KR101663753B1 - Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium - Google Patents

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Abstract

횡방향으로 일렬로 배치된 기판 보지부를 구비한 복수의 액처리부와, 이들 액처리부에 대하여 공용화된 처리액 노즐을 구비한 액처리 장치에서, 상기 처리액 노즐로부터 기판으로의 처리액의 낙하를 억제하여 수율의 저하를 방지하는 것이다. 각 처리액 노즐에 접속된 플렉서블한 처리액 통류 부재와, 상기 처리액 통류 부재의 하류측이 상기 지지체 구동 기구의 이동에 따라 이동하고, 그 상류측이 상기 지지체 구동 기구의 이동에 따라 이동하지 않도록 상기 액처리부에 대하여 그 위치를 고정시키는 고정부와, 상기 처리액 통류 부재에 상기 고정부보다 상류측에 설치되며, 당해 처리액 통류 부재의 진동을 검출하기 위한 진동 센서와, 진동 센서로부터의 검출 신호에 기초하여 처리액 노즐로부터의 액 맺힘 및 처리액의 적하에 대한 대처 동작을 행하는 대처 수단을 구비하도록 장치를 구성한다.A liquid processing apparatus comprising a plurality of liquid processing units each having a substrate holding unit arranged in a row in a horizontal direction and having a process liquid nozzle shared with the liquid process units to suppress drop of the process liquid from the process liquid nozzle to the substrate Thereby preventing a decrease in the yield. Wherein the downstream side of the treatment liquid flow passage member moves in accordance with the movement of the support body drive mechanism and the upstream side thereof does not move in accordance with the movement of the support body drive mechanism A vibration sensor for detecting the vibration of the treatment liquid flow-through member, the vibration sensor being provided on the treatment liquid flow-through member upstream of the fixing portion, for detecting the vibration from the vibration sensor, And a coping means for performing a coping operation for dropletization from the process liquid nozzle and dropping of the process liquid based on the signal.

Figure R1020100060172
Figure R1020100060172

Description

액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체{LIQUID PROCESSING APPARATUS, LIQUID PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a liquid processing apparatus, a liquid processing method,

본 발명은 기판으로 처리액을 공급하여 액처리를 행하는 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid processing apparatus, a liquid processing method, and a storage medium for supplying a processing liquid to a substrate to perform liquid processing.

반도체 제조 공정 중 하나인 포토레지스트 공정에서는 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광시킨 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 이러한 처리는 일반적으로 레지스트의 도포, 현상을 행하는 도포 현상 장치에 노광 장치를 접속시킨 시스템을 이용하여 행해진다.In a photoresist process, which is one of semiconductor manufacturing processes, a resist is applied to the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), and the resist is exposed in a predetermined pattern and then developed to form a resist pattern. Such a treatment is generally carried out using a system in which an exposure apparatus is connected to a coating and developing apparatus for applying and developing a resist.

이 도포 현상 장치에는 웨이퍼로 처리액을 공급하여 액처리를 행하는 각종 액처리 모듈이 설치되어 있다. 이 액처리 모듈로는 웨이퍼에, 예를 들면 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 모듈(레지스트 도포 장치)이 있다. 레지스트 도포 모듈은 웨이퍼를 보지(保持)하는 스핀 척과, 이 스핀 척에 보지된 웨이퍼를 둘러싸도록 설치된 배액 수단 및 배기 수단을 구비한 컵으로 이루어지는 도포 처리부를 구비한다. 또한, 레지스트 도포 모듈은 웨이퍼로 레지스트를 토출하기 위한 레지스트 토출 노즐과, 상기 레지스트 공급 전에 웨이퍼로 처리액, 예를 들면 시너를 토출하여 상기 레지스트의 습윤성을 향상시키기 위한 시너 토출 노즐을 구비하고 있다. 이들 레지스트 토출 노즐 및 시너 토출 노즐은 이들을 지지하는 암(arm)에 장착되어, 상기 컵 상과 각 노즐을 대기시키기 위하여 컵의 외측에 설치된 노즐 배스(nozzle bath)와의 사이를 이동한다.This coating and developing apparatus is provided with various liquid processing modules for supplying the processing liquid to the wafer and performing liquid processing. As this liquid processing module, there is a resist coating module (resist coating device) for applying a resist, for example, to a wafer. The resist coating module includes a coating unit including a spin chuck for holding a wafer, a cup provided with a drain means and an exhaust means provided so as to surround the wafer held by the spin chuck. The resist coating module includes a resist discharge nozzle for discharging a resist to a wafer and a thinner discharge nozzle for discharging a treatment liquid such as a thinner to the wafer before the resist is supplied to improve the wettability of the resist. The resist ejection nozzles and the thinner ejection nozzles are mounted on an arm supporting them, and move between the cup phase and a nozzle bath provided outside the cup for waiting the respective nozzles.

그런데, 근래에는 다품종 소량 생산의 요청에 따라 농도 또는 성분이 상이한 복수 종류의 레지스트를 구분하여 사용하는 경우가 있다. 레지스트를 이처럼 구분하여 사용하기 위하여, 서로 상이한 종류의 레지스트를 각각 공급하기 위한 복수의 라인에 각각 접속된 복수의 레지스트 토출 노즐을 상기 암이 처리를 전환할 때마다 바꾸는 것을 고려할 수 있다. 그러나, 장치 구성을 간소화할 목적에서 이들 복수의 레지스트 토출 노즐과 시너 토출 노즐을 하나로 합친 집합 노즐을 하나의 암에 장착하여 구동시키는 구조로 하는 경우가 있다. 각 노즐에는 각종 약액 공급원에 접속된 가요성(可撓性)을 가지는 배관의 일단(一端)이 각각 접속되어, 암의 구동에 맞추어 각 배관이 이동하게 된다.However, in recent years, a plurality of types of resists having different concentrations or components may be separately used in accordance with a request for small quantity production of various kinds. In order to separately use the resist in this way, it is conceivable to change a plurality of resist ejection nozzles each connected to a plurality of lines for supplying different types of resists, each time the arm switches processing. However, in order to simplify the structure of the apparatus, there is a case where a plurality of resist ejection nozzles and a collecting nozzle combining the thinner ejection nozzles are mounted on one arm and driven. Each nozzle is connected to one end of a flexible pipe connected to various chemical solution sources, and each pipe is moved in accordance with the driving of the arm.

또한, 장치 구성을 간소화하기 위하여 단일 레지스트 도포 모듈 내에서는, 예를 들면 상기 컵을 구비한 도포 처리부가 가로로 나란히 복수 개 설치되는 경우가 있다. 이 경우, 이들 각 도포 처리부와 노즐 배스는, 예를 들면 직선 상에 배설(配設)되고, 각 도포 처리부에 대하여 공통화된 상기 암이 노즐 배스와 컵 간을 이동하면서 레지스트 도포 처리를 행한다. 스루풋 향상을 위하여 상기 암이 이동 개시점으로부터 종료점까지를 최단 거리로 이동하는 것이 요구되므로, 도포 처리부 및 노즐 배스의 배열 방향과 평행하게 직선 형상으로 이동한다. 따라서, 이와 같이 구성된 레지스트 도포 모듈에서는 그 구조상 각 노즐이 컵 상을 횡단하게 된다. 그리고, 각 노즐을 웨이퍼 상으로 이동시킨 후에 즉시 레지스트 및 시너의 토출을 개시하기 위하여, 노즐의 선단 근처까지 이들 액이 채워진다.Further, in order to simplify the structure of the apparatus, for example, in a single resist application module, there may be a case where a plurality of application processing sections including the cups are provided side by side in a row. In this case, these coating units and the nozzle busses are arranged (arranged) on a straight line, for example, and the arm common to the respective coating units moves the resist bath between the nozzle buss and the cup. It is required to move the arm from the moving start point to the end point for the shortest distance in order to improve the throughput, so that the arm moves linearly in parallel with the arrangement direction of the coating processing unit and the nozzle bush. Therefore, in the resist coating module thus constructed, each nozzle traverses the cup. These liquids are filled to the vicinity of the tip of the nozzle so as to immediately start ejection of the resist and thinner after each nozzle is moved onto the wafer.

그러나, 상기와 같이 구성된 장치에서는 암이 구동할 때의 진동 또는 굴곡에 의한 배관의 내압 변동에 의해 당해 배관이 진동하는 경우가 있어, 이 배관의 진동이 상기와 같이 각 액이 채워진 집합 노즐 선단에 전해지면 각 노즐의 선단으로부터 액 맺힘 나아가서는 액적(液適) 낙하가 발생할 우려가 있다. 집합 노즐이 컵 상을 횡단할 때에 스핀 척 또는 처리 전 또는 처리 완료 웨이퍼 상에 이처럼 액적이 낙하되면, 스핀 척의 오염에 의해 파티클이 발생하거나 제품 웨이퍼의 도포 불량을 일으켜 수율이 저하될 우려가 있다. 특허 문헌 1의 장치는 상기의 집합 노즐 및 복수의 도포 처리부를 구비하고 있으나, 상기의 문제를 해결하는 수단에 대해서는 기재하고 있지 않다.However, in the apparatus configured as described above, the pipe may vibrate due to the fluctuation of the internal pressure of the pipe due to the vibration or bending when the arm is driven, and vibration of the pipe may be generated at the tip of the collective nozzle There is a possibility that a liquid will be formed from the tips of the respective nozzles and droplets may drop. If the droplet is dropped on the spin chuck, the treated wafer, or the treated wafer when the collecting nozzle traverses the cup, contamination of the spin chuck may cause particle generation or poor application of the product wafer, resulting in reduced yield. The apparatus of Patent Document 1 includes the above-described collecting nozzle and a plurality of coating processing units, but does not describe the means for solving the above problems.

일본특허공개공보 2008-103374호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-103374

본 발명은 이러한 사정 하에 이루어진 것이며, 그 목적은 횡방향으로 일렬로 배치된 기판 보지부를 구비한 복수의 액처리부와, 이들 액처리부에 대해서 공용화되어 액처리부의 배열 방향을 따라 설치된 복수의 처리액 노즐을 구비한 액처리 장치에서, 상기 처리액 노즐로부터 기판 및 기판 보지부로의 처리액의 낙하를 억제하여 수율의 저하를 방지할 수 있는 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been accomplished under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid processing apparatus including a plurality of liquid processing units each having a substrate holding unit arranged in a row in a transverse direction and a plurality of process liquid nozzles A liquid processing method and a storage medium capable of preventing drop of the processing liquid from the processing liquid nozzle to the substrate and the substrate holding section and preventing a decrease in the yield, in the liquid processing apparatus provided with the liquid processing apparatus.

본 발명의 액처리 장치는, 상측에 개구부가 형성된 컵 내에 기판을 수평하게 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성된 액처리부와, 상기 기판 보지부에 보지된 기판으로 처리액을 공급하기 위하여 지지체에 설치된 처리액 노즐과, 상기 처리액 노즐을 대기시키기 위하여 설치된 노즐 배스와, 상기 액처리부의 상방 영역과 상기 노즐 배스와의 사이에서 상기 지지체를 개재하여 각 처리액 노즐을 이동시키기 위한 지지체 구동 기구와, 처리액 노즐로 처리액을 공급하기 위한 플렉서블한 처리액 통류 부재와, 상기 처리액 통류 부재를 그 하류측이 상기 지지체 구동 기구의 이동에 따라 이동하고, 그 상류측이 상기 지지체 구동 기구의 이동에 따라 이동하지 않도록 상기 액처리부에 대하여 그 위치를 고정시키는 고정부와, 상기 처리액 통류 부재에 상기 고정부보다 상류측에 설치되며, 상기 처리액 통류 부재의 진동을 검출하여 상기 진동에 따라 검출 신호를 출력하는 진동 센서와, 상기 진동 센서로부터의 검출 신호에 기초하여 처리액 노즐로부터의 처리액의 액 맺힘 및 적하에 대한 대처 동작을 행하는 대처 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.A liquid processing apparatus according to the present invention includes: a liquid processing section configured by providing a substrate holding section for holding a substrate horizontally in a cup having an opening formed on an upper side thereof; and a processing section provided in a support for supplying the processing liquid to the substrate held in the substrate holding section A support body driving mechanism for moving each of the processing liquid nozzles through the support body between the nozzle body and the upper region of the liquid processing unit; Wherein the downstream side of the treatment liquid flow passage member moves in accordance with the movement of the support body drive mechanism and the upstream side of the treatment liquid flow passage member moves in accordance with the movement of the support body drive mechanism A fixing part for fixing the position of the liquid processing part to the liquid processing part so as not to move, A vibration sensor which is provided on the upstream side of the processing liquid flow member and detects a vibration of the processing liquid flow passage member and outputs a detection signal in accordance with the vibration; And coping means for performing a coping action against dropping.

상기 액처리부는, 복수 개 설치되고, 서로 횡방향으로 일렬로 배치되어도 좋고, 상기 처리액 노즐은, 상기 복수의 액처리부에 대하여 공용화되어도 좋다. 상기 진동 센서는, 예를 들면 바닥으로부터 떠 있도록 설치된 처리액 통류 부재의 진동을 검출하고, 상기 처리액 노즐은 상기 액처리부의 배열 방향을 따라 복수 설치되어 각 처리액 노즐에 상기 처리액 통류 부재가 접속되어 있고 복수의 처리액 통류 부재를 둘러싸는 외측 관이 설치되며, 상기 진동 센서는 상기 외측 관에 설치되어 있어도 좋다. 상기 대처 수단은, 예를 들면 미리 설정된 진동량보다 큰 진동이 검출되었을 때에 알람을 출력하는 알람 발생 수단을 구비하고 있으며, 상기 대처 수단은 미리 설정된 진동량보다 큰 진동이 검출되었을 때에 지지체 구동 기구의 이동 및 액공급 수단에 의한 처리액 노즐로부터의 처리액의 토출 중 적어도 일방을 정지시키는 정지 수단을 구비하고 있어도 좋고, 상기 대처 수단은, 각 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 촬상 수단과, 미리 설정된 진동량보다 큰 진동이 검출되었을 때에만 상기 촬상 수단에 의한 촬상에 기초하여 어느 처리액 노즐에 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했는지를 판단하는 판단 수단을 구비하고 있어도 좋다. 이 경우, 예를 들면 상기 처리액 노즐마다 상기 판단 수단에 의해 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판단된 시각을 기억하는 기억 수단과, 이 기억된 시각에 기초하여 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생하는 주기를 연산하는 연산 수단을 구비하고 있어도 좋다.The plurality of liquid processing units may be arranged in a row in the transverse direction, and the processing liquid nozzle may be shared with the plurality of liquid processing units. The vibration sensor detects vibrations of the processing liquid flow-through member, for example, disposed so as to float from the floor. A plurality of the processing liquid nozzles are provided along the arrangement direction of the liquid processing sections, and the processing liquid flow- An outer tube connected to the processing liquid circulation member and surrounding the plurality of processing liquid flow-through members is provided, and the vibration sensor may be provided in the outer tube. The coping means is provided with an alarm generating means for outputting an alarm when, for example, a vibration larger than a predetermined vibration amount is detected, And stop means for stopping at least one of ejection of the process liquid from the process liquid nozzle by the movement and liquid supply means. The coping means may comprise imaging means for picking up the tip of each process liquid nozzle, And a determination means for determining, based on the image pick-up by the image pickup means, only when a vibration larger than the vibration amount is detected, in which process liquid nozzle the liquid is deposited or dropped. In this case, for example, a storage means for storing the time at which the determination means determines that the liquid is deposited or dropped by the processing liquid nozzles, and a storage means for storing liquid drops or drops And an arithmetic means for calculating a period in which the signal is generated.

본 발명의 액처리 방법은, 상측에 개구부가 형성된 컵 내에 기판을 수평하게 보지하는 기판 보지부를 구비하고 지지체에 설치된 처리액 노즐로부터 기판으로 처리액을 공급하는 공정과, 노즐 배스에 처리액 노즐을 대기시키는 공정과, 지지체 구동 기구에 의해 상기 액처리부의 상방 영역과 상기 노즐 배스와의 사이에서 상기 지지체를 개재하여 처리액 노즐을 액처리부의 열을 따라 이동시키는 공정과, 플렉서블한 처리액 통류 부재를 개재하여 각 처리액 노즐로 각각 처리액을 공급하는 공정과, 상기 처리액 통류 부재에 상기 고정부보다 상류측에 설치된 진동 센서에 의해 상기 처리액 통류 부재의 진동을 검출하여 상기 진동에 따라 검출 신호를 출력하는 공정과, 상기 검출 신호에 기초하여 대처 수단에 의해 처리액 노즐로부터의 처리액의 액 맺힘 및 적하에 대한 대처 동작을 행하는 공정을 구비하되, 상기 처리액 통류 부재는 그 하류측이 상기 지지체 구동 기구의 이동에 따라 이동하고, 그 상류측이 상기 지지체 구동 기구의 이동에 따라 이동하지 않도록 상기 액처리부에 대하여 그 위치가 고정되어 있는 것을 특징으로 한다.A liquid processing method of the present invention includes a step of supplying a processing liquid to a substrate from a processing liquid nozzle provided on a supporting body provided with a substrate holding portion for horizontally holding a substrate in a cup having an opening on the upper side, A step of moving the treatment liquid nozzle along the column of the liquid treatment section via the support body between the region above the liquid treatment section and the nozzle bath by the support body drive mechanism, And a vibration sensor provided on the upstream side of the fixing portion of the treatment liquid flow passage member to detect the vibration of the treatment liquid flow passage member and detect the vibration of the treatment liquid flow passage member in accordance with the vibration Outputting a signal from the process liquid nozzle by the coping means based on the detection signal; Wherein the downstream side of the treatment liquid flow passage member moves in accordance with the movement of the support body drive mechanism and the upstream side of the treatment liquid flow passage member moves in accordance with the movement of the support body drive mechanism, And its position is fixed with respect to the processing section.

상기 대처 동작을 행하는 공정은 미리 설정된 진동량보다 큰 진동이 검출되었을 때에 알람을 출력하는 공정을 포함하고 있어도 좋고, 상기 대처 동작을 행하는 공정은 미리 설정된 진동량보다 큰 진동이 검출되었을 때에 지지체 구동 기구의 이동 및 액공급 수단에 의한 처리액 노즐로부터의 처리액의 토출 중 적어도 일방을 정지시키는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 또한, 상기 대처 동작을 행하는 공정은, 촬상 수단에 의해 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 공정과, 상기 촬상 수단에 의한 촬상 결과에 기초하여 어느 처리액 노즐에 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했는지를 판단 수단에 의해 판단하는 공정과, 상기 검출 신호의 출력에 기초하여 판단 수단에 의한 판단이 행해지는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 기억 수단에 의해 상기 처리액 노즐마다 상기 판단 수단에 의해 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판단된 시각을 기억하는 공정과, 연산 수단에 의해 이 기억된 시각에 기초하여 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생하는 주기를 연산하는 공정을 구비하고 있어도 좋다.The step of performing the coping action may include a step of outputting an alarm when a vibration larger than a predetermined vibration amount is detected, and the step of performing the coping action may include a step of, when a vibration larger than a predetermined vibration amount is detected, And discharging the process liquid from the process liquid nozzle by the liquid supply means. The step of carrying out the coping operation may include a step of picking up the tip end of the processing liquid nozzle by the imaging means and a step of determining whether or not the processing liquid is caused to flow into the processing liquid nozzle based on the imaging result of the imaging means, And a step of judging by the judging means based on the output of the detection signal. In this case, it is preferable that the step of storing, by the storing means, the time at which it is determined by the determination means that the liquid is deposited or dropped by the processing liquid nozzle, And a step of calculating a cycle in which the liquid is formed or the dropping occurs.

또한, 본 발명의 기억 매체는 기판에 대한 액처리를 행하는 액처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체로서, 상기 컴퓨터 프로그램은 상술한 액처리 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 한다.The storage medium of the present invention is a storage medium storing a computer program used in a liquid processing apparatus for performing liquid processing on a substrate, wherein the computer program is for carrying out the liquid processing method described above.

본 발명의 액처리 장치는, 각 처리액 노즐에 접속된 플렉서블한 처리액 통류 부재와, 상기 처리액 통류 부재의 하류측이 상기 지지체 구동 기구의 이동에 따라 이동하고, 그 상류측이 상기 지지체 구동 기구의 이동에 따라 이동하지 않도록 액처리부에 대하여 그 위치를 고정시키는 고정부와, 상기 처리액 통류 부재에 상기 고정부보다 상류측에 설치되며, 당해 처리액 통류 부재의 진동을 검출하여 이 진동에 따라 검출 신호를 출력하는 진동 센서와, 상기 진동 센서로부터의 검출 신호에 기초하여 처리액 노즐로부터의 액 맺힘 및 처리액의 적하에 대한 대처 동작을 행하는 대처 수단을 구비한다. 따라서, 상기 처리액 노즐로부터 기판 및 기판 보지부로의 처리액의 적하를 방지할 수 있으므로, 수율의 저하를 억제할 수 있다.The liquid processing apparatus of the present invention is a liquid processing apparatus comprising: a flexible processing liquid flow passage member connected to each processing liquid nozzle; and a processing liquid flow control member that moves the downstream side of the processing liquid flow passage member in accordance with the movement of the support body drive mechanism, A fixing part for fixing the position of the liquid processing part to the liquid processing part so as not to move according to the movement of the mechanism; And a coping means for performing a coping operation for dropping the liquid from the process liquid nozzle and dropping the process liquid based on the detection signal from the vibration sensor. Therefore, dropping of the processing liquid from the processing liquid nozzle to the substrate and the substrate holding portion can be prevented, and the lowering of the yield can be suppressed.

도 1은 본 발명에 따른 레지스트 도포 장치의 사시도이다.
도 2는 상기 레지스트 도포 장치의 평면도이다.
도 3은 상기 레지스트 도포 장치의 도포 처리부의 구성도이다.
도 4는 상기 레지스트 도포 장치의 레지스트 공급부의 암의 이면측의 사시도이다.
도 5는 상기 레지스트 공급부의 배관의 평면도이다.
도 6은 상기 배관의 측면도이다.
도 7은 상기 배관의 단면도이다.
도 8a 및 도 8b는 상기 레지스트 공급부가 이동하는 모습을 도시한 설명도이다.
도 9는 상기 암의 집합 노즐에서 액 맺힘이 발생한 상태를 도시한 설명도이다.
도 10a 및 도 10b는 레지스트가 웨이퍼에 도포되는 공정을 도시한 공정도이다.
도 11은 상기 레지스트 도포 장치의 제어부의 구성도이다.
도 12는 각 출력 신호의 파형의 일례를 나타낸 그래프이다.
도 13은 제어부의 처리 공정을 나타낸 순서도이다.
도 14는 노즐 배스로 약액이 토출되는 모습을 도시한 설명도이다.
도 15는 다른 제어부의 구성도이다.
도 16은 상기 제어부의 처리 공정을 나타낸 순서도이다.
도 17은 상기 레지스트 도포 장치를 구비한 도포 현상 장치의 평면도이다.
도 18은 상기 도포 현상 장치의 사시도이다.
도 19는 상기 도포 현상 장치의 종단 평면도이다.
도 20은 다른 위치에 장착한 진동 센서로부터의 출력을 나타낸 그래프이다.1 is a perspective view of a resist coating apparatus according to the present invention.
2 is a plan view of the resist coating apparatus.
3 is a configuration diagram of the coating unit of the resist coating apparatus.
4 is a perspective view of the back side of the arm of the resist supply unit of the resist coating apparatus.
5 is a plan view of the piping of the resist supply unit.
6 is a side view of the pipe.
7 is a sectional view of the pipe.
8A and 8B are explanatory diagrams showing a state in which the resist supply unit moves.
Fig. 9 is an explanatory view showing a state in which liquid condensation occurs in the collecting nozzle of the arm. Fig.
10A and 10B are process drawings showing a process in which a resist is applied to a wafer.
11 is a configuration diagram of a control section of the resist coating device.
12 is a graph showing an example of the waveform of each output signal.
13 is a flowchart showing the process of the control unit.
14 is an explanatory view showing a state in which the chemical liquid is discharged into the nozzle bath.
15 is a configuration diagram of another control section.
16 is a flowchart showing a process of the control unit.
17 is a plan view of a coating and developing apparatus equipped with the resist coating apparatus.
18 is a perspective view of the coating and developing apparatus.
19 is a longitudinal plan view of the coating and developing apparatus.
20 is a graph showing an output from the vibration sensor mounted at another position.

(제 1 실시예)(Embodiment 1)

본 발명의 액처리 장치의 일례인 레지스트 도포 장치(1)에 대하여 그 사시도 및 상면도인 도 1 및 도 2를 각각 참조하여 설명한다. 레지스트 도포 장치(1)는 3 개의 도포 처리부(11a, 11b, 11c)와, 레지스트 공급부(3)와, 레지스트막의 주연부 제거 기구(61a, 61b, 61c)와, 레지스트 공급부(3)의 각 노즐을 대기시키기 위한 노즐 배스(bath)(29)를 구비하고 있다.1 and 2, which are a perspective view and a top view, respectively, of the resist coating apparatus 1 which is an example of the liquid processing apparatus of the present invention. The resist coating apparatus 1 includes three coating processing units 11a, 11b and 11c, a resist supplying unit 3, a peripheral portion removing mechanism 61a, 61b and 61c for a resist film, And a nozzle bath 29 for waiting the air.

액처리부인 도포 처리부(11a ~ 11c)는 횡방향으로 일렬로 배열되어 있다. 각 도포 처리부(11a ~ 11c)는 각각 동일하게 구성되어 있으며, 여기서는 도포 처리부(11a)를 예로 들어 그 종단 측면을 도시한 도 3을 함께 참조하여 설명한다. 도포 처리부(11a)는 각각 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착하여 수평하게 보지(保持)하는 기판 보지부인 스핀 척(12a)을 구비하고, 스핀 척(12a)은 회전축(13a)을 개재하여 회전 구동 기구(14a)와 접속되어 있다. 스핀 척(12a)은 회전 구동 기구(14a)에 의해 웨이퍼(W)를 보지한 상태로 수직축을 중심으로 회전 가능하게 구성되어 있고, 그 회전축 상에 웨이퍼(W)의 중심이 위치하도록 설정되어 있다. 회전 구동 기구(14a)는 후술하는 제어부(7)로부터의 제어 신호를 받아 스핀 척(12a)의 회전 속도를 제어한다. The coating units 11a to 11c, which are liquid processing units, are arranged in a row in the lateral direction. Each of the coating units 11a to 11c is configured identically, and here, the coating unit 11a is taken as an example and the description will be made with reference to FIG. The coating processing unit 11a includes a spin chuck 12a which is a substrate holding unit for holding and holding horizontally the back central portion of the wafer W. The spin chuck 12a is rotated And is connected to the driving mechanism 14a. The spin chuck 12a is configured so as to be rotatable about a vertical axis in a state where the wafer W is held by the rotary drive mechanism 14a and the center of the wafer W is set on the rotation axis thereof . The rotation driving mechanism 14a receives the control signal from the control unit 7 to be described later and controls the rotation speed of the spin chuck 12a.

스핀 척(12a)의 주위에는 스핀 척(12a) 상의 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 하여 상방측에 개구부(20a)를 구비한 컵(21a)이 설치되어 있고, 컵(21a)의 측주면 상단측은 내측으로 경사진 경사부(22a)를 형성하고 있다. 컵(21a)의 저부(底部)측에는, 예를 들면 오목부 형상을 이루는 액받이부(23a)가 형성되어 있다. 액받이부(23a)는 격벽(24a)에 의해 웨이퍼(W)의 주연부 하방측으로 전체 둘레에 걸쳐 외측 영역과 내측 영역으로 구획되어 있다. 외측 영역의 저부에는 저장한 레지스트 등의 드레인을 배출하기 위한 배액구(25a)가 형성되고, 내측 영역의 저부에는 처리 분위기를 배기하기 위한 배기구(26a, 26a)가 형성되어 있다. 배기구(26a, 26a)에는 배기관(27a)의 일단이 접속되어 있고, 배기관(27a)의 타단은 배기 댐퍼(damper)(28a)를 개재하여, 예를 들면 레지스트 도포 장치(1)가 설치된 공장의 배기로에 접속되어 있다. 배기 댐퍼(28a)는 제어부(7)로부터의 제어 신호를 받아 컵(21a) 내의 배기량을 제어한다. A cup 21a having an opening 20a is provided on the upper side of the spin chuck 12a so as to surround the wafer W on the spin chuck 12a and the upper end side of the cup 21a And an inclined portion 22a inclined inward is formed. On the bottom side of the cup 21a, for example, a liquid receiving portion 23a having a concave shape is formed. The liquid receiving portion 23a is partitioned into an outer region and an inner region all around the periphery of the periphery of the wafer W by the partition wall 24a. A drain port 25a for discharging the drain of the stored resist or the like is formed at the bottom of the outer region and air outlets 26a and 26a are formed at the bottom of the inner region for exhausting the processing atmosphere. One end of the exhaust pipe 27a is connected to the exhaust ports 26a and 26a and the other end of the exhaust pipe 27a is connected to the exhaust pipe 26a via an exhaust damper 28a, And is connected to the exhaust passage. The exhaust damper 28a receives the control signal from the control unit 7 and controls the amount of exhaust in the cup 21a.

도면 중 15a는 승강 가능하게 구성된 승강핀으로서, 컵(21a) 내에 3 개 설치되어 있다(도 1 및 도 3에서는 편의상 2 개만 표시함). 레지스트 도포 장치(1)로 웨이퍼(W)를 반송하는 도시하지 않은 기판 반송 수단의 동작에 따라, 제어부(7)로부터 출력된 제어 신호에 따라 승강 기구(16a)가 승강핀(15a)을 승강시켜, 이 기판 반송 수단과 스핀 척(12a)과의 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다. In the drawing, three lift pins 15a are provided in the cup 21a (only two pins are shown for convenience in FIGS. 1 and 3). The elevating mechanism 16a lifts the elevating pin 15a in accordance with the control signal outputted from the control section 7 in accordance with the operation of a not-shown substrate carrying means for carrying the wafer W to the resist coating device 1 , And the wafer W is transferred between the substrate transfer means and the spin chuck 12a.

도포 처리부(11b, 11c)에 대하여 도포 처리부(11a)의 각 부에 대응되는 부분에 대해서는 도포 처리부(11a)의 설명에서 이용한 숫자와 동일한 숫자를 이용하고, 또한 a 대신에 b 및 c를 각각 부여하여 각 도면 중에 도시하고 있다. 또한, 각 도포 처리부(11a ~ 11c)의 각 컵은, 후술하는 바와 같이, 액 맺힘 발생 시에 각 컵 간에서 이 액 맺힘을 일으키고 있는 노즐로부터 액의 토출 처리를 행하고, 액 맺힘 제거를 행하기 위하여 간격을 두고 배열되어 있다. The same number as the number used in the description of the coating processing section 11a is used for the parts corresponding to the respective parts of the coating processing section 11a with respect to the coating processing sections 11b and 11c and b and c are given And is shown in each figure. As will be described later, each cup of each of the coating units 11a to 11c is configured to perform a liquid discharging process from a nozzle which causes liquid condensation between the respective cups when the liquid is formed, Are spaced apart.

이어서 레지스트 공급부(3)의 구성에 대하여 설명한다. 레지스트 공급부(3)는 구동 기구(31)와 암(33)과 집합 노즐(40)을 구비하고 있다. 구동 기구(31)는 당해 구동 기구(31)를 지지하는 기부(基部)(30)에서 도포 처리부(11a ~ 11c)의 배열 방향으로 연장된 가이드(32)의 길이 방향을 따라 횡방향으로 이동한다. 기부(30)에는 각 도포 처리부(11a ~ 11c)가 고정된다. 암(33)은 구동 기구(31)로부터 당해 구동 기구(31)의 이동 방향과 직교하도록 수평 방향으로 연장되어 있고, 그 선단측은 집합 노즐(40)을 지지하는 노즐 헤드(34)로서 구성되어 있다. 또한, 구동 기구(31)는 암(33)을 승강시켜, 각 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동할 때에 암(33) 및 집합 노즐(40)이 주연부 제거 기구(61a ~ 61c) 및 컵(21a ~ 21c)과 간섭하지 않도록 구성되어 있다. 또한, 구동 기구(31)에는 후술하는 외측 관을 묶어 그 움직임을 규제하는 역할을 하는 규제부(35)가 설치되어 있다.Next, the configuration of the resist supply unit 3 will be described. The resist supply unit 3 includes a drive mechanism 31, an arm 33, and a collecting nozzle 40. The drive mechanism 31 moves in the lateral direction along the longitudinal direction of the guide 32 extending in the arranging direction of the application processing units 11a to 11c in the base 30 supporting the drive mechanism 31 . Each of the coating units 11a to 11c is fixed to the base 30. The arm 33 extends from the drive mechanism 31 in the horizontal direction so as to be orthogonal to the moving direction of the drive mechanism 31 and its tip end is configured as a nozzle head 34 for supporting the collective nozzle 40 . The driving mechanism 31 moves the arm 33 up and down and moves the arm 33 and the collecting nozzle 40 to the peripheral portions removing mechanisms 61a to 61c and the cups 21a to 11c when moving to the respective coating processing portions 11a to 11c. 21c, respectively. In addition, the driving mechanism 31 is provided with a restricting portion 35 that binds an outer tube to be described later and regulates its movement.

도 4는 암(33)의 하측을 나타낸 사시도이다. 집합 노즐(40)은 농도 또는 성분이 다른 10 종류의 레지스트를 각각 공급하는 10 개의 레지스트 토출 노즐(41)과, 웨이퍼(W) 상에서 레지스트를 쉽게 퍼지도록 하기 위한 처리액, 예를 들면 시너를 공급하는 시너 토출 노즐(42)로 이루어진다. 여기서는 레지스트 및 시너를 총칭하여 약액이라고 부른다. 각 노즐(41, 42)은 암(33)에 의한 이들 노즐(41, 42)의 이동 방향과 병행하여 배열되어 있다. 4 is a perspective view showing the underside of the arm 33. Fig. The collecting nozzle 40 is provided with ten resist ejection nozzles 41 for supplying ten types of resists different in concentration or composition and a processing liquid for easily spreading the resist on the wafer W, And a thinner discharge nozzle 42 for discharging the ink. Here, the resist and the thinner are collectively referred to as a chemical solution. The nozzles 41 and 42 are arranged in parallel with the moving direction of the nozzles 41 and 42 by the arms 33. [

각 노즐(41, 42)은 수직 하방으로 개구된 약액의 토출구를 구비하고 있다. 각 노즐(41, 42)은 구동 기구(31)의 횡방향의 이동에 따라 웨이퍼(W)의 중심부 상으로 이동할 수 있으며, 수직축을 중심으로 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부로 각 토출구로부터 약액을 토출한다. 토출된 약액은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 주연부로 확산되는 이른바 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W) 표면 전체에 도포된다. Each of the nozzles 41 and 42 has a discharge port of a chemical liquid which is opened vertically downward. Each of the nozzles 41 and 42 can move on the central portion of the wafer W in accordance with the lateral movement of the drive mechanism 31. The central portion of the wafer W rotating around the vertical axis moves the chemical solution . The discharged chemical liquid is applied to the entire surface of the wafer W by so-called spin coating that diffuses to the periphery of the wafer W by centrifugal force.

각 레지스트 토출 노즐(41), 시너 토출 노즐(42)에는 약액 공급 배관(43, 44)의 일단이 접속되고, 이들 약액 공급 배관(43, 44)의 타단은, 도 3에 도시하는 바와 같이, 유량 제어부(45)를 개재하여 약액 공급 유닛(46)에 접속되어 있다. 약액 공급 배관(43, 44)은 서로 동일하게 구성되어 있다. 약액 공급 유닛(46)은 각 노즐(41, 42)로 각각 공급할 약액이 저장된 탱크와, 탱크 내를 가압하여 당해 탱크 내의 약액을 노즐로 송액(送液)하기 위한 송액 수단을 구비한 약액 공급 기구(47)에 의해 구성되어 있으며, 약액 공급 기구(47)는 노즐(41, 42)과 같은 수인 11 대 설치되어 있다. 유량 제어부(45)는 밸브(48)를 포함하며, 제어부(7)로부터 출력되는 제어 신호를 받아 각 밸브(48)의 개폐가 제어되어 10 종류의 레지스트와 시너를 전환하여 웨이퍼(W)로 공급할 수 있도록 되어 있다.One end of the chemical solution supply pipes 43 and 44 is connected to each of the resist ejection nozzles 41 and the thinner ejection nozzles 42. The other ends of the chemical solution supply pipes 43 and 44 are connected, And is connected to the chemical liquid supply unit 46 through the flow rate control unit 45. [ The chemical liquid supply pipes 43 and 44 are configured identically to each other. The chemical liquid supply unit 46 includes a tank in which the chemical liquid to be supplied to each of the nozzles 41 and 42 is stored and a chemical liquid supply mechanism having a liquid supply means for pressurizing the inside of the tank to supply the chemical liquid in the tank to the nozzle And the number of the chemical liquid supply mechanisms 47 is the same as that of the nozzles 41 and 42. [ The flow control unit 45 includes a valve 48 and controls the opening and closing of each valve 48 in response to a control signal output from the control unit 7 to switch ten types of resist and thinner to be supplied to the wafer W .

노즐 헤드(34)로부터 그 상류측을 향하여 5 개의 약액 공급 배관(43), 5 개의 약액 공급 배관(43) 및 1 개의 약액 공급 배관(44)은 외측 관(51, 51)에 각각 피복 되어 있다. 각 배관의 구성을 도시한 도 5 내지 도 7을 함께 참조하여 설명한다. 도 5는 후술하는 고정부(52) 부근의 각 배관의 평면도, 도 6은 고정부(52) 부근의 측면도, 도 7은 외측 관(51) 및 약액 공급 배관(43, 44)의 종단면을 도시하고 있다. 외측 관(51)의 상류측은 노즐 헤드(34)로부터 구동 기구(31)의 규제부(35)를 향하여 연장되고 당해 규제부(35)에서 굴곡되어, 기부(30) 상을 도포 처리부(11a ~ 11c)의 배열 방향을 향하여 연장되어 있다. 또한, 이 배열 방향으로 연장된 외측 관(51)의 상류단은 고정부(52), 진동 검출부(53)를 거쳐 이 기부(30)의 외측을 향하여 연장되어 있다. 외측 관(51)의 단부(端部)로부터 각 약액 공급 배관(43, 44)이 인출되어, 각 약액 공급 배관(43, 44)은 기술한 바와 같이 유량 제어부(45)를 개재하여 약액 공급 유닛(46)에 접속되어 있다.Five chemical solution supply pipes 43, five chemical solution supply pipes 43 and one chemical solution supply pipe 44 are covered with the outer pipes 51 and 51 from the nozzle head 34 toward the upstream side . 5 to 7 showing the configuration of each pipe will be described together. Fig. 5 is a plan view of each piping in the vicinity of the fixing portion 52 described later, Fig. 6 is a side view of the vicinity of the fixing portion 52, Fig. 7 is a longitudinal cross-sectional view of the outer pipe 51 and the chemical liquid supply pipes 43, . The upstream side of the outer tube 51 extends from the nozzle head 34 toward the regulating portion 35 of the driving mechanism 31 and is bent in the regulating portion 35 to be guided on the base 30 to the coating processing portions 11a- 11c. The upstream end of the outer tube 51 extending in the arrangement direction extends toward the outside of the base 30 via the fixing part 52 and the vibration detecting part 53. [ Each of the chemical liquid supply pipes 43 and 44 is drawn out from the end of the outer tube 51 and the chemical liquid supply pipes 43 and 44 are connected to the chemical liquid supply unit 43 through the flow rate control unit 45, (Not shown).

또한, 도면 중 54는 전기용 배관으로서 각종 전기 배선을 포함하고 있다. 전기용 배관(54)의 일단은 구동 기구(31)에 접속되고, 타단은 규제부(35)를 거쳐 고정부(52)를 향하여 당해 고정부(52)의 하방으로 연장되어 있다. 외측 관(51) 및 전기용 배관(54)은 벨로우즈 형상의 배관으로서 구성되어 있다. 고정부(52)와 규제부(35)와의 사이에서 이들 각 외측 관(51)과 전기용 배관(54)은 피복 부재(55)에 의해 피복되며, 규제부(35)로부터 고정부(52)까지의 사이는 서로 병렬 형상으로 접속되어 있다. 외측 관(51), 전기용 배관(54), 약액 공급 배관(43, 44) 및 피복 부재(55)는 도 8a 및 도 8b에 도시한 바와 같은 구동 기구(31)의 횡방향의 이동을 방해하지 않도록 플렉서블하게 구성되어 있다.In the figure, reference numeral 54 denotes various electric wiring as electric piping. One end of the electric piping 54 is connected to the drive mechanism 31 and the other end extends downward of the fixed portion 52 toward the fixed portion 52 via the regulating portion 35. [ The outer pipe 51 and the electric pipe 54 are formed as bellows pipes. The outer pipe 51 and the electric pipe 54 are covered by the covering member 55 between the fixing portion 52 and the restricting portion 35 so that the fixing portion 52 is prevented from coming off the restricting portion 35, Are connected in parallel to each other. The outer pipe 51, the electric pipe 54, the chemical liquid supply pipes 43 and 44 and the cover member 55 interfere with the lateral movement of the drive mechanism 31 as shown in Figs. 8A and 8B So that it is flexible.

또한, 도 7에 도시한 외측 관(51)의 내경(L1)은, 예를 들면 12 mm ~ 15 mm이고, 약액 공급관(43, 44)의 외경(L2)은, 예를 들면 3 mm ~ 4 mm이다. 구동 기구(31)의 이동을 방해하지 않도록 구동 기구(31)가 이동했을 때에 약액 공급 배관(43, 44)은 외측 관(51) 내를 그 직경 방향으로 이동할 수 있다. 즉, 외측 관(51)에 약액 공급관(43, 44)이 항상 밀착되어 있는 것은 아니며, 외측 관(51)과 약액 공급관(43, 44)과의 사이에는 여유가 있다. 외측 관(51)은 각 약액 공급 배관(43, 44)을 묶어 이들 배관(43, 44)의 움직임을 규제하고, 구동 기구(31)의 이동에 의해 각 약액 공급 배관(43, 44)이 얽히거나 장치(1)의 각 부에 걸리는 것을 방지하는 역할과, 이들 약액 공급 배관(43, 44)의 진동을 진동 검출부(53)에 의해 일괄적으로 감시하기 위한 역할을 한다.The inner diameter L1 of the outer tube 51 shown in Fig. 7 is, for example, 12 mm to 15 mm and the outer diameter L2 of the chemical liquid supply tubes 43 and 44 is 3 mm to 4 mm. The chemical liquid supply pipes 43 and 44 can move in the outer tube 51 in the radial direction when the drive mechanism 31 moves so as not to obstruct the movement of the drive mechanism 31. [ That is, the chemical liquid supply pipes 43 and 44 are not always in close contact with the outer pipe 51, and there is a space between the outer pipe 51 and the chemical liquid supply pipes 43 and 44. The outer tube 51 restricts the movement of the chemical liquid supply pipes 43 and 44 and moves the chemical liquid supply pipes 43 and 44 so that the chemical liquid supply pipes 43 and 44 are entangled And the vibration of the chemical liquid supply pipes 43 and 44 are collectively monitored by the vibration detecting unit 53. The vibration detecting unit 53 detects the vibration of the chemical liquid supply pipes 43 and 44,

상기 고정부(52)는 외측 관(51) 및 전기용 배관(54)을 기부(30) 상에 고정시키는, 즉 각 액처리부(11a ~ 11c)에 대하여 고정시키는 역할을 한다. 또한, 도 6에 도시한 바와 같이, 외측 관(51)은 고정부(52)에 의해 기부(30)의 표면으로부터 떠 있도록 지지되어 있고, 상기 진동 검출부(53)는 외측 관(51)에서 이 고정부(52)보다 상류측의 기부(30) 표면으로부터 떠 있는 개소에 장착되어 있다. 진동 검출부(53)는 전체적으로 아래를 향한 ⊃ 자형으로 형성된 지지부(56)를 구비하고 있다. 지지부(56)는 2 개의 외측 관(51)의 상측에 설치된 상면 부재(56a)와, 상면 부재(56a)의 양 단으로부터 하방으로 연장되어 2 개의 외측 관(51) 을 좌우에서 샌드위치하는 측면 부재(56b)에 의해 구성되며, 상면 부재(56a) 상에는 진동 센서(57)가 설치되어 있다. 구동 기구(31)가 횡방향으로 이동하면, 약액 공급 배관(43, 44)은, 도 7 중 점선 화살표로 도시하는 바와 같이, 약액 공급 배관(43, 44)의 진동 내지는 요동이 발생하는 경우가 있어, 배관(43, 44)끼리 충돌, 이격이 일어난다. 그리고, 이에 따라 외측 관(51)이 진동하고 이 진동이 지지부(56)로 전해져 진동 센서(57)가 진동한다. 당해 진동 센서(57)는 그 진동이 클 수록 제어부(7)로 출력하는 신호 레벨이 커진다. 도 6 중 L3으로 도시한 고정부(52)로부터 지지부(56)까지의 거리는 1 mm ~ 5 mm이고, 또한 H1로 도시한 기부(30) 표면으로부터 지지부(56)까지의 높이는 1 mm ~ 2 mm이다.The fixing portion 52 serves to fix the outer pipe 51 and the electric pipe 54 on the base portion 30, that is, to fix the outer pipe 51 and the electric pipe 54 to the respective liquid processing portions 11a to 11c. 6, the outer tube 51 is supported so as to float from the surface of the base 30 by the fixing portion 52, and the vibration detecting portion 53 is supported by the outer tube 51 And is mounted at a position floating from the surface of the base portion 30 on the upstream side of the fixing portion 52. The vibration detecting unit 53 is provided with a supporter 56 formed in a U-shape as a whole. The support portion 56 is composed of a top surface member 56a provided on the upper side of the two outer tubes 51 and a side surface member 56b extending downward from both ends of the top surface member 56a to sandwich the two outer tubes 51 from left and right. (56b), and a vibration sensor (57) is provided on the upper surface member (56a). When the drive mechanism 31 is moved in the lateral direction, the chemical liquid supply piping 43, 44 is subjected to vibration or oscillation of the chemical liquid supply piping 43, 44 as shown by the dotted arrow in Fig. 7 So that the pipes 43 and 44 collide with each other and separate from each other. This causes the outer tube 51 to vibrate and the vibration to be transmitted to the support portion 56, causing the vibration sensor 57 to vibrate. The greater the vibration of the vibration sensor 57, the larger the signal level output to the control section 7 is. The distance from the fixing portion 52 to the supporting portion 56 shown in L3 in Fig. 6 is 1 mm to 5 mm and the height from the surface of the base 30 shown as H1 to the supporting portion 56 is 1 mm to 2 mm to be.

도 4로 돌아와 설명을 계속한다. 당해 암(33)의 이면측에는 화상을 취득하기 위한 이미지 센서인 카메라(36)와 광원(37)이 설치되어 있다. 카메라(36)는, 예를 들면 광각 렌즈를 구비하고, 노즐(41, 42)의 배열 방향과 대략 직교하는 방향에서 이들 노즐(41, 42)의 선단부를 촬상하여, 후술하는 바와 같이, 유저가 노즐(41, 42)로부터의 액 맺힘 및 액적 낙하를 확인할 수 있도록 되어 있다. 촬상을 행할 때에 광원(37)은 노즐(41, 42)을 비춘다. 이 실시예에서 카메라(36)는 레지스트 도포 처리 중에 제어부(7)로 상시 화상을 송신하고 있다. 여기서, 액 맺힘이란, 도 9에 도시한 바와 같이, 노즐(41, 42)의 선단으로부터 하방으로 약액이 노출된 상태를 의미하고, 액적 낙하(처리액의 적하)란 이 액 맺힘이 성장한 결과, 상기 선단으로부터 약액이 분리된 상태를 의미한다. Return to Fig. 4 and continue with the description. On the back side of the arm 33, a camera 36 and a light source 37, which are image sensors for capturing an image, are provided. The camera 36 is provided with, for example, a wide-angle lens and picks up the tip end portions of these nozzles 41 and 42 in a direction substantially perpendicular to the arrangement direction of the nozzles 41 and 42, It is possible to confirm the liquid condensation from the nozzles 41 and 42 and drop the droplets. The light source 37 illuminates the nozzles 41 and 42 when imaging is performed. In this embodiment, the camera 36 transmits the normal image to the control unit 7 during the resist coating process. 9 shows a state in which the chemical liquid is exposed downward from the tips of the nozzles 41 and 42 as shown in Fig. 9. As a result of liquid droplet growth (droplet of the treatment liquid) Means that the chemical liquid is separated from the tip.

이어서, 도포막 주연부 제거 기구(61a ~ 61c)에 대하여 설명한다. 도포막 주연부 제거 기구(61a ~ 61c)는 도포 처리부(11a ~ 11c)의 각각의 웨이퍼(W)에 형성된 레지스트막의 주연부를 제거하여 당해 주연부의 막의 박리를 방지하기 위하여 설치되어 있다. 각 도포막 주연부 제거 기구(61a ~ 61c)는 레지스트막의 용제인 시너를 공급하는 시너 토출 노즐(62)과, 당해 시너 토출 노즐(62)을 보지하는 암(63)과, 암(63)을 보지하는 구동 기구(64)를 구비하고 있다. 구동 기구(64)는 암(63)을 승강시키고 또한 가이드(65)를 따라 도포 처리부(11a ~ 11c)의 배열 방향인 Y 방향으로 이동한다.Next, the coating film peripheral edge removal mechanisms 61a to 61c will be described. The coating film peripheral edge removing mechanisms 61a to 61c are provided to remove the peripheral portion of the resist film formed on each of the wafers W of the coating processing portions 11a to 11c to prevent peeling of the peripheral portion film. Each of the coating film peripheral edge removing mechanisms 61a to 61c includes a thinner discharge nozzle 62 for supplying thinner which is a solvent of a resist film, an arm 63 for holding the thinner discharge nozzle 62, And a driving mechanism 64 for driving the motor. The driving mechanism 64 moves the arm 63 up and down and along the guide 65 in the Y direction which is the arrangement direction of the coating units 11a to 11c.

도면 중 66a 내지 66c는 상측이 개구된 컵 형상으로 형성된 노즐 배스로서, 각 시너 토출 노즐(62)은 처리를 행하지 않을 때에 각각 노즐 배스(66a ~ 66c) 내에 수납되어 대기하고, 처리를 행할 때에 대응되는 도포 처리부(11a ~ 11c)의 웨이퍼(W)의 주연부 상으로 이동한다. 또한, 노즐 배스(29)는 집합 노즐(40)이 이동하는 Y 방향의 일단측에 설치되어 있으며, 상측이 개구된 컵 형상으로 형성되어 있다. 집합 노즐(40)은 웨이퍼(W)에 처리를 행하지 않을 때에는 이 노즐 배스(29) 내에 수납되어 대기한다. 액 맺힘 및 액적 낙하가 검출되었을 때에는 배액 영역을 이루는 이들 노즐 배스(29, 66a ~ 66c) 내로 약액이 토출되는 경우가 있어, 노즐 배스(29, 66a ~ 66c) 내에는 이 토출된 약액을 배액시키는 도시하지 않은 배액로가 형성되어 있다.In the figure, reference numerals 66a to 66c denote cup-shaped nozzle bosses opened on the upper side, and each of the thinner ejection nozzles 62 is stored in the nozzle busses 66a to 66c when they are not processed, To the peripheral portions of the wafers W of the coating processing units 11a to 11c. The nozzle bush 29 is provided at one end side in the Y direction in which the collecting nozzle 40 moves, and is formed into a cup shape whose upper side is opened. When the wafers W are not to be treated, the collecting nozzles 40 are accommodated in the nozzle bushes 29 and stand by. When liquid is formed and droplet drop is detected, the chemical liquid may be ejected into these nozzle bushes 29, 66a to 66c which constitute the liquid drainage area, and the discharged chemical liquid is drained into the nozzle bushes 29, 66a to 66c A drain passage not shown is formed.

이어서, 레지스트 도포 장치(1)에 의해 웨이퍼(W)에 레지스트를 도포하는 공정에 대하여 설명한다. 도포 장치(1)의 외부의 기판 반송 수단에 의해, 예를 들면 도포 처리부(11a)로 반송된 웨이퍼(W)는 승강핀(15a)에 의해 스핀 척(12a)으로 전달된다. 그 후, 노즐 배스(29)에서 대기하고 있는 집합 노즐(40)이 암(33)에 의해 상승하여 당해 노즐 배스(29)로부터 나온 후, Y 방향으로 이동하여 시너 토출 노즐(42)이 웨이퍼(W)의 중심부 상에 위치하면(도 10a), 암(33)이 하강한다. 이 암(33)의 이동 동작과 병행하여 스핀 척(12a)을 회전시키고, 이 회전 중인 웨이퍼(W) 상으로 시너를 공급한다. 시너가 스핀 코팅된 후, 당해 처리에서 이용되는 레지스트 토출 노즐(41)이 웨이퍼(W)의 중심부 상에 위치하도록 암(33)이 Y 방향으로 이동한다. 이 이동 동작과 병행하여 웨이퍼(W)의 회전 수가 상승하고, 웨이퍼(W) 상에 레지스트(R)가 공급되어 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W) 표면 전체에 레지스트(R)가 도포된다(도 10b).Next, the step of applying resist to the wafer W by the resist coating apparatus 1 will be described. The wafer W transferred to the coating processing section 11a by the substrate transfer means outside the application device 1 is transferred to the spin chuck 12a by the lifting pin 15a. Thereafter, the collecting nozzle 40 standing by in the nozzle bath 29 is lifted by the arm 33 to come out of the nozzle bath 29 and then moves in the Y direction to cause the thinner discharge nozzle 42 to move to the wafer W) (Fig. 10A), the arm 33 descends. In parallel with the movement of the arm 33, the spin chuck 12a is rotated, and the thinner is supplied onto the rotating wafers W. After the thinner is spin coated, the arm 33 moves in the Y direction so that the resist discharge nozzle 41 used in the treatment is located on the central portion of the wafer W. [ The number of rotations of the wafer W is increased in parallel with the movement operation and the resist R is supplied onto the wafer W so that the resist R is applied to the entire surface of the wafer W by spin coating ).

상기 레지스트(R) 공급 정지 후, 웨이퍼(W)의 회전 수를 저하시켜 레지스트(R)의 두께를 균일하게 하고, 이어서 재차 회전 수를 상승시킴으로써 코팅된 레지스트(R)를 털어내기 건조하여 레지스트막을 형성한다. 그 동안에 암(33)이 상승 위치로 이동한 후, 노즐 배스(29) 상으로 횡방향으로 이동한 후에 하강하여 당해 노즐 배스(29) 내에서 대기한다. 한편, 털어내기 건조가 완료된 웨이퍼(W)에 대해서는 이 웨이퍼(W)가 회전하는 상태로 시너 토출 노즐(62)로부터 시너가 공급되어 웨이퍼(W) 주연부에 도포한 레지스트막이 제거된다. 그 후, 레지스트막의 경우와 마찬가지로 시너의 털어내기 건조를 행하여 일련의 액처리를 완료한다.After the supply of the resist R is stopped, the number of revolutions of the wafer W is lowered to make the thickness of the resist R uniform, and then the coated resist R is shaken off by raising the number of revolutions again, . In the meantime, the arm 33 moves to the raised position, moves laterally on the nozzle bush 29, and then descends to wait in the nozzle bush 29. On the other hand, the thinner is supplied from the thinner discharge nozzle 62 in a state in which the wafer W is rotated with respect to the wafers W having been completely dried, and the resist film coated on the peripheral portion of the wafer W is removed. Thereafter, as in the case of the resist film, drying of the thinner is carried out to complete a series of liquid processing.

시너 토출 노즐(62)을 주연부 제거 기구(61a)의 노즐 배스(66a)까지 퇴피시킨 후, 웨이퍼(W)는 승강핀(15a)에 의해 장치(1)의 외부의 기판 반송 수단으로 전달되어 레지스트 도포 장치(1)로부터 반출된다. 이렇게 하여 각 도포 처리부(11a ~ 11c)에는, 예를 들면 미리 설정된 웨이퍼(W)의 반송 사이클에 따라 상기 기판 반송 수단에 의해 웨이퍼(W)가 소정의 간격으로 차례로 반송된다. 그리고, 암(33)은 도포 처리부(11a)로 이동했을 때와 마찬가지로 다른 도포 처리부로도 이동하여 상술한 레지스트 도포 처리가 행해진다.After the thinner discharge nozzle 62 is retracted to the nozzle bush 66a of the peripheral edge removal mechanism 61a, the wafer W is transferred to the substrate transfer means outside the apparatus 1 by the lifting pin 15a, And is taken out of the coating device 1. The wafers W are successively transferred to the coating units 11a to 11c at predetermined intervals by the substrate transfer means in accordance with a predetermined transfer cycle of the wafers W, for example. Then, the arm 33 is moved to another coating processing section as in the case of moving to the coating processing section 11a, and the resist coating processing described above is performed.

이 예에서, 암(33)은 노즐 배스(29)로부터 먼저 웨이퍼(W)가 반송된 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동하여, 거기서 액처리를 마친 후에 일단 노즐 배스(29)로 돌아오고, 나중에 웨이퍼(W)가 반송된 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동한다. 하지만, 노즐 배스(29)로부터 하나의 도포 처리부로 이동한 후, 노즐 배스(29)로 돌아오지 않고 다른 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동하여 처리를 행하고, 예를 들면 복수 회 도포 처리부(11a ~ 11c) 간을 이동한 후에 노즐 배스(29)로 돌아오도록 암(33)을 동작시켜도 좋다.In this example, the arm 33 moves from the nozzle bush 29 to the coating processing units 11a to 11c to which the wafers W are transferred first, returns to the nozzle bath 29 once the liquid processing is finished there, The wafer W is moved to the coating processing units 11a to 11c that are transported later. However, after moving from the nozzle bath 29 to one coating processing unit, the coating is not returned to the nozzle bath 29 but is moved to other coating processing units 11a to 11c to perform the processing. For example, a plurality of coating processing units 11a The arm 33 may be operated so as to return to the nozzle bath 29 after moving between the nozzles 11a to 11c.

이어서, 레지스트 도포 장치(1)에 설치된, 예를 들면 컴퓨터로 이루어지는 제어부(7)에 대하여 그 구성을 도시한 도 11을 참조하여 설명한다. 도면 중 70은 버스이며, 제어부(7)는 이들 버스(70)에 접속된 처리 프로그램(71), 제 1 메모리(72), 제 2 메모리(73), CPU(74), 조작부(75), 표시부(76)를 구비하고 있다. 제 1 메모리(72)에는 처리 온도, 처리 시간, 각 약액의 공급량 또는 전력치 등의 처리 파라미터 값이 기입되는 영역을 구비하고 있다. CPU(74)가 처리 프로그램(71)의 각 명령을 실행할 때 이들 처리 파라미터가 독출되고, 이 파라미터치에 따른 제어 신호가 이 레지스트 도포 장치(1)의 각 부로 보내진다. 처리 프로그램(71)의 작용으로는 이들 처리 파라미터의 입력 조작 또는 표시에 관한 동작도 포함된다. 처리 프로그램(71)은, 예를 들면 플렉서블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크) 및 메모리 카드 등의 컴퓨터 기억 매체에 의해 구성된 프로그램 저장부(77)에 저장되어 제어부(7)에 인스톨된다. Next, with reference to Fig. 11 showing the construction of the control section 7 made of, for example, a computer provided in the resist coating apparatus 1, the following description will be given. In the figure, reference numeral 70 denotes a bus. The control unit 7 includes a processing program 71 connected to these buses 70, a first memory 72, a second memory 73, a CPU 74, an operation unit 75, And a display unit 76. The first memory 72 is provided with a region in which processing parameter values such as processing temperature, processing time, supply amount of each chemical liquid, or power value are written. These processing parameters are read out when the CPU 74 executes each instruction of the processing program 71, and a control signal according to the parameter value is sent to each part of the resist coating apparatus 1. [ The operation of the processing program 71 also includes an operation relating to the input operation or display of these processing parameters. The processing program 71 is stored in a program storage unit 77 constituted by a computer storage medium such as a flexible disk, a compact disk, a hard disk, an MO (magneto-optical disk) Is installed.

제 2 메모리(73)에는 카메라(36)로부터 수신되는 집합 노즐(40) 선단의 화상 데이터와, 후술하는 이상 알람을 발생시키기 위한 기준이 되는 제 1 임계치 및 제 2 임계치와, 이상 알람의 발생 시각 또는 이에 기초하여 연산되는 각종 연산 결과가 기억된다. 상기 제 2 임계치는 제 1 임계치보다 크며, 제 1 임계치는 진동 검출부(53)로부터의 출력 신호(검출 신호) 전압과 비교되어 경고 알람의 발생을 행할지 행하지 않을지의 판정 기준이 되는 설정치이다. 제 2 임계치는 진동 검출부(53)로부터의 출력 신호 전압과 비교되어 레지스트 처리 정지 및 처리 정지 알람의 발생을 행할지 행하지 않을지의 판정 기준이 되는 설정치이다. 기억된 상기 화상 데이터에 대하여, 통상적으로는 제 2 메모리(73)의 사용 용량을 억제하기 위하여 처리 프로그램(71)에 의해, 예를 들면 소정의 시간 경과 후에 당해 제 2 메모리(73)로부터 소거되지만, 후술하는 바와 같이, 이상 발생 시의 화상으로서 기억된 데이터는 유저가 삭제할 때까지 보존된다.The second memory 73 stores a first threshold value and a second threshold value for generating image data of the tip end of the collective nozzle 40 received from the camera 36 and an error alarm to be described later, Or various calculation results calculated based thereon are stored. The second threshold value is larger than the first threshold value, and the first threshold value is a set value which is compared with the output signal (detection signal) voltage from the vibration detecting section 53 and serves as a determination reference for determining whether or not to generate the warning alarm. The second threshold value is a set value which is compared with the output signal voltage from the vibration detector 53 and serves as a criterion for judging whether or not to generate the resist process stoppage and process stoppage alarm. Normally, the stored image data is erased from the second memory 73 by a processing program 71 in order to suppress the used capacity of the second memory 73, for example, after a predetermined time elapses , The data stored as the image at the time of occurrence of the abnormality is stored until the user deletes it, as will be described later.

조작부(75)로는 마우스, 키보드 등에 의해 구성되어 있으며, 예를 들면 기술한 처리 파라미터의 설정은 이 조작부(75)에 의해 행해진다. 또한, 유저는 배관의 진동이 검출되었을 때에 조작부(75)를 통하여 집합 노즐(40)을 임의의 노즐 배스 상으로 이동시키고, 촬상된 화상에 기초하여 액 맺힘 및 액적 낙하가 일어나고 있는 노즐로부터 약액을 이 노즐 배스로 토출시키는 처리(더미 디스펜스)를 행할 수 있다. 또한, 레지스트 도포 처리를 행하기 전에 유저는 미리 조작부(75)를 통하여 상기 제 1 임계치 및 제 2 임계치의 설정과, 경고 알람이 몇 회 발생할 때마다 카메라(36)로부터의 화상을 이상 발생 시의 화상으로서 보존할 것인가 하는 기준 횟수의 설정과, 배관의 진동이 검출되었을 때에 취할 대처 처치로서 레지스트 도포 장치(1)에서의 처리 정지를 행할지 행하지 않을지의 설정을 행할 수 있다.The operation unit 75 is composed of a mouse, a keyboard, and the like. For example, the setting of the process parameters is performed by the operation unit 75. When the vibration of the pipe is detected, the user moves the collecting nozzle 40 onto the arbitrary nozzle bath through the operating part 75, and based on the picked-up image, the user draws the chemical liquid from the nozzles in which liquid- (Dummy dispensing) can be performed. Before the resist coating process is performed, the user sets the first threshold value and the second threshold value through the operation unit 75 in advance and sets the image from the camera 36 every time the warning alarm occurs several times, It is possible to set whether or not to stop the processing in the resist applicator 1 as a measure to be taken when the vibration of the pipe is detected and the setting of the reference frequency for storing the image as an image.

버스(70)에는 알람 발생부(79)가 접속되어 있다. 이 알람 발생부(79)는 장치의 이상을 나타내는 이상 알람으로서 액 맺힘 및 액적 낙하가 일어났을 가능성이 있음을 나타내는 경고 알람, 장치의 처리 정지가 행해진 것을 나타내는 처리 정지 알람을 각각 출력한다. 그 외에 알람 발생부(79)는 장치의 메인터넌스 추천 시기에 이른 것을 나타내는 고지용 알람, 유저에게 노즐의 감시를 촉구하는 확인 촉구 알람을 각각 출력한다. 구체적으로, 알람 발생부(79)는 표시 화면을 구비하며, 이 표시 화면에 각종 경고의 내용이 표시된다. 또한, 버스(70)에는 드라이버(38)가 접속되어 있다. 드라이버(38)는 제어부(7)로부터 출력된 제어 신호를 받아 이 제어 신호에 따라 구동 기구(31)를 상기 Y 방향으로 이동시키기 위한 신호를 당해 구동 기구(31)에 출력한다. 또한, 드라이버(38)는 구동 기구(31)가 횡방향으로 이동하지 않을 때에는 상시 소정의 전압치(기준치)의 신호를 출력하고, 구동 기구(31)를 횡방향으로 이동시키고 있을 때에는 이 기준치보다 크거나 혹은 작은 전압치의 이동 신호를 출력한다.An alarm generating unit 79 is connected to the bus 70. The alarm generating unit 79 outputs an alarm indicating that there is a possibility of droplet deposition and dropping of liquid, and a processing stop alarm indicating that processing of the apparatus has been stopped, as an abnormal alarm indicating an abnormality of the apparatus. In addition, the alarm generating unit 79 outputs a warning alarm indicating that the apparatus has reached the maintenance recommendation timing, and an alarm prompting the user to urge the monitoring of the nozzle. Specifically, the alarm generating unit 79 has a display screen on which the contents of various warnings are displayed. A driver 38 is connected to the bus 70. The driver 38 receives the control signal output from the control unit 7 and outputs a signal for moving the drive mechanism 31 in the Y direction to the drive mechanism 31 in accordance with the control signal. The driver 38 always outputs a signal of a predetermined voltage value (reference value) when the drive mechanism 31 does not move in the lateral direction. When the drive mechanism 31 is moving in the lateral direction, And outputs a movement signal of a larger or smaller voltage value.

표시부(76)는, 예를 들면 디스플레이로서 구성된다. 이 표시부(76)는 카메라(36)로부터 수신한 화상을 나타내는 영역과, 진동 센서(57)로부터의 출력 신호(편의상, 진동 검출 신호라고 함) 및 드라이버(38)로부터의 출력 신호(편의상, 이동 신호라고 함)의 파형을 나타내는 영역과, 후술하는 바와 같이 연산되는 이상 알람이 발생하는 주기 및 메인터넌스 추천 시기를 나타내는 영역을 구비하고 있다. 도 12에는 상기 이동 신호 및 진동 검출 신호의 파형을 나타내는 영역의 일례를 나타내고 있으며, 도면 중의 그래프의 세로축에는 전압을, 가로축에는 시간을 각각 나타내고 있다. 그래프 중의 각 쇄선은 유저가 설정한 제 1 임계치, 제 2 임계치를 각각 나타내고 있다.The display unit 76 is configured as a display, for example. The display unit 76 displays an image representing an image received from the camera 36 and an output signal from the vibration sensor 57 (referred to as a vibration detection signal for convenience) and an output signal from the driver 38 Signal), an interval in which an abnormality alarm to be calculated as described later is generated, and an area indicating a maintenance recommendation timing. Fig. 12 shows an example of a region showing the waveforms of the movement signal and the vibration detection signal. In the graph, the vertical axis represents voltage and the horizontal axis represents time. The chain lines in the graph indicate the first threshold value and the second threshold value set by the user, respectively.

도 12 중의 구간(K1)에는 집합 노즐(40)이 노즐 배스(29)로부터 도포 처리부(11a)로 이동했을 때에 드라이버(38)로부터 출력되는 신호의 파형이, 구간(K2)에는 도포 처리부(11a)로부터 노즐 배스(29)로 이동했을 때에 드라이버(38)로부터 출력되는 신호의 파형이 각각 나타나 있다. 또한, 구간(K3)에는 노즐 배스(29)로부터 도포 처리부(11b)로 이동했을 때에 드라이버(38)로부터 출력되는 신호의 파형이, 구간(K4)에는 도포 처리부(11b)로부터 노즐 배스(29)로 이동했을 때에 드라이버(38)로부터 출력되는 신호의 파형이 각각 나타나 있다. 또한, 구간(K5)에는 노즐 배스(29)로부터 도포 처리부(11c)로 이동했을 때에 드라이버(38)로부터 출력되는 신호의 파형이, 구간(K6)에는 도포 처리부(11c)로부터 노즐 배스(29)로 이동했을 때에 드라이버(38)로부터 출력되는 신호의 파형이 각각 나타나 있다. 이 도면에 나타낸 바와 같이, 구동 기구(31)가 이동 중에는 기준치인 5 V보다 크거나 혹은 작은 전압의 신호가 출력된다. 이 도면에서는, 집합 노즐(40)이 도포 처리부(11c)로부터 노즐 배스(29)로 이동하는 동안에 제 1 임계치를 초과하는 진동 검출 신호가 진동 검출부(53)로부터 출력된 예를 나타내고 있다.The waveform of the signal output from the driver 38 when the collecting nozzle 40 has moved from the nozzle bath 29 to the coating processing unit 11a is displayed in the section K1 in Fig. The waveforms of the signals output from the driver 38 are shown. The waveform of the signal output from the driver 38 when the nozzle 38 is moved from the nozzle bath 29 to the coating processing unit 11b is supplied to the section K3 through the nozzle bath 29 from the coating unit 11b, The waveform of the signal output from the driver 38 is shown. The waveform of the signal output from the driver 38 when moving from the nozzle bath 29 to the coating processing unit 11c is supplied to the section K5 through the nozzle bath 29 from the coating processing unit 11c, The waveform of the signal output from the driver 38 is shown. As shown in the figure, during driving, the driving mechanism 31 outputs a signal having a voltage greater than or less than a reference value of 5 V. This figure shows an example in which a vibration detection signal exceeding the first threshold value is output from the vibration detection unit 53 while the collective nozzle 40 is moved from the coating processing unit 11c to the nozzle bath 29. [

또한, 버스(70)에는 기술한 카메라(36), 광원(37), 유량 제어부(45), 약액 공급 유닛(46) 등이 접속되어 있어, 웨이퍼(W)로의 레지스트 도포 처리와 진동 검출 시에 소정의 대처 동작을 실행할 수 있도록 되어 있다. 또한, 예를 들면 웨이퍼(W)의 반송을 제어하는 상위 컴퓨터로부터 제어부(7)로는 레지스트 도포 장치(1)로 반송될 웨이퍼(W)의 ID와, 이 웨이퍼(W)가 반송될 타이밍 및 반송처인 도포 처리부와 도포되어야 하는 레지스트의 종류의 데이터가 송신된다. 이 데이터에 기초하여 처리 프로그램(71)은 집합 노즐(40)을 각 도포 처리부(11a ~ 11c)로 이동시켜, 웨이퍼(W)에 따른 노즐에 의해 레지스트 도포 처리가 행해진다.The bath 70 is connected to the camera 36, the light source 37, the flow rate control unit 45, the chemical liquid supply unit 46, and the like, So that a predetermined coping action can be executed. For example, from the host computer controlling the transfer of the wafer W, the control unit 7 stores the ID of the wafer W to be transferred to the resist coating apparatus 1, the timing at which the wafer W is transported, Data of the type of the resist to be applied and the application processor to which the resist is applied is transmitted. Based on this data, the processing program 71 moves the collecting nozzles 40 to the respective coating processing units 11a to 11c, and the resist coating processing is performed by the nozzles corresponding to the wafers W.

이어서, 도 13의 순서도를 참조하여 처리 프로그램(71)이 상기의 레지스트 도포 처리 중에 행하는 판정 공정에 대하여 설명한다. 먼저, 처리 프로그램(71)은 진동 센서(57)로부터 출력된 진동 검출 신호의 전압이 제 1 임계치 이상인지 아닌지를 판정한다(단계(S1)). 단계(S1)에서 제 1 임계치 이상이라고 판정한 경우, 이러한 진동 검출 신호가 출력된 타이밍에서 상기 드라이버(38)로부터 출력된 이동 신호의 전압이 기준치인지 아닌지를 판정한다(단계(S2)).Next, with reference to the flowchart shown in Fig. 13, a determination process performed by the processing program 71 during the resist coating process will be described. First, the processing program 71 determines whether or not the voltage of the vibration detection signal output from the vibration sensor 57 is equal to or greater than the first threshold value (step S1). If it is determined in step S1 that the difference is equal to or greater than the first threshold value, it is determined whether or not the voltage of the movement signal output from the driver 38 is a reference value at the timing at which the vibration detection signal is output (step S2).

단계(S2)에서 상기 이동 신호가 기준치가 아니라고 판정된 경우, 처리 프로그램(71)은 단계(S1)에서 제 1 임계치 이상이라고 판정된 진동 검출 신호가 제 2 임계치 이상인지 아닌지를 판정하고, 이 진동 검출 신호의 전압치를 제 2 메모리(73)에 기억한다(단계(S3)). 단계(S3)에서 진동 검출 신호가 제 2 임계치 이상이 아니라고 판정된 경우, 처리 프로그램(71)은 알람 발생부(79)를 통하여 집합 노즐(40)이 횡방향으로 이동 중에 액 맺힘 및 액적 낙하가 일어났을 가능성이 있음을 나타내는 경고 알람을 발생시킨다. 또한, 처리 프로그램(71)은 이 경고 알람의 발생 시각을 제 2 메모리(73)에 기억한다. 그리고, 금회의 경고 알람 발생 시각과 과거에 제 2 메모리(73)에 기억된 경고 알람 발생 시각 및 처리 정지 알람 발생 시각으로부터 각 이상 알람의 발생 간격의 평균을 이상 알람 발생 주기로서 산출한다. 그리고, 금회의 경고 알람 발생 시각에 이 발생 주기를 더한 시각을 다음의 이상 알람 발생 예상 시기로서 산출하여, 산출된 이상 알람 발생 주기 및 다음의 이상 알람 발생 예상 시기가 표시부(76)에 표시된다(단계(S4)).If it is determined in step S2 that the movement signal is not the reference value, the processing program 71 determines whether or not the vibration detection signal determined to be equal to or larger than the first threshold value in step S1 is equal to or larger than the second threshold value, The voltage value of the detection signal is stored in the second memory 73 (step S3). When it is determined in step S3 that the vibration detection signal is not equal to or more than the second threshold value, the processing program 71 causes the collecting nozzle 40 to move in the horizontal direction through the alarm generating unit 79, And generates a warning alarm indicating that there is a possibility of occurrence. The processing program 71 also stores the time of occurrence of this warning alarm in the second memory 73. [ The average of the occurrence intervals of the abnormality alarms is calculated as the abnormality alarm occurrence period from the current alarm alarm occurrence time and the alarm alarm occurrence time and process stop alarm occurrence time stored in the second memory 73 in the past. Then, the time at which this occurrence period is added to the present warning alarm occurrence time is calculated as the next abnormal alarm occurrence expected time, and the calculated abnormal alarm occurrence period and the next abnormal alarm occurrence expected time are displayed on the display unit 76 ( Step S4).

그 후, 처리 프로그램(71)은 카메라(36)로부터의 화상을 마지막으로 이상 발생 시의 화상으로서 보존한 후에, 경고 알람이 발생한 횟수의 합계가 유저가 설정한 기준 횟수에 도달했는지 아닌지를 판정한다(단계(S5)). 단계(S5)에서 기준 횟수에 도달했다고 판정된 경우에 처리 프로그램(71)은 단계(S2) 개시로부터 소정의 기간에 촬상된 집합 노즐(40)의 선단부의 화상을 이상 발생 시의 화상으로서 제 2 메모리(73)에 기억시키고, 이 화상을 표시부(76)에 표시한다(단계(S6)). 또한, 처리 프로그램(71)은 유저에게 표시부(76)의 확인을 촉구하기 위한 확인 촉구 알람을 발생시킨다.After that, the processing program 71 stores the image from the camera 36 as the image at the time of the last occurrence of the abnormality, and then determines whether or not the sum of the number of times the warning alarm has occurred reaches the reference number set by the user (Step S5). When it is determined in step S5 that the reference number of times has been reached, the processing program 71 causes the image of the leading end of the collective nozzle 40 photographed in the predetermined period from the start of the step S2 to be the image And stores it in the memory 73 and displays this image on the display unit 76 (step S6). In addition, the processing program 71 generates a confirmation urging alarm to urge the user to confirm the display unit 76.

유저는 표시부(76)에 표시된 화상에 기초하여 액 맺힘 및 액적 낙하를 일으키고 있는 노즐이 있는지 확인한다. 이처럼 액 맺힘 및 액적 낙하를 일으키고 있는 노즐을 확인한 경우에 유저는 임의의 타이밍에서 조작부(75)를 통하여 레지스트 도포 처리의 중단 처리를 행한다. 그 후, 집합 노즐(40)을 임의의 노즐 배스 상으로 이동시켜 액 맺힘 및 액적 낙하를 일으키고 있는 노즐로부터 약액을 이 노즐 배스로 토출시킨다. 이에 따라, 토출구 내의 약액을 일단 제거하여 액적 낙하를 방지하고 또한 액 맺힘을 흘려 보내서 제거하여 노즐을 정상 상태로 복귀시킨다. 도 14에서는 일례로서 노즐 배스(66a)로 약액을 토출하는 모습을 도시하고 있으나, 다른 노즐 배스(29, 66b, 66c)로 약액을 토출하는 경우도 마찬가지이다. 그 후, 유저는 조작부(75)를 통하여 통상적인 레지스트 도포 처리를 재개시키는 처리를 행하고 각 알람을 정지시킨다. 상기 표시부(76)의 화상을 유저가 판단하여, 액 맺힘 및 액적 낙하를 일으키고 있는 노즐이 없는 경우에 유저는 노즐 배스로의 약액 토출을 행하지 않고 각 알람의 정지 처리를 행한다(단계(S7)). 단계(S5)에서 기준 횟수에 도달하지 않았다고 판정된 경우에는, 예를 들면 소정의 시간 경과 후에 경고 알람의 발생이 정지하고 통상적인 레지스트 도포 처리가 속행된다(단계(S8)).Based on the image displayed on the display unit 76, the user confirms whether there is a nozzle causing liquid deposition or droplet dropping. In the case where the nozzles causing liquid droplet deposition and droplet dropping are identified, the user performs an interruption process of the resist coating process through the operation section 75 at an arbitrary timing. Thereafter, the collecting nozzle 40 is moved to an arbitrary nozzle bath so as to discharge the chemical liquid from the nozzle causing the liquid condensation and droplet drop to the nozzle bath. Thus, the chemical liquid in the discharge port is once removed to prevent dropping of the droplet, and the liquid droplet is flown away to return the nozzle to the normal state. Although Fig. 14 shows a state in which the chemical liquid is discharged by the nozzle bush 66a as an example, the same applies to the case where the chemical liquid is discharged to the other nozzle bushes 29, 66b, 66c. Thereafter, the user performs processing for resuming normal resist coating processing through the operation unit 75, and stops the alarms. When the user judges the image of the display section 76 and there is no nozzle causing liquid deposition and droplet dropping, the user performs stop processing of each alarm without discharging the chemical liquid to the nozzle bath (step S7) . If it is determined in step S5 that the reference number of times has not been reached, for example, after the lapse of a predetermined time, the generation of the warning alarm is stopped and the normal resist application processing is continued (step S8).

또한, 단계(S3)에서 진동 검출 신호가 제 2 임계치 이상이라고 판정된 경우, 처리 프로그램(71)은 유저에 의해 처리 정지의 설정이 이루어졌는지 아닌지를 판정한다(단계(S9)). 처리 정지의 설정이 이루어졌다고 판정된 경우, 처리 프로그램(71)에 의해 구동 기구(31)의 이동, 각 도포 처리부(11a ~ 11c)에서의 레지스트 도포 처리 및 기판 반송 수단에 의한 레지스트 도포 장치(1)로의 웨이퍼(W)의 반송이 정지하고, 알람 발생부(79)에 의해 처리 정지 알람이 발생한다. 또한, 처리 프로그램(71)은 이 처리 정지 알람의 발생 시각을 제 2 메모리(73)에 기억한다. 그리고, 금회의 처리 정지 알람의 발생 시각과 과거에 제 2 메모리(73)에 기억된 경고 알람 발생 시각 및 처리 정지 알람 발생 시각에 기초하여 단계(S4)와 마찬가지로 이상 알람 발생 주기 및 다음의 이상 알람 발생 예상 시기를 산출하여 표시부(76)에 표시한다(단계(S10)). 유저는 처리 정지 알람에 기초하여 레지스트 도포 장치(1)의 메인터넌스를 행하고 알람의 발생을 정지시킨 후(단계(S11)), 조작부(75)를 통해 통상 처리를 재개하기 위한 조작을 행한다.If it is determined in step S3 that the vibration detection signal is equal to or greater than the second threshold value, the processing program 71 determines whether or not the setting of the processing stop is made by the user (step S9). When it is determined that the processing stoppage has been set, the movement of the drive mechanism 31 by the processing program 71, the resist coating processing by the respective coating processing units 11a to 11c, and the resist coating apparatus 1 ), And the alarm generation unit 79 generates a process stop alarm. The processing program 71 also stores the occurrence time of the processing stop alarm in the second memory 73. [ Then, based on the generation time of the current process stop alarm and the warning alarm occurrence time and process stop alarm occurrence time stored in the second memory 73 in the past, similarly to step S4, And displays it on the display unit 76 (step S10). The user performs maintenance of the resist applicator 1 on the basis of the process stop alarm and stops the generation of the alarm (step S11), and performs an operation to resume normal processing through the operation unit 75 (step S11).

단계(S9)에서 처리 정지의 설정이 이루어지지 않았다고 판정된 경우에는 단계(S5) 이후의 처리가 실시된다. 또한, 단계(S1)에서 진동 검출 신호가 제 1 임계치보다 낮다고 판정된 경우 및 단계(S2)에서 드라이버(38)로부터 출력된 이동 신호가 기준치라고 판정된 경우, 통상적인 레지스트 도포 처리가 계속된다(단계(S12)).If it is determined in step S9 that the setting of the process stop is not made, the processes after step S5 are performed. Further, when it is determined in step S1 that the vibration detection signal is lower than the first threshold value, and when it is determined in step S2 that the movement signal output from the driver 38 is the reference value, the normal resist coating process is continued Step S12).

그리고, 처리 프로그램(71)은 단계(S4) 및 단계(S10)에서 연산된 이상 알람 발생 예상 시기가 가까워지면 메인터넌스 추천 시기가 왔음을 고지하는 고지용 알람을 알람 발생부(79)에 의해 발생시킨다. 유저는 이 알람에 기초하여 장치(1)의 메인터넌스를 행할 수 있다. 기술한 바와 같이, 단계(S3)가 실행되면 진동 검출 신호의 전압치가 기억되고, 이 전압치는 표시부(76)에 표시된다. 이 전압치는 진동 센서(57)가 검출한 배관의 진동량에 대응되므로 메인터넌스를 행할 때에 적절하게 유저에 의해 참조된다.Then, the processing program 71 causes the alarm generating unit 79 to generate a warning alarm for notifying that the maintenance recommendation time has come when the estimated alarm occurrence time calculated in steps S4 and S10 is near. The user can perform maintenance of the device 1 based on this alarm. As described, when the step S3 is executed, the voltage value of the vibration detection signal is stored, and the voltage value is displayed on the display unit 76. [ Since this voltage value corresponds to the vibration amount of the pipe detected by the vibration sensor 57, it is appropriately referred to by the user when maintenance is performed.

또한, 예를 들어 단계(S3)가 실행되면, 상기 시각에 장치로 반입되어 있는 웨이퍼(W) 및 상기 시각 이후에 장치로 반입된 웨이퍼(W)의 ID가 제 2 메모리(73)에 기억된다. 이 웨이퍼(W)의 ID의 기억은, 예를 들면 단계(S7)에서 노즐 배스로의 약액 토출 처리가 행해지거나, 단계(S8)에서 소정의 시간이 경과되어 경고 알람이 정지하거나, 혹은 단계(S10)에서 장치의 처리 정지가 행해질 때까지 계속되며, 기억된 웨이퍼(W)의 ID는 표시부(76)에 표시된다. 유저는 레지스트 도포 후에 행해지는 검사 공정에서 이처럼 표시부(76)에 표시된 웨이퍼의 ID에 기초하여 웨이퍼(W)를 선택하여 검사할 수 있다.Further, for example, when the step S3 is executed, the IDs of the wafers W carried into the apparatus at the time and the wafers W carried into the apparatus after the time are stored in the second memory 73 . The ID of the wafer W is stored, for example, when the chemical liquid discharge process to the nozzle bath is performed in step S7, the warning alarm is stopped after a predetermined time elapses in step S8, S10), and the ID of the wafer W thus stored is displayed on the display unit 76. [0051] The user can select and inspect the wafer W based on the ID of the wafer displayed on the display unit 76 in the inspection process performed after the application of the resist.

상기의 실시예에 따르면, 배관에 진동 검출부(53)를 설치하여 구동 기구(31)가 횡방향으로 이동하고 있을 때에 그 진동 센서(57)의 검출 결과에 기초하여 경고 알람을 발생시켜 유저의 주의를 촉구하거나, 처리 정지 알람을 발생시키고 또한 레지스트 도포 처리를 정지시킬 수 있다. 따라서, 집합 노즐(40)이 각 도포 처리부(11a ~ 11c) 상을 이동함에 있어서, 웨이퍼(W) 또는 스핀 척(12a ~ 12c)에 약액이 적하되어 정상적인 처리가 방해되거나 파티클이 되는 것이 억제된다. 그 결과로서 제품의 수율의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 통상적인 레지스트 도포 처리 시에 집합 노즐(40)을 지지하는 암(33)의 움직임은 이 진동 검출부(53)에 의한 배관(43, 44)의 진동의 검출에 따른 영향을 받지 않기 때문에, 이러한 배관의 진동의 감시를 행함에 따른 스루풋의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 이 실시예에서는 배관(43, 44)을 2 개의 외측 관(51)으로 묶어 이들 외측 관(51) 상에 진동 센서(57)를 설치함으로써, 각 배관(43, 44)의 진동을 하나의 진동 센서(57)에 의해 일괄적으로 감시하고 있다. 이러한 구성으로 함으로써 사용하는 노즐의 수에 상관 없이 하나의 레지스트 도포 장치(1)에 진동 센서(57)를 1 개만 설치하면 되기 때문에, 장치의 구성 부품 수의 증가를 억제할 수 있다. 또한, 상기의 실시예에서는 기부(30)로부터 떠 있는 외측 관(51)에 진동 검출부(53)가 설치됨으로써 그 진동 검출의 감도가 높게 구성되어 있기 때문에 바람직하다.According to the above embodiment, the vibration detecting portion 53 is provided in the piping to generate a warning alarm based on the detection result of the vibration sensor 57 when the driving mechanism 31 is moving in the lateral direction, Or a process stop alarm may be generated and the resist coating process may be stopped. Therefore, when the collecting nozzle 40 is moved on each of the coating processing units 11a to 11c, the chemical liquid is dropped to the wafer W or the spin chucks 12a to 12c to inhibit normal processing from being obstructed or become a particle . As a result, the lowering of the yield of the product can be suppressed. The movement of the arm 33 supporting the collecting nozzle 40 during the ordinary resist coating process is not affected by the detection of the vibration of the pipes 43 and 44 by the vibration detecting unit 53, It is possible to suppress deterioration of the throughput as a result of monitoring the vibration of the pipe. In this embodiment, the pipes 43 and 44 are bundled by the two outer pipes 51 and the vibration sensor 57 is provided on the outer pipe 51. By vibrating the pipes 43 and 44, And is monitored by the vibration sensor 57 of the main body. With this configuration, since only one vibration sensor 57 is required to be provided in one resist applicator 1 irrespective of the number of nozzles to be used, an increase in the number of component parts of the apparatus can be suppressed. Further, in the above embodiment, the vibration detecting portion 53 is provided on the outer tube 51 floating from the base 30, so that the sensitivity of the vibration detection is high.

또한, 상기의 실시예에서는 이상이 일어나는 주기를 산출하고, 이 주기에 기초하여 이상이 발생할 예상 시기를 산출하여, 이 시기가 가까워지면 레지스트 도포 장치(1)의 메인터넌스 추천 시기에 이르렀음을 나타내는 고지용 알람이 출력된다. 따라서, 유저는 적정한 메인터넌스 타이밍을 알 수 있다.In the above-described embodiment, a cycle in which an abnormality occurs is calculated, and a predicted timing for occurrence of an abnormality is calculated on the basis of this cycle. When the time comes close to this period, An alarm is output. Therefore, the user can know the proper maintenance timing.

그런데, 배관의 진동이 쉽게 일어나는 원인으로서, 배관을 구성하는 재질의 열화에 따른 배관의 강도 또는 가요성의 변화가 있다. 그래서, 예를 들면 유저는 임의의 기간을 조작부(75)를 통해 설정하고, 이 기간에 대하여 제 2 메모리(73)에 기억할 수 있도록 되어 있다. 그리고, 상기와 같이 산출되는 이상 알람 발생 주기가 이 설정된 기간보다 짧아지면, 배관(43, 44)의 교환 및 장치의 메인터넌스를 촉구하기 위한 알람이 알람 발생부(79)로부터 출력되도록 해도 좋다.Incidentally, there is a change in the strength or flexibility of the pipe due to deterioration of the material constituting the pipe. Thus, for example, the user can set an arbitrary period through the operation unit 75 and store the period in the second memory 73. When the abnormal alarm generation period calculated as described above becomes shorter than the set period, an alarm for urging the replacement of the pipes 43 and 44 and the maintenance of the apparatus may be outputted from the alarm generating unit 79.

(제 2 실시예)(Second Embodiment)

이어서, 제 2 실시예에 대하여 제 1 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다. 도 15는 제 2 실시예의 제어부(7)의 구성을 도시하고 있다. 이 제어부(7)는 카메라(36)에 의해 촬상된 화상을 해석하는 해석 프로그램(7A)을 구비하고 있으며, 통상적으로 해석 프로그램(7A)은 처리를 정지하고 있다. 또한, 제어부(7)는, 예를 들면 암(33)의 선단측에서 봤을 때 왼쪽으로부터 차례로 No. 1, No. 2, … No. 11과 같이, 노즐 번호를 부여하고, 이 번호마다, 후술하는 바와 같이, 이상 알람의 발생 시각을 관리하고 있다. 이 제 2 실시예에서는 검출된 진동이 제 1 임계치 이상이 될 때마다 집합 노즐(40)의 선단의 화상 해석을 행하여, 액 맺힘 및 액적 낙하를 검출하여 노즐마다 이상 알람 발생 예상 시기를 관리한다.Next, the second embodiment will be described mainly on the difference from the first embodiment. Fig. 15 shows the configuration of the control unit 7 of the second embodiment. The control unit 7 includes an analysis program 7A for analyzing an image captured by the camera 36, and the analysis program 7A normally stops the process. In addition, the control unit 7 controls the position of the arm 33 in the order from the left when viewed from the front end side of the arm 33, for example. 1, No. 2, … No. 11, a nozzle number is assigned, and the generation time of the abnormality alarm is managed for each of these numbers, as described later. In this second embodiment, every time the detected vibration becomes equal to or greater than the first threshold value, the image analysis of the tip end of the collecting nozzle 40 is performed to detect liquid condensation and droplet dropping,

도 16의 순서도를 참조하여 제 2 실시예의 처리 공정에 대하여 설명한다. 먼저, 제 1 실시예의 단계(S1)와 마찬가지로 진동 검출 신호의 전압이 제 1 임계치 이상인지 판정하고(단계(T1)), 단계(T1)에서 제 1 임계치 이상이라고 판정된 경우, 단계(S2)와 마찬가지로 이동 신호의 전압이 기준치인지 아닌지의 판정이 행해진다(단계(T2)). 단계(T2)에서 상기 이동 신호가 기준치가 아니라고 판정된 경우, 해석 프로그램(7A)이 기동된다(단계(T3)). 기동된 해석 프로그램(7A)은 제 2 메모리(73)에 기억된 화상에 기초하여 액 맺힘 및 액적 낙하를 일으키고 있는 노즐이 있는지 없는지를 판정한다(단계(T4)). 상기 화상에 의한 판정 후, 해석 프로그램(7A)은 그 동작을 정지한다. 액 맺힘 및 액적 낙하를 일으키고 있는 노즐이 있다고 판정된 경우, 단계(S3)와 마찬가지로 처리 프로그램(71)은 상기 진동 검출 신호가 제 2 임계치 이상인지 아닌지를 판정한다(단계(T5)).The processing steps of the second embodiment will be described with reference to the flowchart of Fig. First, it is judged whether or not the voltage of the vibration detection signal is equal to or higher than the first threshold value (step T1) as in step S1 of the first embodiment. If it is judged at step T1 that the voltage is equal to or higher than the first threshold value, It is determined whether or not the voltage of the movement signal is a reference value (step T2). If it is determined in step T2 that the movement signal is not the reference value, the analysis program 7A is started (step T3). Based on the image stored in the second memory 73, the activated analysis program 7A determines whether or not there is a nozzle causing liquid condensation and droplet dropping (step T4). After the determination by the image, the analysis program 7A stops its operation. When it is determined that there is a nozzle causing liquid droplet deposition and droplet dropping, the processing program 71 determines whether or not the vibration detection signal is equal to or larger than the second threshold value (step T5), as in step S3.

단계(T5)에서 제 2 임계치 이상이 아니라고 판정된 경우, 처리 프로그램(71)은 알람 발생부(79)에 의해 경고 알람을 발생시키고, 또한 액 맺힘 및 액적 낙하를 일으켰다고 판정된 노즐 번호와 그 경고 알람의 발생 시각을 대응시켜 기억한다. 그리고, 처리 프로그램(71)은 이 액 맺힘 및 액적 낙하를 일으킨 노즐에 대하여 금회의 경고 알람 발생 시각과 과거에 제 2 메모리(73)에 기억된 경고 알람 발생 시각 및 처리 정지 알람 발생 시각으로부터 이상 알람의 발생 주기 및 다음의 이상 알람 발생 예상 시기를 연산한다. 이들 이상 알람 발생 주기 및 다음의 이상 알람 발생 예상 시기의 산출 방법에 대해서는 제 1 실시예와 동일하나, 제 2 실시예에서는 노즐마다 산출된다. 또한, 제 2 실시예에서는 처리 프로그램(71)에 의해 집합 노즐(40)이 자동으로 임의의 노즐 배스 상으로 이동하여, 액 맺힘 및 액적 낙하가 일어나고 있다고 판정된 노즐로부터 이 노즐 배스로 약액이 토출된다(단계(T6)). 단, 제 1 실시예와 마찬가지로 유저의 조작에 의해 이러한 약액의 토출이 행해져도 좋다.If it is determined in step T5 that the difference is not equal to or more than the second threshold value, the processing program 71 causes the alarm generating unit 79 to generate a warning alarm, and further determines the nozzle number determined to have caused liquid- And stores the alarm alarm occurrence time in correspondence. Then, the processing program 71 determines whether or not an abnormality alarm has occurred from the current warning alarm occurrence time and the warning alarm occurrence time and the processing stop alarm occurrence time stored in the second memory 73, And the next expected alarm occurrence time is calculated. The calculation method of the abnormal alarm occurrence period and the next abnormal alarm occurrence expected period is the same as that of the first embodiment, but is calculated for each nozzle in the second embodiment. In the second embodiment, the collecting nozzle 40 is automatically moved to an arbitrary nozzle bass by the processing program 71, and the liquid is ejected from the nozzle determined to be liquid-filled and dropping to the nozzle bath (Step T6). However, as in the first embodiment, such chemical liquid may be discharged by the user's operation.

단계(T5)에서 제 2 임계치 이상이라고 판정된 경우, 처리 프로그램(71)은 유저에 의해 처리 정지가 선택되어 있는지 아닌지를 판정하여(단계(T7)), 처리 정지가 선택되어 있지 않다고 판정된 경우, 상기 단계(T6)가 실시된다. 또한, 단계(T7)에서 처리 정지가 선택되어 있다고 판정된 경우, 처리 프로그램(71)은 제 1 실시예의 단계(S10)와 마찬가지로 처리 정지를 행하고 알람 발생부(79)에 의해 처리 정지 알람을 발생시킨다. 그리고, 액 맺힘 및 액적 낙하를 일으켰다고 판정된 노즐 번호와 그 처리 정지 알람의 발생 시각을 대응시켜 기억한다. 그리고, 단계(T6)와 마찬가지로 처리 프로그램(71)은 이 액 맺힘 및 액적 낙하를 일으킨 노즐에 대하여 금회의 처리 정지 알람 발생 시각과 과거에 제 2 메모리(73)에 기억된 이상 알람 발생 시각으로부터 이상 알람의 발생 주기 및 다음의 이상 알람의 발생 예상 시기를 연산한다(단계(T8)). 단계(T1)에서 진동 검출 신호의 전압이 제 1 임계치 이상이 아니라고 판정된 경우, 단계(T2)에서 이동 신호의 전압이 기준치라고 판정된 경우 및 단계(T4)에서 액 맺힘 및 액적 낙하를 일으키고 있는 노즐이 없다고 판정된 경우에는 통상적인 레지스트 도포 처리가 속행된다(단계(T9)).If it is determined in step T5 that the difference is equal to or greater than the second threshold value, the processing program 71 determines whether or not the processing stop is selected by the user (step T7). If it is determined that the processing stop is not selected , The above step (T6) is performed. If it is determined in step T7 that the process stop has been selected, the process program 71 performs the process stop process similarly to step S10 of the first embodiment and generates a process stop alarm by the alarm generating unit 79 . Then, the nozzle number determined to have caused liquid condensation and droplet drop is stored in association with the occurrence time of the process stop alarm. Then, as in step T6, the processing program 71 determines whether or not an abnormality has occurred in the current process stop alarm occurrence time with respect to the nozzle causing this liquid deposition and droplet drop, and the abnormality alarm occurrence time stored in the second memory 73 in the past An alarm occurrence cycle and a next expected alarm occurrence time are calculated (step T8). When it is determined in step T1 that the voltage of the vibration detection signal is not equal to or higher than the first threshold value and when the voltage of the movement signal is determined to be the reference value in step T2 and when the voltage is on in step T4, If it is determined that there is no nozzle, a normal resist coating process is continued (step T9).

그리고, 제 1 실시예와 동일하게 산출된 다음의 이상 알람 발생 예상 시기가 가까워지면, 처리 프로그램(71)은 메인터넌스 고지용 알람을 출력한다. 이 제 2 실시예에서는 노즐마다 이상 알람 발생 예상 시기를 구하고 있으므로, 노즐마다 그 메인터넌스 고지용 알람이 출력된다. 따라서, 유저는 이 고지된 노즐에 대응된 약액 공급 배관(43, 44)의 상태의 확인을 행할 수 있다.When the next abnormal alarm occurrence estimated time calculated in the same manner as in the first embodiment is near, the processing program 71 outputs an alarm for maintenance notification. In this second embodiment, since an abnormality alarm expected timing is determined for each nozzle, an alarm for the maintenance notification is output for each nozzle. Therefore, the user can confirm the state of the chemical liquid supply piping 43, 44 corresponding to the notified nozzle.

이 제 2 실시예에서도 제 1 실시예와 마찬가지로 수율의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 상기의 실시예에서는 구동 기구(31)의 이동 시에 진동 검출부로부터의 진동 검출 신호가 소정의 값보다 커졌을 때에만, 즉 배관의 진동량이 소정의 값보다 커졌을 때에만 해석 프로그램(7A)이 동작하여 카메라(36)로부터 제어부(7)로 송신된 화상의 해석이 행해진다. 따라서, 해석 프로그램(7A)을 실행하는 것에 따른 CPU(74)의 부하를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한 제 1 실시예에서 설명한 배관의 교환을 촉구하기 위한 알람을 발생시키는 방법은 제 2 실시예에도 적용할 수 있다. 이 경우, 제 2 실시예에서는 노즐마다 이상 알람 발생 주기를 산출하고 있으므로, 노즐마다 메인터넌스 추천 시기를 알리는 고지용 알람이 출력된다.Similar to the first embodiment, the second embodiment can suppress a reduction in the yield. In the embodiment described above, only when the vibration detection signal from the vibration detecting section is larger than a predetermined value at the time of moving the drive mechanism 31, that is, when the vibration amount of the pipe becomes larger than the predetermined value, the analysis program 7A And the image transmitted from the camera 36 to the control unit 7 is analyzed. Therefore, it is preferable because the load on the CPU 74 due to execution of the analysis program 7A can be suppressed. The method of generating an alarm for urging the replacement of the piping described in the first embodiment is also applicable to the second embodiment. In this case, in the second embodiment, since the abnormality alarm generation period is calculated for each nozzle, a warning alarm for notifying the maintenance recommendation timing for each nozzle is outputted.

제 1 실시예 및 제 2 실시예에서, 카메라(36)에 대하여 상기의 예에서는 이상 발생 시에 신속하게 촬상을 행하기 위하여 레지스트 도포 처리 중에는 항상 전원이 온(on)으로 되어 있으며, 화상 데이터는 상시 제어부(7)로 송신되고 있다. 그러나, 단계(S2) 및 단계(T2)에서 이동 신호가 기준치가 아니라고 판정된 경우, 즉 구동 기구(31)가 횡방향으로 이동 중에 배관이 소정량 이상 진동했다고 판정되었을 때에만 전원이 온으로 되어 제어부(7)로의 화상 데이터의 송신이 행해져도 좋다. 또한, 각 실시예에서 각 노즐 배스 및 도포 처리부는 상기와 같이 직선 방향이 아니라 둘레 방향으로 배열되어 집합 노즐(40)을 지지한 암(33)이 이 배열 방향으로 이동하는 구성이어도 좋다. 또한, 상기의 실시예에서는 복수의 노즐에 의해 구성된 집합 노즐을 이용하고 있으나, 노즐이 한 개인 액처리 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다. 한 개만 설치되어 소정의 약액을 공급하는 구성이어도 좋다. 배관(43, 44)은 외측 관에 의해 피복 되지 않고 이들 배관(43, 44)에 직접 진동 센서(57)가 설치되어 있어도 좋다.In the first embodiment and the second embodiment, in the example described above, power is always turned on during the resist coating process in order to quickly perform imaging in the above example, And is transmitted to the always-on control unit 7. However, when it is determined in steps S2 and T2 that the movement signal is not the reference value, that is, when the drive mechanism 31 determines that the pipe has oscillated by more than a predetermined amount during the movement in the lateral direction, Transmission of image data to the control section 7 may be performed. Further, in each of the embodiments, each of the nozzle bushes and the coating processing unit may be arranged so that the arms 33 supporting the collecting nozzles 40 are arranged in the circumferential direction, not in the linear direction, as described above. Although the collecting nozzles constituted by a plurality of nozzles are used in the above embodiment, the present invention can also be applied to a liquid processing apparatus having only one nozzle. And only one of them may be provided to supply a predetermined chemical liquid. The pipes 43 and 44 may not be covered by the outer pipe and the vibration sensors 57 may be provided directly on these pipes 43 and 44.

이하, 상기의 레지스트 도포 장치(1)가 탑재된 도포 현상 장치(110)에 대하여 설명한다. 도 17은 도포 현상 장치(110)에 노광 장치(C4)가 접속된 레지스트 패턴 형성 시스템의 평면도를 도시하고 있고, 도 18은 이 시스템의 사시도이다. 또한, 도 19는 도포 현상 장치(110)의 종단면도이다. 이 도포 현상 장치(110)에는 캐리어 블록(C1)이 설치되어 있고, 그 재치대(111) 상에 재치된 밀폐형의 캐리어(C)로부터 전달 암(112)이 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(C2)으로 전달한다. 또한, 처리 블록(C2)으로부터 전달 암(112)이 처리 완료 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(C)로 되돌리도록 구성되어 있다. 캐리어(C)는 다수 매의 웨이퍼(W)를 포함하며, 각 웨이퍼(W)는 차례로 처리 블록(C2)으로 반송된다.Hereinafter, the coating and developing apparatus 110 on which the resist coating apparatus 1 described above is mounted will be described. 17 is a plan view of a resist pattern forming system in which an exposure apparatus C4 is connected to a coating and developing apparatus 110, and Fig. 18 is a perspective view of this system. 19 is a longitudinal sectional view of the coating and developing apparatus 110. Fig. The coating and developing apparatus 110 is provided with a carrier block C1 and the transfer arm 112 takes out the wafer W from the closed type carrier C placed on the mounting table 111, (C2). The transfer arm 112 is configured to receive the processed wafer W from the processing block C2 and return it to the carrier C. [ The carrier C includes a plurality of wafers W, and each wafer W is conveyed in turn to the processing block C2.

상기 처리 블록(C2)은, 도 18에 도시한 바와 같이, 이 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제 1 블록(DEV층)(B1), 레지스트막의 하층의 반사 방지막의 형성을 행하기 위한 제 2 블록(BCT층)(B2), 레지스트막의 도포를 행하기 위한 제 3 블록(COT층)(B3), 레지스트막의 상층에 형성되는 보호막의 형성을 행하기 위한 제 4 블록(ITC층)(B4)을 아래에서부터 차례로 적층하여 구성되어 있다.18, the processing block C2 includes a first block (DEV layer) B1 for performing development processing in this example, a second block (DEV layer) for forming a lower anti- A third block (COT layer) B3 for applying a resist film, a fourth block (ITC layer) B4 for forming a protective film formed on the upper layer of the resist film, Are stacked in order from the bottom.

처리 블록(C2)의 각 층은 평면에서 봤을 때와 동일하게 구성되어 있다. 제 3 블록(COT층)(B3)을 예로 들어 설명하면, COT층(B3)은 도포막으로서 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 모듈(113)과, 이 레지스트 도포 모듈(113)에서 행해지는 처리의 전 처리 및 후 처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 모듈(U1 ~ U4)을 구비하고 있다. 또한, COT층(B3)은 상기 레지스트 도포 모듈과 가열·냉각계의 처리 모듈군의 사이에 설치되어 이들 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 암(A3)을 구비하고 있다. 이 레지스트 도포 모듈(113)이 기술한 레지스트 도포 장치(1)에, 반송 암(A3)이 기술한 기판 반송 수단에 상당한다.Each layer of the processing block C2 is constructed in the same manner as seen in the plan view. The COT layer B3 includes a resist coating module 113 for forming a resist film as a coating film and a resist coating module 113 for forming a resist film before the processing performed in the resist coating module 113. [ And shelf modules U1 to U4 constituting a group of processing modules of a heating and cooling system for performing processing and post-processing. The COT layer B3 is provided between the resist coating module and the processing module group of the heating and cooling system and includes a transfer arm A3 for transferring the wafer W therebetween. This resist coating module 113 corresponds to the resist coating device 1 and corresponds to the substrate transporting means described for the transport arm A3.

상기 선반 모듈(U1 ~ U4)은 반송 암(A3)이 이동하는 반송 영역(R1)을 따라 배열되며, 각각 상기의 가열 모듈, 냉각 모듈이 적층됨으로써 구성된다. 가열 모듈은 재치된 웨이퍼를 가열하기 위한 가열판을 구비하고 있고, 냉각 모듈은 재치된 웨이퍼를 냉각하기 위한 냉각판을 구비하고 있다.The shelf modules U1 to U4 are arranged along the transport region R1 in which the transport arm A3 moves and are formed by stacking the heating module and the cooling module. The heating module is provided with a heating plate for heating the mounted wafer, and the cooling module is provided with a cooling plate for cooling the mounted wafer.

제 2 블록(BCT층)(B2), 제 4 블록(ITC층)(B4)에 대해서는 상기 레지스트 도포 모듈에 상당하는 반사 방지막 형성 모듈, 보호막 형성 모듈이 각각 설치되어 있다. 이들 모듈에서 레지스트 대신에 도포액으로서 반사 방지막 형성용의 약액, 보호막 형성용의 약액이 각각 웨이퍼(W)로 공급되는 것을 제외하면 COT층(B3)과 동일한 구성이다.(BCT layer) B2 and the fourth block (ITC layer) B4 are provided with an antireflection film forming module and a protective film forming module corresponding to the resist coating module, respectively. In these modules, the structure is the same as that of the COT layer B3 except that a chemical solution for forming an antireflection film and a chemical solution for forming a protective film are supplied as a coating liquid to the wafer W, respectively, instead of the resist.

제 1 블록(DEV층)(B1)에 대해서는 하나의 DEV층(B1) 내에 레지스트 도포 모듈에 대응되는 현상 모듈이 2 단으로 적층되어 있다. 각 현상 모듈은 공통의 하우징 내에 3 대의 현상 처리부 또는 각 노즐을 포함하고 있다. 또한, DEV층(B1)에는 이 현상 모듈의 전 처리 및 후 처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 모듈(U1 ~ U4)이 설치되어 있다. 그리고, DEV층(B1) 내에는 이들 2 단의 현상 모듈과 상기 가열·냉각계의 처리 모듈로 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 암(A1)이 설치되어 있다. 즉, 2 단의 현상 모듈에 대하여 반송 암(A1)이 공통화되어 있는 구성으로 되어 있다.In the first block (DEV layer) B1, the developing modules corresponding to the resist coating modules are laminated in two stages in one DEV layer B1. Each developing module includes three development processing sections or nozzles in a common housing. The DEV layer B1 is provided with shelf modules U1 to U4 constituting a processing module group of a heating and cooling system for performing the pre-processing and post-processing of the developing module. In the DEV layer B1, these two stages of development modules and a transfer arm A1 for transferring the wafers W to the processing module of the heating and cooling system are provided. That is, the transfer arm A1 is made common to the two-stage development modules.

또한, 처리 블록(C2)에는, 도 17 및 도 19에 도시한 바와 같이, 선반 모듈(U5)이 설치되고, 캐리어 블록(C1)으로부터의 웨이퍼(W)는 상기 선반 모듈(U5) 중 하나의 전달 모듈, 예를 들면 제 2 블록(BCT층)(B2)의 대응되는 전달 모듈(CPL2)로 차례로 반송된다. 제 2 블록(BCT층)(B2) 내의 반송 암(A2)은 이 전달 모듈(CPL2)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 각 모듈(반사 방지막 형성 모듈 및 가열·냉각계의 처리 모듈군)로 반송하고, 이들 모듈에서 웨이퍼(W)에는 반사 방지막이 형성된다.17 and 19, a lathe module U5 is provided in the processing block C2 and a wafer W from the carrier block C1 is mounted on one of the shelf modules U5 To the corresponding transfer module CPL2 of the transfer module, for example the second block (BCT layer) B2. The transfer arm A2 in the second block (BCT layer) B2 receives the wafer W from the transfer module CPL2 and transfers the wafer W to the respective modules (anti-reflection film forming module and heating / And an anti-reflection film is formed on the wafer W in these modules.

그 후, 웨이퍼(W)는 선반 모듈(U5)의 전달 모듈(BF2), 전달 암(D1), 선반 모듈(U5)의 전달 모듈(CPL3)로 차례로 반송되고, 거기서 예를 들면 23℃로 온도 조정된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 반송 암(A3)에 의해 제 3 블록(COT층)(B3)으로 반입되고, 레지스트 도포 모듈에서 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트막이 형성된다. 또한, 웨이퍼(W)는 반송 암(A3) → 선반 모듈(U5)의 전달 모듈(BF3) → 전달 암(D1)을 거쳐 선반 모듈(U5)에서의 전달부(115)로 전달된다. 또한, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 제 4 블록(ITC층)(B4)에서 추가로 보호막이 형성되는 경우도 있다. 이 경우에, 웨이퍼(W)는 전달 모듈(CPL4)에 의해 반송 암(A4)으로 전달되고 보호막이 형성된 후에 반송 암(A4)에 의해 전달 모듈(TRS4)로 전달된다.Thereafter, the wafer W is conveyed in order to the transfer module BF2 of the lathe module U5, the transfer arm D1, and the transfer module CPL3 of the lathe module U5, . Thereafter, the wafer W is carried into the third block (COT layer) B3 by the transfer arm A3, and a resist film is formed on the surface of the wafer W in the resist coating module. The wafer W is transferred to the transfer section 115 in the lathe module U5 via the transfer arm A3, the transfer module BF3 of the lathe module U5, and the transfer arm D1. Further, the wafer W on which the resist film is formed may be further formed with a protective film in the fourth block (ITC layer) B4. In this case, the wafer W is transferred to the transfer arm A4 by the transfer module CPL4, and after the protective film is formed, transferred to the transfer module TRS4 by the transfer arm A4.

한편, DEV층(B1) 내의 상부에는 선반 모듈(U5)에 설치된 전달부(115)로부터 선반 모듈(U6)에 설치된 전달부(116)로 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용의 반송 수단인 셔틀(117)이 설치되어 있다. 레지스트막 또는 추가로 보호막이 형성된 웨이퍼(W)는 전달 암(D1)에 의해 전달 모듈(BF3, TRS4)로부터 전달부(115)로 전달되고, 여기로부터 셔틀(117)에 의해 선반 모듈(U6)의 전달부(116)로 직접 반송되어 인터페이스 블록(C3)으로 운반되게 된다. 또한, 도 19 중에 CPL이 부여되어 있는 전달 모듈은 온도 조절용의 냉각 모듈을 겸하고 있고, BF가 부여되어 있는 전달 모듈은 복수 매의 웨이퍼(W)를 재치 가능한 버퍼 모듈을 겸하고 있다.On the other hand, an upper portion of the DEV layer B1 is provided with a dedicated conveying means for directly conveying the wafer W from the transfer portion 115 provided on the shelf module U5 to the transfer portion 116 provided on the shelf module U6 A shuttle 117 is provided. The wafer W on which the resist film or the protective film is formed is transferred from the transfer modules BF3 and TRS4 to the transfer section 115 by the transfer arm D1 and is transferred from the transfer modules BF3 and TRS4 to the shelf module U6 by the shuttle 117. [ And then transferred to the interface block C3. In Fig. 19, the transfer module to which the CPL is attached serves also as a cooling module for controlling the temperature, and the transfer module to which the BF is attached also serves as a buffer module capable of placing a plurality of wafers W thereon.

이어서, 웨이퍼(W)는 인터페이스 암(118)에 의해 노광 장치(C4)로 반송되어 여기서 소정의 노광 처리가 행해진 후, 선반 모듈(U6)의 전달 모듈(TRS6)에 재치되어 처리 블록(C2)으로 되돌려진다. 되돌려진 웨이퍼(W)는 제 1 블록(DEV층)(B1)에서 현상 처리가 행해지고, 반송 암(A1)에 의해 선반 모듈(U5)의 전달 모듈(TRS1)로 전달된다. 그 후, 전달 암(112)에 의해 캐리어(C)로 되돌려진다.The wafer W is transferred to the exposure apparatus C4 by the interface arm 118 and subjected to predetermined exposure processing thereon and thereafter placed on the transfer module TRS6 of the lathe module U6, Lt; / RTI > The wafer W thus returned is subjected to development processing in the first block (DEV layer) B1 and transferred to the transfer module TRS1 of the shelf module U5 by the transfer arm A1. And then returned to the carrier C by the transfer arm 112. [

본 발명의 액처리 장치를 상기의 예에서는 레지스트 도포 장치로서 구성하였으나, 예를 들면 이 도포 현상 장치(1)에 설치된 현상 모듈, 반사 방지막 형성 모듈로서 구성하고, 레지스트 대신에 각 모듈에 대응되는 약액을 토출하는 것이어도 좋다. 또한, 그 외의 처리액을 기판으로 공급하는 장치로서 본 발명을 구성해도 좋다.Although the liquid processing apparatus of the present invention is constructed as a resist coating apparatus in the above example, for example, it may be configured as a developing module and an anti-reflection film forming module provided in the coating and developing apparatus 1, May be dispensed. Further, the present invention may be configured as an apparatus for supplying another treatment liquid to a substrate.

(평가 시험)(Evaluation test)

상기의 제 1 실시예의 레지스트 도포 장치(1)와, 진동 센서(57)를 지지부(56)에 설치하는 대신에 고정부(52)에 설치한 참조 장치에서, 진동 검출 신호의 파형의 비교를 행하였다. 도 20은 이들 신호의 파형을 나타내고 있다. 참조 장치의 파형은 그래프를 보기 쉽게 하기 위하여 제 1 실시예의 레지스트 도포 장치(1)의 파형에 대하여 상측으로 이동시켜 그렸으나, 진동을 검출하지 않은 경우에는 모든 출력이 0 V이다. 그래프 중에는 화살표로 구동 기구(31)를 횡방향으로 이동시킨 구간을 나타내고 있다. 이 그래프로부터 명확한 바와 같이 제 1 실시예의 레지스트 도포 장치(1)에서는 참조 장치에 비해 S / N 비가 커서 배관의 진동의 변화가 명확하게 나타나 있다. 따라서, 상기의 실시예와 같이 진동 센서(57)를 고정부(52)의 상류측에 설치하는 것이 효과적이다.The waveform of the vibration detection signal is compared in the reference device provided in the fixing part 52 instead of the resist coating device 1 and the vibration sensor 57 in the supporting part 56 of the first embodiment Respectively. Fig. 20 shows waveforms of these signals. In order to make the graph easy to see, the waveform of the reference device is drawn and moved upward with respect to the waveform of the resist coating device 1 of the first embodiment, but all outputs are 0 V when no vibration is detected. In the graph, a section in which the drive mechanism 31 is moved in the lateral direction is indicated by an arrow. As is evident from this graph, in the resist coating device 1 of the first embodiment, the S / N ratio is larger than that of the reference device, and the change in vibration of the pipe is clearly shown. Therefore, it is effective to provide the vibration sensor 57 on the upstream side of the fixing portion 52 as in the above embodiment.

1 : 레지스트 도포 장치
11a ~ 11c : 도포 처리부
12a ~ 12c : 스핀 척
21a ~ 21c : 컵
29 : 노즐 배스
3 : 레지스트 공급부
31 : 구동 기구
33 : 암
40 : 집합 노즐
41 : 레지스트 토출 노즐
42 : 시너 토출 노즐
43, 44 : 약액 공급 배관
51 : 외측 관
52 : 고정부
53 : 진동 검출부
7 : 제어부
71 : 처리 프로그램1: Resist coating device
11a to 11c:
12a to 12c:
21a to 21c: cup
29: Nozzle Bath
3: Resist Supply Unit
31:
33: Cancer
40: Assembly nozzle
41: resist ejection nozzle
42: Thinner discharge nozzle
43, 44: chemical liquid supply piping
51: outer tube
52:
53:
7:
71: Processing program

Claims (14)

서로 횡방향으로 일렬로 배치되며, 상측에 개구부가 형성된 컵 내에 기판을 수평하게 보지(保持)하는 기판 보지부를 설치하여 구성된 복수의 액처리부와,
상기 복수의 액처리부에 대하여 공용화되어, 상기 기판 보지부에 보지된 기판으로 처리액을 공급하기 위하여 지지체에 설치된 처리액 노즐과,
상기 처리액 노즐을 대기시키기 위하여 설치된 노즐 배스(bath)와,
상기 액처리부의 상방 영역과 상기 노즐 배스와의 사이에서, 상기 지지체를 개재하여 각 처리액 노즐을 이동시키기 위한 지지체 구동 기구와,
처리액 노즐로 처리액을 공급하기 위한 플렉서블한 처리액 통류 부재와,
상기 처리액 통류 부재를 그 하류측이 상기 지지체 구동 기구의 이동에 따라 이동하고, 그 상류측이 상기 지지체 구동 기구의 이동에 따라 이동하지 않도록 상기 액처리부에 대하여 그 위치를 고정시키는 고정부와,
상기 처리액 통류 부재에 상기 고정부보다 상류측에 설치되며, 상기 처리액 통류 부재의 진동을 검출하여 상기 진동에 따라 검출 신호를 출력하는 진동 센서와,
상기 진동 센서로부터의 검출 신호에 기초하여 처리액 노즐로부터의 처리액의 액 맺힘 및 적하에 대한 대처 동작을 행하는 대처 수단
을 구비한 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
A plurality of liquid processing units arranged in a line in a transverse direction and provided with a substrate holding unit for horizontally holding a substrate in a cup having an opening formed on an upper side thereof,
A treatment liquid nozzle provided in the support for supplying the treatment liquid to the substrate held in the substrate holding portion and shared by the plurality of liquid treatment portions,
A nozzle bath provided for waiting the treatment liquid nozzle,
A supporting body driving mechanism for moving the respective processing liquid nozzles through the support body between an upper region of the liquid processing unit and the nozzle bush,
A flexible processing liquid flow-through member for supplying the processing liquid to the processing liquid nozzle,
A fixing unit for moving the downstream side of the treatment liquid flow passage member in accordance with the movement of the support body drive mechanism and fixing the position of the upstream side of the treatment liquid flow passage member to the liquid treatment section so that the upstream side thereof does not move in accordance with the movement of the support body drive mechanism,
A vibration sensor provided on the treatment liquid flow-through member at a position upstream of the fixed portion and detecting a vibration of the treatment liquid flow-through member and outputting a detection signal in accordance with the vibration;
And a coping means for performing liquid-depositing of the processing liquid from the processing liquid nozzle and coping with dropping based on the detection signal from the vibration sensor
And the liquid processing apparatus.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 처리액 노즐은 상기 액처리부의 배열 방향을 따라 복수 설치되고, 각 처리액 노즐에 상기 처리액 통류 부재가 접속되어 있고, 복수의 처리액 통류 부재를 둘러싸는 외측 관이 설치되며, 상기 진동 센서는 상기 외측 관에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein a plurality of the processing liquid nozzles are provided along the arrangement direction of the liquid processing units, the processing liquid communication member is connected to each of the processing liquid nozzles, an outer tube surrounding the plurality of processing liquid communication members is provided, Is installed in the outer tube.
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 진동 센서는, 바닥으로부터 떠 있도록 설치된 처리액 통류 부재의 진동을 검출하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method according to claim 1 or 3,
Wherein the vibration sensor detects the vibration of the treatment liquid flow-through member provided so as to float from the floor.
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 대처 수단은 미리 설정된 진동량보다 큰 진동이 검출되었을 때에 알람을 출력하는 알람 발생 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method according to claim 1 or 3,
Wherein the coping means comprises an alarm generating means for outputting an alarm when a vibration larger than a preset vibration amount is detected.
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 대처 수단은 미리 설정된 진동량보다 큰 진동이 검출되었을 때에 지지체 구동 기구의 이동 및 액공급 수단에 의한 처리액 노즐로부터의 처리액의 토출 중 적어도 일방을 정지시키는 정지 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method according to claim 1 or 3,
Characterized in that the coping means is provided with a stop means for stopping at least one of the movement of the support body drive mechanism and the discharge of the process liquid from the process liquid nozzle by the liquid supply means when a vibration larger than a preset vibration amount is detected Liquid processing apparatus.
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 대처 수단은, 각 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 촬상 수단과,
상기 촬상 수단에 의한 촬상 결과에 기초하여 어느 처리액 노즐에 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했는지를 판단하는 판단 수단
을 구비하고, 상기 검출 신호의 출력에 기초하여 판단 수단에 의한 판단이 행해지는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
The method according to claim 1 or 3,
The coping means includes an image pickup means for picking up an end portion of each of the processing liquid nozzles,
Based on a result of imaging by the imaging unit, determination means for determining whether a process liquid is adhered to or dropped from a process liquid nozzle
And the determination by the determination means is performed based on the output of the detection signal.
제 7 항에 있어서,
상기 대처 수단은,
상기 처리액 노즐마다 상기 판단 수단에 의해 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판단된 시각을 기억하는 기억 수단과,
상기 기억된 시각에 기초하여 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생하는 주기를 연산하는 연산 수단
을 구비한 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
8. The method of claim 7,
The coping means comprises:
Storage means for storing a time at which it is determined that the liquid has been formed or dropped by the determination means for each of the processing liquid nozzles;
An arithmetic means for calculating a period in which liquid condensation or dropping of the processing liquid occurs based on the stored time;
And the liquid processing apparatus.
서로 횡방향으로 일렬로 배치되며, 상측에 개구부가 형성된 컵 내에 기판을 수평하게 보지하는 기판 보지부를 설치하여 구성된 복수의 액처리부를 구비하고, 상기 복수의 액처리부에 대하여 공용화되어, 지지체에 설치된 처리액 노즐로부터 기판으로 처리액을 공급하는 공정과,
노즐 배스에 처리액 노즐을 대기시키는 공정과,
지지체 구동 기구에 의해 상기 액처리부의 상방 영역과 상기 노즐 배스와의 사이에서 상기 지지체를 개재하여 처리액 노즐을 이동시키는 공정과,
플렉서블한 처리액 통류 부재를 개재하여 각 처리액 노즐로 각각 처리액을 공급하는 공정과,
진동 센서에 의해 상기 처리액 통류 부재의 진동을 검출하여 상기 진동에 따라 검출 신호를 출력하는 공정과,
상기 검출 신호에 기초하여, 대처 수단에 의해 처리액 노즐로부터의 처리액의 액 맺힘 및 적하에 대한 대처 동작을 행하는 공정
을 구비하되,
상기 처리액 통류 부재는, 그 하류측이 상기 지지체 구동 기구의 이동에 따라 이동하고, 그 상류측이 상기 지지체 구동 기구의 이동에 따라 이동하지 않도록, 고정부에 의해 상기 액처리부에 대하여 그 위치가 고정되어 있고,
상기 진동 센서는 상기 고정부보다 상류측으로서, 상기 처리액 통류 부재에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
And a plurality of liquid processing units which are arranged in a line in a transverse direction and provided with a substrate holding unit for horizontally holding a substrate in a cup in which an opening is formed in an upper side, wherein the plurality of liquid processing units are shared with the plurality of liquid processing units, A step of supplying a treatment liquid from the liquid nozzle to the substrate,
A step of waiting the treatment liquid nozzle on the nozzle bath,
A step of moving the treatment liquid nozzle through the support body between an area above the liquid treatment section and the nozzle bath by a support drive mechanism,
A step of supplying a treatment liquid to each of the treatment liquid nozzles via a flexible treatment liquid flow passage member,
Detecting a vibration of the treatment liquid flow-through member by a vibration sensor and outputting a detection signal in accordance with the vibration;
A step of performing liquid handling of the treatment liquid from the treatment liquid nozzle by the coping means based on the detection signal,
, ≪ / RTI &
The downstream side of the treatment liquid flow passage member moves in accordance with the movement of the support body drive mechanism and the position of the upstream side of the treatment liquid flow passage member with respect to the liquid treatment section is Fixed,
Wherein the vibration sensor is provided on the treatment liquid flow-through member on the upstream side of the fixing portion.
제 9 항에 있어서,
상기 대처 동작을 행하는 공정은, 미리 실정된 진동량보다 큰 진동이 검출되었을 때에 알람을 출력하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the step of performing the coping action includes a step of outputting an alarm when a vibration larger than a vibration volume actually detected is detected.
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 대처 동작을 행하는 공정은, 미리 설정된 진동량보다 큰 진동이 검출되었을 때에 지지체 구동 기구의 이동 및 액공급 수단에 의한 처리액 노즐로부터의 처리액의 토출을 정지시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
11. The method according to claim 9 or 10,
Wherein the step of carrying out the coping action includes a step of moving the support body drive mechanism and stopping the discharge of the treatment liquid from the treatment liquid nozzle by the liquid supply means when a vibration larger than a preset vibration amount is detected Liquid treatment method.
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 대처 동작을 행하는 공정은, 촬상 수단에 의해 처리액 노즐의 선단부를 촬상하는 공정과,
상기 촬상 수단에 의한 촬상 결과에 기초하여, 어느 처리액 노즐에 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했는지를 판단 수단에 의해 판단하는 공정과,
상기 검출 신호의 출력에 기초하여 판단 수단에 의한 판단이 행해지는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
11. The method according to claim 9 or 10,
The step of performing the coping action includes a step of picking up the tip of the treatment liquid nozzle by the imaging means,
A step of judging by the judging means whether liquid droplets or droplets of the processing liquid have occurred in any of the processing liquid nozzles based on the imaging result of the imaging means;
A step of judging by the judging means based on the output of the detection signal
Wherein the liquid processing method comprises the steps of:
제 12 항에 있어서,
상기 대처 동작을 행하는 공정은, 기억 수단에 의해 상기 처리액 노즐마다 상기 판단 수단에 의해 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생했다고 판단된 시각을 기억하는 공정과,
연산 수단에 의해 상기 기억된 시각에 기초하여 처리액의 액 맺힘 또는 적하가 발생하는 주기를 연산하는 공정
을 구비한 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the step of carrying out the coping action includes the steps of: storing, by the storage means, the time at which it is determined by the judging means that liquid deposition or dropping of the process liquid has occurred,
A step of calculating a cycle in which liquid deposition or dropping of the processing liquid occurs based on the stored time by the computing means
Wherein the liquid processing method comprises the steps of:
기판에 대한 액처리를 행하는 액처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체로서,
상기 컴퓨터 프로그램은 청구항 9 또는 청구항 10에 기재된 액처리 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 하는 기억 매체.A storage medium storing a computer program used in a liquid processing apparatus for performing liquid processing on a substrate,
Wherein the computer program is for carrying out the liquid processing method according to claim 9 or claim 10.
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