KR101579161B1 - 투명자석 소재 및 그 제조 방법 - Google Patents

투명자석 소재 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 쌍을 이루지 않은 전자 스핀이 존재하는 도핑원소가 쌍을 이루지 않은 전자 스핀이 존재하는 투명 산화물 내에 도핑된 것을 특징으로 하는 투명자석 소재에 대한 것으로, 전혀 자성을 띠지 않는 도핑원소가 자성이 없는 산화물 속에 들어가면 상기 전자 스핀 때문에 자기 모멘트가 발생하여 자석이 되는 특징이 있다.
본 발명에 포함된 도핑원소는 cohesive energy 가 높지 않아서 산화물 내에 고루 잘 퍼져있게 되고, 결함에 의한 자성의 세기 및 농도보다 훨씬 크며 진공이나 고압과 같은 극한의 실험조건을 사용해야 하는 한계점을 극복하고 상온에서 안정적으로 자성을 갖는다. 따라서 본 발명은 광학적, 전자, 메모리 소재로 광범위하게 응용될 수 있다.

Description

투명자석 소재 및 그 제조 방법{Ferromagnetic oxides and method of fabrications of the same}
본 발명은 투명성과 강자성을 동시에 가지는 새로운 소재 즉 투명자석 소재 및 그 제조방법을 제공한다. 또한 투명자석 소재가 응용될 수 있는 분야로써 메모리/로직/디스플레이 기술에 대한 것이다.
자성을 띠는 산화물이나 반도체는 스핀수송의 매개체로 쓰이거나 또는 로직과 메모리에 동시에 사용될 수 있어서 기술진화를 이룰 수 있게 한다[N. Samarth, Nat. Mater. 9 (2010) 955]. 산화물이 자성을 띠게 될 때, 금속/산화물/금속의 접합에서 스핀주입의 확률이 높아져서 소멸 되지 않고 스핀소자로 쓸 수 있으며, 초고속의 비휘발성 광학메모리 소자로 쓰일 수 있어서 현재 상용화되어 있는 메모리의 속도 문제를 획기적으로 개선 시킬 수 있다.
이를 위하여 종래에는 산화물이나 반도체 재료에 자성을 띠는 Fe, Ni, Co, 등 3d-오비탈 원소를 도핑하여 사용했다. 그런데 이들 원소는 그 순 물질의 높은 Cohesive energy, formation energy로 인해 자기들끼리 뭉치게 되는 특성이 있다. 따라서 스핀이 산화물 공간상에 골고루 퍼져있지 못함으로 인해 바람직한 특성을 갖는 자성반도체를 제조하기가 곤란하다. 또한 제조된 소재는 바람직한 특성을 나타내지 못한다[J. M. D. Coey and S. A. Chambers, MRS Bulletin 33 (2008) 1053., J. M. D. Coey, Curr. Opinion Sol. Sta. Mater. Sci. 10 (2006) 83. 참조]. 특히 Curie 온도가 상온(300K)을 넘기지 못하는 문제를 가지고 있다.
한편 In2O3, HfO2, SnO2, ZnO 와 같은 물질은 표면에서 생성되는 산소원자의 빈자리나 원자 내부의 잉여 산소원자와 같은 결함에 의해 자성이 생기는 것으로 알려져 있다. 따라서 고의로 극한의 조건에서 이 결함의 농도를 높게 만들어서 실온자성을 띠게 하는데 최대 0. 1%정도 농도의 결함을 나타낸다. 그러나 이들의 자화 세기는 결함 농도만큼이나 너무나도 약하고, 진공, 초저온이나 고압과 같은 극한의 실험조건을 사용해야 하는 한계점이 있다[W. D. Rice et al. Nat. Mater. Published online: 23 March 2014: DOI: 10.1038/NMAT3914]. 또한 대부분 결함에 의한 자성은 산화물 표면에만 국부적으로 나타난다.
따라서 투명 자석을 이용하는 메모리, 로직, 및 디스플레이 기술에서 이용할 수 있으며 상온에서 강자성을 나타내고 광학적으로 투명성을 갖는 새로운 소재의 개발이 절실하다.
본 발명은 기존의 자성을 띠는 산화물 및 반도체 제조 기술에서의 문제점을 해결하고자, 상온에서 안정적으로 자성을 갖는 산화물반도체로써 광학적으로 투명성을 가지고 있어 메모리, 로직, 및 디스플레이 기술에 사용될 수 있는 새로운 소재 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 쌍을 이루지 않은 전자 스핀이 존재하는 도핑원소가 쌍을 이루지 않은 전자 스핀이 존재하는 투명 산화물 내에 도핑된 것을 특징으로 하는 투명자석 소재를 제공한다.
바람직하게, 상기 도핑원소는 산화물의 Octahedral site 내에 도핑되는 것이다.
바람직하게, 상기 도핑원소는 4d-오비탈 내에 쌍을 이루지 않은 전자 스핀이 존재하는 것이다.
바람직하게, 상기 산화물은 산소의 2p-오비탈 내에 쌍을 이루지 않은 전자 스핀이 존재하는 것이다.
바람직하게, 상기 도핑원소는 Ag, Au, 및 Cu 로 이루어진 그룹에서 선택되는 1 이상의 원소이다.
바람직하게, 상기 산화물은 In, Y, Lu, Ga, 및 Al 로 이루어진 그룹에서 선택되는 1 이상의 원소를 포함하는 것이다.
바람직하게, 상기 산화물은 Sn 원소를 추가로 포함한다.
바람직하게, 상기 투명자석 소재는 산화물의 산소 2p-orbital 전자 스핀 및 산화물의 Octahedral site 에 도핑된 도핑원소 d-orbital 전자 스핀에 의해 자기 모멘트(magnetic moment)를 나타낸다.
바람직하게, 상기 산화물은 In2O3, Ga2O3, Al2O3, Lu2O3, 및 Y2O3 로 이루어진 그룹에서 선택되는 것이다.
바람직하게, 상기 도핑원소는 산화수 1 또는 2 의 Ag 이다.
본 발명은 또한 자성을 띠지 않는 산화물 기판 내에 자성을 띠지 않는 도핑원소를 주입하는 것을 특징으로 하는 투명자석 소재의 제조방법을 제공한다.
바람직하게, 상기 도핑원소는 이온 주입법(Implantation), 또는 Co-deposition 의 방법으로 산화물 기판 내에 주입될 수 있다.
바람직하게, 상기 산화물은 Octahedral site 를 갖는 것이다.
바람직하게, 상기 도핑원소는 4d-오비탈 내에 쌍을 이루지 않은 전자 스핀이 존재하는 것이다.
바람직하게, 상기 도핑원소는 Ag, Au, 및 Cu 로 이루어진 그룹에서 선택되는 1 이상의 원소이고, 상기 산화물은 In, Y, Lu, Ga, 및 Al 로 이루어진 그룹에서 선택되는 1 이상의 원소를 포함하는 것이다.
본 발명은 투명자석 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학메모리 소자를 제공한다.
본 발명에 의하면 상온에서 안정적으로 자성을 갖는 Diluted magnetic oxide/semiconductor 을 제공할 수 있다. 상기 소재는 광학적으로 투명하게 만들 수 있기 때문에 새로운 로직/메모리/디스플레이 등의 융합적 응용이 가능하다. 본 발명의 소재 및 그 제조방법은 도핑원소의 cohesive energy 가 높지 않으므로 산화물 내에서 고루 잘 퍼져있게 되어 스핀이 공간에 균일하게 퍼져있지 못함으로 인해 발생하는 문제점을 해결한다. 또한 결함에 의한 자성의 세기와 농도보다 훨씬 커서 점결함을 유도한 시스템의 한계를 극복할 수 있다.
도 1a 는 제일원리 계산을 통해 구한 Ag, Au, Cu 가 도핑된 Ga2O3 의 전자밀도(Electron density of states (DOS)) 이다.
도 1b 는 제일원리 계산을 통해 구한 Ag, Au, Cu 가 도핑된 In2O3 의 전자밀도(Electron density of states (DOS)) 이다.
도 1c 는 제일원리 계산을 통해 구한 Ag, Au, Cu 가 도핑된 Al2O3 의 전자밀도(Electron density of states (DOS)) 이다.
도 1d 는 제일원리 계산을 통해 구한 Ag, Au, Cu 가 도핑된 Lu2O3 의 전자밀도(Electron density of states (DOS)) 이다.
도 1e 는 제일원리 계산을 통해 구한 Ag, Au, Cu 가 도핑된 Y2O3 의 전자밀도(Electron density of states (DOS)) 이다.
도 2 는 Ag 가 도핑된 ITO (In2 - xSnxO3)의 DOS 이다.
도 3a 는 본 발명의 일 실시 예로써 도핑원소 Ag 가 주입된 In2O3 기판에서의 깊이에 따른 도핑원소의 밀도를 나타낸 것이다.
도 3b 는 Ag 가 주입된 In2O3 기판의 Magnetization-Magnetic field loop 이다.
도 3c 는 본 발명의 다른 실시 예로써 도핑원소 Ag 가 주입된 ITO 박막에서의 깊이에 따른 도핑원소의 밀도를 나타낸 것이다.
도 3d는 Ag 가 주입된 ITO 박막의 Magnetization-Magnetic field loop 이다.
본 발명은 상온에서 안정적으로 자성을 갖는 소재로써 산화물에 도핑원소를 도핑시킨 것을 특징으로 하는 자석 소재를 제공한다. 또한 상기 자석 소재는 광학적으로 투명하기 때문에 새로운 로직/메모리/디스플레이 등의 융합적 응용이 가능한 투명자석 소재이다.
본 발명의 투명자석 소재는 octahedral site 를 가지는 산화물 내에 도핑원소를 도핑 하였을 때, 도핑원소의 쌍을 이루지 않은 d-orbital 과 산소의 2p-orbital 전자 스핀 때문에 magnetic moment 가 발생하는 것이다. 이러한 투명자석 소재를 제공하기 위하여 본 발명은 바람직하게 산화물로써 In, Y, Lu, Ga, 및 Al 로 이루어진 그룹에서 선택되는 1 이상의 원소를 포함하는 것을 사용하고, 도핑원소로써 Ag, Au, 및 Cu 로 이루어진 그룹에서 선택되는 1 이상의 원소를 사용하는 것을 제안한다.
도핑원소로써 특히 Ag 및 Au 는, 종래의 산화물이나 반도체 재료에 도핑되어 자성을 띠는 Fe, Ni, Co, 등 3d-오비탈 원소가 순 물질의 높은 Cohesive energy, formation energy 로 인해 자기들끼리 뭉치게 되던 것에 비해, cohesive energy 가 높지 않으므로 산화물 내에서 고루 잘 퍼져있게 되며, 결함에 의한 자성의 세기와 농도보다 훨씬 커서 점결함을 유도하는 시스템의 한계를 극복할 수 있다.
또한 상기 도핑원소는 복수의 산화수를 가지는 것인데, 예로써 도핑원소 Ag 의 산화수는 산화물 내에서 대부분 1 이 되려고 하지만 간혹 2 나 3 이 되기도한다. 특히 산화물 In2O3, Ga2O3, Al2O3 , Lu2O3, Y2O3 내에서는 Ag 가 산화수 1 또는 2를 갖는다. 이러한 산화수에 따라 Ag 의 쌍을 이루지 않은 d-orbital, 구체적으로 4d 오비탈 전자의 개수가 정해지고, 쌍을 이루지 않은 4d 오비탈 전자의 개수가 Ag 에 생성되는 자기모멘트 크기를 결정한다.
본 발명은 바람직한 실시 예로써 Ag(silver), Au(gold), 또는 Cu(copper) 원자를, 구조 내에 octahedral site 를 갖는 In2O3, Ga2O3, Al2O3, Lu2O3, 또는 Y2O3 안에 도핑하여, 도핑원소의 쌍을 이루지 않은 d-orbital 과 산소의 2p-orbital 전자 스핀 때문에 magnetic moment 가 발생하는 투명자석 소재를 제공한다. 상기 산화물 및 도핑원소는 그 자체로는 전혀 자성을 띠지 않는 도핑원소 및 산화물 모재이지만 도핑이 되었을 때 서로 자석이 되는 특징이 있는 것이다.
따라서 본 발명은 상온에서 강자성을 가지는 산화물 또는 산화물 반도체로써, 메모리, 로직에 융합으로 사용될 수 있으며 추가적으로 광학적으로 투명성을 가지고 있어 디스플레이 소자에도 사용될 수 있는 새로운 소재를 제안한다.
나아가 본 발명의 투명자석 소재는 도핑원소의 모재로써 위에서 바람직한 산화물로 제시한 것 이외에, 다른 실시예로써 이들 산화물에 제 3 의 원소가 추가된 예를들면, 디스플레이소재로 상용화된 ITO (In2 - xSnxO3)와 같은 소재를 사용할 수도 있다. 상기 제 3 원소로의 구체적 예로는 상기 Sn 을 비롯하여 산화물 및 반도체의 전자기적 특성을 제어하기 위해 도핑되는 다른 모든 금속/비금속 원소들이 포함될 수 있다.
또한 본 발명은 투명자석 소재의 제조방법으로써 자성을 띠지 않는 산화물 기판 내에 자성을 띠지 않는 도핑원소를 주입하는 것을 특징으로 하는 방법을 제안한다. 상기 도핑원소는 바람직하게 이온 주입법(Implantation), 또는 Co-deposition 의 방법으로 산화물 기판 내에 주입될 수 있다. 이때 바람직한 깊이 및 밀도로 주입될 수 있는데, 자성의 세기는 도핑의 밀도에 비례하고 도핑의 깊이는 샘플을 자화(Magnetization)시키고자 하는 깊이에 따라 정해진다. 도핑원소 및 산화물 모재는 상기 투명자석 소재에 대한 설명에서 기재된 바와 동일하다.
즉 산화물로는 구조 내에 Octahedral site 를 갖는 것으로 In, Y, Lu, Ga, 및 Al 로 이루어진 그룹에서 선택되는 1 이상의 원소를 포함하는 것을 사용하는 것이 바람직하고, 도핑원소로는 d-오비탈 내에 쌍을 이루지 않은 전자 스핀이 존재하는 것으로 구체적인 예로써 Ag, Au, 및 Cu 로 이루어진 그룹에서 선택되는 1 이상의 원소를 사용하는 것이 바람직하다.
한편 도핑원소의 공급원으로는 순수한 물질 즉, 예를 들면 Ag, Au 또는 Cu 금속을 사용할 수 있지만 다른 실시예로써 상기 금속의 염 형태로써, MNO3, M2O, MCl, MO, M2SO4 (M=Ag, Au, Cu) 등을 사용할 수도 있다.
하기 표 1은 도핑원소로 Ag 를 다섯 가지 산화물 In2O3, Ga2O3, Al2O3, Lu2O3, 및 Y2O3 에 도핑할 때 제일원리 계산을 통해 구한 표준상태 (T=298K, P=1atm)에서의 Ag-도핑 에너지(doping formation energy) 및 도핑된 전체 셀과 도핑원소 Ag 의 자기 모멘트를 나타낸 것이다. 제일원리계산은 Vienna Ab-initio Simulations Package (VASP)를 사용하였다.
ΔE ( eV ) ( nonmagnetic /
Ferromagnetic ) 		Total MM Ag (μ B ) Dopant MM Ag (μ B )
In 2 O 3 -2.33 2.0 1.0
Ga 2 O 3 -0.01 2.0 1.0
Al 2 O 3 -3.49 2.0 1.0
Lu 2 O 3 -1.60 2.0 1.0
Y 2 O 3 -2.06 2.0 1.0
상기 표는 도핑원소로 Ag 를 사용하였을 때 다섯 가지 산화물 In2O3, Ga2O3, Al2O3, Lu2O3, 및 Y2O3 에 도핑되는 것이 Ag 나 Ag2O 로 agglomeration 되는 것보다 에너지적으로 안정하다는 것을 보여준다. 즉 ΔE는 반응(도핑) 후의 엔탈피 변화인데, 이것의 음의 값은 도핑원소들이 산화물에 들어가서 자리 잡는 반응에 의해 안정된다는 것이고, 이는 기존에 자기들끼리의 결합에너지가 너무 커서 도핑이 불안정하던 전이금속 원소에 비해 획기적으로 뛰어난 특성이다. 그러므로 본 발명의 도핑원소는 종래 도핑원소로 사용되었던 Fe, Ni, Co, 등의 3d-오비탈 원소가 높은 Cohesive energy, formation energy 로 인해 자기들끼리 뭉치게 되는 것과 달리, cohesive energy 가 높지 않아서 산화물 안에서 고루 잘 퍼져있게 된다. 따라서 본 발명은 산화물 공간상에 스핀이 균일하게 퍼져있지 못함으로 인해 발생하였던 문제를 해결한다.
또한 도핑원소 Ag 는 1 보어마그네톤을 가지고 있으며, 주변의 6개의 산소도 총합 1 보어마그네톤에 해당하는 자기 모멘트를 띠게 한다. 따라서 도핑된 산화물 전체 셀은 2 보어마그네톤의 자기 모멘트를 나타낸다.
도 1a-1e 는 도핑원소로써 Ag, Au, 및 Cu 를 사용하고, 도핑 산화물로써 (a) Ga2O3, (b)In2O3, (c)Al2O3, (d)Lu2O3, 및 (e)Y2O3을 사용하였을 때, 제일원리계산을 통해 얻은 각각의 Electron density of states (DOS)이다. 도핑된 원소 Ag, Au, Cu는 페르미 레벨(Fermi level) 근처에 쌍을 이루지 않은 d-orbital 의 전자 에너지 준위가 있고, 그 주변 산소원자는 2p-orbital 의 쌍을 이루지 않은 전자 에너지 준위가 있다. 이로 인해 자기 모멘트가 생성하여 자성을 띠게 된다. 상술한 바와 같이 제일원리계산은 Vienna Ab-initio Simulations Package (VASP)를 사용하였으며 Generalized Gradient Approximation[J. P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett., 78 (1997) 1396], 400eV의 Plane-wave energy expansion cutoff를 사용하였다.
도 2 는 본 발명의 다른 실시예로, 산화물에 제 3 의 원소가 도핑된 경우에도 자성을 띠는지 보기 위해서 도핑원소 Ag 를 상용 디스플레이소재로 많이 쓰이는 ITO (In2 - xSnxO3)에 도핑된 시스템의 DOS 를 구한 것이다. 이를 보면 ITO 에서도 역시 자성을 띠는 것을 볼 수 있다. 이와 같이 본 발명에서 바람직한 실시예로 제시한 In2O3, Al2O3, Ga2O3, Lu2O3, 또는 Y2O3 의 기능성을 위해서 제 3 의 다른 원소가 도핑된 경우에도 자성을 띤다.
이하 실시예를 통해 본 발명을 설명한다.
실시예 1
In2O3 기판 상에 Ag 를 이온 주입법(ion implantation)으로 주입하였다. 이때 가속 전압은 400kV, Ag 의 dose 량은 216 atoms/cm2 였다.
도 3a 는 기판에서의 깊이에 따른 도핑원소의 밀도를 나타낸 것이다. 주입된 Ag 는 200nm 의 깊이까지 분포하였고, Ag 의 최대 밀도는 ~1021/cm3였다. 또한 주입된 Ag 의 두께 반치폭은 도 3a 로부터 100nm 로 결정하였다.
도 3b 는 Ag 가 주입된 In2O3 (반치폭100nm) 박막에 400℃에서 30분간 열처리후, 극저온 및 상온에서 superconducting quantum interference device(SQUID) 로 측정한 Magnetization-Magnetic field loop 이다. 순수 In2O3 는 자성을 띠지 않는다. 그러나 Ag 가 주입된 결과 특히 상온에서도 Magnetization-Magnetic field loop 가 존재하며 자성 특성을 보인다는 것을 알 수 있다.
실시예 2
glass 기판 상에 ITO 박막을 300nm 성장시 후, 상기 ITO 박막에 Ag 를 이온 주입법(ion implantation)으로 주입하였다. 주입에 사용된 장비 및 조건은 상기 실시예 1 과 동일하다.
도 3c 는 기판에서의 깊이에 따른 도핑원소의 밀도를 나타낸 것이다. 주입된 Ag 는 200nm의 깊이까지 분포하였고, Ag 의 최대 밀도는 ~1021/cm3였다. 또한 주입된 Ag 의 두께 반치폭은 도 3c 로부터 100nm 로 결정하였다.
도 3d 는 Ag 가 주입된 ITO (반치폭100nm) 박막을 400℃에서 30분간 열처리후, 극저온 및 상온에서 SQUID 로 측정한 Magnetization-Magnetic field loop 이다. ITO 박막의 경우에도 상기 In2O3 기판에서와 같이 상온에서 Magnetization-Magnetic field loop 가 존재하며 자성 특성을 보인다는 것을 알 수 있다.
이상에서 살펴본 본 발명은 도면에 도시된 실시예들을 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능 하다는 점을 이해할 것이다. 그러나, 이와 같은 변형은 본 발명의 기술적 보호범위 내에 있다고 보아야 한다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해서 정해져야 할 것이다.

Claims (17)

  1. 산소의 2p-orbital에 쌍을 이루지 않는 전자 스핀이 존재하는 산화물; 및
    d-orbital에 쌍을 이루지 않는 전자 스핀이 존재하는 도핑원소를 포함하며,
    상기 도핑원소는 상기 산화물의 octahedral site에 도핑되고,
    상기 도핑원소의 쌍을 이루지 않는 전자 스핀과 상기 산화물의 쌍을 이루지 않는 전자 스핀이 자기 모멘트(magnetic moment)를 나타내는 것을 특징으로 하는 투명자석 소재.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에서,
    상기 도핑원소는 Ag, Au, 및 Cu 로 이루어진 그룹에서 선택되는 1 이상의 원소인 것을 특징으로 하는 투명자석 소재.
  6. 제 1 항에서,
    상기 산화물은 In, Y, Lu, Ga, 및 Al로 이루어진 그룹에서 선택되는 1 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명자석 소재.
  7. 제 6 항에서,
    상기 산화물은 Sn 원소를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 투명자석 소재.
  8. 삭제
  9. 제 1 항에서,
    상기 산화물은 In2O3, Ga2O3, Al2O3, Lu2O3, 및 Y2O3 로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 투명자석 소재.
  10. 제 1 항에서,
    상기 도핑원소는 산화수 1 또는 2 의 Ag 인 것을 특징으로 하는 투명자석 소재.
  11. d-orbital에 자성을 띠지 않는 도핑원소를 산화물의 octahedral site에 주입하되, 상기 산화물은 2p-orbital에 쌍을 이루지 않는 전자 스핀이 존재하는 산소를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명자석 소재의 제조방법.
  12. 제 11항에서,
    상기 도핑원소는 이온 주입법(Implantation), 또는 Co-deposition 의 방법으로 상기 산화물의 octahedral site에 주입되는 것을 특징으로 하는 투명자석 소재의 제조방법.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 제 11항에서,
    상기 도핑원소는 Ag, Au, 및 Cu 로 이루어진 그룹에서 선택되는 1 이상의 원소이고, 상기 산화물은 In, Y, Lu, Ga, 및 Al 로 이루어진 그룹에서 선택되는 1 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명자석 소재의 제조방법.
  16. 제 1 항, 제 5 항 내지 제 7항, 제 9 항 및 제 10 항 중 어느 한 항의 투명자석 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 소자.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 소자는 광학메모리, 자성메모리, 디스플레이 및 광변조기 소자로부터 선택된 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0668713A (ja) * 1992-08-20 1994-03-11 Tonen Corp 透明導電膜
KR20040044617A (ko) * 2002-11-21 2004-05-31 학교법인 포항공과대학교 ＺｎＯ계의 상온 투명 강자성 반도체 및 그 제조방법
JP2008231445A (ja) * 2007-03-16 2008-10-02 Sumitomo Chemical Co Ltd 透明導電膜用材料

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