KR101594932B1 - Apparatus and method for processing substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 공정 챔버와
공정챔버에 연결되는 배기라인 및 공정챔버 내의 압력을 조절하고 배기라인에 설치된 펌프를 가지는 배기 유닛을 포함한다. 그리고 배기라인은 패스트 배관과 복수개의 슬로우 배관으로 구성된다.
기판 처리 방법에 있어, 공정챔버 내부를 공정압력까지 감압하여 기판을 처리하고, 상기 감압은 공정챔버 내부를 설정 압력에 도달하기 전까지 패스트 밸브를 닫고 슬로우 밸브 중 선택된 슬로우 밸브를 개방한다. 설정 압력에 도달하면 상기 슬로우 밸브 중 선택된 슬로우 밸브를 닫고 패스트 밸브를 개방하는 기판 처리 방법을 제공한다.The present invention provides an apparatus and a method for processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a processing chamber
An exhaust line connected to the process chamber, and an exhaust unit having a pump installed in the exhaust line and regulating the pressure in the process chamber. The exhaust line is composed of a fast piping and a plurality of slow piping.
In the substrate processing method, the interior of the process chamber is reduced to a process pressure to process the substrate, and the reduced pressure closes the fast valve and opens the selected one of the slow valves until the set pressure is reached within the process chamber. And when the set pressure is reached, the selected one of the slow valves is closed and the fast valve is opened.

Description

기판 처리 장치 및 방법 {Apparatus and method for processing substrate}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 구체적으로 배기 유닛을 가지는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method having an exhaust unit.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 증착, 노광, 애싱 및 세정 같은 다양한 공정이 수반된다. 이들 중 증착, 식각 및 애싱 등과 같은 공정은 진공상태에서 공정을 수행한다. 이러한 반도체 제조공정에 있어서, 기판 상에 라인(line) 또는 스페이스(space) 패턴 등과 같은 각종의 미세회로패턴들을 형성하거나 이온 주입(ion implantation) 공정에서 마스크(mask)로 이용된 포토레지스트는 주로 애싱(ashing) 공정을 통하여 기판으로부터 제거된다. 애싱 공정은 외부로부터 차단된 공정챔버 내에서 이루어지며, 애싱 공정시 발생하는 반응가스 및 미반응가스, 그리고 반응부산물 등은 공정챔버에 연결된 배기라인을 통해 외부로 배출된다. 배기라인은 반응부산물 등을 배출하는 기능 외에도 공정챔버 내의 공정압력을 조절하는 기능도 한다.The manufacture of semiconductor devices involves various processes such as deposition, exposure, ashing and cleaning. Among these processes, such as deposition, etching, and ashing, processes are performed in a vacuum state. In such a semiconductor manufacturing process, a photoresist used as a mask in forming various fine circuit patterns such as a line or a space pattern on a substrate or in an ion implantation process is mainly used for ashing is removed from the substrate through an ashing process. The ashing process is performed in a process chamber blocked from the outside, and the reaction gas and unreacted gas generated in the ashing process, reaction byproducts, and the like are discharged to the outside through an exhaust line connected to the process chamber. The exhaust line functions not only to discharge reaction byproducts but also to control the process pressure in the process chamber.

상술한 애싱공정을 수행하는 일반적인 기판 처리 장치는 공정챔버와 배기 유닛을 가진다. 배기 유닛은 패스트 배관과 슬로우 배관을 포함한다. 공정챔버 내부가 설정 압력에 도달할 때까지 슬로우 배관을 개방하고 패스트 배관을 닫고, 설정압력에 도달하면 슬로우 배관을 닫고 패스트 배관을 개방하여 공정압력까지 감압한다. 이 경우, 설정압력에 도달할 때까지 공정챔버 내의 가스를 빠르게 배기하면 웨이퍼의 위치가 변형되는 등의 문제점이 있고, 가스를 느리게 배기하면 설정압력에 도달하는데 많은 시간이 소요되는 문제점이 있다. 일반적인 배기 유닛은 1개의 슬로우배관을 가지므로 웨이퍼의 종류에 따라 설정압력까지 최적의 배기 속도를 제공하지 못하는 문제점이 있다.A general substrate processing apparatus for performing the above-described ashing process has a process chamber and an exhaust unit. The exhaust unit includes a fast piping and a slow piping. Open the slow piping until the inside of the process chamber reaches the set pressure, close the fast piping, and when the set pressure is reached, close the slow piping and open the fast piping to reduce the pressure to the process pressure. In this case, there is a problem that the position of the wafer is deformed by rapidly exhausting the gas in the process chamber until the set pressure is reached, and it takes a long time to reach the set pressure when the gas is exhausted slowly. Since the general exhaust unit has one slow pipe, there is a problem that the optimum exhaust speed can not be provided up to the set pressure depending on the type of the wafer.

본 발명의 일 기술적 과제는 효율적으로 기판에 대해 공정처리를 하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an apparatus and a method for processing a substrate which process the substrate efficiently.

본 발명의 다른 기술적 과제는 배기 시간을 단축하고, 웨이퍼의 위치가 변형되는 것을 방지하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method for shortening the exhaust time and preventing the position of the wafer from being deformed.

본 발명의 또 다른 기술적 과제는 기판의 특성에 따라 설정압력에 도달할 때까지 최적의 배기상태를 제공하는 것이다. Another technical object of the present invention is to provide an optimum exhaust state until a set pressure is reached according to the characteristics of the substrate.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 상기 기판 처리 장치는 공정 챔버와 상기 공정챔버에 연결되는 배기라인 및 상기 공정챔버 내의 압력을 조절하고 상기 배기라인에 설치된 펌프를 가지는 배기 유닛을 포함한다. 상기 배기라인은 유체통로 내부를 개폐하는 패스트 밸브가 설치되는 패스트 배관과 상기 패스트 배관과 연결되며 상기 패스트 배관보다 작은 직경을 가지고 그 내부를 개폐하는 슬로우 밸브가 설치되는 복수개의 슬로우 배관을 가진다.The present invention provides a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes a process chamber, an exhaust line connected to the process chamber, and an exhaust unit having a pump installed in the exhaust line and regulating the pressure in the process chamber. The exhaust line has a fast pipe provided with a fast valve for opening and closing the fluid passage, and a plurality of slow pipes connected to the fast pipe and having a diameter smaller than that of the fast pipe and provided with a slow valve for opening and closing the inside of the fast pipe.

일 예에 의하여, 상기 슬로우 배관들 중 일부 또는 전부의 직경이 서로 상이하게 제공된다.By way of example, diameters of some or all of the above-mentioned slow pipes are provided different from each other.

다른 예에 의하여, 상기 슬로우 배관들은 그 직경이 서로 동일하고, 상기 슬로우 배관들 각각의 상기 유체통로의 크기를 조절하는 플레이트를 가질 수 있다. 상기 슬로우 배관은 상기 패스트 배관의 제 1지점에서 분기되고, 상기 제 1지점보다 하류인 상기 패스트 배관의 제 2지점에서 다시 연결되며, 상기 제 2지점은 상기 펌프보다 상류에 위치할 수 있다. According to another example, the slow pipes may have the same diameter and have a plate that adjusts the size of the fluid passage of each of the slow pipes. The slow pipe is branched at a first point of the fast pipe and is connected again at a second point of the fast pipe downstream of the first point, and the second point may be located upstream of the pump.

상기 패스트 밸브 및 상기 복수개의 슬로우 밸브를 제어하는 제어부가 더 제공되고, 상기 제어부는, 상기 공정챔버 내의 압력이 설정 압력에 도달하기 전까지 상기 패스트 밸브를 닫고, 상기 슬로우 밸브 중 선택된 슬로우 밸브를 개방하고, 상기 설정 압력에 도달하면 상기 패스트 밸브를 개방할 수 있다. 이때, 상기 패스트 배관이 개방되는 경우 상기 슬로우 배관은 닫을 수 있다. 상기 선택된 슬로우 밸브는 웨이퍼의 종류에 따라 기설정될 수 있다. Further comprising a control unit for controlling the fast valve and the plurality of slow valves, wherein the control unit closes the fast valve until a pressure in the process chamber reaches a set pressure, opens a selected one of the slow valves , And when the set pressure is reached, the fast valve can be opened. At this time, when the fast pipe is opened, the slow pipe can be closed. The selected slow valve may be preset according to the type of the wafer.

일 예에 의하면, 상기 복수개의 슬로우 배관 중 하나의 슬로우 배관만이 개방될 수 있다.According to an example, only one of the plurality of slow pipes may be opened.

또한, 다른 예에 의하면, 상기 복수개의 슬로우 배관 중 하나 또는 복수의 슬로우 배관이 개방될 수 있다. According to another aspect of the present invention, one or more of the plurality of slow pipes may be opened.

일 예에 의하면, 기판의 두께가 두꺼울수록 상기 유체 통로가 더 큰 슬로우 배관이 선택될 수 있다. 다른 예에 의하면, 기판의 경도가 클수록 상기 유체 통로가 더 큰 슬로우 배관이 선택될 수 있다. According to one example, the thicker the substrate, the larger the slow path of the fluid passage can be selected. According to another example, the larger the hardness of the substrate, the larger the slow path of the fluid passage can be selected.

또한 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 상기 기판 처리 방법에 의하면, 공정챔버 내부를 공정 압력까지 감압하여 기판을 처리하고, 상기 감압은 공정챔버 내부를 설정 압력에 도달하기 전까지 패스트 밸브를 닫고 슬로우 밸브 중 선택된 슬로우 밸브를 개방한다. 설정 압력에 도달하면 상기 패스트 밸브를 개방한다. 상기 패스트 배관은 복수개의 상기 슬로우 배관들 각각 보다 직경이 크게 제공될 수 있다. 상기 선택된 슬로우 밸브는 기판의 종류에 따라 결정 될 수 있다.The present invention also provides a substrate processing method. According to the substrate processing method, the interior of the process chamber is reduced to the process pressure to process the substrate, and the depressurization closes the fast valve and opens the selected one of the slow valves until the set pressure in the process chamber is reached. When the set pressure is reached, the fast valve is opened. The fast pipe may be provided with a larger diameter than each of the plurality of slow pipes. The selected slow valve may be determined depending on the type of the substrate.

상기 제 1감압 단계에서, 상기 복수개의 슬로우 배관 중 하나의 슬로우 배관만을 개방될 수 있다. 상기 제 1감압 단계에서, 상기 복수개의 슬로우 배관 중 하나 또는 복수개의 슬로우 배관을 개방할 수 있다. 일 예에 의하면, 기판의 두께가 두꺼울수록 더 큰 유체 통로를 가지는 슬로우 배관을 개방될 수 있다. 다른 예에 의하면, 기판의 경도가 클수록 더 큰 유체 통로를 가지는 슬로우 배관을 개방할 수 있다.In the first depressurization step, only one of the plurality of slow pipes may be opened. In the first depressurization step, one or more of the plurality of slow pipes may be opened. According to one example, the thicker the substrate, the more open the slow piping having the fluid passageway. According to another example, the larger the hardness of the substrate, the more open the slow piping having the larger fluid passage.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 효율적으로 기판에 대해 공정처리를 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a process can be efficiently performed on a substrate.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 배기 시간을 단축하고, 웨이퍼의 위치가 변형되는 것을 방지할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the exhaust time can be shortened and the position of the wafer can be prevented from being deformed.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 기판의 종류에 따라 설정압력에 도달할 때까지 최적의 배기상태를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, an optimum exhaust state can be provided until a set pressure is reached according to the type of substrate.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 처리 유닛의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 배기 유닛을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 1의 배기 유닛의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 5와 도 6은 도 4의 배기 유닛에서 배기방법을 보여주는 도면이다.
도 7은 도 1의 배기 유닛의 다른 예를 보여주는 평면도이다.
도 8과 도 9는 도 7의 배기 유닛에서 배기방법을 보여주는 도면이다.
도 10은 도 1의 배기 유닛의 또 다른 예를 보여주는 평면도이다.
도 11과 도 12는 도 10의 배기 유닛에서 배기방법을 보여주는 도면이다.
도 13은 배기방법을 보여주는 순서도이다.1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a sectional view showing an example of the processing unit shown in Fig. 1. Fig.
3 is a perspective view schematically showing the exhaust unit shown in Fig.
Fig. 4 is a plan view showing an example of the exhaust unit of Fig. 1. Fig.
5 and 6 are views showing an exhausting method in the exhaust unit of FIG.
7 is a plan view showing another example of the exhaust unit of FIG.
8 and 9 are views showing the exhausting method in the exhaust unit of FIG.
10 is a plan view showing still another example of the exhaust unit of FIG.
11 and 12 are views showing the exhausting method in the exhaust unit of Fig.
13 is a flow chart showing the exhausting method.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and how to accomplish them, will become apparent by reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

본 실시 예에서 유체통로의 크기는 플레이트(도 4의 640)가 제공된 영역에서 유체가 흐를 수 있는 면적을 의미한다. 또한, 플레이트(도 4의 640)가 제공되지 않은 경우에는 유체통로의 크기는 슬로우 배관의 단면적을 의미한다.The size of the fluid passage in this embodiment means the area through which the fluid can flow in the region where the plate (640 in FIG. 4) is provided. Further, when the plate (640 of FIG. 4) is not provided, the size of the fluid passage means the cross-sectional area of the slow pipe.

본 실시 예에서 기판이 웨이퍼인 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판은 유리 기판 등과 같이 다른 종류의 기판일 수 있다. 본 발명의 실시 예에서는 에싱공정을 예로 들어 설명한다. 그러나, 이와달리 공정에는 에칭, 증착, 식각 및 드라이 클리닝등의 공정일 수 있다.
In this embodiment, the case where the substrate is a wafer will be described as an example. Alternatively, however, the substrate may be another type of substrate, such as a glass substrate. In the embodiment of the present invention, an ashing process will be described as an example. Alternatively, however, the process may be a process such as etching, deposition, etching, and dry cleaning.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 처리 유닛(10) 및 배기 유닛(50)을 포함한다. 처리 유닛(10)은 웨이퍼를 처리하는 공간(도 2의 114)을 제공하고, 배기 유닛(50)은 공정 시 처리 유닛(10)의 공간 내의 반응가스, 미반응가스 및 반응부산물을 외부로 배출한다. 또한, 배기 유닛(50)은 처리 유닛(10)의 공간 내(도 2의 114)의 공정압력을 조절하는 기능을 한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a processing unit 10 and an exhaust unit 50. The processing unit 10 provides a space for processing wafers (114 in FIG. 2), and the exhaust unit 50 discharges the reaction gas, unreacted gas, and reaction by-products in the space of the processing unit 10 do. Further, the exhaust unit 50 functions to adjust the process pressure in the space of the processing unit 10 (114 in FIG. 2).

도 2는 도 1에 도시된 처리 유닛(10)의 일 예를 보여주는 단면도이다.2 is a sectional view showing an example of the processing unit 10 shown in Fig.

도 2를 참조하면, 처리 유닛(10)은 공정 처리실(100), 서셉터(200), 플라즈마 생성부재(300) 및 배플 플레이트(400)를 포함한다. 2, the processing unit 10 includes a processing chamber 100, a susceptor 200, a plasma generating member 300, and a baffle plate 400.

공정 처리실(100)은 공정 챔버(110)와 밀폐커버(120)를 포함한다.The process chamber 100 includes a process chamber 110 and a seal cover 120.

공정 챔버(110)는 하벽(111) 및 측벽(112)을 포함한다. 공정 챔버(110)는 공급된 가스에 의해서 웨이퍼(w)에 대한 공정처리를 수행하는 내부공간(114)을 제공한다. 측벽(112)에는 웨이퍼(w)가 출입하는 게이트(116)가 형성되고, 게이트(116)는 도어(118)에 의해 개폐된다. 공정 챔버(110)의 하벽(111)에는 배기 홀(119)이 형성되고, 배기 홀(119)에는 패스트 배관(190)이 결합된다. 웨이퍼(w) 처리 과정에서 내부공간(114)에 생성되는 반응 부산물과 내부 공간(114)으로 유입된 가스는 배기 홀(119)과 패스트 배관(190)을 통해 외부로 배출된다. 패스트 배관(190)에는 펌프(30)가 연결될 수 있으며, 펌프(30)에 의해 공정 처리실(100) 내부의 압력이 조절될 수 있다. The process chamber 110 includes a bottom wall 111 and a side wall 112. The process chamber 110 provides an internal space 114 for performing process operations on the wafer w by the supplied gas. A gate 116 is formed in the sidewall 112 to allow the wafer w to enter and exit the gate 116. The gate 116 is opened and closed by the door 118. [ An exhaust hole 119 is formed in the lower wall 111 of the process chamber 110 and a fast pipe 190 is coupled to the exhaust hole 119. The reaction byproducts generated in the inner space 114 and the gas introduced into the inner space 114 during the wafer w process are discharged to the outside through the exhaust hole 119 and the fast pipe 190. The pump 30 can be connected to the fast pipe 190 and the pressure inside the processing chamber 100 can be adjusted by the pump 30. [

서셉터(200)는 내부공간(114)에 위치하며, 공정처리에 제공되는 웨이퍼(w)를 지지한다. 서셉터(200)는 척(210) 및 지지축(220)을 포함한다. The susceptor 200 is located in the inner space 114 and supports the wafer w provided for the processing. The susceptor 200 includes a chuck 210 and a support shaft 220.

척(210)은 원판형상으로 제공되며, 상면에 웨이퍼(w)가 놓인다. 척(210)은 지지축(220)에 의해 지지된다. 웨이퍼(w)는 정전기력 및 기계적 클램핑에 의해 척(210)에 고정될 수 있다. 선책적으로 웨이퍼(w)는 고정없이 척(210)상에 놓일 수 있다.The chuck 210 is provided in a disk shape, and the wafer w is placed on the upper surface. The chuck 210 is supported by a support shaft 220. The wafer w may be fixed to the chuck 210 by electrostatic force and mechanical clamping. As a result, the wafer w can be placed on the chuck 210 without being fixed.

척(210)의 내부에는 가열부재(미도시됨)가 제공될 수 있다. 가열부재는 예를 들어, 히팅 코일을 포함할 수 있다. 척(210)의 내부에는 냉각부재(미도시됨)가 제공될 수 있다. 냉각부재는 냉각수가 흐르는 냉각라인으로 제공될 수 있다. 가열부재는 웨이퍼(w)를 설정된 온도로 가열한다. 냉각부재는 웨이퍼(w)를 강제 냉각시킨다. 이와 달리 가열부재 또는 냉각부재는 생략될 수 있다.A heating member (not shown) may be provided inside the chuck 210. The heating element may comprise, for example, a heating coil. A cooling member (not shown) may be provided inside the chuck 210. The cooling member may be provided as a cooling line through which cooling water flows. The heating member heats the wafer w to a set temperature. The cooling member forces the wafer (w) to cool. Alternatively, the heating member or the cooling member may be omitted.

척(210)에는 상하로 관통하는 홀(미도시)이 형성된다. 홀은 3개가 형성될 수 있다. 각각의 홀에는 리프트 핀(미도시)이 제공된다. 리프트핀은 홀을 따라 상하방향으로 이동하여 척(210)의 상면으로 웨이퍼(w)를 로딩하거나, 상면으로부터 웨이퍼(w)를 언로딩한다.A hole (not shown) is formed in the chuck 210 so as to penetrate vertically. Three holes may be formed. Each hole is provided with a lift pin (not shown). The lift pins move up and down along the holes to load the wafers w onto the upper surface of the chuck 210 or unload the wafers w from the upper surface.

플라스마 생성부재(300)는 밀폐커버(120)의 상부에 위치하며, 플라스마를 생성하여 밀폐커버(120)내의 유도공간(122)으로 플라스마를 제공한다. 플라스마 생성부(300)는 플라스마 소스부(301), 가스 공급관(302), 마그네트론(303) 및 도파관(304)을 포함한다.The plasma generating member 300 is located on top of the sealing cover 120 and generates plasma to provide the plasma into the guidance space 122 in the sealing cover 120. The plasma generation section 300 includes a plasma source section 301, a gas supply tube 302, a magnetron 303, and a wave guide 304.

플라스마 소스부(301)는 밀폐커버(120)와 결합한다. 플라스마 소스부(301)의 내부에서는 가스 공급관(302)으로부터 공급된 반응가스와 마그네트론(303)으로부터 제공된 마이크로파에 의해 플라스마가 생성된다. 플라스마 소스부(301)에서 생성된 플라스마는 밀폐커버(120)의 유도 공간(122)에 제공되며, 배플(400)의 분사홀(402)들을 통해 서셉터(200)에 안착된 웨이퍼(w)로 분사된다.The plasma source portion 301 is coupled to the sealing cover 120. Inside the plasma source section 301, a plasma is generated by the reaction gas supplied from the gas supply pipe 302 and the microwave provided from the magnetron 303. The plasma generated in the plasma source section 301 is provided in the guide space 122 of the sealing cover 120 and is transferred to the wafer w placed on the susceptor 200 through the injection holes 402 of the baffle 400. [ .

가스 공급관(302)은 가스 저장부(미도시)와 플라스마 소스부(301)를 연결하며, 가스 저장부에 저장된 반응가스를 플라스마 소스부(301)로 공급한다. 마그네트론(303)은 도파관(304)를 통해 플라스마 소스부(301)와 연결되며, 플라스마 생성을 위한 마이크로파(microwave)를 발생시킨다. 도파관(304)은 마그네트론(303)과 플라스마 소스부(301)를 연결하며, 마그네트론(303)에서 생성된 마이크로파를 플라스마 소스부(301)로 유도한다.The gas supply pipe 302 connects the gas storage unit (not shown) and the plasma source unit 301, and supplies the reaction gas stored in the gas storage unit to the plasma source unit 301. The magnetron 303 is connected to the plasma source part 301 through the waveguide 304 and generates a microwave for plasma generation. The waveguide 304 connects the magnetron 303 and the plasma source part 301 and guides the microwave generated from the magnetron 303 to the plasma source part 301.

상술한 실시 예에서, 플라즈마 생성부재(300)는 리모트방식의 플라즈마 생성을 예로 들어 설명하였다. 그러나, 또 다른 실시 예로, 플라즈마 생성부재(300)는 유도결합형 플라즈마 또는 용량결합형 플라즈마 방식 등 다양한 방법으로 제공될 수 있다.In the above-described embodiment, the plasma generating member 300 has been described by taking remote plasma generation as an example. However, in another embodiment, the plasma generating member 300 may be provided in various ways such as an inductively coupled plasma or a capacitively coupled plasma method.

공정 챔버(110) 상부에는 밀폐커버(120)와 배플 플레이트(400)가 설치된다. A sealing cover 120 and a baffle plate 400 are installed above the process chamber 110.

밀폐커버(120)는 공정 챔버(110)의 상부벽과 결합하여 공정 챔버(110)의 개방된 상부를 밀폐한다. 밀폐커버(120)는 플라스마 생성부재(300)와 결합하며, 플라스마 생성부재(300)에서 생성된 플라스마를 배플 플레이트(400)로 제공한다. 밀폐커버(120)에는 플라스마 생성부재(300)에서 생성된 플라스마가 유입되는 유입구(124)와 유입된 플라스마를 배플 플레이트(400)로 제공하는 유도공간(122)이 형성된다. 유도공간(122)은 유입구(124)의 하부에 형성되며, 유입구(124)와 연결된다. 실시 예에 의하면, 유도 공간(122)은 하부가 개방된 역 깔때기(inverted funnel) 형상을 가질 수 있다.The sealing cover 120 engages the top wall of the process chamber 110 to seal the open top of the process chamber 110. The sealing cover 120 is coupled to the plasma generating member 300 and provides the plasma generated in the plasma generating member 300 to the baffle plate 400. The sealing cover 120 is formed with an inlet 124 through which the plasma generated in the plasma generating member 300 flows and an induction space 122 through which the introduced plasma is supplied to the baffle plate 400. The guide space 122 is formed in the lower portion of the inlet 124 and is connected to the inlet 124. According to an embodiment, the guide space 122 may have an inverted funnel shape with the bottom open.

배플 플레이트(400)는 서셉터(200)의 상부에 서셉터(200)에 대항되게 위치한다. 구체적으로, 배플 플레이트(400)는 서셉터(200)와 플라스마 생성부재(300) 사이에 밀폐커버(120)의 유도공간(122)과 인접하여 설치된다. 배플 플레이트(400)는 원판형상으로 제공된다. 배플 플레이트(400)는 처리실(120)의 내부 공간(114)과 밀폐 커버(120)의 유도 공간(122)을 구획한다. 즉, 배플 플레이트(400)의 상면은 유도공간(122)과 접하고, 배플 플레이트(400)의 하면은 서셉터(200)가 위치되는 내부공간(114)과 접한다. 배플 플레이트(400)는 복수 개의 홀(402)을 통해 유도 공간(122)으로부터 내부 공간(114)으로 제공되는 플라즈마의 성분을 선택적으로 투과시킬 수 있다. 예를 들어, 배플 플레이트(400)는 주로 플라즈마의 라디칼 성분을 내부 공간(114)으로 공급할 수 있다.The baffle plate 400 is positioned against the susceptor 200 at the top of the susceptor 200. Specifically, the baffle plate 400 is installed adjacent to the guide space 122 of the sealed cover 120 between the susceptor 200 and the plasma generating member 300. The baffle plate 400 is provided in a disc shape. The baffle plate 400 separates the interior space 114 of the process chamber 120 and the guide space 122 of the enclosure cover 120. That is, the upper surface of the baffle plate 400 is in contact with the guide space 122, and the lower surface of the baffle plate 400 is in contact with the inner space 114 where the susceptor 200 is located. The baffle plate 400 may selectively transmit a component of the plasma provided from the guide space 122 to the inner space 114 through the plurality of holes 402. [ For example, the baffle plate 400 can mainly supply the radical components of the plasma to the inner space 114.

도 3은 도 1에 도시된 배기 유닛(50)을 개략적으로 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view schematically showing the exhaust unit 50 shown in Fig.

도 3을 참조하면, 배기 유닛(50)은 패스트 배관(510)과 복수개의 슬로우 배관(520)을 가진다. 일 실시 예로, 슬로우 배관(520)은 3개가 제공될 수 있다. Referring to FIG. 3, the exhaust unit 50 has a fast pipe 510 and a plurality of slow pipes 520. In one embodiment, three of the slow piping 520 may be provided.

슬로우 배관(520)은 공정 챔버(110) 내의 압력이 설정압력에 도달하기 전가지 주로 사용되고 패스트 배관(510)은 공정 챔버(110) 내의 압력이 설정압력에 도달한 후 공정압력에 도달할 때가지 주로 사용된다. 일 예로 공정압력은 공정이 진행될 때의 압력이고 설정압력은 초기압력과 공정압력 사이의 압력이다. 슬로우 배관(520)들은 서로 유체통로의 크기가 상이할 수 있다. 패스트 배관(510)은 슬로우 배관(520)보다 직경이 크다. 슬로우 배관(520)은 패스트 배관(510)의 상류에 위치하는 제 1지점(P1)에서 분기되고, 제 1지점(P1)보다 하류인 패스트 배관(510)의 제 2지점(P2)에서 다시 연결된다. 제 2지점(P2)은 펌프(도 1의 60)보다 상류에 위치한다. 슬로우 배관(520)에는 배관을 온/오프하는 슬로우 밸브(52,53,54)가 제공된다. 패스트 배관(510)의 제 1지점(P1)과 제 2지점(P2) 사이에 패스트 배관(510)의 내부 통로를 온/오프 하는 패스트 밸브(51)가 제공된다. 패스트 배관(510)의 하류에는 펌프(도 1의 60)가 연결되어 공정 챔버(110)내의 가스를 배기한다. The slow piping 520 is mainly used before the pressure in the process chamber 110 reaches the set pressure and the fast piping 510 is operated until the pressure in the process chamber 110 reaches the set pressure and then reaches the process pressure It is mainly used. For example, the process pressure is the pressure at which the process proceeds and the set pressure is the pressure between the initial pressure and the process pressure. The slow pipes 520 may have different fluid passages from each other. The fast pipe 510 is larger in diameter than the slow pipe 520. The slow pipe 520 branches at the first point P1 located upstream of the fast pipe 510 and is connected again at the second point P2 of the fast pipe 510 downstream of the first point P1 do. The second point P2 is located upstream of the pump (60 in Fig. 1). The slow pipe (520) is provided with slow valves (52, 53, 54) for turning on / off the pipe. A fast valve 51 is provided between the first point P1 and the second point P2 of the fast pipe 510 to turn the internal passage of the fast pipe 510 on and off. A pump (60 in FIG. 1) is connected downstream of the fast pipe 510 to exhaust gas in the process chamber 110.

도 4는 도 1의 배기 유닛의 일 예를 보여주는 평면도이다.Fig. 4 is a plan view showing an example of the exhaust unit of Fig. 1. Fig.

도 4를 참조하면, 배기 유닛(50)은 1개의 패스트 배관(610)과 복수의 슬로우 배관(620)을 포함한다. 슬로우 배관(620)은 3개가 제공된다. 3개의 슬로우 배관(620)의 직경은 서로 동일하다. 3개의 슬로우 배관에는 각각 플레이트(641,642,643)가 제공된다. 플레이트(640)는 슬로우 배관(620)의 유체 통로의 크기를 조절한다. 플레이트(640)에 의한 슬로우 배관(620)의 유체 통로의 크기는 작업자에 의해 매뉴얼로 조절될 수 있다. 슬로우 배관(620)에는 슬로우 배관(620)을 온/오프하는 슬로우 밸브(630)가 제공된다. 패스트 배관(610)의 제 1지점(P1)과 제 2지점(P2) 사이에 배관을 온/오프 하는 패스트 밸브(611)가 제공된다. Referring to FIG. 4, the exhaust unit 50 includes one fast pipe 610 and a plurality of slow pipes 620. Three of the slow piping 620 are provided. The diameters of the three slow pipes 620 are equal to each other. The three slow pipes are provided with plates 641, 642 and 643, respectively. The plate 640 regulates the size of the fluid passageway of the slow piping 620. The size of the fluid path of the slow pipe 620 by the plate 640 can be manually adjusted by the operator. The slow pipe 620 is provided with a slow valve 630 for turning on / off the slow pipe 620. A fast valve 611 is provided between the first point P1 and the second point P2 of the fast pipe 610 to turn the pipe on / off.

도 5 내지 도 7은 도 4의 배기 유닛에서 배기방법을 보여주는 도면이다.5 to 7 are views showing the exhausting method in the exhaust unit of FIG.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 웨이퍼의 종류에 따라 사용하고자 하는 슬로우 배관(620)의 종류가 미리 선택된다. 제어부(미도시)에는 웨이퍼의 종류별로 사용하고자 하는 슬로우 배관(620)을 대응시킨 데이터가 저장될 수 있다. 이하 3개의 슬로우 배관을 제 1 슬로우 배관(621), 제 2 슬로우 배관(622) 그리고 제 3 슬로우 배관(623)으로 정의한다. 제 1 슬로우 배관(621), 제 2 슬로우 배관(622), 제 3 슬로우 배관(623)은 각각 그 유체통로의 크기가 제 1 유체통로(A1), 제 2 유체통로 (A2), 제 3 유체통로(A3)를 가지도록 플레이트(640)의 위치가 조절된다. 이 때 제 1 유체통로(A1)보다 제 2 유체통로(A2)가 크고, 제 2 유체통로(A2)보다 제 3 유체통로(A3)가 크게 제공된다. 일 예에 의하면, 제어부(미도시)는 웨이퍼의 두께에 따라 사용되는 슬로우 배관(620)이 상이하도록 슬로우 배관(620)을 제어한다. 제어부(미도시)는 웨이퍼의 두께에 따라 사용되는 슬로우 배관(620)을 기설정한다. 예컨데, 웨이퍼의 두께가 t1일 때 제 1 슬로우 배관(621)을 사용하고, 웨이퍼의 두께가 t2일 때 제 2 슬로우 배관(622)를 사용하고, 웨이퍼의 두께가 t3일 때 제 3 슬로우 배관(623)을 사용한다. 웨이퍼의 두께는 t1보다 t2가 두껍고 t2보다 t3가 두껍다. 따라서 설정압력에 도달할 때까지 두께가 t1인 웨이퍼는 도 5와 같이 제 1 슬로우 배관(621)을 통해 가스를 배기하고 두께가 t2인 웨이퍼는 도 6과 같이 제 2 슬로우 배관(622)을 통해 가스를 배기하고, 두께가 t3인 웨이퍼는 도 7과 같이 제 3 슬로우 배관(623)을 통해 가스를 배기한다.5 to 7, the kind of the slow pipe 620 to be used is selected in advance according to the type of the wafer. Data associated with a slow pipe 620 to be used for each type of wafer may be stored in a control unit (not shown). Three slow pipes are defined as a first slow pipe 621, a second slow pipe 622 and a third slow pipe 623. The first slow pipe 621, the second slow pipe 622 and the third slow pipe 623 are arranged such that the sizes of the fluid passages are the first fluid passage A1, the second fluid passage A2, The position of the plate 640 is adjusted so as to have the passage A3. At this time, the second fluid passage A2 is larger than the first fluid passage A1 and the third fluid passage A3 is provided larger than the second fluid passage A2. According to one example, the control unit (not shown) controls the slow pipe 620 so that the slow pipe 620 used differs according to the thickness of the wafer. The control unit (not shown) sets a slow pipe 620 to be used according to the thickness of the wafer. For example, the first slow pipe 621 may be used when the thickness of the wafer is t1, the second slow pipe 622 may be used when the thickness of the wafer is t2, and the third slow pipe 622 may be used when the thickness of the wafer is t3. 623). The thickness of the wafer is t2 thicker than t1 and t3 thicker than t2. Accordingly, the wafer having a thickness t1 until the set pressure is reached is exhausted through the first slow pipe 621 as shown in FIG. 5, and the wafer having the thickness t2 is passed through the second slow pipe 622 Gas is exhausted, and the wafer having a thickness of t3 exhausts the gas through the third slow pipe 623 as shown in Fig.

본 발명의 다른 예에 의하면, 제어부(미도시)는 웨이퍼의 경도에 따라 사용되는 슬로우 배관(620)이 상이하도록 슬로우 배관(620)을 제어한다. 제어부(미도시)는 웨이퍼의 경도에 따라 사용되는 슬로우 배관(620)을 기설정한다. 예컨데, 웨이퍼의 경도가 h1일 때 제 1 슬로우 배관(621)을 사용하고, 웨이퍼의 경도가 h2일 때 제 2 슬로우 배관(622)를 사용하고, 웨이퍼의 경도가 h3일 때 제 3 슬로우 배관(623)을 사용한다. 웨이퍼의 경도는 h1보다 h2가 크고 h2보다 h3가 크다. 따라서 설정압력에 도달할 때가지 경도가 h1인 웨이퍼는 도 5와 같이 제 1 슬로우 배관(621)을 통해 가스를 배기하고 경도가 h2인 웨이퍼는 도 6과 같이 제 2 슬로우 배관(622)을 통해 가스를 배기하고, 경도가 h3인 웨이퍼는 도 7과 같이 제 3 슬로우 배관(623)을 통해 가스를 배기한다.According to another example of the present invention, a control unit (not shown) controls the slow pipe 620 such that the slow pipe 620 used differs according to the hardness of the wafer. The control unit (not shown) sets the slow pipe 620 to be used according to the hardness of the wafer. For example, the first slow pipe 621 is used when the hardness of the wafer is h1, the second slow pipe 622 is used when the hardness of the wafer is h2, and when the hardness of the wafer is h3, the third slow pipe 623). The hardness of the wafer is larger than h1 by h2 and larger than h2 by h3. Accordingly, the wafer having the hardness h1 until the set pressure is reached is exhausted through the first slow pipe 621 as shown in FIG. 5, and the wafer having the hardness h2 is passed through the second slow pipe 622 The wafer is exhausted, and the wafer having a hardness of h3 evacuates gas through the third slow pipe 623 as shown in Fig.

상기 실시 예에서는 슬로우 배관(620)을 1개만 개방하였다. 다른 예에 의하면, 슬로우 배관(620)을 1개 또는 복수개를 동시에 개방할 수 있다. 이 경우 3개의 슬로우 배관(620)을 사용하는 경우 7가지 두께 또는 경도의 웨이퍼에 대해 서로 상이한 배기 속도로 설정압력까지 배기할 수 있다.In the above embodiment, only one slow pipe 620 is opened. According to another example, one or a plurality of the slow pipes 620 can be opened at the same time. In this case, when three slow pipes 620 are used, the wafers having seven thicknesses or hardness can be exhausted to the set pressure at different exhaust velocities.

도 8은 도 1의 배기 유닛의 다른 예를 보여주는 평면도이다.8 is a plan view showing another example of the exhaust unit of FIG.

도 8를 참조하면, 배기 유닛(50)은 1개의 패스트 배관(710)과 복수의 슬로우 배관(720)을 포함한다. 슬로우 배관(720)은 3개가 제공된다. 3개의 슬로우 배관(720)의 직경은 서로 상이하다. 웨이퍼의 종류에 따라 직경이 상이한 슬로우 배관(720)을 달리 개방하거나 개방하는 슬로우 배관(720)의 수를 달리하여 개방하도록 제어부(미도시)에 기설정된다. 이에 따라, 유체통로의 개방률이 달라진다. 슬로우 배관(720)에는 배관을 온/오프하는 슬로우 밸브(730)가 제공된다. 패스트 배관(710)의 제 1지점과 제 2지점 사이에 배관을 온/오프 하는 패스트 밸브(711)가 제공된다.Referring to FIG. 8, the exhaust unit 50 includes one fast pipe 710 and a plurality of slow pipes 720. Three of the slow piping 720 are provided. The diameters of the three slow pipes 720 are different from each other. (Not shown) such that the number of slow pipes 720 that open or open differently from the diameter of the slow pipe 720 is varied depending on the type of wafer. As a result, the opening ratio of the fluid passage is changed. The slow pipe 720 is provided with a slow valve 730 for turning on / off the pipe. A fast valve 711 is provided between the first point and the second point of the fast pipe 710 to turn the pipe on / off.

도 9 내지 도 11은 도 8의 배기 유닛에서 배기방법을 보여주는 도면이다.Figs. 9 to 11 are views showing the exhausting method in the exhaust unit of Fig. 8. Fig.

도 9 내지 도 11를 참조하면, 웨이퍼의 종류에 따라 사용하고자 하는 슬로우 배관(720)의 종류가 미리 선택된다. 제어부(미도시)에는 웨이퍼의 종류별로 사용하고자 하는 슬로우 배관(720)을 대응시킨 데이터가 저장될 수 있다. 이하 3개의 슬로우 배관을 제 1 슬로우 배관(721), 제 2 슬로우 배관(722) 그리고 제 3 슬로우 배관(723)으로 정의한다. 일 예에 의하면, 제어부(미도시)는 웨이퍼의 두께에 따라 사용되는 슬로우 배관(720)이 상이하도록 슬로우 배관(720)을 제어한다. 제어부(미도시)는 웨이퍼의 두께에 따라 사용되는 슬로우 배관(720)을 기설정한다. 예컨데, 웨이퍼의 두께가 t1일 때 제 1 슬로우 배관(721)을 사용하고, 웨이퍼의 두께가 t2일 때 제 2 슬로우 배관(722)를 사용하고, 웨이퍼의 두께가 t3일 때 제 3 슬로우 배관(723)을 사용한다. 웨이퍼의 두께는 t1보다 t2가 두껍고 t2보다 t3가 두껍다. 설정압력에 도달할 때까지 두께가 t1인 웨이퍼는 도 9와 같이 제 1 슬로우 배관(721)을 통해 가스를 배기하고 두께가 t2인 웨이퍼는 도 10과 같이 제 2 슬로우 배관(722)을 통해 가스를 배기하고, 두께가 t3인 웨이퍼는 도 11과 같이 제 3 슬로우 배관(723)을 통해 가스를 배기한다.9 to 11, the kind of the slow pipe 720 to be used is selected in advance according to the type of the wafer. Data associated with a slow pipe 720 to be used for each type of wafer may be stored in a control unit (not shown). Three slow pipes are defined as a first slow pipe 721, a second slow pipe 722, and a third slow pipe 723. According to one example, the control unit (not shown) controls the slow pipe 720 so that the used slow pipe 720 is different according to the thickness of the wafer. The control unit (not shown) sets a slow pipe 720 to be used according to the thickness of the wafer. For example, the first slow pipe 721 is used when the thickness of the wafer is t1, the second slow pipe 722 is used when the thickness of the wafer is t2, and the third slow pipe 723). The thickness of the wafer is t2 thicker than t1 and t3 thicker than t2. The wafer having a thickness t1 until the set pressure is reached is exhausted through the first slow pipe 721 as shown in FIG. 9 and the wafer having the thickness t2 is discharged through the second slow pipe 722 And the wafer having a thickness of t3 exhausts the gas through the third slow pipe 723 as shown in Fig.

본 발명의 다른 실시 예로 제어부(미도시)는 웨이퍼의 경도에 따라 사용되는 슬로우 배관(720)이 상이하도록 슬로우 배관(720)을 제어한다. 제어부(미도시)는 웨이퍼의 경도에 따라 사용되는 슬로우 배관(720)을 기설정한다. 예컨데, 웨이퍼의 경도가 h1일 때 제 1 슬로우 배관(721)을 사용하고, 웨이퍼의 경도가 h2일 때 제 2 슬로우 배관(722)를 사용하고, 웨이퍼의 경도가 h3일 때 제 3 슬로우 배관(723)을 사용한다. 웨이퍼의 경도는 h1보다 h2가 크고 h2보다 h3가 크다. 따라서 설정압력에 도달할 때까지 경도가 h1인 웨이퍼는 도 9와 같이 제 1 슬로우 배관(721)을 통해 가스를 배기하고 경도가 h2인 웨이퍼는 도 10과 같이 제 2 슬로우 배관(722)을 통해 가스를 배기하고, 경도가 h3인 웨이퍼는 도 11과 같이 제 3 슬로우 배관(723)을 통해 가스를 배기한다.In another embodiment of the present invention, the control unit (not shown) controls the slow pipe 720 so that the slow pipe 720 used differs according to the hardness of the wafer. The control unit (not shown) sets the slow pipe 720 to be used according to the hardness of the wafer. For example, the first slow pipe 721 is used when the hardness of the wafer is h1, the second slow pipe 722 is used when the hardness of the wafer is h2, and when the hardness of the wafer is h3, the third slow pipe 723). The hardness of the wafer is larger than h1 by h2 and larger than h2 by h3. Therefore, the wafer having the hardness h1 until the set pressure is reached is exhausted through the first slow pipe 721 as shown in FIG. 9, and the wafer having the hardness h2 is passed through the second slow pipe 722 And the wafer having a hardness of h3 evacuates the gas through the third slow pipe 723 as shown in Fig.

상기 실시 예에서는 슬로우 배관(720)을 1개만 개방하였다. 다른 예에 의하면, 슬로우 배관(720)을 1개 또는 복수개를 동시에 개방할 수 있다. 이 경우 3개의 슬로우 배관(720)을 사용하는 경우 7가지 두께 또는 경도의 웨이퍼에 대해 서로 상이한 배기 속도로 설정압력까지 배기할 수 있다.In the above embodiment, only one slow pipe 720 is opened. According to another example, one or a plurality of the slow pipes 720 can be opened at the same time. In this case, when three slow pipes 720 are used, the wafers having seven thicknesses or hardness can be exhausted to set pressures at mutually different exhaust speeds.

도 12은 도 1의 배기 유닛의 또 다른 예를 보여주는 평면도이다.12 is a plan view showing still another example of the exhaust unit of FIG.

도 12을 참조하면, 배기 유닛(50)은 1개의 패스트 배관(810)과 복수의 슬로우 배관(820)을 포함한다. 슬로우 배관(820)은 3개가 제공된다. 슬로우 배관(820)의 직경은 서로 동일하다. 제어부(미도시)에는 웨이퍼의 종류에 따라 슬로우 배관(820)을 개방하는 수를 달리하게 기설정된다. 슬로우 배관(820)에는 배관을 온/오프하는 슬로우 밸브(830)가 제공된다. 패스트 배관(810)의 제 1지점과 제 2지점 사이에 배관을 온/오프 하는 패스트 밸브(811)가 제공된다.Referring to FIG. 12, the exhaust unit 50 includes one fast pipe 810 and a plurality of slow pipes 820. Three of the slow piping 820 are provided. The diameter of the slow pipe 820 is equal to each other. In the control unit (not shown), the number of opening of the slow pipe 820 is set to be different depending on the type of the wafer. The slow pipe 820 is provided with a slow valve 830 for turning on / off the pipe. A fast valve 811 is provided between the first point and the second point of the fast pipe 810 to turn the pipe on / off.

도 13과 도 14는 도 12의 배기 유닛에서 배기방법을 보여주는 도면이다.13 and 14 are views showing the exhausting method in the exhaust unit of Fig.

도 13과 도 14를 참조하면, 웨이퍼의 종류에 따라 사용하고자 하는 슬로우 배관(820)의 종류가 미리 선택된다. 제어부(미도시)에는 웨이퍼의 종류별로 사용하고자 하는 슬로우 배관(820)을 대응시킨 데이터가 저장될 수 있다. 이하 3개의 슬로우 배관을 제 1 슬로우 배관(821), 제 2 슬로우 배관(822) 그리고 제 3 슬로우 배관(823)으로 정의한다. 일 예에 의하면, 제어부(미도시)는 웨이퍼의 두께에 따라 사용되는 슬로우 배관(820)이 상이하도록 슬로우 배관(820)을 제어한다. 제어부(미도시)는 웨이퍼의 두께에 따라 사용되는 슬로우 배관(820)을 기설정한다. 예컨데, 웨이퍼의 두께가 t1일 때 제 1 슬로우 배관(821)을 사용하고, 웨이퍼의 두께가 t2일 때 제 1 슬로우 배관(821)과 제 2 슬로우 배관(822)를 동시에 사용한다. 웨이퍼의 두께는 t1보다 t2가 두껍다. 설정압력에 도달할 때까지 두께가 t1인 웨이퍼는 도 13와 같이 제 1 슬로우 배관(821)을 통해 가스를 배기하고, 두께가 t2인 웨이퍼는 도 14과 같이 제 1 슬로우 배관(821)과 제 2 슬로우 배관(822)를 동시에 개방하여 가스를 배기한다. 13 and 14, the type of the slow pipe 820 to be used is selected in advance according to the type of the wafer. In the control unit (not shown), data associated with the slow pipe 820 to be used may be stored for each type of wafer. The three slow pipes are defined as a first slow pipe 821, a second slow pipe 822, and a third slow pipe 823. According to one example, the control unit (not shown) controls the slow pipe 820 such that the slow pipe 820 used differs according to the thickness of the wafer. A control unit (not shown) sets a slow pipe 820 to be used according to the thickness of the wafer. For example, when the thickness of the wafer is t1, the first slow pipe 821 is used, and when the thickness of the wafer is t2, the first slow pipe 821 and the second slow pipe 822 are used at the same time. The thickness of the wafer is t2 greater than t1. As shown in FIG. 13, the wafer having the thickness t1 until the set pressure is reached is exhausted through the first slow pipe 821. The wafer having the thickness t2 is supplied to the first slow pipe 821 and the 2 slow pipe 822 are simultaneously opened to exhaust the gas.

본 발명의 다른 실시 예로, 제어부(미도시)는 웨이퍼의 경도에 따라 사용되는 슬로우 배관(820)이 상이하도록 슬로우 배관(820)을 제어한다. 제어부(미도시)는 웨이퍼의 경도에 따라 사용되는 슬로우 배관(820)을 기설정한다. 예컨데, 웨이퍼의 경도가 h1알 때 제 1 슬로우 배관(821)을 사용하고, 웨이퍼의 경도가 h2일 때 제 1 슬로우 배관(821)과 제 2 슬로우 배관(822)를 동시에 사용한다. 웨이퍼의 경도는 h1보다 h2가 두껍다. 설정압력에 도달할 때까지 경도가 h1인 웨이퍼는 도 13와 같이 제 1 슬로우 배관(821)을 통해 가스를 배기하고, 경도가 h2인 웨이퍼는 도 14과 같이 제 1 슬로우 배관(821)과 제 2 슬로우 배관(822)를 동시에 개방하여 가스를 배기한다. In another embodiment of the present invention, the control unit (not shown) controls the slow pipe 820 such that the slow pipe 820 used differs according to the hardness of the wafer. The control unit (not shown) sets the slow pipe 820 to be used according to the hardness of the wafer. For example, the first slow pipe 821 is used when the hardness of the wafer is h1, and the first slow pipe 821 and the second slow pipe 822 are used simultaneously when the hardness of the wafer is h2. The hardness of the wafer is greater than h1 by h2. As shown in FIG. 13, the wafer having the hardness h1 until the set pressure is reached is exhausted through the first slow pipe 821. The wafer having the hardness h2 is transferred to the first slow pipe 821 and the 2 slow pipe 822 are simultaneously opened to exhaust the gas.

상기 실시 예에서는 슬로우 배관(820)을 2개까지만 개방하였다. 다른 예에 따라 3개의 슬로우 배관(820)을 사용하는 경우 3가지 두께 및 경도의 웨이퍼에 대해 서로 상이한 배기 속도로 설정압력까지 배기할 수 있다.In the above embodiment, only up to two of the slow pipes 820 are opened. According to another example, when three slow pipes 820 are used, it is possible to exhaust the wafers of three thicknesses and hardnesses to the set pressure at different exhaust velocities.

상술한 예에서는 웨이퍼의 종류가 상이한 경우로, 웨이퍼의 두께 도는 경도를 예를 들어 설명하였다. 그러나 이와 달리, 웨이퍼의 종류는 웨이퍼의 무게 또는 웨이퍼 박막의 종류가 상이할 수 있다.In the above-described example, the types of the wafers are different, and the thickness and the hardness of the wafers have been exemplified. Alternatively, the type of the wafer may be different depending on the weight of the wafer or the type of the wafer thin film.

상기 도 4 내지 도14의 실시 예와 달리 슬로우 배관(620,720,820)의 직경이 일부만 직경이 상이한 경우도 있을 수 있다. 예를 들어, 3개의 슬로우 배관(620,720,820) 중 2개는 직경이 동일하나 나머지 1개는 직경이 상이할 수 있다. 이를 통해 다양한 웨이퍼의 종류에 대응할 수 있다.4 to 14, the diameter of the slow pipes 620, 720, and 820 may be slightly different from each other. For example, two of the three slow pipes 620, 720 and 820 may have the same diameter but the remaining one may have different diameters. This makes it possible to cope with various types of wafers.

도 15은 배기방법을 보여주는 순서도이다.15 is a flow chart showing the exhausting method.

도 15을 참조하면, 공정 챔버내의 가스를 배기하기 위해 게이트를 개방하고, 슬로우 배관을 먼저 개방하고 패스트 배관을 닫는다. 공정 챔버내의 압력이 중간 압력에 도달하면 슬로우 배관을 닫고 패스트 배관을 개방한다. 패스트 배관 개방을 통해 최종 압력에 도달한다.Referring to Fig. 15, the gate is opened to exhaust gas in the process chamber, the slow pipe is opened first, and the fast pipe is closed. When the pressure in the process chamber reaches the intermediate pressure, close the slow piping and open the fast piping. The final pressure is reached through the open fast pipe.

다른 예에 따르면, 슬로우 배관을 개방하면서 패스트 배관을 개방할 수도 있다. 예를 들어, 웨이퍼의 두께가 매우 두꺼운 경우 슬로우 배관과 패스트 배관을 모두 개방하여 공정챔버 내의 가스를 빠르게 배기할 수 있다. 웨이퍼의 경도가 매우 크거나 웨이퍼의 무게가 무거운 경우 등에도 슬로우 배관과 패스트 배관을 모두 개방하여 보다 빠르게 가스를 배기할 수 있다.
According to another example, the fast piping may be opened while opening the slow piping. For example, if the thickness of the wafer is very thick, both the slow piping and the fast piping can be opened to quickly exhaust the gases in the process chamber. Even when the hardness of the wafer is very high or the weight of the wafer is heavy, both the slow pipe and the fast pipe can be opened to exhaust the gas more quickly.

Claims (18)

공정 챔버; 그리고
상기 공정챔버에 연결되는 배기라인 및 상기 공정챔버 내의 압력을 조절하고 상기 배기라인에 설치된 펌프를 가지는 배기 유닛을 포함하고;
상기 배기 유닛은,
유체 통로 내부를 개폐하는 패스트 밸브가 설치되는 패스트 배관;
상기 패스트 배관과 연결되며, 상기 패스트 배관보다 작은 직경을 가지고, 그 내부를 개폐하는 슬로우 밸브가 설치되는 복수개의 슬로우 배관; 그리고
상기 슬로우 배관들 각각의 상기 유체통로의 크기를 조절하는 플레이트를 포함하는 기판 처리 장치.A process chamber; And
An exhaust line connected to the process chamber, and an exhaust unit having a pump installed in the exhaust line, the pressure adjusting the pressure in the process chamber;
The exhaust unit includes:
A fast pipe provided with a fast valve for opening and closing the inside of the fluid passage;
A plurality of slow pipes connected to the fast pipe and having a diameter smaller than that of the fast pipe and provided with a slow valve for opening and closing the inside thereof; And
And a plate that adjusts the size of the fluid passage of each of the slow piping. 제 1항에 있어서;
상기 슬로우 배관들 중 일부 또는 전부의 직경이 서로 상이한 기판 처리 장치The method of claim 1, further comprising:
Wherein a diameter of a part or all of the slow pipes are different from each other, 제1항에 있어서,
상기 슬로우 배관들은 그 직경이 서로 동일한 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the diameter of the slow pipes is equal to each other. 제 1항에 있어서;
상기 슬로우 배관은 상기 패스트 배관의 제 1지점에서 분기되고, 상기 제 1지점보다 하류인 상기 패스트 배관의 제 2지점에서 다시 연결되며, 상기 제 2지점은 상기 펌프보다 상류에 위치하는 기판 처리 장치The method of claim 1, further comprising:
Wherein the slow piping branches at a first point of the fast piping and is connected again at a second point of the fast piping downstream of the first point and the second point is connected upstream of the pump, 제 1항에 있어서;
상기 패스트 밸브 및 상기 복수개의 슬로우 밸브를 제어하는 제어부를 더 포함하되,
상기 제어부는, 상기 공정챔버 내의 압력이 설정 압력에 도달하기 전까지 상기 패스트 밸브를 닫고, 상기 슬로우 밸브 중 선택된 슬로우 밸브를 개방하고, 상기 설정 압력에 도달하면 상기 패스트 밸브를 개방하는 것을 포함하는 기판 처리 장치The method of claim 1, further comprising:
Further comprising a controller for controlling the fast valve and the plurality of slow valves,
Wherein the control unit closes the fast valve until a pressure in the process chamber reaches a set pressure, opens a selected one of the slow valves, and opens the fast valve when the set pressure is reached, Device 제 5항에 있어서;
상기 패스트 배관이 개방되는 경우 상기 슬로우 배관은 닫는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치The method of claim 5, further comprising:
And the slow piping is closed when the fast piping is opened. 제 5항에 있어서;
상기 선택된 슬로우 밸브는 기판의 종류에 따라 기설정되는 기판 처리 장치The method of claim 5, further comprising:
The selected slow valve may be a substrate processing apparatus 제 5항에 있어서;
상기 복수개의 슬로우 배관 중 하나의 슬로우 배관만이 개방된 기판 처리 장치The method of claim 5, further comprising:
Wherein one of the plurality of slow pipes is opened, 제 5항에 있어서;
상기 복수개의 슬로우 배관 중 하나 또는 복수의 슬로우 배관이 개방된 기판 처리 장치The method of claim 5, further comprising:
Wherein one or more of the plurality of slow pipes are open, 제 1항에 있어서;
기판의 두께가 두꺼울수록 더 큰 유체 통로를 가지는 슬로우 배관이 선택되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치The method of claim 1, further comprising:
Characterized in that a slow pipe having a larger fluid passage is selected as the thickness of the substrate is thicker 제 1항에 있어서;
기판의 경도가 클수록 더 큰 유체 통로를 가지는 슬로우 배관이 선택되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치The method of claim 1, further comprising:
Characterized in that a slow piping having a larger fluid passage is selected as the hardness of the substrate is larger, 공정챔버 내부를 공정압력까지 감압하여 기판을 처리하되, 상기 감압은, 상기 공정챔버 내부를 설정 압력에 도달하기 전까지 패스트 배관에 설치된 패스트 밸브를 닫고 복수개의 슬로우 배관에 설치된 슬로우 밸브들 중 선택된 슬로우 밸브를 개방하는 제 1감압 단계;
상기 설정 압력에 도달하면 상기 패스트 밸브를 개방하는 제 2감압 단계를 포함하고,
상기 각각의 슬로우 배관들에 제공되는 플레이트를 이용하여 상기 각각의 슬로우 배관들의 유체 통로의 크기를 조절하는 기판 처리 방법.Wherein the pressure reducing means closes the fast valve installed in the fast pipe until the pressure inside the process chamber reaches the set pressure and discharges the selected one of the slow valves installed in the plurality of slow pipes A first depressurizing step of opening the first depressurizing step;
And a second pressure reducing step of opening the fast valve when the set pressure is reached,
Wherein a size of the fluid passage of each of the slow pipes is adjusted using a plate provided on each of the slow pipes. 제12항에 있어서,
상기 패스트 배관은 상기 복수개의 슬로우 배관들 각각 보다 직경이 크게 제공되는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
Wherein the fast pipe is provided with a larger diameter than each of the plurality of slow pipes. 제 12항에 있어서;
상기 선택된 슬로우 밸브는 기판의 종류에 따라 결정되는 기판 처리 방법The method as claimed in claim 12,
Wherein the selected slow valve is a substrate processing method determined depending on the type of substrate 제 12항에 있어서;
상기 제 1감압 단계에서, 상기 복수개의 슬로우 배관 중 하나의 슬로우 배관만을 개방하는 기판 처리 방법The method as claimed in claim 12,
Wherein in the first depressurizing step, only one of the plurality of slow pipes is opened 제12항에 있어서,
상기 제1 감압 단계에서, 상기 복수개의 슬로우 배관 중 하나 또는 복수개의 슬로우 배관을 개방하는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
And in the first depressurization step, one or more of the plurality of slow pipes are opened. 제12항에 있어서,
기판의 두께가 두꺼울수록 더 큰 유체 통로를 가지는 슬로우 배관을 개방하는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
And a slow pipe having a larger fluid passage is opened as the thickness of the substrate is thicker. 제 12항에 있어서;
기판의 경도가 클수록 더 큰 유체 통로를 가지는 슬로우 배관을 개방하는 기판 처리 방법
The method as claimed in claim 12,
A substrate processing method for opening a slow pipe having a larger fluid passage as the hardness of the substrate is larger
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