KR101654753B1 - Glass substrate for flat panel displays and method for manufacturing same - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 낮은 열 수축률과 실투의 억제를 양립하는 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판과 플랫 패널 디스플레이를 제공한다.
본 발명의 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판은, 몰% 표시로,
SiO2: 55 내지 80%,
Al2O3: 8 내지 20%,
B2O3: 0 내지 8%,
MgO: 0 초과 내지 15%,
CaO: 0 내지 20%,
SrO: 0 내지 15%,
BaO: 0 내지 10%
를 함유하고,
SiO2+2×Al2O3이 100% 이하이고,
몰비 B2O3/(SiO2+Al2O3)가 0 내지 0.12이며,
몰비 MgO/RO이 0.15 내지 0.9의 범위이며,
실투 온도가 1280℃ 미만이고,
상온으로부터 10℃/분에서 승온하고, 550℃에서 2시간 유지하고, 그 후, 10℃/분에서 상온까지 강온한 후의 하기식으로 나타내는 열 수축률이 3ppm 이상 75ppm 미만이다.
열 수축률(ppm)={열처리 전후의 유리의 수축량/열처리 전의 유리의 길이}×106
The present invention provides a glass substrate for a flat panel display and a flat panel display, which both have a low heat shrinkage ratio and suppression of a luminescence.
The glass substrate for a flat panel display of the present invention, in mol%
55 to 80% of SiO 2 ,
Al 2 O 3 : 8 to 20%
B 2 O 3 : 0 to 8%,
MgO: more than 0 to 15%
CaO: 0 to 20%
SrO: 0 to 15%
BaO: 0 to 10%
≪ / RTI >
SiO 2 + 2 x Al 2 O 3 is 100% or less,
The molar ratio B 2 O 3 / (SiO 2 + Al 2 O 3 ) is 0 to 0.12,
The molar ratio MgO / RO is in the range of 0.15 to 0.9,
The devitrification temperature is lower than 1280 DEG C,
The heat shrinkage rate is 3 ppm or more and less than 75 ppm as shown by the following formula after the temperature is raised from room temperature to 10 ° C / minute, held at 550 ° C for 2 hours, and then decreased to 10 ° C /
Heat shrinkage rate (ppm) = (shrinkage of glass before and after heat treatment / length of glass before heat treatment) x 10 6

Description

플랫 패널 디스플레이용 유리 기판 및 그 제조 방법{GLASS SUBSTRATE FOR FLAT PANEL DISPLAYS AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a glass substrate for a flat panel display,

본 발명은, 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 저온 폴리실리콘 박막 트랜지스터(이하, LTPS-TFT(Low-Temperature-Polycrystalline-Silicon Thin-Film-Transistor)라고 기재함) 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 산화물 반도체 박막 트랜지스터(이하, OS-TFT(Oxide-Semiconductor Thin-Film-Transistor)라고 기재함) 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은, 상기 플랫 패널 디스플레이가 액정 디스플레이인 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판에 관한 것이다. 또는 상기 플랫 패널 디스플레이가, 유기 EL 디스플레이인 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a glass substrate for a flat panel display and a manufacturing method thereof. More particularly, the present invention relates to a glass substrate for a flat panel display (hereinafter referred to as a low-temperature-polycrystalline-silicon thin-film-transistor (LTPS-TFT)). The present invention also relates to a glass substrate for an oxide semiconductor thin film transistor (hereinafter referred to as an OS-TFT (Oxide-Semiconductor Thin-Film-Transistor)) flat panel display. More particularly, the present invention relates to a glass substrate for a flat panel display in which the flat panel display is a liquid crystal display. Or the flat panel display is an organic EL display.

휴대 기기 등에 탑재된 디스플레이는, 소비 전력을 저감할 수 있는 등의 이유에서 박막 트랜지스터(TFT)의 제조에 LTPS를 적용하는 것이 요망되지만, LTPS-TFT의 제조에서 400 내지 600℃라고 하는 비교적 고온에서의 열처리가 필요하다. 한편, 소형 휴대 기기의 디스플레이에는, 최근 고정밀화가 더욱 요구되고 있다. 그로 인해, 화소의 피치 어긋남을 일으키는, 디스플레이 패널 제조 시에 발생하는 유리 기판의 열수축이 문제로 되고 있다. 또한, OS-TFT가 형성되는 유리 기판에서도, 마찬가지로 열수축의 억제가 과제로 되고 있다.In a display mounted on a portable device or the like, it is desired to apply LTPS to the manufacture of a thin film transistor (TFT) for reasons such as reducing power consumption. However, in the production of an LTPS-TFT, Heat treatment is required. On the other hand, the display of a small portable device has recently been required to have high precision. As a result, the thermal shrinkage of the glass substrate, which occurs during the manufacture of the display panel, which causes the pitch shift of the pixels, becomes a problem. In addition, the glass substrate on which the OS-TFT is formed also has a problem of suppressing heat shrinkage.

유리 기판의 열 수축률은, 일반적으로, 유리의 변형점을 향상시키는 것 또는 열팽창 계수를 저하시킴으로써 저감하는 것이 가능하다.Generally, the heat shrinkage rate of the glass substrate can be reduced by improving the strain point of the glass or lowering the thermal expansion coefficient.

열 수축률에 주목한 유리 기판을 개시하는 문헌으로서는, 특허문헌 1 내지 2가 있다. 특허문헌 1 내지 2는, 모두 액정 디스플레이용 유리 기판에 관한 발명을 개시한다.Patent Documents 1 and 2 disclose a glass substrate on which a heat shrinkage rate is noted. Patent Documents 1 and 2 all disclose inventions relating to a glass substrate for a liquid crystal display.

일본 특허 공개 제2004-315354호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-315354 일본 특허 공개 제2007-302550호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-302550

특허문헌 1에 기재된 유리 기판은, 변형점은 높지만 실투(失透) 온도가 높아, 실투가 발생하기 쉽다는 문제가 있었다. 예를 들면, 특허문헌 1에 기재된 유리 기판은, 유리 기판 표면의 연마 공정 등을 생략하여 생산성을 향상할 수 있는 오버플로우 다운드로우법 등의 성형 방법에서는 실투의 문제가 현저해진다고 하는 문제가 있었다. 또한, 특허문헌 2에 기재된 유리 기판은, 변형점이 충분히 높지 않으므로, 열 수축률을 저감시키고자 하면, 성형 후의 평판 형상 유리가 Tg 근방으로 되는 온도 범위 내에서의 냉각 속도를 극히 늦출 필요가 있다. 그로 인해, 특허문헌 2에 기재된 유리 기판은, 생산성을 유지하면서 열 수축률을 저감하는 것이 어렵다는 문제가 있었다.The glass substrate described in Patent Document 1 has a high strain point, but a high devitrification temperature, which is problematic in that devitrification is likely to occur. For example, the glass substrate disclosed in Patent Document 1 has a problem in that the problem of slippery becomes remarkable in a molding method such as an overflow down-draw method in which the productivity of the glass substrate surface can be improved by omitting the polishing process or the like . Further, since the glass substrate described in Patent Document 2 has a sufficiently high strain point, if it is desired to reduce the heat shrinkage rate, it is necessary to extremely slow down the cooling rate within the temperature range in which the flat glass after molding is in the vicinity of Tg. As a result, the glass substrate described in Patent Document 2 has a problem in that it is difficult to reduce the heat shrinkage rate while maintaining the productivity.

따라서 본 발명은, 낮은 열 수축률과 실투의 억제를 양립하는 유리 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 본 발명은, LTPS-TFT를 이용한 플랫 패널 디스플레이에 적합한 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 나아가서는, OS-TFT를 이용한 플랫 패널 디스플레이에서도, 적합한 낮은 열 수축률과 실투의 억제를 양립하는 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것도 본 발명의 목적이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a glass substrate that achieves both a low heat shrinkage ratio and suppression of delamination. In particular, it is an object of the present invention to provide a glass substrate for a flat panel display suitable for a flat panel display using an LTPS-TFT and a manufacturing method thereof. Further, it is also an object of the present invention to provide a glass substrate for a flat panel display and a method of manufacturing the same, both of which have a suitable low heat shrinkage ratio and suppression of devitrification, even in a flat panel display using an OS-TFT.

본 발명자들은, 유리 조성을 연구함으로써, 낮은 열 수축률과 실투의 억제를 양립한, LTPS-TFT를 이용한 플랫 패널 디스플레이에 적합한 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판을 제공할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다. 또한, 상기 유리 기판은, OS-TFT용으로서도 이용 가능한 낮은 열 수축률과 실투의 억제를 양립한 것임도 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.The present inventors have found out that by studying the glass composition, it is possible to provide a glass substrate for a flat panel display suitable for a flat panel display using an LTPS-TFT, which has both a low heat shrinkage ratio and suppression of slipping, and completed the present invention . Further, the present inventors have also found that the above-mentioned glass substrate has both a low heat shrinkage rate that can be used for an OS-TFT and suppression of slip, and thus accomplished the present invention.

본 발명은 이하와 같다.The present invention is as follows.

[1] [One]

몰% 표시로,In mol%

SiO2: 55 내지 80%,55 to 80% of SiO 2 ,

Al2O3: 8 내지 20%,Al 2 O 3 : 8 to 20%

B2O3: 0 내지 8%,B 2 O 3 : 0 to 8%,

MgO: 0% 초과 내지 15%,MgO: more than 0% to 15%

CaO: 0 내지 20%,CaO: 0 to 20%

SrO: 0 내지 15%,SrO: 0 to 15%

BaO: 0 내지 10%BaO: 0 to 10%

를 함유하고,≪ / RTI >

SiO2+2×Al2O3이 100% 이하이고, SiO 2 + 2 x Al 2 O 3 is 100% or less,

몰비 B2O3/(SiO2+Al2O3)이 0 내지 0.12이며,The molar ratio B 2 O 3 / (SiO 2 + Al 2 O 3 ) is 0 to 0.12,

몰비 MgO/RO(단, RO은 MgO, CaO, SrO 및 BaO의 합량임)이 0.15 내지 0.9의 범위이며, 실투 온도가 1280℃ 미만이고,The molar ratio MgO / RO (where RO is the sum of MgO, CaO, SrO, and BaO) is in the range of 0.15 to 0.9, the devitrification temperature is less than 1280 占 폚,

상온으로부터 10℃/분에서 승온하고, 550℃에서 2시간 유지하고, 그 후, 10℃/분에서 상온까지 강온한 후의 하기식으로 나타내는 열 수축률이 3ppm 이상 75ppm 미만인 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판.Wherein the glass substrate for a flat panel display has a heat shrinkage rate of not less than 3 ppm and not more than 75 ppm as shown by the following formula after heating from room temperature to 10 占 폚 / min, holding at 550 占 폚 for 2 hours,

열 수축률(ppm)={열처리 전후의 유리의 수축량/ 열처리 전의 유리의 길이}×106 Heat shrinkage rate (ppm) = (shrinkage of glass before and after heat treatment / length of glass before heat treatment) x 10 6

[2][2]

몰% 표시로,In mol%

SiO2: 63 내지 72%,63 to 72% of SiO 2 ,

Al2O3: 11 내지 15%Al 2 O 3 : 11 to 15%

를 함유하는 [1] 에 기재된 유리 기판.(1). ≪ / RTI >

[3][3]

SiO2-Al2O3/2가 45% 내지 64%의 범위인 [1] 또는 [2]에 기재된 유리 기판.SiO 2 -Al 2 O 3/2 a glass substrate according to the range of [1] or [2] of 45% to 64%.

[4][4]

몰% 표시로,In mol%

SiO2: 63 내지 70%,63 to 70% of SiO 2 ,

Al2O3: 12 내지 15%,Al 2 O 3 : 12 to 15%

B2O3: 1.5 내지 7%,B 2 O 3 : 1.5 to 7%,

MgO: 3 내지 11%,MgO: 3 to 11%

CaO: 5 내지 11%,CaO: 5 to 11%

SrO: 0 내지 4%,SrO: 0 to 4%

BaO: 0 내지 4%BaO: 0 to 4%

를 함유하는 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 유리 기판.(1) to (3).

[5][5]

몰% 표시로,In mol%

BaO: 0 내지 2%BaO: 0 to 2%

를 함유하는, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 유리 기판.[1] The glass substrate according to any one of [1] to [4].

[6][6]

SnO2과 Fe2O3을 함유하고,SnO 2 and Fe 2 O 3 ,

몰% 표시로,In mol%

SnO2: 0.03 내지 0.15%,SnO 2: 0.03 to 0.15%,

SnO2과 Fe2O3의 합량은 0.05 내지 0.2%의 범위인 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 유리 기판.The glass substrate according to any one of [1] to [5], wherein the total amount of SnO 2 and Fe 2 O 3 is in the range of 0.05 to 0.2%.

[7][7]

몰% 표시로,In mol%

Li2O, Na2O 및 K2O의 합량은, 0.01 내지 0.5mol%인 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 유리 기판.The glass substrate according to any one of [1] to [6], wherein the total amount of Li 2 O, Na 2 O and K 2 O is 0.01 to 0.5 mol%.

[8][8]

As2O3 및 Sb2O3을 실질적으로 함유하지 않는 [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 유리 기판.The glass substrate according to any one of [1] to [7], which is substantially free of As 2 O 3 and Sb 2 O 3 .

[9][9]

100 내지 300℃에서의 평균 열팽창 계수가 28×10-7-1 이상, 50×10-7-1 미만인 [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 유리 기판.The glass substrate according to any one of [1] to [8], wherein an average thermal expansion coefficient at 100 to 300 캜 is 28 占10-7占 폚 -1 or more and less than 50 占10-7占 폚 -1 .

[10][10]

오버플로우 다운드로우법으로 성형된 유리 기판인 [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 유리 기판.The glass substrate according to any one of [1] to [9], which is a glass substrate molded by an overflow down-draw method.

[11][11]

LTPS 또는, 산화물 반도체로 형성된 박막 트랜지스터를 유리 기판 표면에 형성한 플랫 패널 디스플레이로서, 상기 유리 기판이 [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 유리 기판인 플랫 패널 디스플레이.A flat panel display in which a thin film transistor formed of LTPS or an oxide semiconductor is formed on a surface of a glass substrate, wherein the glass substrate is a glass substrate according to any one of [1] to [10].

[12][12]

플랫 패널 디스플레이가 액정 디스플레이 또는 유기 EL 디스플레이인 [11]에 기재된 플랫 패널 디스플레이.A flat panel display wherein the flat panel display is a liquid crystal display or an organic EL display.

[13][13]

소정의 조성으로 조합한 유리 원료를 용해하는 용해 공정과,A melting step of melting a glass raw material combined in a predetermined composition,

상기 용해 공정에서 용해한 용융 유리를 평판 형상 유리로 성형하는 성형 공정과,A molding step of molding the molten glass dissolved in the melting step into a flat glass,

상기 평판 형상 유리를 서냉하는 공정으로서, 상기 평판 형상 유리의 열 수축률을 저감하도록 상기 평판 형상 유리의 냉각 조건을 제어하는 서냉 공정을 포함하는 [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법.The flat panel display according to any one of [1] to [10], wherein the step of slowly cooling the flat glass includes a slow cooling step of controlling cooling conditions of the flat glass to reduce the heat shrinkage rate of the flat glass Wherein the method comprises the steps of:

[14][14]

상기 용해 공정은, 적어도 직접 통전 가열을 이용하여 유리 원료를 용해하는 [13]에 기재된 제조 방법.[13] The production process according to [13], wherein the dissolving step dissolves the glass raw material by using at least direct energization heating.

[15][15]

상기 용해 공정은, 적어도 고(高) 지르코니아계 내화물을 포함하여 구성되는 용해조에서 유리 원료를 용해하는 [13] 또는 [14]에 기재된 제조 방법.[13] The method according to [13] or [14], wherein the melting step is a step of dissolving the glass raw material in a melting tank comprising at least a high-temperature zirconia refractory material.

[16][16]

상기 서냉 공정은, 평판 형상 유리가 Tg로부터 Tg-100℃로 되는 온도 범위 내에서, 평판 형상 유리의 냉각 속도가 30 내지 300℃/분으로 되도록 서냉을 행하는 [13] 내지 [15] 중 어느 하나에 기재된 제조 방법.The slow cooling step may be any one of [13] to [15], wherein the slow cooling step is carried out so that the flat glass-like glass has a cooling rate of 30 to 300 캜 / ≪ / RTI >

[17][17]

SiO2 : 55 내지 80%,SiO 2: 55 to 80%,

Al2O3: 8 내지 20%,Al 2 O 3 : 8 to 20%

B2O3: 0 내지 5%,B 2 O 3 : 0 to 5%,

MgO: 0% 초과 내지 15%,MgO: more than 0% to 15%

CaO: 0 내지 20%,CaO: 0 to 20%

SrO: 0 내지 15%,SrO: 0 to 15%

BaO: 0 내지 2%BaO: 0 to 2%

를 함유하고,≪ / RTI >

SiO2+2×Al2O3이 100% 이하이고,SiO 2 + 2 x Al 2 O 3 is 100% or less,

몰비 B2O3/(SiO2+Al2O3)이 0 내지 0.12이며,The molar ratio B 2 O 3 / (SiO 2 + Al 2 O 3 ) is 0 to 0.12,

몰비 MgO/RO(단, RO은 MgO, CaO, SrO 및 BaO의 합량임)이 0.15 내지 0.9의 범위이며, 상온으로부터 10℃/분에서 승온하고, 550℃에서 2시간 유지하고, 그 후, 10℃/분에서 상온까지 강온한 후의 하기식으로 나타내는 열 수축률이 60ppm 미만인 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판.The molar ratio of MgO / RO (wherein RO is the sum of MgO, CaO, SrO and BaO) is in the range of 0.15 to 0.9, the temperature is raised at a rate of 10 ° C / min from the room temperature and maintained at 550 ° C for 2 hours, Deg.] C / minute to a room temperature, and has a heat shrinkage rate of less than 60 ppm as shown by the following formula.

열 수축률(ppm)={열처리 전후의 유리의 수축량/열처리 전의 유리의 길이}×106 Heat shrinkage rate (ppm) = (shrinkage of glass before and after heat treatment / length of glass before heat treatment) x 10 6

본 발명에 의하면, 낮은 열 수축률과 실투의 억제를 양립한 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판을 제공할 수 있다. 특히, LTPS-TFT 또는 OS-TFT를 이용한 플랫 패널 디스플레이에 적합한 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a glass substrate for a flat panel display, which has both a low heat shrinkage ratio and suppression of slipping. In particular, it is possible to provide a glass substrate for flat panel display suitable for a flat panel display using LTPS-TFT or OS-TFT.

본 발명의 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판은, 몰% 표시로, The glass substrate for a flat panel display of the present invention, in mol%

SiO2: 55 내지 80%,55 to 80% of SiO 2 ,

Al2O3: 8 내지 20%,Al 2 O 3 : 8 to 20%

B2O: 0 내지 8%, B 2 O: 0 to 8%,

MgO: 0% 초과 내지 15%MgO: more than 0% to 15%

CaO: 0 내지 20%,CaO: 0 to 20%

SrO: 0 내지 15%,SrO: 0 to 15%

BaO: 0 내지 10%BaO: 0 to 10%

를 함유하고,≪ / RTI >

SiO2+2×Al2O3이 100% 이하이고,SiO 2 + 2 x Al 2 O 3 is 100% or less,

몰비 B2O3/(SiO2+Al2O3)이 0 내지 0.12이며,The molar ratio B 2 O 3 / (SiO 2 + Al 2 O 3 ) is 0 to 0.12,

몰비 MgO/RO(단, RO은 MgO, CaO, SrO 및 BaO의 합량임)이 0.15 내지 0.9의 범위이며,The molar ratio MgO / RO (wherein RO is the sum of MgO, CaO, SrO and BaO) is in the range of 0.15 to 0.9,

실투 온도가 1280℃ 미만이고,The devitrification temperature is lower than 1280 DEG C,

상온으로부터 10℃/분에서 승온하고, 550℃에서 2시간 유지하고, 그 후, 10℃/분에서 상온까지 강온한 후의 하기식으로 나타내는 열 수축률이 3ppm 이상 75ppm 미만이다.The heat shrinkage rate is 3 ppm or more and less than 75 ppm as shown by the following formula after the temperature is raised from room temperature to 10 ° C / minute, held at 550 ° C for 2 hours, and then decreased to 10 ° C /

열 수축률(ppm)={열처리 전후의 유리의 수축량/열처리 전의 유리의 길이}×106 Heat shrinkage rate (ppm) = (shrinkage of glass before and after heat treatment / length of glass before heat treatment) x 10 6

이하, 본 발명의 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판에 대하여 설명한다.Hereinafter, a glass substrate for a flat panel display of the present invention will be described.

SiO2은, 유리의 골격 성분이며, 따라서, 필수 성분이다. 함유량이 적어지면, 내산성이 저하되고, 변형점이 저하되어, 열팽창 계수가 증가하는 경향이 있다. 또한, SiO2 함유량이 지나치게 적으면, 유리 기판을 저밀도화하는 것이 어려워진다. 한편, SiO2 함유량이 지나치게 많으면, 용융 점성이 현저하게 높아져 용해가 곤란해지는 경향이 있다. SiO2 함유량이 지나치게 많으면, 내실투성이 저하되는 경향도 있다. SiO2의 함유량은, 55 내지 80mol%의 범위로 한다. SiO2의 함유량은, 바람직하게는 60 내지 75mol%, 보다 바람직하게는 62 내지 73mol%, 더 바람직하게는 63 내지 72mol%, 한층 바람직하게는 63 내지 70mol%, 보다 한층 바람직하게는 65 내지 70mol%, 더한층 바람직하게는 65 내지 69mol%, 또 한층 바람직하게는 65 내지 68mol%의 범위이다.SiO 2 is a skeleton component of glass, and is therefore an essential component. When the content is decreased, the acid resistance is lowered, the strain point is lowered, and the coefficient of thermal expansion tends to increase. If the SiO 2 content is too small, it becomes difficult to make the glass substrate low in density. On the other hand, when the content of SiO 2 is too large, the melt viscosity tends to become remarkably high and the dissolution becomes difficult. If the SiO 2 content is too large, resistance to devitrification tends to be lowered. The content of SiO 2 is in the range of 55 to 80 mol%. The content of SiO 2 is preferably 60 to 75 mol%, more preferably 62 to 73 mol%, still more preferably 63 to 72 mol%, still more preferably 63 to 70 mol%, still more preferably 65 to 70 mol% , Still more preferably 65 to 69 mol%, still more preferably 65 to 68 mol%.

Al2O3은, 분상(分相)을 억제하고, 변형점을 높게 하는 필수 성분이다. Al2O3 함유량이 지나치게 적으면, 유리가 분상하기 쉬워진다. 또한, Al2O3 함유량이 지나치게 적으면, 변형점이 저하된다. 또한, Al2O3 함유량이 지나치게 적으면, 영률도 저하하고, 산(酸)에 의한 에칭 레이트도 저하되는 경향이 있다. Al2O3 함유량이 지나치게 많으면, 유리의 실투 온도가 상승하여, 내실투성이 저하되므로 성형성이 악화하는 경향이 있다. 이러한 관점에서, Al2O3의 함유량은 8 내지 20mol%의 범위이다. Al2O3의 함유량은, 바람직하게는 8 내지 18mol%, 보다 바람직하게는 9 내지 17mol%, 더 바람직하게는 11 내지 15mol%, 한층 바람직하게는 12 내지 15mol%, 보다 한층 바람직하게는 12 내지 14mol%의 범위이다.Al 2 O 3 is an essential component for suppressing the phase separation and increasing the strain point. If the content of Al 2 O 3 is too small, the glass tends to be dispersed. When the Al 2 O 3 content is too small, the strain point is lowered. When the content of Al 2 O 3 is too small, the Young's modulus also decreases, and the etching rate due to acid (acid) also tends to decrease. If the content of Al 2 O 3 is too large, the glass transition temperature rises and the resistance to devitrification tends to deteriorate, so that the moldability tends to deteriorate. From this viewpoint, the content of Al 2 O 3 is in the range of 8 to 20 mol%. The content of Al 2 O 3 is preferably 8 to 18 mol%, more preferably 9 to 17 mol%, still more preferably 11 to 15 mol%, still more preferably 12 to 15 mol%, still more preferably 12 to 15 mol% 14 mol%.

B2O3는, 유리의 고온점성을 저하시켜, 용융성을 개선하는 성분이다. 즉, 용융 온도 근방에서의 점성을 저하시키므로, 용해성을 개선한다. 또한, 실투 온도를 저하시키는 성분이기도 한다. B2O3 함유량이 적으면, 용해성이 저하되고, 내실투성이 저하되는 경향이 있다. B2O3 함유량이 지나치게 많으면, 변형점이 저하되고, 내열성이 저하된다. 또한, B2O3 함유량이 지나치게 많으면, 영률이 저하된다. 또한, 유리 성형 시의 B2O3의 휘발에 의해, 실투가 발생하기 쉬워진다. 특히, 변형점이 높은 유리는, 성형 온도가 높아지는 경향이 있기 때문에, 상기 휘발이 촉진되어, 실투의 생성이 현저한 문제로 된다. 또한, 유리 용해시의 B2O3의 휘발에 의해, 유리의 불균질이 현저해져서, 맥리가 발생하기 쉬워진다. 이러한 관점에서, B2O3 함유량은, 0 내지 8mol%, 바람직하게는 0 내지 5mol%의 범위이다. B2O3 함유량은, 바람직하게는 0.1 내지 5mol%, 보다 바람직하게는 1.5 내지 5mol%, 더 바람직하게는 1.5 내지 4.5mol%의 범위이다. 한편, 내실투성을 중시한 경우에는, B2O3 함유량은 바람직하게는 0 내지 7mol%, 보다 바람직하게는 0.1 내지 7mol%, 더 바람직하게는 1 내지 7mol%, 한층 바람직하게는 1.5 내지 7mol%, 보다 한층 바람직하게는 1.5 내지 6.5mol%, 더한층 바람직하게는 2 내지 6mol%의 범위이다. B2O3 함유량은, 용해성과 내실투성 양쪽을 고려하여 적절하게 결정된다. 용해성과 내실투성 양쪽을 고려하면 B2O3 함유량은, 바람직하게는 1 내지 5mol%, 보다 바람직하게는 1.5 내지 5mol%, 더 바람직하게는 1.5 내지 4.5mol%의 범위이다.B 2 O 3 is a component that lowers the high-temperature viscosity of the glass and improves the meltability. That is, the viscosity is lowered in the vicinity of the melting temperature, thereby improving the solubility. It is also a component that lowers the melt temperature. When the content of B 2 O 3 is small, the solubility is lowered and the resistance to devitrification tends to be lowered. When the content of B 2 O 3 is excessively large, the strain point is lowered and the heat resistance is lowered. Also, if the content of B 2 O 3 is excessively large, the Young's modulus deteriorates. In addition, devitrification tends to occur due to the volatilization of B 2 O 3 during glass forming. Particularly, since a glass having a high strain point tends to have a high molding temperature, the above volatilization is promoted, and generation of a slag is remarkable. In addition, due to the volatilization of B 2 O 3 at the time of melting the glass, the heterogeneity of the glass becomes remarkable, and consequently, spots are likely to occur. From this point of view, the B 2 O 3 content is in the range of 0 to 8 mol%, preferably 0 to 5 mol%. The B 2 O 3 content is preferably in the range of 0.1 to 5 mol%, more preferably 1.5 to 5 mol%, and still more preferably 1.5 to 4.5 mol%. On the other hand, in the case of emphasizing insolubility, the content of B 2 O 3 is preferably 0 to 7 mol%, more preferably 0.1 to 7 mol%, still more preferably 1 to 7 mol%, still more preferably 1.5 to 7 mol% , Still more preferably from 1.5 to 6.5 mol%, still more preferably from 2 to 6 mol%. The B 2 O 3 content is suitably determined in consideration of both the solubility and the resistance to devitrification. The B 2 O 3 content is preferably in the range of 1 to 5 mol%, more preferably 1.5 to 5 mol%, and still more preferably 1.5 to 4.5 mol% in consideration of both the solubility and the emulsion resistance.

MgO은 용해성을 향상시키는 필수 성분이다. 또한, 알칼리 토금속 중에서는 밀도를 증가시키기 어려운 성분이므로, 그 함유량을 상대적으로 증가시키면, 저밀도화를 도모하기 쉬워진다. 함유시킴으로써 용해성을 향상할 수 있다. 단, MgO의 함유량이 지나치게 많으면, 유리의 실투 온도가 급격하게 상승하기 때문에, 특히 성형 공정에서 실투하기 쉬워진다. 또한, MgO 함유량이 지나치게 많으면, 내산성 저하의 경향이 있다. 이러한 관점에서, MgO 함유량은, 0mol% 초과 내지 15mol%이며, 바람직하게는 1.5 내지 15mol%, 보다 바람직하게는 2 내지 15mol%, 더 바람직하게는 2 내지 12mol%, 한층 바람직하게는 3 내지 11mol%, 보다 한층 바람직하게는 4 내지 10mol%, 더한층 바람직하게는 5 내지 9mol%의 범위이다.MgO is an essential component for improving solubility. In addition, among the alkaline earth metals, since the component is difficult to increase in density, if the content is relatively increased, it is easy to achieve the low density. The solubility can be improved. However, if the content of MgO is too large, the glass transition temperature rises sharply, so that the glass transition temperature is particularly susceptible to devitrification in the molding step. If the MgO content is too large, the acid resistance tends to decrease. From this viewpoint, the MgO content is more than 0 mol% to 15 mol%, preferably 1.5 to 15 mol%, more preferably 2 to 15 mol%, still more preferably 2 to 12 mol%, still more preferably 3 to 11 mol% , Even more preferably from 4 to 10 mol%, still more preferably from 5 to 9 mol%.

CaO은, 유리의 실투 온도를 급격하게 올리지 않고 유리의 용해성을 향상시키는데도 유효한 성분이다. 또한, 알칼리 토금속 중에서는 밀도를 증가시키기 어려운 성분이므로, 그 함유량을 상대적으로 증가시키면, 저밀도화를 도모하기 쉬워진다. 함유량이 지나치게 적으면, 내실투성 저하가 발생하는 경향이 있다. CaO 함유량이 지나치게 많으면, 열팽창 계수가 증가하여, 밀도가 상승하는 경향이 있다. 이러한 관점에서, CaO 함유량은, 0 내지 20mol%, 바람직하게는 3 내지 15mol%, 보다 바람직하게는 4 내지 13mol%, 더 바람직하게는 5 내지 11mol%, 한층 바람직하게는 7 내지 11mol%의 범위이다.CaO is an effective component for improving the solubility of glass without sharply raising the glass transition temperature. In addition, among the alkaline earth metals, since the component is difficult to increase in density, if the content is relatively increased, it is easy to achieve the low density. If the content is too small, resistance to devitrification tends to occur. If the CaO content is excessively high, the thermal expansion coefficient increases and the density tends to increase. From this viewpoint, the CaO content is in the range of 0 to 20 mol%, preferably 3 to 15 mol%, more preferably 4 to 13 mol%, still more preferably 5 to 11 mol%, and still more preferably 7 to 11 mol% .

SrO은, 유리의 실투 온도를 낮출 수 있는 성분이다. SrO은, 필수적이지 않지만, 함유시키면 내실투성 및 용해성이 향상한다. 그러나, SrO 함유량이 지나치게 많으면, 밀도가 상승하게 된다. 이러한 관점에서, SrO 함유량은 0 내지 15mol%이며, 바람직하게는 0 내지 10mol%, 보다 바람직하게는 0 내지 7mol%, 더 바람직하게는 0 내지 4mol%, 한층 바람직하게는 0 내지 2mol%, 보다 한층 바람직하게는 0 내지 1.5mol%, 더한층 바람직하게는 0 내지 1mol%의 범위이다. 유리의 밀도를 저하시키고자 하는 경우에는, SrO은 실질적으로 함유시키지 않는 것이 바람직하다.SrO is a component that can lower the glass transition temperature. SrO is not essential, but if it is contained, resistance to devitrification and solubility are improved. However, if the SrO content is excessively large, the density increases. From this viewpoint, the SrO content is 0 to 15 mol%, preferably 0 to 10 mol%, more preferably 0 to 7 mol%, still more preferably 0 to 4 mol%, still more preferably 0 to 2 mol% , Preferably 0 to 1.5 mol%, further preferably 0 to 1 mol%. When it is desired to lower the density of the glass, it is preferable that SrO is not substantially contained.

BaO은, 유리의 실투 온도를 낮출 수 있는 성분이다. 필수적이지 않지만, 함유시키면, 내실투성 및 용해성이 향상한다. 그러나, BaO의 함유량이 지나치게 많으면, 밀도가 상승하게 된다. 또한, 환경 부하의 관점 및 열팽창 계수가 증대하는 경향이 있기 때문에, BaO 함유량은, 0 내지 10mol%이며, 바람직하게는 0 내지 4mol%, 보다 바람직하게는 0 내지 3mol%, 더 바람직하게는 0 내지 2.5 mol%, 한층 바람직하게는 0 내지 2mol%, 보다 한층 바람직하게는 0 내지 1 mol%, 더한층 바람직하게는 0 내지 0.5mol%, 또 한층 바람직하게는 실질적으로 함유시키지 않는다.BaO is a component that can lower the glass transition temperature. Though not essential, if contained, resistance to devitrification and solubility are improved. However, if the content of BaO is excessively large, the density increases. Further, the BaO content is 0 to 10 mol%, preferably 0 to 4 mol%, more preferably 0 to 3 mol%, still more preferably 0 to 3 mol%, in view of the environmental load and the tendency of the thermal expansion coefficient to increase. More preferably 0 to 2 mol%, still more preferably 0 to 2 mol%, still more preferably 0 to 1 mol%, still more preferably 0 to 0.5 mol%, still more preferably substantially not contained.

Li2O 및 Na2O은, 유리 기판으로부터 용출하여 TFT 특성을 열화시키거나, 유리의 열팽창 계수를 크게 하여 열 처리 시에 기판을 파손할 우려가 있는 성분이다. Li2O 및 Na2O은, 바람직하게는 모두 실질적으로 함유시키지 않는다.Li 2 O and Na 2 O are components that may elute from the glass substrate to deteriorate the TFT characteristics or increase the coefficient of thermal expansion of the glass to damage the substrate during heat treatment. Li 2 O and Na 2 O are preferably substantially free from all of them.

K2O은, 유리의 염기성도를 높여, 청징(淸澄)성을 촉진시키는 성분이다. 또한, 용해성을 향상하여, 용융 유리의 비저항을 저하시키는 성분이다. 필수적이지 않지만, 함유시키면, 용융 유리의 비저항이 저하되어, 용해조를 구성하는 내화물에 전류가 흐르게 되는 것을 방지할 수 있고, 용해조가 침식되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 용해조를 구성하는 내화물이 지르코니아를 함유하는 경우, 용해조가 침식되어, 용해조로부터 유리에 지르코니아가 용출되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 지르코니아에 기인한 실투도 억제할 수 있다. 또한, 용해 온도 근방에서의 유리 점성을 저하시키므로, 용해성과 청징성이 향상한다. 한편, K2O 함유량이 지나치게 많으면, 유리 기판으로부터 용출하여 TFT 특성을 열화시킬 우려가 있다. 또한, 열팽창 계수도 증대하는 경향이 있다. 이러한 관점에서, K2O 함유량은, 바람직하게는 0 내지 0.8mol%, 보다 바람직하게는 0.01 내지 0.5mol%, 더 바람직하게는 0.1 내지 0.3mol%의 범위이다.K 2 O is a component that promotes the clarity by increasing the basicity of the glass. It is also a component that improves the solubility and lowers the resistivity of the molten glass. Although it is not essential, if it is contained, the resistivity of the molten glass is lowered, and current can be prevented from flowing to the refractory constituting the melting tank, and erosion of the melting tank can be suppressed. Further, in the case where the refractory constituting the melting tank contains zirconia, since the melting vessel is eroded, the release of zirconia from the melting vessel to the glass can be inhibited, and therefore, the failure due to zirconia can be suppressed. In addition, since the glass viscosity in the vicinity of the melting temperature is lowered, the solubility and clarifying property are improved. On the other hand, if the content of K 2 O is excessively large, there is a fear that the TFT characteristics may deteriorate due to elution from the glass substrate. In addition, the coefficient of thermal expansion also tends to increase. From this viewpoint, the K 2 O content is preferably in the range of 0 to 0.8 mol%, more preferably 0.01 to 0.5 mol%, and still more preferably 0.1 to 0.3 mol%.

ZrO2 및 TiO2은, 유리의 화학적 내구성 및 변형점을 향상시키는 성분이다. ZrO2 및 TiO2은, 필수 성분이 아니지만, 함유시킴으로써 변형점의 상승 및 내산성 향상을 실현할 수 있다. 그러나, ZrO2의 양 및 TiO2의 양이 지나치게 많아지면, 실투 온도가 현저하게 상승하기 때문에 내실투성 및 성형성이 저하되는 경우가 있다. 특히, ZrO2은 융점이 높아 용해되기 어렵기 때문에, 원료의 일부가 용해로의 바닥부에 퇴적된다고 하는 문제를 일으킨다. 이들 미용해의 성분이 유리 소지에 혼입되면 내포물(inclusion)로서 유리의 품질 악화를 일으킨다. 또한, TiO2은, 유리를 착색시키는 성분이므로, 디스플레이용 기판에는 바람직하지 않다. 이러한 관점에서, 본 발명의 유리 기판에서는, ZrO2 및 TiO2의 함유율은, 각각 0 내지 5mol%가 바람직하고, 0 내지 3mol%가 보다 바람직하고, 0 내지 2mol%가 더 바람직하고, 0 내지 1mol%가 한층 바람직하다. 더한층 바람직하게는, 본 발명의 유리 기판에는, ZrO2 및 TiO2을 실질적으로 함유시키지 않는 것이다.ZrO 2 and TiO 2 are components that improve the chemical durability and strain point of glass. Although ZrO 2 and TiO 2 are not essential components, they contain an increased strain point and improved acid resistance. However, if the amount of ZrO 2 and the amount of TiO 2 are excessively large, the devitrification temperature remarkably increases, and the resistance to devitrification and the formability are sometimes lowered. In particular, ZrO 2 has a high melting point and is difficult to dissolve, so that a part of the raw material is deposited on the bottom of the melting furnace. The incorporation of these components into the glass substrate results in the inclusion of the quality of the glass. Further, TiO 2 is not preferable for display substrates because it is a component for coloring glass. From this viewpoint, in the glass substrate of the present invention, the content of ZrO 2 and TiO 2 is preferably 0 to 5 mol%, more preferably 0 to 3 mol%, still more preferably 0 to 2 mol%, and 0 to 1 mol % Is more preferable. Even more preferably, the glass substrate of the present invention does not substantially contain ZrO 2 and TiO 2 .

ZnO은, 내 BHF성이나 용해성을 향상시키는 성분이다. 단, 필수 성분은 아니다. ZnO 함유량이 지나치게 많아지면, 실투 온도가 상승하여, 변형점이 저하되고, 밀도가 상승하는 경향이 있다. 이러한 관점에서, ZnO 함유량은, 바람직하게는 0 내지 5mol%, 보다 바람직하게는 0 내지 3mol%, 더 바람직하게는 0 내지 2mol%, 한층 바람직하게는 0 내지 1mol%의 범위이다. ZnO은 실질적으로 함유시키지 않는 것이 바람직하다.ZnO is a component that improves internal BHF resistance and solubility. However, it is not an essential component. If the ZnO content is excessively large, the melt temperature increases, the strain point decreases, and the density tends to increase. From this point of view, the ZnO content is preferably in the range of 0 to 5 mol%, more preferably 0 to 3 mol%, still more preferably 0 to 2 mol%, still more preferably 0 to 1 mol%. It is preferable that ZnO is not substantially contained.

P2O5은, 고온점성을 저하시켜, 용해성을 향상시키는 성분이다. 단, 필수 성분은 아니다. P2O5 함유량이 지나치게 많으면, 유리 용해시의 P2O5의 휘발에 의해, 유리의 불균질이 현저해져서, 맥리가 발생하기 쉬워진다. 또한, 내산성이 현저하게 악화된다. 또한, 유백(乳白)이 발생하기 쉬워진다. 이러한 관점에서, P2O5 함유량은 바람직하게는 0 내지 3mol%, 보다 바람직하게는 0 내지 1mol%, 더 바람직하게는 0 내지 0.5mol%의 범위이며, 실질적으로 함유하지 않는 것이 특히 바람직하다.P 2 O 5 is a component which lowers the high-temperature viscosity and improves the solubility. However, it is not an essential component. If the content of P 2 O 5 is excessively large, the P 2 O 5 is volatilized at the time of dissolving the glass, whereby the heterogeneity of the glass becomes remarkable, and consequently, spots are likely to occur. In addition, the acid resistance is remarkably deteriorated. In addition, milky white easily occurs. From this point of view, the content of P 2 O 5 is preferably in the range of 0 to 3 mol%, more preferably 0 to 1 mol%, still more preferably 0 to 0.5 mol%, particularly preferably substantially not contained.

본 발명의 유리 기판은 청징제를 포함할 수 있다. 청징제로서는, 환경에 대한 부하가 작고, 유리의 청징성이 우수한 것이면 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 Sn, Fe, Ce, Tb, Mo, Sb 및 W의 금속 산화물의 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 들 수 있다. 청징제로서는 SnO2이 적합하다. 청징제의 함유량은 지나치게 적으면, 기포 품질이 악화되고, 함유량이 지나치게 많아지면, 실투나 착색 등의 원인이 되는 경우가 있다. 청징제의 함유량은, 청징제의 종류나 유리의 조성에도 의한다. 예를 들면, SnO2, Fe2O3 및 Sb2O3의 합량은 0.05 내지 0.20mol%인 것이 바람직하다.The glass substrate of the present invention may contain a refining agent. The cleaning agent is not particularly limited as long as it has a small environmental load and is excellent in refinement of the glass. Examples of the cleaning agent include at least one selected from the group of metal oxides of Sn, Fe, Ce, Tb, Mo, Sb and W . SnO 2 is suitable as the fining agent. If the content of the refining agent is too small, the quality of the bubble deteriorates, and if the content is excessively large, it may cause staining and coloring. The content of the fining agent depends on the type of the fining agent and the composition of the glass. For example, the total amount of SnO 2 , Fe 2 O 3 and Sb 2 O 3 is preferably 0.05 to 0.20 mol%.

SnO2은 1600℃ 이상이어도 청징 효과가 얻어지는 청징제이며, 알칼리 금속 산화물을 미량밖에 함유할 수 없는 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판(예를 들면, 알칼리 금속 산화물의 합량이 0 내지 0.8mol%)의 제조에 이용할 수 있는 몇 안 되는 청징제이다. 그러나, SnO2은 실투가 발생하기 쉬운 성분이기 때문에, 실투를 억제하는 관점에서는, 다량으로 첨가하는 것은 바람직하지 않다.SnO 2 is a refining agent that obtains a refining effect even when the temperature is higher than or equal to 1600 ° C .; a glass substrate for a flat panel display (for example, a total amount of alkali metal oxides is 0 to 0.8 mol%) which can contain only a small amount of alkali metal oxides Are some of the purifying agents available. However, since SnO 2 is a component which is liable to cause a slag, it is not preferable to add a large amount of SnO 2 from the viewpoint of suppressing the slag.

또한, 변형점이 높은 유리(예를 들면, 변형점이 670℃ 이상인 유리)는, 변형점이 낮은 유리(예를 들면, 변형점이 670℃ 미만인 유리)와 비교하여 실투 온도가 높아지기 쉬운 경향이 있기 때문에, 실투를 억제하기 위해서, 성형 공정에서의 용융 유리의 온도를 변형점이 낮은 유리와 비교하여 높게 해야만 하는 경우가 있다. 여기에서, 오버플로우 다운드로우법으로 이용되는 성형체는, 내크리프성·내열성이라고 하는 관점에서, 지르코니아를 함유하는 내화물을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다. 성형 방법으로서 오버플로우 다운드로우를 채용하는 경우, 성형 공정에서의 용융 유리의 온도를 높게 하고자 할수록, 성형체의 온도도 상승시킬 필요가 있다. 그러나, 성형체의 온도가 높아지면, 성형체로부터 지르코니아가 용출하고, 상기 지르코니아의 실투가 발생하기 쉬워진다라고 하는 문제가 있다. 또한, 특히 SnO2을 많이 함유하는 유리에서는, 이 지르코니아에 기인하여 SnO2의 실투가 발생할 우려가 있다.In addition, since a glass having a high strain point (for example, a glass having a strain point of 670 DEG C or higher) tends to have a higher melt temperature than a glass having a low strain point (for example, a glass having a strain point of less than 670 DEG C) The temperature of the molten glass in the molding step may have to be made higher than that of the glass having a low strain point. Here, from the viewpoint of creep resistance and heat resistance, the formed body used in the overflow down draw method is preferably composed of a refractory containing zirconia. When the overflow down draw is employed as the molding method, the temperature of the molded body needs to be increased as the temperature of the molten glass in the molding step is increased. However, when the temperature of the molded article is increased, there is a problem that zirconia elutes from the molded article, and the zirconia is easily released. In the particularly advantageous to containing a large amount of SnO 2, due to the zirconia it is liable to cause devitrification of the SnO 2.

또한, 변형점이 높은 유리(예를 들면, 변형점이 670℃ 이상인 유리)는, 변형점이 낮은 유리(예를 들면, 변형점이 670℃ 미만인 유리)와 비교하여, 유리 원료를 용해하는 온도도 높아지기 쉬운 경향이 있다. 여기에서, 용해 공정을 행하는 용해조는, 내침식성의 관점에서, 지르코니아를 함유하는 고 지르코니아계 내화물을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 에너지 효율의 관점에서, 전기 용융 혹은 전기 용융과 다른 가열 수단의 조합으로 유리 원료를 용해하는 것이 바람직하다. 그러나, 본 발명에 기재된 바와 같은 고변형점이면서, 알칼리 금속 산화물을 미량밖에 함유할 수 없는 유리를 용해하는 경우, 용융 유리의 비저항이 크기 때문에, 고 지르코니아계 내화물에 전류가 흐르게 되어, 용융 유리 중에 지르코니아가 용출하게 된다는 문제가 발생하기 쉬워진다. 지르코니아가 용출되면, 상술한 지르코니아의 실투 및 지르코니아에 기인하는 SnO2의 실투가 발생할 우려가 있다.In addition, a glass having a high strain point (for example, a glass having a strain point of 670 DEG C or higher) tends to have a higher melting point of a glass raw material than a glass having a low strain point (for example, a glass having a strain point of less than 670 DEG C) . Here, from the viewpoint of erosion resistance, it is preferable that the melting tank for performing the melting process comprises a high zirconia refractory containing zirconia. From the viewpoint of energy efficiency, it is preferable to dissolve the glass raw material by a combination of electric melting or electric melting and other heating means. However, in the case of melting a glass which can contain only a small amount of alkali metal oxide while having a high strain point as described in the present invention, since the resistivity of the molten glass is large, a current flows in the high-refractory zirconia refractory, The problem that the zirconia elutes becomes easy to occur. When the zirconia is eluted, there is a fear that the above-described zirconia disintegration and zirconia-induced disintegration of SnO 2 may occur.

즉, 지르코니아에 기인한 SnO2의 실투를 억제한다고 하는 관점에서도, 본 발명의 유리 기판에서는, SnO2은 0.2mol%를 초과하여 함유시키는 것은 바람직하지 않다. 이러한 관점에서, SnO2 함유량은, 예를 들면 0.01 내지 0.2mol%의 범위로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.03 내지 0.15 mol%, 더 바람직하게는 0.05 내지 0.12 mol%의 범위이다.In other words, from the viewpoint of suppressing the occurrence of dislocation of SnO 2 due to zirconia, it is not preferable to contain SnO 2 in an amount exceeding 0.2 mol% in the glass substrate of the present invention. From this viewpoint, the SnO 2 content is preferably in the range of, for example, 0.01 to 0.2 mol%, more preferably 0.03 to 0.15 mol%, and still more preferably 0.05 to 0.12 mol%.

Fe2O3은, 청징제로서의 작용을 갖는 이외에, 용융 유리의 비저항을 저하시키는 성분이다. 고온점성이 높고, 난용해성의 유리에서는, 용융 유리의 비저항을 저하시키기 위해서 함유시키는 것이 바람직하다. 그러나, Fe2O3 함유량이 지나치게 많아지면, 유리가 착색되고, 투과율이 저하된다. 그 때문에 Fe2O3 함유량은, 0 내지 0.1mol%의 범위이며, 바람직하게는 0 내지 0.05mol%, 보다 바람직하게는 0.001 내지 0.05mol%, 더 바람직하게는 0.003 내지 0.05mol%, 한층 바람직하게는 0.005 내지 0.03mol%의 범위이다.Fe 2 O 3 has a function as a refining agent and is a component that lowers the resistivity of the molten glass. In order to lower the resistivity of the molten glass, it is preferable that the glass is high in high-temperature viscosity and poorly soluble. However, if the content of Fe 2 O 3 is excessively large, the glass is colored and the transmittance is lowered. Therefore, the Fe 2 O 3 content is in the range of 0 to 0.1 mol%, preferably 0 to 0.05 mol%, more preferably 0.001 to 0.05 mol%, still more preferably 0.003 to 0.05 mol% Is in the range of 0.005 to 0.03 mol%.

본 발명에서 청징제는, SnO2과 Fe2O3을 조합하여 이용하는 것이 바람직하다. 실투의 관점에서는, SnO2을 많이 함유시키는 것이 바람직하지 않은 것은 상술한 바와 같다. 그러나, 청징 효과를 충분히 얻기 위해서는 청징제를 소정값 이상 함유시키는 것이 요구된다. 따라서, SnO2과 Fe2O3을 병용함으로써, SnO2의 함유량을 실투가 발생하는 만큼 많게 하지 않아도, 충분한 청징 효과를 얻어 기포가 적은 유리 기판을 제조할 수 있다. SnO2와 Fe2O3의 합량은, 바람직하게는 0.05 내지 0.2mol%의 범위이며, 보다 바람직하게는 0.08 내지 0.2mol%, 더 바람직하게는 0.1 내지 0.18mol%, 한층 바람직하게는 0.1 내지 0.15mol%의 범위이다.In the present invention, the refining agent is preferably used in combination of SnO 2 and Fe 2 O 3 . From the viewpoint of disintegration, it is as described above that it is not preferable to contain a large amount of SnO 2 . However, in order to sufficiently obtain the purifying effect, it is required to contain the purifying agent at a predetermined value or more. Therefore, by using SnO 2 and Fe 2 O 3 in combination, it is possible to produce a glass substrate with a sufficient purifying effect and few bubbles, even if the content of SnO 2 is not increased as much as the occurrence of slag. The total amount of SnO 2 and Fe 2 O 3 is preferably in the range of 0.05 to 0.2 mol%, more preferably 0.08 to 0.2 mol%, still more preferably 0.1 to 0.18 mol%, still more preferably 0.1 to 0.15 mol% mol%.

SnO2와 Fe2O3의 합량에 대한 SnO2의 함유량의 몰비(SnO2/(SnO2+Fe2O3))는, 지나치게 크면 실투가 발생하기 쉬워지고, 지나치게 작으면 충분한 청징 효과를 얻을 수 없게 되어, 유리가 착색되는 경우가 있다. 그로 인해, 바람직하게는 0.55 내지 1의 범위이며, 보다 바람직하게는 0.6 내지 1, 더 바람직하게는 0.65 내지 1, 한층 바람직하게는 0.65 내지 0.95, 보다 한층 바람직하게는 0.65 내지 0.9의 범위이다.If the molar ratio (SnO 2 / (SnO 2 + Fe 2 O 3 )) of the content of SnO 2 to the total amount of SnO 2 and Fe 2 O 3 is excessively large, disintegration tends to occur. So that the glass may be colored. Therefore, it is preferably in the range of 0.55 to 1, more preferably 0.6 to 1, still more preferably 0.65 to 1, still more preferably 0.65 to 0.95, still more preferably 0.65 to 0.9.

본 발명의 유리 기판은, 환경 부하의 문제에서 As2O3는 실질적으로 함유하지 않는 것이 바람직하다. 본 발명의 유리 기판은, 환경 부하의 문제에서, Sb2O3은 바람직하게는 0 내지 0.5mol%, 보다 바람직하게는 0 내지 0.1mol%, 가장 바람직하게는 실질적으로 함유하지 않는다.It is preferable that the glass substrate of the present invention contains substantially no As 2 O 3 in view of environmental load. In the glass substrate of the present invention, Sb 2 O 3 preferably contains 0 to 0.5 mol%, more preferably 0 to 0.1 mol%, most preferably substantially no Sb 2 O 3 in view of environmental load.

본 발명의 유리 기판은, 환경상의 이유에서 PbO 및 F은 실질적으로 함유하지 않는 것이 바람직하다.The glass substrate of the present invention is preferably substantially free of PbO and F for environmental reasons.

또한, 본 명세서에서, 「실질적으로 함유하지 않음」이란, 상기 유리 원료에 이들 성분의 원료로 되는 물질을 이용하지 않는 것을 의미하고, 다른 성분의 유리 원료에 불순물로서 포함되는 성분, 제조 장치로부터 유리로 용출되는 성분의 혼입을 배제하는 것은 아니다.In the present specification, the term " substantially not containing " means not using a substance as a raw material for these components in the glass raw material, and includes components contained as impurities in glass raw materials of other components, It does not exclude the incorporation of components eluted into the solution.

SiO2의 함유량과 Al2O3의 함유량의 2배의 합량인 SiO2+2×Al2O3은 지나치게 적으면, 변형점이 저하되는 경향이 있고, 지나치게 많으면, 내실투성이 악화하는 경향이 있다. 그 때문에 SiO2+2×Al2O3은, 100mol% 이하이고, 바람직하게는 75 내지 100mol%, 보다 바람직하게는 75 내지 97mol%, 보다 바람직하게는 80 내지 96mol%, 더 바람직하게는 85 내지 96mol%, 한층 바람직하게는 85 내지 95mol%, 보다 한층 바람직하게는 87 내지 95mol%, 더한층 바람직하게는 89 내지 95mol%, 또한 한층 바람직하게는 89 내지 94mol%이다.When the content of SiO 2 + 2 x Al 2 O 3, which is the sum of the content of SiO 2 and the content of Al 2 O 3 , is too small, the strain point tends to decrease, while if it is excessively large, the resistance to devitrification tends to deteriorate. Therefore, SiO 2 + 2 x Al 2 O 3 is 100 mol% or less, preferably 75 to 100 mol%, more preferably 75 to 97 mol%, more preferably 80 to 96 mol%, still more preferably 85 to 95 mol% More preferably 85 to 95 mol%, still more preferably 87 to 95 mol%, still more preferably 89 to 95 mol%, still more preferably 89 to 94 mol%.

SiO2의 함유량과 Al2O3의 1/2의 차 SiO2-Al2O3/2는, 값이 지나치게 작으면, 에칭 레이트는 향상하지만, 내실투성이 저하될 우려가 있다. 값이 지나치게 높으면, 에칭 레이트가 저하될 우려가 있다. 이러한 관점에서, SiO2-Al2O3/2는, 69mol% 이하인 것이 바람직하고, 바람직하게는 45 내지 69mol%, 보다 바람직하게는 45 내지 64mol%, 더 바람직하게는 50 내지 63mol%, 한층 바람직하게는 55 내지 62 mol%, 보다 한층 바람직하게는 55 내지 61.5mol%, 더한층 바람직하게는 55 내지 61mol%이다.If the content and the difference SiO 2 -Al 2 O 3/2, the value of the Al 2 O 3 1/2 of SiO 2 is too small, the etching rate is improved but there is a substantial risk of degradation is full. If the value is too high, there is a fear that the etching rate is lowered. In view of this, SiO 2 -Al 2 O 3/ 2 is preferable, and preferably from 45 to 69mol%, more preferably from 45 to 64mol%, more preferably from 50 to 63mol%, more preferably not more than 69mol% Is 55 to 62 mol%, still more preferably 55 to 61.5 mol%, still more preferably 55 to 61 mol%.

몰비 B2O3/(SiO2+Al2O3)는, 주로 변형점과 내실투성의 지표로 된다. B2O3는, 전술한 바와 같이, 함유량이 적으면, 용해성 및 내실투성이 저하된다. 한편, 함유량이 많아지면, 변형점이 저하되고, 내열성이 저하된다. 또한, 함유량이 많아지면, 내산성 및 영률이 저하되는 경향이 있다. B2O3/(SiO2+Al2O3)에 대해서도 기본적으로는 마찬가지의 경향이 있다. 그 때문에 몰비 B2O3/(SiO2+Al2O3)는 0 내지 0.12의 범위로 한다. B2O3/(SiO2+Al2O3)가 0.12 초과이면, 변형점을 충분히 높게 할 수 없어, 0에 근접할수록 내실투성은 저하되는 경향이 있다. 몰비 B2O3/(SiO2+Al2O3)는, 바람직하게는 0 내지 0.1, 보다 바람직하게는 0.001 내지 0.08, 더 바람직하게는 0.005 내지 0.08, 한층 바람직하게는 0.01 내지 0.075, 보다 한층 바람직하게는 0.01 내지 0.07의 범위이다. 한편, 보다 내실투성을 중시한 경우에는, 몰비 B2O3/(SiO2+Al2O3)는 0 내지 0.12, 바람직하게는 0.01 내지 0.10, 보다 바람직하게는 0.02 내지 0.09, 더 바람직하게는 0.025 내지 0.085의 범위이다. 또한, 상기 몰비의 역수인 (SiO2+Al2O3)/B2O3는, B2O3가 0mol% 초과인 경우, 바람직하게는 8.3 이상이다.The molar ratio B 2 O 3 / (SiO 2 + Al 2 O 3 ) is mainly an index of strain and resistance. As described above, when the content of B 2 O 3 is small, the solubility and resistance to devitrification decrease. On the other hand, when the content is increased, the strain point is lowered and the heat resistance is lowered. In addition, when the content is large, the acid resistance and the Young's modulus tend to decrease. B 2 O 3 / (SiO 2 + Al 2 O 3 ) basically has a similar tendency. Therefore, the molar ratio B 2 O 3 / (SiO 2 + Al 2 O 3 ) is in the range of 0 to 0.12. If B 2 O 3 / (SiO 2 + Al 2 O 3 ) is more than 0.12, the strain point can not be made sufficiently high, and the resistance to devitrification tends to decrease as it approaches zero. The molar ratio B 2 O 3 / (SiO 2 + Al 2 O 3 ) is preferably 0 to 0.1, more preferably 0.001 to 0.08, still more preferably 0.005 to 0.08, still more preferably 0.01 to 0.075, Preferably in the range of 0.01 to 0.07. On the other hand, in the case of emphasizing the resistance to devitrification, the molar ratio B 2 O 3 / (SiO 2 + Al 2 O 3 ) is 0 to 0.12, preferably 0.01 to 0.10, more preferably 0.02 to 0.09, 0.025 to 0.085. In addition, (SiO 2 + Al 2 O 3 ) / B 2 O 3 which is an inverse number of the molar ratio is preferably 8.3 or more when B 2 O 3 is more than 0 mol%.

B2O3와 P2O5의 합량인 B2O3+P2O5은 지나치게 적으면, 용해성이 저하되는 경향이 있고, 지나치게 많으면, B2O3+P2O5의 유리의 불균질이 현저해지고, 맥리가 발생하기 쉬워져 변형점이 저하되는 경향이 있다. 그로 인해 B2O3+P2O5은, 바람직하게는 0 내지 8mol%, 보다 바람직하게는 0 내지 5mol%, 더 바람직하게는 0.1 내지 5mol%, 한층 바람직하게는 1.5 내지 5mol%이다. 한편, 내실투성을 중시한 경우에는, B2O3+P2O5은, 바람직하게는 0 내지 7mol%, 보다 바람직하게는 0.1 내지 7mol%, 더 바람직하게는 1 내지 7mol%, 한층 바람직하게는 1.5 내지 7mol%, 보다 한층 바람직하게는 1.5 내지 6.5mol%, 더한층 바람직하게는 2 내지 6.5mol%, 또 한층 바람직하게는 2 내지 6mol%의 범위이다. B2O3+P2O5은, 용해성과 내실투성 양쪽을 고려하여 적절하게 결정된다. 용해성과 내실투성 양쪽을 고려하면, B2O3+P2O5은, 바람직하게는 1 내지 8 mol%, 보다 바람직하게는 1.5 내지 7mol%, 더 바람직하게는 2 내지 5 mol%이다.B 2 O 3 and P 2 O 5 in the total amount of B 2 O 3 + P 2 O 5 is if too small, there is a tendency that the solubility is decreased, is too large, B 2 O 3 + P 2 O 5 in the glass of the fire The homogeneity becomes remarkable, and it is easy for the fissure to occur and the strain point tends to be lowered. Therefore, B 2 O 3 + P 2 O 5 is preferably 0 to 8 mol%, more preferably 0 to 5 mol%, still more preferably 0.1 to 5 mol%, still more preferably 1.5 to 5 mol%. On the other hand, when emphasis is placed on impermeability, the content of B 2 O 3 + P 2 O 5 is preferably 0 to 7 mol%, more preferably 0.1 to 7 mol%, still more preferably 1 to 7 mol% Is in the range of 1.5 to 7 mol%, still more preferably 1.5 to 6.5 mol%, still more preferably 2 to 6.5 mol%, still more preferably 2 to 6 mol%. B 2 O 3 + P 2 O 5 is appropriately determined in consideration of both the solubility and the resistance to devitrification. B 2 O 3 + P 2 O 5 is preferably 1 to 8 mol%, more preferably 1.5 to 7 mol%, and still more preferably 2 to 5 mol% in consideration of both solubility and impermeability.

몰비 MgO/RO은 내실투성의 지표로 된다. 단, RO은 MgO, CaO, SrO 및 BaO의 함유량의 합량 (MgO+CaO+SrO+BaO)이다. MgO/RO은 바람직하게는 0.15 내지 0.9, 보다 바람직하게는 0.2 내지 0.8, 더 바람직하게는 0.3 내지 0.7, 한층 바람직하게는 0.3 내지 0.6의 범위이다. 이들 범위로 함으로써, 내실투성과 용해성을 양립할 수 있다. 또한, 저밀도화를 도모할 수 있다.The molar ratio MgO / RO is an indicator of resistance. Note that RO is the sum of the contents of MgO, CaO, SrO and BaO (MgO + CaO + SrO + BaO). MgO / RO is preferably in the range of 0.15 to 0.9, more preferably 0.2 to 0.8, still more preferably 0.3 to 0.7, still more preferably 0.3 to 0.6. By setting these ranges, resistance to insolubility and solubility can be achieved at the same time. In addition, the density can be reduced.

SrO 및 BaO은, 유리의 실투 온도를 낮출 수 있는 성분이다. 필수적이지 않지만, 함유시키면, 내실투성 및 용해성이 향상된다. 단, 함유량이 지나치게 많으면, 밀도가 상승하게 된다. 이러한 관점에서, SrO 함유량 및 BaO 함유량의 합량 (SrO+BaO)은, 바람직하게는 0 내지 15mol%의 범위이며, 보다 바람직하게는 0 내지 10mol%, 더 바람직하게는 0 내지 7mol%, 한층 바람직하게는 0 내지 5mol%, 보다 한층 바람직하게는 0 내지 4mol%, 더한층 바람직하게는 0 내지 3mol%, 또 한층 바람직하게는 0 내지 2mol%의 범위이다. 밀도를 저하시키고자 하는 경우에는, 실질적으로 함유시키지 않는 것이 바람직하다.SrO and BaO are components that can lower the glass transition temperature. Though not essential, if contained, resistance to devitrification and solubility are improved. However, if the content is excessively large, the density is increased. From this viewpoint, the sum of the SrO content and the BaO content (SrO + BaO) is preferably in the range of 0 to 15 mol%, more preferably 0 to 10 mol%, still more preferably 0 to 7 mol% Is 0 to 5 mol%, still more preferably 0 to 4 mol%, still more preferably 0 to 3 mol%, still more preferably 0 to 2 mol%. When the density is intended to be lowered, it is preferable that it is not substantially contained.

MgO, CaO, SrO 및 BaO은, 용해성을 향상시키는 성분이다. MgO, CaO, SrO 및 BaO의 함유량의 합량인 RO(MgO+CaO+SrO+BaO)이 지나치게 적으면, 용해성이 악화한다. RO가 지나치게 많으면, 변형점이 저하되고, 밀도가 상승하여, 영률이 저하된다. 또한, RO가 지나치게 많으면, 열팽창 계수가 증대하는 경향도 있다. 이러한 관점에서, RO은, 바람직하게는 4 내지 25mol%의 범위이며, 보다 바람직하게는 7 내지 21mol%, 더 바람직하게는 12 내지 19mol%의 범위이다.MgO, CaO, SrO, and BaO are components that improve solubility. If the amount of RO (MgO + CaO + SrO + BaO) which is the sum of the contents of MgO, CaO, SrO and BaO is too small, the solubility deteriorates. If the RO is excessively large, the strain point is lowered, the density is increased, and the Young's modulus is lowered. Also, if the RO is excessively large, the coefficient of thermal expansion tends to increase. From this viewpoint, RO is preferably in the range of 4 to 25 mol%, more preferably in the range of 7 to 21 mol%, and more preferably in the range of 12 to 19 mol%.

BaO은, 환경에 대한 부하가 큰 성분이며, 또한 그 함유량이 많아지면 유리의 밀도가 높아져서, 유리 기판의 경량화를 도모하기 어려워진다. BaO/RO은 바람직하게는 0 내지 0.5, 보다 바람직하게는 0 내지 0.1, 더 바람직하게는 0 내지 0.07, 한층 바람직하게는 0 내지 0.05, 보다 한층 바람직하게는 0 내지 0.02의 범위이다.BaO is a component having a large load on the environment, and when the content thereof is large, the density of the glass becomes high, and it becomes difficult to reduce the weight of the glass substrate. The BaO / RO is preferably in the range of 0 to 0.5, more preferably 0 to 0.1, more preferably 0 to 0.07, still more preferably 0 to 0.05, still more preferably 0 to 0.02.

Li2O, Na2O 및 K2O은, 유리의 염기성도를 높이고, 청징제의 산화를 용이하게 하여, 청징성을 발휘시키는 성분이다. 또한, 용융 온도에서의 점성을 저하시켜, 용해성을 향상시키는 성분이다. 또한, 용융 유리의 비저항을 저하시키는 성분이기도 한다. Li2O, Na2O 및 K2O은, 필수적이지 않지만, 함유시키면 용융 유리의 비저항이 저하되고, 청징성 및 용해성이 향상된다. 특히, 용해조를 구성하는 내화물에 전류가 과도하게 흐르게 되는 것을 방지할 수 있어, 용해조가 침식되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 용해조가 지르코니아를 함유하는 경우, 용해조로부터 유리에의 지르코니아의 용출을 억제할 수 있기 때문에, 지르코니아에 기인한 실투도 억제할 수 있다. 또한, 용해 유리의 점성을 저하시키므로, 용해성과 청징성이 향상된다. 그러나, Li2O, Na2O 및 K2O의 함유량의 합량인 R2O이 지나치게 많으면, 유리 기판으로부터 용출하여 TFT 특성을 열화시킬 우려가 있다. 또한, 열팽창 계수가 증대하는 경향이 있다. R2O은 바람직하게는 0 내지 0.8mol%, 보다 바람직하게는 0.01 내지 0.5mol%, 더 바람직하게는 0.1 내지 0.3mol%이다.Li 2 O, Na 2 O and K 2 O are components that enhance the basicity of the glass, facilitate the oxidation of the fining agent, and exert the fineness. It is also a component for lowering the viscosity at the melting temperature and improving the solubility. It is also a component that lowers the resistivity of the molten glass. Li 2 O, Na 2 O and K 2 O are not essential, but if they are contained, the resistivity of the molten glass is lowered and the refinability and solubility are improved. Particularly, it is possible to prevent the current from flowing excessively to the refractory constituting the melting tank, and it is possible to suppress erosion of the melting tank. Further, in the case where the melting vessel contains zirconia, the dissolution of zirconia into the glass from the melting vessel can be suppressed, so that the elimination due to zirconia can also be suppressed. Further, since the viscosity of the molten glass is lowered, the solubility and clarifying property are improved. However, if R 2 O, which is the sum of the contents of Li 2 O, Na 2 O and K 2 O, is excessively large, there is a risk of eluting from the glass substrate and deteriorating TFT characteristics. Further, the coefficient of thermal expansion tends to increase. R 2 O is preferably 0 to 0.8 mol%, more preferably 0.01 to 0.5 mol%, and still more preferably 0.1 to 0.3 mol%.

K2O은, Li2O이나 Na2O과 비교하여, 분자량이 크기 때문에, 유리 기판으로부터 용출하기 어렵다. 그로 인해, R2O을 함유시키는 경우에는, Li2O이나 Na2O보다도 K2O을 많이 함유시키는 것이 바람직하다. Li2O 및 Na2O의 비율이 크면, 유리 기판으로부터 용출하여 TFT 특성을 열화시킬 우려가 커진다. 몰비 K2O/R2O은, 바람직하게는 0.5 내지 1, 보다 바람직하게는 0.6 내지 1, 더 바람직하게는 0.65 내지 1, 한층 바람직하게는 0.7 내지 1의 범위이다.Since K 2 O has a larger molecular weight than Li 2 O or Na 2 O, it is difficult to elute from the glass substrate. Therefore, when R 2 O is contained, it is preferable to contain a larger amount of K 2 O than Li 2 O or Na 2 O. If the ratio of Li 2 O and Na 2 O is large, there is a high possibility of eluting from the glass substrate to deteriorate TFT characteristics. The molar ratio K 2 O / R 2 O is preferably in the range of 0.5 to 1, more preferably 0.6 to 1, still more preferably 0.65 to 1, still more preferably 0.7 to 1.

본 발명의 유리 기판은 실투 온도가, 바람직하게는 1280℃ 미만, 보다 바람직하게는 1260℃ 이하, 더 바람직하게는 1250℃ 이하, 한층 바람직하게는 1235℃ 이하, 보다 한층 바람직하게는 1215℃ 이하이다. 실투 온도가 1280℃ 미만이면 오버플로우 다운드로우법으로 유리판의 성형이 하기 쉬워진다. 오버플로우 다운드로우법을 적용함으로써, 유리 기판 표면을 연마하는 공정을 생략할 수 있으므로, 유리 기판의 표면 품질을 향상할 수 있다. 또한, 생산 비용도 저감할 수 있다. 실투 온도가 지나치게 높으면, 실투가 발생하기 쉬어, 품질 저하의 우려가 있다. 또한, 오버플로우 다운드로우법에 대한 적용이 어려워지는 경향이 있다.The glass substrate of the present invention preferably has a glass transition temperature of preferably less than 1280 DEG C, more preferably 1260 DEG C or less, still more preferably 1250 DEG C or less, still more preferably 1235 DEG C or less, still more preferably 1215 DEG C or less . If the temperature is lower than 1280 ° C, the glass plate can be easily formed by the overflow down-draw method. By applying the overflow down-draw method, the step of polishing the surface of the glass substrate can be omitted, so that the surface quality of the glass substrate can be improved. In addition, the production cost can be reduced. If the slagging temperature is excessively high, the slag is liable to occur, which may cause deterioration in quality. Also, the application to the overflow down-draw method tends to become difficult.

본 발명의 유리 기판은, 100℃ 내지 300℃에서의 평균 열팽창 계수(100-300℃)가, 28×10-7-1 이상, 50×10-7-1 미만인 것이 바람직하고, 바람직하게는 41×10-7-1 미만, 보다 바람직하게는 28 내지 41×10-7-1 미만, 더 바람직하게는 28 내지 39×10-7-1 미만, 한층 바람직하게는 28 내지 38×10-7-1 미만, 보다 한층 바람직하게는 32 내지 38×10-7-1 미만, 더한층 바람직하게는 34×10-7-1 초과 내지 38×10-7-1 미만의 범위이다. 열팽창 계수가 크면, 열처리 공정에서, 열 충격이나 열 수축률이 증대하는 경향이 있다. LTPS- TFT의 제조 공정에서는, 급가열과 급랭이 반복되어, 유리 기판에 가해지는 열 충격은 커진다. 또한, 대형의 유리 기판은, 열처리 공정에서, 온도차(온도 분포)가 나기 쉬어, 유리 기판의 파괴 확률이 높아진다. 또한, 열팽창 계수가 크면, 열 수축률을 저감하는 것이 곤란해진다. 한편, 열팽창 계수가 작으면, 유리 기판 위에 형성되는 금속, 유기계 접착제 등의 주변 재료와 열팽창 계수의 정합을 취하기 어려워져서, 주변 부재가 박리하게 될 우려가 있다.The glass substrate of the present invention preferably has an average thermal expansion coefficient (100-300 ° C) at 100 ° C to 300 ° C of 28 x 10 -7-1 and less than 50 x 10 -7-1 , Is preferably less than 41 占10-7占 폚 -1 , more preferably less than 28 占 41 占0-7占 폚 -1 , more preferably less than 28 占 39 占10-7占 폚 -1 , still more preferably 28 to 38 × 10 -7-1 or less, still more preferably from 32 to less than 38 × 10 -7-1, incidentally preferably greater than 34 × 10 -7-1 to less than 38 × 10 -7 -1 ℃ of Range. When the coefficient of thermal expansion is large, there is a tendency that heat shock or heat shrinkage ratio increases in the heat treatment step. In the manufacturing process of the LTPS-TFT, rapid heating and quenching are repeated, and the thermal shock applied to the glass substrate becomes large. Further, in a large glass substrate, a temperature difference (temperature distribution) is likely to be generated in the heat treatment step, and the probability of destruction of the glass substrate is increased. Further, if the thermal expansion coefficient is large, it is difficult to reduce the heat shrinkage ratio. On the other hand, if the coefficient of thermal expansion is small, it is difficult to match the thermal expansion coefficient with the surrounding material such as a metal or an organic adhesive agent formed on the glass substrate, and the peripheral member may peel off.

일반적으로 유리 기판은 변형점이 낮으면, 디스플레이 제조 시의 열처리 공정에서 열 수축이 발생하기 쉬워진다. 본 발명의 유리 기판은, 변형점이, 바람직하게는 670℃ 이상, 보다 바람직하게는 680℃ 이상, 더 바람직하게는 685℃ 이상, 한층 바람직하게는 690℃ 이상, 보다 한층 바람직하게는 695℃ 이상이다.In general, when the glass substrate has a low strain point, heat shrinkage tends to occur in a heat treatment process at the time of manufacturing a display. The glass substrate of the present invention preferably has a strain point of at least 670 ° C, more preferably at least 680 ° C, more preferably at least 685 ° C, more preferably at least 690 ° C, even more preferably at least 695 ° C .

본 발명의 유리 기판은 열 수축률이, 75ppm 미만이고, 바람직하게는 70ppm 미만, 보다 바람직하게는 65ppm 미만, 보다 바람직하게는 60ppm 미만이다. 열 수축률은, 바람직하게는 55ppm 이하, 더 바람직하게는 50ppm 이하, 한층 바람직하게는 48ppm 이하, 보다 한층 바람직하게는 45ppm 이하이다. 열 수축률(양)이 지나치게 커지면, 화소의 큰 피치 어긋남을 일으켜서, 고정밀의 디스플레이를 실현할 수 없게 된다. 열 수축률(양)을 소정 범위로 제어하기 위해서는, 유리 기판의 변형점을 670℃ 이상으로 하고, 또한 평균 열팽창 계수 (100-300℃)를 50×10-7-1 미만으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 열 수축률은 가장 바람직하게는 0ppm이지만, 열 수축률을 0ppm으로 하고자 하면, 서냉 공정을 극히 길게 하는 것이나, 서냉, 절단 공정 후에 열 수축 저감 처리(오프라인 서냉)를 실시하는 것이 요구되지만, 이 경우, 생산성이 저하되어, 비용이 크게 올라가게 된다. 생산성 및 비용을 감안하면, 열 수축률은, 예를 들면 3ppm 이상 75ppm 미만인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5ppm 이상 75ppm 미만, 더 바람직하게는 10ppm 이상 65ppm 미만, 한층 바람직하게는 15ppm 이상 60ppm 미만, 보다 한층 바람직하게는 20 내지 55ppm, 또한 한층 바람직하게는 25 내지 50ppm이다.The glass substrate of the present invention has a heat shrinkage of less than 75 ppm, preferably less than 70 ppm, more preferably less than 65 ppm, and more preferably less than 60 ppm. The heat shrinkage ratio is preferably 55 ppm or less, more preferably 50 ppm or less, still more preferably 48 ppm or less, still more preferably 45 ppm or less. When the heat shrinkage rate (amount) is excessively large, a large pitch shift of the pixel is caused, and high-precision display can not be realized. In order to control the heat shrinkage rate (amount) to a predetermined range, it is preferable that the strain point of the glass substrate is 670 캜 or higher and the average thermal expansion coefficient (100-300 캜) is less than 50 x 10 -7-1 . The heat shrinkage rate is most preferably 0 ppm. However, when the heat shrinkage rate is 0 ppm, it is required to make the slow cooling process extremely long, or to perform the heat shrinkage reduction process (offline slow cooling) after the slow cooling and the cutting process. , The productivity is lowered and the cost is greatly increased. Considering productivity and cost, the heat shrinkage is preferably from 3 ppm to less than 75 ppm, more preferably from 5 ppm to less than 75 ppm, more preferably from 10 ppm to less than 65 ppm, still more preferably from 15 ppm to less than 60 ppm More preferably from 20 to 55 ppm, and still more preferably from 25 to 50 ppm.

또한, 열 수축률은, 승강온 속도가 10℃/분, 550℃에서 2시간 유지의 열처리가 실시된 후의 하기식으로 나타낸다. 보다 상세하게는, 상온으로부터 10℃/분에서 승온하고, 550℃에서 2시간 유지하고, 그 후, 10℃/분에서 상온까지 강온한다.The heat shrinkage rate is shown by the following formula after the heat treatment at the elevation temperature rate of 10 ° C / min and holding at 550 ° C for 2 hours. More specifically, the temperature is raised at a rate of 10 占 폚 / min from a room temperature, held at 550 占 폚 for 2 hours, and then lowered to a room temperature at a rate of 10 占 폚 / min.

열 수축률(ppm)={열처리 전후의 유리의 수축량/열처리 전의 유리의 길이}×106 Heat shrinkage rate (ppm) = (shrinkage of glass before and after heat treatment / length of glass before heat treatment) x 10 6

이때, 「열수축 처리 전후의 유리의 수축량」이란, 「열처리 전의 유리의 길이-열처리 후의 유리의 길이」이다.Here, the " amount of shrinkage of the glass before and after the heat shrinkage treatment " is the " length of the glass after heat treatment "

본 발명의 유리 기판은 밀도가, 유리 기판의 경량화 및 디스플레이의 경량화라고 하는 관점에서, 바람직하게는 2.6g/㎤ 이하, 보다 바람직하게는 2.57g/㎤ 이하, 더 바람직하게는 2.53g/㎤ 이하, 한층 바람직하게는 2.5g/㎤ 이하이다. 밀도가 지나치게 높아지면, 유리 기판의 경량화가 곤란해져서, 디스플레이의 경량화도 도모할 수 없게 된다.The glass substrate of the present invention preferably has a density of 2.6 g / cm 3 or less, more preferably 2.57 g / cm 3 or less, still more preferably 2.53 g / cm 3 or less in terms of density, light weight of the glass substrate, , And still more preferably not more than 2.5 g / cm 3. If the density is excessively high, it is difficult to reduce the weight of the glass substrate, and the weight of the display can not be reduced.

유리의 전이점(이하, Tg라 기재함)이 낮아지면, 내열성이 저하되는 경향이 있다. 또한, 열처리 공정에서 열 수축이 발생하기 쉬워지는 경향도 있다. 본 발명의 유리 기판은 Tg가, 바람직하게는 720℃ 이상, 보다 바람직하게는 730℃ 이상, 더 바람직하게는 740℃ 이상, 한층 바람직하게는 750℃ 이상이다. 유리 기판의 Tg를 상기 범위로 하기 위해서는, 본 발명의 유리 기판의 조성의 범위에서, Tg를 높이는, 예를 들면 SiO2 및 Al2O3 등의 성분을 많게 하거나, 혹은 B2O3의 성분을 적게 하는 것이 적당하다.When the transition point of the glass (hereinafter referred to as Tg) is lowered, the heat resistance tends to decrease. In addition, there is a tendency that heat shrinkage tends to occur in the heat treatment step. The glass substrate of the present invention has a Tg of preferably 720 占 폚 or higher, more preferably 730 占 폚 or higher, even more preferably 740 占 폚 or higher, and still more preferably 750 占 폚 or higher. In order to make the Tg of the glass substrate in the above-described range, the range of composition of the glass substrate of the present invention, to increase the Tg, for example, SiO 2 and Al 2 O 3, such as increasing the component or of the, or the components of B 2 O 3 .

본 발명의 유리 기판을 구성하는 유리는, 에칭 레이트가 50㎛/h 이상인 것이 바람직하다. 에칭 레이트가 빨라지면, 생산성이 향상된다. 특히, TFT측과 컬러 필터측의 유리 기판을 맞댄 후에 에칭을 행하여 경량화를 도모하는 경우에는, 에칭 레이트가 생산성을 좌우한다. 그러나, 에칭 레이트가 지나치게 높아지면 액정 제조 시의 생산성은 향상되지만, 유리의 내실투성이 저하된다. 또한, 열 수축률도 증대하기 쉬워진다. 에칭 레이트는 바람직하게는 60 내지 140㎛/h , 보다 바람직하게는 70 내지 120㎛/h, 더 바람직하게는 75 내지 120㎛/h, 한층 바람직하게는 80 내지 120㎛/h이다. 유리의 에칭 레이트를 높이기 위해서는, SiO2-Al2O3/2의 값을 작게 하면 된다. 한편, 유리의 에칭 레이트를 낮게 하기 위해서는, 예를 들면 SiO2-Al2O3/2의 값을 크게 하면 된다. 본 발명에서는, 상기 에칭 레이트는 이하의 조건으로 측정한 것이라 정의한다. 에칭 레이트(㎛/h)는, 유리 기판을, HF 농도 1mol/kg, HCl 농도 5mol/kg으로 되도록 조정한 40℃의 에칭액에 1시간 침지한 경우의, 단위 시간(1시간)당 유리 기판의 한쪽 표면의 두께 감소량(㎛)으로서 표현한다.The glass constituting the glass substrate of the present invention preferably has an etching rate of 50 m / h or more. If the etching rate is increased, the productivity is improved. In particular, in the case where the TFT side and the glass substrate on the color filter side are brought back to each other and etched to reduce the weight, the etching rate affects the productivity. However, if the etching rate is excessively high, the productivity during the production of the liquid crystal is improved, but the resistance to devitrification of the glass is deteriorated. In addition, the heat shrinkage rate is also easily increased. The etching rate is preferably 60 to 140 占 퐉 / h, more preferably 70 to 120 占 퐉 / h, more preferably 75 to 120 占 퐉 / h, and still more preferably 80 to 120 占 퐉 / h. In order to increase the etching rate of the glass is smaller when the value of SiO 2 -Al 2 O 3/2 . On the other hand, in order to decrease the etching rate of the glass, for example, when the value of SiO 2 -Al 2 O 3/2 significantly. In the present invention, it is defined that the etching rate is measured under the following conditions. The etching rate (占 퐉 / h) of the glass substrate per unit time (1 hour) in the case of immersing the glass substrate in an etching solution of 40 占 폚 for one hour adjusted to have an HF concentration of 1 mol / kg and an HCl concentration of 5 mol / (탆) of the thickness of one surface.

본 발명의 유리 기판은 판 두께가, 예를 들면 0.1 내지 1.1mm의 범위일 수 있다. 단, 이 범위로 한정하는 의도는 아니다. 판 두께는, 예를 들면 0.1 내지 0.7mm, 0.3 내지 0.7mm, 0.3 내지 0.5mm의 범위일 수도 있다. 유리판의 두께가 지나치게 얇으면, 유리 기판 자체의 강도가 저하된다. 예를 들면, 플랫 패널 디스플레이 제조 시의 파손이 발생하기 쉬워진다. 판 두께가 지나치게 두꺼우면, 박형화가 요구되는 디스플레이에는 바람직하지 않다. 또한, 유리 기판의 중량이 무거워지기 때문에, 플랫 패널 디스플레이의 경량화를 도모하기 어려워진다. 또한, TFT 형성 후에 에칭 처리를 행하는 경우에는, 에칭 처리량이 많아져서 비용과 시간이 걸리게 된다.The glass substrate of the present invention may have a thickness in the range of, for example, 0.1 to 1.1 mm. However, the present invention is not limited to this range. The plate thickness may be in the range of, for example, 0.1 to 0.7 mm, 0.3 to 0.7 mm, and 0.3 to 0.5 mm. If the thickness of the glass plate is too thin, the strength of the glass substrate itself is lowered. For example, breakage at the time of manufacturing a flat panel display is likely to occur. If the plate thickness is excessively large, it is not preferable for a display requiring thinness. Further, since the weight of the glass substrate becomes heavy, it is difficult to reduce the weight of the flat panel display. Further, when the etching process is performed after the TFT is formed, the etching process amount becomes large, which leads to cost and time.

본 발명의 유리 기판은, 예를 들면 어레이·컬러 필터를 맞댄 후에 유리 기판 표면을 에칭 처리하는 플랫 패널 디스플레이의 제조에 이용된다. 특히 본 발명의 유리 기판은, LTPS-TFT 또는 OS-TFT가 형성되는 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판에 적합하다. 구체적으로는, 액정 디스플레이용 유리 기판, 유기 EL 디스플레이용 유리 기판에 적합하다. 특히, LTPS-TFT 액정 디스플레이용 유리 기판, LTPS-TFT 유기 EL 디스플레이용 유리 기판에 적합하다. 그 중에서도, 고정밀이 요구되는 휴대 단말기 등의 디스플레이용 유리 기판에 적합하다.The glass substrate of the present invention is used, for example, in the manufacture of a flat panel display in which an array color filter is etched back to a glass substrate surface. Particularly, the glass substrate of the present invention is suitable for a glass substrate for a flat panel display in which an LTPS-TFT or an OS-TFT is formed. Specifically, it is suitable for a glass substrate for a liquid crystal display and a glass substrate for an organic EL display. In particular, it is suitable for glass substrates for LTPS-TFT liquid crystal displays and glass substrates for LTPS-TFT organic EL displays. Among them, it is suitable for a display glass substrate such as a portable terminal requiring high precision.

<플랫 패널 디스플레이><Flat Panel Display>

본 발명은, LTPS-TFT 또는 OS-TFT를 유리 기판 표면에 형성한 플랫 패널 디스플레이를 포함하고, 이 플랫 패널 디스플레이는 유리 기판이 상기 본 발명의 유리 기판이다. 본 발명의 플랫 패널 디스플레이는, 예를 들면 액정 디스플레이 또는 유기 EL 디스플레이일 수 있다.The present invention includes a flat panel display in which an LTPS-TFT or an OS-TFT is formed on the surface of a glass substrate, wherein the glass substrate is the glass substrate of the present invention. The flat panel display of the present invention may be, for example, a liquid crystal display or an organic EL display.

<유리 기판의 제조 방법>&Lt; Production method of glass substrate >

본 발명의 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법은, 소정의 조성에 조합한 유리 원료를, 예를 들면 직접 통전 가열이나 연소 가열을 이용하여, 용해하는 용해 공정과,A manufacturing method of a glass substrate for a flat panel display according to the present invention is a manufacturing method of a glass substrate for a flat panel display comprising a melting step of melting a glass raw material combined with a predetermined composition by using direct energization heating or combustion heating,

상기 용해 공정에 의해 용해한 용융 유리를 평판 형상 유리로 성형하는 성형 공정과,A molding step of molding the molten glass melted by the melting step into flat glass,

상기 평판 형상 유리를 서냉하는 서냉 공정을 갖는다.And a slow cooling step of slowly cooling the flat glass.

특히, 상기 서냉 공정은, 상기 평판 형상 유리의 열 수축률을 저감하도록 상기 평판 형상 유리의 냉각 조건을 제어하는 공정인 것이 바람직하다.In particular, the slow cooling step is preferably a step of controlling the cooling condition of the flat glass to reduce the heat shrinkage rate of the flat glass.

[용해 공정] [Melting process]

용해 공정에서는, 소정의 조성을 갖도록 조합한 유리 원료를, 예를 들면 직접 통전 가열이나 연소 가열을 이용하여 용해한다. 유리 원료는, 공지의 재료로부터 적절하게 선택할 수 있다. 에너지 효율의 관점에서, 용해 공정에서는, 유리 원료를, 적어도 직접 통전 가열을 이용하여 용해하는 것이 바람직하다. 또한, 용해 공정을 행하는 용해조는, 고 지르코니아계 내화물을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.In the melting step, glass raw materials combined to have a predetermined composition are dissolved by, for example, direct electric heating or combustion heating. The glass raw material can be appropriately selected from known materials. From the viewpoint of energy efficiency, it is preferable to dissolve the glass raw material at least in the dissolving step by using direct energization heating. Further, it is preferable that the melting tank for performing the melting step comprises a high-zirconia-based refractory.

[성형 공정][Molding process]

성형 공정에서는, 용해 공정에서 용해한 용융 유리를 평판 형상 유리로 성형한다. 평판 형상 유리에의 성형 방법은, 예를 들면 다운드로우법, 특히 오버플로우 다운드로우법이 적합하며, 평판 형상 유리로서 유리 리본이 성형된다. 그 밖에, 플로트법, 리드로우법, 롤아웃법 등을 적용할 수 있다. 다운드로우법을 채용함으로써, 플로트법 등 다른 성형 방법을 이용한 경우에 비하여, 얻어진 유리 기판의 주 표면이 분위기 이외에는 비접촉인 자유 표면에서 형성되기 때문에, 극히 높은 평활성을 가지며, 성형 후의 유리 기판 표면의 연마 공정이 불필요하게 되기 때문에, 제조 비용을 저감할 수 있어, 생산성도 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 다운드로우법을 사용하여 성형한 유리 기판의 양쪽 주 표면은 균일한 조성을 갖기 때문에, 에칭 처리를 행하였을 때에, 성형시의 표리에 관계없이 균일하게 에칭을 행할 수 있다. 게다가, 다운드로우법을 사용하여 성형함으로써, 유리 기판 표면의 연마 공정에 기인한 마이크로 균열이 없는 표면 상태를 갖는 유리 기판을 얻을 수 있기 때문에, 유리 기판 자체의 강도도 향상시킬 수 있다.In the molding step, the molten glass dissolved in the melting step is molded into a flat glass. For example, a down-draw method, in particular, an overflow down-draw method is suitable for forming a glass ribbon into a plate-like glass. In addition, a float method, a lead-down method, a roll-out method, or the like can be applied. Since the main surface of the obtained glass substrate is formed on the free surface other than the atmosphere by using the down-draw method, compared with the case of using other forming methods such as the float method, the glass substrate has extremely high smoothness, The process becomes unnecessary, so that the manufacturing cost can be reduced and the productivity can be further improved. In addition, since both main surfaces of the glass substrate molded by the down-draw method have a uniform composition, etching can be uniformly performed irrespective of the front and back of the glass substrate when the etching process is performed. In addition, by using the down-draw method, it is possible to obtain a glass substrate having a surface state free from micro-cracks due to the polishing process of the surface of the glass substrate, so that the strength of the glass substrate itself can be improved.

[서냉 공정][Step of slow cooling]

서냉 시의 조건을 적절하게 조정함으로써 유리 기판의 열 수축률을 컨트롤할 수 있다. 특히, 상기 평판 형상 유리의 열 수축률을 저감하도록 상기 평판 형상 유리의 냉각 조건을 제어하는 것이 바람직하다. 유리 기판의 열 수축률은 상술한 바와 같이 3ppm 이상 75ppm 미만이다. 3ppm 이상 75ppm 미만의 유리 기판을 제조하기 위해서는, 예를 들면 다운드로우법을 사용하는 경우에는, 평판 형상 유리로서의 유리 리본의 온도를, Tg로부터 Tg-100℃의 온도 범위 내를 20 내지 200초에 걸쳐 냉각하도록, 성형을 행하는 것이 바람직하다. 20초 미만이면 열 수축률을 충분히 저감할 수 없는 경우가 있다. 한편, 200초를 초과하면, 생산성이 저하됨과 함께, 유리 제조 장치(서냉로)가 대형화게 된다. 또는, 평판 형상 유리로서의 유리 리본의 냉각 속도를, Tg로부터 Tg-100℃의 온도 범위 내에서, 30 내지 300℃/분으로 하도록 서냉을 행하는 것이 바람직하다. 냉각 속도가, 300℃/분을 초과하면, 열 수축률을 충분히 저감할 수 없는 경우가 있다. 한편, 30℃/분 미만이면 생산성이 저하됨과 함께, 유리 제조 장치(서냉로)가 대형화하게 된다. 냉각 속도의 바람직한 범위는, 30 내지 300℃/분이며, 50 내지 200℃/분이 보다 바람직하고, 60 내지 120℃/분이 더욱 바람직하다. 또한, 서냉 공정의 하류에서 평판 형상 유리를 절단한 후에, 별도 오프라인에서 서냉을 행함으로써도 열 수축률은 저하시킬 수 있지만, 이 경우, 서냉 공정을 행하는 설비 이외에, 별도 오프라인에서 서냉을 행할 설비가 필요해진다. 그로 인해, 상술한 바와 같이, 오프라인 서냉을 생략할 수 있도록, 서냉 공정을 열 수축률을 저감할 수 있도록 제어한 쪽이, 생산성 및 비용의 관점에서도 바람직하다. The heat shrinkage ratio of the glass substrate can be controlled by suitably adjusting the conditions for the slow cooling. In particular, it is preferable to control the cooling conditions of the flat glass to reduce the heat shrinkage rate of the flat glass. The heat shrinkage rate of the glass substrate is 3 ppm or more and less than 75 ppm as described above. For example, in the case of using the down-draw method, the temperature of the glass ribbon as the flat plate glass is changed from 20 to 200 seconds in the temperature range of Tg to 100 deg. C from Tg It is preferable to carry out the molding so as to cool it over. If it is less than 20 seconds, the heat shrinkage may not be sufficiently reduced. On the other hand, if it exceeds 200 seconds, the productivity is lowered and the glass manufacturing apparatus (slow cooling furnace) becomes larger. Alternatively, it is preferable to perform the slow cooling so that the cooling rate of the glass ribbon as the flat plate-shaped glass is set to 30 to 300 ° C / min within the temperature range of Tg to 100 ° C from Tg. If the cooling rate exceeds 300 캜 / min, the heat shrinkage may not be sufficiently reduced. On the other hand, if the heating temperature is less than 30 ° C / minute, the productivity decreases and the glass manufacturing apparatus (annealing furnace) becomes large. The preferred range of the cooling rate is 30 to 300 캜 / min, more preferably 50 to 200 캜 / min, and still more preferably 60 to 120 캜 / min. In addition, the heat shrinkage ratio can be lowered by performing slow cooling separately off-line after cutting the flat glass at the downstream of the slow cooling step. In this case, besides the equipment for performing the slow cooling step, It becomes. Therefore, as described above, it is preferable from the viewpoint of productivity and cost that the slow cooling step is controlled so as to reduce the heat shrinkage rate so that offline slow cooling can be omitted.

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 더욱 상세히 설명한다. 단, 본 발명은 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples. However, the present invention is not limited to the embodiments.

<실시예 1 내지 34>&Lt; Examples 1 to 34 >

표 1에 나타내는 유리 조성으로 되도록, 실시예 1 내지 34 및 참고예 1 내지 4의 시료 유리를 이하의 수순에 따라서 제조하였다. 얻어진 시료 유리 및 시료 유리 기판에 대하여, 실투 온도, Tg, 100 내지 300℃의 범위에서의 평균 열팽창 계수, 열 수축률, 밀도, 변형점을 구하였다. Sample glasses of Examples 1 to 34 and Reference Examples 1 to 4 were prepared according to the following procedure so that the glass composition shown in Table 1 was obtained. Tg, average thermal expansion coefficient, heat shrinkage ratio, density and strain point in the range of 100 to 300 占 폚 were determined for the obtained sample glass and the sample glass substrate.

Figure 112014033501483-pct00001
Figure 112014033501483-pct00001

Figure 112014033501483-pct00002
Figure 112014033501483-pct00002

Figure 112014033501483-pct00003
Figure 112014033501483-pct00003

Figure 112014033501483-pct00004
Figure 112014033501483-pct00004

Figure 112014033501483-pct00005

Figure 112014033501483-pct00005

(시료 유리의 제조) (Preparation of sample glass)

우선, 표 1에 나타내는 유리 조성으로 되도록, 통상의 유리 원료인, 실리카, 알루미나, 산화 붕소, 탄산칼륨, 염기성 탄산마그네슘, 탄산칼슘, 질산스트론튬, 질산바륨, 산화 제2 주석 및 산화 제2 철을 이용하여, 유리 원료 배치(이하 '배치'라 함)를 조합하였다. 또한, 유리로 400g이 되는 양으로 조합하였다.First, in order to obtain the glass composition shown in Table 1, silica, alumina, boron oxide, potassium carbonate, basic magnesium carbonate, calcium carbonate, strontium nitrate, barium nitrate, stannic oxide and ferric oxide (Hereinafter referred to as &quot; batch &quot;) were combined. Further, they were combined in an amount of 400 g as glass.

상기 조합한 배치는, 백금 도가니 중에서 용융 및 청징하였다. 우선, 이 도가니를 1600℃로 설정한 전기로에서 3시간 유지하여 배치를 용융하였다. 다음으로, 그 전기로를 1640℃까지 승온하고, 4시간 유지함으로써 유리 융액의 청징을 행하였다. 그 후, 유리 융액을 로(爐) 밖에서 철판 위로 흘려 내려, 냉각 고화하여 유리체를 얻었다. 이 유리체에서는 계속해서 서냉 조작을 실시하였다. 서냉 조작은, 이 유리체를 800℃로 설정한 다른 전기로 중에서 2시간 유지한 후, 740℃까지 2시간, 또한 660℃까지 2시간으로 냉각 후, 그 전기로의 전원을 끄고, 실온까지 냉각함으로써 행하였다. 이 서냉 조작을 거친 유리체를 시료 유리로 하였다. 상기 시료 유리는, 서냉 조건에 영향을 받지 않기 때문에, 또한/또는, 기판 형상에서는 측정할 수 없는 특성(실투 온도, 열팽창 계수, Tg 및 변형점)의 측정에 이용하였다.The combined batches were melted and cleaned in a platinum crucible. First, the crucible was held in an electric furnace set at 1600 캜 for 3 hours to melt the arrangement. Next, the electric furnace was heated to 1640 占 폚 and maintained for 4 hours to refine the free melt. Thereafter, the glass melt was poured onto the steel plate outside the furnace, cooled and solidified to obtain a glass body. This glass body was subjected to a slow cooling operation. In the slow cooling operation, the vitreous body was held in another electric furnace set at 800 DEG C for 2 hours, cooled to 740 DEG C for 2 hours, further cooled to 660 DEG C for 2 hours, turned off the electric furnace, Respectively. The glass body subjected to the slow cooling operation was used as a sample glass. The sample glass was used for the measurement of the characteristics (the devitrification temperature, the thermal expansion coefficient, the Tg and the strain point) which were not influenced by the slow cooling condition and / or could not be measured in the substrate shape.

상기 시료 유리를 절단, 연삭 및 연마 가공을 실시하여, φ5mm, 길이 20mm의 원기둥 형상으로 하고, 이것을 Tg에서 30분 유지한 후, Tg-100℃까지 100℃/분에서 냉각하고, 실온까지 방랭(放冷)함으로써, 열 수축 측정용 시료 유리로 하였다.The sample glass was cut, ground, and polished to form a columnar shape with a diameter of 5 mm and a length of 20 mm. The sample glass was held at Tg for 30 minutes, cooled to Tg-100 DEG C at 100 DEG C / Cooled to obtain a sample glass for heat shrinkage measurement.

(변형점)(Strain point)

상기 시료 유리를, 3mm각, 길이 55mm의 각기둥 형상으로 절단·연삭 가공하여, 시험편으로 하였다. 이 시험편에 대하여, 빔 굽힘 측정 장치(도쿄코교가부시키가이샤 제조)를 이용하여 측정을 행하고, 빔 굽힘법(ASTM C-598)에 따라, 계산에 의해 변형점을 구하였다.The sample glass was cut and grinded into a prism shape having a length of 3 mm and a length of 55 mm to obtain test pieces. The test piece was measured using a beam bending measuring apparatus (manufactured by Tokyo Kogyo Co., Ltd.), and the strain point was determined by calculation according to the beam bending method (ASTM C-598).

(열 수축률) (Heat shrinkage ratio)

열 수축률은, 상온으로부터 10℃/분에서 승온하고, 550℃에서 2시간 유지하고, 그 후, 10℃/분에서 상온까지 강온한 후의 열 수축 측정용 시료 유리의 수축량을 이용하여, 이하의 식으로 구하였다.The heat shrinkage ratio was calculated from the following equation (1) using the shrinkage of the sample glass for thermal shrinkage measurement after the temperature was raised from room temperature to 10 ° C / min, held at 550 ° C for 2 hours, Respectively.

열 수축률(ppm)={열처리 전후의 유리의 수축량/열처리 전의 유리의 길이}×106 Heat shrinkage rate (ppm) = (shrinkage of glass before and after heat treatment / length of glass before heat treatment) x 10 6

(실투 온도의 측정 방법)(Method of measuring the devitrification temperature)

상기 시료 유리를 분쇄하고, 2380㎛의 체를 통과하여, 1000㎛의 체 위에 남은 유리 입자를 얻었다. 이 유리 입자를 에탄올에 침지하고, 초음파 세정한 후, 항온조에서 건조시켰다. 건조시킨 유리 입자를, 폭 12mm, 길이 200mm, 깊이 10mm의 백금 보트 위에, 상기 유리 입자 25g를 거의 일정한 두께로 되도록 넣었다. 이 백금 보트를, 1080 내지 1400℃의 온도 구배를 가진 전기로 내에 5시간 유지하고, 그 후, 로(爐)로부터 취출하여, 유리 내부에 발생한 실투를 50배의 광학 현미경으로 관찰하였다. 실투가 관찰된 최고 온도를, 실투 온도로 하였다.The sample glass was pulverized and passed through a sieve having a size of 2380 mu m to obtain glass particles remaining on a sieve of 1000 mu m. The glass particles were immersed in ethanol, ultrasonically cleaned, and then dried in a thermostatic chamber. The dried glass particles were placed in a platinum boat having a width of 12 mm, a length of 200 mm, and a depth of 10 mm so that 25 g of the glass particles were allowed to have a substantially constant thickness. This platinum boat was held in an electric furnace having a temperature gradient of 1080 to 1400 DEG C for 5 hours and then taken out of a furnace and observed for an occurrence of the inside of the glass with a 50 times optical microscope. The highest temperature at which the release was observed was defined as the release temperature.

(100 내지 300℃의 범위에서의 평균 열팽창 계수 α 및 Tg의 측정 방법)(A method of measuring the average thermal expansion coefficient? And Tg in the range of 100 to 300 占 폚)

상기 시료 유리를, φ5mm, 길이 20mm의 원기둥 형상으로 가공하고, 시험편으로 하였다. 이 시험편에 대하여, 시차열 팽창계(Thermo Plus2 TMA8310)를 이용하여, 승온 과정에서의 온도와 시험편의 신축량을 측정하였다. 이때의 승온 속도는 5℃/분으로 하였다. 상기 온도와 시험편의 신축량의 측정 결과를 기초로 100 내지 300℃의 온도 범위에서의 평균 열팽창 계수 및 Tg를 구하였다. 또한, 본원에서의 Tg란, 유리체를 800℃로 설정한 다른 전기로 중에서 2시간 유지한 후, 740℃까지 2시간, 660℃까지 2시간 더 냉각 후, 그 전기로의 전원을 끄고, 실온까지 냉각한 시료 유리에 대하여 측정한 값이다.The sample glass was processed into a cylindrical shape having a diameter of 5 mm and a length of 20 mm to obtain a test piece. The temperature and the elongation of the specimen were measured using a differential thermal expansion meter (Thermo Plus2 TMA8310). At this time, the temperature raising rate was set at 5 DEG C / min. Based on the measurement result of the temperature and the elongation amount of the test piece, the average thermal expansion coefficient and Tg in a temperature range of 100 to 300 캜 were obtained. The Tg in the present application means that the glass body is maintained in another electric furnace set at 800 DEG C for 2 hours, then further cooled to 740 DEG C for 2 hours and further cooled to 660 DEG C for 2 hours, the electric furnace is turned off, It is the value measured for one sample glass.

(밀도)(density)

유리의 밀도는, 아르키메데스법에 의해 측정하였다.The density of the glass was measured by the Archimedes method.

(에칭 레이트)(Etching rate)

에칭 레이트(㎛/h)는, 시료 유리(12.5mm×20mm×0.7mm)를, HF 농도 1mol/kg, HCl 농도 5mol/kg으로 되도록 조정한 40℃의 에칭액(200mL)에 1시간 침지한 경우의, 단위 시간(1시간)당 유리 기판의 한쪽 표면의 두께 감소량(㎛)으로서 표현한다.The etching rate (占 퐉 / h) was obtained by immersing sample glass (12.5 mm 占 20 mm 占 0.7 mm) for 1 hour in an etching solution (200 ml) at 40 占 폚 adjusted to have an HF concentration of 1 mol / kg and an HCl concentration of 5 mol / kg (탆) of one surface of the glass substrate per unit time (1 hour).

실시예에서 나타내는 조성으로 되도록 조합한 유리 원료를, 고 지르코니아계 내화물을 포함하는 내화 벽돌제의 용해조와 백금 합금제의 조정조를 구비한 연속 용해 장치를 이용하여, 1560 내지 1640℃에서 용해하고, 1620 내지 1670℃에서 청징하고, 1440 내지 1530℃에서 교반한 후에 오버플로우 다운드로우법에 의해 두께 0.7mm의 박판 형상으로 성형하고, Tg로부터 Tg-100℃의 온도 범위 내에서, 100℃/분의 속도로 서냉을 행하여, 유리 기판을 얻었다. 또한, 상기 기재의 각 특성에 대해서는, 얻어진 유리 기판을 이용하여 측정하였다. 또한, 열 수축률은, 하기의 방법에 의해 구하였다.The glass raw materials combined so as to have the compositions shown in the examples were melted at 1560 to 1640 占 폚 using a melting furnace of refractory bricks containing a high zirconia refractory and a continuous melting furnace equipped with a platinum alloy regulating tank to obtain 1620 To 1670 占 폚 and stirred at 1440 to 1530 占 폚 and then molded into a thin plate having a thickness of 0.7 mm by an overflow down-draw method at a rate of 100 占 폚 / min in a temperature range of Tg to 100 占 폚 Followed by slow cooling to obtain a glass substrate. The properties of the substrate were measured using the obtained glass substrate. The heat shrinkage percentage was determined by the following method.

유리 기판의 소정 개소에 직선 형상의 마킹을 기입한 후, 이 유리 기판을 마킹에 대하여 수직으로 커터 선을 넣고, 2개의 유리판 편으로 분할하였다. 다음으로, 한쪽 유리판 편에만, 550℃, 2시간의 열처리를 실시하였다. 그 후, 열처리를 실시한 유리판 편과 미처리의 유리판 편을 배열하여 접착 테이프로 고정하고 나서, 마킹의 어긋남을 측정하고, 하기식으로 열 수축률을 구하였다.After linear marking was written on a predetermined position of the glass substrate, the glass substrate was cut perpendicularly to the marking, and divided into two glass plate pieces. Next, only one glass plate piece was subjected to a heat treatment at 550 DEG C for 2 hours. Thereafter, the glass plate pieces subjected to the heat treatment and the untreated glass plate pieces were arranged and fixed with an adhesive tape, and the deviation of the markings was measured, and the heat shrinkage percentage was calculated by the following formula.

열 수축률(ppm)={열처리 전후의 유리의 수축량/열처리 전의 유리의 길이}×106 Heat shrinkage rate (ppm) = (shrinkage of glass before and after heat treatment / length of glass before heat treatment) x 10 6

상기와 같이 얻어진 유리는, 열 수축률이 3ppm 이상 75ppm 미만이었다. 또한, 실투 온도도 1280℃ 미만이었다. 따라서, 이들 유리를 이용함으로써 오버플로우 다운드로우법에 의해, LTPS-TFT가 적용되는 디스플레이에 이용하는 것이 가능한, 유리 기판을 제조할 수 있다. 또한, 이들 유리 기판은, OS-TFT용 유리 기판으로서 적합한 것이다.The glass obtained as described above had a heat shrinkage rate of 3 ppm or more and less than 75 ppm. The devitrification temperature was also lower than 1280 占 폚. Therefore, by using these glasses, it is possible to manufacture a glass substrate which can be used for a display to which an LTPS-TFT is applied by an overflow down-draw method. These glass substrates are suitable as OS-TFT glass substrates.

Claims (19)

몰% 표시로,
SiO2: 55 내지 80%,
Al2O3: 8 내지 20%,
B2O3: 0 내지 8%,
MgO: 0% 초과 내지 15%,
CaO: 0 내지 20%,
SrO: 0 내지 15%,
BaO: 0% 초과 10%이하
를 함유하고,
SnO2과 Fe2O3의 합량은 0.05 내지 0.2%의 범위이고,
As2O3 및 Sb2O3을 함유하지 않고,
SiO2+2×Al2O3가 100% 이하이고,
몰비 B2O3/(SiO2+Al2O3)가 0 내지 0.12이며,
몰비 MgO/RO(단, RO은 MgO, CaO, SrO 및 BaO의 합량임)이 0.15 내지 0.9의 범위이며,
변형점이 706℃ 이상이고,
유리 전이 온도가 740℃ 이상이고,
실투(失透) 온도가 1169℃ 이상 1235℃ 이하이고,
상온으로부터 10℃/분으로 승온하고, 550℃에서 2시간 유지하고, 그 후, 10℃/분으로 상온까지 강온한 후의 하기식으로 나타내어지는 열 수축률이 3ppm 이상 75ppm 미만인, 디스플레이용 유리 기판.
열 수축률(ppm)={열처리 전후의 유리의 수축량/열처리 전의 유리의 길이}×106
In mol%
55 to 80% of SiO 2 ,
Al 2 O 3 : 8 to 20%
B 2 O 3 : 0 to 8%,
MgO: more than 0% to 15%
CaO: 0 to 20%
SrO: 0 to 15%
BaO: more than 0% and less than 10%
&Lt; / RTI &gt;
The total amount of SnO 2 and Fe 2 O 3 is in the range of 0.05 to 0.2%
As 2 O 3 and Sb 2 O 3 ,
SiO 2 + 2 x Al 2 O 3 is 100% or less,
The molar ratio B 2 O 3 / (SiO 2 + Al 2 O 3 ) is 0 to 0.12,
The molar ratio MgO / RO (wherein RO is the sum of MgO, CaO, SrO and BaO) is in the range of 0.15 to 0.9,
The strain point is not lower than 706 캜,
A glass transition temperature of 740 캜 or higher,
The devitrification temperature is not lower than 1169 DEG C but not higher than 1235 DEG C,
A glass substrate for display having a heat shrinkage rate of not less than 3 ppm and not more than 75 ppm as expressed by the following formula after heating from room temperature to 10 ° C / minute, holding at 550 ° C for 2 hours, and then lowering the temperature to room temperature at 10 ° C / minute.
Heat shrinkage rate (ppm) = (shrinkage of glass before and after heat treatment / length of glass before heat treatment) x 10 6
제1항에 있어서,
몰% 표시로,
SiO2: 63 내지 72%,
Al2O3: 11 내지 15%
를 함유하는 유리 기판.
The method according to claim 1,
In mol%
63 to 72% of SiO 2 ,
Al 2 O 3 : 11 to 15%
&Lt; / RTI &gt;
제1항 또는 제2항에 있어서,
SiO2-Al2O3/2가 45 내지 64%의 범위인 유리 기판.
3. The method according to claim 1 or 2,
SiO 2 -Al 2 O 3 / of the glass substrate 2 in the range of 45 to 64%.
제1항 또는 제2항에 있어서,
몰% 표시로,
SiO2: 63 내지 70%,
Al2O3: 12 내지 15%,
B2O3: 1.5 내지 7%,
MgO: 3 내지 11%,
CaO: 5 내지 11%,
SrO: 0 내지 4%,
BaO: 0% 초과 4% 이하
를 함유하는 유리 기판.
3. The method according to claim 1 or 2,
In mol%
63 to 70% of SiO 2 ,
Al 2 O 3 : 12 to 15%
B 2 O 3 : 1.5 to 7%,
MgO: 3 to 11%
CaO: 5 to 11%
SrO: 0 to 4%
BaO: more than 0% and less than 4%
&Lt; / RTI &gt;
제1항 또는 제2항에 있어서,
몰% 표시로,
SnO2: 0.03 내지 0.15%인 유리 기판.
3. The method according to claim 1 or 2,
In mol%
SnO 2: 0.03 to 0.15% of the glass substrate.
제1항 또는 제2항에 있어서,
몰% 표시로,
Li2O, Na2O 및 K2O의 합량은 0.01 내지 0.5%인 유리 기판.
3. The method according to claim 1 or 2,
In mol%
Li 2 O, Na 2 O and K 2 O is 0.01 to 0.5%.
제1항 또는 제2항에 있어서,
100 내지 300℃에서의 평균 열팽창 계수가 28×10-7-1 이상, 50×10-7-1 미만인 유리 기판.
3. The method according to claim 1 or 2,
And an average coefficient of thermal expansion at 100 to 300 占 폚 of 28 占10-7占 폚 -1 or more and less than 50 占10-7占 폚 -1 .
제1항 또는 제2항에 있어서,
BaO를 1.0% 이상 함유하는 유리 기판.
3. The method according to claim 1 or 2,
A glass substrate containing 1.0% or more of BaO.
제1항 또는 제2항에 있어서,
액정 디스플레이용 유리 기판인 유리 기판.
3. The method according to claim 1 or 2,
A glass substrate which is a glass substrate for a liquid crystal display.
제1항 또는 제2항에 있어서,
오버플로우 다운드로우법으로 성형된 유리 기판인, 유리 기판.
3. The method according to claim 1 or 2,
A glass substrate which is a glass substrate molded by an overflow down-draw method.
제1항 또는 제2항에 있어서,
몰% 표시로,
Li2O, Na2O 및 K2O의 합량은 0.01 내지 0.3%인 유리 기판.
3. The method according to claim 1 or 2,
In mol%
The total amount of Li 2 O, Na 2 O and K 2 O is 0.01 to 0.3%.
제1항 또는 제2항에 있어서,
변형점이 722℃ 이상인 유리 기판.
3. The method according to claim 1 or 2,
A glass substrate having a strain point of at least 722 占 폚.
LTPS 또는 산화물 반도체로 형성된 박막 트랜지스터를 유리 기판 표면에 형성한 디스플레이로서, 상기 유리 기판이 제1항 또는 제2항의 유리 기판인 디스플레이.A display in which a thin film transistor formed of LTPS or an oxide semiconductor is formed on a surface of a glass substrate, wherein the glass substrate is the glass substrate of claim 1 or 2. 디스플레이가 액정 디스플레이 또는 유기 EL 디스플레이이며, 상기 디스플레이의 유리 기판이 제1항 또는 제2항의 유리 기판인 디스플레이.Wherein the display is a liquid crystal display or an organic EL display, and the glass substrate of the display is the glass substrate of claim 1 or 2. 소정의 조성으로 조합한 유리 원료를 용해하는 용해 공정과,
상기 용해 공정에서 용해한 용융 유리를 평판 형상 유리로 성형하는 성형 공정과,
상기 평판 형상 유리를 서냉(徐冷)하는 공정으로서, 상기 평판 형상 유리의 열 수축률을 3ppm 이상 75ppm 미만이 되도록 상기 평판 형상 유리의 냉각 조건을 제어하는 서냉 공정을 포함하는 제1항 또는 제2항에 기재된 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법.
A melting step of melting a glass raw material combined in a predetermined composition,
A molding step of molding the molten glass dissolved in the melting step into a flat glass,
Wherein the step of slow cooling the flat plate glass comprises a slow cooling step of controlling the cooling condition of the flat plate glass so that a heat shrinkage rate of the flat plate glass is less than 3 ppm and less than 75 ppm, Wherein the glass substrate is a glass substrate.
제15항에 있어서,
용해 공정은, 직접 통전 가열을 이용하여 유리 원료를 용해하는 것을 포함하는 제조 방법.
16. The method of claim 15,
Wherein the dissolving step comprises dissolving the glass raw material using direct energization heating.
제15항에 있어서,
용해 공정은, 용해조에서 유리 원료를 용해하는 것을 포함하고, 상기 용해조를 구성하는 내화물의 일부 또는 전부가 지르코니아로 이루어지는 내화물인 제조 방법.
16. The method of claim 15,
Wherein the melting step includes dissolving the glass raw material in a melting tank, and a part or all of the refractory constituting the melting tank is a refractory material comprising zirconia.
몰% 표시로,
SiO2: 55 내지 80%,
Al2O3: 8 내지 20%,
B2O3: 0 내지 5%,
MgO: 0% 초과 내지 15%,
CaO: 0 내지 20%,
SrO: 0 내지 15%,
BaO: 0% 초과 2% 이하
를 함유하고,
SnO2과 Fe2O3의 합량은 0.05 내지 0.2%의 범위이고,
As2O3 및 Sb2O3을 함유하지 않고,
SiO2+2×Al2O3이 100% 이하이고,
몰비 B2O3/(SiO2+Al2O3)이 0 내지 0.12이며,
몰비 MgO/RO(단, RO은 MgO, CaO, SrO 및 BaO의 합량임)이 0.15 내지 0.9의 범위이며,
변형점이 706℃ 이상이고,
유리 전이 온도가 740℃ 이상이고,
실투 온도가 1169℃ 이상 1235℃ 이하이고,
상온으로부터 10℃/분으로 승온하고, 550℃에서 2시간 유지하고, 그 후, 10℃/분으로 상온까지 강온한 후의 하기식으로 나타내어지는 열 수축률이 60ppm 미만인, 디스플레이용 유리 기판.
열 수축률(ppm)={열처리 전후의 유리의 수축량/열처리 전의 유리의 길이}×106
In mol%
55 to 80% of SiO 2 ,
Al 2 O 3 : 8 to 20%
B 2 O 3 : 0 to 5%,
MgO: more than 0% to 15%
CaO: 0 to 20%
SrO: 0 to 15%
BaO: more than 0% and less than 2%
&Lt; / RTI &gt;
The total amount of SnO 2 and Fe 2 O 3 is in the range of 0.05 to 0.2%
As 2 O 3 and Sb 2 O 3 ,
SiO 2 + 2 x Al 2 O 3 is 100% or less,
The molar ratio B 2 O 3 / (SiO 2 + Al 2 O 3 ) is 0 to 0.12,
The molar ratio MgO / RO (wherein RO is the sum of MgO, CaO, SrO and BaO) is in the range of 0.15 to 0.9,
The strain point is not lower than 706 캜,
A glass transition temperature of 740 캜 or higher,
The slagging temperature is not lower than 1169 DEG C and not higher than 1235 DEG C,
Wherein the glass substrate for display has a heat shrinkage rate of less than 60 ppm as shown by the following formula after the temperature is raised from room temperature to 10 占 폚 / min, held at 550 占 폚 for 2 hours, and then lowered to room temperature at 10 占 폚 /
Heat shrinkage rate (ppm) = (shrinkage of glass before and after heat treatment / length of glass before heat treatment) x 10 6
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