KR101667091B1 - Textured alumina layer - Google Patents

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Abstract

본 발명은 칩 제거에 의해 기계가공하는 절삭 공구 인서트에 관한 것으로, 이 절삭 공구 인서트는 초경합금, 서멧, 세라믹 또는 입방 질화 붕소계 재료의 경질 합금의 본체를 포함하며, 이 본체에는 경질의 내마모성 코팅이 CVD 에 의해 증착된다. 상기 코팅은 0.5㎛ ~ 40㎛ 의 두께를 갖는 적어도 하나의 α-Al2O3 층을 포함하고, 이 α-Al2O3 층은 훌륭한 마모성과 금속 절삭 성능을 나타내는 {01-15} 및/또는 {10-15} 텍스쳐를 갖는다.The present invention relates to a cutting tool insert machined by chip removal comprising a body of a hard alloy of cemented carbide, cermet, ceramic or cubic boron nitride based material, wherein the hard, abrasion resistant coating CVD < / RTI > The coating is {01-15} and / comprises at least one of α-Al 2 O 3 layer having a thickness of 0.5㎛ ~ 40㎛, and the α-Al 2 O 3 layer has excellent wear resistance and showing a metal cutting performance Or {10-15} texture.

Description

텍스쳐화된 알루미나 층{TEXTURED ALUMINA LAYER}Textured Alumina Layer {TEXTURED ALUMINA LAYER}

본 발명은 텍스쳐화된 알파-알루미나 (α-Al2O3) 층으로 코팅된 본체를 포함하는 코팅된 절삭 공구에 관한 것이고, 또한 이러한 코팅된 절삭 공구를 제조하는 방법 및 이의 용도에 관한 것이다. 이 층은 화학 기상 증착 (CVD) 에 의해 성장되고, 본 발명은 칩 형성 기계가공에서 훌륭한 마모성과 우수한 성능을 가지는 산화 층을 제공한다.The invention the textured alpha-alumina (α-Al 2 O 3) relates to a cutting tool coating comprising a body coated with a layer, and also relates to a method and its use for producing such a coated cutting tool. This layer is grown by chemical vapor deposition (CVD), and the present invention provides an oxide layer with excellent abrasion and good performance in chip forming machining.

통상적으로, CVD 알루미나계 코팅은 카보니트라이드 티타늄의 내층과 α-Al2O3 의 외층으로 구성된다. 약 15 년 전에, 층 (텍스쳐) 의 결정학적 방향을 제어함으로써 알루미나층의 추가의 개선이 가능하다는 것이 발견되었다. 이는, 핵생성 및 성장 시퀀스 (sequence), 층 결합, 반응 가스의 시퀀싱 및 텍스쳐 변형제의 추가를 포함하는 새로운 합성 경로의 개발 및/또는 알루미나 변환층의 이용에 의해 가능하게 되었다. 일반적으로, 텍스쳐는 X-레이 회절 (XRD) 기술과 텍스쳐 계수의 개념을 이용하여 평가된다.Typically, a CVD alumina-based coating consists of an inner layer of carbonitride titanium and an outer layer of alpha -Al 2 O 3 . About 15 years ago, it was discovered that further improvement of the alumina layer was possible by controlling the crystallographic orientation of the layer (texture). This has been made possible by the development of new synthesis routes involving nucleation and growth sequences, layer bonding, sequencing of reactant gases and addition of texturing modifiers and / or utilization of alumina conversion layers. In general, textures are evaluated using the concepts of X-ray diffraction (XRD) techniques and texture coefficients.

다양한 결합/Various combinations / 핵생성Nucleation 층 및 성장  Floor and Growth 시퀀스를Sequence 이용하는 텍스쳐화된 알루미나층의 합성 Synthesis of Textured Alumina Layer to Use

US 7094447 호는 향상된 내마모성과 인성을 갖는 텍스쳐화된 α-Al2O3 층을 제조하는 방법을 기재한다. α-Al2O3 층은 알루미나이징 (aluminizing) 및 산화 단계로 구성된 핵생성 시퀀스를 이용하여 (Ti,Al)(C,O,N) 결합층 상에 형성된다. 이 층은 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 강한 {012} 성장 텍스쳐에 의해 특징지어진다.US 7094447 describes a process for making a textured? -Al 2 O 3 layer having improved abrasion resistance and toughness. The? -Al 2 O 3 layer is formed on the (Ti, Al) (C, O, N) bonding layer using a nucleation sequence composed of aluminizing and oxidation steps. This layer is characterized by a strong {012} growth texture as determined by XRD.

US 7442431 호는 숏 펄스 (short pulses) 및 Ti 함유 펄스와 산화 펄스의 퍼지로 구성된 핵생성 시퀀스를 이용하여 (Ti, Al)(C, O, N) 결합층 상에 텍스쳐화된 α-Al2O3 층을 제조하는 방법을 기재한다. 이 층은 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 강한 {110} 성장 텍스쳐에 의해 특징지어진다.US 7442431 discloses the use of textured alpha-Al 2 (Al, Ti) on a (Ti, Al) (C, O, N) bond layer using a nucleation sequence consisting of short pulses and purging Ti- O 3 layer is described. This layer is characterized by a strong {110} growth texture as determined by XRD.

US 7455900 호는 숏 펄스 및 Ti + Al 펄스와 산화 펄스로 이루어지는 퍼지로 구성된 핵생성 시퀀스를 이용하여 (Ti, Al)(C, O, N) 결합층 상에 텍스쳐화된 α-Al2O3 층을 제조하는 방법을 기재한다. 이 층은 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 강한 {116} 성장 텍스쳐에 의해 특징지어진다.US 7455900 discloses a method of forming a textured α-Al 2 O 3 (Ti, Al) (C, O, N) bond layer using a nucleation sequence consisting of a short pulse and a purging consisting of Ti + Layer is prepared. This layer is characterized by a strong {116} growth texture as determined by XRD.

US 7442432 호는 US 7455900 호에 기재된 기술과 유사하지만 변경된 기술로 (Ti, Al)(C, O, N) 결합층 상에 텍스쳐화된 α-Al2O3 층을 제조하는 방법을 기재한다. 이 층은 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 강한 {104} 성장 텍스쳐에 의해 특징지어진다.US 7442432 discloses and describes a method of manufacturing techniques and similar, a modified technique (Ti, Al) (C, O, N) a textured α-Al 2 O in the bonding layer 3 layer as described in No. US 7455900. This layer is characterized by a strong {104} growth texture as determined by XRD.

US 2007104945 호는 핵생성이 제어된 α-Al2O3 층 텍스쳐가 얻어지는 텍스쳐화된 α-Al2O3 코팅된 절삭 공구 인서트를 기재한다. 이 층은 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 강한 {006} 성장 텍스쳐에 의해 특징지어진다.US 2007104945 discloses that nucleation controlled α-Al 2 O 3 The base material of the textured α-Al 2 O 3 coated cutting tool insert with a layer texture is obtained. This layer is characterized by a strong growth texture as determined by XRD.

US 2008187774 호는 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 {006} 성장 텍스쳐를 갖는 텍스쳐-경화된 α-Al2O3 코팅된 절삭 공구 인서트를 기재한다.US 2008187774 discloses a texture having {006} texture grown, as determined by XRD - the α-Al 2 O 3 curing Coated cutting tool inserts are described.

US 6333103 호는 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 {1010} 성장 텍스쳐로 특징지어지는 TiCO 결합층 상에 성장된 텍스쳐화된 α-Al2O3 층을 기재한다.US 6333103 discloses a {1010} growth of a grown on TiCO bonding layer characterized by the texture textured α-Al 2 O 3, as determined by XRD Describe the layer.

반응 가스의 시퀀싱을 이용하는 텍스쳐화된 알루미나층의 합성Synthesis of Textured Alumina Layer Using Sequencing of Reaction Gases

US 5654035 호는 내화 단층 또는 다층으로 코팅된 본체를 기재하며, 특정층은 코팅된 본체의 표면 (성장 텍스쳐) 에 대하여 우선 방향으로 성장한 결정면을 갖는 제어된 미세구조 및 상 (phase) 의 구성에 의해 특징지어진다. 상기 텍스쳐화된 α-Al2O3 층은 CO2, CO 및 AlCl3 의 순서로 반응 가스를 시퀀싱함으로써 얻어진다. 이 층은 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 강한 {012} 성장 텍스쳐에 의해 특징지어진다.US 5654035 describes a body coated with a refractory monolayer or multilayer, wherein a specific layer is formed by controlled microstructure and phase composition with a crystal plane grown in a preferential direction with respect to the surface of the coated body (growth texture) . The textured? -Al 2 O 3 layer is obtained by sequencing the reaction gas in the order of CO 2 , CO and AlCl 3 . This layer is characterized by a strong {012} growth texture as determined by XRD.

US 5766782 호는 α-Al2O3 을 포함하는 내화 단층 또는 다층으로 코팅된 절삭 공구를 기재하며, 특정 층은 코팅된 본체의 표면에 대하여 제어된 성장 텍스쳐에 의해 특징지어진다. 우선, N2 및/또는 Ar 분위기에서 CO2 와 CO 가 반응기에 공급되고 이후에 H2 와 AlCl3 가 반응기에 공급되도록 반응 가스를 시퀀싱함으로써, 텍스쳐화된 α-Al2O3 층이 얻어진다. 이 층은 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 {104} 성장 텍스쳐에 의해 특징지어진다.US 5766782 describes a refractory single layer or multi-layer coated cutting tool comprising? -Al 2 O 3 , wherein a specific layer is characterized by a controlled growth texture on the surface of the coated body. First, a textured α-Al 2 O 3 layer is obtained by sequencing the reaction gas such that CO 2 and CO are supplied to the reactor in an N 2 and / or Ar atmosphere and then H 2 and AlCl 3 are supplied to the reactor . This layer is characterized by a {104} growth texture as determined by XRD.

텍스쳐texture 변환제를Converting agent 이용하는  Used 텍스쳐화된Textured 알루미나층의 합성 Synthesis of alumina layer

US 7011867 호는 하나 이상의 내화 화합물 층 및 외부의 적어도 하나의 α-Al2O3 층을 포함하는 코팅된 절삭 공구를 기재하고, 이 α-Al2O3 층은 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 강한 {300} 성장 텍스쳐와 주상 결정 구조를 갖는다. 미세 구조 및 텍스쳐는 성장시에 반응 가스에 텍스쳐 변환제로서 ZrCl4 를 첨가하여 얻어진다.US 7011867 discloses as will be described a cutting tool coating comprising one or more refractory compound layers, and the outside of at least one of α-Al 2 O 3 layer, and the α-Al 2 O 3 layer is determined by XRD strong {300} growth texture and columnar crystal structure. The microstructure and texture are obtained by adding ZrCl 4 as a texture conversion agent to the reaction gas at the time of growth.

US 5980988 호는 성장시에 텍스쳐 변환제로서 SF6 를 이용하여 얻어지는 바와 같은 {110} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층을 기재한다. 이 텍스쳐는 XRD 에 의해 결정된다.US 5980988 discloses a base material and a {110} a textured α-Al 2 O 3 layer, as obtained by using SF 6 as a texture transform at the time of the growth. This texture is determined by XRD.

US 5702808 호는 성장시에 SF6 및 H2S 를 시퀀싱하여 얻어지는 바와 같은 {110} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층을 기재한다. 이 텍스쳐는 XRD 에 의해 결정된다.US 5702808 describes a {110} textured? -Al 2 O 3 layer as obtained by sequencing SF 6 and H 2 S during growth. This texture is determined by XRD.

변환층을The conversion layer 이용하는  Used 텍스쳐화된Textured 알루미나층의 합성 Synthesis of alumina layer

US RE 41111 호는 20 ~ 200nm 두께를 갖는 초기 열 처리된 알루미나 코어층 (변환층) 을 이용하여 얻어지는 바와 같은 {001} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층을 기재한다. 이 텍스쳐는 전자 후방 산란 회절 (EBSD) 에 의해 결정된다.No. 4,111,111 discloses a method of producing a laminate comprising an alumina core layer having a thickness of 20 to 200 nm, The {001} textured α-Al 2 O 3 layer is described. This texture is determined by electron backscattering diffraction (EBSD).

EBSD 의 설명 및, 극점도, 극 플롯 (pole plots), 방향 분포 함수 (ODFs) 및 텍스쳐 지수의 사용에 의한 텍스쳐 평가를 위한 분석은, 예컨대 텍스쳐 분석의 서문: 매크로텍스쳐 , 마이크로텍스, 및 방향 매핑 ( Mapping ), Valerie Randle 과 Olaf Engler, (ISBN 90-5699-224-4) pp. 13 ~ 40 에서 찾아볼 수 있다.The EBSD description and, pole figures, polar plots (pole plots), orientation distribution functions (ODFs) and usage analysis for texture evaluation by the texture index, for example of the texture analysis Introduction: macro texture, micro-text up, and direction mapping (mapping), Valerie Randle and Olaf Engler, (ISBN 90-5699-224-4) pp . 13-40.

통상적으로, 텍스쳐의 평가는 이하를 포함할 수 있다.Typically, the evaluation of the texture may include:

1) ODF 의 구성,1) composition of ODF,

2) 구성 요소의 오일러각 φ1, Φ 및 φ2 (도 1 참조) 및 이들의 대응 ODF 밀도 및 텍스쳐 지수의 확인,2) identification of the Euler angles? 1 ,? And? 2 (see FIG. 1) and their corresponding ODF density and texture index of the component,

3) 관련 텍스쳐 구성 요소의 극점도 (들) 의 구성, 및3) composition of the poles (s) of the associated texture components, and

4) 관련 텍스쳐 구성 요소의 극 플롯 (들) 의 구성.4) Construction of the extreme plot (s) of the associated texture component.

본 발명의 목적은 훌륭한 마모성과 칩 형성 절삭 성능을 갖는, CVD 에 의해 증착된 텍스쳐 제어된 α-Al2O3 층을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide CVD controlled, textured α-Al 2 O 3 , which has good abrasion and chip- Layer.

또한, 본 발명의 목적은 이러한 α-Al2O3 층을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.It is also an object of the present invention to provide such a-Al 2 O 3 Layer on a substrate.

놀랍게도, 성장 조건만으로도 특유의 α-Al2O3 층 텍스쳐의 제어가 얻어지며, 그 결과 이 층은 개선된 금속 절삭 성능을 갖는 것으로 확인되었다.Surprisingly, even with the growth conditions alone, the specific? -Al 2 O 3 Control of the layer texture was obtained, and as a result this layer was found to have improved metal cutting performance.

도 1 은 결정학적 방향에 대하여 ODF 표시에 이용된 오일러 각 φ1, Φ, φ2 을 정의한다.
도 2 는, a) 본 발명에 따른 {01-15} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층 (Ⅱ) 및 Ti(C,N) 층 (Ⅰ) 및, b) 종래 기술에 따른 {001} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층(Ⅱ) 및 Ti(C,N) 층 (Ⅰ) 의 이온 폴리싱된 단면의 후방 산란된 SEM 현미경 사진이다.
도 3 은, a) A 및 A' 으로 각각 표시된 {01-15} 및 {10-15} 솔루션 (solution) 을 갖는 본 발명에 따른 {01-15} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층 및, b) 종래 기술에 따른 {0001} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층의 ODF 등고선도 (ODF 오일러 각 및 밀도) 이다.
도 4 는 a) 본 발명에 따른 {01-15} 텍스쳐 구성 요소, b) 본 발명에 따른 {10-15} 텍스쳐 구성 요소, 및 c) 종래 기술에 따른 {0001} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층의 EBSD 극점도이다.
도 5 는 a) 본 발명에 따른 {01-15} 텍스쳐 구성 요소, b) 본 발명에 따른 {10-15} 텍스쳐 구성 요소, 및 c) 종래 기술에 따른 {0001} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층의 EBSD 의 극 플롯이다. χ는 극점도 (도 4 참조) 의 중심 (χ=0) 으로부터 가장자리 (χ=90) 까지의 각이다. MUD 는 다중 유닛 분포이다.
Figure 1 defines the Euler angles φ 1 , φ and φ 2 used in the ODF representation for the crystallographic directions.
2 is, a) {01-15} a textured α-Al 2 O 3 according to the invention Layer (II) and Ti (C, N) layer (I), and b) a {001} textured α-Al 2 O 3 Scattered SEM micrographs of ion-polished cross-sections of layer (II) and Ti (C, N) layer (I).
Figure 3 shows a) textured α-Al 2 O 3 with {01-15} and {10-15} solutions according to the invention, respectively, denoted A and A ' Layer, and a, b) {0001} The textured α-Al 2 O 3 according to the prior art; (ODF Euler angle and density) of the layer.
Figure 4 is a) {01-15} texture component, b) {10-15} texture component according to the invention, and c) {0001} The textured α-Al 2 according to the prior art according to the invention O 3 Layer EBSD pole figure.
Figure 5 is a) {01-15} texture component, b) {10-15} texture component according to the invention, and c) {0001} The textured α-Al 2 according to the prior art according to the invention O 3 Layer plot of EBSD. is the angle from the center (x = 0) to the edge (x = 90) of the pole figure (see Fig. 4). MUD is a multi-unit distribution.

본 발명에 따라, 칩 제거 기계가공용 절삭 공구 인서트가 제공되고, 이 절삭 공구 인서트는 초경합금, 서멧, 세라믹, 입방 질화 붕소계 재료의 경질 합금의 본체를 포함하며, 이 본체 상에는 경질의 내마모성 코팅이 증착되고, 이 코팅은, 코팅된 본체의 표면 법선 (surface normal) 에 관해, {01-15} 및/또는 {10-15} 텍스쳐 (결정학적 방향) 로, 바람직하게는 회전 대칭 (섬유 텍스쳐) 으로 구성된 적어도 하나의 α-Al2O3 층을 포함한다.According to the present invention there is provided a cutting tool insert for chip removing machining comprising a body of hard alloy of cemented carbide, cermet, ceramic, cubic boron nitride based material on which a hard, And this coating is applied in a {01-15} and / or {10-15} texture (crystallographic direction), preferably in rotational symmetry (fiber texture), with respect to the surface normal of the coated body And at least one? -Al 2 O 3 layer configured.

상기 텍스쳐는 1 초과의 ODF 텍스쳐 지수, 바람직하게는 1 < 텍스쳐 지수 < 50, 가장 바람직하게는 2 < 텍스쳐 지수 < 10 와, ODF 표시 (오일러 스페이스) 로 이하를 갖는 {01-15} 및 {10-15} 솔루션을 만족시키는 텍스쳐 구성 요소를 나타낸다.The texture has a ODF texture index greater than 1, preferably 1 < texture index < 50, most preferably 2 < texture index < 10, and {01-15} and {10 -15} represents a texture component that satisfies the solution.

ⅰ) {01-15}: 1 < ODF 밀도 < 100, 바람직하게는 10 < ODF 밀도 < 50 을 갖는, 0°≤ φ1 ≤ 90°, 17°< Φ < 47°, 바람직하게는 22°< Φ < 42°, 및 1°< φ2 < 59°, 바람직하게는 10°< φ2 < 50°, 및/또는? 1 ? 90 °, 17 ° <? <47 °, preferably 22 °, having an ODF density of <100, preferably 10 <ODF density <50, ? &Lt; 42 °, and 1 ° &lt;? 2 <59 °, preferably 10 ° <? 2 <50 °, and / or

ⅱ) {10-15}: 1 < ODF 밀도 < 100, 바람직하게는 10 < ODF 밀도 < 50 을 갖는, 0°≤ φ1 ≤ 90°, 17°< Φ < 47°, 바람직하게는 22°< Φ < 42°, 및 61°< φ2 < 119°, 바람직하게는 70°< φ2 < 110°.Ii) 0 °??? 1 ? 90 °, 17 ° <? <47 °, preferably 22 °, having an ODF density of <100, preferably 10 <ODF density < ? <42 °, and 61 ° <φ 2 <119 °, preferably 70 ° <φ 2 <110 °.

ODFs 는 32x32x32 포인트의 해상도, 5°의 가우시안 반치폭 (Gaussian half width) 및 5°의 클러스터링을 갖는 Lmax=34 와 함께 급수 전개를 이용하여 표시 영역에 걸쳐 이온 폴리싱된 α-Al2O3 상부 표면층에 대해 얻어진 EBSD 데이터로부터 구성된다.The ODFs were ion-polished over the display area using series expansion with L max = 34 with a resolution of 32 x 32 x 32 points, a Gaussian half width of 5 °, and a clustering of 5 °. The alpha -Al 2 O 3 upper surface layer Lt; RTI ID = 0.0 &gt; EBSD &lt; / RTI &gt;

상기 α-Al2O3 층은 0.5㎛ ~ 40㎛, 바람직하게는 0.5㎛ ~ 20㎛, 가장 바람직하게는 1㎛ ~ 10㎛ 의 두께를 가지면서, 주상 결정 구조를 갖고, 모든 기둥은 층 두께의 중심부에 인접하여 측정했을 때, 층 두께에 걸쳐 0.2㎛ ~ 5㎛, 바람직하게는 0.2㎛ ~ 2.5㎛, 가장 바람직하게는 0.2㎛ ~ 1.5㎛ 의 동일한 기둥 너비를 본질적으로 갖는다.The? -Al 2 O 3 layer has a columnar crystal structure with a thickness of 0.5 μm to 40 μm, preferably 0.5 μm to 20 μm, and most preferably 1 μm to 10 μm, and all the columns have a layer thickness Has essentially the same column width of 0.2 탆 to 5 탆, preferably 0.2 탆 to 2.5 탆, and most preferably 0.2 탆 to 1.5 탆 across the layer thickness when measured adjacent to the center of the substrate.

상기 코팅은, 종래 기술에 따라 0.5 ~ 40㎛, 바람직하게는 0.5 ~ 20㎛, 가장 바람직하게는 1 ~ 10㎛ 의 전체 코팅 두께까지, 예컨대 TiN, TiC 또는 Ti(C,O,N) 또는 다른 Al2O3 동소체, 바람직하게는 Ti(C,O,N) 의 내부 단층 및/또는 다층 코팅, 및/또는 예컨대 TiN, TiC, Ti(C,O,N) 또는 다른 Al2O3 동소체, 바람직하게는 TiN 및/또는 Ti(C,O,N) 의 외부 단층 및/또는 다층 코팅으로 구성될 수 있다.The coating can be applied to the entire coating thickness, e.g., TiN, TiC or Ti (C, O, N) or other coating thicknesses of from 0.5 to 40 m, preferably from 0.5 to 20 m and most preferably from 1 to 10 m, Ti, TiC, Ti (C, O, N) or other Al 2 O 3 isomers, preferably Al 2 O 3 isotopes, preferably Ti Preferably an outer single layer of TiN and / or Ti (C, O, N) and / or a multilayer coating.

선택적으로, 원하는 표면 품질 및/또는 에지 형태가 얻어지도록, 상기 코팅된 본체는, 예컨대 습식 블라스팅 (wet blasting), 브러싱 (brushing) 작업 등으로 사후 처리된다.Optionally, the coated body is post-treated, such as by wet blasting, brushing, etc., so as to obtain the desired surface quality and / or edge shape.

본 발명의 α-Al2O3 층을 위한 증착 방법은, 종래 기술에서 공지된 대로, 50 ~ 150 mbar 의 가스압에서, 혼합된 H2, CO2, CO, H2S, HCl 및 AlCl3 에서 950℃ ~ 1050℃ 의 온도에서 화학 기상 증착에 기초한다. 본 발명에 따라, CO2/CO 가스 흐름 비율은, 1 분 ~ 60 분, 바람직하게는 2 분 ~ 30 분의 주기로, 0.3 ≤ (CO2/CO)|low ≤ 1.2, 바람직하게는 0.5 ≤ (CO2/CO)|low ≤ 1.0 의 보다 낮은 가스 흐름 비율과, 1.8 ≤ (CO2/CO)|high ≤ 3.0, 바람직하게는 1.8 ≤ (CO2/CO)|high ≤ 2.5 의 보다 높은 가스 흐름 비율 사이에서, 상방으로 그리고 하방으로, 지속적으로 또는 단계적으로, 주기적으로 변경된다. 본 발명에 따라 가스 흐름 및 가스 혼합물을 결정하는 것은 당업자의 관점의 범위 내에 있다.The deposition method for the? -Al 2 O 3 layer of the present invention can be carried out in a mixed gas of H 2 , CO 2 , CO, H 2 S, HCl and AlCl 3 at a gas pressure of 50 to 150 mbar, Based on chemical vapor deposition at temperatures of 950 ° C to 1050 ° C. According to the present invention, the CO 2 / CO gas flow rate is 0.3? (CO 2 / CO) | at a cycle of 1 minute to 60 minutes, preferably 2 minutes to 30 minutes. low ? 1.2, preferably 0.5? (CO 2 / CO) | Lower gas flow rates of low ≤ 1.0 and 1.8 ≤ (CO 2 / CO) | high ? 3.0, preferably 1.8? (CO 2 / CO) | between higher gas flow rates of high &lt; = 2.5, upwardly and downwardly, continuously or stepwise. It is within the purview of those skilled in the art to determine the gas flow and gas mixture in accordance with the present invention.

또한, 본 발명은 절삭 속도 및 인서트 형상에 따라, 75 ~ 600 m/min, 바람직하게는 150 ~ 600m/min 의 절삭 비율에서, 밀링의 경우에 0.08 ~ 0.8 mm, 바람직하게는 0.1 ~ 0.6mm 의 공구날 당 평균 이송으로, 칩 제거 기계가공하기 위한 전술한 내용에 따른 절삭 공구 인서트의 용도에 관한 것이다.
The present invention also relates to a cutting tool having a cutting rate of 75 to 600 m / min, preferably 150 to 600 m / min, according to the cutting speed and insert shape, in the case of milling, 0.08 to 0.8 mm, preferably 0.1 to 0.6 mm To the use of a cutting tool insert according to the above for chip removal machining with an average feed per tool edge.

실시예Example 1 One

초기에, 5.5wt% Co, 8 wt% 입방형 카바이드 및 잔부 WC 의 조성을 갖는 초경합금 절삭 인서트는 6㎛ 두께의 MTCVD Ti(C,N) 층으로 코팅되었다. 후속 제조 단계에서 그리고 절삭 인서트의 코팅 사이클 동안, 5㎛ 두께의 α-Al2O3 층은 20 분의 주기로 프로세스 조건 1 및 2 (표 1 참조) 사이에서, 상방으로 그리고 하방으로, CO2/CO 의 가스 흐름 비율를 지속적으로 램핑 (ramping) 함으로써 증착되었다.Initially, a cemented carbide cutting insert having a composition of 5.5 wt% Co, 8 wt% cubic carbide, and balance WC was coated with a 6 탆 thick MTCVD Ti (C, N) layer. Between cycles during the coating at a subsequent stage of manufacture and the cutting insert, the 5㎛ thick α-Al 2 O 3 layer is a 20-minute process conditions 1 and 2 (see Table 1) at a cycle of, upward and downward, CO 2 / The gas flow rate of the CO was continuously deposited and ramping.

Figure 112012102044457-pct00001
Figure 112012102044457-pct00001

실시예Example 2 2

실시예 1 이 2.0 의 일정한 CO2/CO 가스 흐름 비율로 반복되었다.Example 1 was repeated with a constant CO 2 / CO gas flow rate of 2.0.

실시예Example 3 3

실시예 1 및 2 로부터의 층들은, HKL Nordlys II EBSD 검출기가 장착되고 15 kV 에서 작동된 LEO 울트라 55 주사 전자 현미경을 이용하는 SEM 및 EBSD 에 의해 특징지어졌다. 통상의 채널 5 소프트웨어 버전 5.0.9.0 은 데이터 수집을 위해 이용되었다. 이러한 채널 5 소프트웨어는, ODFs 의 계산, 즉 오일러 각 및 밀도뿐만 아니라 텍스쳐 지수, 극점도 및 극 플롯의 데이터 분석을 위해 이용되었다. EBSD 용 샘플은 JEOL SM-09010 단면 폴리셔 시스템을 이용하여 α-Al2O3 층의 상부 표면을 이온 폴리싱함으로써 얻어졌다.The layers from Examples 1 and 2 were characterized by SEM and EBSD using a LEO Ultra 55 Scanning Electron Microscope equipped with HKL Nordlys II EBSD detector and operated at 15 kV. The normal channel 5 software version 5.0.9.0 was used for data collection. This channel 5 software was used for data analysis of texture exponents, poles and extreme plots as well as calculations of ODFs, Euler angles and densities. Samples for EBSD were obtained by ion polishing the upper surface of the alpha -Al 2 O 3 layer using a JEOL SM-09010 cross-sectional polisher system.

도 2 는, a) 실시예 1 (본 발명) 및 b) 실시예 2 (참고) 에 대해 이미지 내의 Ⅱ 로 표시된 α-Al2O3 층의 이온 폴리싱된 단면의 후방 산란된 SEM 현미경 사진을 도시한다. 양자의 층은 주상 결정 구조를 나타낸다. 본 발명의 층은 참조의 층의 기둥 너비보다 더 좁은 0.2㎛ ~ 1.7㎛ 범위의 기둥 너비를 나타낸다.2 is, a) Example 1 (invention) and b) Example 2 (Reference) a Ⅱ backscattered SEM micrograph of α-Al 2 O 3 layer ion-polished cross section of the labeled within the image for the city do. Both layers represent a columnar crystal structure. The layers of the present invention exhibit column widths in the range of 0.2 mu m to 1.7 mu m narrower than the column widths of the reference layer.

도 3 은, a) 6.3 의 텍스쳐 지수를 갖는, A 및 A' 각각으로 표시된 {01-15} 및 {10-15} 솔루션으로 실시예 1 로부터 텍스쳐화된 α-Al2O3 층 및, b) 5.5 의 텍스쳐 지수를 갖는 실시예 2 의 {0001} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층의 EBSD 데이터로부터 추론된 바와 같은 ODF 등고선도 (ODF 오일러 각 및 밀도) 를 도시한다. {01-15} 텍스쳐 구성 요소에 대한 오일러 각 φ1, Φ, φ2 은 약 0°≤φ1≤ 90°에서, 약 30°의 Φ 에서, 약 30°의 φ2 에서 중심맞춤되고 (가장 높은 ODF 밀도), {10-15} 텍스쳐 구성 요소에 대한 오일러 각 φ1, Φ, φ2 은 약 0°≤φ1≤ 90°에서, 약 30°의 Φ 에서, 약 90°의 φ2 에서 중심맞춤되었다. 채널 5 소프트웨어로부터, {01-15} 에 대한 23 의 ODF 밀도값이 얻어졌다. 이러한 결과는 실시예 1 에서 {10-15} 섬유 텍스쳐 층을 설명한다.Figure 3 shows a) a-Al 2 O 3 layer textured from Example 1 with {01-15} and {10-15} solutions marked with A and A ', respectively, with texture index of 6.3 and b (ODF Euler Angle and Density) as deduced from the EBSD data of the {0001} textured a-Al 2 O 3 layer of Example 2 with a texture index of 5.5. Euler angles φ 1 , φ and φ 2 for the {01 - 15} texture components are centered at φ 2 of about 30 ° at φ of about 30 ° at about 0 ° ≤φ 1 ≤ 90 ° Euler angles φ 1 , φ and φ 2 for the {10 - 15} texture components at about 0 ° ≤φ 1 ≤ 90 ° at Φ of about 30 °, at φ 2 of about 90 ° Centered. From the channel 5 software, an ODF density value of 23 for {01-15} was obtained. These results illustrate the {10 - 15} fiber textured layer in Example 1.

게다가, 섬유 텍스쳐의 극점도 및 극 슬롯이 구성되었다.In addition, the pole geometry and pole slots of the fiber texture have been constructed.

도 4 는 실시예 1 로부터의 층의 a) {01-15} 및 b) {10-15} 텍스쳐 구성 요소의 극점도를 나타낸다. 도 4 의 c) 는 실시예 2 의 극점도를 나타낸다.Figure 4 shows the pole figure of a) {01-15} and b) {10-15} texture components of the layer from Example 1. 4 (c) shows the pole figure of the second embodiment.

도 5 는 실시예 1 로부터의 층의 a) {01-15} 및 b) {10-15} 텍스쳐 구성 요소의 극 플롯을 도시한다. 도 5 의 c) 는 실시예 2 의 극 플롯을 도시한다. χ 는 도 4 의 극점도의 중심 (χ=0) 으로부터 가장자리 (χ=90) 까지의 각이다. MUD 는 다중 유닛 분포이다.
Figure 5 shows the extreme plots of a) {01-15} and b) {10-15} texture components of the layer from Example 1. FIG. 5C shows the extreme plot of the second embodiment. ? is the angle from the center (? = 0) to the edge (? = 90) of the pole figure in FIG. MUD is a multi-unit distribution.

실시예Example 4 4

비교 등급과 함께 실시예 1 및 실시예 2 로부터의 코팅된 인서트는 이하의 절삭 조건에서 지속적인 선삭 (turning) 적용에서 실험되었다.Coated inserts from Example 1 and Example 2 with comparative grades were tested in continuous turning applications at the following cutting conditions.

공작물: 원통형 바Workpiece: Cylindrical bar

재료: Ck45Material: Ck45

인서트 유형: CNMG120408Insert Type: CNMG120408

절삭 속도: 400 m/minCutting speed: 400 m / min

이송: 0.45 mm/revFeed: 0.45 mm / rev

절단 깊이: 2.0 mmCutting depth: 2.0 mm

비고: 냉각수Remark: Cooling water

절삭분에서 12 분의 시간 후에 에지 마모, Vb (mm) 의 측정이 표 2 에 도시되었다.Measurements of edge wear, Vb (mm), after 12 minutes at the cuts are shown in Table 2.

Figure 112012102044457-pct00002
Figure 112012102044457-pct00002

Claims (13)

칩 제거에 의한 기계가공용 절삭 공구 인서트로서,
상기 절삭 공구 인서트는 초경합금, 서멧, 세라믹 또는 입방 질화 붕소계 재료의 경질 합금의 본체를 포함하며, 상기 본체 상에는 0.5㎛ ~ 40㎛ 의 두께를 갖는 적어도 하나의 α-Al2O3 층을 포함하는 경질의 내마모성 코팅이 CVD 에 의해 증착되어 있고,
상기 α-Al2O3 층은 {01-15} 및/또는 {10-15} 로 텍스쳐화된 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
A cutting tool insert for machining by chip removal,
The cutting tool insert comprising at least one of α-Al 2 O 3 layer having a thickness of 0.5㎛ on said body, comprising a body of cemented carbide, cermet, ceramics or cubic boron nitride-based light alloy material ~ 40㎛ A hard abrasion resistant coating is deposited by CVD,
The α-Al 2 O 3 layer is {01-15} and / or a cutting tool insert, it characterized in that the textured as {10-15}.
제 1 항에 있어서,
상기 텍스쳐는 섬유 텍스쳐화된 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
The method according to claim 1,
Characterized in that the texture is textured.
제 1 항에 있어서,
상기 텍스쳐는 1 초과의 ODF 텍스쳐 지수를 가지는 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
The method according to claim 1,
Characterized in that the texture has an ODF texture index of more than one.
제 2 항에 있어서,
1 < 텍스쳐 지수 < 50 인 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
3. The method of claim 2,
1 < texture index < 50.
제 1 항에 있어서,
상기 텍스쳐는 1 < ODF 밀도 < 100 을 갖고서 ODF 표시 (representation) 로 텍스쳐 구성 요소를 나타내고, 이하의 오일러 각 (Euler angles),
ⅰ) 0°≤ φ1 ≤ 90°, 17°< Φ < 47°, 및 1°< φ2 < 59°및
ⅱ) 0°≤ φ1 ≤ 90°, 17°< Φ < 47°, 및 61°< φ2 < 119°을 갖는 {01-15} 및 {10-15} 솔루션 (solution) 중 하나 또는 양자를 만족시키는 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
The method according to claim 1,
The texture represents a texture component with an ODF representation with 1 < ODF density < 100, with the following Euler angles,
Ⅰ) 0 ° ≤ φ 1 ≤ 90 °, 17 ° <Φ <47 °, and 1 ° <φ 2 <59 ° and
Ii) one or both of the {01-15} and {10-15} solutions with 0 ° ≤ φ 1 ≤ 90 °, 17 ° <Φ <47 ° and 61 ° <φ 2 <119 ° Of the cutting tool insert.
제 5 항에 있어서,
ⅰ) 0°≤ φ1 ≤ 90°, 22°< Φ < 42°, 및 10°< φ2 < 50°및
ⅱ) 0°≤ φ1 ≤ 90°, 22°< Φ < 42°, 및 70°< φ2 < 110°인 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
6. The method of claim 5,
I) 0??? 1 ? 90, 22 <? <42, and 10 <? 2 <50 and
Ii) 0 ° ≤ φ 1 ≤ 90 °, 22 ° <Φ <42 °, and 70 ° <φ 2 <110 °.
제 5 항에 있어서,
10 < ODF 밀도 < 50 인 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
6. The method of claim 5,
10 < ODF density < 50.
제 1 항에 있어서,
상기 α-Al2O3 층은 주상의 결정 구조를 가지고, 모든 기둥은 상기 α-Al2O3 층 두께 전체에 걸쳐 0.2㎛ ~ 5㎛ 의 동일한 기둥 너비를 본질적으로 갖는 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
The method according to claim 1,
Characterized in that the? -Al 2 O 3 layer has a columnar crystal structure and all the pillars essentially have the same column width of 0.2 μm to 5 μm over the thickness of the α-Al 2 O 3 layer Tool insert.
제 8 항에 있어서,
상기 기둥 너비는 상기 α-Al2O3 층 전체에 걸쳐 0.2㎛ ~ 2.5㎛ 인 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
9. The method of claim 8,
The pole width, cutting tool insert, characterized in that 0.2㎛ ~ 2.5㎛ throughout the α-Al 2 O 3 layer.
제 1 항에 있어서,
0.5 ~ 40㎛ 의 전체 두께까지, 상기 코팅은 내부 코팅 및 외부 코팅 중 하나 이상을 포함하고,
상기 내부 코팅 및 상기 외부 코팅 각각은 TiN, TiC, Ti(C,O,N) 또는 다른 Al2O3 동소체의 단층 코팅이거나, TiN, TiC, Ti(C,O,N) 또는 다른 Al2O3 동소체 중 어느 하나 이상의 다층 코팅인 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
The method according to claim 1,
To a total thickness of 0.5 to 40 탆, said coating comprising at least one of an inner coating and an outer coating,
Each of the inner coating and the outer coating is a TiN, TiC, Ti (C, O, N) or different Al 2 O or a single layer coating of the three allotropes, TiN, TiC, Ti (C , O, N) or different Al 2 O Wherein the multilayer coating is a multi-layer coating of one or more of the following three kinds of isotropes.
50 ~ 150 mbar 의 가스압에서, 혼합된 H2, CO2, CO, H2S, HCl 및 AlCl3 에서 950℃ ~ 1050℃ 의 온도에서 화학 기상 증착에 의해 적어도 하나의 α-Al2O3 층을 포함하는 경질의 내마모성 코팅이 증착된, 초경합금, 서멧, 세라믹 또는 입방 질화 붕소계 재료의 본체를 포함하는 절삭 공구 인서트를 제조하는 방법으로서,
CO2/CO 가스 흐름 비율은 1 분 ~ 60 분의 주기로, 0.3 ≤ (CO2/CO)|low ≤ 1.2 의 보다 낮은 가스 흐름 비율과, 1.8 ≤ (CO2/CO)|high ≤ 3.0 의 보다 높은 가스 흐름 비율 사이에서, 상방으로 그리고 하방으로, 지속적으로 또는 단계적으로, 주기적으로 변경되는 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트를 제조하는 방법.
At least one? -Al 2 O 3 layer is formed by chemical vapor deposition at a temperature of 950 ° C. to 1050 ° C. in mixed H 2 , CO 2 , CO, H 2 S, HCl and AlCl 3 at a gas pressure of 50 to 150 mbar A method of making a cutting tool insert comprising a body of a cemented carbide, cermet, ceramic or cubic boron based material deposited with a hard abrasion resistant coating,
The CO 2 / CO gas flow rate is 0.3? (CO 2 / CO) | at a cycle of 1 minute to 60 minutes. lower gas flow rate of low ? 1.2 and 1.8? (CO 2 / CO) | characterized in that it is periodically changed between upward and downward, continuously or stepwise, between higher gas flow rates of high ? 3.0.
제 11 항에 있어서,
상기 보다 낮은 가스 흐름 비율은 0.5 ≤ (CO2/CO)|low ≤ 1.0 이고, 보다 높은 가스 흐름 비율은 1.8 ≤ (CO2/CO)|high ≤ 2.5 인 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트를 제조하는 방법.
12. The method of claim 11,
The lower gas flow rate is 0.5? (CO 2 / CO) | low ≤ 1.0 and the higher gas flow rate is 1.8 ≤ (CO 2 / CO) | high &lt; / = 2.5. &lt; / RTI &gt;
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 절삭 공구 인서트는 절삭 속도 및 인서트 형상에 따라, 75 ~ 600m/min 의 절삭 속도에서, 밀링의 경우에 0.08 ~ 0.8mm 의 공구날 당 평균 이송으로, 칩 제거 기계가공하기 위해 사용되는 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
11. The method according to any one of claims 1 to 10,
The cutting tool insert is characterized in that it is used for chip removal machining, with an average feed per cutting edge of 0.08 to 0.8 mm in the case of milling, at a cutting speed of 75 to 600 m / min, depending on the cutting speed and insert shape A cutting tool insert.
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