KR101674152B1

KR101674152B1 - Interconnecting structure, probe card and method for manufacturing the probe card

Info

Publication number: KR101674152B1
Application number: KR1020150036944A
Authority: KR
Inventors: 박영근; 김광호
Original assignee: (주)엠투엔
Priority date: 2015-03-17
Filing date: 2015-03-17
Publication date: 2016-11-09
Also published as: KR20160111790A

Abstract

상호 접속 구조체가 개시되며, 상기 상호 접속 구조체는 접속 대상물와 접촉되는 팁부 및 상기 팁부로부터 상측 방향으로 연장 형성되는 제1 접촉부를 포함하는 컨택터; 상기 컨택터의 제1 접촉부와 상하 방향을 따라 서로 겹쳐지며 면접촉되는 제2 접촉부 및 상기 제2 접촉부로부터 상측 방향으로 연장 형성되는 상부를 포함하는 연결체; 및 상기 컨택터의 제1 접촉부와 상기 연결체의 제2 접촉부를 감싸며 배치되는 탄성체를 포함한다.An interconnection structure is disclosed, the interconnection structure including a contactor including a tip portion in contact with a connection object and a first contact portion extending upward from the tip portion; A connecting body including a second contact portion which is in surface contact with the first contact portion of the contactor and overlaps with the first contact portion in a vertical direction and an upper portion that extends upward from the second contact portion; And an elastic body disposed to surround the first contact portion of the contactor and the second contact portion of the connector.

Description

TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an interconnect structure, a probe card, and a probe card,

본원은 상호 접속 구조체, 프로브 카드 및 프로브 카드 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an interconnect structure, a probe card, and a method of manufacturing a probe card.

일반적으로 반도체 패키지는 최종적으로 검사 장치에 의해 각종 전기 시험을 통한 특성 측정 또는 불량 검사를 받게 된다. 이때, 검사 장치에 설치된 검사용 인쇄 회로 기판의 회로 패턴과 반도체 패키지를 전기적으로 연결하기 위해 프로브 카드가 사용된다.In general, a semiconductor package is finally subjected to characteristic measurement or defect inspection through various electrical tests by an inspection apparatus. At this time, a probe card is used to electrically connect the circuit pattern of the inspection printed circuit board provided in the inspection apparatus with the semiconductor package.

종래에는 이러한 프로브 카드에 적용되는 상호 접속 구조체가 상부 프로브 핀, 상부 프로브 핀과 이격되어 상부 프로브 핀의 하측에 배치되는 하부 프로브 핀, 상부 프로브 핀과 하부 프로브 핀을 감싸는 스프링, 및 상부 프로브 핀, 하부 프로브 핀 및 스프링을 감싸는 하우징을 포함한다.In the related art, an interconnect structure to be applied to such a probe card includes an upper probe pin, a lower probe pin spaced apart from the upper probe pin and disposed below the upper probe pin, a spring surrounding the upper probe pin and the upper probe pin, And a housing surrounding the lower probe pin and the spring.

이러한 상호 접속 구조체에 의하면, 전기적 신호의 이동 경로가, 상부 프로브 핀, 스프링, 하우징 및 하부 프로브 핀을 순차적 또는 역순차적으로 형성되는바, 전기적 신호의 이동 경로가 복잡했다.According to such an interconnect structure, the movement path of the electrical signal is complicated in that the path of the electrical signal is complicated because the upper probe pin, the spring, the housing and the lower probe pin are formed sequentially or in reverse order.

이와 같이, 종래의 상호 접속 구조체는, 전기적 신호의 이동 경로가 복잡한바, 반도체 패키지의 검사 시간이 오래 걸릴 수 있었고, 인피던스 매칭 구간이 감소된다는 문제점이 있었다.As described above, the conventional interconnect structure has a problem that the inspection time of the semiconductor package can be long and the impedance matching section is reduced because the path of the electric signal is complicated.

또한, 종래의 상호 접속 구조체는, 하우징이 꼭 구비되어야하는바, 상호 접속 구조체의 전체적 길이 또한 증가되었다. 이러한 길이의 증가는 전기적 신호의 이동 시간을 상승시키는 문제점 또한 유발시켰다.In addition, in the conventional interconnect structure, the entire length of the interconnect structure is also increased as the housing must be provided. This increase in length also caused a problem of increasing the travel time of the electrical signal.

또한, 이러한 상호 접속 구조체에 의하면, 전기적 신호가, 상부 프로브 핀, 스프링, 하우징 및 하부 프로프 핀간의 점 접촉에 의해 전달되는바, 전기적 신호의 전달시 노이즈의 발생율이 높았고, 전달성이 낮았다. Further, according to such an interconnect structure, an electrical signal is transmitted by point contact between the upper probe pin, the spring, the housing, and the lower profile pin, so that the occurrence rate of the noise during the transmission of the electrical signal is high and the transferability is low.

또한, 종래의 상호 접속 구조체에 의하면, 반도체 패키지와 접촉되는 하부 프로브 핀의 팁부가 기계 가공에 의해 제조되는바, 팁부의 피치 최소화에 한계가 있었고, 팁부의 형상의 자유도에 한계가 있었다.Further, according to the conventional interconnect structure, since the tip portion of the lower probe pin that is in contact with the semiconductor package is manufactured by machining, the pitch of the tip portion is limited to a minimum, and the degree of freedom of the shape of the tip portion is limited.

본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 단순한 구조를 가지고 전기적 신호의 이동 경로를 단순화시켜 전기적 신호의 전달성을 향상시킨 상호 접속 구조체, 프로브 카드 및 프로브 카드 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an interconnect structure, a probe card, and a method of manufacturing a probe card in which a simple structure is used to simplify a path of movement of an electrical signal, .

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제1 측면에 따른 상호 접속 구조체는, 접속 대상물과 접촉되는 팁부 및 상기 팁부로부터 상측 방향으로 연장 형성되는 제1 접촉부를 포함하는 컨택터; 상기 컨택터의 제1 접촉부와 상하 방향을 따라 서로 겹쳐지며 면접촉되는 제2 접촉부 및 상기 제2 접촉부로부터 상측 방향으로 연장 형성되는 상부를 포함하는 연결체; 및 상기 컨택터의 제1 접촉부와 상기 연결체의 제2 접촉부를 감싸며 배치되는 탄성체를 포함할 수 있다.According to a first aspect of the present invention, there is provided an interconnection structure comprising: a contactor including a tip portion in contact with a connection object and a first contact portion extending upward from the tip portion; A connecting body including a second contact portion which is in surface contact with the first contact portion of the contactor and overlaps with the first contact portion in a vertical direction and an upper portion that extends upward from the second contact portion; And an elastic body disposed to surround the first contact portion of the contactor and the second contact portion of the connector.

전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 컨탭터와 연결체의 접촉이, 제1 접촉부와 제2 접촉부의 면접촉에 의해 이루어질 수 있어, 전기적 신호의 이동 경로가 단순화될 수 있고, 전기적 신호의 전달성이 향상되며, 저항 특성 및 전류 특성이 향상될 수 있다.According to the above-mentioned problem solving means of the present invention, the contact between the condenser and the connector can be made by the surface contact between the first contact portion and the second contact portion, so that the movement path of the electrical signal can be simplified, The improvement is achieved, and the resistance characteristic and the current characteristic can be improved.

도 1은 본원의 일 실시예에 따른 상호 접속 구조체의 개략적인 단면도이다.
도 2의 (a)는 도 1에 도시된 상호 접속 구조체의 컨택터의 개략적인 사시도이다.
도 2의 (b)는 도 1에 도시된 상호 접속 구조체의 개략적인 사시도이다.
도 2의 (c)는 도 2의 (b)에 도시된 상호 접속 구조체에 있어서, 제1 접촉부와 제2 접촉부가 접촉된 부분을 도시하기 위해 서로 접촉된 제1 접촉부와 제2 접촉부를 두께 방향으로 절개한 개략적인 단면도이다.
도 3은 팁부의 다양한 형상을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4의 (a)는 본원의 다른 구현예에 따른 컨택터의 개략적인 사시도이다.
도 4의 (b)는 본원의 다른 구현예에 따른 상호 접속 구조체의 개략적인 사시도이다.
도 4의 (c)는 도 4의 (b)에 도시된 상호 접속 구조체에 있어서, 제1 접촉부와 제2 접촉부가 접촉된 부분을 두께 방향으로 절개한 개략적인 단면도이다.
도 5의 (a)는 본원의 또 다른 구현예에 따른 컨택터의 개략적인 사시도이다.
도 5의 (b)는 본원의 또 다른 구현예에 따른 상호 접속 구조체의 개략적인 사시도이다.
도 5의 (c)는 도 5의 (b)에 도시된 상호 접속 구조체에 있어서, 제1 접촉부와 제2 접촉부가 접촉된 부분을 두께 방향으로 절개한 개략적인 단면도이다.
도 6은 본원의 일 실시예에 따른 프로브 카드의 개략적인 단면도이다.
도 7은 n 개의 적층체가 개방형인 본원의 일 실시예에 따른 프로브 카드의 개략적인 단면도이다.
도 8은 본원의 일 실시예에 따라 컨택터를 형성하는 단계를 설명하기 위한 개략적인 개념도이다.
도 9은 본원의 일 실시예에 따라 전면에 경사면이 형성된 컨택터를 형성하는 단계를 설명하기 위한 개략적인 개념도이다.
도 10은 본 프로브 카드 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 순서도이다.
도 11은 본원의 일 실시예에 따라 제1 적층체를 형성하는 단계를 설명하기 위한 개략적인 개념도이다.
도 12는 본원의 일 실시예에 따라 제1 적층체 및 n 개의 적층체를 적층하는 단계를 설명하기 위한 개략적인 개념도이다.
도 13은 본원의 일 실시예에 따라 n 개의 적층체 상에 제2 적층체를 적층하는 단계를 설명하기 위한 개략적인 개념도이다.1 is a schematic cross-sectional view of an interconnect structure according to one embodiment of the present application.
Fig. 2 (a) is a schematic perspective view of the contactor of the interconnect structure shown in Fig. 1. Fig.
Fig. 2 (b) is a schematic perspective view of the interconnect structure shown in Fig.
2C is a cross-sectional view of the interconnecting structure shown in FIG. 2B, in which the first contact portion and the second contact portion, which are in contact with each other to show a portion where the first contact portion and the second contact portion are in contact with each other, As shown in Fig.
3 is a schematic cross-sectional view for explaining various shapes of the tip portion.
4 (a) is a schematic perspective view of a contactor according to another embodiment of the present invention.
Figure 4 (b) is a schematic perspective view of an interconnect structure according to another embodiment of the present disclosure.
4C is a schematic cross-sectional view of the interconnecting structure shown in FIG. 4B, in which a portion where the first contact portion and the second contact portion are contacted is cut in the thickness direction.
5 (a) is a schematic perspective view of a contactor according to another embodiment of the present invention.
Figure 5 (b) is a schematic perspective view of an interconnect structure according to another embodiment of the present disclosure.
FIG. 5C is a schematic cross-sectional view of a portion of the interconnect structure shown in FIG. 5B where the first contact portion and the second contact portion are contacted in the thickness direction. FIG.
6 is a schematic cross-sectional view of a probe card according to an embodiment of the present invention.
Figure 7 is a schematic cross-sectional view of a probe card according to one embodiment of the present invention in which the n stacks are open.
8 is a schematic conceptual diagram for explaining a step of forming a contactor according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a schematic diagram for explaining a step of forming a contactor having an inclined surface formed on an entire surface thereof according to an embodiment of the present invention.
10 is a schematic flow chart for explaining the method of manufacturing the probe card.
11 is a schematic diagram for explaining a step of forming a first laminate according to an embodiment of the present invention.
12 is a schematic conceptual diagram for explaining a step of laminating a first laminate and n laminates according to an embodiment of the present invention.
13 is a schematic conceptual diagram for explaining a step of laminating a second stack on n stacks according to one embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. It should be understood, however, that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In the drawings, the same reference numbers are used throughout the specification to refer to the same or like parts.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. Throughout this specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it is not limited to a case where it is "directly connected" but also includes the case where it is "electrically connected" do.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is " on " another member, it includes not only when the member is in contact with the other member, but also when there is another member between the two members.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.Throughout this specification, when an element is referred to as "including " an element, it is understood that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise. The terms "about "," substantially ", etc. used to the extent that they are used throughout the specification are intended to be taken to mean the approximation of the manufacturing and material tolerances inherent in the stated sense, Accurate or absolute numbers are used to help prevent unauthorized exploitation by unauthorized intruders of the referenced disclosure. The word " step (or step) "or" step "used to the extent that it is used throughout the specification does not mean" step for.

본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 “이들의 조합”의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.Throughout this specification, the term " combination thereof " included in the expression of the machine form means one or more combinations or combinations selected from the group consisting of the constituents described in the expression of the machine form, And the like.

참고로, 본원의 실시예에 관한 설명 중 방향이나 위치와 관련된 용어(상측, 하측, 상단, 하단 등)는 상호 접속 구조체를 기준으로 컨택터에 대하여 연결체가 위치된 쪽을 상측으로 하여 설정한 것이다. 예를 들어 도 2를 보았을 때 컨택터를 기준으로 연결체가 위치된 쪽이 상측, 전반적으로, 상측을 향한 단부 또는 면이 상단 등이 될 수 있다. 다만, 본원의 실시예의 다양한 실제적인 적용에 있어서는, 상측이 하향으로 배치되는 등 다양한 방향으로 배치될 수 있을 것이다.In the description of the embodiments of the present invention, the term (upper side, lower side, upper side, lower side, etc.) related to the direction and the position is set based on the interconnection structure with the side on which the connecting body is positioned with respect to the contactor as the upper side . For example, referring to FIG. 2, the side on which the connector is positioned with respect to the contactor may be the upper side, the overall side, the upper side, or the upper side. However, in various practical applications of the embodiments of the present application, it may be arranged in various directions such that the upper side is disposed downward.

본원은 상호 접속 구조체, 프로브 카드 및 프로브 카드 제조 방법 에 관한 것이다.The present invention relates to an interconnect structure, a probe card, and a method of manufacturing a probe card.

[01] 우선, 본원의 일 실시예에 따른 상호 접속 구조체(이하 '본 상호 접속 구조체'이라 함)(1)에 대해 설명한다.First, an interconnection structure (hereinafter referred to as 'the present interconnection structure') 1 according to an embodiment of the present invention will be described.

[02] 도 1은 본원의 일 실시예에 따른 상호 접속 구조체의 개략적인 단면도이고, 도 2의 (a)는 도 1에 도시된 상호 접속 구조체의 컨택터의 개략적인 사시도이며, 도 2의 (b)는 도 1에 도시된 상호 접속 구조체의 개략적인 사시도이고, 도 2의 (c)는 도 2의 (b)에 도시된 상호 접속 구조체에 있어서, 제1 접촉부와 제2 접촉부가 접촉된 부분을 도시하기 위해 서로 접촉된 제1 접촉부와 제2 접촉부를 두께 방향으로 절개한 개략적인 단면도이며, 도 3은 팁부의 다양한 형상을 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 4의 (a)는 본원의 다른 구현예에 따른 컨택터의 개략적인 사시도이며, 도 4의 (b)는 본원의 다른 구현예에 따른 상호 접속 구조체의 개략적인 사시도이고, 도 4의 (c)는 도 4의 (b)에 도시된 상호 접속 구조체에 있어서, 제1 접촉부와 제2 접촉부가 접촉된 부분을 두께 방향으로 절개한 개략적인 단면도이며, 도 5의 (a)는 본원의 또 다른 구현예에 따른 컨택터의 개략적인 사시도이고, 도 5의 (b)는 본원의 또 다른 구현예에 따른 상호 접속 구조체의 개략적인 사시도이며, 도 5의 (c)는 도 5의 (b)에 도시된 상호 접속 구조체에 있어서, 제1 접촉부와 제2 접촉부가 접촉된 부분을 두께 방향으로 절개한 개략적인 단면도이다.FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an interconnect structure according to one embodiment of the present application, FIG. 2 (a) is a schematic perspective view of a contactor of the interconnect structure shown in FIG. 1, (b) is a schematic perspective view of the interconnecting structure shown in Fig. 1, and Fig. 2 (c) is a cross-sectional view of the interconnecting structure shown in Fig. 2 FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining various shapes of the tip portion, and FIG. 4 (a) is a cross-sectional view of a portion of the first contact portion and the second contact portion, 4 (b) is a schematic perspective view of an interconnect structure according to another embodiment of the present application, and FIG. 4 (c) is a schematic perspective view of a contactor according to another embodiment, In the illustrated interconnecting structure, a portion where the first contact portion and the second contact portion are in contact with each other (A) is a schematic perspective view of a contactor according to another embodiment of the present application, and Fig. 5 (b) is a schematic cross-sectional view taken along the thickness direction of the interconnection according to another embodiment of the present invention 5C is a schematic cross-sectional view of the interconnect structure shown in FIG. 5B, in which a portion where the first contact portion and the second contact portion are contacted is cut in the thickness direction .

[03] 참고로, 본 상호 접속 구조체(1)는 제1 접속 대상물과 제2 접속 대상물을 전기적으로 연결시키는 구성이다. 이러한 본 상호 접속 구조체(1)는 프로브 카드에 적용될 수 있다. 그러나, 본 상호 접속 구조체(1)가 적용되는 대상은 이에 한정되지 않는다. 즉, 본 상호 접속 구조체(1)는 프로브 카드와 같은 반도체 패키지 테스트 장비뿐만 아니라, 다양한 전자 제품에 적용되어 전기적으로 연결되어야 하는 복수의 대상물 사이에 구비되어 복수의 대상물을 전기적으로 연결시킬 수 있다.[03] For reference, the interconnecting structure 1 electrically connects the first connection object and the second connection object. This main interconnecting structure 1 can be applied to a probe card. However, the object to which the present interconnection structure 1 is applied is not limited thereto. That is, the interconnection structure 1 may be provided between a plurality of objects to be electrically connected to various electronic products as well as a semiconductor package test equipment such as a probe card, thereby electrically connecting a plurality of objects.

[04] 이하에서는, 간명한 설명을 위해, 본 상호 접속 구조체(1)가 반도체 패키지와 인쇄 회로 기판을 전기적으로 연결하는 구성이라는 가정하에 본 상호 접속 구조체에 대해 설명한다. Hereinafter, for the sake of simplicity, the present interconnect structure will be described on the assumption that the present interconnect structure 1 electrically connects the semiconductor package and the printed circuit board.

도 1을 참조하면, 본 상호 접속 구조체(1)는 컨택터(12)를 포함한다.Referring to FIG. 1, this interconnecting structure 1 includes a contactor 12.

컨택터(12)는 멤스(MEMS)공정을 통해 형성될 수 있다. 이에 따라, 컨택터(12)는 종래의 상호 접속 구조체와 반대로 반도체 미세 패터닝 공정을 이용한 전기 도금 공정을 통해 다양한 미세 형상을 가지도록 구현될 수 있으며, 미세 피치를 가질 수 있다. 이하에서 구체적으로 설명한다.The contactor 12 may be formed through a MEMS process. Accordingly, the contactor 12 can be realized to have various fine shapes through an electroplating process using a semiconductor fine patterning process as opposed to a conventional interconnect structure, and can have a fine pitch. This will be described in detail below.

도 1을 참조하면, 컨택터(12)는 접속 대상물과 접촉되는 팁부(121)를 포함한다. 상술한 바와 같이, 접속 대상물은 예시적으로, 반도체 패키지일 수 있다. Referring to FIG. 1, the contactor 12 includes a tip portion 121 that is in contact with a connection object. As described above, the connection object may be, for example, a semiconductor package.

예시적으로, 반도체 패키지에 대한 검사가 수행될 때, 팁부(121)는 반도체 패키지에 접촉되어, 반도체 패키지에 전기적 신호를 전달하거나, 반도체 패키지로부터 전기적 신호를 전달받을 수 있다. Illustratively, when the inspection of the semiconductor package is performed, the tip portion 121 may contact the semiconductor package to transfer an electrical signal to the semiconductor package or receive an electrical signal from the semiconductor package.

또한, 도 2의 (a)에 나타난 바와 같이, 팁부(121)는, 전면 및 후면 각각이 평면일 수 있다.2 (a), the tip portion 121 may be a flat surface and a rear surface, respectively.

이에 따라, 도 3의 (a) 내지 (e)를 참조하면, 팁부(121)의 단면의 형상은 다양할 수 있다.3 (a) to 3 (e), the shape of the end surface of the tip portion 121 may vary.

종래의 상호 접속 구조체는 전면 및 후면이 평면이 아닌 입체적인 형상인바, 반도체 패키지와 접촉되는 말단부를 다양한 형상으로 가공하기 위해서는 추가 가공이 필요하였다.In the conventional interconnect structure, since the front and rear surfaces are three-dimensional rather than planar, further processing is required to process the end portions in contact with the semiconductor package in various shapes.

그러나, 본 상호 접속 구조체(1)에 의하면, 팁부(121)의 전면 및 후면 각각이 평면인바, 이러한 팁부(121)를 포함하는 컨택터(12)는 기판에 대한 식각 공정 및 패터닝 공정을 통해 추가 공정 없이 용이하게 제조될 수 있다. 다시 말해, 본 상호 접속 구조체(1)는 단순한 공정을 통해 제조될 수 있는바, 종래의 상호 접속 구조체비해 가공 단가의 경쟁력을 확보할 수 있다. However, according to the present interconnect structure 1, the front and rear surfaces of the tip portion 121 are flat, and the contactor 12 including the tip portion 121 is added through the etching process and the patterning process for the substrate Can be easily produced without any process. In other words, since this interconnecting structure 1 can be manufactured through a simple process, it is possible to secure the competitiveness of the processing cost compared to the conventional interconnecting structure.

또한, 상술한 바와 같이, 컨택터(12)가 멤스 공정을 통해 제조되는바, 컨택터(12)의 팁부(121)는 미세피치를 가지도록 형성될 수 있다Further, as described above, since the contactor 12 is manufactured through the MEMS process, the tip portion 121 of the contactor 12 can be formed to have a fine pitch

또한, 도 1을 참조하면, 컨택터(12)는 팁부(121)로부터 상측 방향으로 연장 형성되는 제1 접촉부(122)를 포함한다. 제1 접촉부(122)는 팁부(121)와 전기적 신호를 주고받을 수 있다. 제1 접촉부(122)는 이하에서 후술하는 연결체(11)의 제2 접촉부(112)와 접촉될 수 있다1, the contactor 12 includes a first contact portion 122 that extends upward from the tip portion 121. The first contact portion 122 extends in the upward direction. The first contact portion 122 can exchange electrical signals with the tip portion 121. The first contact portion 122 may be in contact with the second contact portion 112 of the connector 11 described below

도 1을 참조하면, 본 상호 접속 구조체(1)는, 연결체(11)를 포함한다. 연결체(11)는 컨택터(12)와 인쇄 회로 기판(pcb 기판)을 연결한다.Referring to Fig. 1, this interconnecting structure 1 includes a connector 11. The connector 11 connects the contactor 12 to the printed circuit board (pcb substrate).

또한, 연결체(11)는 멤스공정을 통해 형성될 수 있다. 이에 따라, 연결체(11)는 상술한 바와 같이, 다양한 미세 형상을 가질 수 있으며, 미세 피치를 가질 수 있다.Also, the connector 11 can be formed through a MEMS process. Thus, the connecting body 11 can have various fine shapes and have a fine pitch, as described above.

연결체(11)에 대해 보다 구체적으로 설명한다.The connector 11 will be described in more detail.

도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 연결체(11)는 제2 접촉부(112)를 포함한다. 제2 접촉부(112)는, 컨택터(12)의 제1 접촉부(122)와 상하 방향을 따라 서로 겹쳐지며 면접촉된다. Referring to FIGS. 1 and 2 together, the connector 11 includes a second contact portion 112. The second contact portions 112 overlap with each other along the vertical direction with the first contact portions 122 of the contactor 12 and are in surface contact with each other.

이와 같이, 제1 접촉부(122)와 제2 접촉부(112)가 서로 접촉되는바, 컨택터(12)와 연결체(11)는 안정적으로 전기적 신호를 주고 받을 수 있다.Since the first contact portion 122 and the second contact portion 112 are in contact with each other, the contactor 12 and the connection body 11 can exchange electrical signals stably.

이와 같이, 제1 접촉부(122)와 면제1 접촉부(112)가 서로 면접촉되는바, 본 상호 접속 구조체는, 종래의 상호 접속 구조체에 비해 저항 특성 및 전류 특성을 향상시킬 수 있다.As described above, since the first contact portion 122 and the exempt material 1 contact portion 112 are in surface contact with each other, the present interconnection structure can improve resistance characteristics and current characteristics as compared with the conventional interconnection structure.

구체적으로, 종래의 상호 접속 구조체는, 상부 프로브 핀, 상부 프로브 핀과 이격되어 상부 프로브 핀의 하측에 배치되는 하부 프로브 핀, 상부 프로브 핀과 하부 프로브 핀을 감싸는 스프링, 및 상부 프로브 핀, 하부 프로브 핀 및 스프링을 감싸는 하우징을 포함한다. Specifically, the conventional interconnect structure includes an upper probe pin, a lower probe pin spaced apart from the upper probe pin and disposed below the upper probe pin, a spring surrounding the upper probe pin and the lower probe pin, And a housing surrounding the pin and spring.

이러한 상호 접속 구조체에 의하면, 전기적 신호의 전달이 스프링의 기울어짐을 통해 형성되는 상부 프로브 핀, 스프링, 하우징 및 하부 프로브 핀 간의 접촉 지점을 따라 이루어졌다. 또한, 이에 따르면, 전기적 신호의 이동 경로가, 상부 프로브 핀, 스프링, 하우징 및 하부 프로브 핀을 순차적 또는 역순차적으로 형성되는바, 전기적 신호의 이동 경로가 복잡했다. 또한, 전기적 신호의 이동 경로가 복잡한바, 반도체 패키지의 검사 시간이 오래 걸릴 수 있었고, 인피던스 매칭 구간이 감소된다는 문제점이 있었다.According to such an interconnect structure, the transmission of an electrical signal is made along the contact point between the upper probe pin, the spring, the housing and the lower probe pin formed through the tilting of the spring. In addition, according to this, since the movement path of the electrical signal is formed sequentially or in reverse order to the upper probe pin, the spring, the housing, and the lower probe pin, the movement path of the electrical signal is complicated. Further, since the path of the electrical signal is complicated, the inspection time of the semiconductor package may be long, and the impedance matching section may be reduced.

또한, 종래의 상호 접속 구조체는, 전기적 신호의 전달을 위해, 하우징이 꼭 구비되어야 했다. 또한, 전기적 신호의 전달을 위해서는 스프링의 기울어짐이 필요한바, 스프링의 기울어짐을 유도하기 위해, 상호 접속 구조체의 전체적 길이가 일정 이상으로 요구되었고, 상부 프로브 핀과 하부 프로브 핀 사이에 위치하는 스프링의 길이로 인해 상호 접속 구조체의 전체적 길이가 증가되는 단점이 있었다. 이와 같은, 길이에 대한 요구조건은, 상호 접속 구조체의 스크로크 길이를 제한한다. 또한, 상호 접속 구조체에 요구되는 길이의 증가는 전기적 신호의 이동 시간을 상승시키는 문제점 또한 유발시켰다.In addition, in the conventional interconnect structure, a housing must be provided for the transmission of electrical signals. In order to transmit electrical signals, a tilting of the spring is required. In order to induce the tilting of the spring, the overall length of the interconnect structure is required to be more than a certain length, and a spring located between the upper probe pin and the lower probe pin And the overall length of the interconnect structure is increased due to the length. Such a requirement for length limits the scratch length of the interconnect structure. In addition, the increase in length required for the interconnect structure also caused a problem of increasing the travel time of the electrical signal.

그러나, 본 상호 접속 구조체(1) 의하면, 컨택터(12) 및 연결체(11)가 탄성체(13) 내에서 면접촉되는바, 본 상호 접속 구조체(1)의 길이를 최소화할 수 있다. 또한, 스트로크 길이를 최대한으로 확보할 수 있다. However, according to the present interconnection structure 1, since the contactor 12 and the connecting body 11 are in surface contact in the elastic body 13, the length of the interconnection structure 1 can be minimized. In addition, the stroke length can be maximized.

이와 같이, 본 상호 접속 구조체(1)는, 그 전체적 길이를 최소화하면서 스트로크 길이를 향상시킴으로써, 고주파수의 대역폭(bandwidth), 낮은 인덕턴스(inductance)와 높은 전류(current)의 전기적 특성을 확보할 수 있다.Thus, by improving the stroke length while minimizing the overall length of the interconnect structure 1, it is possible to secure high frequency bandwidth, low inductance, and high current electrical characteristics .

다시 말해, 종래의 포고핀 등의 상호 접속 구조체는, 신호 전달성 측면에서 보면, 상부 프로브 핀, 하우징, 하부 프로브 핀이 점접촉하여 2개의 접촉부를 형성한다. 반면에 본 상호 접속 구조체의 경우에는, 상부 프로브 핀 및 하부 프로브 핀이 면접촉하여 넓은 접촉 면적을 갖는 하나의 접촉부를 통해 바로 접촉되기 때문에 컨택 저항, 임피던스, 자체 인덕턴스을 낮춰 전류 흐름성을 향상 시킬 수 있고, 이를 통해, 높은 주파수에도 대응이 가능하다.In other words, in the interconnect structure of a conventional pogo pin or the like, the upper probe pin, the housing, and the lower probe pin are in point contact to form two contact portions in terms of signal transfer. On the other hand, in the case of this interconnecting structure, since the upper probe pin and the lower probe pin are in surface contact and contact directly through one contact having a wide contact area, the contact resistance, impedance and self inductance can be reduced to improve current flowability Therefore, it can cope with high frequencies.

또한, 도 2의 (a) 및 (c)를 참조하면, 제1 접촉부(122)는 그 두께(도 4 및 도 5 각각의 (c)를 참조하면, 3시 9시 방향) 방향으로 경사 각도를 갖는 경사면이 길이 방향을 따라 형성된 것일 수 있다. 이때, 도 2의 (b) 및 (c)를 참조하면, 제2 접촉부(112)는 컨택터(12)의 제1 접촉부(122)와 대칭되는 형상일 수 있다.2 (a) and 2 (c), the first contact portion 122 is inclined at an angle of 3 degrees with respect to its thickness (at 3 o'clock 9 o'clock in reference to Figs. 4 and 5) May be formed along the longitudinal direction. Referring to FIGS. 2 (b) and 2 (c), the second contact portion 112 may have a shape that is symmetrical with the first contact portion 122 of the contactor 12.

이에 따라, 제1 접촉부(122)와 제2 접촉부(112)는 최소한의 접촉 면을 항상 유지할 수 있고, 이를 통해, 제1 접촉부(122)와 제2 접촉부(112) 사이의 전기적 신호의 전달성을 향상시킬 수 있다.Thus, the first contact portion 122 and the second contact portion 112 can always maintain the minimum contact surface, and through this, the electrical contact between the first contact portion 122 and the second contact portion 112 Can be improved.

또한, 도 4 및 도 5 각각의 (a) 및 (c)를 참조하면, 제1 접촉부(122)는 그 경사면 중 적어도 일부가 그 두께 방향으로 함몰될 수 있다. 이때, 도 4 및 도 5를 참조하면, 제2 접촉부(112)는 컨택터(12)의 제1 접촉부(122)와 대칭되는 형상일 수 있다. 이러한 형상에 의하면, 제1 접촉부(122)와 제2 접촉부(112)의 접촉이 보다 긴밀하게 이루어질 수 있다. 4 and 5, at least a part of the inclined surfaces of the first contact portion 122 may be recessed in the thickness direction thereof. 4 and 5, the second contact portion 112 may have a shape that is symmetrical with the first contact portion 122 of the contactor 12. According to this configuration, the contact between the first contact portion 122 and the second contact portion 112 can be made more tightly.

또한, 연결체(11)는 제2 접촉부(112)로부터 상측 방향으로 연장 형성되는 상부(111)를 포함한다.In addition, the connector 11 includes an upper portion 111 extending upward from the second contact portion 112.

상부(111)는 상술한 인쇄 회로 기판에 접촉될 수 있다.The upper portion 111 may be in contact with the above-described printed circuit board.

상부(111)는, 전면 및 후면 각각이 평면일 수 있다. 이에 따라, 연결체(11)는 용이하게 제조될 수 있다.The upper portion 111 may be a flat surface and a rear surface, respectively. Thus, the connector 11 can be easily manufactured.

또한, 본 상호 접속 구조체(1)는 컨택터(12)의 제1 접촉부(122)와 연결체(11)의 제2 접촉부(112)를 감싸며 배치되는 탄성체(13)를 포함한다.The interconnecting structure 1 also includes an elastic body 13 that surrounds the first contact portion 122 of the contactor 12 and the second contact portion 112 of the connector 11.

탄성체(13)는 제1 접촉부(122)와 제2 접촉부(112)의 접촉을 유지시킬 수 있다.The elastic body 13 can maintain the contact between the first contact portion 122 and the second contact portion 112. [

다시 말해, 제1 접촉부(122)와 제2 접촉부(112)의 접촉은 탄성체(13) 내에서 이루어질 수 있다. 이러한 본 상호 접속 구조체(1)에 의하면, 제1 접촉부(122), 제2 접촉부(112) 및 탄성체(13)를 감싸는 하우징이 필요없다.In other words, the contact between the first contact portion 122 and the second contact portion 112 can be made in the elastic body 13. According to the present interconnecting structure 1, a housing for enclosing the first contact portion 122, the second contact portion 112, and the elastic body 13 is not required.

또한, 도 1에 나타난 바와 같이, 탄성체(13)는 그 하단은 하측 단턱부(123)에 지지되고, 그 상단은 상측 단턱부(113)에 지지되게 배치될 수 있다.1, the lower end of the elastic body 13 is supported by the lower step 123, and the upper end of the elastic body 13 is supported by the upper end of the upper step 113. As shown in FIG.

예시적으로, 탄성체(13)는 마이크로 스프링일 수 있다.Illustratively, the elastic body 13 can be a microspring.

[05] 한편, 이하에서는 본원의 일 실시예에 따른 프로브 카드(이하 '본 프로브 카드'라 함)에 대해 설명한다. 다만, 앞서 살핀 본원의 일 실시예에 따른 상호 접속 구조체에서 설명한 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.Hereinafter, a probe card (hereinafter referred to as "probe card") according to an embodiment of the present invention will be described. However, the same reference numerals are used for the same or similar components as those described in the above-described interconnecting structure according to an embodiment of the present invention, and redundant descriptions will be simplified or omitted.

[06] 도 6은 본원의 일 실시예에 따른 프로브 카드의 개략적인 단면도이고, 도 7은 n 개의 적층체가 개방형인 본원의 일 실시예에 따른 프로브 카드의 개략적인 단면도이다.FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a probe card according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a probe card according to an embodiment of the present invention in which n stacks are open.

[07] 도 6을 참조하면, 본 프로브 카드는, 상술한 본 상호 접속 구조체(1) 복수 개를 포함한다.Referring to FIG. 6, this probe card includes a plurality of the above-described main interconnecting structures 1 described above.

본 상호 접속 구조체(1)에 대한 설명은 전술하였으므로, 상세한 설명은 생략하기로 한다.Since the interconnecting structure 1 has been described above, detailed description thereof will be omitted.

또한, 도 6을 참조하면, 본 프로브 카드는, 복수 개의 본 상호 접속 구조체(1)가 관통 배치되는 플레이트부를 포함한다.6, the probe card includes a plate portion through which a plurality of main interconnecting structures 1 are disposed.

도 6을 참조하면, 플레이트부는 복수 개의 본 상호 접속 구조체 각각의 하부가 상하로 관통 배치되는 제1 적층체(21)를 포함한다.Referring to FIG. 6, the plate portion includes a first stack body 21 in which a lower portion of each of the plurality of main interconnect structures is vertically disposed.

도 6에 나타난 바와 같이, 제1 적층체(21)에는 컨택터(12)의 팁부(121)가 상하로 관통 배치될 수 있다. 이때, 팁부(121)는 그 하단을 하측으로 돌출하며 배치될 수 있다.As shown in FIG. 6, the tip portion 121 of the contactor 12 may be disposed vertically through the first laminate 21. At this time, the tip portion 121 may be arranged to protrude downward from the lower end thereof.

또한, 플레이트부는 복수 개의 본 상호 접속 구조체(1) 각각의 상부가 상하로 관통 배치되는 제2 적층체(24)를 포함한다.In addition, the plate portion includes a second laminate body 24 in which upper portions of each of the plurality of main interconnecting structures 1 are vertically disposed.

도 6에 나타난 바와 같이, 제2 적층체(24)에는 본 상호 접속 구조체(1)의 연결체(11)의 상부(111)가 상하로 관통 배치될 수 있다. 이때, 상부(111) 그 상단을 상측으로 돌출하며 상하로 관통 배치될 수 있다.As shown in FIG. 6, the upper portion 111 of the connecting body 11 of the present interconnecting structure 1 may be vertically penetrated through the second stacked body 24. At this time, the upper end of the upper part 111 may protrude upward and may be vertically disposed.

또한, 플레이트부는, 제1 적층체(21) 및 제2 적층체(24) 사이에 적층되어, 상호 접속 구조체(1)의 적어도 일부가 관통 배치되는 n 개의 적층체(22, 23)를 포함한다.The plate portion includes n stacked bodies 22 and 23 stacked between the first stacked body 21 and the second stacked body 24 so that at least a part of the interconnecting structure 1 is passed through .

예시적으로, n 개의 적층체(22, 23) 각각은 제3 적층체(22) 및 제4 적층체(23)일 수 있다. 또한, 도 6에 나타난 바와 같이, 제3 적층체(22)에는 컨택터(12)의 제1 접촉부(122) 및 하측 단턱부(123)가 관통 배치될 수 있다. 상호 접속 구조체(1)에 하측 방향으로 외력이 가해지면, 하측 단턱부(123)의 하단은 제1 적층체(21) 상면 상에 지지될 수 있다.Illustratively, each of the n stacked bodies 22, 23 may be a third stacked body 22 and a fourth stacked body 23. 6, the first contact portion 122 and the lower step portion 123 of the contactor 12 may be disposed through the third layered body 22. In this case, When an external force is applied to the interconnect structure 1 in the downward direction, the lower end of the lower step portion 123 can be supported on the upper surface of the first stack body 21. [

또한, 제4 적층체(23)에는 연결체(11)의 제2 접촉부(112) 및 상측 단턱부(113)가 관통 배치될 수 있다. 상호 접속 구조체(1)에 상측 방향으로 외력이 가해지면, 상측 단턱부(113)의 상단은 제2 적층체(24)의 하면 상에 지지될 수 있다.The second contact portion 112 and the upper step portion 113 of the connector 11 may be disposed in the fourth stacked body 23. When an external force is applied to the interconnect structure 1 in the upward direction, the upper end of the upper step portion 113 can be supported on the lower surface of the second stack body 24.

또한, 도 6에 나타난 바와 같이, n 개의 적층체(22, 23) 각각은 복수 개의 상호 접속 구조체(1) 각각의 적어도 일부가 관통 배치되는 홀(221, 231) 복수 개를 포함할 수 있다.6, each of the n stacked bodies 22 and 23 may include a plurality of holes 221 and 231 through which at least a part of each of the plurality of interconnecting structures 1 is inserted.

다시 말해, 도 6에 나타난 바와 같이, 제3 적층체(22)은 제1 접촉부(122)가 관통 배치되는 홀(221)을 포함할 수 있다. 또한, 제4 적층체(23)는 제2 접촉부(112)가 관통 배치되는 홀(231) 복수 개를 포함할 수 있다. In other words, as shown in Fig. 6, the third stack body 22 may include a hole 221 through which the first contact portion 122 is disposed. In addition, the fourth stack body 23 may include a plurality of holes 231 through which the second contact portions 112 are disposed.

또는, 다른 구현예로서, 도 7을 참조하면, n 개의 적층체(22, 23) 각각은 복수 개의 상호 접속 구조체(1) 각각의 적어도 일부가 관통 배치되는 하나의 홀(221, 231) 및 하나의 홀(221, 231)의 외주를 따라 형성되는 테두리(222, 232)를 포함할 수 있다.7, each of the n stacks 22, 23 includes one hole 221, 231 through which at least a part of each of the plurality of interconnecting structures 1 is pierced, and one hole 221, 232 formed along the outer periphery of the holes 221,

또한, 제1 적층체(21), 제2 적층체(24) 및 n 개의 적층체(22, 23)는 멤스 공정을 통해 형성될 수 있다. 이에 따라, 마이크로 단위 공차의 제작이 가능하며, 상호 접속 구조체(1)가 미세 피치를 갖더라도, 미세 피치를 갖는 상호 접속 구조체(1)와 결합될 수 있다.In addition, the first laminate 21, the second laminate 24, and the n laminate members 22 and 23 can be formed through a MEMS process. Accordingly, it is possible to manufacture a micro-unit tolerance, and even if the interconnection structure 1 has a fine pitch, it can be combined with the interconnection structure 1 having a fine pitch.

또한, 플레이트부는, 제1 적층체(21), 제2 적층체(24) 및 n 개의 적층체(22, 23) 각각의 사이에 형성되는 접착층을 포함할 수 있다. 접착층은 폴리머 재질로 이루어질 수 있다.Further, the plate portion may include an adhesive layer formed between the first laminate 21, the second laminate 24, and the n laminate members 22, 23, respectively. The adhesive layer may be made of a polymer material.

또한, 본 프로브 카드에 있어서, 제1 적층체(21), 제2 적층체(24) 및 n 개의 적층체(22, 23) 각각의 표면에는 절연 박막이 형성될 수 있다.In this probe card, an insulating thin film may be formed on the surfaces of the first layered product 21, the second layered product 24, and the n laminated layers 22, 23, respectively.

제1 적층체(21), 제2 적층체(24) 및 n 개의 적층체(22, 23) 각각의 표면이라 함은, 제1 적층체(21), 제2 적층체(24) 및 n 개의 적층체(22, 23) 각각의 외면 및 내면을 의미할 수 있다. 이에 따라, 제1 적층체(21), 제2 적층체(24) 및 n 개의 적층체(22, 23)를 관통하며 배치되는 상호 접속 구조체(1)에 전기적 신호가 흐를 때, 전기적 신호가 누설되는 것을 막을 수 있고, 전기적 신호의 전달성을 향상시킬 수 있다.The surface of each of the first layered product 21, the second layered product 24 and the n layered products 22 and 23 includes the first layered product 21, the second layered product 24, May mean the outer surface and inner surface of each of the stacked bodies 22 and 23. [ As a result, when an electrical signal flows through the interconnect structure 1 disposed through the first stack body 21, the second stack body 24, and the n stacked bodies 22, 23, It is possible to prevent the electric signal from being transmitted and improve the electric signal transmission.

이하에서는 본원의 일 실시예에 따른 상호 접속 구조체의 제조 방법(이하 '본 제조 방법'이라 함)에 대해 설명한다. 다만, 앞서 살핀 본원의 일 실시예에 따른 상호 접속 구조체 및 본원의 일 실시예에 따른 프로브 카드에서 설명한 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing an interconnect structure according to an embodiment of the present invention (hereinafter referred to as " the present manufacturing method ") will be described. It should be noted that the same reference numerals are used for the same or similar components as those of the interconnecting structure according to one embodiment of the present invention and the probe card according to one embodiment of the present invention, do.

도 8은 본원의 일 실시예에 따라 컨택터를 형성하는 단계를 설명하기 위한 개략적인 개념도이고, 도 9은 본원의 일 실시예에 따라 전면에 경사면이 형성된 컨택터를 형성하는 단계를 설명하기 위한 개략적인 개념도이다.FIG. 8 is a schematic conceptual view for explaining a step of forming a contactor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a step of forming a contactor having a slope on the front surface according to an embodiment of the present invention FIG.

본 제조 방법은, 컨택터(12)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The manufacturing method may include forming the contactor 12.

도 8의 (a)를 참조하면, 컨택터(12)를 형성하는 단계는, 기판(81)을 준비하는 단계를 포함할 수 있다. 기판(81)은 실리콘 웨이퍼일 수 있다.Referring to Figure 8 (a), the step of forming the contactor 12 may include the step of preparing the substrate 81. The substrate 81 may be a silicon wafer.

또한, 도 8의 (b)를 참조하면, 컨택터(12)를 형성하는 단계는, 시드층(82)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 도 8의 (b)에 나타난 바와 같이, 시드층(82)은 기판(81) 상에 형성될 수 있다.8 (b), the step of forming the contactor 12 may include forming the seed layer 82. As shown in FIG. 8 (b), the seed layer 82 may be formed on the substrate 81.

이에 따라, 후술하는 금속층(84)이 효과적으로 증착될 수 있다. 만약, 시드층(84)이 증착되지 않는다면, 금속층(84)이 기판(81) 상에 증착되기 어렵고, 금속층(84)이 기판(81) 상에 증착된다하더라도, 금속층(84)이 기판(81) 상에 증착되는 중에, 금속층(84)의 적어도 일부가 기판(81)으로부터 분리될 수 있기 때문이다. 따라서, 기판(81) 상에 시드층(82)을 형성하는 단계가 수행됨이 바람직하다. As a result, a metal layer 84 described later can be effectively deposited. If the seed layer 84 is not deposited then the metal layer 84 is difficult to deposit on the substrate 81 and the metal layer 84 is deposited on the substrate 81 , At least a part of the metal layer 84 can be separated from the substrate 81. [ Therefore, it is preferable that a step of forming the seed layer 82 on the substrate 81 is performed.

예시적으로, 시드층(82)은 금 또는 구리 등이 사용될 수 있으며, 시드층(340)은 이베퍼레이션(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 등의 일반적인 반도체 제조 과정에 사용되는 물리적 진공증착법에 의해 형성될 수 있다.For example, the seed layer 82 may be gold or copper, and the seed layer 340 may be formed by a physical vacuum deposition method used in a general semiconductor manufacturing process such as evaporation or sputtering .

또한, 도 8의 (c)를 참조하면, 컨택터(12)를 형성하는 단계는, 기판(81) 상에 컨택터(12)의 형상과 대응되는 패터닝이 된 포토레지스트층(83)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 컨택터(12)의 형상과 대응되는 패터닝이라 함은, 예시적으로, 도 2, 도 4 및 도 5 각각의 (a)에 나타난 컨택터(12)를 길이와 수직한 방향(도 2 참조 2시 8시 방향)으로 절단한 단면의 형상이 패터닝된 것을 의미할 수 있다. 다시 말해, 포토레지스트층(83)은 팁부(121), 하측 단턱부(123) 및 제1 접촉부(122)가 패터닝된 것일 수 있다.8 (c), the step of forming the contactor 12 may include forming a patterned photoresist layer 83 on the substrate 81 that corresponds to the shape of the contactor 12 . The patterning corresponding to the shape of the contactor 12 is exemplified by the patterning of the contactor 12 shown in each of Figs. 2, 4, and 5 in a direction perpendicular to the length (see Fig. 2 8 o'clock direction) may be patterned. In other words, the photoresist layer 83 may be one in which the tip portion 121, the lower step portion 123, and the first contact portion 122 are patterned.

또한, 예시적으로, 기판(81) 상에 전체적으로 포토레지스트층(83)을 증착하고, 그 후, 컨택터(12)의 형상과 대응되는 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광 및 현상 공정을 수행함으로써, 컨택터(12)의 형상과 대응되는 패터닝이 된 포토레지스트층(83)이 형성될 수 있다.Exemplarily, an entire photoresist layer 83 is deposited on the substrate 81, and then an exposure and development process is performed using a mask having a pattern corresponding to the shape of the contactor 12 , A patterned photoresist layer 83 corresponding to the shape of the contactor 12 can be formed.

또한, 도 8의 (d)에 나타난 바와 같이, 컨택터(12)를 형성하는 단계는, 패터닝된 포토레지스트층(83)에 근거하여 금속층(84)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 금속층(84)은 Ni 및 Ni 합금, Au, Cu, Rho 중 하나 이상을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 금속층(84)은 도금 공정, 화학적 기상 증착법(CVD) 및 물리적 기상 증착법(PVD) 중 하나 이상에 의해 형성될 수 있다.8 (d), the step of forming the contactor 12 may include forming the metal layer 84 based on the patterned photoresist layer 83. The metal layer 84 may be made of a material including at least one of Ni and Ni alloys, Au, Cu, and Rho. The metal layer 84 may also be formed by one or more of a plating process, a chemical vapor deposition process (CVD), and a physical vapor deposition process (PVD).

또한, 도 8의 (e)에 나타난 바와 같이, 컨택터(12)를 형성하는 단계는, 금속층(84)을 연마하는 단계를 포함할 수 있다.8 (e), the step of forming the contactor 12 may include polishing the metal layer 84.

금속층(84)을 연마하는 단계는, 금속층(84)이 포토레지스트층(83)의 높이에 대응되게 금속층(84)을 연마할 수 있다. 금속층(84)을 연마하는 단계는, 화학적 기계적 연마(CMP: Chemical Mechanical Polishing) 공정을 이용해 금속층(84)을 연마할 수 있다. 화학적 기계적 연마에 따르면, 금속층(84)의 두께 조절이 가능하다. 이에 따라, 금속층(84)의 두께는 정밀한 값을 가질 수 있다.The step of polishing the metal layer 84 may polish the metal layer 84 so that the metal layer 84 corresponds to the height of the photoresist layer 83. The metal layer 84 may be polished using a chemical mechanical polishing (CMP) process. According to the chemical mechanical polishing, the thickness of the metal layer 84 can be adjusted. Accordingly, the thickness of the metal layer 84 can have a precise value.

금속층(84)의 미리 설정된 두께는, 컨택터(12)의 두께 값을 의미할 수 있다.The predetermined thickness of the metal layer 84 may mean the thickness value of the contactor 12.

또한, 도 8의 (f)에 나타난 바와 같이, 컨택터(12)를 형성하는 단계는, 포토레지스트층(83) 및 기판(81)을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따라, 금속층(84)만 남게될 수 있고, 남게된 금속층(84)은 컨택터(12)가 될 수 있다.8 (f), the step of forming the contactor 12 may include the step of removing the photoresist layer 83 and the substrate 81. Accordingly, only the metal layer 84 can be left, and the remaining metal layer 84 can be the contactor 12.

또한, 포토레지스트층(83) 및 기판(81)을 제거하는 단계에서, 기판(81) 상에 형성된 컨택터(12)는 복수 개 이며, 복수 개의 컨택터(12)는 브릿지 형태로 서로 연결되어 있을 수 있다. 이러한 경우, 포토레지스트층(83) 및 기판(81)을 제거하는 단계는, 브릿지 형태로 서로 연결된 복수 개의 컨택터(12)를 개별적으로 분리할 수 있다.In addition, in the step of removing the photoresist layer 83 and the substrate 81, a plurality of contactors 12 formed on the substrate 81 are connected, and the plurality of contactors 12 are connected to each other in the form of a bridge Can be. In this case, the step of removing the photoresist layer 83 and the substrate 81 may separate the plurality of contactors 12 interconnected with each other in the form of a bridge.

또한, 도 9을 참조하면, 컨택터(12)가 그 전면에 경사면을 갖는 경우, 컨택터를 형성하는 단계는, 기판을 준비하는 단계(도 8의 (a) 및 도 9의 (a) 참조)와 포토레지스트층을 형성하는 단계(도 8의 (c) 및 도 9의 (c) 참조) 사이에, 경사면을 형성하는 단계(도 9의 (b-1) 내지 (b-5) 참조)를 포함할 수 있다.9, when the contactor 12 has an inclined surface on its front surface, the step of forming the contactor includes the steps of preparing the substrate (see FIGS. 8 (a) and 9 (a) (See (b-1) to (b-5) in FIG. 9) between the step of forming a photoresist layer (see FIG. . &Lt; / RTI >

구체적으로, 경사면을 형성하는 단계는, 도 9의 (b-1)에 나타난 바와 같이, 기판(81)에 습식식각 마스크 박막(86)을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.Specifically, the step of forming the inclined surface may include the step of depositing the wet etching mask thin film 86 on the substrate 81, as shown in (b-1) of FIG.

또한, 경사면을 형성하는 단계는, 도 9의 (b-2)에 나타난 바와 같이, 패터닝된 마스크층(87)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.Further, the step of forming the inclined surface may include the step of forming the patterned mask layer 87, as shown in (b-2) of FIG.

또한, 경사면을 형성하는 단계는, 도 9의 (b-3)에 나타난 바와 같이, 패터닝된 마스크층(87)에 근거하여, 습식식각 마스크 박막(86)을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, the step of forming the inclined plane may include patterning the wet etching mask thin film 86 based on the patterned mask layer 87, as shown in (b-3) of FIG.

또한, 경사면을 형성하는 단계는, 도 9의 (b-4)에 나타난 바와 같이, 기판을 이방성 에칭액으로 습식 에칭하는 단계를 포함할 수 있다. 이 단계를 통해, 기판(81)에는 경사면이 형성될 수 있다. 이방성 에칭액은 KOH 용액, IPA 용액 및 TMAH 용액 중 하나 일 수 있다.Further, the step of forming the inclined plane may include a step of wet-etching the substrate with anisotropic etching liquid, as shown in (b-4) of Fig. Through this step, the substrate 81 may be formed with an inclined surface. The anisotropic etchant may be one of a KOH solution, an IPA solution and a TMAH solution.

또한, 경사면을 형성하는 단계는, 도 9의 (b-5)에 나타난 바와 같이, 시드층(82)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, the step of forming the inclined surface may include the step of forming the seed layer 82, as shown in (b-5) of Fig.

이 후, 기판(81) 상에 컨택터(12)의 형상과 대응되는 패터닝이 된 포토레지스트층(83)을 형성하는 단계, 패터닝된 포토레지스트층(83)에 근거하여 금속층(84)을 형성하는 단계, 금속층(84)을 연마하는 단계 및 포토레지스트층(83)과 기판(81)을 제거하는 단계가 수행될 수 있다.Thereafter, a patterned photoresist layer 83 corresponding to the shape of the contactor 12 is formed on the substrate 81, a metal layer 84 is formed on the basis of the patterned photoresist layer 83 A step of polishing the metal layer 84, and a step of removing the photoresist layer 83 and the substrate 81 may be performed.

이에 따라, 전면에 경사면을 갖는 컨택터(12)가 구현될 수 있다. 참고로, 구현되는 컨택터(12)의 제1 접촉부(122)에 경사면이 형성되어야 할 경우, 제1 접촉부(122)가 형성될 영역에 대하여 경사면이 형성될 수 있다.Accordingly, the contactor 12 having the inclined surface on the front surface can be realized. When an inclined surface is to be formed on the first contact portion 122 of the contactor 12 to be implemented, an inclined surface may be formed with respect to an area where the first contact portion 122 is to be formed.

또한, 본 제조 방법은, 연결체(11)를 형성하는 단계를 포함한다. 연결체(11)를 형성하는 단계는, 컨택터(12)를 형성하는 단계와 유사 또는 동일하게 수행될 수 있다. 상세한 설명은 생략한다.In addition, the present manufacturing method includes a step of forming a connecting body 11. The step of forming the connector 11 may be performed in a manner similar to or the same as the step of forming the contactor 12. A detailed description thereof will be omitted.

또한, 본 제조 방법은, 컨택터(12)와 연결체(11)를 접촉시키는 단계를 포함한다. 컨택터(12)와 연결체(11)를 접촉시키는 단계에서, 컨택터(12)와 연결체(11)는 제1 접촉부(122)와 제2 접촉부(112)가 상하 방향을 따라 서로 겹치며 면접촉되게 접촉될 수 있다.In addition, the manufacturing method includes a step of bringing the contactor 12 into contact with the connector 11. The first contact portion 122 and the second contact portion 112 of the contactor 12 and the connector 11 overlap each other along the vertical direction in the step of contacting the contactor 12 with the connector 11, Can be brought into contact with each other.

또한, 본 제조 방법은, 서로 접촉된 컨택터(12)의 제1 접촉부(122)와 연결체(11)의 제2 접촉부의 둘레를 따라 탄성체(13)를 배치하는 단계를 포함할 수 있다.The manufacturing method may also include disposing the elastic body 13 along the periphery of the first contact portion 122 of the contactor 12 and the second contact portion of the connector 11 that are in contact with each other.

이하에서는 본원의 일 실시예에 따른 프로브 카드 제조 방법(이하 '본 제조 방법'이라 함)에 대해 설명한다. 다만, 앞서 살핀 본 상호 접속 구조체, 본 프로브 카드 및 본 상호 접속 구조체에서 설명한 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.Hereinafter, a probe card manufacturing method (hereinafter referred to as 'the present manufacturing method') according to an embodiment of the present invention will be described. It should be noted that the same reference numerals are used for the same or similar components as those described above in connection with the present interconnecting structure, the present probe card, and the present interconnecting structure, and redundant descriptions will be simplified or omitted.

도 10은 본 프로브 카드 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 순서도이고, 도 11은 본원의 일 실시예에 따라 제1 적층체를 형성하는 단계를 설명하기 위한 개략적인 개념도이며, 도 12는 본원의 일 실시예에 따라 제1 적층체 및 n 개의 적층체를 적층하는 단계를 설명하기 위한 개략적인 개념도이고, 도 13은 본원의 일 실시예에 따라 n 개의 적층체 상에 제2 적층체를 적층하는 단계를 설명하기 위한 개략적인 개념도이다.FIG. 10 is a schematic flow chart for explaining the method of manufacturing the probe card, FIG. 11 is a schematic conceptual view for explaining a step of forming a first laminate according to an embodiment of the present invention, and FIG. Fig. 13 is a schematic conceptual view for explaining a step of laminating a first laminate and n laminates according to an embodiment, and Fig. 13 is a view illustrating a step of laminating a second laminate on n laminates according to an embodiment of the present invention Fig.

도 10을 참조하면, 본 제조 방법은, 복수 개의 상호 접속 구조체(1)를 형성하는 단계(S100)를 포함한다. 상호 접속 구조체(1)를 형성하는 단계는 전술한 본원의 일 실시예에 따른 상호 접속 구조체의 제조 방법에 따라 수행될 수 있다.Referring to FIG. 10, the manufacturing method includes forming a plurality of interconnect structures 1 (S100). The step of forming the interconnect structure 1 may be performed according to the above-described method of manufacturing the interconnect structure according to an embodiment of the present invention.

또한, 도 10을 참조하면, 본 제조 방법은, 복수 개의 상호 접속 구조체(1)가 관통 배치되는 플레이트부(S300)를 형성하는 단계를 포함한다. 참고로, 플레이트부를 형성하는 단계는, 전술한 상호 접속 구조체를 형성하는 단계의 이전, 이후, 또는 동시에 수행될 수 있다. 10, the manufacturing method includes forming a plate portion S300 through which a plurality of interconnecting structures 1 are disposed. For reference, the step of forming the plate portion may be performed before, after, or simultaneously with the step of forming the above-described interconnect structure.

플레이트부를 형성하는 단계(S300)는, 복수 개의 상호 접속 구조체(1)의 하부가 상하로 관통 배치되는 제1 적층체(21)를 형성하는 단계, 복수 개의 상호 접속 구조체(1)의 상부가 상하로 관통 배치되는 제2 적층체(24)를 형성하는 단계 및 제1 적층체(21) 및 제2 적층체(24) 사이에 적층되어 복수 개의 상호 접속 구조체(1)의 적어도 일부가 관통 배치되는 n 개의 적층체(22, 23)를 형성하는 단계를 포함한다.The step S300 of forming the plate portion includes the steps of forming a first laminate 21 in which a lower portion of the plurality of interconnecting structures 1 is vertically passed through the upper portion of the plurality of interconnecting structures 1, Forming a second laminate (24) disposed through the first laminate (21) and the second laminate (24) and forming at least a part of the plurality of interconnect structures (1) through the laminate and forming n stacked bodies 22, 23.

본 제조 방법에 의하면, 플레이트부가 제1 적층체(21), 제2 적층체(24) 및 n 개의 적층체(22, 23)의 적층에 의해 형성되는바, 플레이트부에 요구되는 높이가 용이하게 구현될 수 있다. 다시 말해, 플레이트부에 요구되는 높이에 따라, 플레이트부를 구현하는 적층체의 개수가 설정될 수 있다.According to the present manufacturing method, since the plate portion is formed by the lamination of the first laminate 21, the second laminate 24 and the n laminate 22, 23, the height required for the plate portion can be easily Can be implemented. In other words, depending on the height required for the plate portion, the number of the laminate that realizes the plate portion can be set.

또한, 플레이트부를 형성하는 단계(S300)는, 제1 적층체(21), 제2 적층체(24) 및 n 개의 적층체(22, 23) 각각의 표면에 절연 박막(93)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The step of forming the plate portion S300 includes the steps of forming the insulating thin film 93 on the surfaces of the first layered product 21, the second layered product 24 and the n laminated layers 22, 23 . &Lt; / RTI >

보다 구체적으로 설명한다.This will be described more specifically.

[08] 제1 적층체(21)를 형성하는 단계는, 도 11의 (a)에 나타난 바와 같이, 기판(91)을 준비하는 단계를 포함할 수 있다.[08] The step of forming the first layered body 21 may include a step of preparing the substrate 91 as shown in FIG. 11 (a).

[09] 또한, 제1 적층체(21)를 형성하는 단계는, 도 11의 (b)에 나타난 바와 같이, 기판(91)에 복수 개의 상호 접속 구조체(1) 각각의 하부와 대응되는 형상의 홀(95) 복수 개가 패터닝이 된 포토레지스트층(92)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.11 (b), the step of forming the first laminated body 21 is a step of forming the first laminated body 21 on the substrate 91 in a shape corresponding to the lower portion of each of the plurality of interconnecting structures 1 A plurality of holes 95 may be formed to form a patterned photoresist layer 92.

[10] 홀(95)이 상호 접속 구조체(1)의 하부와 대응되는 형상이라는 것은, 홀(95)이 상호 접속 구조체(1)의 하부가 관통 배치되는 형상을 갖는 것을 의미할 수 있다. 참고로, 상호 접속 구조체(1)가 상술한 본 상호 접속 구조체(1)인 경우, 홀(95)은 컨택터(12)의 팁부(121)의 단면의 형상과 대응되는 형상일 수 있다.The shape of the hole 95 corresponding to the lower portion of the interconnecting structure 1 may mean that the hole 95 has a shape in which the lower portion of the interconnecting structure 1 is disposed through the through hole. The hole 95 may have a shape corresponding to the shape of the cross section of the tip portion 121 of the contactor 12. In the case of the present interconnecting structure 1,

[11] 또한, 제1 적층체(21)를 형성하는 단계는, 도 11의 (c)에 나타난 바와 같이, 포토레지스트층(92)에 근거하여 홀(95) 복수 개를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The step of forming the first laminate 21 includes a step of forming a plurality of holes 95 based on the photoresist layer 92 as shown in FIG. can do.

[12] 또한 제1 적층체(21)를 형성하는 단계는, 도 11의 (d)에 나타난 바와 같이, 홀(95) 복수 개가 형성된 기판(91)의 표면에 절연 박막(93)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. The step of forming the first laminate 21 may be performed by forming an insulating thin film 93 on the surface of a substrate 91 on which a plurality of holes 95 are formed as shown in FIG. Step < / RTI >

[13] 절연 박막(93)을 형성하는 단계는, thermal oxidation 및 LPCVD 공정 등을 이용하여 절연 박막(93)을 형성할 수 있으며, 추가적으로 열기화 및 스핀코팅 공정 등을 수행 할 수 있다. 예시적으로, 절연 박막(93)은 실리콘 산화막 또는 질화막일 수 있다. 참고로, 기판(91)의 표면이라 함은, 도 11의 (d)에 나타난 바와 같이, 기판(91)의 외면 및 내면을 의미할 수 있다.In the step of forming the insulating thin film 93, the insulating thin film 93 can be formed by thermal oxidation and LPCVD process, and further, the thermo-oxidation and spin-coating processes can be performed. Illustratively, the insulating thin film 93 may be a silicon oxide film or a nitride film. For reference, the surface of the substrate 91 may mean the outer surface and the inner surface of the substrate 91, as shown in Fig. 11 (d).

[14] 제2 적층체(24)를 형성하는 단계는, 제1 적층체(21)를 형성하는 단계와 유사하게 또는 동일하게 수행될 수 있다. 따라서, 제2 적층체(24)를 형성하는 단계의 설명은 도 11을 이용하여 설명한다.[14] The step of forming the second laminate 24 may be performed similarly or in the same manner as the step of forming the first laminate 21. Therefore, the description of the step of forming the second laminate 24 will be described with reference to Fig.

[15] 다만, 제1 적층체(21)를 형성하는 과정 중에 형성되는 홀(95)은 컨택터(12)의 팁부(121)의 단면의 형상과 대응되고, 제2 적층체(24)를 형성하는 과정 중에 형성되는 홀(95)은 연결체(11)의 상부(111)의 단면의 형상과 대응되는바, 제1 적층체(21)를 형성하는 과정 중에 형성되는 홀(95)과 제2 적층체(24)를 형성하는 과정 중에 형성되는 홀(95)의 형상은 다를 수 있다.However, the holes 95 formed in the process of forming the first laminate 21 correspond to the shape of the end face of the tip portion 121 of the contactor 12, and the second laminate 24 The holes 95 formed during the formation process correspond to the shape of the cross section of the upper portion 111 of the connection body 11 and the holes 95 formed during the process of forming the first layered product 21, 2 The shape of the hole 95 formed during the process of forming the layered body 24 may be different.

[16] 도 11의 (a)를 참조하면, 기판(91)을 준비하는 단계를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11 (a), a step of preparing the substrate 91 may be included.

[17] 또한, 제2 적층체(24)를 형성하는 단계는, 도 11의 (b)를 참조하면, 기판(91)에 복수 개의 상호 접속 구조체(1) 각각의 상부와 대응되는 형상의 홀(95) 복수 개가 패터닝이 된 포토레지스트층(92)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.11 (b), the step of forming the second layered product 24 may be performed by forming a plurality of holes (not shown) corresponding to the upper portions of the plurality of interconnecting structures 1 on the substrate 91, (95) a plurality of patterned photoresist layers (92).

[18] 예시적으로, 상호 접속 구조체(1)가 상술한 본 상호 접속 구조체(1)인 경우, 이 단계에서 형성되는 홀(95)은 연결체(11)의 상부(111)와 대응되는 형상일 수 있다.Illustratively, when the interconnecting structure 1 is the main interconnecting structure 1 described above, the holes 95 formed in this step are formed in a shape corresponding to the top 111 of the interconnecting body 11 Lt; / RTI >

[19] 또한, 제2 적층체(24)를 형성하는 단계는, 도 11의 (c)를 참조하면, 포토레지스트층(92)에 근거하여 복수 개의 홀(95)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.11 (c), the step of forming the second laminate 24 includes a step of forming a plurality of holes 95 based on the photoresist layer 92 .

[20] 또한 제2 적층체(24)를 형성하는 단계는, 도 11의 (d)를 참조하면, 홀(95) 복수 개가 형성된 기판(91)의 표면에 절연 박막(93)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.11 (d), a step of forming an insulating thin film 93 on the surface of a substrate 91 on which a plurality of holes 95 are formed is performed in the step of forming the second laminate 24, . &Lt; / RTI >

[21] 또한, n 개의 적층체를 형성하는 단계는, n 개의 적층체 중 하나의 적층체(22)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.[21] In addition, the step of forming the n stacked layers may include the step of forming one of the n stacked layers 22.

[22] 하나의 적층체(22)를 형성하는 단계는, 기판을 준비하는 단계, 기판에 하나의 적층체에 관통 배치되는 상기 복수 개의 상호 접속 구조체 각각의 적어도 일부와 대응되는 형상의 홀 복수 개가 패터닝이 된 포토레지스트층을 기판 상에 형성하는 단계, 포토레지스트층에 근거하여 홀 복수 개를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.[22] The step of forming one laminate 22 includes the steps of preparing a substrate, arranging a plurality of holes each having a shape corresponding to at least a part of each of the plurality of interconnecting structures disposed through the one laminate on the substrate Forming a patterned photoresist layer on the substrate, and forming a plurality of holes based on the photoresist layer.

[23] 또한, 하나의 적층체를 형성하는 단계는, 홀 복수 개가 형성된 기판의 표면에 절연 박막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이와 같은 하나의 적층체를 형성하는 단계는, 상술한 제1 적층체(21)를 형성하는 단계와 유사 또는 동일할 수 있다.Also, the step of forming one laminate may include forming an insulating thin film on the surface of the substrate on which a plurality of holes are formed. The step of forming such a laminate may be similar to or the same as the step of forming the first laminate 21 described above.

[24] 또한, n 개의 적층체를 형성하는 단계는, 다른 적층체(23)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 다른 적층체(23)를 형성하는 단계는, 하나의 적층체를 형성하는 단계와 유사하게 수행될 수 있다.[24] In addition, the step of forming the n stacked bodies may include the step of forming another stacked body 23. The step of forming another laminate 23 may be performed similarly to the step of forming one laminate.

[25] 또한, 도 10을 참조하면, 본 제조 방법은, 상호 접속 구조체(1)와 플레이트부를 결합하는 단계(S500)를 포함한다.Referring to FIG. 10, the manufacturing method includes a step S500 of joining the interconnecting structure 1 and the plate portion.

[26] 이와 같이, 복수 개의 상호 접속 구조체(1) 및 플레이트부가 형성되면, 상호 접속 구조체(1)와 플레이트부를 결합하는 단계가 수행될 수 있다.As described above, when a plurality of interconnecting structures 1 and plate portions are formed, a step of joining the interconnecting structures 1 and the plate portions can be performed.

[27] 예시적으로, 제1 적층체(21), 제2 적층체(24) 및 n 개의 적층체(22, 23) 각각이 상호 접속 구조체(1)가 관통 배치되는 홀(95) 복수 개를 포함하는 경우, 상호 접속 구조체(1)와 플레이트부를 결합하는 단계는 이하와 같이 수행될 수 있다.Illustratively, each of the first stacked body 21, the second stacked body 24, and the n stacked bodies 22, 23 has a plurality of holes 95 through which the interconnecting structures 1 are inserted , The step of joining the interconnecting structure 1 and the plate portion may be carried out as follows.

[28] 도 12의 (a)를 참조하면, 제1 적층체(21) 및 n 개의 적층체(22, 23)를 각각에 형성된 복수 개의 홀(95)이 상하 방향으로 서로 겹치도록, 상하로 적층할 수 있다. 참고로, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 달리, 제1 적층체(21), 제2 적층체(24) 및 n 개의 적층체(22, 23) 각각의 홀(95)의 단면의 형상은 서로 다를 수 있다.12 (a), a plurality of holes 95 formed in each of the first stack body 21 and the n stacked bodies 22, 23 are vertically overlapped with each other in the vertical direction Can be stacked. 12 and 13, the shape of the cross section of the hole 95 of each of the first laminate 21, the second laminate 24 and the n laminate 22, 23 is May be different.

[29] 또한, 제1 적층체(21) 및 n 개의 적층체(22, 23)는, 고온 고압 방식의 폴리머 본딩 공정에 의해 적층 및 접합될 수 있다.The first stack body 21 and the n stacked bodies 22 and 23 can be laminated and bonded by a polymer bonding process at a high temperature and a high pressure.

[30] 도 12의 (b)에 나타난 바와 같이, 적층된 제1 적층체(21) 및 n 개의 적층체(22, 23)를 복수 개의 홀(95)이 서로 분리되도록, 격벽을 따라 절단하여 블록 플레이트 복수 개를 형성할 수 있다.12 (b), the stacked first layered product 21 and the n stacked layers 22, 23 are cut along the partition so that the plurality of holes 95 are separated from each other A plurality of block plates can be formed.

[31] 이러한 절단은 다이싱 공정 또는 브릿지 방식에 의해 수행될 수 있다.This cutting can be performed by a dicing process or a bridging process.

[32] 또한, 형성된 복수 개의 블록 플레이트 각각에 상호 접속 구조체 각각을 관통 배치시킬 수 있다.In addition, each of the interconnect structures may be disposed through each of the plurality of formed block plates.

[33] 또한, 도 13을 참조하면(참고로, 도 13에는 상호 접속 구조체(1)의 도시가 생략되었음), 상호 접속 구조체가 배치된 복수 개의 블록 플레이트를 정렬할 수 있다. 예시적으로, 블록 플레이트는, 각각에 배치된 상호 접속 구조체가 바둑판 형상으로 정렬되도록, 배열될 수 있다. 이와 같이, 정렬된 상호 접속 구조체의 상부에 제2 적층체(24)가 거치되도록, 복수 개의 블록 플레이트 상에 제2 적층체(24)가 적층될 수 있다.13, the plurality of block plates on which the interconnect structures are disposed can be aligned (see, for example, FIG. 13, the illustration of the interconnect structure 1 is omitted). Illustratively, the block plates can be arranged so that the interconnect structures disposed in each are arranged in a checkered pattern. Thus, the second laminate 24 may be laminated on the plurality of block plates so that the second laminate 24 is mounted on top of the aligned interconnect structure.

[34] 제2 적층체(24)는 상술한 고온 고압 방식의 폴리머 본딩 공정에 의해 n 개의 적층체(22, 23) 상에 적층 및 접합될 수 있다. 또한, 제2 적층체(24)는 고정 볼트 또는 에폭시에 의해 n 개의 적층체(22, 23) 상에 고정될 수 있다.The second layered product 24 can be laminated and bonded onto the n stacked layers 22, 23 by the above-described high-temperature high-pressure type polymer bonding process. Further, the second laminate 24 can be fixed on the n stacked bodies 22, 23 by fixing bolts or epoxy.

전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.It will be understood by those of ordinary skill in the art that the foregoing description of the embodiments is for illustrative purposes and that those skilled in the art can easily modify the invention without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

1: 상호 접속 구조체 11: 연결체
111: 상부 112: 제2 접촉부
113: 상측 단턱부 12: 컨택터
121: 팁부 122: 제1 접촉부
123: 하측 단턱부 13: 탄성체
21: 제1 적층체 22: 제3 적층체
221: 홀 222: 테두리
23: 제4 적층체 231: 홀
232: 테두리 24: 제2 적층체
81: 기판 82: 시드층
83: 포토레지스트층 84: 금속층
86: 습식식각 마스크 박막 87: 마스크층
91: 기판 92: 포토레지스트층
93: 절연 박막 95: 홀1: Interconnection structure 11:
111: upper portion 112: second contact portion
113: upper step portion 12: contactor
121: tip portion 122: first contact portion
123: lower step portion 13:
21: first laminate 22: third laminate
221: hole 222: rim
23: fourth laminate 231: hole
232: rim 24: second laminate
81: substrate 82: seed layer
83: photoresist layer 84: metal layer
86: wet etching mask thin film 87: mask layer
91: substrate 92: photoresist layer
93: insulated thin film 95: hole

Claims

In the interconnect structure,
A contactor including a tip portion in contact with the connection object and a first contact portion extending upward from the tip portion;
A connecting body including a second contact portion which is in surface contact with the first contact portion of the contactor and overlaps with the first contact portion in a vertical direction and an upper portion that extends upward from the second contact portion; And
And an elastic body disposed to surround the first contact portion of the contactor and the second contact portion of the connector,
Wherein each of the contactor and the connector is fabricated through a MEMS process wherein the tip of the contactor and the upper portion of the connector are formed in a planar shape on the front surface and the rear surface, 2 When the contacts are in face-to-face contact, the cross-section is rectangular.

The method according to claim 1,
Wherein the first contact portion is formed with an inclined surface having an inclination angle in the thickness direction along the longitudinal direction,
Wherein the second contact is shaped to be symmetrical to the first contact of the contactor.

3. The method of claim 2,
Wherein at least a part of the inclined surfaces of the first contact portion is recessed in the thickness direction thereof,
Wherein the second contact is shaped to be symmetrical to the first contact of the contactor.

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In the probe card,
A plurality of interconnect structures according to claim 1;
And a plate portion through which the plurality of interconnecting structures are disposed,
Wherein the plate portion includes a first laminate in which a lower portion of each of the plurality of interconnecting structures is vertically disposed, a second laminate in which upper portions of the plurality of interconnecting structures are vertically penetrated, And n stacked bodies stacked between the first and second stacked bodies, wherein at least a part of each of the plurality of interconnecting structures is disposed through the stacked body.

6. The method of claim 5,
And each of the n stacked bodies includes a plurality of holes through which at least a part of each of the plurality of interconnecting structures is disposed.

6. The method of claim 5,
Wherein each of the n stacks includes one hole through which at least a part of each of the plurality of interconnecting structures is disposed and a rim formed along the periphery of the one hole.

6. The method of claim 5,
Wherein the n stacked bodies are a third stacked body and a fourth stacked body,
Wherein the tip portion is disposed through the first laminate, the upper portion is disposed through the second laminate, the first contact portion is disposed through the third laminate, and the second laminate has the second portion Wherein the contact portion is disposed through the probe card.

A method of manufacturing an interconnect structure according to claim 1,
Forming the contactor;
Forming the connector;
Contacting the contactor with the connector so that the first contact portion and the second contact portion overlap each other along a vertical direction and are in surface contact;
And disposing an elastic body along the periphery of the first contact portion of the contactor and the second contact portion of the connector in contact with each other.

10. The method of claim 9,
Wherein forming the contactor comprises:
Preparing a substrate;
Forming a patterned photoresist layer on the substrate corresponding to the shape of the contactor;
Forming a metal layer based on the patterned photoresist layer; And
And removing the photoresist layer and the substrate.

11. The method of claim 10,
Between the step of preparing the substrate and the step of forming the photoresist layer on the substrate,
And forming a seed layer on the substrate.

11. The method of claim 10,
Between the step of forming the metal layer and the step of removing the photoresist layer and the substrate,
And polishing the metal layer.

11. The method of claim 10,
When the contactor has an inclined surface on its front surface,
Further comprising forming an inclined surface between the step of preparing the substrate and the step of forming the photoresist layer,
Wherein the step of forming the inclined surface comprises:
Depositing a wet etch mask thin film on the substrate;
Forming a patterned mask layer;
Patterning the wet etch mask thin film based on the patterned mask layer;
And wet etching the substrate with an anisotropic etchant.

In the probe card manufacturing method,
Forming a plurality of interconnect structures by the method of claim 9;
Forming a plate portion through which the plurality of interconnecting structures are disposed; And
Coupling the plurality of interconnect structures and the plate portion,
The step of forming the plate portion includes:
Forming a first laminate in which a lower portion of the plurality of interconnecting structures is vertically disposed;
Forming a second laminate in which upper portions of the plurality of interconnecting structures are vertically disposed; And
And forming n stacked bodies stacked between the first stacked body and the second stacked body so that at least a part of the plurality of interconnected structures is arranged to pass through.

15. The method of claim 14,
Wherein forming the first laminate comprises:
Preparing a substrate;
Forming a photoresist layer patterned on the substrate with a plurality of holes each having a shape corresponding to a lower portion of each of the plurality of interconnect structures;
And forming the plurality of holes based on the photoresist layer.

15. The method of claim 14,
Wherein forming the second laminate comprises:
Preparing a substrate;
Forming a photoresist layer patterned on the substrate with a plurality of holes each having a shape corresponding to an upper portion of each of the plurality of interconnect structures;
And forming the plurality of holes based on the photoresist layer.

15. The method of claim 14,
Wherein forming the n stacks comprises:
Forming a stack of one of said n stacks,
Wherein the forming of the one laminate comprises:
Preparing a substrate;
Forming a photoresist layer on the substrate patterned with a plurality of holes each having a shape corresponding to at least a portion of each of the plurality of interconnecting structures disposed through the one stacked body;
And forming the plurality of holes based on the photoresist layer.

15. The method of claim 14,
Wherein forming the n stacks comprises:
Forming a stack of one of said n stacks,
Wherein the forming of the one laminate comprises:
Preparing a substrate;
And forming a hole through which the plurality of interconnecting structures are disposed on the substrate.

15. The method of claim 14,
Wherein the step of joining the interconnecting structure and the plate portion comprises:
Stacking the first stacked body and the n stacked bodies vertically so that the plurality of holes formed in each of the first stacked body and the n stacked bodies overlap each other in a vertical direction;
Cutting the laminated first laminate and the n laminated bodies along a partition wall formed between the plurality of holes to form a plurality of block plates; And
Disposing the interconnecting structure in each of the plurality of block plates;
Stacking the second laminate on the plurality of block plates such that the plurality of block plates on which the interconnect structure is disposed are aligned and the second laminate is mounted on the aligned interconnect structure, Wherein the probe card comprises a probe card.

15. The method of claim 14,
Wherein the step of forming the plate portion further comprises forming an insulating thin film on the surfaces of the first laminate, the second laminate and the n laminated bodies.