KR101651884B1 - Susceptor and substrate processing apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 본 발명의 목적은 파우더가 쌓이게 되는 것이 방지되도록 구조가 개선된 서셉터 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 서셉터는 기판이 안착되는 안착면과, 상기 안착면에 안착된 기판이 이탈되는 것이 방지되도록 상기 안착면의 둘레를 따라 배치되는 복수의 가이드핀을 구비하는 서셉터에 있어서, 상기 각 가이드핀의 상기 안착면과 평행한 방향으로의 단면에서, 상기 서셉터의 직경 방향으로의 길이가, 상기 직경 방향과 직교하는 방향으로의 길이 보다 더 길게 형성되는 것을 특징으로 한다. Disclosure of Invention Technical Problem [8] The present invention is directed to a susceptor having an improved structure for preventing powder from accumulating and a substrate processing apparatus having the susceptor. The susceptor according to the present invention includes a susceptor having a seating surface on which a substrate is placed and a plurality of guide pins arranged along the periphery of the seating surface so as to prevent the substrate placed on the seating surface from being separated, And the length in the radial direction of the susceptor is longer than the length in the direction orthogonal to the radial direction in a cross section in a direction parallel to the seating surface of each guide pin.

Description

서셉터 및 이를 구비한 기판처리장치{Susceptor and substrate processing apparatus having the same}[0001] Susceptor and substrate processing apparatus having same [0002]

본 발명은 서셉터 및 이를 구비한 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘 산화막을 식각하는 기판처리장치 내부에 설치되어 기판을 지지하는 서셉터와 이를 구비한 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a susceptor and a substrate processing apparatus having the same, and more particularly, to a susceptor provided inside a substrate processing apparatus for etching a silicon oxide film, and a substrate processing apparatus having the susceptor.

일반적으로 반도체 소자의 제조 공정은 기판 상에 서로 성질을 달리하는 도전막, 반도체막 및 절연막 등의 박막을 그 적층의 순서 및 패턴의 형상을 조합하여 일정한 기능을 수행하는 전자회로를 실현하는 과정이라고 말할 수 있다. 이에 따라 반도체 소자 제조 공정에서는 여러 가지 박막의 증착과 식각이 반복적으로 이루어진다. Generally, a process of manufacturing a semiconductor device is a process of realizing an electronic circuit that performs a certain function by combining the order of lamination and the shape of a pattern, such as a conductive film, a semiconductor film, and an insulating film, I can tell. Accordingly, various thin films are deposited and etched repeatedly in a semiconductor device manufacturing process.

한편, 여러 가지 박막 중 특히 실리콘 산화막은 기판으로 흔히 이용되는 실리콘과 양립성(compatibility)이 우수하고 열 산화 등의 방법으로 형성하기가 쉬우며 취급이 용이하기 때문에 절연막으로 많이 이용되고 있다. 이러한 실리콘 산화막을 식각하기 위한 장치의 종류로는 건식식각장치와 습식식각장치가 있으며, 이중 건식식각장치에 관하여는 대한민국 등록특허 10-1155291호 등이 공개된 바 있다.On the other hand, among the various thin films, the silicon oxide film is excellent in compatibility with silicon commonly used as a substrate, and is easily used for thermal oxidation and is easy to handle and is widely used as an insulating film. Examples of the apparatus for etching the silicon oxide film include a dry etching apparatus and a wet etching apparatus, and a double dry etching apparatus is disclosed in Korean Patent No. 10-1155291.

이와 같은 건식식각장치는 챔버와, 챔버 내부로 식각가스(HF, NH3)를 공급하는 샤워헤드와, 기판이 안착되는 서셉터를 가진다. Such a dry etching apparatus has a chamber, a showerhead for supplying etching gas (HF, NH 3 ) into the chamber, and a susceptor on which the substrate is placed.

도 1은 종래 서셉터의 개략적인 사시도이다. 도 1을 참조하면, 종래의 서셉터(9)는 열교환유로가 마련되어 있는 내부플레이트(1)와, 내부플레이트(1)를 감싸도록 설치되는 외부플레이트(2)를 가진다. 그리고, 외부플레이트(2)에는 기판의 이탈을 방지하기 위한 가이드핀(3)이 결합되어 있다. 이와 같이 구성된 서셉터(9)에 기판을 안착한 후, 기판으로 식각가스인 HF와 NH3를 공급하면, 기판 상의 실리콘 산화막이 제거된다. 1 is a schematic perspective view of a conventional susceptor. Referring to FIG. 1, a conventional susceptor 9 has an inner plate 1 provided with a heat exchange channel and an outer plate 2 provided to surround the inner plate 1. A guide pin (3) is coupled to the outer plate (2) to prevent detachment of the substrate. After the substrate is placed on the susceptor 9 thus configured, HF and NH 3 , which are etching gases, are supplied to the substrate, and the silicon oxide film on the substrate is removed.

한편, 이와 같은 식각공정을 진행하는 과정에서, 기판으로 분사된 HF와 NH3는 상호 결합되어 파우더(NH4F)를 형성된다. 이 파우더는 100℃ 이상에서는 기화되어 챔버 내부의 배기시 외부로 배출되지만, 챔버 내부에서 온도가 낮은 부분에는 파우더가 쌓이게 된다.Meanwhile, in the course of the etching process, HF and NH 3 injected into the substrate are mutually coupled to form a powder (NH 4 F). The powder is vaporized at a temperature of 100 ° C. or higher, and is discharged to the outside when exhausting the inside of the chamber. However, the powder is accumulated in a portion having a low temperature in the chamber.

특히, 종래의 경우에는 도 1에 확대되어 도시된 바와 같이, 가이드핀(3)의 하단부와, 내부플레이트(1)와 외부플레이트(2) 사이의 틈에 파우더가 많이 쌓이게 된다. 그리고, 이와 같이 파우더가 쌓이면, 후속 공정에서의 기판 품질이 저하되는 문제점이 있다. Particularly, in the conventional case, as shown in an enlarged view in FIG. 1, a large amount of powder is accumulated in the gap between the lower end of the guide pin 3 and the inner plate 1 and the outer plate 2. If the powder is accumulated in such a manner, there is a problem that the quality of the substrate in the subsequent process is deteriorated.

대한민국 등록특허 10-1155291호(발명의 명칭 : 건식식각장치 및 이를 구비한 기판처리시스템)Korean Patent No. 10-1155291 (entitled " Dry etching apparatus and substrate processing system having the same)

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 파우더가 쌓이게 되는 것이 방지되도록 구조가 개선된 서셉터 및 이를 구비하는 기판처리장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a susceptor having a structure improved to prevent powder from accumulating and a substrate processing apparatus having the susceptor.

본 발명에 따른 서셉터는 기판이 안착되는 안착면과, 상기 안착면에 안착된 기판이 이탈되는 것이 방지되도록 상기 안착면의 둘레를 따라 배치되는 복수의 가이드핀을 구비하는 서셉터에 있어서, 상기 각 가이드핀의 상기 안착면과 평행한 방향으로의 단면에서, 상기 서셉터의 직경 방향으로의 길이가, 상기 직경 방향과 직교하는 방향으로의 길이 보다 더 길게 형성되는 것을 특징으로 한다.The susceptor according to the present invention includes a susceptor having a seating surface on which a substrate is placed and a plurality of guide pins arranged along the periphery of the seating surface so as to prevent the substrate placed on the seating surface from being separated, And the length in the radial direction of the susceptor is longer than the length in the direction orthogonal to the radial direction in a cross section in a direction parallel to the seating surface of each guide pin.

본 발명에 따르면, 상기 가이드핀의 수평 방향으로의 단면은 유선형 또는 타원형으로 형성되는 것이 바람직하다.According to the present invention, the cross section of the guide pin in the horizontal direction is preferably formed in a streamline or oval shape.

또한, 본 발명에 따르면 상기 가이드핀은 엔지니어링 플라스틱 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.According to the present invention, it is preferable that the guide pin is made of an engineering plastic material.

본 발명에 따른 서셉터는 기판처리장치의 내부에 설치되며, 기판이 안착되는 서셉터에 있어서, 상기 기판이 안착되는 내부플레이트와, 상기 내부플레이트의 하방에 배치되며, 상기 내부플레이트를 지지하는 외부플레이트와, 환형으로 형성되며, 상기 내부플레이트를 감싸도록 설치되는 자켓링을 포함하며, 상기 자켓링이 엔지니어링 플라스틱 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The susceptor according to the present invention is installed in a substrate processing apparatus and has a susceptor on which a substrate is placed. The susceptor includes an inner plate on which the substrate is seated, an outer plate disposed below the inner plate, A plate, and a jacket ring formed in an annular shape and installed to surround the inner plate, wherein the jacket ring is made of engineering plastic material.

본 발명에 따르면, 상기 내부플레이트 상면의 가장자리는 단차지게 형성되며, 상기 자켓링은, 환형으로 형성되며, 상기 내부플레이트의 측면을 감싸는 측면부와, 상기 측면부의 상단부로부터 내측 방향으로 연장 형성되며, 상기 내부플레이트 상면 가장자리의 상방에 배치되는 환형부를 포함하는 것이 바람직하다.According to the present invention, the edge of the upper surface of the inner plate is formed to be stepped, the jacket ring is formed in an annular shape, and includes a side surface surrounding the side surface of the inner plate and an inner surface extending from the upper end of the side surface, And an annular portion disposed above the upper surface edge of the inner plate.

본 발명에 따른 서셉터는 기판처리장치의 내부에 설치되며, 기판이 안착되는 서셉터에 있어서, 상기 서셉터의 상면에는 평판 형상으로 형성되며 엔지니어링 플라스틱 재질로 이루어지는 상부플레이트가 결합되어 있는 것을 특징으로 한다.The susceptor according to the present invention is installed in a substrate processing apparatus and has a substrate mounted thereon. The susceptor is coupled to an upper plate formed in a flat plate shape and made of engineering plastic material on the upper surface of the susceptor do.

본 발명에 따르면, 서셉터에 파우더가 쌓이게 되는 것이 방지되며, 따라서 후속 공정에서 기판 품질이 저하되는 것이 방지된다.According to the present invention, powder is prevented from accumulating on the susceptor, thus preventing degradation of the substrate quality in subsequent processes.

도 1은 종래 서셉터의 개략적인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 서셉터의 개략적인 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 서셉터의 개략적인 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 서셉터의 개략적인 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 서셉터의 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 서셉터의 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제5실시예에 따른 서셉터의 개략적인 단면도이다.1 is a schematic perspective view of a conventional susceptor.
2 is a schematic perspective view of a susceptor according to a first embodiment of the present invention.
3 is a schematic plan view of the susceptor shown in Fig.
4 is a schematic perspective view of a susceptor according to a second embodiment of the present invention.
5 is a schematic cross-sectional view of a susceptor according to a third embodiment of the present invention.
6 is a schematic cross-sectional view of a susceptor according to a fourth embodiment of the present invention.
7 is a schematic cross-sectional view of a susceptor according to a fifth embodiment of the present invention.

기판처리장치는 기판에 박막을 증착하는 공정 또는 기판을 식각하는 식각공정을 진행하는 장치로, 챔버와, 챔버의 내부에 배치되는 서셉터와, 기판으로 공정가스를 분사하는 샤워헤드를 가지는 장치이다. 본 발명에 따른 서셉터는 이러한 기판처리장치에 설치되며, 그 상면에 기판이 안착된다. 특히, 본 발명에 따른 서셉터는 HF 가스와 NH3 가스를 기판으로 분사하여 실리콘 산화막을 식각하는 공정과 같이, 기판을 처리하는 과정에서 파우더가 발생하는 공정을 수행하는 기판처리장치에 적용되는 것이 바람직하다.The substrate processing apparatus is an apparatus for performing a process of depositing a thin film on a substrate or an etching process of etching a substrate, and is a device having a chamber, a susceptor disposed inside the chamber, and a shower head for spraying a process gas to the substrate . The susceptor according to the present invention is installed in such a substrate processing apparatus, and the substrate is seated on the upper surface thereof. Particularly, the susceptor according to the present invention is applied to a substrate processing apparatus for performing a process of generating powder in a process of processing a substrate, such as a process of spraying HF gas and NH 3 gas onto a substrate to etch the silicon oxide film desirable.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 서셉터에 관하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a susceptor according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 서셉터의 개략적인 사시도이며, 도 3은 도 2에 도시된 서셉터의 개략적인 평면도이며, 도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 서셉터의 개략적인 사시도이다.Fig. 2 is a schematic perspective view of a susceptor according to a first embodiment of the present invention, Fig. 3 is a schematic plan view of the susceptor shown in Fig. 2, and Fig. 4 is a cross-sectional view of a susceptor according to a second embodiment of the present invention. Fig.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 제1실시예에 따른 서셉터(100)에는 기판이 안착되는 안착면(110)이 형성되어 있다. 안착면(110)의 둘레에는 복수의 가이드핀(120)이 상방향으로 돌출 형성되어 있다. 그리고, 이 가이드핀(120)은 안착면(110)에 안착된 기판이 안착면의 외부로 이탈하는 것을 방지한다.2 to 4, the susceptor 100 according to the first embodiment has a seating surface 110 on which a substrate is placed. A plurality of guide pins 120 protrude upwards around the seating surface 110. The guide pin 120 prevents the substrate, which is seated on the seating surface 110, from deviating to the outside of the seating surface.

특히, 본 실시예에 따른 서셉터(100)의 특징은 가이드핀(120)의 형상에 있으며, 이하 가이드핀(120)의 형상에 관하여 구체적으로 설명한다.Particularly, the feature of the susceptor 100 according to the present embodiment is in the shape of the guide pin 120, and the shape of the guide pin 120 will be described in detail below.

각 가이드핀(120)은 서셉터(100)의 상면으로부터 상방향으로 돌출 형성된다. 그리고, 도 3에 도시된 바와 같이, 각 가이드핀(120)의 안착면과 평행한 방향으로의 단면에서, 서셉터의 직경 방향(R)으로의 길이(L1)는, 직경 방향과 직교하는 방향(V)으로의 길이(L2)보다 더 길게 형성된다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이 가이드핀(120)의 단면이 유선형으로 형성되거나, 도 4에 도시된 바와 같이 가이드핀(120A)의 단면이 타원형으로 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 각 가이드핀은 하단부로부터 상단부로 갈수록 단면적이 작아지도록 테이퍼진 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.Each guide pin 120 protrudes upward from the upper surface of the susceptor 100. 3, the length L1 in the radial direction R of the susceptor in the cross section in the direction parallel to the seating surface of each guide pin 120 is larger than the length L1 in the direction perpendicular to the radial direction Is longer than the length (L2) to the line (V). For example, as shown in FIG. 3, it is preferable that the end face of the guide pin 120 is formed in a streamline shape, or the end face of the guide pin 120A is formed in an elliptical shape as shown in FIG. Preferably, each guide pin is formed in a tapered shape so that the cross-sectional area thereof decreases from the lower end to the upper end.

이와 같이 가이드핀(120)을 형성하면 가이드핀, 보다 구체적으로는 가이드핀의 전면에 파우더가 쌓이게 되는 것이 방지되는데, 이하 그 이유에 관하여 설명한다. 참고로, 가이드핀의 전면이란 가이드핀에서 서셉터의 중심을 향하고 있는 측면을 의미한다.When the guide pin 120 is formed as described above, the powder is prevented from accumulating on the guide pin, more specifically, the entire surface of the guide pin. Hereinafter, the reason will be described. For reference, the front surface of the guide pin means the side of the guide pin facing the center of the susceptor.

기판으로 공정가스가 분사되면, 이 공정가스는 서셉터 상에 안착된 기판을 따라 유동하게 되는데, 이때 기판의 중심으로부터 기판의 가장자리를 향하는 방향 즉 서셉터의 직경 방향(R)으로 유동하게 된다. 그리고, 공정가스의 유동시 파우더도 함께 유동하다가, 가이드핀에 의해 공정가스의 흐름이 차단되면 이 지점 즉 가이드핀(120)의 전면에 파우더가 쌓이게 된다. When the process gas is injected into the substrate, the process gas flows along the substrate placed on the susceptor, in the direction from the center of the substrate toward the edge of the substrate, that is, in the radial direction (R) of the susceptor. In addition, when the process gas flows, the powder also flows together. When the flow of the process gas is blocked by the guide pin, the powder is accumulated at the point, that is, the entire surface of the guide pin 120.

그런데, 본 발명에서와 같이 가이드핀의 단면이 유선형 또는 타원형인 경우, 가이드핀(120,120A)에 의해 공정가스의 흐름이 차단되는 것이 최소화되고, 이에 따라 가이드핀(120,120A)의 전면에 파우더가 쌓이게 되는 것이 방지된다. However, when the end face of the guide pin is streamlined or elliptical as in the present invention, the flow of the process gas is minimized by the guide pins 120 and 120A, It is prevented from accumulating.

한편, 상기한 가이드핀(120,120A)은 피크(PEEK, polyaryletheretherketone)와 같은 엔지니어링 플라스틱 계열의 소재로 이루어지는 것이 바람직하다. 이와 같이, 가이드핀을 엔지니어링 플라스틱 계열의 소재로 형성하면, 가이드핀을 알루미늄과 같은 금속 계열의 소재로 형성하였을 때보다, 가이드핀에 파우더가 훨씬 덜 쌓이게 된다. 그 이유는, 엔지니어링 플라스틱의 경우 표면마찰계수가 매우 적고 윤활성을 가지기 때문인 것으로 예측된다. 또한, 엔지니어링 플라스틱은 내열성 및 내부식성이 우수하기 때문에, 가이드핀을 반영구적으로 사용할 수 있다.Meanwhile, the guide pins 120 and 120A are preferably made of an engineering plastic material such as a PEEK (polyaryletheretherketone). Thus, when the guide pin is made of an engineering plastic material, the powder is much less accumulated on the guide pin than when the guide pin is made of a metal-based material such as aluminum. The reason is that engineering plastics have very low coefficient of surface friction and lubricity. Further, since the engineering plastic is excellent in heat resistance and corrosion resistance, the guide pin can be used semi-permanently.

도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 서셉터의 개략적인 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view of a susceptor according to a third embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 제3실시예에 따른 서셉터(200)는 내부플레이트(210)와 외부플레이트(220)와, 자켓링(230)을 포함한다. 먼저, 서셉터(200)를 복수의 파트, 즉 내부플레이트(210)와 외부플레이트(220)와 자켓링(230)으로 구성하는 이유에 관하여 설명한다.Referring to FIG. 5, the susceptor 200 according to the third embodiment includes an inner plate 210, an outer plate 220, and a jacket ring 230. First, the reason why the susceptor 200 is composed of a plurality of parts, that is, the inner plate 210, the outer plate 220, and the jacket ring 230 will be described.

HF 가스와 NH3 가스로 실리콘 산화막을 식각하는 과정은 식각공정과, 식각공정에서 발생된 식각부산물을 분해하는 후공정으로 진행된다. 이때, 식각공정은 대략 40℃의 온도에서 진행되는데, 이때 기판의 온도는 기판에 접촉하고 있는 서셉터에 의해 유지된다. The process of etching the silicon oxide film with HF gas and NH 3 gas proceeds to an etching process and a post-process to decompose etching by-products generated in the etching process. At this time, the etching process proceeds at a temperature of about 40 DEG C, where the temperature of the substrate is maintained by the susceptor in contact with the substrate.

만약, 서셉터를 하나의 플레이트로 형성하면 서셉터 전체의 온도가 40℃로 유지되며, 이에 따라 서셉터의 측면 및 하면에 대량의 파우더(NH4F)가 형성되게 된다. 참고로, 서셉터의 상면에는 기판이 안착되기 때문에 파우더가 쌓이지 않는다. 이와 같이, 서셉터의 측면 및 하면에 파우더가 쌓이는 문제를 방지하기 위해서는, 서셉터를 복수의 파트로 구성하고, 각 파트별 온도를 다르게 유지할 필요가 있다(즉, 내부플레이트의 온도만 식각공정의 온도로 유지함).If, standing by forming a susceptor in a single plate, the entire susceptor is maintained at a temperature of 40 ℃, it is standing on the side and bottom of the susceptor powder (NH 4 F) of the mass is to be formed accordingly. For reference, since the substrate is seated on the upper surface of the susceptor, the powder does not accumulate. In order to prevent the problem that the powder is accumulated on the side surface and the bottom surface of the susceptor, it is necessary to configure the susceptor as a plurality of parts and maintain the temperature of each part differently (i.e., Temperature).

본 실시예에 따르면, 내부플레이트(210)는 원형의 평판으로 형성되며, 내부플레이트(210) 위에 기판이 안착된다. 내부플레이트(210)의 내부에는 열교환유체가 유동하는 유로(211)가 형성되어 있으며, 이에 따라 기판이 식각공정 온도로 유지된다. According to the present embodiment, the inner plate 210 is formed as a circular flat plate, and the substrate is seated on the inner plate 210. Inside the inner plate 210, a flow path 211 through which a heat exchange fluid flows is formed, whereby the substrate is maintained at an etching process temperature.

외부플레이트(220)는 내부플레이트(210)의 하방에 배치되며, 내부플레이트(210)를 지지한다. 외부플레이트(220)에는 외부플레이트(220)를 가열하기 위한 가열수단(도면 미도시)이 마련되고, 이 가열수단에 의해 외부플레이트(220)의 온도가 제어된다. 그리고, 내부플레이트(210)와 외부플레이트(220) 사이에는 단열부재(240)가 배치되며, 이에 따라 내부플레이트(210)와 외부플레이트(220)는 서로 이격된다. 이때, 단열부재(240)는 단열성이 우수한 소재로 이루어져, 내부플레이트(210)와 외부플레이트(220) 사이의 열교환을 최소화하는 것이 바람직하다.The outer plate 220 is disposed below the inner plate 210 and supports the inner plate 210. The outer plate 220 is provided with heating means (not shown) for heating the outer plate 220, and the temperature of the outer plate 220 is controlled by the heating means. A heat insulating member 240 is disposed between the inner plate 210 and the outer plate 220 so that the inner plate 210 and the outer plate 220 are spaced apart from each other. At this time, it is preferable that the heat insulating member 240 is made of a material excellent in heat insulation, so that heat exchange between the inner plate 210 and the outer plate 220 is minimized.

자켓링(230)은 환형으로 형성된다. 자켓링(230)은 외부플레이트(220)의 상단부에 결합되며, 내부플레이트(210)를 감싸도록 설치된다. 특히, 본 실시예의 경우 자켓링(230)는 피크(PEEK, polyaryletheretherketone)와 같은 엔지니어링 플라스틱 계열의 소재로 이루어진다. 그리고, 자켓링(230)을 엔지니어링 플라스틱 계열의 소재로 형성하면, 자켓링(230)을 알루미늄과 같은 금속 계열의 소재로 형성하였을 때보다 파우더가 덜 쌓이게 된다. 보다 구체적으로는, 자켓링(230)과 내부플레이트(210) 사이의 틈, 자켓링(230)의 외측면에 파우더가 훨씬 덜 쌓이게 된다. 그 이유는, 앞서 설명한 바와 같이 엔지니어링 플라스틱의 경우 표면마찰계수가 매우 적고 윤활성을 가지기 때문인 것으로 예측된다.The jacket ring 230 is formed in an annular shape. The jacket ring 230 is coupled to the upper end of the outer plate 220 and is installed to surround the inner plate 210. In particular, in this embodiment, the jacket ring 230 is made of engineering plastic material such as PEEK (polyaryletheretherketone). When the jacket ring 230 is made of an engineering plastic material, the powder is less accumulated than when the jacket ring 230 is formed of a metal-based material such as aluminum. More specifically, the gap between the jacket ring 230 and the inner plate 210, the outer surface of the jacket ring 230, is much less powdered. The reason for this is that, as described above, engineering plastics are expected to have a very low surface friction coefficient and lubricity.

도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 서셉터의 개략적인 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view of a susceptor according to a fourth embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 제4실시예에 따른 서셉터(300)는 내부플레이트(310)와 외부플레이트(320)와, 자켓링(330)을 포함한다. 6, the susceptor 300 according to the fourth embodiment includes an inner plate 310 and an outer plate 320, and a jacket ring 330.

본 실시예에 따르면, 내부플레이트(310)는 원형의 평판으로 형성되며, 이 내부플레이트 위에 기판이 안착된다. 내부플레이트(310) 상면의 가장자리는 단차지게 형성되며, 이에 따라 내부플레이트(310) 가장자리의 두께는 내부플레이트 중앙부의 두께 보다 얇게 형성된다. 내부플레이트(310)의 내부에는 열교환유체가 유동하는 유로(311)가 형성되어 있으며, 이에 따라 기판이 식각공정 온도로 유지된다. According to this embodiment, the inner plate 310 is formed as a circular flat plate, on which the substrate is seated. The edge of the upper surface of the inner plate 310 is formed to be stepped so that the thickness of the edge of the inner plate 310 is thinner than the thickness of the center portion of the inner plate. Inside the inner plate 310, a flow path 311 through which a heat exchange fluid flows is formed, whereby the substrate is maintained at an etching process temperature.

외부플레이트(320)는 내부플레이트(310)의 하방에 배치되며, 내부플레이트(310)를 지지한다. 외부플레이트(320)에는 외부플레이트(320)를 가열하기 위한 가열수단(도면 미도시)이 마련되고, 이 가열수단에 의해 외부플레이트(320)의 온도가 제어된다. 그리고, 내부플레이트(310)와 외부플레이트(320) 사이에는 단열부재(340)가 배치되며, 이에 따라 내부플레이트(310)와 외부플레이트(320)는 서로 이격된다. 이때, 단열부재(340)는 단열성이 우수한 소재로 이루어져, 내부플레이트(310)와 외부플레이트(320) 사이의 열교환을 최소화하는 것이 바람직하다.The outer plate 320 is disposed below the inner plate 310 and supports the inner plate 310. The outer plate 320 is provided with heating means (not shown) for heating the outer plate 320, and the temperature of the outer plate 320 is controlled by the heating means. A heat insulating member 340 is disposed between the inner plate 310 and the outer plate 320 so that the inner plate 310 and the outer plate 320 are spaced from each other. At this time, it is preferable that the heat insulating member 340 is made of a material having excellent heat insulation, so that heat exchange between the inner plate 310 and the outer plate 320 is minimized.

자켓링(330)은 측면부(331)와, 환형부(332)를 가진다. 측면부(331)는 환형으로 형성된다. 측면부(331)는 외부플레이트(320)의 상단부에 결합되며, 내부플레이트(310)의 측면을 감싸도록 배치된다. 환형부(332)는 측면부(331)의 상단부로부터 내측 방향으로 연장 형성된다. 환형부(332)는 내부플레이트(310) 상면 가장자리의 상방에 배치된다. 이때, 환형부(332)의 상면은 내측플레이트(310) 중앙부의 상면과 동일 평면상에 배치된다. The jacket ring 330 has a side surface portion 331 and an annular portion 332. The side surface portion 331 is formed in an annular shape. The side surface portion 331 is coupled to the upper end of the outer plate 320 and is disposed to surround the side surface of the inner plate 310. The annular portion 332 extends inward from the upper end of the side portion 331. The annular portion 332 is disposed above the upper surface edge of the inner plate 310. At this time, the upper surface of the annular portion 332 is disposed on the same plane as the upper surface of the central portion of the inner plate 310.

특히, 본 실시예의 경우 자켓링(330)는 피크(PEEK, polyaryletheretherketone)와 같은 엔지니어링 플라스틱 계열의 소재로 이루어진다. 그리고, 자켓링(330)을 엔지니어링 플라스틱 계열의 소재로 형성하면, 자켓링(330)을 알루미늄과 같은 금속 계열의 소재로 형성하였을 때보다 파우더가 덜 쌓이게 된다. 보다 구체적으로는, 자켓링(330)과 내부플레이트(310) 사이의 틈, 자켓링(330)의 외측면에 파우더가 훨씬 덜 쌓이게 된다. In particular, in this embodiment, the jacket ring 330 is made of engineering plastic material such as PEEK (polyaryletheretherketone). When the jacket ring 330 is made of an engineering plastic material, the powder is less accumulated than when the jacket ring 330 is made of a metal-based material such as aluminum. More specifically, the gap between the jacket ring 330 and the inner plate 310, the outer surface of the jacket ring 330, is much less powdered.

또한, 본 실시예의 경우에는 서셉터(300)에 기판을 안착하였을 때, 기판의 중앙부는 내측플레이트(310) 상에 놓이고, 기판의 가장자리는 환형부(332) 상에 놓인다. 따라서, 내측플레이트(310)로부터 기판의 중앙부 및 가장자리로 전달되는 열의 양이 달라지게 된다. 이에, 기판의 온도맵 및 공정조건을 고려하여 환형부(332)의 길이를 적절하게 변경하면, 기판의 식각 균일도를 향상시킬 수 있다. Further, in the case of this embodiment, when the substrate is placed on the susceptor 300, the central portion of the substrate is placed on the inner plate 310, and the edge of the substrate is placed on the annular portion 332. Thus, the amount of heat transferred from the inner plate 310 to the center and the edge of the substrate is varied. Accordingly, if the length of the annular portion 332 is appropriately changed in consideration of the temperature map of the substrate and the process conditions, the etching uniformity of the substrate can be improved.

도 7은 본 발명의 제5실시예에 따른 서셉터의 개략적인 단면도이다.7 is a schematic cross-sectional view of a susceptor according to a fifth embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 제5실시예에 따른 서셉터(400)는 내부플레이트(410)와, 외부플레이트(420)와, 자켓링(430)과, 상부플레이트(450)를 포함한다. 7, the susceptor 400 according to the fifth embodiment includes an inner plate 410, an outer plate 420, a jacket ring 430, and an upper plate 450.

내부플레이트(410)는 원형의 평판으로 형성되며, 내부플레이트(410) 위에 기판이 안착된다. 내부플레이트(410)의 내부에는 열교환유체가 유동하는 유로(411)가 형성되어 있으며, 이에 따라 기판이 식각공정 온도로 유지된다. The inner plate 410 is formed as a circular flat plate, and the substrate is seated on the inner plate 410. Inside the inner plate 410, a flow path 411 through which a heat exchange fluid flows is formed, whereby the substrate is maintained at an etching process temperature.

외부플레이트(420)는 내부플레이트(410)의 하방에 배치되며, 내부플레이트(410)를 지지한다. 외부플레이트(420)에는 외부플레이트(420)를 가열하기 위한 가열수단(도면 미도시)이 마련되고, 이 가열수단에 의해 외부플레이트(420)의 온도가 제어된다. 그리고, 내부플레이트(410)와 외부플레이트(420) 사이에는 단열부재(440)가 배치되며, 이에 따라 내부플레이트(410)와 외부플레이트(420)는 서로 이격된다. 이때, 단열부재(440)는 단열성이 우수한 소재로 이루어져, 내부플레이트(410)와 외부플레이트(420) 사이의 열교환을 최소화하는 것이 바람직하다.The outer plate 420 is disposed below the inner plate 410 and supports the inner plate 410. The outer plate 420 is provided with heating means (not shown) for heating the outer plate 420, and the temperature of the outer plate 420 is controlled by the heating means. A heat insulating member 440 is disposed between the inner plate 410 and the outer plate 420 so that the inner plate 410 and the outer plate 420 are spaced from each other. At this time, it is preferable that the heat insulating member 440 is made of a material having excellent heat insulation, so that heat exchange between the inner plate 410 and the outer plate 420 is minimized.

자켓링(430)은 환형으로 형성된다. 자켓링(430)은 외부플레이트(420)의 상단부에 결합되며, 내부플레이트(410)를 감싸도록 설치된다. The jacket ring 430 is formed in an annular shape. The jacket ring 430 is coupled to the upper end of the outer plate 420 and is installed to surround the inner plate 410.

상부플레이트(450)는 평판 형상으로 형성되며, 내부플레이트(410) 및 자켓링(430)의 상면에 결합된다. 도면에는 도시되어 있지 않으나, 상부플레이트(450)에는 기판의 안착을 위한 안착핀이 삽입되는 삽입공, 기판의 후면으로 가스를 분사하기 위한 분사공 등이 형성될 수도 있다. 특히, 본 실시예의 경우 상부플레이트(450)는 피크(PEEK, polyaryletheretherketone)와 같은 엔지니어링 플라스틱 계열의 소재로 이루어진다. The upper plate 450 is formed in a flat plate shape and is coupled to the upper surface of the inner plate 410 and the jacket ring 430. Although not shown in the drawings, the upper plate 450 may be formed with an insertion hole into which a seat pin for seating the substrate is inserted, a spray hole for injecting gas onto the rear surface of the substrate, and the like. In particular, in this embodiment, the upper plate 450 is made of an engineering plastic material such as a PEEK (polyaryletheretherketone).

본 실시예에 따르면, 자켓링(430)과 내부플레이트(410) 사이의 틈이 상부플레이트(450)에 의해 가려지므로, 이 부분에 파우더가 쌓이게 되는 것이 방지된다.According to the present embodiment, since the gap between the jacket ring 430 and the inner plate 410 is covered by the upper plate 450, the powder is prevented from accumulating in the portion.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation in the embodiment in which said invention is directed. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the scope of the appended claims.

100,100A...서셉터 110...안착면
120,120A...가이드핀
200,300,400...서셉터 210,310,410...내부플레이트
220,320,420...외부플레이트 230,330,430...자켓링
450...상부플레이트100, 100A ... susceptor 110 ... seat surface
120,120A ... guide pin
200, 300, 400 ... susceptors 210, 310, 410 ... inner plate
220, 320, 420 ... outer plate 230, 330, 430 ... jacket ring
450 ... upper plate

Claims (8)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판처리장치의 내부에 설치되며, 기판이 안착되는 서셉터에 있어서,
상기 기판이 안착되는 내부플레이트와,
상기 내부플레이트의 하방에 배치되며, 상기 내부플레이트를 지지하는 외부플레이트와,
환형으로 형성되며, 상기 내부플레이트를 감싸도록 설치되는 자켓링을 포함하며,
상기 자켓링이 엔지니어링 플라스틱 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 서셉터.A susceptor provided inside a substrate processing apparatus and on which a substrate is placed,
An inner plate on which the substrate is seated,
An outer plate disposed below the inner plate and supporting the inner plate,
And a jacket ring formed in an annular shape and installed to surround the inner plate,
Wherein said jacket ring is made of an engineering plastic material. 제4항에 있어서,
상기 내부플레이트 상면의 가장자리는 단차지게 형성되며,
상기 자켓링은,
환형으로 형성되며, 상기 내부플레이트의 측면을 감싸는 측면부와,
상기 측면부의 상단부로부터 내측 방향으로 연장 형성되며, 상기 내부플레이트 상면 가장자리의 상방에 배치되는 환형부를 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터.5. The method of claim 4,
The edge of the upper surface of the inner plate is formed to be stepped,
The jacket ring
A side portion which is formed in an annular shape and encloses a side surface of the inner plate,
And an annular portion extending inwardly from an upper end of the side portion and disposed above the upper surface edge of the inner plate. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 서셉터의 상면에는 평판 형상으로 형성되며 엔지니어링 플라스틱 재질로 이루어지는 상부플레이트가 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 서셉터. The method according to claim 4 or 5,
Wherein an upper plate made of an engineering plastic material is coupled to the upper surface of the susceptor in a flat plate shape. 내부에 배치된 기판으로 HF 가스와 NH3 가스를 분사하여 기판 상의 실리콘 산화막을 식각하는 기판처리장치에 있어서,
제4항 또는 제5항에 기재된 서셉터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
1. A substrate processing apparatus for etching a silicon oxide film on a substrate by spraying HF gas and NH3 gas into a substrate disposed inside,
A substrate processing apparatus comprising the susceptor according to claim 4 or 5.
내부에 배치된 기판으로 HF 가스와 NH3 가스를 분사하여 기판 상의 실리콘 산화막을 식각하는 기판처리장치에 있어서,
제6항에 기재된 서셉터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
1. A substrate processing apparatus for etching a silicon oxide film on a substrate by spraying HF gas and NH3 gas into a substrate disposed inside,
A substrate processing apparatus comprising the susceptor according to claim 6.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101267397B1 (en) * 2011-07-19 2013-06-04 주성엔지니어링(주) Deposition apparatus for thin film and deposition method for thin film using the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012124528A (en) * 2007-10-08 2012-06-28 Semes Co Ltd Spin head and substrate processing method

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