KR101606466B1 - 마이크로웨이브를 이용한 멸균장치 및 멸균방법 - Google Patents

마이크로웨이브를 이용한 멸균장치 및 멸균방법 Download PDF

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Abstract

마이크로웨이브를 이용한 멸균장치가 개시되며, 상기 멸균장치는, 내부에 피처리물을 수용하는 챔버; 상기 챔버 내부를 진공 상태로 만드는 진공형성부; 상기 챔버 내부에 가스를 공급하는 가스공급원; 및 상기 챔버 내부에 멸균을 위한 마이크로웨이브를 각각 인가하는 복수의 마이크로웨이브 인가부를 포함하되, 상기 복수의 마이크로웨이브 인가부 중 어느 하나가 인가하는 마이크로웨이브는, 상기 복수의 마이크로웨이브 인가부 중 다른 하나가 인가하는 마이크로웨이브와, 위상 및 주파수 중 하나 이상이 서로 상이하다.

Description

마이크로웨이브를 이용한 멸균장치 및 멸균방법{APPARATUS AND METHOD FOR STERILIZATION USING MICROWAVE}
본원은 마이크로웨이브를 이용한 멸균장치 및 멸균방법에 관한 것이다.
한국공개특허공보 제2012-0135129호에는 "마이크로웨이브를 이용한 의료용 멸균장치" 발명이 개시되어 있다. 이러한 멸균장치는 마이크로웨이브를 이용하여 생성한 플라즈마를 통해 피처리물을 멸균한다.
다만, 멸균장치의 마이크로웨이브 인가에 있어서, 보다 향상된 멸균력을 갖는 양질의 플라즈마를 형성시킬 수 있는 인가수단 및 방법에 대한 개발 요구가 있어 왔다.
본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 보다 향상된 멸균력을 갖는 양질의 플라즈마를 형성시킬 수 있는 마이크로웨이브를 이용한 멸균장치 및 멸균방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제1 측면에 따른 마이크로웨이브를 이용한 멸균장치는, 내부에 피처리물을 수용하는 챔버; 상기 챔버 내부를 진공 상태로 만드는 진공형성부; 상기 챔버 내부에 가스를 공급하는 가스공급원; 및 상기 챔버 내부에 멸균을 위한 마이크로웨이브를 각각 인가하는 복수의 마이크로웨이브 인가부를 포함하되, 상기 복수의 마이크로웨이브 인가부 중 어느 하나가 인가하는 마이크로웨이브는, 상기 복수의 마이크로웨이브 인가부 중 다른 하나가 인가하는 마이크로웨이브와, 위상 및 주파수 중 하나 이상이 서로 상이할 수 있다.
또한, 본원의 일 실시예에 따르면, 상기 챔버에 공급된 가스는, 상기 챔버 내부로 인가되는 상기 마이크로웨이브에 의해, 적어도 일부가 멸균성을 갖는 라디칼을 포함하는 플라즈마 상태가 될 수 있다.
한편, 본원의 제2 측면에 따른 마이크로웨이브를 이용한 멸균방법은, 챔버에 피처리물을 투입하는 단계; 진공형성부에 의해, 상기 피처리물이 투입된 챔버 내부를 진공 상태로 만드는 단계; 가스공급원에 의해, 진공화된 상기 챔버 내부에 가스를 공급하는 단계; 및 복수의 마이크로웨이브 인가부에 의해, 가스가 공급된 상기 챔버 내부에 마이크로웨이브를 인가하는 단계를 포함하되, 상기 복수의 마이크로웨이브 인가부 중 어느 하나가 인가하는 마이크로웨이브는, 상기 복수의 마이크로웨이브 인가부 중 다른 하나가 인가하는 마이크로웨이브와, 위상 및 주파수 중 하나 이상이 서로 상이할 수 있다.
또한, 본원의 일 실시예에 따르면, 상기 챔버에 공급된 가스는, 상기 챔버 내부로 인가되는 상기 마이크로웨이브에 의해, 적어도 일부가 멸균성을 갖는 라디칼을 포함하는 플라즈마 상태가 될 수 있다.
전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 위상 및 주파수 중 하나 이상을 서로 달리하는 복수의 마이크로웨이브가 챔버 내부로 인가됨으로써, 마이크로웨이브 간의 간섭이 최소화될 수 있어, 마이크로웨이브와 가스의 유기적 조합에 의해 발휘되는 멸균 효과가 극대화될 수 있다. 이를 테면, 챔버 내부로 공급된 가스는 마이크로웨이브의 인가에 의해 적어도 일부가 멸균성을 갖는 라디칼을 포함하는 플라즈마 상태로 변환될 수 있는데, 상술한 바와 같이 마이크로웨이브 간의 간섭이 최소화됨으로써 보다 많은 양의 라디칼이 생성될 수 있고, 이에 따라 멸균 효과가 크게 향상될 수 있다.
도 1은 본원의 일 실시예에 따른 마이크로웨이브를 이용한 멸균장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 본원의 일 실시예에 따른 마이크로웨이브 인가부를 셜명하기 위한 블록도이다.
도 3은 본원의 일 실시예에 따른 마이크로웨이브 인가부의 하위 구성들과 챔버 간의 배치 관계를 설명하기 위한 개념도이다.
도 4는 본원의 일 실시예에 따른 마이크로웨이브를 이용한 멸균방법의 순서도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.
본원은 마이크로웨이브를 이용한 멸균장치 및 멸균방법에 관한 것이다.
우선, 본원의 일 실시예에 따른 마이크로웨이브를 이용한 멸균장치(이하 '본 멸균장치 '라 함)에 대해 설명한다.
도 1은 본원의 일 실시예에 따른 마이크로웨이브를 이용한 멸균장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 멸균장치는 챔버(1), 진공형성부(2), 가스공급원(3) 및 마이크로웨이브 인가부(4)를 포함한다.
챔버(1)는 내부에 피처리물을 수용하는 구성이다.
예시적으로, 챔버(1)는 피처리물이 투입되는 투입구(미도시)를 포함할 수 있다. 또한, 챔버(1)는 퍼처리물을 그 내부로 이송하는 컨베이어와 같은 이송 유닛을 포함할 수 있다.
또한, 피처리물은 병원에서 사용되는 수술기구 등 각종 의료용 기구일 수 있다.
진공형성부(2)는 챔버(1) 내부를 진공 상태로 만드는 구성이다.
예시적으로, 진공형성부(2)는 진공펌프를 포함할 수 있다. 또한, 챔버(1) 내의 압력을 측정하는 진공측정센서(11)를 포함할 수 있다.
또한, 진공형성부(2)와 챔버(1)를 연결하는 배관에는 그 연결을 선택적으로 차단하는 밸브가 구비될 수 있다.
예시적으로, 진공형성부(2)는, 진공형성부(2)와 챔버(1)를 연결하는 배관에 구비된 밸브를 개방한 후, 챔버(1) 내부의 기체를 배관을 통해 외부로 배기하여 챔버(1) 내부를 진공 상태로 만들 수 있다. 진공형성부(2)는 가스공급원(3)에서 공급되는 가스에 대한 내구성을 갖는 것일 수 있다. 또한, 배관에는 필터가 구비되어, 챔버(1) 내부의 진공해제시 외부공기로부터의 오염을 방지할 수 있다.
가스공급원(3)은 챔버(1) 내부에 가스를 공급하는 구성이다.
예시적으로, 가스공급원(3)과 챔버(1)를 연결하는 배관에는 그 연결을 선택적으로 차단하는 밸브가 구비될 수 있다.
여기서, 챔버(1)에 공급된 가스는, 챔버(1) 내부로 인가되는 마이크로웨이브에 의해, 그 적어도 일부가 멸균성을 갖는 라디칼을 포함하는 플라즈마 상태가 되는 가스일 수 있다.
또한, 챔버(1)에 공급된 가스는 산화에틸렌을 포함하는 원료 가스 및 질소와 산소를 포함하는 원료 가스 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
예시적으로, 챔버(1)에 공급된 가스가 산화에틸렌을 포함하는 경우, 이러한 산화에틸렌 가스를 포함하는 원료 가스에 마이크로웨이브가 가해지면, 원료가스가 플라즈마 상태로 변환되면서 라디칼이 생성될 수 있다. 여기서, 라디칼이란, 원자가 전자 궤도함수에 쌍을 이루지 않는 홀전자를 가진 독립적으로 존재하는 화학종을 의미할 수 있다.
다른 예로, 챔버(1)에 공급된 가스가 질소와 산소를 포함하는 경우, 이러한 질소와 산소를 포함하는 원료 가스에 마이크로웨이브가 가해지면, 원료 가스가 플라즈마 상태로 변환되면서 NO2 가스나 NO 가스를 포함한 질소산화물(NOX) 가스와 프리 라디칼이 생성될 수 있다. 이때, 프리 라디칼은 물론이고, 함께 생성된 NO2 가스도 멸균성을 가지므로, 질소와 산소를 포함하는 원료 가스가 공급될 경우 라디칼 뿐만 아니라 NO2 가스에 의한 멸균 효과까지 기대할 수 있다.
또한, 가스공급원(3)과 챔버(1)를 연결하는 배관에는 그 연결을 선택적으로 차단하는 밸브가 구비될 수 있다.
마이크로웨이브 인가부(4)는 챔버(1) 내부에 멸균을 위한 마이크로웨이브를 인가하는 구성이다.
예시적으로, 인가되는 마이크로웨이브는 기본적으로 2.45Ghz의 주파수를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 필요에 따라 변경될 수 있다.
이러한 마이크로웨이브 인가부(4)는 복수개 구비된다.
마이크로웨이브 인가부(4)는 복수개 구비되어, 마이크로웨이브와 원료 가스의 유기적 조합에 의해 멸균 효과를 극대화할 수 있다.
복수의 마이크로웨이브 인가부(4) 중 어느 하나가 인가하는 마이크로웨이브는, 복수의 마이크로웨이브 인가부(4) 중 다른 하나가 인가하는 마이크로웨이브와, 위상 및 주파수 중 하나 이상이 서로 상이하도록 설정될 수 있다.
복수의 마이크로웨이브 인가부(4)는 앞서 살펴본 바와 같이, 각각이 인가하는 마이크로웨이브의 위상 및 주파수 중 하나 이상을 서로 상이하게 함으로써, 각각이 인가하는 마이크로웨이브 사이의 상쇄를 방지하도록 설정될 수 있다.
복수의 마이크로웨이브 인가부(4)는 각각 인가되는 마이크로웨이브의 마루와 골이 겹치면 소멸간섭이 일어나 상쇄될 수 있어, 위상 및 주파수 중 하나 이상을 서로 상이하게 하여 이를 방지하도록 설정될 수 있다.
예시적으로, 두개의 마이크로웨이브가 서로 동일한 주파수와 위상을 가지게 되고, 각각의 마이크로웨이브의 마루와 골이 정확하게 일치할 경우, 마이크로웨이브는 완전히 상쇄되어 챔버(1) 내부에서 원료 가스와 반응이 일어나지 않을 수 있다. 이때, 후술되는 위상시프터(42)를 이용하여, 하나의 마이크로웨이브 위상을 변화시켜, 복수의 마이크로웨이브가 서로 간섭되어 상쇄되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 복수의 마이크로웨이브 인가부(4)는 서로 다른 위치에 배치될 수 있다.
예시적으로 도 1을 참조하면, 복수의 마이크로웨이브 인가부(4)는 챔버(1) 내부의 공간에 골고루 가급적 균일하게 마이크로웨이브가 인가될 수 있도록, 챔버(1)에 대하여 대칭적으로 배치되거나, 서로 일정한 간격을 두고 배치될 수 있다.
도 2는 본원의 일 실시예에 따른 마이크로웨이브 인가부를 설명하기 위한 블록도이다.
복수의 마이크로웨이브 인가부(4) 각각은, 마그네트론(41) 및 위상시프터(42)를 포함할 수 있다.
마그네트론(41)은 마이크로웨이브를 발진하는 구성이다. 이는, 통상의 기술자에게 자명한 구성이므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
위상시프터(42)는 마그네트론(41)으로부터 발진되는 마이크로웨이브의 위상을 변화시키는 구성이다.
즉, 위상시프터(42)에 의해, 복수의 마이크로웨이브 인가부(4) 각각에서 인가되는 마이크로웨이브는, 서로 상쇄되는 것이 방지되도록 서로 다른 위상을 가지게 설정될 수 있다.
또한, 예시적으로, 복수의 마이크로 웨이브 인가부(4) 각각에서 인가되는 마이크로 웨이브는, 위상시프터(42)에 의해 위상을 조절하여 마루와 마루 또는 골과 골이 중첩되어 보강간섭이 일어날 수 도 있다.
도 3은 본원의 일 실시예에 따른 마이크로웨이브 인가부(4)의 하위 구성들과 챔버(1) 간의 배치 관계를 설명하기 위한 개념도이다.
도 3을 참조하면, 복수의 마이크로웨이브 인가부(4) 각각은, 마그네트론(41)과 연결되어 마이크로웨이브가 발진되는 발진봉(442)과 발진봉(442)에서 발진된 마이크로웨이브를 반사시키는 도파관(441)을 포함할 수 있다.
예시적으로, 도파관(441) 및 발진봉(442)은 챔버(1) 내부에 위치될 수 있다.
발진봉(442)은 마그네트론(41)과 전달매체를 통해서 연결되어 내부에 위치할 수 있으며, 도파관(441)은 발진봉(442)으로부터 일정거리 이격되어 발진봉(442)에서 발진되는 마이크로웨이브를 챔버 내부에 효율적으로 분산시키기 위해 위치할 수 있다. 또한, 복수의 발진봉(442)은 서로 대칭적으로 배치될 수 있다. 예시적으로, 각각의 발진봉(442)이 챔버의 내부 상부와 하부에 각각 위치하고, 도파관(441)은 발진봉(442)과 챔버의 내벽 사이에 위치하여 발진봉(442)에서 발진되는 마이크로웨이브를 챔버 내부 전체에 균등하게 발진될 수 있다.
다른 예로, 도파관(441) 및 발진봉(442)은 챔버(1) 외부에 위치될 수 있다. 이때, 도파관(441)은 발진봉(442)을 기준으로 챔버(1) 반대방향에 위치하여, 발진봉(442)에서 발진되는 마이크로 웨이브를 챔버(1) 방향으로 반사할 수 있다. 또한, 챔버(1)에는 마이크로웨이브가 통과할 수 있는 윈도우부(미도시)가 형성될 수 있다. 발진봉(442)에서 발진되는 마이크로웨이브는 윈도우부를 통과하여, 챔버(1) 내부로 원활히 전달될 수 있다.
한편, 이하에서는 본원의 일 실시예에 따른 마이크로웨이브를 이용한 멸균방법 (이하 '본 멸균방법 이'라 함)에 대해 설명한다. 다만, 본 멸균방법은 본 멸균장치의 구성을 이용하여 수행되는 방법으로서, 앞서 살펴본 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.
도 4는 본원의 일 실시예에 따른 마이크로웨이브를 이용한 멸균방법의 순서도이다.
본 멸균방법은, 챔버(1)에 피처리물을 투입하는 단계(S100)를 포함한다.
예시적으로, 챔버(1)에는 멸균 대상이 되는 피처리물을 투입하는 투입구가 형성될 수 있다. 또한, 피처리물은 투입구를 통해, 사용자에 의해서 챔버(1) 내부로 투입되거나 컨베이어와 같은 이송 유닛을 이용하여 투입되어 챔버(1)의 내부에 수용할 수 있다.
또한, 본 멸균방법은, 진공형성부(2)에 의해, 피처리물이 투입된 챔버(1) 내부를 진공 상태로 만드는 단계(S200)를 포함한다.
예시적으로, 챔버(1)에 피처리물을 투입한 후, 피처리물이 투입된 투입구를 차단하고, 챔버(1) 내부는 진공형성부(2)를 이용하여 진공상태로 만들 수 있다. 또한, 챔버(2)는 내부의 진공 상태를 측정하는 진공측정센서(11)를 포함할 수 있다. 진공측정센서(1)는 챔버(1)의 내부 진공 상태를 측정하고, 사용자가 원하는 진공 상태에 도달하게 되면, 밸브를 차단하고 진공형성부(2)의 가동을 중단시킬 수 있다.
또한, 본 멸균방법은, 가스공급원(3)에 의해, 진공화된 챔버 내부에 가스를 공급하는 단계(S300)를 포함한다.
예시적으로, 챔버(1)의 내부를 진공 상태를 만든 후, 가스공급원(3)에 의해, 진공화된 챔버(1) 내부에 피처리물을 멸균하기 위한 가스를 공급할 수 있다. 이때, 가스공급원(3)과 챔버(1)를 연결하는 배관에 구비되는 밸브를 개방시켜 가스를 공급할 수 있다. 이때, 공급되는 가스는 산화질소 또는 산화에틸렌 가스를 포함할 수 있다.
또한, 가스공급원(3)은 진공측정센서(11)를 통해 측정된 압력이 일정 압력에 이르면 밸브를 차단하여 가스 공급을 중단할 수 있다.
다른 예로, 챔버(1) 내부의 가스농도센서를 측정하는 가스농도센서를 구비할 수 있다. 또한, 가스공급원(3)은 가스농도센서를 통해 측정된 가스 농도가 일정 농도에 도달하게 되면, 밸브를 차단하여 가스 공급을 중단할 수 있다.
또한, 본 멸균방법은, 마이크로웨이브 인가부(4)에 의해, 가스가 공급된 챔버(1) 내부에 마이크로웨이브를 인가하는 단계(S400)를 포함한다.
복수의 마이크로웨이브 인가부(4)가 작동하여 챔버 내부에 마이크로 웨이브를 인가할 수 있다. 또한, 가스공급원(3)에서 공급된 원료 가스에 인가된 마이크로웨이브가 가해지면, 원료가스가 플라즈마 상태로 변환되면서 라디칼 및 멸균성을 가지는 가스가 생성될 수 있다. 피처리물은 라디칼 및 멸균성을 가지는 가스에 접촉되어 멸균될 수 있다.
이러한 마이크로웨이브 인가부(4)는 복수개 구비된다.
복수의 마이크로웨이브 인가부(4) 중 어느 하나가 인가하는 마이크로웨이브는, 복수의 마이크로웨이브 인가부(4) 중 다른 하나가 인가하는 마이크로웨이브와, 위상 및 주파수 중 하나 이상이 서로 상이하다.
복수의 마이크로웨이브 인가부(4)는 서로 다른 위치에 배치될 수 있다.
또한, 복수의 마이크로웨이브 인가부(4)는 앞서 살펴본 바와 같이, 각각이 인가하는 마이크로웨이브의 위상 및 주파수 중 하나 이상을 서로 상이하게 함으로써, 각각이 인가하는 마이크로웨이브 사이의 상쇄를 방지하도록 설정될 수 있다.
복수의 마이크로웨이브 인가부(4) 각각은, 마그네트론(41) 및 위상시프터(42)를 포함할 수 있다.
마그네트론(41)은 마이크로웨이브를 발진하는 구성이다. 이는, 통상의 기술자에게 자명한 구성이므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
위상시프터(42)는 마그네트론(41)으로부터 발진되는 마이크로웨이브의 위상을 변화시키는 구성이다.
즉, 위상시프터(42)에 의해, 복수의 마이크로웨이브 인가부(4) 각각에서 인가되는 마이크로웨이브는, 서로 상쇄되는 것이 방지되도록 서로 다른 위상을 가지게 설정될 수 있다.
한편, 챔버(1)에 공급된 가스는, 챔버(1) 내부로 인가되는 마이크로웨이브에 의해, 그 적어도 일부가 멸균성을 갖는 라디칼을 포함하는 플라즈마 상태가 되는 가스일 수 있다.
예시적으로, 챔버(1)에 공급된 가스는 산화에틸렌 가스를 포함하는 원료가스 및 질소산화물 가스를 포함하는 원료 가스 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
1: 챔버 2: 진공형성부
3: 가스공급원 4: 마이크로웨이브 인가부
11: 진공측정센서 41: 마그네트론
42: 위상시프터 43: 전압원
441: 도파관 442: 발진봉

Claims (10)

  1. 마이크로웨이브를 이용한 멸균장치에 있어서,
    내부에 피처리물을 수용하는 챔버;
    상기 챔버 내부를 진공 상태로 만드는 진공형성부;
    상기 챔버 내부에 가스를 공급하는 가스공급원; 및
    상기 챔버 내부에 멸균을 위한 마이크로웨이브를 각각 인가하는 복수의 마이크로웨이브 인가부를 포함하되,
    상기 복수의 마이크로웨이브 인가부 중 어느 하나가 인가하는 마이크로웨이브는, 상기 복수의 마이크로웨이브 인가부 중 다른 하나가 인가하는 마이크로웨이브와, 위상 및 주파수 중 하나 이상이 서로 상이하고,
    상기 복수의 마이크로웨이브 인가부는 서로 다른 위치에 배치되고, 각각이 인가하는 마이크로웨이브 사이의 상쇄를 방지하도록 설정되는 것인, 마이크로웨이브를 이용한 멸균장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 마이크로웨이브 인가부 각각은,
    마그네트론; 및
    상기 마그네트론으로부터 발진되는 마이크로웨이브의 위상을 변화시키는 위상시프터를 포함하고,
    상기 복수의 마이크로웨이브 인가부 각각에서 인가되는 마이크로웨이브는, 서로 상쇄되는 것이 방지되도록, 상기 위상시프터에 의해 서로 다른 위상을 가지는 것인, 마이크로웨이브를 이용한 멸균장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 챔버에 공급된 가스는, 상기 챔버 내부로 인가되는 상기 마이크로웨이브에 의해, 적어도 일부가 멸균성을 갖는 라디칼을 포함하는 플라즈마 상태가 되는 것인, 마이크로웨이브를 이용한 멸균장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 챔버에 공급된 가스는 산화에틸렌을 포함하는 원료 가스 및 질소와 산소를 포함하는 원료 가스 중 하나 이상을 포함하는 것인, 마이크로웨이브를 이용한 멸균장치.
  6. 마이크로웨이브를 이용한 멸균방법에 있어서,
    챔버에 피처리물을 투입하는 단계;
    진공형성부에 의해, 상기 피처리물이 투입된 챔버 내부를 진공 상태로 만드는 단계;
    가스공급원에 의해, 진공 상태가 된 상기 챔버 내부에 가스를 공급하는 단계; 및
    복수의 마이크로웨이브 인가부에 의해, 가스가 공급된 상기 챔버 내부에 마이크로웨이브를 인가하는 단계를 포함하되,
    상기 복수의 마이크로웨이브 인가부 중 어느 하나가 인가하는 마이크로웨이브는, 상기 복수의 마이크로웨이브 인가부 중 다른 하나가 인가하는 마이크로웨이브와, 위상 및 주파수 중 하나 이상이 서로 상이하고,
    상기 복수의 마이크로웨이브 인가부는 서로 다른 위치에 배치되고, 각각이 인가하는 마이크로웨이브 사이의 상쇄를 방지하도록 설정되는 것인, 마이크로웨이브를 이용한 멸균방법.
  7. 삭제
  8. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 마이크로웨이브 인가부 각각은,
    마그네트론; 및
    상기 마그네트론으로부터 발진되는 마이크로웨이브의 위상을 변화시키는 위상시프터를 포함하고,
    상기 마이크로웨이브를 인가하는 단계에서,
    상기 복수의 마이크로웨이브 인가부 각각에서 인가되는 마이크로웨이브는, 서로 상쇄되는 것이 방지되도록, 상기 위상시프터에 의해 서로 다른 위상을 가지는 것인, 마이크로웨이브를 이용한 멸균방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 챔버에 공급된 가스는, 상기 챔버 내부로 인가되는 마이크로웨이브에 의해, 적어도 일부가 멸균성을 갖는 라디칼을 포함하는 플라즈마 상태가 되는 것인, 마이크로웨이브를 이용한 멸균방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 챔버에 공급된 가스는 산화에틸렌을 포함하는 원료 가스 및 질소와 산소를 포함하는 원료 가스 중 하나 이상을 포함하는 것인, 마이크로웨이브를 이용한 멸균방법.
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