KR101632321B1 - Ｓｍ2Ｃｏ17 나노 분말의 제조 장치 및 제조 방법 - Google Patents

Ｓｍ2Ｃｏ17 나노 분말의 제조 장치 및 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 Sm2Co17 나노 분말의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 나노 분말의 제조 장치는 고온의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 토치, 내부에 도가니가 구비되어 잉곳(ingot) 또는 칩(chip) 상태의 Sm2Co17을 수용하며, 상기 플라즈마 토치가 장착되어 상기 잉곳(ingot) 또는 칩(chip) 상태의 Sm2Co17을 용융 및 기화시킬 수 있고, 적어도 일측으로 냉각 가스가 유입되어 Sm2Co17 분말을 생성하는 반응 챔버, 상기 반응 챔버에서 생성된 상기 Sm2Co17 분말을 필터링하는 필터, 및 상기 Sm2Co17 분말로부터 필터링된 Sm2Co17 나노 분말을 수거하는 후처리 챔버를 포함한다.
Sm2Co17, 영구자석, 이송식 아크 플라즈마, 냉각 노즐

Description

Ｓｍ2Ｃｏ17 나노 분말의 제조 장치 및 제조 방법{APPARATUS AND METHOD OF MAKING Sm2Co17 NANO POWDER}
본 발명은 Sm2Co17 나노 분말의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이송식 아크 플라즈마(Transffered Arc Plasma) 기술을 이용한 소결 자석용 Sm2Co17 나노 자성 분말의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것이다.
희토류 영구자석의 이론적인 최대 자기 에너지적은 (BH)MAX = 1/4 Js2 (Js: 포화 자속밀도)으로 표현되고, 미세 결정 구조의 완전 이방화 및 소결 치밀화를 실현함으로써 포화 자속 밀도에 준하는 잔류 자속 밀도(Br)와 극대화된 보자력(iHC)가 얻어질 때 이론치에 가까운 최대 자기 에너지적의 임계 성능의 영구자석을 제조할 수 있게 된다. 여기에서, 잔류 자속 밀도는 경자성상의 포화 자속 밀도(Js) 및 부피분율(Φ)에 의존하여 변화한다. 보자력은 결정립 크기의 균일화와 제이상의 결정립계 균일 분포, 그리고 결정립의 표면 상태에 의존한다.
따라서, 임계 성능의 자기 특성을 얻기 위해서는 먼저 미세하고 균일한 입도 를 갖는 분말 제조 및 방향성 미세 조직을 갖게 하는 기술의 개발이 요구된다. 그리고, 제조된 분말의 표면 상태를 제어하고 소결 치밀화를 유도하기 위하여 나노 스케일 코어-셸(core-shell) 입자 제어 기술과 저융점 공정상 제어에 의한 캡슐화(capsulation) 제어 기술의 개발이 요구된다.
또한, 자장 정렬 후 압축 성형에 의한 부피 수축 시 입자의 흐름이 균일하여 정렬된 입자가 배향도를 최대한 유지된 상태의 성형체가 얻어질 수 있도록 하기 위하여 복합 다단 자장 인가와 변환 자장 인가에 의해 배향성을 극대화시키는 신 자장성형 기술의 개발이 요구된다. 그리고, 극미량의 산소를 제어함과 동시에 소결 분위기, 소결 승온 속도, 소결 온도 및 시간, 냉각 조건에 대한 최적화를 통해 분말의 자장 배향을 최대한 유지시키는 소결 치밀화 기술 개발이 필요하다.
일반적으로 희토류 영구자석을 제조하는 방법은 원재료를 유도 용해하고 주조하여 합금 잉곳(ingot)으로 만드는 용해/주조공정, 상기 잉곳의 분쇄능을 향상시키기 위한 상온~200℃ 범위에서의 수소처리공정, 저산소 분위기에서 수 ㎛ 크기로 분쇄하는 분말제조공정, 상기 분말을 자장 성형하는 공정 및 1000~1100℃ 범위에서 소결 치밀화하여 자석으로 제조하는 벌크화 공정으로 구성된다.
그런데 전술한 바와 같이 합금 잉곳으로 출발하여 고순도의 분말을 제조하는 공정이 복잡하고 자기 특성 또한 임계점에 도달해 있어, 현재의 임계점에 도달해 있는 특성을 극복하기 위한 나노 복합화의 기술이 요구되고 있다.
본 발명은 전술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 이송식 아크 플라즈마(Transferred Arc Plasma) 기술을 이용하여 미세하고 균일한 입도를 가지는 고순도의 Sm2Co17 나노 분말의 제조 장치 및 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르는 Sm2Co17 분말의 제조 장치는 고온의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 토치, 내부에 도가니가 구비되어 잉곳(ingot) 또는 칩(chip) 상태의 Sm2Co17을 수용하며, 상기 플라즈마 토치가 장착되어 상기 잉곳(ingot) 또는 칩(chip) 상태의 Sm2Co17을 용융 및 기화시킬 수 있고, 적어도 일측으로 냉각 가스가 유입되어 Sm2Co17 분말을 생성하는 반응 챔버, 상기 반응 챔버에서 생성된 상기 Sm2Co17 분말을 필터링하는 필터, 및 상기 Sm2Co17 분말로부터 필터링된 Sm2Co17 나노 분말을 수거하는 후처리 챔버를 포함한다.
상기 반응 챔버는 일측면에서 외부로 돌출되어 형성되며 상기 Sm2Co17 분말을 방출하는 유출부를 포함하고, 상기 유출부는 상기 Sm2Co17 분말이 지나가는 통로의 단면적이 점진적으로 작아지도록 형성될 수 있고, 상기 유출부는 상기 반응챔버의 바닥으로부터 멀어지는 측상방을 향해 연장될 수 있다. 또한, 상기 반응 챔버는 용융 및 기화된 Sm2Co17을 급랭시키기 위한 냉각 가스 노즐을 포함할 수 있고, 상기 플라즈마 토치는 이송식 아크 플라즈마 토치일 수 있다.
본 발명에 따르는 Sm2Co17 분말의 제조 장치는 상기 필터를 통과한 플라즈마 가스 및 상기 냉각 가스를 재사용하기 위하여 진공펌프 및 가스 순환부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 고온의 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 조성 가스로 불활성 기체와 수소를 혼합된 기체를 사용할 수 있고, 상기 냉각 가스는 불활성 기체일 수 있다.
본 발명에 따르는 Sm2Co17 분말의 제조 방법은 잉곳 또는 칩 상태의 Sm2Co17을 반응 챔버 내부의 도가니에 위치시키는 단계, 플라즈마 토치로 고온의 플라즈마를 발생시켜 상기 잉곳 또는 칩 상태의 Sm2Co17을 용융 및 기화시키는 단계, 냉각 가스로 상기 용융 및 기화된 Sm2Co17을 냉각시켜 Sm2Co17 분말을 생성하는 단계, 및 상기 Sm2Co17 분말을 필터링하여 상기 Sm2Co17 분말 중에서 Sm2Co17 나노 분말을 분리, 수거하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명에 따르는 Sm2Co17 분말의 제조 방법은 상기 필터링된 상기 플라즈마 가스 및 상기 냉각 가스를 진공펌프 및 가스 순환부로 통과시켜 재사용하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 반응 챔버는 일측면에서 외부로 돌출되어 형성되며 상기 Sm2Co17 분말을 방출하는 유출부를 포함하고, 상기 유출부는 상기 Sm2Co17 분말이 지나가는 통로의 단면적이 점진적으로 작아지도록 형성될 수 있다.
상기 고온의 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 조성 가스로 불활성 기체와 수소를 혼합된 기체를 사용할 수 있고, 상기 냉각 가스는 불활성 기체일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 미세하고 균일한 입도를 갖는 Sm2Co17 나노 분말을 제조할 수 있고, 물리적인 공정을 통하여 제조함으로써 오염 물질이 없는 고순도의 Sm2Co17 나노 분말을 제조할 수 있게 된다.
또한, 반응 챔버의 구조 개선을 통하여 생산 속도는 향상시키고, 생산 비용은 절감시킬 수 있게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대해 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 Sm2Co17 나노 자성 분말 제조 장치의 개략적인 구성도로서, 이를 참조하여 본 실시예의 Sm2Co17 나노 자성 분말 제조 장치 및 이를 사용한 Sm2Co17 나노 자성 분말의 제조 방법에 대해 설명한다.
본 실시예의 Sm2Co17 나노 자성 분말 제조 장치는 이송식 아크 플라즈마 토치(10), 반응 챔버(20), 싸이클론(cyclone) 챔버(30), 포집 챔버(40), 필터(50) 및 후처리 챔버(60)를 포함하고, 진공 펌프 및 가스 순환부(70), 외관부(80) 및 냉각 가스 공급부(90)를 더 포함할 수 있다.
이송식 아크 플라즈마 토치(10)는 용해/주조 공정에서 제조되는 잉곳이나 칩 상태의 Sm2Co17을 용융 및 기화시키기 위한 열원으로 사용되는 장치이고, 반응 챔버(20)는 상기 이송식 아크 플라즈마 토치(10)를 이용하여 Sm2Co17 분말을 제조하는 장치이다. 또한, 싸이클론 챔버(30)는 반응 챔버(20)에서 제조된 Sm2Co17 분말을 입자의 크기, 즉 입도에 따라 분리하는 장치이고, 포집 챔버(40) 및 필터(50)는 싸이클론 챔버(30)에서 분리된 Sm2Co17 나노 분말을 각각 포집하고 흡착시키는 장치이며, 후처리 챔버(60)는 필터(50)에 흡착된 Sm2Co17 나노 분말을 수거하여, 저장하는 장치이다. 한편, 진공 펌프 및 가스 순환부(70)는 필터(50)를 통과하여 수집된 가스를 정제하여 재사용하기 위한 장치이다.
전술한 Sm2Co17 나노 분말 제조 장치를 이용하여 Sm2Co17 나노 분말을 제조하는 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
본 실시예에서는, Sm2Co17 나노 분말을 제조하기 위하여, 출발 원료로 용해/ 주조 공정에 의하여 제조된 잉곳이나 분쇄하여 생선된 칩 상태의 Sm2Co17을 이용한다. 이러한 출발 원료를 반응 챔버(20) 내에서 용융 및 기화시킴으로써 Sm2Co17 분말을 발생시키게 된다.
도 2는 본 실시예에 따라 Sm2Co17을 제조하는 과정에서의 반응 챔버 내부의 개략적인 구성도로서, 이를 참조하여 반응 챔버(20) 내에서 Sm2Co17 분말을 제조하는 과정을 상세하게 설명한다.
우선, 잉곳 또는 칩 상태의 Sm2Co17을 반응 챔버(20) 내의 도가니(21)에 위치시킨다. 이를 용융 및 기화시키기 위하여는 고온의 열원이 필요하게 되는데, 본 실시예에서는 이송식 아크 플라즈마 토치(10)를 열원으로 사용한다. 이송식 아크 플라즈마 토치(10)는 플라즈마 노즐(11)을 통하여 약 5,000~10,000K 온도 범위의 플라즈마를 발생시켜, 이러한 고온의 플라즈마 화염에 의하여 잉곳 또는 칩 상태의 Sm2Co17을 쉽게 용융 및 기화시킬 수 있게 된다. 본 실시예에서는 고온의 플라즈마의 발생을 위한 플라즈마 조성 가스로 불활성 가스와 수소를 혼합하여 사용하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 이송식 아크 플라즈마 토치(10)의 사용을 위하여 적정한 전력을 공급해야 하는데, 공급 전력이 10㎾ 이하인 경우에는 Sm2Co17을 용융시킬 수 있을 정도의 고온을 얻을 수 없고, 30㎾ 이상인 경우에는 에너지 손실이 커질 뿐만 아니라 단원자의 조성에 변화가 발생할 수 있기 때문에, 본 실시예에서는 이송식 아크 플 라즈마 토치(10)에 10~30㎾의 전력을 공급한다.
이와 같이 이송식 아크 플라즈마 토치(10)에서 발생한 고온의 플라즈마에 의해 용융 및 기화된 Sm2Co17은 반응 챔버(20)에서 클러스터로 성장하게 되고, 냉각 과정을 거쳐 나노 분말이 형성되게 된다. 본 발명의 실시예에서는 균일한 나노 분말의 형성을 위하여 반응 챔버(20)의 일측면에서 냉각 가스 노즐(22)을 통해 냉각 가스를 직접 분사하여 공급함으로써 용융 및 기화된 Sm2Co17 급격히 냉각시킨다.
상기 냉각 과정에 있어서, 냉각 가스 노즐(22)에서 분사되는 냉각 가스의 유량과 분사 각도를 조절하여 기화된 Sm2Co17 증기를 균일하게 핵성장시킬 수 있게 된다. 또한, 지속적인 원자 소스를 공급함으로써 균일한 분포를 가지는 나노 분말을 제조할 수 있게 된다. 본 실시예에서 냉각 가스로는 산화를 방지하기 위해 아르곤(Ar)과 같은 불활성 가스를 사용하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또한, 상기와 같이 냉각 가스가 반응 챔버(20)의 일측에서 직접 분사될 수 있지만, 후술하는 싸이클론 챔버(30)로 Sm2Co17 분말이 이동하는 유동 라인에 공급되어 냉각시킬 수도 있다.
한편, Sm2Co17을 용융 및 기화시키기 위한 도가니의 재질은 Sm2Co17의 기화량, 순도 및 핵생성 농도 등에 큰 영향을 미치게 되는데, 본 실시예에서는 고순도의 구리 또는 흑연으로 도가니를 형성하고, 그 내부에 냉각수가 흐를 수 있도록 제작한다.
또한, 용융 및 기화된 Sm2Co17은 플라즈마 조성 가스와 냉각 가스가 혼합된 가스의 흐름에 편승하여 필터링을 위한 장치에 전달되는데, 전달 효율을 높이기 위하여 본 실시예에서는 반응 챔버(20)를 주전자 형상으로 형성한다. 도 2에 도시한 바와 같이, Sm2Co17 분말이 가스와 함께 유출되는 반응 챔버(20)의 유출부를 반응 챔버(20)의 일측면에서 외부로 돌출되도록 형성하면서, Sm2Co17 분말이 지나가는 통로의 단면적이 점진적으로 작아지도록 형성할 수 있다. 본 실시예에서는 유출부가 반응 챔버(20)의 바닥으로부터 멀어지는 측상방을 향해 연장되면서 점진적으로 좁아지는 형상으로 형성되나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 반응 챔버(20)의 형상을 통해 Sm2Co17 분말이 이동에 있어서 노즐 효과를 유도할 수 있게 된다. 즉, 반응 챔버(20) 내의 도가니(21)의 내부 온도를 적정 온도로 유지시키면서 용융 및 기화된 Sm2Co17을 하나의 출구로 유도 분사해줄 수 있고, 따라서 Sm2Co17 나노 분말의 제조 효율을 극대화시킬 수 있게 된다.
다시 도 1을 참조하면, 반응 챔버(20) 내에서 이송식 아크 플라즈마 토치(10)의 플라즈마 화염에 의하여 용융 및 기화된 Sm2Co17 분말은 가스의 흐름에 의하여 싸이클론 챔버(30)로 이동하게 된다. 도 1에 도시되지 않았지만 Sm2Co17 분말의 이동을 위하여 반응 챔버(20)와 싸이클론 챔버(30)의 사이에 진공 펌프나 컴프레서(compressor)를 추가로 설치할 수도 있다.
싸이클론 챔버(30)로 유입되는 Sm2Co17 분말 중 입도가 상대적으로 큰 분말은 필터링되어 아래 방향으로 떨어져 분리되고, 상대적으로 입도가 작은 미세한 분말은 불활성 가스와 함께 포집 챔버(40)를 향하여 유출된다.
이와 같이 싸이클론 챔버(30)를 통과한 Sm2Co17 나노 분말은 유동 가스 라인을 따라 포집 챔버(40)를 거쳐 필터(50)로 이동하는데, 이러한 유동 가스 라인을 따라 이동하면서 Sm2Co17 나노 분말의 온도는 점차 하강하게 되고, 얻고자 하는 Sm2Co17 나노 분말은 최종적으로 필터(50) 외벽에 흡착되게 된다.
필터(50) 내부에서는 백 플러싱(back flushing)을 하여 Sm2Co17 나노 분말을 필터 외벽으로부터 탈착시키고 하단의 후처리 챔버(60)로 하강시켜 이를 수거하게 된다.
한편, Sm2Co17 나노 분말과 함께 포집 챔버(40)로 이동된 가스는 필터(50)를 통과하여 진공 펌프 및 가스 공급부(70)를 거쳐 재사용될 수 있다. 가스는 진공펌프 및 가스 순환부(70)를 통과하면서 정제되어 반응 챔버(20) 내로 직접 유입될 수 있고, 이 때 진공 펌프 및 가스 순환부(70)를 통과하면서 더 이상 사용할 수 없게되는 폐기 가스는 외관부(80)를 통하여 외부로 배출될 수 있다.
이하에서는, 도 3a 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예를 통하여 제조된 Sm2Co17 나노 분말의 분석 결과를 설명하기로 한다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 Sm2Co17 나노 분말의 투과 전자 현미경(Transmission Electron Microscope, TEM) 사진이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 Sm2Co17 나노 분말의 입도 분포를 나타낸 그림으로, 이들을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의해 제조된 Sm2Co17 나노 분말은 대체로 구형의 형태를 지니고 있고, 대다수의 분말의 평균 입도가 80㎚ 이하로 균일하게 형성됨을 확인할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 Sm2Co17 나노 분말의 X-ray 회절(XRD) 분석 결과를 나타내는 그림으로서, 이를 참조하면, 잉곳 또는 칩 상태의 Sm2Co17을 플라즈마 고온 처리로 용융 및 기화시키고 재성장 과정을 거쳐 생성된 Sm2Co17 나노 분말의 결정상이 잘 형성되었음을 확인할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 실시예에 따라 Sm2Co17 나노 분말을 제조하는 경우, 미세하고 균일한 크기의 Sm2Co17 나노 분말을 얻을 수 있고, 화학적 방법이 아닌 물리적 방법을 이용함으로써 오염물질이 포함되지 않은 고순도의 Sm2Co17 나노 분말을 얻을 수 있게 된다. 또한, Sm2Co17 나노 분말 제조 장치에 있어서 반응 챔버의 구조를 개선함으로써 생산 속도를 향상시킬 수 있으며, 제조 공정을 단순화하여 제조 비용을 절감시키는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통하여 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 않는다. 즉, 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에서 종사하는 자들은 쉽게 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 Sm2Co17 나노 분말 제조 장치의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반응 챔버 내부의 개략적인 구성도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 Sm2Co17 나노 분말의 투과 전자 현미경(TEM) 사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 Sm2Co17 나노 분말의 입도 분포도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 Sm2Co17 나노 분말의 X-ray 회절(XRD) 분석 결과를 나타내는 그림이다.
<도면의 주요부분에 대한 설명>
10: 이송식 아크 플라즈마 토치 11: 플라즈마 노즐
20: 반응 챔버 21: 도가니
22: 냉각 가스 노즐 30: 싸이클론 챔버
40: 포집 챔버 50: 필터
60: 후처리 챔버 70: 진공 펌프 및 가스 순환부
80: 외관부 90: 냉각 가스 공급부

Claims (13)

  1. 고온의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 토치;
    내부에 도가니가 구비되어 잉곳(ingot) 또는 칩(chip) 상태의 Sm2Co17을 수용하며, 상기 플라즈마 토치가 장착되어 상기 잉곳(ingot) 또는 칩(chip) 상태의 Sm2Co17을 용융 및 기화시킬 수 있고, 적어도 일측으로 냉각 가스가 유입되어 Sm2Co17 분말을 생성하는 반응 챔버;
    상기 반응 챔버에서 생성된 상기 Sm2Co17 분말을 필터링하는 필터; 및
    상기 Sm2Co17 분말로부터 필터링된 Sm2Co17 나노 분말을 수거하는 후처리 챔버
    를 포함하고,
    상기 반응 챔버는 일측면에서 외부로 돌출되어 형성되며 상기 Sm2Co17 분말을 방출하는 유출부를 포함하며,
    상기 유출부는 상기 Sm2Co17 분말이 지나가는 통로의 단면적이 점진적으로 작아지도록 형성되고,
    상기 유출부는 상기 반응챔버의 바닥으로부터 멀어지는 측상방을 향해 연장되는, Sm2Co17 분말의 제조 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에서,
    상기 플라즈마 토치는 이송식 아크 플라즈마 토치인, Sm2Co17 나노 분말의 제조 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 반응 챔버는 용융 및 기화된 Sm2Co17을 급랭시키기 위한 냉각 가스 노즐을 포함하는, Sm2Co17 나노 분말의 제조 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 필터를 통과한 플라즈마 가스 및 상기 냉각 가스를 재사용하기 위하여 진공펌프 및 가스 순환부를 더 포함하는 Sm2Co17 분말의 제조 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 고온의 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 조성 가스로 불활성 기체와 수소를 혼합된 기체를 사용하는, Sm2Co17 분말의 제조 장치.
  8. 제1항에서,
    상기 냉각 가스는 불활성 기체인, Sm2Co17 분말의 제조 장치.
  9. 잉곳 또는 칩 상태의 Sm2Co17을 반응 챔버 내부의 도가니에 위치시키는 단계;
    플라즈마 토치로 고온의 플라즈마를 발생시켜 상기 잉곳 또는 칩 상태의 Sm2Co17을 용융 및 기화시키는 단계;
    냉각 가스로 상기 용융 및 기화된 Sm2Co17을 냉각시켜 Sm2Co17 분말을 생성하는 단계; 및
    상기 Sm2Co17 분말을 필터링하여 상기 Sm2Co17 분말 중에서 Sm2Co17 나노 분말을 분리, 수거하는 단계;
    를 포함하고,
    필터링된 플라즈마 가스 및 상기 냉각 가스를 진공펌프 및 가스 순환부로 통과시켜 재사용하는 단계를 더 포함하며,
    상기 반응 챔버는 일측면에서 외부로 돌출되어 형성되며 상기 Sm2Co17 분말을 방출하는 유출부를 포함하고,
    상기 유출부는 상기 Sm2Co17 분말이 지나가는 통로의 단면적이 점진적으로 작아지도록 형성되는, Sm2Co17 분말의 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제9항에서,
    상기 고온의 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 조성 가스로 불활성 기체와 수소를 혼합된 기체를 사용하는, Sm2Co17 분말의 제조 방법.
  13. 제9항에서,
    상기 냉각 가스는 불활성 기체인, Sm2Co17 분말의 제조 방법.
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