KR101621810B1 - Organic electroluminescent device and Method of fabricating the same - Google Patents

Organic electroluminescent device and Method of fabricating the same Download PDF

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Abstract

본 발명은, 다수의 화소영역이 정의(定義)된 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상에, 상기 화소영역 각각에 위치하는 박막트랜지스터와; 상기 제 1 기판 박막트랜지스터에 연결된 연결전극과; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과; 상기 제 2 기판 상에 위치하는 제 1 전극과; 상기 제 2 기판 상에 위치하는 스페이서와; 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기발광층과; 상기 유기발광층 및 상기 스페이서를 덮고, 상기 스페이서를 덮는 부분이 상기 연결전극과 접촉하는 제 2 전극과; 상기 제 2 전극과 상기 연결전극 사이에 위치하며, 그 일면이 상기 화소영역의 가장자리에서 상기 제 2 전극과 접촉하고 상기 화소영역의 중앙부에서 상기 제 2 전극과 이격되어 공극을 형성하며, 도전 필러를 갖는 접착필름을 포함하는 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법을 제공한다.The present invention provides a liquid crystal display device comprising: a first substrate on which a plurality of pixel regions are defined; A thin film transistor located on each of the pixel regions on the first substrate; A connection electrode connected to the first substrate thin film transistor; A second substrate facing the first substrate; A first electrode located on the second substrate; A spacer positioned on the second substrate; An organic light emitting layer disposed on the first electrode; A second electrode covering the organic light emitting layer and the spacer, the portion covering the spacer contacting the connection electrode; And a conductive filler is disposed between the second electrode and the connection electrode, one surface of the first electrode being in contact with the second electrode at an edge of the pixel region and being spaced apart from the second electrode at a central portion of the pixel region, And a method of manufacturing the same.

유기전계발광소자, 도전필러, 접착필름, 공극 An organic electroluminescent device, a conductive filler, an adhesive film,

Description

유기전계 발광소자 및 그 제조방법{Organic electroluminescent device and Method of fabricating the same}[0001] The present invention relates to an organic electroluminescent device and a method of fabricating the same,

본 발명은 유기전계 발광소자(Organic Electroluminescent Device)에 관한 것이며, 특히 수분 등이 소자 내부로 침투하는 문제와 전기적 접촉 불량을 방지할 수 있는 유기전계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to an organic electroluminescent device capable of preventing penetration of water or the like into an inside of the device and an electrical contact failure, and a manufacturing method thereof.

평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계발광 소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류의 5V 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.An organic electroluminescent device, which is one of flat panel displays (FPDs), has high luminance and low operating voltage characteristics. In addition, since it is a self-luminous type that emits light by itself, it has a large contrast ratio, can realize an ultra-thin display, can realize a moving image with a response time of several microseconds (μs), has no viewing angle limit, And it is driven with a low voltage of 5V to 15V of direct current, so that it is easy to manufacture and design a driving circuit.

이러한 특성을 갖는 유기전계 발광소자는 크게 패시브 매트릭스 타입과 액티브 매트릭스 타입으로 나뉘어지는데, 패시브 매트릭스 방식에서는 주사선(scan line)과 신호선(signal line)이 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하므로, 각각의 픽셀을 구동하기 위하여 주사선을 시간에 따라 순차적으로 구동하므로, 요구되는 평균 휘도를 나타내기 위해서는 평균 휘도에 라인수를 곱한 것 만큼의 순간 휘도를 내야만 한다. An organic electroluminescent device having such characteristics is largely divided into a passive matrix type and an active matrix type. In a passive matrix type, a scan line and a signal line cross each other to form a matrix type device, The scan lines are sequentially driven with time in order to drive the scan lines. Therefore, in order to represent the required average luminance, the instantaneous luminance must be equal to the average luminance multiplied by the number of lines.

그러나, 액티브 매트릭스 방식에서는, 화소(pixel)를 온(on)/오프(off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)가 화소(pixel)별로 위치하고, 이 박막트랜지스터와 연결된 제 1 전극은 화소 단위로 온(on)/오프(off)되고, 상기 제 1 전극과 대향하는 제 2 전극은 전면에 형성되어 공통전극이 된다. However, in the active matrix method, a thin film transistor, which is a switching element for turning on / off a pixel, is located for each pixel, and a first electrode connected to the thin film transistor is a pixel And the second electrode facing the first electrode is formed on the whole surface to be a common electrode.

그리고, 상기 액티브 매트릭스 방식에서는 픽셀에 인가된 전압이 스토리지 커패시터(CST ; storage capacitor)에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전원을 인가해 주도록 함으로써, 주사선 수에 관계없이 한 화면동안 계속해서 구동한다. 따라서, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가지므로 최근에는 액티브 매트릭스 타입의 유기전계 발광소자가 주로 이용되고 있다. In the active matrix method, the voltage applied to the pixel is charged in the storage capacitor (C ST ), and power is applied until the next frame signal is applied. Thus, Continue to run for one screen without. Accordingly, since the same luminance is exhibited even when a low current is applied, an active matrix type organic electroluminescent device is mainly used since it has advantages of low power consumption, high definition and large size.

이하, 이러한 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 기본적인 구조 및 동작특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the basic structure and operating characteristics of such an active matrix organic electroluminescent device will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광 소자의 하나의 화소에 대한 회로도이다. 1 is a circuit diagram of one pixel of a general active matrix organic electroluminescent device.

도시한 바와 같이 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소는 스 위칭(switching) 박막트랜지스터(STr)와 구동(driving) 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 캐패시터(StgC), 그리고 유기전계발광 다이오드(E)로 이루어진다. As shown, one pixel of the active matrix type organic electroluminescent device includes a switching thin film transistor STr, a driving thin film transistor DTr, a storage capacitor StgC, and an organic electroluminescent diode E ).

즉, 제 1 방향으로 연장하며 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 이 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 연장 형성되어 화소영역(P)을 정의하며 데이터 배선(DL)이 형성되어 있으며, 상기 화소영역(P)을 관통하며 상기 데이터 배선(DL) 또는 상기 게이트 배선(GL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다. That is, a gate line GL extending in a first direction is formed, and a data line DL is formed extending in a second direction intersecting the first direction to define a pixel region P, A power supply line PL for passing a power source voltage through the pixel region P and spaced apart from the data line DL or the gate line GL is formed.

또한, 상기 각 화소영역(P)에는 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다. In each pixel region P, a switching thin film transistor STr is formed at a portion where the data line DL and the gate line GL cross each other, and the switching thin film transistor STr is electrically connected to the switching thin film transistor STr. And a thin film transistor DTr is formed.

이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 유기전계 발광 다이오드(E) 및 전원배선(PL)과 전기적으로 연결되고 있다. 즉, 상기 유기전계발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고 있다. 이때, 상기 전원배선(PL)은 전원전압을 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)를 통해 상기 유기전계 발광 다이오드(E)로 전달하게 된다. 또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다. At this time, the driving thin film transistor DTr is electrically connected to the organic light emitting diode E and the power supply line PL. That is, the first electrode, which is one terminal of the organic electroluminescent diode E, is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor DTr. At this time, the power supply line PL transfers a power supply voltage to the organic light emitting diode E through the driving thin film transistor DTr. A storage capacitor StgC is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving thin film transistor DTr.

따라서, 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 구동 박막트랜지스터(DTr) 의 게이트 전극에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. 이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 유기전계 발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.Therefore, when a signal is applied through the gate line GL, the switching thin film transistor STr is turned on and the signal of the data line DL is transmitted to the gate electrode of the driving thin film transistor DTr, The thin film transistor DTr is turned on so that light is output through the organic light emitting diode E. At this time, when the driving thin film transistor DTr is turned on, a level of a current flowing from the power supply line PL to the organic light emitting diode E is determined. Accordingly, the organic light emitting diode E The storage capacitor StgC is capable of maintaining a constant gate voltage of the driving thin film transistor DTr when the switching thin film transistor STr is turned off The level of the current flowing through the organic light emitting diode E can be kept constant until the next frame even if the switching thin film transistor STr is turned off.

이러한 유기전계 발광소자는 하나의 기판에 박막트랜지스터 등의 어레이 소자와 애노드 및 캐소드 전극과 유기 발광층을 포함하는 유기전계발광 다이오드가 하나의 기판에 형성되는 것을 특징으로 하는 일반적인 유기전계 발광소자와, 어레이 소자와 유기전계 발광 다이오드가 각각 서로 다른 기판에 구성되어 이들을 기둥형태의 연결전극으로 연결한 구조를 갖는 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자가 제안되고 있다. The organic electroluminescent device includes a substrate, an organic electroluminescent device including an array element such as a thin film transistor, an organic electroluminescent diode including an anode, a cathode electrode, and an organic light emitting layer on one substrate, There has been proposed a dual panel type organic electroluminescent device having a structure in which a device and an organic electroluminescent diode are formed on different substrates and connected to each other by a columnar connection electrode.

도 2는 종래의 듀얼 패널 타입유기전계 발광소자 일부에 대한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of a conventional dual panel type organic electroluminescent device.

도시한 바와 같이, 하부의 제 1 기판(10)의 전면에 서로 교차하는 게이트 및 데이터 배선(미도시)이 형성되어 있다. 또한 상기 게이트 및 데이터 배선(미도시)으로 포획되는 영역(이하 제 1 영역(P1)이라 칭함)에는 스위칭 및 구동 소자로서 게이트 전극(11)과, 게이트 절연막(12)과, 액티브층(13a)과 오믹콘택층(13b)으로 이루어진 반도체층(13)과, 소스 및 드레인 전극(18, 20)으로 구성된 박막트랜지스터(Tr)가 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터(Tr)를 덮으며 상기 박막트랜지스터(Tr)의 소스 전극(18) 또는 드레인 전극(20)(도면에서는 드레인 전극(20)이 노출됨을 보이고 있음)을 노출시키는 콘택홀(27)을 갖는 보호층(25)이 형성되어 있다. 또한 상기 보호층(25) 위로는 상기 콘택홀(27)을 통해 노출된 상기 드레인 전극(20)과 접촉하며 연결전극(35)이 형성되어 있다.As shown in the figure, gates and data lines (not shown) are formed on the entire surface of the lower first substrate 10. A gate electrode 11, a gate insulating film 12 and an active layer 13a are formed as switching and driving elements in a region (hereinafter referred to as a first region P1) trapped by the gate and data wiring (not shown) A thin film transistor Tr composed of a source electrode 13 and a drain electrode 18 and a semiconductor layer 13 composed of an ohmic contact layer 13b and the source and drain electrodes 18 and 20 is formed on the substrate 11. The thin film transistor Tr A protective layer 25 having a contact hole 27 exposing the source electrode 18 or the drain electrode 20 (the drain electrode 20 is seen to be exposed in the drawing) is formed. A connection electrode 35 is formed on the protection layer 25 in contact with the drain electrode 20 exposed through the contact hole 27.

전술한 구조를 갖는 제 1 기판(10)에 대응하는 제 2 기판(50)의 내측면에는 제 1 전극(53)이 전면에 형성되어 있으며, 그 하부로 각 화소영역(P)의 경계에 대응하여 버퍼패턴(57)이 형성되어 있다. 이때 상기 제 1 전극(53)과 상기 제 2 기판 사이에는 화소영역(P)의 경계에 보조전극(51)이 형성되고 있다. On the inner surface of the second substrate 50 corresponding to the first substrate 10 having the above-described structure, a first electrode 53 is formed on the entire surface, and a lower portion thereof corresponds to the boundary of each pixel region P And a buffer pattern 57 is formed. At this time, an auxiliary electrode 51 is formed between the first electrode 53 and the second substrate at the boundary of the pixel region P.

또한, 상기 버퍼패턴(57) 하부에는 그 단면이 상기 제 2 기판(50)의 내측면을 기준으로 역테이퍼 구조로서 격벽(60)이 형성되어 있으며, 또한 상기 버퍼패턴(57) 하부에는 테이퍼 구조로서 기둥형태의 스페이서(55)가 상기 격벽(60)보다 큰 높이를 가지며 형성되어 있다. In addition, a partition wall 60 is formed as an inverted tapered structure with respect to the inner surface of the second substrate 50 on the lower surface of the buffer pattern 57, and a tapered structure A columnar spacer 55 having a height greater than that of the partition 60 is formed.

또한, 각 화소영역(P)에는 역테이퍼 구조를 갖는 상기 격벽(60)에 의해 자동적으로 각 화소영역(P)별로 분리되며 상기 제 1 전극(53) 하부에 유기 발광물질로서 유기 발광층(65) 및 제 2 전극(70)이 순차적으로 형성되어 있다. 이때 상기 유기 발광층(65)과 상기 제 2 전극(70)은 상기 스페이서(55)까지 덮으며 형성되고 있으며, 상기 순차 적층 형성된 제 1 전극(53)과 유기 발광층(65)과 제 2 전극(70)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다. An organic light emitting layer 65 is formed as an organic light emitting material in the lower portion of the first electrode 53 by being separated by each partitioning wall 60 having an inverted taper structure in each pixel region P for each pixel region P, And a second electrode 70 are sequentially formed. The organic light emitting layer 65 and the second electrode 70 are formed so as to cover the spacer 55. The organic light emitting layer 65 and the second electrode 70 ) Constitute an organic electroluminescent diode (E).

한편, 전술한 구성을 갖는 제 1 기판(10)과 제 2 기판(50)은 상기 스페이서(55)를 덮으며 형성된 상기 제 2 전극(70)과 상기 보호층(25) 상부에 형성된 연결전극(35)이 접촉한 상태에서 이들 두 기판(10, 50) 사이의 테두리부에 접착특성을 갖는 씰패턴(83)이 구비됨으로써 합착된 상태를 유지하는 유기전계 발광소자(1)를 이루고 있다.The first substrate 10 and the second substrate 50 having the above-described structure are electrically connected to the second electrode 70 formed to cover the spacer 55 and the connection electrode The seal pattern 83 having an adhesive property is provided at the edge portion between the two substrates 10 and 50 in a state in which the two substrates 10 and 50 are in contact with each other to thereby maintain the coalesced state.

하지만, 전술한 바와 같이 그 테두리부에 씰패턴(83)을 구성한 경우 씰패턴(83)을 통해 외부의 수분이 침투하거나 또는 내부에 있어 유기물질로 이루어진 구성요소의 경우 일례로 보호층 아웃개싱(out gassing)이 발생하여 수축하게 되며, 이로 인해 상기 서로 접촉하고 있는 상기 제 2 전극(70)과 연결전극(35)간의 접촉 상태의 불량을 초래함으로써 듀얼 패널 타입 유기전계 발광소자(1)의 수명을 단축시키는 문제를 야기하고 있다.However, in the case where the seal pattern 83 is formed at the rim portion as described above, the external moisture permeates through the seal pattern 83, or in the case of a component made of an organic material inside the seal pattern 83, out gassing of the organic electroluminescent device 1 is caused and shrinks, thereby causing a poor contact state between the second electrode 70 and the connection electrode 35 which are in contact with each other, Which causes shortening of the operation time.

본 발명은 씰패턴을 통해 외부의 수분 등이 유기전계 발광소자의 내부로 침투하는 문제를 해결하고자 한다.The present invention attempts to solve the problem that external moisture permeates into the interior of the organic electroluminescent device through the seal pattern.

또한, 유기전계발광소자 내부의 전기적 접촉 불량이 발생하는 것을 방지하고자 한다.Also, it is intended to prevent the occurrence of electrical contact failure inside the organic electroluminescent device.

이를 통해, 수명이 향상된 유기전계발광소자를 제공하고자 한다.Thus, an organic electroluminescent device with improved lifetime is provided.

상기 과제의 해결을 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광소자는, 다수의 화소영역이 정의(定義)된 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상에, 상기 화소영역 각각에 위치하는 박막트랜지스터와; 상기 제 1 기판 박막트랜지스터에 연결된 연결전극과; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과; 상기 제 2 기판 상에 위치하는 제 1 전극과; 상기 제 2 기판 상에 위치하는 스페이서와; 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기발광층과; 상기 유기발광층 및 상기 스페이서를 덮고, 상기 스페이서를 덮는 부분이 상기 연결전극과 접촉하는 제 2 전극과; 상기 제 2 전극과 상기 연결전극 사이에 위치하며, 그 일면이 상기 화소영역의 가장자리에서 상기 제 2 전극과 접촉하고 상기 화소영역의 중앙부에서 상기 제 2 전극과 이격되어 공극을 형성하며, 도전 필러를 갖는 접착필름을 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescent device comprising: a first substrate having a plurality of pixel regions defined therein; A thin film transistor located on each of the pixel regions on the first substrate; A connection electrode connected to the first substrate thin film transistor; A second substrate facing the first substrate; A first electrode located on the second substrate; A spacer positioned on the second substrate; An organic light emitting layer disposed on the first electrode; A second electrode covering the organic light emitting layer and the spacer, the portion covering the spacer contacting the connection electrode; And a conductive filler is disposed between the second electrode and the connection electrode, one surface of the first electrode being in contact with the second electrode at an edge of the pixel region and being spaced apart from the second electrode at a central portion of the pixel region, And the like.

이때, 상기 화소영역의 가장자리에 위치하며 상기 화소영역을 둘러싸고 상기 스페이서보다 얇은 두께를 갖는 격벽을 포함하는 것이 특징이다.In this case, the barrier rib is located at the edge of the pixel region and surrounds the pixel region and has a thickness thinner than the spacer.

또한, 상기 공극은 상기 화소영역 각각에서 상기 격벽 사이에 위치하는 것이 특징이다. Further, the gap is located between the partition walls in each of the pixel regions.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법은, 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판 상에, 상기 다수의 화소영역 각각에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터와 연결되는 연결패턴을 형성하는 단계와; 상기 연결패턴 상에 제 1 두께를 가지며 도전 필러를 포함하는 접착필름을 위치시키는 단계와; 제 2 기판 상에, 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극 상에, 상기 화소영역 각각의 일측에 대응하여 스페이서를 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극 상에 유기발광층을 형성하는 단계와; 상기 스페이서 및 상기 유기발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계와; 상기 스페이서를 덮는 제 2 전극이 상기 연결패턴에 대응되며, 상기 화소영역 중앙부의 상기 제 2 전극과 상기 연결패턴 사이의 거리가 상기 제 1 두께보다 큰 값을 갖도록 상기 제 1 및 제 2 기판을 합착시키는 단계를 포함하며, 상기 접착필름은 그 일면이 상기 화소영역의 가장자리에서 상기 제 2 전극과 접촉하고 상기 화소영역의 중앙부에서 상기 제 2 전극과 이격되어 공극이 형성되는 것이 특징이다. A method of manufacturing an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention includes: forming a thin film transistor on each of the plurality of pixel regions on a first substrate having a plurality of pixel regions defined; Forming a connection pattern connected to the thin film transistor; Positioning an adhesive film having a first thickness on the connection pattern and including a conductive filler; Forming a first electrode on a second substrate; Forming a spacer on the first electrode corresponding to one side of each of the pixel regions; Forming an organic light emitting layer on the first electrode; Forming a second electrode on the spacer and the organic light emitting layer; The first and second substrates are bonded together so that the second electrode covering the spacer corresponds to the connection pattern and the distance between the second electrode and the connection pattern at the central portion of the pixel region is larger than the first thickness, Wherein one side of the adhesive film is in contact with the second electrode at an edge of the pixel region and is spaced apart from the second electrode at a central portion of the pixel region.

이때, 상기 접착필름은 열경화성 수지이며, 상기 제 1 및 제 2 기판을 합착시키는 단계는 상기 접착필름을 가열하는 단계를 포함하는 것이 특징이다. At this time, the adhesive film is a thermosetting resin, and the step of bonding the first and second substrates includes heating the adhesive film.

또한, 상기 제 2 기판 상에 상기 스페이서보다 얇은 두께를 갖고 상기 화소영역의 가장자리에 위치하는 격벽을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 공극은 상기 화소영역 각각에서 상기 격벽 사이에 위치하는 것이 특징이다.Forming a barrier rib on the second substrate, the barrier rib having a thickness smaller than that of the spacer and positioned at an edge of the pixel region, the gap being located between the barrier ribs in each of the pixel regions;

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기전계 발광소자는, 다수의 화소영역이 정의(定義)된 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상에, 상기 화소영역 각각에 위치하는 박막트랜지스터와; 상기 제 1 기판 박막트랜지스터에 연결된 제 1 전극과; 상기 제 1 전극 상부에 위치하는 스페이서와; 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기발광층과; 상기 유기발광층 위로 화소영역 구분없이 형성된 제 2 전극과; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과; 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 상기 화소영역의 중앙부에서 공극을 가지며 형성되며, 도전 필러를 갖는 접착필름을 포함한다. An organic electroluminescent device according to another embodiment of the present invention includes: a first substrate having a plurality of pixel regions defined; A thin film transistor located on each of the pixel regions on the first substrate; A first electrode connected to the first substrate thin film transistor; A spacer positioned above the first electrode; An organic light emitting layer disposed on the first electrode; A second electrode formed on the organic light emitting layer without a pixel region; A second substrate facing the first substrate; And an adhesive film formed between the first and second substrates and having a gap at a central portion of the pixel region, the adhesive film having a conductive filler.

본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 도전 필러(conduction filler)가 충진된 접착필름의 두께를 조절함으로써, 유기전계 발광소자 내부에서의 전기적 접촉 불량을 방지할 수 있는 장점을 갖는다.The organic electroluminescent device according to the present invention has an advantage of preventing the electrical contact failure inside the organic electroluminescent device by controlling the thickness of the adhesive film filled with the conductive filler.

또한, 접착필름을 개재하여 상기 제 1 기판과 제 2 기판이 합착됨으로써 외부로터의 수분 침투를 완전히 방지하며, 두 기판 사이에 빈 공간이 발생하지 않으므로 아웃개싱(out gassing)을 방지하여 유기물로 이루어진 구성요소의 수축에 의한 제 1 및 제 2 기판 간 도통불량을 방지하는 효과가 있다.Further, since the first substrate and the second substrate are bonded together through the adhesive film, moisture permeation of the outer rotor is completely prevented, and void space is not generated between the two substrates, thereby preventing out gassing, There is an effect of preventing conduction failure between the first and second substrates due to shrinkage of the component.

따라서, 유기전계 발광소자의 전기적 특성이 향상되고 수명이 늘어나는 장점을 갖는다.Therefore, the organic electroluminescent device has an advantage of improving the electrical characteristics and increasing the lifetime.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 일부에 대한 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a part of an organic electroluminescent device according to a first embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 유기전계 발광소자(100)는 제 1 기판(110)과, 상기 제 1 기판(110)과 마주하는 제 2 기판(150)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 150) 사이에 위치하며 도전 필러(conduction filler)(193)가 충진된 접착필름(191)을 포함한다.The organic electroluminescent device 100 includes a first substrate 110, a second substrate 150 facing the first substrate 110, and first and second substrates 110 and 150 And a conductive film 191 filled with a conductive filler 193. The adhesive film 191 is formed of a conductive filler.

먼저, 상기 제 1 기판(110)에는 게이트 배선(미도시)과, 데이터 배선(미도시)과, 박막트랜지스터(Tr)와, 연결전극(135)이 위치한다. 상기 게이트 배선(미도시) 및 상기 데이터 배선(미도시)은 서로 교차하여 제 1 화소영역(P1)을 포함하는 화소영역(P)을 정의하고 있다. 또한 상기 제 1 영역(P1)에는 스위칭 및 구동 소자로서 게이트 전극(111)과, 게이트 절연막(112)과, 액티브층(113a)과 오믹콘택층(113b)으로 이루어진 반도체층(113)과, 소스 및 드레인 전극(118, 120)으로 구성된 박막트랜지스터(Tr)가 형성되어 있다. 또한, 상기 박막트랜지스터(Tr)를 덮으며 상기 박막트랜지스터(Tr)의 소스 전극(118) 또는 드레인 전극(120)(도면에서는 드레인 전극(120)이 노출됨을 보이고 있음)을 노출시키는 콘택홀(127)을 갖는 보호층(125)이 형성되어 있다. 또한 상기 보호층(125) 위로는 상기 콘택홀(127)을 통해 노출된 상기 드레인 전극(120)과 접촉하며 연결전극(135)이 형성되어 있다.First, a gate wiring (not shown), a data wiring (not shown), a thin film transistor Tr, and a connection electrode 135 are disposed on the first substrate 110. The gate line (not shown) and the data line (not shown) intersect each other to define a pixel region P including the first pixel region P1. A gate electrode 111, a gate insulating film 112, a semiconductor layer 113 composed of an active layer 113a and an ohmic contact layer 113b as a switching and driving element, And the drain electrodes 118 and 120 are formed on the surface of the thin film transistor Tr. A contact hole 127 (not shown) exposing the source electrode 118 or the drain electrode 120 of the thin film transistor Tr (which shows that the drain electrode 120 is exposed in the drawing) The protective layer 125 is formed. A connection electrode 135 is formed on the passivation layer 125 in contact with the drain electrode 120 exposed through the contact hole 127.

전술한 구조를 갖는 제 1 기판(110)에 대응하는 제 2 기판(150)의 내측면에는 제 1 전극(153)이 전면에 형성되어 있으며, 그 하부로 각 화소영역(P)의 경계에 대응하여 버퍼패턴(157)이 형성되어 있다. 이때 상기 제 1 전극(153)과 상기 제 2 기판 사이에는 화소영역(P)의 경계에 보조전극(151)이 형성되고 있다. A first electrode 153 is formed on the entire inner surface of the second substrate 150 corresponding to the first substrate 110 having the structure described above, A buffer pattern 157 is formed. At this time, an auxiliary electrode 151 is formed between the first electrode 153 and the second substrate at the boundary of the pixel region P.

또한, 상기 버퍼패턴(157) 하부에는 그 단면이 상기 제 2 기판(150)의 내측면을 기준으로 역테이퍼 구조로서 격벽(160)이 형성되어 있으며, 또한 상기 버퍼패턴(157) 하부에는 테이퍼 구조로서 기둥형태의 스페이서(155)가 상기 격벽(160)보다 큰 높이를 가지며 형성되어 있다. In addition, a partition wall 160 is formed as an inverted tapered structure with respect to the inner side surface of the second substrate 150 at the lower portion of the buffer pattern 157, and a tapered structure A columnar spacer 155 having a height greater than that of the partition 160 is formed.

또한, 각 화소영역(P)에는 역테이퍼 구조를 갖는 상기 격벽(160)에 의해 자 동적으로 각 화소영역(P)별로 분리되며 상기 제 1 전극(153) 하부에 유기 발광물질로서 유기 발광층(165) 및 제 2 전극(170)이 순차적으로 형성되어 있다. 이때 상기 유기 발광층(165)과 상기 제 2 전극(170)은 상기 스페이서(155)까지 덮으며 형성되고 있으며, 상기 순차 적층 형성된 제 1 전극(153)과 유기 발광층(165)과 제 2 전극(170)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다. Each pixel region P is divided into the pixel regions P by the partition 160 having an inverse taper structure and the organic light emitting layer 165 And a second electrode 170 are sequentially formed. The organic light emitting layer 165 and the second electrode 170 are formed so as to cover the spacer 155. The organic light emitting layer 165 and the second electrode 170 ) Constitute an organic electroluminescent diode (E).

상기 제 1 전극(153)과 상기 제 2 전극(170) 중 어느 하나는 캐소드이며, 다른 하나는 애노드이다. 또한, 상기 제 1 전극(153)을 투명 도전성물질로 형성하여 상기 유기발광층(165)으로부터 발광된 빛이 상기 제 2 기판(150)을 통과하도록 할 수 있으며, 이와 달리 상기 제 2 전극(170)을 투명 도전성물질로 형성하여 상기 유기발광층(165)으로부터 발광된 빛이 상기 제 1 기판(110)을 통과하도록 할 수도 있다.One of the first electrode 153 and the second electrode 170 is a cathode and the other is an anode. The first electrode 153 may be formed of a transparent conductive material so that the light emitted from the organic light emitting layer 165 may pass through the second substrate 150. Alternatively, May be formed of a transparent conductive material so that light emitted from the organic light emitting layer 165 may pass through the first substrate 110.

또한, 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(150)의 표시영역 전면에 랜덤하게 분포된 도전 필러(conduction filler)(193)를 포함하는 접착필름(191)을 개재하여 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 150)을 합착함으로써 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 150)의 이격을 방지하고 동시에 외부로부터의 수분의 침투를 거의 완벽히 방지할 수 있게 된다.The first and the second substrates 150 and 150 are bonded to each other through an adhesive film 191 including a conductive filler 193 randomly distributed on the entire display region of the first substrate 110 and the second substrate 150. [ 2 substrates 110 and 150 are bonded together to prevent the first and second substrates 110 and 150 from being separated from each other, and at the same time, the penetration of moisture from the outside can be almost completely prevented.

전술한 바와 같이, 상기 유기전계발광다이오드(E)와 상기 박막트랜지스터(Tr)의 연결을 위해, 상기 제 1 기판(110) 상에 위치하는 상기 연결전극(135)과, 상기 제 2 기판(150) 상에 위치하는 상기 제 2 전극(170)은 접촉되어야 한다. 이때, 상기 제 2 전극(170)은 상기 접착필름(191)의 도전필러(193)을 통해 상기 연결 전극(135)과 전기적으로 연결된다.The connection electrode 135 positioned on the first substrate 110 and the connection electrode 135 located on the second substrate 150 for connecting the organic electroluminescent diode E and the thin film transistor Tr, The second electrode 170 located on the second electrode 170 should be in contact. At this time, the second electrode 170 is electrically connected to the connection electrode 135 through the conductive filler 193 of the adhesive film 191.

그런데, 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 150)의 합착 후, 상기 제 2 전극(170)과 상기 연결전극(135) 사이의 거리가 원하는 거리보다 커지게 되며, 상기 도전필러(193)가 상기 제 2 전극(170)과 상기 연결전극(135) 사이에 존재하지만, 전기적 접촉에 문제가 발생한다.After the first and second substrates 110 and 150 are attached to each other, a distance between the second electrode 170 and the connection electrode 135 becomes larger than a desired distance. The conductive filler 193 The second electrode 170 is present between the second electrode 170 and the connection electrode 135, but a problem arises in electrical contact.

이는 상기 접착필름(191)이 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 150) 사이의 거리와 같거나 큰 두께를 갖기 때문에 발생하는 것으로 확인되었다.It was confirmed that this occurs because the adhesive film 191 has a thickness equal to or greater than the distance between the first and second substrates 110 and 150.

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 평면도이고, 도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 개략적인 단면도이다.FIG. 4 is a plan view of an organic electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of an organic electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 도시한 바와 같이, 유기전계 발광소자(200)는 제 1 기판(210)과, 상기 제 1 기판(210)과 마주하는 제 2 기판(250)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(210, 250) 사이에 위치하며 도전 필러(conduction filler)(293)가 충진된 접착필름(291)을 포함한다.As shown in the drawing, the organic electroluminescent device 200 includes a first substrate 210, a second substrate 250 facing the first substrate 210, a first substrate 210 facing the first substrate 210, And an adhesive film 291 disposed between the substrates 210 and 250 and filled with a conductive filler 293.

먼저, 상기 제 1 기판(210)에는 게이트 배선(미도시)과, 데이터 배선(미도시)과, 박막트랜지스터(Tr)와, 연결전극(235)이 위치한다. 상기 게이트 배선(미도시) 및 상기 데이터 배선(미도시)은 서로 교차하여 제 1 화소영역(P1)을 포함하는 화소영역(P)을 정의하고 있다. 또한 상기 제 1 영역(P1)에는 스위칭 및 구동 소자로서 게이트 전극(211)과, 게이트 절연막(212)과, 액티브층(213a)과 오믹콘택층(213b)으로 이루어진 반도체층(213)과, 소스 및 드레인 전극(218, 220)으로 구성 된 박막트랜지스터(Tr)가 상기 화소영역(P) 각각의 일측에 위치하고 있다. 또한, 상기 박막트랜지스터(Tr)를 덮으며 상기 박막트랜지스터(Tr)의 소스 전극(218) 또는 드레인 전극(220)(도면에서는 드레인 전극(220)이 노출됨을 보이고 있음)을 노출시키는 콘택홀(227)을 갖는 보호층(225)이 형성되어 있다. 또한 상기 보호층(225) 위로는 상기 콘택홀(227)을 통해 노출된 상기 드레인 전극(120)과 접촉하며 연결전극(235)이 형성되어 있다.First, a gate wiring (not shown), a data wiring (not shown), a thin film transistor Tr, and a connection electrode 235 are disposed on the first substrate 210. The gate line (not shown) and the data line (not shown) intersect each other to define a pixel region P including the first pixel region P1. In the first region P1, a gate electrode 211, a gate insulating film 212, a semiconductor layer 213 composed of an active layer 213a and an ohmic contact layer 213b as a switching and driving element, And a drain electrode 218 and a drain electrode 220 are disposed on one side of each of the pixel regions P, respectively. A contact hole 227 (not shown) exposing the source electrode 218 or the drain electrode 220 (the drain electrode 220 is exposed in the drawing) of the thin film transistor Tr is covered by covering the thin film transistor Tr The protective layer 225 is formed. A connection electrode 235 is formed on the passivation layer 225 in contact with the drain electrode 120 exposed through the contact hole 227.

전술한 구조를 갖는 제 1 기판(210)에 대응하는 제 2 기판(250)의 내측면에는 제 1 전극(253)이 전면에 형성되어 있으며, 그 하부로 각 화소영역(P)의 경계에 대응하여 버퍼패턴(257)이 형성되어 있다. 이때 상기 제 1 전극(253)과 상기 제 2 기판(250) 사이에는 화소영역(P)의 경계에 보조전극(251)이 형성되고 있다. A first electrode 253 is formed on the entire inner surface of the second substrate 250 corresponding to the first substrate 210 having the structure described above, A buffer pattern 257 is formed. At this time, an auxiliary electrode 251 is formed between the first electrode 253 and the second substrate 250 at the boundary of the pixel region P.

또한, 상기 버퍼패턴(257) 하부에는 그 단면이 상기 제 2 기판(250)의 내측면을 기준으로 역테이퍼 구조로서 격벽(260)이 형성되어 있으며, 또한 상기 버퍼패턴(257) 하부에는 테이퍼 구조로서 기둥형태의 스페이서(255)가 상기 격벽(260)보다 큰 높이(또는 두께)를 가지며 형성되어 있다. 상기 스페이서(255)는 상기 화소영역(P)의 일측에 위치한다.In addition, a partition wall 260 is formed as an inverted tapered structure with respect to an inner surface of the second substrate 250 in a section below the buffer pattern 257, and a tapered structure The columnar spacers 255 are formed to have a height (or thickness) larger than that of the barrier ribs 260. The spacer 255 is located on one side of the pixel region P. [

또한, 각 화소영역(P)에는 역테이퍼 구조를 갖는 상기 격벽(260)에 의해 자동적으로 각 화소영역(P)별로 분리되며 상기 제 1 전극(253) 하부에 유기 발광물질로서 유기 발광층(265) 및 제 2 전극(270)이 순차적으로 형성되어 있다. 이때 상기 유기 발광층(265)과 상기 제 2 전극(270)은 상기 스페이서(255)까지 덮으며 형성되고 있으며, 상기 순차 적층 형성된 제 1 전극(253)과 유기 발광층(265)과 제 2 전 극(270)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다. The pixel region P is divided into the pixel regions P by the partition walls 260 having an inverse taper structure and the organic light emitting layer 265 is formed below the first electrode 253 as an organic light emitting material. And a second electrode 270 are sequentially formed. The organic light emitting layer 265 and the second electrode 270 are formed to cover the spacers 255 and the organic light emitting layer 265 and the second electrode 270 constitute an organic electroluminescent diode (E).

상기 제 1 전극(253)과 상기 제 2 전극(270) 중 어느 하나는 캐소드 전극의 역할을 하며, 다른 하나는 애노드 전극의 역할을 한다. 또한, 상기 제 1 전극(253)을 투명 도전성물질로 형성하여 상기 유기발광층(265)으로부터 발광된 빛이 상기 제 2 기판(250)을 통과하도록 할 수 있으며, 이와 달리 상기 제 2 전극(270)을 투명 도전성물질로 형성하여 상기 유기발광층(265)으로부터 발광된 빛이 상기 제 1 기판(210)을 통과하도록 할 수도 있다.One of the first electrode 253 and the second electrode 270 serves as a cathode electrode and the other serves as an anode electrode. The first electrode 253 may be formed of a transparent conductive material so that light emitted from the organic emission layer 265 may pass through the second substrate 250. Alternatively, May be formed of a transparent conductive material to allow light emitted from the organic light emitting layer 265 to pass through the first substrate 210.

또한, 상기 제 1 기판(210)과 제 2 기판(250)의 표시영역 전면에 랜덤하게 분포된 도전 필러(conduction filler)(293)를 포함하는 접착필름(291)을 개재하여 상기 제 1 및 제 2 기판(210, 250)을 합착함으로써 상기 제 1 및 제 2 기판(210, 250)의 이격을 방지하고 동시에 외부로부터의 수분의 침투를 거의 완벽히 방지할 수 있게 된다.The first and second substrates 250 and 250 are bonded to each other through an adhesive film 291 including a conductive filler 293 randomly distributed over the entire display region of the first substrate 210 and the second substrate 250. [ 2 substrates 210 and 250 are bonded together to prevent the first and second substrates 210 and 250 from being separated from each other, and at the same time, penetration of moisture from the outside can be almost completely prevented.

이때, 본 발명의 특징 중 하나는, 상기 화소영역(P)의 중앙부에 대하여 상기 제 2 전극(270)과 상기 접착필름(291)이 접촉되지 않는 공극(295)이 포함되는 것이다. 즉, 도 4에서 보여지는 바와 같이, 상기 화소영역(P)의 일측(B)에 스페이서(도 5의 255)가 위치하고, 상기 화소영역(P)의 중앙부(A)에 공극(295)이 형성되며, 상기 접착필름(291)은 상기 중앙부(A)에서 상기 제 1 및 제 2 기판(210, 250) 사이 공간을 완전히 채우지 않는다. 따라서, 상기 접착필름(291)은 상기 화소영역(P)의 가장자리에서는 상기 제 2 전극(270)과 완전히 접촉하고 있지만, 상기 화소영역(P)의 중앙부에서는 상기 제 2 전극(270)과 접촉되지 않는 공극(295)을 형성한다. 즉, 상기 공극(295)에서 상기 접착필름(291)은 상기 제 2 전극(270)과 제 1 거리만큼 이격되어 있다.One characteristic feature of the present invention is that the second electrode 270 and the adhesive film 291 are not in contact with the central portion of the pixel region P, 4), a spacer (255 in FIG. 5) is located on one side B of the pixel region P and a gap 295 is formed in a central portion A of the pixel region P And the adhesive film 291 does not completely fill the space between the first and second substrates 210 and 250 in the central portion A. The adhesive film 291 completely contacts the second electrode 270 at the edge of the pixel region P but does not contact the second electrode 270 at the center of the pixel region P (Not shown). That is, in the gap 295, the adhesive film 291 is separated from the second electrode 270 by a first distance.

이러한 공극(295)이 완충작용을 하여, 상기 연결전극(235)과 상기 제 2 전극(270) 사이의 거리가 일정하게 유지될 수 있으며, 상기 연결전극(235)과 상기 제 2 전극(270) 간의 전기적 접촉 특성이 향상된다. The distance between the connection electrode 235 and the second electrode 270 can be kept constant and the connection electrode 235 and the second electrode 270 can be kept constant. The electrical contact characteristics between the electrodes are improved.

즉, 상기 화소영역(P) 중앙부의 상기 제 2 전극(270)과 상기 연결전극(235) 사이의 거리는 약 2~10㎛인데, 상기 접착필름(191)의 두께를 이보다 작게 하는 것이 특징이다. 상기 접착필름(291)을 이용하여 상기 제 1 및 제 2 기판(210, 250)을 합착하는 경우, 상기 화소영역(P)의 중앙부에서 상기 접착필름(291)이 상기 제 2 전극(270)과 접촉하지 않는 공극(295)이 발생하게 된다.That is, the distance between the second electrode 270 and the connection electrode 235 in the central portion of the pixel region P is about 2 to 10 μm, and the thickness of the adhesive film 191 is made smaller. When the first and second substrates 210 and 250 are attached to each other by using the adhesive film 291, the adhesive film 291 is formed at the central portion of the pixel region P, A non-contacted air gap 295 is generated.

도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 개략적인 공정 단면도이다.6A to 6C are schematic cross-sectional views of an organic electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention.

도 6a에 도시된 바와 같이, 제 1 기판(210) 상에 게이트 배선(미도시)과 게이트 전극(211)을 형성한다. 다음, 상기 게이트 배선 및 상기 게이트 전극(211)을 덮는 게이트 절연막(212)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(212) 상에 반도체층(213)과 소스 전극(218) 및 드레인 전극(220)을 형성한다. 상기 반도체층(213)과 상기 소스 전극(218) 및 상기 드레인 전극(220)은 상기 게이트 전극(211)에 대응하여 위치한다. 상기 게이트 전극(211), 상기 게이트 절연막(212), 상기 반도체층(213), 상기 소스 전극(218) 및 상기 드레인 전극(220)은 박막트랜지스터(Tr)를 구성한다.A gate wiring (not shown) and a gate electrode 211 are formed on the first substrate 210, as shown in FIG. 6A. Next, a gate insulating film 212 is formed to cover the gate wiring and the gate electrode 211, and a semiconductor layer 213, a source electrode 218, and a drain electrode 220 are formed on the gate insulating film 212 do. The semiconductor layer 213, the source electrode 218, and the drain electrode 220 are located corresponding to the gate electrode 211. The gate electrode 211, the gate insulating layer 212, the semiconductor layer 213, the source electrode 218 and the drain electrode 220 constitute a thin film transistor Tr.

또한, 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(미도시)을 형성한다.Further, a data wiring (not shown) is formed which crosses the gate wiring and defines the pixel region P.

다음, 상기 소스 전극(218), 상기 드레인 전극(220) 및 상기 데이터 배선을 덮으며, 상기 드레인 전극(220)을 노출시키는 드레인 콘택홀(227)을 갖는 보호층(225)을 형성한다.Next, a protective layer 225 is formed to cover the source electrode 218, the drain electrode 220, and the data line, and having a drain contact hole 227 exposing the drain electrode 220.

다음, 상기 보호층(225) 상에, 상기 드레인 콘택홀(227)을 통해 상기 드레인 전극(220)과 연결되는 연결전극(235)을 형성한다.Next, a connection electrode 235 connected to the drain electrode 220 is formed on the passivation layer 225 through the drain contact hole 227.

다음, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 연결전극(235) 및 상기 보호층(225) 상에 제 1 두께(t1)를 갖는 접착필름(291)을 위치시킨다. 상기 접착필름(291)은 도전필러(293)을 포함하고 있다. 상기 접착필름(291)은 열경화성 수지이다.Next, as shown in FIG. 6B, an adhesive film 291 having a first thickness t1 is placed on the connection electrode 235 and the protective layer 225. Then, as shown in FIG. The adhesive film 291 includes a conductive filler 293. The adhesive film 291 is a thermosetting resin.

다음, 도 6c에 도시된 바와 같이, 제 1 전극(253), 유기발광층(265), 제 2 전극(270)으로 구성된 유기발광다이오드(E)와, 격벽(260)과, 스페이서(255) 등이 형성된 제 2 기판(250)을 상기 스페이서(255)를 덮는 상기 제 2 전극(270)이 상기 연결패턴(235)에 대응되도록 위치시킨 후 상기 제 1 기판(210)과 상기 제 2 기판(250)을 합착시킨다. 6C, an organic light emitting diode E including a first electrode 253, an organic light emitting layer 265 and a second electrode 270, a barrier rib 260, a spacer 255, and the like The second electrode 250 covering the spacer 255 is positioned to correspond to the connection pattern 235 and the first substrate 210 and the second substrate 250 ).

상기 합착공정은 진공 분위기에서 진행되며, 상기 접착필름(291)에 열이 가해진다. 상기 접착필름(291)은 열경화성 수지로 이루어지며 가열에 의해 점성을 갖게 된다. 이러한 상태에서, 상기 제 2 기판(250)과 상기 제 1 기판(210)을 가압하면, 상기 스페이서(255) 및 상기 격벽(260)에 의해 상기 접착필름(291)이 눌려지게 되고 캐필라리(capillary) 작용에 의해 상기 화소영역(P)의 중앙부로 접착필 름(291)이 이동하게 된다.The adhesion process proceeds in a vacuum atmosphere, and heat is applied to the adhesive film 291. The adhesive film 291 is made of a thermosetting resin and has viscosity by heating. In this state, when the second substrate 250 and the first substrate 210 are pressed, the adhesive film 291 is pressed by the spacer 255 and the partition wall 260, and the capillary the adhesive film 291 is moved to the center of the pixel region P by capillary action.

이때, 상기 접착필름(291)의 제 1 두께(t1)는 상기 제 2 전극(270)과 상기 연결전극(235) 사이의 거리(t2)보다 작으며, 이에 따라 상기 화소영역(P)의 중앙부에서 상기 접착필름(291)이 상기 제 2 전극(270)과 접촉하지 않는 공극(295)이 발생한다.The first thickness t1 of the adhesive film 291 is smaller than the distance t2 between the second electrode 270 and the connection electrode 235. Accordingly, A void 295 is generated in which the adhesive film 291 does not contact the second electrode 270.

상기 공극(295)은 완충작용을 하여, 상기 연결전극(235)과 상기 제 2 전극(270) 사이의 거리가 일정하게 유지될 수 있으며, 상기 연결전극(235)과 상기 제 2 전극(270) 간의 전기적 접촉 특성이 향상된다.The distance between the connection electrode 235 and the second electrode 270 can be kept constant and the gap between the connection electrode 235 and the second electrode 270 can be maintained constant, The electrical contact characteristics between the electrodes are improved.

또한, 상기 접착필름(291)에 의해 상기 유기전계 발광소자(200) 내부가 완전히 밀폐되어, 외부의 수분 등이 침투하여 소자의 수명이 감축되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the inside of the organic EL device 200 is completely sealed by the adhesive film 291, so that external moisture can be prevented from penetrating and the lifetime of the device can be prevented from being reduced.

이상에서, 유기전계 발광다이오드와 박막트랜지스터가 서로 다른 기판에 위치하는 듀얼 패널 타입을 예로 들었으나, 이들이 하나의 기판에 위치하는 유기전계 발광소자에도 적용될 수 있다. 이때, 상기 접착필름은 도전 필러를 포함하지 않는다.Although the dual panel type in which the organic light emitting diode and the thin film transistor are located on different substrates is taken as an example, the present invention can be applied to an organic light emitting device which is located on one substrate. At this time, the adhesive film does not include a conductive filler.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It can be understood that

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 한 화소에 대한 회로도.1 is a circuit diagram of a pixel of a general active matrix organic electroluminescent device.

도 2는 종래의 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자의 일부에 대한 단면도.2 is a cross-sectional view of a portion of a conventional dual panel type organic electroluminescent device.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 일부에 대한 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a part of an organic electroluminescent device according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 평면도이다. 4 is a plan view of an organic electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 개략적인 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view of an organic electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention.

도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 개략적인 공정 단면도이다.6A to 6C are schematic cross-sectional views of an organic electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention.

Claims (8)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 다수의 화소영역이 정의된 제 1 기판 상에, 상기 다수의 화소영역 각각에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming a thin film transistor on each of the plurality of pixel regions on a first substrate on which a plurality of pixel regions are defined; 상기 박막트랜지스터와 연결되는 연결패턴을 형성하는 단계와;Forming a connection pattern connected to the thin film transistor; 상기 연결패턴 상에 제 1 두께를 가지며 도전 필러를 포함하는 접착필름을 위치시키는 단계와;Positioning an adhesive film having a first thickness on the connection pattern and including a conductive filler; 제 2 기판 상에, 제 1 전극을 형성하는 단계와;Forming a first electrode on a second substrate; 상기 제 1 전극 상에, 상기 화소영역 각각의 일측에 대응하여 스페이서를 형성하는 단계와;Forming a spacer on the first electrode corresponding to one side of each of the pixel regions; 상기 제 1 전극 상에 유기발광층을 형성하는 단계와;Forming an organic light emitting layer on the first electrode; 상기 스페이서 및 상기 유기발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계와;Forming a second electrode on the spacer and the organic light emitting layer; 상기 스페이서를 덮는 상기 제 2 전극이 상기 연결패턴에 대응되며, 상기 화소영역 중앙부의 상기 제 2 전극과 상기 연결패턴 사이의 거리가 상기 제 1 두께보다 큰 제 2 두께를 갖도록 상기 제 1 및 제 2 기판을 합착시키는 단계를 포함하며,Wherein the second electrode covering the spacer corresponds to the connection pattern and the distance between the second electrode and the connection pattern at the central portion of the pixel region has a second thickness greater than the first thickness, And adhering the substrate, 상기 접착필름은 그 일면이 상기 화소영역의 가장자리에서 상기 제 2 전극과 접촉하고 상기 화소영역의 중앙부에서 상기 제 2 전극과 이격되어 공극이 형성되는 것이 특징인 유기전계 발광소자의 제조방법.Wherein one side of the adhesive film is in contact with the second electrode at an edge of the pixel region and is spaced apart from the second electrode at a central portion of the pixel region. 제 4 항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 접착필름은 열경화성 수지이며, 상기 제 1 및 제 2 기판을 합착시키는 단계는 상기 접착필름을 가열하는 단계를 포함하는 것이 특징인 유기전계 발광소자의 제조방법.Wherein the adhesive film is a thermosetting resin, and the step of bonding the first and second substrates includes heating the adhesive film. 제 4 항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 제 2 기판 상에 상기 스페이서보다 얇은 두께를 갖고 상기 화소영역의 가장자리에 위치하는 격벽을 형성하는 단계를 포함하는 것이 특징인 유기전계 발광소자의 제조방법.And forming a barrier rib on the second substrate, the barrier rib having a thickness smaller than that of the spacer and located at an edge of the pixel region. 제 6 항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 공극은 상기 화소영역 각각에서 상기 격벽 사이에 위치하는 것이 특징인 유기전계 발광소자의 제조방법.Wherein the gap is located between the barrier ribs in each of the pixel regions. 삭제delete
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