KR101650367B1 - 안티 박테리아성 박막의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
기재 상에 생체 적합성 물질, 금속 전구체, 및 반응 가스를 이용하여 플라즈마 화학 기상 증착법에 의해 금속 도핑된 박막을 형성하는 것을 포함하는, 안티 박테리아성 박막의 제조 방법에 관한 것이다.
Description
본원은, 안티 박테리아성 박막의 제조 방법에 관한 것이다.
현재까지 항균성을 나타내는 물질로서는 은, 구리, 목초액, 유기약품, 및 항생제 등이 알려져 있다. 상기와 같은 물질들은 합성수지제에 접목하기 어려운 문제가 있다. 광촉매 활성을 나타내는 산화티타늄 또는 이를 포함하는 금속산화물 복합체 등은 광촉매 활성을 나타내어 항균 및 탈취 등의 목적으로 사용할 수 있음이 다수 알려져 있다. 그러나, 이러한 광촉매 활성 물질은 빛에 의해 활성화되기 때문에 그에 따른 제약이 많으며, 산화티타늄은 가격이 높아 범용적으로 사용하기에는 적합하지 않다.
한편, 유리는 투명하고 미려한 특성으로 건축 내외장재로 널리 사용될 뿐 아니라, 쉽게 깨지고 열에 약한 단점을 보완한 강화유리, 내열유리의 보급에 따라 건축 내·외장재 뿐 아니라 핸드폰과 같은 전자기기, 냉장고, 에어콘과 같은 가전제품의 표면재, 식기, 가구 등에 널리 이용되고 있다. 이러한 유리 재료들은 땀이나 타액, 먼지, 기름기, 담배연기, 습기 등에 노출되는 경우가 많기 때문에 많은 세균이 번식할 수 있어, 사람의 손이 유리에 접촉할 때마다 세균에 감염될 우려가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 유리에 항균특성을 부여한 항균유리들이 제조되었다. 특히, 은(Ag)은 예로부터 동서양을 막론하고 살균 재료로 널리 사용되어 왔다. 최근 은과 나노기술이 접목된 나노은은, 적은 양의 나노은을 사용하면서도 높은 효과를 발휘하는 것이 알려지면서 다양한 분야에 적용되어 많은 제품들이 출시되고 있다.
한편, 대한민국 공개특허 제10-2014-0118065호는, 합성수지 제의 표면 상에 산화아연 및 산화칼슘으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종을 이용하여 진공 증착 형성된 금속산화물로 이루어진 항균층에 대하여 개시하고 있다.
본원은, 안티 박테리아성 박막의 제조 방법을 제공하고자 한다.
그러나, 본원이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본원의 일 측면은, 기재 상에 생체 적합성 물질, 금속 전구체, 및 반응 가스를 이용하여 플라즈마 화학 기상 증착법에 의해 금속 도핑된 박막을 형성하는 것을 포함하는, 안티 박테리아성 박막의 제조 방법을 제공한다.
본원의 일 구현예에 의하면, 금속 도핑에 의해 투명하면서 플렉서블한 생체 적합성 및 안티 박테리아성을 가지는 박막, 및 상기 박막의 제조 방법을 제공할 수 있다.
본원의 일 구현예에 따른 안티 박테리아성 박막은 금속의 도핑시 인가하는 전력의 비례하여 도핑율이 상승될 수 있으며, ZrO-Cu 및 ZrN-Cu 박막의 경우 금속의 도핑율이 약 15%일 때 가장 항균 효율이 좋고, AlN-Ag 박막의 경우 금속의 도핑율이 약 5%일 때 가장 항균 효율이 좋은 것일 수 있으며, 상기 박막들은 투명한 상태를 유지할 수 있다.
도 1은, 본원의 일 구현예에 따른 안티 박테리아성 박막의 과정을 나타내는 순서도이다.
도 2의 (a) 및 (b)는, 본원의 일 구현예에 있어서, 안티 박테리아성 박막의 제조 시 사용되는 스퍼터링 장치를 나타내는 개략도이다.
도 3의 (a) 및 (b)는, 본원의 일 실시예에 따라 제조된 안티 박테리아성 박막의 유연성을 나타낸 이미지이다.
도 4는, 본원의 일 실시예에 있어서, Cu 도핑율 증가에 따른 ZrO2 박막의 변화를 도시한 이미지이다.
도 5는, 본원의 일 실시예에 있어서, 인가 전력 증가에 따른 XRF(X-ray fluorescence) 강도 변화를 나타내는 그래프이다.
도 6은, 본원의 일 실시예에 있어서, Cu 도핑율 증가에 따른 ZrN 박막의 변화를 도시한 이미지이다.
도 7은, 본원의 일 실시예에 있어서, Ag 도핑율 증가에 따른 AlN 박막의 변화를 도시한 이미지이다.
도 2의 (a) 및 (b)는, 본원의 일 구현예에 있어서, 안티 박테리아성 박막의 제조 시 사용되는 스퍼터링 장치를 나타내는 개략도이다.
도 3의 (a) 및 (b)는, 본원의 일 실시예에 따라 제조된 안티 박테리아성 박막의 유연성을 나타낸 이미지이다.
도 4는, 본원의 일 실시예에 있어서, Cu 도핑율 증가에 따른 ZrO2 박막의 변화를 도시한 이미지이다.
도 5는, 본원의 일 실시예에 있어서, 인가 전력 증가에 따른 XRF(X-ray fluorescence) 강도 변화를 나타내는 그래프이다.
도 6은, 본원의 일 실시예에 있어서, Cu 도핑율 증가에 따른 ZrN 박막의 변화를 도시한 이미지이다.
도 7은, 본원의 일 실시예에 있어서, Ag 도핑율 증가에 따른 AlN 박막의 변화를 도시한 이미지이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예 및 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다.
본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 “~ 하는 단계” 또는 “~의 단계”는 “~를 위한 단계”를 의미하지 않는다.
본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합(들)"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.
본원 명세서 전체에서, "A 및/또는 B"의 기재는, "A 또는 B, 또는 A 및 B"를 의미한다.
본원 명세서 전체에서, "생체 적합성(bio-compatible) 물질"이라는 용어는 혈액 또는 세포조직과 친화력을 가지고 있어서 생체에 적용하였을 때 외부의 이물질로 인식되지 않고 혈전형성이나 염증, 물성의 변화 등의 바람직하지 않은 장기적 효과를 유도하지 않는 물질을 의미한다.
이하, 본원의 구현예를 상세히 설명하였으나, 본원이 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 측면은, 기재 상에 생체 적합성 물질, 금속 전구체, 및 반응 가스를 이용하여 플라즈마 화학 기상 증착법(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD)에 의해 금속 도핑된 박막을 형성하는 것을 포함하는, 안티 박테리아성 박막의 제조 방법을 제공한다.
상기 안티 박테리아성(anti-bacterial)이란, 항균성이라고도 불리우며, 구체적으로, 박테리아(세균)가 번식하지 못하도록 방지하고 죽이는 것을 의미하는 것일 수 있다. 상기 박테리아로는 일반적으로 알려진 박테리아라면 특별한 제한 없이 적용 가능하며, 예를 들어, 스트렙토코커스 뮤탄스(Streptococcus mutans), 바실러스 서브틸러스(Bacillus subtilis), 락토바실러스 비피도박테리움(Lactobacillus bifidobacterium), 락토바실러스 아시도필러스(Lactobacillus acidophilus), 락토바실러스 가세리(Lactobacillus gasseri), 락토바실러스 존스니(Lactobacillus johnsonii), 락토바실러스 헬베티커스(Lactobacillus helveticus), 락토바실러스 카세이(Lactobacillus casei), 락토바실러스 플란타룸(Lactobacillus plantarum), 비피도박테리움 비피덤(Bifidobacterium bifidum), 비피도박테리움 롱검(Bifidobacterium longum), 비피도박테리움 애니멀리스(Bifidobacterium animalis), 스트렙토코커스 써모필러스(Streptococcus thermophilus), 타필로코커스 아우레스(Staphylococcus aureus), 스타필로코커스 에피더미디스(Staphylococcus epidermidis), 또는 엔테로코커스 파에칼리스(Enterococcus faecalis) 등이 있을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 1은 본원의 일 구현예에 따른 안티 박테리아성 박막의 제조 과정을 나타내는 순서도로서, 기재[도 1의 (a)] 상에 PECVD에 의해 금속 도핑된 생체 적합성 물질을 포함하는 산화물 또는 질화물 박막을 형성함[도 1의 (b)]으로써 안티 박테리아성 박막을 형성한다.
도 2의 (a) 및 (b)는 본원의 실시예에 따른 안티 박테리아성 박막의 제조 시 사용되는 스퍼터링 장치들을 나타내는 모식도이다. 도 2의 (a)는 회전하는 기재 상에 다중 스퍼터링을 이용하여 박막을 증착하는 것을 나타내며, 도 2의 (b)는 고정된 기재 상에 1 내지 2 타켓 스퍼터링을 이용하여 박막을 증착하는 것을 나타낸다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 기재는 유리, Si 웨이퍼(wafer), 또는 고분자 물질을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 상기 기재는 통상의 강성 기재 또는 플렉서블 기재를 특별한 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 고분자 물질은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET), 폴리이미드 (polyimide; PI), 폴리카보네이트(polycarbonate; PC), 또는 아크릴(acrylic) 등이 있을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 금속 전구체는 효과적인 항균 활성, 내구성, 및 무독성을 가지는 물질이라면 제한 없이 사용할 수 있으며, 예를 들어, Ag, Cu, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 전구체를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 금속들은 이온에 의해 살균 활성을 나타내는 것일 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 생체 적합성 물질은 Zr, Al, Ti, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 반응 가스는 산소(O2) 또는 질소(N2)를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 안티 박테리아성 박막은 상기 생체 적합성 물질의 산화물 또는 질화물을 포함하는 것일 수 있으며, 예를 들어, 상기 안티 박테리아성 박막은 ZrO2, ZrN, Al2O3, 또는 AlN 등을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 플라즈마 화학 기상 증착법은 스퍼터링법을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 스퍼터링법은 1 내지 2 타겟 스퍼터링 또는 다중 스퍼터링을 포함하는 것일 수 있다. 또한, 1 내지 2 타겟 스퍼터링 시에는 상기 기재가 고정된 상태에서 증착시키는 것일 수 있으며, 다중 스퍼터링 시에는 상기 기재가 회전하는 상태에서 증착시키는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 스퍼터링법은 약 0 W 초과 내지 약 30 W 이하의 전력을 인가하여 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 인가 전력은 약 0 W 초과 내지 약 30 W 이하, 약 2.5 W 내지 약 30 W, 약 5 W 내지 약 30 W, 약 7.5 W 내지 약 30 W, 약 10 W 내지 약 30 W, 약 15 W 내지 약 30 W, 약 20 W 내지 약 30 W, 약 25 W 내지 약 30 W, 약 1.7 W 내지 약 25 W, 약 3.5 W 내지 약 20 W, 또는 약 7 W 내지 약 14 W의 범위일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 금속의 도핑 시 상기 인가 전력이 향상될수록 상기 금속의 도핑율이 향상되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 금속의 도핑율은 약 0% 초과 내지 약 20% 이하일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 바람직하게는, 약 5% 또는 약 15%의 도핑율일 때 가장 효율이 좋을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 금속의 도핑율은 약 0% 초과 내지 약 20% 이하, 약 5% 내지 약 20%, 약 10% 내지 약 20%, 약 15% 내지 약 20%, 약 5% 내지 약 15%, 또는 약 5% 내지 약 10%의 범위일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, ZrO-Cu 및 ZrN-Cu 박막의 경우 금속의 도핑율이 약 15%일 때 가장 항균 효율이 좋고, AlN-Ag 박막의 경우 금속의 도핑율이 약 5%일 때 가장 항균 효율이 좋은 것일 수 있으며, 상기 박막들은 투명한 상태를 유지할 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 안티 박테리아성 박막은 상기 금속의 도핑율이 향상될수록 상기 박막의 안티 박테리아성은 증가하고, 상기 박막의 투명도는 낮아지는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 안티 박테리아성 박막은 약 20 nm 이상의 두께라면 안티 박테리아성을 나타낼 수 있으며, 예를 들어, 약 20 nm 내지 약 500 nm의 범위를 가지는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 안티 박테리아성 박막의 두께는 약 20 nm 내지 약 500 nm, 약 40 nm 내지 약 500 nm, 약 60 nm 내지 약 500 nm, 약 80 nm 내지 약 500 nm, 약 100 nm 내지 약 500 nm, 약 150 nm 내지 약 500 nm, 약 200 nm 내지 약 500 nm, 약 250 nm 내지 약 500 nm, 약 300 nm 내지 약 500 nm, 약 350 nm 내지 약 500 nm, 약 400 nm 내지 약 500 nm, 약 450 nm 내지 약 500 nm, 약 20 nm 내지 약 450 nm, 약 20 nm 내지 약 400 nm, 약 20 nm 내지 약 350 nm, 약 20 nm 내지 약 300 nm, 약 20 nm 내지 약 250 nm, 약 20 nm 내지 약 200 nm, 약 20 nm 내지 약 150 nm, 약 20 nm 내지 약 100 nm, 약 20 nm 내지 약 80 nm, 약 20 nm 내지 약 60 nm, 약 20 nm 내지 약 40 nm, 또는 약 150 nm 내지 약 200 nm의 범위일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 안티 박테리아성 박막은 고경도, 투명성, 및/또는 유연성을 가지는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이하, 실시예를 참조하여 본원을 좀더 자세히 설명하지만, 본원은 이에 제한되는 것은 아니다.
[
실시예
]
[
실시예
1]
ZrO
-Cu 박막의 제조
상온에서 PECVD 장치를 사용하여 유리 기재 상에 안티 박테리아성 박막을 형성하였다. 상기 기재 상에 Zr, Cu, O2를 동시에 공급하였으며, 공정 압력은 5 mTorr로 설정하였다. 상기 Zr은 9 W/cm2 내지 10 W/cm2 전력을 인가하였고, 상기 Cu는 0 W 내지 20 W(도핑율 0% 내지 20%)의 전력을 인가하였다. 상기 O2는 10 sccm의 흐름으로 공급하였다. 본 실시예에서 제조된 박막의 두께는 150 nm 내지 200 nm였다.
도 4는, Cu 도핑율 증가에 따른 ZrO2 박막의 변화를 나타낸 것으로서, 좌측부터 차례대로 유기 기재 상에 각각 구리를 0 W, 5 W, 10 W, 및 20 W의 전력을 인가하여 박막이 도핑된 것이며, Cu를 도핑하여도 박막이 투명도를 유지함을 확인할 수 있었고, 상기 Cu 도핑율이 증가할수록 박막의 투명도가 낮아짐을 확인할 수 있었다.
도 5는, 인가 전력 증가에 따른 각 물질의 XRF 강도 변화를 나타내는 그래프로서, 인가 전력이 증가할수록 Cu의 도핑율도 향상함을 확인할 수 있었다.
[
실시예
2]
ZrN
-Cu 박막의 제조
상온에서 PECVD 장치를 사용하여 유리 기재 상에 안티 박테리아성 박막을 형성하였다. 상기 기재 상에 Zr, Cu, 및 N2를 동시에 공급하였으며, 공정 압력은 5 mTorr로 설정하였다. 상기 Zr은 9 W/cm2 내지 10 W/cm2 전력을 인가하였고, 상기 Cu는 0 W 내지 20 W(도핑율 0% 내지 20%)의 전력을 인가하였다. 상기 N2는 10 sccm 내지 15 sccm의 흐름으로 공급하였다. 본 실시예에서 제조된 박막의 두께는 150 nm 내지 200 nm였다.
도 6은, Cu 도핑율 증가에 따른 ZrN 박막의 변화를 나타낸 것으로서, 좌측부터 차례대로 순수한 유리 기재 및 유기 기재 상에 각각 구리를 0 W, 1.74 W, 3.5 W, 7 W, 및 14 W의 전력을 인가하여 박막이 도핑된 것이며, Cu를 도핑하여도 박막이 투명도를 유지함을 확인할 수 있었고, 상기 Cu 도핑율이 증가할수록 박막의 투명도가 낮아짐을 확인할 수 있었다.
[
실시예
3]
AlN
-
Ag
박막의 제조
상온에서 PECVD 장치를 사용하여 유리 기재 상에 안티 박테리아성 박막을 형성하였다. 상기 기재 상에 Al, Ag, 및 N2를 동시에 공급하였으며, 공정 압력은 5 mTorr로 설정하였다. 상기 Al은 9 W/cm2 내지 10 W/cm2 전력을 인가하였고, 상기 Ag는 0 W 내지 20 W(도핑율 0% 내지 20%)의 전력을 인가하였다. 상기 N2는 10 sccm 내지 15 sccm의 흐름으로 공급하였다. 본 실시예에서 제조된 박막의 두께는 150 nm 내지 200 nm였다.
도 7은, Ag 도핑율 증가에 따른 AlN 박막의 변화를 나타낸 것으로서, 좌측부터 차례대로 순수한 유리 기재 및 유기 기재 상에 각각 은을 0 W, 2.5 W, 5 W, 및 10 W의 전력을 인가하여 박막이 도핑된 것이며, Ag를 도핑하여도 박막이 투명도를 유지함을 확인할 수 있었고, 상기 은 도핑율이 증가할수록 박막의 투명도가 낮아짐을 확인할 수 있었다.
[
실험예
1]
생체 적합성 박막의 유연성 테스트
생체 적합성 물질로 제조된 박막의 유연성을 테스트하기 위해 상온에서 PECVD 장치를 사용하여 PET 기재 상에 ZrO 박막을 형성하였다. 상기 기재 상에 Zr과 O2를 동시에 공급하였으며, 공정 압력은 5 mTorr로 설정하였다. Zr의 증착 시 인가 전력은 120 W였으며, 상기 O2는 1 sccm의 흐름으로 공급하였다. 상기 형성된 박막의 두께는 100 nm 내지 400 nm였다.
도 3의 (a) 및 (b)는, 본 실시예에 따라 PET 기재 상에 제조된 ZrO 박막의 유연성을 나타내는 이미지이다. 상기 제조된 박막의 두께가 400 nm일 때까지 박막을 굽혔을 때 크랙(crack)이 발생하지 않았다.
[
실험예
2]
상기 제조한 박테리아 방지용 소수성 박막들을 박테리아 물질로서 충치균 중 하나인 스트렙토코커스 뮤탄스(Streptococcus mutans; S. mutans)을 사용하여 안티 박테리아성을 확인하였다. 본 실험예에서 사용된 충치균은 인간의 구강 내에서 서식하는 구형의 그람 양성균(gram positive bacteria)으로서, 혐기성을 가지고, 중온(18℃ 내지 40℃)에서 성장하며, 뼈를 부식(cariogenic microorganism)시키는 특징을 가지는 박테리아이다.
먼저, 스트렙토코커스 뮤탄스를 배양한 후, 상기 스트렙토코커스 뮤탄스가 배양된 실험 튜브 내에 BHI 배양액(brain heart infusion broth) 및 2% 수크로오스(sucrose) 보충제와 상기 비교예의 유리, 및 실시예들의 박막을 각각 48 시간 동안 저장하였다. 48 시간 후의 각 기재들을 확인하였으며, 본 실시예의 박막을 사용하였을 때, 상기 스트렙토코커스 뮤탄스가 모두 죽어있는 것을 확인하였다.
또한, 상기 실시예 1 및 실시예 2에서 제조된 박막은 금속의 도핑율이 15%일 때 가장 항균 효율이 좋았고, 상기 실시예 3에서 제조된 박막은 금속의 도핑율이 5%일 때 가장 항균 효율이 좋았다. 또한, 항균 효율이 가장 우수한 경우의 상기 박막들도 투명도를 유지함을 확인할 수 있었다.
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수도 있다.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위, 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (9)
- 기재 상에 생체 적합성 물질, 금속 전구체, 및 반응 가스를 이용하여 플라즈마 화학 기상 증착법에 의해 금속이 도핑된 박막을 형성하는 것을 포함하는 안티 박테리아성 박막의 제조 방법으로서,
상기 생체 적합성 물질은 Zr, Al, Ti, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것이고,
상기 플라즈마 화학 기상 증착법은 0 W 초과 내지 30 W 이하의 인가 전력 하에서 수행되는 스퍼터링법을 포함하는 것이며,
상기 금속의 도핑 시 상기 인가 전력이 증가될수록 상기 금속의 도핑율이 향상되는 것이고, 상기 금속의 도핑율이 향상될수록 상기 안티 박테리아성 박막의 안티 박테리아성은 증가하고, 상기 안티 박테리아성 박막의 투명도는 낮아지는 것을 포함하는 것이고,
상기 안티 박테리아성 박막의 두께는 20 nm 내지 400 nm 이며,
상기 안티 박테리아성 박막은 유연성을 가지는 것인,
안티 박테리아성 박막의 제조 방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 금속 전구체는 Ag, Cu, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 전구체를 포함하는 것인, 안티 박테리아성 박막의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 반응 가스는 산소(O2) 또는 질소(N2)를 포함하는 것인, 안티 박테리아성 박막의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 안티 박테리아성 박막은 상기 생체 적합성 물질의 산화물 또는 질화물을 포함하는 것인, 안티 박테리아성 박막의 제조 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
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KR20060032564A (ko) * | 2004-04-06 | 2006-04-17 | 엘지전자 주식회사 | 초친수성 및 살/항균성 금속제품 및 그의 제조방법 |
KR20090026192A (ko) * | 2006-06-21 | 2009-03-11 | 에이쥐씨 플랫 글래스 유럽 에스에이 | 항미생물성을 가진 기판 |
-
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