KR101649226B1 - Display Device and Manufacturing Method of The Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 신뢰성 및 수율을 향상시킬 수 있는 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 표시장치의 제조방법은 유리 기판에 배리어막을 형성하는 단계와, 상기 배리어막 상에 플라스틱 기판을 형성하는 단계와, 상기 플라스틱 기판 상에 버퍼막을 형성하는 단계와, 상기 버퍼막 상에 셀 구동 어레이를 형성하는 단계와, 상기 셀 구동 어레이 상에 이 잉크 필름을 형성하는 단계 및 상기 유리 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a display device capable of improving reliability and yield and a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a display device according to the present invention includes the steps of forming a barrier film on a glass substrate, forming a plastic substrate on the barrier film Forming a buffer layer on the plastic substrate; forming a cell drive array on the buffer layer; forming the ink film on the cell drive array; and removing the glass substrate The method comprising the steps of:

E-INK, 플라스틱 기판, 유리 기판, 식각, 배리어막 E-INK, plastic substrate, glass substrate, etch, barrier film

Description

표시장치 및 그 제조방법 {Display Device and Manufacturing Method of The Same}[0001] The present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof,

본 발명은 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 신뢰성 및 수율을 향상시킬 수 있는 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same, and more particularly to a display device and a method of manufacturing the same that can improve reliability and yield.

근래 정보화 사회의 발전과 더불어, 표시장치에 대한 다양한 형태의 요구가 증대되면서, 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel), 전계방출장치(Field Emission Display Device), 전기영동 표시장치(Electrophoretic Display Device: EPD)등 평판표시장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. [0002] In recent years, along with the development of an information-oriented society, demands for various types of display devices have been increasing, and there have been increasing demands for a liquid crystal display device, a plasma display panel, a field emission display device, Research on flat panel display devices such as an electrophoretic display device (EPD) has been actively conducted.

평판표시장치는 일반적으로 제조 공정 중 발생하는 높은 열을 견딜 수 있는 유리 기판 상에서 제조 공정을 진행함으로써 형성된다. 유리는 두께를 박형화하는데 제한이 따르며, 내구성이 약한 단점이 있다. 이에 따라 유리보다 얇으며, 내구성이 강한 플라스틱을 기판으로 사용한 표시장치가 제안되었다.A flat panel display is generally formed by conducting a manufacturing process on a glass substrate that can withstand the high heat that occurs during the manufacturing process. Glass has a limitation in thinning the thickness and has a weak durability. Accordingly, a display device using a plastic thinner than glass and having high durability as a substrate has been proposed.

플라스틱 표시장치는 내구성이 강해 쉽게 깨지지 않으며, 유연성이 있어서 휘어져도 표시성능을 그대로 유지할 수 있고, 유리보다 원가가 저렴한 플라스틱을 기판으로 사용하므로 원가를 절감할 수 있는 장점들이 있다. 그러나 플라스틱 기판은 그 유연성 때문에 제조공정 중 기판의 형태가 고정되기 어려워서 표시장치의 제조공정을 정밀하게 진행하는데 어려움이 있다. The plastic display device has advantages of durability because it is not easily broken, it is flexible, it can maintain the display performance even if it is warped, and the cost can be reduced because the plastic is used as a substrate which is less cost than glass. However, since the plastic substrate is difficult to fix the shape of the substrate during the manufacturing process due to its flexibility, it is difficult to precisely process the manufacturing process of the display device.

플라스틱 기판이 공정 중에 쉽게 휘거나 뒤틀리지 않고 그 형태가 고정되도록 하여 플라스틱 기판을 안정적으로 지지하기 위한 제조방법이 제안되었다. 이에 따라, 유리 기판 상에 플라스틱 기판을 부착한 후 플라스틱 기판 상에 소자를 형성한 다음 유리 기판을 박리하는 방법으로 표시장치를 제조하고 있다.There has been proposed a manufacturing method for stably supporting a plastic substrate by preventing the plastic substrate from being bent or twisted easily during the process and fixing the shape thereof. Accordingly, a display device is manufactured by attaching a plastic substrate on a glass substrate, forming an element on the plastic substrate, and then peeling off the glass substrate.

플라스틱 기판으로부터 유리 기판을 박리하는 공정은 습식 식각 공정으로 수행되는데, 유리 기판의 식각에 사용되는 에천트(Etchant) 성분인 HF에 의해 플라스틱 기판에 도 1과 같은 손상이 발생한다. 플라스틱 기판의 손상으로 인해 셀 구동 어레이 형성시에 라인 불량이 발생할 수 있어 표시장치의 신뢰성 및 수율을 저하시키는 원인이 된다.The process of peeling the glass substrate from the plastic substrate is performed by a wet etching process. Damage to the plastic substrate as shown in Fig. 1 occurs due to HF which is an etchant component used for etching the glass substrate. Line failure may occur at the time of forming the cell drive array due to damage of the plastic substrate, which may cause the reliability and yield of the display device to deteriorate.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 신뢰성 및 수율을 향상시킬 수 있는 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a display device and a manufacturing method thereof that can improve reliability and yield.

본 발명에 따른 표시장치의 제조방법은 유리 기판에 배리어막을 형성하는 단계와, 상기 배리어막 상에 플라스틱 기판을 형성하는 단계와, 상기 플라스틱 기판 상에 버퍼막을 형성하는 단계와, 상기 버퍼막 상에 셀 구동 어레이를 형성하는 단계와, 상기 셀 구동 어레이 상에 이 잉크 필름을 형성하는 단계 및 상기 유리 기판을 제거하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a display device according to the present invention includes the steps of forming a barrier film on a glass substrate, forming a plastic substrate on the barrier film, forming a buffer film on the plastic substrate, Forming a cell drive array, forming the ink film on the cell drive array, and removing the glass substrate.

여기서, 상기 유리 기판에 배리어막을 형성하는 단계는 상기 유리 기판 상에 금속 물질, 투명 도전 물질 또는 유기 물질을 전면 증착함으로써 수행된다.Here, the step of forming the barrier film on the glass substrate is carried out by completely depositing a metal material, a transparent conductive material or an organic material on the glass substrate.

또는, 상기 플라스틱 기판의 배면에 형성되는 상기 배리어막은 상기 유리 기판 상에 금속 물질과 유기 물질이 적층된 멀티 레이어로 형성된다.Alternatively, the barrier film formed on the back surface of the plastic substrate is formed as a multilayer in which a metal material and an organic material are laminated on the glass substrate.

상기 금속 물질로 Mo 또는 Cr이 이용된다.Mo or Cr is used as the metal material.

상기 투명 도전 물질로 ITO가 이용된다.ITO is used as the transparent conductive material.

상기 유기 물질로 폴리머 계열 또는 포토 아크릴이 이용된다.The organic material may be polymeric or photoacrylic.

상기 배리어막의 두께는 2000Å이상이다.The thickness of the barrier film is 2000 angstroms or more.

상기 유리 기판을 제거하는 단계는 HF가 포함된 에천트를 이용하는 습식 식각으로 수행되고, 상기 플라스틱 기판 상에 버퍼막을 형성하는 단계는 상기 플라스 틱 기판의 상면에 무기 물질을 증착함으로써 수행된다.The step of removing the glass substrate is performed by wet etching using an etchant containing HF, and the step of forming a buffer film on the plastic substrate is performed by depositing an inorganic material on the upper surface of the plastic substrate.

본 발명에 따른 표시장치는 플라스틱 기판과, 상기 플라스틱 기판의 상면에 형성된 버퍼막과, 상기 버퍼막 상에 형성된 셀 구동 어레이와, 상기 셀 구동 어레이 상에 형성된 이 잉크 필름 및 상기 플라스틱 기판의 배면에 형성된 배리어막을 포함한다. A display device according to the present invention includes a plastic substrate, a buffer film formed on an upper surface of the plastic substrate, a cell drive array formed on the buffer film, an ink film formed on the cell drive array, And a barrier film formed thereon.

본 발명에 따른 표시장치의 제조방법은 플라스틱 기판의 배면에 배리어막을 형성함으로써 플라스틱 기판의 배면에 부착되었던 유리 기판을 습식 식각으로 제거할 때 에천트에 의해 플라스틱 기판이 손상되는 것을 방지할 수 있다.The method of manufacturing a display device according to the present invention can prevent the plastic substrate from being damaged by the etchant when the glass substrate which has been attached to the back surface of the plastic substrate is removed by wet etching by forming a barrier film on the back surface of the plastic substrate.

아울러, 플라스틱 기판의 손상을 방지함으로써 플라스틱 기판 상에 형성되는 셀 구동 어레이를 이루는 라인 불량을 방지할 수 있어 표시장치의 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, since damage to the plastic substrate is prevented, it is possible to prevent a line defect in the cell driving array formed on the plastic substrate, thereby improving the yield and reliability of the display device.

더욱이, 본 발명에 따른 표시장치의 제조방법은 배리어막으로 금속 물질, 유기 물질 또는 이들의 적층막을 이용함으로써 HF와의 반응을 현저히 낮출 수 있다.Furthermore, the method of manufacturing a display device according to the present invention can remarkably lower the reaction with HF by using a metal material, an organic material, or a laminated film thereof as a barrier film.

이하, 첨부된 도면을 통해 본 발명에 따른 표시장치 및 그 제조방법을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, a display device and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 표시장치는 플라스틱 기판(120)과, 플라스틱 기판(120) 상에 형성된 버퍼막(122)과, 셀 구동 어레이(130)와, 셀 구동 어레이(130) 상에 형성된 이 잉크 필름(E-INK Film; 140) 및 플라스틱 기 판(120)의 배면에 형성된 배리어막(112)을 포함한다.2 and 3, a display device according to the present invention includes a plastic substrate 120, a buffer film 122 formed on the plastic substrate 120, a cell driving array 130, a cell driving array (E-INK film) 140 formed on the substrate 130 and a barrier film 112 formed on the back surface of the plastic substrate 120.

플라스틱 기판(120)은 공지의 플라스틱 기판이다. 그 예로는 폴리 에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate: PEN), 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PET), 폴리 카보네이트(polycarbonate: PC), 폴리 이미드(poly imide: PI) 등이 있다.The plastic substrate 120 is a known plastic substrate. Examples include polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), and polyimide (PI).

버퍼막(122)은 셀 구동 어레이(130)를 형성하는 공정 중에 사용되는 스트립퍼(striper), 에천트(etchant) 등의 화학물질 또는 식각 가스 등이 플라스틱 기판(120)에 침투하여 플라스틱 기판(120)이 변형되는 현상을 막아준다. 버퍼막(122)은 플라스틱 기판(120)의 상면에 실리콘 질화막 등의 무기 물질로 형성된다.The buffer film 122 penetrates the plastic substrate 120 such as a striper, an etchant or the like used during the process of forming the cell driving array 130, ) Is prevented from being deformed. The buffer film 122 is formed of an inorganic material such as a silicon nitride film on the upper surface of the plastic substrate 120.

셀 구동 어레이(130)는 하나의 단위 셀로 이루어지고, 하나의 셀은 다수의 서브 화소로 이루어진다. 하나의 서브 화소는 도 3에 도시된 바와 같이 버퍼막(122) 상에 형성된 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소 전극(129)을 포함한다.The cell driving array 130 is composed of one unit cell, and one cell is composed of a plurality of sub-pixels. One sub-pixel includes a thin film transistor formed on the buffer film 122 and a pixel electrode 129 electrically connected to the thin film transistor, as shown in FIG.

박막 트랜지스터는 이 잉크 필름(E-INK Film; 140)을 구동하기 위한 것으로, 버퍼막(122) 상에 형성되어 게이트 라인(미도시)의 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인(미도시)의 데이터 신호가 화소 전극(129)에 충전되어 유지되게 한다. The thin film transistor is for driving the E-INK film 140. The thin film transistor is formed on the buffer film 122 and supplies a data signal (not shown) of a data line (not shown) in response to a gate signal of a gate line So that the pixel electrode 129 is charged.

이를 위하여 박막 트랜지스터는 버퍼막(122) 상에 형성되고 게이트 라인으로부터 연장되는 게이트 전극(124), 게이트 절연막(125)을 사이에 두고 게이트 전극(124)과 중첩되는 반도체 패턴(126), 반도체 패턴(126)과 접촉하고 데이터 라인 으로부터 연장된 소스 전극(127a) 및 반도체 패턴(126)과 접촉하고 화소 전극(129)에 접속된 드레인 전극(127b)을 포함한다. The thin film transistor includes a gate electrode 124 formed on the buffer film 122 and extending from the gate line, a semiconductor pattern 126 overlapping the gate electrode 124 with the gate insulating film 125 interposed therebetween, A source electrode 127a extending from the data line and a drain electrode 127b in contact with the semiconductor pattern 126 and connected to the pixel electrode 129. [

화소 전극(129)은 박막 트랜지스터를 보호하는 보호막(128)을 관통하여 드레인 전극(127b)을 노출시키는 콘택홀을 통해 드레인 전극(127b)과 전기적으로 접촉된다.The pixel electrode 129 is in electrical contact with the drain electrode 127b through the contact hole exposing the drain electrode 127b through the protective film 128 protecting the thin film transistor.

이 잉크 필름(140)은 화소 전극(129)과 상부 전극(미도시) 사이에 형성되는 전계에 의해 필름 내의 안료입자들의 배열 상태를 전기적으로 제어하여 소정의 화상을 구현하기 위한 것이다. 이를 위해 이 잉크 필름(140)은 베이스 필름(미도시)과, 베이스 필름 상에 형성된 상부 전극(미도시), 캡슐화된 안료입자(미도시) 및 용매 역할을 하는 고분자 물질(미도시)을 포함한다. The ink film 140 is for realizing a predetermined image by electrically controlling the arrangement state of the pigment particles in the film by an electric field formed between the pixel electrode 129 and the upper electrode (not shown). The ink film 140 includes a base film (not shown), an upper electrode (not shown) formed on the base film, encapsulated pigment particles (not shown), and a polymer material do.

배리어막(112)은 플라스틱 기판(120) 상에 셀 구동 어레이(130)를 정밀하게 형성하기 위해 플라스틱 기판(120)의 배면에 부착되었던 유리 기판(미도시)을 습식 식각으로 제거할 때 에천트에 의해 플라스틱 기판(120)이 손상되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해 배리어막(112)은 플라스틱 기판(120)의 배면에 형성되며 구체적으로는 플라스틱 기판(120)과 제거된 유리 기판(미도시) 사이에 형성된다.The barrier film 112 is formed on the plastic substrate 120 by wet etching the glass substrate (not shown) attached to the back surface of the plastic substrate 120 to precisely form the cell drive array 130 on the plastic substrate 120. [ Thereby preventing the plastic substrate 120 from being damaged. To this end, the barrier film 112 is formed on the backside of the plastic substrate 120, specifically between the plastic substrate 120 and the removed glass substrate (not shown).

본 발명에 따른 배리어막(112)은 유리 기판의 식각 공정에서 사용되는 에천트와 반응하지 않는 물질로 형성된다. 예를 들어 배리어막(112)은 유리 기판 식각 공정에서 사용되는 HF를 포함하는 에천트와 반응하지 않는 Mo, Cr과 같은 금속 물질, ITO와 같은 투명 도전 물질 또는 폴리머 계열, 포토 아크릴(Photo Acryl)과 같은 유기 물질로 형성되거나, 이들이 적층된 멀티 레이어(multi-layer)로 형성될 수 있다. The barrier film 112 according to the present invention is formed of a material that does not react with the etchant used in the etching process of the glass substrate. For example, the barrier film 112 may be formed of a metal material such as Mo or Cr, a transparent conductive material such as ITO or a polymer material, photoacid, or the like, which does not react with an etchant including HF used in a glass substrate etching process, Or may be formed of a multi-layer in which they are stacked.

표시장치가 반사형 모델인 경우 배리어막(112)은 Mo, Cr과 같은 금속 물질로 형성되고, 표시장치가 투과형 모델인 경우 배리어막(112)은 ITO와 같은 투명 도전 물질로 형성된다. 배리어막(112)의 두께가 얇으면 플라스틱 기판(120)이 손상될 수 있으므로 배리어막(112)의 두께는 2000Å이상으로 한다.When the display device is a reflection type model, the barrier film 112 is formed of a metal material such as Mo or Cr, and when the display device is a transmission type model, the barrier film 112 is formed of a transparent conductive material such as ITO. If the thickness of the barrier film 112 is thin, the plastic substrate 120 may be damaged. Therefore, the thickness of the barrier film 112 should be 2000 angstroms or more.

이하, 본 발명에 따른 표시장치의 제조방법을 도 4a 내지 4e를 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a display device according to the present invention will be described with reference to Figs. 4A to 4E.

도 4a를 참조하면, 유리 기판(110)의 전면에 배리어막(112)을 형성한다. 배리어막(112)은 이후 수행되는 유리 기판(110)의 식각 공정에서 사용되는 에천트와 반응하지 않는 물질을 유리 기판(110) 상에 증착함으로써 형성된다. 예를 들어 배리어막(112)은 유리 기판(110) 식각 공정에서 사용되는 HF를 포함하는 에천트와 반응하지 않는 Mo, Cr과 같은 금속 물질, ITO와 같은 투명 도전 물질 또는 폴리머 계열, 포토 아크릴(Photo Acryl)과 같은 유기 물질로 형성되거나, 이들이 적층된 멀티 레이어(multi-layer)로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 4A, a barrier film 112 is formed on the entire surface of the glass substrate 110. The barrier film 112 is formed by depositing on the glass substrate 110 a substance which is not reactive with the etchant used in the subsequent etching process of the glass substrate 110. [ For example, the barrier film 112 may be formed of a metal material such as Mo or Cr, a transparent conductive material such as ITO, or a polymeric material such as ITO, which does not react with the etchant including HF used in the etching process of the glass substrate 110, Photo Acryl), or may be formed of a multi-layer in which they are stacked.

표시장치가 반사형 모델인 경우 배리어막(112)으로 Mo, Cr과 같은 금속 물질을 증착함으로써 형성하고, 표시장치가 투과형 모델인 경우 배리어막(112)으로 ITO와 같은 투명 도전 물질을 증착함으로써 형성한다. 배리어막(112)의 두께가 얇으면 유리 기판(110)의 식각 공정시 플라스틱 기판(미도시)이 손상될 수 있으므로 배리어막(112)의 두께는 2000Å이상으로 한다.When the display device is a reflection type model, a metal material such as Mo or Cr is deposited on the barrier film 112, and when the display device is a transmission type model, a transparent conductive material such as ITO is deposited on the barrier film 112 to form do. If the thickness of the barrier film 112 is thin, the plastic substrate (not shown) may be damaged during the etching process of the glass substrate 110, so that the thickness of the barrier film 112 should be 2000 angstroms or more.

도 4b를 참조하면, 배리어막(112) 상에 플라스틱 기판(120)을 형성한다. 플 라스틱 기판(120)은 대면적의 모기판으로 공지의 플라스틱 기판을 이용하여 형성할 수 있다. 플라스탁 기판(120)으로는 폴리 에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate: PEN), 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PET), 폴리 카보네이트(polycarbonate: PC), 폴리 이미드(poly imide: PI) 등을 이용하여 형성할 수 있다.Referring to FIG. 4B, a plastic substrate 120 is formed on the barrier film 112. The plastic substrate 120 can be formed using a known plastic substrate as a large-sized mother substrate. As the plastic substrate 120, there can be used polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polyimide (PI) .

도 4c를 참조하면, 플라스틱 기판(120)의 상면에 버퍼막(122)을 형성한 후 버퍼막(122) 상에 셀 구동 어레이(130)를 형성한다. 버퍼막(122)은 셀 구동 어레이(130)를 형성하는 공정 중에 사용되는 스트립퍼(striper), 에천트(etchant) 등의 화학물질 또는 식각 가스 등이 플라스틱 기판(120)에 침투하여 플라스틱 기판(120)이 변형되는 것을 막아준다. 버퍼막(122)은 플라스틱 기판(120)의 상면에 실리콘 질화막 등의 무기물을 전면 증착함으로써 형성된다.Referring to FIG. 4C, a buffer layer 122 is formed on the upper surface of the plastic substrate 120, and a cell driving array 130 is formed on the buffer layer 122. The buffer film 122 penetrates the plastic substrate 120 such as a striper, an etchant or the like used during the process of forming the cell driving array 130, ) From being deformed. The buffer film 122 is formed by entirely depositing an inorganic material such as a silicon nitride film on the upper surface of the plastic substrate 120.

셀 구동 어레이(130)는 다수의 단위 셀로 이루어지고, 하나의 셀은 다수의 서브 화소로 이루어진다. 하나의 서브 화소는 버퍼막(122) 상에 형성된 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소 전극을 포함한다. 박막 트랜지스터는 구체적으로 아래와 같이 형성되는데, 도 3을 참조하여 설명하기로 한다.The cell driving array 130 includes a plurality of unit cells, and one cell includes a plurality of sub-pixels. One sub-pixel includes a thin film transistor formed on the buffer film 122 and a pixel electrode electrically connected to the thin film transistor. The thin film transistor is specifically formed as follows, which will be described with reference to FIG.

먼저, 버퍼막(122) 상에 도전 물질을 증착하고, 도전물질 패터닝함으로써 게이트 전극(124)을 형성하고, 게이트 전극(124)이 형성된 버퍼막(122) 전면에 게이트 절연막(125)을 형성한다. 게이트 절연막(125) 상에 게이트 전극(124)과 중첩되는 반도체 패턴(126)을 형성한다. 이후, 반도체 패턴(126)이 형성된 게이트 절연 막(125) 상에 도전물질을 증착하고 패터닝함으로써 반도체 패턴(126)과 접촉하는 소스 전극(127a) 및 드레인 전극(127b)을 형성하여 박막 트랜지스터를 완성한다.A conductive material is deposited on the buffer film 122 and the conductive material is patterned to form the gate electrode 124 and the gate insulating film 125 is formed on the entire surface of the buffer film 122 on which the gate electrode 124 is formed . A semiconductor pattern 126 is formed on the gate insulating film 125 so as to overlap with the gate electrode 124. A conductive material is deposited on the gate insulating layer 125 on which the semiconductor pattern 126 is formed and patterned to form the source electrode 127a and the drain electrode 127b that are in contact with the semiconductor pattern 126 to complete the thin film transistor do.

다음으로, 플라스틱 기판(120) 전면에 박막 트랜지스터를 보호하는 보호막(128)을 증착한 후 드레인 전극(127b)을 노출시키는 콘택홀을 형성한다. 보호막(128)을 관통하는 콘택홀을 통해 드레인 전극(127b)에 전기적으로 접촉되는 화소전극(129)을 형성함으로써 셀 구동 어레이(130)를 형성한다.Next, a protective film 128 for protecting the thin film transistor is deposited on the entire surface of the plastic substrate 120, and a contact hole exposing the drain electrode 127b is formed. The pixel electrode 129 is electrically connected to the drain electrode 127b through the contact hole passing through the protective film 128 to form the cell driving array 130. [

도 4d를 참조하면, 셀 구동 어레이(130) 상에 이 잉크 필름(140)을 형성한다. 이 잉크 필름(140)은 셀 구동 어레이(130)의 화소 전극(129)과 상부 전극(미도시) 사이에 형성되는 전계에 의해 필름 내의 안료입자들의 배열 상태를 전기적으로 제어하여 소정의 화상을 구현하기 위한 것이다. 이 잉크 필름(140)은 베이스 필름(미도시) 상에 상부 전극(미도시)과, 캡슐화된 안료입자(미도시) 및 용매 역할을 하는 고분자 물질(미도시)을 형성함으로써 형성된다. Referring to FIG. 4D, the ink film 140 is formed on the cell drive array 130. The ink film 140 electrically controls the arrangement state of the pigment particles in the film by the electric field formed between the pixel electrode 129 of the cell drive array 130 and the upper electrode (not shown) . The ink film 140 is formed on the base film (not shown) by forming an upper electrode (not shown), encapsulated pigment particles (not shown) and a polymer material (not shown) serving as a solvent.

도 4e를 참조하면, 식각 공정을 통해 배리어막(112) 하부의 유리 기판(110)을 전부 제거하고, 하나의 단위 셀로 절단함으로써 표시장치를 제조한다. 유리 기판(110)의 식각 공정은 HF를 이용한 습식 식각으로 수행된다.Referring to FIG. 4E, the glass substrate 110 under the barrier film 112 is entirely removed through the etching process, and the display device is manufactured by cutting it into one unit cell. The etching process of the glass substrate 110 is performed by wet etching using HF.

습식 식각은 유리 기판(110)에 HF를 포함하는 에천트를 분사하거나, HF를 포함하는 에천트가 수용된 탱크에 유리 기판(110)을 담그는 방법으로 수행된다. 유리 기판(110)의 식각 공정 중에 유리 기판(110)과 플라스틱 기판(120) 사이에 형성된 배리어막(112)이 일부 제거될 수 있다.The wet etching is performed by spraying an etchant containing HF on the glass substrate 110 or by immersing the glass substrate 110 in a tank containing an etchant containing HF. A part of the barrier film 112 formed between the glass substrate 110 and the plastic substrate 120 during the etching process of the glass substrate 110 can be removed.

유리 기판(110)의 식각 공정 중 배리어막(112)이 일부 제거되더라도 종래의 플라스틱 기판에 직접 영향을 미쳤던 에천트가 플라스틱 기판 대신 배리어막(112)에 영향을 미치므로 플라스틱 기판(120)은 에천트에 의해 전혀 영향을 받지 않는다. 더욱이, 본 발명은 배리어막(112)으로 금속 물질, 유기 물질 또는 이들의 적층막을 이용함으로써 HF와의 반응을 현저히 낮출 수 있다.Even if the barrier film 112 is partially removed during the etching process of the glass substrate 110, the etchant, which directly affects the plastic substrate, affects the barrier film 112 instead of the plastic substrate, It is not affected by the chunks at all. Furthermore, the present invention can remarkably lower the reaction with HF by using a metal material, an organic material, or a laminated film thereof as the barrier film 112.

이렇듯, 본 발명은 플라스틱 기판(120)의 손상을 방지함으로써 플라스틱 기판(120) 상에 형성되는 셀 구동 어레이(130)를 이루는 라인 불량을 방지할 수 있어 표시장치의 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the present invention, damage to the plastic substrate 120 is prevented, thereby preventing a line defect in the cell driving array 130 formed on the plastic substrate 120, thereby improving the yield and reliability of the display device .

본 발명에서는 이 잉크 필름(140)이 유리 기판(110)의 식각 공정 전에 형성되는 것으로 기술되어 있으나, 이 잉크 필름(140)은 유리 기판(110)의 식각 공정 후에 형성될 수 있다. 본 발명에 따른 표시장치의 제조방법은 유리 기판(110)의 식각 공정 중에 플라스틱 기판(120) 상에 형성된 셀을 보호하기 위한 보호 필름(미도시) 부착공정을 더 포함할 수 있다.In the present invention, the ink film 140 is formed before the etching process of the glass substrate 110, but the ink film 140 may be formed after the etching process of the glass substrate 110. The manufacturing method of the display device according to the present invention may further include a protective film (not shown) attaching process for protecting the cells formed on the plastic substrate 120 during the etching process of the glass substrate 110.

이상에서 설명한 기술들은 현재 바람직한 실시예를 나타내는 것이고, 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것은 아니다. 실시예의 변경 및 다른 용도는 당업자들에게는 알 수 있을 것이며, 상기 변경 및 다른 용도는 본 발명의 취지 내에 포함되거나 또는 첨부된 청구범위의 범위에 의해 정의된다. The above-described techniques represent presently preferred embodiments, and the present invention is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings. Modifications and other uses of the embodiments will be apparent to those skilled in the art, and such modifications and other uses are intended to be included within the spirit of the present invention or defined by the scope of the appended claims.

도 1은 종래의 제조방법에 따른 플라스틱 기판의 손상을 나타내는 사진이다.1 is a photograph showing damage of a plastic substrate according to a conventional manufacturing method.

도 2는 본 발명에 따른 표시장치를 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a display device according to the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 표시장치의 서브 화소 어레이를 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a sub-pixel array of the display device shown in Fig.

도 4a 내지 도 4e는 도 2에 도시된 표시장치의 제조방법을 나타내는 단면도이다.4A to 4E are cross-sectional views showing a manufacturing method of the display device shown in Fig.

<<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>>DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

110: 유리 기판 112: 배리어막110: glass substrate 112: barrier film

120: 플라스틱 기판 122: 버퍼막120: plastic substrate 122: buffer film

130: 셀 구동 어레이 140: 이 잉크 필름130: Cell drive array 140: This ink film

Claims (10)

유리 기판에 배리어막을 형성하는 단계;Forming a barrier film on the glass substrate; 상기 배리어막 상에 플라스틱 기판을 형성하는 단계;Forming a plastic substrate on the barrier film; 상기 플라스틱 기판 상에 버퍼막을 형성하는 단계;Forming a buffer film on the plastic substrate; 상기 버퍼막 상에 셀 구동 어레이를 형성하는 단계;Forming a cell driving array on the buffer layer; 상기 셀 구동 어레이 상에 이 잉크 필름을 형성하는 단계; 및Forming the ink film on the cell drive array; And 상기 유리 기판을 제거하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법.And removing the glass substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 유리 기판에 배리어막을 형성하는 단계는 상기 유리 기판 상에 금속 물질, 투명 도전 물질 또는 유기 물질을 전면 증착함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein forming the barrier film on the glass substrate is performed by depositing a metal material, a transparent conductive material, or an organic material on the glass substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 플라스틱 기판의 배면에 형성되는 상기 배리어막은 상기 유리 기판 상에 금속 물질과 유기 물질이 적층된 멀티 레이어로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.The method according to claim 1, wherein the barrier film formed on the back surface of the plastic substrate is formed of a multilayer in which a metal material and an organic material are laminated on the glass substrate. 제 2 항에 있어서, 상기 금속 물질로 Mo 또는 Cr이 이용되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.The method for manufacturing a display device according to claim 2, wherein Mo or Cr is used as the metal material. 제 2 항에 있어서, 상기 투명 도전 물질로 ITO가 이용되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법. The method according to claim 2, wherein ITO is used as the transparent conductive material. 제 2 항에 있어서, 상기 유기 물질로 폴리머 계열 또는 포토 아크릴이 이용되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.The method according to claim 2, wherein the organic material is polymer or photoacryl. 제 1 항에 있어서, 상기 배리어막의 두께는 2000Å 이상인 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.The manufacturing method of a display device according to claim 1, wherein the thickness of the barrier film is 2000 Å or more. 제 1 항에 있어서, 상기 유리 기판을 제거하는 단계는 HF가 포함된 에천트를 이용하는 습식 식각으로 수행되고,The method of claim 1, wherein the step of removing the glass substrate is performed by wet etching using an etchant containing HF, 상기 플라스틱 기판 상에 버퍼막을 형성하는 단계는 상기 플라스틱 기판의 상면에 무기 물질을 증착함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.Wherein the step of forming the buffer film on the plastic substrate is performed by depositing an inorganic material on the upper surface of the plastic substrate. 삭제delete 삭제delete
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