KR101636838B1 - Terminal device and method for measuring radiation using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 단말기 및 그를 이용한 방사선 측정 방법에 관한 것으로, 특히 스마트 폰, 스마트 와치와 같은 스마트 디바이스에 방사선 측정 기능을 부여하도록 반도체를 이용한 선량계를 디스플레이에 탑재한 단말기 및 그를 이용한 방사선 측정 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 단말기는, 방사선을 감지하여 신호를 출력하는 반도체 선량계; 상기 반도체 선량계가 탑재되는 디스플레이; 및 상기 반도체 선량계로부터 출력된 신호를 입력받아 처리하여 방사선 피폭 정보를 제공하는 처리부;를 포함할 수 있다.The present invention relates to a terminal and a radiation measuring method using the same, and more particularly, to a terminal mounted on a display with a radiation measuring instrument using a semiconductor for imparting a radiation measuring function to a smart device such as a smart phone or a smart watch, and a radiation measuring method using the same . A terminal according to an embodiment of the present invention includes: a semiconductor dosimeter for sensing a radiation and outputting a signal; A display on which the semiconductor dosimeter is mounted; And a processor for receiving and processing signals output from the semiconductor dosimeter to provide radiation exposure information.
Description
본 발명은 단말기 및 그를 이용한 방사선 측정 방법에 관한 것으로, 특히 스마트 폰, 스마트 와치와 같은 스마트 디바이스에 방사선 측정 기능을 부여하도록 반도체를 이용한 선량계를 디스플레이에 탑재한 단말기 및 그를 이용한 방사선 측정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a terminal and a radiation measuring method using the same, and more particularly, to a terminal mounted on a display with a radiation measuring instrument using a semiconductor for imparting a radiation measuring function to a smart device such as a smart phone or a smart watch, and a radiation measuring method using the same .
선량계(dosimeter)는 방사선의 피폭량을 측정하는 계기로서, 방사선 조사 중 받는 흡수선량을 측정한다. 이 중 개인 피폭량을 측정하기 위한 계기로 필름 배지형 선량계, 열형광 선량계, 포켓형 선량계가 사용되고 있다.A dosimeter is an instrument for measuring the dose of radiation, and measures the absorbed dose received during irradiation. Among them, film gauge type dosimeter, thermal fluorescence dosimeter and pocket type dosimeter are used as an instrument for measuring personal exposure.
현재 시판되고 있는 포켓형 선량계 중 하나인 Digilert 100은 방사선 측정을 위해 가이거-뮬러(Geiger-Muller) 튜브를 사용한다. 이 가이거-뮬러 튜브는 방사선이 튜브를 지남으로써 튜브 내 물질이 이온화되면 전파가 발생되며, 이 전파 발생량을 기반으로 방사선량을 계측한다.One Digilert 100, one of the pocket-type dosimeters currently on the market, uses Geiger-Muller tubes for radiation measurements. The Geiger-Mueller tube radiates radiation when the material in the tube is ionized as the radiation passes through the tube, and the amount of radiation is measured based on the amount of propagation.
하지만, 이 방사능 측정 기기는 기기 내 상당한 공간을 가이거-뮬러 튜브가 차지하여 기기의 소형화에 한계가 있다. 또한, 최근 들어 보급량이 급증하고 있는 스마트 디바이스(예컨대, 스마트폰, 스마트 와치, 스마트 글래스 등)는 가급적 그 사이즈를 줄여 컴팩트한 디자인을 추구하기 때문에, 상기 방사능 측정 기기와 같이 사이즈가 큰 튜브를 구비하기 어렵다.However, this radiation measuring instrument has a considerable space occupied by the Geiger-Mueller tube, which limits the miniaturization of the apparatus. In addition, recently, a smart device (for example, a smart phone, a smart watch, a smart glass, etc.) in which the amount of supply is rapidly increasing is pursued a compact design by reducing its size as much as possible. It is difficult to do.
본 발명의 실시예는 단말기의 사이즈를 증가시키지 않고도 방사선 측정 기능을 제공하는 단말기 및 그를 이용한 방사선 측정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Embodiments of the present invention provide a terminal that provides a radiation measurement function without increasing the size of a terminal and a method of measuring a radiation using the terminal.
본 발명의 일 실시예에 따른 단말기는, 방사선을 감지하여 신호를 출력하는 반도체 선량계; 상기 반도체 선량계가 탑재되는 디스플레이; 및 상기 반도체 선량계로부터 출력된 신호를 입력받아 처리하여 방사선 피폭 정보를 제공하는 처리부;를 포함할 수 있다.A terminal according to an embodiment of the present invention includes: a semiconductor dosimeter for sensing a radiation and outputting a signal; A display on which the semiconductor dosimeter is mounted; And a processor for receiving and processing signals output from the semiconductor dosimeter to provide radiation exposure information.
상기 반도체 선량계는 상기 디스플레이의 TFT 소자가 형성되는 기판 상에 형성될 수 있다.The semiconductor dosimeter may be formed on a substrate on which TFT elements of the display are formed.
상기 반도체 선량계는 상기 기판 상에 형성된 홈 내에 형성될 수 있다.The semiconductor dosimeter may be formed in a groove formed on the substrate.
상기 반도체 선량계는 상기 디스플레이에 복수 개가 탑재될 수 있다.A plurality of the semiconductor dosimeters can be mounted on the display.
상기 처리부는: 복수의 반도체 선량계 중 사전에 결정된 기준 수량 이상의 반도체 선량계가 기 설정된 제 1 임계값을 넘는 방사선량을 감지하는 경우, 감지된 방사선량을 유효 측정값으로 결정할 수 있다.The processing unit may determine the sensed radiation dose as a valid measurement value when the semiconductor dosimeter of the plurality of semiconductor dosimeters senses a radiation dose exceeding a predetermined first threshold value.
상기 처리부는: 상기 복수의 반도체 선량계 중 상기 기준 수량 미만의 반도체 선량계가 상기 제 1 임계값을 넘는 방사선량을 감지하는 경우, 감지된 방사선량을 무시할 수 있다.The processing unit may ignore the detected radiation dose when the semiconductor dosimeter below the reference dose among the plurality of semiconductor dosimeters senses the radiation dose exceeding the first threshold value.
상기 기준 수량은 상기 반도체 선량계의 개수에 기 설정된 민감도 파라미터를 곱한 값일 수 있다.The reference quantity may be a value obtained by multiplying the number of the semiconductor dosimeters by a predetermined sensitivity parameter.
상기 처리부는: 상기 복수의 반도체 선량계 중 상기 기준 수량 이상의 반도체 선량계가 상기 제 1 임계값을 넘는 방사선량을 감지하는 경우, 상기 복수의 반도체 선량계가 감지한 방사선량의 평균을 계산하여 출력할 수 있다.The processing unit may calculate and output an average of the radiation doses sensed by the plurality of semiconductor dosimeters when the semiconductor dosimeter of the reference number or more among the plurality of semiconductor dosimeters senses a radiation dose exceeding the first threshold value .
상기 처리부는: 기 설정된 제 2 임계값을 넘는 상기 방사선량의 평균이 기 설정된 임계 시간을 초과하여 감지되는 경우, 사용자에게 방사선 피폭을 경고하는 알람을 제공할 수 있다.The processor may provide an alarm to warn the user of a radiation exposure if an average of the radiation dose above a predetermined second threshold is sensed beyond a predetermined threshold time.
상기 단말기는 상기 방사선 피폭 정보를 저장하는 저장부를 더 포함하고, 상기 처리부는 상기 방사선량의 평균 및 감지 시각을 상기 저장부에 저장할 수 있다.The terminal may further include a storage unit for storing the radiation exposure information, and the processing unit may store the average and the detection time of the radiation dose in the storage unit.
상기 반도체 선량계는 상기 디스플레이의 주위에 걸쳐 복수 개가 배치되고,A plurality of semiconductor dosimeters are disposed around the periphery of the display,
상기 처리부는: 복수의 반도체 선량계가 감지하는 방사선량을 기초로, 각각의 반도체 선량계에 대응하는 상기 디스플레이의 영역에 해당 반도체 선량계가 감지한 방사선량을 표시하도록 처리할 수 있다.The processing unit may process the amount of radiation sensed by the semiconductor dosimeter in the area of the display corresponding to each semiconductor dosimeter based on the amount of radiation sensed by the plurality of semiconductor dosimeters.
상기 처리부는 상기 방사선량을 이미지, 숫자, 기호 및 심볼 중 적어도 하나로 표시하도록 처리할 수 있다.The processing unit may process the amount of radiation to be represented by at least one of an image, a number, a symbol, and a symbol.
상기 처리부는: 각각의 반도체 선량계가 감지한 서로 다른 방사선량에 대응하는 이미지가 상기 디스플레이의 영역에 걸쳐 단속적으로 또는 연속적으로 변화하여 표시되도록 처리할 수 있다.The processing unit may process the image so that images corresponding to different amounts of radiation sensed by each semiconductor dosimeter are intermittently or continuously displayed over the area of the display.
본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 측정 방법은 디스플레이에 복수의 반도체 선량계가 탑재된 단말기에 의해 수행되며, 상기 복수의 반도체 선량계 중 사전에 결정된 기준 수량 이상의 반도체 선량계가 기 설정된 제 1 임계값을 넘는 방사선량을 감지하는 경우, 감지된 방사선량을 유효 측정값으로 결정하여 방사선 측정에 사용할 수 있다.A method of measuring radiation according to an embodiment of the present invention is performed by a terminal equipped with a plurality of semiconductor dosimeters on a display, wherein a semiconductor dosimeter having a predetermined reference number or more of the plurality of semiconductor dosimeters exceeds a predetermined first threshold When detecting the radiation dose, the detected radiation dose can be determined as a valid measurement value and used for radiation measurement.
상기 복수의 반도체 선량계 중 상기 기준 수량 미만의 반도체 선량계가 상기 제 1 임계값을 넘는 방사선량을 감지하는 경우, 감지된 방사선량을 무시할 수 있다.When the semiconductor dosimeter below the reference dose among the plurality of semiconductor dosimeters senses the radiation dose exceeding the first threshold value, the detected dose of radiation can be ignored.
상기 기준 수량은 상기 반도체 선량계의 개수에 기 설정된 민감도 파라미터를 곱한 값일 수 있다.The reference quantity may be a value obtained by multiplying the number of the semiconductor dosimeters by a predetermined sensitivity parameter.
상기 방사선 측정 방법은, 상기 복수의 반도체 선량계 중 상기 기준 수량 이상의 반도체 선량계가 상기 제 1 임계값을 넘는 방사선량을 감지하는 경우, 상기 복수의 반도체 선량계가 감지한 방사선량의 평균을 계산하는 단계; 및 기 설정된 제 2 임계값을 넘는 상기 방사선량의 평균이 기 설정된 임계 시간을 초과하여 감지되는 경우, 사용자에게 방사선 피폭을 경고하는 알람을 제공하는 단계를 포함할 수 있다.Calculating the average of the radiation doses sensed by the plurality of semiconductor dosimeters when the semiconductor dosimeter of the reference number or more among the plurality of semiconductor dosimeters senses a radiation dose exceeding the first threshold value; And providing an alarm to warn the user of a radiation exposure if an average of the radiation dose above a predetermined second threshold is sensed beyond a predetermined threshold time.
상기 복수의 반도체 선량계는 상기 디스플레이의 주위에 걸쳐 배치되고, 상기 방사선 측정 방법은: 상기 복수의 반도체 선량계가 감지하는 방사선량을 기초로, 각각의 반도체 선량계에 대응하는 상기 디스플레이의 영역에 해당 반도체 선량계가 감지한 방사선량을 표시하는 단계를 포함할 수 있다.Wherein the plurality of semiconductor dosimeters are arranged around the periphery of the display, the method comprising the steps of: determining, based on the amount of radiation sensed by the plurality of semiconductor dosimeters, And displaying the detected radiation dose.
상기 방사선량을 표시하는 단계는: 상기 방사선량을 이미지, 숫자, 기호 및 심볼 중 적어도 하나로 표시하는 단계를 포함할 수 있다.The step of displaying the amount of radiation may comprise: displaying the amount of radiation with at least one of an image, a number, a symbol and a symbol.
상기 방사선량을 이미지, 숫자, 기호 및 심볼 중 적어도 하나로 표시하는 단계는: 각각의 반도체 선량계가 감지한 서로 다른 방사선량에 대응하는 이미지를 상기 디스플레이의 영역에 걸쳐 단속적으로 또는 연속적으로 변화하도록 표시하는 단계를 포함할 수 있다.Wherein the step of displaying the amount of radiation as at least one of an image, a number, a symbol and a symbol comprises: displaying an image corresponding to different amounts of radiation sensed by each semiconductor dosimeter to change intermittently or continuously over the area of the display Step < / RTI >
본 발명의 실시예에 따른 방사선 측정 방법은 컴퓨터로 실행될 수 있는 프로그램으로 구현되어, 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 기록될 수 있다.The radiation measurement method according to an embodiment of the present invention may be implemented as a computer-executable program and recorded on a computer-readable recording medium.
본 발명의 실시예에 따르면, 단말기의 사이즈를 증가시키지 않고도 상기 단말기에 방사선 측정 기능을 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a radiation measurement function to the terminal without increasing the size of the terminal.
본 발명의 실시예에 따르면, 복수의 반도체 선량계를 사용하여 방사능 측정의 신뢰도를 높일 수 있다.According to the embodiment of the present invention, a plurality of semiconductor dosimeters can be used to increase the reliability of the radiation measurement.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 단말기의 예시적인 블록도다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 단말기 내 반도체 선량계의 탑재 위치를 예시적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 반도체 선량계가 탑재된 디스플레이 패널의 예시적인 측면도다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 디스플레이 패널에 탑재된 반도체 선량계의 예시적인 단면도다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따라 디스플레이 패널에 탑재된 반도체 선량계의 예시적인 단면도다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따라 반도체 선량계들이 감지한 방사선량을 예시적으로 나타내는 그래프다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 반도체 선량계가 감지한 방사선량의 시간 경과에 따른 추이를 예시적으로 나타내는 그래프다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시예에 따라 반도체 선량계들이 감지한 단말기 주위의 방사선량 분포를 이미지로 표시한 예시적인 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 측정 방법의 예시적인 흐름도다.1 is an exemplary block diagram of a terminal according to an embodiment of the present invention.
2 is a view illustrating an example of a mounting position of a semiconductor dosimeter in a terminal according to an embodiment of the present invention.
3 is an exemplary side view of a display panel on which a semiconductor dosimeter is mounted according to one embodiment of the present invention.
4 is an exemplary cross-sectional view of a semiconductor dosimeter mounted on a display panel according to an embodiment of the present invention.
5 is an exemplary cross-sectional view of a semiconductor dosimeter mounted on a display panel according to another embodiment of the present invention.
FIGS. 6 and 7 are graphs exemplarily showing radiation doses sensed by semiconductor dosimeters in accordance with an embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 8 is a graph exemplarily showing a transition of a dose of radiation sensed by a semiconductor dosimeter according to an embodiment of the present invention with time. FIG.
FIGS. 9 and 10 are illustrations showing an image of a radiation dose distribution around a terminal sensed by semiconductor dosimeters in accordance with an embodiment of the present invention. FIG.
11 is an exemplary flow chart of a radiation measurement method according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention and methods for accomplishing the same will be apparent from the following detailed description of embodiments thereof taken in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.
만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.Unless defined otherwise, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as commonly accepted by the generic art in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by generic dictionaries may be interpreted to have the same meaning as in the related art and / or in the text of this application, and may be conceptualized or overly formalized, even if not expressly defined herein I will not.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms' comprise 'and / or various forms of use of the verb include, for example,' including, '' including, '' including, '' including, Steps, operations, and / or elements do not preclude the presence or addition of one or more other compositions, components, components, steps, operations, and / or components. The term 'and / or' as used herein refers to each of the listed configurations or various combinations thereof.
한편, 본 명세서 전체에서 사용되는 '~부', '~기', '~블록', '~모듈' 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미할 수 있다. 예를 들어 소프트웨어, FPGA 또는 ASIC과 같은 하드웨어 구성요소를 의미할 수 있다. 그렇지만 '~부', '~기', '~블록', '~모듈' 등이 소프트웨어 또는 하드웨어에 한정되는 의미는 아니다. '~부', '~기', '~블록', '~모듈'은 어드레싱할 수 있는 저장 매체에 있도록 구성될 수도 있고 하나 또는 그 이상의 프로세서들을 재생시키도록 구성될 수도 있다.It should be noted that the terms such as '~', '~ period', '~ block', 'module', etc. used in the entire specification may mean a unit for processing at least one function or operation. For example, a hardware component, such as a software, FPGA, or ASIC. However, '~ part', '~ period', '~ block', '~ module' are not meant to be limited to software or hardware. Modules may be configured to be addressable storage media and may be configured to play one or more processors. ≪ RTI ID = 0.0 >
따라서, 일 예로서 '~부', '~기', '~블록', '~모듈'은 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세스들, 함수들, 속성들, 프로시저들, 서브루틴들, 프로그램 코드의 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어, 마이크로 코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 어레이들 및 변수들을 포함한다. 구성요소들과 '~부', '~기', '~블록', '~모듈'들 안에서 제공되는 기능은 더 작은 수의 구성요소들 및 '~부', '~기', '~블록', '~모듈'들로 결합되거나 추가적인 구성요소들과 '~부', '~기', '~블록', '~모듈'들로 더 분리될 수 있다.Thus, by way of example, the terms 'to', 'to', 'to block', 'to module' refer to components such as software components, object oriented software components, class components and task components Microcode, circuitry, data, databases, data structures, tables, arrays, and the like, as well as components, Variables. The functions provided in the components and in the sections ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ ' , '~', '~', '~', '~', And '~' modules with additional components.
이하, 본 명세서에 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings attached hereto.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 단말기의 예시적인 블록도다.1 is an exemplary block diagram of a terminal according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 단말기(100)는 반도체 선량계(110), 디스플레이(120) 및 처리부(130)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, the terminal 100 may include a
상기 반도체 선량계(110)는 방사선을 감지하여 신호를 출력할 수 있다. 상기 디스플레이(120)는 상기 반도체 선량계(110)를 탑재할 수 있다. 상기 처리부(130)는 상기 반도체 선량계(110)로부터 출력된 신호를 입력받아 처리하여 방사선 피폭 정보를 제공할 수 있다.The
일 실시예에 따르면, 상기 반도체 선량계(110)는 MOSFET으로 제작되어 방사선 피폭량에 따라 임계 전압 Vth가 변경되는 소자일 수 있다.According to one embodiment, the
상기 반도체 선량계(110)는 SiO2와 같은 절연 물질로 구성된 층을 포함할 수 있다. 이 절연층에 밴드갭을 넘는 에너지의 방사선이 조사되면, 상기 절연층 내에서 정공과 전자가 분리되어 상기 정공이 상기 절연층 내에 갇히게 된다.The
본 발명의 실시예에 사용되는 반도체 선량계(110)는 상기 절연층 내에 갇힌 정공이 소자의 임계 전압 Vth을 이동시키는 현상을 이용하여 방사선 피폭량, 즉 방사선량을 감지할 수 있다.The
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 단말기(100)는 초기화부(150)를 더 포함할 수 있다. 상기 초기화부(150)는 방사선 피폭으로 인해 변경된 상기 반도체 선량계(110)의 임계 전압 Vth을 원래의 전압 값으로 초기화시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the terminal 100 may further include an
예를 들어, 상기 초기화부(150)는 MOSFET으로 제작된 상기 반도체 선량계(110)의 게이트에 음의 전압을 인가하여 FN(Fowler-Nordheim) 터널 전류를 흘려보내 상기 절연층에 누적된 정공을 제거할 수 있다.For example, the
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 반도체 선량계(110)는 단말기(100)의 디스플레이(120)에 탑재될 수 있다. 다시 말해, 상기 단말기(100)는 종래의 포켓형 선량계와 같이 단말기 내에 가이거-뮬러 튜브를 구비하지 않고, MOSFET으로 제조된 반도체 선량계(110)를 디스플레이(120)의 여분의 공간에 구비할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the
상기 디스플레이(120)에 탑재되는 상기 반도체 선량계(110)의 개수는 하나 또는 그 이상일 수 있다.The number of
예를 들어, 상기 디스플레이(120)는 각 코너에 반도체 선량계를 하나씩 구비하여 총 4 개의 반도체 선량계(110)를 포함할 수 있으나, 공간이 허용된다면 그 이상(예컨대, 16 개)도 구비할 수 있다. 후술하는 바와 같이, 상기 반도체 선량계(110)의 개수가 늘어나면 방사선 감지의 민감도 및 신뢰도를 증가시킬 수 있다.For example, the
일 실시예에 따르면, 상기 반도체 선량계(110)는 상기 디스플레이(120)의 코너에 구비될 수 있다.According to one embodiment, the
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 단말기 내 반도체 선량계의 탑재 위치를 예시적으로 나타내는 도면이다.2 is a view illustrating an example of a mounting position of a semiconductor dosimeter in a terminal according to an embodiment of the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 일반적인 사각 형상의 디스플레이(120)를 갖는 단말기(100)의 경우, 상기 디스플레이(120)의 네 개의 코너들 중 어느 하나 또는 둘 이상에 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)가 구비될 수 있다.2, in the case of a terminal 100 having a general
그러나, 상기 반도체 선량계의 위치는 상기 디스플레이(120)의 코너로 제한되지 않으며, 상기 디스플레이(120) 내 임의의 지점이 될 수도 있다.However, the position of the semiconductor dosimeter is not limited to the corner of the
일 실시예에 따르면, 상기 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)는 상기 디스플레이(120)의 TFT 소자가 형성되는 기판 상에 형성될 수 있다.According to one embodiment, the
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 반도체 선량계가 탑재된 디스플레이 패널의 예시적인 측면도다.3 is an exemplary side view of a display panel on which a semiconductor dosimeter is mounted according to one embodiment of the present invention.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이(120)는 TFT 소자(122)가 구비되는 기판(121) 상에 반도체 선량계(111, 112)를 구비할 수 있다.3, the
전술한 바와 같이, 상기 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)가 TFT 소자(122)와 동일한 구조를 갖는 MOSFET으로 제작되는 경우, 상기 디스플레이(120) 패널 제조 시 상기 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)의 제조를 위한 별도의 공정이 추가될 필요는 없어진다.When the
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 디스플레이 패널에 탑재된 반도체 선량계의 예시적인 단면도다.4 is an exemplary cross-sectional view of a semiconductor dosimeter mounted on a display panel according to an embodiment of the present invention.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 선량계(111)는 MOSFET으로 제작될 수 있다. 구체적으로, 상기 반도체 선량계(111)는 p-타입으로 도핑된 반도체층(1113), 상기 반도체층(1113) 상에 형성된 n-타입 웰(1114), 상기 n-타입 웰(1114) 사이에 형성되는 절연층(1115), 상기 n-타입 웰(1114) 및 상기 절연층(1115) 상에 형성되는 전극(1116)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 4, the
도 4에 도시된 반도체 선량계(111)는 N-타입 MOSFET으로 구성되었으나, 이에 제한되지 않고 실시예에 따라 P-타입 MOSFET으로 구성될 수도 있다.Although the
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 반도체 선량계(111)는 상기 반도체층(1113) 아래에 형성되는 절연층(1112), 및 상기 절연층(1112) 아래에 형성되는 반도체층(1111)을 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 반도체 선량계(111)는 두 개의 반도체층(1111, 1113) 사이에 절연층(1112)을 더 구비할 수도 있다.The
상기 절연층(1112)은 상기 반도체 선량계(111)의 방사선 피폭에 의한 임계 전압 이동량 Vth을 증가시키기 위한 것으로, 방사선 피폭 시 게이트 절연층에 해당하는 절연층(1115) 외에 정공이 생성되는 공간을 더 제공함으로써, 반도체 선량계(111)의 방사선 감도를 보다 향상시킬 수 있다.The insulating
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따라 디스플레이 패널에 탑재된 반도체 선량계의 예시적인 단면도다.5 is an exemplary cross-sectional view of a semiconductor dosimeter mounted on a display panel according to another embodiment of the present invention.
도 4에 도시된 바와 달리, 도 5에 도시된 반도체 선량계(111)는 디스플레이 패널의 기판(121) 상에 형성된 홈 내에 형성될 수 있다. 즉, 이 실시예에 따르면, 상기 반도체 선량계(111)를 제조하기 전, 상기 기판(121) 상에 기 결정된 깊이의 홈을 형성한다.4, the
상기 홈의 깊이는 상기 반도체 선량계(111)의 최하층에 해당하는 반도체층(1111) 및 상기 반도체층(1111) 상에 형성되는 절연체층(1112)의 깊이와 동일할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.The depth of the groove may be the same as the depth of the
실시예에 따라, 상기 홈은 상기 반도체층(1111) 및 상기 절연체층(1112)의 높이보다 더 깊게 형성되어, 상기 반도체 선량계(111)가 기판(121)으로부터 돌출되는 정도를 조절할 수도 있다.The groove may be formed deeper than the height of the
이 실시예는 상기 반도체 선량계(111)가 감도 향상을 위해 일반적인 MOSFET에 반도체층(1111) 및 절연체층(1112)을 더 구비하는 경우, 상기 기판(121) 상의 다른 TFT 소자(122)와 높이를 동일하게 하기 위해 적용되거나, 상기 반도체 선량계(111)가 상기 기판(121)으로부터 돌출되지 않도록 매립시키기 위해 적용될 수도 있다.This embodiment is characterized in that when the
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 선량계(110)는 상기 디스플레이(120)에 하나가 탑재되거나, 둘 이상이 탑재될 수 있다.As described above, the
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 디스플레이(120)에 복수의 반도체 선량계(110)가 구비되는 경우, 후술하는 바와 같이 단말기(100)의 방사선 측정 신뢰도를 높일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when a plurality of
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 처리부(130)는 복수의 반도체 선량계 중 사전에 결정된 기준 수량 이상의 반도체 선량계가 기 설정된 제 1 임계값을 넘는 방사선량을 감지하는 경우, 감지된 방사선량을 유효 측정값으로 결정할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when the semiconductor dosimeter of a predetermined number of reference doses or more among a plurality of semiconductor dosimeters senses a radiation dose exceeding a predetermined first threshold value, It can be determined by the measured value.
그리고, 상기 처리부(130)는 상기 복수의 선량계 중 상기 기준 수량 미만의 반도체 선량계가 상기 제 1 임계값을 넘는 방사선량을 감지하는 경우, 감지된 방사선량을 방사선 측정에 사용하지 않고 무시할 수 있다.When the semiconductor dosimeter of the plurality of dosimeters senses a radiation dose exceeding the first threshold value, the
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기준 수량은 상기 단말기(100)에 포함된 반도체 선량계의 개수 N에 기 설정된 민감도 파라미터 K를 곱한 값일 수 있다. 상기 민감도 파라미터 K는 상기 단말기(100)에 미리 설정되어 있을 수 있으며, 실시예에 따라 상기 단말기(100)의 사용자가 설정할 수도 있다.According to an embodiment of the present invention, the reference quantity may be a value obtained by multiplying the number N of semiconductor dosimeters included in the terminal 100 by a predetermined sensitivity parameter K. The sensitivity parameter K may be preset in the terminal 100 and may be set by a user of the terminal 100 according to an embodiment.
일 예로, 상기 단말기(100)에 총 4 개의 반도체 선량계가 구비되어 있고, 상기 민감도 파라미터 K가 0.75로 설정된 경우, 상기 기준 수량은 4 × 0.75 = 3으로 결정될 수 있다.For example, if four semiconductor dosimeters are provided in the terminal 100 and the sensitivity parameter K is set to 0.75, the reference quantity may be determined as 4 x 0.75 = 3.
다른 예로, 상기 단말기(100)에 총 16 개의 반도체 선량계가 구비되어 있고, 상기 민감도 파라미터 K가 0.5로 설정된 경우, 상기 기준 수량은 16 × 0.5 = 8로 결정될 수 있다.As another example, if the terminal 100 has a total of 16 semiconductor dosimeters and the sensitivity parameter K is set to 0.5, the reference quantity may be determined as 16 x 0.5 = 8.
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따라 반도체 선량계들이 감지한 방사선량을 예시적으로 나타내는 그래프다.FIGS. 6 and 7 are graphs exemplarily showing radiation doses sensed by semiconductor dosimeters in accordance with an embodiment of the present invention. FIG.
도 2에 도시된 바와 같이 상기 단말기(100)가 네 개의 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)를 포함하며, 상기 민감도 파라미터 K가 0.5로 설정되고, 도 6에 도시된 바와 같이 네 개의 반도체 선량계(111, 112, 113, 114) 중 세 개가 제 1 임계값보다 큰 방사선량을 감지한 경우, 해당 방사선량은 유효한 측정값으로 결정되어 방사선 측정의 기초 데이터로 사용될 수 있다.As shown in FIG. 2, the terminal 100 includes four
반면, 도 7에 도시된 바와 같이 네 개의 반도체 선량계(111, 112, 113, 114) 중 한 개만이 상기 제 1 임계값보다 큰 방사선량을 감지한 경우, 해당 방사선량은 유효하지 않은 측정값으로 간주되어 방사선 측정에 사용되지 않고 무시될 수 있다.On the other hand, if only one of the four
이와 같이, 본 발명의 실시예는 복수의 반도체 선량계를 이용하여 노이즈 등으로 인해 잘못 계측된 데이터로 사용자에게 올바르지 않은 방사선 측정 결과를 제공하는 것을 방지할 수 있다.As described above, the embodiment of the present invention can prevent a user from using incorrectly measured data due to noise or the like by using a plurality of semiconductor dosimeters, and to provide incorrect radiation measurement results to the user.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 처리부(130)는 복수의 반도체 선량계 중 상기 기준 수량 이상의 반도체 선량계가 상기 제 1 임계값을 넘는 방사선량을 감지하는 경우, 상기 복수의 선량계가 감지한 방사선의 평균을 계산하여 방사선 측정에 사용할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when the semiconductor dosimeter of the reference number or more among the plurality of semiconductor dosimeters senses a radiation dose exceeding the first threshold value, The mean can be calculated and used for radiation measurements.
예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 네 개의 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)가 각각 E1, E2, E3 및 E4에 해당하는 방사선량을 감지하는 경우, 상기 처리부(130)는 상기 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)가 감지한 방사선량의 평균인 (E1 + E2 + E3 + E4)/4를 계산하여 이 평균값을 상기 단말기(100)가 감지한 방사선량으로 결정할 수 있다.For example, when the four
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 처리부(130)는 상기 방사선량의 평균이 기 설정된 제 2 임계값을 넘어 기 설정된 임계 시간을 초과하여 유지되는 경우, 사용자에게 방사선 피폭을 경고하는 알람을 제공할 수 있다.Also, according to an embodiment of the present invention, when the average of the radiation dose exceeds a predetermined second threshold value and is maintained over a predetermined threshold time, the
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 반도체 선량계가 감지한 방사선량의 시간 경과에 따른 추이를 예시적으로 나타내는 그래프다.FIG. 8 is a graph exemplarily showing a transition of a dose of radiation sensed by a semiconductor dosimeter according to an embodiment of the present invention with time. FIG.
도 8에 도시된 바와 같이, 상기 단말기(100)가 감지한 방사선량, 예컨대 상기 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)가 감지한 방사선량의 평균이 제 2 임계값을 넘어 임계 시간인 T를 초과하여 유지되는 경우, 상기 처리부(130)는 사용자에게 방사선 피폭을 경고하는 알람을 제공할 수 있다.As shown in FIG. 8, when the average radiation dose detected by the terminal 100, for example, the radiation doses detected by the
일 실시예에 따르면, 상기 단말기(100)는 반도체 선량계를 이용하여 획득한 방사선 피폭 정보를 저장부(140)에 저장할 수 있다. 예를 들어, 상기 처리부(130)는 기 설정된 시간 간격마다 측정된 방사선량의 평균을 측정 시간과 함께 상기 저장부(140)에 저장할 수 있다.According to one embodiment, the terminal 100 may store the radiation exposure information obtained using the semiconductor dosimeter in the
그 결과, 상기 처리부(130)는 저장된 데이터를 기반으로 도 8에 도시된 바와 같은 그래프를 상기 디스플레이(120)에 표시할 수도 있다.As a result, the
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 처리부(130)는 복수의 선량계가 감지하는 방사선량을 기초로 상기 단말기(100) 주위의 방사선 분포 패턴을 상기 디스플레이(120)에 표시할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시예에 따라 반도체 선량계들이 감지한 단말기 주위의 방사선량 분포를 이미지로 표시한 예시적인 도면이다.FIGS. 9 and 10 are illustrations showing an image of a radiation dose distribution around a terminal sensed by semiconductor dosimeters in accordance with an embodiment of the present invention. FIG.
상기 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)는 상기 디스플레이(120)의 주위, 예컨대 베젤 부분에 걸쳐 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)는 상기 디스플레이(120)의 코너에 배치될 수 있다.The
그리고, 상기 처리부(130)는 복수의 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)가 감지하는 방사선량을 기초로, 각각의 반도체 선량계에 대응하는 디스플레이(120)의 영역(1201, 1202, 1203, 1204)에 해당 선량계가 감지한 방사선량을 이미지로 표시할 수 있다.Based on the radiation dose sensed by the plurality of
이 실시예에 따르면, 상기 디스플레이(120)의 표시 영역은 상기 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)의 개수 및 그와의 거리에 따라 다수의 영역(1201, 1202, 1203, 1204)으로 구분될 수 있다.According to this embodiment, the display area of the
예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 디스플레이(120)의 코너에 각각 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)가 배치되는 경우, 상기 디스플레이(120)의 표시 영역은 네 개의 영역(1201, 1202, 1203, 1204)으로 구분될 수 있다. 각각의 영역(1201, 1202, 1203, 1204)은 그에 대응하는 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)에 인접하여 구획될 수 있다.9, when the
그리고, 상기 처리부(130)는 상기 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)가 감지하는 방사선량을 기초로 각각의 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)에 대응하는 디스플레이의 영역(1201, 1202, 1203, 1204)에 해당 선량계가 감지한 방사선량을 이미지로 표시하도록 처리할 수 있다.The
일 실시예에 따르면, 상기 처리부(130)는 반도체 선량계가 감지한 방사선량의 분포를 명암이나 색상의 변화를 통해 디스플레이(120)에 표시할 수 있다.According to one embodiment, the
예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)가 각각 E1, E2, E3 및 E4에 해당하는 방사선량을 감지하고, 그 크기 관계가 E2 > E3 > E1 > E4인 경우, 도 9에 도시된 바와 같이 상기 처리부(130)는 제 2 반도체 선량계(112)에 대응하는 제 2 영역(1202)의 명도를 가장 낮게 표시하고, 제 3 반도체 선량계(113)에 대응하는 제 3 영역(1203)의 명도를 제 2 영역(1202) 다음으로 낮게 표시하고, 제 1 반도체 선량계(111)에 대응하는 제 1 영역(1201)의 명도를 제 3 영역(1203) 다음으로 낮게 표시하고, 제 4 반도체 선량계(114)에 대응하는 제 4 영역(1204)의 명도를 가장 높게 표시할 수 있다.For example, as shown in FIG. 6, the
즉, 상기 처리부(130)는 반도체 선량계가 감지한 방사선량이 높을수록 그에 대응하는 디스플레이(120)의 영역을 어둡게 표시하고, 방사선량이 낮을수록 그에 대응하는 디스플레이(120)의 영역을 밝게 표시할 수 있다.That is, the
명암을 달리하여 방사선량의 분포를 표시하는 실시예 외에, 본 발명의 실시예는 상기 단말기(100) 주위의 방사선량 분포를 시각적으로 나타내는 어떠한 방법도 사용할 수 있다.In addition to the embodiment in which the distribution of the radiation dose is displayed by varying the contrast, the embodiment of the present invention can use any method that visually shows the distribution of the radiation dose around the
예를 들어, 상기 처리부(130)는 반도체 선량계가 감지한 방사선량이 높을수록 그에 대응하는 디스플레이(120)의 영역을 붉은색으로 표시하고, 방사선량이 낮을수록 그에 대응하는 디스플레이 영역을 초록색으로 표시할 수도 있다. 다시 말해, 상기 처리부(130)는 명암 외에 색상의 변화를 통해 상기 단말기(100) 주위에 분포하는 방사선량을 시각적으로 표시할 수도 있다.For example, the
도 9에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따르면 상기 디스플레이(120)는 중앙에 나침반을 더 표시할 수 있다. 그 결과, 사용자는 상기 나침반을 이용하여 방사선량의 분포와 방위를 함께 확인함으로써 방사능 피폭 위험이 높은 지역을 예측할 수 있다.As shown in FIG. 9, according to one embodiment, the
또한, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 처리부(130)는 각각의 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)가 감지한 서로 다른 방사선량에 대응하여 상기 이미지가 상기 디스플레이(120)의 영역(1201, 1202, 1203, 1204)에 걸쳐 연속적으로 변화하도록 처리할 수 있다.9, the
다른 실시예에 따르면, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 처리부(130)는 각각의 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)가 감지한 서로 다른 방사선량에 대응하여 상기 이미지가 상기 디스플레이(120)의 영역(1201, 1202, 1203, 1204)에 걸쳐 단속적으로 변화하도록 처리할 수도 있다.According to another embodiment, as shown in FIG. 10, the
즉, 각각의 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)에 대응하는 디스플레이(120)의 영역(1201, 1202, 1203, 1204)은 각 영역 내에서 동일한 이미지(예컨대, 동일한 명도 또는 색상)를 표시하나, 인접한 영역의 이미지와는 구별되는 이미지를 표시할 수 있다.That is,
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 측정 방법의 예시적인 흐름도다.11 is an exemplary flow chart of a radiation measurement method according to an embodiment of the present invention.
상기 방사선 측정 방법(200)은 전술한 본 발명의 실시예에 따른 단말기(100)에 의해 수행될 수 있다.The
도 11에 도시된 바와 같이, 상기 방사선 측정 방법(200)은 처리부(130)가 복수의 반도체 선량계로부터 방사선량에 관한 신호를 입력받는 단계(S210), 및 상기 복수의 반도체 선량계 중 사전에 결정된 기준 수량 이상의 반도체 선량계가 기 설정된 제 1 임계값을 넘는 방사선량을 감지하는 경우(S220에서 예), 감지된 방사선량을 유효 측정값으로 결정하여 방사선 측정에 사용하는 단계(S230)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 11, the
여기서, 상기 기준 수량은 반도체 선량계의 개수 N에 민감도 파라미터 K를 곱한 값일 수 있다.Here, the reference water quantity may be a value obtained by multiplying the number N of semiconductor dosimeters by a sensitivity parameter K.
또한, 상기 방사선 측정 방법(200)은 상기 처리부(130)가 상기 복수의 반도체 선량계 중 상기 기준 수량 미만의 반도체 선량계가 상기 제 1 임계값을 넘는 방사선량을 감지하는 경우(S220에서 아니오), 감지된 방사선량을 무시하는 단계(S240)를 포함할 수 있다.In the case where the
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 방사선 측정 방법(200)은, 상기 복수의 반도체 선량계 중 상기 기준 수량 이상의 반도체 선량계가 상기 제 1 임계값을 넘는 방사선량을 감지하는 경우, 상기 복수의 반도체 선량계가 감지한 방사선량의 평균을 계산하는 단계(S250), 및 상기 방사선량의 평균이 기 설정된 제 2 임계값을 넘어 기 설정된 임계 시간을 초과하여 감지되는 경우(S260 및 S270에서 예), 사용자에게 방사선 피폭을 경고하는 알람을 제공하는 단계(S280)를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when the semiconductor dosimeter of the reference number or more among the plurality of semiconductor dosimeters senses a radiation dose exceeding the first threshold value, the radiation measuring method (200) (S250), and if the average of the radiation dose is detected to exceed a preset threshold time exceeding a predetermined second threshold value (YES in S260 and S270), the user is informed And providing an alarm to warn of radiation exposure (S280).
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 복수의 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)는 단말기(100)의 디스플레이(120) 주위에 걸쳐 배치되며, 상기 방사선 측정 방법(200)은 상기 복수의 반도체 선량계(111, 112, 113, 114)가 감지하는 방사선량을 기초로, 각각의 반도체 선량계에 대응하는 디스플레이(120)의 영역(1201, 1202, 1203, 1204)에 해당 반도체 선량계가 감지한 방사선량을 표시하는 단계를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the plurality of
일 실시예에 따르면, 상기 방사선량을 표시하는 단계는 상기 방사선량을 이미지, 숫자, 기호 및 심볼 중 적어도 하나로 표시하는 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the step of displaying the amount of radiation may comprise the step of displaying the amount of radiation with at least one of an image, a number, a symbol and a symbol.
상기 방사선량을 이미지로 표시하는 경우, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 방사선량을 이미지로 표시하는 단계는, 각각의 반도체 선량계가 감지한 서로 다른 방사선량에 대응하는 이미지를 상기 디스플레이(120)의 영역(1201, 1202, 1203, 1204)에 걸쳐 단속적으로 또는 연속적으로 변화하도록 표시하는 단계를 포함할 수 있다.9 and 10, the step of displaying the radiation dose as an image may include displaying an image corresponding to a different dose of radiation sensed by each semiconductor dosimeter on the display Intermittently or continuously over the
전술한 본 발명의 실시예에 따른 방사선 측정 방법(200)은 컴퓨터에서 실행되기 위한 프로그램으로 제작되어 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체에 저장될 수 있다. 상기 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 저장 장치를 포함한다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체의 예로는 ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피디스크, 광 데이터 저장장치 등이 있다.The
이상에서 실시예를 통해 본 발명을 설명하였으나, 위 실시예는 단지 본 발명의 사상을 설명하기 위한 것으로 이에 한정되지 않는다. 통상의 기술자는 전술한 실시예에 다양한 변형이 가해질 수 있음을 이해할 것이다. 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구범위의 해석을 통해서만 정해진다.While the present invention has been described with reference to the exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. Those skilled in the art will appreciate that various modifications may be made to the embodiments described above. The scope of the present invention is defined only by the interpretation of the appended claims.
100: 단말기
110: 반도체 선량계
111: 제 1 반도체 선량계
112: 제 2 반도체 선량계
113: 제 3 반도체 선량계
114: 제 4 반도체 선량계
120: 디스플레이
130: 처리부
140: 저장부100: terminal
110: Semiconductor dosimeter
111: first semiconductor dosimeter
112: second semiconductor dosimeter
113: Third semiconductor dosimeter
114: Fourth semiconductor dosimeter
120: Display
130:
140:
Claims (21)
상기 반도체 선량계가 탑재되는 디스플레이; 및
상기 반도체 선량계로부터 출력된 신호를 입력받아 처리하여 방사선 피폭 정보를 제공하는 처리부;
를 포함하며,
상기 반도체 선량계는, 상기 디스플레이의 TFT 소자가 형성되는 기판상에 상기 TFT 소자와 동일한 구조를 갖는 MOSFET으로 형성되며, 상기 디스플레이의 복수 개의 표시 영역에 각각 대응되도록 복수 개가 탑재되고,
상기 처리부는:
복수의 반도체 선량계 중 사전에 결정된 기준 수량 이상의 반도체 선량계가 기 설정된 제 1 임계값을 넘는 방사선량을 감지하는 경우, 감지된 방사선량을 유효 측정값으로 결정하는 단말기.A semiconductor dosimeter for detecting radiation and outputting a signal;
A display on which the semiconductor dosimeter is mounted; And
A processor for receiving and processing a signal output from the semiconductor dosimeter and providing radiation exposure information;
/ RTI >
Wherein the semiconductor dosimeter is formed of a MOSFET having the same structure as that of the TFT element on a substrate on which the TFT element of the display is formed and is mounted so as to correspond to each of a plurality of display areas of the display,
Wherein the processing unit comprises:
And determines a detected radiation amount as a valid measurement value when the semiconductor dosimeter more than a predetermined reference number among the plurality of semiconductor dosimeters senses a radiation amount exceeding a predetermined first threshold value.
상기 반도체 선량계는 상기 기판 상에 형성된 홈 내에 형성되는 단말기.The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor dosimeter is formed in a groove formed on the substrate.
상기 처리부는:
상기 복수의 반도체 선량계 중 상기 기준 수량 미만의 반도체 선량계가 상기 제 1 임계값을 넘는 방사선량을 감지하는 경우, 감지된 방사선량을 무시하는 단말기.The method according to claim 1,
Wherein the processing unit comprises:
And ignores the detected radiation dose when the semiconductor dosimeter below the reference dose among the plurality of semiconductor dosimeters senses a radiation dose exceeding the first threshold value.
상기 기준 수량은 상기 반도체 선량계의 개수에 기 설정된 민감도 파라미터를 곱한 값인 단말기.The method according to claim 1,
Wherein the reference quantity is a value obtained by multiplying the number of the semiconductor dosimeters by a predetermined sensitivity parameter.
상기 처리부는:
상기 복수의 반도체 선량계 중 상기 기준 수량 이상의 반도체 선량계가 상기 제 1 임계값을 넘는 방사선량을 감지하는 경우, 상기 복수의 반도체 선량계가 감지한 방사선량의 평균을 계산하여 출력하는 단말기.The method according to claim 1,
Wherein the processing unit comprises:
And calculates and outputs an average of the radiation dose detected by the plurality of semiconductor dosimeters when the semiconductor dosimeter of the reference number or more among the plurality of semiconductor dosimeters senses a radiation dose exceeding the first threshold value.
상기 처리부는:
기 설정된 제 2 임계값을 넘는 상기 방사선량의 평균이 기 설정된 임계 시간을 초과하여 감지되는 경우, 사용자에게 방사선 피폭을 경고하는 알람을 제공하는 단말기.9. The method of claim 8,
Wherein the processing unit comprises:
And provides an alarm to warn the user of radiation exposure if an average of the radiation dose exceeding a predetermined second threshold is sensed beyond a predetermined threshold time.
상기 단말기는 상기 방사선 피폭 정보를 저장하는 저장부를 더 포함하고,
상기 처리부는 상기 방사선량의 평균 및 감지 시각을 상기 저장부에 저장하는 단말기.9. The method of claim 8,
Wherein the terminal further comprises a storage unit for storing the radiation exposure information,
Wherein the processing unit stores the average of the radiation dose and the detection time in the storage unit.
상기 반도체 선량계가 탑재되는 디스플레이; 및
상기 반도체 선량계로부터 출력된 신호를 입력받아 처리하여 방사선 피폭 정보를 제공하는 처리부;
를 포함하며,
상기 반도체 선량계는, 상기 디스플레이의 TFT 소자가 형성되는 기판상에 상기 TFT 소자와 동일한 구조를 갖는 MOSFET으로 형성되며, 상기 디스플레이의 주위에 걸쳐 복수 개의 표시 영역에 각각 대응되도록 복수 개가 배치되고,
상기 처리부는:
복수의 반도체 선량계가 감지하는 방사선량을 기초로, 각각의 반도체 선량계에 대응하는 상기 디스플레이의 영역에 해당 반도체 선량계가 감지한 방사선량을 표시하도록 처리하는 단말기.A semiconductor dosimeter for detecting radiation and outputting a signal;
A display on which the semiconductor dosimeter is mounted; And
A processor for receiving and processing a signal output from the semiconductor dosimeter and providing radiation exposure information;
/ RTI >
Wherein the semiconductor dosimeter is formed of a MOSFET having the same structure as the TFT element on the substrate on which the TFT element of the display is formed and arranged so as to correspond to each of the plurality of display regions around the periphery of the display,
Wherein the processing unit comprises:
And processes the amount of radiation sensed by the semiconductor dosimeter to the area of the display corresponding to each semiconductor dosimeter based on the radiation dose detected by the plurality of semiconductor dosimeters.
상기 처리부는 상기 방사선량을 이미지, 숫자, 기호 및 심볼 중 적어도 하나로 표시하도록 처리하는 단말기.12. The method of claim 11,
Wherein the processing unit processes the amount of radiation to be represented by at least one of an image, a number, a symbol and a symbol.
상기 처리부는:
각각의 반도체 선량계가 감지한 서로 다른 방사선량에 대응하는 이미지가 상기 디스플레이의 영역에 걸쳐 단속적으로 또는 연속적으로 변화하여 표시되도록 처리하는 단말기.13. The method of claim 12,
Wherein the processing unit comprises:
And an image corresponding to a different dose of radiation sensed by each semiconductor dosimeter is intermittently or continuously changed over an area of the display.
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