KR101597234B1

KR101597234B1 - Plasma processing apparatus

Info

Publication number: KR101597234B1
Application number: KR1020130143674A
Authority: KR
Inventors: 서문선; 김준호; 안재신; 이재승
Original assignee: 에이피시스템 주식회사
Priority date: 2013-11-25
Filing date: 2013-11-25
Publication date: 2016-02-25
Also published as: KR20150059930A

Abstract

본 발명은 반응 공간이 마련된 반응 챔버와, 반응 챔버 내부에 마련되어 기판을 지지하는 기판 지지대와, 반응 챔버 상측의 외부에 마련된 안테나 유닛과, 안테나 유닛에 플라즈마 발생을 위한 전원을 공급하는 전원부와, 반응 챔버에 공정 가스를 공급하기 위한 가스 공급부를 포함하고, 안테나 유닛은 안테나와, 안테나의 복수의 영역을 고정하며, 안테나의 적어도 일 영역을 적어도 두 방향으로 이동시키는 복수의 안테나 홀더를 포함하는 플라즈마 처리 장치가 제시된다.The present invention provides a plasma processing apparatus comprising a reaction chamber provided with a reaction space, a substrate support provided inside the reaction chamber to support the substrate, an antenna unit provided outside the reaction chamber, a power supply unit for supplying power to the antenna unit for generating plasma, And a gas supply for supplying a process gas to the chamber, wherein the antenna unit comprises an antenna, a plasma processing system including a plurality of antenna holders for fixing at least a region of the antenna and moving at least one region of the antenna in at least two directions The device is presented.

Description

[0001] The present invention relates to a plasma processing apparatus,

본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 특히 반응 챔버 내부의 플라즈마 밀도를 가변할 수 있는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to an inductively coupled plasma processing apparatus capable of varying a plasma density in a reaction chamber.

플라즈마는 반도체 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 여러 공정들, 예를 들어, 증착, 식각, 세정 공정 등에 다양하게 이용되고 있다. 현재 반도체 및 디스플레이 제조 분야에서 가장 많이 이용되는 플라즈마는 발생 방식에 따라 용량 결합형 플라즈마(Capacitively coupling plasma; CCP)와 유도 결합형 플라즈마(Inductively coupled plasma; ICP)로 구분될 수 있다. 용량 결합형 플라즈마(CCP)는 평행한 전극 간에 전력을 인가하여, 전극의 표면에 분포된 전하에 의해 형성된 축전 전기장에 의해 플라즈마를 발생한다. 또한, 유도 결합형 플라즈마(ICP)는 코일 형태의 안테나에 RF 전력을 인가하여 안테나에 흐르는 전류에 의해 형성된 유도 전기장에 의해 플라즈마를 발생시킨다. 이러한 유도 결합형 플라즈마 장치의 예가 한국등록특허 제10-1040541호에 예시되어 있다.Plasma is widely used in various processes for manufacturing semiconductors and display devices, for example, deposition, etching, and cleaning processes. Currently, most used plasma in semiconductor and display manufacturing fields can be divided into capacitively coupled plasma (CCP) and inductively coupled plasma (ICP) depending on the generation method. Capacitive coupled plasma (CCP) applies electric power between parallel electrodes and generates a plasma by a condensing electric field formed by the charge distributed on the surface of the electrode. In addition, inductively coupled plasma (ICP) generates plasma by applying RF power to a coil-shaped antenna and an induced electric field formed by the current flowing through the antenna. An example of such an inductively coupled plasma device is illustrated in Korean Patent No. 10-1040541.

유도 결합형 플라즈마는 용량 결합형 플라즈마에 비해 저압 영역에서도 효과적으로 플라즈마가 발생되고, 높은 밀도의 플라즈마를 얻을 수 있는 장점이 있어 이용 영역이 확대되는 추세이다. 유도 결합형 플라즈마 처리 장치는 일반적으로 코일 형태의 안테나가 반응 챔버 상부의 절연체 돔을 둘러싸도록 배치되고, 안테나에 가해지는 RF 전력에 의해 반응 챔버 내부에 플라즈마가 형성된다. 이렇게 형성되는 플라즈마는 반응 챔버의 구조, 반응 챔버 내부의 압력, 공정 가스의 유동 등에 따라 다양한 분포를 갖게 되며, 플라즈마 분포의 균일도에 따라 플라즈마를 이용한 공정의 균일도가 결정된다.Inductively Coupled Plasma has the advantage of generating plasma effectively at low pressure region as compared with capacitively coupled plasma, and it is advantageous to obtain high density plasma, and the use area is expanded. An inductively coupled plasma processing apparatus is generally arranged such that a coil-shaped antenna surrounds an insulator dome above the reaction chamber, and a plasma is formed inside the reaction chamber by RF power applied to the antenna. The plasma thus formed has various distributions according to the structure of the reaction chamber, the pressure inside the reaction chamber, the flow of the process gas, and the uniformity of the process using the plasma is determined according to the uniformity of the plasma distribution.

그런데, 플라즈마의 분포가 불균일할 경우 종래의 유도 결합형 플라즈마 처리 장치는 반응 챔버의 압력, 공정 가스의 양, 기판과 안테나와의 거리, RF 전력 등의 공정 조건을 조절하였다. 그러나, 공정 조건의 변경 만으로는 플라즈마의 균일도를 개선하는데 한계가 있다. 또한, 다양한 기판 처리 환경에 대응할 수 있도록 플라즈마 특성을 조절할 수 있어야 하는데, 공정마다 다른 공정 조건을 적용해야 하는 어려움이 발생한다.
However, when the distribution of the plasma is not uniform, the conventional inductively coupled plasma processing apparatus controls the process conditions such as the pressure of the reaction chamber, the amount of the process gas, the distance between the substrate and the antenna, and the RF power. However, there is a limit to improving the uniformity of the plasma only by changing the process conditions. In addition, plasma characteristics must be able to be adjusted to cope with various substrate processing environments, and it is difficult to apply different process conditions to each process.

본 발명은 안테나를 가변 가능하도록 마련하여 플라즈마 특성을 안테나를 이용하여 조절할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a plasma processing apparatus capable of adjusting the plasma characteristic using an antenna by providing an antenna so as to be variable.

본 발명은 안테나를 이용하여 안테나와 반응 챔버 내부의 플라즈마 발생 공간 사이의 거리를 부분적으로 조절할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a plasma processing apparatus capable of partially adjusting a distance between an antenna and a plasma generating space in an inside of a reaction chamber using an antenna.

본 발명의 일 양태에 따른 플라즈마 처리 장치는 반응 공간이 마련된 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내부에 마련되어 기판을 지지하는 기판 지지대; 상기 반응 챔버 상측의 외부에 마련된 안테나 유닛; 상기 안테나 유닛에 플라즈마 발생을 위한 전원을 공급하는 전원부; 및 상기 반응 챔버에 공정 가스를 공급하기 위한 가스 공급부를 포함하고, 상기 안테나 유닛은 안테나와, 상기 안테나의 복수의 영역을 고정하며, 상기 안테나의 적어도 일 영역을 적어도 두 방향으로 이동시키는 복수의 안테나 홀더를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a reaction chamber having a reaction space; A substrate support provided within the reaction chamber to support the substrate; An antenna unit provided outside the reaction chamber; A power supply unit for supplying power to the antenna unit for generating plasma; And a gas supply unit for supplying a process gas to the reaction chamber, wherein the antenna unit comprises: an antenna; a plurality of antennas for fixing a plurality of regions of the antenna and moving at least one region of the antenna in at least two directions; Lt; / RTI >

상기 안테나는 복수회 권선된 코일 형상으로 마련되며, 상기 복수의 안테나 홀더는 수평 방향으로 동일 권선의 복수의 영역을 고정하고, 상기 복수의 안테나 홀더 각각은 수직 방향으로 서로 다른 권선의 동일 영역을 고정한다.Wherein the plurality of antenna holders fix a plurality of regions of the same winding in a horizontal direction and each of the plurality of antenna holders is fixed to the same region of different windings in a vertical direction do.

상기 안테나 홀더는 상기 반응 챔버의 상측에 위치하는 지지부; 상기 지지부의 내측에 지지되어 마련되며 상기 안테나의 복수의 권선을 수직 방향으로 고정하는 고정부; 및 상기 고정부를 상하 방향으로 이동시키는 이동부를 포함한다.Wherein the antenna holder comprises: a support positioned above the reaction chamber; A fixing part supported inside the support part and fixing a plurality of windings of the antenna in a vertical direction; And a moving unit for moving the fixing unit in the vertical direction.

상기 지지부는 상부에서 상기 내측 방향으로 돌출되는 돌출부가 마련된다.The supporting portion is provided with a protruding portion protruding from the upper portion in the inward direction.

상기 지지부와 상기 고정부의 서로 대면하는 영역의 어느 하나에 가이드 부재가 마련되고 다른 하나에 상기 가이드 부재를 수용하는 가이드 홈이 마련된다.A guide member is provided in one of the facing regions of the supporting portion and the fixing portion and the other is provided with a guide groove for receiving the guide member.

상기 고정부는 상기 안테나의 복수의 영역을 수용하여 고정하는 수용 홈이 마련된다.The fixing portion is provided with a receiving groove for receiving and fixing a plurality of regions of the antenna.

상기 고정부 측면의 소정 영역에 마련된 지시자 및 상기 지지부 측면의 소정 영역에는 마련된 눈금자를 더 포함하여 상기 고정부의 이동 거리를 측정한다.An indicator provided on a predetermined region of the side of the fixed portion and a scale provided on a predetermined region of the side of the portion to measure the moving distance of the fixed portion.

상기 이동부는 상기 돌출부를 관통하여 상기 고정부에 삽입되고, 일 방향 및 타 방향으로 회전한다.The moving part penetrates through the projecting part and is inserted into the fixing part, and rotates in one direction and the other direction.

상기 고정부의 적어도 어느 하나가 상하 방향으로 이동하고, 그에 따라 상기 안테나의 적어도 일 영역이 상하 방향으로 이동한다.At least one of the fixing portions moves in the vertical direction, and at least one region of the antenna moves in the vertical direction.

상기 안테나의 적어도 일 영역이 상측으로 이동하여 그에 대응하는 상기 반응 챔버 내부 영역의 플라즈마 밀도가 낮아진다.
At least one region of the antenna moves upward and a corresponding plasma density of the region inside the reaction chamber is lowered.

본 발명의 다른 양태에 따른 플라즈마 처리 장치는 반응 공간이 마련된 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내부에 마련되어 기판을 지지하는 기판 지지대; 상기 반응 챔버 상측의 외부에 마련된 안테나 유닛; 상기 안테나 유닛에 플라즈마 발생을 위한 전원을 공급하는 전원부; 및 상기 반응 챔버에 공정 가스를 공급하기 위한 가스 공급부를 포함하고, 상기 안테나 유닛은 안테나와, 상기 반응 챔버의 상측에 위치하는 지지부와, 상기 지지부의 내측에 지지되어 마련되며 상기 안테나의 복수의 권선을 수직 방향으로 고정하는 고정부와, 상기 고정부를 적어도 두 방향으로 이동시키는 이동부를 포함하는 안테나 홀더를 포함하며, 상기 고정부 측면의 소정 영역에 마련된 지시자 및 상기 지지부 측면의 소정 영역에는 마련된 눈금자를 더 포함하여 상기 고정부의 이동 거리를 측정한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a reaction chamber having a reaction space; A substrate support provided within the reaction chamber to support the substrate; An antenna unit provided outside the reaction chamber; A power supply unit for supplying power to the antenna unit for generating plasma; And a gas supply part for supplying a process gas to the reaction chamber, wherein the antenna unit comprises an antenna, a support part positioned on the upper side of the reaction chamber, and a plurality of windings supported on the inside of the support part, And an antenna holder including a moving part for moving the fixing part in at least two directions, wherein an indicator provided on a predetermined area of the fixed part side surface and a ruler provided on a predetermined area of a side surface of the supporting part And the moving distance of the fixing unit is measured.

본 발명의 실시 예들에 따른 플라즈마 처리 장치는 반응 챔버의 상부 외측에 안테나와, 안테나를 고정하고 상하 방향으로 이동 가능한 복수의 안테나 홀더를 포함하는 안테나 유닛을 마련하여 안테나 홀더를 이동시켜 안테나를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 이때, 복수의 안테나 홀더의 적어도 하나를 이동시킬 수 있어 안테나의 위치를 부분적으로 조절할 수 있다.The plasma processing apparatus according to the embodiments of the present invention includes an antenna and an antenna unit including an antenna holder and a plurality of antenna holders vertically movably fixed to the upper portion of the reaction chamber, . At this time, at least one of the plurality of antenna holders can be moved, and the position of the antenna can be partially adjusted.

따라서, 안테나와 반응 챔버 내부의 플라즈마 발생 공간 사이의 거리를 부분적으로 조절할 수 있어 반응 챔버 내부의 플라즈마 밀도를 부분적으로 조절할 수 있고, 그에 따라 기판 상의 공정 균일도를 거의 동일하게 할 수 있다.
Accordingly, the distance between the antenna and the plasma generating space inside the reaction chamber can be partially adjusted, so that the plasma density inside the reaction chamber can be partially controlled, thereby making the process uniformity on the substrate almost equal.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치의 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 안테나 유닛의 사시도.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 안테나 홀더의 사시도.
도 4는 종래의 플라즈마 처리 장치 및 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 식각 프로파일.1 is a cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
2 is a perspective view of an antenna unit according to an embodiment of the present invention;
3 is a perspective view of an antenna holder according to an embodiment of the present invention;
4 is an etching profile of a conventional plasma processing apparatus and a plasma processing apparatus according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한 다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of other various forms of implementation, and that these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know completely.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 소정의 반응 공간이 마련된 반응 챔버(100)와, 반응 챔버(100) 내부의 하측에 마련되어 기판(10)을 지지하는 기판 지지대(200)와, 반응 챔버(100) 상측의 외부에 마련된 안테나(310)를 포함하는 안테나 유닛(300)과, 안테나 유닛(300)에 플라즈마 발생을 위한 전원을 공급하는 전원부(400)와, 반응 챔버(100) 내에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부(500)를 포함할 수 있다. 또한, 반응 챔버(100) 내부를 소정의 압력으로 배기하기 위한 배기부(600)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a plasma processing apparatus according to the present invention includes a reaction chamber 100 having a predetermined reaction space, a substrate support 200 provided below the reaction chamber 100 to support the substrate 10, An antenna unit 300 including an antenna 310 provided on the upper side of the reaction chamber 100, a power supply unit 400 supplying power to the antenna unit 300 for generating plasma, And a gas supply unit 500 for supplying a process gas into the process chamber. Further, it may further include an exhaust unit 600 for exhausting the inside of the reaction chamber 100 at a predetermined pressure.

반응 챔버(100)는 내부에 소정의 공간이 마련되는 통 형상으로 마련된다. 이러한 반응 챔버(100)는 기판의 형상에 따라 다양한 형상으로 마련될 수 있는데, 예를 들어 육면체 형상으로 마련될 수 있다. 또한, 반응 챔버(100)는 대략 사각형의 평면부 및 평면부로부터 상향 연장된 측벽부를 포함하여 소정의 반응 공간을 가지는 몸체(100a)와, 대략 사각형으로 몸체(100a) 상에 위치하여 몸체(100a)를 기밀하게 유지하는 덮개(100b)를 포함할 수 있다. 덮개(100b)는 평판 형상을 마련될 수도 있고, 돔 형상으로 마련될 수도 있다. 본 실시 예는 덮개(100b)가 돔 형상으로 마련된 경우를 설명한다. 이러한 덮개(100b)는 유전체 또는 절연체로 제작될 수 있는데, 예를 들어 쿼츠(quartz) 또는 세라믹 재질로 제작될 수 있다. 유전체 또는 절연체로 제작된 덮개(100b)는 안테나(310)와 플라즈마 사이의 용량성 결합(capacitive coupling)을 감소시킴으로써 고주파 전원으로부터의 에너지가 유도성 결합(inductive coupling)에 의해 플라즈마로 전달되는 것을 돕는다. 또한, 반응 챔버(100)는 제 1 영역에 기판(10)이 인입 및 인출되는 기판 출입구(110)가 마련될 수 있다. 그리고, 반응 챔버(100)의 제 2 영역에는 반응 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부(500)와 연결된 가스 공급구(120)가 마련될 수 있다. 가스 공급구(120)에는 인젝터(미도시)가 마련되어 가스 공급부(500)로부터 공급되는 공정 가스를 반응 챔버(100) 내부로 분사할 수 있다. 이때, 가스 공급구(120)는 둘 이상의 복수로 마련되고, 복수의 가스 공급구(120)에 복수의 인젝터가 각각 마련됨으로써 공정 가스를 반응 챔버(100) 내부로 더욱 균일하게 분사할 수 있다. 또한, 반응 챔버(100)의 내부 압력을 조절하기 위해 반응 챔버(100)의 제 3 영역에는 배기구(130)가 마련되고 배기구(130)에 배기부(600)가 연결될 수 있다. 예를 들어, 기판 출입구(110)는 반응 챔버(100)의 일 측면의 중앙 영역에 기판(10)이 출입할 수 있는 정도의 크기로 마련될 수 있고, 가스 공급구(120)는 반응 챔버(100)의 상측의 측벽면을 관통하여 마련될 수 있으며, 배기구(130)는 기판 지지대(200)보다 낮은 위치의 반응 챔버(100)의 측면을 관통하여 마련될 수 있다.The reaction chamber 100 is provided in a cylindrical shape having a predetermined space therein. The reaction chamber 100 may be provided in various shapes depending on the shape of the substrate, for example, a hexahedral shape. The reaction chamber 100 further includes a body 100a having a substantially rectangular planar portion and a side wall portion extending upward from the planar portion and having a predetermined reaction space and a body 100a positioned on the body 100a in a substantially rectangular shape, (Not shown). The lid 100b may be provided in a flat plate shape or in a dome shape. The present embodiment explains a case in which the lid 100b is provided in a dome shape. The cover 100b may be made of a dielectric or an insulator, for example, a quartz or ceramic material. A lid 100b made of a dielectric or insulator reduces the capacitive coupling between the antenna 310 and the plasma thereby helping to transfer energy from the RF power supply to the plasma by inductive coupling . In addition, the reaction chamber 100 may be provided with a substrate entrance 110 through which the substrate 10 is drawn in and drawn out from the first region. The second region of the reaction chamber 100 may be provided with a gas supply port 120 connected to the gas supply unit 500 for supplying a process gas into the reaction chamber 100. The gas supply port 120 is provided with an injector (not shown) to inject the process gas supplied from the gas supply unit 500 into the reaction chamber 100. At this time, a plurality of gas supply ports 120 are provided, and a plurality of injectors are provided in the plurality of gas supply ports 120, so that the process gas can be injected more uniformly into the reaction chamber 100. An exhaust port 130 may be provided in the third region of the reaction chamber 100 and an exhaust unit 600 may be connected to the exhaust port 130 to control the internal pressure of the reaction chamber 100. For example, the substrate entrance 110 may be provided to the extent that the substrate 10 can enter and exit the central region of one side of the reaction chamber 100, and the gas inlet 120 may be provided in the reaction chamber The exhaust port 130 may be provided through the side surface of the reaction chamber 100 at a lower position than the substrate support 200. [

기판 지지대(200)는 반응 챔버(100)의 내부에 마련되며, 반응 챔버(100) 내부로 유입되는 기판(10)이 안착된다. 이러한 기판 지지대(200)는 반응 챔버(100) 내부의 하측에 마련될 수 있다. 여기서, 기판(10)은 반도체 제조용 실리콘 기판이 이용될 수 있고, 평판 디스플레이 제조용 유리 기판이 이용될 수도 있다. 또한, 기판 지지대(200)는 기판(10)이 안착되어 지지될 수 있도록 예를 들어 정전척 등이 마련되어 기판(10)을 정전력에 의해 흡착 유지할 수도 있고, 진공 흡착이나 기계적 힘에 의해 기판(10)을 지지할 수도 있다. 또한, 기판 지지대(200)는 기판(10) 형상과 대응되는 형상, 예를 들어 사각형으로 마련될 수 있으며, 기판(10)보다 크게 제작될 수 있다. 기판 지지대(200) 하부에는 기판 지지대(200)를 승하강 이동시키는 기판 승강기(210)가 마련될 수 있다. 기판 승강기(210)는 기판 지지대(200)의 적어도 일 영역, 예를 들어 중앙 영역을 지지하도록 마련되고, 기판 지지대(200) 상에 기판(10)이 안착되면 기판 지지대(200)를 상측 방향으로 이동시킨다. 또한, 기판 지지대(200) 내부에는 히터(미도시)가 장착될 수 있다. 히터는 소정 온도로 발열하여 기판(10)을 가열함으로써 산화막 식각 공정 등이 기판(10) 상에 용이하게 실시되도록 한다. 뿐만 아니라 전극부(200) 내부에는 냉각수 공급로(미도시)가 마련되어 냉각수가 공급되어 기판(10)의 온도를 낮출 수 있다.The substrate support 200 is provided inside the reaction chamber 100, and the substrate 10 to be introduced into the reaction chamber 100 is seated. The substrate support 200 may be provided on the lower side of the reaction chamber 100. Here, the substrate 10 may be a silicon substrate for manufacturing semiconductors, or a glass substrate for producing a flat panel display may be used. The substrate support 200 may be provided with an electrostatic chuck or the like so that the substrate 10 can be seated and supported thereby to hold the substrate 10 by electrostatic force or to hold the substrate 10 by vacuum suction or mechanical force. 10). Further, the substrate support 200 may be formed in a shape corresponding to the shape of the substrate 10, for example, a square, and may be made larger than the substrate 10. A substrate elevator 210 for moving the substrate support 200 up and down may be provided under the substrate support 200. The substrate lift 210 is provided to support at least one area of the substrate support 200, for example, a central area, and when the substrate 10 is placed on the substrate support 200, the substrate support 200 is moved upward . A heater (not shown) may be mounted inside the substrate support 200. The heater generates heat at a predetermined temperature to heat the substrate 10 so that an oxide film etching process or the like is easily performed on the substrate 10. In addition, a cooling water supply path (not shown) is provided inside the electrode unit 200 to supply the cooling water to lower the temperature of the substrate 10.

안테나 유닛(300)은 코일 형상의 안테나(310)와, 안테나(310)를 지지하며 상하 이동 가능한 복수의 안테나 홀더(320)를 포함할 수 있다. 안테나(310)는 복수회 권선된 코일 형상으로 마련되며, 반응 챔버(100) 상부의 돔 형상의 덮개(100b)를 둘러싸도록 마련된다. 즉, 안테나(310)는 덮개(100b)의 돔 형상을 따라 하부로부터 상부로 내경이 좁아지도록 마련될 수도 있다. 그러나, 안테나(310)는 상부 권선 및 하부 권선이 동일 내경을 갖도록 마련될 수도 있다. 안테나 홀더(320)는 반응 챔버(100)의 상측 외부에 마련되어 복수회로 권선된 안테나(310)의 복수의 소정 영역을 고정한다. 또한, 안테나 홀더(320)는 적어도 일부분이 적어도 두 방향으로 이동할 수 있다. 예를 들어, 안테나 홀더(320)는 적어도 일부분이 상하 방향으로 이동할 수 있다. 안테나 홀더(320)가 이동함에 따라 안테나(310) 또한 상하 방향으로 이동할 수 있다. 이때, 복수의 안테나 홀더(320)는 각각 독립적으로 이동할 수 있고, 그에 따라 안테나(310)는 부분적으로 이동할 수 있다. 따라서, 안테나(310)의 위치를 부분적으로 조절할 수 있다. 즉, 안테나(310)와 반응 챔버(100) 내부의 플라즈마 발생 공간의 거리를 부분적으로 조절할 수 있고, 그에 따라 플라즈마 밀도를 부분적으로 조절할 수 있다. 이러한 안테나 유닛(300)에 대해서는 도 2 및 도 3을 이용하여 이후에 상세하게 설명한다.The antenna unit 300 may include a coil-shaped antenna 310 and a plurality of antenna holders 320 supporting the antenna 310 and being movable up and down. The antenna 310 is provided in a coil shape that is wound a plurality of times and is provided so as to surround the dome-shaped lid 100b on the upper part of the reaction chamber 100. That is, the antenna 310 may be provided such that the inner diameter thereof is narrower from the bottom to the top along the dome shape of the lid 100b. However, the antenna 310 may be provided such that the upper winding and the lower winding have the same inner diameter. The antenna holder 320 is provided on the upper side of the reaction chamber 100 to fix a plurality of predetermined areas of the antenna 310 wound around the plurality of circuits. Also, at least a portion of the antenna holder 320 can move in at least two directions. For example, at least a part of the antenna holder 320 can move in the up and down direction. As the antenna holder 320 moves, the antenna 310 can also move up and down. At this time, the plurality of antenna holders 320 can move independently of each other, so that the antenna 310 can be partially moved. Accordingly, the position of the antenna 310 can be partially adjusted. That is, the distance between the antenna 310 and the plasma generating space inside the reaction chamber 100 can be partially adjusted, thereby partially adjusting the plasma density. The antenna unit 300 will be described later in detail with reference to FIGS. 2 and 3. FIG.

전원부(400)는 반응 챔버(100) 내에 공급된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시키기 위한 전원을 공급한다. 즉, 전원부(400)는 안테나 유닛(300)의 안테나(310)에 연결되어 플라즈마를 발생시키기 위한 고주파 전원을 공급한다. 이러한 전원부(400)는 고주파 전원 및 정합기를 포함할 수 있다. 고주파 전원은 고주파 전원을 생성하여 공급하고, 정합기는 고주파 전원의 내부 임피던스와 안테나(310)의 등가 임피던스를 정합시켜 최대 전력 전달을 가능하게 하여 최적의 플라즈마를 발생시키도록 한다.The power supply unit 400 supplies power for exciting the process gas supplied into the reaction chamber 100 into a plasma state. That is, the power supply unit 400 is connected to the antenna 310 of the antenna unit 300 to supply a high frequency power for generating plasma. The power supply unit 400 may include a high frequency power source and a matching unit. The high frequency power source generates and supplies a high frequency power source, and the matching device matches the internal impedance of the high frequency power source with the equivalent impedance of the antenna 310 to enable maximum power transmission to generate the optimum plasma.

가스 공급부(500)는 복수의 공정 가스를 각각 공급하는 가스 공급원(510)과, 가스 공급원(510)으로부터 공정 가스를 반응 챔버(100) 내부로 공급하는 가스 공급관(520)을 포함할 수 있다. 공정 가스는 예를 들어 NH₃, NF₃, Ar 등의 식각 가스를 포함할 수 있다. 또한, 식각 가스와 더불어 H₂, Ar 등의 불활성 가스가 공급될 수 있다. 물론, Ar이 식각 가스로 이용되는 경우 불활성 가스가 공급되지 않을 수 있다. 한편, 가스 공급원(510)과 가스 공급관(520) 사이에는 공정 가스의 공급을 제어하는 밸브 및 질량 흐름기 등이 마련될 수 있다.The gas supply unit 500 may include a gas supply source 510 for supplying each of a plurality of process gases and a gas supply pipe 520 for supplying the process gas from the gas supply source 510 into the reaction chamber 100. The process gas may include etch gases such as, for example, NH ₃ , NF ₃ , and Ar. In addition, an inert gas such as H ₂ or Ar may be supplied along with the etching gas. Of course, when Ar is used as the etching gas, inert gas may not be supplied. Between the gas supply source 510 and the gas supply pipe 520, a valve and a mass flow controller for controlling the supply of the process gas may be provided.

배기부(600)는 배기 장치(610)와 반응 챔버(100)의 배기구(130)와 연결된 배기관(620)을 포함할 수 있다. 배기 장치(610)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프가 사용될 수 있으며, 이에 따라 반응 챔버(100) 내부를 소정의 감압 분위기, 예를 들어 0.1mTorr 이하의 압력까지 진공 흡입할 수 있도록 구성될 수 있다. 배기구(130)가 기판 지지대(200) 하측의 반응 챔버(100) 측면 뿐만 아니라 반응 챔버(100)의 하면에 복수 설치될 수도 있고 그에 따라 배기관(620)은 복수 마련되어 배기구(130)와 연결될 수 있다. 또한, 배기되는 시간을 줄이기 위해 복수의 배기관(620) 및 배기 장치(610)가 더 설치될 수도 있다.
The exhaust unit 600 may include an exhaust unit 610 and an exhaust pipe 620 connected to the exhaust port 130 of the reaction chamber 100. The exhaust device 610 may be a vacuum pump such as a turbo molecular pump, and may be configured to vacuum-suck the inside of the reaction chamber 100 to a predetermined reduced pressure, for example, a pressure of 0.1 mTorr or lower . A plurality of exhaust ports 130 may be provided not only on the side of the reaction chamber 100 on the lower side of the substrate support 200 but also on the lower surface of the reaction chamber 100. Accordingly, a plurality of exhaust pipes 620 may be provided and connected to the exhaust port 130 . Further, a plurality of exhaust pipes 620 and an exhaust device 610 may be further provided to reduce the exhaust time.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 안테나 유닛의 사시도이며, 도 3은 안테나 홀더의 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view of an antenna unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a perspective view of an antenna holder.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 안테나 유닛(300)은 안테나(310)와, 안테나(310)의 복수의 영역을 고정하며 상하 방향으로 이동 가능한 안테나 홀더(320)를 포함할 수 있다.2 and 3, an antenna unit 300 according to an embodiment of the present invention includes an antenna 310, an antenna holder 320 that fixes a plurality of regions of the antenna 310 and is movable in a vertical direction, . &Lt; / RTI >

안테나(310)는 상부로부터 하부로 복수의 권선으로 감긴 나선형으로 마련되거나, 동심원 형태로 배치되어 서로 연결된 다수의 원형 코일 형상으로 마련될 수 있다. 그러나, 안테나(310)은 나선형 또는 동심원의 형상 뿐만 아니라 사각 형상 등 여러 가지 다른 형태로 마련될 수도 있다. 또한, 안테나(310)는 구리 등의 도전성 재료로 제작될 수 있으며, 내부가 빈 관 형상으로 제작될 수 있다. 안테나(310)가 관 형상으로 제작되는 경우 냉각수 또는 냉매가 안테나(310)의 내부를 흐를 수 있기 때문에 안테나(310)의 온도 상승을 억제할 수 있다. 이러한 안테나(310)는 하측의 끝부분이 덮개(100b) 또는 반응 챔버(100)에 접촉되어 접지되고, 상측의 끝부분 또는 소정 부분이 전원부(400)와 연결되어 고주파 전원을 공급받을 수 있다. 이러한 안테나(310)에 고주파 전원이 인가되면 안테나(310)의 하면에 위치한 반응 챔버(100)의 내부에는 안테나(310)의 각 코일이 이루는 평면과 수직 방향의 유도 자기장이 형성되며, 유도 자기장에 의해 유도 전기장이 형성되고, 유도 전기장에 의해 가속된 전자가 주변의 중성기체와 충돌함으로써 이온 또는 라디칼(radical)을 포함하는 플라즈마가 생성된다. The antenna 310 may be spirally wound from a top to a bottom with a plurality of windings or may be arranged in a concentric circular shape and provided in a plurality of circular coil shapes connected to each other. However, the antenna 310 may be provided in various forms such as a spiral or concentric shape as well as a rectangular shape. In addition, the antenna 310 may be made of a conductive material such as copper or the like, and the inside thereof may be formed into an empty tube shape. When the antenna 310 is manufactured in the shape of a pipe, the cooling water or the refrigerant can flow inside the antenna 310, so that the temperature rise of the antenna 310 can be suppressed. The lower end of the antenna 310 is grounded in contact with the lid 100b or the reaction chamber 100 and the upper end or a predetermined portion of the antenna 310 is connected to the power unit 400 to receive the RF power. When a high frequency power is applied to the antenna 310, an induction magnetic field in a direction perpendicular to the plane formed by the coils of the antenna 310 is formed in the reaction chamber 100 located on the lower surface of the antenna 310, An induced electric field is generated, and electrons accelerated by the induced electric field collide with the surrounding neutral gas to generate a plasma containing ions or radicals.

안테나 홀더(320)는 안테나(310)의 각 권선을 복수의 영역에서 고정하고, 적어도 일 영역이 상하 방향으로 이동할 수 있다. 이러한 안테나 홀더(320)는 예를 들어 반응 챔버(100)의 상부에 위치하는 지지부(321)와, 지지부(321)의 내측에 지지되어 마련되며 안테나(310)의 복수의 권선을 복수의 영역에서 고정하는 고정부(322)와, 지지부(321)의 상측을 관통하여 고정부(322)에 삽입되고 좌우 방향으로 회전하여 고정부(322)를 상하 방향으로 이동시키는 이동부(323)를 포함할 수 있다. 또한, 고정부(322) 측면의 소정 영역에는 화살표 등의 지시자(미도시)가 마련되고, 지지부(321) 측면의 소정 영역에는 눈금자(미도시)가 마련되어 고정부(322)의 이동 거리를 측정할 수 있다. 즉, 고정부(322)가 이동함에 따라 눈금자도 함께 이동하고 그에 따라 기준점인 지시부로부터 눈금자의 이동 거리를 측정할 수 있다.The antenna holder 320 fixes each winding of the antenna 310 in a plurality of regions, and at least one region can move in the up and down direction. The antenna holder 320 includes a support portion 321 located at the upper portion of the reaction chamber 100 and a plurality of windings of the antenna 310 supported at the inside of the support portion 321, And a moving part 323 penetrating the upper side of the supporting part 321 and inserted in the fixing part 322 and rotating in the left and right direction to move the fixing part 322 in the vertical direction . An indicator (not shown) such as an arrow is provided on a predetermined area on the side of the fixing part 322 and a predetermined scale is provided on a predetermined area of the side of the supporting part 321 to measure the moving distance of the fixing part 322 can do. That is, as the fixing unit 322 moves, the ruler moves together, and accordingly, the movement distance of the ruler can be measured from the reference point, which is the reference point.

지지부(321)는 반응 챔버(100)의 측벽면 상측으로부터 돌출되어 마련되고, 예를 들어 돔 형상의 덮개(100b)보다 높게 마련될 수 있다. 이러한 지지부(321)는 소정의 폭 및 길이를 갖는 대략 사각형의 바 형상으로 마련될 수 있다. 또한, 지지부(321)는 반응 챔버(100) 상부의 형상 또는 안테나(310)의 형상을 따라 동일 간격으로 이격되어 마련될 수 있다. 예를 들어, 반응 챔버(100)의 상부 형상 또는 안테나(310)의 형상이 원형일 경우 복수의 지지부(321)는 동일 간격으로 이격되어 원형으로 마련될 수 있다. 또한, 지지부(321)의 수가 많을수록 반응 챔버(100) 내부의 플라즈마 밀도를 더욱 정밀하게 조절할 수 있으므로 지지부(321)는 4개 이상, 바람직하게는 8개 이상이 마련될 수 있다. 지지부(321)는 적어도 상측이 내측, 즉 돔 형상의 덮개(100b) 방향으로 돌출된 돌출부(321a)가 마련될 수 있다. 따라서, 지지부(321)는 대략 "ㄱ"자 형상으로 마련될 수 있다. 여기서, 돌출부(321a)는 지지부(321) 내측에 마련되는 고정부(322)의 폭으로 마련될 수 있고, 돌출부(321a)를 관통하여 이동부(323)가 마련될 수 있다. 즉, 돌출부(321a)에는 이동부(323)가 관통하는 관통홀이 마련되고, 관통홀 내에는 이동부(323)가 회전할 수 있도록 나선형의 홈, 예를 들어 나사산이 형성될 수 있다. 한편, 지지부(321)는 고정부(322)와 접촉되는 내측에 고정부(322)의 이동을 가이드하는 가이드 부재(미도시)가 마련될 수도 있다. 가이드 부재는 지지부(321)의 내면으로부터 돌출되어 지지부(321)의 길이 방향으로 소정 길이로 마련된다. 이러한 가이드 부재에 대응되는 고정부(322)의 일 면에는 가이드 홈이 마련되어 가이드 부재를 수용한다. 따라서, 고정부(322)의 가이드 홈이 지지부(321)의 가이드 부재를 수용하여 고정되고 가이드 부재를 따라 이동할 수 있고, 그에 따라 지지부(321)로부터 고정부(322)가 이탈하는 것을 방지할 수 있다. 물론, 지지부(321)에 가이드 홈이 마련되고 고정부(322)에 가이드 부재가 마련될 수도 있다. The supporting portion 321 is provided to protrude from the upper side of the sidewall of the reaction chamber 100 and may be provided higher than, for example, the dome-shaped lid 100b. The support portion 321 may be provided in a substantially rectangular bar shape having a predetermined width and length. The support portions 321 may be spaced at equal intervals along the shape of the upper part of the reaction chamber 100 or the shape of the antenna 310. [ For example, when the shape of the upper part of the reaction chamber 100 or the shape of the antenna 310 is circular, the plurality of support parts 321 may be provided at regular intervals and spaced apart from each other. In addition, since the plasma density in the reaction chamber 100 can be adjusted more precisely as the number of the support portions 321 increases, the number of the support portions 321 may be four or more, preferably eight or more. The support portion 321 may be provided with a protrusion 321a protruding inward at least on the upper side in the direction of the dome-shaped lid 100b. Therefore, the support portion 321 may be provided in a substantially "?" Shape. The protruding portion 321a may be provided with a width of the fixing portion 322 provided inside the supporting portion 321 and may be provided with the moving portion 323 through the protruding portion 321a. That is, the projecting portion 321a is provided with a through hole through which the moving portion 323 passes, and a spiral groove, for example, a thread, can be formed in the through hole so that the moving portion 323 can rotate. The supporting portion 321 may be provided with a guide member (not shown) for guiding the movement of the fixing portion 322 inwardly in contact with the fixing portion 322. The guide member protrudes from the inner surface of the support portion 321 and is provided with a predetermined length in the longitudinal direction of the support portion 321. [ A guide groove is provided on one surface of the fixing portion 322 corresponding to the guide member to receive the guide member. Therefore, the guide groove of the fixing portion 322 can receive and fix the guide member of the support portion 321 and move along the guide member, thereby preventing the fixing portion 322 from separating from the support portion 321 have. Of course, a guide groove may be provided in the support portion 321, and a guide member may be provided in the fixed portion 322. [

고정부(322)는 지지부(321)의 내면에 접촉하고, 상측에 이동부(323)가 삽입되어 이동부(323)에 따라 상하 방향으로 이동할 수 있다. 이러한 고정부(322)는 소정의 폭 및 길이를 갖는 대략 사각형의 바 형상으로 마련될 수 있으며, 지지부(321)보다 짧은 길이로 마련될 수 있다. 또한, 고정부(322)는 안테나(310)의 소정 영역을 수용하는 수용 홈(322a)이 마련될 수 있다. 즉, 고정부(322)는 지지부(321)의 내면과 대면하는 일 면에 가이드 홈이 마련되고, 일 면과 대향되는 타 면에 복수의 수용 홈(322a)이 마련된다. 수용 홈(322a)은 안테나(310)의 권선 수에 대응하는 수로 형성되어 안테나(310)가 수용되어 고정되도록 한다. 수용 홈(322a)은 안테나(310)가 이탈하지 않도록 안테나(310)의 굵기에 대응되는 폭으로 형성될 수 있다. 또한, 안테나(310)가 원형으로 마련되는 경우 수용 홈(322a)은 내측이 안테나(310)의 외측 형상을 따라 라운드하게 형성될 수 있다. 이렇게 고정부(322)의 수용 홈(322a) 내에 안테나(310)의 복수의 영역이 결합되어 고정되기 때문에 고정부(322)의 상하 이동에 따라 안테나(310) 또한 상하 방향으로 이동할 수 있다. The fixing portion 322 contacts the inner surface of the supporting portion 321 and the moving portion 323 is inserted into the upper side and can move in the vertical direction along the moving portion 323. [ The fixing portion 322 may be formed in a substantially rectangular bar shape having a predetermined width and length, and may be formed to have a shorter length than the supporting portion 321. The fixing portion 322 may be provided with a receiving groove 322a for receiving a predetermined region of the antenna 310. [ That is, the fixing portion 322 is provided with a guide groove on one surface facing the inner surface of the support portion 321, and a plurality of receiving grooves 322a is provided on the other surface opposite to the one surface. The receiving groove 322a is formed in a number corresponding to the number of windings of the antenna 310 so that the antenna 310 is received and fixed. The receiving groove 322a may be formed to have a width corresponding to the thickness of the antenna 310 so that the antenna 310 does not come off. In addition, when the antenna 310 is provided in a circular shape, the receiving groove 322a may be formed so that its inner side is rounded along the outer shape of the antenna 310. [ Since the plurality of regions of the antenna 310 are coupled and fixed in the receiving groove 322a of the fixing portion 322, the antenna 310 can also move up and down according to the upward and downward movement of the fixing portion 322. [

이동부(323)는 지지부(321)의 상부를 관통하여 고정부(322)의 상부에 소정 깊이로 삽입된다. 이러한 이동부(323)는 예를 들어 볼트로 구성될 수 있는데, 이동부(323)가 관통되는 지지부(321)의 돌출부(321a)에는 관통홀이 형성되고, 고정부(322) 내에는 나사산이 형성될 수 있다. 따라서, 이동부(323)가 고정부(322)에 삽입되어 고정부(322)의 나사산을 따라 회전함에 따라 고정부(322)가 상하 방향으로 이동될 수 있다. 한편, 지지부(321)의 돌출부(321a)의 하측에는 스냅링 및 와셔가 마련되어 이동부(323)이 상하로 이동하지 않도록 할 수 있다. 또한, 이동부(323)은 복수 마련되므로 고정부(322)를 개별적으로 이동시킬 수 있고, 그에 따라 안테나(310)의 위치를 부분적으로 조절할 수 있다.
The moving part 323 penetrates the upper part of the supporting part 321 and is inserted into the upper part of the fixing part 322 to a predetermined depth. The moving part 323 may be formed of, for example, a bolt. A through hole is formed in the protruding part 321a of the supporting part 321 through which the moving part 323 penetrates. In the fixing part 322, . Therefore, as the moving part 323 is inserted into the fixing part 322 and rotated along the thread of the fixing part 322, the fixing part 322 can be moved in the vertical direction. A snap ring and a washer are provided on the lower side of the protrusion 321a of the support part 321 to prevent the moving part 323 from moving up and down. In addition, since a plurality of moving parts 323 are provided, the fixing parts 322 can be moved individually, and the position of the antenna 310 can be partially adjusted accordingly.

상기한 바와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 반응 챔버(100)의 상부에 안테나(310)와, 안테나(310)를 고정하고 상하 방향으로 이동 가능한 복수의 안테나 홀더(320)를 포함하는 안테나 유닛(300)을 마련하여 안테나 홀더(320)를 상하 방향으로 이동시켜 안테나(310)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 복수의 안테나 홀더(320)의 적어도 하나를 이동시킬 수 있어 안테나(310)의 위치를 부분적으로 조절할 수 있다. 따라서, 안테나(310)와 반응 챔버(100) 내부의 플라즈마 발생 공간 사이의 거리를 부분적으로 조절할 수 있어 반응 챔버(100) 내부의 플라즈마 밀도를 부분적으로 조절할 수 있다. 즉, 안테나(310)의 일 영역을 상측 또는 하측 방향으로 이동시켜 해당 영역의 플라즈마 밀도를 조절할 수 있는데, 안테나(310)를 상측으로 이동시키면 해당 영역의 플라즈마 밀도가 낮아지고, 하측으로 이동시키면 해당 영역의 플라즈마 밀도가 높아진다.As described above, the plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes an antenna 310, an antenna 310, and a plurality of antenna holders 320 which are vertically movable. And the antenna holder 320 can be moved up and down to move the antenna 310 up and down. In addition, at least one of the plurality of antenna holders 320 can be moved, and the position of the antenna 310 can be partially adjusted. Therefore, the distance between the antenna 310 and the plasma generating space inside the reaction chamber 100 can be partially adjusted, so that the plasma density inside the reaction chamber 100 can be partially controlled. That is, one region of the antenna 310 can be moved upward or downward to adjust the plasma density of the corresponding region. When the antenna 310 is moved upward, the plasma density of the corresponding region is lowered. The plasma density of the region is increased.

도 4(a)는 종래의 플라즈마 처리 장치를 이용한 식각 프로파일을 도시한 것이고, 도 4(b)는 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치를 이용한 식각 프로파일을 도시한 것이다. 도 4(a)에 도시된 바와 같이 종래의 식각 프로파일은 일 방향, 즉 5시 방향으로 치우친 형상을 갖고, 이는 해당 부분의 플라즈마 밀도가 높기 때문이다. 그러나, 도 4(b)에 도시된 바와 같이 본 발명의 식각 프로파일은 모든 영역에서 동일한 형상을 갖고, 이는 반응 챔버 내부의 모든 영역에서 플라즈마 밀도가 거의 동일하다. 이는 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 안테나 유닛을 이용하여 플라즈마 밀도가 높은 영역의 안테나 높이를 다른 영역보다 높게 하여 해당 영역의 플라즈마 밀도를 종래보다 낮추기 때문이다.
Fig. 4 (a) shows an etching profile using a conventional plasma processing apparatus, and Fig. 4 (b) shows an etching profile using a plasma processing apparatus according to the present invention. As shown in FIG. 4 (a), the conventional etching profile has a shape shifted in one direction, that is, in the 5 o'clock direction, because the plasma density of the corresponding portion is high. However, as shown in Fig. 4 (b), the etching profile of the present invention has the same shape in all regions, and the plasma density is almost the same in all regions inside the reaction chamber. This is because, by using the antenna unit of the plasma processing apparatus according to the present invention, the height of the antenna in the high plasma density region is made higher than that of the other region, thereby lowering the plasma density in the corresponding region.

본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
Although the technical idea of the present invention has been specifically described according to the above embodiments, it should be noted that the above embodiments are for explanation purposes only and not for the purpose of limitation. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention.

100 : 반응 챔버 200 : 기판 지지대
300 : 안테나 유닛 400 : 전원부
500 : 가스 공급부 600 : 배기부
310 : 안테나 320 : 안테나 홀더
321 : 지지부 322 : 고정부
323 : 이동부100: reaction chamber 200: substrate support
300: antenna unit 400: power supply unit
500: gas supply part 600: exhaust part
310: antenna 320: antenna holder
321: Support portion 322:
323:

Claims

A reaction chamber provided with a reaction space;
A substrate support provided within the reaction chamber to support the substrate;
An antenna unit provided outside the reaction chamber;
A power supply unit for supplying power to the antenna unit for generating plasma; And
And a gas supply unit for supplying a process gas to the reaction chamber,
The antenna unit includes an antenna,
A plurality of antenna holders for holding a plurality of regions of the antenna and moving at least one region of the antenna in at least two directions,
The plurality of antenna holders move independently to partially move the antenna, partially adjust the plasma density inside the reaction chamber according to the partial movement of the antenna,
Wherein the antenna holder comprises: a support part positioned above the reaction chamber; A fixing part supported inside the support part and fixing a plurality of windings of the antenna in a vertical direction; And a moving unit for moving the fixing unit in the vertical direction,
Wherein a guide member is provided in one of the facing regions of the support portion and the fixing portion and the other is provided with a guide groove for accommodating the guide member.

The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the antenna is provided in a coil shape that is wound a plurality of times, and the plurality of antenna holders fix each winding of the antenna in a plurality of regions and move at least one region in a vertical direction.

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The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the support portion is provided with a protrusion protruding from the upper portion in the inward direction.

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The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the fixing portion is provided with a receiving groove for receiving and fixing a plurality of regions of the antenna.

7. The plasma processing apparatus according to claim 6, further comprising an indicator provided in a predetermined region on the side of the fixed portion, and a scale provided in a predetermined region on the side of the support portion to measure the moving distance of the fixed portion.

5. The plasma processing apparatus according to claim 4, wherein the moving part is inserted into the fixing part through the projecting part and rotated in one direction and the other direction.

The plasma processing apparatus according to claim 4, wherein at least one of the fixing portions moves in a vertical direction, and at least one region of the antenna moves in a vertical direction.

10. The plasma processing apparatus according to claim 9, wherein at least one region of the antenna moves upward and a corresponding plasma density of the region inside the reaction chamber is lowered.

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