KR101615978B1

KR101615978B1 - 태양전지

Info

Publication number: KR101615978B1
Application number: KR1020100039994A
Authority: KR
Inventors: 최종형
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2010-04-29
Filing date: 2010-04-29
Publication date: 2016-04-28
Also published as: KR20110120542A

Abstract

본 발명은 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 실리콘 반도체 기판, 기판 상부에 형성되는 에미터층, 에미터층 상에 형성된 반사방지막 및 반사방지막을 관통하여 에미터층에 접속된 전극을 포함하고, 전극은 은분말과 산화인듐주석(ITO)을 포함한다. 이에 의해, 전면 전극의 저항을 감소시켜 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.

Description

태양전지{Solar cell}

본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO) 파우더를 포함하여 형성된 전면 전극을 구비하는 태양전지에 관한 것이다.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예상되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양전지는 반도체 소자를 이용하여 태양광 에너지를 직접 전기 에너지로 변화시키는 차세대 전지로서 각광받고 있다.

태양전지는 크게 실리콘 태양전지(silicon solar cell), 화합물 반도체 태양전지(compound semiconductor solar cell) 및 적층형 태양전지(tandem solar cell)로 구분된다. 그 중 실리콘 태양전지가 주류를 이루고 있다.

한편, 실리콘 태양전지의 전면 전극은 전극 형성용 페이스트를 이용하여 형성할 수 있으며, 페이스트는 은분말, 유기바인더, 글래스 프릿 외에 소량의 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 소결 억제제를 포함할 수 있다.

그러나, 소결 억제제로 포함되는 금속 등은 페이스트의 열처리 과정 중 산화되어 전도성을 상실할 수 있으며, 이는 형성된 전면 전극의 저항을 상승시킬 수 있다.

본 발명의 목적은 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO) 파우더를 포함하여 형성된 전면 전극을 구비하는 태양전지를 제공함에 있다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 태양전지는, 실리콘 반도체 기판, 기판 상부에 형성되는 에미터층, 에미터층 상에 형성된 반사방지막 및 반사방지막을 관통하여 에미터층에 접속된 전극을 포함하고, 전극은 은분말과 산화인듐주석(ITO)을 포함한다.

또한, 산화인듐주석(ITO)는 판상형일 수 있다.

또한, 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 태양전지의 전면전극용 페이스트는 은(Ag) 분말 60 내지 95 중량부, 유리 프릿(Glass frit) 0.1 내지 8 중량부, 산화인듐주석(ITO) 0.2 내지 0.3 중량부, 바인더 1 내지 20 중량부 및 용매 1 내지 20 중량부를 포함한다.

본 발명에 따르면, 전면 전극용 페이스트가 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO) 파우더를 포함함으로써, 형성되는 전면 전극의 저항의 상승을 방지할 수 있고, 이에 따라 태양전지의 효율이 향상될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구조를 도시한 도이다.
도 2a 내지 도 2c는 전면전극을 형성하는 과정을 간략히 도시한 도이다.
도 3a는 기존의 전면 전극 페이스트로 전극패턴을 형성한 뒤, 소성 과정 중 나타나는 페이스트의 상대적인 질량 변화를 도시한 도이다.
도 3b는 본 발명에 따른 전면 전극 페이스트로 전극패턴을 형성한 뒤, 소성 과정 중 나타나는 페이스트의 상대적인 질량 변화를 도시한 도이다.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구조를 도시한 도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 태양전지(100)는, 실리콘 반도체 기판(101), 기판(101)의 상부에 형성되는 에미터층(103), 에미터층(103) 상에 형성된 반사방지막(105) 및 반사방지막(105)을 관통하여 에미터층(103)과 접속된 전면 전극(109)을 포함하고, 또한 기판(101)의 배면에 접속된 후면 전극(107)을 포함할 수 있다.

기판(101)에는 P형 불순물로서 3족 원소인 B, Ga, In 등이 불순물로 도핑될 수 있고, 에미터층(103)에는 N형 불순물로서 5족 원소인 P, As, Sb 등이 불순물로 도핑될 수 있다.

이처럼 기판(101)과 에미터층(103)에 반대 도전형의 불순물이 도핑되면, 기판(101)과 에미터층(103)의 계면에는 P-N접합(junction)이 형성되며, P-N접합에 광이 조사되면 광전효과에 의해 광기전력이 발생할 수 있다.

한편, 반사방지막(105)은 에미터층(103)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화하고 기판(101)의 전면으로 입사되는 태양광의 반사율을 감소시킨다.

에미터층(103)에 존재하는 결함이 부동화되면 소수 캐리어의 재결합 사이트가 제거되어 태양전지(100)의 개방전압(Voc)이 증가한다. 그리고 태양광의 반사율이 감소되면 P-N 접합까지 도달되는 빛의 량이 증대되어 태양전지(100)의 단락전류(Isc)가 증가한다.

이처럼 반사방지막(105)에 의해 태양전지(100)의 개방전압과 단락전류가 증가되면 그만큼 태양전지(100)의 변환효율이 향상된다.

방사방지막(105)은 예를 들면 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, MgF₂, ZnS, TiO₂ 및 CeO₂로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

그리고 반사방지막(105)은 진공 증착법, 화학 기상 증착법, 스핀 코팅, 스크린 인쇄 또는 스프레이 코팅에 의해 형성될 수 있다.

전면 전극(109)은 은을 포함하여 이루어질 수 있고, 후면 전극(107)은 알루미늄을 포함하여 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

일예로 전면전극(109)은 전면 전극용 페이스트를 전면전극(109) 형성 지점에 스크린 인쇄한 후 열처리를 행하여 형성할 수 있다. 이때 전극의 소정과정을 통해 금속 페이스트에 포함된 은이 고온에서 액상이 되었다가 다시 고상으로 재결정되면서, 유리 프릿을 매개로 하여 반사방지막(105)을 관통하는 펀치 스루(punch through) 현상에 의해 에미터층(103)과 접속하게 된다.

이때, 전면 전극용 페이스트에 포함된 은이 에미터층(103)에 침투할 수 있는데, 은이 에미터층(103)에 침투하게 되면, 기판(101)과 에미터층(103)의 P-N접합(junction) 효율이 저하될 수 있다. 따라서 이를 방지하기 위해 전면 전극용 페이스트는 소결 억제제를 포함할 수 있다.

한편, 본 발명에 따른 전면 전극은 소결 억제제로 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO) 파우더를 포함함으로써, 소성과정을 거쳐 형성되는 전면전극(109)의 저항의 상승을 방지할 수 있으며, 이에 따라 태양전지(100)의 효율이 향상될 수 있다. 이에 대하여서는 도 2a 내지 도 3b를 참조하여 후술하기로 한다.

후면 전극(107)은 알루미늄, 석영 실리카, 바인더 등이 첨가된 후면 전극용 페이스트를 기판(101)의 배면에 인쇄한 후 열처리를 행하여 형성할 수 있다.

후면 전극(107)의 열처리 시에는 전극 구성 물질인 알루미늄이 기판(101)의 배면을 통해 확산됨으로써 후면 전극(107)과 기판(101)의 경계면에 후면 전계(Back Surfacefield)층이 형성될 수 있다.

후면 전계층이 형성되면 캐리어가 기판(101)의 배면으로 이동하여 재결합되는 것을 방지할 수 있으며, 캐리어의 재결합이 방지되면 개방전압이 상승하여 태양전지(100)의 효율이 향상된다.

도 2a 내지 도 2c는 전면전극을 형성하는 과정을 간략히 도시한 도이다.

도 2a 내지 도 2c는 일 예로 스크린 인쇄법에 의한 전면전극의 형성과정을 간략하게 도시한 도로, 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 전면전극의 형성과정을 설명하면, 우선 실리콘 반도체 기판(201), 에미터층(203) 및 반사방지막(205)을 순차적으로 형성한 후, 반사방지막(205) 상에 전면전극이 형성될 위치에 대응되도록 선택적으로 개구가 형성된 스크린 마스크(206)를 위치시킨다.

이어서 스퀴즈 러버(210)를 이동하며 전면전극(209)을 형성하기 위한 페이스트(212)를 개구를 통해 반사방지막(205) 상에 패터닝한다.

다음으로 도 2c와 같이 스크린 마스크(206)를 제거한 후 페이스트(212)를 건조하고, 소성시켜 전면전극(209)을 형성한다.

한편, 본 발명에 따르면 전면전극(209)을 형성하기 위한 페이스트(212)는 은(Ag) 분말 60 내지 95 중량부, 유리 프릿(Glass frit) 0.1 내지 8 중량부, 산화인듐주석(ITO) 파우더 0.2 내지 0.3 중량부, 바인더 1 내지 20 중량부 및 용매 1 내지 20 중량부를 포함할 수 있다.

먼저, 은 분말은 형성되는 전면전극(209)에 도전성을 부여하며, 형상으로서는 구상, 플레이크상 등 특별히 제한되지는 않으나 분산성 등을 고려하면 구상인 것이 바람직하다.

한편 은 분말의 포함량이 60 중량부 보다 적은 경우는, 형성된 전면 전극(209)에 충분한 도전성이 얻어지지 않고, 95 중량부를 초과하여 포함되면, 페이스트(212)의 점도가 너무 높아서 인쇄가 어려워질 수 있기 때문에 바람직하지 않다.

또한, 은 분말의 평균 입도(D₅₀)은 1.7 내지 3.21㎛인 것이 바람직하다. 은 분말의 평균 입도(D₅₀)이 1.7㎛ 미만의 경우에는 페이스트(212)의 유동성이 나빠져 작업성이 떨어질 수 있으며, 반면에 평균 입도(D₅₀)이 3.21㎛를 초과하는 경우에는 소성 후 전면전극(209)에 공극이 발생할 수 있어, 전면 전극(209)의 전기저항이 높아질 수 있다.

유리 프릿은 0.1 내지 8 중량부로 포함될 수 있다. 유리 프릿이 0.1 중량부 미만으로 포함된 경우는 형성되는 전면전극(209)의 접착 강도가 충분하지 않을 수 있으며, 반면에 8 중량부를 초과하여 첨가되는 경우는 전면전극(209)의 소결성이 저하되어 생성된 전극(209)의 저항이 증가할 수 있다.

또한, 유리 프릿은 핀 홀이 없는 소성 패턴으로 효과적으로 만들기 위해 평균 입도(D₅₀) 0.5 내지 2 ㎛의 범위에 있는 미세 분말이 바람직하다.

이러한 유리 프릿의 예는, 납산화물 및/또는 비스무트 산화물을 포함할 수 있다. 구체적으로는 SiO₂-PbO계, SiO₂-PbO-B₂O₃계 및 Bi₂O₃-B₂O₃-SiO₂계 분말로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.

산화인듐주석(ITO) 파우더는 소결억제제로 사용될 수 있다. 소결억제제는 도 2c와 같이 스크린 마스크(206)를 제거한 후 패터닝된 페이스트(212)를 건조하고 소성하는 단계에서, 페이스트(212)에 포함된 은이 에미터층(203)에 침투하는 것을 방지할 수 있다.

한편, 종래는 소결억제제로 아연(Zn), 망간(Mn) 등의 금속을 사용함에 따라 소성단계를 거치면서 이들 금속이 산화되어 금속 자체의 전도성을 상실하였다. 이는 전면전극(209)의 저항이 상승하는 원인이 되었으나, 본 발명에 따르면 소결억제제로 전도성 산화물인 산화인듐주석(ITO)을 사용함으로써 소성단계를 거치더라도 전면전극(209)의 저항이 상승되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 산화인듐주석(ITO) 파우더는 나노미터(nm) 단위의 입자크기를 가질 수 있어 비 표면적이 크기 때문에, 솔벤트 및 바인더 등에 흡착이 용이할 수 있다. 따라서 적은 양을 첨가하더라도 페이스트(212)의 점도 상승이 용이하며, 형성되는 전면전극(209)은 큰 종횡비를 가지고 형성될 수 있다.

이러한 산화인듐주석(ITO)은 페이스트(212) 대비 0.2 중량부 이상 포함될 때 소결억제제로 작용할 수 있다. 다만, 페이스트(212) 대비 0.3 중량부를 초과하여 포함되는 경우는 벌크(Bulk)특성이 강해져서 오히려 전면전극(209)의 저항이 상승할 수 있으며, 페이스트(212)의 점도가 너무 높아서 전극 패턴의 인쇄성이 저하될 수 있다.

따라서, 산화인듐주석(ITO)은 페이스트(212) 대비 0.2 내지 0.3 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 또한, 산화인듐주석(ITO)은 구상, 판상형 등으로 형성될 수 있으나, 판상형으로 형성될 때 더욱 효과적이다.

바인더는 전극패턴의 소성 전에서의 각 성분의 결합재로 기능하는 것으로, 균일성을 위해 현탁중합에 의해 제조하는 것이 바람직하다.

이러한 바인더로는, 카르복실기를 포함하는 수지, 구체적으로는 그 자체가 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 카르복실기 함유 감광성 수지 및 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖지 않는 카르복실기 함유 수지를 포함할 수 있다.

예를 들어, i) 불포화 카르복실산과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 공중합시킴으로써 얻어지는 카르복실기 함유 수지, ii) 불포화 카르복실산과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합체에 에틸렌성 불포화기를 팬던트로서 부가시킴으로써 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지, iii)불포화 이중 결합을 갖는 산 무수물과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합체에, 수산기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지를 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.

바인더는 1 내지 20 중량부로 포함되는 것이 바람직한데, 바인더의 포함량이 1 중량부 미만인 경우는 형성되는 전극 패턴 중의 바인더의 분포가 불균일해질 수 있어, 선택적 노광, 현상에 의한 패터닝이 곤란해질 수 있으며, 20 중량부를 초과하는 경우는 전극의 소성시 패턴 붕괴를 일으키기 쉽고, 소성 후 유기물 잔탄(Carbon ash)에 의해 전면전극(209)의 저항이 상승할 수 있기 때문이다.

용매는 바인더를 용해시킬 수 있고, 기타 첨가제와 잘 혼합되는 것을 사용할 수 있다. 이에는 a-터피놀(a-Terpinol), 부틸 카비톨 아세테이트(buty cabitol acetate), 텍사놀(Texonol), 부틸 카비톨(butly cabitol), 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(Di-propylene glycol) monomethyl ether)등 알데히드기를 포함하는 것 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.

이러한 용매는 1 내지 20 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 용매의 포함량이 1 중량부 미만인 경우는, 페이스트(212)가 균일하게 도포되기 어려울 수 있으며, 반면에 20 중량부 보다 많이 포함되는 경우는, 전면전극(209)이 충분한 도전성이 얻어지지 않고, 기재와의 밀착성이 떨어지기 때문에 바람직하지 않다.

기타 본 발명에 따른 전면 전극(209)을 형성하기 위한 페이스트(212)는 분산제, 증점제, 요변제, 레벨링제 등의 첨가제를 더 포함될 수 있으며, 이러한 첨가제의 첨가량은 1 내지 20 중량부로 포함될 수 있다.

한편, 첨가제 중 광 중합성 모노머는 페이스트(212)의 광경화성을 촉진시키고 현상성을 향상시키기 위해 사용한다.

광 중합성 모노머로서는 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리우레탄디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리틀트리아크릴레이트, 펜타에리스리틀테트라아크릴레이트, 트리메틸올프로판에틸렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, 트리 메틸올프로판프로필렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, 디펜타에리스리틀펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리틀헥사아크릴레이트 및 상기 아크릴레이트에 대응하는 각 메타크릴레이트류; 프탈산, 아디프산, 말레산, 아타콘산, 숙신산, 트리멜리트산, 테레프탈산 등의 다염기산과 히드록시알킬(메타)아크릴레이트와의 모노-, 디-, 트리- 또는 그 이상의 폴리에스테르 등을 들 수 있지만, 특정한 것으로 한정되지 않고, 이들을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

도 3a는 기존의 전면 전극 페이스트로 전극패턴을 형성한 뒤, 소성 과정 중 나타나는 페이스트의 상대적인 질량 변화를 도시한 도이며, 도 3b는 본 발명에 따른 전면 전극 페이스트로 전극패턴을 형성한 뒤, 소성 과정 중 나타나는 페이스트의 상대적인 질량 변화를 도시한 도이다.

도 3a와 도 3b는 모두 은 분말 79 중량부, SiO₂-PbO계 유리 프릿 4.6 중량부, 바인더 6 중량부, a-터피놀(a-Terpinol)과 부틸 카비톨(butly cabitol)이 혼합된 용매 8.2 중량부 및 기타 첨가제를 포함하는 페이스트이다.

다만, 도 3a는 소결억제제로 아연(Zn)을 0.2 중량부 포함하며, 도 3b는 산화인듐주석(ITO)를 0.2 중량부 포함한다.

도 3a 및 3b를 참조하면, 건조 및 소성 과정 중 페이스트에 포함된 용매가 증발하고 유기물이 연소 됨에 따라 페이스트의 중량이 감소한다. 그러나, 400℃ 이상으로 소성 온도가 증가하면서 도 3a의 경우는 페이스트의 중량이 다시 증가하는 반면, 도 3b의 경우는 페이스트의 중량 변화가 없는 것을 알 수 있다.

이는 도 3a의 페이스트에는 소결억제제로 첨가된 아연(Zn)이 산화되어 산소와 결합하기 때문이라고 볼 수 있다. 이와 같이 금속이 산화되면, 금속 자체의 전도성을 상실하며 이는 결과적으로 형성되는 전극의 저항을 상승시키게 된다.

하기의 표 1은 도 3a의 페이스트로 형성한 전면 전극의 저항 및 태양전지의 효율과 도 3b의 페이스트로 형성한 전면 전극의 저항 및 태양전지의 효율을 나타내면, 하기의 표 2는 도 3b의 페이스트에서 첨가되는 산화인듐주석(ITO)의 함량에 따른 전면 전극의 저항 및 태양전지의 효율을 나타낸다. 여기서 태양전지의 효율은 표준시험조건(Air Mass:1.5, 1sun:1000W/cm² ^,전지온도:25℃)에서 측정하였다.

소결억제제의 함량(wt%)	전면 전극의 저항(Ω)	효율(%)
Zn 0.2	0.0104	16.5
ITO 0.2	0.0087	17.0

ITO의 함량(wt%)	전면 전극의 저항(Ω)	효율(%)
0.1	0.0086	15.9
0.2	0.0087	17.0
0.3	0.0098	17.12
0.4	0.054	16.2

상기 표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 전도성 산화물인 산화인듐주석(ITO)을 소결억제제로 사용하는 경우는 소성과정에서 산화됨이 없기 때문에 전극의 저항이 상승함을 방지하고, 저항을 감소시킬 수 있어서 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.

다만, 표 2에서 알 수 있는 바와 같이, 산화인듐주석(ITO)의 포함량이 페이스트 대비 0.2 중량부 보다 적게 첨가되는 경우는 페이스트에 포함된 은이 에미터층으로의 침투를 충분히 방지하지 못하기 때문에 태양전지의 효율이 감소하며, 0.3 중량부를 초과하여 첨가되는 경우는 상술한 바와 같이 오히려 형성되는 전극의 저항이 상승함을 알 수 있다. 따라서, 산화인듐주석(ITO)은 페이스트 대비 0.2 내지 0.3 중량부로 포함될 때 가장 바람직함을 알 수 있다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.

101, 201: 실리콘 반도체 기판, 103, 203: 에미터층
105, 205: 반사방지막 109, 209: 전면전극
107, 207: 후면전극 212: 페이스트

Claims

실리콘 반도체 기판;
상기 기판 상부에 형성되는 에미터층;
상기 에미터층 상에 형성된 반사방지막; 및
상기 반사방지막을 관통하여 상기 에미터층에 접속된 전극;을 포함하고,
상기 전극은 은분말과 소결억제제인 산화인듐주석(ITO)을 포함하고,
상기 전극은 상기 은분말보다 상기 산화인듐주석을 적은 양으로 포함하는 태양전지.
제1항에 있어서,
상기 산화인듐주석(ITO)는 판상형인 태양전지.
제1항에 있어서,
상기 기판의 배면에 접속된 후면 전극을 포함하는 태양전지.
제1항에 있어서,
상기 반사방지막은 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, MgF₂, ZnS, TiO₂ 및 CeO₂로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조인 태양전지.
제1항에 있어서,
상기 은분말은 구상이며, 평균입도는 1.7 내지 3.21㎛인 태양전지.
은(Ag) 분말 60 내지 95 중량부, 유리 프릿(Glass frit) 0.1 내지 8 중량부, 산화인듐주석(ITO) 0.2 내지 0.3 중량부, 바인더 1 내지 20 중량부 및 용매 1 내지 20 중량부를 포함하는 태양전지의 전면전극용 페이스트.
제6항에 있어서,
상기 산화인듐주석(ITO)는 판상형인 전면전극용 페이스트.