KR101633696B1 - The method for preparation of hole transfer layer for organic light emitting device and organic light emitting device containing hole transfer layer thereby - Google Patents

The method for preparation of hole transfer layer for organic light emitting device and organic light emitting device containing hole transfer layer thereby Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 정공 수송층을 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것으로, 상세하게는 폴리스타이렌 고분자 용액을 도포하여 고분자 층을 형성하는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1에서 형성된 고분자 층에 방사선을 조사하여 정공 수송층을 형성하는 단계(단계 2);를 포함하는, 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법은 기존의 복잡한 합성 과정 또는 화학적 도핑 처리 없이 폴리스타이렌으로부터 단순 방사선 조사를 통하여 손쉽게 내용매성이 우수한 정공 수송층을 제조할 수 있다. 또한, 공정이 단순하고, 제조 직후 별다른 후처리 없이 유기 발광 소자를 구현할 수 있는 장점이 있어 다양한 유기 광전 소자에 널리 사용될 수 있다.The present invention relates to a method of manufacturing a hole transporting layer for an organic light emitting device and an organic light emitting device including the hole transporting layer produced thereby. More particularly, the present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device, comprising: (1) forming a polymer layer by applying a polystyrene polymer solution; And a step (2) of forming a hole transport layer by irradiating the polymer layer formed in the step 1 with radiation. The present invention also provides a method for manufacturing a hole transport layer for an organic light emitting device. The process for preparing a hole transport layer for an organic light emitting device according to the present invention can easily produce a hole transport layer having excellent solvent resistance through simple irradiation from polystyrene without complicated synthesis process or chemical doping process. In addition, since the process is simple, and an organic light emitting device can be realized without any post-treatment immediately after production, it can be widely used in various organic photoelectric devices.

Description

유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 정공 수송층을 포함하는 유기 발광 소자{The method for preparation of hole transfer layer for organic light emitting device and organic light emitting device containing hole transfer layer thereby}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method of manufacturing a hole transport layer for an organic light emitting device and an organic light emitting device including the hole transport layer produced thereby,

본 발명은 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 정공 수송층을 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a hole transporting layer for an organic light emitting device and an organic light emitting device including the hole transporting layer produced thereby.

최근 정보 전자 산업의 급속한 발전과 함께 차세대 디스플레이로써, 플렉서블(Flexible) 디스플레이에 대한 관심이 급증하고 있는 추세이다. 이러한 차세대 디스플레이는 마음대로 휘거나 접을 수 있고 곡면으로 제작이 가능하여 모바일 유비쿼터스 환경을 충실히 구현할 수 있을 것으로 기대되고 있다. 그러나, 가볍고 깨지지 않으며 저가의 요구를 만족하기 위해서는 기판에서부터 주요 반도체 재료에 이르기까지 고분자나 저분자의 유기물 재료를 활용하는 것이 필수적이다. 이에 따라 최근 들어 다양한 고분자 및 저분자 유기물 재료들을 이용한 차세대 디스플레이를 위한 유기 발광 소자(Organic/polymeric light emitting device)에 관한 다양한 연구와 관심이 집중되고 있다.With the rapid development of the information electronics industry in recent years, there is a growing interest in flexible displays as a next generation display. These next-generation displays can be bent or folded freely, and can be fabricated with curved surfaces, and it is expected that they can faithfully implement a mobile ubiquitous environment. However, it is essential to utilize high molecular weight or low molecular weight organic materials from the substrate to the main semiconductor materials in order to meet the requirements of lightweight, unbreakable and low cost. Recently, various studies and interest have been focused on an organic light emitting device (OLED) for next generation display using various polymer and small molecule organic materials.

하지만, 현재 유기 발광 소자 기술을 이용한 차세대 디스플레이 개발에 대한 관한 많은 연구 개발이 이루어지고 있음에도 불구하고 아직도 본격적인 실용화가 이루어지지 못한 것은 유기 발광 소자의 수명이 짧기 때문이다. 유기 발광 소자의 수명 단축의 원인으로써 소자에 박막의 형태로 적용되는 정공 수송층 소재의 낮은 내열성이 지적되고 있다.However, despite the fact that much research and development has been carried out on the development of the next generation display using the organic light emitting device technology, it is because the lifetime of the organic light emitting device is short because the practical use is still not realized. As a cause of the shortening of the lifetime of the organic light emitting device, low heat resistance of the hole transport layer material applied to the device in the form of a thin film has been pointed out.

이에, 기존의 단분자 기반 정공 수송층 소재들의 낮은 내열성과 진공 공정에 의한 박막 형성 등의 문제점을 개선하고자 높은 내열성과 상압·대면적 공정이 가능한 고분자 정공 수송층 소재에 대한 연구들 활발하게 이루어지고 있다. Therefore, studies on polymer hole transport layer materials capable of high heat resistance and atmospheric pressure / large area process have been actively carried out in order to solve the problems of low heat resistance and thin film formation by vacuum process in existing monomolecular hole transport layer materials.

지금까지 활발한 연구 활동을 통해 개발되어진 정공 수송층 고분자 소재로써는 폴리(비닐카바졸), 폴리아릴아민 등의 지용성 고분자와 산처리 등의 화학적 처리를 통해 도핑된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리아닐린, 폴리피롤 등의 수용성 고분자들이 있다(Appl. Phys. Lett., 78, 4, 2001).As a hole transport layer polymer material that has been developed through active research activities up to now, it has been known that a lipophilic polymer such as poly (vinylcarbazole) or polyarylamine, and poly (3,4-ethylenedioxythiophene) doped through chemical treatment such as acid treatment, , Polyaniline, and polypyrrole (Appl. Phys. Lett., 78, 4, 2001).

이때, 지용성 고분자의 경우 내용매성을 가지고 있으나, 공액 고분자들로써 이를 제조하는 과정이 복잡하고 화학적 도핑 되어 있기 때문에 산도가 높아 유기 광전 소자의 투명 전극으로 활용되고 있는 인듐 산화 주석(ITO)의 인듐을 추출시켜 소자의 수명을 단축시키는 문제점이 있다. In this case, the oil-soluble polymer has a solvent resistance, but since the process of preparing it as a conjugated polymer is complicated and chemically doped, the indium of indium tin oxide (ITO), which is used as a transparent electrode of an organic photoelectric device due to its high acidity Thereby shortening the lifetime of the device.

이에, 본 발명자들은 유기 발광 소자용 전자 수송층에 대하여 연구하던 중, 저렴한 폴리스타이렌 박막을 방사선으로 처리하면 박막에 일어나는 화학적 변화에 의해 새로운 분자 결합이 생성됨에 따라 우수한 내화학성뿐만 아니라 광학적 및 전기·전자적 특성들이 크게 향상되어 기존의 고분자 정공 수송층의 문제점을 해결할 수 있는 유기 발광 소자의 정공 수송층으로 활용 가능함을 발견하고, 본 발명을 완성하였다.The present inventors have conducted studies on an electron transport layer for an organic light emitting device, and found that when an inexpensive polystyrene thin film is treated with radiation, a new molecular bond is formed due to a chemical change occurring in the thin film, so that not only excellent chemical resistance but also optical and electrical / Can be utilized as a hole transporting layer of an organic light emitting device capable of solving the problems of the conventional polymer hole transporting layer. Thus, the present invention has been completed.

본 발명의 목적은 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 정공 수송층을 포함하는 유기 발광 소자를 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide an organic light emitting device including a method of manufacturing a hole transporting layer for an organic light emitting device and a hole transporting layer produced thereby.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은In order to achieve the above object,

폴리스타이렌 고분자 용액을 도포하여 고분자 층을 형성하는 단계(단계 1); 및A step of applying a polystyrene polymer solution to form a polymer layer (step 1); And

상기 단계 1에서 형성된 고분자 층에 방사선을 조사하여 정공 수송층을 형성하는 단계(단계 2);를 포함하는, 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법을 제공한다.And forming a hole transport layer by irradiating the polymer layer formed in the step 1 with radiation (step 2).

또한, 본 발명은In addition,

상기의 제조방법으로 제조된 유기 발광 소자용 정공 수송층을 제공한다.A hole transport layer for an organic light emitting device manufactured by the above production method is provided.

나아가, 본 발명은Further,

기판;Board;

상기 기판 상부에 적층된 투명 전극층;A transparent electrode layer laminated on the substrate;

투명전극층 상부에 적층된 상기의 정공 수송층;A hole transport layer laminated on the transparent electrode layer;

상기 정공 수송층 상부에 적층된 활성층; 및An active layer stacked on the hole transport layer; And

상기 활성층 상부에 적층된 음극;을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.And a cathode stacked on the active layer.

더욱 나아가, 본 발명은Further,

기판 상부에 투명 전극층을 형성하는 단계(단계 1);Forming a transparent electrode layer on the substrate (Step 1);

상기 단계 1에서 형성된 투명 전극층 상부에 폴리스타이렌 고분자 용액을 도포하여 고분자 층을 형성하는 단계(단계 2);Forming a polymer layer by applying a polystyrene polymer solution on the transparent electrode layer formed in Step 1 (Step 2);

상기 단계 2에서 형성된 고분자 층에 방사선을 조사하여 정공 수송층을 형성하는 단계(단계 3);Forming a hole transporting layer by irradiating the polymer layer formed in Step 2 with radiation (Step 3);

상기 단계 3에서 형성된 정공 수송층 상부에 활성층을 형성하는 단계(단계 4); 및Forming an active layer on the hole transport layer formed in step 3 (step 4); And

상기 단계 4에서 형성된 활성층 상부에 음극을 형성하는 단계(단계 5);를 포함하는, 유기 발광 소자의 제조방법을 제공한다.And forming a cathode on the active layer formed in step 4 (step 5).

본 발명에 따른 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법은 기존의 복잡한 합성 과정 또는 화학적 도핑 처리 없이 폴리스타이렌으로부터 단순 방사선 조사를 통하여 손쉽게 내용매성이 우수한 정공 수송층을 제조할 수 있다. 또한, 공정이 단순하고, 제조 직후 별다른 후처리 없이 유기 발광 소자를 구현할 수 있는 장점이 있어 다양한 유기 광전 소자에 널리 사용될 수 있다.The process for preparing a hole transport layer for an organic light emitting device according to the present invention can easily produce a hole transport layer having excellent solvent resistance through simple irradiation from polystyrene without complicated synthesis process or chemical doping process. In addition, since the process is simple, and an organic light emitting device can be realized without any post-treatment immediately after production, it can be widely used in various organic photoelectric devices.

도 1은 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 모식도이고;
도 2는 본 발명에 따른 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에서 제조된 정공 수송층의 자외선-가시광선(UV-Vis) 분석 결과 그래프이고;
도 3은 본 발명에 따른 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에서 제조된 정공 수송층의 띠 간격 분석 결과 그래프이고;
도 4는 본 발명에 따른 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에서 제조된 정공 수송층의 푸리에 적외선(FT-IR) 분광 분석 결과 그래프이고;
도 5는 본 발명에 따른 실시예 1 및 실시예 2의 단계 3에서 패턴 마스크를 사용하여 패턴을 형성한 정공 수송층을 주사 전자 현미경(SEM)으로 관찰한 사진이고;
도 6은 본 발명에 따른 실시예 1 및 실시예 2의 단계 3에서 패턴 마스크를 사용하여 패턴을 형성한 정공 수송층의 두께 측정 결과 그래프이고;
도 7은 본 발명에 따른 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1에서 제조된 정공 수송층과 ITO 기판을 원자 힘 현미경(AFM)으로 관찰한 사진이고;
도 8은 본 발명에 따른 실시예 7, 실시예 8 및 비교예 2에서 제조된 유기 발광 소자의 성능을 분석한 그래프이다.1 is a schematic view of an organic light emitting device according to the present invention;
2 is a graph showing ultraviolet-visible light (UV-Vis) analysis results of the hole transporting layer prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 according to the present invention;
3 is a graph of band gap analysis results of the hole transporting layer prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 according to the present invention;
4 is a Fourier-infrared (FT-IR) spectral analysis result of the hole transport layer prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 according to the present invention;
5 is a photograph of a hole transport layer formed by patterning using a pattern mask in Example 1 according to the present invention and Step 3 of Example 2 with a scanning electron microscope (SEM);
6 is a graph showing a thickness measurement result of a hole transport layer in which a pattern is formed using a pattern mask in Embodiment 1 according to the present invention and in Step 3 of Embodiment 2;
FIG. 7 is a photograph of the hole transport layer and the ITO substrate prepared in Example 1, Example 2, and Comparative Example 1 according to the present invention observed under an atomic force microscope (AFM); FIG.
8 is a graph illustrating the performance of the organic light emitting device manufactured in Example 7, Example 8, and Comparative Example 2 according to the present invention.

본 발명은The present invention

폴리스타이렌 고분자 용액을 도포하여 고분자 층을 형성하는 단계(단계 1); 및A step of applying a polystyrene polymer solution to form a polymer layer (step 1); And

상기 단계 1에서 형성된 고분자 층에 방사선을 조사하여 정공 수송층을 형성하는 단계(단계 2);를 포함하는, 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법을 제공한다.And forming a hole transport layer by irradiating the polymer layer formed in the step 1 with radiation (step 2).

이하, 본 발명에 따른 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법에 대하여 각 단계별로 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a hole transport layer for an organic light emitting device according to the present invention will be described in detail for each step.

먼저, 본 발명에 따른 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법에 있어서, 단계 1은 폴리스타이렌 고분자 용액을 도포하여 고분자 층을 형성하는 단계이다.First, in the method for manufacturing a hole transport layer for an organic light emitting device according to the present invention, step 1 is a step of forming a polymer layer by applying a polystyrene polymer solution.

상기 단계 1에서는 정공 수송층을 제조하기 위한 물질로 고분자를 사용하여 솔루션(Solution) 공정으로 도포하기 위해 고분자를 용매에 용해시켜 고분자 용액을 준비하고, 준비된 고분자 용액을 기판 상부에 도포하여 적절한 두께를 가지는 고분자 층을 형성시킨다.In the step 1, a polymer solution is prepared by dissolving a polymer in a solvent so as to be applied as a solution process by using a polymer as a material for preparing a hole transport layer, applying the prepared polymer solution onto the substrate, Thereby forming a polymer layer.

이때, 상기 단계 1의 고분자로는 폴리스타이렌을 사용한다. At this time, polystyrene is used as the polymer of step 1.

폴리비닐카바졸 등의 일반적으로 정공 수송층의 제조에 사용되는 고분자를 이용하여 정공 수송층을 제조하는 경우, 유기 발광 소자의 제조를 위해 정공 수송층 상부에 활성층을 적층할 때 솔루션 공정을 사용할 수 없는 문제가 있다. There is a problem that a solution process can not be used when the active layer is laminated on the hole transport layer for the production of an organic light emitting device in the case of producing a hole transport layer using a polymer generally used for producing a hole transport layer such as polyvinyl carbazole have.

구체적으로, 상기 폴리비닐카바졸 등과 같은 일반적인 정공 수송층 제조에 사용되는 고분자를 용해시키는 용매와 활성층으로 사용되는 고분자의 용매가 유사하여 솔루션 공정으로 도포하는 경우 정공 수송층이 용매에 영향을 받아 정공 수송 특성이 감소하는 문제가 있다.Specifically, when the solvent used to dissolve the polymer used in the production of a general hole transport layer such as polyvinylcarbazole and the polymer used as the active layer is similar to that of the polymer used in the solution process, the hole transport layer is affected by the solvent, Is reduced.

반면, 본 발명에서는, 정공 수송층으로 사용되지 않았던 폴리스타이렌을 사용하되, 후속공정인 방사선 조사를 통해 폴리스타이렌의 화학적 특성을 변화시키며, 이를 통해 기존에는 사용되지 않았던 폴리스타이렌이 정공 수송 특성을 나타내도록 할 수 있다.On the other hand, in the present invention, polystyrene which is not used as a hole transport layer is used, but the chemical property of polystyrene is changed through irradiation of a subsequent process, thereby allowing the previously unused polystyrene to exhibit the hole transporting property .

아울러, 정공 수송층 상부에 활성층을 도포할 시에도, 솔루션 공정으로 간단하게 활성층을 도포할 수 있는 장점이 있다.In addition, when the active layer is applied to the upper portion of the hole transporting layer, the active layer can be simply applied to the solution process.

한편, 상기 단계 1의 고분자 용액은 고분자를 용매에 용해시킨 것으로서, 상기 용매로는 디메틸포름아미드(Dimethylformamide), 포름알데히드(Formaldehyde), 클로로포름(Chloroform), 디메틸아세트아미드(Dimethylacetamide), 피리딘(Pyridine), 벤조피리딘(Quinoline), 벤젠(Benzene), 자일렌(Xylene), 톨루엔(Toluene), 다이옥산(1,4-Dioxane), 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran), 디에틸에테르(Diethyl ether), 디메틸설폭사이드(Dimethyl sulfoxide), n-메틸피롤리돈(n-Methyl-2-pyrrolidone) 등의 용매를 사용할 수 있다. 그러나, 상기 용매가 이에 제한되는 것은 아니며, 폴리스타이렌을 용해시키기 위한 통상적인 유기 용매를 사용할 수 있다.Meanwhile, the polymer solution of step 1 is prepared by dissolving a polymer in a solvent, and examples of the solvent include dimethylformamide, formaldehyde, chloroform, dimethylacetamide, pyridine, , Quinoline, benzene, xylene, toluene, 1,4-dioxane, tetrahydrofuran, diethyl ether, dimethyl sulfoxide Dimethyl sulfoxide, n-methyl-2-pyrrolidone and the like can be used. However, the solvent is not limited thereto, and conventional organic solvents for dissolving polystyrene may be used.

이때, 상기 단계 1의 폴리스타이렌 고분자 용액의 폴리스타이렌 함량은 전체 고분자 용액에 대하여 0.01 내지 20 중량%인 것이 바람직하다. 상기 단계 1의 고분자 용액의 폴리스타이렌 함량이 전체 고분자 용액에 대하여 0.01 중량% 미만일 경우에는 박막이 잘 형성되지 않는 문제가 있으며, 20 중량%를 초과할 경우에는 불투명한 박막이 형성되거나, 두꺼운 막이 형성되어 전자빔이나 이온빔 등의 방사선이 통과하지 못하는 문제가 있다.At this time, the polystyrene content of the polystyrene polymer solution in step 1 is preferably 0.01 to 20% by weight based on the total polymer solution. When the polystyrene content of the polymer solution of the step 1 is less than 0.01% by weight based on the total polymer solution, the thin film is not formed well. When the polystyrene content is more than 20% by weight, an opaque thin film is formed or a thick film is formed There is a problem that radiation such as an electron beam or an ion beam can not pass through.

또한, 상기 단계 1의 폴리스타이렌 고분자 용액은 유기 발광 소자를 제조하기 위한 전도성 기판 상부에 도포될 수 있다. 이때, 상기 전도성 기판은 투명 전도성 기판을 사용할 수 있으며, 상기 투명 전도성 기판은 투명 기판 상부에 전도성 투명 전극이 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 상기 투명 기판으로는 투명성을 갖는 물질이라면 제한 없이 사용할 수 있으며, 투명한 유리 기판 또는 투명 고분자 기판이 사용될 수 있다. The polystyrene polymer solution of step 1 may be applied on a conductive substrate for manufacturing an organic light emitting device. At this time, the conductive substrate may be a transparent conductive substrate, and the transparent conductive substrate may have a structure in which a conductive transparent electrode is formed on a transparent substrate. As the transparent substrate, any material having transparency can be used without limitation, and a transparent glass substrate or a transparent polymer substrate can be used.

예를 들어, 상기 투명 고분자 기판의 재료로는 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate, PEN), 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 폴리프로필렌(Polypropylene, PP), 폴리이미드(Polyimide, PI) 및 트리아세틸 셀룰로오스(Triacetylcellulose, TAC) 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.For example, as a material of the transparent polymer substrate, a material such as a polyethylene terephthalate (PET), a polyethylene naphthalate (PEN), a polycarbonate (PC), a polypropylene (PP), a polyimide , PI) and triacetylcellulose (TAC), but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 투명 전도성 기판은 일반적으로 사용되는 것에서 선택하여 사용할 수 있으며, 예를 들어, 투명 기판 상에, 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide; ZnO:Al;), 산화인듐주석(ITO;indium-tin oxide), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄주석(ATO;Aluminium-tin oxide; SnO2:Al), 불소함유 산화주석(FTO: Fluorine-doped tin oxide), 그래핀(graphene), 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS 등의 전도성 투명 전극이 코팅된 것을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In addition, the transparent conductive substrate can be selected from commonly used ones. For example, the transparent conductive substrate may be formed by depositing aluminum-doped zinc oxide (AZO; ZnO: Al), indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO), aluminum-tin oxide (SnO 2 : Al), fluorine-doped tin oxide (FTO), graphene ), Carbon nanotubes, and conductive transparent electrodes such as PEDOT: PSS may be used, but the present invention is not limited thereto.

나아가, 상기 단계 1에서 고분자 층은 폴리스타이렌 고분자 용액을 기판에 도포하여 형성할 수 있으며, 상기 폴리스타이렌 고분자 용액을 도포하는 방법은 롤코팅법, 스프레이코팅법, 함침코팅법, 스핀코팅법 등의 방법을 사용할 수 있다. 바람직하게는 스핀코팅법을 사용하여 도포할 수 있다.Further, in the step 1, the polymer layer may be formed by applying a polystyrene polymer solution to a substrate. The polystyrene polymer solution may be applied by a roll coating method, a spray coating method, an impregnation coating method or a spin coating method Can be used. Preferably, it can be applied by using a spin coating method.

또한, 상기 단계 1에서 형성된 고분자 층의 두께는 1 내지 30 nm인 것이 바람직하다. 만약, 상기 단계 1에서 형성된 고분자 층의 두께가 1 nm 미만일 경우에는 방사선을 사용하여 정공 수송층 제조 후, 유기 발광 소자에 적용 시에 너무 얇은 두께로 정공 수송 특성이 현저히 떨어지는 문제가 있으며, 30 nm를 초과하는 경우에는 너무 두꺼운 두께로 인하여 유기 발광 소자의 효율이 떨어지는 문제가 있다.The thickness of the polymer layer formed in step 1 is preferably 1 to 30 nm. If the thickness of the polymer layer formed in the step 1 is less than 1 nm, there is a problem that the hole transporting property is remarkably reduced to a thickness too thin when applied to an organic light emitting device after the manufacture of a hole transport layer using radiation, There is a problem that the efficiency of the organic light emitting diode is deteriorated due to too large thickness.

다음으로, 본 발명에 따른 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법에 있어서, 단계 2는 상기 단계 1에서 형성된 고분자 층에 방사선을 조사하여 정공 수송층을 제조하는 단계이다.Next, in the method for manufacturing a hole transporting layer for an organic light emitting device according to the present invention, Step 2 is a step of preparing a hole transporting layer by irradiating the polymer layer formed in Step 1 with radiation.

상기 단계 2는 고분자 층에 방사선을 조사하여 정공 수송층을 제조하는 단계로써, 기존의 복잡한 합성 과정 또는 화학적 도핑 처리 없이 값싼 폴리스타이렌 고분자로부터 단순 방사선 조사를 통하여 손쉽게 내용매성이 우수한 정공 수송층을 제조할 수 있다.Step 2 is a step of preparing a hole transporting layer by irradiating the polymer layer with radiation, and it is possible to easily produce a hole transporting layer having excellent solvent resistance through simple irradiation from an inexpensive polystyrene polymer without complicated synthesis process or chemical doping process .

구체적으로, 상기 단계 2의 방사선은 이온빔, 전자빔, 감마선, 알파선, 베타선 등의 방사선을 사용할 수 있다.Specifically, the radiation of step 2 may be an ion beam, an electron beam, a gamma ray, an alpha ray, a beta ray, or the like.

상기 단계 2의 방사선을 이용하는 방법은 다른 일반적인 화학 첨가제의 의한 반응과 비교하여 유해한 촉매 등이 필요 없어 깨끗한 수단임과 동시에, 고체 상태나 저온에서도 화학 반응을 일으킬 수 있다. 또한, 단시간에 처리가 가능하기 때문에 에너지 소비도 적은 장점이 있다.The method of using the radiation of step 2 above is not only a clean means but also a chemical reaction in a solid state or at a low temperature as compared with the reaction by other general chemical additives. In addition, since the process can be performed in a short time, energy consumption is also advantageous.

상기 방사선 조사는 고분자 층의 열적 변형 또는 분해를 방지하기 위하여 상온에서 수행하는 것이 효과적이다.The irradiation with the radiation is effective at room temperature to prevent thermal deformation or decomposition of the polymer layer.

또한, 상기 단계 2의 방사선으로 이온빔을 사용할 경우, 탄소, 산소, 수소, 아르곤, 헬륨, 네온, 제논 등의 가스들을 1 종 이상 주입하여 사용할 수 있다. 또한, 상기 이온빔의 전류밀도는 0.1 내지 30 ㎂/cm2 인 이온빔을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 0.1 내지 10 ㎂/cm2 인 이온빔을 사용할 수 있다. 상기 이온빔의 전류밀도가 0.1 ㎂/cm2 미만일 경우에는 화학적 변화가 약하여 정공 수송 특성이 나오지 않는 문제가 있으며, 전류밀도가 10 ㎂/cm2 초과일 경우에는 고분자 층에 열적 및 모폴로지 변화가 많이 야기되어 정공 수송 특성이 현저히 떨어지는 문제가 있다.When the ion beam is used as the radiation of step 2, one or more gases such as carbon, oxygen, hydrogen, argon, helium, neon, and xenon may be injected. Also, the ion beam may have an electric current density of 0.1 to 30 / / cm 2 , preferably 0.1 to 10 / / cm 2 . When the current density of the ion beam is less than 0.1 占 / / cm 2 , there is a problem that the chemical change is weak and the hole transporting property is not exhibited. When the current density is more than 10 ㎂ / cm 2 , the polymer layer has a lot of thermal and morphological changes So that there is a problem that the hole transporting property is remarkably deteriorated.

또한, 상기 이온빔의 조사에너지는 1 내지 300 KeV이고, 총 이온 조사량은 1×1010 내지 1×1019 ions/cm2인 이온빔을 사용할 수 있다. 상기 이온빔의 총 이온 조사량을 1×1010 ions/cm2 미만으로 조사하는 경우에는 고분자 층의 화학적 변화가 충분히 일어나지 않기 때문에 정공 수송 특성이 나타나지 않는 문제가 있으며, 1×1019 ions/cm2 초과하여 조사하는 경우에는 고분자 층에 열적 및 모폴로지 변화가 많이 야기되어 정공 수송 특성이 현저히 떨어지는 문제가 있다.The irradiation energy of the ion beam is 1 to 300 keV, and the total ion dose is 1 x 10 < 10 > to 1 x 10 < 19 > ions / cm < 2 >. When irradiating the total ion dose of the ion beam to 1 × 10 under 10 ions / cm 2 has a problem because it does not occur sufficiently and chemical changes in the polymer layer is a hole transporting property it does not appear, 1 × 10 19 ions / cm 2 than There is a problem in that the polymer layer is thermally and morphologically changed to a large extent and the hole transporting property is remarkably deteriorated.

한편, 상기 단계 2의 방사선으로 전자빔을 사용할 경우, 상기 전자빔의 조사 에너지는 1 keV 내지 1 MeV이고, 총 전자 조사량은 1×1014 내지 1×1020 electrons/cm2인 전자빔을 사용할 수 있다. 상기 전자빔의 총 전자 조사량이 1×1014 electrons/cm2 미만인 경우에는, 고분자 층에 화학적 변화가 충분히 일어나지 않기 때문에 정공 수송 특성이 나타나지 않는 문제가 있으며, 1×1020 electrons/cm2 초과인 경우에는 고분자 층에 열적 및 모폴로지 변화가 많이 야기되어 정공 수송 특성이 현저히 떨어지는 문제가 있다.On the other hand, when the electron beam is used as the radiation in the step 2, the electron beam has an irradiation energy of 1 keV to 1 MeV and a total electron dose of 1 × 10 14 to 1 × 10 20 electrons / cm 2 . When the total electron dose of the electron beam is less than 1 x 10 14 electrons / cm 2 , there is a problem that the hole transporting property is not exhibited due to insufficient chemical change in the polymer layer, and when the electron dose is more than 1 x 10 20 electrons / cm 2 There is a problem in that the polymer layer is thermally and morphologically changed to a large extent and thus the hole transporting property is remarkably deteriorated.

상기와 같이, 방사선을 조사하는 단순한 공정을 통해, 정공 수송층의 제조에 사용되지 않았던 고분자인 폴리스타이렌을 이용하여 정공 수송 특성을 보이는 정공 수송층을 제조할 수 있다.As described above, a hole transporting layer exhibiting hole transporting characteristics can be produced by using a polystyrene which is not used in the production of a hole transporting layer through a simple process of irradiating radiation.

이때, 종래 기술에서는 폴리비닐카바졸 등과 같이 일반적으로 정공 수송층의 제조에 사용되는 고분자로 정공 수송층을 제조하는 경우, 유기 발광 소자의 제조를 위해 정공 수송층 상부에 활성층을 적층할 때 솔루션 공정을 사용할 수 없는 문제가 있다. 구체적으로, 상기 폴리비닐카바졸 등과 같은 일반적인 정공 수송층 제조에 사용되는 고분자를 용해시키는 용매와 활성층으로 사용되는 고분자의 용매가 유사하여 솔루션 공정으로 도포하는 경우 정공 수송층이 용매에 영향을 받아 정공 수송 특성이 감소하는 문제가 있다.In this case, in the case where a hole transport layer is prepared using a polymer generally used in the production of a hole transport layer, such as polyvinyl carbazole, a solution process can be used to laminate the active layer on the hole transport layer There is no problem. Specifically, when the solvent used to dissolve the polymer used in the production of a general hole transport layer such as polyvinylcarbazole and the polymer used as the active layer is similar to that of the polymer used in the solution process, the hole transport layer is affected by the solvent, Is reduced.

반면, 본 발명에 따른 방사선 조사를 통해 제조된 정공 수송층은 폴리스타이렌 고분자의 화학적 특성이 변하여, 정공 수송층 상부에 활성층을 도포하는 경우 솔루션 공정으로 간단하게 도포할 수 있는 장점이 있다.On the other hand, the hole transporting layer prepared through irradiation with radiation according to the present invention has an advantage that the chemical properties of the polystyrene polymer are changed, and the active layer can be simply applied to the solution transporting layer when the active layer is coated on the hole transporting layer.

또한, 정공 수송층으로 사용되지 않았던 폴리스타이렌 고분자에 방사선 조사를 시킴으로써, 정공 수송 특성을 나타낼 수 있는 장점이 있다.In addition, by irradiating a polystyrene polymer which has not been used as a hole transporting layer with radiation, there is an advantage that a hole transporting property can be exhibited.

나아가, 본 발명은Further,

상기의 제조방법으로 제조된 유기 발광 소자용 정공 수송층을 제공한다.A hole transport layer for an organic light emitting device manufactured by the above production method is provided.

본 발명에 따른 제조방법으로 제조된 유기 발광 소자용 정공 수송층은, 정공 수송층으로 사용되지 않았던 폴리스타이렌 고분자에 방사선을 통해 화학적 변화를 가해 형성된 정공 수송층으로써, 기존의 복잡한 합성 과정 또는 화학적 도핑 처리 없이 값싼 폴리스타이렌 고분자로부터 단순 방사선 조사를 통하여 손쉽게 얻을 수 있으며, 내용매성이 우수한 특성이 있다.The hole transport layer for an organic light emitting device manufactured by the manufacturing method according to the present invention is a hole transport layer formed by chemically changing a polystyrene polymer that has not been used as a hole transport layer through radiation, The polymer can be easily obtained through simple irradiation with radiation and has excellent solvent resistance.

구체적으로, 방사선을 조사하는 단순한 공정을 통해 정공 수송층의 제조에 사용되지 않았던 폴리스타이렌 고분자를 이용하여 정공 수송 특성을 보이는 정공 수송층을 형성할 수 있다.Specifically, a hole transport layer exhibiting hole transport characteristics can be formed by using a polystyrene polymer that has not been used in the manufacture of a hole transport layer through a simple process of irradiating radiation.

이때, 종래 기술에서는 폴리비닐카바졸 등과 같이 일반적으로 정공 수송층의 제조에 사용되는 고분자로 정공 수송층을 제조하는 경우, 유기 발광 소자의 제조를 위해 정공 수송층 상부에 활성층을 적층할 때 솔루션 공정을 사용할 수 없는 문제가 있다. 구체적으로, 상기 폴리비닐카바졸 등과 같은 일반적인 정공 수송층 제조에 사용되는 고분자를 용해시키는 용매와 활성층으로 사용되는 고분자의 용매가 유사하여 솔루션 공정으로 도포하는 경우 정공 수송층이 용매에 영향을 받아 정공 수송 특성이 감소하는 문제가 있다.In this case, in the case where a hole transport layer is prepared using a polymer generally used in the production of a hole transport layer, such as polyvinyl carbazole, a solution process can be used to laminate the active layer on the hole transport layer There is no problem. Specifically, when the solvent used to dissolve the polymer used in the production of a general hole transport layer such as polyvinylcarbazole and the polymer used as the active layer is similar to that of the polymer used in the solution process, the hole transport layer is affected by the solvent, Is reduced.

반면, 본 발명에 따른 방사선 조사를 통해 제조된 정공 수송층은 폴리스타이렌 고분자의 화학적 특성이 변하여, 정공 수송층 상부에 활성층을 도포하는 경우에도 솔루션 공정으로 간단하게 도포할 수 있는 장점이 있다.On the other hand, the hole transporting layer produced by the irradiation of the present invention has the advantage that the chemical properties of the polystyrene polymer are changed, so that even when the active layer is coated on the hole transporting layer, it can be simply applied to the solution process.

나아가, 본 발명은Further,

기판;Board;

상기 기판 상부에 적층된 투명 전극층;A transparent electrode layer laminated on the substrate;

투명전극층 상부에 적층된 상기의 정공 수송층;A hole transport layer laminated on the transparent electrode layer;

상기 정공 수송층 상부에 적층된 활성층; 및An active layer stacked on the hole transport layer; And

상기 활성층 상부에 적층된 음극;을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.And a cathode stacked on the active layer.

이하, 본 발명에 따른 유기 발광 소자를 일례로써, 도 1에 도시한 구조의 유기 발광 소자를 참고하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting device according to the present invention will be described in detail with reference to an organic light emitting device having a structure shown in FIG.

본 발명에 따른 유기 발광 소자(10)에 있어서, 상기 기판(1)은 적절한 물성을 가지고 유기 발광 소자에 필요한 물질(정공 수송층, 활성층, 음극 등)들을 지지할 수 있는 기판이면 제한 없이 사용할 수 있으며, 투명한 유리 기판 또는 투명 고분자 기판을 사용할 수 있다. In the organic light emitting device 10 according to the present invention, the substrate 1 can be used without limitation as long as it can support materials (a hole transport layer, an active layer, a cathode, and the like) , A transparent glass substrate or a transparent polymer substrate can be used.

예를 들어, 상기 투명 고분자 기판의 재료로는 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate, PEN), 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 폴리프로필렌(Polypropylene, PP), 폴리이미드(Polyimide, PI) 및 트리아세틸 셀룰로오스(Triacetylcellulose, TAC) 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.For example, as a material of the transparent polymer substrate, a material such as a polyethylene terephthalate (PET), a polyethylene naphthalate (PEN), a polycarbonate (PC), a polypropylene (PP), a polyimide , PI) and triacetylcellulose (TAC), but the present invention is not limited thereto.

본 발명에 따른 유기 발광 소자(10)에 있어서, 상기 투명 전극층(2)은 상기 기판(1) 상부에 적층된다. In the organic light emitting device 10 according to the present invention, the transparent electrode layer 2 is laminated on the substrate 1.

상기 투명 전극층(2)으로는 예를 들면, 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide; ZnO:Al;), 산화인듐주석(ITO;indium-tin oxide), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄주석(ATO;Aluminium-tin oxide; SnO2:Al), 불소함유 산화주석(FTO: Fluorine-doped tin oxide), 그래핀(graphene), 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS 등을 사용할 수 있다.As the transparent electrode layer 2, for example, aluminum-doped zinc oxide (AZO), indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO) It may be used PSS including: (: Al SnO 2 ATO; ; Aluminium-tin oxide), fluorine tin oxide (FTO: fluorine-doped tin oxide ), graphene (graphene), carbon nanotubes and PEDOT aluminum tin oxide.

본 발명에 따른 유기 발광 소자(10)에 있어서, 상기 정공 수송층(3)은 상기 투명 전극층(2) 상부에 적층된다. 이때, 상기 정공 수송층은 본 발명에 따른 제조방법으로 제조된 정공 수송층을 사용한다.In the organic light emitting device 10 according to the present invention, the hole transport layer 3 is deposited on the transparent electrode layer 2. At this time, the hole transport layer uses the hole transport layer manufactured by the manufacturing method according to the present invention.

본 발명에 따른 제조방법으로 제조된 유기 발광 소자(10)용 정공 수송층(3)은 일반적으로 정공 수송층에 사용되는 고분자가 아닌, 정공 수송층으로 사용되지 않는 폴리스타이렌 고분자에 방사선을 통해 화학적 변화를 가해 형성된 정공 수송층으로써, 기존의 복잡한 합성 과정 또는 화학적 도핑 처리 없이 값싼 폴리스타이렌 고분자로부터 단순 방사선 조사를 통하여 손쉽게 얻을 수 있으며, 내용매성이 우수한 특성이 있다.The hole transport layer (3) for the organic light emitting device (10) manufactured by the manufacturing method according to the present invention is not a polymer used for a hole transport layer but is formed by applying a chemical change to a polystyrene polymer not used as a hole transport layer As a hole transport layer, it can be easily obtained from cheap polystyrene polymer by simple irradiation without complicated synthetic process or chemical doping treatment, and has excellent solvent resistance.

이때, 상기 정공 수송층의 두께는 1 내지 30 nm인 것이 바람직하다. 만약, 상기 정공 수송층의 두께가 1 nm 미만일 경우에는 너무 얇은 두께로 정공 수송 특성이 현저히 떨어지는 문제가 있으며, 30 nm를 초과하는 경우에는 너무 두꺼운 두께로 인하여 유기 발광 소자의 효율이 떨어지는 문제가 있다.At this time, the thickness of the hole transport layer is preferably 1 to 30 nm. If the thickness of the hole transporting layer is less than 1 nm, the hole transporting property may be excessively reduced due to the thickness of the hole transporting layer. If the thickness of the hole transporting layer is more than 30 nm, the efficiency of the organic light emitting diode may be decreased.

본 발명에 따른 유기 발광 소자(10)에 있어서, 상기 활성층(4)은 상기 정공 수송층(3) 상부에 적층된다.In the organic light emitting device 10 according to the present invention, the active layer 4 is stacked on the hole transport layer 3.

상기 활성층(4)으로는 예를 들면, 폴리페닐렌비닐렌(PPV)계 고분자 및 이의 유도체, 폴리페닐렌(PPP)계 고분자 및 이의 유도체, 폴리티오펜(PT)계 고분자 및 이의 유도체 또는 폴리플루오렌(PF)계 고분자 및 이의 유도체, 폴리스피로플루오렌(PSF)계 고분자 및 이의 유도체 등이 포함되나 이에 제한되는 것은 아니다. 이 중, 폴리플루오렌계 고분자 및 이의 유도체가 바람직하다. 더욱 구체적인 예로써, 폴리(2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)(Poly(2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylnenvinylene, MEH-PPV), 전자 친화력이 큰 치환체인 시아노기(-CN)를 도입한 CN-PPV, PPV의 공액 길이를 균일하게 조절한 CNMBC(Conjugated-nonconjugated multiblock copolymer), 폴리(3-알킬-티오펜(Poly(3-alkyl-thiophene, PAT), 9-알킬-플루오렌계 고분자, 9,9-디알킬-플루오렌계 고분자, 스피로플루오렌계 고분자 등이 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Examples of the active layer 4 include polyphenylene vinylene (PPV) -based polymers and derivatives thereof, polyphenylene (PPP) -based polymers and derivatives thereof, polythiophene (PT) But are not limited to, fluorene (PF) -based polymers and derivatives thereof, polystyprofluorene (PSF) -based polymers and derivatives thereof, and the like. Of these, polyfluorene-based polymers and derivatives thereof are preferable. As a more specific example, the poly (2-methoxy-5- (2-ethylhexyloxy) -1,4 CN-PPV incorporating a cyano group (-CN) having a large electron affinity, Conjugated-nonconjugated multiblock copolymer (CNMBC) having a uniform conjugate length of PPV, poly (3-alkyl But are not limited to, poly (3-alkyl-thiophene, PAT), 9-alkyl-fluorene polymers, 9,9-dialkyl-fluorene polymers, spirofluorene polymers .

상기 활성층(4)은 상기 다양한 물질들 중 하나의 물질 또는 2 가지 이상의 서로 다른 물질들로 이루어질 수도 있다.The active layer 4 may be formed of one of the various materials or two or more different materials.

한편, 상기 활성층(4)은 2.41 eV 내지 2.80 eV의 에너지 밴드 갭을 갖는 청색 발광 물질, 2.21 eV 내지 2.40 eV의 에너지 밴드 갭을 갖는 녹색 발광 물질 또는 1.90 eV 내지 2.20 eV의 에너지 밴드 갭을 갖는 적색 발광 물질 등을 포함할 수 있다. On the other hand, the active layer 4 is formed of a blue light emitting material having an energy band gap of 2.41 eV to 2.80 eV, a green light emitting material having an energy band gap of 2.21 eV to 2.40 eV or a red light emitting material having an energy band gap of 1.90 eV to 2.20 eV A light emitting material, and the like.

상기 청색 발광 물질의 구체적인 예로는 폴리(2,7(9,9'-di-n-옥틸프루오렌)-(1,4-페닐렌-((4-sec-부틸페닐)이미노)-1,4-페닐렌))(Poly-(2,7(9,9'-di-n-octylfluorene)-(1,4-phenylene-((4-sec-buthylphenyl)imino)-1,4-phenylene), TFB)을 들 수 있고, 상기 녹색 발광 물질의 예로는 폴리(2,7(9,9-di-n-옥틸 플루오렌)-3,6-벤조싸이아다이아졸)(Poly(2,7(9,9'-di-n-octyl fluorine)-3,6-benzothiadiazole, F8BT)을 들 수 있으며, 상기 적색 발광 물질의 구체적인 예로는 폴리(2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)(Poly(2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylnenvinylene, MEH-PPV)을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Specific examples of the blue light emitting material include poly (2,7 (9,9'-di-n-octylfluorene) - (1,4-phenylene- , 4-phenylene)) (Poly- (2,7 (9,9'-di-n-octylfluorene) - (1,4- ), TFB), and examples of the green luminescent material include poly (2,7 (9,9-di-n-octylfluorene) -3,6-benzothiadiazole) (9,9'-di-n-octyl fluorine) -3,6-benzothiadiazole, F8BT). Specific examples of the red luminescent material include poly (2-methoxy- Poly (2-methoxy-5- (2-ethylhexyloxy) -1,4-phenylenevinylene, MEH-PPV).

상기 활성층(4)의 두께는 10 내지 300 nm, 바람직하게는 50 내지 200 nm일 수 있다. 상기 활성층의 두께가 10 nm 미만인 경우, 누설 전류가 많아 효율이 낮아지고 수명이 짧아지는 문제가 있으며, 상기 활성층의 두께가 300 nm를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있는 문제가 있다.The thickness of the active layer 4 may be 10 to 300 nm, preferably 50 to 200 nm. When the thickness of the active layer is less than 10 nm, there is a problem that the efficiency is low and the lifetime is short due to a large leakage current. If the thickness of the active layer exceeds 300 nm, the driving voltage may increase.

본 발명에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 음극(5) 상기 활성층(4) 상부에 적층된다.In the organic light emitting device according to the present invention, the cathode (5) is laminated on the active layer (4).

상기 음극(5)의 재료로서, 일함수가 낮은 것이 바람직하다. 예를 들면, 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 알루미늄, 스칸듐, 바나듐, 아연, 이트륨, 인듐, 세륨, 사마륨, 유로퓸, 테르븀, 이테르븀 등의 금속, 이들 두 개 이상을 포함하는 합금, 이들 하나 이상과 금, 은, 백금, 구리, 망간, 티탄, 코발트, 니켈, 텅스텐 및 아연 중의 하나 이상과의 합금, 흑연 또는 흑연 층간 화합물 등이 사용될 수 있다. 합금의 예로는 마그네슘-은 함금, 마그네슘-인듐 합금, 마그네슘-알루미늄 합금, 인듐-은 합금, 리튬-알루미늄 합금, 리튬-망간 합금, 리튬-인듐 합금, 칼슘-알루미늄 합금 등이 포함될 수 있다. 음극은 2 층 이상의 적층 구조로 형성시킬 수 있다. As the material of the cathode 5, it is preferable that the work function is low. Metals such as lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, An alloy including at least one of them, an alloy of at least one of these with at least one of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten and zinc, graphite or graphite intercalation compound. Examples of the alloys may include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium-manganese alloy, lithium-indium alloy and calcium-aluminum alloy. The negative electrode can be formed in a laminated structure of two or more layers.

상기 음극(5)의 두께는 광 투과율 및 전기 전도율을 고려하면서 적합하게 선택될 수 있으며, 예를 들면, 10 nm 내지 10 ㎛, 바람직하게는 20 nm 내지 1 ㎛일 수 있다.The thickness of the cathode 5 may be suitably selected in consideration of the light transmittance and the electric conductivity, and may be, for example, 10 nm to 10 탆, preferably 20 nm to 1 탆.

상기 음극(5)의 제작방법으로서, 진공 증착법, 스퍼터링법, 금속 박막이 열 및 압력하에 부착되는 적층법 등을 사용할 수 있다. As a method for producing the cathode 5, a vacuum deposition method, a sputtering method, a lamination method in which a metal thin film is adhered under heat and pressure, or the like can be used.

또한, 본 발명은In addition,

기판 상부에 투명 전극층을 형성하는 단계(단계 1);Forming a transparent electrode layer on the substrate (Step 1);

상기 단계 1에서 형성된 투명 전극층 상부에 폴리스타이렌 고분자 용액을 도포하여 고분자 층을 형성하는 단계(단계 2);Forming a polymer layer by applying a polystyrene polymer solution on the transparent electrode layer formed in Step 1 (Step 2);

상기 단계 2에서 형성된 고분자 층에 방사선을 조사하여 정공 수송층을 형성하는 단계(단계 3);Forming a hole transporting layer by irradiating the polymer layer formed in Step 2 with radiation (Step 3);

상기 단계 3에서 형성된 정공 수송층 상부에 활성층을 형성하는 단계(단계 4); 및Forming an active layer on the hole transport layer formed in step 3 (step 4); And

상기 단계 4에서 형성된 활성층 상부에 음극을 형성하는 단계(단계 5);를 포함하는 상기에 따른 유기 발광 소자의 제조방법을 제공한다.And forming a cathode on the active layer formed in step 4 (step 5).

이하, 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조방법에 대하여 각 단계별로 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

먼저, 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조방법에 있어서, 단계 1은 기판 상부에 투명 전극층을 형성하는 단계이다.First, in the method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention, step 1 is a step of forming a transparent electrode layer on a substrate.

상기 단계 1의 기판은 적절한 물성을 가지고 유기 발광 소자에 필요한 물질(정공 수송층, 활성층, 음극 등)들을 지지할 수 있는 기판이면 제한 없이 사용할 수 있으며, 투명한 유리 기판 또는 투명 고분자 기판을 사용할 수 있다. The substrate of step 1 can be used without limitation as long as it can support materials (a hole transport layer, an active layer, a cathode, and the like) necessary for an organic light emitting device with appropriate physical properties, and a transparent glass substrate or a transparent polymer substrate can be used.

예를 들어, 상기 투명 고분자 기판의 재료로는 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate, PEN), 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 폴리프로필렌(Polypropylene, PP), 폴리이미드(Polyimide, PI) 및 트리아세틸 셀룰로오스(Triacetylcellulose, TAC) 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. For example, as a material of the transparent polymer substrate, a material such as a polyethylene terephthalate (PET), a polyethylene naphthalate (PEN), a polycarbonate (PC), a polypropylene (PP), a polyimide , PI) and triacetylcellulose (TAC), but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 단계 1의 투명 전극층으로는 예를 들면, 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide; ZnO:Al;), 산화인듐주석(ITO;indium-tin oxide), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄주석(ATO;Aluminium-tin oxide; SnO2:Al), 불소함유 산화주석(FTO: Fluorine-doped tin oxide), 그래핀(graphene), 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS 등을 사용할 수 있다.The transparent electrode layer in the step 1 may be, for example, aluminum-doped zinc oxide (AZO), indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO) ), aluminum tin (ATO oxide; Aluminium-tin oxide; SnO 2 : Al), the fluorine-containing tin oxide (FTO: fluorine-doped tin oxide), graphene (graphene), carbon nanotubes and PEDOT: available PSS, etc. have.

이때, 상기 단계 1의 투명 전극층을 형성하는 방법으로는 스퍼터링, 금속유기화학증착(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD) 등을 사용할 수 있다.In this case, the transparent electrode layer may be formed by sputtering, metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), or the like.

다음으로, 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조방법에 있어서, 단계 2는 상기 단계 1에서 형성된 투명 전극층 상부에 폴리스타이렌 고분자 용액을 도포하여 고분자 층을 형성하는 단계이다.Next, in the method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention, step 2 is a step of forming a polymer layer by applying a polystyrene polymer solution on the transparent electrode layer formed in step 1 above.

상기 단계 2에서는 정공 수송층을 제조하기 위한 물질인 폴리스타이렌 고분자를 사용하되, 특히 솔루션(Solution) 공정으로 도포하기 위해 폴리스타이렌 고분자를 용매에 용해시켜 고분자 용액을 준비하고, 상기 고분자 용액을 투명 전극층 상부에 도포하여 적절한 두께를 가지는 고분자 층을 형성시킨다.In step 2, a polystyrene polymer, which is a material for preparing a hole transport layer, is used. In particular, a polystyrene polymer is dissolved in a solvent to prepare a polymer solution for application by a solution process, and the polymer solution is applied onto the transparent electrode layer Thereby forming a polymer layer having an appropriate thickness.

또한, 상기 단계 2의 고분자 용액은 고분자를 용매에 용해시킨 것으로서, 상기 용매로는 디메틸포름아미드(Dimethylformamide), 포름알데히드(Formaldehyde), 클로로포름(Chloroform), 디메틸아세트아미드(Dimethylacetamide), 피리딘(Pyridine), 벤조피리딘(Quinoline), 벤젠(Benzene), 자일렌(Xylene), 톨루엔(Toluene), 다이옥산(1,4-Dioxane), 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran), 디에틸에테르(Diethyl ether), 디메틸설폭사이드(Dimethyl sulfoxide), n-메틸피롤리돈(n-Methyl-2-pyrrolidone) 등의 용매를 사용할 수 있다. 그러나, 상기 용매가 이에 제한되는 것은 아니며, 통상적인 폴리스타이렌 고분자를 용해시키기 위한 유기 용매를 사용할 수 있다.The polymer solution of step 2 is prepared by dissolving a polymer in a solvent. Examples of the solvent include dimethylformamide, formaldehyde, chloroform, dimethylacetamide, pyridine, , Quinoline, benzene, xylene, toluene, 1,4-dioxane, tetrahydrofuran, diethyl ether, dimethylsulfoxide, Dimethyl sulfoxide, n-methyl-2-pyrrolidone and the like can be used. However, the solvent is not limited thereto, and an organic solvent for dissolving a conventional polystyrene polymer may be used.

이때, 상기 단계 2의 폴리스타이렌 고분자 용액의 폴리스타이렌 함량은 전체 고분자 용액에 대하여 0.01 내지 20 중량%인 것이 바람직하다. 상기 단계 2의 고분자 용액의 폴리스타이렌 함량이 전체 고분자 용액에 대하여 0.01 중량% 미만일 경우에는 박막이 잘 형성되지 않는 문제가 있으며, 20 중량%를 초과할 경우에는 불투명한 박막이 형성되거나, 두꺼운 막이 형성되어 전자빔이나 이온빔 등의 방사선이 통과하지 못하는 문제가 있다.At this time, the polystyrene content of the polystyrene polymer solution in step 2 is preferably 0.01 to 20% by weight based on the total polymer solution. When the polystyrene content of the polymer solution of step 2 is less than 0.01% by weight based on the total polymer solution, there is a problem that the thin film is not formed well. When the polystyrene content exceeds 20% by weight, an opaque thin film is formed or a thick film is formed There is a problem that radiation such as an electron beam or an ion beam can not pass through.

또한, 상기 단계 2에서 폴리스타이렌 고분자 용액을 도포하는 방법은 롤코팅법, 스프레이코팅법, 함침코팅법, 스핀코팅법 등의 방법을 사용할 수 있다. 바람직하게는 스핀코팅법을 사용하여 도포할 수 있다.The method of applying the polystyrene polymer solution in the step 2 may be a roll coating method, a spray coating method, an impregnation coating method or a spin coating method. Preferably, it can be applied by using a spin coating method.

나아가, 상기 단계 2에서 형성된 고분자 층의 두께는 1 내지 30 nm인 것이 바람직하다. 만약, 상기 단계 2에서 형성된 고분자 층의 두께가 1 nm 미만일 경우에는 방사선을 사용하여 정공 수송층 제조 후, 유기 발광 소자에 적용 시에 너무 얇은 두께로 정공 수송 특성이 현저히 떨어지는 문제가 있으며, 30 nm를 초과하는 경우에는 너무 두꺼운 두께로 인하여 유기 발광 소자의 효율이 떨어지는 문제가 있다.Further, the thickness of the polymer layer formed in step 2 is preferably 1 to 30 nm. If the thickness of the polymer layer formed in step 2 is less than 1 nm, there is a problem that the hole transporting property is remarkably decreased to a thickness too thin when applied to an organic light emitting device after the manufacture of a hole transport layer using radiation, There is a problem that the efficiency of the organic light emitting diode is deteriorated due to too large thickness.

다음으로, 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조방법에 있어서, 단계 3은 상기 단계 2에서 형성된 고분자 층에 방사선을 조사하여 정공 수송층을 형성하는 단계이다.Next, in the method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention, Step 3 is a step of forming a hole transport layer by irradiating the polymer layer formed in Step 2 with radiation.

상기 단계 3은 고분자 층에 방사선을 조사하여 정공 수송층을 제조하는 단계로써, 기존의 복잡한 합성 과정 또는 화학적 도핑 처리 없이 값싼 폴리스타이렌 고분자로부터 단순 방사선 조사를 통하여 손쉽게 내용매성이 우수한 정공 수송층을 제조할 수 있다.Step 3 is a step of preparing a hole transport layer by irradiating the polymer layer with radiation, and it is possible to easily produce a hole transport layer having excellent solvent resistance through simple irradiation from an inexpensive polystyrene polymer without complicated synthesis process or chemical doping process .

구체적으로, 상기 단계 3의 방사선은 이온빔, 전자빔, 감마선, 알파선, 베타선 등의 방사선을 사용할 수 있다.Specifically, the radiation in step 3 may be an ion beam, an electron beam, a gamma ray, an alpha ray, a beta ray, or the like.

상기 단계 3의 방사선을 이용하는 방법은 다른 일반적인 화학 첨가제의 의한 반응과 비교하여 유해한 촉매 등이 필요 없어 깨끗한 수단임과 동시에, 고체 상태나 저온에서도 화학 반응을 일으킬 수 있다. 또한, 단시간에 처리가 가능하기 때문에 에너지 소비도 적은 장점이 있다.The method of using the radiation of step 3 above is not only a clean means but also a chemical reaction even in a solid state or at a low temperature as compared with the reaction by other general chemical additives. In addition, since the process can be performed in a short time, energy consumption is also advantageous.

상기 방사선 조사는 고분자 층의 열적 변형 또는 분해를 방지하기 위하여 상온에서 수행하는 것이 효과적이다.The irradiation with the radiation is effective at room temperature to prevent thermal deformation or decomposition of the polymer layer.

또한, 상기 단계 3의 방사선으로 이온빔을 사용할 경우, 탄소, 산소, 수소, 아르곤, 헬륨, 네온, 제논 등의 가스들을 1 종 이상 주입하여 사용할 수 있다. 또한, 상기 이온빔의 전류밀도는 0.1 내지 30 ㎂/cm2 인 이온빔을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 0.1 내지 10 ㎂/cm2 인 이온빔을 사용할 수 있다. 상기 이온빔의 전류밀도가 0.1 ㎂/cm2 미만일 경우에는 화학적 변화가 약하여 정공 수송 특성이 나오지 않는 문제가 있으며, 전류밀도가 10 ㎂/cm2 초과일 경우에는 고분자 층에 열적 및 모폴로지 변화가 많이 야기되어 정공 수송 특성이 현저히 떨어지는 문제가 있다.When the ion beam is used as the radiation of step 3, one or more gases such as carbon, oxygen, hydrogen, argon, helium, neon, and xenon may be injected. Also, the ion beam may have an electric current density of 0.1 to 30 / / cm 2 , preferably 0.1 to 10 / / cm 2 . When the current density of the ion beam is less than 0.1 占 / / cm 2 , there is a problem that the chemical change is weak and the hole transporting property is not exhibited. When the current density is more than 10 ㎂ / cm 2 , the polymer layer has a lot of thermal and morphological changes So that there is a problem that the hole transporting property is remarkably deteriorated.

또한, 상기 이온빔의 조사에너지는 1 내지 300 KeV이고, 총 이온 조사량은 1×1010 내지 1×1019 ions/cm2인 이온빔을 사용할 수 있다. 상기 이온빔의 총 이온 조사량을 1×1010 ions/cm2 미만으로 조사하는 경우에는 고분자 층의 화학적 변화가 충분히 일어나지 않기 때문에 정공 수송 특성이 나타나지 않는 문제가 있으며, 1×1019 ions/cm2 초과하여 조사하는 경우에는 고분자 층에 열적 및 모폴로지 변화가 많이 야기되어 정공 수송 특성이 현저히 떨어지는 문제가 있다.The irradiation energy of the ion beam is 1 to 300 keV, and the total ion dose is 1 x 10 < 10 > to 1 x 10 < 19 > ions / cm < 2 >. When irradiating the total ion dose of the ion beam to 1 × 10 under 10 ions / cm 2 has a problem because it does not occur sufficiently and chemical changes in the polymer layer is a hole transporting property it does not appear, 1 × 10 19 ions / cm 2 than There is a problem in that the polymer layer is thermally and morphologically changed to a large extent and the hole transporting property is remarkably deteriorated.

한편, 상기 단계 3의 방사선으로 전자빔을 사용할 경우, 상기 전자빔의 조사 에너지는 1 keV 내지 1 MeV이고, 총 전자 조사량은 1×1014 내지 1×1020 electrons/cm2인 전자빔을 사용할 수 있다. 상기 전자빔의 총 전자 조사량이 1×1014 electrons/cm2 미만인 경우에는, 고분자 층에 화학적 변화가 충분히 일어나지 않기 때문에 정공 수송 특성이 나타나지 않는 문제가 있으며, 1×1020 electrons/cm2 초과인 경우에는 고분자 층에 열적 및 모폴로지 변화가 많이 야기되어 정공 수송 특성이 현저히 떨어지는 문제가 있다.On the other hand, when the electron beam is used as the radiation in the step 3, the irradiation energy of the electron beam is 1 keV to 1 MeV, and the total electron dose is 1 × 10 14 to 1 × 10 20 electrons / cm 2 . When the total electron dose of the electron beam is less than 1 x 10 14 electrons / cm 2 , there is a problem that the hole transporting property is not exhibited due to insufficient chemical change in the polymer layer, and when the electron dose is more than 1 x 10 20 electrons / cm 2 There is a problem in that the polymer layer is thermally and morphologically changed to a large extent and thus the hole transporting property is remarkably deteriorated.

상기와 같이, 방사선을 조사하는 단순한 공정을 통해, 정공 수송층의 제조에 사용되지 않았던 폴리스타이렌 고분자를 이용하여 정공 수송 특성을 보이는 정공 수송층을 제조할 수 있다.As described above, a hole transporting layer having a hole transporting property can be produced by using a polystyrene polymer which has not been used in the production of a hole transporting layer through a simple process of irradiating the radiation.

다음으로, 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조방법에 있어서, 단계 4는 상기 단계 3에서 형성된 정공 수송층 상부에 활성층을 형성하는 단계이다.Next, in the method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention, Step 4 is a step of forming an active layer on the hole transporting layer formed in Step 3 above.

구체적으로, 상기 단계 4의 활성층으로는 예를 들면, 폴리페닐렌비닐렌(PPV)계 고분자 및 이의 유도체, 폴리페닐렌(PPP)계 고분자 및 이의 유도체, 폴리티오펜(PT)계 고분자 및 이의 유도체 또는 폴리플루오렌(PF)계 고분자 및 이의 유도체, 폴리스피로플루오렌(PSF)계 고분자 및 이의 유도체 등이 포함되나 이에 제한되는 것은 아니다. 이 중, 폴리플루오렌계 고분자 및 이의 유도체가 바람직하다. 더욱 구체적인 예로써, 폴리(2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)(Poly(2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylnenvinylene, MEH-PPV), 전자 친화력이 큰 치환체인 시아노기(-CN)를 도입한 CN-PPV, PPV의 공액 길이를 균일하게 조절한 CNMBC(Conjugated-nonconjugated multiblock copolymer), 폴리(3-알킬-티오펜(Poly(3-alkyl-thiophene, PAT), 9-알킬-플루오렌계 고분자, 9,9-디알킬-플루오렌계 고분자, 스피로플루오렌계 고분자 등이 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Specifically, examples of the active layer in step 4 include polyphenylene vinylene (PPV) -based polymers and derivatives thereof, polyphenylene (PPP) -based polymers and derivatives thereof, polythiophene (PT) Derivatives or derivatives thereof, polyfluorene (PF) polymers and derivatives thereof, polystyprofluorene (PSF) polymers and derivatives thereof, and the like. Of these, polyfluorene-based polymers and derivatives thereof are preferable. As a more specific example, the poly (2-methoxy-5- (2-ethylhexyloxy) -1,4 CN-PPV incorporating a cyano group (-CN) having a large electron affinity, Conjugated-nonconjugated multiblock copolymer (CNMBC) having a uniform conjugate length of PPV, poly (3-alkyl But are not limited to, poly (3-alkyl-thiophene, PAT), 9-alkyl-fluorene polymers, 9,9-dialkyl-fluorene polymers, spirofluorene polymers .

상기 단계 4의 활성층은 상기 다양한 물질들 중 하나의 물질 또는 2 가지 이상의 서로 다른 물질들로 형성될 수 있다.The active layer of step 4 may be formed of one of the various materials or two or more different materials.

한편, 상기 단계 4에서 형성되는 활성층은 2.41 eV 내지 2.80 eV의 에너지 밴드 갭을 갖는 청색 발광 물질, 2.21 eV 내지 2.40 eV의 에너지 밴드 갭을 갖는 녹색 발광 물질 또는 1.90 eV 내지 2.20 eV의 에너지 밴드 갭을 갖는 적색 발광 물질 등을 사용할 수 있다. On the other hand, the active layer formed in the step 4 may include a blue light emitting material having an energy band gap of 2.41 eV to 2.80 eV, a green light emitting material having an energy band gap of 2.21 eV to 2.40 eV, or an energy band gap of 1.90 eV to 2.20 eV A red light emitting material having an electron transporting property can be used.

상기 청색 발광 물질의 구체적인 예로는 폴리(2,7(9,9'-di-n-옥틸프루오렌)-(1,4-페닐렌-((4-sec-부틸페닐)이미노)-1,4-페닐렌))(Poly-(2,7(9,9'-di-n-octylfluorene)-(1,4-phenylene-((4-sec-buthylphenyl)imino)-1,4-phenylene), TFB)을 들 수 있고, 상기 녹색 발광 물질의 예로는 폴리(2,7(9,9-di-n-옥틸 플루오렌)-3,6-벤조싸이아다이아졸)(Poly(2,7(9,9'-di-n-octyl fluorine)-3,6-benzothiadiazole, F8BT)을 들 수 있으며, 상기 적색 발광 물질의 구체적인 예로는 폴리(2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)(Poly(2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylnenvinylene, MEH-PPV)을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Specific examples of the blue light emitting material include poly (2,7 (9,9'-di-n-octylfluorene) - (1,4-phenylene- , 4-phenylene)) (Poly- (2,7 (9,9'-di-n-octylfluorene) - (1,4- ), TFB), and examples of the green luminescent material include poly (2,7 (9,9-di-n-octylfluorene) -3,6-benzothiadiazole) (9,9'-di-n-octyl fluorine) -3,6-benzothiadiazole, F8BT). Specific examples of the red luminescent material include poly (2-methoxy- Poly (2-methoxy-5- (2-ethylhexyloxy) -1,4-phenylenevinylene, MEH-PPV).

또한, 상기 단계 4에서 형성되는 활성층의 두께는 10 내지 300 nm, 바람직하게는 50 내지 200 nm일 수 있다. 상기 단계 4에서 형성되는 활성층의 두께가 10 nm 미만인 경우, 누설 전류가 많아 효율이 낮아지고 수명이 짧아지는 문제가 있으며, 상기 단계 4에서 형성되는 활성층의 두께가 300 nm를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있는 문제가 있다.In addition, the thickness of the active layer formed in step 4 may be 10 to 300 nm, preferably 50 to 200 nm. When the thickness of the active layer formed in the step 4 is less than 10 nm, there is a problem that the efficiency is low and the lifetime is short due to a large leakage current. When the thickness of the active layer formed in the step 4 is more than 300 nm, There is a problem that can rise.

다음으로, 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조방법에 있어서, 단계 5는 상기 단계 4에서 형성된 활성층 상부에 음극을 형성하는 단계이다.Next, in the method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention, step 5 is a step of forming a cathode on the active layer formed in step 4 above.

구체적으로, 상기 단계 5에서 음극의 재료로서는 일함수가 낮은 것이 바람직하다. 예를 들면, 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 알루미늄, 스칸듐, 바나듐, 아연, 이트륨, 인듐, 세륨, 사마륨, 유로퓸, 테르븀, 이테르븀 등의 금속, 이들 두 개 이상을 포함하는 합금, 이들 하나 이상과 금, 은, 백금, 구리, 망간, 티탄, 코발트, 니켈, 텅스텐 및 아연 중의 하나 이상과의 합금, 흑연 또는 흑연 층간 화합물 등이 사용될 수 있다. 합금의 예로는 마그네슘-은 함금, 마그네슘-인듐 합금, 마그네슘-알루미늄 합금, 인듐-은 합금, 리튬-알루미늄 합금, 리튬-망간 합금, 리튬-인듐 합금, 칼슘-알루미늄 합금 등이 포함될 수 있다. 음극은 2 층 이상의 적층 구조로 형성시킬 수 있다. Specifically, it is preferable that the work function of the negative electrode material is low in step 5 above. Metals such as lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, An alloy including at least one of them, an alloy of at least one of these with at least one of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten and zinc, graphite or graphite intercalation compound. Examples of the alloys may include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium-manganese alloy, lithium-indium alloy and calcium-aluminum alloy. The negative electrode can be formed in a laminated structure of two or more layers.

또한, 상기 단계 5에서 형성되는 음극의 두께는 광 투과율 및 전기 전도율을 고려하면서 적합하게 선택될 수 있으며, 예를 들면, 10 nm 내지 10 ㎛, 바람직하게는 20 nm 내지 1 ㎛일 수 있다.In addition, the thickness of the negative electrode formed in step 5 may be suitably selected in consideration of the light transmittance and the electric conductivity, and may be, for example, 10 nm to 10 mu m, preferably 20 nm to 1 mu m.

나아가, 상기 단계 5에서 음극의 형성방법은 예를 들어, 진공 증착법, 스퍼터링법, 금속 박막이 열 및 압력하에 부착되는 적층법 등을 사용할 수 있다. Further, in the step 5, a negative electrode may be formed by, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, a lamination method in which a metal thin film is adhered under heat and pressure, or the like.

이하, 본 발명의 실시예 및 실험예를 통해 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, examples and experimental examples of the present invention will be described in more detail.

단, 하기 실시예 및 실험예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 내용이 하기 실시예 및 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.However, the following Examples and Experimental Examples are merely illustrative of the present invention, and the present invention is not limited by the following Examples and Experimental Examples.

<실시예 1> 정공 수송층의 제조 1&Lt; Example 1 > Preparation of hole transport layer 1

단계 1: 고분자로 0.1 g의 폴리스타이렌(MW: 280,000, Aldrich)을 9.9 g의 톨루엔(Aldrich) 용매에 용해하여 1 중량%의 폴리스타이렌 용액을 제조하였다. Step 1: 0.1 g of polystyrene (MW: 280,000, Aldrich) as a polymer was dissolved in 9.9 g of toluene (Aldrich) to prepare a 1 wt% polystyrene solution.

단계 2: 상기 단계 1에서 제조된 폴리스타이렌 용액을 ITO 투명 기판(치수: 1.5 cm x 1.5 cm x 0.1 mm, AMG(에이엠지)) 상부에 스핀 코팅하여 10 nm 두께의 폴리스타이렌 층을 형성하였다. Step 2: The polystyrene solution prepared in step 1 was spin-coated on an ITO transparent substrate (dimension: 1.5 cm x 1.5 cm x 0.1 mm, AMG) to form a polystyrene layer having a thickness of 10 nm.

단계 3: 이온빔 장치(첨단방사선연구소)를 사용하여 200 KeV의 조사에너지를 갖는 수소(H+)이온빔을 3×1014 ions/cm2의 조사량으로 조사하여 고분자 층인 폴리스타이렌 층으로부터 정공 수송층을 제조하였다.Step 3: A hole transport layer was prepared from a polystyrene layer as a polymer layer by irradiating a hydrogen (H + ) ion beam having an irradiation energy of 200 KeV at an irradiation dose of 3 × 10 14 ions / cm 2 using an ion beam apparatus (Advanced Radiation Research Institute) .

<실시예 2> 정공 수송층의 제조 2&Lt; Example 2 > Preparation of hole transport layer 2

상기 실시예 1의 단계 3에서 이온빔을 5×1014 ions/cm2의 조사량으로 조사한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하여 정공 수송층을 제조하였다.A hole transport layer was prepared in the same manner as in Example 1 except that the ion beam was irradiated at a dose of 5 x 10 &lt; 14 &gt; ions / cm &lt; 2 &gt;

<실시예 3> 정공 수송층의 제조 3&Lt; Example 3 > Preparation of hole transport layer 3

상기 실시예 1의 단계 3에서 이온빔을 1×1015 ions/cm2의 조사량으로 조사한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하여 정공 수송층을 제조하였다.A hole transport layer was prepared in the same manner as in Example 1 except that the ion beam was irradiated at an irradiation dose of 1 x 10 15 ions / cm 2 in the step 3 of Example 1 above.

<실시예 4> 정공 수송층의 제조 4&Lt; Example 4 > Production of hole transport layer 4

단계 1: 고분자로 0.1 g의 폴리스타이렌(MW: 280,000, Aldrich)을 9.9 g의 톨루엔(Aldrich) 용매에 용해하여 1 중량%의 폴리스타이렌 용액을 제조하였다. Step 1: 0.1 g of polystyrene (MW: 280,000, Aldrich) as a polymer was dissolved in 9.9 g of toluene (Aldrich) to prepare a 1 wt% polystyrene solution.

단계 2: 상기 단계 1에서 제조된 폴리스타이렌 용액을 ITO 투명 기판(치수: 1.5 cm x 1.5 cm x 0.1 mm, AMG(에이엠지)) 상부에 스핀 코팅하여 10 nm 두께의 폴리스타이렌 층을 형성하였다. Step 2: The polystyrene solution prepared in step 1 was spin-coated on an ITO transparent substrate (dimension: 1.5 cm x 1.5 cm x 0.1 mm, AMG) to form a polystyrene layer having a thickness of 10 nm.

단계 3: 전자빔 가속기(첨단방사선연구소)를 사용하여 50 KeV의 조사에너지를 갖는 전자빔을 1×1016 electrons/cm2의 조사량으로 조사하여 고분자 층인 폴리스타이렌 층으로부터 정공 수송층을 제조하였다.Step 3: An electron beam having an irradiation energy of 50 KeV was irradiated at an irradiation dose of 1 × 10 16 electrons / cm 2 using an electron beam accelerator (Advanced Radiation Research Institute) to prepare a hole transport layer from a polystyrene layer as a polymer layer.

<실시예 5> 정공 수송층의 제조 5&Lt; Example 5 > Preparation of hole transport layer 5

상기 실시예 4의 단계 3에서 전자빔을 1×1017 electrons/cm2의 조사량으로 조사한 것을 제외하고는 상기 실시예 13과 동일하게 수행하여 정공 수송층을 제조하였다.A hole transport layer was prepared in the same manner as in Example 13 except that the electron beam was irradiated at a dose of 1 × 10 17 electrons / cm 2 in the step 3 of Example 4.

<실시예 6> 정공 수송층의 제조 6&Lt; Example 6 > Preparation of hole transport layer 6

상기 실시예 4의 단계 3에서 전자빔을 1×1018 electrons/cm2의 조사량으로 조사한 것을 제외하고는 상기 실시예 13과 동일하게 수행하여 정공 수송층을 제조하였다.A hole transport layer was prepared in the same manner as in Example 13 except that the electron beam was irradiated at a dose of 1 × 10 18 electrons / cm 2 in the step 3 of Example 4.

<실시예 7> 유기 발광 소자의 제조 1&Lt; Example 7 > Preparation of organic light emitting device 1

단계 1: 상기 실시예 1에서 제조된 정공 수송층 상부에 클로로벤젠(Chlorobenzene, Aldrich) 용매에 용해되어 있는 2 중량%의 폴리(9,9-디옥틸플루렌-코-벤조치아디아졸)(Poly(9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole, F8BT, Mw: 22,000, One-materials) 용액을 회전 도포를 통해 50 nm의 두께를 가지는 활성층을 형성시켰다.Step 1: To the top of the hole transport layer prepared in Example 1, 2 wt% of poly (9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole) (Poly (9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole, F8BT, Mw: 22,000, One-materials) solution was spin-coated to form an active layer having a thickness of 50 nm.

단계 2: 상기 단계 2에서 형성된 활성층 상부에 전극 마스크를 씌운 후, 열 증착을 통해 20 nm의 두께로 칼슘을 형성한 다음, 100 nm의 두께를 가지는 알루미늄 음극을 형성하여 유기 발광 소자를 제조하였다.Step 2: An electrode mask was coated on the active layer formed in Step 2, and then calcium was formed to a thickness of 20 nm by thermal evaporation, and then an aluminum anode having a thickness of 100 nm was formed to prepare an organic light emitting device.

<실시예 8> 유기 발광 소자의 제조 2&Lt; Example 8 > Preparation of organic light emitting device 2

상기 실시예 7의 단계 1에서, 상기 실시예 2에서 제조된 정공 수송층을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일하게 수행하여 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 7, except that the hole transport layer prepared in Example 2 was used in Step 1 of Example 7.

<실시예 9> 유기 발광 소자의 제조 3&Lt; Example 9 > Production of organic light emitting device 3

상기 실시예 7의 단계 1에서, 상기 실시예 3에서 제조된 정공 수송층을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일하게 수행하여 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 7, except that the hole transport layer prepared in Example 3 was used in Step 1 of Example 7.

<실시예 10> 유기 발광 소자의 제조 4&Lt; Example 10 > Preparation of organic light emitting device 4

상기 실시예 7의 단계 1에서, 상기 실시예 4에서 제조된 정공 수송층을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일하게 수행하여 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 7, except that the hole transport layer prepared in Example 4 was used in the step 1 of Example 7.

<실시예 11> 유기 발광 소자의 제조 5&Lt; Example 11 > Production of organic light emitting device 5

상기 실시예 7의 단계 1에서, 상기 실시예 5에서 제조된 정공 수송층을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일하게 수행하여 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 7 except that the hole transport layer prepared in Example 5 was used in the step 1 of Example 7.

<실시예 12> 유기 발광 소자의 제조 6&Lt; Example 12 > Production of organic light emitting device 6

상기 실시예 7의 단계 1에서, 상기 실시예 6에서 제조된 정공 수송층을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일하게 수행하여 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 7 except that the hole transport layer prepared in Example 6 was used in the step 1 of Example 7.

<비교예 1>&Lt; Comparative Example 1 &

상기 실시예 1에서 단계 3을 수행하지 않을 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하여 정공 수송층을 제조하였다.A hole transport layer was prepared in the same manner as in Example 1 except that Step 3 was not performed in Example 1.

<비교예 2>&Lt; Comparative Example 2 &

상기 실시예 7의 단계 1에서, 상기 비교예 1에서 제조된 정공 수송층을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일하게 수행하여 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 7 except that the hole transport layer prepared in Comparative Example 1 was used in Step 1 of Example 7. [

구분division 고분자 종류Polymer type 방사선 종류Radiation type 방사선 조사량Radiation dose 실시예 1Example 1 폴리스타이렌Polystyrene 수소 이온빔Hydrogen ion beam 3×1014 ions/cm2 3 × 10 14 ions / cm 2 실시예 2Example 2 폴리스타이렌Polystyrene 수소 이온빔Hydrogen ion beam 5×1014 ions/cm2 5 × 10 14 ions / cm 2 실시예 3Example 3 폴리스타이렌Polystyrene 수소 이온빔Hydrogen ion beam 1×1015 ions/cm2 1 × 10 15 ions / cm 2 실시예 4Example 4 폴리스타이렌Polystyrene 전자빔Electron beam 1×1016 electrons/cm2 1 x 10 16 electrons / cm 2 실시예 5Example 5 폴리스타이렌Polystyrene 전자빔Electron beam 1×1017 electrons/cm2 1 x 10 17 electrons / cm 2 실시예 6Example 6 폴리스타이렌Polystyrene 전자빔Electron beam 1×1018 electrons/cm2 1 x 10 18 electrons / cm 2 비교예 1Comparative Example 1 폴리스타이렌Polystyrene -- --

<실험예 1> 자외선-가시광선(UV-Vis) 분광 분석 및 띠 간격 분석 Experimental Example 1 Ultraviolet-visible (UV-Vis) spectroscopic analysis and band gap analysis

본 발명에 따른 정공 수송층의 화학적 변화를 살펴보기 위하여, 상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에서 제조된 정공 수송층을 사용하여 자외선-가시광선 분석(모델명: S-3100, 제조사: Scinco, Korea)을 수행하였으며, 이와 더불어 얻어진 자외선-가시광선 흡수 스펙트럼 상에서의 흡수밴드의 시작파장(λonset absorption)을 이용하여 띠 간격(Band gap, Eg)을 하기 수학식 1을 통해 산출하여, 그 결과를 도 2 및 도 3에 나타내었다. Ultraviolet-visible light analysis (Model: S-3100, manufacturer: Scinco, Korea) was performed using the hole transport layer prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 to examine the chemical change of the hole transport layer according to the present invention. UV obtained with above, were carried out with - calculated through to the band gap (band gap, Eg) using a start wavelength (λ onset absorption) of the absorption band on the visible light absorption spectrum of equation (1), also the result 2 and Fig.

<수학식 1>&Quot; (1) &quot;

Eg (eV)= 1240 / λonset absorption Eg (eV) = 1240 /? Onset absorption

(상기 λonset absorption은 고분자들의 자외선-가시광선 흡수 스펙트럼 상에서 흡수피크의 시작 파장(the onset of absorption)을 나타낸다).(The? Onset absorption indicates the onset of absorption of the absorption peak on the ultraviolet-visible light absorption spectrum of the polymer).

도 2에 나타낸 바와 같이, 방사선 조사를 수행하지 않고 제조된 정공 수송층인 비교예 1에서 나타나는 정공 수송층이 흡수한계(Absorption edge) 및 방사선 조사를 수행하여 제조된 실시예 1 내지 3에서 나타나는 정공 수송층이 흡수한계를 살펴보면, 이온빔 조사량이 증가함에 따라서 점점 장파장 쪽으로 이동하는 것을 확인할 수 있었다.As shown in Fig. 2, the hole transport layer shown in Examples 1 to 3, which was produced by performing the absorption edge and the irradiation of the hole transport layer in Comparative Example 1, which was a hole transport layer produced without performing irradiation with radiation, As the absorption limit was observed, it was confirmed that as the irradiation amount of the ion beam increased, it gradually moved to the longer wavelength side.

또한, 도 3에 나타낸 바와 같이, 띠 간격(Band gap, Eg) 산출 결과를 살펴보면, 방사선 조사를 수행하지 않고 제조된 정공 수송층인 비교예 1의 경우에는 띠 간격이 4.31 eV를 나타내지만, 방사선 조사를 수행하여 제조된 실시예 1 내지 3의 경우에는 띠 간격이 이온빔 조사량이 증가함에 따라서 작아져서 최소 1.65 eV를 나타내는 것을 확인하였다. As shown in FIG. 3, the band gap (Eg) is calculated. In the case of Comparative Example 1, which is a hole transport layer produced without irradiation, the band gap is 4.31 eV, It was confirmed that the band gap decreases with an increase in the amount of ion beam irradiation, and thus the band gap is at least 1.65 eV.

이 결과는 이온빔 조사 과정에서 일어나는 탄소화 반응에 의해서 고분자로 사용한 폴리스타이렌에 이중 결합들이 형성되고, 비편재화가 이루어지면서 탄소 집합체가 형성되어 폴리스타이렌의 본래 전자적인 띠 구조(Electronic band structure)의 금지 띠(Forbidden band) 영역에서 새로운 전자적 에너지 준위(Electronic level)가 형성되었기 때문이다. This result shows that the double bonds are formed in the polystyrene used as the polymer due to the carbonization reaction occurring in the ion beam irradiation process, and the carbon aggregate is formed due to the delignification, so that the band of the original electronic band structure of the polystyrene Forbidden band, a new electronic energy level has been formed.

따라서, 방사선 조사를 통해 정공 수송층이 성공적으로 제조되었음을 확인할 수 있었다. Therefore, it was confirmed that the hole transport layer was successfully produced through irradiation of radiation.

<실험예 2> 푸리에 변환 적외선(FT-IR) 분광 분석 Experimental Example 2 Fourier Transform Infrared (FT-IR) spectroscopic analysis

본 발명에 따른 정공 수송층의 화학적 구조 변화를 살펴보기 위하여, 상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에서 제조된 정공 수송층들을 푸리에 변환 적외선 분광 분석(FT-IR, 제조사: Varian, 모델명: 640-IR)을 사용하여 분석하였으며, 그 결과를 도 4에 나타내었다. In order to examine the chemical structure change of the hole transporting layer according to the present invention, the hole transporting layers prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were subjected to Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR, manufacturer: Varian, model: 640-IR ), And the results are shown in FIG.

도 4에 나타낸 바와 같이, 방사선 조사를 수행하지 않고 제조된 정공 수송층인 비교예 1에서 나타나는 스펙트럼은 폴리스타이렌의 피크를 살펴볼 수 있었다. 반면, 방사선 조사를 수행하여 제조된 실시예 1 내지 3에서 나타나는 스팩트럼들에서는 3480 cm-1 근처에서 OH 피크, 그리고 1700 cm-1 근처에서 C=O 피크들이 새롭게 나타났으며, 1400 내지 1600 cm-1 사이에 존재하는 방향족 이중결합에 해당하는 특성 피크들의 세기(Intensity)가 훨씬 커지고 이온빔 조사량이 증가함에 따라 피크들의 세기는 보다 증가함을 확인할 수 있었다. As shown in FIG. 4, the spectrum of Comparative Example 1, which is a hole transport layer produced without performing irradiation with radiation, can be seen in polystyrene peaks. On the other hand, it carried out is manufactured by performing the irradiation in the spectrum shown in Examples 1 to 3 showed the OH peak, and C = O peak in the vicinity of 1700 cm -1 in the vicinity of 3480 cm -1 are updated, 1400 to 1600 cm - 1 , the intensities of the characteristic peaks corresponding to the aromatic double bond existing between the two groups are much larger, and the intensity of the peaks is increased as the ion beam irradiation amount is increased.

이는, 이온빔이 조사되는 동안에 일어나는 산화 반응과 탄소화 반응에 의하여 정공 수송층이 형성되었음을 의미한다. This means that the hole transport layer is formed by the oxidation reaction and the carbonization reaction that occur while the ion beam is irradiated.

<실험예 3> 주사 전자 현미경(SEM) 분석 및 두께 측정<Experimental Example 3> Scanning electron microscope (SEM) analysis and thickness measurement

본 발명에 따른 정공 수송층의 내용매성을 분석하기 위하여, 상기 실시예 1 및 실시예 2의 단계 3에서 패턴 마스크를 씌운 후 방사선을 선택적으로 조사하여 조사되지 않은 영역들을 모두 제거하는 유기 용매(톨루엔)의 현상 과정을 통해 정공 수송층에 패턴을 형성하고 이를 주사 전자 현미경(Scanning electron microscopoy, SEM, JSM-7500F, JEOL)과 표면 단차 측정기(AlphaStep IQ surface profiler, KLA Tencor)를 이용하여 분석하였으며, 그 결과를 도 5 및 도 6에 나타내었다. In order to analyze the solvent resistance of the hole transporting layer according to the present invention, an organic solvent (toluene) was used in which the pattern mask was coated in Step 1 of Example 1 and Example 2, and then all the unirradiated regions were selectively irradiated with radiation, (SEM, JSM-7500F, JEOL) and AlphaStep IQ surface profiler (KLA Tencor). The results were analyzed by scanning electron microscopy Are shown in Fig. 5 and Fig.

도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 실시예 1 및 실시예 2의 단계 3에서 패턴 마스크를 씌운 후 방사선을 선택적으로 조사하여 조사되지 않은 영역들을 모두 제거함으로써 형성된 정공 수송 층은 폭이 약 100 ㎛로 패턴이 균일하게 잘 형성되었음을 확인할 수 있었다.As shown in FIG. 5, the patterned mask is coated on the pattern mask in the first and second embodiments, and then the radiation is selectively irradiated to remove all the unexposed areas. As a result, Was uniformly and well formed.

또한, 도 6에 나타낸 바와 같이, 상기 실시예 1 및 실시예 2의 단계 3에서 패턴 마스크를 씌운 후 방사선을 선택적으로 조사하여 조사되지 않은 영역들을 모두 제거하였음에도 불구하고, 상기 실시예 1 및 실시예 2의 경우 모두 95 % 이상의 두께가 남아 있는 것을 확인함으로써 방사선 조사에 의해 형성된 정공 수송층의 내화학성이 매우 우수함을 확인할 수 있었다.As shown in FIG. 6, although the pattern mask is coated in Step 1 of Example 1 and Example 2, and then all the unexposed regions are removed by selectively irradiating the radiation, 2, it was confirmed that a thickness of at least 95% remained, so that it was confirmed that the chemical resistance of the hole transporting layer formed by irradiation was excellent.

<실험예 4> 원자 힘 현미경(AFM) 분석 <Experimental Example 4> Atomic force microscope (AFM) analysis

본 발명에 따른 정공 수송층의 표면 거칠기를 분석하기 위하여, 상기 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1에서 제조된 정공 수송층 및 ITO 기판을 원자 힘 현미경 (Atomic force microscopy, AFM, XE-1000, Park system)을 이용하여 관찰하였으며, 그 결과를 도 7에 나타내었다. In order to analyze the surface roughness of the hole transport layer according to the present invention, the hole transport layer and the ITO substrate prepared in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 were subjected to atomic force microscopy (AFM, XE-1000, Park system). The results are shown in FIG.

도 7에 나타낸 바와 같이, ITO 기판의 제곱근 표면 거칠기(RMS)는 1.90를 나타냈지만, 방사선 조사를 수행하지 않고 제조된 정공 수송층인 비교예 1의 제곱근 표면 거칠기(RMS)는 0.26 nm를 나타내었으며, 방사선 조사를 수행하여 제조된 정공 수송층인 실시예 1 및 실시예 2의 제곱근 표면 거칠기(RMS)는 각각 0.31 nm와 0.32 nm을 나타냄으로써, 유기 발광 소자 제작에 보다 적합한 매끈한 표면을 가짐을 확인할 수 있었다.As shown in FIG. 7, the square root surface roughness (RMS) of the ITO substrate was 1.90, but the square root roughness (RMS) of Comparative Example 1, which was a hole transport layer prepared without irradiation with radiation, It was confirmed that the square root roughness (RMS) of the hole transport layer of Example 1 and Example 2, which were prepared by performing the irradiation, were 0.31 nm and 0.32 nm, respectively, and thus had a smooth surface suitable for manufacturing an organic light emitting device .

<실험예 5> 유기 발광 소자 적용 평가 분석&Lt; Experimental Example 5 >

본 발명에 따른 정공 수송층을 포함하는 유기 발광 소자의 기능을 분석하기 위하여, 상기 실시예 7, 실시예 8 및 비교예 2에서 제조된 유기 발광 소자를 소자 특성 분석 장비(PhotoResearch PR650 spectrophotometer, LMS)를 이용하여 분석하였으며, 그 결과를 도 8에 나타내었다. In order to analyze the functions of the organic light emitting device including the hole transporting layer according to the present invention, the organic light emitting devices manufactured in Examples 7 and 8 and Comparative Example 2 were analyzed using a PhotoResearch PR650 spectrophotometer (LMS) The results are shown in FIG.

도 8(a)에 나타낸 바와 같이, 방사선 조사를 수행하지 않고 제조된 정공 수송층을 포함하는 유기 발광 소자인 비교예 1의 경우에는 턴온 전압(Turn-on voltage)이 11 V를 나타내고, 발광 밝기(Luminescence)는 100 Cd/m2 을 나타냈으며, 발광 효율(Luminescence effiency)은 0.002 Cd/A을 나타냄으로써 매우 낮은 성능을 보이는 것을 확인할 수 있었다. As shown in Fig. 8 (a), in the case of Comparative Example 1, which is an organic light emitting device including a hole transport layer manufactured without performing irradiation with radiation, the turn-on voltage is 11 V, Luminescence) showed 100 Cd / m 2 and Luminescence efficacy was 0.002 Cd / A, indicating very low performance.

이에 반해, 도 8(b) 및 도 8(c)에 나타낸 바와 같이, 방사선 조사를 수행하여 제조된 정공 수송층을 포함하는 유기 발광 소자인 실시예 7 및 실시예 8의 경우에는 턴온 전압(Turn-on voltage)이 3 V를 나타내고, 발광 밝기(Luminescence)는 최대 436 Cd/m2 을 나타내며, 발광 효율(Luminescence effiency)은 최대 0.021 Cd/A을 나타냄으로써 훨씬 우수한 성능을 나타냄을 확인하였다. On the other hand, as shown in Figs. 8 (b) and 8 (c), in the case of Example 7 and Example 8 which are organic light emitting devices including a hole transporting layer produced by performing irradiation with radiation, on voltage of 3 V, luminescence of 436 Cd / m 2 maximum and luminescence efficacy of 0.021 Cd / A, respectively.

이러한 결과를 토대로 정공 수송층이 방사선 조사에 의해 성공적으로 제조되었음을 명확히 확인할 수 있었다.Based on these results, it was clearly confirmed that the hole transport layer was successfully produced by irradiation.

상기의 결과를 바탕으로 본 발명에 따른 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법이 향후 산업적으로도 유용하게 응용될 수 있음을 확인하였다.Based on the above results, it has been confirmed that the method of manufacturing a hole transport layer for an organic light emitting device according to the present invention can be applied to industrial applications in the future.

10 : 유기 발광 소자
1 : 기판
2 : 투명 전극층
3 : 정공 수송층
4 : 활성층
5 : 음극10: Organic light emitting device
1: substrate
2: transparent electrode layer
3: hole transport layer
4: active layer
5: cathode

Claims (11)

폴리스타이렌 고분자 용액을 도포하여 폴리스타이렌으로 이루어진 고분자 층을 형성하는 단계(단계 1); 및
상기 단계 1에서 형성된 고분자 층에 방사선을 조사하여 정공 수송층을 형성하는 단계(단계 2);를 포함하되, 상기 단계 2의 방사선은 이온빔 또는 전자빔이고, 여기서, 상기 이온빔의 조사 에너지는 1 내지 300 KeV이고, 상기 이온빔의 총 이온 조사량은 1×1010 내지 1×1019 ions/cm2이며, 상기 전자빔의 조사 에너지는 1 keV 내지 1 MeV이고, 상기 전자빔의 총 전자 조사량은 1×1014 내지 1×1020 electrons/cm2인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법.
Applying a polystyrene polymer solution to form a polymer layer of polystyrene (step 1); And
(Step 2), wherein the radiation of step 2 is an ion beam or an electron beam, wherein the irradiation energy of the ion beam is 1 to 300 keV and, the total ion dose of the ion beam is 1 × 10 10 to 1 × 10 19, and ions / cm 2, irradiation energy of the electron beam is 1 keV to 1 MeV, the total electron dose of said electron beam is 1 × 10 14 to 1 X 10 &lt; 20 &gt; electrons / cm &lt; 2 &gt;.
제1항에 있어서,
상기 단계 1의 폴리스타이렌 고분자 용액의 폴리스타이렌 함량은 전체 고분자 용액에 대하여 0.01 내지 20 중량%인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the polystyrene content of the polystyrene polymer solution in step 1 is 0.01 to 20 wt% with respect to the total polymer solution.
제1항에 있어서,
상기 단계 1의 고분자 층의 두께는 1 내지 30 nm인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자용 정공 수송층의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the polymer layer of step 1 has a thickness of 1 to 30 nm.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항의 제조방법으로 제조된 유기 발광 소자용 정공 수송층.
A hole transport layer for an organic light emitting device manufactured by the manufacturing method of claim 1.
기판;
상기 기판 상부에 적층된 투명 전극층;
투명전극층 상부에 적층된 제9항의 정공 수송층;
상기 정공 수송층 상부에 적층된 활성층; 및
상기 활성층 상부에 적층된 음극;을 포함하는 유기 발광 소자.
Board;
A transparent electrode layer laminated on the substrate;
The hole transport layer of claim 9 deposited on the transparent electrode layer;
An active layer stacked on the hole transport layer; And
And a cathode stacked on the active layer.
기판 상부에 투명 전극층을 형성하는 단계(단계 1);
상기 단계 1에서 형성된 투명 전극층 상부에 폴리스타이렌 고분자 용액을 도포하여 고분자 층을 형성하는 단계(단계 2);
상기 단계 2에서 형성된 고분자 층에 방사선을 조사하여 정공 수송층을 형성하는 단계(단계 3);
상기 단계 3에서 형성된 정공 수송층 상부에 활성층을 형성하는 단계(단계 4); 및
상기 단계 4에서 형성된 활성층 상부에 음극을 형성하는 단계(단계 5);를 포함하는, 유기 발광 소자의 제조방법.Forming a transparent electrode layer on the substrate (Step 1);
Forming a polymer layer by applying a polystyrene polymer solution on the transparent electrode layer formed in Step 1 (Step 2);
Forming a hole transporting layer by irradiating the polymer layer formed in Step 2 with radiation (Step 3);
Forming an active layer on the hole transport layer formed in step 3 (step 4); And
And forming a cathode on the active layer formed in step 4 (step 5).
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