KR101649315B1 - Inductively Coupled Plasma Processing Apparatus and Method having an Internal Cleaning Function - Google Patents

Inductively Coupled Plasma Processing Apparatus and Method having an Internal Cleaning Function Download PDF

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Abstract

본 발명의 내부클리닝을 위한 전극을 갖는 유도결합 플라즈마 처리 장치는 내부에 방전공간을 갖고 서셉터가 구비된 공정챔버, 상기 공정챔버 내부로 유도결합 플라즈마 방전을 유도하기 위한 무선 주파수 안테나, 상기 공정챔버의 내부로 상기 무선주파수안테나로부터 전원을 전달하는 유전체윈도우, 상기 공정챔버의 내부를 클리닝하도록 배치되어진 용량결합 전극, 상기 무선 주파수 안테나와 상기 용량결합전극에 전원을 공급하기 위한 전원공급원을 포함한다. 본 발명의 용량결합플라즈마 방식을 이용한 챔버클리닝장치는 유도결합플라즈마를 이용하여 반도체 공정을 수회 수행한 다음 탈부착이 가능한 용량결합 전극에 전압을 인가하여, 반응 챔버를 분해하지 않고도 내부를 클리닝할 수 있다. An inductively coupled plasma processing apparatus having an electrode for internal cleaning of the present invention includes a process chamber having a susceptor and having a discharge space therein, a radio frequency antenna for inducing inductively coupled plasma discharge into the process chamber, A capacitive coupling electrode disposed to clean the interior of the process chamber; and a power source for supplying power to the RF antenna and the capacitive coupling electrode. The chamber cleaning apparatus using the capacitive coupled plasma method of the present invention can perform the semiconductor process several times by using inductively coupled plasma and apply a voltage to the capacitively coupled electrode which can be detached and attached to clean the inside without decomposing the reaction chamber .

Description

내부클리닝기능을 갖는 유도결합 플라즈마 처리장치 및 방법 {Inductively Coupled Plasma Processing Apparatus and Method having an Internal Cleaning Function}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inductively coupled plasma processing apparatus and an inductively coupled plasma processing apparatus having an internal cleaning function,

본 발명은 플라즈마 처리 챔버의 내부클리닝을 위한 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 용량결합플라즈마 방식을 이용한 챔버내부를 클리닝하는 발명에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for cleaning the inside of a plasma processing chamber, and more particularly, to an invention for cleaning the inside of a chamber using a capacitively coupled plasma method.

최근 액정 디스플레이 장치, 플라즈마 디스플레이 장치, 반도체 장치들의 제조를 위한 기판 처리 시스템들은 웨이퍼 또는 비정질 실리콘과 같은 기판 상에 박막을 형성하는 공정이 필수적으로 포함된다. BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] Recently, liquid crystal display devices, plasma display devices, and substrate processing systems for manufacturing semiconductor devices essentially include a process of forming a thin film on a substrate such as a wafer or amorphous silicon.

이러한 박막을 형성하는 방법은 주로 물리적 방법과 화학적 방법이 있다. 이 중, 화학적 방법은 균일하고 치밀도 높은 박막을 효율적으로 형성할 수 있어 광범위하게 사용되고 있다. 화학적 방법은 크게 열과 플라즈마를 이용하는 두 가지 방법으로 나뉜다. 이 중 가장 많이 쓰이는 플라즈마를 이용하는 방법은, 기체의 박막재료를 플라즈마화시킴으로 박막을 형성하는 방법이다. The methods of forming such thin films are mainly physical methods and chemical methods. Among them, the chemical method is widely used because it can efficiently form a uniform and dense thin film. The chemical method is largely divided into two methods using heat and plasma. The most commonly used method of using plasma is a method of forming a thin film by converting a thin film material of a gas into a plasma.

이러한 플라즈마는 또한 3가지로 크게 분류할 수 있는데, 첫 번째가 DC 플라즈마이고, 다음이 RF(Radio Frequency) 플라즈마이며, 마지막으로 MW(Microwave) 플라즈마가 있다. 이 중에서 일반적인 반도체 공정에서 사용되는 화학적 박막형성 방법의 플라즈마는 RF 플라즈마이며, 이는 다시 두가지 방식의 플라즈마 발생방식으로 나뉘게 된다. 하나는 유도결합플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma)이고 다른 하나는 용량결합플라즈마(CCP: Capacitively Coupled Plasma)이다. These plasma can also be roughly classified into three types, the first being DC plasma, the second being RF (Radio Frequency) plasma, and finally the MW (Microwave) plasma. Among them, the plasma of the chemical thin film forming method used in a general semiconductor process is an RF plasma, which is divided into two types of plasma generation methods. One is Inductively Coupled Plasma (ICP) and the other is Capacitively Coupled Plasma (CCP).

이러한 플라즈마 발생 방식을 이용한 박막 형성방법들로 공정을 계속 진행할 경우, 플라즈마 반응 챔버 내부에는 막들이 누적되어 누적막을 형성할 수 있다. 특히, 유도결합플라즈마 방식은 에너지 밀도가 안테나의 형태에 따라 달라지는데, 원통형으로 감아 돌린 형태에서는 밀도가 중앙쪽으로 몰려 반응챔버의 천장중심부가 더욱 오염이 된다. 상기 누적막들은 불순물로서 박막을 형성하고자 하는 피처리기판의 막질에 악영향을 끼치게 된다. 따라서, 종래 박막을 형성하는 설비의 경우, 일정시간동안 또는 일정횟수만큼 공정을 진행한 다음, 설비를 분해하여 Ÿ‡클리닝(Wet Cleaning)방식으로 클리닝하고 있다. 하지만, 이와 같은 Ÿ‡클리닝 방식의 경우, 실제 클리닝에 소요되는 시간 뿐 아니라 설비의 분해와 조립 및 세팅에 필요한 시간이 추가로 소요되어 수율이 저하되는 단점이 있어왔다.When the process is continued by the thin film forming methods using the plasma generation method, the accumulated films may accumulate in the plasma reaction chamber. Particularly, in the inductively coupled plasma method, the energy density differs depending on the shape of the antenna. In the cylindrical rolled shape, the density is concentrated toward the center, and the center portion of the ceiling of the reaction chamber is further contaminated. The accumulated films adversely affect the film quality of the target substrate to be formed as an impurity. Therefore, in the case of a conventional apparatus for forming a thin film, the process is performed for a predetermined time or a predetermined number of times, then the apparatus is disassembled and cleaned by a wet cleaning method. However, in such a cleaning method, there is a disadvantage that not only the time required for actual cleaning but also the time required for disassembling, assembling and setting the facility is further required, and the yield is lowered.

본 발명의 목적은 유도결합플라즈마 처리장치에서 유도결합플라즈마 처리장치 본체 내부에 남아 있는 잔여물을 제거하는 방법에 관한 것으로, 특히 오염이 심한 중심부를 용량결합전극을 이용하여 인시츄(in-situ)방식으로 내부클리닝을 할 수 있는 유도결합 플라즈마 처리 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide an inductively coupled plasma processing apparatus and method for removing residues remaining in the body of an inductively coupled plasma processing apparatus. More particularly, the present invention relates to a method for removing in- The present invention also provides an inductively coupled plasma processing apparatus capable of performing internal cleaning in a plasma processing system.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 내부클리닝기능을 갖는 유도결합플라즈마 처리장치는 내부에 방전공간을 갖고 서셉터가 구비된 공정챔버; 상기 공정챔버 내부로 유도결합 플라즈마 방전을 유도하기 위한 무선 주파수 안테나; 상기 공정챔버의 내부로 상기 무선주파수 안테나로부터 유도된 기전력을 전달하는 유전체 윈도우; 상기 공정챔버의 내부를 클리닝하도록 배치되어진 용량결합전극; 상기 무선 주파수 안테나와 상기 용량결합전극에 전원을 공급하기 위한 전원공급원을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an inductively coupled plasma processing apparatus having an internal cleaning function, including: a process chamber having a discharge space therein and provided with a susceptor; A radio frequency antenna for inducing inductively coupled plasma discharge into the process chamber; A dielectric window for delivering an electromotive force derived from the radio frequency antenna to the interior of the process chamber; A capacitive coupling electrode arranged to clean the interior of the process chamber; And a power source for supplying power to the radio frequency antenna and the capacitive coupling electrode.

일 실시예에 있어서, 상기 용량결합전극은 탈착이 가능하다.In one embodiment, the capacitive coupling electrode is detachable.

일 실시예에 있어서, 상기 용량결합전극은 위치변환핸들러에의해 이동된다.In one embodiment, the capacitive coupling electrode is moved by a position change handler.

일 실시예에 있어서, 상기 위치변환핸들러는 위치변환핸들러 구동부와 홀더암, 전극홀더로 구성된다.In one embodiment, the position conversion handler comprises a position conversion handler driver, a holder arm, and an electrode holder.

일 실시예에 있어서, 상기 용량결합전극은 위치변환밸브에 의해 이동된다.In one embodiment, the capacitive coupling electrode is moved by a position change valve.

일 실시예에 있어서, 상기 위치변환밸브는 위치변환밸브구동부와 선형밸브, 홀더로 구성된다.In one embodiment, the position change valve is composed of a position change valve drive part, a linear valve, and a holder.

일 실시예에 있어서, 상기 전원공급원은 상기 무선주파수 안테나에 전원을 공급하는 제 1 전원공급원; 및 상기 용량결합전극 또는 상기 서셉터로 전원을 공급하는 제 2 전원공급원을 포함한다.In one embodiment, the power source comprises: a first power source supplying power to the radio frequency antenna; And a second power supply for supplying power to the capacitive coupling electrode or the susceptor.

일 실시예에 있어서, 상기 전원공급원은 상기 무선주파수 안테나 또는 상기 용량결합전극으로 전원을 공급하는 상기 제 1 전원공급원; 및 상기 서셉터로 전원을 공급하는 상기 제 2 전원공급원을 포함한다.In one embodiment, the power source comprises: the first power source supplying power to the radio frequency antenna or the capacitive coupling electrode; And the second power source supplying power to the susceptor.

일 실시예에 있어서, 상기 전원공급원은 상기 무선주파수 안테나로 전원을 공급하는 제 1 전원공급원; 상기 서셉터로 전원을 공급하는 제 2 전원공급원; 및 상기 용량결합전극으로 전원을 공급하는 제 3 전원공급원을 포함한다.In one embodiment, the power source comprises: a first power source supplying power to the radio frequency antenna; A second power supply for supplying power to the susceptor; And a third power source supplying power to the capacitive coupling electrode.

본 발명의 내부클리닝기능을 갖는 유도결합플라즈마 처리방법은 공정챔버 내부를 클리닝하는 방법에 있어서, 무선주파수 안테나에 전원을 공급하는 단계; 상기 무선주파수 안테나가 유전체 윈도우를 통해 상기 공정챔버 내부에 유도결합 플라즈마를 형성하는 단계; 상기 유도결합 플라즈마를 이용하여 공정챔버 내부에서 기판처리 플리즈마공정을 진행하는 단계;및 플라즈마 공정을 수회 진행한 후 기판이 제거된 공정챔버의 내부 클리닝을 실시하기 위해 용량결합전극에 전원을 공급하는 단계를 포함한다. The present invention provides an inductively coupled plasma processing method having an internal cleaning function, the method comprising the steps of: supplying power to a radio frequency antenna; The radio frequency antenna forming an inductively coupled plasma within the process chamber through a dielectric window; The method of claim 1, further comprising the steps of: performing a substrate processing plasma treatment process in the process chamber using the inductively coupled plasma; and supplying power to the capacitive coupling electrode to perform internal cleaning of the process chamber after the plasma process has been performed several times .

일 실시예에 있어서, 상기 용량결합전극은 상기 플라즈마 공정 시에는 상기 유전체 윈도우로부터 이격되는 제 1 위치에서 상기 내부 클리닝시에는 상기 유전체윈도우에 근접되는 제 2 위치로 움직인다.In one embodiment, the capacitive coupling electrode moves from a first position spaced from the dielectric window during the plasma process to a second position adjacent the dielectric window during the internal cleaning.

본 발명의 내부클리닝을 위한 전극을 갖는 유도결합 플라즈마 처리 장치에 의하면, 플라즈마 반응챔버 외부에 용량 결합 전극을 배치하고, 유도결합 플라즈마 반응챔버 내부의 증착된 불순물을 플라즈마 반응챔버를 분해 조립하지 않고 인시츄(in-situ)로 클리닝할 수 있다. 또한, 챔버세정을 위한 용량결합전극을 별도로 구비하여 유지보수가 용이하다. According to the inductively coupled plasma processing apparatus having the electrode for internal cleaning of the present invention, the capacitive coupling electrode is disposed outside the plasma reaction chamber, and the deposited impurities in the inductively coupled plasma reaction chamber are removed without disassembling the plasma reaction chamber. It can be cleaned in-situ. Further, a separate capacity-coupling electrode for cleaning the chamber is provided to facilitate maintenance.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 내부클리닝을 위한 전극을 갖는 유도결합 플라즈마 처리 장치의 단면도이다.
도 2와 도 3은 전극을 갖는 유도결합 플라즈마 처리장치에서 전원공급 구조를 변형한 예이다.
도 4는 평판구조 유전체 윈도우를 갖는 유도결합 플라즈마 처리장치의 단면도이다.
도 5는 패러데이쉴드 구조를 갖는 용량결합전극을 보여주는 도면이다.
도 6과 도 7은 용량결합전극을 이동시키기 위한 위치변환장치가 추가 구성된 다양한 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an inductively coupled plasma processing apparatus having an electrode for internal cleaning according to a preferred embodiment of the present invention.
Figs. 2 and 3 show an example in which the power supply structure is modified in an inductively coupled plasma processing apparatus having an electrode.
4 is a cross-sectional view of an inductively coupled plasma processing apparatus having a planar structure dielectric window.
5 is a view showing a capacitive coupling electrode having a Faraday shield structure.
6 and 7 are sectional views showing various embodiments in which a position changing device for moving the capacitive coupling electrode is additionally provided.

본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다.For a better understanding of the present invention, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described in detail below.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 용량결합플라즈마 방식을 이용한 챔버클리닝장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a chamber cleaning apparatus using a capacitively coupled plasma system according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치(110)는 공정챔버(111), 무선주파수 안테나(120), 유전체 윈도우(112), 용량결합전극(130), 무선주파수 안테나(120)에 임피던스정합기(122)를 통하여 전원을 공급하는 제 1전원공급원(121), 용량결합전극(130)과 피처리 기판(142)이 놓인 서셉터(140)에 임피던스정합기(132)를 통하여 전원을 공급하는 제 2전원공급원(131), 용량결합전극(130)과 서셉터(140) 중 어느 하나로 전원을 공급하는 스위치(133)를 포함한다.1, an inductively coupled plasma processing apparatus 110 according to a preferred embodiment of the present invention includes a process chamber 111, a radio frequency antenna 120, a dielectric window 112, a capacitive coupling electrode 130, A first power source 121 for supplying power to the frequency antenna 120 through the impedance matcher 122 and a second susceptor 140 to which the capacitive coupling electrode 130 and the substrate 142 are placed, A second power supply source 131 for supplying power to the capacitive coupling electrode 130 and the susceptor 140 via a switch 132, and a switch 133 for supplying power to the capacitive coupling electrode 130 and the susceptor 140.

공정챔버(111)는 내부에 방전공간을 갖고 서셉터(140)가 구비된다. 또한, 공정챔버(111)는 알루미늄, 스테인리스, 구리와 같은 금속 물질 또는 전기적 절연 물질로 제작하는 것도 가능하다. 이와 같이 공정챔버(111)는 플라즈마 공정을 수행하기에 적합한 어떠한 물질로도 제작될 수 있다. The process chamber 111 is provided with a susceptor 140 having a discharge space therein. Also, the process chamber 111 may be made of a metal material such as aluminum, stainless steel, copper, or an electrically insulating material. As such, the process chamber 111 may be fabricated from any material suitable for performing a plasma process.

유전체 윈도우(112)는 공정챔버(111)의 상부를 덮는 형태로 돔형 또는 평면형일 수 있다. 유전체 윈도우(112)는 단층 또는 복수로 적층될 수 있는데, 유전율이 동일하거나 서로 다른 한 개 혹은 복수의 보조 유전체가 적층될 수 있다.The dielectric window 112 may be dome-shaped or planar in shape to cover the top of the process chamber 111. The dielectric windows 112 may be stacked as a single layer or as a plurality of one or more auxiliary dielectrics having the same or different dielectric constant.

무선주파수 안테나(120)는 유전체 윈도우(112) 상면에 나선형으로 권선되어 공정챔버(111) 내부로 유도결합 플라즈마 방전을 유도한다. 무선주파수 안테나(120)는 공정챔버(111)의 측면을 따라 실리더형 구조로 설치될 수도 있다. 실린더 구조로 설치되는 경우는 공정챔버(111)의 측벽 일부는 유전체 물질로 제작될 것이다. 이 때, 챔버 내로 에너지 유도성 커플링을 일으키도록 다양한 실시예로 형성될 수 있다. A radio frequency antenna 120 is helically wound on top of the dielectric window 112 to induce inductively coupled plasma discharge into the process chamber 111. The radio frequency antenna 120 may be installed in a cylindrical structure along the side surface of the process chamber 111. In the case of a cylinder structure, a part of the side wall of the process chamber 111 may be made of a dielectric material. At this time, various embodiments may be formed to cause energy inductive coupling into the chamber.

용량결합전극(130)은 유전체 윈도우(112)의 상면에 형성된다. 용량결합전극(130)은 유전체 윈도우(112) 중심영역에 설치되고, 그 주변으로 무선주파수 안테나(120)가 권선되어 설치된다. 용량결합전극(130)은 내부클리닝 공정시 전원을 공급받아 공정챔버(111) 내부로 플라즈마를 발생하여 공정챔버(111) 내부를 세정한다.A capacitive coupling electrode 130 is formed on the upper surface of the dielectric window 112. The capacitive coupling electrode 130 is installed in the central region of the dielectric window 112, and the radio frequency antenna 120 is wound around the center. The capacitive coupling electrode 130 is supplied with power during the internal cleaning process and generates plasma into the process chamber 111 to clean the inside of the process chamber 111.

제 1 전원공급원(121)은 무선주파수 안테나(120)에 임피던스정합기(122)를 통해 전원을 공급한다. 제 2 전원공급원(131)은 용량결합전극(130)과 서셉터(140)에 임피던스정합기(132)를 통해 전원을 공급한다. 스위치(133)는 플라즈마 처리공정시에는 제 1 및 제 2 전원공급원을 통해 무선주파수 안테나(120)와 서셉터(140)에 전원이 공급되도록 c-b로 스위칭된다. 플라즈마 처리공정을 수회 진행한 다음 내부클리닝 공정을 진행하게 되는데, 이때 임피던스정합기(132)를 통해 제 2 전원공급원(131)은 용량결합전극(130)으로 전원을 공급하도록 a-c로 스위칭된다. 본 발명에는 개시하지 않았으나, 공정가스가 챔버내부로 주입되는 가스주입구가 구비된다. 또한, 배기펌프, 배기펌프와 연결된 가스배출구가 구비되어 챔버내부의 진공을 유지한다.The first power source 121 supplies power to the radio frequency antenna 120 through the impedance matcher 122. The second power supply source 131 supplies power to the capacitive coupling electrode 130 and the susceptor 140 via the impedance matcher 132. The switch 133 is switched to c-b so that power is supplied to the radio frequency antenna 120 and the susceptor 140 through the first and second power sources during the plasma processing process. The plasma processing process is performed several times and then the internal cleaning process is performed. At this time, the second power source 131 is switched to a-c to supply power to the capacitive coupling electrode 130 through the impedance matcher 132. Although not disclosed in the present invention, a gas injection port through which the process gas is injected into the chamber is provided. Further, an exhaust pump and a gas outlet connected to the exhaust pump are provided to maintain a vacuum inside the chamber.

도 1에 도시된 처리장치(110)는 먼저 공정챔버(111)의 내부에 배기펌프를 이용하여 진공상태를 만들고 플라즈마를 형성하기 위한 가스가 가스주입구(미도시)를 통해 공정챔버(111)로 주입된다. 이때 사용되는 가스는 아르곤(Ar), 수소(H₂), 산소(O₂)가 있으며, 주로 아르곤(Ar) 가스를 사용한다. 다음으로, 임피던스정합기(122)를 통하여 제 1 전원공급원(121)으로부터 전원이 무선주파수 안테나(120)로 공급된다. 무선주파수 안테나(120)로 공급된 전원은 유전체윈도우(112)를 통해 공정챔버(111)내부의 가스 매체중에 유도되어 플라즈마를 발생시킨다. 상기와 같은 유도결합 플라즈마 처리공정을 진행시에는 피처리 기판(142)이 놓인 서셉터(140)에 제 2 전원공급원(131)로 전원이 공급되도록 스위치(133)는 노드 b-c로 스위칭된다. 이러한 유도결합 플라즈마 처리공정은 증착, 식각, 표면개질 공정을 모두 포함한다.  The processing apparatus 110 shown in FIG. 1 firstly makes a vacuum state by using an exhaust pump inside the process chamber 111 and supplies a gas for forming plasma to the process chamber 111 through a gas inlet (not shown) . At this time, argon (Ar), hydrogen (H2) and oxygen (O2) are used, and argon (Ar) gas is mainly used. Next, power is supplied from the first power supply source 121 to the radio frequency antenna 120 through the impedance matcher 122. [ The power supplied to the radio frequency antenna 120 is guided through the dielectric window 112 into the gas medium inside the process chamber 111 to generate plasma. The switch 133 is switched to the node b-c such that power is supplied to the susceptor 140 on which the target substrate 142 is placed, to the second power source 131. Such inductively coupled plasma processing includes both deposition, etching, and surface modification processes.

이러한 기판처리공정이 수회 진행되면, 공정챔버(111) 내부는 오염이 되는데, 이러한 오염도가 임계값을 지나게 되면 처리장치(110)는 세정공정으로 전환된다. 세정공정은 피처리 기판(142)을 제거한 상태에서 공정챔버(111)의 내부에 배기펌프를 이용하여 진공상태를 만들고 세정하기 위한 가스를 구비된 가스주입구를 통해 주입한다. 이때 사용되는 가스는 질소(N2), 아르곤(Ar), 수소(H₂), 산소(O₂)등이 있다. 다음으로, 임피던스정합기(132)를 통하여 제 2 전원공급원(131)으로부터 전원이 용량결합전극(130)으로 공급된다. 이때 용량결합전극(130)으로 전원이 공급되도록 스위치(133)는 노드 a-c로 스위칭된다. 용량결합전극(130)으로 공급된 전원은 공정챔버(111)내부의 가스 매체중에 유도되어 플라즈마를 발생킨다. 이 때, 이온화된 세정가스와 공정챔버(111) 내부의 불순물이 결합하게 되고 도시하지는 않았으나 구비된 배기펌프를 통해 배출되어 인시츄로 용량결합전극(130)을 이용한 세정공정이 완료된다. When the substrate processing process is repeated several times, the interior of the process chamber 111 becomes contaminated. When the contamination degree passes the threshold value, the processing apparatus 110 is switched to the cleaning process. In the cleaning process, the substrate to be processed 142 is removed, and the process chamber 111 is evacuated by using an exhaust pump and injected through a gas inlet provided with a gas for cleaning. At this time, the gases used are nitrogen (N 2 ), argon (Ar), hydrogen (H 2), oxygen (O 2) and the like. Next, the power from the second power supply source 131 is supplied to the capacitive coupling electrode 130 through the impedance matcher 132. [ At this time, the switch 133 is switched to the node ac so that power is supplied to the capacitive coupling electrode 130. The power supplied to the capacitive coupling electrode 130 is guided into the gas medium in the process chamber 111 to generate plasma. At this time, the ionized cleaning gas and the impurities in the process chamber 111 are coupled to each other, and though not shown, exhausted through the exhaust pump, and the cleaning process using the in-situ capacitive coupling electrode 130 is completed.

이러한 세정공정이 완료된 다음, 다시 처리장치(110)는 유도결합 플라즈마를 이용한 증착, 식각, 표면개질 공정을 수회 진행한다. After the cleaning process is completed, the processing apparatus 110 performs the deposition, etching, and surface modification processes using inductively coupled plasma several times.

처리장치(110)의 오염도가 다시 임계값을 상회하게 되면 다시 처리장치(110)는 용량결합전극(130)을 이용한 세정공정을 진행한다.When the degree of contamination of the processing apparatus 110 again exceeds the threshold value, the processing apparatus 110 proceeds to the cleaning process using the capacitive coupling electrode 130 again.

이러한 방식으로 처리장치(110)는 플라즈마 처리공정과 세정공정을 교대로 진행하게 된다.In this manner, the processing apparatus 110 alternately performs the plasma processing process and the cleaning process.

종래 설비에서 일정시간 동안 또는 일정횟수만큼 공정을 진행한 다음 설비를 분해하여 클리닝하는 웨트클리닝(Wet Cleaning)방식은 실제 클리닝에 소요되는 시간 뿐 아니라 설비의 분해와 조립 및 세팅에 필요한 시간으로 인한 수율 저하의 문제점이 있어왔다. 하지만, 이러한 인시츄방식의 용량결합플라즈마 방식을 이용한 챔버클리닝 장치 및 방법은 처리장치를 분해, 조립할 필요가 없어 종래기술의 수율 저하 문제를 해결하면서도 처리장치 내부의 오염을 제거할 수 있는 효과가 있다. The wet cleaning method, in which the process is performed for a predetermined period of time or a predetermined number of times in the conventional facility, and then the equipment is disassembled and cleaned, not only the time required for the actual cleaning but also the time required for disassembling, assembling, There has been a problem of degradation. However, the chamber cleaning apparatus and method using the in-situ type capacitively coupled plasma system do not need to disassemble and assemble the processing apparatus, so that it is possible to eliminate contamination inside the processing apparatus while solving the problem of lowering the yield of the prior art .

도 2와 도 3은 전극을 갖는 유도결합 플라즈마 처리장치에서 전원공급구조를 변형한 예이다.Figs. 2 and 3 show an example in which the power supply structure is modified in an inductively coupled plasma processing apparatus having an electrode.

도 2를 참조하면, 처리장치(110)는 도 1에 도시한 처리장치(110)와 구성은 동일하나 제 1 전원공급원(121)은 무선주파수안테나(120) 또는 용량결합전극(130)으로 전원을 공급한다. 무선주파수안테나(120) 또는 용량결합전극(130)으로 전원을 공급하기 위해 스위치(143)가 구비된다.1, the first power source 121 is connected to the radio frequency antenna 120 or the capacitive coupling electrode 130 through a power source (not shown) . A switch 143 is provided to supply power to the radio frequency antenna 120 or the capacitive coupling electrode 130.

앞서서 도 1에서 설명한 플라즈마처리공정 및 세정공정은 동일하며 도 2에 도시된 처리장치(110)는 다음과 같은 동작의 특성이 있다.The plasma processing process and the cleaning process described above in Fig. 1 are the same, and the processing apparatus 110 shown in Fig. 2 has the following operation characteristics.

유도결합 플라즈마 처리공정 시에는 임피던스정합기(122)를 통해 제 1 전원공급원(121)은 무선주파수 안테나(120)로 전원이 인가되도록 d-f로 스위칭된다. 위와 같은 유도결합 플라즈마 처리공정을 수회 진행한 후, 세정공정을 진행하게 되는데, 이와 같은 세정공정 시에는 임피던스정합기(122)를 통해 제 1 전원공급원(121)은 용량결합전극(130)으로 전원을 인가하도록 e-f 위치로 스위칭된다.During the inductively coupled plasma processing, the first power source 121 is switched to the d-f through the impedance matcher 122 so that power is supplied to the RF antenna 120. In the cleaning process, the first power source 121 supplies the power to the capacitive coupling electrode 130 through the impedance matcher 122. In this case, Lt; RTI ID = 0.0 > ef < / RTI >

이러한 세정공정이 완료된 다음, 다시 처리장치(110)는 유도결합 플라즈마를 이용한 증착, 식각, 표면개질 공정을 수회 진행한다. After the cleaning process is completed, the processing apparatus 110 performs the deposition, etching, and surface modification processes using inductively coupled plasma several times.

처리장치(110)의 오염도가 다시 임계값을 상회하게 되면 다시 처리장치(110)는 용량결합전극(130)을 이용한 세정공정을 진행한다.When the degree of contamination of the processing apparatus 110 again exceeds the threshold value, the processing apparatus 110 proceeds to the cleaning process using the capacitive coupling electrode 130 again.

이러한 방식으로 처리장치(110)는 플라즈마처리공정과 세정공정을 교대로 진행한다.In this manner, the processing apparatus 110 alternates between the plasma treatment process and the cleaning process.

도시된 바와 같은 도 3은, 앞서서 도 1에서 설명한 플라즈마처리공정 및 세정공정은 동일하며 처리장치(110)는 다음과 같은 동작의 특성이 있다.As shown in FIG. 3, the plasma processing process and the cleaning process described above with reference to FIG. 1 are the same, and the processing apparatus 110 has the following operation characteristics.

플라스마 처리공정 시에는 제 1 전원공급원(121)이 임피던스정합기(122)를 통해 무선주파 수안테나(120)로 전원을 공급한다. 이때, 제 2 전원공급원(131)은 임피던스정합기(132)를 통해 서셉터(140)에 전원을 인가한다. 플라즈마 처리공정을 수회 실시한 다음, 내부클리닝공정을 진행한다. 내부클리닝 공정 시에는 용량결합전극(130)으로 임피던스정합기(135)를 통해 제 3 전원공급원(134)로 전원이 공급된다.In the plasma processing process, the first power source 121 supplies power to the radio frequency antenna 120 through the impedance matcher 122. At this time, the second power source 131 applies power to the susceptor 140 through the impedance matcher 132. After the plasma treatment process is performed several times, the inner cleaning process is performed. During the internal cleaning process, power is supplied to the third power supply source 134 through the impedance matching unit 135 by the capacitive coupling electrode 130.

이러한 세정공정이 완료된 다음, 다시 처리장치(110)는 유도결합플라즈마를 이용한 증착, 식각, 표면개질 공정을 수회 진행한다.  After the cleaning process is completed, the processing apparatus 110 performs the deposition, etching, and surface modification processes using inductively coupled plasma several times.

처리장치(110)의 오염도가 다시 임계값을 상회하게 되면 다시 처리장치(110)는 용량결합전극(130)을 이용한 세정공정을 진행한다.When the degree of contamination of the processing apparatus 110 again exceeds the threshold value, the processing apparatus 110 proceeds to the cleaning process using the capacitive coupling electrode 130 again.

이러한 방식으로 처리장치(110)는 플라즈마처리공정과 세정공정을 교대로 진행하게 된다.In this manner, the processing apparatus 110 alternately performs the plasma processing process and the cleaning process.

도 2 및 도 3의 실시예는 바람직한 실시예인 도 1과 같이 종래기술의 수율 저하 문제를 해결하면서도 처리장치 내부의 오염을 제거할 수 있는 효과가 있다.2 and 3 have the effect of eliminating contamination inside the processing apparatus while solving the problem of the yield reduction of the prior art as shown in Fig. 1, which is a preferred embodiment.

도 4는 평판구조 유전체 윈도우를 갖는 유도결합 플라즈마 처리장치의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of an inductively coupled plasma processing apparatus having a planar structure dielectric window.

도 4를 참조하면, 유전체 윈도우(112a)는 공정챔버(111)를 덮는 형태로, 용량결합전극(130a)은 공정챔버의 내측 천장부위를 클리닝하도록 배치되어지는데, 이러한 용량결합전극(130a)의 주변둘레를 따라 무선주파수안테나(120a)는 평판 나선형 구조를 갖는다. 평면형의 유전체 윈도우(112a)로 인한 플라즈마 균일도에 미치는 영향을 최소화하기 위하여 유전체 윈도우(112a)는 공정챔버(111)를 덮는 단층일 수 있으나, 유전체 윈도우 상면에 유전율이 동일하거나 서로 다른 복수의 보조 유전체를 다양한 형태와 방법으로 적층할 수 있다. 또한, 무선주파수 안테나의 가운데 부분이 더욱 두꺼운 유전체를 사용할 수 있다. 유전체 윈도우(112a)는 알루미늄 산화물, 석영, 실리콘카바이드(SiC) 또는 다른 유전성, 비전도성 또는 반전도성 물질과 같은 세라믹으로 제조된다. 4, the dielectric window 112a covers the process chamber 111 and the capacitive coupling electrode 130a is disposed to clean the inner ceiling of the process chamber. The radio frequency antenna 120a along the perimeter circumference has a flat spiral structure. The dielectric window 112a may be a single layer that covers the process chamber 111 to minimize the effect on the plasma uniformity due to the planar dielectric window 112a but may include a plurality of auxiliary dielectrics Can be laminated in various forms and methods. Further, a dielectric material having a thicker middle portion of the radio frequency antenna can be used. The dielectric window 112a is made of a ceramic such as aluminum oxide, quartz, silicon carbide (SiC), or other dielectric, nonconductive or semi-conductive material.

도 5는 패러데이쉴드 구조를 갖는 용량결합전극을 보여주는 도면이다.5 is a view showing a capacitive coupling electrode having a Faraday shield structure.

도 5의 용량결합전극(130b)은 하나 이상의 슬릿(137)이 형성된 패러데이쉴드구조를 갖는다. 용량결합전극(130b)은 유전체 윈도우의 상부에 설치되므로 용량결합전극(130b)의 형상은 유전체 윈도우의 형상에 따라 돔타입 또는 평면타입 등으로 다양하게 변형 가능하다. 슬릿(137)은 절연물질이 용량결합전극(130b)에 매립된 형태이거나 용량결합전극(130b)의 몸체가 와상전류를 막는 방향으로 용량결합전극(130b)의 몸체(136)가 뚫려있도록 구성될 수 있다. 그러므로 하나 이상의 슬릿(137)에 의해 용량결합전극(130b)에 와상전류가 발생하는 것을 방지할 수 있다.용량결합전극(130b)의 슬릿(137)은 절연구간이 무선주파수 안테나 내에서의 전류의 흐름방향에 수직이 되도록 형성된다. The capacitive coupling electrode 130b of FIG. 5 has a Faraday shield structure in which at least one slit 137 is formed. Since the capacitive coupling electrode 130b is provided on the top of the dielectric window, the shape of the capacitive coupling electrode 130b can be variously modified depending on the shape of the dielectric window, such as a dome type or a flat type. The slit 137 may be configured such that the insulating material is embedded in the capacitive coupling electrode 130b or the body of the capacitive coupling electrode 130b is pierced in a direction in which the body of the capacitive coupling electrode 130b blocks the eddy current . Therefore, it is possible to prevent an eddy current from being generated in the capacitive coupling electrode 130b by one or more of the slits 137. The slit 137 of the capacitive coupling electrode 130b is a part of the slit 137, And is perpendicular to the flow direction.

도 6과 도 7은 용량결합전극을 이동하기 위한 위치변환장치가 추가구성된 다양한 실시예를 보여주는 단면도이다.6 and 7 are sectional views showing various embodiments in which a position changing device for moving capacitively coupled electrodes is additionally provided.

도 6을 참조하면, 용량결합전극(130)은 위치변환핸들러(160)에 의해 유전체윈도우(112)로부터 탈착이 가능하다. 위치변환핸들러(160)는 크게 위치변환핸들러 구동부(161)와 홀더암(165), 전극홀더(163)로 구비된다. 플라스마처리공정 시에는 위치변환핸들러 구동부(161)에 의해 구동된 홀더암(165)이 회동하여 유전체 윈도우(112)로부터 용량결합전극(130)은 제 1 위치(S_b)로 이격된다. 제 1위치(S_b)는 용량결합전극(130)이 유전체 윈도우(112)로부터 일정 간격 이격된 것으로, 공정챔버(111)의 플라즈마 처리에 부정적인 영향을 미치지 않는 위치를 통칭한다. 전극홀더(163)에 부착된 용량결합전극(130)은 유전체윈도우(112)로부터 이격되므로, 플라즈마처리공정에 용량결합전극(130)으로 인한 공정에 미치는 부정적 영향을 피할 수 있다. Referring to FIG. 6, the capacitive coupling electrode 130 is detachable from the dielectric window 112 by the position change handler 160. The position conversion handler 160 includes a position conversion handler driving unit 161, a holder arm 165, and an electrode holder 163. The holder arm 165 driven by the position change handler driving unit 161 rotates to separate the capacitive coupling electrode 130 from the dielectric window 112 to the first position S_b during the plasma processing process. The first position S_b refers to a position at which the capacitive coupling electrode 130 is spaced apart from the dielectric window 112 and does not negatively affect the plasma processing of the process chamber 111. Since the capacitive coupling electrode 130 attached to the electrode holder 163 is spaced from the dielectric window 112, a negative impact on the process due to the capacitive coupling electrode 130 in the plasma processing process can be avoided.

내부클리닝공정 시에는 용량결합전극(130)이 유전체 윈도우(112)에 접하도록 위치변환핸들러 구동부(161)에 의해 구동된 홀더암(165)의 위치가 제 2위치(S_a)로 변환된다. 제 2 위치(S_a)는 용량결합전극(130)을 이용하여 내부클리닝 공정을 수행할 수 있는 위치를 나타낸다.The position of the holder arm 165 driven by the position change handler driving unit 161 is converted to the second position S_a so that the capacitive coupling electrode 130 contacts the dielectric window 112. [ The second position S_a indicates a position where the internal cleaning process can be performed using the capacitive coupling electrode 130.

도 7에 도시된 바와 같이, 용량결합전극(130)은 위치변환밸브(160a)로도 이동이 가능하다. 위치변환밸브(160a)는 위치변환밸브 구동부(162)를 갖고 선형밸브(166)가 연결된 것으로, 선형밸브(166)는 공압밸브, 유압밸브, 솔레노이드밸브 등이 있다. 선형밸브(166)에는 홀더(164)가 연결되어 있는데, 용량결합전극(130)이 유전체 윈도우(112)으로부터 탈착 가능하도록 상기 홀더(164)에 부착된다. 플라즈마처리시에는 위치변환밸브 구동부(162)에 의해 선형밸브(166)에 연결된 홀더(164)가 제 1위치(S_b)로 수직으로 상승 이동한다. 이러한 수직상승 이동된 제 1 위치는 용량결합전극(130)이 플라즈마 처리공정에 부정적인 영향을 미치지 않는 위치이다. 내부클리닝 공정시에는 홀더(164)는 용량결합전극(130)이 유전체 윈도우(112)를 통해 공정챔버(111) 내부로 용량결합 플라즈마를 형성할 수 있는 위치인 제 2 위치(S_a)로 수직 하강 이동한다. 이러한 수직하강 이동된 제 2 위치는 유전체 윈도우(112)에 용량결합전극(130)이 밀착 또는 근접될 수 있는 위치로, 공정챔버(111) 내부로 용량결합플라즈마를 형성할 수 있는 위치이다. As shown in FIG. 7, the capacitive coupling electrode 130 can also be moved to the position change valve 160a. The position change valve 160a has a position change valve driver 162 and a linear valve 166 connected thereto. The linear valve 166 includes a pneumatic valve, a hydraulic valve, a solenoid valve, and the like. The linear valve 166 is connected to a holder 164 to which the capacitive coupling electrode 130 is attached to the holder 164 so as to be detachable from the dielectric window 112. The holder 164 connected to the linear valve 166 is vertically moved upward to the first position S_b by the position change valve driving part 162 during the plasma processing. This vertically upwardly moved first position is a position at which the capacitive coupling electrode 130 does not negatively affect the plasma processing process. The holder 164 is vertically lowered to a second position S_a at which the capacitive coupling electrode 130 can form a capacitive coupling plasma into the process chamber 111 through the dielectric window 112 Move. The vertically downwardly moved second position is a position capable of forming a capacitively coupled plasma into the process chamber 111 at a position where the capacitive coupling electrode 130 can be closely attached to or close to the dielectric window 112.

도 6 및 도 7의 처리장치(110)는 증착, 식각, 표면개질 공정을 모두 수행하는 유도결합 플라즈마 처리공정을 진행한다. 이러한 기판처리공정을 수회 진행하는 동안 용량결합전극(130)은 플라즈마 공정에 부정적인 영향을 미치지 않는 제 1 위치(S_b)로 이격된다. 기판처리공정이 수회 진행되면, 공정챔버(111) 내부는 오염이 되는데, 이러한 오염도가 임계값을 지나게 되면 처리장치(110)는 세정공정으로 전환된다. 세정공정으로 전환될 시에는 이격된 용량결합전극(130)은 유전체 윈도우(112)를 통해 용량결합 플라즈마를 처리할 수 있는 위치인 제 2 위치(S_a)로 이동한다. 이러한 세정공정이 완료된 다음, 다시 처리장치(110)는 이용한 증착, 식각, 표면개질 공정을 수회 진행한다. 처리장치(110)의 오염도가 다시 임계값을 상회하게 되면 다시 처리장치(110)는 용량결합전극(130)을 이용한 세정공정을 진행한다. 이러한 방식으로 처리장치(110)는 플라즈마 처리공정과 세정공정을 교대로 진행한다. The processing apparatus 110 of FIGS. 6 and 7 performs an inductively coupled plasma processing process for performing both deposition, etching, and surface modification processes. During the course of this substrate processing process, the capacitive coupling electrode 130 is spaced at a first position S_b that does not adversely affect the plasma process. When the substrate processing process is repeated several times, the inside of the process chamber 111 becomes contaminated. When the contamination degree passes the threshold value, the processing apparatus 110 is switched to the cleaning process. When switched to the cleaning process, the spaced capacitive coupling electrodes 130 move through the dielectric window 112 to a second position S_a, which is a position where capacitive coupling plasma can be processed. After this cleaning process is completed, the processing apparatus 110 again performs the deposition, etching, and surface modification processes several times. When the degree of contamination of the processing apparatus 110 again exceeds the threshold value, the processing apparatus 110 proceeds to the cleaning process using the capacitive coupling electrode 130 again. In this manner, the processing apparatus 110 alternates between the plasma treatment process and the cleaning process.

이러한 용량결합전극을 이동하기 위한 위치변환장치를 추가구성하면, 미세한 조건에도 변화하는 플라즈마 공정에 있어서 더욱 안정적인 유도결합 플라즈마 공정을 수행할 수 있다. 또한, 앞에서 설명한 바와 같이 종래 설비의 수율 저하 문제점을 해결하면서도 처리장치 내부의 오염을 제거할 수 있는 효과가 있다. By additionally providing a position transducer for moving the capacitive coupling electrode, it is possible to perform a more stable inductive coupling plasma process in a plasma process which changes even in a fine condition. Further, as described above, there is an effect that the contamination inside the processing apparatus can be removed while solving the problem of lowering the yield of the conventional facilities.

이상에서 설명된 본 발명의 용량결합플라즈마 방식을 이용한 챔버 클리닝 장치의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그림으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The embodiments of the chamber cleaning apparatus using the capacitively coupled plasma system of the present invention described above are merely illustrative, and those skilled in the art will appreciate that various modifications and equivalent embodiments can be made without departing from the scope of the present invention. You can see that it is possible. It will be understood by those skilled in the art that the present invention is not limited to the embodiments described in the foregoing detailed description. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims. It is also to be understood that the invention includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

110 : 처리장치 111 : 공정챔버
112 : 유전체 윈도우 120, 120a : 무선주파수 안테나
121 : 제 1전원공급원 122,132,135 : 임피던스정합기
130, 130a, 130b : 용량결합전극 131 : 제 2전원공급원
134 : 제 3전원공급원 136 : 전극몸체
137 : 슬릿 133,143 : 스위치
140 : 서셉터 142 : 피처리 기판
160 : 위치변환핸들러 160a: 위치변환밸브
161 : 위치변환핸들러 구동부 162 : 위치변환밸브 구동부
163 : 전극홀더 164 : 홀더
165 : 홀더암 166 : 밸브110: Processor 111: Process chamber
112: dielectric window 120, 120a: radio frequency antenna
121: First power source 122, 132, 135: Impedance matcher
130, 130a, 130b: capacitive coupling electrode 131: second power source
134: Third power source 136: Electrode body
137: slit 133, 143: switch
140: susceptor 142: substrate to be processed
160: position conversion handler 160a: position change valve
161: position conversion handler driving unit 162: position changing valve driving unit
163: electrode holder 164: holder
165: holder arm 166: valve

Claims (13)

내부에 방전공간을 갖고 서셉터가 구비된 공정챔버;
상기 공정챔버의 상부를 덮도록 돔 형상으로 형성되는 유전체 윈도우;
상기 유전체 윈도우의 상면에 외측으로 권선되며 상기 공정챔버 내부로 유도된 기전력을 전달하여 상기 공정챔버 내부로 유도결합 플라즈마 방전을 유도하기 위하여 무선 주파수 안테나;
상기 무선 주파수 안테나와 중첩되지 않도록 상기 유전체 윈도우의 중심영역에 설치되는 용량결합전극;
상기 공정챔버 내에서 플라즈마 공정을 수행하기 위하여 상기 무선 주파수 안테나로 전원을 공급하는 제1 전원 공급원; 및
상기 공정챔버의 내부 클리닝 공정을 수행하기 위하여 상기 용량결합전극으로 전원을 공급하는 제2 전원 공급원을 포함하는 내부클리닝기능을 갖는 유도결합 플라즈마 처리장치.A process chamber having a discharge space therein and equipped with a susceptor;
A dielectric window formed in a dome shape to cover an upper portion of the process chamber;
A radio frequency antenna wound on an upper surface of the dielectric window to induce inductively coupled plasma discharge into the process chamber by transferring induced electromotive force into the process chamber;
A capacitive coupling electrode installed in a central region of the dielectric window so as not to overlap with the radio frequency antenna;
A first power source supplying power to the radio frequency antenna to perform a plasma process in the process chamber; And
And a second power source supplying power to the capacitive coupling electrode to perform an internal cleaning process of the process chamber. 제 1항에 있어서,
상기 용량결합전극은 탈착이 가능한 것을 특징으로 하는 내부클리닝기능을 갖는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the capacitive coupling electrode is detachable. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI > 제 2 항에 있어서,
상기 용량결합전극은 위치변환핸들러에 의해 이동되는 것을 특징으로 하는 내부클리닝기능을 갖는 유도결합 플라즈마 처리장치.3. The method of claim 2,
Wherein the capacitive coupling electrode is moved by a position change handler. ≪ RTI ID = 0.0 > 18. < / RTI > 제 3 항에 있어서,
상기 위치변환핸들러는 위치변환핸들러 구동부와 홀더암, 전극홀더로 구성되는 것을 특징으로 하는 내부클리닝기능을 갖는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of claim 3,
Wherein the position conversion handler comprises a position change handler driving unit, a holder arm, and an electrode holder. 제 2 항에 있어서,
상기 용량결합전극은 위치변환밸브에 의해 이동되는 것을 특징으로 하는 내부클리닝기능을 갖는 유도결합 플라즈마 처리장치.3. The method of claim 2,
Wherein the capacitive coupling electrode is moved by a position change valve. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI > 제 5 항에 있어서,
상기 위치변환밸브는 위치변환밸브 구동부와 선형밸브, 홀더로 구성되는 것을 특징으로하는 내부클리닝기능을 갖는 유도결합 플라즈마 처리장치.6. The method of claim 5,
Wherein the position change valve comprises a position change valve drive unit, a linear valve, and a holder. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 유도결합 플라즈마 처리방법에 있어서,
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 의한 유도결합 플라즈마 처리장치의 무선주파수 안테나에 제1 전원 공급원에서 전원을 공급하는 단계;
상기 무선주파수 안테나가 구동되어 유전체 윈도우를 통해 상기 공정챔버 내부에 유도결합 플라즈마를 형성하는 단계;
상기 유도결합 플라즈마를 이용하여 공정챔버 내부에서 기판처리 플리즈마 공정을 진행하는 단계; 및
플라즈마 공정을 수회 진행한 후 기판이 제거된 공정챔버의 내부 클리닝을 실시하기 위해 제2 전원 공급원에서 용량결합전극에 전원을 공급하여 공정챔버의 내부 클리닝을 진행하는 단계를 포함하는 내부클리닝기능을 갖는 유도결합 플라즈마 처리방법.In the inductively coupled plasma processing method,
8. A method of controlling an inductively coupled plasma processing apparatus, comprising: supplying power from a first power source to a radio frequency antenna of an inductively coupled plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 6;
The radio frequency antenna being driven to form an inductively coupled plasma within the process chamber through a dielectric window;
Performing a substrate processing plasma processing process within the process chamber using the inductively coupled plasma; And
And performing internal cleaning of the process chamber by supplying power to the capacitive coupling electrode from the second power source to perform internal cleaning of the process chamber after the plasma process is performed a plurality of times, Inductively Coupled Plasma Processing Method. 제 10 항에 있어서,
상기 용량결합전극은 상기 플라즈마 공정 시에는 상기 유전체 윈도우로부터 이격되는 제 1 위치에서 상기 내부 클리닝시에는 상기 유전체 윈도우에 근접되는 제 2 위치로 움직이는 것을 특징으로 하는 내부클리닝기능을 갖는 유도결합플라즈마 처리방법.11. The method of claim 10,
Wherein the capacitive coupling electrode moves from a first position spaced apart from the dielectric window during the plasma process to a second position adjacent to the dielectric window during the internal cleaning process. . 내부에 방전공간을 갖고 서셉터가 구비된 공정챔버;
상기 공정챔버의 상부를 덮도록 돔 형상으로 형성되는 유전체 윈도우;
상기 유전체 윈도우의 상면에 외측으로 권선되며 상기 공정챔버 내부로 유도된 기전력을 전달하여 상기 공정챔버 내부로 유도결합 플라즈마 방전을 유도하기 위하여 무선 주파수 안테나;
상기 무선 주파수 안테나와 중첩되지 않도록 상기 유전체 윈도우의 중심영역에 설치되는 용량결합전극;
상기 공정챔버 내에서 플라즈마 공정을 수행하는 경우에는 상기 무선 주파수 안테나로 전원을 공급하고, 상기 공정챔버의 내부 클리닝 공정을 수행하는 경우에는 상기 용량결합전극으로 전원을 공급하는 전원 공급원; 및
플라즈마 공정시에는 상기 무선 주파수 안테나와 상기 전원 공급원을 연결하고, 내부 클리닝 공정시에는 상기 용량결합전극과 상기 전원 공급원을 연결하는 스위치를 포함하는 내부클리닝기능을 갖는 유도결합 플라즈마 처리장치.A process chamber having a discharge space therein and equipped with a susceptor;
A dielectric window formed in a dome shape to cover an upper portion of the process chamber;
A radio frequency antenna wound on an upper surface of the dielectric window to induce inductively coupled plasma discharge into the process chamber by transferring induced electromotive force into the process chamber;
A capacitive coupling electrode installed in a central region of the dielectric window so as not to overlap with the radio frequency antenna;
A power supply for supplying power to the capacitive coupling electrode when supplying power to the RF antenna when performing a plasma process in the process chamber and performing an internal cleaning process for the process chamber; And
And a switch for connecting the radio frequency antenna to the power source during a plasma process and for connecting the capacitive coupling electrode to the power source during an internal cleaning process. 제12항에 있어서,
상기 용량결합전극은 탈착이 가능한 것을 특징으로 하는 내부클리닝기능을 갖는 유도결합 플라즈마 처리장치.13. The method of claim 12,
Wherein the capacitive coupling electrode is detachable. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
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