KR101667632B1 - Fringe field switchiig liquid crystal display device and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 프린지 필드 스위칭 방식(Fringe Field Switching; FFS) 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 방식 액정표시장치는, 투명기판 상에 서로 수직 교차되게 형성된 게이트라인과 데이터라인; 상기 게이트라인에서 분기된 게이트전극과, 이 게이트전극 상부에 형성된 게이트절연막, 액티브층패턴 및 상기 액티브층패턴 상에 형성되고 채널영역만큼 이격된 소스전극과 드레인전극으로 구성된 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 연결된 화소전극; 상기 박막트랜지스터와 화소전극 상부에 형성된 보호막; 및 상기 보호막 상에 형성되고, 상기 화소전극 상부, 및 상기 게이트라인과 화소전극 사이에 다수 개의 슬릿을 가지는 공통전극을 구비한 공통전극배선;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fringe field switching (FFS) liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, wherein a fringe field switching type liquid crystal display device includes a gate line formed on a transparent substrate, A data line; A gate electrode formed on the gate line, a gate insulating film formed on the gate electrode, an active layer pattern, and a source electrode and a drain electrode formed on the active layer pattern and spaced apart from each other by a channel region; A pixel electrode connected to a drain electrode of the thin film transistor; A protective film formed on the thin film transistor and the pixel electrode; And a common electrode line formed on the passivation layer and having a common electrode having a plurality of slits between the pixel electrode and the gate line and the pixel electrode.

프린지 필드 스위칭, 화소전극, 공통전극, 슬릿, 보호막 Fringe field switching, pixel electrode, common electrode, slit, shield

Description

프린지 필드 스위칭 방식 액정표시장치 및 그 제조방법{FRINGE FIELD SWITCHIIG LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a liquid crystal display device,

본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 프린지 필드 스위칭 방식의 액정표시장치에서 게이트라인 인접 관계를 안정화시켜 투과율을 개선하고자 한 프린지 필드 스위칭 방식(Fringe Field Switching; FFS) 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a fringe field switching (FFS) method for stabilizing a gate line adjacency in a fringe field switching type liquid crystal display device, To a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

일반적으로 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극 성질을 이용한다. 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.Generally, the driving principle of a liquid crystal display device utilizes the optical anisotropy and polarization properties of a liquid crystal. Liquid crystals are narrow and long in structure, so they have a directionality in the arrangement of molecules and can control the direction of the molecular arrangement by artificially applying an electric field to the liquid crystal.

따라서, 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 영상을 표시할 수 있다.Accordingly, when the direction of the molecular alignment of the liquid crystal is arbitrarily adjusted, the molecular arrangement of the liquid crystal is changed, and light is refracted in the molecular alignment direction of the liquid crystal due to optical anisotropy.

액정표시장치는 공통전극이 형성된 컬러필터기판과 화소전극이 형성된 어레이기판과, 두 기판 사이에 충진된 액정으로 이루어진다. 이와 같은 액정표시장치에서는, 공통전극과 화소전극 사이에서 상하로 인가되는 전기장에 의해 액정이 구동 된다.The liquid crystal display device comprises a color filter substrate on which a common electrode is formed, an array substrate on which pixel electrodes are formed, and liquid crystal filled between the two substrates. In such a liquid crystal display device, the liquid crystal is driven by the electric field applied up and down between the common electrode and the pixel electrode.

그러나, 상하로 인가되는 전기장에 의한 액정구동은, 시야각 특성이 우수하지 못한 단점을 가지고 있기 때문에, 이와 같은 단점을 해결하기 위해 제안된 기술이 횡전계 방식의 액정표시장치이다.However, liquid crystal driving by the electric field applied in the vertical direction has a disadvantage that the viewing angle characteristic is not excellent. Therefore, a liquid crystal display device of the transverse electric field system is proposed as a technique for solving such disadvantages.

이 횡전계 방식 액정표시장치는 어레이기판 상에 서로 이격된 화소전극과 공통전극이 위치하여 기판면에 평행한 횡전계를 형성하는 장치이다.This transverse electric field type liquid crystal display device is a device for forming a transverse electric field parallel to a substrate surface by placing pixel electrodes and common electrodes spaced apart from each other on an array substrate.

그런데, 이 횡전계 방식의 액정표시장치는 휘도가 저하되는 단점을 가지고 있기 때문에, 이러한 횡전계 방식의 액정표시장치의 위와 같은 단점을 해결하기 위해 제안된 기술이 프린지 필드 스위칭방식 액정표시장치이다.However, since the liquid crystal display device of the transverse electric field system has the disadvantage that the luminance is lowered, the proposed technique is a fringe field switching type liquid crystal display device in order to solve the drawbacks of the liquid crystal display device of the transverse electric field system.

이러한 기존의 프린지 필드 스위칭방식 액정표시장치에 대해 도 1 및 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.The conventional fringe field switching type liquid crystal display device will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.

도 1은 종래기술에 따른 프린지 필드 스위칭방식 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a conventional fringe field switching type liquid crystal display device.

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도로서, 공통전극배선에서 분기된 다수 개의 공통전극들의 상태를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view taken along a line II-II in FIG. 1, and is a cross-sectional view showing a state of a plurality of common electrodes branched from a common electrode line.

종래기술에 따른 프린지 필드 스위칭방식 액정표시장치는, 도 1 및 2에 도시된 바와 같이, 어레이기판(11) 상에 상기 투명한 어레이기판(11) 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(13)과 데이터라인(21)이 형성되어 있으며, 상기 게이트라인(13)과 데이터라인(21)의 교차영역에는 스위칭소자인 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있다.1 and 2, a fringe field switching type liquid crystal display device according to the prior art is provided with a gate line (not shown) which is arranged on the transparent array substrate 11 on the array substrate 11 vertically and horizontally to define a pixel region 13 and a data line 21 are formed on the gate line 13. A thin film transistor T serving as a switching element is formed in a crossing region between the gate line 13 and the data line 21. [

여기서, 상기 박막트랜지스터(T)는 상기 게이트라인(13)에 연결된 게이트전극(13a), 상기 데이터라인(21)에 연결된 소스전극(21a) 및 이 화소전극(19)에 연결된 드레인전극(21b)으로 구성된다.The thin film transistor T includes a gate electrode 13a connected to the gate line 13, a source electrode 21a connected to the data line 21 and a drain electrode 21b connected to the pixel electrode 19, .

또한, 상기 박막트랜지스터(T)는 상기 게이트전극(13a)과 소스전극(21a) 및 드레인전극(21b)사이의 절연을 위한 게이트절연막(15) 및 상기 게이트전극(13a)에 공급되는 게이트 전압에 의해 상기 소스전극(21a)과 드레인전극(21b) 사이에 전도 채널(conductive channel)을 형성하는 액티브패턴(17)을 포함한다.The thin film transistor T has a gate insulating film 15 for insulation between the gate electrode 13a and the source electrode 21a and the drain electrode 21b and a gate insulating film 15 for insulating the gate electrode 13a from the gate electrode 13a. And an active pattern 17 which forms a conductive channel between the source electrode 21a and the drain electrode 21b.

그리고, 상기 화소영역 내에는 박스 형태의 공통전극배선(25)과 화소전극 (19)이 형성되어 있다. 이때, 상기 공통전극배선(25)은 상기 화소전극(19)과 프린지 필드(fringe field)를 발생시키기 위해 상기 화소전극(19) 내에 다수 개의 공통전극(25a)이 분기되어 있다. 또한, 상기 화소전극(19) 에는 상기 공통전극(25a)들에 의해 다수의 슬릿(slit)이 형성된다. 이때, 도 2의 "A"와 같이, 상기 공통전극 (25a)들은 상기 화소전극(19) 내에 형성되어 있어, 게이트라인(13)과 화소전극(19) 사이에는 슬릿 (slit)이 형성되지 않게 된다.In the pixel region, a box-shaped common electrode wiring 25 and a pixel electrode 19 are formed. At this time, the common electrode line 25 is divided into a plurality of common electrodes 25a in the pixel electrode 19 so as to generate a fringe field with the pixel electrode 19. In addition, a plurality of slits are formed in the pixel electrode 19 by the common electrodes 25a. 2, the common electrodes 25a are formed in the pixel electrode 19, and a slit is not formed between the gate line 13 and the pixel electrode 19. In this case, do.

또한, 상기 화소전극(19)은 상기 드레인전극(21b)과 전기적으로 접속되어 있다.The pixel electrode 19 is electrically connected to the drain electrode 21b.

그러나, 종래기술에 따른 프린지 필드방식 액정표시장치에 의하면 다음과 같은 문제점이 있다.However, the conventional fringe field type liquid crystal display device has the following problems.

종래기술에 따른 프린지 필드방식 액정표시장치는, 시야각이 160 도 정도로 넓은 장점을 가지고 있으나, 일반적인 프린지 필드방식 액정표시장치의 경우에는 화소전극 내에 형성된 슬릿(slit)이 공통전극과 대응하는 영역에만 형성됨에 따라 데이터라인 및 게이트라인과 인접한 영역에는 프린지 필드(fringe field)가 형성되지 않아 투과율이 저하되는 문제점이 있다. 즉, 화소전극에 형성된 슬릿이 공통전극과 대응되는 영역에만 형성되어 있어, 이 대응되는 영역 이외에는 프린지 필드가 형성되지 않고, 대응되는 영역의 외곽에서는 인접 전계의 영향으로 필드가 왜곡되는 현상이 발생하여 투과율이 저하된다.The conventional fringe field type liquid crystal display device has a wide viewing angle of about 160 degrees. However, in a general fringe field type liquid crystal display device, a slit formed in the pixel electrode is formed only in a region corresponding to the common electrode A fringe field is not formed in a region adjacent to the data line and the gate line according to the conventional method. In other words, since the slits formed in the pixel electrodes are formed only in the regions corresponding to the common electrodes, fringe fields are not formed in the regions other than the corresponding regions, and the field is distorted due to the influence of the adjacent electric field at the periphery of the corresponding region The transmittance is lowered.

이에 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 프린지 필드 방식 액정표시장치에서 게이트라인 인접 전계를 안정시켜 투과율을 개선시킬 수 있는 프린지 필드 방식 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a fringe field type liquid crystal display device capable of improving transmittance by stabilizing a gate- And a manufacturing method thereof.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치는, 투명기판 상에 서로 수직 교차되게 형성된 게이트라인과 데이터라인; 상기 게이트라인에서 분기된 게이트전극과, 이 게이트전극 상부에 형성된 게이트절연막, 액티브층패턴 및 상기 액티브층패턴 상에 형성되고 채널영역만큼 이격된 소스전극과 드레인전극으로 구성된 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 연결된 화소전극; 상기 박막트랜지스터와 화소전극 상부에 형성된 보호막; 및 상기 보호막 상에 형성되고, 상기 화소전극 상부, 및 상기 게이트라인과 화소전극 사이에 다수 개의 슬릿을 가지는 공통전극을 구비한 공통전극배선;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a fringe field type liquid crystal display device including: a gate line and a data line formed on a transparent substrate so as to cross each other; A gate electrode formed on the gate line, a gate insulating film formed on the gate electrode, an active layer pattern, and a source electrode and a drain electrode formed on the active layer pattern and spaced apart from each other by a channel region; A pixel electrode connected to a drain electrode of the thin film transistor; A protective film formed on the thin film transistor and the pixel electrode; And a common electrode line formed on the passivation layer and having a common electrode having a plurality of slits between the pixel electrode and the gate line and the pixel electrode.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 프린지 필드방식 액정표시장치 제조방법은, 투명기판 상에 게이트라인을 형성하는 단계; 상기 게이트라인을 포함한 투명기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 상에 화소전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극 상부의 게이트절연막 상에 액티브층패턴을 형성하는 단계; 상기 액티브층패턴 상에 소스전극과, 상기 화소전극과 연결되는 드레인전극을 형성하는 단계; 상기 소스전극과 드레인전극을 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막 상에 상기 화소전극 상부, 및 상기 게이트라인과 화소전극 사이에 다수 개의 슬릿을 가지는 공통전극을 구비한 공통전극배선을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a fringe field type liquid crystal display device, including: forming a gate line on a transparent substrate; Forming a gate insulating film on the entire surface of the transparent substrate including the gate line; Forming a pixel electrode on the gate insulating film; Forming an active layer pattern on the gate insulating film over the gate electrode; Forming a source electrode on the active layer pattern and a drain electrode connected to the pixel electrode; Forming a protective film on the entire surface of the substrate including the source electrode and the drain electrode; And forming a common electrode line on the protective film, the common electrode line having a plurality of slits on the pixel electrode and between the gate line and the pixel electrode.

본 발명에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치 및 그 제조방법에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.The fringe field type liquid crystal display device and the manufacturing method thereof according to the present invention have the following effects.

본 발명에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치 및 그 제조방법은, 공통전극배선에서 분기된 다수 개의 공통전극 일부분을 분리하여 게이트라인에 인가되는 게이트전압에 의한 전계 왜곡을 안정시킴으로써, 게이트라인과 인접하는 러빙 디스클리네이션(rubbing disclination) 영역을 최소화하여 블랙매트릭스 설계 마진 (margin)을 줄일 수 있으므로 투과율을 개선시킬 수 있다. A fringe field type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to the present invention are a method of manufacturing a fringe field type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same by separating a part of a plurality of common electrodes branched from a common electrode wiring line to stabilize electric field distortion caused by a gate voltage applied to the gate line The black matrix design margin can be reduced by minimizing the rubbing disclination area, thereby improving the transmittance.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a fringe field type liquid crystal display according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭방식 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.3 is a plan view schematically illustrating a fringe field switching type liquid crystal display device according to the present invention.

도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선에 따른 단면도로서, 공통전극배선에서 분기된 다수 개의 공통전극들 중 일부가 분리된 상태를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV in FIG. 3, and is a cross-sectional view showing a state in which a part of a plurality of common electrodes branched from a common electrode line are separated.

본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭방식 액정표시장치는, 도 3 및 4에 도시된 바와 같이, 어레이기판(101) 상에 상기 투명한 어레이기판(101) 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(103)과 데이터라인(121)이 형성되어 있으며, 상기 게이트라인(103)과 데이터라인(121)의 교차영역에는 스위칭소자인 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있다.3 and 4, the fringe field switching type liquid crystal display device according to the present invention includes a gate line (not shown) arranged on the array substrate 101 on the transparent array substrate 101, And a thin film transistor T as a switching element is formed in a region where the gate line 103 and the data line 121 cross each other.

여기서, 상기 박막트랜지스터(T)는 상기 게이트라인(103)에 연결된 게이트전극(103a), 상기 데이터라인(121)에 연결된 소스전극(121a) 및 이 화소전극(109)에 연결된 드레인전극(121b)으로 구성된다.The thin film transistor T includes a gate electrode 103a connected to the gate line 103, a source electrode 121a connected to the data line 121 and a drain electrode 121b connected to the pixel electrode 109, .

또한, 상기 박막트랜지스터(T)는 상기 게이트전극(103a)과 소스전극(121a) 및 드레인전극(121b)사이의 절연을 위한 게이트절연막(105) 및 상기 게이트전극 (103a)에 공급되는 게이트 전압에 의해 상기 소스전극(121a)과 드레인전극(121b) 사이에 전도 채널(conductive channel)을 형성하는 액티브패턴(107)을 포함한다.The thin film transistor T has a gate insulating film 105 for insulation between the gate electrode 103a and the source electrode 121a and the drain electrode 121b and a gate insulating film 105 for a gate voltage supplied to the gate electrode 103a And an active pattern 107 which forms a conductive channel between the source electrode 121a and the drain electrode 121b.

그리고, 상기 화소영역 내에는 박스 형태의 공통전극배선(125)과 화소전극 (109)이 형성되어 있다. 이때, 상기 공통전극배선(125)은 상기 화소전극(109)과 프린지 필드(fringe field)를 발생시키기 위해 상기 화소전극(109) 내에 다수 개의 공통전극(125a)들이 분기되어 있다. 이때, 상기 화소전극(109) 내에는 상기 공통전극(125a)들에 의해 다수의 슬릿(slit)이 형성된다. 또한, 도 4의 "B"와 같이, 상기 공통전극(125a)들 중 일부는 공통전극배선(125)에서 분리 형성되어 있어, 상기 게이트라인(103)과 화소전극(109) 사이에는 슬릿(slit)이 형성되어 있어, 프린지 필드(fringe field)가 생성된다.A box-shaped common electrode wiring 125 and a pixel electrode 109 are formed in the pixel region. At this time, the common electrode line 125 is divided into a plurality of common electrodes 125a in the pixel electrode 109 so as to generate a fringe field with the pixel electrode 109. Referring to FIG. At this time, a plurality of slits are formed in the pixel electrode 109 by the common electrodes 125a. 4, part of the common electrode 125a is formed separately from the common electrode wiring 125, and a slit (not shown) is formed between the gate line 103 and the pixel electrode 109, Is formed, and a fringe field is generated.

이러한 구성으로 이루어진 본 발명에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치는 공통전극(125a)에 0V 전압을 인가하고, 게이트전압을 - 10V 전압을 인가하였을때, 기존의 구조에 대비하여 공통전극배선(125a)의 일부분이 분리시켜 형성된 공통전극 구조가 공통전극배선 사이에서 프린지 필드가 형성되어 디스클리네이션 (disclination)이 형성되는 것을 상쇄시킨다.In the fringe field type liquid crystal display device according to the present invention having such a structure, when a voltage of 0V is applied to the common electrode 125a and a voltage of -10V is applied to the common electrode 125a, the common electrode wiring 125a, The common electrode structure in which a part of the common electrode structure is formed by separating off the fringing field is formed between the common electrode wirings to cancel the formation of disclination.

따라서, 공통전극배선으로 부터 공통전극을 분리 형성함으로 인해, 게이트라인 전압에 의한 전계 왜곡을 안정시킴으로써, 게이트라인과 인접된 러빙 디스클리네이션 영역을 최소화하여 블랙매트릭스 설계 마진을 줄일 수 있어 투과율을 개선시킬 수 있게 된다.Thus, by separating the common electrode from the common electrode wiring, the field distortion caused by the gate line voltage is stabilized, thereby minimizing the rubbing destruction region adjacent to the gate line, thereby reducing the black matrix design margin and improving the transmittance .

상기 구성으로 이루어지는 본 발명에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치 제조방법에 대해 도 4 및 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing a fringe field type liquid crystal display device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5A to 5D.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치 제조방법을 설명하기 위한 평면도이다.5A to 5D are plan views illustrating a method of manufacturing a fringe field type liquid crystal display device according to the present invention.

도 5a에 도시된 바와 같이, 투명한 기판(101) 상에 금속과 같은 도전물질로 이루어진 도전층(미도시)을 증착한 후 이를 선택적으로 패터닝하여 게이트라인(103)과, 이 게이트라인(103)에서 분기된 게이트전극(103a)을 형성한다. 5A, a conductive layer (not shown) made of a conductive material such as a metal is deposited on a transparent substrate 101 and selectively patterned to form a gate line 103, a gate line 103, The gate electrode 103a is formed.

그 다음, 상기 게이트전극(103a)을 포함한 기판(101) 전면에 실리콘질화막(SiX)이나 실리콘산화막(SiO2)으로 이루어진 게이트절연막(105)을 형성한다.Next, a gate insulating film 105 made of a silicon nitride film (SiX) or a silicon oxide film (SiO 2 ) is formed on the entire surface of the substrate 101 including the gate electrode 103a.

이어서, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 게이트절연막(105) 상에 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(미도시)과 불순물이 도핑된 비정질실리콘으로 이루어진 오믹콘택층(미도시)을 차례로 증착한 후, 포토리쏘그라피 공정기술을 이용한 노광 및 현상공정을 통해 상기 액티브층(미도시) 및 오믹콘택층(미도시)을 선택적으로 패터닝하여 액티브층패턴(107) 및 오믹콘택층패턴(미도시)을 형성한다.Next, an active layer (not shown) made of amorphous silicon and an ohmic contact layer (not shown) made of amorphous silicon doped with impurities are sequentially deposited on the gate insulating film 105, An active layer pattern 107 and an ohmic contact layer pattern (not shown) are formed by selectively patterning the active layer (not shown) and the ohmic contact layer (not shown) through an exposure and development process using a patterning technique.

그 다음, 도 5b에 도시된 바와 같이, 기판 전면에 투명 도전물질을 이용하여 도전층(미도시)을 증착한 후 이를 선택적으로 패터닝하여 화소전극(109)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5B, a conductive layer (not shown) is deposited on the entire surface of the substrate using a transparent conductive material, and then the conductive layer (not shown) is selectively patterned to form the pixel electrode 109.

이어서, 도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 액티브층패턴(107), 오믹콘택층(미도시) 및 화소전극(109) 상에 도전물질을 증착한 후 이를 선택적으로 패터닝하여 데이터라인(121), 이 데이터라인(121)에서 분기된 소스전극(121a) 및 이 소스전극(121a)과 채널영역만큼 이격된 드레인전극(121b)을 형성한다. 이때, 상기 드레인전극(121b)은 상기 화소전극(109)과 연결된다.5C, a conductive material is deposited on the active layer pattern 107, the ohmic contact layer (not shown), and the pixel electrode 109, and then selectively patterned to deposit the conductive material on the data lines 121, A source electrode 121a branched from the data line 121 and a drain electrode 121b spaced apart from the source electrode 121a by a channel region are formed. At this time, the drain electrode 121b is connected to the pixel electrode 109.

그 다음, 상기 소스전극(121a) 및 드레인전극(121b)을 포함한 기판 전면에 실리콘질화막(SiNx)이나 실리콘산화막(SiO2) 또는 유기절연막(organic insulator)으로 이루어진 보호막(123)을 형성한다. A protective film 123 made of a silicon nitride film (SiNx), a silicon oxide film (SiO 2 ), or an organic insulator is formed on the entire surface of the substrate including the source electrode 121a and the drain electrode 121b.

이어서, 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(123) 상에 도전물질을 증착한 후 이를 선택적으로 패터닝하여 공통전극배선(125)과 이 공통전극배선(125)에서 분기된 다수 개의 공통전극(125a)을 형성한다. 이때, 상기 다수 개의 공통전극(125a) 중 일부가 도 4의 "B"에서와 같이 상기 공통전극배선(125a)으로 부터 분 리 형성되어 상기 게이트라인(103) 및 화소전극(109) 사이에 슬릿(slit)이 형성되어 프린지 필드가 형성된다. 5D, a conductive material is deposited on the passivation layer 123 and selectively patterned to form a common electrode wiring 125 and a plurality of common electrodes 125 branched from the common electrode wiring 125 125a. At this time, a part of the plurality of common electrodes 125a is formed separately from the common electrode wiring 125a as shown in "B" in FIG. 4, and a slit (not shown) is formed between the gate line 103 and the pixel electrode 109 a slit is formed to form a fringe field.

이어서, 도면에는 도시하지 않았지만, 상부기판인 투명한 유리기판(미도시) 하부의 박막트랜지스터와 대응하는 부분에 화소영역 이외의 부분에서 빛샘이 발생하는 것을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(미도시)를 형성한다.Next, although not shown, a black matrix (not shown) is formed for preventing light leakage from occurring in portions other than the pixel region at portions corresponding to the thin film transistors under the transparent glass substrate (not shown) as the upper substrate .

그 다음, 상기 블랙매트릭스(미도시) 하부 및 유리기판(미도시)에 컬러필터 (미도시)을 형성한다. 이때, 상기 컬러필터는 적(R), 녹(G), 청(B)의 세가지 색이 순차적으로 반복되어 형성되어 있으며, 하나의 색이 하나의 화소영역에 대응된다. 또한, 상기 컬러필터(미도시)는 염색법, 인쇄법, 안료 분산법, 전착법 등에 의해 형성되어질 수 있다.Next, a color filter (not shown) is formed on the lower portion of the black matrix (not shown) and the glass substrate (not shown). At this time, the color filter is formed by sequentially repeating three colors of red (R), green (G), and blue (B), and one color corresponds to one pixel region. The color filter (not shown) may be formed by a dyeing method, a printing method, a pigment dispersion method, an electrodeposition method, or the like.

이어서, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 칼라필터(미도시) 위에는 이후에 합착되는 하부기판과의 일정한 갭을 유지하기 위해 칼럼스페이서(미도시)를 형성한다.Although not shown in the figure, a column spacer (not shown) is formed on the color filter (not shown) to maintain a constant gap with a lower substrate to be subsequently bonded.

이어서, 상기 블랙 매트릭스와 , 컬러필터가 형성된 상부기판과, 앞서 박막트랜지스터 및 화소전극 등이 형성된 하부기판을 합착하고, 이들 사이에 액정층(151)을 형성함으로써 프린지 필드 방식 액정표시장치 제조를 완료한다.Then, the fabrication of the fringe field type liquid crystal display device is completed by bonding the black matrix, the upper substrate on which the color filter is formed, the lower substrate on which the thin film transistor and the pixel electrode are formed, and the liquid crystal layer 151 therebetween. do.

이상에서와 같이, 본 발명에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치 및 그 제조방법은, 공통전극배선에서 분기된 다수 개의 공통전극 일부분을 분리하여 게이트라인에 인가되는 게이트전압에 의한 전계 왜곡을 안정시킴으로써, 게이트라인과 인접하는 러빙 디스클리네이션(rubbing disclination) 영역을 최소화하여 블랙매트릭 스 마진을 줄일 수 있으므로 투과율을 개선시킬 수 있다. As described above, according to the fringe field type liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to the present invention, by dividing a part of a plurality of common electrodes branched in the common electrode line and stabilizing the electric field distortion caused by the gate voltage applied to the gate line, The black matrix margin can be reduced by minimizing the area of the rubbing disclination adjacent to the gate line, thereby improving the transmittance.

한편, 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made to the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. And changes may be made without departing from the spirit and scope of the invention.

도 1은 종래기술에 따른 프린지 필드 스위칭방식 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a conventional fringe field switching type liquid crystal display device.

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도로서, 공통전극배선에서 분기된 다수 개의 공통전극들의 상태를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view taken along a line II-II in FIG. 1, and is a cross-sectional view showing a state of a plurality of common electrodes branched from a common electrode line.

도 3은 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭방식 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.3 is a plan view schematically illustrating a fringe field switching type liquid crystal display device according to the present invention.

도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선에 따른 단면도로서, 공통전극배선에서 분기된 다수 개의 공통전극들 중 일부가 분리된 상태를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV in FIG. 3, and is a cross-sectional view showing a state in which a part of a plurality of common electrodes branched from a common electrode line are separated.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치 제조방법을 설명하기 위한 평면도이다.5A to 5D are plan views illustrating a method of manufacturing a fringe field type liquid crystal display device according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호설명 *Description of the Related Art [0002]

101 : 투명기판 103 : 게이트라인101: transparent substrate 103: gate line

103a : 게이트전극 105 : 게이트절연막103a: gate electrode 105: gate insulating film

107 : 액티브층패턴 109 : 화소전극107: active layer pattern 109: pixel electrode

121 : 데이터라인 121a : 소스전극121: Data line 121a: Source electrode

121b : 드레인전극 123 : 보호막121b: drain electrode 123:

125 : 공통전극배선 125a : 공통전극125: common electrode wiring 125a: common electrode

Claims (8)

투명기판 상에 서로 수직 교차되게 형성된 게이트라인과 데이터라인;A gate line and a data line formed on the transparent substrate so as to cross each other at right angles; 상기 게이트라인에서 분기된 게이트전극과, 이 게이트전극 상부에 형성된 게이트절연막, 액티브층패턴 및 상기 액티브층패턴 상에 형성되고 채널영역만큼 이격된 소스전극과 드레인전극으로 구성된 박막트랜지스터;A gate electrode formed on the gate line, a gate insulating film formed on the gate electrode, an active layer pattern, and a source electrode and a drain electrode formed on the active layer pattern and spaced apart from each other by a channel region; 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 연결된 화소전극;A pixel electrode connected to a drain electrode of the thin film transistor; 상기 박막트랜지스터와 화소전극 상부에 형성된 보호막; 및A protective film formed on the thin film transistor and the pixel electrode; And 상기 보호막 상에 형성되고, 상기 화소전극 상부, 및 상기 게이트라인과 화소전극 사이에 다수 개의 슬릿을 가지는 공통전극을 구비한 공통전극배선;을 포함하여 구성되며,And a common electrode line formed on the protective film and having a common electrode having a plurality of slits between the pixel electrode and the gate line and the pixel electrode, 상기 화소전극 상부에 대응하는 다수 개의 공통전극 중 일부는 상기 게이트라인 상부에 위치하는 공통전극배선 부분과 분리된 프린지 필드방식 액정표시장치.Wherein a portion of the plurality of common electrodes corresponding to the upper portion of the pixel electrode is separated from the common electrode wiring portion located above the gate line. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 게이트라인과 화소전극 사이 및 화소전극 상부의 슬릿을 통해 프린지 필드가 형성되는 것을 특징으로 하는 프린지 필드방식 액정표시장치.The fringe field type liquid crystal display of claim 1, wherein a fringe field is formed between the gate line and the pixel electrode and through the slit above the pixel electrode. 제1항에 있어서, 블랙매트릭스와 컬러필터가 구비되고, 상기 투명기판과 합착되는 상부기판과, 이들 기판 사이에 형성된 액정층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프린지 필드방식 액정표시장치.The fringe field type liquid crystal display of claim 1, further comprising an upper substrate provided with a black matrix and a color filter, the upper substrate being bonded to the transparent substrate, and a liquid crystal layer formed between the upper substrate and the substrate. 투명기판상에 게이트라인과, 이 게이트라인에서 분기된 게이트전극을 형성하는 단계;Forming a gate line on the transparent substrate and a gate electrode branched from the gate line; 상기 게이트라인을 포함한 투명기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계;Forming a gate insulating film on the entire surface of the transparent substrate including the gate line; 상기 게이트전극 상부의 게이트절연막 상에 액티브층패턴을 형성하는 단계;Forming an active layer pattern on the gate insulating film over the gate electrode; 상기 게이트절연막 상에 화소전극을 형성하는 단계;Forming a pixel electrode on the gate insulating film; 상기 액티브층패턴 상에 소스전극과, 상기 화소전극과 연결되는 드레인전극을 형성하는 단계;Forming a source electrode on the active layer pattern and a drain electrode connected to the pixel electrode; 상기 소스전극과 드레인전극을 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계;Forming a protective film on the entire surface of the substrate including the source electrode and the drain electrode; 상기 보호막 상에 상기 화소전극 상부, 및 상기 게이트라인과 화소전극 사이에 다수 개의 슬릿을 가지는 공통전극을 구비한 공통전극배선을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되며, And forming a common electrode line on the protective film, the common electrode line having a plurality of slits on the pixel electrodes and between the gate lines and the pixel electrodes, 상기 화소전극 상부에 대응하는 다수 개의 공통전극 중 일부는 상기 게이트라인 상부에 위치하는 공통전극배선 부분과 분리 형성하는 프린지 필드방식 액정표시장치 제조방법.Wherein a portion of a plurality of common electrodes corresponding to an upper portion of the pixel electrode is formed separately from a common electrode wiring portion located above the gate line. 삭제delete 제5항에 있어서, 상기 게이트라인과 화소전극 사이 및 화소전극 상부의 슬릿 을 통해 프린지 필드가 형성되는 것을 특징으로 하는 프린지 필드방식 액정표시장치 제조방법.The method of claim 5, wherein a fringe field is formed between the gate line and the pixel electrode and through the slit above the pixel electrode. 제5항에 있어서, 블랙매트릭스와 컬러필터가 적층된 상부기판을 제공하는 단계;6. The method of claim 5, further comprising: providing an upper substrate on which a black matrix and a color filter are stacked; 상기 상부기판과 상기 투명기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프린지 필드방식 액정표시장치 제조방법.Further comprising forming a liquid crystal layer between the upper substrate and the transparent substrate. ≪ RTI ID = 0.0 > 21. < / RTI >
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