KR101598172B1 - Bandpass filter - Google Patents

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KR101598172B1
KR101598172B1 KR1020150028580A KR20150028580A KR101598172B1 KR 101598172 B1 KR101598172 B1 KR 101598172B1 KR 1020150028580 A KR1020150028580 A KR 1020150028580A KR 20150028580 A KR20150028580 A KR 20150028580A KR 101598172 B1 KR101598172 B1 KR 101598172B1
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inductor
interdigital capacitor
substrate
interdigit
fingers
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Application number
KR1020150028580A
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Inventor
김남영
왕종
저릭그트
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광운대학교 산학협력단
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    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
    • H01P1/20336—Comb or interdigital filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices

Abstract

A bandpass filter is disclosed. The bandpass filter includes a substrate, an interdigital capacitor which is formed on a surface of the substrate, a first inductor which has a spiral shape on a surface of the substrate to surround the interdigital capacitor and has an inside end electrically connected to one end of the interdigital capacitor, and a second inductor which has a spiral shape on a side of the substrate to surround the interdigital capacitor, forms an intersection point of the first inductor by forming an opposite radiation direction to the radiation direction of the spiral shape of the first inductor, and has an inside end electrically connected to the other end of the interdigital capacitor.

Description

밴드 패스 필터{BANDPASS FILTER}Band pass filter {BANDPASS FILTER}

본 발명은 밴드 패스 필터에 관한 것이다.
The present invention relates to a bandpass filter.

와이맥스(Wimax) 시스템과 같은 무선 이동 통신이 급격하게 발전함에 따라, 고성능과 고집적도를 나타내는 동시에 컴팩트한 사이즈를 가지는 밴드 패스 필터의 필요가 증대되고 있다.As wireless mobile communications such as WiMAX systems are rapidly evolving, there is a growing need for a bandpass filter that exhibits high performance and high degree of integration while having a compact size.

한편, 다양한 디자인의 밴드 패스 필터를 제조하기 위하여 집적 수동 소자(Integrated passive device, IPD) 공정이 널리 이용되고 있으며, IPD 공정은 다른 패시브 요소 기술에 비하여 신뢰성 높은 성능을 유지하면서 소자의 대량 생산을 가능하게 하는 이점이 있다.On the other hand, an integrated passive device (IPD) process is widely used to manufacture various designs of bandpass filters, and the IPD process is capable of mass production of devices while maintaining reliable performance compared to other passive component technologies .

IPD 공정을 통하여 밴드 패스 필터의 사이즈를 축소시킬 수 있으나, 삽입 손실(Insertion loss) 또는 반사 손실(Retrun loss)의 측면에 있어서, 종래에 비하여 보다 향상된 밴드 패스 필터가 요구된다.
Although the size of the bandpass filter can be reduced through the IPD process, a further improved bandpass filter is required in terms of insertion loss or retrun loss.

한국공개특허 제10-2012-0114594호 (2012. 10. 17. 공개)Korean Patent Laid-Open No. 10-2012-0114594 (disclosed on October 17, 2012)

본 발명의 실시예들은, 고성능을 유지하면서 보다 컴팩트한 구조를 가지는 밴드 패스 필터를 제공하기 위한 것이다.
Embodiments of the present invention are intended to provide a bandpass filter having a more compact structure while maintaining high performance.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판, 상기 기판의 일면에 형성되는 인터디지털(Interdigital) 커패시터, 상기 인터디지털 커패시터를 감싸도록 상기 기판의 일면에 스파이럴 형상으로 형성되고, 내측 일단에서 상기 인터디지털 커패시터의 일단과 전기적으로 접속하는 제1 인덕터 및 상기 인터디지털 커패시터를 감싸도록 상기 기판의 일면에 스파이럴 형상으로 형성되되, 상기 제1 인덕터의 스파이럴 형상의 발산 방향과 반대 방향으로 발산하도록 형성되어 상기 제1 인덕터와 교차점을 형성하며, 내측 일단에서 상기 인터디지털 커패시터의 타단과 전기적으로 접속하는 제2 인덕터를 포함하는 밴드 패스 필터가 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising a substrate, an interdigital capacitor formed on one surface of the substrate, a spiral formed on one surface of the substrate to surround the interdigital capacitor, A first inductor electrically connected to one end of the first inductor and a second inductor formed in a spiral shape on one surface of the substrate so as to surround the interdigital capacitor and is formed to diverge in a direction opposite to a divergent direction of the spiral shape of the first inductor, And a second inductor electrically connected to the other end of the interdigital capacitor at an inner end of the band-pass filter.

여기서, 상기 인터디지털 커패시터는, 상호 이격되게 배치되고 일단에서 전기적으로 접속되는 적어도 두 개의 핑거(Finger)를 각각 가지는 제1 인터디지트(Interdigit) 세트 및 제2 인터디지트 세트를 포함하고, 상기 제1 인터디지트 세트의 핑거와 상기 제2 인터디지트 세트의 핑거는 교호 배치될 수 있다.The interdigital capacitor includes a first interdigit set and a second interdigit set each having at least two fingers spaced apart from each other and electrically connected at one end thereof, The fingers of the interdigit set and the fingers of the second interdigit set may be arranged alternately.

상기 제1 인덕터의 내측 일단에서 상기 인터디지털 커패시터의 일단으로 연장되는 제1 전송선로 및 상기 제2 인덕터의 내측 일단에서 상기 인터디지털 커패시터의 타단으로 연장되는 제2 전송선로를 더 포함할 수 있다.A first transmission line extending from one inner end of the first inductor to one end of the interdigital capacitor and a second transmission line extending from the inner end of the second inductor to the other end of the interdigital capacitor.

상기 교차점은 상기 제1 인덕터 및 상기 제2 인덕터 중 어느 하나가 다른 하나와 이격되게 교차하는 에어 브릿지(air bridge) 구조로 형성될 수 있다.The intersection may be formed by an air bridge structure in which any one of the first inductor and the second inductor is spaced apart from the other.

상기 교차점은 상기 제1 인덕터와 상기 제2 인덕터의 전기적 절연을 유지하도록 상기 제1 인덕터와 상기 제2 인덕터의 사이에 절연물질이 개재되어 형성될 수 있다.The intersection may be formed by interposing an insulating material between the first inductor and the second inductor so as to maintain electrical insulation between the first inductor and the second inductor.

그리고, 상기 기판은 갈륨비소(GaAs)를 포함하는 재질로 형성될 수 있다.
The substrate may be formed of a material containing gallium arsenide (GaAs).

본 발명의 실시예들에 따르면, 인터디지털 커패시터는 제1 인덕터와 제2 인덕터의 내부에 배치되므로 컴팩트한 구조를 구현할 수 있으며, 제1 인덕터와 제2 인덕터가 스파이럴 형상으로 형성되어 서로 교차하므로 강한 전자기적 결합에 의한 높은 선택성을 나타낼 수 있다.
According to embodiments of the present invention, since the interdigital capacitor is disposed inside the first inductor and the second inductor, a compact structure can be realized, and since the first inductor and the second inductor are formed into a spiral shape and cross each other, High selectivity due to electromagnetic coupling can be exhibited.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 밴드 패스 필터를 나타내는 도면.
도 2는 도 1에 도시된 밴드 패스 필터의 등가 회로를 나타내는 도면.
도 3은 도 1의 A영역을 확대하여 나타내는 도면.
도 4는 도 1의 B영역을 확대하여 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 밴드 패스 필터의 S-파라미터 특성을 나타내는 그래프.
도 6은 본 발명의 일 구현예에 따른 밴드 패스 필터의 특성을 종래의 밴드 패스 필터와 비교하여 나타내는 표이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a diagram illustrating a bandpass filter in accordance with an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a view showing an equivalent circuit of the band-pass filter shown in Fig. 1. Fig.
Fig. 3 is an enlarged view of area A in Fig. 1; Fig.
4 is an enlarged view of a region B in Fig.
5 is a graph illustrating S-parameter characteristics of a bandpass filter according to an embodiment of the present invention.
6 is a table showing characteristics of a band-pass filter according to an embodiment of the present invention in comparison with a conventional band-pass filter.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것이 아니다.In the present application, when a component is referred to as "comprising ", it means that it can include other components as well, without excluding other components unless specifically stated otherwise. Also, throughout the specification, the term "on" means to be located above or below the object portion, and does not necessarily mean that the object is located on the upper side with respect to the gravitational direction.

또한, 결합이라 함은, 각 구성 요소 간의 접촉 관계에 있어, 각 구성 요소 간에 물리적으로 직접 접촉되는 경우만을 뜻하는 것이 아니라, 다른 구성이 각 구성 요소 사이에 개재되어, 그 다른 구성에 구성 요소가 각각 접촉되어 있는 경우까지 포괄하는 개념으로 사용하도록 한다.In addition, the term " coupled " is used not only in the case of direct physical contact between the respective constituent elements in the contact relation between the constituent elements, but also means that other constituent elements are interposed between the constituent elements, Use them as a concept to cover each contact.

또한, 이하 사용되는 제1, 제2 등과 같은 용어는 동일 또는 상응하는 구성 요소들을 구별하기 위한 식별 기호에 불과하며, 동일 또는 상응하는 구성 요소들이 제1, 제2 등의 용어에 의하여 한정되는 것은 아니다.It is also to be understood that the terms first, second, etc. used hereinafter are merely reference numerals for distinguishing between identical or corresponding components, and the same or corresponding components are defined by terms such as first, second, no.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.The sizes and thicknesses of the respective components shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, and thus the present invention is not necessarily limited to those shown in the drawings.

이하, 본 발명에 따른 밴드 패스 필터의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
Hereinafter, embodiments of a bandpass filter according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Referring to the accompanying drawings, the same or corresponding components are denoted by the same reference numerals, A description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 밴드 패스 필터를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a band pass filter according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시에에 따른 밴드 패스 필터(100)는 기판(110), 인터디지털 커패시터(Interdigital Capacitor, 120), 제1 인덕터(130) 및 제2 인덕터(140)를 포함하고, 제1 전송선로(135), 제2 전송선로(145), 입력단자(150) 및 출력단자(160)를 더 포함할 수 있다.1, a bandpass filter 100 according to an embodiment of the present invention includes a substrate 110, an interdigital capacitor 120, a first inductor 130, and a second inductor 140 And may further include a first transmission line 135, a second transmission line 145, an input terminal 150, and an output terminal 160.

기판(110)은 기판(110)의 일면에 형성되는 인터디지털 커패시터(120), 제1 인덕터(130) 및 제2 인덕터(140)를 지지하고, 그 형상은 판상형일 수 있다. 도 1은 기판(110)이 사각 형상의 판인 것을 도시하고 있으나 이에 한정될 것은 아니고, 기판(110)은 원형 또는 다각형 등과 같은 다양한 형상의 판으로 형성될 수 있다.The substrate 110 supports the interdigital capacitor 120, the first inductor 130, and the second inductor 140 formed on one surface of the substrate 110, and the shape thereof may be a plate shape. 1 illustrates that the substrate 110 is a square plate, but the substrate 110 is not limited thereto, and the substrate 110 may be formed of plates having various shapes such as a circular shape or a polygonal shape.

인터디지털 커패시터(120)는 기판(110)의 일면에 형성된다. 즉, 인터디지털 커패시터(120)는 기판(110)의 일면에 전도성 물질을 패터닝함으로써 형성될 수 있고, 이때 전도성 물질을 패터닝하는 방법은 공지의 방법이 사용될 수 있다. 예를 들어, 인터디지털 커패시터(120)는 기판(110)의 일면 상에 금속 등과 같은 전도성 물질을 인쇄, 증착 또는 에칭하여 형성될 수 있다.The interdigital capacitor 120 is formed on one surface of the substrate 110. That is, the interdigital capacitor 120 may be formed by patterning a conductive material on one surface of the substrate 110, and a known method may be used as a method of patterning the conductive material. For example, the interdigital capacitor 120 may be formed by printing, depositing, or etching a conductive material, such as metal, on one side of the substrate 110.

제1 인덕터(130)는 인터디지털 커패시터(120)를 감싸도록 기판(110)의 일면에 스파이럴 형상으로 형성된다. 구체적으로, 제1 인덕터(130)는 기판(110)의 일면에 전도성 물질이 스파이럴 형상으로 인터디지털 커패시터(120)의 주위를 회전함으로써 형성될 수 있다.The first inductor 130 is formed in a spiral shape on one surface of the substrate 110 so as to surround the interdigital capacitor 120. Specifically, the first inductor 130 may be formed by rotating a conductive material around the interdigital capacitor 120 in a spiral shape on one surface of the substrate 110.

제1 인덕터(130)는 인터디지털 커패시터(120)를 감싸도록 형성되므로, 인터디지털 커패시터(120)는 제1 인덕터(130)의 내부에 배치되고, 제1 인덕터(130)와 인터디지털 커패시터(120)의 전기적 절연을 유지하도록 제1 인덕터(130)는 인터디지털 커패시터(120)와 일정 간격 이격되게 형성된다.Since the first inductor 130 is formed to surround the interdigital capacitor 120, the interdigital capacitor 120 is disposed inside the first inductor 130 and the first inductor 130 and the interdigital capacitor 120 The first inductor 130 is spaced apart from the interdigital capacitor 120 by a predetermined distance.

제1 인덕터(130)는 스파이럴 형상으로 형성되므로 좁은 공간 내에서도 회전수를 증가시킴으로써 제1 인덕터(130)의 전체 길이를 길게 형성할 수 있다. 제1 인덕터(130)는 인터디지털 커패시터(120)의 주위를 적어도 1회 회전하도록 형성되고, 도 1은 제1 인덕터(130)가 인터디지털 커패시터(120)의 주위를 2번 회전한 것을 도시하고 있다. 다만 이에 한정될 것은 아니고, 제1 인덕터(130)가 인터디지털 커패시터(120)의 주위를 회전하는 횟수는 설계 시 요구되는 인덕턴스(Inductance) 값에 의하여 가감될 수 있다.Since the first inductor 130 is formed in a spiral shape, the total length of the first inductor 130 can be made longer by increasing the number of revolutions even in a narrow space. The first inductor 130 is formed to rotate around the interdigital capacitor 120 at least once, and FIG. 1 shows that the first inductor 130 rotates twice around the interdigital capacitor 120 have. However, the number of times the first inductor 130 is rotated around the interdigital capacitor 120 may be increased or decreased by an inductance value required in designing.

또한, 제1 인덕터(130)는 스파이럴 형상으로 인터디지털 커패시터(120)의 주위를 회전하도록 형성되므로 제1 인덕터(130)의 회전수를 증가시키더라도, 제1 인덕터(130)는 동일 평면 내에서 형성될 수 있다. Since the first inductor 130 is formed so as to rotate around the interdigital capacitor 120 in a spiral shape, even if the number of rotations of the first inductor 130 is increased, the first inductor 130 is arranged in the same plane .

즉, 제1 인덕터(130)는 새로운 커브를 추가할 때 기존의 커브에 중첩 배치하는 것이 아니라, 기존의 커브의 외곽을 회전하도록 배치하므로 제1 인덕터(130)는 단일의 층으로 형성될 수 있다. 결과적으로 밴드 패스 필터(100)의 전체 두께를 감소시킬 수 있다.That is, when the first inductor 130 is added to a new curve, the first inductor 130 may be formed as a single layer because the outer circumference of the existing curve is arranged to be rotated, . As a result, the entire thickness of the band-pass filter 100 can be reduced.

도 1에 도시된 바와 같이, 제1 인덕터(130)는 팔각형의 형태를 가지는 스파이럴 형상으로 형성될 수 있으며, 이와는 달리 제1 인덕터(130)는 원형의 스파이럴 형상 또는 사각형의 스파이럴 형상 등 다양한 형태를 가지는 스파이럴 형상으로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 1, the first inductor 130 may be formed in a spiral shape having an octagonal shape. Alternatively, the first inductor 130 may have various shapes such as a circular spiral shape or a rectangular spiral shape. The branch may be formed in a spiral shape.

제1 인덕터(130)는 내측 일단에서 인터디지털 커패시터(120)의 일단(121)과 전기적으로 접속된다. 인터디지털 커패시터(120)는 제1 인덕터(130)의 내부에 배치되므로, 스파이럴 형상을 이루는 제1 인덕터(130)는 내측 일단에서 인터디지털 커패시터(120)와 전기적으로 접속될 수 있다. 이때, 제1 인덕터(130)의 외측 일단은 입력단자(150) 또는 출력단자(160)와 접속될 수 있다.The first inductor 130 is electrically connected to one end 121 of the interdigital capacitor 120 at one inner side. Since the interdigital capacitor 120 is disposed inside the first inductor 130, the first inductor 130 having a spiral shape can be electrically connected to the interdigital capacitor 120 at the inner one end. At this time, the outer end of the first inductor 130 may be connected to the input terminal 150 or the output terminal 160.

제2 인덕터(140)는 제1 인덕터(130)와 마찬가지로 인터디지털 커패시터(120)를 감싸도록 기판(110)의 일면에 스파이럴 형상으로 형성된다. 제2 인덕터(140)는 인터디지털 커패시터(120)를 감싸도록 형성되므로, 인터디지털 커패시터(120)는 제2 인덕터(140)의 내부에 배치되고, 제2 인덕터(140)와 인터디지털 커패시터(120)의 전기적 절연을 유지하도록 제2 인덕터(140)의 가장 내측에 배치되는 커브는 인터디지털 커패시터(120)와 일정 간격 이격되게 형성된다.The second inductor 140 is formed in a spiral shape on one surface of the substrate 110 so as to surround the interdigital capacitor 120 like the first inductor 130. Since the second inductor 140 is formed to surround the interdigital capacitor 120, the interdigital capacitor 120 is disposed inside the second inductor 140 and the second inductor 140 and the interdigital capacitor 120 The curved portion disposed at the innermost side of the second inductor 140 is formed to be spaced apart from the interdigital capacitor 120 by a certain distance.

제2 인덕터(140)는 스파이럴 형상으로 형성되므로 좁은 공간 내에서도 회전수를 증가시킴으로써 제2 인덕터(140)의 전체 길이를 길게 형성할 수 있다. 제1 인덕터(130)와 마찬가지로, 제2 인덕터(140)는 인터디지털 커패시터(120)의 주위를 회전하는 횟수를 조절하여 요구되는 인덕턴스 값을 설계할 수 있으며, 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)의 회전 횟수는 동일할 수 있다.Since the second inductor 140 is formed in a spiral shape, the total length of the second inductor 140 can be made longer by increasing the number of revolutions even in a narrow space. Like the first inductor 130, the second inductor 140 can design the desired inductance value by controlling the number of turns around the interdigital capacitor 120. The first inductor 130 and the second inductor 130 The number of rotations of the inductor 140 may be the same.

한편, 제2 인덕터(140)는 기판(110)의 일면에 스파이럴 형상으로 형성되되, 제1 인덕터(130)의 스파이럴 형상의 발산 방향과 반대 방향으로 발산하도록 형성되어 제1 인덕터(130)와 교차점을 형성한다.The second inductor 140 is formed on one surface of the substrate 110 in a spiral shape and is formed to diverge in a direction opposite to the diverging direction of the spiral shape of the first inductor 130, .

구체적으로, 제1 인덕터(130)는 스파이럴 형상으로 형성되므로 제1 인덕터(130)의 내측 일단에서 제1 인덕터(130)의 외측 일단으로 감아 나가는 발산 방향을 가지고, 이와 반대로 제1 인덕터(130)의 외측 일단에서 제1 인덕터(130)의 내측 일단으로 감아 들어오는 수렴 방향을 가진다.The first inductor 130 is formed in a spiral shape and thus has a diverging direction from one inner end of the first inductor 130 to one outer end of the first inductor 130, The first inductor 130 has a converging direction that is wound from one end of the first inductor 130 to the inner end of the first inductor 130.

도 1을 참조하면, 제1 인덕터(130)의 발산 방향은 반시계 방향과 일치하고 수렴 방향은 시계 방향과 일치한다. 다만 이에 한정할 것은 아니고, 제1 인덕터(130)는 제1 인덕터(130)의 발산 방향이 시계 방향과 일치하도록 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 1, the divergence direction of the first inductor 130 coincides with the counterclockwise direction, and the convergence direction coincides with the clockwise direction. However, the present invention is not limited to this, and the first inductor 130 may be formed so that the divergence direction of the first inductor 130 coincides with the clockwise direction.

제2 인덕터(140) 또한 제1 인덕터(130)와 마찬가지로 스파이럴 형상으로 형성되므로, 제2 인덕터(140)는 발산 방향과 수렴 방향을 가진다. 한편, 제2 인덕터(140)는 제1 인덕터(130)의 발산 방향과 반대 방향으로 발산하도록 형성된다. 도 1을 참조하면, 제1 인덕터(130)의 발산 방향이 반시계 방향인 경우, 제2 인덕터(140)는 시계 방향을 따라 발산하는 스파이럴 형상으로 형성된다.Since the second inductor 140 is also formed in a spiral shape like the first inductor 130, the second inductor 140 has a diverging direction and a converging direction. Meanwhile, the second inductor 140 is formed to diverge in a direction opposite to the diverging direction of the first inductor 130. Referring to FIG. 1, when the divergence direction of the first inductor 130 is counterclockwise, the second inductor 140 is formed in a spiral shape that diverges along the clockwise direction.

이와 같이, 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)가 서로 반대되는 방향으로 발산하는 스파이럴 형상으로 각각 형성됨으로써, 제1 인덕터(130)를 지나는 전류와 제2 인덕터(140)를 지나는 전류는 동일한 방향으로 흐를 수 있다. 서로 인접하여 배치되는 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)를 지나는 전류의 방향이 같은 경우, 전류의 방향이 다른 경우에 비하여 더 큰 상호 인덕턴스 값을 가질 수 있다.The first inductor 130 and the second inductor 140 are formed in a spiral shape that diverges in opposite directions to each other so that the current passing through the first inductor 130 and the current passing through the second inductor 140 Can flow in the same direction. When the directions of the currents passing through the first inductor 130 and the second inductor 140 disposed adjacent to each other are the same, a larger mutual inductance value can be obtained as compared with the case where the directions of currents are different.

한편, 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)는 인터디지털 커패시터(120) 주위에 스파이럴 형상으로 형성되되, 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)는 일정 간격 이격되게 형성되어 전기적으로 절연을 유지할 수 있다.The first inductor 130 and the second inductor 140 are spirally formed around the interdigital capacitor 120. The first inductor 130 and the second inductor 140 are spaced apart from each other by a predetermined distance It is possible to maintain electrical insulation.

제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)는 서로 반대되는 발산 방향을 가지므로 인터디지털 커패시터(120)를 감싸는 회전 횟수에 비례하여 교차점을 형성한다. 교차점을 중심으로 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)의 배치는 달라지게 된다. 예를 들어, 제1 인덕터(130)가 제2 인덕터(140)의 내측에 배치되는 경우, 교차점을 지나면 제1 인덕터(130)는 제2 인덕터(140)의 외측에 배치된다.Since the first inductor 130 and the second inductor 140 have mutually opposite directions of divergence, an intersection is formed in proportion to the number of rotations surrounding the interdigital capacitor 120. The arrangement of the first inductor 130 and the second inductor 140 is changed around the intersection. For example, when the first inductor 130 is disposed inside the second inductor 140, the first inductor 130 is disposed outside the second inductor 140 after the intersection.

즉, 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)는 인터트와인드(Intertwined)된 상태에서 인터디지털 커패시터(120)의 주위를 회전한다. 이로써 인터디지털 커패시터(120)는 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)의 내부에 배치되어 공간을 최대한 활용할 수 있고, 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)는 인터트와인드된 상태를 유지하므로 상호 인덕턴스 값을 증대시킬 수 있다.That is, the first inductor 130 and the second inductor 140 rotate around the interdigital capacitor 120 in an intertwined state. The interdigital capacitor 120 is disposed inside the first inductor 130 and the second inductor 140 to utilize the space as much as possible and the first inductor 130 and the second inductor 140 are connected to the inter- The mutual inductance value can be increased.

한편, 제2 인덕터(140)는 제2 인덕터(140)의 내측 일단에서 인터디지털 커패시터(120)의 타단(123)과 전기적으로 접속한다. 즉, 인터디지털 커패시터(120)는 일단(121)에서 제1 인덕터(130)와 접속되고, 타단(123)에서 제2 인덕터(140)와 접속된다. 이로써 제1 인덕터(130), 인터디지털 커패시터(120) 및 제2 인덕터(140)는 통합된 구조를 나타낼 수 있다.The second inductor 140 is electrically connected to the other end 123 of the interdigital capacitor 120 at an inner end of the second inductor 140. That is, the interdigital capacitor 120 is connected to the first inductor 130 at one end 121 and connected to the second inductor 140 at the other end 123. Thus, the first inductor 130, the interdigital capacitor 120, and the second inductor 140 may have an integrated structure.

이때, 제2 인덕터(140)의 외측 일단은 입력단자(150) 또는 출력단자(160)와 접속될 수 있으며, 제1 인덕터(130)의 외측 일단이 입력단자(150)와 접속하는 경우, 제2 인덕터(140)의 외측 일단은 출력단자(160)와 접속될 수 있으며, 그 반대로 접속하는 경우도 가능하다.In this case, one end of the second inductor 140 may be connected to the input terminal 150 or the output terminal 160. When one end of the first inductor 130 is connected to the input terminal 150, The outer end of the two inductor 140 may be connected to the output terminal 160, or vice versa.

한편, 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)는 인터디지털 커패시터(120)와 마찬가지로 기판(110)의 일면에 전도성 물질을 패터닝함으로써 형성될 수 있고, 이때 전도성 물질을 패터닝하는 방법은 공지의 방법이 사용될 수 있다. 예를 들어 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)는 기판(110)의 일면 상에 금속 등과 같은 전도성 물질을 인쇄, 증착 또는 에칭하여 형성될 수 있다.The first inductor 130 and the second inductor 140 may be formed by patterning a conductive material on one surface of the substrate 110 as in the case of the interdigital capacitor 120. In this case, Can be used. For example, the first inductor 130 and the second inductor 140 may be formed by printing, depositing, or etching a conductive material such as a metal on one surface of the substrate 110.

도 2는 도 1에 도시된 밴드 패스 필터의 등가 회로를 나타내는 도면이다.Fig. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of the band-pass filter shown in Fig.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 밴드 패스 필터(100)는 기판(110)과 기판(110)의 일면에 형성되는 제1 인덕터(130), 제2 인덕터(140) 및 인터디지털 커패시터(120)를 포함하므로, 등가 회로에는 제1 인덕터(130), 제2 인덕터(140) 및 인터디지털 커패시터(120) 각각에 관한 저항, 인덕턴스 및 커패시턴스(Capacitance) 뿐만 아니라 기판(110) 자체에 의한 커패시턴스 및 저항도 나타난다.1 and 2, a band pass filter 100 according to the present embodiment includes a substrate 110, a first inductor 130, a second inductor 140, The equivalent circuit includes not only the resistance, inductance and capacitance of each of the first inductor 130, the second inductor 140 and the interdigital capacitor 120 but also the resistance of the substrate 110 itself The capacitance and the resistance due to the capacitance are also shown.

이때, R과 L은 제1 인덕터(130) 및 제2 인덕터(140)에 관한 저항과 인덕턴스이고, G는 인터디지털 커패시터(120)의 누설 컨덕턴스(Leakage conductance), C0는 인터디지털 커패시터(120)의 전체 커패시턴스, Cp는 인터디지털 커패시터(120)의 신호 전극에서 접지 전극으로 흐르는 전류에 의해서 발생하는 커패시턴스이다. 또한 Cs는 피드스루(Feedthrough) 커패시턴스이고, Cox, Csub 및 Rsub는 기판(110)에 관련된 변수이다. P1과 P2는 각각 입력단자와 출력단자이다.Where R and L are the resistance and inductance of the first inductor 130 and the second inductor 140, G is the leakage conductance of the interdigital capacitor 120, C 0 is the resistance and inductance of the interdigital capacitor 120 And C p is a capacitance generated by a current flowing from the signal electrode of the interdigital capacitor 120 to the ground electrode. C s is the feedthrough capacitance, and C ox , C sub And R sub are variables related to the substrate 110. P1 and P2 are input and output terminals, respectively.

이를 수식으로 표현하면,Expressing this as an equation,

Figure 112015020044369-pat00001
Figure 112015020044369-pat00001

이때,At this time,

Figure 112015020044369-pat00002
Figure 112015020044369-pat00002

이고, n은 제1 인덕터(130) 또는 제2 인덕터(140)의 회전수, OD는 제1 인덕터(130) 또는 제2 인덕터(140)의 외측 직경, ID는 제1 인덕터(130) 또는 제2 인덕터(140)의 내측 직경이다.N is the number of revolutions of the first inductor 130 or the second inductor 140 and OD is the outer diameter of the first inductor 130 or the second inductor 140 and ID is the number of rotations of the first inductor 130 or the second inductor 140, Inductor 140 is the inner diameter of the inductor 140.

이때,At this time,

Figure 112015020044369-pat00003
Figure 112015020044369-pat00003

이며, W는 제1 인덕터 또는 제2 인덕터의 폭(W, 도 4 참조)이고, S는 제1 인덕터와 제2 인덕터의 이격 거리(S, 도 4 참조)이다.W is the width (W, see Fig. 4) of the first inductor or the second inductor, and S is the separation distance (S, see Fig. 4) between the first inductor and the second inductor.

도 3은 도 1의 A영역을 확대하여 나타내는 도면이다.3 is an enlarged view of the area A in Fig.

도 3을 참조하면, 인터디지털 커패시터(120)는 제1 인터디지트(Interdigit) 세트(122) 및 제2 인터디지트 세트(124)를 포함한다.3, an interdigital capacitor 120 includes a first interdigit set 122 and a second interdigit set 124. The first interdigit set 122 and the second interdigit set 124 are shown in FIG.

제1 인터디지트 세트(122)는 적어도 두 개의 핑거(125, Finger)를 가지고, 제1 인터디지트 세트(122)의 각 핑거(125)는 상호 이격되게 배치되고 핑거(125)의 일단에서 전기적으로 접속된다. 이와 마찬가지로 제2 인터디지트 세트(124)는 상호 이격되게 배치되고 일단에서 전기적으로 접속되는 적어도 두 개의 핑거(126)를 가진다.The first interdigit set 122 has at least two fingers 125 and the fingers 125 of the first interdigit set 122 are spaced apart from each other and electrically connected at one end of the finger 125 Respectively. Likewise, the second interdigit set 124 has at least two fingers 126 spaced from one another and electrically connected at one end.

도 3은 제1 인터디지트 세트(122)와 제2 인터디지트 세트(124)가 각각 다섯 개의 핑거를 가지는 것을 도시하고 있으나, 이에 한정될 것은 아니고 핑거의 개수는 요구되는 커패시턴스 값에 따라 가감될 수 있다.3 illustrates that the first interdigit set 122 and the second interdigit set 124 each have five fingers, but the number of fingers may be adjusted depending on the required capacitance value have.

한편, 제1 인터디지트 세트(122)의 핑거(125)와 제2 인터디지트 세트(124)의 핑거(126)는 교호 배치된다. 즉, 제1 인터디지트 세트(122)의 핑거(125)는 서로 이격되게 배치되므로, 제1 인터디지트 세트(122)의 핑거(125) 사이에 형성되는 이격 공간에 제2 인터디지트 세트(124)의 핑거(126)가 삽입되어 배치됨으로써, 제1 인터디지트 세트(122)의 핑거(125)와 제2 인터디지트 세트(124)의 핑거(126)는 교호 배치될 수 있다.On the other hand, the fingers 125 of the first interdigit set 122 and the fingers 126 of the second interdigit set 124 are alternately arranged. That is, since the fingers 125 of the first interdigit set 122 are spaced apart from each other, a second interdigit set 124 is formed in the spacing space formed between the fingers 125 of the first interdigit set 122, The fingers 125 of the first interdigit set 122 and the fingers 126 of the second interdigit set 124 may be alternately arranged.

인터디지털 커패시터(120)는 제1 인터디지트 세트(122)의 핑거(125)와 제2 인터디지트 세트(124)의 핑거(126)를 서로 이격되는 동시에 교호 배치시키므로, 제1 인터디지트 세트(122)의 핑거(125)와 제2 인터디지트 세트(124)의 핑거(126) 간에 형성되는 전자기적 결합에 의한 커패시턴스를 가지고, 제1 인터디지트 세트(122)의 핑거(125)와 제2 인터디지트 세트(124)의 핑거(126) 간에 발생하는 커패시턴스는 각각 병렬 합성되어 더 큰 커패시턴스 값을 형성할 수 있다.The interdigital capacitor 120 alternately arranges the fingers 125 of the first interdigit set 122 and the fingers 126 of the second interdigit set 124 from each other so that the first interdigit set 122 And the second interdigit set 124 has a capacitance due to electromagnetic coupling formed between the finger 125 of the first interdigit set 122 and the finger 126 of the second interdigit set 124, The capacitances generated between the fingers 126 of the set 124 may each be combined in parallel to form a larger capacitance value.

한편, 인터디지털 커패시터(120)의 전체 커패시턴스를 수식으로 표현하면,On the other hand, if the total capacitance of the interdigital capacitor 120 is expressed as an equation,

Figure 112015020044369-pat00004
Figure 112015020044369-pat00004

이때, N은 셀의 개수이고, D1은 제1 인터디지트 세트(122)의 핑거(125)와 제2 인터디지트 세트(124)의 핑거(126)가 중첩 배치되는 길이(D1), ε0는 진공의 유전율, εs는 기판의 유전율, k=b/c이고, 이때, b는 각 핑거 간의 이격 거리(b)이고 c는 인접한 핑거의 중심 간 거리이다.In this case, N is the number of cells, D1 is a first finger 126, the overlapping length (D1), ε 0 is the arrangement of fingers 125 and second interdigitated sets of 124 of the interdigitated sets 122 The permittivity of vacuum, ε s, is the permittivity of the substrate, k = b / c, where b is the separation distance between each finger (b) and c is the center distance between adjacent fingers.

인터디지털 커패시터(120)가 상기와 같은 구조로 형성됨으로써, 본 실시예에 따른 인터디지털 커패시터(120)는 유전체를 개재하여 도체를 다층으로 배치하여 형성되는 종래의 멀티레이어 커패시터에 비하여 요구되는 커패시턴스 값을 유지하면서 커패시터의 사이즈를 축소화시킬 수 있다.Since the interdigital capacitor 120 is formed in the above-described structure, the interdigital capacitor 120 according to the present embodiment has a capacitance value required in comparison with a conventional multilayer capacitor formed by arranging conductors in multiple layers via a dielectric The size of the capacitor can be reduced.

한편, 제1 인터디지트 세트(122)를 이루는 각각의 핑거(125)는 핑거(125)의 일단에 핑거(125)의 배열 방향을 따라 연장 형성되는 제1 인터디지트 전극(127)에 의해서 전기적으로 접속될 수 있으며, 제2 인터디지트 세트(124)를 이루는 각각의 핑거(126)는 핑거(126)의 일단에 핑거(126)의 배열 방향을 따라 연장 형성되는 제2 인터디지트 전극(128)에 의해서 전기적으로 접속될 수 있다.Each of the fingers 125 constituting the first interdigit set 122 is electrically connected to one end of the finger 125 by a first interdigitated electrode 127 extending along the arrangement direction of the fingers 125, And each of the fingers 126 constituting the second interdigitized set 124 is connected to a second interdigitated electrode 128 extending along the arrangement direction of the fingers 126 at one end of the finger 126 As shown in Fig.

본 실시예에 따른 밴드 패스 필터(100)는 제1 전송선로(135) 및 제2 전송선로(145)를 더 포함할 수 있다.The band pass filter 100 according to the present embodiment may further include a first transmission line 135 and a second transmission line 145.

제1 전송선로(135)는 제1 인덕터(130)의 내측 일단에서 인터디지털 커패시터(120)의 일단으로 연장되고, 제2 전송선로(145)는 제2 인덕터(140)의 내측 일단에서 인터디지털 커패시터(120)의 타단으로 연장된다. The first transmission line 135 extends from the inner end of the first inductor 130 to one end of the interdigital capacitor 120 and the second transmission line 145 extends from the inner end of the second inductor 140 to the inter- And extends to the other end of the capacitor 120.

구체적으로, 제1 전송선로(135)는 제1 인덕터(130)와 인터디지털 커패시터(120)를 전기적으로 접속시키도록 제1 인덕터(130)의 내측 일단에서 제1 인터디지트 전극(127)으로 연장되고, 제2 전송선로(145)는 제2 인덕터(140)와 인터디지털 커패시터(120)를 전기적으로 접속시키도록 제2 인덕터(140)의 내측 일단에서 제2 인터디지트 전극(128)으로 연장된다.Specifically, the first transmission line 135 extends from the inner end of the first inductor 130 to the first interdigital electrode 127 so as to electrically connect the first inductor 130 and the interdigital capacitor 120. And the second transmission line 145 extends from the inner end of the second inductor 140 to the second interdigital electrode 128 so as to electrically connect the second inductor 140 and the interdigital capacitor 120 .

도 4는 도 1의 B영역을 확대하여 나타내는 도면이다.Fig. 4 is an enlarged view of the area B in Fig.

도 4를 참조하면, 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)가 교차하여 형성되는 교차점은 제1 인덕터(130) 및 제2 인덕터(140) 중 어느 하나가 다른 하나와 이격되게 교차하는 에어 브릿지(Air bridge) 구조로 형성될 수 있다.4, an intersection formed by the first inductor 130 and the second inductor 140 is formed so that any one of the first inductor 130 and the second inductor 140 is spaced apart from the other inductor 130 An air bridge structure may be formed.

제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)가 에어 브릿지 구조로 교차함으로써, 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)는 전기적 절연을 유지할 수 있다. 도 4는 제1 인덕터(130)가 제2 인덕터(140)의 상부를 통과하는 구조를 도시하고 있으나, 제2 인덕터(140)가 제1 인덕터(130)의 상부를 통과하는 구조로 형성될 수도 있다.The first inductor 130 and the second inductor 140 cross each other in an air bridge structure, so that the first inductor 130 and the second inductor 140 can maintain electrical insulation. 4 illustrates a structure in which the first inductor 130 passes through the upper portion of the second inductor 140. However, the second inductor 140 may be formed to pass through the upper portion of the first inductor 130 have.

한편, 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)가 교차하여 형성되는 교차점은 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)의 전기적 절연을 유지하도록 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)의 사이에 절연물질이 개재되어 형성될 수도 있다.The intersection formed by the first inductor 130 and the second inductor 140 intersects the first inductor 130 and the second inductor 140 to maintain electrical insulation between the first inductor 130 and the second inductor 140. [ And an insulating material may be interposed between the inductors 140.

즉, 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)의 교차점이 에어 브릿지 구조로 형성되는 경우에는 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)의 이격 공간이 형성되지만, 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)의 교차점이 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)의 사이에 절연물질을 개재하여 형성되는 경우에는 제1 인덕터(130)와 제2 인덕터(140)의 이격 공간에는 절연물질이 충진되어 형성될 수 있다.That is, when the intersection point of the first inductor 130 and the second inductor 140 is formed as an air bridge structure, a space is formed between the first inductor 130 and the second inductor 140, 130 and the second inductor 140 are formed between the first inductor 130 and the second inductor 140 via an insulating material, the first inductor 130 and the second inductor 140 are connected to each other, The insulating space may be filled with an insulating material.

도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 밴드 패스 필터의 S-파라미터 특성을 나타내는 그래프이고, 도 6은 본 발명의 일 구현예에 따른 밴드 패스 필터의 특성을 종래의 밴드 패스 필터와 비교하여 나타내는 표이다.FIG. 5 is a graph illustrating S-parameter characteristics of a bandpass filter according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a graph illustrating characteristics of a bandpass filter according to an exemplary embodiment of the present invention, Table.

본 발명의 일 구현예에 따른 밴드 패스 필터의 중심 주파수(Central frequency)는 2.31GHz로 설계되어 제조되었다. 기판의 사이즈는 900㎛×700㎛, 기판의 두께는 200㎛이고, 기판은 갈륨비소(GaAs)를 포함하는 재질로 형성하였다. 이때, 기판의 유전 상수의 값은 12.85이고, 손실탄젠트(Loss tangent)는 0.006이다.The center frequency of the band pass filter according to an embodiment of the present invention is designed to be 2.31 GHz. The size of the substrate was 900 mu m x 700 mu m, the thickness of the substrate was 200 mu m, and the substrate was made of a material containing gallium arsenide (GaAs). At this time, the dielectric constant of the substrate is 12.85 and the loss tangent is 0.006.

한편, 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 구현예에 따른 밴드 패스 필터의 설계 치수를 설명하면, 인터디지털 커패시터의 핑거 간 이격 거리(b)는 15㎛, 인터디지털 커패시터를 이루는 각 핑거의 폭은 15㎛, 제1 인터디지트 세트의 핑거와 제2 인터디지트 핑거의 중첩 배치되는 길이(D1)는 105㎛, 제1 인터디지트 전극의 폭(D2)은 35㎛, 제1 인덕터의 폭(W, 제2 인덕터의 폭도 동일)은 15㎛, 제1 인덕터와 제2 인덕터의 이격 거리(S)는 15㎛이다.2 to 4, a design distance of the band-pass filter according to an embodiment of the present invention will be described. The finger-to-finger separation distance b of the interdigital capacitor is 15 m, The length D1 in which the fingers of the first interdigitized set and the second interdigitated fingers are overlapped is 105 mu m, the width D2 of the first interdigitated electrode is 35 mu m, the width of the first inductor is 15 mu m, (W, the width of the second inductor is the same) is 15 占 퐉, and the distance S between the first inductor and the second inductor is 15 占 퐉.

다시 도 5를 참조하면, 중심 주파수를 2.31GHZ로 설계를 하였으나(S11 simulated 참조), 앞서 설명한 치수 및 조건으로 제조한 밴드 패스 필터의 실제 중심 주파수 값(S11 measured 참조)은 2.27GHz로 나타난다. 이와 같은 오차는 기판의 유전 손실, 제1 인덕터 및 제2 인덕터의 코너에서 발생하는 분산 손실 및 설계 치수의 오차 등에 기인한 것으로 본다.Referring to FIG. 5 again, the center frequency is designed to be 2.31 GHz (see S 11 simulated), but the actual center frequency value (refer to S 11 measured) of the bandpass filter manufactured with the dimensions and conditions described above is 2.27 GHz . These errors are considered to be due to the dielectric loss of the substrate, the dispersion loss occurring at the corners of the first inductor and the second inductor, and errors in the design dimensions.

도 6을 참조하면, 본 발명의 구현예에 따른 밴드 패스 필터는 실리콘 IPD, Glass IPD 및 LTCC에 비하여 낮은 삽입 손실, 높은 반사 손실의 특성을 나타내면서 소형의 사이즈를 유지하고, 메탈 층의 수가 적으므로 두께도 얇다는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 6, the bandpass filter according to the embodiment of the present invention exhibits low insertion loss and high reflection loss characteristics as compared with silicon IPD, glass IPD and LTCC, while maintaining a small size and a small number of metal layers It can be confirmed that the thickness is also thin.

본 발명의 일 실시예에 따른 밴드 패스 필터는 제1 인덕터 및 제2 인덕터 내부에 인터디지털 커패시터는 배치함으로써 밴드 패스 필터의 전체 사이즈를 축소시킬 수 있다.The bandpass filter according to the embodiment of the present invention can reduce the overall size of the bandpass filter by arranging the interdigital capacitors in the first inductor and the second inductor.

이와 동시에 제1 인덕터와 제2 인덕터를 나선형으로 형성하므로 좁은 공간 내에서 인덕터의 길이를 증가시켜 큰 인덕턴스 값을 구현할 수 있고, 제1 인덕터와 제2 인덕터가 인터트와인드 구조를 이룸으로써 상호 인덕턴스가 강화되어 신호 전송 손실을 최소화할 수 있다.At the same time, since the first inductor and the second inductor are spirally formed, the length of the inductor can be increased in a narrow space to realize a large inductance value, and the first inductor and the second inductor have an inter- The signal transmission loss can be minimized.

또한 각 구성의 강한 전자기적 결합에 의해서 스커트 선택성(Skirt Selectivity)도 증가시킬 수 있다.
Skirt selectivity can also be increased by strong electromagnetic coupling of each configuration.

이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit of the invention as set forth in the appended claims. The present invention can be variously modified and changed by those skilled in the art, and it is also within the scope of the present invention.

100: 밴드 패스 필터
110: 기판
120: 인터디지털 커패시터
122: 제1 인터디지트 세트
124: 제2 인터디지트 세트
127: 제1 인터디지트 전극
128: 제2 인터디지트 전극
130: 제1 인덕터
135: 제1 전송 선로
140: 제2 인덕터
145: 제2 전송 선로
150: 입력 단자
160: 출력 단자100: Bandpass filter
110: substrate
120: Interdigital capacitor
122: first interdigit set
124: second interdigit set
127: first interdigital electrode
128: second interdigital electrode
130: first inductor
135: first transmission line
140: Second inductor
145: second transmission line
150: input terminal
160: Output terminal

Claims (6)

기판;
상기 기판의 일면에 형성되는 인터디지털(Interdigital) 커패시터;
상기 인터디지털 커패시터를 감싸도록 상기 기판의 일면에 스파이럴 형상으로 형성되고, 내측 일단에서 상기 인터디지털 커패시터의 일단과 전기적으로 접속하는 제1 인덕터; 및
상기 인터디지털 커패시터를 감싸도록 상기 기판의 일면에 스파이럴 형상으로 형성되되, 상기 제1 인덕터의 스파이럴 형상의 발산 방향과 반대 방향으로 발산하도록 형성되어 상기 제1 인덕터와 교차점을 형성하며, 내측 일단에서 상기 인터디지털 커패시터의 타단과 전기적으로 접속하는 제2 인덕터;
를 포함하는 밴드 패스 필터.
Board;
An interdigital capacitor formed on one surface of the substrate;
A first inductor formed in a spiral shape on one surface of the substrate to surround the interdigital capacitor and electrically connected to one end of the interdigital capacitor at an inner end; And
A first inductor formed on one surface of the substrate so as to surround the interdigital capacitor and formed to diverge in a direction opposite to a diverging direction of the spiral shape of the first inductor to form an intersection with the first inductor, A second inductor electrically connected to the other end of the interdigital capacitor;
/ RTI >
제1항에 있어서,
상기 인터디지털 커패시터는,
상호 이격되게 배치되고 일단에서 전기적으로 접속되는 적어도 두 개의 핑거(Finger)를 각각 가지는 제1 인터디지트(Interdigit) 세트 및 제2 인터디지트 세트를 포함하고,
상기 제1 인터디지트 세트의 핑거와 상기 제2 인터디지트 세트의 핑거는 교호 배치되는, 밴드 패스 필터.
The method according to claim 1,
The interdigital capacitor includes:
A first interdigit set and a second interdigit set each having at least two fingers spaced apart from each other and electrically connected at one end,
Wherein the fingers of the first interdigit set and the fingers of the second interdigit set are alternated.
제1항에 있어서,
상기 제1 인덕터의 내측 일단에서 상기 인터디지털 커패시터의 일단으로 연장되는 제1 전송선로; 및
상기 제2 인덕터의 내측 일단에서 상기 인터디지털 커패시터의 타단으로 연장되는 제2 전송선로;를 더 포함하는 밴드 패스 필터.
The method according to claim 1,
A first transmission line extending from one inner end of the first inductor to one end of the interdigital capacitor; And
And a second transmission line extending from the inner end of the second inductor to the other end of the interdigital capacitor.
제1항에 있어서,
상기 교차점은 상기 제1 인덕터 및 상기 제2 인덕터 중 어느 하나가 다른 하나와 이격되게 교차하는 에어 브릿지(air bridge) 구조로 형성되는, 밴드 패스 필터.
The method according to claim 1,
Wherein the intersection point is formed by an air bridge structure in which any one of the first inductor and the second inductor is spaced apart from the other inductance.
제1항에 있어서,
상기 교차점은 상기 제1 인덕터와 상기 제2 인덕터의 전기적 절연을 유지하도록 상기 제1 인덕터와 상기 제2 인덕터의 사이에 절연물질이 개재되어 형성되는, 밴드 패스 필터.
The method according to claim 1,
Wherein the intersection is formed by interposing an insulating material between the first inductor and the second inductor so as to maintain electrical insulation between the first inductor and the second inductor.
제1항에 있어서,
상기 기판은 갈륨비소(GaAs)를 포함하는 재질로 형성되는, 밴드 패스 필터.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate is formed of a material containing gallium arsenide (GaAs).
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