KR101617276B1 - Plasma generator and substrate treatment apparatus having thereof - Google Patents

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Abstract

플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 기판 처리장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치는, 기판에 증착물질을 제공하는 타겟모듈; 타겟모듈과 전기적으로 분리된 접지부; 타겟모듈과 접지부 사이에 마련된 절연부; 및 타겟모듈의 일측에 마련되되, 타겟모듈에 파워를 공급하는 파워공급부를 포함하며, 타겟모듈과 접지부 사이의 정전용량을 조절하여 타겟모듈의 파워흡수율 분포를 제어하도록, 타겟모듈과 접지부 사이의 간격이 비균일하게 형성된다.A plasma generating apparatus and a substrate processing apparatus having the plasma generating apparatus are disclosed. A plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention includes a target module for providing a deposition material on a substrate; A grounding part electrically separated from the target module; An insulating portion provided between the target module and the grounding portion; And a power supply unit provided at one side of the target module for supplying power to the target module and adjusting a capacitance between the target module and the ground unit to control a power absorption rate distribution of the target module, Are formed non-uniformly.

Description

플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 기판 처리장치{PLASMA GENERATOR AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS HAVING THEREOF}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a plasma generating apparatus,

본 발명은, 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 기판 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 타겟모듈 및 타겟모듈 어셈블리의 위치에 따른 파워흡수율 분포를 조절할 수 있는 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 기판 처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma generating apparatus and a substrate processing apparatus having the same, and more particularly, to a plasma generating apparatus capable of adjusting a power absorption rate distribution according to a position of a target module and a target module assembly, .

LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), OLED(Organic Light Emitting Diodes) 및 OTFT(Organic Thin Film Transistor) 등의 평면 디스플레이나 반도체 등은 박막 증착(Deposition), 식각(Etching) 등의 다양한 공정을 거쳐 제품으로 출시된다.Flat displays such as LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel), OLED (Organic Light Emitting Diodes) and OTFT (Organic Thin Film Transistor), and semiconductors are widely used for various applications such as thin film deposition and etching And then released as a product.

다양한 공정 중에서 특히 박막 증착 공정은, 증착의 중요한 원리에 따라 크게 두 가지로 나뉜다.Among various processes, the thin film deposition process is largely divided into two according to the important principle of the deposition.

하나는 화학적 기상 증착(Chemical Vapor deposition, CVD)이고, 다른 하나는 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD)이며, 이들은 현재 공정의 특성에 맞게 널리 사용되고 있다.One is Chemical Vapor Deposition (CVD), and the other is Physical Vapor Deposition (PVD), which is widely used in accordance with current process characteristics.

화학적 기상 증착은, 외부의 고주파 전원에 의해 플라즈마(Plasma)화 되어 높은 에너지를 갖는 실리콘계 화합물 이온(ion)이 전극을 통해 샤워헤드로부터 분출되어 기판 상에 증착되도록 하는 방식이다.The chemical vapor deposition is a method of plasma-forming by an external high-frequency power source so that silicon compound ions having high energy are ejected from the showerhead through the electrode and deposited on the substrate.

그리고, 스퍼터 장치로 대변될 수 있는 물리적 기상 증착은, 플라즈마 내의 이온에 충분한 에너지를 걸어주어 타겟에 충돌되도록 한 후에 타겟으로부터 튀어나오는, 즉 스퍼터되는 타겟 원자가 기판 상에 증착되도록 하는 방식이다.The physical vapor deposition, which can be represented by a sputtering apparatus, is a method in which sufficient energy is applied to ions in the plasma to collide with the target, and then the sputtered target atoms are deposited on the substrate.

물리적 기상 증착에는 전술한 스퍼터(Sputter) 방식 외에도 이-빔(E-Beam), 이베퍼레이션(Evaporation), 서멀 이베퍼레이션(Thermal Evaporation) 등의 방식이 있기는 하지만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 스퍼터링 방식의 스터퍼 장치에 대하여 설명하기로 한다.In addition to the sputtering method described above, there are methods such as E-Beam, Evaporation, and Thermal Evaporation in physical vapor deposition. However, in the following description, A sputtering type stuffer device will be described.

종래의 스퍼터 장치는, 증착공간을 형성하는 공정챔버와, 공정챔버 내부에 마련되어 플라즈마를 발생시키고 기판을 향하여 증착물질을 제공하는 타겟모듈과, 타겟모듈에 파워를 공급하는 파워공급부를 포함한다.A conventional sputtering apparatus includes a process chamber for forming an evaporation space, a target module provided inside the process chamber for generating a plasma and providing an evaporation material toward the substrate, and a power supply unit for supplying power to the target module.

일반적인 스퍼터 장치에서 고주파 전력이 타겟모듈의 중앙부에 인가되고 고주파 전력이 타겟모듈의 중앙부에서 모서리부로 공급되는 경우에, 고주파 전력의 위상지연으로 인한 고주파 전력의 주파수에 대한 정재파 효과(standing wave effect)가 발생하는 문제점이 있다.When a high frequency power is applied to a central portion of a target module in a general sputtering apparatus and a high frequency power is supplied from a central portion to a corner portion of the target module, a standing wave effect on the frequency of the high frequency power due to the phase delay of the high frequency power There is a problem that occurs.

즉, 정재파 효과에 의해 타겟모듈의 중앙부에서 모서리부로 갈수록 전계의 세기가 낮아짐으로써 타겟모듈의 중심부에서 모서리부에 걸쳐 고주파 전력의 불균형이 발생한다.That is, due to the standing wave effect, the intensity of the electric field decreases from the central portion to the edge portion of the target module, so that a high frequency power imbalance occurs from the central portion to the corner portion of the target module.

따라서, 타겟모듈의 중심부에서 모서리부에 걸쳐 플라즈마 밀도가 불균일하며, 이로써 기판 상에 균일한 박막을 형성할 수 없는 문제점이 있다.Therefore, the plasma density is uneven from the central portion to the corner portion of the target module, which results in a problem that a uniform thin film can not be formed on the substrate.

특히, 기판의 대면적화에 의해 타겟모듈의 크기가 커질 경우에, 플라즈마 밀도의 불균일 현상은 더욱 심화되는 문제점이 있다.Particularly, when the size of the target module becomes large due to the large-sized substrate, there is a problem that the nonuniformity of the plasma density is further exacerbated.

[문헌1] 대한민국 공개특허 10-2007-0021919 (가부시키가이샤 알박) 2007.02.23.[Patent Document 1] Korean Patent Laid-Open No. 10-2007-0021919 (Applied Chemistry Co., Ltd., Alban) 2007.02.23.

따라서 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 타겟모듈 및 타겟모듈 어셈블리의 위치에 따른 파워흡수율 분포를 조절하여 플라즈마 밀도의 균일성을 확보함으로써, 기판 상에 균일하게 박막을 증착할 수 있는 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 기판 처리장치에 관한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a plasma generator capable of uniformly depositing a thin film on a substrate by controlling the power absorption rate distribution according to the position of the target module and the target module assembly, And a substrate processing apparatus having the same.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판에 증착물질을 제공하는 타겟모듈; 상기 타겟모듈과 전기적으로 분리된 접지부; 상기 타겟모듈과 상기 접지부 사이에 마련된 절연부; 및 상기 타겟모듈의 일측에 마련되되, 상기 타겟모듈에 파워를 공급하는 파워공급부를 포함하며, 상기 타겟모듈과 상기 접지부 사이의 정전용량을 조절하여 상기 타겟모듈의 파워흡수율 분포를 제어하도록, 상기 타겟모듈과 상기 접지부 사이의 간격이 비균일하게 형성되되, 상기 접지부는, 상기 타겟모듈의 길이방향 및 폭방향 중 적어도 어느 하나에 따라 상기 타겟모듈에 대향되는 방향으로 볼록형상, 오목형상 및 이들을 상호 조합한 것 중 어느 하나로 형성되며, 상기 절연부는, 상기 접지부 형상에 대응하여, 상기 타겟모듈의 길이방향 및 폭방향 중 적어도 어느 하나를 따라 두께를 달리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the invention, there is provided a lithographic apparatus comprising: a target module for providing a deposition material to a substrate; A grounding part electrically separated from the target module; An insulating portion provided between the target module and the grounding portion; And a power supply unit provided at one side of the target module and supplying power to the target module, wherein the power absorption rate distribution of the target module is controlled by adjusting a capacitance between the target module and the ground unit, Wherein the distance between the target module and the grounding unit is nonuniform, and the grounding unit has a convex shape and a concave shape in a direction opposite to the target module along at least one of a longitudinal direction and a width direction of the target module, Wherein the insulating portion has a thickness different from one another along at least one of a longitudinal direction and a width direction of the target module corresponding to the shape of the ground portion, .

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판에 증착물질을 제공하는 타겟모듈; 상기 타겟모듈과 전기적으로 분리된 접지부; 상기 타겟모듈과 상기 접지부 사이에 마련된 절연부; 및 상기 타겟모듈의 일측에 마련되되, 상기 타겟모듈에 파워를 공급하는 파워공급부를 포함하며, 상기 타겟모듈과 상기 접지부 사이의 정전용량을 조절하여 상기 타겟모듈의 파워흡수율 분포를 제어하도록, 상기 타겟모듈과 상기 접지부 사이의 간격이 비균일하게 형성되며, 상기 타겟모듈에서 스퍼터링되는 증착물질이 기판 방향으로 스퍼터링되도록 상기 타겟모듈에 인접하게 마련된 쉴드부를 더 포함하며, 상기 타겟모듈과 상기 쉴드부 사이의 정전용량을 조절하여 상기 타겟모듈의 파워흡수율 분포를 제어하도록, 상기 타겟모듈과 상기 쉴드부 사이의 간격이 비균일하게 형성되는 플라즈마 발생장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the invention, there is provided a lithographic apparatus comprising: a target module for providing a deposition material to a substrate; A grounding part electrically separated from the target module; An insulating portion provided between the target module and the grounding portion; And a power supply unit provided at one side of the target module and supplying power to the target module, wherein the power absorption rate distribution of the target module is controlled by adjusting a capacitance between the target module and the ground unit, Further comprising a shield portion formed adjacent to the target module such that the gap between the target module and the grounding portion is non-uniformly formed and the deposition material sputtered by the target module is sputtered toward the substrate, A distance between the target module and the shield portion is formed to be non-uniform so as to control a power absorption rate distribution of the target module by adjusting a capacitance between the target module and the shield portion.

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상기 절연부는, 상기 타겟모듈의 길이방향 및 폭방향을 따라 유전율을 달리하는 적어도 하나 이상의 절연체가 상호 적층되어 형성될 수 있다.The insulating portion may be formed by stacking at least one insulator having a different dielectric constant along the longitudinal direction and the width direction of the target module.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 기판에 증착물질을 제공하는 타겟모듈이 복수 개 상호 인접하게 배치된 타겟모듈 어셈블리; 상기 타겟모듈 어셈블리와 전기적으로 분리된 접지부; 상기 타겟모듈 어셈블리와 상기 접지부 사이에 마련된 절연부; 및 상기 타겟모듈 어셈블리의 일측에 마련되되, 상기 복수의 타겟모듈 각각에 연결되어 파워를 공급하는 파워공급부를 포함하며, 상기 타겟모듈 어셈블리와 상기 접지부 사이의 정전용량을 조절하여 상기 타겟모듈 어셈블리의 파워흡수율 분포를 제어하도록, 상기 타겟모듈 어셈블리와 상기 접지부 사이의 간격이 비균일하게 형성되되, 상기 접지부는, 상기 타겟모듈 어셈블리의 길이방향 및 폭방향 중 적어도 어느 하나를 따라 상기 타겟모듈 어셈블리에 대향되는 방향으로 볼록형상, 오목형상 및 이들을 상호 조합한 것 중 어느 하나로 형성되며, 상기 절연부는, 상기 접지부 형상에 대응하여, 상기 타겟모듈 어셈블리의 길이방향 및 폭방향 중 적어도 어느 하나를 따라 두께를 달리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치가 제공될 수 있다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a target module assembly comprising a plurality of target modules disposed adjacent to each other to provide a deposition material on a substrate; A grounding unit electrically separated from the target module assembly; An insulating portion provided between the target module assembly and the grounding portion; And a power supply unit provided at one side of the target module assembly and connected to each of the plurality of target modules to supply power to the target module assembly to adjust a capacitance between the target module assembly and the ground unit, Wherein the distance between the target module assembly and the grounding portion is non-uniform so as to control the power absorption rate distribution, and the grounding portion is provided on the target module assembly along at least one of a longitudinal direction and a width direction of the target module assembly Wherein the insulating portion is formed in one of a convex shape, a concave shape, and a combination of the convex shape, the concave shape, and the combination thereof in the opposite direction, and the insulating portion has a thickness The plasma generating apparatus may be provided with a plasma generating apparatus.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 기판에 증착물질을 제공하는 타겟모듈이 복수 개 상호 인접하게 배치된 타겟모듈 어셈블리; 상기 타겟모듈 어셈블리와 전기적으로 분리된 접지부; 상기 타겟모듈 어셈블리와 상기 접지부 사이에 마련된 절연부; 및 상기 타겟모듈 어셈블리의 일측에 마련되되, 상기 복수의 타겟모듈 각각에 연결되어 파워를 공급하는 파워공급부를 포함하며, 상기 타겟모듈 어셈블리와 상기 접지부 사이의 정전용량을 조절하여 상기 타겟모듈 어셈블리의 파워흡수율 분포를 제어하도록, 상기 타겟모듈 어셈블리와 상기 접지부 사이의 간격이 비균일하게 형성되며, 상기 타겟모듈 어셈블리에서 스퍼터링되는 증착물질이 기판 방향으로 스퍼터링되도록 상기 타겟모듈 어셈블리에 인접하게 마련된 쉴드부를 더 포함하며, 상기 타겟모듈 어셈블리와 상기 쉴드부 사이의 정전용량을 조절하여 상기 타겟모듈 어셈블리의 파워흡수율 분포를 제어하도록, 상기 타겟모듈 어셈블리와 상기 쉴드부 사이의 간격이 비균일하게 형성되는 플라즈마 발생장치가 제공될 수 있다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a target module assembly comprising a plurality of target modules disposed adjacent to each other to provide a deposition material on a substrate; A grounding unit electrically separated from the target module assembly; An insulating portion provided between the target module assembly and the grounding portion; And a power supply unit provided at one side of the target module assembly and connected to each of the plurality of target modules to supply power to the target module assembly to adjust a capacitance between the target module assembly and the ground unit, A shield portion provided adjacent to the target module assembly such that a distance between the target module assembly and the grounding portion is non-uniformly formed so as to control a power absorption rate distribution, and a deposition material sputtered in the target module assembly is sputtered toward the substrate Wherein a distance between the target module assembly and the shield unit is non-uniformly formed to control a power absorption rate distribution of the target module assembly by adjusting a capacitance between the target module assembly and the shield unit, A device may be provided.

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상기 절연부는, 상기 타겟모듈 어셈블리의 길이방향 및 폭방향을 따라 유전율을 달리하는 적어도 하나 이상의 절연체가 상호 적층되어 형성될 수 있다.The insulating portion may be formed by stacking at least one insulator having a different dielectric constant along the longitudinal direction and the width direction of the target module assembly.

상기 타겟모듈은, 상기 기판에 증착물질을 제공하는 타겟; 상기 타겟의 일측에 마련된 백킹 플레이트; 및 상기 백킹 플레이트의 일측에 마련된 마그네트 유닛을 포함하며, 상기 파워공급부는 상기 백킹 플레이트와 전기적으로 연결될 수 있다.The target module comprising: a target for providing an evaporation material to the substrate; A backing plate provided on one side of the target; And a magnet unit provided on one side of the backing plate, and the power supply unit may be electrically connected to the backing plate.

상기 파워공급부는, DC 파워, DC Pulse 파워, RF 파워, LF 파워, Microwave 파워 및 이들을 상호 조합한 것 중 어느 하나일 수 있다.The power supply unit may be any one of DC power, DC pulse power, RF power, LF power, Microwave power, and a combination thereof.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 기판에 대한 증착공간을 형성하는 공정챔버; 및 상기 공정챔버 내부에 마련되되, 제1항, 제4항, 제6항 또는 제9항 따른 적어도 하나 이상의 플라즈마 발생장치를 포함하는 기판 처리장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a process chamber, comprising: a process chamber for forming a deposition space for a substrate; And a substrate processing apparatus provided in the process chamber and including at least one plasma generating apparatus according to any one of claims 1, 4, 6, and 9.

본 발명의 실시예들은, 타겟모듈 및 타겟모듈 어셈블리와 접지부 사이의 정전용량을 조절함으로써, 타겟모듈 및 타겟모듈 어셈블리의 위치에 따른 파워흡수율 분포 및 플라즈마 밀도의 균일성을 확보할 수 있어 기판 상에 균일하게 박막을 증착할 수 있다.Embodiments of the present invention can ensure the uniformity of the power absorption rate distribution and the plasma density according to the position of the target module and the target module assembly by adjusting the capacitance between the target module and the target module assembly and the grounding portion, It is possible to deposit the thin film uniformly.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리장치를 나타내는 구성도이다.
도 2 내지 도 5는 도 1의 A-A 단면에 따른 플라즈마 발생장치에 있어서, 접지부의 형상변경을 나타내는 측단면도이다.
도 6 내지 도 9는 도 1의 A-A 단면에 따른 플라즈마 발생장치에 있어서, 타겟모듈의 형상변경을 나타내는 측단면도이다.
도 10 및 도 11은 도 1의 A-A 단면에 따른 플라즈마 발생장치에 있어서, 상호 적층된 2개의 절연체를 구비한 절연부를 나타내는 측단면도이다.
도 12 및 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치에 있어서, 쉴드부의 형상변경을 나타내는 정면도이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치가 복수 개 마련된 상태를 나타내는 정면도이다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치를 나타내는 정면도이다.1 is a configuration diagram showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
Figs. 2 to 5 are side cross-sectional views showing the shape of the grounding portion in the plasma generating device according to the cross-section AA in Fig.
Figs. 6 to 9 are side cross-sectional views showing a shape change of the target module in the plasma generating device according to the cross section AA in Fig.
Figs. 10 and 11 are side cross-sectional views showing an insulating portion having two insulators stacked one on top of another in the plasma generating device according to the cross-section AA in Fig. 1; Fig.
12 and 15 are front views showing a shape change of a shield portion in a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.
16 and 17 are front views showing a state in which a plurality of plasma generators are provided according to an embodiment of the present invention.
18 and 19 are front views showing a plasma generator according to another embodiment of the present invention.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, operational advantages of the present invention, and objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings and the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. Like reference symbols in the drawings denote like elements.

본 발명에 따른 기판 처리장치는, 평면 디스플레이(OLED(Organic Light Emitting Diodes), LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), OTFT(Organic Thin Film Transistor), OTFT(Organic Thin Film Transistor) 등)의 전극, 기능막 형성 및 봉지공정 뿐만 아니라, 반도체 제작에 있어 반도체 소자 등의 바이어 홀(Via Hole) 및 콘택트 홀(Contact Hole) 증착 공정, 반도체 패키지 분야에서 TSV(Through Silicon Via) 등의 증착공정 등 및 태양전지 제작에 있어 OSC(Organic Solar Cell) 등의 전극, 기능막 및 봉지공정 등 다양한 공정에 사용될 수 있는 플라즈마 발생장치를 구비한 기판 처리장치에 관한 것이다.The substrate processing apparatus according to the present invention can be applied to a flat panel display such as an organic light emitting diode (OLED), a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), an organic thin film transistor (OTFT), an organic thin film transistor (Via Hole) and Contact Hole deposition processes for semiconductor devices, as well as processes for depositing TSV (Through Silicon Via) in the semiconductor package field, as well as electrodes, functional films, and encapsulation processes And a substrate processing apparatus provided with a plasma generating device which can be used in various processes such as electrodes, functional films, and sealing processes of OSC (Organic Solar Cell) and the like in the production of solar cells.

또한, 이하에서 설명될 기판은, OLED(Organic Light Emitting Diodes), LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OTFT(Organic Thin Film Transistor) 등의 평면 디스플레이(Flat Panel Display,FPD) 제작에 사용되는 기판, OSC(Organic Solar Cell) 등의 태양전지 제작에 사용되는 기판, 반도체 제작에 사용되는 기판 등을 가리키나, 설명의 편의를 위해 이들을 구분하지 않고 기판이라 하기로 한다.The substrate to be described below may be a flat panel display (FPD) such as organic light emitting diodes (OLED), a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic thin film transistor A substrate used for manufacturing a solar cell such as an OSC (Organic Solar Cell), a substrate used for manufacturing a semiconductor, or the like, but the substrate will be referred to as a substrate for convenience of explanation.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리장치는 화학적 기상 증착(Chemical Vapor deposition, CVD) 및 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD)에 의한 플라즈마 발생장치를 구비한 기판 처리장치를 포함한다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a substrate processing apparatus having a plasma generating apparatus by chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD).

또한, 이하에서 설명될 타겟모듈은, 화학적 기상 증착 및 물리적 기상 증착에 의한 플라즈마 발생장치를 구비한 기판 처리장치에 있어서 기판에 증착물질을 제공하는 소스를 포함한다.In addition, the target module to be described below includes a source for providing a deposition material to a substrate in a substrate processing apparatus having a plasma generating device by chemical vapor deposition and physical vapor deposition.

이하에서는 설명의 편의를 위하여 스퍼터링 방식의 스퍼터 장치에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, a sputtering system of a sputtering system will be described for convenience of explanation.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리장치를 나타내는 구성도이다.1 is a configuration diagram showing a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리장치(100)는, 기판(110)에 대한 증착공간을 형성하는 공정챔버(130)와, 공정챔버(130) 내부에 마련되되 기판(110)을 지지하는 기판 지지부(150)와, 공정챔버(130) 내부에 마련되되 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생장치(200,200a)를 포함한다.1, a substrate processing apparatus 100 according to the present invention includes a process chamber 130 for forming a deposition space for a substrate 110, a substrate 110 provided inside the process chamber 130, And a plasma generator 200, 200a provided in the process chamber 130 for generating plasma.

공정챔버(130)는, 기판(110)에 대한 증착공정을 수행하는 공간을 제공하는 역할을 한다. 본 실시예에서 공정챔버(130)는 사각의 판면 형상을 갖는 기판(110)에 적합하도록 전체적으로 사각 형상으로 도시되었으나, 공정챔버(130)의 형상은 기판(110)의 종류 및 형상에 따라 변경될 수 있다.The process chamber 130 serves to provide a space for performing a deposition process for the substrate 110. [ The shape of the process chamber 130 may be changed according to the type and the shape of the substrate 110. The shape of the process chamber 130 may be changed depending on the type and shape of the substrate 110. In this embodiment, .

공정챔버(130)는 증착공정 시에 내부가 밀폐되고 진공 상태를 유지한다. 이를 위해 공정챔버(130)의 하부영역에는 진공펌프(131)가 마련된다. 진공펌프(131)로부터 진공압이 발생되면 공정챔버(130)의 내부는 고진공 상태를 유지할 수 있다.The process chamber 130 is sealed and kept in a vacuum state during the deposition process. For this purpose, a vacuum pump 131 is provided in a lower region of the process chamber 130. When vacuum pressure is generated from the vacuum pump 131, the inside of the process chamber 130 can maintain a high vacuum state.

또한, 공정챔버(130)의 하부영역에는 내부로 반응가스인 아르곤과 산소가스 등을 공급하는 반응가스 공급부(133)가 마련된다.In addition, a reaction gas supply unit 133 for supplying argon, oxygen gas, or the like as a reaction gas is provided in a lower region of the process chamber 130.

그리고, 공정챔버(130)의 일측에는 공정챔버(130)의 내부로 기판(110)이 인입되는 기판 유입구(135)가 형성되고, 공정챔버(130)의 타측에는 공정챔버(130)로부터의 기판(110)이 인출되는 기판 배출구(137)가 형성된다. 기판 유입구(135)와 기판 배출구(137)에는 별도의 게이트 밸브(미도시)가 마련될 수 있다.A substrate inlet 135 for introducing the substrate 110 into the process chamber 130 is formed at one side of the process chamber 130 and a substrate inlet 135 for introducing the substrate 110 from the process chamber 130 is formed at the other side of the process chamber 130. A substrate outlet 137 through which the substrate 110 is drawn is formed. A separate gate valve (not shown) may be provided in the substrate inlet 135 and the substrate outlet 137.

기판 지지부(150)는, 공정챔버(130)의 내부에 마련되어 기판(110)을 지지하는 역할을 한다. 또한, 기판 지지부(150)는 기판 유입구(135)로 인입된 기판(110)을 기판 배출구(137)로 이송하는 역할을 한다.The substrate support 150 is provided inside the process chamber 130 to support the substrate 110. The substrate support 150 serves to transfer the substrate 110, which has been drawn into the substrate inlet 135, to the substrate outlet 137.

도 1을 참조하면, 기판 지지부(150)는 롤러를 적용하였으나, 필요에 따라 정전척, 기계척으로 구성될 수 있다. 일반적으로 공정챔버(130)의 내부는 고온상태를 유지하므로 기판 지지부(150)는 내열성 및 내구성이 우수한 재질로 제작하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 1, the substrate support 150 may be formed of electrostatic chucks or mechanical chucks as required, although the rollers are applied. In general, since the inside of the process chamber 130 is maintained at a high temperature, it is preferable that the substrate supporting part 150 is made of a material excellent in heat resistance and durability.

그리고, 기판 지지부(150)는 공정챔버(130)에 인입된 기판(110)을 수평되게 지지함과 더불어 기판(110)을 수평방향으로 이송하나, 이에 한정되지 않고 기판 지지부(150)는 기판(110)을 수직되게 지지할 수도 있다.The substrate supporting unit 150 horizontally supports the substrate 110 that is drawn into the process chamber 130 and transports the substrate 110 in a horizontal direction, 110 may be vertically supported.

또한, 기판 지지부(150)의 하부 영역에는 기판 지지부(150) 상에 놓인 기판(10)의 증착면을 가열하는 히터(138)가 마련된다. 히터(138)는 타겟모듈(210,210a)에서 제공되는 증착물질이 기판(110)에 잘 증착될 수 있도록 기판(10)을 수백도 이상으로 가열하는 역할을 한다.A heater 138 for heating a deposition surface of the substrate 10 placed on the substrate supporting part 150 is provided in a lower region of the substrate supporting part 150. The heater 138 serves to heat the substrate 10 to several hundred degrees or more so that the evaporation material provided in the target modules 210 and 210a can be deposited on the substrate 110 well.

이러한 히터(138)는 기판(110)의 전면을 골고루, 또한 급속으로 가열할 수 있도록 기판(110)의 사이즈와 유사하거나 그보다 큰 사이즈를 가질 수 있다.The heater 138 may have a size similar to or larger than the size of the substrate 110 so that the entire surface of the substrate 110 can be evenly and rapidly heated.

그리고, 플라즈마 발생장치(200,200a)는 공정챔버(130) 내부에 적어도 하나 이상 마련될 수 있으며, 플라즈마 발생장치(200,200a)는 플라즈마 발생 및 플라즈마에 의한 증착물질을 기판(110)에 제공하는 역할을 한다.At least one plasma generating device 200 or 200a may be provided in the process chamber 130. The plasma generating device 200 or 200a may be provided with a plasma generating material or a plasma- .

이하에서 설명할 플라즈마 발생장치(200,200a)는 기판(110)에 증착물질을 제공하는 단일의 타겟모듈(210)을 구비한 플라즈마 발생장치(200)와, 타겟모듈(210a)이 복수 개 상호 인접하게 배치된 타겟모듈 어셈블리(220a)를 구비한 플라즈마 발생장치(200a)를 포함한다.The plasma generating apparatuses 200 and 200a will be described below. The plasma generating apparatuses 200 and 200a include a plasma generating apparatus 200 having a single target module 210 for providing a deposition material to the substrate 110, and a plurality of target modules 210a, And a plasma generator 200a having a target module assembly 220a disposed therein.

먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 단일의 타겟모듈(210)을 구비한 플라즈마 발생장치(200)에 대하여 설명하면 다음과 같다.First, a plasma generating apparatus 200 having a single target module 210 according to an embodiment of the present invention will be described.

도 2 내지 도 5는 도 1의 A-A 단면에 따른 플라즈마 발생장치에 있어서, 접지부의 형상변경을 나타내는 측단면도이고, 도 6 내지 도 9는 도 1의 A-A 단면에 따른 플라즈마 발생장치에 있어서, 타겟모듈의 형상변경을 나타내는 측단면도이고, 도 10 및 도 11은 도 1의 A-A 단면에 따른 플라즈마 발생장치에 있어서, 상호 적층된 2개의 절연체를 구비한 절연부를 나타내는 측단면도이고, 도 12 및 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치에 있어서, 쉴드부의 형상변경을 나타내는 정면도이고, 도 16 및 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치가 복수 개 마련된 상태를 나타내는 정면도이다.FIGS. 2 to 5 are side cross-sectional views showing a shape of a ground portion in a plasma generating device according to an AA cross section in FIG. 1, and FIGS. 6 to 9 are cross- Fig. 10 and Fig. 11 are side cross-sectional views showing an insulating portion having two insulators stacked one on top of another in the plasma generating device according to the cross-section AA in Fig. 1. Figs. 12 and 15 are cross- FIGS. 16 and 17 are front views showing a state in which a plurality of plasma generators are provided according to an embodiment of the present invention. FIG. 16 and FIG. 17 are front views showing a state in which a plurality of plasma generators are provided according to an embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 17을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200)는, 기판(110)에 증착물질을 제공하는 타겟모듈(210)과, 타겟모듈(210)과 전기적으로 분리된 접지부(230)와, 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이에 마련된 절연부(250)와, 타겟모듈(210)에서 스퍼터링되는 증착물질이 기판(110) 방향으로 스퍼터링되도록 타겟모듈(210)에 인접하게 마련된 쉴드부(290)와, 타겟모듈(210)의 일측에 마련되되 타겟모듈(210)에 파워를 공급하는 파워공급부(270)를 포함한다.2 to 17, a plasma generating apparatus 200 according to an embodiment of the present invention includes a target module 210 for providing an evaporation material to a substrate 110, And an insulating part 250 provided between the target module 210 and the grounding part 230. The insulating layer 250 is formed on the surface of the target module 210 by a sputtering method, A shield portion 290 provided adjacent to the module 210 and a power supply portion 270 provided on one side of the target module 210 to supply power to the target module 210. [

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200)는, 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이의 간격 및 타겟모듈(210)과 쉴드부(290) 사이의 간격이 비균일하게 형성됨으로써, 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이 및 타겟모듈(210)과 쉴드부(290) 사이의 정전용량을 조절할 수 있다.The distance between the target module 210 and the grounding portion 230 and the distance between the target module 210 and the shielding portion 290 are non-uniformly formed The capacitance between the target module 210 and the grounding portion 230 and between the target module 210 and the shielding portion 290 can be adjusted.

이처럼, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200)는, 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이 및 타겟모듈(210)과 쉴드부(290) 사이의 정전용량을 능동적으로 제어할 수 있어, 타겟모듈(210)의 파워흡수율 분포 및 플라즈마 밀도의 균일성을 확보할 수 있으며, 그 결과 기판(110) 상에 균일하게 박막을 증착할 수 있다.As described above, the plasma generating apparatus 200 according to the embodiment of the present invention actively controls the capacitance between the target module 210 and the grounding unit 230 and between the target module 210 and the shielding unit 290 The power absorption rate distribution of the target module 210 and the uniformity of the plasma density can be ensured. As a result, the thin film can be uniformly deposited on the substrate 110.

본 실시예에 따른 타겟모듈(210)은, 파워공급부(270)에 의해 파워가 공급되는 경우에 플라즈마를 발생시키며, 후술할 타겟(212)에서 증착물질을 스퍼터링시켜 기판(110)에 박막을 형성하는 역할을 한다. 일반적으로 타겟모듈(210)은 음극(cathode)을 형성하고, 기판(110) 영역이 양극(anode)을 형성한다. The target module 210 according to the present embodiment generates a plasma when power is supplied by the power supply unit 270 and forms a thin film on the substrate 110 by sputtering a deposition material at a target 212 to be described later . Generally, the target module 210 forms a cathode and the region of the substrate 110 forms an anode.

타겟모듈(210)은, 기판(110)에 증착물질을 제공하는 타겟(212)과, 타겟(212)의 일측에 마련된 백킹 플레이트(213)와, 백킹 플레이트(213)의 일측에 마련된 마그네트 유닛(214)을 포함한다.The target module 210 includes a target 212 for providing an evaporation material to the substrate 110, a backing plate 213 provided on one side of the target 212, a magnet unit (not shown) provided on one side of the backing plate 213, 214).

타겟(212)은 기판(110)을 향하여 증착물질을 제공하는 스퍼터 소스(source)로서의 역할을 한다. 타겟(212)은 높은 증착률을 갖도록 저용융점 물질(인듐, 은 등)로 제작될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The target 212 serves as a source of sputter that provides deposition material toward the substrate 110. The target 212 may be made of a low melting point material (indium, silver, etc.) to have a high deposition rate, but is not limited thereto.

본 실시예에서 타겟(212)은 평면 타입의 타겟(212), 즉 고정된 해당 위치에서 하부 영역의 기판(110)을 향해 증착물질을 제공하는 평면 타입의 타겟(212)으로 마련된다.In this embodiment, the target 212 is provided with a planar target 212 that provides a deposition material toward the substrate 110 in the lower region at a fixed position.

그리고, 타겟(212)은 기판(110)을 향한 백킹 플레이트(213)의 표면 일측에 결합된다.The target 212 is bonded to one side of the surface of the backing plate 213 facing the substrate 110.

타겟(212)과 백킹 플레이트(213)의 결합은, 소정형상으로 형성된 타겟(212) 및 백킹 플레이트(213)를 가열판에 놓고, 본딩재가 용해되는 온도까지 각각 가열하여 타겟(212) 및 백킹 플레이트(213)의 각 접합면에 본딩재를 도포한 후, 서로 맞댄 상태에서 본딩재를 자연냉각함으로써 행해진다.The target 212 and the backing plate 213 are joined to each other by placing the target 212 and the backing plate 213 in a predetermined shape on a heating plate and heating the target 212 to a temperature at which the bonding material is dissolved, 213 are coated with a bonding material, and then the bonding material is naturally cooled in a state in which the bonding materials are in contact with each other.

한편, 백킹 플레이트(213)는 파워공급부(270)에 전기적으로 연결되어 타겟(212)에 파워를 공급한다.On the other hand, the backing plate 213 is electrically connected to the power supply unit 270 to supply power to the target 212.

파워공급부(270)는, 타겟모듈(210), 즉 타겟(212)에 파워를 공급하여 고밀도 플라즈마를 발생시키는 역할을 한다.The power supply unit 270 serves to supply power to the target module 210, that is, the target 212, to generate a high-density plasma.

본 실시예에서 파워공급부(270)는 DC 파워, DC Pulse 파워, RF 파워, LF 파워, Microwave 파워 및 이들을 상호 조합한 것 중 어느 하나를 사용한다.In this embodiment, the power supply unit 270 uses any one of DC power, DC pulse power, RF power, LF power, Microwave power, and a combination thereof.

고밀도 플라즈마는 파워공급부(270)에서 공급되는 파워에 의해 조절되며, 고밀도 플라즈마에 의해 타겟(212)에서 고속의 스퍼터링이 일어나기 때문에 기판(110)에 박막을 증착하는 증착속도를 향상시킬 수 있어 공정 효율을 향상시킬 수 있다.The high-density plasma is controlled by the power supplied from the power supply unit 270, and the deposition rate for depositing the thin film on the substrate 110 can be improved because high-speed sputtering occurs in the target 212 by the high-density plasma, Can be improved.

한편, 도 1에서 도시한 바와 같이, 타겟(212) 영역의 냉각을 위한 냉각수 유입관(217)과 냉각수 배출관(219)이 백킹 플레이트(213)의 내부와 연결된다.1, the cooling water inflow pipe 217 and the cooling water discharge pipe 219 for cooling the target area 212 are connected to the inside of the backing plate 213. [

그리고, 마그네트 유닛(214)은 타겟(212)의 일측, 즉 백킹 플레이트(213)의 내부에 배치되어 기판(110)과의 사이에 증착을 위한 자기장을 발생시키는 역할을 한다.The magnet unit 214 is disposed on one side of the target 212, that is, inside the backing plate 213, and serves to generate a magnetic field for deposition between the magnet unit 214 and the substrate 110.

마그네트 유닛(214)은 적어도 일 방향으로 위치 이동 가능한 복수의 마그네트(215,216)와, 복수의 마그네트(215,216)에 대한 베이스를 형성하는 베이스 폴 플레이트(213)(미도시)와, 베이스 폴 플레이트(213)에 대해 복수의 마그네트(215,216)를 개별적으로 지지하는 개별 폴 플레이트(213)(미도시)를 포함한다.The magnet unit 214 includes a plurality of magnets 215 and 216 movable in at least one direction and a base pole plate 213 (not shown) forming a base for the plurality of magnets 215 and 216 and a base pole plate 213 (Not shown) that individually support a plurality of magnets 215 and 216 with respect to the magnet plates 215 and 216, respectively.

복수의 마그네트(215,216)는 베이스 폴 플레이트(213)의 중앙 영역에 배치되는 중심부 마그네트(215)와, 중심부 마그네트(215)의 외곽에 배치되는 외곽부 마그네트(216)를 포함한다.The plurality of magnets 215 and 216 include a central magnet 215 disposed in a central region of the base pole plate 213 and an outer magnet 216 disposed at the outer periphery of the central magnet 215.

복수의 마그네트(215,216)는 타겟(212)의 전방에 폐루프의 터널 형상 자속을 형성하고, 타겟(212)의 전방에서 전리된 전자 및 스퍼터링에 의해 생긴 이차전자를 포착함으로써, 타겟(212)의 전방에서의 전자밀도를 높여 플라즈마 밀도를 높인다.The plurality of magnets 215 and 216 form a closed loop magnetic flux in front of the target 212 and capture the secondary electrons generated by sputtering and electrons ionized in front of the target 212, Increase electron density in the front to increase plasma density.

또한, 타겟(212), 백킹 플레이트(213) 및 마그네트 유닛(214)을 결합하여 타겟모듈(210)을 형성한 후, 타겟모듈(210)에 의해 플라즈마를 안정되게 발생시키기 위해 타겟모듈(210)과 전기적으로 분리된 접지부(230)를 배치한다. 본 실시예에서 접지부(230)는 타겟모듈(210)의 하부에 마련된다.After the target module 210 is formed by combining the target 212, the backing plate 213, and the magnet unit 214, the target module 210 is formed to stably generate plasma by the target module 210. [ And a grounding part 230 electrically separated from the grounding part 230 are disposed. In this embodiment, the grounding part 230 is provided under the target module 210.

그리고, 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이, 즉 백킹 플레이트(213)와 접지부(230) 사이에는 절연부(250)가 마련된다.An insulating portion 250 is provided between the target module 210 and the grounding portion 230, that is, between the backing plate 213 and the grounding portion 230.

본 실시예에서 절연부(250)는, 타겟모듈(210)과 접지부(230)를 공간적으로 분리함과 동시에 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이에서 발생되는 정전용량을 조절하는 역할을 한다.In this embodiment, the insulating part 250 spatially separates the target module 210 from the grounding part 230 and controls the capacitance generated between the target module 210 and the grounding part 230 .

즉, 본 실시예에서 절연부(250)는, 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이의 정전용량을 조절하여 백킹 플레이트(213) 및 타겟(212)에 인가되는 전류분포를 제어함으로써, 타겟모듈(210), 특히 타겟(212)의 해당위치에 따른 파워흡수율 분포를 균일하게 제어하는 역할을 한다.That is, in this embodiment, the insulating portion 250 controls the electrostatic capacitance between the target module 210 and the grounding portion 230 to control the current distribution applied to the backing plate 213 and the target 212, And plays a role of uniformly controlling the power absorption rate distribution according to the position of the target module 210, particularly, the target 212.

그리고, 절연부(250)는 단일의 유전율을 갖는 절연체로 형성될 수 있으나, 도 10 및 도 11에서와 같이, 유전율을 달리하는 적어도 하나 이상의 절연체가 상호 적층되어 형성될 수 있다. 절연부(250)를 유전율을 달리하는 적어도 하나 이상의 절연체를 상호 적층하여 형성함으로써, 후술할 타겟모듈(210)의 해당위치에 따른 파워흡수율을 보다 정밀하게 조절할 수 있다.The insulating portion 250 may be formed of an insulator having a single dielectric constant. However, as shown in FIGS. 10 and 11, at least one insulator having a different dielectric constant may be stacked. The insulator 250 may be formed by stacking at least one insulator having a different dielectric constant so that the power absorption rate according to the position of the target module 210 to be described later can be more precisely controlled.

타겟모듈(210), 접지부(230) 및 절연부(250)에 의한 타겟모듈(210)의 해당위치에 따른 파워흡수율을 제어하는 자세한 방법은 후술하기로 한다.A detailed method of controlling the power absorption rate according to the position of the target module 210 by the target module 210, the ground unit 230, and the insulation unit 250 will be described later.

그리고, 쉴드부(290)는 타겟모듈(210), 특히 타겟(212)에 인접하게 마련되어 타겟모듈(210)에서 스퍼터링되는 증착물질이 기판(110) 이외의 방향으로 스퍼터링되는 것을 방지하는 역할을 한다.The shield portion 290 is provided adjacent to the target module 210 and particularly to the target 212 to prevent the deposition material sputtered in the target module 210 from being sputtered in directions other than the substrate 110 .

한편, 증착물질이 통과하는 쉴드부(290)의 개방부 크기를 조절가능하게 형성하여 스퍼터링되는 증착물질의 양을 조절할 수 있다.Meanwhile, the amount of the evaporation material to be sputtered can be adjusted by adjusting the size of the opening of the shield part 290 through which the evaporation material passes.

본 실시예에서 쉴드부(290)는 타겟(212) 및 백킹 플레이트(213)을 포함하는 타겟모듈(210)의 측부에 인접하게 설치되며, 쉴드부(290)는 타겟모듈(210)의 측부와 소정간격 이격되게 설치된다.In this embodiment, the shield portion 290 is installed adjacent to the side of the target module 210 including the target 212 and the backing plate 213, and the shield portion 290 is disposed adjacent to the side of the target module 210 And are spaced apart from each other by a predetermined distance.

그리고, 쉴드부(290)의 일단은 접지부(230)에 전기적으로 연결된다.One end of the shield portion 290 is electrically connected to the ground portion 230.

본 실시예는 타겟모듈(210)과 쉴드부(290) 사이의 정전용량을 조절하여 백킹 플레이트(213) 및 타겟(212)에 인가되는 전류분포를 제어함으로써, 타겟모듈(210), 특히 타겟(212)의 해당위치에 따른 파워흡수율 분포를 균일하게 제어한다.This embodiment controls the capacitance between the target module 210 and the shield portion 290 to control the distribution of the current applied to the backing plate 213 and the target 212 so that the target module 210, 212) in accordance with the corresponding position.

타겟모듈(210)과 쉴드부(290)에 의한 타겟모듈(210)의 해당위치에 따른 파워흡수율을 제어하는 자세한 방법은 후술하기로 한다.A detailed method of controlling the power absorption rate according to the position of the target module 210 by the target module 210 and the shield portion 290 will be described later.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200)를 복수 개 배열하여 대형화된 기판(110)에 박막을 증착할 수 있다.Meanwhile, a plurality of plasma generating devices 200 according to an embodiment of the present invention may be arranged to deposit a thin film on the enlarged substrate 110.

즉, 도 16에서 도시한 바와 같이, 박막을 형성하고자 하는 기판(110)에 대응되는 위치에 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200)를 병렬로 소정간격 이격되게 복수 개 배열할 수 있다. 이때, 파워공급부(270)는 각각의 플라즈마 발생장치(200)에 별개로 연결된다.That is, as shown in FIG. 16, a plurality of plasma generating devices 200 according to an embodiment of the present invention may be arranged in parallel at predetermined intervals in a position corresponding to the substrate 110 on which a thin film is to be formed have. At this time, the power supply unit 270 is connected to each of the plasma generation devices 200 separately.

또한, 도 17에서 도시한 바와 같이, 박막을 형성하고자 하는 기판(110)에 대응되는 위치에 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200)를 바둑판 문양으로 복수 개 배열할 수 있다. 이때, 파워공급부(270)는 각각의 플라즈마 발생장치(200)에 별개로 연결된다.In addition, as shown in FIG. 17, a plurality of plasma generators 200 according to an embodiment of the present invention may be arranged at positions corresponding to the substrate 110 on which a thin film is to be formed. At this time, the power supply unit 270 is connected to each of the plasma generation devices 200 separately.

상기와 같이 구성되는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200)에 있어서, 타겟모듈(210)의 해당위치에 따른 파워흡수율 분포를 제어하는 방법을 설명하면 다음과 같다.A method of controlling the power absorption rate distribution according to the position of the target module 210 in the plasma generating apparatus 200 according to an embodiment of the present invention will now be described.

본 실시예에서 파워공급부(270)는 타겟모듈(210)의 백킹 플레이트(213)에 연결된다. 그러므로, 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이의 정전용량은 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이의 간격에 반비례하고, 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이에 마련된 절연부(250)의 유전율에 비례한다.In this embodiment, the power supply unit 270 is connected to the backing plate 213 of the target module 210. The capacitance between the target module 210 and the ground 230 is inversely proportional to the spacing between the target module 210 and the ground 230 and the capacitance between the target module 210 and the ground 230, And is proportional to the dielectric constant of the insulating portion 250.

따라서, 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이의 정전용량은 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이의 간격 및 절연부(250)의 유전율을 변경함으로써 조절할 수 있으며, 이에 따라 타겟모듈(210), 특히 타겟(212)의 위치에 따른 파워흡수율 분포를 조절할 수 있다.The capacitance between the target module 210 and the ground 230 can be adjusted by changing the spacing between the target module 210 and the ground 230 and the dielectric constant of the insulation 250, The power absorption rate distribution depending on the position of the module 210, particularly, the target 212 can be adjusted.

또한, 본 실시예에서 쉴드부(290)는 타겟모듈(210)의 측부에서 소정간격 이격되게 배치되며, 쉴드부(290)는 접지부(230)와 전기적으로 연결된다. 또한, 쉴드부(290)와 타겟모듈(210) 사이의 공기 또는 반응가스가 절연체 역할을 한다.In this embodiment, the shield portion 290 is disposed at a predetermined distance from the side of the target module 210, and the shield portion 290 is electrically connected to the ground portion 230. The air or the reaction gas between the shield portion 290 and the target module 210 serves as an insulator.

따라서, 타겟모듈(210)과 쉴드부(290) 사이의 정전용량은 타겟모듈(210)과 쉴드부(290) 사이의 비균일한 간격에 의해 조절될 수 있으며, 이에 따라 타겟모듈(210), 특히 타겟(212)의 위치에 따른 파워흡수율 분포를 조절할 수 있다.The capacitance between the target module 210 and the shield portion 290 can be adjusted by the non-uniform spacing between the target module 210 and the shield portion 290, In particular, the power absorption rate distribution according to the position of the target 212 can be adjusted.

한편, 본 실시예에서 파워공급부(270)는 타겟모듈(210)의 중심부에 전기적으로 연결된다. 따라서, 타겟모듈(210)의 위치에 따른 파워흡수율 분포 및 플라즈마 밀도의 균일성을 확보하기 위해서 타겟모듈(210)의 길이방향 및 폭방향을 따라 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이의 정전용량 및 타겟모듈(210)과 쉴드부(290) 사이의 정전용량을 조절하여야 한다.In this embodiment, the power supply unit 270 is electrically connected to the center of the target module 210. Therefore, in order to ensure the uniformity of the power absorption rate and the plasma density according to the position of the target module 210, the distance between the target module 210 and the grounding part 230 along the longitudinal direction and the width direction of the target module 210 The electrostatic capacitance and the capacitance between the target module 210 and the shield portion 290 should be adjusted.

먼저, 타겟모듈(210), 접지부(230) 및 절연부(250)에 의한 타겟모듈(210)의 위치에 따른 파워흡수율을 제어하는 방법은 다음과 같다.A method of controlling the power absorption rate according to the position of the target module 210 by the target module 210, the ground unit 230, and the insulation unit 250 is as follows.

도 2를 참조하면, 접지부(230)는 타겟모듈(210)의 길이방향 및 폭방향을 따라 타겟모듈(210)에 대향되는 방향으로 오목형상으로 형성된다. 즉, 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이의 간격을 타겟모듈(210)의 중심부에서 외측으로 갈수록 점점 작아지도록 형성한다.Referring to FIG. 2, the grounding unit 230 is formed in a concave shape in a direction opposite to the target module 210 along the longitudinal direction and the width direction of the target module 210. That is, the gap between the target module 210 and the grounding part 230 is gradually reduced toward the outer side from the center of the target module 210.

그리고, 절연부(250)는 접지부(230) 형상에 대응되게 형성되며, 타겟모듈(210)의 중심부에서 외측으로 갈수록 두께가 점점 얇아지게 형성된다.The insulating part 250 is formed to correspond to the shape of the grounding part 230 and is formed so that its thickness becomes gradually thinner toward the outer side from the central part of the target module 210.

따라서, 타겟모듈(210)의 중심부에서 외측으로 갈수록 정전용량은 커지며, 이에 따라 타겟모듈(210)의 파워흡수율도 함께 커진다.Therefore, as the distance from the center of the target module 210 toward the outside increases, the capacitance of the target module 210 increases, so that the power absorption rate of the target module 210 also increases.

또한, 도 3을 참조하면, 접지부(230)는 타겟모듈(210)의 길이방향 및 폭방향을 따라 타겟모듈(210)에 대향되는 방향으로 볼록형상으로 형성된다. 즉, 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이의 간격을 타겟모듈(210)의 중심부에서 외측으로 갈수록 점점 커지도록 형성한다.3, the grounding portion 230 is formed in a convex shape in the direction opposite to the target module 210 along the longitudinal direction and the width direction of the target module 210. [ That is, the distance between the target module 210 and the grounding part 230 is gradually increased toward the outer side from the central part of the target module 210.

그리고, 절연부(250)는 접지부(230) 형상에 대응되게 형성되며, 타겟모듈(210)의 중심부에서 외측으로 갈수록 두께가 점점 두꺼워지게 형성된다.The insulating part 250 is formed to correspond to the shape of the grounding part 230 and is formed so as to become thicker toward the outer side from the central part of the target module 210.

따라서, 타겟모듈(210)의 중심부에서 외측으로 갈수록 정전용량은 감소하며, 이에 따라 타겟모듈(210)의 파워흡수율도 함께 감소한다.Therefore, as the distance from the center of the target module 210 to the outside increases, the capacitance decreases and the power absorption rate of the target module 210 also decreases.

도 2 및 도 3에서는 접지부(230) 및 절연부(250)가 계단형의 단차를 이루도록 도시되었으나, 이에 한정되지 않고 도 4 및 도 5에서와 같이 접지부(230) 및 절연부(250)를 계단형의 단차가 아닌 연속적으로 형성할 수 있다. 또한, 도 2 내지 도 5에서는 접지부(230) 및 절연부(250)가 일체로 형성되어 있으나, 이에 한정되지 않고 여러조각의 절편을 접합하여 형성할 수 있다. 2 and 3, the ground portion 230 and the insulating portion 250 are formed to have stepped steps. However, the ground portion 230 and the insulating portion 250 are not limited thereto, Can be continuously formed instead of stepped steps. 2 to 5, the ground portion 230 and the insulating portion 250 are integrally formed. However, the ground portion 230 and the insulating portion 250 are not limited thereto, but may be formed by joining pieces of various pieces.

또한, 도 6을 참조하면, 타겟모듈(210)은 길이방향 및 폭방향을 따라 접지부(230)에 대향되는 방향으로 볼록형상으로 형성된다. 즉, 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이의 간격을 타겟모듈(210)의 중심부에서 외측으로 갈수록 점점 커지도록 형성한다.6, the target module 210 is formed in a convex shape in a direction opposite to the ground portion 230 along the longitudinal direction and the width direction. That is, the distance between the target module 210 and the grounding part 230 is gradually increased toward the outer side from the central part of the target module 210.

그리고, 절연부(250)는 타겟모듈(210) 형상에 대응되게 형성되며, 타겟모듈(210)의 중심부에서 외측으로 갈수록 두께가 점점 두꺼워지게 형성된다.The insulating part 250 is formed to correspond to the shape of the target module 210 and is formed so as to become thicker toward the outer side from the central part of the target module 210.

따라서, 타겟모듈(210)의 중심부에서 외측으로 갈수록 정전용량은 감소하며, 이에 따라 타겟모듈(210)의 파워흡수율도 함께 감소한다.Therefore, as the distance from the center of the target module 210 to the outside increases, the capacitance decreases and the power absorption rate of the target module 210 also decreases.

또한, 도 7을 참조하면, 접지부(230)는 타겟모듈(210)의 길이방향 및 폭방향을 따라 타겟모듈(210)에 대향되는 방향으로 오목형상으로 형성된다. 즉, 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이의 간격을 타겟모듈(210)의 중심부에서 외측으로 갈수록 점점 작아지도록 형성한다.7, the grounding unit 230 is formed in a concave shape in a direction opposite to the target module 210 along the longitudinal direction and the width direction of the target module 210. [ That is, the gap between the target module 210 and the grounding part 230 is gradually reduced toward the outer side from the center of the target module 210.

그리고, 절연부(250)는 타겟모듈(210) 형상에 대응되게 형성되며, 타겟모듈(210)의 중심부에서 외측으로 갈수록 두께가 점점 얇아지게 형성된다.The insulating part 250 is formed to correspond to the shape of the target module 210 and is formed so that its thickness becomes gradually thinner toward the outer side from the central part of the target module 210.

따라서, 타겟모듈(210)의 중심부에서 외측으로 갈수록 정전용량은 커지며, 이에 따라 타겟모듈(210)의 파워흡수율도 함께 커진다.Therefore, as the distance from the center of the target module 210 toward the outside increases, the capacitance of the target module 210 increases, so that the power absorption rate of the target module 210 also increases.

도 6 및 도 7에서는 타겟모듈(210) 및 절연부(250)가 계단형의 단차를 이루도록 도시되었으나, 이에 한정되지 않고 도 8 및 도 9에서와 같이 타겟모듈(210) 및 절연부(250)를 계단형의 단차가 아닌 연속적으로 형성할 수 있다.6 and 7, the target module 210 and the insulating portion 250 are formed to have stepped steps. However, the present invention is not limited thereto, and the target module 210 and the insulating portion 250 may be formed as shown in FIGS. Can be continuously formed instead of stepped steps.

또한, 도 6 내지 도 9에서는 타겟모듈(210) 및 절연부(250)가 일체로 형성되어 있으나, 이에 한정되지 않고 여러조각의 절편을 접합하여 형성할 수 있다.6 to 9, the target module 210 and the insulating portion 250 are integrally formed, but the present invention is not limited thereto, and the target module 210 and the insulating portion 250 may be formed by joining a plurality of pieces.

또한, 도 10 및 도 11에서 도시한 바와 같이, 절연부(250)는 유전율을 달리하는 적어도 하나 이상의 절연체를 상호 적층하여 형성함으로써, 타겟모듈(210)과 접지부(230) 사이의 정전용량을 더욱 정밀하게 조절할 수 있다. 즉, 제1 절연체(251) 및 제2 절연체(253)가 상호 적층된 절연부(250)는 타겟모듈(210)의 길이방향 및 폭방향을 따라 배치된다.10 and 11, the insulating portion 250 may be formed by laminating at least one or more insulators having different permittivities so that the capacitance between the target module 210 and the ground portion 230 is Can be adjusted more precisely. That is, the insulating portion 250 in which the first insulator 251 and the second insulator 253 are stacked is disposed along the longitudinal direction and the width direction of the target module 210.

다음으로, 타겟모듈(210)과 쉴드부(290)에 의한 타겟모듈(210)의 해당위치에 따른 파워흡수율을 제어하는 자세한 방법은 다음과 같다.Next, a detailed method of controlling the power absorption rate according to the position of the target module 210 by the target module 210 and the shield part 290 is as follows.

도 12를 참조하면, 쉴드부(290)는 타겟모듈(210)에 대향되는 방향으로 오목형상으로 형성된다. 즉, 쉴드부(290)와 타겟모듈(210) 사이의 간격을 타겟모듈(210)의 중심부에서 외측으로 갈수록 점점 감소되도록 형성한다.Referring to FIG. 12, the shield portion 290 is formed in a concave shape in a direction opposite to the target module 210. That is, the distance between the shield portion 290 and the target module 210 is gradually reduced toward the outer side from the central portion of the target module 210.

따라서, 타겟모듈(210)의 중심부에서 외측으로 갈수록 정전용량은 증가하며, 이에 따라 타겟모듈(210)의 파워흡수율도 함께 증가한다.Therefore, as the distance from the center of the target module 210 to the outside increases, the capacitance increases, and the power absorption rate of the target module 210 also increases.

또한, 도 13을 참조하면, 쉴드부(290)는 타겟모듈(210)에 대향되는 방향으로 볼록형상으로 형성된다. 즉, 쉴드부(290)와 타겟모듈(210) 사이의 간격을 타겟모듈(210)의 중심부에서 외측으로 갈수록 점점 커지도록 형성한다.13, the shield portion 290 is formed in a convex shape in a direction opposite to the target module 210. In addition, That is, the distance between the shield portion 290 and the target module 210 is gradually increased toward the outer side from the central portion of the target module 210.

따라서, 타겟모듈(210)의 중심부에서 외측으로 갈수록 정전용량은 감소하며, 이에 따라 타겟모듈(210)의 파워흡수율도 함께 감소한다.Therefore, as the distance from the center of the target module 210 to the outside increases, the capacitance decreases and the power absorption rate of the target module 210 also decreases.

도 12 및 도 13에서는 쉴드부(290)가 계단형의 단차를 이루도록 도시되었으나, 이에 한정되지 않고 도 14 및 도 15에서와 같이 쉴드부(290)를 계단형의 단차가 아닌 연속적으로 형성할 수 있다. 또한, 도 12 내지 도 15에서는 쉴드부(290)가 일체로 형성되어 있으나, 이에 한정되지 않고 여러조각의 절편을 접합하여 형성할 수 있다.In FIGS. 12 and 13, the shield portion 290 is shown as a step-like step, but the present invention is not limited to this, and the shield portion 290 may be formed continuously as shown in FIGS. 14 and 15 have. 12 to 15, the shield portion 290 is integrally formed, but the shield portion 290 is not limited to this, and a plurality of pieces of slices may be joined together.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200)를 도 16에서 도시한 바와 같이 병렬로 소정간격 이격되게 복수 개 배열한 경우 및 도 17에서 도시한 바와 같이 바둑판 문양으로 복수 개 배열한 경우에 있어서, 타겟모듈(210), 접지부(230) 및 절연부(250)에 의한 타겟모듈(210)의 해당위치에 따른 파워흡수율 제어 및 타겟모듈(210)과 쉴드부(290)에 의한 타겟모듈(210)의 해당위치에 따른 파워흡수율을 제어하는 방법은 단일의 플라즈마 발생장치(200)에 따른 제어방법과 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.As shown in FIG. 16, when a plurality of plasma generating devices 200 according to an embodiment of the present invention are arranged in parallel and spaced apart from each other by a predetermined distance, or when a plurality of plasma generating devices 200 are arranged in a grid pattern The power absorption rate control according to the position of the target module 210 by the target module 210, the grounding unit 230 and the insulation unit 250 and the control by the target module 210 and the shielding unit 290 The method of controlling the power absorption rate according to the position of the target module 210 is the same as the control method according to the single plasma generating apparatus 200, and thus a detailed description thereof will be omitted.

다음으로, 본 발명의 다른 실시예에 따른 타겟모듈 어셈블리를 구비한 플라즈마 발생장치를 설명하면 다음과 같다.Next, a plasma generator having a target module assembly according to another embodiment of the present invention will be described.

도 18 및 도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치를 나타내는 정면도이다.18 and 19 are front views showing a plasma generator according to another embodiment of the present invention.

도 1, 도 18 및 도 19를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200a)는, 기판(110)에 증착물질을 제공하는 타겟모듈(210a)이 복수 개 상호 인접하게 배치된 타겟모듈 어셈블리(220a)와, 타겟모듈 어셈블리(220a)와 전기적으로 분리된 접지부(230a)와, 타겟모듈 어셈블리(220a)와 접지부(230a) 사이에 마련된 절연부(250a)와, 타겟모듈 어셈블리(220a)에서 스퍼터링되는 증착물질이 기판(110) 방향으로 스퍼터링되도록 타겟모듈 어셈블리(220a)에 인접하게 마련된 쉴드부(290a)와, 타겟모듈 어셈블리(220a)의 일측에 마련되되 복수의 타겟모듈(210a) 각각에 연결되어 파워를 공급하는 파워공급부(270a)를 포함한다. 1, 18, and 19, a plasma generating apparatus 200a according to another embodiment of the present invention includes a plurality of target modules 210a for providing a deposition material on a substrate 110, An insulating part 250a provided between the target module assembly 220a and the grounding part 230a and a grounding part 230b electrically isolated from the target module assembly 220a, A shield portion 290a provided adjacent to the target module assembly 220a so that the evaporation material sputtered in the module assembly 220a is sputtered toward the substrate 110 and a shield portion 290b provided on one side of the target module assembly 220a, And a power supply unit 270a connected to each of the modules 210a to supply power.

본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200a)는, 타겟모듈 어셈블리(220a)와 접지부(230a) 사이의 간격 및 타겟모듈 어셈블리(220a)와 쉴드부(290a) 사이의 간격이 비균일하게 형성됨으로써, 타겟모듈 어셈블리(220a)와 접지부(230a) 사이 및 타겟모듈 어셈블리(220a)와 쉴드부(290a) 사이의 정전용량을 조절할 수 있다.The plasma generating apparatus 200a according to another embodiment of the present invention is configured such that the gap between the target module assembly 220a and the grounding portion 230a and the gap between the target module assembly 220a and the shielding portion 290a are non- The capacitance between the target module assembly 220a and the grounding portion 230a and between the target module assembly 220a and the shielding portion 290a can be adjusted.

이처럼, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200a)는, 타겟모듈 어셈블리(220a)와 접지부(230a) 사이 및 타겟모듈 어셈블리(220a)와 쉴드부(290a) 사이의 정전용량을 능동적으로 제어할 수 있어, 타겟모듈 어셈블리(220a)의 파워흡수율 분포 및 플라즈마 밀도의 균일성을 확보할 수 있으며, 그 결과 기판(110) 상에 균일하게 박막을 증착할 수 있다.As described above, the plasma generating apparatus 200a according to another embodiment of the present invention can reduce the capacitance between the target module assembly 220a and the grounding portion 230a and between the target module assembly 220a and the shielding portion 290a actively The power absorption rate distribution of the target module assembly 220a and the uniformity of the plasma density can be ensured. As a result, the thin film can be uniformly deposited on the substrate 110. [

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 대한 플라즈마 발생장치(200)와의 차이점에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, differences from the plasma generator 200 according to an embodiment of the present invention will be described.

타겟모듈 어셈블리(220a)는, 도 18에서 도시한 바와 같이 기판(110)에 증착물질을 제공하는 타겟모듈(210a)을 소정간격 이격되게 복수 개 병렬로 배열하여 형성하거나, 도 19에서 도시한 바와 같이 타겟모듈(210a)을 바둑판 문양으로 복수 개 배열하여 형성할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 타겟모듈(210a)은 본 발명의 일 실시예에 따른 타겟모듈(210)과 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.18, the target module assembly 220a may be formed by arranging a plurality of target modules 210a for providing a deposition material on the substrate 110 in parallel so as to be spaced apart from each other by a predetermined distance, A plurality of target modules 210a may be arranged in a grid pattern. Since the target module 210a according to another embodiment of the present invention is the same as the target module 210 according to the embodiment of the present invention, a detailed description thereof will be omitted.

그리고, 파워공급부(270a)는 타겟모듈 어셈블리(220a)를 구성하는 각각의 타겟모듈(210a)에 각각 연결되어 파워를 공급한다.The power supply unit 270a is connected to each of the target modules 210a constituting the target module assembly 220a to supply power.

접지부(230a)는 타겟모듈 어셈블리(220a)와 소정간격 이격되게 설치되며, 하나의 접지부(230a)가 타겟모듈 어셈블리(220a)를 구성하는 복수 개의 타겟모듈(210a)과 전기적으로 분리된다.The grounding unit 230a is spaced apart from the target module assembly 220a by a predetermined distance and one grounding unit 230a is electrically separated from the plurality of target modules 210a constituting the target module assembly 220a.

그리고, 절연부(250a)는 타겟모듈 어셈블리(220a)와 접지부(230a) 사이에 마련되어 타겟모듈 어셈블리(220a)와 접지부(230a)를 공간적으로 분리함과 동시에 타겟모듈 어셈블리(220a)와 접지부(230a) 사이에서 발생되는 정전용량을 조절한다.The insulating portion 250a is provided between the target module assembly 220a and the grounding portion 230a to spatially separate the target module assembly 220a and the grounding portion 230a, And adjust the capacitance generated between the electrodes 230a.

그리고, 쉴드부(290a)는 타겟모듈 어셈블리(220a)의 측부에 인접하게 설치되며, 쉴드부(290a)는 타겟모듈 어셈블리(220a)의 측부와 소정간격 이격되게 설치된다.The shield portion 290a is disposed adjacent to the side of the target module assembly 220a and the shield portion 290a is spaced from the side portion of the target module assembly 220a by a predetermined distance.

상기와 같이 구성되는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200a)에 있어서, 타겟모듈 어셈블리(220a)의 위치에 따른 파워흡수율 분포 및 플라즈마 밀도의 균일성을 확보하기 위해서 타겟모듈 어셈블리(220a)의 길이방향 및 폭방향을 따라 타겟모듈 어셈블리(220a)와 접지부(230a) 사이의 정전용량 및 타겟모듈 어셈블리(220a)와 쉴드부(290a) 사이의 정전용량을 조절하여야 한다.In order to assure the uniformity of the power absorption rate distribution and the plasma density according to the position of the target module assembly 220a in the plasma generating apparatus 200a according to another embodiment of the present invention, The capacitance between the target module assembly 220a and the grounding portion 230a and the capacitance between the target module assembly 220a and the shielding portion 290a along the longitudinal direction and the width direction of the target module assembly 220a and the grounding portion 230a.

한편, 본 실시예에서는 도시하지 않았으나, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200a)를 복수 개 배열하여 대형화된 기판(110)에 박막을 증착할 수 있다.Although not shown in the present embodiment, a plurality of plasma generating devices 200a according to another embodiment of the present invention may be arranged to deposit a thin film on the enlarged substrate 110. FIG.

즉, 박막을 형성하고자 하는 기판(110)에 대응되는 위치에 본 실시예에 따른 타겟모듈 어셈블리(220a)를 구비한 플라즈마 발생장치(200a)를 병렬로 소정간격 이격되게 복수 개 배열하거나, 바둑판 문양으로 복수 개 배열할 수 있다. 이때, 파워공급부(270a)는 타겟모듈 어셈블리(220a)를 구성하는 각각의 타겟모듈(210a)에 별개로 연결된다.That is, a plurality of plasma generating devices 200a having the target module assembly 220a according to the present embodiment may be arranged in parallel at predetermined intervals in a position corresponding to the substrate 110 on which a thin film is to be formed, As shown in FIG. At this time, the power supply unit 270a is separately connected to each target module 210a constituting the target module assembly 220a.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200a)를 복수 개 배열하여 대형화된 기판(110)에 박막을 증착할 수 있다.Meanwhile, a plurality of plasma generating devices 200a according to another embodiment of the present invention may be arranged to deposit a thin film on the enlarged substrate 110. FIG.

즉, 박막을 형성하고자 하는 기판(110)에 대응되는 위치에 본 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200a)를 병렬로 소정간격 이격되게 복수 개 배열할 수 있다. 이때, 파워공급부(270a)는 각각의 플라즈마 발생장치(200a)에 별개로 연결된다.That is, a plurality of plasma generating apparatuses 200a according to the present embodiment may be arranged in parallel at a position corresponding to the substrate 110 on which a thin film is to be formed. At this time, the power supply unit 270a is separately connected to each plasma generating device 200a.

또한, 박막을 형성하고자 하는 기판(110)에 대응되는 위치에 본 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200a)를 바둑판 문양으로 복수 개 배열할 수 있다. 이때, 파워공급부(270a)는 각각의 플라즈마 발생장치(200a)에 별개로 연결된다.A plurality of plasma generators 200a according to the present embodiment may be arranged at positions corresponding to the substrate 110 on which a thin film is to be formed, using a checkerboard pattern. At this time, the power supply unit 270a is separately connected to each plasma generating device 200a.

상기와 같이 구성되는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200a)에 있어서, 타겟모듈 어셈블리(220a)의 해당위치에 따른 파워흡수율 분포를 제어하는 방법을 설명하면 다음과 같다.A method of controlling the power absorption rate distribution according to the position of the target module assembly 220a in the plasma generating apparatus 200a according to another embodiment of the present invention will now be described.

본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200a)의 파워흡수율 분포를 제어하는 방법은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200)의 파워흡수율 분포를 제어하는 방법과 동일하므로, 도 2 내지 도 15를 참조하여 설명하기로 한다.Since the method of controlling the power absorption rate distribution of the plasma generating apparatus 200a according to another embodiment of the present invention is the same as the method of controlling the power absorbing rate distribution of the plasma generating apparatus 200 according to the embodiment of the present invention, 2 to Fig. 15.

먼저, 타겟모듈 어셈블리(220a), 접지부(230a) 및 절연부(250a)에 의한 타겟모듈 어셈블리(220a)의 위치에 따른 파워흡수율을 제어하는 방법은 다음과 같다.A method of controlling the power absorption rate according to the position of the target module assembly 220a by the target module assembly 220a, the ground portion 230a, and the insulation portion 250a is as follows.

도 2를 참조하면, 접지부(230a)는 타겟모듈 어셈블리(220a)의 길이방향 및 폭방향을 따라 타겟모듈 어셈블리(220a)에 대향되는 방향으로 오목형상으로 형성된다. 즉, 타겟모듈 어셈블리(220a)와 접지부(230a) 사이의 간격이 타겟모듈 어셈블리(220a)의 중심부에서 외측으로 갈수록 점점 작아지도록 형성한다.Referring to FIG. 2, the grounding portion 230a is formed in a concave shape in a direction opposite to the target module assembly 220a along the longitudinal direction and the width direction of the target module assembly 220a. That is, the distance between the target module assembly 220a and the grounding portion 230a is gradually reduced toward the outer side from the central portion of the target module assembly 220a.

그리고, 절연부(250a)는 접지부(230a) 형상에 대응되게 형성되며, 타겟모듈 어셈블리(220a)의 중심부에서 외측으로 갈수록 두께가 점점 얇아지게 형성된다.The insulating portion 250a is formed to correspond to the shape of the grounding portion 230a and is formed so that its thickness becomes gradually thinner toward the outer side from the central portion of the target module assembly 220a.

따라서, 타겟모듈 어셈블리(220a)의 중심부에서 외측으로 갈수록 정전용량은 커지며, 이에 따라 타겟모듈 어셈블리(220a)의 파워흡수율도 함께 커진다.Therefore, as the distance from the center of the target module assembly 220a toward the outside increases, the power absorption rate of the target module assembly 220a also increases.

또한, 도 3을 참조하면, 접지부(230a)는 타겟모듈 어셈블리(220a)의 길이방향 및 폭방향을 따라 타겟모듈 어셈블리(220a)에 대향되는 방향으로 볼록형상으로 형성된다. 즉, 타겟모듈 어셈블리(220a)와 접지부(230a) 사이의 간격이 타겟모듈 어셈블리(220a)의 중심부에서 외측으로 갈수록 점점 커지도록 형성한다.Referring to FIG. 3, the grounding portion 230a is formed in a convex shape in a direction opposite to the target module assembly 220a along the longitudinal direction and the width direction of the target module assembly 220a. That is, the gap between the target module assembly 220a and the grounding portion 230a is gradually increased toward the outside of the center of the target module assembly 220a.

그리고, 절연부(250a)는 접지부(230a) 형상에 대응되게 형성되며, 타겟모듈 어셈블리(220a)의 중심부에서 외측으로 갈수록 두께가 점점 두꺼워지게 형성된다.The insulating portion 250a is formed to correspond to the shape of the grounding portion 230a and is formed to become thicker toward the outer side from the central portion of the target module assembly 220a.

따라서, 타겟모듈 어셈블리(220a)의 중심부에서 외측으로 갈수록 정전용량은 감소하며, 이에 따라 타겟모듈 어셈블리(220a)의 파워흡수율도 함께 감소한다.Accordingly, as the distance from the center of the target module assembly 220a toward the outer side decreases, the capacitance decreases and the power absorption rate of the target module assembly 220a also decreases.

한편, 도 2 및 도 3에서는 접지부(230a) 및 절연부(250a)를 계단형의 단차를 이루도록 형성하였으나, 이에 한정되지 않고 도 4 및 도 5에서와 같이 접지부(230a) 및 절연부(250a)를 계단형의 단차가 아닌 연속적으로 형성할 수 있다.2 and 3, the ground portion 230a and the insulation portion 250a are formed to have stepped steps. However, the ground portion 230a and the insulation portion 250a are not limited thereto, 250a can be continuously formed instead of stepped steps.

또한, 도 2 내지 도 5에서는 접지부(230a) 및 절연부(250a)를 일체로 형성하였으나, 이에 한정되지 않고 여러조각의 절편을 접합하여 형성할 수 있다. 2 to 5, the grounding portion 230a and the insulating portion 250a are integrally formed. However, the grounding portion 230a and the insulating portion 250a are integrally formed. However, the present invention is not limited thereto.

또한, 도 6을 참조하면, 타겟모듈 어셈블리(220a)는 길이방향 및 폭방향을 따라 접지부(230a)에 대향되는 방향으로 볼록형상으로 형성된다. 즉, 타겟모듈 어셈블리(220a)와 접지부(230a) 사이의 간격이 타겟모듈 어셈블리(220a)의 중심부에서 외측으로 갈수록 점점 커지도록 형성한다.Referring to FIG. 6, the target module assembly 220a is formed in a convex shape in the direction opposite to the ground portion 230a along the longitudinal direction and the width direction. That is, the gap between the target module assembly 220a and the grounding portion 230a is gradually increased toward the outside of the center of the target module assembly 220a.

그리고, 절연부(250a)는 타겟모듈 어셈블리(220a) 형상에 대응되게 형성되며, 타겟모듈 어셈블리(220a)의 중심부에서 외측으로 갈수록 두께가 점점 두꺼워지게 형성된다.The insulating portion 250a is formed to correspond to the shape of the target module assembly 220a and is formed to become thicker toward the outer side from the central portion of the target module assembly 220a.

따라서, 타겟모듈 어셈블리(220a)의 중심부에서 외측으로 갈수록 정전용량은 감소하며, 이에 따라 타겟모듈 어셈블리(220a)의 파워흡수율도 함께 감소한다.Accordingly, as the distance from the center of the target module assembly 220a toward the outer side decreases, the capacitance decreases and the power absorption rate of the target module assembly 220a also decreases.

또한, 도 7을 참조하면, 접지부(230a)는 타겟모듈 어셈블리(220a)의 길이방향 및 폭방향을 따라 타겟모듈 어셈블리(220a)에 대향되는 방향으로 오목형상으로 형성된다. 즉, 타겟모듈 어셈블리(220a)와 접지부(230a) 사이의 간격이 타겟모듈 어셈블리(220a)의 중심부에서 외측으로 갈수록 점점 작아지도록 형성한다.7, the grounding portion 230a is formed in a concave shape in a direction opposite to the target module assembly 220a along the longitudinal direction and the width direction of the target module assembly 220a. That is, the distance between the target module assembly 220a and the grounding portion 230a is gradually reduced toward the outer side from the central portion of the target module assembly 220a.

그리고, 절연부(250a)는 타겟모듈 어셈블리 형상에 대응되게 형성되며, 타겟모듈 어셈블리(220a)의 중심부에서 외측으로 갈수록 두께가 점점 얇아지게 형성된다.The insulating portion 250a is formed to correspond to the shape of the target module assembly, and the thickness of the insulating portion 250a is gradually decreased toward the outer side from the central portion of the target module assembly 220a.

따라서, 타겟모듈 어셈블리(220a)의 중심부에서 외측으로 갈수록 정전용량은 커지며, 이에 따라 타겟모듈 어셈블리(220a)의 파워흡수율도 함께 커진다.Therefore, as the distance from the center of the target module assembly 220a toward the outside increases, the power absorption rate of the target module assembly 220a also increases.

도 6 및 도 7에서는 타겟모듈 어셈블리(220a) 및 절연부(250a)를 계단형의 단차를 이루도록 형성하였으나, 이에 한정되지 않고 도 8 및 도 9에서와 같이 타겟모듈 어셈블리(220a) 및 절연부(250a)를 계단형의 단차가 아닌 연속적으로 형성할 수 있다.6 and 7, the target module assembly 220a and the insulating portion 250a are formed to have stepped steps. However, the present invention is not limited thereto, and the target module assembly 220a and the insulating portion 250a may be formed as shown in FIGS. 250a can be continuously formed instead of stepped steps.

또한, 도 6 내지 도 9에서는 타겟모듈 어셈블리(220a) 및 절연부(250a)를 일체로 형성하였으나, 이에 한정되지 않고 여러조각의 절편을 접합하여 형성할 수 있다.6 to 9, the target module assembly 220a and the insulating portion 250a are integrally formed. However, the target module assembly 220a and the insulating portion 250a may be integrally formed, but the present invention is not limited thereto.

또한, 도 10 및 도 11에서 도시한 바와 같이, 절연부(250a)를 유전율을 달리하는 적어도 하나 이상의 절연체를 상호 적층하여 형성함으로써, 타겟모듈 어셈블리(220a)와 접지부(230a) 사이의 정전용량을 더욱 정밀하게 조절할 수 있다. 즉, 제1 절연체(251a) 및 제2 절연체(253a)가 상호 적층된 절연부(250a)는 타겟모듈 어셈블리(220a)의 길이방향 및 폭방향을 따라 배치된다.10 and 11, the insulating portion 250a may be formed by stacking at least one insulator having a different dielectric constant so that the capacitance between the target module assembly 220a and the ground portion 230a Can be adjusted more precisely. That is, the insulating portion 250a in which the first insulator 251a and the second insulator 253a are laminated is disposed along the longitudinal direction and the width direction of the target module assembly 220a.

다음으로, 타겟모듈 어셈블리(220a)와 쉴드부(290a)에 의한 타겟모듈 어셈블리(220a)의 해당위치에 따른 파워흡수율을 제어하는 자세한 방법은 다음과 같다.Next, a detailed method of controlling the power absorption rate according to the position of the target module assembly 220a by the target module assembly 220a and the shield portion 290a is as follows.

도 12를 참조하면, 쉴드부(290a)는 타겟모듈 어셈블리(220a)에 대향되는 방향으로 오목형상으로 형성된다. 즉, 쉴드부(290a)와 타겟모듈 어셈블리(220a) 사이의 간격을 타겟모듈 어셈블리(220a)의 중심부에서 외측으로 갈수록 점점 감소되도록 형성한다.Referring to FIG. 12, the shield portion 290a is formed in a concave shape in a direction opposite to the target module assembly 220a. That is, the gap between the shield portion 290a and the target module assembly 220a is gradually reduced toward the outer side from the central portion of the target module assembly 220a.

따라서, 타겟모듈 어셈블리(220a)의 중심부에서 외측으로 갈수록 정전용량은 증가하며, 이에 따라 타겟모듈 어셈블리(220a)의 파워흡수율도 함께 증가한다.Accordingly, as the distance from the center of the target module assembly 220a increases toward the outer side, the capacitance increases and the power absorption rate of the target module assembly 220a also increases.

또한, 도 13을 참조하면, 쉴드부(290a)는 타겟모듈 어셈블리(220a)에 대향되는 방향으로 볼록형상으로 형성된다. 즉, 쉴드부(290a)와 타겟모듈 어셈블리(220a) 사이의 간격을 타겟모듈 어셈블리(220a)의 중심부에서 외측으로 갈수록 점점 커지도록 형성한다.Referring to FIG. 13, the shield portion 290a is formed in a convex shape in a direction opposite to the target module assembly 220a. That is, the gap between the shield portion 290a and the target module assembly 220a is gradually increased toward the outside of the center of the target module assembly 220a.

따라서, 타겟모듈 어셈블리(220a)의 중심부에서 외측으로 갈수록 정전용량은 감소하며, 이에 따라 타겟모듈 어셈블리(220a)의 파워흡수율도 함께 감소한다.Accordingly, as the distance from the center of the target module assembly 220a toward the outer side decreases, the capacitance decreases and the power absorption rate of the target module assembly 220a also decreases.

도 12 및 도 13에서 도시한 바와 같이, 쉴드부(290a)를 계단형의 단차를 이루도록 형성할 수 있으나, 이에 한정되지 않고 도 14 및 도 15에서와 같이 쉴드부(290a)를 계단형의 단차가 아닌 연속적으로 형성할 수 있다.As shown in Figs. 12 and 13, the shield portion 290a may be formed to have a stepped step, but the present invention is not limited thereto, and the shield portion 290a may be formed as a step- But can be continuously formed.

또한, 도 12 내지 도 15에서는 쉴드부(290a)를 일체로 형성하였으나, 이에 한정되지 않고 여러조각의 절편을 접합하여 형성할 수 있다.In FIGS. 12 to 15, the shield portion 290a is integrally formed, but the shield portion 290a is not limited thereto, but may be formed by joining pieces of various pieces.

한편, 도 16 및 도 17을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치(200a)를 병렬로 소정간격 이격되게 복수 개 배열한 경우 및 바둑판 문양으로 복수 배열한 경우에 있어서, 타겟모듈 어셈블리(220a), 접지부(230a) 및 절연부(250a)에 의한 타겟모듈 어셈블리(220a)의 해당위치에 따른 파워흡수율 제어 및 타겟모듈 어셈블리(220a)과 쉴드부(290a)에 의한 타겟모듈 어셈블리(220a)의 해당위치에 따른 파워흡수율을 제어하는 방법은 단일의 플라즈마 발생장치(200a)에 따른 제어방법과 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.16 and 17, in the case where a plurality of plasma generating apparatuses 200a according to another embodiment of the present invention are arranged in parallel and spaced apart from each other by a predetermined distance, and when a plurality of plasma generating apparatuses 200a are arranged in a grid pattern, The power absorption rate control according to the position of the target module assembly 220a by the assembly 220a, the grounding portion 230a and the insulating portion 250a, and the target module assembly 220a by the target module assembly 220a and the shield portion 290a, The method of controlling the power absorption rate according to the position of the plasma generating device 220a is the same as the control method according to the single plasma generating device 200a, and thus a detailed description thereof will be omitted.

이와 같이 본 발명은 기재된 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Accordingly, such modifications or variations are intended to fall within the scope of the appended claims.

100: 기판 처리장치 110: 기판
130: 공정챔버 200, 200a: 플라즈마 발생장치
210, 210a: 타겟모듈 220a: 타겟모듈 어셈블리
230, 230a: 접지부 250, 250a: 절연부
270, 270a: 파워공급부 290, 290a: 쉴드부100: substrate processing apparatus 110: substrate
130: Process chamber 200, 200a: Plasma generator
210, 210a: target module 220a: target module assembly
230, 230a: grounding part 250, 250a: insulating part
270, 270a: power supply unit 290, 290a:

Claims (13)

기판에 증착물질을 제공하는 타겟모듈;
상기 타겟모듈과 전기적으로 분리된 접지부;
상기 타겟모듈과 상기 접지부 사이에 마련된 절연부; 및
상기 타겟모듈의 일측에 마련되되, 상기 타겟모듈에 파워를 공급하는 파워공급부를 포함하며,
상기 타겟모듈과 상기 접지부 사이의 정전용량을 조절하여 상기 타겟모듈의 파워흡수율 분포를 제어하도록, 상기 타겟모듈과 상기 접지부 사이의 간격이 비균일하게 형성되되,
상기 접지부는,
상기 타겟모듈의 길이방향 및 폭방향 중 적어도 어느 하나를 따라 상기 타겟모듈에 대향되는 방향으로 볼록형상, 오목형상 및 이들을 상호 조합한 것 중 어느 하나로 형성되며,
상기 절연부는,
상기 접지부 형상에 대응하여, 상기 타겟모듈의 길이방향 및 폭방향 중 적어도 어느 하나를 따라 두께를 달리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.A target module for providing an evaporation material to the substrate;
A grounding part electrically separated from the target module;
An insulating portion provided between the target module and the grounding portion; And
And a power supply unit provided at one side of the target module for supplying power to the target module,
Wherein a distance between the target module and the grounding unit is non-uniform so as to control a power absorption rate distribution of the target module by adjusting a capacitance between the target module and the grounding unit,
The ground unit may include:
A concave shape in a direction opposite to the target module along at least one of a longitudinal direction and a width direction of the target module, and a combination thereof,
Wherein the insulating portion comprises:
Wherein a thickness of the ground module is varied along at least one of a longitudinal direction and a width direction of the target module corresponding to the shape of the ground portion. 삭제delete 삭제delete 기판에 증착물질을 제공하는 타겟모듈;
상기 타겟모듈과 전기적으로 분리된 접지부;
상기 타겟모듈과 상기 접지부 사이에 마련된 절연부; 및
상기 타겟모듈의 일측에 마련되되, 상기 타겟모듈에 파워를 공급하는 파워공급부를 포함하며,
상기 타겟모듈과 상기 접지부 사이의 정전용량을 조절하여 상기 타겟모듈의 파워흡수율 분포를 제어하도록, 상기 타겟모듈과 상기 접지부 사이의 간격이 비균일하게 형성되며,
상기 타겟모듈에서 스퍼터링되는 증착물질이 기판 방향으로 스퍼터링되도록 상기 타겟모듈에 인접하게 마련된 쉴드부를 더 포함하며,
상기 타겟모듈과 상기 쉴드부 사이의 정전용량을 조절하여 상기 타겟모듈의 파워흡수율 분포를 제어하도록, 상기 타겟모듈과 상기 쉴드부 사이의 간격이 비균일하게 형성되는 플라즈마 발생장치.A target module for providing an evaporation material to the substrate;
A grounding part electrically separated from the target module;
An insulating portion provided between the target module and the grounding portion; And
And a power supply unit provided at one side of the target module for supplying power to the target module,
Wherein a gap between the target module and the grounding unit is nonuniform so as to control a power absorption rate distribution of the target module by adjusting a capacitance between the target module and the grounding unit,
Further comprising a shield portion provided adjacent to the target module so that the deposition material sputtered in the target module is sputtered toward the substrate,
Wherein a gap between the target module and the shield portion is formed to be non-uniform so as to control a power absorption rate distribution of the target module by adjusting a capacitance between the target module and the shield portion. 제1항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 절연부는,
상기 타겟모듈의 길이방향 및 폭방향을 따라 유전율을 달리하는 적어도 하나 이상의 절연체가 상호 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the insulating portion comprises:
Wherein at least one insulator having a different dielectric constant along the longitudinal direction and the width direction of the target module is stacked. 기판에 증착물질을 제공하는 타겟모듈이 복수 개 상호 인접하게 배치된 타겟모듈 어셈블리;
상기 타겟모듈 어셈블리와 전기적으로 분리된 접지부;
상기 타겟모듈 어셈블리와 상기 접지부 사이에 마련된 절연부; 및
상기 타겟모듈 어셈블리의 일측에 마련되되, 상기 복수의 타겟모듈 각각에 연결되어 파워를 공급하는 파워공급부를 포함하며,
상기 타겟모듈 어셈블리와 상기 접지부 사이의 정전용량을 조절하여 상기 타겟모듈 어셈블리의 파워흡수율 분포를 제어하도록, 상기 타겟모듈 어셈블리와 상기 접지부 사이의 간격이 비균일하게 형성되되,
상기 접지부는,
상기 타겟모듈 어셈블리의 길이방향 및 폭방향 중 적어도 어느 하나를 따라 상기 타겟모듈 어셈블리에 대향되는 방향으로 볼록형상, 오목형상 및 이들을 상호 조합한 것 중 어느 하나로 형성되며,
상기 절연부는,
상기 접지부 형상에 대응하여, 상기 타겟모듈 어셈블리의 길이방향 및 폭방향 중 적어도 어느 하나를 따라 두께를 달리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.A target module assembly having a plurality of target modules disposed adjacent to each other to provide an evaporation material to the substrate;
A grounding unit electrically separated from the target module assembly;
An insulating portion provided between the target module assembly and the grounding portion; And
And a power supply unit provided at one side of the target module assembly and connected to each of the plurality of target modules to supply power,
Wherein a distance between the target module assembly and the grounding unit is non-uniform so as to control a power absorption rate distribution of the target module assembly by adjusting a capacitance between the target module assembly and the grounding unit,
The ground unit may include:
A concave shape in a direction opposite to the target module assembly along at least one of a longitudinal direction and a width direction of the target module assembly, and a combination thereof,
Wherein the insulating portion comprises:
Wherein the thickness of the grounding module is varied along at least one of a longitudinal direction and a width direction of the target module assembly corresponding to the shape of the grounding portion. 삭제delete 삭제delete 기판에 증착물질을 제공하는 타겟모듈이 복수 개 상호 인접하게 배치된 타겟모듈 어셈블리;
상기 타겟모듈 어셈블리와 전기적으로 분리된 접지부;
상기 타겟모듈 어셈블리와 상기 접지부 사이에 마련된 절연부; 및
상기 타겟모듈 어셈블리의 일측에 마련되되, 상기 복수의 타겟모듈 각각에 연결되어 파워를 공급하는 파워공급부를 포함하며,
상기 타겟모듈 어셈블리와 상기 접지부 사이의 정전용량을 조절하여 상기 타겟모듈 어셈블리의 파워흡수율 분포를 제어하도록, 상기 타겟모듈 어셈블리와 상기 접지부 사이의 간격이 비균일하게 형성되며,
상기 타겟모듈 어셈블리에서 스퍼터링되는 증착물질이 기판 방향으로 스퍼터링되도록 상기 타겟모듈 어셈블리에 인접하게 마련된 쉴드부를 더 포함하며,
상기 타겟모듈 어셈블리와 상기 쉴드부 사이의 정전용량을 조절하여 상기 타겟모듈 어셈블리의 파워흡수율 분포를 제어하도록, 상기 타겟모듈 어셈블리와 상기 쉴드부 사이의 간격이 비균일하게 형성되는 플라즈마 발생장치.A target module assembly having a plurality of target modules disposed adjacent to each other to provide an evaporation material to the substrate;
A grounding unit electrically separated from the target module assembly;
An insulating portion provided between the target module assembly and the grounding portion; And
And a power supply unit provided at one side of the target module assembly and connected to each of the plurality of target modules to supply power,
Wherein a distance between the target module assembly and the grounding unit is non-uniform so as to control a power absorption rate distribution of the target module assembly by adjusting a capacitance between the target module assembly and the grounding unit,
Further comprising a shield portion adjacent to the target module assembly such that the deposition material sputtered in the target module assembly is sputtered toward the substrate,
Wherein a gap between the target module assembly and the shield portion is non-uniformly formed so as to control a power absorption rate distribution of the target module assembly by adjusting a capacitance between the target module assembly and the shield portion. 제6항 또는 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 절연부는,
상기 타겟모듈 어셈블리의 길이방향 및 폭방향을 따라 유전율을 달리하는 적어도 하나 이상의 절연체가 상호 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.10. The method according to any one of claims 6 to 9,
Wherein the insulating portion comprises:
Wherein at least one insulator having a different dielectric constant along the longitudinal direction and the width direction of the target module assembly is stacked on top of each other. 제1항, 제4항, 제6항 또는 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 타겟모듈은,
상기 기판에 증착물질을 제공하는 타겟;
상기 타겟의 일측에 마련된 백킹 플레이트; 및
상기 백킹 플레이트의 일측에 마련된 마그네트 유닛을 포함하며,
상기 파워공급부는 상기 백킹 플레이트와 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.10. A method according to any one of claims 1, 4, 6, or 9,
The target module includes:
A target for providing an evaporation material to the substrate;
A backing plate provided on one side of the target; And
And a magnet unit provided on one side of the backing plate,
And the power supply unit is electrically connected to the backing plate. 제1항, 제4항, 제6항 또는 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 파워공급부는,
DC 파워, DC Pulse 파워, RF 파워, LF 파워, Microwave 파워 및 이들을 상호 조합한 것 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.10. A method according to any one of claims 1, 4, 6, or 9,
The power supply unit,
DC power, DC pulse power, RF power, LF power, Microwave power, and combinations thereof. 기판에 대한 증착공간을 형성하는 공정챔버; 및
상기 공정챔버 내부에 마련되되, 제1항, 제4항, 제6항 또는 제9항에 따른 적어도 하나 이상의 플라즈마 발생장치를 포함하는 기판 처리장치.A process chamber defining a deposition space for the substrate; And
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1, 4, 6, and 9, which is provided inside the process chamber, includes at least one plasma generating device.
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