KR101663841B1 - Electrolyte and method for deposition of matte metal layer - Google Patents

Electrolyte and method for deposition of matte metal layer Download PDF

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KR101663841B1 KR1020117002872A KR20117002872A KR101663841B1 KR 101663841 B1 KR101663841 B1 KR 101663841B1 KR 1020117002872 A KR1020117002872 A KR 1020117002872A KR 20117002872 A KR20117002872 A KR 20117002872A KR 101663841 B1 KR101663841 B1 KR 101663841B1
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions

Abstract

본 발명은 기재 표면에 무광택 금속 층을 침착시키기 위한 전해질 뿐만 아니라 방법에 관한 것으로, 여기서 무광택 금속 층은 V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Te, Re, Pt, Au, Tl, Bi 또는 이의 합금이고, 침착 금속 필요량이 훨씬 낮은 평활하고 균일한 층의 침착을 용이하게 하기 위해 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 또는 보론으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 원소의 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트가 존재한다.The present invention relates to an electrolyte as well as an electrolyte for depositing a matte metal layer on the surface of a substrate, wherein the matte metal layer is selected from the group consisting of V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ru, Rh, Potassium, aluminum, magnesium or boron in order to facilitate the deposition of a smooth, uniform layer with a much lower deposition metal requirement, There is a halogenide, sulfate or sulfonate of the element selected from the group consisting of

Description

무광택 금속 층을 침착시키기 위한 전해질 및 방법{ELECTROLYTE AND METHOD FOR DEPOSITION OF MATTE METAL LAYER}ELECTROLYTE AND METHOD FOR DEPOSITION OF MATTE METAL LAYER FIELD OF THE INVENTION [0001]

본 발명은 기재 표면 위에 무광택 금속 층을 침착시키기 위한 전해질 및 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 저 농도의 침착 금속을 보유하는 전해질 및 이러한 전해질을 이용하여 무광택 금속 층을 침착시키는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an electrolyte and a method for depositing a matte metal layer on a substrate surface. Specifically, the present invention relates to an electrolyte having a low concentration of deposited metal and a method for depositing a matte metal layer using such an electrolyte.

일반적으로, 기재 표면 위에 금속 층을 침착시킬 때 기재 표면에 평범한 광택성 금속 층을 수득하는 것이 목적이다. 침착된 금속 층은 이후 계획을 위해 기재 표면을 최적화할 수 있는 기능적 성질을 보유할 수 있고, 또는 장식 효과가 수득될 수도 있다. 기재의 의도한 용도에 따르면, 때로 금속 층은 기재 표면에서 비광택성, 무광택 또는 소위 진줏빛 금속 층인 것이 바람직한 경우도 있다. 이 의도는 한편으로는 침착물의 광학적 외관에 기초할 수 있고, 다른 한편으로는 무광택 또는 소위 진줏빛 침착물이 특별한 기술적 성질, 예컨대 무-섬광성이 되게 하는 성질을 보유하기도 하며, 이 성질은 기술적 또는 장식 용도에 바람직할 수 있다. 이러한 무광택 또는 진줏빛 금속 층의 응용 분야는 예컨대 보석 산업, 부속품 산업, 자동차 산업, 뿐만 아니라 광학 산업 또는 정밀 기계 산업이다. 특히, 이 분야들에서는 무-섬광 금속 층이 필요하다. 보석 산업 분야에서는 비-알러지성 또는 저-알러지성 금속의 무광택 또는 진줏빛 금속 층의 침착이 요구된다. 마찬가지로, 부엌 기구 및 부엌 도구 분야에서도 무광택 또는 진줏빛 금속 층의 적용이 요구된다.In general, it is an object to obtain a conventional glossy metal layer on the substrate surface when depositing the metal layer on the substrate surface. The deposited metal layer may retain the functional properties to optimize the substrate surface for future planning, or a decorative effect may be obtained. According to the intended use of the substrate, it is sometimes desirable that the metal layer is a non-glossy, matte or so-called purple metal layer at the substrate surface. This intention may on the one hand be based on the optical appearance of the deposit and on the other hand it may also have the property that a matte or so-called colloidal deposit becomes a special technical property, such as no-scintillation, May be desirable for decorative purposes. The applications of such matte or purplish metal layers are, for example, the jewelery industry, the accessories industry, the automotive industry, as well as the optical industry or the precision machinery industry. In particular, no-scintillation metal layers are needed in these fields. In the jewelry industry, deposition of a matte or purplish metal layer of non-allergenic or low-allergic metal is required. Likewise, the application of matte or purplish metal layers is also required in kitchen appliances and kitchen tools.

광학 또는 정밀 기계 산업 분야에서는 여러 금속의 무광택 또는 진줏빛 금속 층의 침착이 여러 금속에서 유래하는 여러 특징들로 인해 유익하며, 따라서 기재 표면이 이후 기술적 용도에 적합해질 수 있다. 이러한 관계에서, 예컨대 기재 표면의 연성, 경도, 내부식성 또는 비슷한 기계적 성질이 최적화될 수 있다.In the optical or precision machine industry, the deposition of a matte or purplish metal layer of various metals is beneficial because of the many features that derive from various metals, so that the substrate surface can be adapted for future technical applications. In this context, for example, ductility, hardness, corrosion resistance or similar mechanical properties of the substrate surface can be optimized.

국제특허출원 WO 2007/076898은 무광택 금속 층, 특히 금속 바나듐, 크롬, 망간, 철, 코발트, 니켈, 구리, 아연, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 인듐, 주석, 안티몬, 텔루륨, 레늄, 백금, 금, 탈륨, 비스무스 또는 이의 합금을 침착시키기 위한 전해질 및 방법을 개시한다. 이 금속들을 기재 표면에 침착시키기 위해, WO 2007/076898(참고인용)은 유화제 및/또는 분산제, 또는 습윤제를 첨가하여 전해질에 유탁액 및/또는 분산액이 형성된다.International patent application WO 2007/076898 discloses a method for forming a matte metal layer, in particular a metal layer, such as metal vanadium, chromium, manganese, iron, cobalt, nickel, copper, zinc, ruthenium, rhodium, palladium, silver, indium, tin, antimony, tellurium, , Gold, thallium, bismuth or an alloy thereof. To deposit these metals on the surface of the substrate, WO 2007/076898 (for reference) forms emulsions and / or dispersions in the electrolyte by adding emulsifiers and / or dispersants, or wetting agents.

당업계에 공지된 전해질 및 방법의 단점은 때때로 기재 표면에 균일한 침착물을 수득하기가 어렵다는 점이다. 따라서, 본 발명의 목적은 당업계에 공지된 전해질 및 방법을 최적화하는 것이다.A disadvantage of electrolytes and methods known in the art is that it is sometimes difficult to obtain uniform deposits on the substrate surface. Accordingly, it is an object of the present invention to optimize electrolytes and methods known in the art.

간략히 설명하면, 본 발명은 한 관점으로, 기재 표면에 금속 또는 합금의 무광택 층을 침착시키기 위한 전해질 조성물로, 금속 또는 이의 합금을 침착시키기 위한 V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Te, Re, Pt, Au, Tl, Bi 및 이의 배합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 침착 금속 이온; 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 또는 보론으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 원소의 적어도 하나의 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트; 및 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환 또는 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드의 유도체, 플루오르화된 습윤제, 과플루오르화된 습윤제, 4차 아민 또는 폴리알킬렌 옥사이드로 치환된 4차 아민으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 1 이상의 분산 형성제를 함유하는 전해질 조성물에 관한 것이다.In one aspect, the present invention provides an electrolyte composition for depositing a matte layer of a metal or an alloy on a surface of a substrate. The electrolyte composition includes V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, A deposit metal ion selected from the group consisting of Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Te, Re, Pt, Au, Tl, Bi and combinations thereof; At least one halogenide, sulfate or sulfonate of an element selected from the group consisting of sodium, potassium, aluminum, magnesium or boron; And substituted and unsubstituted polyalkylene oxides, derivatives of substituted or unsubstituted polyalkylene oxides, fluorinated wetting agents, perfluorinated wetting agents, quaternary amines or polyalkylene oxides And a quaternary amine. The present invention also relates to an electrolyte composition containing at least one dispersing agent selected from the group consisting of quaternary amines.

다른 관점에서, 본 발명은 기재 표면에 금속 또는 합금의 무광택 층을 침착시키기 위한 전해질 조성물로, 금속 또는 이의 합금을 침착시키기 위한 V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Te, Re, Pt, Au, Tl, Bi 및 이의 배합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 침착 금속 이온; 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 또는 보론으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 원소의 적어도 하나의 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트; 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환 또는 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드의 유도체, 플루오르화된 습윤제, 과플루오르화된 습윤제, 4차 아민 또는 폴리알킬렌 옥사이드로 치환된 4차 아민으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 1 이상의 분산 형성제; 및 알킬 설페이트, 설포-석신산 및 베타인으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 표면 활성 습윤제를 함유하는 전해질 조성물에 관한 것이다.In another aspect, the present invention provides an electrolyte composition for depositing a matte layer of a metal or an alloy on a surface of a substrate. The electrolyte composition includes V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ru, A deposition metal ion selected from the group consisting of Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Te, Re, Pt, Au, Tl, Bi and combinations thereof; At least one halogenide, sulfate or sulfonate of an element selected from the group consisting of sodium, potassium, aluminum, magnesium or boron; Substituted polyalkylene oxides, derivatives of substituted or unsubstituted polyalkylene oxides, fluorinated wetting agents, perfluorinated wetting agents, quaternary amines or polyalkylene oxides At least one dispersing agent selected from the group consisting of amine; And surface active wetting agents selected from the group consisting of alkyl sulfates, sulfo-succinic acids and betaines.

또한, 본 발명은 전술한 전해질 도금 조성물에 기재 표면을 노출시키는 단계; 및 기재와 애노드(anode) 사이에 전류를 전도하여 기재 표면에 무광택 층을 침착시키는 단계를 포함하여, 기재 표면에 무광택 층을 침착시키는 방법에 관한 것이다.The present invention also relates to a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: exposing a substrate surface to the above-described electrolyte plating composition; And depositing a matte layer on the substrate surface by conducting a current between the substrate and the anode to deposit a matte layer on the substrate surface.

본 발명의 다른 관점은 기재 표면에 무광택 니켈 층을 침착시키는 더욱 구체적인 방법으로, 기재 표면을, 적어도 약 10 g/L 니켈 이온 및 소듐, 포타슘, 마그네슘, 알루미늄, 보론 또는 이의 배합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 보조 금속 이온을 함유하되, 보조 금속 이온 대 니켈 금속 이온의 중량비가 적어도 약 0.8:1인 전해질 니켈 도금 조성물에 노출시키는 단계; 및 상기 기재와 애노드 사이에 전류를 전도하여 기재 표면에 무광택 니켈 층을 침착시키는 단계를 포함하는 방법이다.Another aspect of the present invention provides a method of depositing a matte nickel layer on a surface of a substrate in a more specific manner wherein the surface of the substrate is selected from the group consisting of at least about 10 g / L nickel ion and sodium, potassium, magnesium, aluminum, boron, To an electrolyte nickel plating composition comprising an auxiliary metal ion, wherein the weight ratio of the auxiliary metal ion to the nickel metal ion is at least about 0.8: 1; And conducting a current between the substrate and the anode to deposit a matte nickel layer on the substrate surface.

다른 양태로, 본 발명은 기재 표면에 무광택 니켈 층을 침착시키는 방법으로, 기재 표면을, 적어도 약 40 g/L 니켈 이온 및 소듐, 포타슘, 마그네슘, 알루미늄, 보론 또는 이의 배합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 보조 금속 이온을 함유하되, 보조 금속 이온 대 니켈 금속 이온의 중량비가 적어도 약 0.2:1인 전해질 니켈 도금 조성물에 노출시키는 단계; 및 상기 기재와 애노드 사이에 전류를 전도하여 기재 표면에 무광택 니켈 층을 침착시키는 단계를 포함하는 방법에 관한 것이다.In another aspect, the present invention provides a method of depositing a matte nickel layer on a surface of a substrate, wherein the surface of the substrate is selected from the group consisting of at least about 40 g / L nickel ion and sodium, potassium, magnesium, aluminum, boron or combinations thereof To an electrolyte nickel plating composition containing an auxiliary metal ion, wherein the weight ratio of the auxiliary metal ion to the nickel metal ion is at least about 0.2: 1; And conducting a current between the substrate and the anode to deposit a matte nickel layer on the substrate surface.

또한, 본 발명은 기재 표면에 무광택 코발트-주석 합금 층을 침착시키는 방법으로, 기재 표면을, 적어도 약 10 g/L 코발트 이온, 적어도 약 10 g/L 주석 이온 및 소듐, 포타슘, 마그네슘, 알루미늄, 보론 또는 이의 배합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 보조 금속 이온을 함유하되, 보조 금속 이온 대 코발트 금속 이온과 주석 금속 이온의 합계의 중량비가 적어도 약 0.2:1인 전해질 코발트-주석 합금 도금 조성물에 노출시키는 단계; 및 상기 기재와 애노드 사이에 전류를 전도하여 기재 표면에 무광택 코발트-주석 합금 층을 침착시키는 단계를 포함하는 방법에 관한 것이다.The present invention also provides a method of depositing a matte cobalt-tin alloy layer on a surface of a substrate, wherein the surface of the substrate is coated with at least about 10 g / L cobalt ion, at least about 10 g / L tin ion and sodium, potassium, magnesium, Boron, or a combination thereof, wherein the total weight ratio of the auxiliary metal ion to the cobalt metal ion and the tin metal ion is at least about 0.2: 1, wherein the step of exposing the electrolyte cobalt- ; And conducting a current between the substrate and the anode to deposit a matte cobalt-tin alloy layer on the substrate surface.

다른 목적과 특징은 일부는 자명한 것이고 일부는 이하에 언급될 것이다.Other objects and features will be in part apparent and some will be described below.

본 출원은 전문이 참고 인용되는 2008년 7월 8일에 출원된 유럽 특허출원 08012262.5에 대한 우선권을 주장한다.This application claims priority to European patent application 08012262.5, filed July 8, 2008, the disclosure of which is incorporated herein by reference in its entirety.

본 발명은 기재 표면에 V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Te, Re, Pt, Au, Tl, Bi 및 이 금속들의 임의의 합금으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 금속의 무광택 금속 층을 기재 표면에 침착시키기 위한 전해질에 관한 것이다. 따라서, 본 발명의 전해질은 바나듐 이온, 크롬 이온, 망간 이온, 철 이온, 코발트 이온, 니켈 이온, 구리 이온, 아연 이온, 루테늄 이온, 로듐 이온, 팔라듐 이온, 은 이온, 인듐 이온, 주석 이온, 안티몬 이온, 텔루륨 이온, 레늄 이온, 백금 이온, 금 이온, 탈륨 이온, 비스무스 이온 및 열거된 것 중의 임의의 배합 이온으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 도금용 금속 이온의 급원을 함유한다.The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: (a) forming a metal layer on a surface of a substrate by using a metal material selected from the group consisting of V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Te, Re, On a substrate surface, a matte metal layer of a metal selected from the group consisting of any of the following alloys. Therefore, the electrolyte of the present invention can be used as a positive electrode active material of the present invention, which includes at least one of vanadium ion, chromium ion, manganese ion, iron ion, cobalt ion, nickel ion, copper ion, zinc ion, ruthenium ion, rhodium ion, A metal ion for a plating metal selected from the group consisting of an ion, a tellurium ion, a rhenium ion, a platinum ion, a gold ion, a thallium ion, a bismuth ion and any compound ions listed.

일부 양태에서, 도금용 금속 이온의 급원은 바나듐 이온, 크롬 이온, 망간 이온, 철 이온, 코발트 이온, 니켈 이온, 구리 이온, 루테늄 이온, 로듐 이온, 팔라듐 이온, 은 이온, 인듐 이온, 주석 이온, 안티몬 이온, 텔루륨 이온, 레늄 이온, 백금 이온, 금 이온, 탈륨 이온, 비스무스 이온 및 열거한 것 중 임의의 배합 이온으로 이루어진 그룹 중에서 선택된다. 따라서, 전해질은 V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Te, Re, Pt, Au, Tl, Bi 및 이 금속들의 임의의 합금으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 무광택 금속 층을 기재 표면에 침착시키기에 적합하다.In some embodiments, the source of the metal ions for plating is selected from the group consisting of vanadium ions, chromium ions, manganese ions, iron ions, cobalt ions, nickel ions, copper ions, ruthenium ions, rhodium ions, palladium ions, silver ions, Antimony ions, tellurium ions, rhenium ions, platinum ions, gold ions, thallium ions, bismuth ions, and any of the compound ions listed. Thus, the electrolyte can be any alloy of any of these metals, such as V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Te, Re, Pt, Au, Is deposited on the surface of the substrate.

일부 양태에서, 도금용 금속 이온의 급원은 철 이온, 코발트 이온, 니켈 이온, 구리 이온, 아연 이온, 주석 이온, 은 이온 및 열거한 것 중의 임의의 배합 이온으로 이루어진 그룹 중에서 선택된다. 따라서, 전해질은 Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Sn, Ag 또는 이러한 임의의 금속들의 합금으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 금속의 무광택 금속 층을 기재 표면에 침착시키기에 적합하다. 바람직한 특정 양태에서, 도금용 금속 이온의 급원은 철 이온, 코발트 이온, 니켈 이온, 구리 이온, 주석 이온, 은 이온 및 열거한 것 중 임의의 배합 이온으로 이루어진 그룹 중에서 선택된다. 따라서, 이 전해질은 Fe, Co, Ni, Cu, Sn, Ag 또는 이 금속들 중 임의의 합금으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 금속의 무광택 금속 층을 침착시키기에 적합하다.In some embodiments, the source of metal ions for plating is selected from the group consisting of iron ions, cobalt ions, nickel ions, copper ions, zinc ions, tin ions, silver ions and any of the compound ions listed. Thus, the electrolyte is suitable for depositing a matte metal layer of a metal selected from the group consisting of Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Sn, Ag or alloys of any of these metals on the substrate surface. In a particular preferred embodiment, the source of metal ions for plating is selected from the group consisting of iron ions, cobalt ions, nickel ions, copper ions, tin ions, silver ions and any of the enumerated ions listed. Thus, the electrolyte is suitable for depositing a matte metal layer of a metal selected from the group consisting of Fe, Co, Ni, Cu, Sn, Ag or any alloy of these metals.

전술한 각 양태들에서, "합금"은 3가지 독특한 양태, 즉 열거한 금속들 중 하나와 열거한 금속들 중 다른 하나 이상과의 합금; 열거한 금속들 중 하나와 열거하지 않은 하나 이상의 금속과의 합금; 및 열거한 금속들 중 하나와 열거한 금속 중 다른 하나 이상의 금속 및 열거하지 않은 하나 이상의 금속과의 합금을 포함한다. 따라서, 금속 이온과 관련하여, 일부 양태에서 조성물은 오로지 열거한 이온 중 하나 또는 그 이상만을 포함하고; 다른 양태에서는 선택적으로 열거하지 않은 이온과 배합된다. 즉, 일부 양태에서는 열거하지 않은 다른 금속 이온을 특별하게 배제하고, 다른 양태에서는 그렇게 배제하지 않는다.In each of the above-described aspects, the term "alloy" refers to three distinct aspects: an alloy of one of the listed metals with another of the listed metals; An alloy of one or more metals not listed with one of the listed metals; And alloys of one or more of the listed metals with one or more of the listed metals, with one of the listed metals. Thus, with respect to metal ions, in some embodiments the composition comprises only one or more of the listed ions; In other embodiments, it is combined with ions that are not selectively listed. That is, other metal ions not specifically listed in some embodiments are specifically excluded, and in other embodiments they are not excluded.

본 발명의 전해질은 종래 무광택 층 도금용 전해질에 비해 비교적 낮은 농도의 도금용 금속 이온을 함유하는 것을 특징으로 한다. 이러한 전해질에 대한 그 외 모든 것이 동일하다면, 도금용 금속 이온의 저농도는 밀도가 낮은 전해질을 초래한다. 일반적으로 말하면, 이러한 저밀도 조성물은 무광택 또는 진줏빛 금속 층을 믿을만하게 침착시킬 수 없는 경향이 있다. 오히려, 이 층은 광택성 또는 반-광택성인 경향이 있다. 따라서, 본 발명의 전해질은 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 또는 보론으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 원소의 적어도 하나의 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트를 추가로 포함한다. 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 또는 보론의 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트 염의 첨가에 의해, 전해질의 밀도는 훨신 높은 농도의 도금용 금속 이온을 함유하는 종래 전해질의 밀도로 또는 그 부근으로 형성된다.The electrolyte of the present invention is characterized in that it contains a relatively low concentration of metal ion for plating as compared with the electrolyte for the matte layer plating in the related art. If everything else for these electrolytes is the same, low concentrations of metal ions for plating result in electrolytes with low density. Generally speaking, such low density compositions tend not to reliably deposit a matte or purplish metal layer. Rather, this layer tends to be glossy or semi-glossy. Thus, the electrolyte of the present invention further comprises at least one halogenide, sulfate or sulfonate of an element selected from the group consisting of sodium, potassium, aluminum, magnesium or boron. By the addition of a halogenide, sulfate or sulfonate salt of sodium, potassium, aluminum, magnesium or boron, the density of the electrolyte is formed at or near the density of a conventional electrolyte containing a much higher concentration of plating metal ions.

일부 양태에서, 도금용 금속 이온 대신에 부분적으로 이용되고(종래 무광택 전해질과 비교했을 때) 전해질의 밀도를 도금용 금속 이온 농도가 높은 종래 전해질의 밀도 또는 그 부근으로 유지시키는 첨가제는 소듐, 포타슘 또는 마그네슘의 메탄설포네이트 및 이의 수화물 중에서 선택될 수 있다. 이들은 전해질에 혼입 시, 이용되지 않았던 경우보다 높은 밀도를 초래한다는 점에서 밀도 증가 화합물로 부르기도 한다. 일부 양태에서는 알루미늄 설페이트 및 이의 수화물이 바람직하다. 일부 양태에서는 소듐 설페이트 및 이의 수화물이 바람직하다. 일부 양태에서는 마그네슘 설페이트 및 이의 수화물이 바람직하다. 일부 양태에서는 보론 테트라플루오라이드가 사용된다. 일부 양태에서는 알루미늄 설페이트 및 이의 수화물과 보론 테트라플루오라이드의 배합물이 사용된다.In some embodiments, the additive that is partially used in place of the metal ion for plating (as compared to a conventional matte electrolyte) and maintains the density of the electrolyte at or near the density of the conventional electrolyte having a high metal ion concentration for plating may be sodium, potassium, Methane sulfonate of magnesium and hydrates thereof. They are sometimes referred to as density increasing compounds in that they, when incorporated into the electrolyte, result in higher densities than would otherwise be used. In some embodiments, aluminum sulphate and hydrates thereof are preferred. In some embodiments, sodium sulfate and its hydrates are preferred. In some embodiments, magnesium sulfate and its hydrates are preferred. In some embodiments, boron tetrafluoride is used. In some embodiments, a combination of aluminum sulfate and its hydrate and boron tetrafluoride is used.

바람직한 양태에서, 본 발명의 전해질에 존재하는 밀도 증가 화합물은 소듐 설페이트 및 이의 수화물, 마그네슘 설페이트 및 이의 수화물, 알루미늄 설페이트 및 이의 수화물 또는 이러한 3가지 염의 배합물이다.In a preferred embodiment, the density increasing compounds present in the electrolyte of the present invention are sodium sulfate and its hydrates, magnesium sulfate and its hydrates, aluminum sulphate and its hydrates or combinations of these three salts.

놀랍게도, 중질 양이온의 용해성 화합물의 첨가, 특히 알칼리성 할로게나이드 또는 알칼리성 토류 할로게나이드, 알칼리성 설페이트 또는 알칼리성 토류 설페이트 또는 알칼리성 설포네이트 또는 알칼리성 토류 설포네이트 뿐만 아니라 알루미늄 설페이트, 알루미늄 클로라이드 또는 보론 테트라플루오라이드의 단독 첨가 또는 배합 첨가가 당업계에 공지된 단점을 극복할 수 있고, 구체적으로 도금용 금속 이온의 농도가 비교적 낮은 전해질로부터 무광택 또는 진줏빛 금속 층을 도금시킴으로써 단점을 극복할 수 있다.Surprisingly, the addition of soluble compounds of heavy cations, in particular of alkaline or alkaline earth halides, alkaline sulphates or alkaline earth sulphates or alkaline sulphonates or alkaline earth sulphonates as well as of aluminum sulphates, aluminum chlorides or boron tetrafluorides The disadvantages can be overcome by solely adding or compounding them, overcoming the disadvantages known in the art, and specifically plating a matte or purplish metal layer from an electrolyte having a relatively low concentration of plating metal ions.

본 발명에 따르면, 전해질은 본 발명의 전해질에 존재하는 상기 염의 양이온이 침착될 금속 농도의 10 내지 100 중량% 범위가 될 정도의 농도로 본 발명의 전해질의 밀도를 유지하는 염을 함유한다. 이 염은 이 염의 양이온이 침착될 금속 농도의 20 내지 60 중량% 사이의 범위로 존재할 정도의 농도로 본 발명의 전해질에 첨가하는 것이 바람직하다.According to the present invention, the electrolyte contains a salt that maintains the density of the electrolyte of the present invention at a concentration such that the cation of the salt present in the electrolyte of the present invention is in the range of 10 to 100% by weight of the concentration of the metal to be deposited. The salt is preferably added to the electrolyte of the present invention at such a concentration that the cation of the salt is present in a range of 20 to 60% by weight of the concentration of the metal to be deposited.

일반적으로, 보조 금속 이온의 염의 농도는 보조 금속 이온 대 도금용 금속 이온의 중량 비가 적어도 약 0.2:1, 적어도 약 0.4:1, 적어도 약 0.6:1, 또는 심지어 적어도 약 0.8:1로 보조 금속 이온이 존재할 정도이다. 일부 양태에서, 보조 금속 이온은 보조 금속 이온 대 도금용 금속 이온의 중량비가 약 0.10:1 내지 1.3:1 사이, 예컨대 약 0.10:1 내지 1:1 사이, 바람직하게는 약 0.2:1 내지 약 0.6:1 사이이도록 존재한다. "보조 금속"이란, 금속으로 환원되거나 실질적으로 환원되지 않고 이에 따라 기재 상에 미량보다 많은 임의의 양, 즉 1 원자% 이하, 0.5 원자% 이하, 바람직하게는 0.1 원자% 이하로 무광택 또는 진줏빛 금속 층에 혼입되지 않는 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 또는 보론과 같은 이온 종류를 의미한다. 보조 금속 이온은 도금용 금속 이온의 농도가 비교적 낮은 전해질에 무광택 또는 진줏빛 층의 침착을 가능하게 하는 고농도의 도금용 금속 이온을 일반적으로 함유하는 종래 전해질과 비교했을 때 용액의 밀도를 실질적으로 유지하도록 본 발명의 전해질에 혼입된다.Generally, the concentration of the salt of the auxiliary metal ion is such that the weight ratio of the auxiliary metal ion to the plating metal ion is at least about 0.2: 1, at least about 0.4: 1, at least about 0.6: 1, or even at least about 0.8: There is enough to exist. In some embodiments, the auxiliary metal ion is present in a weight ratio of the auxiliary metal ion to the plating metal ion of between about 0.10: 1 and 1.3: 1, such as between about 0.10: 1 and 1: 1, preferably between about 0.2: 1 and about 0.6 : 1. Means an amount of metal which is reduced or not substantially reduced to a metal and which is therefore an amount less than a trace amount, that is, less than or equal to 1 atomic%, less than or equal to 0.5 atomic%, preferably less than or equal to 0.1 atomic% Ionic species such as sodium, potassium, aluminum, magnesium or boron which are not incorporated into the layer. The auxiliary metal ions are used to substantially maintain the density of the solution as compared to conventional electrolytes, which generally contain a high concentration of metal ions for plating, which enables deposition of a matte or a purplish layer on the electrolytes having a relatively low concentration of plating metal ions Are incorporated into the electrolyte of the present invention.

예를 들어, 전해질 니켈 도금조, 예컨대 왓츠(Watts)형 조에서, 보조 금속 이온 대 니켈 이온의 중량비는 적어도 약 0.2:1, 예컨대 적어도 약 0.4:1, 적어도 약 0.6:1, 또는 심지어 적어도 약 0.8:1, 예컨대 약 0.9:1, 약 1:1, 약 1.1:1, 약 1.2:1, 또는 심지어 약 1.3:1일 수 있다. 이러한 관점에서, 보조 금속 이온 대 니켈 이온의 중량비는 약 0.2:1 내지 약 1.3:1 범위, 예컨대 약 0.6:1 내지 약 1.2:1 범위일 수 있다. 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘, 또는 보론, 더욱 바람직하게는 마그네슘과 같은 보조 금속 이온을 전해질성 니켈 도금조에 혼입 시, 니켈 이온의 농도는 종래 전해질성 무광택 니켈 도금조에 비해 낮다.For example, in an electrolytic nickel plating bath, such as a Watts bath, the weight ratio of auxiliary metal ion to nickel ion is at least about 0.2: 1, such as at least about 0.4: 1, at least about 0.6: 1, 0.8: 1, such as about 0.9: 1, about 1: 1, about 1.1: 1, about 1.2: 1, or even about 1.3: 1. In this regard, the weight ratio of the auxiliary metal ion to the nickel ion may range from about 0.2: 1 to about 1.3: 1, such as from about 0.6: 1 to about 1.2: 1. When incorporating auxiliary metal ions such as sodium, potassium, aluminum, magnesium, or boron, more preferably magnesium, into the electrolytic nickel plating bath, the concentration of nickel ions is lower than that of conventional electrolytic matte nickel plating baths.

일반적인 명제로서, 일부 바람직한 양태에서, 니켈 농도는 일반적으로 적어도 약 10 g/L, 적어도 약 15 g/L, 적어도 약 20 g/L, 적어도 약 30 g/L, 적어도 약 40 g/L, 또는 심지어 적어도 약 45 g/L이다. 니켈 농도는 일반적으로 약 80 g/L 이하, 약 75 g/L 이하, 또는 약 60 g/L 이하이다. 일부 양태에서, 니켈 이온 농도는 약 10 g/L 내지 약 80 g/L 사이, 약 10 g/L 내지 약 70 g/L 사이, 약 10 g/L 내지 약 60 g/L 사이, 또는 약 15 g/L 내지 약 50 g/L 사이이다. 일반적으로, 보조 금속 이온 농도는 적어도 약 10 g/L, 적어도 약 15 g/L, 적어도 약 20 g/L, 또는 심지어 적어도 약 25 g/L이다. 일부 양태에서, 니켈 이온 농도는 적어도 약 10 g/L이고 보조 금속 이온 대 니켈 이온의 중량비는 적어도 약 0.8:1, 적어도 약 1:1 또는 적어도 약 1.2:1이다. 일부 양태에서, 니켈 이온 농도는 적어도 약 40 g/L이고 보조 금속 이온 대 니켈 이온의 중량비는 적어도 약 0.2:1, 적어도 약 0.4:1 또는 적어도 약 0.6:1이다. 전술한 중량비를 산출하기에 충분한 농도의 보조 금속 이온과 전술한 범위 내의 니켈 이온 농도를 보유하는 상기 전해질성 니켈 도금 조성물은 무광택 및 진줏빛 니켈 층을 침착시키는 것으로 밝혀졌다.As a general proposition, in some preferred embodiments, the nickel concentration is generally at least about 10 g / L, at least about 15 g / L, at least about 20 g / L, at least about 30 g / L, at least about 40 g / Even at least about 45 g / L. The nickel concentration is generally about 80 g / L or less, about 75 g / L or less, or about 60 g / L or less. In some embodiments, the nickel ion concentration is between about 10 g / L and about 80 g / L, between about 10 g / L and about 70 g / L, between about 10 g / L and about 60 g / L, g / L to about 50 g / L. Generally, the auxiliary metal ion concentration is at least about 10 g / L, at least about 15 g / L, at least about 20 g / L, or even at least about 25 g / L. In some embodiments, the nickel ion concentration is at least about 10 g / L and the weight ratio of the auxiliary metal ion to the nickel ion is at least about 0.8: 1, at least about 1: 1, or at least about 1.2: 1. In some embodiments, the nickel ion concentration is at least about 40 g / L and the weight ratio of the auxiliary metal ion to the nickel ion is at least about 0.2: 1, at least about 0.4: 1, or at least about 0.6: 1. It has been found that the electrolytic nickel plating composition having a sufficient concentration of auxiliary metal ions and a nickel ion concentration within the above range to yield the above-described weight ratio deposits a matte and purplish nickel layer.

다른 양태로, 전해질성 코발트-주석 합금 도금조는 보조 금속 이온 대 총 도금 이온(즉, 코발트 이온과 주석 이온의 합계)의 중량비를 적어도 약 0.2:1, 예컨대 적어도 약 0.4:1, 적어도 약 0.6:1, 또는 심지어 적어도 약 0.8:1, 예컨대 약 0.9:1, 약 1:1, 약 1.1:1, 약 1.2:1, 또는 심지어 약 1.3:1로 포함할 수 있다. 이러한 관점에서, 보조 금속 이온 대 코발트 이온과 주석 이온의 합계의 중량비는 약 0.2:1 내지 약 1:1 범위, 예컨대 약 0.2:1 내지 약 0.8:1 사이일 수 있다.In another embodiment, the electrolytic cobalt-tin alloy plating bath has a weight ratio of auxiliary metal ions to total plating ions (i.e., the sum of cobalt ions and tin ions) of at least about 0.2: 1, such as at least about 0.4: 1, or even at least about 0.8: 1, such as about 0.9: 1, about 1: 1, about 1.1: 1, about 1.2: 1, or even about 1.3: 1. In this regard, the total weight ratio of auxiliary metal ions to cobalt ions and tin ions may range from about 0.2: 1 to about 1: 1, such as from about 0.2: 1 to about 0.8: 1.

전해질성 코발트-주석 합금 도금조에 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 또는 보론, 더욱 바람직하게는 알루미늄, 소듐 또는 이 둘의 배합물과 같은 보조 금속 이온의 혼입 시, 코발트 이온 및 주석 이온의 농도는 종래 전해질성 코발트-주석 합금 도금조에 비해 낮을 수 있다. 코발트 농도는 일반적으로 적어도 약 10 g/L, 약 15 g/L, 또는 심지어 약 20 g/L이고, 코발트 농도는 일반적으로 약 80 g/L 이하, 약 75 g/L 이하, 또는 약 60 g/L 이하이다. 코발트 이온 농도는 약 20 g/L와 약 70 g/L 사이, 또는 약 30 g/L와 약 60 g/L 사이일 수 있다. 주석 농도는 일반적으로 적어도 약 10 g/L, 약 15 g/L 또는 심지어 약 20 g/L이고, 주석 농도는 일반적으로 약 60 g/L 이하, 약 50 g/L 이하 또는 심지어 약 40 g/L 이하이다. 주석 이온 농도는 약 10 g/L와 약 40 g/L 사이, 또는 약 15 g/L와 약 30 g/L 사이일 수 있다. 전술한 범위 내의 코발트 이온 및 주석 이온 농도와 전술한 중량비를 산출하기에 충분한 농도의 보조 금속 이온을 보유하는 상기 전해질성 코발트-주석 합금 도금 조성물은 무광택 진줏빛 코발트-주석 합금 층을 침착시키는 것으로 밝혀졌다.The incorporation of an auxiliary metal ion such as sodium, potassium, aluminum, magnesium or boron, more preferably aluminum, sodium or a combination of both in the electrolytic cobalt-tin alloy plating bath, the concentration of the cobalt ion and the tin ion, Cobalt-tin alloy plating bath. The cobalt concentration is generally at least about 80 g / L, at least about 75 g / L, or at least about 60 g / L, and most preferably at least about 10 g / / L or less. The cobalt ion concentration may be between about 20 g / L and about 70 g / L, or between about 30 g / L and about 60 g / L. The tin concentration is generally at least about 60 g / L, at most about 50 g / L or even at least about 40 g / L, and most preferably at least about 10 g / L, L or less. The tin ion concentration may be between about 10 g / L and about 40 g / L, or between about 15 g / L and about 30 g / L. It has been found that the electrolyteic cobalt-tin alloy plating composition having a sufficient concentration of auxiliary metal ions to yield the cobalt ion and tin ion concentrations within the aforementioned ranges and the above-described weight ratios, deposits a matte purple cobalt-tin alloy layer .

전술한 Ni, Co 및/또는 Sn의 농도는 도금 금속으로 V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ru, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Te, Pt, Au, Tl, Bi 및 이의 합금 중에서 선택되는 다른 금속을 이용하는 본 발명의 도금 조성물에도 유사하게 적용된다.The concentration of Ni, Co and / or Sn may be selected from the group consisting of V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ru, Pd, Ag, In, Sn, Sb, , Bi, and alloys thereof. The present invention is also applicable to the plating composition of the present invention.

전해질의 밀도를 증가시키면 운점이 초과되는데, 이 효과는 일반 도금용 전해질에서는 피해야 하지만, 여기서는 침착된 금속 층의 바람직한 무광택 효과를 초래한다. 임의의 침착가능한 금속 양이온을 포함하지 않는, 전술한 불활성 화합물(즉, Na, K, Al, Mg 및/또는 B 화합물, 또는 소위 밀도 증가 화합물)의 첨가는 전해질 내에 도금용 금속의 매우 낮은 농도에서도 무광택 금속 층이 침착될 정도로 밀도를 증가시킨다. 밀도는 무광택 또는 진줏빛 층을 침착시키는 종래 용액과 비슷한 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명의 전해질의 밀도는 본 발명의 전해질이 훨씬 낮은 농도의 도금용 금속 이온을 보유할지라도, 종래 도금용 금속 이온 농도가 높은 전해질 밀도의 약 85% 내지 약 115% 사이인 것이 바람직하다. 즉, 불활성 금속 염은 높은 농도의 도금용 금속 없이도 원하는 밀도가 달성되도록 밀도에 기여한다. 밀도는 상기 종래 전해질의 약 95% 내지 약 105% 사이인 것이 바람직하다. 높은 밀도는 일반적으로 낮은 운점에 기여한다. 본 발명의 전해질은 운점을 초과하며, 이는 유탁액 또는 분산액을 달성하여 최종 도금 층의 무광택 또는 진줏빛 외관을 달성하는데 유용하다.Increasing the density of the electrolyte increases the cloud point, which should be avoided in general electrolytic electrolytes, but here it results in the desired matte effect of the deposited metal layer. The addition of the aforementioned inert compounds (i.e., Na, K, Al, Mg and / or B compounds, or so-called density increasing compounds), which do not include any depositable metal cation, And increases the density to such an extent that the matte metal layer is deposited. The density is preferably similar to conventional solutions for depositing matte or purplish layers. Thus, although the density of the electrolyte of the present invention is preferably between about 85% and about 115% of the electrolyte density of conventional plating metal ion concentrations, even though the electrolyte of the present invention has a much lower concentration of plating metal ions . In other words, the inert metal salt contributes to the density to achieve the desired density without the need for a high concentration of plating metal. The density is preferably between about 95% and about 105% of the conventional electrolyte. Higher densities generally contribute to lower haze. The electrolyte of the present invention exceeds the cloud point, which is useful for achieving an emulsion or dispersion to achieve a matte or purple appearance of the final coating layer.

환언하면, Na, K, Al, Mg 또는 B의 불활성 금속 염의 혼입은 전체적으로 운점이 전해질 조성물의 작업 온도 이하인 조성물을 생산한다. 이런 식으로 작업 온도에서 운점이 초과되면, 유탁액 또는 분산액을 달성하는데 유용하고, 이에 따라 본 발명에 따른 최종 도금 층의 무광택 또는 진줏빛 외관이 달성된다.In other words, the incorporation of an inert metal salt of Na, K, Al, Mg or B produces a composition which is generally below the operating temperature of the electrolyte composition. If the cloud point is exceeded in this way at the working temperature, it is useful to achieve an emulsion or dispersion, and thus a matte or purplish appearance of the final plating layer according to the present invention is achieved.

본 발명의 전해질은 또한 치환 또는 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환 또는 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드의 유도체, 플루오르화된 또는 과플루오르화된 습윤제 또는 폴리알킬렌 옥사이드로 치환된 4차 암모늄 화합물 중에서 선택되는 분산액 또는 유탁액 형성 물질을 함유한다. 이 물질들은 전해질에 유탁액 및/또는 분산액을 형성하는데 적합하다.The electrolytes of the present invention can also be used in combination with substituted or unsubstituted polyalkylene oxides, derivatives of substituted or unsubstituted polyalkylene oxides, quaternary ammonium compounds substituted with fluorinated or perfluorinated wetting agents or polyalkylene oxides The dispersion or the emulsion forming material to be selected. These materials are suitable for forming emulsions and / or dispersions in the electrolyte.

본 발명의 전해질에 사용하기에 적합한 분산액 또는 유탁액 형성 물질은 치환 또는 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드 및 치환 또는 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드의 유도체를 포함한다. 유용한 폴리알킬렌 옥사이드형 계면활성제는 평균분자량이 5000 내지 100,000 g/mol 범위인 폴리에틸렌 글리콜을 포함한다. 시판 폴리에틸렌 글리콜은 BASF에서 상표명 Pluriol®로 판매되고 있다. 다른 폴리알킬렌 옥사이드형 계면활성제는 평균분자량이 500 내지 20,000 g/mol 범위인 폴리프로필렌 글리콜을 포함한다. 시판 폴리프로필렌 글리콜은 BASF에서 상표명 Pluriol®로 판매하고 있다. 또한, BASF에서 입수할 수 있는 Pluronic® PE 및 RPE와 같은 폴리프로필렌 글리콜/폴리에틸렌 글리콜 공중합체도 유용하다. 이들의 분자량은 일반적으로 1000 내지 5000 g/mol 범위이다. 치환 또는 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드 및 이의 유도체는 0.1 mg/L 내지 10 g/L의 농도 범위로 전해질에 첨가될 수 있다.The dispersion or emulsion forming materials suitable for use in the electrolyte of the present invention include substituted or unsubstituted polyalkylene oxides and derivatives of substituted or unsubstituted polyalkylene oxides. Useful polyalkylene oxide type surfactants include polyethylene glycol having an average molecular weight in the range of 5000 to 100,000 g / mol. Commercially available polyethylene glycols are sold under the tradename Pluriol® from BASF. Other polyalkylene oxide type surfactants include polypropylene glycols having an average molecular weight in the range of 500 to 20,000 g / mol. Commercially available polypropylene glycols are sold under the trade name Pluriol® from BASF. Also useful are polypropylene glycol / polyethylene glycol copolymers such as Pluronic (R) PE and RPE available from BASF. Their molecular weight is generally in the range of 1000 to 5000 g / mol. The substituted or unsubstituted polyalkylene oxide and derivatives thereof may be added to the electrolyte in a concentration range of 0.1 mg / L to 10 g / L.

분산액 또는 유탁액 형성 물질은 또한 4차 아민 및 폴리알킬렌 옥사이드로 치환된 4차 아민을 포함한다. 폴리알킬렌 옥사이드로 치환된 4차 아민은 악조 노벨에서 입수할 수 있는 상표명 Ethoquad® 타입으로 판매되는 것을 포함한다. 또한, 상표명 Hyamine 및 Barquat®로 판매되는 4차 아민 계면활성제도 유용하다. Barquat® 4차 아민은 론자 케미칼에서 입수할 수 있는 Barquat® MB-50 및 Barquat® MB-80을 포함한다. 4차 아민 및 폴리알킬렌 옥사이드로 치환된 4차 아민 분산액 또는 유탁액 형성 물질은 본 발명의 전해질에 0.1 mg/L 내지 1 g/L, 바람직하게는 1 mg/L 내지 100 mg/L의 농도로 첨가될 수 있다.The dispersion or emulsion forming material also includes quaternary amines substituted with quaternary amines and polyalkylene oxides. Quaternary amines substituted with polyalkylene oxides include those sold under the tradename Ethoquad® type available from Akzo Nobel. Quaternary amine surfactants sold under the trade names Hyamine and Barquat are also useful. Barquat® quaternary amines include Barquat® MB-50 and Barquat® MB-80 available from Lonza Chemical. The quaternary amine dispersions or emulsion forming materials substituted with quaternary amine and polyalkylene oxide are added to the electrolyte of the present invention at a concentration of 0.1 mg / L to 1 g / L, preferably 1 mg / L to 100 mg / L Lt; / RTI >

분산액 또는 유탁액 형성 첨가제는 엔쏜 인크.에서 입수할 수 있는 PEARLBRITE®과 같은 첨가제의 시판 패키지로서 전해질에 혼입될 수 있다. PEARLBRITE® 패키지는 분산액 또는 유탁액 형성 첨가제뿐만 아니라 당업계에 공지된 운반 첨가제 및 균일성 증강 첨가제를 포함할 수 있다. 운반 첨가제는 전해질에 약 1 g/L 내지 약 15 g/L, 예컨대 2 g/L 내지 약 10 g/L, 예컨대 약 5 g/L로 존재할 수 있다. 이러한 운반 첨가제 중 하나는 소듐 사카리네이트이다. 침착물의 균일성을 증강시키기 위한 첨가제는 일반적으로 다양한 금속의 기준 환원 전위를 유사한 범위로 이동시키기 위해 첨가하는 착물제화이다. 착물화제는 일반적으로 50 내지 200 g/L, 예컨대 70 내지 140 g/L의 농도 범위로 전해질에 첨가한다. 착물화제는 글루코네이트, 시아나이드, 구연산 및 당업계에 공지된 기타 착물화제를 포함한다.The dispersion or emulsion forming additive may be incorporated into the electrolyte as a commercial package of additives such as PEARLBRITE 占 available from Enthorn Inc. The PEARLBRITE® package may include dispersing or emulsion forming additives as well as transport additives and uniformity enhancing additives known in the art. The transport additive may be present in the electrolyte at about 1 g / L to about 15 g / L, such as 2 g / L to about 10 g / L, such as about 5 g / L. One such transport additive is sodium saccharinate. Additives for enhancing the uniformity of deposits are generally complex formulations added to shift the reference reduction potentials of the various metals to similar ranges. The complexing agent is generally added to the electrolyte in a concentration range of 50 to 200 g / L, such as 70 to 140 g / L. Complexing agents include gluconates, cyanides, citric acid, and other complexing agents known in the art.

또한, 본 발명의 전해질에는 표면 활성 습윤제가 첨가될 수 있다는 것이 발견되었다. 표면 활성 습윤제의 첨가는 또한 금속 층의 균일한 침착을 지지한다. 당업계에 공지된 전해질에 표면 활성 습윤제의 첨가는 이 표면 활성 습윤제가 전해질의 유탁액 및/또는 분산액 형성에 영향을 미쳐, 전해질의 무광택 또는 진줏빛 효과에 영향을 미치기 때문에 불가능했다. 표면 활성 습윤제가 당업계에 공지된 전해질에 첨가되면, 침착된 금속 층은 비섬광성 대신에 광택성으로 변했다.It has also been found that a surface active wetting agent can be added to the electrolyte of the present invention. The addition of the surface active wetting agent also supports uniform deposition of the metal layer. The addition of surface active wetting agents to electrolytes known in the art was not possible because these surfactant wetting agents affected the emulsion and / or dispersion formation of the electrolyte and affected the matte or purple effect of the electrolyte. When a surface active wetting agent is added to an electrolyte known in the art, the deposited metal layer has changed to lustrous instead of biphasic.

본 발명의 전해질에서, 표면 활성 습윤제의 첨가는 전해질의 무광택 효과에 영향을 미침이 없이 가능하다.In the electrolyte of the present invention, the addition of the surface active wetting agent is possible without affecting the matte effect of the electrolyte.

본 발명의 전해질에 첨가될 수 있는 표면 활성 습윤제는 알킬 설페이트, 설포석신산 및 베타인으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 습윤제일 수 있다. 알킬 설페이트는 일반적으로 탄소 원자가 8 내지 약 20개, 일반적으로 12 내지 14개인 탄화수소 사슬을 갖고(예컨대 데실 설페이트, 도데실 설페이트, 테트라데실 설페이트, 헥사데실 설페이트 및 옥타데실 설페이트), 일반적으로 특히 소듐 이온, 포타슘 이온, 마그네슘 이온 및 암모늄 이온과 하전 밸런스를 유지하는 것을 포함한다. 전해질에 유용한 설포석시네이트는 악조 노벨에서 입수할 수 있는 타입이다. 설포석시네이트는 일반적으로 에스테르를 형성하고(또는) 특히 소듐 이온, 포타슘 이온, 마그네슘 이온 및 암모늄 이온과 하전 밸런스를 유지할 수 있는, 탄소 원자 7 내지 20개, 일반적으로 8 내지 12개인 지방 탄화수소 사슬을 보유한다.The surface active wetting agent that may be added to the electrolyte of the present invention may be a wetting agent selected from the group consisting of alkyl sulphate, sulfosuccinic acid and betaine. Alkyl sulfates generally have a hydrocarbon chain of from 8 to about 20 carbon atoms, usually 12 to 14 carbon atoms (e.g., decyl sulfate, dodecyl sulfate, tetradecyl sulfate, hexadecyl sulfate and octadecyl sulfate) , Potassium ions, magnesium ions, and ammonium ions. Sulphosuccinates useful for electrolytes are of the type available from Akzo Nobel. Sulphosuccinates generally have 7 to 20 carbon atoms, typically 8 to 12 carbon atoms, which can form esters and / or maintain a charge balance with sodium ions, potassium ions, magnesium ions and ammonium ions, .

표면 활성 습윤제는 본 발명의 전해질에 0.01 mol/L 내지 100 mol/L 사이, 바람직하게는 0.1 mol/L 내지 10 mol/L 사이의 농도로 포함될 수 있다.The surface active wetting agent may be included in the electrolyte of the present invention at a concentration of between 0.01 mol / L and 100 mol / L, preferably between 0.1 mol / L and 10 mol / L.

방법 면에서, 본 발명의 목적은 캐소드(cathode) 접촉 기재 표면과 애노드 사이에 전류를 전도하여 유탁액 및/또는 분산액 형성 전해질로부터 무광택 금속 층이 침착되는, 기재 표면에 무광택 금속 층을 전해질성 침착시키는 방법에 의해 해결되고, 이 방법은 전해질에 포함된 침착될 금속의 10 내지 50 중량%가 적어도 하나의 밀도 증강성인 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 또는 보론으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 원소의 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트에 의해 치환되는 것을 특징으로 한다. 전류 밀도는 0.1 내지 100 A/dm2 범위일 수 있다. 전류 밀도는 실험 조건, 예컨대 도금 금속 이온에 따라 달라진다. 도금은 캐소드로 작용하는 기재 표면을 파워 서플라이에 연결하고 애노드, 적당하게는 불용성 애노드를 파워 서플라이에 연결한 뒤, 캐소드(기재)와 애노드 사이에 전류를 통과시키면 일어난다. 일부 양태에서, 본 발명의 전해질은 약 2 내지 약 7 A/d㎡ 사이의 전류 밀도에서 무광택 니켈 층을 침착시키는데 유용하다. 일반적으로, 침착은 도금된 금속 층의 두께가 일반적으로 약 2 마이크로미터 내지 약 20 마이크로미터 사이일 때까지 진행하지만, 더 얇거나 더 두껍게 도금된 금속 층도 본 발명의 범위 내에 속한다.In a method aspect, an object of the present invention is to provide a method of depositing a matte metal layer on a surface of a substrate, on which a matt metal layer is deposited from an emulsion and / or a dispersion forming electrolyte, by conducting a current between the cathode- Wherein 10 to 50% by weight of the metal to be deposited contained in the electrolyte is selected from the group consisting of halogens of an element selected from the group consisting of sodium, potassium, aluminum, magnesium or boron, , ≪ / RTI > sulfate or sulfonate. The current density may range from 0.1 to 100 A / dm < 2 >. The current density depends on the experimental conditions, such as the plating metal ion. Plating occurs when the substrate surface, which serves as the cathode, is connected to a power supply and an anode, suitably an insoluble anode, is connected to the power supply and current is passed between the cathode (substrate) and the anode. In some embodiments, the electrolyte of the present invention is useful for depositing a matte nickel layer at a current density between about 2 and about 7 A / dm 2. Generally, deposition continues until the thickness of the plated metal layer is generally between about 2 micrometers and about 20 micrometers, although thinner or thicker plated metal layers are also within the scope of the invention.

본 발명의 사상은 전해질에서 침착될 금속의 일부 농도를 밀도 증강 화합물로 치환하여, 침착될 금속의 농도를 감소시키고 전해질의 밀도를 증가시키는 것이다.The idea of the present invention is to replace some concentration of the metal to be deposited in the electrolyte with a density enhancing compound to reduce the concentration of the metal to be deposited and increase the density of the electrolyte.

이렇게 함으로써, 한편으로는 전해질에서 침착되어야 하는 금속의 양이 줄어들어, 전해질을 조제하는데 더 적은 침착 금속이 사용되어야 하기 때문에 경제적 이점이 획득된다. 다른 한편으로는 알칼리성 화합물 및/또는 알칼리성 토류 화합물의 첨가로 인해, 전해질의 밀도가 증가하고 이는 기재 표면에 금속의 더욱 균일한 침착을 초래한다. 더욱이, 전해질의 증가된 밀도로 인해, 침착된 금속 층의 무광택 외관을 의도하지 않은 방식으로 영향을 미침이 없이 표면 활성 습윤제의 첨가가 가능하다는 것도 발견했다.By doing so, on the one hand, the amount of metal to be deposited in the electrolyte is reduced, and an economical advantage is obtained because fewer deposited metals must be used to prepare the electrolyte. On the other hand, due to the addition of alkaline compounds and / or alkaline earth compounds, the density of the electrolyte increases and this results in a more uniform deposition of the metal on the substrate surface. Moreover, it has also been found that, due to the increased density of the electrolyte, the addition of a surface active wetting agent is possible without unintentionally affecting the matte appearance of the deposited metal layer.

이상으로 본 발명을 상세하게 설명했지만, 첨부하는 특허청구범위에 정의된 본 발명의 영역에서 벗어남이 없이 가능한 변경과 변형은 잘 알 것이다.Having thus described the invention in detail, it will be appreciated that modifications and variations are possible without departing from the scope of the invention as defined in the appended claims.

실시예Example

이하 비제한적 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 예증하기 위한 것이다.The following non-limiting examples are intended to further illustrate the present invention.

실시예Example 1 One

다음을 함유하는 본 발명의 왓츠형 전해질을 제조했다:A Watts type electrolyte of the present invention containing the following was prepared:

니켈 설페이트 6수화물(NiSO4·6H2O) 190 g/LNickel sulfate hexahydrate (NiSO 4 .6H 2 O) 190 g / L

붕산 40 g/LBoric acid 40 g / L

니켈 클로라이드 6수화물(NiCl2·6H2O) 30 g/LNickel chloride hexahydrate (NiCl 2 · 6H 2 O) 30 g / L

소듐 사카리네이트 5 g/L, 및5 g / L sodium saccharinate, and

마그네슘 설페이트 7수화물(MgSO4·7H2O) 300 g/LMagnesium sulfate heptahydrate (MgSO 4 .7H 2 O) 300 g / L

PEG 10000 3 mg/L PEG 10000 3 mg / L

상기 본 발명의 전해질은 밀도가 약 1.322 g/㎤이다. 본 발명의 전해질의 니켈 이온 농도는 약 49.83 g/L였다. 마그네슘 이온 농도는 약 29.59 g/L였다. 따라서, 마그네슘 이온 대 니켈 이온의 중량비는 약 0.6:1이었다.The electrolyte of the present invention has a density of about 1.322 g / cm 3. The nickel ion concentration of the electrolyte of the present invention was about 49.83 g / L. The magnesium ion concentration was about 29.59 g / L. Thus, the weight ratio of magnesium ion to nickel ion was about 0.6: 1.

무광택 니켈 층은 52℃의 온도와 5 A/d㎡의 전류 밀도에서 10분 내에 상기 전해질로부터 침착되었다. 전해질의 pH 값은 약 4.2였다. 도금될 기재는 2m/min의 속도로 전해질을 통해 이동시켰다. 침착된 무광택 니켈 층의 구조는, 평균 분자량이 10,000 g/mol인 폴리에틸렌글리콜을 3mg/L 함유하고, 다음 성분을 포함하는 비교 전해질로부터 침착된 무광택 니켈 층의 구조와 동일했다:The matte nickel layer was deposited from the electrolyte within 10 minutes at a temperature of 52 캜 and a current density of 5 A / dm 2. The pH value of the electrolyte was about 4.2. The substrate to be plated was moved through the electrolyte at a rate of 2 m / min. The structure of the deposited matte nickel layer was the same as that of the matte nickel layer containing 3 mg / L of polyethylene glycol having an average molecular weight of 10,000 g / mol and deposited from a comparative electrolyte comprising the following components:

니켈 설페이트 6 수화물(NiSO4·6H2O) 440 g/LNickel sulfate hexahydrate (NiSO 4 .6H 2 O) 440 g / L

붕산 40 g/LBoric acid 40 g / L

니켈 클로라이드 6 수화물(NiCl2·6H2O) 30 g/LNickel chloride hexahydrate (NiCl 2 · 6H 2 O) 30 g / L

소듐 사카리네이트 5 g/L, 및5 g / L sodium saccharinate, and

PEG 10000 3 mg/LPEG 10000 3 mg / L

비교 전해질의 밀도는 약 1.322 g/㎤였다. 비교 전해질의 니켈 이온 농도는 약 105.65 g/L였다.The density of the comparative electrolyte was about 1.322 g / cm3. The nickel ion concentration of the comparative electrolyte was about 105.65 g / L.

실시예Example 2 2

다음을 함유하는 본 발명의 왓츠형 전해질을 제조했다:A Watts type electrolyte of the present invention containing the following was prepared:

니켈 설페이트 6 수화물(NiSO4·6H2O) 190 g/LNickel sulfate hexahydrate (NiSO 4 .6H 2 O) 190 g / L

붕산 40 g/LBoric acid 40 g / L

니켈 클로라이드 6 수화물(NiCl2·6H2O) 30 g/LNickel chloride hexahydrate (NiCl 2 · 6H 2 O) 30 g / L

소듐 사카리네이트 5 g/L, 및5 g / L sodium saccharinate, and

마그네슘 설페이트 7 수화물(MgSO4·7H2O) 300 g/LMagnesium sulfate heptahydrate (MgSO 4 .7H 2 O) 300 g / L

BARQUAT® MB-80 6mg/LBARQUAT® MB-80 6mg / L

이러한 본 발명의 전해질은 밀도가 약 1.322 g/㎤였다. 본 발명의 전해질의 니켈 이온 농도는 약 49.83 g/L였다. 마그네슘 이온 농도는 약 29.59 g/L였다. 따라서, 본 발명의 전해질에 존재하는 마그네슘 이온 대 니켈 이온의 중량비는 약 0.6:1 이었다.The electrolyte of the present invention had a density of about 1.322 g / cm 3. The nickel ion concentration of the electrolyte of the present invention was about 49.83 g / L. The magnesium ion concentration was about 29.59 g / L. Thus, the weight ratio of magnesium ion to nickel ion present in the electrolyte of the present invention was about 0.6: 1.

무광택 니켈 층은 52℃의 온도와 5 A/d㎡의 전류 밀도에서 10분 내에 상기 전해질로부터 침착되었다. 전해질의 pH 값은 약 4.2였다. 도금될 기재는 2m/min의 속도로 전해질을 통해 이동시켰다. 침착된 무광택 니켈 층의 구조는, 6 mg/L BARQUAT® MB-80을 함유하고, 다음 성분을 포함하는 비교 전해질로부터 침착된 무광택 니켈 층의 구조와 동일했다:The matte nickel layer was deposited from the electrolyte within 10 minutes at a temperature of 52 캜 and a current density of 5 A / dm 2. The pH value of the electrolyte was about 4.2. The substrate to be plated was moved through the electrolyte at a rate of 2 m / min. The structure of the deposited matte nickel layer was identical to that of a matte nickel layer containing 6 mg / L BARQUAT® MB-80 and deposited from a comparative electrolyte comprising the following components:

니켈 설페이트 6 수화물(NiSO4·6H2O) 440 g/LNickel sulfate hexahydrate (NiSO 4 .6H 2 O) 440 g / L

붕산 40 g/LBoric acid 40 g / L

니켈 클로라이드 6 수화물(NiCl2·6H2O) 30 g/LNickel chloride hexahydrate (NiCl 2 · 6H 2 O) 30 g / L

소듐 사카리네이트 5 g/L, 및5 g / L sodium saccharinate, and

BARQUAT® MB-80 6 mg/LBARQUAT® MB-80 6 mg / L

비교 전해질의 밀도는 약 1.322 g/㎤이고, 니켈 이온 농도는 약 105.65 g/L였다.The density of the comparative electrolyte was about 1.322 g / cm 3, and the nickel ion concentration was about 105.65 g / L.

실시예Example 3 3

다음을 함유하는 주석-코발트 합금을 침착시키기 위한 본 발명의 전해질을 제조했다: An electrolyte of the present invention for depositing a tin-cobalt alloy containing:

소듐 글루코네이트 120 g/LSodium gluconate 120 g / L

코발트(II) 설페이트 7수화물(CoSO4·7H2O) 50 g/LCobalt (II) sulfate heptahydrate (CoSO 4 · 7H 2 O) 50 g / L

주석(II) 설페이트(SnSO4) 25 g/LTin (II) sulfate (SnSO 4 ) 25 g / L

소듐 설페이트 10 수화물(Na2SO4·10H2O) 260 g/L, 및260 g / L of sodium sulfate 10 hydrate (Na 2 SO 4 .10H 2 O), and

PEG 35000 1mg/LPEG 35000 1 mg / L

상기 본 발명의 전해질은 밀도가 약 1.288 g/㎤였다. 본 발명의 상기 전해질에서, 코발트 이온 농도는 약 10.48 g/L이고 주석 이온 농도는 약 13.82 g/L였다. 소듐 이온 농도는 약 18.55 g/L였다. 따라서, 소듐 이온 대 도금 금속 이온(코발트 이온과 주석 이온의 합계)의 중량비는 약 0.76:1이었다.The electrolyte of the present invention had a density of about 1.288 g / cm 3. In the electrolyte of the present invention, the cobalt ion concentration was about 10.48 g / L and the tin ion concentration was about 13.82 g / L. The sodium ion concentration was about 18.55 g / L. Thus, the weight ratio of sodium ions to plated metal ions (total of cobalt ions and tin ions) was about 0.76: 1.

상기 전해질로부터 45℃의 온도와 0.5 A/d㎡의 전류 밀도에서 5분 내에 매우 양호한 무광택 주석-코발트 층이 침착되었다. 전해질의 pH 값은 약 8.4였고, 도금될 기재는 2m/min의 속도로 전해질을 통해 이동시켰다. 상기 전해질로부터 침착된 매우 양호한 무광택 층은 다음 성분을 포함하는 비교 전해질로부터 침착된 층과 동일했다:A very good matte tin-cobalt layer was deposited from the electrolyte within 5 minutes at a temperature of 45 캜 and a current density of 0.5 A / dm 2. The pH value of the electrolyte was about 8.4, and the substrate to be plated was moved through the electrolyte at a rate of 2 m / min. A very good matte layer deposited from the electrolyte was the same as the layer deposited from the comparative electrolyte comprising the following components:

소듐 글루코네이트 120 g/LSodium gluconate 120 g / L

코발트(II) 설페이트 7 수화물(CoSO4·7H2O) 100 g/LCobalt (II) sulfate heptahydrate (CoSO 4 .7H 2 O) 100 g / L

주석(II) 설페이트(SnSO4) 50 g/LTin (II) sulfate (SnSO 4 ) 50 g / L

PEG 35000 1mg/LPEG 35000 1 mg / L

비교 전해질의 밀도는 약 1.225 g/㎤였다. 비교 전해질에서 코발트 이온 농도는 약 20.96 g/L이고, 주석 이온 농도는 약 27.64 g/L였다.The density of the comparative electrolyte was about 1.225 g / cm3. The cobalt ion concentration in the comparative electrolyte was about 20.96 g / L and the tin ion concentration was about 27.64 g / L.

상기 실시예 1, 2 및 3은 당업계에 공지된 전해질 조성물에 본 발명의 알칼리성 화합물 또는 알칼리성 토류 화합물의 첨가가 도금 결과에 영향을 미침이 없이 전해질 중의 낮은 도금 금속 농도의 사용을 가능하게 한다는 것을 분명하게 보여준다. 이것은 매우 낮은 농도의 도금 금속을 보유하는 도금 전해질을 가능하게 하며, 이는 지대한 경제적 이점을 제공한다. The above Examples 1, 2 and 3 show that the addition of the alkaline compound or alkaline earth compound of the present invention to the electrolyte composition known in the art enables the use of a low plating metal concentration in the electrolyte without affecting the plating result It shows clearly. This enables a plating electrolyte to hold a very low concentration of plating metal, which provides significant economic benefits.

실시예Example 4 4

다음을 함유하는 니켈 층을 침착시키기 위한 본 발명의 전해질을 제조했다: An electrolyte of the present invention was prepared for depositing a nickel layer containing:

니켈 설페이트 6 수화물(NiSO4·6H2O) 225 g/LNickel sulfate hexahydrate (NiSO 4 .6H 2 O) 225 g / L

니켈 클로라이드 6 수화물(NiCl2·6H2O) 50 g/LNickel chloride hexahydrate (NiCl 2 · 6H 2 O) 50 g / L

붕산 40 g/LBoric acid 40 g / L

마그네슘 설페이트 7 수화물(MgSO4·7H2O) 225 g/LMagnesium sulfate heptahydrate (MgSO 4 .7H 2 O) 225 g / L

소듐 벤조산 설폰이미드 2.6 g/LSodium benzoate sulfonimide 2.6 g / L

폴리에틸렌글리콜-메틸에테르 1.5 mg/L, 및1.5 mg / L of polyethylene glycol-methyl ether, and

theba-2-프로펜-설포네이트 1.8mg/Ltheba-2-propene-sulfonate 1.8 mg / L

이러한 본 발명의 전해질은 밀도가 약 1.303 g/㎤였다. 본 발명의 전해질 중의 니켈 이온 농도는 약 50.21 g/L였다. 마그네슘 이온 농도는 약 22.19 g/L였다. 따라서, 본 발명의 전해질에 존재하는 마그네슘 이온 대 니켈 이온의 중량비는 약 0.4:1 이었다.The electrolyte of the present invention had a density of about 1.303 g / cm 3. The nickel ion concentration in the electrolyte of the present invention was about 50.21 g / L. The magnesium ion concentration was about 22.19 g / L. Thus, the weight ratio of magnesium ion to nickel ion present in the electrolyte of the present invention was about 0.4: 1.

무광택 니켈 층은 55℃의 온도와 5 A/d㎡의 전류 밀도에서 10분 내에 상기 전해질로부터 기재 표면에 침착되었고, 이 층은 동일한 조건 하에 450 g/L 니켈 설페이트 6수화물(NiSO4·6H2O)을 함유하고 마그네슘 설페이트 7수화물(MgSO4·7H2O)은 함유하지 않는 비교 전해질로부터 침착된 층과 동일한 성질을 나타냈다. 비교 전해질의 밀도는 1.326 g/㎤이고 니켈 이온 농도는 약 112.82 g/L였다.A matte nickel layer was deposited on the substrate surface from the electrolyte within a period of 10 minutes at a temperature of 55 캜 and a current density of 5 A / dm 2, which under the same conditions contained 450 g / L nickel sulfate hexahydrate (NiSO 4 .6H 2 O) and did not contain magnesium sulfate heptahydrate (MgSO 4 .7H 2 O). The density of the comparative electrolyte was 1.326 g / cm 3 and the nickel ion concentration was about 112.82 g / L.

실시예Example 5 5

다음 성분들을 함유하는 주석-코발트 합금을 침착시키기 위한 본 발명의 전해질을 제조했다:An electrolyte of the present invention was prepared for depositing a tin-cobalt alloy containing the following components:

소듐 글루코네이트 120 g/LSodium gluconate 120 g / L

코발트(II) 설페이트 7수화물(CoSO4·7H2O) 50 g/LCobalt (II) sulfate heptahydrate (CoSO 4 · 7H 2 O) 50 g / L

주석(II) 설페이트(SnSO4) 25 g/LTin (II) sulfate (SnSO 4 ) 25 g / L

소듐 설페이트 10 수화물(Na2SO4·10H2O) 120 g/LSodium sulfate 10 hydrate (Na 2 SO 4 .10H 2 O) 120 g / L

(Al2(SO4)3·18H2O) 및 (Al 2 (SO 4) 3 · 18H 2 O) and

PEG 35000 1mg/LPEG 35000 1 mg / L

상기 본 발명의 전해질은 밀도가 약 1.235 g/㎤였다. 본 발명의 상기 전해질에서, 코발트 이온 농도는 약 10.48 g/L이고 주석 이온 농도는 약 13.82 g/L였다. 알루미늄 이온 농도는 약 4.86 g/L였다. 따라서, 알루미늄 이온 대 도금 금속 이온(코발트 이온과 주석 이온의 합계)의 중량비는 약 0.2:1이었다.The electrolyte of the present invention had a density of about 1.235 g / cm 3. In the electrolyte of the present invention, the cobalt ion concentration was about 10.48 g / L and the tin ion concentration was about 13.82 g / L. The aluminum ion concentration was about 4.86 g / L. Therefore, the weight ratio of aluminum ion to plated metal ion (total of cobalt ion and tin ion) was about 0.2: 1.

상기 전해질로부터 45℃의 온도와 0.5 A/d㎡의 전류 밀도에서 5분 내에 매우 양호한 무광택 주석-코발트 층이 침착되었다. 전해질의 pH 값은 약 8.4였고, 도금될 기재는 2m/min의 속도로 전해질을 통해 이동시켰다. 상기 전해질로부터 침착된 매우 양호한 무광택 층은 다음 성분을 포함하는 비교 전해질로부터 침착된 층과 동일했다:A very good matte tin-cobalt layer was deposited from the electrolyte within 5 minutes at a temperature of 45 캜 and a current density of 0.5 A / dm 2. The pH value of the electrolyte was about 8.4, and the substrate to be plated was moved through the electrolyte at a rate of 2 m / min. A very good matte layer deposited from the electrolyte was the same as the layer deposited from the comparative electrolyte comprising the following components:

소듐 글루코네이트 120 g/LSodium gluconate 120 g / L

코발트(II) 설페이트 7 수화물(CoSO4·7H2O) 100 g/LCobalt (II) sulfate heptahydrate (CoSO 4 .7H 2 O) 100 g / L

주석(II) 설페이트(SnSO4) 50 g/LTin (II) sulfate (SnSO 4 ) 50 g / L

PEG 35000 1mg/LPEG 35000 1 mg / L

비교 전해질의 밀도는 약 1.225 g/㎤였다. 비교 전해질에서 코발트 이온 농도는 약 20.96 g/L이고, 주석 이온 농도는 약 27.64 g/L였다.The density of the comparative electrolyte was about 1.225 g / cm3. The cobalt ion concentration in the comparative electrolyte was about 20.96 g / L and the tin ion concentration was about 27.64 g / L.

상기 양태들은 당업계에 공지된 전해질 조성물에 본 발명의 밀도 증가 화합물의 첨가가 도금 결과에 영향을 미침이 없이 전해질 중의 도금 금속 농도의 감소를 가능하게 한다는 것을 분명하게 보여준다. 이것은 매우 낮은 농도의 도금 금속을 보유하는 도금 전해질을 가능하게 하며, 이는 지대한 경제적 이점을 제공한다.These embodiments clearly show that the addition of the density increasing compounds of the present invention to the electrolyte compositions known in the art makes it possible to reduce the plating metal concentration in the electrolyte without affecting the plating results. This enables a plating electrolyte to hold a very low concentration of plating metal, which provides significant economic benefits.

본 발명의 구성요소 또는 이의 바람직한 양태(들)을 소개할 때, 단수적 표현 및 "상기"는 구성요소들이 하나 이상 존재한다는 것을 의미하는 것이다. "함유하는", "포함하는" 및 "보유하는"이란 용어는 개방적 표현으로, 열거한 구성요소 외에 다른 추가 구성요소가 있을 수 있음을 의미한다.When introducing elements of the invention or the preferred embodiment (s) thereof, the singular expressions and "above " mean that there are one or more of the elements. The terms "comprising," " including, "and" possessing "are open terms and mean that there may be additional components other than the listed components.

이상의 설명으로부터, 본 발명의 여러 목적들이 달성되고 다른 유리한 결과가 수득된다는 것을 알 수 있을 것이다.From the foregoing, it will be seen that various objects of the invention are achieved and other advantageous results obtained.

상기 조성물과 방법에는 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 다양한 변화가 이루어질 수 있는 바, 상기 상세한 설명에 포함된 모든 구성부재는 예시적인 것으로 해석되고 제한적 의미가 아닌 것으로 이해해야 한다.It should be understood that all of the constituent elements included in the above description are to be construed as illustrative and not restrictive, since various changes may be made in the above compositions and methods without departing from the scope of the present invention.

Claims (36)

기재 표면에 금속 또는 합금의 무광택 층을 침착시키기 위한 전해질 조성물로서,
상기 전해질 조성물은
i) 금속 또는 이의 합금을 침착시키기 위한, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Te, Re, Pt, Au, T1, Bi 및 이의 배합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 침착 금속 이온;
ii) 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및 보론으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 보조 금속 원소의 적어도 하나의 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트; 및
iii) 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환 또는 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드의 유도체, 플루오르화된 습윤제, 과플루오르화된 습윤제, 4차 아민, 및 폴리알킬렌 옥사이드로 치환된 4차 아민으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 하나 이상의 분산 형성제
를 함유하고,
상기 침착 금속 이온의 농도는 10 g/L 내지 80 g/L이며,
상기 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트의 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및/또는 보론 이온은 침착 금속 이온 농도의 10 내지 100 중량% 범위로 존재하는,
전해질 조성물.
An electrolyte composition for depositing a matte layer of a metal or alloy on a surface of a substrate,
The electrolyte composition comprises
i) a metal selected from the group consisting of V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Te, Re, And a combination thereof;
ii) at least one halogenide, sulfate or sulfonate of an auxiliary metal element selected from the group consisting of sodium, potassium, aluminum, magnesium and boron; And
iii) at least one member selected from the group consisting of unsubstituted polyalkylene oxides, substituted polyalkylene oxides, derivatives of substituted or unsubstituted polyalkylene oxides, fluorinated wetting agents, perfluorinated wetting agents, quaternary amines, and polyalkylene oxides At least one dispersing agent selected from the group consisting of substituted quaternary amines
≪ / RTI >
The concentration of the deposited metal ions is 10 g / L to 80 g / L,
Wherein the sodium, potassium, aluminum, magnesium and / or boron ions of the halogenide, sulfate or sulfonate are present in the range of 10 to 100% by weight of the deposited metal ion concentration,
Electrolyte composition.
기재 표면에 금속 또는 합금의 무광택 층을 침착시키기 위한 전해질 조성물로서,
상기 전해질 조성물은
i) 금속 또는 이의 합금을 침착시키기 위한 V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Te, Re, Pt, Au, T1, Bi 및 이의 배합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 침착 금속 이온;
ii) 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및 보론으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 보조 금속 원소의 적어도 하나의 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트;
iii) 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환 또는 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드의 유도체, 플루오르화된 습윤제, 과플루오르화된 습윤제, 4차 아민, 및 폴리알킬렌 옥사이드로 치환된 4차 아민으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 하나 이상의 분산 형성제; 및
iv) 알킬 설페이트, 설포-석신산 및 베타인으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나 이상의 표면 활성 습윤제
를 포함하고,
상기 침착 금속 이온의 농도는 10 g/L 내지 80 g/L이며,
상기 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트의 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및/또는 보론 이온은 침착 금속 이온 농도의 10 내지 100 중량% 범위의 농도로 존재하고,
상기 표면 활성 습윤제는 0.1mol/L 내지 10mol/L의 농도로 존재하는,
전해질 조성물.
An electrolyte composition for depositing a matte layer of a metal or alloy on a surface of a substrate,
The electrolyte composition comprises
(i) at least one element selected from the group consisting of V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Te, Re, Pt, Au, A metal ion selected from the group consisting of combinations thereof;
ii) at least one halogenide, sulfate or sulfonate of an auxiliary metal element selected from the group consisting of sodium, potassium, aluminum, magnesium and boron;
iii) at least one member selected from the group consisting of unsubstituted polyalkylene oxides, substituted polyalkylene oxides, derivatives of substituted or unsubstituted polyalkylene oxides, fluorinated wetting agents, perfluorinated wetting agents, quaternary amines, and polyalkylene oxides At least one dispersing agent selected from the group consisting of substituted quaternary amines; And
iv) at least one surface active wetting agent selected from the group consisting of alkyl sulphate, sulfo-succinic acid and betaine;
Lt; / RTI >
The concentration of the deposited metal ions is 10 g / L to 80 g / L,
The sodium, potassium, aluminum, magnesium and / or boron ions of the halogenide, sulfate or sulfonate are present in a concentration ranging from 10 to 100% by weight of the deposited metal ion concentration,
Wherein the surface active wetting agent is present in a concentration from 0.1 mol / L to 10 mol / L,
Electrolyte composition.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 침착 금속 이온은 Fe, Co, Ni, Cu, Sn, Ag 및 이의 배합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 전해질 조성물.3. The electrolyte composition according to claim 1 or 2, wherein the deposited metal ion is selected from the group consisting of Fe, Co, Ni, Cu, Sn, Ag and combinations thereof. 제1항 또는 제2항에 있어서, 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및 보론으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 원소의 적어도 하나의 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트는 소듐 메탄설포네이트 및 이의 수화물, 포타슘 메탄설포네이트 및 이의 수화물, 마그네슘 메탄설포네이트 및 이의 수화물, 알루미늄 설페이트 및 이의 수화물, 및 보론 테트라플루오라이드로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 하나 이상의 화합물인 전해질 조성물.3. The process according to claim 1 or 2, wherein at least one halogenide, sulfate or sulfonate of an element selected from the group consisting of sodium, potassium, aluminum, magnesium and boron is sodium methanesulfonate and its hydrate, Wherein the electrolyte composition is at least one compound selected from the group consisting of sodium carbonate, magnesium carbonate, magnesium carbonate, magnesium carbonate, magnesium carbonate, magnesium carbonate, magnesium carbonate, magnesium carbonate and magnesium carbonate. 제1항 또는 제2항에 있어서, 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및 보론으로 이루어진 그룹에서 선택되는 원소의 적어도 하나의 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트는 알루미늄 설페이트 및 이의 수화물, 소듐 설페이트 및 이의 수화물, 및 마그네슘 설페이트 및 이의 수화물, 및 이의 임의의 배합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 하나 이상의 화합물인 전해질 조성물. The process according to claim 1 or 2, wherein at least one halogenide, sulfate or sulfonate of an element selected from the group consisting of sodium, potassium, aluminum, magnesium and boron is selected from the group consisting of aluminum sulfate and its hydrates, sodium sulfate and its hydrates , And magnesium sulfate and hydrates thereof, and any combination thereof. 제1항 또는 제2항에 있어서, 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트가 소듐 설페이트 및/또는 마그네슘 설페이트를 포함하는 전해질 조성물.3. The electrolyte composition according to claim 1 or 2, wherein the halogenide, sulfate or sulfonate comprises sodium sulfate and / or magnesium sulfate. 제1항에 있어서, 추가로 적어도 하나의 표면 활성 습윤제를 함유하는 전해질 조성물.The electrolyte composition of claim 1, further comprising at least one surface active wetting agent. 제7항에 있어서, 표면 활성 습윤제는 알킬 설페이트, 설포-석신산 및 베타인으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 전해질 조성물.8. The electrolyte composition of claim 7, wherein the surface active wetting agent is selected from the group consisting of alkyl sulphate, sulfo-succinic acid and betaine. 제8항에 있어서, 표면 활성 습윤제가 0.01 mol/L 내지 100 mol/L 범위의 농도인 전해질 조성물.9. The electrolyte composition of claim 8, wherein the surface active wetting agent has a concentration ranging from 0.01 mol / L to 100 mol / L. 제8항에 있어서, 표면 활성 습윤제가 0.1 mol/L 내지 10 mol/L 범위의 농도인 전해질 조성물.9. The electrolyte composition of claim 8, wherein the surface active wetting agent has a concentration in the range of from 0.1 mol / L to 10 mol / L. 제2항 또는 제8항에 있어서, 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및/또는 보론 이온이 침착 금속 이온 농도의 20 중량% 내지 60 중량% 범위의 농도로 존재하는 전해질 조성물.The electrolyte composition according to claim 2 or 9, wherein sodium, potassium, aluminum, magnesium and / or boron ions are present in a concentration ranging from 20% to 60% by weight of the deposited metal ion concentration. 제1항 또는 제2항에 있어서, 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및/또는 보론이 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및/또는 보론 이온 대 침착 금속 이온의 중량비가 0.2:1 이상이 되게 하는 농도로 존재하는 전해질 조성물.The method of claim 1 or 2, wherein the concentration of sodium, potassium, aluminum, magnesium and / or boron is such that the weight ratio of sodium, potassium, aluminum, magnesium and / ≪ / RTI > 제1항 또는 제2항에 있어서, 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및/또는 보론이 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및/또는 보론 이온 대 침착 금속 이온의 중량비가 0.4:1 이상이 되게 하는 농도로 존재하는 전해질 조성물.3. A process according to claim 1 or 2, wherein the concentration of sodium, potassium, aluminum, magnesium and / or boron is such that the weight ratio of sodium, potassium, aluminum, magnesium and / ≪ / RTI > 제1항 또는 제2항에 있어서, 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및/또는 보론이 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및/또는 보론 이온 대 침착 금속 이온의 중량비가 0.6:1 이상이 되게 하는 농도로 존재하는 전해질 조성물.3. A process according to claim 1 or 2, wherein the concentration of sodium, potassium, aluminum, magnesium and / or boron is such that the weight ratio of sodium, potassium, aluminum, magnesium and / ≪ / RTI > 제1항 또는 제2항에 있어서, 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및/또는 보론이 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및/또는 보론 이온 대 침착 금속 이온의 중량비가 0.8:1 이상이 되게 하는 농도로 존재하는 전해질 조성물.3. The method of claim 1 or 2, wherein the sodium, potassium, aluminum, magnesium and / or boron have a concentration such that the weight ratio of sodium, potassium, aluminum, magnesium and / ≪ / RTI > 제1항 또는 제2항에 있어서, 침착 금속 이온이 니켈 이온을 함유하고,
소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및/또는 보론이 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및/또는 보론 이온 대 니켈 이온의 중량비가 0.4:1 이상이 되게 하는 농도로 존재하는 전해질 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2, wherein the deposited metal ions contain nickel ions,
Wherein the sodium, potassium, aluminum, magnesium and / or boron are present in a concentration such that the weight ratio of sodium, potassium, aluminum, magnesium and / or boron ion to nickel ion is at least 0.4: 1.
제1항 또는 제2항에 있어서, 침착 금속 이온이 코발트 이온 및 주석 이온을 함유하고,
소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및/또는 보론이 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및/또는 보론 이온 대 코발트 이온과 주석 이온 합계의 중량비가 0.4:1 이상이 되게 하는 농도로 존재하는 전해질 조성물.
3. The method of claim 1 or 2, wherein the deposited metal ions contain cobalt ions and tin ions,
Wherein the sodium, potassium, aluminum, magnesium and / or boron are present in a concentration such that the weight ratio of sodium, potassium, aluminum, magnesium and / or boron ions to total cobalt and tin ions is at least 0.4: 1.
제2항에 있어서, 상기 침착 금속 이온은 Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Sn, Ag 및 이의 배합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 전해질 조성물.3. The electrolyte composition of claim 2, wherein the deposited metal ion is selected from the group consisting of Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Sn, Ag and combinations thereof. 제2항 또는 제7항에 있어서,
소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 또는 보론 이온의 농도가 10 g/L 이상이고;
분산 형성제가 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환 또는 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드의 유도체 중에서 선택되며,
상기 분산 형성제의 농도가 0.1mg/L 내지 10g/L이고,
표면 활성 습윤제의 농도가 0.01 mol/L 내지 100 mol/L인 전해질 조성물.
8. The method according to claim 2 or 7,
A concentration of sodium, potassium, aluminum, magnesium or boron ions of 10 g / L or more;
Wherein the dispersing agent is selected from unsubstituted polyalkylene oxides, substituted polyalkylene oxides, and derivatives of substituted or unsubstituted polyalkylene oxides,
Wherein the concentration of the dispersing agent is 0.1 mg / L to 10 g / L,
Wherein the concentration of the surface active wetting agent is from 0.01 mol / L to 100 mol / L.
제2항 또는 제7항에 있어서,
소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 또는 보론 이온의 농도가 10 g/L 이상이고;
분산 형성제는 농도가 0.1mg/L 내지 1g/L이며, 4차 아민 또는 폴리알킬렌 옥사이드로 치환된 4차 아민이고;
표면 활성 습윤제의 농도가 0.01 mol/L 내지 100 mol/L인 전해질 조성물.
8. The method according to claim 2 or 7,
A concentration of sodium, potassium, aluminum, magnesium or boron ions of 10 g / L or more;
The dispersing agent is a quaternary amine having a concentration of 0.1 mg / L to 1 g / L and substituted with a quaternary amine or a polyalkylene oxide;
Wherein the concentration of the surface active wetting agent is from 0.01 mol / L to 100 mol / L.
전해질 조성물에 기재 표면을 노출시키는 단계, 및
상기 기재와 애노드 사이에 전류를 전도하여 기재 표면에 무광택 층을 침착시키는 단계
를 포함하는, 기재 표면에 무광택 층을 침착시키는 방법으로서,
상기 전해질 조성물은
i) V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Te, Re, Pt, Au, T1, Bi 및 이의 배합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 침착 금속 이온;
ⅱ) 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및 보론으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나의 할로게나이드, 설페이트 또는 설포나이트; 및
iii) 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환 또는 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드의 유도체, 플루오르화된 습윤제, 과플루오르화된 습윤제, 4차 아민, 및 폴리알킬렌 옥사이드로 치환된 4차 아민으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 하나 이상의 분산 형성제
를 함유하고,
상기 침착 금속 이온의 농도는 10 g/L 내지 80 g/L이며,
상기 할로게나이드, 설페이트 또는 설포나이트의 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및/또는 보론 이온은 침착 금속 이온 농도의 10 내지 100 중량% 범위의 농도로 존재하는,
기재 표면에 무광택 층을 침착시키는 방법.
Exposing the substrate surface to an electrolyte composition, and
Depositing a matte layer on the substrate surface by conducting a current between the substrate and the anode
A method for depositing a matte layer on a surface of a substrate,
The electrolyte composition comprises
i) a group consisting of a combination of V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Te, Re, Pt, Au, Selected deposition metal ions;
Ii) at least one halogenide, sulfate or sulphonate selected from the group consisting of sodium, potassium, aluminum, magnesium and boron; And
iii) at least one member selected from the group consisting of unsubstituted polyalkylene oxides, substituted polyalkylene oxides, derivatives of substituted or unsubstituted polyalkylene oxides, fluorinated wetting agents, perfluorinated wetting agents, quaternary amines, and polyalkylene oxides At least one dispersing agent selected from the group consisting of substituted quaternary amines
≪ / RTI >
The concentration of the deposited metal ions is 10 g / L to 80 g / L,
Wherein the sodium, potassium, aluminum, magnesium and / or boron ions of the halogenide, sulfate or sulphonate are present in a concentration ranging from 10 to 100% by weight of the deposited metal ion concentration,
A method for depositing a matte layer on a surface of a substrate.
제1항, 제2항, 제7항, 제8항, 제9항, 제10항 및 제18항 중 어느 한 항에 따른 전해질 조성물에 기재의 표면을 노출시키는 단계; 및
상기 기재와 애노드 사이에 전류를 전도하여 기재 표면에 무광택 층을 침착시키는 단계
를 포함하는, 기재 표면에 무광택 층을 침착시키는 방법.
Exposing the surface of the substrate to the electrolyte composition according to any one of claims 1, 2, 7, 8, 9, 10 and 18; And
Depositing a matte layer on the substrate surface by conducting a current between the substrate and the anode
And depositing a matte layer on the surface of the substrate.
제21항에 있어서, 침착 금속 이온의 농도는 10 g/L 내지 80 g/L인 방법.22. The method of claim 21, wherein the concentration of the deposited metal ions is from 10 g / L to 80 g / L. 기재 표면을, 제1항에 따른 전해질 조성물로서, 10 g/L 이상의 니켈 이온, 및 소듐, 포타슘, 마그네슘, 알루미늄, 보론 및 이의 배합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 보조 금속 이온을 함유하되, 보조 금속 이온 대 니켈 금속 이온의 중량비가 0.8:1 이상인 전해질 조성물에 노출시키는 단계; 및
상기 기재와 애노드 사이에 전류를 전도하여 기재 표면에 무광택 니켈 층을 침착시키는 단계
를 포함하는, 기재 표면에 무광택 층을 침착시키는 방법.
An electrolyte composition according to claim 1, wherein the substrate surface comprises an auxiliary metal ion selected from the group consisting of nickel ions of 10 g / L or more and sodium, potassium, magnesium, aluminum, boron and combinations thereof, To an electrolyte composition wherein the weight ratio of the nickel metal ion is greater than 0.8: 1; And
Conducting a current between the substrate and the anode to deposit a matte nickel layer on the substrate surface
And depositing a matte layer on the surface of the substrate.
제24항에 있어서, 보조 금속 이온 대 니켈 이온의 중량비가 1:1 이상인 방법.25. The method of claim 24, wherein the weight ratio of the auxiliary metal ion to the nickel ion is 1: 1 or greater. 제24항에 있어서, 보조 금속 이온 대 니켈 이온의 중량비가 1.2:1 이상인 방법.25. The method of claim 24, wherein the weight ratio of the auxiliary metal ion to the nickel ion is 1.2: 1 or greater. 기재 표면을, 제1항의 전해질 조성물로서, 40 g/L 이상 니켈 이온, 및 소듐, 포타슘, 마그네슘, 알루미늄, 보론 및 이의 배합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 보조 금속 이온을 함유하되, 보조 금속 이온 대 니켈 금속 이온의 중량비가 0.2:1 이상인 전해질 니켈 도금 조성물에 노출시키는 단계; 및
상기 기재와 애노드 사이에 전류를 전도하여 기재 표면에 무광택 니켈 층을 침착시키는 단계
를 포함하는, 기재 표면에 무광택 니켈 층을 침착시키는 방법.
The surface of the substrate contains an auxiliary metal ion selected from the group consisting of nickel ions of 40 g / L or more and sodium, potassium, magnesium, aluminum, boron and combinations thereof as the electrolyte composition of claim 1, To an electrolyte nickel plating composition wherein the weight ratio of metal ions is at least 0.2: 1; And
Conducting a current between the substrate and the anode to deposit a matte nickel layer on the substrate surface
And depositing a matte nickel layer on the surface of the substrate.
제27항에 있어서, 보조 금속 이온 대 니켈 이온의 중량비가 0.4:1 이상인 방법.28. The process of claim 27, wherein the weight ratio of the auxiliary metal ion to the nickel ion is at least 0.4: 1. 제28항에 있어서, 보조 금속 이온 대 니켈 이온의 중량비가 0.6:1 이상인 방법.29. The method of claim 28, wherein the weight ratio of auxiliary metal ion to nickel ion is greater than or equal to 0.6: 1. 기재 표면을, 제1항의 전해질 조성물로서, 10 g/L 이상의 코발트 이온, 10 g/L 이상의 주석 이온, 및 소듐, 포타슘, 마그네슘, 알루미늄, 보론 및 이의 배합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 보조 금속 이온을 함유하되, 보조 금속 이온 대 코발트 금속 이온과 주석 금속 이온의 합계의 중량비가 0.2:1 이상인 전해질 코발트-주석 합금 도금 조성물에 노출시키는 단계; 및
상기 기재와 애노드 사이에 전류를 전도하여 기재 표면에 무광택 코발트-주석 합금 층을 침착시키는 단계
를 포함하는, 기재 표면에 무광택 코발트-주석 합금 층을 침착시키는 방법.
The substrate surface is formed by the steps of: adding an auxiliary metal ion selected from the group consisting of cobalt ions of 10 g / L or more, tin ions of 10 g / L or more and sodium, potassium, magnesium, aluminum, boron, To an electrolyte cobalt-tin alloy plating composition wherein the total weight ratio of auxiliary metal ion to cobalt metal ion to tin metal ion is at least 0.2: 1; And
Depositing a matte cobalt-tin alloy layer on the substrate surface by conducting a current between the substrate and the anode
And depositing a matte cobalt-tin alloy layer on the surface of the substrate.
제30항에 있어서, 보조 금속 이온 대 코발트 금속 이온과 주석 금속 이온의 합계의 중량비가 0.4:1 이상인 방법.31. The method of claim 30, wherein the total weight ratio of auxiliary metal ions to cobalt metal ions and tin metal ions is at least 0.4: 1. 제30항에 있어서, 보조 금속 이온 대 코발트 금속 이온과 주석 금속 이온의 합계의 중량비가 0.6:1 이상인 방법.31. The method of claim 30, wherein the total weight ratio of auxiliary metal ions to cobalt metal ions and tin metal ions is at least 0.6: 1. 제1항에 있어서, 전해질 조성물은
i) 물;
ii) 니켈 침착 금속 이온;
iii) 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및 보론으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 보조 금속의 적어도 하나의 불활성 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트; 및
iv) 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환 또는 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드의 유도체, 플루오르화된 습윤제, 과플루오르화된 습윤제, 4차 아민, 및 폴리알킬렌 옥사이드로 치환된 4차 아민으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 하나 이상의 분산 형성제
를 함유하고,
상기 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트의 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및/또는 보론 이온은 침착 금속 이온 농도의 10 내지 100 중량% 범위로 존재하는,
전해질 조성물.
The electrolyte composition according to claim 1, wherein the electrolyte composition comprises
i) water;
ii) nickel-deposited metal ions;
iii) at least one inert halogenide, sulfate or sulfonate of an auxiliary metal selected from the group consisting of sodium, potassium, aluminum, magnesium and boron; And
iv) at least one member selected from the group consisting of unsubstituted polyalkylene oxides, substituted polyalkylene oxides, derivatives of substituted or unsubstituted polyalkylene oxides, fluorinated wetting agents, perfluorinated wetting agents, quaternary amines, and polyalkylene oxides At least one dispersing agent selected from the group consisting of substituted quaternary amines
≪ / RTI >
Wherein the sodium, potassium, aluminum, magnesium and / or boron ions of the halogenide, sulfate or sulfonate are present in the range of 10 to 100% by weight of the deposited metal ion concentration,
Electrolyte composition.
제1항에 있어서, 전해질 조성물은
니켈 침착 금속 이온;
적어도 하나의 마그네슘 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트; 및
비치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환 또는 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드의 유도체, 플루오르화된 습윤제, 과플루오르화된 습윤제, 4차 아민, 및 폴리알킬렌 옥사이드로 치환된 4차 아민으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 하나 이상의 분산 형성제
를 함유하고,
상기 마그네슘 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트의 마그네슘 이온은 침착 금속 이온 농도의 10 내지 100 중량% 범위로 존재하는,
전해질 조성물.
The electrolyte composition according to claim 1, wherein the electrolyte composition comprises
Nickel-deposited metal ions;
At least one magnesium halogenide, sulfate or sulfonate; And
Substituted polyalkylene oxides, derivatives of substituted or unsubstituted polyalkylene oxides, fluorinated wetting agents, perfluorinated wetting agents, quaternary amines, and polyalkylene oxides. At least one dispersing agent selected from the group consisting of quaternary amines
≪ / RTI >
Wherein the magnesium ion of the magnesium halogenide, sulfate or sulfonate is present in the range of 10 to 100% by weight of the concentration of the deposited metal ion.
Electrolyte composition.
기재 표면을 전해질 도금 조성물에 노출시키는 단계; 및
상기 기재와 애노드 사이에 전류를 전도하여 기재 표면에 무광택 니켈 층을 침착시키는 단계
를 포함하는, 기재 표면에 무광택 니켈 층을 침착하는 방법으로서,
상기 전해질 조성물은
i) 침착 금속 이온;
ii) 소듐, 포타슘, 알루미늄, 마그네슘 및 보론으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 보조 금속의 적어도 하나의 불활성 할로게나이드, 설페이트 또는 설포네이트; 및
iii) 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환된 폴리알킬렌 옥사이드, 치환 또는 비치환된 폴리알킬렌 옥사이드의 유도체, 플루오르화된 습윤제, 과플루오르화된 습윤제, 4차 아민, 및 폴리알킬렌 옥사이드로 치환된 4차 아민으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 하나 이상의 분산 형성제
를 함유하고,
상기 침착 금속 이온의 농도는 10 g/L 내지 80 g/L이며,
상기 무광택 층은 보조 금속을 1 원자% 이하로 함유하고,
전해질 조성물 내의 침착 금속 이온은 니켈 침착 이온으로 이루어지는,
기재 표면에 무광택 니켈 층을 침착하는 방법.
Exposing the substrate surface to an electrolyte plating composition; And
Conducting a current between the substrate and the anode to deposit a matte nickel layer on the substrate surface
A method for depositing a matte nickel layer on a surface of a substrate,
The electrolyte composition comprises
i) a deposited metal ion;
ii) at least one inert halogenide, sulfate or sulfonate of an auxiliary metal selected from the group consisting of sodium, potassium, aluminum, magnesium and boron; And
iii) at least one member selected from the group consisting of unsubstituted polyalkylene oxides, substituted polyalkylene oxides, derivatives of substituted or unsubstituted polyalkylene oxides, fluorinated wetting agents, perfluorinated wetting agents, quaternary amines, and polyalkylene oxides At least one dispersing agent selected from the group consisting of substituted quaternary amines
≪ / RTI >
The concentration of the deposited metal ions is 10 g / L to 80 g / L,
Wherein the matte layer contains at most 1 atomic percent of an auxiliary metal,
Wherein the deposition metal ion in the electrolyte composition comprises nickel < RTI ID = 0.0 >
A method for depositing a matte nickel layer on a surface of a substrate.
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