랜지스터(1121, 1122)를 포함하여 이루어진다. 그리고, 복수의 제2 화소(P2)의 광투과율을 각각 제어하는 제2 트랜지스터 어레이(123)는 제2 지지기판(121)의 배면에 서로 교차배치되어 형성되는 제2 게이트라인(GL2)과 제2 데이터라인(DL), 및 제2 게이트라인(GL2)과 제2 데이터라인(DL)이 교차하는 영역에 형성되어, 제2 게이트라인(GL2)과 제2 데이터라인(DL)에 각각 게이트전극과 소스전극이 연결되는 복수의 제2 트랜지스터(1231, 1232)를 포함하여 이루어진다. 4 and 5, the first transistor array 112, which controls the light transmittance of each of the plurality of first pixels P1, is formed on the upper surface of the first supporting substrate 111 so as to be cross- The first data line DL and the first gate line GL1 intersect with the first data line DL to form the first gate line GL1 and the first data line DL, And a plurality of first transistors 1121 and 1122 each having a gate electrode and a source electrode connected to one data line DL. The second transistor array 123 for controlling the light transmittance of each of the plurality of second pixels P2 includes a second gate line GL2 formed on the back surface of the second support substrate 121 so as to cross each other, The data line DL is formed in the second gate line GL2 and the gate line GL2 is formed in the second gate line GL2 in the region where the second gate line GL2 and the second data line DL intersect. And a plurality of second transistors 1231 and 1232 to which a source electrode is connected.

구체적으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 트랜지스터(1121, 1122) 각각은, 제1 지지기판(111)의 상면에 제1 게이트라인(미도시, 도 4에서 GL1에 해당됨)과 연결되어 형성되는 게이트전극(GX), 제1 게이트라인(미도시)과 게이트전극(GX)을 포함한 제1 지지기판(111)의 상면 전면에 형성되는 게이트절연층(GI), 게이트절연층(GI) 상에 게이트전극(GX)과 중첩되도록 형성되는 반도체층(Active), 반도체층(Active) 상에 게이트전극(GX)의 양측에 각각 중첩되고, 서로 이격되어 그 사이에 채널을 형성하는 소스전극(S)과 드레인전극(D)을 포함한다. 여기서, 복수의 제1 트랜지스터(1121, 1122) 각각의 소스전극(S)은 제1 데이터라인(미도시, 도 4에서 DL에 해당됨)와 연결된다. 6, each of the plurality of first transistors 1121 and 1122 includes a first gate line (not shown in FIG. 4, corresponding to GL1) and a second gate line A gate insulating layer GI formed on the entire upper surface of the first supporting substrate 111 including a first gate line GX and a gate electrode GX, A semiconductor layer which is formed on the semiconductor layer to overlap with the gate electrode GX on the gate electrode GI and a source which overlaps on both sides of the gate electrode GX on the semiconductor layer Active and which are spaced from each other to form a channel therebetween, And includes an electrode (S) and a drain electrode (D). Here, the source electrode S of each of the plurality of first transistors 1121 and 1122 is connected to a first data line (not shown in FIG. 4, corresponding to DL).

또한, 하부기판(110)은, 제1 트랜지스터 어레이(112)가 전기적으로 안정되도록 커버하기 위하여, 제1 트랜지스터 어레이(112)와 컬러필터층(CF) 사이에 형성되는 제1 보호층(Passi1), 컬러필터층(CF)을 포함한 제1 보호층(Passi1) 상의 전면에 평평하게 형성되는 오버코트층(OC), 제1 트랜지스터(1121, 1122)의 드레인전극(D)의 일부 영역에 각각 대응하여 제1 보호층(Passi1)과 오버코트층(OC)에 형성되는 콘택홀(CH), 오버코트층(OC) 상의 복수의 제1 화소영역(142, 144)에 각각 형성되고, 콘택홀(CH)을 통해 복수의 제1 트랜지스터(1121, 1122)의 드레인전극(D)과 각각 연결되는 복수의 제1 화소전극(PX), 및 오버코트층(OC) 상의 복수의 제1 화소영역(142, 144)에, 복수의 제1 화소전극(PX)과 교번하도록 각각 형성되는 복수의 제1 공통전극(CX)을 더 포함하여 이루어진다. 여기서, 복수의 제1 트랜지스터(1121, 1122) 각각의 턴온여부에 따라, 복수의 제1 화소전극(PX)에 복수의 제1 화소(142, 144)에 각각 대응하는 화소전압이 인가되고, 복수의 제1 공통전극(CX)에 전체 화소(P1, P2)에 대응하는 공통전압이 인가된다. 그리고, 제1 보호층(Passi1)은 복수의 제1 트랜지스터(1121, 1122) 각각의 소스전극과 드레인전극(S, D) 및 반도체층(Active)을 포함한 게이트절연층(GI) 상의 전면에 형성된다. The lower substrate 110 includes a first passivation layer Passi1 formed between the first transistor array 112 and the color filter layer CF to cover the first transistor array 112 to be electrically stable, The overcoat layer OC is formed on the entire surface of the first passivation layer Passi1 including the color filter layer CF and the overcoat layer OC is formed on the entire surface of the first passivation layer Passi1 including the color filter layer CF, Are formed in the plurality of first pixel regions 142 and 144 on the contact hole CH and the overcoat layer OC formed in the passivation layer Passi1 and the overcoat layer OC, A plurality of first pixel electrodes PX connected to the drain electrodes D of the first transistors 1121 and 1122 and a plurality of first pixel regions 142 and 144 on the overcoat layer OC And a plurality of first common electrodes CX formed so as to alternate with the first pixel electrodes PX of the first pixel electrodes PX. The pixel voltage corresponding to each of the plurality of first pixels 142 and 144 is applied to the plurality of first pixel electrodes PX in accordance with whether each of the plurality of first transistors 1121 and 1122 is turned on, A common voltage corresponding to all of the pixels P1 and P2 is applied to the first common electrode CX of the pixel PX. The first passivation layer Passi1 is formed on the entire surface of the gate insulating layer GI including the source and drain electrodes S and D and the semiconductor layer Active of each of the plurality of first transistors 1121 and 1122 do.

이에 따라, 복수의 제1 화소(142, 144)는, 제1 트랜지스터(1121, 1122)가 제1 게이트라인(GL1)의 게이트신호에 대응하여 턴온하면, 제1 데이터라인(DL)의 데이터신호에 대응하여 제1 화소전극(PX)에 화소전압이 인가되어, 액정층(130) 아래의 제1 화소전극(PX)과 제1 공통전극(CX) 사이에서 발생된 소정의 전계에 의해, 제1 화소영역(142, 144)에 대응하는 액정층(130)의 액정 셀의 방향이 변동하면서 광투과율이 조절됨으로써, 제1 트랜지스터 어레이(112)에 의해 제어된 휘도를 표시한다.Accordingly, when the first transistors 1121 and 1122 turn on in response to the gate signal of the first gate line GL1, the plurality of first pixels 142 and 144 turn on the data signal of the first data line DL A pixel voltage is applied to the first pixel electrode PX corresponding to the first pixel electrode PX and a predetermined electric field generated between the first pixel electrode PX and the first common electrode CX under the liquid crystal layer 130, The light transmittance is adjusted while the direction of the liquid crystal cell of the liquid crystal layer 130 corresponding to one pixel region 142 or 144 is varied to display the luminance controlled by the first transistor array 112.

제1 트랜지스터 어레이(112)와 마찬가지로, 제2 트랜지스터 어레이(123)에 포함되는 복수의 제2 트랜지스터(1231, 1232) 각각은, 제2 지지기판(121)의 상면에 제2 게이트라인(미도시, 도 4에서 GL2에 해당됨)과 연결되어 형성되는 게이트전극(GX), 제2 게이트라인(미도시)과 게이트전극(GX)을 포함한 제2 지지기판(121)의 상면 전면에 형성되는 게이트절연층(GI), 게이트절연층(GI) 상에 게이트전극(GX)과 중첩되도록 형성되는 반도체층(Active), 반도체층(Active) 상에 게이트전극(GX)의 양측에 각각 중첩되고, 서로 이격되어 그 사이에 채널을 형성하는 소스전극(S)과 드레인전극(D)을 포함한다. 여기서, 복수의 제2 트랜지스터(1231, 1232) 각각의 소스전극(S)은 제2 데이터라인(미도시, 도 4에서 DL에 해당됨)와 연결된다. Each of the plurality of second transistors 1231 and 1232 included in the second transistor array 123 is connected to a second gate line (not shown) on the upper surface of the second supporting substrate 121, A gate electrode GX formed on the upper surface of the second supporting substrate 121 including a second gate line (not shown) and a gate electrode GX, A semiconductor layer Active formed so as to overlap with the gate electrode GX on the gate insulating layer GI and the semiconductor layer Active formed on both sides of the gate electrode GX on the semiconductor layer Active, And includes a source electrode S and a drain electrode D which form a channel therebetween. Here, the source electrode S of each of the plurality of second transistors 1231 and 1232 is connected to a second data line (not shown in FIG. 4, corresponding to DL).

또한, 상부기판(120)은, 제2 트랜지스터 어레이(123)가 전기적으로 안정되도록 커버하기 위하여, 제2 트랜지스터 어레이(123)를 포함한 제2 지지기판(121)의 전면에 형성되는 제2 보호층(Passi2), 제2 보호층(Passi2) 상의 복수의 제2 화소영역(141, 143) 각각에 형성되고, 복수의 제2 트랜지스터(1231, 1232)의 드레인전극(D)과 각각 연결되는 복수의 제2 화소전극(PX) 및 제2 보호층(Passi2) 상의 복수의 제2 화소영역(141, 143) 각각에, 복수의 제2 화소전극(PX)과 교번하도록 형성되는 복수의 제2 공통전극(CX)을 더 포함하여 이루어진다. 여기서, 복수의 제2 트랜지스터(1231, 1232) 각각의 턴온여부에 따라, 복수의 제2 화소전극(PX)에 복수의 제2 화소(141, 143)에 각각 대응하는 화소전압이 인가되고, 복수의 제2 공통전극(CX)에 전체 화소에 대응하는 공통전압이 인가된다. 그리고, 제2 보호층(Passi2)은 복수의 제2 트랜지스터(1231, 1232) 각각의 소스전극과 드레인전극(S, D) 및 반도체층(Active)을 포함한 게이트절연층(GI) 상의 전면에 형성된다.The upper substrate 120 may include a second protection layer 121 formed on the front surface of the second supporting substrate 121 including the second transistor array 123 to cover the second transistor array 123 to be electrically stable, (D) of the plurality of second transistors 1231 and 1232, each of which is formed in each of the plurality of second pixel regions 141 and 143 on the second passivation layer (Passi2) and the second passivation layer (Passi2) The second pixel electrodes PX and the plurality of second common electrodes PX are formed in the second pixel regions 141 and 143 on the second pixel electrode PX and the second passivation layer Passi2, (CX). Here, the pixel voltages corresponding to the plurality of second pixels 141 and 143 are applied to the plurality of second pixel electrodes PX depending on whether the plurality of second transistors 1231 and 1232 are turned on, respectively, A common voltage corresponding to all of the pixels is applied to the second common electrode CX of the pixel TFT. The second passivation layer Passi2 is formed on the entire surface of the gate insulating layer GI including the source electrode, the drain electrode S and the semiconductor layer Active of each of the plurality of second transistors 1231 and 1232, do.

이에 따라, 복수의 제2 화소(141, 143)는, 제2 트랜지스터(1231, 1232)가 제2 게이트라인(GL2)의 게이트신호에 대응하여 턴온하면, 제2 데이터라인(DL)의 데이터신호에 대응하여 제2 화소전극(PX)에 화소전압이 인가되어, 액정층(130) 상부의 제2 화소전극(PX)과 제2 공통전극(CX) 사이에서 발생된 소정의 전계에 의해, 제2 화소영역(141, 143)에 대응하는 액정층(130)의 액정 셀의 방향이 변동하면서 광투과율이 조절됨으로써, 제2 트랜지스터 어레이(123)에 의해 제어된 휘도를 표시한다.Accordingly, when the second transistors 1231 and 1232 turn on in response to the gate signal of the second gate line GL2, the plurality of second pixels 141 and 143 turn on the data signal of the second data line DL A pixel voltage is applied to the second pixel electrode PX corresponding to the first pixel electrode PX and a predetermined electric field generated between the second pixel electrode PX and the second common electrode CX on the liquid crystal layer 130, The light transmittance is adjusted while changing the direction of the liquid crystal cell of the liquid crystal layer 130 corresponding to the two pixel regions 141 and 143 to thereby display the luminance controlled by the second transistor array 123. [

이상을 정리하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치(100)는, 서로 대향하는 하부기판(110)과 상부기판(120), 하부기판(110)과 상부기판(120) 사이에 충진되는 액정층(130), 하부기판(110)에 서로 교차배치되어 형성되는 제1 게이트라인(GL1)와 제1 데이터라인(DL) 및 제1 게이트라인(GL1)와 제1 데이터라인(DL)이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 제1 트랜지스터(1121, 1122)를 포함하여, 복수의 제1 화소(P1, 142, 144) 각각의 광투과율을 제어하는 제1 트랜지스터 어레이(112), 그리고, 상부기판(120)에 서로 교차배치되어 형성되는 제2 게이트라인(GL2)와 제2 데이터라인(DL) 및 제2 게이트라인(GL2)와 제2 데이터라인(DL)이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 제2 트랜지스터(1231, 1232)를 포함하여, 복수의 제2 화소(P2, 141, 143) 각각의 광투과율을 제어하는 제2 트랜지스터 어레이(123)을 포함하여 이루어진다. 여기서, 제1 트랜지스터 어레이(112)와 제2 트랜지스터 어레이(123)은 서로 중첩되도록 배치되어, 표시영역에 제1 트랜지스터 어레이(112)와 제2 트랜지스터 어레이(123)가 배치됨에 따른 실질적으로 광이 방출될 수 있는 화소영역의 면적이 감소되는 것을 최소화함으로써, 최대 개구율이 증가되도록 한다.The liquid crystal display device 100 according to the embodiment of the present invention includes the lower substrate 110 and the upper substrate 120 facing each other and the lower substrate 110 and the upper substrate 120 that are filled between the lower substrate 110 and the upper substrate 120 A first gate line GL1 and a first data line DL and a first gate line GL1 and a first data line DL formed in a liquid crystal layer 130 and a lower substrate 110, A first transistor array 112 for controlling the light transmittance of each of the plurality of first pixels P1, 142, and 144, including a plurality of first transistors 1121 and 1122 formed in intersecting regions, A plurality of second gate lines GL1 and GL2 formed in the region where the second gate lines GL2 and the second data lines DL and the second gate lines GL2 and the second data lines DL cross each other, A second transistor array 123 for controlling the light transmittance of each of the plurality of second pixels P2, 141, and 143, including the second transistors 1231 and 1232, It comprise. Here, the first transistor array 112 and the second transistor array 123 are arranged so as to overlap with each other, and substantially the light due to the arrangement of the first transistor array 112 and the second transistor array 123 in the display region By minimizing the decrease in the area of the pixel region that can be emitted, the maximum aperture ratio is increased.

그리고, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치(100)는, 서로 중첩하는 제1 트랜지스터 어레이(112)와 제2 트랜지스터 어레이(123)에 대응하는 영역, 즉, 화소영역 외곽에서의 빛샘을 방지하도록, 상부기판(120)과 제2 트랜지스터 어레이(123) 사이에 형성되는 블랙매트릭스층(121), 제1 트랜지스터 어레이(112)를 포함한 제1 지지기판(111)의 전면에 형성되는 제1 보호층(Passi1), 복수의 제1 화소(142, 144)와 복수의 제2 화소(141, 143)에 각각 대응하는 파장영역의 광을 방출하도록, 제1 보호층(Passi1) 상에 형성되는 컬러필터층(CF), 컬러필터층(CF) 상에 평평하게 형성되는 오버코트층(OC), 오버코트층(OC) 상에 복수의 제1 화소(142, 144)에 각각 대응하고, 서로 교번하여 형성되는 복수의 제1 화소전극(PX)과 복수의 제1 공통전극(CX), 제2 트랜지스터 어레이(123)를 포함한 제2 지지기판(121)의 전면에 형성되는 제2 보호층(Passi2) 및 제2 보호층(Passi2) 상에 복수의 제2 화소(141, 143)에 각각 대응하고, 서로 교번하여 형성되는 복수의 제2 화소전극(PX)과 복수의 제2 공통전극(CX)을 더 포함하여 이루어진다.The liquid crystal display device 100 according to the embodiment of the present invention can prevent the light leakage in the region corresponding to the first transistor array 112 and the second transistor array 123 overlapping with each other, A black matrix layer 121 formed between the upper substrate 120 and the second transistor array 123 and a first protection formed on the entire surface of the first supporting substrate 111 including the first transistor array 112. [ (Passi1), a plurality of first pixels (142, 144), and a plurality of second pixels (141, 143) The plurality of first pixels 142 and the plurality of first pixels 142 respectively corresponding to the first pixels 142 and 144 on the overcoat layer OC and the overcoat layer OC formed on the filter layer CF and the color filter layer CF, And a plurality of first common electrodes CX and a second transistor array 123 including the first pixel electrode PX, A plurality of second pixels 141 and 143 corresponding to the plurality of second pixels 141 and 143 on the second passivation layer Passi2 and the second passivation layer Passi2 formed on the front surface of the substrate 121, And further includes an electrode PX and a plurality of second common electrodes CX.

앞서 언급한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 액정표시장치의 전체 화소들이 복수의 제1 화소(P1)와 복수의 제2 화소(P2)로 구분된다. As described above, according to the embodiment of the present invention, all pixels of the liquid crystal display device are divided into a plurality of first pixels P1 and a plurality of second pixels P2.

이에 따라, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는, 하부기판(110)과 상부기판(120) 각각에 서로 중첩하도록 형성되는 제1, 2 데이터라인(DL)에 동일한 데이터신호를 인가하고, 하부기판(110)과 상부기판(120) 각각에 서로 중첩하도록 형성되는 제1 게이트라인(GL1)과 제2 게이트라인(GL2)에 서로 다른 게이트신호를 인가함으로써, 전체 화소가 개개로 구동될 수 있다. 4, the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention includes first and second data lines DL formed to overlap each other on a lower substrate 110 and an upper substrate 120, And applying different gate signals to the first gate line GL1 and the second gate line GL2 formed to overlap each other on the lower substrate 110 and the upper substrate 120, All of the pixels can be driven individually.

즉, 제어부(200, Controller)의 제어신호에 따라, 게이트구동부(210, Gate Driver)는, 제1 게이트라인(GL1)을 통해 하부기판(110) 상에 형성되는 제1 트랜지스터 어레이(112)에 제1 게이트신호를 인가하고, 제2 게이트라인(GL2)을 통해 상부기판(120) 상에 형성되는 제2 트랜지스터 어레이(123)에 제2 게이트신호를 인가한다. 그리고, 제어부(200, Controller)의 제어신호에 따라, 소스구동부(220, Source Driver)는 제1 트랜지스터 어레이(112)와 제2 트랜지스터 어레이(123)에 제1, 2 데이터신호(DL)를 인가한다. That is, in response to the control signal of the controller 200, the gate driver 210 drives the first transistor array 112 formed on the lower substrate 110 through the first gate line GL1 And applies a second gate signal to the second transistor array 123 formed on the upper substrate 120 through the second gate line GL2. The source driver 220 applies the first and second data signals DL to the first transistor array 112 and the second transistor array 123 according to a control signal of the controller 200 do.

그리고, 구체적으로 도시되어 있진 않으나, 게이트구동부(210)는 하부기판(110) 상에 제1 게이트라인(GL1)과 함께 형성되는 게이트패드(미도시)에 연결되고, 소스구동부(2200는 하부기판(110) 상에 형성되는 데이터패드(미도시)에 연결된다. 이때, 게이트패드(미도시)는 제1 트랜지스터 어레이(112)에 대응하는 제1 게이트패드와 제2 트랜지스터 어레이(123)에 대응하는 제2 게이트패드로 구분된다. 즉, 게이트구동부(210) 및 소스구동부(220)와 각각 연결되는 제1, 2 게이트패드 및 데이터패드(미도시)는 모두 하부기판(110) 상에 형성된다. Although not shown in detail, the gate driver 210 is connected to a gate pad (not shown) formed with the first gate line GL1 on the lower substrate 110, and the source driver 2200 is connected to the lower substrate (Not shown) corresponding to the first gate pad corresponding to the first transistor array 112 and the second transistor array 123 corresponding to the data pad (not shown) formed on the first transistor array 110. At this time, The first and second gate pads and data pads (not shown) connected to the gate driver 210 and the source driver 220 are all formed on the lower substrate 110 .

이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는, 하부기판(110) 상에 형성되는 제2 게이트패드(미도시)와 데이터패드(미도시)를, 상부기판(120)에 형성되는 제2 트랜지스터 어레이(123)와 연결하기 위한 연결블록을 더 포함하여 이루어진다.The liquid crystal display according to the embodiment of the present invention includes a second gate pad (not shown) and a data pad (not shown) formed on the lower substrate 110 and a data pad And a connection block for connection with the two-transistor array 123. [

도 7은 도 6에 도시된 제1 트랜지스터 어레이 및 제2 트랜지스터 어레이와 게이트패드의 연결형태를 나타낸 모식도이고, 도 8은 도 6에 도시된 제1 트랜지스터 어레이 및 제2 트랜지스터 어레이와 데이터패드의 연결형태를 나타낸 모식도이다. 그리고, 도 9는 도 7 및 도 8에 도시된 연결블록의 사시도이다.FIG. 7 is a schematic view showing a connection form of the first transistor array and the second transistor array shown in FIG. 6 and the gate pad, FIG. 8 is a cross-sectional view of the connection between the first transistor array and the second transistor array, Fig. 9 is a perspective view of the connection block shown in Figs. 7 and 8. Fig.

즉, 도 7에서 점선으로 도시된 바와 같이, 하부기판(110) 상에 형성되어, 게이트구동부(210)와 연결되는 전체 게이트패드(211) 중에서, 제1 트랜지스터 어레이(112)에 대응하는 제1 게이트패드(2111)는 제1 게이트라인(DL1)와 연결되도록 함께 형성된다. 그리고, 전체 게이트패드(211) 중에서, 제2 트랜지스터 어레이(123)에 대응하는 제2 게이트패드(2112)는 연결블록(300)의 도전체(310)에 접촉하는 연장선과 연결된다. 또한, 도 7에서 실선으로 도시한 바와 같이, 연결블록(300)의 도전체(310)와 제2 트랜지스터 어레이(123)에 대응하는 제2 게이트라인(GL2)가 연결된다. 즉, 연결블록(300)의 도전체(310)는 하부기판(110) 상에서 제2 게이트패드(2112)의 연장선과 접촉하고, 상부기판(120) 상에서 제2 게이트라인(GL2)와 접촉함으로써, 제2 게이트패드(2112)와 제2 게이트라인(GL2)은 연결블록(300)의 도전체(310)를 통해 서로 연결된다. 이와 같이, 연결블록(300))에 의해, 상부기판(120)에 형성되는 제2 트랜지스터 어레이(123)는 하부기판(110)에 형성되는 제2 게이트패드(2112)와 연결되어 제2 게이트라인(GL2)에 제2 게이트신호를 인가받을 수 있다. 이때, 연결블록(300)은, 복수의 제2 게이트라인(GL2)에 각각 대응하는 복수의 도전체(310)를 포함하여 이루어지고, 복수의 도전체(310)는 그 사이에 배치되는 복수의 부도체(320)에 의해 서로 절연된다.7, among the entire gate pads 211 formed on the lower substrate 110 and connected to the gate driving unit 210, the first gate array 211, which corresponds to the first transistor array 112, The gate pad 2111 is formed so as to be connected to the first gate line DL1. Of the entire gate pads 211, a second gate pad 2112 corresponding to the second transistor array 123 is connected to an extension line that contacts the conductor 310 of the connection block 300. 7, the conductor 310 of the connection block 300 and the second gate line GL2 corresponding to the second transistor array 123 are connected to each other. That is, the conductor 310 of the connection block 300 contacts the extended line of the second gate pad 2112 on the lower substrate 110 and contacts the second gate line GL2 on the upper substrate 120, The second gate pad 2112 and the second gate line GL2 are connected to each other through the conductor 310 of the connection block 300. The second transistor array 123 formed on the upper substrate 120 is connected to the second gate pad 2112 formed on the lower substrate 110 by the connection block 300, The second gate signal can be supplied to the gate line GL2. The connection block 300 includes a plurality of conductors 310 corresponding to the plurality of second gate lines GL2, and the plurality of conductors 310 includes a plurality of conductors 310 Are insulated from each other by the nonconductor (320).

또한, 도 8에서 점선으로 도시된 바와 같이, 하부기판(110) 상에 형성되어, 소스구동부(220)와 연결되는 데이터패드(221)는, 제1 트랜지스터 어레이(112)의 제1 데이터라인(DL1)과 연결되도록 함께 형성되고, 연결블록(300)의 도전체(310)는 제1 데이터라인(DL1)과 접촉한다. 그리고, 도 8에서 실선으로 도시된 바와 같이, 연결블록(300)의 도전체(310)와 제2 트랜지스터 어레이(123)에 대응하는 제2 데이터라인(DL2)가 연결된다. 즉, 연결블록(300)의 도전체(310)는 하부기판(110) 상에서 제1 데이터라인(DL1)과 접촉하고, 상부기판(120) 상에서 제2 데이터라인(DL2)과 접촉함으로써, 데이터패드(221)와 제2 데이터라인(DL2)은 연결블록(300)의 도전체(310)를 통해 연결된다. 이때, 연결블록(300)은 복수의 데이터라인에 각각 대응하는 복수의 도전체(310)를 포함하여 이루어지고, 복수의 도전체(310)는 그 사이에 배치되는 복수의 부도체(320)에 의해 서로 절연된다.8, the data pad 221 formed on the lower substrate 110 and connected to the source driver 220 is connected to the first data line (not shown) of the first transistor array 112 DL1, and the conductor 310 of the connection block 300 is in contact with the first data line DL1. 8, the conductor 310 of the connection block 300 and the second data line DL2 corresponding to the second transistor array 123 are connected. That is, the conductor 310 of the connection block 300 contacts the first data line DL1 on the lower substrate 110 and contacts the second data line DL2 on the upper substrate 120, The first data line 221 and the second data line DL2 are connected through the conductor 310 of the connection block 300. The connection block 300 includes a plurality of conductors 310 corresponding to the plurality of data lines and the plurality of conductors 310 are connected to the plurality of nonconductors 320 disposed therebetween Are insulated from each other.

이와 같이, 하부기판(110)에 형성되는 제2 게이트패드(2112)/데이터패드(221)와 제2 게이트라인(GL2)/제2 데이터라인(DL2)에 각각 연결하도록 구비되는 연결블록(300)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 직육면체 형상의 도전체(310)와 부도체(320)가 교번하여, 전체적으로 하부기판(110)과 상부기판(120) 사이의 간격에 해당되는 높이의 직육면체 형상을 갖는다. 이때, 사이에 부도체(320)을 두고 서로 이웃한 도전체(310) 사이의 간격, 즉, 부도체(320)의 두께는 제2 게이트패드(2112) 간의 이격거리 또는 데이터패드(221) 간의 이격거리에 대응한다.As described above, the connection block 300 (300) is provided to be connected to the second gate pad 2112 / data pad 221 and the second gate line GL2 / second data line DL2 formed on the lower substrate 110, A rectangular parallelepiped shape having a height corresponding to the interval between the lower substrate 110 and the upper substrate 120 as a whole is formed by alternating the rectangular parallelepiped conductor 310 and the nonconductor 320 as shown in FIG. Respectively. At this time, the distance between adjacent conductors 310, that is, the thickness of the nonconductor 320 with the nonconductor 320 between the second gate pads 2112 or between the data pads 221, .

한편, 도 5 및 도 6에서는, 컬러필터층(CF)은 하부기판(110) 상에 형성되는 것으로 도시되었으나, 이와 달리, 컬러필터층(CF)이 상부기판(120) 상에 형성되는 것도 가능하다.5 and 6, the color filter layer CF is formed on the lower substrate 110, but it is also possible that the color filter layer CF is formed on the upper substrate 120. As shown in FIG.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치의 단면도이다.10 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치(101)는, 컬러필터층(CF)이 하부기판(110)이 아닌 상부기판(120)에 형성되는 점을 제외하고는, 도 5 및 도 6에 도시된 액정표시장치와 동일하므로, 이하에서 중복되는 설명은 생략하기로 한다.10, except that the color filter layer CF is formed on the upper substrate 120, not on the lower substrate 110, the liquid crystal display device 101 according to another embodiment of the present invention , And the liquid crystal display device shown in FIG. 5 and FIG. 6, and thus a description thereof will be omitted below.

즉, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치(101)는, 서로 대향하는 하부기판(110)과 상부기판(120), 하부기판(110)과 상부기판(120) 사이에 충진되는 액정층(130), 하부기판(110)에 서로 교차배치되어 형성되는 제1 게이트라인(미도시)와 제1 데이터라인(미도시) 및 제1 게이트라인(미도시)와 제1 데이터라인(미도시)이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 제1 트랜지스터(1121, 1122)를 포함하여 복수의 제1 화소(142, 144) 각각의 광투과율을 제어하는 제1 트랜지스터 어레이(112), 그리고, 상부기판(120)에 서로 교차배치되어 형성되는 제2 게이트라인(미도시)와 제2 데이터라인(미도시) 및 제2 게이트라인(미도시)와 제2 데이터라인(미도시)이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 제2 트랜지스터(1231, 1232)를 포함하여 복수의 제2 화소(141, 143) 각각의 광투과율을 제어하는 제2 트랜지스터 어레이(123)을 포함하여 이루어진다. 여기서, 제1 트랜지스터 어레이(112)와 제2 트랜지스터 어레이(123)은 서로 중첩되도록 형성된다. That is, the liquid crystal display device 101 according to another embodiment of the present invention includes a lower substrate 110 and an upper substrate 120 opposed to each other, a liquid crystal layer (not shown) filled between the lower substrate 110 and the upper substrate 120, (Not shown), a first data line (not shown), a first gate line (not shown), and a first data line (not shown) formed to intersect with each other on the lower substrate 110, A first transistor array 112 for controlling the light transmittance of each of the plurality of first pixels 142 and 144 including a plurality of first transistors 1121 and 1122 formed in the regions where the first and second transistors 142 and 144 intersect, (Not shown) and a second data line (not shown) and a second gate line (not shown) and a second data line And a second transistor (1231, 1232) for controlling the light transmittance of each of the plurality of second pixels (141, 143) It comprises a transistor array 123. Here, the first transistor array 112 and the second transistor array 123 are formed to overlap with each other.

그리고, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치(101)는, 서로 중첩하는 제1 트랜지스터 어레이(112)와 제2 트랜지스터 어레이(123)에 대응하는 영역에서의 빛샘을 방지하도록 제2 지지기판(121)과 제2 트랜지스터 어레이(123) 사이에 형성되는 블랙매트릭스층(122) 및 제2 지지기판(121)에 제2 트랜지스터 어레이(123)와 중첩되도록 형성되어, 복수의 제1 화소(142, 144)와 복수의 제2 화소(141, 143)에 각각 대응하는 파장영역의 광을 방출하는 컬러필터층(CF)을 더 포함한다. The liquid crystal display device 101 according to another embodiment of the present invention includes a first transistor array 112 and a second transistor array 123, The second transistor array 123 is formed on the black matrix layer 122 and the second support substrate 121 formed between the first pixel array 121 and the second transistor array 123 to overlap the second transistor array 123, , And a color filter layer (CF) that emits light in a wavelength region corresponding to each of the plurality of second pixels (141, 143).

즉, 도 6에서 구체적으로 도시되어 있지 않으나, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치(101)는, 제1 트랜지스터 어레이(112)를 포함한 하부기판(110)의 전면에 형성되는 제1 보호층(Passi1), 제1 보호층(Passi1) 상에 복수의 제1 화소(142, 144)에 각각 대응하고 서로 교번하여 형성되는 복수의 제1 화소전극(PX)과 복수의 제1 공통전극(CX), 제2 지지기판(121)의 배면과 제2 트랜지스터 어레이(123) 사이에 제1 트랜지스터 어레이(112)와 중첩하도록 형성되는 블랙매트릭스층(122), 제2 트랜지스터 어레이(123)를 포함한 상부기판(120)의 전면에 형성되는 제2 보호층(Passi2), 제2 보호층(Passi2) 상에 복수의 제1 화소(142, 144)와 복수의 제2 화소(141, 143)에 각각 대응하는 파장영역의 광을 방출하도록 형성되는 컬러필터층(CF), 컬러필터층(CF) 상에 평평하게 형성되는 오버코트층(OC) 및 오버코트층(OC) 상에 복수의 제2 화소(141, 143)에 각각 대응하고 서로 교번하여 형성되는 복수의 제2 화소전극(PX)과 복수의 제2 공통전극(CX)을 더 포함하여 이루어진다. 이때, 오버코트층(OC) 상에 형성되는 복수의 제2 화소전극(PX)은 제2 트랜지스터(1231, 1232)의 드레인전극(D)의 일부 영역에 각각 대응하여 제2 보호층(Passi2)과 오버코트층(OC)에 형성되는 콘택홀(미도시)을 통해 제2 트랜지스터(1231, 1232)의 드레인전극(D)과 각각 연결된다.6, the liquid crystal display device 101 according to another embodiment of the present invention may include a first protection formed on the front surface of the lower substrate 110 including the first transistor array 112, A plurality of first pixel electrodes PX and a plurality of first common electrodes PX1 and PX2 corresponding to the plurality of first pixels 142 and 144 on the first passivation layer Passi1 and the first passivation layer Passi1, A black matrix layer 122 and a second transistor array 123 formed between the back surface of the second support substrate 121 and the second transistor array 123 to overlap with the first transistor array 112, A second passivation layer Passi2 formed on the front surface of the upper substrate 120 and a plurality of first pixels 142 and 144 and a plurality of second pixels 141 and 143 on the second passivation layer Passi2, A color filter layer CF formed to emit light in a corresponding wavelength region, an overcoat layer OC formed flat on the color filter layer CF, A plurality of second pixel electrodes PX and a plurality of second common electrodes CX are formed on the overcoat layer OC so as to correspond to the plurality of second pixels 141 and 143, . A plurality of second pixel electrodes PX formed on the overcoat layer OC correspond to a part of the drain electrode D of the second transistors 1231 and 1232 and are respectively connected to a second passivation layer Passi2, Are connected to the drain electrodes D of the second transistors 1231 and 1232 through contact holes (not shown) formed in the overcoat layer OC.

이상과 같이, 본 발명의 실시예 및 다른 실시예에 따르면, 복수의 제1 화소(142, 144)와 복수의 제2 화소(141, 143)를 각각 제어하는 제1 트랜지스터 어레이(112)와 제2 트랜지스터 어레이(123)이 서로 중첩되도록 형성된다. 그리고, 표시영역 상에 배치되는 제1 트랜지스터 어레이(112)와 제2 트랜지스터 어레이(123)에 대응하는 영역에서, 빛샘을 차단하기 위하여, 블랙매트릭스층(122)이 제1 트랜지스터 어레이(112) 및 제2 트랜지스터 어레이(123)에 중첩하여 형성된다.As described above, according to the embodiment and the other embodiment of the present invention, the first transistor array 112 for controlling the plurality of first pixels 142 and 144 and the plurality of second pixels 141 and 143, respectively, Two transistor arrays 123 are formed to overlap with each other. A black matrix layer 122 is formed on the first transistor array 112 and the second transistor array 123 in order to shield the light leakage in the regions corresponding to the first transistor array 112 and the second transistor array 123 disposed on the display region. And is formed overlying the second transistor array 123.

도 11은, 도 4 내지 도 10에 도시된 액정표시장치에 있어서, 블랙매트릭스층을 나타낸 평면도이다.11 is a plan view showing a black matrix layer in the liquid crystal display shown in Figs. 4 to 10. Fig.

도 11에서, 실선은 제1, 2 게이트라인(GL1, GL2)과 제1, 2 데이터라인(DL1, DL2)를 커버하는 블랙매트릭스층(122)의 일부를 나타내고, 실선이 교차하는 영역에 배치되는 직사각형 부분은 제1 트랜지스터(1121, 1122) 및 2 트랜지스터(1231, 1232)를 커버하는 블랙매트릭스층(122)의 다른 일부를 나타낸다. 그리고 점선은, 제1, 2 게이트라인(GL1, GL2)이 중첩되어, 제1, 2 게이트라인(GL1, GL2)으로 정의되지 않는 복수의 제1 화소영역(P1)과, 제2 화소영역(P2)를 구분하기 위한 경계선이다. 11, the solid line indicates a part of the black matrix layer 122 covering the first and second gate lines GL1 and GL2 and the first and second data lines DL1 and DL2 and is arranged in a region where the solid lines cross The rectangular portion representing the first transistor 1121, 1122 and the other portion of the black matrix layer 122 covering the two transistors 1231, 1232. The dotted lines indicate the first pixel region P1 and the second pixel region P1 which are not defined as the first and second gate lines GL1 and GL2 and the first and second gate lines GL1 and GL2 are overlapped with each other, P2).

도 3에 도시된 바와 같이, 종래의 블랙매트릭스층(15)은 게이트라인, 데이터라인 및 트랜지스터 각각이 갖는 전체 면적에 대응하도록 형성되는 반면, 도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 블랙매트릭스층(122)은 제1, 2 게이트라인, 제1, 2 트랜지스터가 갖는 전체 면적의 절반에 대응하도록 형성된다. 그러므로, 본 발명의 실시예에 따르면, 제1 트랜지스터 어레이(112)와 제2 트랜지스터 어레이(123)가 중첩되는 영역만큼, 블랙매트릭스층(122)의 면적이 감소되어, 최대개구율이 증가된다.As shown in FIG. 3, the conventional black matrix layer 15 is formed to correspond to the total area of each of the gate lines, the data lines, and the transistors, while, as shown in FIG. 11, The black matrix layer 122 is formed so as to correspond to half of the total area of the first and second gate lines and the first and second transistors. Therefore, according to the embodiment of the present invention, the area of the black matrix layer 122 is reduced by the area where the first transistor array 112 and the second transistor array 123 overlap, and the maximum aperture ratio is increased.

이에 따라, 표시영역에서, 제1 트랜지스터 어레이(112)와 제2 트랜지스터 어레이(123)이 차지하는 영역이 감소되어, 블랙매트릭스층(122)에 의해 빛샘이 차단되는 영역이 감소되므로, 그만큼 표시영역에서 광이 방출되는 화소영역이 차지하는 면적이 증가하게 됨으로써, 최대개구율이 증가하고, 이에 따라 화질이 향상될 수 있다.As a result, the area occupied by the first transistor array 112 and the second transistor array 123 in the display area is reduced, and the region where the light leakage is blocked by the black matrix layer 122 is reduced, The area occupied by the pixel region in which the light is emitted is increased, so that the maximum aperture ratio is increased and thus the image quality can be improved.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes may be made without departing from the technical spirit of the present invention.

100: 액정표시장치 110: 하부기판
112: 제1 트랜지스터 어레이 120: 상부기판
122: 블랙매트릭스층 123: 제2 트랜지스터 어레이
P1, 142, 144: 제1 화소 P2, 141, 143: 제2 화소
100: liquid crystal display device 110: lower substrate
112: first transistor array 120: upper substrate
122: black matrix layer 123: second transistor array
P1, 142, 144: first pixel P2, 141, 143: second pixel

Claims (9)

서로 대향하는 제1 기판과 제2 기판;
상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 충진되는 액정층;
상기 제2 기판에 마주하는 상기 제1 기판의 상면에, 서로 교차배치되어 형성되는 제1 게이트라인과 제1 데이터라인 및 상기 제1 게이트라인과 상기 제1 데이터라인이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 제1 트랜지스터를 포함하여, 복수의 제1 화소 각각의 광투과율을 제어하는 제1 트랜지스터 어레이; 및
상기 제1 트랜지스터 어레이와 중첩하고, 상기 제1 기판에 마주하는 상기 제2 기판의 배면에, 서로 교차배치되어 형성되는 제2 게이트라인과 제2 데이터라인, 상기 제2 게이트라인과 상기 제2 데이터라인이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 제2 트랜지스터를 포함하여, 일방향으로 상기 복수의 제1 화소와 교번하는 복수의 제2 화소 각각의 광투과율을 제어하는 제2 트랜지스터 어레이; 및
상기 제2 기판의 배면에, 상기 제1 트랜지스터 어레이와 중첩하도록 형성되어, 상기 제1 트랜지스터 어레이와 상기 제2 트랜지스터 어레이가 배치되는 영역에서의 빛샘을 방지하는 블랙매트릭스층을 포함하되,
상기 제2 트랜지스터 어레이는 상기 블랙매트릭스층 상에 형성되는 액정표시장치.
A first substrate and a second substrate facing each other;
A liquid crystal layer filled between the first substrate and the second substrate;
A first gate line and a first data line formed on an upper surface of the first substrate facing the second substrate, the first gate line and the first data line intersecting with each other, and a plurality A first transistor array including a first transistor of the plurality of first pixels and controlling a light transmittance of each of the plurality of first pixels; And
A second gate line and a second data line formed on the back surface of the second substrate facing the first substrate, the second gate line and the second data line intersecting with the first transistor array, A second transistor array including a plurality of second transistors formed in regions where lines cross each other and controlling a light transmittance of each of a plurality of second pixels alternating with the plurality of first pixels in one direction; And
And a black matrix layer formed on the rear surface of the second substrate so as to overlap with the first transistor array and preventing light leakage in a region where the first transistor array and the second transistor array are disposed,
And the second transistor array is formed on the black matrix layer.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 기판의 상면에, 상기 복수의 제1 게이트라인에 대응하여 형성되는 복수의 제1 게이트패드;
상기 제1 기판의 상면에, 상기 복수의 제2 게이트라인에 대응하여 형성되는 복수의 제2 게이트패드; 및
상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되어, 상기 복수의 제2 게이트패드와 상기 복수의 제2 게이트라인을 각각 연결하는 연결블록을 더 포함하는 액정표시장치.
The method according to claim 1,
A plurality of first gate pads formed on the upper surface of the first substrate to correspond to the plurality of first gate lines;
A plurality of second gate pads formed on the upper surface of the first substrate to correspond to the plurality of second gate lines; And
And a connection block disposed between the first substrate and the second substrate, the connection block connecting the plurality of second gate pads and the plurality of second gate lines, respectively.
제3항에 있어서,
상기 연결블록은,
복수의 도전체와 복수의 부도체가 서로 교번하여 형성되고,
상기 복수의 도전체 각각은, 상기 복수의 제2 게이트패드에서 각각 연장되는 복수의 연장선과 상기 복수의 제2 게이트라인 중에서, 서로 대응하는 연장선과 제2 게이트라인에 접촉하도록 배치되는 액정표시장치.
The method of claim 3,
The connection block includes:
A plurality of conductors and a plurality of non-conductors are alternately formed,
Wherein each of the plurality of conductors is arranged so as to be in contact with an extension line and a second gate line corresponding to each other among a plurality of extension lines respectively extending from the plurality of second gate pads and the plurality of second gate lines.
제1항에 있어서,
상기 제1 기판의 상면에, 상기 복수의 제1 데이터라인과 상기 복수의 제2 데이터라인에 대응하여 형성되는 복수의 데이터패드;
상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되어, 상기 복수의 데이터패드와 상기 복수의 제2 데이터라인을 각각 연결하는 연결블록을 더 포함하는 액정표시장치.
The method according to claim 1,
A plurality of data pads formed on the upper surface of the first substrate to correspond to the plurality of first data lines and the plurality of second data lines;
And a connection block disposed between the first substrate and the second substrate and connecting the plurality of data pads and the plurality of second data lines to each other.
제5항에 있어서,
상기 복수의 제1 데이터라인과 상기 복수의 제2 데이터라인 중에서, 서로 중첩하는 제1 데이터라인과 제2 데이터라인은 하나의 데이터패드를 공유하는 액정표시장치.
6. The method of claim 5,
Wherein a first data line and a second data line overlapping one another among the plurality of first data lines and the plurality of second data lines share one data pad.
제5항에 있어서,
상기 연결블록은,
상기 제1 기판과 제2 기판 사이의 간격에 해당하는 높이를 갖는 복수의 도전체와 복수의 부도체가 서로 교번하여 형성되고,
상기 복수의 도전체 각각은, 상기 복수의 데이터패드에서 각각 연장되는 복수의 제1 데이터라인과 상기 복수의 제2 데이터라인 중에서, 서로 중첩하는 제1 데이터라인과 제2 데이터라인에 접촉하도록 배치되는 액정표시장치.
6. The method of claim 5,
The connection block includes:
A plurality of conductors and a plurality of nonconductors having a height corresponding to an interval between the first substrate and the second substrate are alternately formed,
Wherein each of the plurality of conductors is arranged to be in contact with a first data line and a second data line overlapping each other among a plurality of first data lines and a plurality of second data lines each extending from the plurality of data pads Liquid crystal display device.
제1항에 있어서,
상기 제1 트랜지스터 어레이를 포함한 상기 제1 기판의 상면 전면에 형성되는 제1 보호층;
상기 복수의 제1 화소에 각각 해당되는 복수의 제1 화소영역과, 상기 복수의 제2 화소에 각각 해당되는 복수의 제2 화소영역에 각각 대응하도록, 상기 제1 보호층 상에 형성되어, 상기 복수의 제1 화소와 상기 복수의 제2 화소에 각각 대응하는 파장영역의 광을 각각 방출하는 컬러필터층;
상기 컬러필터층을 포함한 상기 제1 보호층 상의 전면에 평평하게 형성되는 오버코트층;
상기 복수의 제1 트랜지스터의 일부 영역에 각각 대응하여 상기 제1 보호층과 상기 오버코트층에 형성되는 복수의 콘택홀;
상기 오버코트층 상의 상기 복수의 제1 화소영역에 각각 형성되고, 상기 복수의 콘택홀을 통해 상기 복수의 제1 트랜지스터와 각각 연결되는 복수의 제1 화소전극;
상기 오버코트층 상의 상기 복수의 제1 화소영역에, 상기 복수의 제1 화소전극과 교번하도록 각각 형성되는 복수의 제1 공통전극;
상기 제2 트랜지스터 어레이를 포함한 상기 제2 기판의 배면 전면에 형성되는 제2 보호층;
상기 제2 보호층 상의 상기 복수의 제2 화소영역에 각각 형성되고, 상기 복수의 제2 트랜지스터와 각각 연결되는 복수의 제2 화소전극; 및
상기 제2 보호층 상의 상기 복수의 제2 화소영역에, 상기 복수의 제2 화소전극과 교번하도록 각각 형성되는 복수의 제2 공통전극을 더 포함하는 액정표시장치.
The method according to claim 1,
A first protective layer formed on the entire upper surface of the first substrate including the first transistor array;
A plurality of first pixel regions respectively corresponding to the plurality of first pixels and a plurality of second pixel regions respectively corresponding to the plurality of second pixels, A color filter layer that emits light in a wavelength region corresponding to each of the plurality of first pixels and the plurality of second pixels;
An overcoat layer formed flat on the entire surface of the first protective layer including the color filter layer;
A plurality of contact holes formed in the first passivation layer and the overcoat layer respectively corresponding to a partial region of the plurality of first transistors;
A plurality of first pixel electrodes respectively formed in the plurality of first pixel regions on the overcoat layer and connected to the plurality of first transistors through the plurality of contact holes;
A plurality of first common electrodes formed on the plurality of first pixel regions on the overcoat layer so as to be alternated with the plurality of first pixel electrodes;
A second protective layer formed on the entire rear surface of the second substrate including the second transistor array;
A plurality of second pixel electrodes respectively formed in the plurality of second pixel regions on the second passivation layer and connected to the plurality of second transistors, respectively; And
Further comprising a plurality of second common electrodes formed in the plurality of second pixel regions on the second protective layer so as to be alternated with the plurality of second pixel electrodes.
제1항에 있어서,
상기 제1 트랜지스터 어레이를 포함한 상기 제1 기판의 상면 전면에 형성되는 제1 보호층;
상기 제2 트랜지스터 어레이를 포함한 상기 제2 기판의 배면 전면에 형성되는 제2 보호층;
상기 복수의 제1 화소에 각각 해당되는 복수의 제1 화소영역과, 상기 복수의 제2 화소에 각각 해당되는 복수의 제2 화소영역에 각각 대응하도록, 상기 제2 보호층 상에 형성되어, 상기 복수의 제1 화소와 상기 복수의 제2 화소에 각각 대응하는 파장영역의 광을 각각 방출하는 컬러필터층;
상기 컬러필터층을 포함한 상기 제2 보호층 상의 전면에 평평하게 형성되는 오버코트층;
상기 복수의 제2 트랜지스터의 일부 영역에 각각 대응하여 상기 제2 보호층과 상기 오버코트층에 형성되는 복수의 콘택홀;
상기 제1 보호층 상의 상기 복수의 제1 화소영역에 각각 형성되고, 상기 복수의 제1 트랜지스터와 각각 연결되는 복수의 제1 화소전극;
상기 제1 보호층 상의 상기 복수의 제1 화소영역에, 상기 복수의 제2 화소전극과 교번하도록 각각 형성되는 복수의 제1 공통전극;
상기 오버코트층 상의 상기 복수의 제2 화소영역에 각각 형성되고, 상기 복수의 콘택홀을 통해 상기 복수의 제2 트랜지스터와 각각 연결되는 복수의 제2 화소전극; 및
상기 오버코트층 상의 상기 복수의 제2 화소영역에, 상기 복수의 제2 화소전극과 교번하도록 각각 형성되는 복수의 제2 공통전극을 더 포함하는 액정표시장치.
The method according to claim 1,
A first protective layer formed on the entire upper surface of the first substrate including the first transistor array;
A second protective layer formed on the entire rear surface of the second substrate including the second transistor array;
A plurality of first pixel regions respectively corresponding to the plurality of first pixels and a plurality of second pixel regions respectively corresponding to the plurality of second pixels, A color filter layer that emits light in a wavelength region corresponding to each of the plurality of first pixels and the plurality of second pixels;
An overcoat layer formed flat on the entire surface of the second protective layer including the color filter layer;
A plurality of contact holes formed in the second passivation layer and the overcoat layer respectively corresponding to a part of the plurality of second transistors;
A plurality of first pixel electrodes respectively formed in the plurality of first pixel regions on the first passivation layer and connected to the plurality of first transistors, respectively;
A plurality of first common electrodes formed in the plurality of first pixel regions on the first protective layer so as to be alternated with the plurality of second pixel electrodes;
A plurality of second pixel electrodes respectively formed in the plurality of second pixel regions on the overcoat layer and connected to the plurality of second transistors through the plurality of contact holes; And
And a plurality of second common electrodes formed on the plurality of second pixel regions on the overcoat layer so as to be alternated with the plurality of second pixel electrodes.
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