KR101594672B1 - Display device - Google Patents

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박진섭
김준수
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    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 표시장치와 표시장치의 제조방법 및 검사방법은 비표시영역과 표시영역을 포함하는 표시패널; 상기 비표시영역에 형성되고 서로 연결된 오드 데이터 쇼팅바와 오드 데이터 링크 배선, 서로 연결된 오드 게이트 쇼팅바와 오드 게이트 링크 배선, 제1 연결 전극을 통해 연결된 이븐 데이터 쇼팅바와 이븐 데이터 링크 배선, 그리고 제2 연결 전극을 통해 연결된 이븐 게이트 쇼팅바와 이븐 게이트 링크 배선; 상기 표시영역에 형성되고 상기 오드 및 이븐 게이트 링크 배선과 연결된 게이트 라인 그리고 제3 연결 전극을 통해 상기 오드 및 이븐 데이터 링크 배선과 연결된 데이터 라인; 그리고 상기 오드 및 이븐 데이터 링크 배선 그리고 상기 오드 및 이븐 게이트 링크 배선 상부에 형성된 보호 전극;을 포함하는 표시장치.A display device and a method for manufacturing and testing the display device according to an embodiment of the present invention include a display panel including a non-display area and a display area; An odd data shorting bar and odd data link interconnection formed in the non-display area and connected to each other, an odd gate shorting bar and an odd gate interconnection interconnection connected to each other, an even data shortening bar connected via a first interconnection electrode, An even gate shorting bar and even gate link wiring connected through; A data line formed in the display area and connected to the odd and even data link wiring through a gate line connected to the odd and even gate link wiring and a third connecting electrode; And a protective electrode formed on the odd-even data link wiring and the odd-even gate link wiring.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시장치와 표시장치의 제조방법 및 검사 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device and a manufacturing method and a testing method of the display device.

표시장치 제조공정은 TFT가 형성된 기판을 제조하는 공정과 상기 기판의 구동을 위해서 회로 PCB등을 조립하는 모듈 공정 등으로 이루어져 있다. 그리고 각각의 공정마다 불량 검사 공정을 진행한다.The display device manufacturing process includes a process of manufacturing a TFT-formed substrate and a module process of assembling a circuit PCB or the like for driving the substrate. Then, the defect inspection process is performed for each process.

먼저, 상기 TFT가 형성된 기판이 완성되면 어레이 테스트(array test) 공정이라는 검사 공정을 진행하여 TFT 불량, 화소 패턴 불량 및 라인 단선 등을 검사한다. 그리고 회로 PCB 조립 전에 패널의 이상 유무를 검사하는 패널 검사 공정을 진행한다. 이것을 패널 검사 공정이라고 한다.First, when the substrate on which the TFT is formed is completed, an inspection process called an array test process is performed to inspect TFT defects, pixel pattern defects, line disconnection, and the like. The panel inspection process is performed to check whether the panel is abnormal before assembling the circuit PCB. This is called panel inspection process.

상기 패널 검사 공정에서는 패널의 엑티브 영역에 나타날 수 있는 이물에 의한 불량 및 상기 엑티브 영역의 두께가 부분적으로 달라짐에 따른 광학 특성의 결함, TFT의 불량에 의한 포인트 디텍트(point defect) 그리고, 게이트 및 데이터 라인의 단선에 의한 라인 디텍트(line defect) 등을 종합적으로 판단하여 패널의 양품 또는 불량품의 여부를 판단한다.In the panel inspecting process, defects due to foreign objects that may appear in the active region of the panel and defects of optical characteristics due to the partial variation of the thickness of the active region, point defects due to TFT defects, A line defect due to disconnection of the data line, and the like, to determine whether the panel is good or defective.

패널 검사 방식으로는 A/P(Auto Probe) 검사 방식과 비젼(vision) 검사 방식 그리고 쇼팅바 검사 방식이 있다.Panel inspection methods include A / P (Auto Probe) inspection method, vision inspection method and Shoting bar inspection method.

상기 쇼팅바 검사 방식은 패널의 게이트 패드와 데이터 패드를 쇼팅바(shorting bar)로 묶은 다음, 각각의 라인에 검사 신호를 인가함으로써 패널을 검사하는 방식이다.The shorting bar inspection method is a method of inspecting a panel by bundling a gate pad and a data pad of a panel with a shorting bar and then applying an inspection signal to each line.

상기 쇼팅바 검사 방식은 A/P(Auto Probe) 검사 방식과 비젼(vision) 검사 방식의 단점을 해결한 것이긴 하나 패널 검사 후 쇼팅바들은 패드들과 전기적으로 단선시키기 위해 절단 라인인 트리밍 라인(trimming line 또는 컷팅 라인(cutting line))을 따라 절단할 때 오드(Odd) 전극과 인접한 이븐(Even) 전극들이 용융되어 서로 단락되는 문제가 있었다. 특히 패널의 사이즈가 소형화됨에 따라 패드들 간의 간격이 더욱 좁아져 컷팅 라인 절단 시 전극들이 더 쉽게 단락되는 문제가 있었다. The shorting bar inspection method solves the drawbacks of the A / P (Auto Probe) inspection method and the vision inspection method. However, after the inspection of the panel, the shorting bars are electrically connected to trimming lines trimming lines or cutting lines), the odd electrodes and neighboring even electrodes are melted and short-circuited to each other. Particularly, as the size of the panel is miniaturized, the gap between the pads becomes narrower, and the electrodes are more easily short-circuited when the cutting line is cut.

본 발명에서는 상기의 문제점을 해결하기 위해, 패드부를 절단하는 공정에 있어서, 패드들 간의 단락 현상을 방지하는 표시장치와 표시장치의 제조방법 및 검사 방법을 제공하려는 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a display device for preventing a short circuit between pads in a process of cutting pads, a method of manufacturing the display device, and an inspection method.

또한, 패드부를 절단하는 공정에 있어서, 상기 패드부의 전극을 보호하는 표시장치와 표시장치의 제조방법 및 검사 방법을 제공하려는 목적도 있다.It is another object of the present invention to provide a display device for protecting the electrodes of the pad portion, a manufacturing method and an inspection method of the display device in the step of cutting the pad portion.

본 발명의 실시예는, 표시영역에 형성되고 서로 교차하면서 단위화소영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과; 상기 단위화소영역에서 서로 간에 횡전계를 형성하는 화소전극 및 공통전극과; 상기 게이트 라인과 평행하면서 비표시영역에 형성되는 데이터 쇼팅바 및 상기 데이터 라인과 평행하면서 비표시영역에 형성되는 게이트 쇼팅바와; 상기 게이트 쇼팅바와 상기 게이트 라인을 서로 연결시키는 게이트 링크배선과, 상기 데이터 쇼팅바와 상기 데이터 라인을 서로 연결시키는 데이터 링크배선과; 상기 게이트 링크배선 및 데이터 링크배선 상에 형성되는 게이트 패드 및 데이터 패드 및; 상기 게이트 링크배선 및 데이터 링크배선 상에서 상 게이트 링크배선 및 데이터 링크배선을 덮는 보호전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.An embodiment of the present invention is a display device including: a gate line and a data line which are formed in a display region and intersect each other and define a unit pixel region; A pixel electrode and a common electrode which form a transverse electric field between each other in the unit pixel region; A data shorting bar formed in a non-display area in parallel with the gate line, and a gate shorting bar formed in a non-display area parallel to the data line; A gate shorting bar for connecting the gate shorting bar and the gate line to each other, a data link wiring for connecting the data shorting bar and the data line to each other, A gate pad and a data pad formed on the gate link wiring and the data link wiring; And a protective electrode covering the upper gate link wiring and the data link wiring on the gate link wiring and the data link wiring.

본 발명의 실시예는, 상기 보호 전극은 상기 쇼팅바를 표시영역으로부터 절단시키는 커팅라인(cutting line)과 중첩되는 것을 특징으로 하는 표시장치.In an embodiment of the present invention, the protective electrode overlaps with a cutting line for cutting the shorting bar from the display area.

본 발명의 실시예는, 상기 게이트 링크배선 및 데이터 링크배선과 각각 연결되는 게이트 패드 및 데이터 패드를 더 포함하는 표시장치.An embodiment of the present invention further comprises a gate pad and a data pad each connected to the gate link wiring and the data link wiring.

본 발명의 실시예는, 상기 보호전극은 상기 게이트 쇼팅바와 게이트 패드 사이에 형성되어 있고, 상기 데이터 쇼팅바와 데이터 패드 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.본 발명의 실시예는, 상기 보호전극은 상기 화소전극 또는 공통전극을 구성하는 투명전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 표시장치.An embodiment of the present invention is characterized in that the protective electrode is formed between the gate shorting bar and the gate pad and is formed between the data shorting bar and the data pad. And the electrode is composed of the pixel electrode or the transparent electrode constituting the common electrode.

본 발명의 실시예는, 상기 보호전극은 모든 게이트 링크배선 및 데이터 링크 배선 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.The display device according to the embodiment of the present invention is characterized in that the protective electrode is formed on every gate link wiring and data link wiring.

본 발명의 실시예는, 상기 게이트 링크배선은 오드 게이트 링크배선과 이븐 게이트 링크배선으로 구성되고, 상기 데이터 링크배선은 오드 데이터 링크배선과 이븐 데이터 링크배선으로 구성되며, 상기 이븐게이트링크배선 및 이븐데이터링크배선은 보호전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 표시장치.The embodiment of the present invention is characterized in that the gate link wiring is composed of an odd gate link wiring and an even gate link wiring, the data link wiring is composed of an odd data link wiring and an even data link wiring, And the data link wiring is constituted by a protective electrode.

본 발명에 따른 실시예에 의해, 패드들 중에서 오드 패드들과 이븐 패드들을 구분하고, 이들간의 배치 구조를 변경하여 패드들 간의 간격을 증가시킨다. 또한, 컷팅 라인 절단 공정에 있어서, 패드의 전극들 간의 간격이 증가하도록 설계하여 상기 전극들 간의 단락 현상을 방지할 수 있다. 또한, 컷팅 라인 절단 공정에 있어서, 패드부의 전극들이 용융되어 서로간에 단락되는 것을 방지할 수 있다. 뿐만 아니라, 실시예는 컷팅 라인 절단 공정에 있어서, 패드부의 전극을 보호할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the odd pads and the even pads are distinguished from each other among the pads, and the arrangement structure between them is changed to increase the interval between the pads. In addition, in the cutting line cutting step, the interval between the electrodes of the pad is designed to increase, thereby preventing a short circuit between the electrodes. Further, it is possible to prevent the electrodes of the pad portion from being short-circuited by melting in the cutting line cutting step. In addition, the embodiment can protect the electrode of the pad portion in the cutting line cutting process.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시패널의 전극의 배치 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 3의 A-B의 점선 부분을 절단한 단면도이다.
도 6은 도 4의 A-B의 점선 부분을 절단한 단면도이다.
도 7은 비표시영역과 표시 영역 중에서 화소 영역을 절단한 단면도이다.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시패널의 전극의 배치 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 도 11의 A-B의 점선 부분을 절단한 단면도이다.도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시패널의 전극의 배치 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 14 내지 17은 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시패널의 전극의 배치 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 도 17 A-B의 점선 부분을 절단한 단면도이다.
도 19는 본 발명의 실시예에 따른 표시패널의 검사 과정을 설명하기 위한 도면이다.
1 to 4 are views for explaining an arrangement structure of electrodes of a display panel according to a first embodiment of the present invention.
Fig. 5 is a cross-sectional view taken along a dotted line AB in Fig.
Fig. 6 is a cross-sectional view taken along the dotted line AB in Fig.
7 is a cross-sectional view of a pixel region cut out from a non-display region and a display region.
8 to 11 are views for explaining the arrangement structure of the electrodes of the display panel according to the second embodiment of the present invention.
12 is a sectional view taken along a dotted line AB of FIG. 11. FIG. 13 is a view for explaining an arrangement structure of electrodes of a display panel according to a third embodiment of the present invention.
14 to 17 are views for explaining an arrangement structure of electrodes of a display panel according to a fourth embodiment of the present invention.
18 is a cross-sectional view taken along a dotted line in Fig.
19 is a view for explaining a process of inspecting a display panel according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예에 의한 표시장치와 표시장치의 제조방법 및 검사 방법의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a display device, a method of manufacturing a display device, and an inspection method according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of an apparatus may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

<본 발명의 제1 실시예에 따른 표시패널의 전극 형성 방법>&Lt; Electrode Forming Method of Display Panel According to First Embodiment of Present Invention >

도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시패널(100)의 전극의 배치 구조를 설명한다.The arrangement structure of the electrodes of the display panel 100 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4. FIG.

표시패널(100) 투명서 절연 기판이 될 수 있고 비표시영역(100a)과 표시영역(100b)으로 구분된다.The display panel 100 can be a transparent insulating substrate and is divided into a non-display area 100a and a display area 100b.

도 1을 참조하면, 상기 비표시영역(100a)에는 오드 데이터 쇼팅바(ODS), 오드 게이트 쇼팅바(OGS), 오드 및 이븐 데이터 링크 배선(ODL, EDL) 그리고 오드 및 이븐 게이트 링크 배선(OGL, EGL)이 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1, the non-display area 100a includes an odd data slotting (ODS), an odd gate shorting bar (OGS), an odd and even data link wiring (ODL, EDL) , EGL) may be disposed.

상기 오드 및 이븐 데이터 링크 배선(ODL, EDL)들 각각은 서로 복수개로 구성되어 서로 교대로 배치될 수 있다. 또한 상기 오드 및 이븐 게이트 링크 배선(OGL, EGL)들 각각은 서로 복수개로 구성되어 서로 교대로 배치될 수 있다.Each of the odd and even data link lines (ODL, EDL) may be formed of a plurality of each other and arranged alternately with each other. Further, each of the odd-numbered and even-numbered gate wiring lines OGL and EGL may be formed of a plurality of each other and arranged alternately with each other.

상기 게이트 링크 배선(OGL, EGL)은 게이트 쇼팅바(OGS, EGS)와 게이트 라인(GL)을 서로 연결시키고, 상기 데이터 링크 배선(ODL, EDL)은 데이터 쇼팅바(ODS, EDS)와 상기 데이터 라인(DL)을 서로 연결시킬 수 있다.The gate link lines OGL and EGL connect the gate shorting bars OGS and EGS and the gate line GL to each other and the data link lines ODL and EDL connect the data shorting bars ODS and EDS, The lines DL can be connected to each other.

구체적으로 상기 오드 데이터 링크 배선(ODL)은 상기 오드 데이터 쇼팅바(ODS)와 직접적으로 연결되어 형성될 수 있고, 이들은 서로 수직한 방향으로 배치될 수 있다. 또한 상기 오드 게이트 링크 배선(OGL)은 상기 오드 게이트 쇼팅바(OGS)와 직접적으로 연결되어 형성될 수 있고, 이들은 서로 수직한 방향으로 배치될 수 있다.Specifically, the odd data link line (ODL) may be formed directly connected to the odd data shorting bar (ODS), and they may be arranged in directions perpendicular to each other. Also, the odd gate link line OGL may be formed directly connected to the odd gate shorting bar OGS, and they may be arranged in directions perpendicular to each other.

상기 오드 및 이븐 게이트 링크 배선(OGL, EGL)들 각각은 게이트 라인(GL) 각각에 일대일로 대응되어 서로 연결될 수 있다.Each of the odd and even gate wiring lines OGL and EGL may be connected to each other in a one-to-one correspondence with each of the gate lines GL.

상기 이븐 데이터 링크 배선(EDL)과 이븐 게이트 링크 배선(EGL)은 비표시영역(100a) 중에서도 컷팅 라인(cutting line) 또 다른 용어로 트리밍라인(TL)과 대응하는 영역에 형성될 수 있다.The even data link line EDL and the even gate line EGL may be formed in a region corresponding to the trimming line TL in another term of a cutting line among the non-display region 100a.

상기 표시영역(100b)에는 상기 오드 및 이븐 게이트 링크 배선(OGL, EGL)과 직접적으로 연결되어 형성된 게이트 라인(GL)이 배치될 수 있다. 상기 게이트 라인(GL)은 오드 게이트 쇼팅바(OGS)와 서로 수직할 수 있고, 상기 오드 및 이븐 게이트 링크 배선(OGL. EGL)과 서로 평행할 수 있다.The display region 100b may be provided with a gate line GL formed directly connected to the odd and even gate link lines OGL and EGL. The gate line GL may be perpendicular to the odd gate shorting bar OGS and may be parallel to the odd and even gate link lines OGL and EGL.

비표시영역(100a)상의 오드 데이터 쇼팅바(ODS), 오드 게이트 쇼팅바(OGS), 오드 및 이븐 데이터 링크 배선(ODL, EDL), 오드 및 이븐 게이트 링크 배선(OGL, EGL) 그리고 표시영역(100b)상의 게이트 라인(GL)은 모두 동일 물질인 게이트 전극 물질로 형성될 수 있고, 모든 전극이 한번의 공정으로 형성될 수 있다. 구체적으로 기판 전면에 크롬, 몰리브덴, 탄털 혹은, 안티몬 등을 포함하는 금속 물질을 증착하고, 마스크 공정으로 패턴하여 전술한 전극들을 형성할 수 있다.(ODL), odd and even gate link lines (OGL, EGL), and display area (ODS) on the non-display area 100a, the odd data shorting bar ODS, the odd gate shorting bar OGS, the odd and even data link wirings ODL and EDL, 100b may be formed of a gate electrode material that is the same material, and all the electrodes may be formed in a single process. Specifically, a metal material including chromium, molybdenum, tantalum, or antimony may be deposited on the entire surface of the substrate, and the electrodes may be patterned by a mask process.

도 2를 참조하면, 비표시영역(100a)에는 이븐 데이터 쇼팅바(EDS) 그리고 이븐 게이트 쇼팅바(EGS)가 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, an even data display slot (EDS) and an even gate shorting bar (EGS) may be formed in the non-display area 100a.

상기 이븐 데이터 쇼팅바(EDS)는 오드 데이터 쇼팅바(ODS)와 서로 이격되어 평행하게 형성될 수 있다. 상기 이븐 게이트 쇼팅바(EGS)는 오드 게이트 쇼팅바(OGS)와 서로 이격되어 평행하게 형성될 수 있다.The even data shining bar (EDS) may be formed parallel to the odd data shorting bar (ODS). The even gate shorting bar (EGS) may be spaced apart from and parallel to the odd gate shorting bar (OGS).

표시영역(100b)상에는 복수개의 데이터 라인(DL)이 형성될 수 있고, 이들은 라인(GL)과 서로 교차하며 형성될 수 있다. 또한 상기 데이터 라인(DL)은 오드 및 이븐 데이터 링크 배선(ODL, EDL)과 서로 동일 라인으로 형성될 수 있다. 그리고 상기 데이터 라인(DL)은 오드 및 이븐 데이터 링크 배선(ODL, EDL)과 서로 이격되어 형성될 수 있다.A plurality of data lines DL may be formed on the display region 100b, and they may be formed so as to intersect with the lines GL. In addition, the data lines DL may be formed in the same line as the odd and even data link lines ODL and EDL. The data lines DL may be spaced apart from the odd and even data link lines ODL and EDL.

상기 이븐 데이터 쇼팅바(EDS), 이븐 게이트 쇼팅바(EGS) 그리고 데이터 라인(DL)은 동일 물질인 소스 또는 드레인 전극으로 형성될 수 있고, 모든 전극이 한번의 공정으로 형성될 수 있다.The even data gate electrode (EDS), the even gate shorting bar (EGS), and the data line (DL) may be formed as source or drain electrodes, and all the electrodes may be formed in a single process.

한편 상기 이븐 데이터 쇼팅바(EDS), 이븐 게이트 쇼팅바(EGS) 그리고 데이터 라인(DL)을 형성하기 전에 표시패널(100) 상에 절연 물질을 먼저 증착한다. 구체적으로 질화 실리콘 혹은 산화 실리콘과 같은 무기 절연 물질인 게이트 절연막(gate insulataion)을 형성한 후에 상기 게이트 절연막 상부에 크롬 등을 포함하는 금속을 증착하고, 마스크 공정으로 패턴하여 상기 이븐 데이터 쇼팅바(EDS), 이븐 게이트 쇼팅바(EGS) 그리고 데이터 라인(DL)을 형성할 수 있다.On the other hand, the insulating material is first deposited on the display panel 100 before forming the even data shouting bar (EDS), the even gate shorting bar (EGS), and the data line (DL). Specifically, after forming a gate insulator, which is an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon oxide, a metal containing chromium or the like is deposited on the gate insulating film, patterned by a mask process, ), An even gate shorting bar (EGS), and a data line (DL).

즉 도 1과 같이 게이트 물질로 된 오드 데이터 쇼팅바(ODS), 오드 및 이븐 데이터 링크 배선(ODL, EDL), 오드 게이트 쇼팅바(OGS), 오드 및 이븐 게이트 링크 배선(OGL, EGL) 그리고 오드 및 이븐 게이트 라인(GL)을 형성하는 제1 공정, 상기 제1 공정 이후, 게이트 절연막을 형성하는 제2 공정, 상기 제2 공정 이후, 도 2와 같이 이븐 데이터 쇼팅바(EDS), 오드 및 이븐 데이터 라인(DL) 그리고 이븐 게이트 쇼팅바(EGS)를 형성하는 제3 공정을 거쳐 전극이 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 따라서 제1 공정 시 형성된 전극과 제3 공정 시 형성된 전극은 서로 다른 층에 형성될 수 있다.(ODS), odd and even data link wiring (ODL, EDL), odd gate shorting bar (OGS), odd and even gate link wiring (OGL, EGL), and odd data sharing wiring A second step of forming a gate insulating film after the first step, and a second step of forming an even data gate (EDS), an odd and even gate An electrode may be formed on the substrate 100 through a third process of forming a data line DL and an even gate shorting bar (EGS). Accordingly, the electrode formed in the first process and the electrode formed in the third process can be formed in different layers.

도 3을 참조하면, 비표시영역(100a) 상에 데이터패드(DP) 및 게이트패드(GP)와 연결 전극(Contect electrode; CE)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3, a data pad DP, a gate pad GP, and a contact electrode CE may be formed on the non-display region 100a.

상기 데이터패드(DP)는 게이트 링크 배선(OGL, EGL) 상에 형성될 수 있고, 상기 게이트패드(GP)는 데이터 링크 배선(ODL, EDL) 상에 형성될 수 있다.The data pad DP may be formed on the gate link lines OGL and EGL and the gate pad GP may be formed on the data link lines ODL and EDL.

상기 게이트패드(GP)는 상기 게이트 링크 배선(OGL, EGL)과 연결될 수 있고, 상기 데이터패드(DP)는 데이터 링크 배선(ODL, EDL)과 연결될 수 있다.The gate pad GP may be connected to the gate link lines OGL and EGL and the data pad DP may be connected to the data link lines ODL and EDL.

표시패널(100) 검사 이후 상기 데이터패드 및 게이트패드(DP, GP)에 데이터 및 게이트 신호를 인가하여 이들과 대응하는 화소를 구동할 수 있다. 그리고 상기 연결 전극(CE) 제1 내지 제3 연결 전극(CE1, CE2, CE3)을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 전극(CE)은 이븐 데이터 쇼팅바(EDS)와 이븐 데이터 링크 배선(EDL)을 전기적으로 연결한다. 그리고 상기 제2 연결 전극(CE2)은 오드 및 이븐 데이터 링크 배선(ODL, EDL)과 데이터 라인(DL)을 전기적으로 연결한다. 또한 상기 제3 연결 전극(CE3)은 이븐 게이트 쇼팅바(EGS)와 이븐 게이트 링크 배선(EGL)을 전기적으로 서로 연결한다.After the display panel 100 is inspected, data and gate signals may be applied to the data pad and the gate pads (DP, GP) to drive corresponding pixels. The connection electrodes CE may include first to third connection electrodes CE1, CE2, and CE3. The first connection electrode CE electrically connects the even data bus (EDS) and the even data link wiring (EDL). The second connection electrode CE2 electrically connects the odd and even data link lines ODL and EDL to the data line DL. Also, the third connection electrode CE3 electrically connects the even gate shorting bar EGL and the even gate link EGL.

도 2에서 설명한 상기 이븐 데이터 쇼팅바(EDS), 이븐 게이트 쇼팅바(EGS) 그리고 데이터 라인(DL)을 형성한 후, 이들 상부에 절연 물질을 도포하여 보호 막인 페시베이션층(passivation)을 형성하고 도 3과 같이 ITO(Indium Tin Oxide) 전극 물질인 연결 전극(CE)을 형성할 수 있다.After forming the even data gate electrode (EDS), the even gate shorting bar (EGS) and the data line (DL) described in FIG. 2, an insulating material is applied on the data lines DL to form a passivation layer A connection electrode CE, which is an ITO (Indium Tin Oxide) electrode material, can be formed as shown in FIG.

상기 연결 전극(CE)은 컨택홀을 통하여 서로 다른 층에 형성된 전극들이 서로 전기적으로 연결되도록 한다. 구체적으로 페시베이션층과 게이트 절연막의 일부 영역을 식각하여 형성한 컨텍홀을 통해 외부로 노출된 오드 및 이븐 데이터 링크 배선(ODL, EDL)과 데이터 라인(DL)을 전기적으로 연결하고, 이븐 게이트 쇼팅바(EGS)와 이븐 게이트 링크 배선(EGL)을 전기적으로 서로 연결할 수 있다.The connection electrodes CE electrically connect the electrodes formed on different layers through the contact holes. Specifically, the odd and even data link lines (ODL, EDL) and the data lines (DL) exposed to the outside through the contact holes formed by etching the passivation layer and a part of the gate insulating film are electrically connected to each other, Tinguba (EGS) and even gate link wiring (EGL) can be electrically connected to each other.

도 4를 참조하면, 비표시영역(100a)에는 게이트 링크 배선(OGL, EGL) 및 데이터 링크 배선(ODL, EDL) 상에서 상기 게이트 링크 배선(OGL, EGL) 및 데이터 링크 배선(ODL, EDL)을 덮는 보호 전극(Shiled electrode;SE)이 형성될 수 있다. 상기 보호 전극(SE)은 게이트 및 데이터 쇼팅바(OGS, EGS, ODS, EDS)를 표시영역(100b)으로부터 절단시키기 위하여 트리밍 라인(TL)과 중첩되는 영역에 형성될 수 있다. 또한 상기 보호 전극(SE)은 모든 게이트 링크 배선(OGL, EGL) 및 데이터 링크 배선(OGL, EGL) 상에 형성될 수 있고, 구체적으로 오드 및 이븐 데이터 링크 배선(ODL, EDL) 상부 영역 및 오드 및 이븐 게이트 링크 배선(OGL, EGL) 상부 영역에 형성될 수 있다. 또한 상기 보호전극(SE)은 게이트 쇼팅바(OGS, EGS)와 게이트패드(GP) 사이에 형성될 수 있고, 데이터 쇼팅바(ODS, EDS)와 데이터패드(DP) 사이에 형성될 수 있다.4, in the non-display area 100a, the gate link lines OGL and EGL and the data link lines ODL and EDL are formed on the gate link lines OGL and EGL and the data link lines ODL and EDL, A shield electrode (SE) may be formed. The protective electrode SE may be formed in a region overlapping the trimming line TL to cut off the gate and data shutting bars OGS, EGS, ODS, and EDS from the display area 100b. The protective electrode SE may be formed on all of the gate link lines OGL and EGL and the data link lines OGL and EGL and specifically includes the upper area of the odd and even data link lines ODL and EDL, And the even gate line (OGL, EGL). The protective electrode SE may be formed between the gate shorting bar OGS and the gate pad GP and may be formed between the data shorting bar ODS and the data pad DP.

상기 보호 전극(SE)은 화소 전극(Pix)과 공통 전극(Com)을 구성하는 투명전극으로 구성될 수 있고, 구체적으로 ITO 전극 물질이 될 수 있다.The protective electrode SE may be formed of a transparent electrode constituting the pixel electrode Pix and the common electrode Com, and may specifically be an ITO electrode material.

도 5는 도 3의 A-B를 절단한 단면도이다.5 is a cross-sectional view taken along line A-B in Fig.

도 5를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극 구조의 형성 과정을 설명한다.The process of forming the electrode structure according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

기판(100)은 비표시영역(100a)과 표시영역(100b)으로 구분되고, 비표시영역(100a)에는 트리밍 라인(TL) 영역이 1점 쇄선으로 표시되어 있다.The substrate 100 is divided into a non-display area 100a and a display area 100b and a trimming line TL area is indicated by a one-dot chain line in the non-display area 100a.

제1 공정으로 기판(100) 상에 게이트 전극 물질의 오드 데이터 쇼팅바(ODS)와 이븐 데이터 링크 배선(EDL)을 형성할 수 있다.In the first step, an odd data shorting bar (ODS) and an even data link wiring (EDL) of the gate electrode material may be formed on the substrate 100.

제2 공정으로 질화 실리콘 혹은 산화 실리콘과 같은 무기 절연 물질인 게이트 절연막(GI)을 형성할 수 있다.In the second step, a gate insulating film (GI) which is an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon oxide can be formed.

제3 공정으로 상기 게이트 절연막(GI) 상부에 크롬 등을 포함하는 금속을 증착하고, 마스크 공정으로 패턴하여 소스 또는 드레인 전극 물질인 이븐 데이터 쇼팅바(EDS) 그리고 이븐 데이터 라인(DL)을 형성할 수 있다.In the third step, a metal containing chromium or the like is deposited on the gate insulating film GI, and patterned by a mask process to form an even data bus (EDS), which is a source or drain electrode material, and an even data line DL .

제4 공정으로 기판(100) 상부에 절연 물질을 도포하여 보호 막인 페시베이션층(PA)을 형성할 수 있다.In the fourth step, a passivation layer (PA), which is a protective film, may be formed by applying an insulating material on the substrate 100.

제5 공정으로 게이트 절연막(GI)과 페시베이션층(PA)에 컨텍홀을 형성한 후 ITO 물질인 연결 전극(CE)을 형성하여 이븐 데이터 쇼팅바(EDS)와 이븐 데이터 링크 배선(EDL) 그리고 이븐 데이터 라인(DL(even))을 전기적으로 연결하고, ITO 물질인 데이터 패드(DP)를 형성하여 ITO 전극물질과 이븐 데이터 링크 배선(EDL)을 서로 연결할 수 있다.In the fifth step, a contact hole is formed in the gate insulating film (GI) and the passivation layer (PA), and then a connecting electrode (CE), which is an ITO material, is formed to form an even data shunt bar (EDS) A data pad DP which is an ITO material may be formed to electrically connect the even data lines DL (even) to connect the ITO electrode material and the even data link lines EDL to each other.

도 6은 도 4의 A-B를 절단한 단면도이다.6 is a cross-sectional view taken along line A-B of Fig.

도 6을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 보호 전극의 형성 과정을 설명한다.Referring to FIG. 6, a process of forming the protective electrode according to the first embodiment of the present invention will be described.

도 6에서 도 5와 차이 나는 구성은 보호 전극(SE)으로써, 트리밍 라인(TL)과 대응되는 영역에 ITO 전극 물질인 보호 전극(SE)이 더 형성될 수 있다. 상기 보호 전극(SE)은 ITO 전극 물질이 되므로, 전술한 제5 공정 시 형성한 연결 전극(CE)과 데이터 패터(DP)와 동시에 형성될 수 있다.도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 비표시 영역의 전극 구조와 표시 영역의 화소 영역의 전극 구조를 나타낸 단면도이다.In FIG. 6, a structure different from FIG. 5 is a protective electrode SE, and a protective electrode SE, which is an ITO electrode material, may be further formed in a region corresponding to the trimming line TL. Since the protective electrode SE is an ITO electrode material, it can be formed at the same time as the connection electrode CE and the data pad DP formed in the fifth step described above. FIG. 7 is a cross- And the electrode structure of the pixel region of the display region.

기판(100)의 표시영역(100b)에는 서로 교차하면서 단위화소영역을 정의하는 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)이 형성될 수 있다. 그리고 상기 단위화소영역에는 서로 간에 횡전계를 형성하는 화소 전극(Pix) 및 공통 전극(Com)이 형성될 수 있다.The display region 100b of the substrate 100 may be formed with a gate line GL and a data line DL which define a unit pixel region intersecting with each other. A pixel electrode Pix and a common electrode Com, which form a transverse electric field between each other, may be formed in the unit pixel region.

비표시영역(100a)에는 상기 데이터 라인(DL)과 서로 평행한 오드 및 이븐 게이트 쇼팅바(OGS, EGS)가 형성될 수 있고, 상기 게이트 라인(GL)과 평행한 오드 및 이븐 데이터 쇼팅바(ODS, EDS)가 형성될 수 있다.In the non-display area 100a, odd and even gate shorting bars (OGS, EGS) parallel to the data line DL may be formed, and odd and even data sharing bars ODS, EDS) may be formed.

도 7을 참조하면, 표시영역(100b)상의 화소 영역은 기판(100) 상에 형성된 게이트 전극(G)과 상기 게이트 전극(G) 상부에 형성된 게이트 절연막(GI) 그리고 상기 게이트 절연막(Gi) 상부에 형성된 액티브 전극(Active)과 상기 액티브 전극(Active) 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극(S, D)으로 구성된 박막 트랜지스터 영역과 이를 덮는 페시베이션층(PA), 상기 페이베이션층(PA)에 형성된 컨텍홀을 통해 접촉된 화소 전극(Pix)과 상기 페시베이션층(PA) 상부에 형성된 공통전극(Com)을 포함할 수 있다. 7, the pixel region on the display region 100b includes a gate electrode G formed on the substrate 100, a gate insulating film GI formed on the gate electrode G, (PA) covering the thin film transistor region and the passivation layer (PA). The passivation layer (PA) is composed of the active electrode (Active) formed on the active layer (Active) and the source and drain electrodes And a common electrode Com formed on the passivation layer PA and a pixel electrode Pix which is in contact through a contact hole.

이와 같은 공통 전극(Com) 탑(Top) 구조를 가진 화소 영역에서 게이트 전극(G)은 도 5 및 6에서의 제1 공정시 형성되는 오드 데이터 쇼팅바(ODS) 및 이븐 데이터 링크 배선(EDL)과 동시에 형성될 수 있다.In the pixel region having such a common electrode (Com) top structure, the gate electrode G is connected to the odd data shorting bar (ODS) and odd data link wiring (EDL) formed in the first step in FIGS. As shown in FIG.

또한 소스 및 드레인 전극(S, D)은 도 5 및 6에서의 제3 공정 시 형성되는 이븐 데이터 쇼팅바(EDS) 및 이븐 데이터 라인(DL)과 동시에 형성될 수 있다.Further, the source and drain electrodes S and D may be formed simultaneously with the even data shortening bar EDS and the even data line DL formed in the third process in FIGS. 5 and 6.

또한 픽셀 전극(Pix)과 공통 전극(Com)은 연결 전극(CE), 데이터 패드(DP) 그리고 보호 전극(SE) 중 어느 하나가 형성될 때 동시에 형성될 수 있다.The pixel electrode Pix and the common electrode Com may be formed at the same time when any one of the connection electrode CE, the data pad DP, and the protective electrode SE is formed.

본 발명의 제1 실시예에 따르면 트리밍 라인(TL)을 절단할 때 상기 보호 전극(SE)은 하부에 배치된 오드 및 이븐 데이터 링크 배선(ODL, EDL) 및 오드 및 이븐 게이트 링크 배선(OGL, EGL)이 용융되어 주변 영역으로 퍼지면서 주변 전극들과 단락되는 것을 방지할 수 있다.According to the first embodiment of the present invention, when cutting the trimming line TL, the protective electrode SE is connected to the odd and even data link lines ODL and EDL and the odd and even gate link lines OGL, EGL) is melted and spreads to the peripheral region and is prevented from being short-circuited to the peripheral electrodes.

그 이유는 ITO 전극 물질은 게이트 전극보다 강성이 강하여, 트리밍 라인(TL) 절단 시 용융되는 정도가 게이트 물질보다 덜하기 때문이다. 따라서 ITO 전극 물질로 이루어진 보호 전극(SE)을 오드 및 이븐 데이터 링크 배선(ODL, EDL) 상부 영역 및 오드 및 이븐 게이트 링크 배선(OGL, EGL) 상부 영역에 형성함으로써, 이들이 용융되어 확산하는 것을 최소화할 수 있다.The reason for this is that the ITO electrode material is stronger than the gate electrode, and the degree of melting of the trimming line TL is less than that of the gate material. Therefore, by forming the protective electrode SE made of the ITO electrode material in the upper region of the odd and even data link wiring (ODL, EDL) and the upper portion of the odd and even gate wiring wiring (OGL, EGL) can do.

또한 신호가 비표시영역(100a)에서 표시영역(100b)으로 전달될 때 상대적으로 비표시영역(100a) 상의 라인들이 표시영역(100b)보다 더 조밀하여 비표시영역(100a)상의 전극들이 서로 단락되는 문제가 많으나, 본 발명의 실시예에 따라 전극을 배치하는 경우 이를 방지할 수 있는 효과가 있다. Also, when a signal is transmitted from the non-display area 100a to the display area 100b, the lines on the non-display area 100a are denser than the display area 100b, However, when the electrode is arranged according to the embodiment of the present invention, it is possible to prevent the problem.

<본 발명의 제2 실시예에 따른 표시패널의 전극 형성 방법>&Lt; Method of Forming Electrode of Display Panel According to Second Embodiment of the Present Invention &

도 8 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시패널(100)의 전극의 배치 구조를 설명한다.The arrangement structure of the electrodes of the display panel 100 according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 to 12. FIG.

이하 오드 데이터 라인은 오드 데이터 링크 배선과 연결되는 라인이고, 이븐 데이터 라인은 이븐 데이터 링크 배선과 연결되는 라인이고, 오드 게이트 라인은 오드 게이트 링크 배선과 연결되는 라인이고, 이븐 게이트 라인은 이븐 게이트 링크 배선과 연결되는 라인이다.Hereinafter, the odd data line is a line connected to the odd data link wiring, the even data line is a line connected to the even data link wiring, the odd gate line is a line connected to the odd gate link wiring, It is a line connected with wiring.

본 발명의 제2 실시예를 설명함에 있어서, 제1 실시예와 동일한 구성에 대해서 동일 명칭을 부여하고 그에 따른 동일한 효과에 대해서는 자세한 설명을 생략한다.In describing the second embodiment of the present invention, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same names, and detailed explanations of the same effects are omitted.

표시패널(100)은 비표시영역(100a)과 표시영역(100b)으로 구분된다.The display panel 100 is divided into a non-display area 100a and a display area 100b.

도 8을 참조하면, 상기 비표시영역(100a)에는 오드 데이터 쇼팅바(ODS), 오드 게이트 쇼팅바(OGS), 오드 데이터 링크 배선(ODL) 그리고 오드 게이트 링크 배선(OGL)이 배치될 수 있다.8, an odd data shorting bar (ODS), an odd gate shorting bar (OGS), an odd data link wiring (ODL) and an odd gate link wiring (OGL) may be disposed in the non-display area 100a .

복수개의 상기 오드 데이터 링크 배선(ODL)들 각각의 사이의 영역에는 이븐 데이터 링크 배선(미도시)이 배치될 수 있도록 적당한 거리로 이격되어 배치될 수 있다. 또한 상기 오드 게이트 링크 배선(OGL)들 각각의 사이의 영역에는 이븐 게이트 링크 배선(미도시)이 배치될 수 있도록 적당한 거리로 이격되어 배치될 수 있다. And may be spaced apart from each other by a suitable distance so that even data link wiring (not shown) may be disposed in a region between each of the plurality of odd data link wirings (ODL). And may be spaced apart from each other by an appropriate distance so that an even gate link wiring (not shown) may be disposed in an area between each of the odd gate link lines OGL.

상기 오드 데이터 링크 배선(ODL)은 상기 오드 데이터 쇼팅바(ODS)와 직접적으로 연결되어 형성될 수 있고, 이들은 서로 수직한 방향으로 배치될 수 있다. 또한 상기 오드 게이트 링크 배선(OGL)은 상기 오드 게이트 쇼팅바(OGS)와 직접적으로 연결되어 형성될 수 있고, 이들은 서로 수직한 방향으로 배치될 수 있다.The odd data link line (ODL) may be formed directly connected to the odd data shorting bar (ODS), and they may be arranged in directions perpendicular to each other. Also, the odd gate link line OGL may be formed directly connected to the odd gate shorting bar OGS, and they may be arranged in directions perpendicular to each other.

상기 오드 게이트 링크 배선(OGL) 각각은 게이트 라인(GL) 각각에 서로 연결될 수 있다.Each odd gate link line OGL may be connected to each of the gate lines GL.

상기 표시영역(100b)에는 상기 오드 게이트 링크 배선(OGL)과 직접적으로 연결되어 형성된 오드 게이트 라인(GL(odd))이 배치될 수 있다. 상기 게이트 라인(GL)은 오드 게이트 쇼팅바(OGS)와 서로 수직할 수 있고, 상기 오드 게이트 링크 배선(OGL)과 서로 평행할 수 있다.An odd gate line GL (odd) formed directly connected to the odd gate link line OGL may be disposed in the display area 100b. The gate line GL may be perpendicular to the odd gate shorting bar OGS and may be parallel to the odd gate link line OGL.

상기 게이트 라인(GL) 중에서 이후 형성될 이븐 게이트 링크 배선(미도시)과 연결될 이븐 게이트 라인(GL(even)))은 표시영역(100b) 뿐만 아니라 비표시영역(100a)상에도 연장 형성될 수 있다. 즉 비표시영역(100a) 중에서도 트리밍라인(TL)과 표시영역(100b)의 경계선 사이의 영역에 까지 연장 형성될 수 있다. 그러나 상기 이븐 게이트 라인(GL(even))은 트리밍 라인(TL)에는 대응되지 않도록 한다.An even gate line GL (even) to be connected to an even gate line wiring (not shown) to be formed later in the gate line GL can be extended not only on the display region 100b but also on the non-display region 100a have. That is, the area between the boundary line of the trimming line TL and the display area 100b in the non-display area 100a. However, the even gate lines GL (even) do not correspond to the trimming lines TL.

비표시영역(100a)상의 오드 데이터 쇼팅바(ODS), 오드 게이트 쇼팅바(OGS), 오드 데이터 링크 배선(ODL), 오드 게이트 링크 배선(OGL) 그리고 표시영역(100b)상의 게이트 라인(GL)은 모두 동일 물질인 게이트 전극 물질로 형성될 수 있고, 모든 전극이 한번의 공정으로 형성될 수 있다. The odd data sharing line ODS, the odd gate shorting bar OGS, the odd data link line ODL, the odd gate link line OGL and the gate line GL on the display area 100b on the non- May all be formed of the same material as the gate electrode material, and all the electrodes may be formed in a single process.

도 9를 참조하면, 상기 비표시영역(100a)에는 이븐 데이터 쇼팅바(EDS) 그리고 이븐 게이트 쇼팅바(EGS)가 형성될 수 있다. 상기 이븐 데이터 쇼팅바(EDS)는 오드 데이터 쇼팅바(ODS)와 서로 이격되어 평행하게 형성될 수 있다. 상기 이븐 게이트 쇼팅바(EGS)는 오드 게이트 쇼팅바(OES)와 서로 이격되어 평행하게 형성될 수 있다.Referring to FIG. 9, the non-display area 100a may include an even data shining bar (EDS) and an even gate shortening bar (EGS). The even data shining bar (EDS) may be formed parallel to the odd data shorting bar (ODS). The even gate shorting bar (EGS) may be formed parallel to and spaced apart from the odd gate shorting bar (OES).

표시영역(100b)상에는 복수개의 데이터 라인(DL)이 형성될 수 있고, 이들은 게이트 라인(GL)과 서로 교차하며 형성될 수 있다. 또한 상기 데이터 라인(DL)은 오드 데이터 링크 배선(ODL)과 서로 평행하게 형성될 수 있다. 그리고 상기 데이터 라인(DL)은 오드 데이터 링크 배선(ODL)과 서로 이격되어 형성될 수 있다.A plurality of data lines DL may be formed on the display region 100b, and they may be formed to intersect with the gate lines GL. The data lines DL may be formed parallel to the odd data link lines ODL. The data lines DL may be spaced apart from the odd data link lines ODL.

상기 이븐 데이터 쇼팅바(EDS), 이븐 게이트 쇼팅바(EGS) 그리고 데이터 라인(DL)은 동일 물질인 소스 또는 드레인 전극으로 형성될 수 있고, 모든 전극이 한번의 공정으로 형성될 수 있다.The even data gate electrode (EDS), the even gate shorting bar (EGS), and the data line (DL) may be formed as source or drain electrodes, and all the electrodes may be formed in a single process.

한편 상기 이븐 데이터 쇼팅바(EDS), 이븐 게이트 쇼팅바(EGS) 그리고 데이터 라인(DL)들을 형성하기 전에 표시패널(100) 상에 절연 물질을 먼저 증착한다. On the other hand, the insulating material is first deposited on the display panel 100 before forming the even data shouting bar (EDS), the even gate shorting bar (EGS), and the data lines (DL).

도 10을 참조하면, 비표시영역(100a) 상에 이븐 데이터 쇼팅바(EDS)와 이븐 데이터 라인(DL(even))을 서로 연결하는 이븐 데이터 링크 배선(EDL)이 형성될 수 있다. 상기 이븐 데이터 링크 배선(EDL)은 오드 데이터 링크 배선(ODL)들 사이의 영역에 형성될 수 있다. 즉 상기 이븐 데이터 링크 배선(EDL)들은 오드 데이터 링크 배선(ODL)들과 교대로 배치될 수 있다. 또한 이븐 게이트 쇼팅바(EGS)와 이븐 게이트 라인(GL(even))을 서로 연결하는 이븐 게이트 링크 배선(EGL)이 형성될 수 있다. 상기 이븐 게이트 링크 배선(EGL)은 오드 게이트 링크 배선(OGL)들 사이의 영역에 형성될 수 있다. 즉 상기 이븐 게이트 링크 배선(EGL)들은 오드 게이트 링크 배선(OGL)들과 교대로 배치될 수 있다.Referring to FIG. 10, an even data link line (EDL) may be formed on the non-display area 100a to connect an even data bus (EDS) and even data lines (DL) to each other. The even data link line EDL may be formed in an area between the odd data link lines ODL. That is, the even data link lines (EDLs) may be alternately arranged with the odd data link lines (ODLs). An even gate line (EGL) may be formed to connect the even gate line (EGS) and even gate line (GL) to each other. The even gate link wiring EGL may be formed in an area between the odd gate wiring lines OGL. That is, the even gate line interconnects EGL may be arranged alternately with the odd gate interconnect lines OGL.

상기 이븐 데이터 링크 배선(EDL)은 링크 배선컨텍홀을 통해 이븐 데이터 쇼팅바(EDS)와 이븐 데이터 라인(DL(even))을 서로 연결하고, 상기 이븐 게이트 링크 배선(EGL)은 이븐 게이트 쇼팅바(EGS)와 이븐 게이트 라인(GL(even))을 서로 연결할 수 있다.The even data link line (EDL) connects the even data shortening line (EDS) and the even data line (DL) through the link wiring contact hole. The even gate link line (EGL) (EGS) and even gate lines GL (even).

한편 상기 이븐 데이터 링크 배선(EDL)과 이븐 게이트 링크 배선(EGL)은 컨텍홀을 통해 하부 층에 형성된 전극과 연결될 수 있다.Meanwhile, the even data link wiring (EDL) and the even gate wiring wiring (EGL) may be connected to the electrodes formed on the lower layer through the contact hole.

상기 이븐 데이터 링크 배선(EDL)과 상기 이븐 게이트 링크 배선(EGL)은 ITO 전극 물질로 이루어져 한번의 공정으로 형성될 수 있다.The even data link wiring (EDL) and the even gate wiring wiring (EGL) may be formed by a single process using an ITO electrode material.

도 11을 참조하면, 비표시영역(100a) 상에 연결 전극(CE)이 형성될 수 있다. 상기 연결 전극(CE)은 오드 데이터 링크 배선(ODL)과 오드 데이터 라인(DL(odd))을 전기적으로 연결할 수 있다. Referring to FIG. 11, a connecting electrode CE may be formed on the non-display region 100a. The connection electrode CE may electrically connect the odd data link line ODL and the odd data line DL (odd).

상기 연결 전극(CE)은 컨택홀을 통하여 서로 다른 층에 형성된 전극들이 서로 전기적으로 연결되도록 한다.The connection electrodes CE electrically connect the electrodes formed on different layers through the contact holes.

상기 도 10 및 도 11의 이븐 데이터 링크 배선(EDL)과 이븐 게이트 링크 배선(EGL) 그리고 연결 전극(CE)은 투명 전극 물질 구체적으로 ITO 전극 물질로 이루어져 동일 공정으로 한번에 형성될 수 있다.The even data link wiring (EDL), the even gate wiring wiring (EGL), and the connecting electrode CE shown in FIGS. 10 and 11 may be formed at one time by the same process, which is made of a transparent electrode material, specifically ITO electrode material.

도 12는 도 11의 A-B로 표시된 점선부분을 절단한 단면도이다.12 is a cross-sectional view taken along the line indicated by A-B in Fig.

도 12를 참조하면, 기판(100)은 비표시영역(100a)과 표시영역(100b)으로 구분되고, 비표시영역(100a)에는 트리밍 라인(TL) 영역이 1점 쇄선으로 표시되어 있다.12, the substrate 100 is divided into a non-display area 100a and a display area 100b, and a trimming line TL area is indicated by a one-dot chain line in the non-display area 100a.

제1 공정으로 기판(100) 상에 게이트 전극 물질의 오드 데이터 쇼팅바(ODS)를 형성할 수 있다.In a first step, an odd data shorting bar (ODS) of the gate electrode material may be formed on the substrate 100.

제2 공정으로 질화 실리콘 혹은 산화 실리콘과 같은 무기 절연 물질인 게이트 절연막(GI)을 형성할 수 있다.In the second step, a gate insulating film (GI) which is an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon oxide can be formed.

제3 공정으로 상기 게이트 절연막(GI) 상부에 크롬 등을 포함하는 금속을 증착하고, 마스크 공정으로 패턴하여 소드 또는 드레인 전극 물질인 이븐 데이터 쇼팅바(EDS) 그리고 이븐 데이터 라인(DL)을 형성할 수 있다.In the third step, a metal containing chromium or the like is deposited on the gate insulating layer GI, and patterned by a mask process to form an even data bus (EDS) or a even data line (DL) .

제4 공정으로 기판(100) 상부에 절연 물질을 도포하여 보호 막인 페시베이션층(PA)을 형성할 수 있다.In the fourth step, a passivation layer (PA), which is a protective film, may be formed by applying an insulating material on the substrate 100.

제5 공정으로 페시베이션층(PA)에 컨텍홀을 형성한 후 ITO 물질인 이븐 데이터 링크 배선(EDL)을 형성하여 이븐 데이터 쇼팅바(EDS)와 그리고 이븐 데이터 라인(DL(even))을 전기적으로 연결할 수 있다.In the fifth step, a contact hole is formed in the passivation layer (PA), and an even data link line (EDL), which is an ITO material, is formed to electrically connect the even data bus (EDS) .

본 발명에 따른 제2 실시예는 제1 실시예와 달리 오드 데이터 링크 배선(ODL)들 사이의 영역에 게이트 전극이 아닌 ITO 전극 물질로 이루어진 이븐 데이터 링크 배선(EDL)이 배치된다. 즉, 상기 이븐 데이터 링크 배선(EDL) 및 이븐 게이트 링크 배선(EGL)은 제1 실시예에서 설명한 보호전극(CE)이 될 수 있다. 그리하여 게이트 전극 물질로 이루어진 오드 데이터 링크 배선(ODL)들의 서로간의 간격이 충분하기 때문에 트리밍 라인(TL) 절단 시 상기 오드 데이터 링크 배선(ODL)이 용융되어 주변 영역으로 퍼지더라도 인접한 전극과 단락되는 것을 방지할 수 있다. 마찬가지로 오드 게이트 링크 배선(OGL)들 사이의 영역에 게이트 전극이 아닌 ITO 전극 물질로 이루어진 이븐 게이트 링크 배선(EGL)이 배치되어, 게이트 전극 물질로 이루어진 오드 게이트 링크 배선(OGL)들 간의 간격이 충분할 수 있다. 따라서 트리밍 라인(TL) 절단 시 상기 오드 게이트 링크 배선(ODL)이 용융되어 주변 영역으로 퍼지면서 단락되는 현상을 방지할 수 있다. In the second embodiment according to the present invention, uneven data link wiring (EDL) made of an ITO electrode material rather than a gate electrode is disposed in an area between odd data link lines (ODL), unlike the first embodiment. That is, the even data link wiring EDL and the even gate wiring wiring EGL may be the protective electrode CE described in the first embodiment. Thus, even when the odd data link line ODL is melted and spread to the peripheral area at the time of cutting the trimming line TL due to a sufficient distance between the odd data link lines ODL made of the gate electrode material, . Likewise, even-numbered gate wiring lines EGL made of an ITO electrode material other than the gate electrodes are disposed in the area between the odd gate wiring lines OGL, so that the gap between the odd gate wiring lines OGL made of the gate electrode material is sufficient . Therefore, when the trimming line TL is cut, the odd gate wiring line ODL can be prevented from being melted and short-circuited while spreading to the peripheral region.

한편 상기 오드 데이터 링크 배선(ODL)과 이븐 데이터 링크 배선(EDL)은 서로 다른 층에 형성되므로, 각 전극들이 용융되어도 서로 간에 단락되는 것을 방지할 수 있다. 따라서 상기 오드 데이터 링크 배선(ODL)과 이븐 데이터 링크 배선(EDL)간의 간격을 조밀하게 할 수 있고, 그에 따라 데이터 라인(DL)들의 간격도 조밀하게 할 수 있는 효과를 가진다. 또한 오드 게이트 링크 배선(OGL)과 이븐 게이트 링크 배선(EGL)을 서로 다른 층에 형성함으로써 얻을 수 있는 효과 전술한 바와 동일하다.On the other hand, since the odd data link wiring (ODL) and the even data link wiring (EDL) are formed on different layers, it is possible to prevent the electrodes from being short-circuited even if they are melted. Therefore, the interval between the odd data link line ODL and the even data link line EDL can be narrowed, and the interval of the data lines DL can be narrowed accordingly. Further, the effects obtained by forming the odd gate link wiring (OGL) and the even gate link wiring (EGL) in different layers are the same as described above.

<본 발명의 제3 실시예에 따른 표시패널의 전극 형성 방법>&Lt; Method of Forming Electrode of Display Panel According to Third Embodiment of the Present Invention &

도 13을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시패널(100)의 전극의 배치 구조를 설명한다.The arrangement structure of the electrodes of the display panel 100 according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

본 발명의 제3 실시예를 설명함에 있어서, 제1 및 제2 실시예와 동일한 구성에 대해서 동일 명칭을 부여하고 그에 따른 동일한 효과에 대해서는 자세한 설명을 생략한다.In describing the third embodiment of the present invention, the same components as those of the first and second embodiments are denoted by the same names, and detailed description of the same effects will be omitted.

도 13을 참조하면, 비표시영역(100a)에는 보호 전극(Shiled electrode;SE)이 형성될 수 있다. 상기 보호 전극(SE)은 트리밍 라인(TL) 대응되는 영역에 형성될 수 있다. 또한 상기 보호 전극(SE)은 오드 데이터 링크 배선(ODL) 상부 영역 및 오드 게이트 링크 배선(OGL) 상부 영역에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 13, a shield electrode (SE) may be formed in the non-display region 100a. The protective electrode SE may be formed in a region corresponding to the trimming line TL. Also, the protective electrode SE may be formed on the odd data link wiring (ODL) upper region and the odd gate link wiring (OGL) upper region.

상기 보호 전극(SE)은 게이트 전극 물질에 비하여 상대적으로 강성이 강한 ITO 전극 물질이 될 수 있다.The protective electrode SE may be an ITO electrode material having a relatively higher rigidity than the gate electrode material.

트리밍 라인(TL)을 절단할 때 상기 보호 전극(SE)은 하부에 배치된 오드 데이터 링크 배선(ODL) 및 오드 게이트 링크 배선(OGL)이 용융되어 주변 영역으로 퍼지면서 주변 전극들과 단락되는 것을 방지할 수 있다.When the trimming line TL is cut, the protective electrode SE is formed such that the odd data link wiring ODL and the odd gate wiring OGL disposed at the lower portion thereof are melted and short-circuited to the peripheral electrodes while spreading to the peripheral region .

<본 발명의 제4 실시예에 따른 표시패널의 전극 형성 방법><Method of Forming Electrode of Display Panel According to Fourth Embodiment of Present Invention>

도 14 내지 도 18를 참조하여 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시패널(100)의 전극의 배치 구조를 설명한다.The arrangement structure of the electrodes of the display panel 100 according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 14 to 18. FIG.

본 발명의 제4 실시예를 설명함에 있어서, 제1 내지 제3 실시예와 동일한 구성에 대해서 동일 명칭을 부여하고 그에 따른 동일한 효과에 대해서는 자세한 설명을 생략한다.In describing the fourth embodiment of the present invention, the same components as those of the first to third embodiments are denoted by the same names, and a detailed description of the same effects will be omitted.

표시패널(100)은 비표시영역(100a)과 표시영역(100b)으로 구분된다.The display panel 100 is divided into a non-display area 100a and a display area 100b.

도 14를 참조하면, 상기 비표시영역(100a)에는 오드 데이터 쇼팅바(ODS), 오드 게이트 쇼팅바(OGS), 오드 데이터 링크 배선(ODL) 그리고 오드 게이트 링크 배선(OGL)이 배치될 수 있다.14, an odd data shorting bar (ODS), an odd gate shorting bar (OGS), an odd data link wiring (ODL), and an odd gate link wiring (OGL) may be disposed in the non-display area 100a .

복수개의 상기 오드 데이터 링크 배선(ODL)들 각각의 사이의 영역에는 이븐 데이터 링크 배선(미도시)이 배치될 수 있도록 적당한 거리로 이격되어 배치될 수 있다. 또한 상기 오드 게이트 링크 배선(OGL)들 각각의 사이의 영역에는 이븐 게이트 링크 배선(미도시)이 배치될 수 있도록 적당한 거리로 이격되어 배치될 수 있다. And may be spaced apart from each other by a suitable distance so that even data link wiring (not shown) may be disposed in a region between each of the plurality of odd data link wirings (ODL). And may be spaced apart from each other by an appropriate distance so that an even gate link wiring (not shown) may be disposed in an area between each of the odd gate link lines OGL.

상기 오드 데이터 링크 배선(ODL)은 상기 오드 데이터 쇼팅바(ODS)와 직접적으로 연결되어 형성될 수 있고, 이들은 서로 수직한 방향으로 배치될 수 있다. 또한 상기 오드 게이트 링크 배선(OGL)은 상기 오드 게이트 쇼팅바(OGS)와 직접적으로 연결되어 형성될 수 있고, 이들은 서로 수직한 방향으로 배치될 수 있다.The odd data link line (ODL) may be formed directly connected to the odd data shorting bar (ODS), and they may be arranged in directions perpendicular to each other. Also, the odd gate link line OGL may be formed directly connected to the odd gate shorting bar OGS, and they may be arranged in directions perpendicular to each other.

상기 오드 게이트 링크 배선(OGL) 각각은 게이트 라인(GL) 각각에 서로 연결될 수 있다.Each odd gate link line OGL may be connected to each of the gate lines GL.

상기 표시영역(100b)에는 상기 오드 게이트 링크 배선(OGL)과 직접적으로 연결되어 형성된 오드 게이트 라인(GL(odd))이 배치될 수 있다. 상기 오드 게이트 라인(GL(odd))은 오드 게이트 쇼팅바(OGS)와 서로 수직할 수 있고, 상기 오드 게이트 링크 배선(OGL)과 서로 평행할 수 있다.An odd gate line GL (odd) formed directly connected to the odd gate link line OGL may be disposed in the display area 100b. The odd gate line GL (odd) may be perpendicular to the odd gate shorting bar OGS and may be parallel to the odd gate link line OGL.

상기 게이트 라인(GL) 중에서 이후 형성될 이븐 게이트 링크 배선(미도시)과 연결될 게이트 라인, 즉 이븐 게이트 라인(GL(even))은 표시영역(100b) 뿐만 아니라 비표시영역(100a)상에도 연장 형성될 수 있다. 즉 비표시영역(100a) 중에서도 트리밍라인(TL)과 표시영역(100b)의 경계선 사이의 영역에 까지 연장 형성될 수 있다. 그러나 상기 이븐 게이트 라인(GL(even))은 트리밍 라인(TL)에는 대응되지 않도록 한다.A gate line GL (even) to be connected to an even gate line wiring (not shown) to be formed later in the gate line GL extends not only on the display region 100b but also on the non-display region 100a . That is, the area between the boundary line of the trimming line TL and the display area 100b in the non-display area 100a. However, the even gate lines GL (even) do not correspond to the trimming lines TL.

비표시영역(100a)상의 오드 데이터 쇼팅바(ODS), 오드 게이트 쇼팅바(OGS), 오드 데이터 링크 배선(ODL), 오드 게이트 링크 배선(OGL) 그리고 표시영역(100b)상의 게이트 라인(GL)은 모두 동일 물질인 게이트 전극 물질로 형성될 수 있고, 모든 전극이 한번의 공정으로 형성될 수 있다. The odd data sharing line ODS, the odd gate shorting bar OGS, the odd data link line ODL, the odd gate link line OGL and the gate line GL on the display area 100b on the non- May all be formed of the same material as the gate electrode material, and all the electrodes may be formed in a single process.

도 15를 참조하면, 상기 비표시영역(100a)에는 이븐 데이터 쇼팅바(EDS), 이븐 데이터 링크 배선(EDL) 그리고 이븐 게이트 쇼팅바(EGS)가 형성될 수 있다. 상기 이븐 데이터 링크 배선(EDL)은 상기 이븐 데이터 쇼팅바(EDS)로부터 연장 형성될 수 있고, 동일 동일, 동일 공정으로 한번에 형성될 수 있다. 상기 이븐 데이터 쇼팅바(EDS)는 오드 데이터 쇼팅바(ODS)와 서로 이격되어 평행하게 형성될 수 있다. 상기 이븐 게이트 쇼팅바(EGS)는 오드 게이트 쇼팅바(OES)와 서로 이격되어 평행하게 형성될 수 있다.Referring to FIG. 15, the non-display area 100a may be formed with an even data sharing electrode (EDS), an even data link wiring (EDL), and an even gate shorting bar (EGS). The even data link line (EDL) may be extended from the even data shining bar (EDS) and formed at the same time in the same process. The even data shining bar (EDS) may be formed parallel to the odd data shorting bar (ODS). The even gate shorting bar (EGS) may be formed parallel to and spaced apart from the odd gate shorting bar (OES).

표시영역(100b)상에는 복수개의 데이터 라인(DL)이 형성될 수 있고, 이들은 게이트 라인(GL)과 서로 교차하며 형성될 수 있다. 또한 상기 데이터 라인(DL) 중에서 오드 데이터 라인(DL(odd))은 오드 데이터 링크 배선(ODL)과 서로 평행하게 형성될 수 있다. 그리고 이븐 데이터 라인(DL(even))은 이븐 데이터 링크 배선(EDL)과 직접 연결될 수 있고, 동일 공정 그리고 동일 물질로 한번에 형성될 수 있다. 그리고 상기 오드 데이터 라인(DL(odd))은 오드 데이터 링크 배선(ODL)과 서로 이격되어 형성될 수 있다.A plurality of data lines DL may be formed on the display region 100b, and they may be formed to intersect with the gate lines GL. The odd data lines DL (odd) may be formed parallel to the odd data link lines ODL in the data lines DL. The even data lines DL (even) can be directly connected to the even data link lines EDL, and can be formed at the same time and in the same material at the same time. The odd data lines DL (odd) may be formed apart from the odd data link lines ODL.

상기 이븐 데이터 쇼팅바(EDS), 이븐 게이트 쇼팅바(EGS) 그리고 데이터 라인(DL)은 동일 물질인 소스 또는 드레인 전극으로 형성될 수 있고, 모든 전극이 한번의 공정으로 형성될 수 있다.The even data gate electrode (EDS), the even gate shorting bar (EGS), and the data line (DL) may be formed as source or drain electrodes, and all the electrodes may be formed in a single process.

한편 상기 이븐 데이터 쇼팅바(EDS), 이븐 게이트 쇼팅바(EGS) 그리고 데이터 라인(DL)들을 형성하기 전에 표시패널(100) 상에 절연 물질을 먼저 증착한다. On the other hand, the insulating material is first deposited on the display panel 100 before forming the even data shouting bar (EDS), the even gate shorting bar (EGS), and the data lines (DL).

도 16을 참조하면, 비표시영역(100a) 상에 ITO 전극 물질로 구성된 이븐 게이트 링크 배선(EGL)이 형성되고, 컨텍홀을 통하여 이븐 게이트 쇼팅바(EGS)와 이븐 게이트 라인(GL(even))을 서로 전기적으로 연결할 수 있다. 그리고 상기 연결 전극(CE)은 컨텍홀을 통하여 오드 데이터 링크 배선(ODL)과 오드 데이터 라인(DL(odd))을 서로 전기적으로 연결할 수 있다. 16, an even gate line EGL composed of an ITO electrode material is formed on a non-display region 100a, and an even gate shorting gate EGS and even gate lines GL (even) are formed through a contact hole. Can be electrically connected to each other. The connection electrode CE may electrically connect the odd data link line ODL and the odd data line DL d via a contact hole.

도 17을 참조하면, 비표시영역(100a) 상에 ITO 전극 물질로 구성된 데이터 패드(DP) 및 게이트 패드(GP)가 형성될 수 있고, 보호 전극(SE)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 17, a data pad DP and a gate pad GP composed of an ITO electrode material may be formed on the non-display area 100a, and a protective electrode SE may be formed.

도 18은 도 17의 A-B의 점선 부분을 절단한 단면도이다.18 is a sectional view taken along the line A-B in Fig.

도 18을 참조하면, 기판(100)은 비표시영역(100a)과 표시영역(100b)으로 구분되고, 비표시영역(100a)에는 트리밍 라인(TL) 영역이 1점 쇄선으로 표시되어 있다.18, the substrate 100 is divided into a non-display area 100a and a display area 100b. In the non-display area 100a, a trimming line TL area is indicated by a one-dot chain line.

제1 공정으로 기판(100) 상에 게이트 전극 물질의 오드 데이터 쇼팅바(ODS)를 형성할 수 있다.In a first step, an odd data shorting bar (ODS) of the gate electrode material may be formed on the substrate 100.

제2 공정으로 질화 실리콘 혹은 산화 실리콘과 같은 무기 절연 물질인 게이트 절연막(GI)을 형성할 수 있다.In the second step, a gate insulating film (GI) which is an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon oxide can be formed.

제3 공정으로 상기 게이트 절연막(GI) 상부에 크롬 등을 포함하는 금속을 증착하고, 마스크 공정으로 패턴하여 소드 또는 드레인 전극 물질인 이븐 데이터 쇼팅바(EDS), 이븐 데이터 링크 배선(EDL) 그리고 이븐 데이터 라인(DL)을 형성할 수 있다.In the third step, a metal containing chromium or the like is deposited on the gate insulating film GI and patterned by a mask process to form a soda or drain electrode material, such as an even data bus (EDS), an even data link wiring (EDL) The data line DL can be formed.

제4 공정으로 기판(100) 상부에 절연 물질을 도포하여 보호 막인 페시베이션층(PA)을 형성할 수 있다.In the fourth step, a passivation layer (PA), which is a protective film, may be formed by applying an insulating material on the substrate 100.

제5 공정으로 페시베이션층(PA)에 컨텍홀을 형성한 후 ITO 물질인 데이터 패드(DP)를 형성하여 이븐 데이터 링크 배선(EDL)과 전기적으로 연결할 수 있다.In the fifth step, after a contact hole is formed in the passivation layer PA, a data pad DP, which is an ITO material, may be formed and electrically connected to the even data link line EDL.

또한 트리밍 라인(TL)과 대응하는 영역 상에 보호 전극(SE)을 형성할 수 있다. 상기 보호 전극(SE)은 ITO 전극 물질로써, 상기 데이터 패드(DP)와 동일 공정으로 한번에 형성될 수 있고, 일체로 형성될 수 있다.Further, the protective electrode SE can be formed on the region corresponding to the trimming line TL. The protective electrode SE is an ITO electrode material. The protective electrode SE may be formed at one time in the same process as the data pad DP, or may be integrally formed.

본 발명에 따른 제3 실시예는 제1 실시예와 달리 오드 데이터 링크 배선(ODL)들 사이의 영역에 게이트 전극이 아닌 소스 드레인 전극 물질로 이루어진 이븐 데이터 링크 배선(EDL)이 배치된다. 상기 이븐 데이터 링크 배선(EDL)과 오드 데이터 링크 배선(ODL)은 서로 다른 층에 형성되고, 상기 이븐 데이터 링크 배선(EDL)을 형성하는 소스 및 드레인 전극 물질은 게이트 전극 물질보다 강성이 강하기 때문에, 트리밍 라인(TL) 전단 시 인접한 게이트 전극의 용융으로 서로 단락되는 현상을 방지할 수 있다. 나아가 트리밍 라인(TL)과 대응하는 영역에 ITO 전극 물질의 보호 전극(SE)을 형성함으로써, 트리밍 라인(TL)을 절단할 때 상기 보호 전극(SE)은 하부에 배치된 오드 데이터 링크 배선(ODL) 및 오드 게이트 링크 배선(OGL)이 용융되어 주변 영역으로 퍼지면서 주변 전극들과 단락되는 것을 방지할 수 있다.The third embodiment according to the present invention is different from the first embodiment in that an even data link wiring (EDL) composed of a source drain electrode material rather than a gate electrode is disposed in an area between odd data link wiring lines (ODL). Since the even and odd data link lines EDL and ODL are formed on different layers and the source and drain electrode materials forming the even data link lines EDL are stronger than the gate electrode materials, It is possible to prevent a phenomenon that the adjacent gate electrodes are short-circuited due to the melting of the adjacent gate electrodes at the time of trimming line TL. Further, by forming the protective electrode SE of the ITO electrode material in the region corresponding to the trimming line TL, the protective electrode SE is cut off from the trimming line TL by the odd data link wiring ODL ) And the odd gate wiring line (OGL) are melted and spread to the peripheral region and are prevented from being short-circuited to the peripheral electrodes.

< 본 발명의 제1 내지 제4 실시예에 따른 표시패널의 검사 과정><Inspection Procedure of Display Panel According to First to Fourth Embodiments of the Present Invention>

도 19는 본 발명의 실시예에 따른 표시패널의 검사 과정을 설명하기 위한 도면이다.19 is a view for explaining a process of inspecting a display panel according to an embodiment of the present invention.

도 19를 참조하여 본 발명의 제1 내지 제3 실시예와 같은 구조를 가진 표시패널(100)을 검사하는 과정을 설명한다.A process of inspecting the display panel 100 having the same structure as the first to third embodiments of the present invention will be described with reference to FIG.

검사 대상의 표시패널(100)은 A/P(Auto Probe) 핀 시스템의 이동장치에 의하여 검사 데이터 드라이버(110)와 게이트 드라이버(120)가 배치되어 있는 검사 영역으로 이동한다.The display panel 100 to be inspected is moved to the inspection area where the inspection data driver 110 and the gate driver 120 are arranged by the moving device of the A / P (Auto Probe) pin system.

상기 데이터 드라이버(110)에는 다수개의 데이터 검사 프루브(140)가 배치되어 있고, 상기 게이트 드라이버(120)에는 다수개의 게이트 검사 프루브(150)가 배치되어 있다.A plurality of data checking probes 140 are arranged in the data driver 110 and a plurality of gate checking probes 150 are disposed in the gate driver 120.

상기 데이터 검사 프루브(140)는 데이터 드라이브 IC가 실장된 데이터 TCP와, 표시패널(100)의 비표시영역(100a)에 형성된 쇼팅바와 전기적 컨텍을 할 수 있는 다수개의 니들(needle) 핀이 구성되어 있다.The data check probe 140 is configured with a plurality of needle pins capable of electrical contact with the data TCP in which the data drive IC is mounted and the shorting bar formed in the non-display area 100a of the display panel 100 have.

마찬가지로 상기 게이트 검사 프루브(150)는 게이트 드라이브 IC가 실장된 게이트 TCP와, 상기 표시패널(100)의 비표시영역(100a)에 형성된 쇼팅바와 전기적 컨텍을 할 수 있는 다수개의 니들 핀이 구성되어 있다.Similarly, the gate inspection probe 150 includes a gate TCP on which the gate drive IC is mounted, and a plurality of needle pins capable of electrical contact with the shorting bar formed in the non-display area 100a of the display panel 100 .

비표시영역(100a) 상의 오드 및 이븐 데이터 쇼팅바(ODS, EDS) 그리고 오드 및 이븐 게이트 쇼팅바(OGS, EGS)에 A/P 핀(니들)을 컨텍한다. 그리고 오드 및 이븐 데이터 쇼팅바(ODS, EDS) 그리고 오드 및 이븐 게이트 쇼팅바(OGS, EGS)에 검사 신호를 인가하여 패널의 불량 여부를 검사한다.The A / P pins (needles) are connected to the odd and even data display bars (ODS, EDS) and the odd and even gate shorting bars (OGS, EGS) on the non-display area 100a. Then, an inspection signal is applied to the odd and even data showting bars (ODS, EDS) and the odd and even gate show bars (OGS, EGS) to check whether the panel is defective.

이 때 쇼팅바 단위로 구동신호와 데이터 신호를 인가하여 라인 디펙트 또는 포인트 디펙트 등 불량 검사를 진행할 수 있다. 또한 쇼팅바들은 데이터 쇼팅바(ODS, EDS)와 게이트 쇼팅바(OGS, EGS)로 구분되므로 데이터 라인(DL) 또는 게이트 라인(GL)별로 검사를 진행할 수 있고, 오드 또는 이븐으로 구분하여 검사할 수 있다. 또한 쇼팅바 방식에 의한 검사이지만, 종래 A/P 핀 컨텍 방식에 가까운 검사 자유도를 확보할 수 있는 이점이 있다. 또한, 각각의 패드 단위로 검사 신호가 인가되기 때문에 종래 쇼팅바 방식에서 발생하던 신호 지연에 의한 라인 디펙트 불량을 방지할 수 있다.At this time, a drive signal and a data signal may be applied in units of a shot bar, and a defect inspection such as a line defect or a point defect can be performed. In addition, the shorting bars can be divided into Data Shotting Bars (ODS, EDS) and Gate Shotting Bars (OGS, EGS), so they can be checked by data line (DL) or gate line (GL) . In addition, it is an inspection by the Shoting bar method, but there is an advantage that inspection freedom close to the conventional A / P pin contact method can be secured. In addition, since an inspection signal is applied to each pad unit, it is possible to prevent a line defect caused by a signal delay occurring in the conventional shorting bar system.

검사가 끝난 후 트리임 라인(TL)을 절단하여 표시패널(100)로부터 쇼팅바를 제거한다.After the inspection is finished, the trimming line TL is cut to remove the shorting bar from the display panel 100.

이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술할 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation, It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

100 표시패널
100a 비표시영역
100b 표시영역
110 데이터 드라이버
120 게이트 드라이버
140 데이터 검사 프루브
150 게이트 검사 프루브
100 display panel
100a non-display area
100b display area
110 data driver
120 gate driver
140 Data Check Probe
150 Gate Check Probe

Claims (10)

기판 상의 표시영역에 배치되고 서로 교차하면서 단위화소영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과;
상기 단위화소영역에 배치된 화소전극 및 공통전극과;
상기 게이트 라인과 평행하면서 상기 기판 상의 비표시영역에 배치되는 데이터 쇼팅바 및 상기 데이터 라인과 평행하면서 비표시영역에 배치되는 게이트 쇼팅바와;
상기 게이트 쇼팅바와 상기 게이트 라인을 서로 연결시키는 게이트 링크배선과, 상기 데이터 쇼팅바와 상기 데이터 라인을 서로 연결시키는 데이터 링크배선과;
상기 게이트 링크배선 및 데이터 링크배선 상에 배치되는 게이트 패드 및 데이터 패드 및;
상기 게이트 링크배선 및 데이터 링크배선 상에서 상기 게이트 링크배선 및 데이터 링크배선을 덮는 보호전극을 포함하며,
상기 게이트 링크배선 및 데이터 링크배선과 상기 보호 전극의 중첩 영역은 상기 쇼팅바를 표시영역으로부터 절단시키는 커팅라인(cutting line)에 중첩하고,
상기 데이터 쇼팅바는 제1 데이터 쇼팅바 및 상기 제1 데이터 쇼팅바와 인접한 제2 데이터 쇼팅바를 포함하고,
상기 데이터 링크 배선은 상기 제1 데이터 쇼팅바와 연결된 제1 데이터 링크 배선과 상기 제2 데이터 쇼팅바와 연결되고 상기 제1 데이터 링크 배선과 인접한 제2 데이터 링크 배선을 포함하고,
상기 제1 데이터 쇼팅바 및 상기 제1 데이터 링크 배선은 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 제2 데이터 쇼팅바 및 상기 제2 데이터 링크 배선과 서로 상이한 층에 배치되는 표시장치.
A gate line and a data line arranged in a display region on the substrate and intersecting each other to define a unit pixel region;
A pixel electrode and a common electrode arranged in the unit pixel region;
A data shorting bar parallel to the gate line and disposed in a non-display area on the substrate; a gate shorting bar disposed in a non-display area parallel to the data line;
A gate shorting bar for connecting the gate shorting bar and the gate line to each other, a data link wiring for connecting the data shorting bar and the data line to each other,
A gate pad and a data pad arranged on the gate link wiring and the data link wiring;
And a protective electrode covering the gate link wiring and the data link wiring on the gate link wiring and the data link wiring,
Wherein the overlapping region of the gate link wiring and the data link wiring and the protective electrode overlaps a cutting line for cutting the shorting bar from the display region,
The data shotting bar comprising a first data showing slot and a second data shorting bar adjacent the first data slot,
The data link wiring includes a first data link wiring connected to the first data shorting bar and a second data link wiring connected to the second data shorting bar and adjacent to the first data link wiring,
Wherein the first data sharing electrode and the first data link wiring are disposed on a layer different from the second data sharing electrode and the second data link wiring with a gate insulating film therebetween.
삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 게이트 링크배선 및 데이터 링크배선과 각각 연결되는 게이트 패드 및 데이터 패드를 더 포함하는 표시장치.
The method according to claim 1,
And a gate pad and a data pad respectively connected to the gate link wiring and the data link wiring.
제1 항에 있어서,
상기 보호전극은 상기 게이트 쇼팅바와 게이트 패드 사이에 배치되어 있고, 상기 데이터 쇼팅바와 데이터 패드 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the protective electrode is disposed between the gate shorting bar and the gate pad, and is disposed between the data shorting bar and the data pad.
제1 항에 있어서,
상기 보호전극은 상기 화소전극 또는 공통전극을 구성하는 투명전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the protective electrode comprises a transparent electrode constituting the pixel electrode or the common electrode.
제 5 항에 있어서, 상기 보호전극은 모든 게이트 링크배선 및 데이터 링크 배선상에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.The display device according to claim 5, wherein the protective electrode is disposed on all of the gate link wiring and the data link wiring. 제 6항에 있어서,
상기 게이트 링크배선은 제1 게이트 링크배선과 제2 게이트 링크배선으로 구성되고, 상기 제2 게이트링크배선은 보호전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
The method according to claim 6,
Wherein the gate link wiring is constituted by a first gate link wiring and a second gate link wiring, and the second gate link wiring is constituted by a protective electrode.
제1 항에 있어서,
상기 데이터 라인은 상기 제2 데이터 링크 배선과 동일층에 배치되는 표시장치.
The method according to claim 1,
And the data line is disposed in the same layer as the second data link wiring.
제1 항에 있어서,
상기 게이트 라인은 상기 제1 데이터 링크 배선과 동일층에 배치되는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the gate line is disposed in the same layer as the first data link wiring.
제7 항에 있어서,
상기 제1 게이트 링크배선은 상기 제1 데이터 링크 배선과 동일층에 배치되는 표시장치.
8. The method of claim 7,
And the first gate link wiring is disposed on the same layer as the first data link wiring.
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