KR101666298B1 - Shift register, driving device based on direct current type and method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 개시 신호 또는 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압(VGH) 레벨로 충전하는 충전부, 상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑(bootstrapping)하는 부트스트랩부, 상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 출력 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 충전 유지부 및 제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드 및 상기 출력 신호를 게이트 로우 전압(VGL) 레벨로 방전하는 방전부를 포함하는 직류 타입 쉬프트 레지스터, 구동 장치 및 그 동작 방법을 개시한다.The present invention relates to an oscillator circuit comprising: a charging section for charging a first node to a gate high voltage (VGH) level by a start signal or a drive signal of a first stage shift register and a first clock signal; A bootstrap portion for bootstrapping a first node charged to the gate high voltage level by a signal to the gate high voltage level or higher, a bootstrap portion for bootstrapping a bootstrapped first node (VGL) to the bootstrapped first node and the output signal by a first clock inversion signal and a second clock inversion signal, And a discharging unit for discharging the discharging current to the level, the driving apparatus and the operation method thereof.
Description
본 발명은 직류 타입 쉬프트 레지스터, 구동 장치 및 그 동작 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 저전력 구동을 위한 직류 타입 쉬프트 레지스터, 구동 장치 및 그 동작 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
교류(AC, alternating current) 타입 쉬프트 레지스터(shift register)는 복수 개의 박막트랜지스터(TFT, thin film transistor)에 기반하여 구성되고, 출력단에 풀업 박막트랜지스터(pull-up TFT)와 클럭 신호가 연결된다.An alternating current (AC) type shift register is formed based on a plurality of thin film transistors (TFT), and a pull-up TFT and a clock signal are connected to the output terminal.
또한, 교류 타입 쉬프트 레지스터는 풀업 박막트랜지스터의 부트스트랩핑(bootstrapping) 효과를 이용하여 Q 노드에 대한 전압을 높일 수 있고, 출력의 펄스폭에 대한 자유도가 커질 수 있다.In addition, the AC type shift register can increase the voltage to the Q node using the bootstrapping effect of the pull-up thin film transistor, and the degree of freedom with respect to the pulse width of the output can be increased.
한편, 교류 타입 쉬프트 레지스터는 클럭 신호에 존재하는 용량성 부하(capacitive load)로 인하여 풀업 박막트랜지스터의 전력 소모가 증가하는 문제점이 존재한다.On the other hand, the AC type shift register has a problem that the power consumption of the pull-up thin film transistor increases due to the capacitive load existing in the clock signal.
상기 전술한 문제점을 개선시키기 위해 최근에는 출력단에 클럭 신호를 대신하여 고정 전압의 직류(DC, direct current) 타입 전원이 연결되는 직류 타입 쉬프트 레지스터 기술이 개발되었다.In order to solve the above-described problems, a direct current type shift register technique has been developed in which a direct current (DC) type power source of fixed voltage is connected instead of a clock signal to an output terminal.
출력단에 클럭 신호를 대신하여 고정 전압의 직류 타입 전원이 연결되는 종래기술로, 아몰퍼스 실리콘(a-si, amorphous silicon)이 포함된 박막트랜지스터를 이용한 직류 타입 쉬프트 레지스터 기술(종래기술 1)과, 옥사이드 실리콘(oxide silicon)이 포함된 박막트랜지스터를 이용한 직류 타입 쉬프트 레지스터 기술(종래기술 2)이 있다.A DC type shift register technique using a thin film transistor including amorphous silicon (Prior Art 1) and a conventional technology in which a DC type power source of fixed voltage is connected to an output terminal instead of a clock signal, There is a direct current type shift register technology using a thin film transistor including silicon oxide (prior art 2).
종래기술 1 및 종래기술 2는 클럭 신호에 존재하는 용량성 부하를 줄여 클럭 신호단의 전력 소모를 줄일 수 있다.The
그러나, 종래기술 1 및 종래기술 2는 11개 및 22개 등 많은 박막트랜지스터를 사용하여 여전히 전력 소모가 증가하는 문제점이 존재하고, 이웃하는 박막트랜지스터에서 존재하는 출력 신호들 간의 오버랩(overlap) 조절이 어려운 문제점이 존재하였다.However, in the
따라서, 교류 타입 쉬프트 레지스터의 클럭 신호에 인하여 발생되는 전력 소모와 직류 타입의 복수 개 박막트랜지스터에 인하여 발생되는 전력 소모를 줄이는 과제 해결 수단 및 직류 타입 쉬프트 레지스터에서 출력 신호들 간에 오버랩을 조절하는 과제 해결 수단이 필요하다.Accordingly, it is an object of the present invention to solve the problem of reducing the power consumption due to the clock signal of the AC type shift register, the power consumption caused by the plurality of thin film transistors of the DC type, and adjusting the overlap between the output signals in the DC type shift register We need means.
본 발명은 출력단에 고정 전압의 직류 타입 전원을 연결하여 클럭 신호에 인하여 발생되는 전력의 소모를 줄이는 직류 타입 쉬프트 레지스터, 구동 장치 및 그 동작 방법을 제공한다.The present invention provides a DC type shift register, a driving device, and an operation method thereof, which reduces power consumption caused by a clock signal by connecting a DC type power supply having a fixed voltage to an output terminal.
본 발명은 저온 다결정 실리콘의 동작 특성에 적합한 최소 개의 박막트랜지스터를 이용하여 저전력으로 구동되는 직류 타입 쉬프트 레지스터, 구동 장치 및 그 동작 방법을 제공한다.The present invention provides a DC type shift register, a driving apparatus, and an operation method thereof, which are driven with low power using at least two thin film transistors suitable for operating characteristics of a low temperature polycrystalline silicon.
본 발명은 제1 클럭 신호 및 제2 클럭 신호 등 입력 클럭 신호들의 선정된 지연에 의해 회로변경 없이 출력 신호들 간에 오버랩을 조절하여 출력 시간을 증가시키는 직류 타입 쉬프트 레지스터, 구동 장치 및 그 동작 방법을 제공한다.The present invention relates to a direct current type shift register, a driving device, and a method of operating the same, which adjust an overlap between output signals without a circuit change by a predetermined delay of input clock signals such as a first clock signal and a second clock signal to increase an output time to provide.
본 발명의 실시예에 따른 직류 타입 쉬프트 레지스터는 개시 신호 또는 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압(VGH) 레벨로 충전하는 충전부, 상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑(bootstrapping)하는 부트스트랩부, 상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 출력 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 충전 유지부 및 제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드 및 상기 출력 신호를 게이트 로우 전압(VGL) 레벨로 방전하는 방전부를 포함한다.The DC type shift register according to an embodiment of the present invention includes a charging unit for charging a first node to a gate high voltage (VGH) level by a driving signal of a start signal or a first-stage shift register and a first clock signal, A bootstrap section for bootstrapping a first node charged to the gate high voltage level by a second clock signal having a more predetermined delay than the gate high voltage level, A charge holding unit for holding an output signal output from the bootstrapped first node at the gate high voltage level during a bootstrapped first node and a bootstrapped first node by a first clock inversion signal and a second clock inversion signal, And discharging the output signal to a gate low voltage (VGL) level.
본 발명의 실시예에 따른 직류 타입 쉬프트 레지스터는 저온 다결정 실리콘(LTPS, low temperature polycrystalline silicon)을 포함하는 제1 내지 제9 스위칭 TFT(thin film transistor)와 부트스트랩 캐패시터를 이용하여 상기 게이트 하이 전압 및 게이트 로우 전압을 선택적으로 공급하는 것을 특징으로 할 수 있다.A DC type shift register according to an embodiment of the present invention includes first through ninth switching thin film transistors (TFTs) including low temperature polycrystalline silicon (LTPS) and a bootstrap capacitor, And a gate-low voltage is selectively supplied.
상기 충전부는 상기 제1 스위칭 TFT가 턴온(turn on)되어 상기 개시 신호 또는 상기 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호와 상기 제1 클럭 신호를 상기 제1 노드에 공급하고, 상기 제3 스위칭 TFT가 턴오프(turn off)되어 상기 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전하며, 상기 충전된 제1 노드에 의해 상기 제6 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 존재하는 상기 부트스트랩 캐패시터를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전하고, 제4 스위칭 TFT 및 제5 스위칭 TFT가 턴온되어 제3 노드를 상기 게이트 로우 전압 레벨로 방전하며, 상기 방전된 제3 노드에 의해 상기 제7 스위칭 TFT 및 상기 제9 스위칭 TFT가 턴오프되고, 상기 충전된 제1 노드에 의해 상기 제8 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 출력 신호를 충전하되, 상기 출력 신호는 상기 게이트 하이 전압 레벨과 상기 제8 스위칭 TFT의 문턱 전압 간의 차이로 충전될 수 있다.The first switching TFT is turned on to supply the start signal or the driving signal of the first-stage shift register and the first clock signal to the first node, and the third switching TFT is turned off the first node is turned off to charge the first node to the gate high voltage level, and the sixth switching TFT is turned on by the charged first node to turn on the bootstrap existing between the first node and the second node, The fourth switching TFT and the fifth switching TFT are turned on to discharge the third node to the gate low voltage level, and the seventh switching TFT and the fifth switching TFT are turned off by the discharged third node, The ninth switching TFT is turned off and the eighth switching TFT is turned on by the charged first node to charge the output signal, It can be filled with the difference between the pressure level and the threshold voltage of the eighth switching TFT.
상기 부트스트랩부는 상기 제1 스위칭 TFT와 상기 제3 스위칭 TFT가 턴오프되어 상기 충전된 제1 노드를 플로팅(floating)하고, 상기 제6 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제2 클럭 신호를 상기 제2 노드에 공급하며, 상기 부트스트랩 캐패시터에 의해 상기 플로팅된 제 1노드를 부트스트랩핑하여 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 충전하고, 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에 의해 상기 제8 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 출력 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전할 수 있다.Wherein the bootstrap portion is configured such that the first switching TFT and the third switching TFT are turned off to float the charged first node and the sixth switching TFT is turned on to turn the second clock signal to the second node And bootstrapping the floating first node by the bootstrap capacitor to charge the floating node to the gate high voltage level or higher and turning on the eighth switching TFT by the bootstrapped first node, Output signal to the gate high voltage level.
상기 방전부는 상기 제2 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제1 클럭 반전 신호 및 상기 제2 클럭 반전 신호를 상기 제3 스위칭 TFT에게 공급하고, 상기 제3 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제1 노드를 상기 게이트 로우 전압 레벨로 방전하며, 상기 게이트 로우 전압 레벨로 방전된 제1 노드에 의해 상기 제6 스위칭 TFT 및 상기 제8 스위칭 TFT가 턴오프되고, 상기 제4 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제3 노드를 충전하며, 상기 충전된 제3 노드에 의해 상기 제7 스위칭 TFT 및 상기 제9 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제2 노드 및 상기 출력 신호를 상기 게이트 로우 전압 레벨로 방전할 수 있다.Wherein the discharging portion supplies the first clock inverted signal and the second clock inverted signal to the third switching TFT when the second switching TFT is turned on and the third switching TFT is turned on, The sixth switching TFT and the eighth switching TFT are turned off by a first node discharged at the gate low voltage level, and the fourth switching TFT is turned on to charge the third node , The seventh switching TFT and the ninth switching TFT may be turned on by the charged third node to discharge the second node and the output signal to the gate low voltage level.
본 발명의 실시예에 따른 구동 장치는 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 구동 신호의 일부분이 오버랩핑하는 N개의 쉬프트 레지스터를 포함한다.The driving apparatus according to the embodiment of the present invention includes N shift registers in which a part of the driving signals for the neighboring shift registers overlap.
N개의 쉬프트 레지스터에서 n번째 쉬프트 레지스터(상기 n은 1이상 상기 N이하의 자연수)는 개시 신호 또는 n-1번째 쉬프트 레지스터의 n-1번째 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하는 충전부, 상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하는 부트스트랩부, 상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 n번째 구동 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 충전 유지부 및 제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드 및 상기 n번째 구동 신호를 게이트 로우 전압 레벨로 방전하는 방전부를 포함한다.In the N shift registers, the nth shift register (where n is a natural number equal to or greater than 1 and equal to or smaller than N) is connected to the first node by the start signal or the (n-1) th drive signal and the first clock signal, A bootstrap for bootstrapping a first node charged to the gate high voltage level by the second clock signal having a predetermined delay than the first clock signal to the gate high voltage level or higher, A charge hold unit for holding the nth drive signal output from the bootstrapped first node during the supply of the second clock signal to the gate high voltage level, and a second clock inversion signal generating unit for generating a first clock inversion signal and a second clock inversion signal, And a discharging unit discharging the bootstrapped first node and the nth driving signal to a gate low voltage level.
복수 개의 쉬프트 레지스터에서 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 구동 신호의 일부분이 오버랩핑하는 본 발명의 다른 실시예에 따른 직류 타입 구동 장치는 상기 복수 개의 쉬프트 레지스터, 저온 다결정 실리콘의 특성을 고려한 선정된 개수의 스위칭 TFT 및 부트스트랩 캐패시터를 포함하는 상기 각 쉬프트 레지스터에게 상기 직류 타입의 전원을 공급하는 전원 공급부 및 상기 각 쉬프트 레지스터에서 충전, 부트스트랩핑, 충전 유지 및 방전 중 적어도 하나의 동작을 수행하기 위한 클럭 신호를 발생하는 클럭 발생부를 포함한다.The DC type driving apparatus according to another embodiment of the present invention in which a part of the driving signals for the neighboring shift registers overlap in the plurality of shift registers may include a plurality of shift registers and a predetermined number of shift registers in consideration of the characteristics of the low temperature polycrystalline silicon A power supply for supplying the DC type power to each shift register including a switching TFT and a bootstrap capacitor, and a clock for performing at least one of charging, bootstrapping, charge holding and discharging in each shift register And a clock generator for generating a signal.
본 발명의 다른 실시예에 따른 구동 장치는 상기 직류 타입의 전원 및 상기 발생된 클럭 신호가 상기 복수 개의 쉬프트 레지스터에게 제공되도록 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.The driving apparatus according to another embodiment of the present invention may further include a controller for controlling the DC type power supply and the generated clock signal to be provided to the plurality of shift registers.
상기 클럭 발생부는 상기 각 쉬프트 레지스터에서 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하기 위한 제1 클럭 신호를 발생하는 제1 클럭 발생부, 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하기 위한 상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호를 발생하는 제2 클럭 발생부, 상기 제1 클럭 신호의 반전된 신호인 제1 클럭 반전 신호를 발생하는 제1 반전 클럭 발생부 및 상기 제2 클럭 신호의 반전된 신호인 제2 클럭 반전 신호를 발생하는 제2 반전 클럭 발생부를 포함할 수 있다.The clock generator includes a first clock generator for generating a first clock signal for charging the first node to a gate high voltage level in each shift register, a first clock generator for generating a first high- A second clock generator for generating a second clock signal having a predetermined delay than the first clock signal for bootstrapping the first clock signal, the second clock generator generating a first clock inversion signal that is an inverted signal of the first clock signal And a second inverted clock generator for generating a second inverted clock signal which is an inverted signal of the second clock signal.
상기 제어부는 상기 선정된 지연에 의해 상기 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 상기 구동 신호의 일부분이 오버랩핑되도록 제어하고, 상기 각 쉬프트 레지스터에서 상기 제1 클럭 반전 신호 및 상기 제2 클럭 반전 신호에 기초하여 상기 부트스트랩핑된 제1 노드 및 상기 구동 신호를 게이트 로우 전압 레벨로 방전되도록 제어할 수 있다.The control unit controls the selected delay to overlap a part of the driving signal with respect to the neighboring shift register by the predetermined delay, and generates, based on the first clock inversion signal and the second clock inversion signal in each shift register The bootstrapped first node and the drive signal to be discharged to a gate low voltage level.
본 발명의 실시예에 따른 직류 타입 쉬프트 레지스터의 동작 방법은 개시 신호 또는 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하는 단계, 상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하는 단계, 상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 출력 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 단계 및 제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드 및 상기 출력 신호를 게이트 로우 전압 레벨로 방전하는 단계를 포함한다.A method of operating a direct current type shift register according to an embodiment of the present invention includes charging a first node to a gate high voltage level by a start signal or a drive signal of a first stage shift register and a first clock signal, Bootstrapping a first node charged to the gate high voltage level by a second clock signal having a more predetermined delay than the gate high voltage level, Maintaining the output signal from the first node at the gate high voltage level, and maintaining the bootstrapped first node and the output signal at a gate low voltage level by a first clock inversion signal and a second clock inversion signal, .
본 발명의 실시예에 따른 직류 타입 구동 장치의 동작 방법은 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 구동 신호의 일부분이 오버랩핑하는 N개의 쉬프트 레지스터의 동작 방법을 포함한다.The operation method of the DC type driving apparatus according to the embodiment of the present invention includes a method of operating N shift registers in which a part of driving signals for neighboring shift registers overlap.
N개의 쉬프트 레지스터에서 n번째 쉬프트 레지스터(상기 n은 1이상 상기 N이하의 자연수)의 동작 방법은 개시 신호 또는 n-1번째 쉬프트 레지스터의 n-1번째 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하는 단계, 상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하는 단계, 상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 n번째 구동 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 단계 및 제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드 및 상기 n번째 구동 신호를 게이트 로우 전압 레벨로 방전하는 단계를 포함한다.The operation method of the n-th shift register (where n is a natural number equal to or greater than 1 and equal to or smaller than N) in the N shift registers is performed by the start signal or the (n-1) Charging a first node charged with the gate high voltage level by a second clock signal having a predetermined delay to the gate high voltage level, Maintaining the nth drive signal output at the bootstrapped first node at the gate high voltage level while the second clock signal is being supplied, and maintaining the first clock inversion signal and the second clock inversion signal at And discharging the bootstrapped first node and the nth drive signal to a gate low voltage level.
복수 개의 쉬프트 레지스터에서 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 구동 신호의 일부분이 오버랩핑하는 본 발명의 다른 실시예에 따른 직류 타입 구동 장치의 동작 방법은 저온 다결정 실리콘의 특성을 고려한 선정된 개수의 스위칭 TFT 및 부트스트랩 캐패시터를 포함하는 상기 각 쉬프트 레지스터에게 상기 직류 타입의 전원을 공급하는 단계 및 상기 각 쉬프트 레지스터에서 충전, 부트스트랩핑, 충전 유지 및 방전 중 적어도 하나의 동작을 수행하기 위한 클럭 신호를 발생하는 단계를 포함한다.A method of operating a direct current type driving device according to another embodiment of the present invention in which a part of a driving signal for a neighboring shift register overlaps in a plurality of shift registers according to another embodiment of the present invention includes a predetermined number of switching TFTs considering characteristics of low temperature polycrystalline silicon, Supplying the DC type power to each shift register including a bootstrap capacitor, and generating a clock signal for performing at least one of charging, bootstrapping, charge holding, and discharging in each shift register .
본 발명은 출력단에 고정 전압의 직류 타입 전원을 연결하여 클럭 신호에 인하여 발생되는 전력의 소모를 줄일 수 있다.The present invention can reduce the power consumption due to the clock signal by connecting a DC voltage source of fixed voltage to the output terminal.
본 발명은 저온 다결정 실리콘의 동작 특성에 적합한 최소 개의 박막트랜지스터를 이용하여 저전력으로 구동될 수 있다.The present invention can be driven with low power using at least two thin film transistors suitable for the operating characteristics of the low temperature polycrystalline silicon.
본 발명은 제1 클럭 신호 및 제2 클럭 신호 등 입력 클럭 신호들의 선정된 지연에 의해 회로변경 없이 출력 신호들 간에 오버랩을 조절하여 출력 시간을 증가시킬 수 있다.The present invention can increase the output time by adjusting the overlap between the output signals without changing the circuit by the predetermined delay of the input clock signals such as the first clock signal and the second clock signal.
도 1a는 교류 타입 구동 장치를 예시한 블록도이다.
도 1b는 도 1a의 교류 타입 쉬프트 레지스터 회로를 예시한 도면이다.
도 1c는 도 1a의 교류 타입 쉬프트 레지스터에 대한 타이밍도를 예시한 도면이다.
도 2a는 교류 타입 쉬프트 레지스터에 대한 출력단을 예시한 도면이다.
도 2b는 직류 타입 쉬프트 레지스터에 대한 출력단을 예시한 도면이다.
도 3a는 아몰퍼스 실리콘이 포함된 박막트랜지스터를 이용한 직류 타입 쉬프트 레지스터 회로를 예시한 도면이다.
도 3b는 옥사이드 실리콘이 포함된 박막트랜지스터를 이용한 직류 타입 쉬프트 레지스터 회로를 예시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 직류 타입 쉬프트 레지스터를 도시한 블록도이다.
도 5는 도 4의 직류 타입 쉬프트 레지스터에 대한 회로를 예시한 도면이다.
도 6a는 도 5의 충전 구간에 대한 회로의 동작을 예시한 도면이다.
도 6b는 도 5의 부트스트랩 구간에 대한 회로의 동작을 예시한 도면이다.
도 6c는 도 5의 충전 유지 구간에 대한 회로의 동작을 예시한 도면이다.
도 6d는 도 5의 방전 구간에 대한 회로의 동작을 예시한 도면이다.
도 6e는 도 5의 네 개의 구간에 대한 타이밍도를 예시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 직류 타입 구동 장치를 도시한 블록도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 직류 타입 구동 장치를 도시한 블록도이다.
도 9a는 도 8의 16개 쉬프트 레지스터를 포함하는 직류 타입 구동 장치에 대한 회로를 예시한 도면이다.
도 9b는 도 8의 직류 타입 구동 장치에서 10번째 시프트 레지스터의 출력 파형을 예시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 직류 타입 쉬프트 레지스터의 동작 방법을 도시한 흐름도이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 직류 타입 구동 장치의 동작 방법을 도시한 흐름도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 직류 타입 구동 장치의 동작 방법을 도시한 흐름도이다.1A is a block diagram illustrating an AC type driving apparatus.
FIG. 1B is a diagram illustrating the AC type shift register circuit of FIG. 1A.
1C is a diagram illustrating a timing diagram for the AC type shift register of FIG. 1A.
2A is a diagram illustrating an output stage for an AC type shift register.
2B is a diagram illustrating an output stage for a DC type shift register.
3A is a diagram illustrating a DC type shift register circuit using a thin film transistor including amorphous silicon.
3B is a diagram illustrating a DC type shift register circuit using a thin film transistor including an oxide silicon.
4 is a block diagram illustrating a DC type shift register according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram illustrating a circuit for the DC type shift register of FIG.
6A is a diagram illustrating the operation of the circuit for the charging period of FIG.
FIG. 6B is a diagram illustrating the operation of the circuit for the bootstrap section of FIG.
6C is a diagram illustrating the operation of the circuit for the charge hold period of FIG.
6D is a diagram illustrating the operation of the circuit for the discharge interval of FIG.
FIG. 6E is a diagram illustrating a timing diagram for the four sections of FIG. 5. FIG.
7 is a block diagram showing a DC type driving apparatus according to an embodiment of the present invention.
8 is a block diagram illustrating a direct current type driving apparatus according to another embodiment of the present invention.
9A is a diagram illustrating a circuit for a direct current type driving apparatus including the sixteen shift registers of FIG.
FIG. 9B is a diagram illustrating an output waveform of the tenth shift register in the DC type driving apparatus of FIG. 8; FIG.
10 is a flowchart illustrating an operation method of a direct current type shift register according to an embodiment of the present invention.
11 is a flowchart illustrating an operation method of a DC type driving apparatus according to an embodiment of the present invention.
12 is a flowchart illustrating an operation method of a direct current type driving apparatus according to another embodiment of the present invention.
이하 첨부 도면들 및 첨부 도면들에 기재된 내용들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and accompanying drawings, but the present invention is not limited to or limited by the embodiments.
한편, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고, 본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. The terminology used herein is a term used for appropriately expressing an embodiment of the present invention, which may vary depending on the user, the intent of the operator, or the practice of the field to which the present invention belongs. Therefore, the definitions of these terms should be based on the contents throughout this specification.
도 1a는 교류 타입 구동 장치를 예시한 블록도이고, 도 1b는 도 1a의 교류 타입 쉬프트 레지스터 회로를 예시한 도면이며, 도 1c는 도 1a의 교류 타입 쉬프트 레지스터에 대한 타이밍도를 예시한 도면이다.FIG. 1A is a block diagram illustrating an AC type driving apparatus, FIG. 1B is a diagram illustrating an AC type shift register circuit of FIG. 1A, and FIG. 1C is a diagram illustrating a timing diagram of the AC type shift register of FIG. 1A .
도 1a를 참조하면, 교류(AC, alternating current) 타입 구동 장치는 복수 개의 교류 타입 쉬프트 레지스터(shift register), 전원 공급부(도시되지 않음) 및 클럭 발생부(도시되지 않음)를 포함한다.Referring to FIG. 1A, an alternating current (AC) type driving apparatus includes a plurality of AC type shift registers, a power supply unit (not shown), and a clock generating unit (not shown).
각각의 교류 타입 쉬프트 레지스터는 도 1b에 도시된 바와 같이, 복수 개의 박막트랜지스터(TFT, thin film transistor)(N1 내지 N8)를 포함할 수 있고, 출력단에 풀업 박막트랜지스터(pull-up TFT)(N7)와 클럭 신호(CLK)가 연결될 수 있다.Each AC type shift register may include a plurality of thin film transistors (N1 to N8) as shown in FIG. 1B, and a pull-up TFT (N7 And a clock signal CLK may be connected.
전원 공급부는 복수 개의 박막트랜지스터를 포함하는 각 교류 타입 쉬프트 레지스터에게 교류 타입의 전원을 공급할 수 있다.The power supply unit may supply AC type power to each AC type shift register including a plurality of thin film transistors.
클럭 발생부는 클럭 신호를 각각의 교류 타입 쉬프트 레지스터의 풀업 박막트랜지스터(N7)와 연결된 출력단에 공급할 수 있다.The clock generator may supply a clock signal to an output terminal connected to the pull-up thin film transistor N7 of each AC type shift register.
여기서, 교류 타입 쉬프트 레지스터는 풀업 박막트랜지스터(N7)의 부트스트랩핑(bootstrapping) 효과를 이용하여 Q 노드(Q[n])에 대한 전압을 높일 수 있고, 출력의 펄스폭에 대한 자유도가 커질 수 있다.Here, the AC type shift register can increase the voltage to the Q node Q [n] using the bootstrapping effect of the pull-up thin film transistor N7, and the degree of freedom with respect to the pulse width of the output can be increased have.
예를 들어 도 1c를 참조하면, 교류 타입 쉬프트 레지스터는 클럭 발생부를 통하여 원하는 라인에 클럭 신호를 제공할 수 있고, Q 노드의 플로팅(floating) 상태에서 라이징 트랜지션(rising transition)이 발생되어 부트스트랩핑 효과가 발생될 수 있으며, 부트스트랩핑 효과에 의해 Q 노드에 대한 전압이 전원 레벨보다 높아져 출력 신호에 대한 전압(G[n])과 전원 레벨을 맞출 수 있다.For example, referring to FIG. 1C, an AC type shift register can provide a clock signal to a desired line through a clock generator, and a rising transition occurs in a floating state of a Q node, An effect may be generated and the voltage for the Q node becomes higher than the power supply level by the bootstrapping effect so that the power supply level can be matched with the voltage G [n] for the output signal.
한편, 교류 타입 쉬프트 레지스터는 클럭 신호에 존재하는 용량성 부하(capacitive load)로 인하여 풀업 박막트랜지스터의 전력 소모가 증가하는 문제점이 존재한다. 이하, 전술한 문제점을 개선시키기 위해 도 2a, 도 2b, 도 3a 및 도 3b를 참조하여 고정 전압의 직류(DC, direct current) 타입 전원이 연결되는 직류 타입 쉬프트 레지스터를 상세히 설명하기로 한다.
On the other hand, the AC type shift register has a problem that the power consumption of the pull-up thin film transistor increases due to the capacitive load existing in the clock signal. Hereinafter, a DC type shift register to which a direct current (DC) type power supply with a fixed voltage is connected will be described in detail with reference to FIGS. 2A, 2B, 3A and 3B in order to solve the above problems.
도 2a는 교류 타입 쉬프트 레지스터에 대한 출력단을 예시한 도면이고, 도 2b는 직류 타입 쉬프트 레지스터에 대한 출력단을 예시한 도면이다.FIG. 2A is a diagram illustrating an output terminal for an AC type shift register, and FIG. 2B is a diagram illustrating an output terminal for a DC type shift register.
도 2a를 참조하면, 교류 타입 쉬프트 레지스터의 장점은 풀업 박막트랜지스터의 부트스트랩핑 효과를 이용하여 Q 노드에 대한 전압을 높일 수 있고, 출력의 펄스폭에 대한 자유도가 커질 수 있다.2A, an advantage of the AC type shift register is that the voltage to the Q node can be increased by using the bootstrapping effect of the pull-up thin film transistor, and the degree of freedom with respect to the pulse width of the output can be increased.
한편, 교류 타입 쉬프트 레지스터는 클럭 신호에 존재하는 용량성 부하(capacitive load)로 인하여 풀업 박막트랜지스터의 전력 소모가 증가할 수 있다.On the other hand, the AC type shift register can increase the power consumption of the pull-up thin film transistor due to the capacitive load present in the clock signal.
도 2b를 참조하면, 직류 타입 쉬프트 레지스터의 장점은 출력단에 고정 전압의 직류 타입 전원(VGH)을 연결하여 클럭 신호에 존재하는 용량성 부하를 줄일 수 있어, 전력 소모를 줄일 수 있다.Referring to FIG. 2B, an advantage of the direct current type shift register is that the direct current type power supply (VGH) having a fixed voltage is connected to the output terminal to reduce a capacitive load existing in the clock signal, thereby reducing power consumption.
직류 타입 쉬프트 레지스터는 Q 노드의 전압을 부트스트래핑하기 위해 별도의 부트스트랩 캐패시터(bootstrap capacitor)가 존재할 수 있다.A DC type shift register may have a separate bootstrap capacitor to bootstrap the voltage at the Q node.
또한, 직류 타입 쉬프트 레지스터의 단점은 박막트랜지스터의 개수가 증가할 수 있으므로, 복수 개 박막트랜지스터에 인하여 발생되는 전력 소모가 증가할 수 있고, 회로의 면적이 커질 수 있다.
A disadvantage of the direct current type shift register is that the number of thin film transistors can be increased, so that power consumption due to the plurality of thin film transistors can be increased, and the area of the circuit can be increased.
도 3a는 아몰퍼스 실리콘이 포함된 박막트랜지스터를 이용한 직류 타입 쉬프트 레지스터 회로를 예시한 도면이고, 도 3b는 옥사이드 실리콘이 포함된 박막트랜지스터를 이용한 직류 타입 쉬프트 레지스터 회로를 예시한 도면이다.3A is a diagram illustrating a DC type shift register circuit using a thin film transistor including amorphous silicon, and FIG. 3B is a diagram illustrating a DC type shift register circuit using a thin film transistor including an oxide silicon.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 아몰퍼스 실리콘(a-si, amorphous silicon)이 포함된 박막트랜지스터를 이용한 직류 타입 쉬프트 레지스터 회로(종래기술 1)는 11개의 박막트랜지스터(도 3a의 M1 내지 M11)가 포함될 수 있고, 옥사이드 실리콘(oxide silicon)이 포함된 박막트랜지스터를 이용한 직류 타입 쉬프트 레지스터 회로(종래기술 2)는 22개의 박막트랜지스터(도 3b의 N1 내지 N22)가 포함될 수 있다.3A and 3B, a direct current type shift register circuit (Prior Art 1) using a thin film transistor including amorphous silicon (a-Si) includes 11 thin film transistors (M1 to M11 in FIG. 3A) And a direct current type shift register circuit using a thin film transistor including oxide silicon (Prior Art 2) may include 22 thin film transistors (N1 to N22 in FIG. 3B).
종래기술 1 및 종래기술 2는 클럭 신호에 존재하는 용량성 부하를 줄여 클럭 신호단의 전력 소모를 줄일 수 있다.The
그러나, 종래기술 1 및 종래기술 2는 11개 및 22개 등 많은 박막트랜지스터를 사용하여 여전히 전력 소모가 증가하는 문제점이 존재할 수 있고, 이웃하는 박막트랜지스터에서 존재하는 출력 신호들 간의 오버랩(overlap) 조절이 어려운 문제점이 존재할 수 있다.However, in the
이하에서는 교류 타입 쉬프트 레지스터의 클럭 신호에 인하여 발생되는 전력 소모와 직류 타입의 복수 개 박막트랜지스터에 인하여 발생되는 전력 소모를 줄이고, 직류 타입 쉬프트 레지스터에서 출력 신호들 간에 오버랩을 조절하는 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention in which the power consumption due to the clock signal of the AC type shift register is reduced, the power consumption caused by the plurality of thin film transistors of the DC type is reduced, and the overlap between the output signals in the DC type shift register is controlled Will be described in detail.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 직류 타입 쉬프트 레지스터를 도시한 블록도이다.4 is a block diagram illustrating a DC type shift register according to an embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 직류 타입 쉬프트 레지스터(400)는 충전부(410), 부트스트랩부(420), 충전 유지부(430) 및 방전부(440)를 포함한다. 여기서, 직류 타입 쉬프트 레지스터(400)의 충전부(410), 부트스트랩부(420), 충전 유지부(430) 및 방전부(440)는 복수의 스위칭 TFT(thin film transistor)와 부트스트랩 캐패시터를 이용하여 동작할 수 있다.4, the direct current
도 5는 도 4의 직류 타입 쉬프트 레지스터에 대한 회로를 예시한 도면이다.5 is a diagram illustrating a circuit for the DC type shift register of FIG.
도 5를 참조하면, 직류 타입 쉬프트 레지스터(400)에 대한 회로는 저온 다결정 실리콘(LTPS, low temperature polycrystalline silicon)을 포함하는 제1 내지 제9 스위칭 TFT(T1, T2, …, T9)와 부트스트랩 캐패시터(C1)를 이용하여 게이트 하이 전압(VGH) 및 게이트 로우 전압(VGL)을 선택적으로 공급하는 것을 특징으로 할 수 있다.Referring to FIG. 5, the circuit for the DC
또한, 직류 타입 쉬프트 레지스터(400)는 제1 클럭 신호(CLK1), 제2 클럭 신호(CLK2), 제1 클럭 반전 신호(CLK1b) 및 제2 클럭 반전 신호(CLK2b) 등 4개의 클럭 신호와 게이트 하이 전압(VGH) 및 게이트 로우 전압(VGL) 등 2개의 직류 타입의 전원에 의해 제1 내지 제9 스위칭 TFT(T1, T2, …, T9)와 부트스트랩 캐패시터(C1)를 동작할 수 있고, 4가지 동작 구간(충전 구간, 부트스트랩 구간, 충전 유지 구간 및 방전 구간 등)으로 구분하여 동작할 수 있다.The DC
도 5에 도시된 바와 같이, 제1 스위칭 TFT(T1)은 개시 신호 또는 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호(Q[n-1])에 의해 스위칭되고, 제1 스위칭 TFT(T1)의 일단은 제1 클럭 신호에 연결되며, 타단은 제1 노드(Q[n])에 연결될 수 있다.5, the first switching TFT T1 is switched by the start signal or the driving signal Q [n-1] of the previous-stage shift register, and one end of the first switching TFT T1 is turned off 1 clock signal, and the other end may be connected to the first node Q [n].
제2 스위칭 TFT(T2)은 제2 클럭 반전 신호(CLK2b)에 의해 스위칭되고, 제2 스위칭 TFT(T2)의 일단은 제1 클럭 반전 신호(CLK1b)에 연결되며, 타단은 제3 스위칭 TFT(T3)에 연결될 수 있다.The second switching TFT T2 is switched by the second clock inversion signal CLK2b and one end of the second switching TFT T2 is connected to the first clock inversion signal CLK1b and the other end is connected to the third switching TFT T3.
제3 스위칭 TFT(T3)은 제2 스위칭 TFT(T2)로부터 인가되는 반전 신호(A[n])에 의해 스위칭되고, 제3 스위칭 TFT(T3) 일단은 제1 노드(Q[n])에 연결되며, 타단은 게이트 로우 전압(VGL)에 연결될 수 있다.The third switching TFT T3 is switched by the inverted signal A [n] applied from the second switching TFT T2 and the other end of the third switching TFT T3 is switched to the first node Q [n] And the other end may be connected to the gate-low voltage VGL.
제4 스위칭 TFT(T4)는 게이트 하이 전압(VGH)에 의해 스위칭되고, 제4 스위칭 TFT(T4)의 일단은 게이트 하이 전압(VGH)에 연결되며, 타단은 제3 노드(Qb[n])에 연결될 수 있다.The fourth switching TFT T4 is switched by the gate high voltage VGH and one end of the fourth switching TFT T4 is connected to the gate high voltage VGH and the other end is connected to the third node Qb [n] Lt; / RTI >
제5 스위칭 TFT(T5)는 제1 노드(Q[n])에 의해 스위칭되고, 제5 스위칭 TFT(T5)의 일단은 제3 노드(Qb[n])에 연결되며, 타단은 게이트 로우 전압(VGL)에 연결될 수 있다.The fifth switching TFT T5 is switched by the first node Q [n], one end of the fifth switching TFT T5 is connected to the third node Qb [n], and the other end is switched to the gate low voltage (VGL).
제6 스위칭 TFT(T6)은 제1 노드(Q[n])에 의해 스위칭되고, 제6 스위칭 TFT(T6)의 일단은 제2 클럭 신호(CLK2)에 연결되며, 타단은 제2 노드(B[n])에 연결될 수 있다.The sixth switching TFT T6 is switched by the first node Q [n], one end of the sixth switching TFT T6 is connected to the second clock signal CLK2, and the other end is connected to the second node B [n]).
제7 스위칭 TFT(T7)은 제3 노드(Qb[n])에 의해 스위칭되고, 제7 스위칭 TFT(T7)의 일단은 제2 노드(B[n])에 연결되며, 타단은 게이트 로우 전압(VGL)에 연결될 수 있다.The seventh switching TFT T7 is switched by the third node Qb [n], one end of the seventh switching TFT T7 is connected to the second node B [n] (VGL).
제8 스위칭 TFT(T8)는 제1 노드(Q[n])에 의해 스위칭되고, 제8 스위칭 TFT(T8)의 일단은 게이트 하이 전압(VGH)에 연결되며, 타단은 제9 스위칭 TFT(T9)에 연결될 수 있다.The eighth switching TFT T8 is switched by the first node Q [n], one end of the eighth switching TFT T8 is connected to the gate high voltage VGH and the other end is connected to the ninth switching TFT T9 .
제9 스위칭 TFT(T9)는 제3 노드(Qb[n])에 의해 스위칭되고, 제9 스위칭 TFT(T9) 일단은 제8 스위칭 TFT(T8)에 연결되며, 타단은 게이트 로우 전압(VGL)에 연결될 수 있다. 이 때, 출력 신호(Vg[n])는 제8 스위칭 TFT(T8) 타단과 제9 스위칭 TFT(T9) 일단 사이에 존재할 수 있다.The ninth switching TFT T9 is switched by the third node Qb [n], one end of the ninth switching TFT T9 is connected to the eighth switching TFT T8 and the other end is connected to the gate low voltage VGL, Lt; / RTI > At this time, the output signal V g [n] may exist between the other end of the eighth switching TFT T8 and one end of the ninth switching TFT T9.
부트스트랩 캐패시터(C1)의 일단은 제1 노드(Q[n])에 연결되고, 타단은 제2 노드(B[n])에 연결될 수 있다.One end of the bootstrap capacitor C1 may be connected to the first node Q [n] and the other end may be connected to the second node B [n].
여기서, 제1 노드(Q[n])는 제1 스위칭 TFT(T1), 제3 스위칭 TFT(T3), 제5 스위칭 TFT(T5), 제6 TFT 스위칭 TFT(T6), 제8 스위칭 TFT 및 부트스트랩 캐패시터(C1)와 연결될 수 있다.Here, the first node Q [n] includes a first switching TFT T1, a third switching TFT T3, a fifth switching TFT T5, a sixth TFT switching TFT T6, an eighth switching TFT, And may be connected to the bootstrap capacitor C1.
또한, 제2 노드(B[n])는 제6 스위칭 TFT(T6), 제7 스위칭 TFT(T7) 및 부트스트랩 캐패시터(C1)와 연결되고, 제3 노드(Qb[n])는 제4 스위칭 TFT(T4), 제5 스위칭 TFT(T5), 제7 스위칭 TFT(T7) 및 제9 스위칭 TFT(T9)와 연결될 수 있다.In addition, the second node B [n] is connected to the sixth switching TFT T6, the seventh switching TFT T7 and the bootstrap capacitor C1, and the third node Qb [n] And may be connected to the switching TFT T4, the fifth switching TFT T5, the seventh switching TFT T7, and the ninth switching TFT T9.
이하, 도 6a 내지 도 6e를 참조하여 직류 타입 쉬프트 레지스터(400)를 동작 구간별로 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, the DC
도 6a는 도 5의 충전 구간에 대한 회로의 동작을 예시한 도면이다.6A is a diagram illustrating the operation of the circuit for the charging period of FIG.
도 6a를 참조하면, 충전부(410)는 개시 신호 또는 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호(Q[n-1])와 제1 클럭 신호(CLK1)에 의해 제1 노드(Q[n])를 게이트 하이 전압(VGH) 레벨로 충전한다.Referring to FIG. 6A, the
예를 들어, 직류 타입 쉬프트 레지스터(400)가 첫번째 시작하는 레지스터인 경우, 충전부(410) 개시 신호와 제1 클럭 신호(CLK1)에 의해 제1 노드(Q[n])를 게이트 하이 전압(VGH) 레벨로 충전할 수 있다.For example, when the direct current
또한, 직류 타입 쉬프트 레지스터(400)가 첫번째 시작하는 레지스터가 아닌 경우, 충전부(410) 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호(Q[n-1])와 제1 클럭 신호(CLK1)에 의해 제1 노드(Q[n])를 게이트 하이 전압 레벨(VGH)로 충전할 수 있다.When the DC
여기서, n은 1이상 N이하의 자연수이고, 직류 타입 쉬프트 레지스터(400)는 n번째 레지스터이며, 전체 쉬프트 레지스터의 개수는 N이다.Here, n is a natural number equal to or greater than 1 and equal to or less than N, the direct current
실시예에 따르면, 충전부(410)는 제1 스위칭 TFT(T1), 제4 스위칭 TFT(T4), 제5 스위칭 TFT(T5), 제6 스위칭 TFT(6), 제8 스위칭 TFT(T8) 및 부트스트랩 캐패시터(C1)을 포함할 수 있다. According to the embodiment, the charging
예를 들어, 충전부(410)는 제1 스위칭 TFT(T1), 제4 스위칭 TFT(T4), 제5 스위칭 TFT(T5), 제6 스위칭 TFT(6) 및 제8 스위칭 TFT(T8)가 턴온(turn on)되어 제1 노드를 게이트 하이 전압(VGH) 레벨로 충전할 수 있다. 이 때, 제3 스위칭 TFT(T3), 제7 스위칭 TFT(T7) 및 제9 스위칭 TFT(T9)는 턴오프(turn off)된다.For example, the charging
보다 상세하게는, 충전부(410)는 제1 스위칭 TFT(T1)가 턴온되어 개시 신호 또는 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호(Q[n-1])와 제1 클럭 신호(CLK1)를 제1 노드(Q[n])에 공급하고, 제3 스위칭 TFT(T3)가 턴오프되어 제1 노드(Q[n])를 게이트 하이 전압 레벨(VGH)로 충전하며, 충전된 제1 노드(Q[n])에 의해 제6 스위칭 TFT(T6)가 턴온되어 제1 노드(Q[n])와 제2 노드(B[n]) 사이에 존재하는 부트스트랩 캐패시터(C1)를 게이트 하이 전압 레벨(VGH)로 충전하고, 제4 스위칭 TFT(T4) 및 제5 스위칭 TFT(T5)가 턴온되어 제3 노드(Qb[n])를 게이트 로우 전압(VGL) 레벨로 방전할 수 있다. 이 때, 제2 노드(B[n])는 충전된 제1 노드(Q[n])에 의해 제6 스위칭 TFT(T6)가 턴온되어 게이트 로우 전압(VGL) 레벨이 될 수 있다.More specifically, the charging
또한, 충전부(410)는 방전된 제3 노드(Qb[n])에 의해 제7 스위칭 TFT(T7) 및 제9 스위칭 TFT(T9)가 턴오프되고, 충전된 제1 노드(Q[n])에 의해 제8 스위칭 TFT(T8)가 턴온되어 출력 신호(Vg[n])를 충전하되, 출력 신호(Vg[n])는 게이트 하이 전압 레벨(VGH)과 제8 스위칭 TFT의 문턱 전압(VTH8) 간의 차이로 충전될 수 있다.In addition, the charging
실시예에 따르면, 교류 타입 쉬프트 레지스터인 경우, 출력단에 클럭 신호와 연결되는 반면, 본 발명의 직류 타입 쉬프트 레지스터(400)의 출력단은 직류 타입의 전원과 연결된다.According to the embodiment, in the case of the AC type shift register, the output terminal of the DC
따라서, 직류 타입 쉬프트 레지스터(400)는 출력단에 고정 전압의 직류 타입 전원을 연결하여 클럭 신호에 인하여 발생되는 전력의 소모를 줄일 수 있다.
Therefore, the direct current
도 6b는 도 5의 부트스트랩 구간에 대한 회로의 동작을 예시한 도면이다.FIG. 6B is a diagram illustrating the operation of the circuit for the bootstrap section of FIG.
도 6b를 참조하면, 부트스트랩부(420)는 제1 클럭 신호(CLK1)보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호(CLK2)에 의해 게이트 하이 전압(VGH) 레벨로 충전된 제1 노드(Q[n])를 상기 게이트 하이 전압(VGH) 레벨 이상으로 부트스트랩핑한다.6B, the
선정된 지연은 제1 노드(Q[n])에서 출력되는 출력 신호(Vg[n])와 직후단 쉬프트 레지스터의 구동 신호(Vg[n+1]) 간에 오버랩핑되는 시간(Td)일 수 있고, 제1 클럭 신호(CLK1)의 시간과 제2 클럭 신호(CLK2) 시간의 차(Td)일 수 있다.The selected delay is a time delay T d (n) between the output signal V g [n] output from the first node Q [n] and the drive signal V g [n + 1] ) And may be the difference (T d ) between the time of the first clock signal CLK1 and the time of the second clock signal CLK2.
실시예에 따르면, 부트스트랩부(420)는 제4 스위칭 TFT(T4), 제5 스위칭 TFT(T5), 제6 스위칭 TFT(T6), 제8 스위칭 TFT(T8) 및 부트스트랩 캐패시터(C1)을 포함할 수 있다.According to the embodiment, the
예를 들어, 부트스트랩부(420)는 제4 스위칭 TFT(T4), 제5 스위칭 TFT(T5), 제6 스위칭 TFT(T6) 및 제8 스위칭 TFT(T8)가 턴온되어 제1노드(Q[n])를 부트스트랩핑하여 게이트 하이 전압(VGH) 레벨 이상으로 충전할 수 있다. 이 때, 제1 스위칭 TFT 내지 제3 스위칭 TFT(T1 내지 T3), 제7 스위칭 TFT(T7) 및 제9 스위칭 TFT(T9)는 게이트 로우 전압(VGL) 레벨이므로 턴오프된다.For example, the
보다 상세하게는, 부트스트랩부(420)는 제1 스위칭 TFT(T1)와 제3 스위칭 TFT(T3)가 턴오프되어 충전된 제1 노드(Q[n])를 플로팅(floating)하고, 제6 스위칭 TFT(T6)가 턴온되어 제2 클럭 신호(CLK2)를 제2 노드(B[n])에 공급하며, 부트스트랩 캐패시터(C1)에 의해 플로팅된 제 1노드(Q[n])를 부트스트랩핑하여 게이트 하이 전압 레벨(VGH) 이상으로 충전하고, 부트스트랩핑된 제1 노드(Q[n])에 의해 제8 스위칭 TFT(T8)가 턴온되어 출력 신호를 게이트 하이 전압(VGH) 레벨로 충전할 수 있다.
More specifically, the
도 6c는 도 5의 충전 유지 구간에 대한 회로의 동작을 예시한 도면이다.6C is a diagram illustrating the operation of the circuit for the charge hold period of FIG.
도 6c를 참조하면, 충전 유지부(430)는 제2 클럭 신호(CLK2)가 공급되는 동안에 부트스트랩핑된 제1 노드(Q[n])에서 출력되는 출력 신호(Vg[n])를 게이트 하이 전압(VGH) 레벨로 유지한다.6C, the
충전 유지부(430)에서 각각의 스위칭 TFT(T1 내지 T9)의 동작은 부트스트랩부(430)에서 스위칭 TFT(T1 내지 T9)의 동작과 동일할 수 있다.The operation of each of the switching TFTs T1 to T9 in the
따라서, 본 발명의 직류 타입 쉬프트 레지스터(400)는 회로 변경이 없이 제1 클럭 신호(CLK1)와 제2 클럭 신호(CLK2)의 타이밍에 의해 출력 신호(Vg[n])와 직후단 쉬프트 레지스터의 구동 신호(Vg[n+1]) 간의 오버래핑 시간을 조절할 수 있다.
Therefore, the direct current
도 6d는 도 5의 방전 구간에 대한 회로의 동작을 예시한 도면이다.6D is a diagram illustrating the operation of the circuit for the discharge interval of FIG.
도 6d를 참조하면, 방전부(440)는 제1 클럭 반전 신호(CLK1b) 및 제2 클럭 반전 신호(CLK2b)에 의해 부트스트랩핑된 제1 노드(Q[n]) 및 출력 신호(Vg[n])를 게이트 로우 전압(VGL) 레벨로 방전한다.Referring to Figure 6d, a
여기서, 제1 클럭 반전 신호(CLK1b)는 제1 클럭 신호(CLK1)에 대한 반전 신호이고, 제2 클럭 반전 신호(CLK2b)는 제2 클럭 신호(CLK2)에 대한 반전 신호이다.Here, the first clock inversion signal CLK1b is an inversion signal for the first clock signal CLK1, and the second clock inversion signal CLK2b is an inversion signal for the second clock signal CLK2.
실시예에 따르면, 방전부(440)는 제2 스위칭 TFT 내지 제 제4 스위칭 TFT(T2 내지 T4), 제7 스위칭 TFT(T7) 및 제9 스위칭 TFT(T9)를 포함할 수 있다.According to the embodiment, the
예를 들어, 방전부(440)는 제2 스위칭 TFT 내지 제 제4 스위칭 TFT(T2 내지 T4), 제7 스위칭 TFT(T7) 및 제9 스위칭 TFT(T9)가 턴온되어 부트스트랩핑된 제1 노드(Q[n]) 및 출력 신호(Vg[n])를 게이트 로우 전압(VGL) 레벨로 방전할 수 있다. 이 때, 제1 스위칭 TFT(T1), 제5 스위칭 TFT(T5), 제6 스위칭 TFT(T6) 및 제8 스위칭 TFT(T8)는 턴오프된다.For example, the discharging
보다 상세하게는, 방전부(440)는 제2 스위칭 TFT(T2)가 턴온되어 제1 클럭 반전 신호(CLK1b) 및 제2 클럭 반전 신호(CLK2b)를 제3 스위칭 TFT(T3)에게 공급하고, 제3 스위칭 TFT(T3)가 턴온되어 제1 노드(Q[n])를 게이트 로우 전압(VGL) 레벨로 방전하며, 게이트 로우 전압(VGL) 레벨로 방전된 제1 노드(Q[n])에 의해 제6 스위칭 TFT(T6) 및 제8 스위칭 TFT(T8)가 턴오프되고, 제4 스위칭 TFT(T4)가 턴온되어 제3 노드(Qb[n])를 충전하며, 충전된 제3 노드(Qb[n])에 의해 제7 스위칭 TFT(T7) 및 제9 스위칭 TFT(T9)가 턴온되어 제2 노드(B[n]) 및 출력 신호(Vg[n])를 게이트 로우 전압(VGL) 레벨로 방전할 수 있다.
More specifically, the
도 6e는 도 5의 네 개의 구간에 대한 타이밍도를 예시한 도면이다.FIG. 6E is a diagram illustrating a timing diagram for the four sections of FIG. 5. FIG.
도 6e를 참조하면, 직류 타입 쉬프트 레지스터(400)는 충전 구간(Q-charging), 부트스트랩 구간(Bootstrapping), 충전 유지 구간(Holding) 및 방전 구간(Q-discharging)으로 구분하여 동작할 수 있다.Referring to FIG. 6E, the DC
본 발명의 직류 타입 쉬프트 레지스터(400)는 도 6e에 도시된 바와 같이, 제1 클럭 신호(CLK1)와 제2 클럭 신호(CLK2)의 타이밍에 의해 출력 신호(Vg[n])와 직후단 쉬프트 레지스터의 구동 신호(Vg[n+1]) 간의 오버래핑 시간을 조절할 수 있다.
The DC
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 직류 타입 구동 장치를 도시한 블록도이다.7 is a block diagram showing a DC type driving apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 7을 참조하면, 직류 타입 구동 장치(700)는 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 구동 신호의 일부분이 오버랩핑하는 N개의 쉬프트 레지스터를 포함한다.Referring to FIG. 7, the
N개의 쉬프트 레지스터에서 n번째 쉬프트 레지스터(n은 1이상 N이하의 자연수)는 충전부(710n), 부트스트랩부(720n), 충전 유지부(730n) 및 방전부(740n)를 포함한다. 여기서, n번째 쉬프트 레지스터(700n)의 충전부(710n), 부트스트랩부(720n), 충전 유지부(730n) 및 방전부(740n)는 복수의 스위칭 TFT와 부트스트랩 캐패시터를 이용하여 동작할 수 있다.The nth shift register (n is a natural number equal to or greater than 1) in the N shift registers includes a
보다 상세하게는, n번째 쉬프트 레지스터(700n)는 저온 다결정 실리콘을 포함하는 제1 내지 제9 스위칭 TFT와 부트스트랩 캐패시터를 이용하여 게이트 하이 전압 및 게이트 로우 전압을 선택적으로 공급하는 것을 특징으로 할 수 있다.More specifically, the
또한, n번째 쉬프트 레지스터(700n)는 4개의 클럭 신호와 2개의 직류 타입의 전원에 의해 제1 내지 제9 스위칭 TFT와 부트스트랩 캐패시터를 동작할 수 있고, 4가지 동작 구간(충전 구간, 부트스트랩 구간, 충전 유지 구간 및 방전 구간 등)으로 구분하여 동작할 수 있다.The n-
여기서, n번째 쉬프트 레지스터(700n)의 각각의 구성 요소 별 동작은 전술한 도 4 및 도 5를 참조하기로 한다.
Here, the operation of each component of the
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 직류 타입 구동 장치를 도시한 블록도이다.8 is a block diagram illustrating a direct current type driving apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 직류 타입 구동 장치(800)는 복수 개의 쉬프트 레지스터(810-1, 810-2, …, 810-N), 전원 공급부(820) 및 클럭 발생부(830)를 포함한다.8, the direct current
복수 개의 쉬프트 레지스터(810-1, 810-2, …, 810-N)는 저온 다결정 실리콘을 포함하는 복수의 스위칭 TFT를 이용할 수 있다.The plurality of shift registers 810-1, 810-2, ..., and 810-N may use a plurality of switching TFTs including low-temperature polycrystalline silicon.
보다 상세하게는, 각각의 쉬프트 레지스터(810-1, 810-2, …, 810-N)는 저온 다결정 실리콘을 포함하는 제1 내지 제9 스위칭 TFT와 부트스트랩 캐패시터를 이용하고, 네 개의 동작 구간(충전 구간, 부트스트랩 구간, 충전 유지 구간 및 방전 구간 등)으로 구분하여 동작할 수 있다.More specifically, each of the shift registers 810-1, 810-2, ..., and 810-N uses the first to ninth switching TFTs including the low-temperature polycrystalline silicon and the bootstrap capacitor, (Charge section, bootstrap section, charge maintenance section, discharge section, etc.).
여기서, 각각의 쉬프트 레지스터(810-1, 810-2, …, 810-N)의 네 개의 동작 구간은 전술한 도 4 및 도 5를 참조하기로 한다.Here, the four operation periods of the shift registers 810-1, 810-2, ..., and 810-N will be described with reference to FIGS. 4 and 5, respectively.
전원 공급부(820)는 저온 다결정 실리콘의 특성을 고려한 선정된 개수의 스위칭 TFT 및 부트스트랩 캐패시터를 포함하는 각 쉬프트 레지스터(810-1, 810-2, …, 810-N)에게 직류 타입의 전원을 공급한다.The
클럭 발생부(830)는 각 쉬프트 레지스터에서 충전, 부트스트랩핑, 충전 유지 및 방전 중 적어도 하나의 동작을 수행하기 위한 클럭 신호를 발생한다.The
또한, 클럭 발생부(830)는 제1 클럭 발생부, 제2 클럭 발생부, 제1 반전 클럭 발생부 및 제2 반전 클럭 발생부를 포함할 수 있다.The
제1 클럭 발생부는 각 쉬프트 레지스터에서 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하기 위한 제1 클럭 신호를 발생할 수 있다.The first clock generator may generate a first clock signal for charging the first node to the gate high voltage level in each shift register.
제2 클럭 발생부는 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하기 위한 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호를 발생할 수 있다.The second clock generator may generate a second clock signal having a predetermined delay over the first clock signal for bootstrapping the first node charged to the gate high voltage level above the gate high voltage level.
선정된 지연은 제1 노드에서 출력되는 출력 신호와 직후단 쉬프트 레지스터의 구동 신호 간에 오버랩핑되는 시간일 수 있고, 제1 클럭 신호의 시간과 제2 클럭 신호 시간의 차일 수 있다.The predetermined delay may be a time overlapping between the output signal output from the first node and the driving signal of the immediately-after shift register immediately after the first clock signal, and may be a difference between the time of the first clock signal and the second clock signal time.
제1 반전 클럭 발생부는 제1 클럭 신호의 반전된 신호인 제1 클럭 반전 신호를 발생할 수 있고, 제2 반전 클럭 발생부는 제2 클럭 신호의 반전된 신호인 제2 클럭 반전 신호를 발생할 수 있다.The first inverted clock generator may generate a first clock inverted signal, which is an inverted signal of the first clock signal, and the second inverted clock generator may generate a second clock inverted signal, which is an inverted signal of the second clock signal.
본 발명의 다른 실시예에 따른 구동 장치(800)는 직류 타입의 전원 및 발생된 클럭 신호가 복수 개의 쉬프트 레지스터에게 제공되도록 제어하는 제어부(840)를 더 포함할 수 있다.The driving
제어부(840)는 선정된 지연에 의해 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 구동 신호의 일부분이 오버랩핑되도록 제어하고, 각 쉬프트 레지스터(810-1, 810-2, …, 810-N)에서 제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 기초하여 부트스트랩핑된 제1 노드 및 구동 신호를 게이트 로우 전압 레벨로 방전되도록 제어할 수 있다.The
보다 상세하게는, 제어부(840)는 선정된 지연에 의해 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 구동 신호의 일부분이 오버랩핑하여 출력 시간을 증가시키도록 제어할 수 있다.
More specifically, the
도 9a는 도 8의 16개 쉬프트 레지스터를 포함하는 직류 타입 구동 장치에 대한 회로를 예시한 도면이다.9A is a diagram illustrating a circuit for a direct current type driving apparatus including the sixteen shift registers of FIG.
도 9a를 참조하면, 직류 타입 구동 장치(800)는 저온 다결정 실리콘의 특성을 고려한 선정된 개수의 스위칭 TFT 및 부트스트랩 캐패시터를 포함하는 각 쉬프트 레지스터에게 직류 타입의 전원을 공급할 수 있다.Referring to FIG. 9A, the DC
각각의 쉬프트 레지스터는 9개의 스위칭 TFT(T1 내지 T9) 및 하나의 부트스트랩 캐패시터를 포함할 수 있고, 9개의 스위칭 TFT(T1 내지 T9)의 채널 폭은 표 1로 나타낼 수 있다.Each shift register may include nine switching TFTs (T1 to T9) and one bootstrap capacitor, and the channel widths of the nine switching TFTs (T1 to T9) may be shown in Table 1.
[표 1][Table 1]
표 1을 참조하면, 제1 스위칭 TFT 내지 제3 스위칭 TFT(T1 내지 T3), 제6 스위칭 TFT(T6) 및 제7 스위칭 TFT(T7)의 채널 폭은 20us일 수 있다. 또한, 제4 스위칭 TFT(T4)의 채널 폭은 10us일 수 있고, 제5 스위칭 TFT(T5)의 채널 폭은 100us일 수 있으며, 제8 스위칭 TFT(T8) 및 제9 스위칭 TFT(9)의 채널 폭은 1000us일 수 있다.Referring to Table 1, the channel widths of the first to third switching TFTs (T1 to T3), the sixth switching TFT (T6) and the seventh switching TFT (T7) may be 20 us. The channel width of the fourth switching TFT T4 may be 10us and the channel width of the fifth switching TFT T5 may be 100us. The channel width of the eighth switching TFT T8 and the
스위칭 TFT의 채널 폭은 실시예에 따라 다양하게 설정할 수 있고, 이에 한정하는 것은 아니다.The channel width of the switching TFT can be variously set according to the embodiment, but is not limited thereto.
직류 타입 구동 장치(800)는 각 쉬프트 레지스터에서 충전, 부트스트랩핑, 오버랩핑 및 방전 중 적어도 하나의 동작을 수행하기 위한 클럭 신호를 발생할 수 있다.The
여기서, 클럭 신호는 제1 클럭 신호(CLK1), 제2 클럭 신호(CLK2), 제1 클럭 반전 신호(CLK1b) 및 제2 클럭 반전 신호(CLK2b)일 수 있고, 각 쉬프트 레지스터의 동작은 전술한 도 4 및 도 5를 참조하기로 한다.
Here, the clock signal may be a first clock signal (CLK1), a second clock signal (CLK2), a first clock inversion signal (CLK1b) and a second clock inversion signal (CLK2b) 4 and 5, respectively.
도 9b는 도 8의 직류 타입 구동 장치에서 10번째 시프트 레지스터의 출력 파형을 예시한 도면이다.FIG. 9B is a diagram illustrating an output waveform of the tenth shift register in the DC type driving apparatus of FIG. 8; FIG.
각각의 쉬프트 레지스터는 제1 클럭 신호의 시간과 제2 클럭 신호 시간의 차인 선정된 지연에 의해 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 출력 신호와 직후단 쉬프트 레지스터의 구동 신호 간에 오버랩핑할 수 있다.Each shift register may overlap between the output signal output at the first node bootstrapped by the predetermined delay that is the difference between the time of the first clock signal and the time of the second clock signal and the drive signal of the immediately- .
예를 들어, 10번째 쉬프트 레지스터는 도 9b에 도시된 바와 같이, 제1 클럭 신호(CLK1)의 시간과 제2 클럭 신호(CLK2) 시간의 차(Td=2us)인 선정된 지연에 의해 부트스트랩핑된 제1 노드(Q[10])에서 출력되는 출력 신호(Vg[10])와 11번째 쉬프트 레지스터의 구동 신호(Vg[11]) 간에 오버랩핑할 수 있다.For example, the tenth shift register may be configured to receive a bootstrap by a predetermined delay that is the difference (T d = 2us) between the time of the first clock signal CLK1 and the time of the second clock signal CLK2, The output signal V g [10] output from the first node Q [10] that is strapped can be overlapped with the drive signal V g [11] of the 11th shift register.
여기서, 도 9b의 출력 파형은 아래의 선정된 실험값(문턱 전압, 이동도, 부트스트랩 캐패시턴스, TFT의 채널 길이, TFT의 채널 폭, 라인 타임 및 프레임 타임)이 적용될 수 있고, 다양하게 적용될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.9B, the following experimental values (threshold voltage, mobility, bootstrap capacitance, channel length of TFT, channel width of TFT, line time and frame time) can be applied and variously applied , But is not limited thereto.
선정된 실험값으로서, 문턱 전압은 1.94V, 이동도는 37.907 cm2, 부트스트랩 캐패시턴스는 0.16fF/um, TFT의 채널 길이는 5.5us, 라인 타임은 8us, 프레임 타임은 8ms 및 TFT의 채널 폭은 전술할 표 1을 적용할 수 있다.
The threshold voltage was 1.94 V, the mobility was 37.907 cm 2 , the bootstrap capacitance was 0.16 fF / um, the channel length of the TFT was 5.5 us, the line time was 8 us, the frame time was 8 ms, and the channel width of the TFT was Table 1 described above can be applied.
다시 도8을 참조하면, 직류 타입 구동 장치(800)는 출력단에 고정 전압의 직류 타입 전원을 연결하여 클럭 신호에 인하여 발생되는 전력의 소모를 줄일 수 있다. 이하, 본 발명의 직류 타입 구동 장치(800)와 교류 타입 구동 장치 간의 전력 소모를 표 2를 참조하여 설명하기로 한다.Referring to FIG. 8 again, the
표 2는 50개의 쉬프트 레지스터가 포함된 직류 타입 구동 장치와 50개의 쉬프트 레지스터가 포함된 교류 타입 구동 장치 간의 전력 소모를 비교한 예이다.Table 2 shows an example of power consumption comparison between a DC type driving device including 50 shift registers and an AC type driving device including 50 shift registers.
표 2를 참조하면, 본 발명의 직류 타입의 구동 장치(800)가 교류 타입의 구동 장치에 비해 전력 소모가 적다는 것을 확인할 수 있다. 특히, 직류 타입의 구동 장치(800)가 교류 타입의 구동 장치에 비해 클럭 신호의 전력 소모가 적다는 것을 확인할 수 있다.
Referring to Table 2, it can be seen that the DC
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 직류 타입 쉬프트 레지스터의 동작 방법을 도시한 흐름도이다.10 is a flowchart illustrating an operation method of a direct current type shift register according to an embodiment of the present invention.
도 10을 참조하면, 직류 타입 쉬프트 레지스터는 단계 1010에서, 개시 신호 또는 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전한다.Referring to FIG. 10, in
보다 상세하게는, 직류 타입 쉬프트 레지스터는 단계 1010에서, 제1 스위칭 TFT가 턴온되어 개시 신호 또는 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호와 제1 클럭 신호를 제1 노드에 공급하고, 제3 스위칭 TFT가 턴오프되어 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하며, 충전된 제1 노드에 의해 제6 스위칭 TFT가 턴온되어 제1 노드와 제2 노드 사이에 존재하는 부트스트랩 캐패시터를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하고, 제4 스위칭 TFT 및 제5 스위칭 TFT가 턴온되어 제3 노드를 게이트 로우 전압 레벨로 방전할 수 있다. 이 때, 제2 노드는 충전된 제1 노드에 의해 제6 스위칭 TFT가 턴온되어 게이트 로우 전압 레벨이 될 수 있다.More specifically, in
또한, 직류 타입 쉬프트 레지스터는 단계 1010에서, 방전된 제3 노드에 의해 제7 스위칭 TFT 및 제9 스위칭 TFT가 턴오프되고, 충전된 제1 노드에 의해 제8 스위칭 TFT가 턴온되어 출력 신호를 충전하되, 출력 신호는 게이트 하이 전압 레벨과 제8 스위칭 TFT의 문턱 전압 간의 차이로 충전될 수 있다.
Further, in the DC type shift register, the seventh switching TFT and the ninth switching TFT are turned off by the discharged third node in
직류 타입 쉬프트 레지스터는 단계 1020에서, 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑한다.The DC type shift register bootstrapped the first node charged to the gate high voltage level by the second clock signal having a predetermined delay than the first clock signal at the gate high voltage level or higher in
보다 상세하게는, 직류 타입 쉬프트 레지스터는 단계 1020에서, 제1 스위칭 TFT와 제3 스위칭 TFT가 턴오프되어 충전된 제1 노드를 플로팅하고, 제6 스위칭 TFT가 턴온되어 제2 클럭 신호를 제2 노드에 공급하며, 부트스트랩 캐패시터에 의해 플로팅된 제 1노드를 부트스트랩핑하여 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 충전하고, 부트스트랩핑된 제1 노드에 의해 제8 스위칭 TFT가 턴온되어 출력 신호를 게이트 하이 전압 레벨로 충전할 수 있다.More specifically, in
선정된 지연은 제1 노드에서 출력되는 출력 신호와 직후단 쉬프트 레지스터의 구동 신호 간에 오버랩핑되는 시간일 수 있고, 제1 클럭 신호의 시간과 제2 클럭 신호 시간의 차일 수 있다.The predetermined delay may be a time overlapping between the output signal output from the first node and the driving signal of the immediately-after shift register immediately after the first clock signal, and may be a difference between the time of the first clock signal and the second clock signal time.
직류 타입 쉬프트 레지스터는 단계 1030에서, 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 출력 신호를 게이트 하이 전압 레벨로 유지한다.
The DC type shift register maintains the output signal output at the first node bootstrapped at the gate high voltage level during the supply of the second clock signal in
직류 타입 쉬프트 레지스터는 단계 1040에서, 제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 부트스트랩핑된 제1 노드 및 출력 신호를 게이트 로우 전압 레벨로 방전한다.The DC type shift register discharges the first node bootstrapped by the first clock inversion signal and the second clock inversion signal and the output signal to the gate low voltage level in
여기서, 제1 클럭 반전 신호는 제1 클럭 신호에 대한 반전 신호이고, 제2 클럭 반전 신호는 제2 클럭 신호에 대한 반전 신호이다.Here, the first clock inversion signal is an inversion signal for the first clock signal, and the second clock inversion signal is an inversion signal for the second clock signal.
실시예에 따르면, 직류 타입 쉬프트 레지스터는 단계 1040에서, 제2 스위칭 TFT가 턴온되어 제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호를 제3 스위칭 TFT에게 공급하고, 제3 스위칭 TFT가 턴온되어 제1 노드를 게이트 로우 전압 레벨로 방전하며, 게이트 로우 전압 레벨로 방전된 제1 노드에 의해 제6 스위칭 TFT 및 제8 스위칭 TFT가 턴오프되고, 제4 스위칭 TFT가 턴온되어 제3 노드를 충전하며, 충전된 제3 노드에 의해 제7 스위칭 TFT 및 제9 스위칭 TFT가 턴온되어 제2 노드 및 출력 신호를 게이트 로우 전압 레벨로 방전할 수 있다.
According to the embodiment, in
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 직류 타입 구동 장치의 동작 방법을 도시한 흐름도이다.11 is a flowchart illustrating an operation method of a DC type driving apparatus according to an embodiment of the present invention.
직류 타입 구동 장치는 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 구동 신호의 일부분이 오버랩핑하는 N개의 쉬프트 레지스터를 포함한다.The direct current type driving apparatus includes N shift registers in which a part of the driving signals for the neighboring shift registers overlap.
도 11을 참조하면, N개의 쉬프트 레지스터에서 n번째 쉬프트 레지스터(n은 1이상 N이하의 자연수)는 단계 1110에서, 개시 신호 또는 n-1번째 쉬프트 레지스터의 n-1번째 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전한다.11, an n-th shift register (n is a natural number equal to or greater than 1 and equal to or less than N) in the N shift registers is supplied with the start signal or the (n-1) Signal to charge the first node to the gate high voltage level.
n번째 쉬프트 레지스터는 단계 1120에서, 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑한다.The nth shift register, in
n번째 쉬프트 레지스터는 단계 1130에서, 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 n번째 구동 신호를 게이트 하이 전압 레벨로 유지한다.The nth shift register maintains the nth drive signal output at the first node bootstrapped during the supply of the second clock signal at the gate high voltage level,
n번째 쉬프트 레지스터는 단계 1140에서, 제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 부트스트랩핑된 제1 노드 및 n번째 구동 신호를 게이트 로우 전압 레벨로 방전한다.
The nth shift register discharges the first node and the nth drive signal bootstrapped by the first clock inversion signal and the second clock inversion signal to a gate low voltage level in
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 직류 타입 구동 장치의 동작 방법을 도시한 흐름도이다.12 is a flowchart illustrating an operation method of a direct current type driving apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 12를 참조하면, 직류 타입 구동 장치는 단계 1210에서, 저온 다결정 실리콘의 특성을 고려한 선정된 개수의 스위칭 TFT 및 부트스트랩 캐패시터를 포함하는 각 쉬프트 레지스터에게 직류 타입의 전원을 공급한다.Referring to FIG. 12, in
직류 타입 구동 장치는 단계 1220에서, 각 쉬프트 레지스터에서 충전, 부트스트랩핑, 충전 유지 및 방전 중 적어도 하나의 동작을 수행하기 위한 클럭 신호를 발생한다.In
여기서, 클럭 신호는 각 쉬프트 레지스터에서 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하기 위한 제1 클럭 신호, 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하기 위한 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호, 제1 클럭 신호의 반전된 신호인 제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 신호의 반전된 신호인 제2 클럭 반전 신호일 수 있다.
Wherein the clock signal comprises a first clock signal for charging a first node to a gate high voltage level in each shift register, a first clock signal for charging a first node charged to a gate high voltage level to a first high- A second clock signal having a predetermined delay than the clock signal, a first clock inversion signal that is an inverted signal of the first clock signal, and a second clock inversion signal that is an inverted signal of the second clock signal.
실시예에 따른 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 실시예를 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다. 상기된 하드웨어 장치는 실시예의 동작을 수행하기 위해 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 작동하도록 구성될 수 있으며, 그 역도 마찬가지이다.The method according to an embodiment may be implemented in the form of a program command that can be executed through various computer means and recorded in a computer-readable medium. The computer-readable medium may include program instructions, data files, data structures, and the like, alone or in combination. The program instructions to be recorded on the medium may be those specially designed and configured for the embodiments or may be available to those skilled in the art of computer software. Examples of computer-readable media include magnetic media such as hard disks, floppy disks and magnetic tape; optical media such as CD-ROMs and DVDs; magnetic media such as floppy disks; Magneto-optical media, and hardware devices specifically configured to store and execute program instructions such as ROM, RAM, flash memory, and the like. Examples of program instructions include machine language code such as those produced by a compiler, as well as high-level language code that can be executed by a computer using an interpreter or the like. The hardware devices described above may be configured to operate as one or more software modules to perform the operations of the embodiments, and vice versa.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. For example, it is to be understood that the techniques described may be performed in a different order than the described methods, and / or that components of the described systems, structures, devices, circuits, Lt; / RTI > or equivalents, even if it is replaced or replaced.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.
400: 직류 타입 쉬프트 레제스터
410: 충전부
420: 부트스트랩부
430: 충전 유지부
440: 방전부400: DC type shift regulator
410:
420: Bootstrap part
430: Charge holding section
440:
Claims (14)
상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑(bootstrapping)하는 부트스트랩부;
상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 출력 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 충전 유지부; 및
제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드 및 상기 출력 신호를 게이트 로우 전압(VGL) 레벨로 방전하는 방전부
를 포함하는 직류 타입 쉬프트 레지스터.A charging unit charging the first node to a gate high voltage (VGH) level by a start signal or a driving signal of the first stage shift register and a first clock signal;
A bootstrap portion bootstrapping a first node charged to the gate high voltage level by a second clock signal having a predetermined delay than the first clock signal to the gate high voltage level or higher;
A charge holding unit for holding an output signal output from the bootstrapped first node at the gate high voltage level while the second clock signal is supplied; And
A first node that is bootstrapped by a first clock inversion signal and a second clock inversion signal and a discharge node that discharges the output signal to a gate low voltage (VGL)
A DC type shift register.
저온 다결정 실리콘(LTPS, low temperature polycrystalline silicon)을 포함하는 제1 내지 제9 스위칭 TFT(thin film transistor)와 부트스트랩 캐패시터를 이용하여 상기 게이트 하이 전압 및 게이트 로우 전압을 선택적으로 공급하는 것을 특징으로 하는 직류 타입 쉬프트 레지스터.The method according to claim 1,
Characterized in that the gate high voltage and the gate low voltage are selectively supplied using first to ninth switching TFTs (thin film transistors) including low temperature polycrystalline silicon (LTPS) and bootstrap capacitors DC type shift register.
상기 충전부는
상기 제1 스위칭 TFT가 턴온(turn on)되어 상기 개시 신호 또는 상기 직전단 쉬프트 레지스터의 구동 신호와 상기 제1 클럭 신호를 상기 제1 노드에 공급하고,
상기 제3 스위칭 TFT가 턴오프(turn off)되어 상기 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전하며,
상기 충전된 제1 노드에 의해 상기 제6 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 존재하는 상기 부트스트랩 캐패시터를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전하고,
제4 스위칭 TFT 및 제5 스위칭 TFT가 턴온되어 제3 노드를 상기 게이트 로우 전압 레벨로 방전하며,
상기 방전된 제3 노드에 의해 상기 제7 스위칭 TFT 및 상기 제9 스위칭 TFT가 턴오프되고,
상기 충전된 제1 노드에 의해 상기 제8 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 출력 신호를 충전하되,
상기 출력 신호는 상기 게이트 하이 전압 레벨과 상기 제8 스위칭 TFT의 문턱 전압 간의 차이로 충전되는
직류 타입 쉬프트 레지스터.3. The method of claim 2,
The charging unit
Wherein the first switching TFT is turned on to supply the start signal or the driving signal of the direct previous shift register and the first clock signal to the first node,
The third switching TFT is turned off to charge the first node to the gate high voltage level,
The sixth switching TFT is turned on by the charged first node to charge the bootstrap capacitor existing between the first node and the second node to the gate high voltage level,
The fourth switching TFT and the fifth switching TFT are turned on to discharge the third node to the gate low voltage level,
The seventh switching TFT and the ninth switching TFT are turned off by the discharged third node,
The eighth switching TFT is turned on by the charged first node to charge the output signal,
The output signal is charged by a difference between the gate high voltage level and the threshold voltage of the eighth switching TFT
DC type shift register.
상기 부트스트랩부는
상기 제1 스위칭 TFT와 상기 제3 스위칭 TFT가 턴오프되어 상기 충전된 제1 노드를 플로팅(floating)하고,
상기 제6 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제2 클럭 신호를 제2 노드에 공급하며,
상기 부트스트랩 캐패시터에 의해 상기 플로팅된 제 1노드를 부트스트랩핑하여 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 충전하고,
상기 부트스트랩핑된 제1 노드에 의해 상기 제8 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 출력 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전하는
직류 타입 쉬프트 레지스터.3. The method of claim 2,
The boot strap portion
The first switching TFT and the third switching TFT are turned off to float the charged first node,
The sixth switching TFT is turned on to supply the second clock signal to the second node,
And bootstrapping the floating first node by the bootstrap capacitor to charge the gate high voltage level or higher,
The eighth switching TFT is turned on by the bootstrapped first node to charge the output signal to the gate high voltage level
DC type shift register.
상기 방전부는
상기 제2 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제1 클럭 반전 신호 및 상기 제2 클럭 반전 신호를 상기 제3 스위칭 TFT에게 공급하고,
상기 제3 스위칭 TFT가 턴온되어 상기 제1 노드를 상기 게이트 로우 전압 레벨로 방전하며,
상기 게이트 로우 전압 레벨로 방전된 제1 노드에 의해 상기 제6 스위칭 TFT 및 상기 제8 스위칭 TFT가 턴오프되고,
상기 제4 스위칭 TFT가 턴온되어 제3 노드를 충전하며,
상기 충전된 제3 노드에 의해 상기 제7 스위칭 TFT 및 상기 제9 스위칭 TFT가 턴온되어 제2 노드 및 상기 출력 신호를 상기 게이트 로우 전압 레벨로 방전하는
직류 타입 쉬프트 레지스터.3. The method of claim 2,
The discharge unit
The second switching TFT is turned on to supply the first clock inversion signal and the second clock inversion signal to the third switching TFT,
The third switching TFT is turned on to discharge the first node to the gate low voltage level,
The sixth switching TFT and the eighth switching TFT are turned off by a first node discharged to the gate low voltage level,
The fourth switching TFT is turned on to charge the third node,
The seventh switching TFT and the ninth switching TFT are turned on by the charged third node to discharge the second node and the output signal to the gate low voltage level
DC type shift register.
n번째 쉬프트 레지스터(상기 n은 2이상 상기 N이하의 자연수)는,
개시 신호 또는 n-1번째 쉬프트 레지스터의 n-1번째 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하는 충전부;
상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하는 부트스트랩부;
상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 n번째 구동 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 충전 유지부; 및
제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드 및 상기 n번째 구동 신호를 게이트 로우 전압 레벨로 방전하는 방전부
를 포함하는 직류 타입 구동 장치.In a direct current type driving apparatus in which a part of driving signals for neighboring shift registers overlap in N shift registers,
The nth shift register (where n is a natural number of 2 or more and N or less)
A charging unit charging the first node to a gate high voltage level by an n-1th driving signal and a first clock signal of an (n-1) th shift register;
A bootstrap portion bootstrapping a first node charged to the gate high voltage level by a second clock signal having a predetermined delay than the first clock signal to the gate high voltage level or higher;
A charge holding unit for holding an nth drive signal output from the bootstrapped first node at the gate high voltage level while the second clock signal is supplied; And
A first node which is bootstrapped by a first clock inversion signal and a second clock inversion signal and a discharging unit which discharges the nth driving signal to a gate low voltage level
Type drive unit.
상기 복수 개의 쉬프트 레지스터;
저온 다결정 실리콘의 특성을 고려한 선정된 개수의 스위칭 TFT 및 부트스트랩 캐패시터를 포함하는 상기 각 쉬프트 레지스터에게 상기 직류 타입의 전원을 공급하는 전원 공급부; 및
상기 각 쉬프트 레지스터에서 충전, 부트스트랩핑, 충전 유지 및 방전 중 적어도 하나의 동작을 수행하기 위한 클럭 신호를 발생하는 클럭 발생부를 포함하고,
상기 클럭 발생부는
상기 각 쉬프트 레지스터에서 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하기 위한 제1 클럭 신호를 발생하는 제1 클럭 발생부;
상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하기 위한 상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호를 발생하는 제2 클럭 발생부;
상기 제1 클럭 신호의 반전된 신호인 제1 클럭 반전 신호를 발생하는 제1 반전 클럭 발생부; 및
상기 제2 클럭 신호의 반전된 신호인 제2 클럭 반전 신호를 발생하는 제2 반전 클럭 발생부
를 포함하는 직류 타입 구동 장치.A direct current type driving apparatus in which a part of driving signals for adjacent shift registers overlap in a plurality of shift registers,
A plurality of shift registers;
A power supply unit for supplying the direct current type power to each shift register including a predetermined number of switching TFTs and bootstrap capacitors taking into account characteristics of the low temperature polycrystalline silicon; And
And a clock generating unit for generating a clock signal for performing at least one of charging, bootstrapping, charge holding, and discharging in each shift register,
The clock generator
A first clock generator for generating a first clock signal for charging the first node to a gate high voltage level in each shift register;
A second clock generator for generating a second clock signal having a predetermined delay than the first clock signal for bootstrapping a first node charged with the gate high voltage level to the gate high voltage level or higher;
A first inverted clock generator for generating a first clock inverted signal which is an inverted signal of the first clock signal; And
And a second inverted clock generating unit for generating a second clock inverted signal, which is an inverted signal of the second clock signal,
Type drive unit.
상기 직류 타입의 전원 및 상기 발생된 클럭 신호가 상기 복수 개의 쉬프트 레지스터에게 제공되도록 제어하는 제어부
를 더 포함하는 직류 타입 구동 장치.8. The method of claim 7,
A controller for controlling the DC type power supply and the generated clock signal to be provided to the plurality of shift registers,
Further comprising:
상기 제어부는
상기 선정된 지연에 의해 상기 서로 이웃하는 쉬프트 레지스터에 대한 상기 구동 신호의 일부분이 오버랩핑되도록 제어하고,
상기 각 쉬프트 레지스터에서 상기 제1 클럭 반전 신호 및 상기 제2 클럭 반전 신호에 기초하여 상기 부트스트랩핑된 제1 노드 및 상기 구동 신호를 게이트 로우 전압 레벨로 방전되도록 제어하는
직류 타입 구동 장치.9. The method of claim 8,
The control unit
Controlling a portion of the driving signal for the neighboring shift register to overlap with each other by the predetermined delay,
And controlling the first bootstrapped node and the drive signal to be discharged to a gate low voltage level based on the first clock inversion signal and the second clock inversion signal in each shift register
DC type drive device.
상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하는 단계;
상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 출력 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 단계; 및
제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드 및 상기 출력 신호를 게이트 로우 전압 레벨로 방전하는 단계
를 포함하는 직류 타입 쉬프트 레지스터의 동작 방법.Charging a first node to a gate high voltage level by a start signal or a drive signal of a first stage shift register and a first clock signal;
Bootstrapping a first node charged to the gate high voltage level by a second clock signal having a predetermined delay to the gate high voltage level or higher than the first clock signal;
Maintaining an output signal from the first bootstrapped node at the gate high voltage level while the second clock signal is being supplied; And
Discharging the bootstrapped first node and the output signal to a gate low voltage level by a first clock inversion signal and a second clock inversion signal,
Wherein the DC-type shift register comprises:
n번째 쉬프트 레지스터(상기 n은 2이상 상기 N이하의 자연수)의 동작 방법은,
개시 신호 또는 n-1번째 쉬프트 레지스터의 n-1번째 구동 신호와 제1 클럭 신호에 의해 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하는 단계;
상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호에 의해 상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하는 단계;
상기 제2 클럭 신호가 공급되는 동안에 상기 부트스트랩핑된 제1 노드에서 출력되는 n번째 구동 신호를 상기 게이트 하이 전압 레벨로 유지하는 단계; 및
제1 클럭 반전 신호 및 제2 클럭 반전 신호에 의해 상기 부트스트랩핑된 제1 노드 및 상기 n번째 구동 신호를 게이트 로우 전압 레벨로 방전하는 단계
를 포함하는 직류 타입 구동 장치의 동작 방법.A method of operating a direct current type driver in which a portion of a drive signal for neighboring shift registers overlaps in N shift registers,
The operation method of the n-th shift register (where n is a natural number of 2 or more and N or less)
Charging the first node to a gate high voltage level by an n-1 < th > drive signal and an n-1 < th > shift register and a first clock signal;
Bootstrapping a first node charged to the gate high voltage level by a second clock signal having a predetermined delay to the gate high voltage level or higher than the first clock signal;
Maintaining an nth driving signal output from the first bootstrapped node at the gate high voltage level while the second clock signal is supplied; And
Discharging said bootstrapped first node and said nth drive signal to a gate low voltage level by a first clock inversion signal and a second clock inversion signal,
Type drive device.
저온 다결정 실리콘의 특성을 고려한 선정된 개수의 스위칭 TFT 및 부트스트랩 캐패시터를 포함하는 상기 각 쉬프트 레지스터에게 상기 직류 타입의 전원을 공급하는 단계; 및
상기 각 쉬프트 레지스터에서 충전, 부트스트랩핑, 충전 유지 및 방전 중 적어도 하나의 동작을 수행하기 위한 클럭 신호를 발생하는 단계를 포함하고,
상기 클럭 신호를 발생하는 단계는
상기 각 쉬프트 레지스터에서 제1 노드를 게이트 하이 전압 레벨로 충전하기 위한 제1 클럭 신호를 발생하는 단계;
상기 게이트 하이 전압 레벨로 충전된 제1 노드를 상기 게이트 하이 전압 레벨 이상으로 부트스트랩핑하기 위한 상기 제1 클럭 신호보다 선정된 지연을 갖는 제2 클럭 신호를 발생하는 단계;
상기 제1 클럭 신호의 반전된 신호인 제1 클럭 반전 신호를 발생하는 단계; 및
상기 제2 클럭 신호의 반전된 신호인 제2 클럭 반전 신호를 발생하는 단계
를 포함하는 직류 타입 구동 장치의 동작 방법.There is provided a method of operating a direct current type driving apparatus in which a part of driving signals for neighboring shift registers overlap in a plurality of shift registers,
Supplying power of the direct current type to each of the shift registers including a predetermined number of switching TFTs and bootstrap capacitors taking into account characteristics of the low temperature polycrystalline silicon; And
And generating a clock signal for performing at least one operation of charging, bootstrapping, charge holding, and discharging in each shift register,
The step of generating the clock signal
Generating a first clock signal to charge a first node to a gate high voltage level in each shift register;
Generating a second clock signal having a predetermined delay over the first clock signal for bootstrapping a first node charged to the gate high voltage level above the gate high voltage level;
Generating a first clock inversion signal that is an inverted version of the first clock signal; And
Generating a second clock inversion signal that is an inverted signal of the second clock signal
Type drive device.
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