KR101579053B1 - A Manufacturing Method of metal mesh electrode and a Organic Electroluminescence Display Device comprising the metal mesh electrode - Google Patents

A Manufacturing Method of metal mesh electrode and a Organic Electroluminescence Display Device comprising the metal mesh electrode Download PDF

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Abstract

본 발명은 베이스 부재를 제공하는 단계; 상기 베이스 부재의 상부에 제1금속 전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1금속 전극 패턴의 상부에 크로메이트층을 형성하는 단계; 상기 크로메이트층의 상부에 제2금속 전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2금속 전극 패턴을 포함하는 기판의 전면(全面)에 경화성 고분자층을 형성하는 단계; 및 상기 경화성 고분자층과 상기 베이스 부재를 분리하는 단계를 포함하는 금속 전극 패턴의 제조방법 및 금속 전극 패턴을 포함하는 유기전계발광소자에 관한 것으로, 서로 대향 배치되는 제1전극 및 제2전극 중 적어도 어느 하나의 전극을 금속 전극 패턴으로 형성함으로써, 고가의 주석도핑 산화인듐을 금속 메쉬 패턴으로 대체할 수 있다.Providing a base member; Forming a first metal electrode pattern on the base member; Forming a chromate layer on the first metal electrode pattern; Forming a second metal electrode pattern on the chromate layer; Forming a curable polymer layer on the entire surface of the substrate including the second metal electrode pattern; And separating the curable polymer layer and the base member from each other, and a method of manufacturing an organic electroluminescent device including the metal electrode pattern. The organic electroluminescent device includes at least a first electrode and a second electrode, By forming any one of the electrodes with a metal electrode pattern, it is possible to replace expensive tin-doped indium oxide with a metal mesh pattern.

Description

금속 전극 패턴의 제조방법 및 금속 전극 패턴을 포함하는 유기전계발광소자{A Manufacturing Method of metal mesh electrode and a Organic Electroluminescence Display Device comprising the metal mesh electrode}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method for manufacturing a metal electrode pattern and a method for manufacturing the same,

본 발명은 금속 전극 패턴의 제조방법 및 금속 전극 패턴을 포함하는 유기전계발광소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 투명전극을 대체하고, 태양전지의 광흡수면을 제한하지 않는 금속 전극 패턴의 제조방법 및 금속 전극 패턴을 포함하는 태양전지에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a metal electrode pattern and an organic electroluminescent device including the metal electrode pattern. More particularly, the present invention relates to a method of manufacturing a metal electrode pattern And a metal electrode pattern.

최근에 음극선관(cathode ray tube)과 같이 무겁고, 크기가 크다는 종래의 표시 소자의 단점을 해결하는 액정 표시 장치(liquid crystal display device), 유기 전계 발광 표시 장치(organic electroluminescence display device) 또는 PDP(plasma display plane) 등과 같은 평판형 표시 장치(Flat panel display device)가 주목 받고 있다.A liquid crystal display device, an organic electroluminescence display device, or a plasma display panel (PDP), which solve the drawbacks of conventional display devices that are heavy and large in size, such as cathode ray tubes a flat panel display device such as a display panel has attracted attention.

이때, 상기 액정 표시 장치는 자체 발광 소자가 아니라 수광 소자이기 때문에 밝기, 콘트라스트, 시야각 및 대면적화 등에 한계가 있고, 상기 PDP는 자체 발광 소자이기는 하지만, 다른 평판형 표시 장치에 비해 무게가 무겁고, 소비 전력이 높을 뿐만 아니라 제조 방법이 복잡하다는 문제점이 있는 반면, 상기 유기 전계 발광 소자는 자체 발광 소자이기 때문에 시야각, 콘트라스트 등이 우수하고, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비 전력 측면에서도 유리하다. 그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부 충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓을 뿐만 아니라 제조 방법이 단순하고 저렴하다는 장점을 가지고 있다.At this time, since the liquid crystal display device is not a light emitting device but a light receiving device, there are limitations on brightness, contrast, viewing angle, and large size, and the PDP is a self-luminous device. However, The organic electroluminescent device is a self-luminous device and thus has excellent viewing angle and contrast, and since it does not require a backlight, it can be lightweight and thin, It is advantageous. Also, since it is possible to drive DC low voltage and has fast response speed and solid state, it is strong against external impact, has a wide temperature range, and has a simple and inexpensive manufacturing method.

이러한, 유기전계발광소자에서는 주로 양극으로 주석도핑 산화인듐(ITO: tin-doped indium oxide)을 사용하고 있다.In such an organic electroluminescent device, tin-doped indium oxide (ITO) is mainly used as an anode.

하지만, 이러한 주석도핑 산화인듐(ITO: tin-doped indium oxide)은 고가라는 점에서 이를 대체할 수 있는 물질이 필요한 실정이다.However, since such tin-doped indium oxide (ITO) is expensive, a substance that can replace the tin-doped indium oxide is needed.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상술된 종래 기술의 문제를 해결하기 위한 것으로서, 종래의 투명전극의 재질을 대체할 수 있는 금속 전극 패턴의 제조방법 및 금속 전극 패턴을 포함하는 유기전계발광소자를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a metal electrode pattern that can replace a conventional transparent electrode material and an organic electroluminescent device including a metal electrode pattern .

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 지적된 문제점을 해결하기 위해서 본 발명은 베이스 부재를 제공하는 단계; 상기 베이스 부재의 상부에 제1금속 전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1금속 전극 패턴의 상부에 크로메이트층을 형성하는 단계; 상기 크로메이트층의 상부에 제2금속 전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2금속 전극 패턴을 포함하는 기판의 전면(全面)에 경화성 고분자층을 형성하는 단계; 및 상기 경화성 고분자층과 상기 베이스 부재를 분리하는 단계를 포함하는 금속 전극 패턴의 제조방법을 제공한다.In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: providing a base member; Forming a first metal electrode pattern on the base member; Forming a chromate layer on the first metal electrode pattern; Forming a second metal electrode pattern on the chromate layer; Forming a curable polymer layer on the entire surface of the substrate including the second metal electrode pattern; And separating the curable polymer layer and the base member from each other.

또한, 본 발명은 상기 제2금속 전극 패턴은 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag), 크롬(Cr), 철(Fe) 또는 코발트(Co) 중 적어도 어느 하나 이상을 도금하는 무전해 도금 또는 전기 도금 공정을 수행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 전극 패턴의 제조방법을 제공한다.The second metal electrode pattern may be formed by plating at least one of copper (Cu), nickel (Ni), silver (Ag), chrome (Cr), iron (Fe), and cobalt And then performing a plating or an electroplating process to form the metal electrode pattern.

또한, 본 발명은 상기 경화성 고분자층과 상기 베이스 부재를 분리하는 단계는, 상기 제2금속 전극 패턴을 포함하는 상기 경화성 고분자층과, 상기 제1금속 전극 패턴 및 상기 제1금속 전극 패턴의 상부에 위치하는 상기 크로메이트층을 포함하는 상기 베이스 부재로 분리되는 것을 특징으로 하는 금속 전극 패턴의 제조방법을 제공한다.The separating step of separating the curable polymer layer from the base member may further include a step of curing the curable polymer layer including the second metal electrode pattern on the first metal electrode pattern and the first metal electrode pattern, The chromate layer being separated from the base member by the base member.

또한, 본 발명은 상기 제2금속 전극 패턴을 포함하는 상기 경화성 고분자층은, 상기 제2금속 전극 패턴이 상기 경화성 고분자층의 내부에 함몰된 것을 특징으로 하는 금속 전극 패턴의 제조방법을 제공한다.The present invention also provides a method of manufacturing a metal electrode pattern, wherein the curable polymer layer including the second metal electrode pattern is embedded in the curable polymer layer.

또한, 본 발명은 상기 경화성 고분자층은 철(凸)부 및 요(凹)를 포함하며,Further, in the present invention, the curable polymer layer includes a convex portion and a concave portion,

상기 제2금속 전극 패턴은 상기 경화성 고분자층의 요(凹)부에 위치하는 것을 특징으로 하는 금속 전극 패턴의 제조방법을 제공한다.And the second metal electrode pattern is located in a concave portion of the curable polymer layer.

또한, 본 발명은 기판; 및 상기 기판 상에 위치하고, 서로 대향 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하는 유기전계발광소자에 있어서, 상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 적어도 어느 하나의 전극은 금속 전극 패턴으로 이루어지고, 상기 금속 전극 패턴은 상기 기판의 내부에 함몰된 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자를 제공한다.In addition, the present invention provides a semiconductor device comprising a substrate; And at least one of the first electrode and the second electrode is formed of a metal electrode pattern, the organic electroluminescent device comprising a first electrode and a second electrode disposed on the substrate and disposed opposite to each other, And the metal electrode pattern is embedded in the substrate.

또한, 본 발명은 상기 기판은 철(凸)부 및 요(凹)를 포함하며, 상기 금속 전극 패턴은 상기 기판의 요(凹)부에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자를 제공한다.Also, the present invention provides an organic electroluminescent device, wherein the substrate includes a convex portion and a concave portion, and the metal electrode pattern is located in a concave portion of the substrate.

또한, 본 발명은 상기 기판은 경화성 고분자층인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자를 제공한다.Also, the present invention provides an organic electroluminescent device, wherein the substrate is a curable polymer layer.

상기한 바와 같은 본 발명에 따른 금속 전극 패턴의 제조방법 및 금속 전극 패턴을 포함하는 유기전계발광소자는 서로 대향 배치되는 제1전극 및 제2전극 중 적어도 어느 하나의 전극을 금속 전극 패턴으로 형성함으로써, 고가의 주석도핑 산화인듐을 금속 메쉬 패턴으로 대체할 수 있다.In the method of manufacturing a metal electrode pattern and the organic electroluminescent device including the metal electrode pattern as described above, at least any one of the first electrode and the second electrode arranged opposite to each other is formed as a metal electrode pattern , The expensive tin-doped indium oxide can be replaced with a metal mesh pattern.

또한, 본 발명에서는 금속 전극 패턴을 형성하는 공정에서의 몰드, 즉, 베이스 기판을 계속적으로 재활용할 수 있는 효과가 있다.Further, in the present invention, the mold in the step of forming the metal electrode pattern, that is, the base substrate, can be continuously recycled.

도 1은 일반적인 구조의 유기전계발광소자를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광소자를 도시하는 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 유기전계발광소자를 도시하는 개략적인 단면도이다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 따른 금속 전극 패턴의 제조방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an organic electroluminescent device having a general structure.
2A is a schematic cross-sectional view illustrating an organic electroluminescent device according to a first embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention.
4A to 4F are schematic cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a metal electrode pattern according to the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

아래 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 상세히 설명한다. 도면에 관계없이 동일한 부재번호는 동일한 구성요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. &Quot; and / or "include each and every combination of one or more of the mentioned items. ≪ RTI ID = 0.0 >

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, it goes without saying that these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, it goes without saying that the first component mentioned below may be the second component within the technical scope of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. The terms " comprises "and / or" comprising "used in the specification do not exclude the presence or addition of one or more other elements in addition to the stated element.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 구성 요소와 다른 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 구성요소들의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 구성요소를 뒤집을 경우, 다른 구성요소의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 구성요소는 다른 구성요소의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 구성요소는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다. The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" And can be used to easily describe a correlation between an element and other elements. Spatially relative terms should be understood in terms of the directions shown in the drawings, including the different directions of components at the time of use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element . Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The components can also be oriented in different directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 구조의 유기전계발광소자를 도시한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an organic electroluminescent device having a general structure.

도 1을 참조하면, 일반적인 유기전계발광소자 (10)는 서로 대향 배치되는 음극(16) 및 양극(12), 그리고 상기 음극(16) 및 양극(12) 사이에 위치하는발광층(14)을 포함한다.1, a conventional organic electroluminescent device 10 includes a cathode 16 and an anode 12 disposed opposite to each other, and a light emitting layer 14 disposed between the cathode 16 and the anode 12 do.

상기 음극(16) 및 양극(12)은 기판(11) 상에 위치한다. The cathode (16) and the anode (12) are located on the substrate (11).

상기 기판(11)은 투명성을 갖는 석영 또는 유리와 같은 투명 무기 기판이거나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리스티렌(PS), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌설포네이트(PES), 폴리옥시메틸렌(POM), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에테르설폰(PES) 및 폴리에테르이미드(PEI)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.The substrate 11 may be a transparent inorganic substrate such as quartz or glass having transparency or a transparent inorganic substrate such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polystyrene (PS), polypropylene (PEI) selected from the group consisting of polyimide (PI), polyethylene sulfonate (PES), polyoxymethylene (POM), polyetheretherketone (PEEK), polyether sulfone (PES) and polyetherimide A transparent plastic substrate can be used.

상기 양극(12)은 일함수가 높은 물질로 이루어지며, 상기 발광층(14)으로부터 발생된 빛이 상기 기판(11)을 통과할 수 있는 경로가 되므로 높은 투명도를 갖는 물질을 사용하며, 구체적인 예로는 주석도핑 산화인듐(ITO: tin-doped indium oxide), 불소도핑 산화주석(FTO: fluorine-doped tin oxide), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2-Sb2O3 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 투명산화물, 또는 전도성 고분자, 그라펜(graphene) 박막, 그라펜 산화물(graphene oxide) 박막, 탄소나노튜브 박막과 같은 유기 투명전극, 금속이 결합된 탄소나노 튜브 박막과 같은 유-무기 결합 투명전극 등을 사용할 수 있다.The anode 12 is made of a material having a high work function and a material having high transparency is used because light generated from the light emitting layer 14 can pass through the substrate 11, Tin-doped indium oxide (ITO), fluorine-doped tin oxide (FTO), ZnO-Ga 2 O 3 , ZnO-Al 2 O 3 , SnO 2 -Sb 2 O 3 , A transparent oxide selected from the group consisting of a combination thereof, or an organic transparent electrode such as a conductive polymer, a graphene thin film, a graphene oxide thin film, or a carbon nanotube thin film, a metal-bonded carbon nanotube thin film And a transparent electrode such as an organic-inorganic bond.

상기 음극(16)은 일함수가 낮은 물질로 이루어지는 것이 바람직하며, 음극 형성 물질은 구체적으로 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 알루미늄, 은, 주석, 납, 스테인레스 스틸, 구리, 텅스텐 및 실리콘으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.The negative electrode 16 is preferably made of a material having a low work function and the negative electrode forming material is specifically a metal such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, aluminum, silver, tin, lead, Copper, tungsten, and silicon.

상기 유기전계발광소자(10)는 상기 양극(12)과 상기 발광층(14) 사이에 정공전달층(130)을 더 포함할 수 있으며, 다만, 본 발명에서 상기 정공전달층의 종류를 제한하는 것은 아니다.The organic electroluminescent device 10 may further include a hole transporting layer 130 between the anode 12 and the light emitting layer 14. The limitation of the type of the hole transporting layer no.

또한, 상기 유기전계발광소자 (10)는 상기 음극(16)과 상기 발광층(14) 사이에 전자전달층(15)을 더 포함할 수 있으며, 다만, 본 발명에서 상기 전자전달층의 종류를 제한하는 것은 아니다.The organic electroluminescent device 10 may further include an electron transport layer 15 between the cathode 16 and the emission layer 14. However, It does not.

이와 같은 일반적인 구조의 유기전계발광소자 (10)의 상기 양극(12)은 일함수가 높은 물질로 이루어지며, 상기 발광층(14)으로부터 발생된 빛이 상기 기판(11)을 통과할 수 있는 경로가 되므로 높은 투명도를 갖는 물질을 사용하며, 구체적인 예로는 주석도핑 산화인듐(ITO: tin-doped indium oxide)을 주로 사용한다.The anode 12 of the organic electroluminescent device 10 having such a general structure is made of a material having a high work function and a path through which light generated from the light emitting layer 14 can pass through the substrate 11 Therefore, a material having high transparency is used. Specific examples of the material include tin-doped indium oxide (ITO).

하지만, 이러한 주석도핑 산화인듐은 고가라는 점에서 이를 대체할 수 있는 물질이 필요하다.However, such a tin-doped indium oxide is expensive and needs a substitute material.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광소자를 도시하는 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic electroluminescent device according to a first embodiment of the present invention.

먼저, 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광소자 (100)는 서로 대향 배치되는 제1전극(130) 및 제2전극(170)을 포함한다. 이때, 상기 제1전극은 양극이고, 상기 제2전극은 음극일 수 있으며, 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 제1전극은 양극으로, 제2전극은 음극으로 명명하기로 한다.Referring to FIG. 2, the organic light emitting display 100 according to the first embodiment of the present invention includes a first electrode 130 and a second electrode 170 disposed opposite to each other. In this case, the first electrode may be an anode and the second electrode may be a cathode. Hereinafter, for convenience of explanation, the first electrode is referred to as an anode and the second electrode is referred to as a cathode.

이때, 상기 양극(130) 및 음극(170)은 기판(110) 위에 위치할 수 있다.At this time, the anode 130 and the cathode 170 may be positioned on the substrate 110.

상기 기판(110)은 투명성을 갖는 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 석영 또는 유리와 같은 투명 무기 기판이거나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리스티렌(PS), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌설포네이트(PES), 폴리옥시메틸렌(POM), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에테르설폰(PES) 및 폴리에테르이미드(PEI)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.The substrate 110 is not particularly limited as long as it has transparency and may be a transparent inorganic substrate such as quartz or glass, or a transparent substrate such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polystyrene (PP), polyimide (PI), polyethylene sulfonate (PES), polyoxymethylene (POM), polyetheretherketone (PEEK), polyethersulfone (PES) and polyetherimide May be used as the transparent plastic substrate.

특히, 상기 투명 플라스틱기판은 플렉서블(flexible)하면서도 높은 화학적 안정성, 기계적 강도 및 투명도를 가지는 것을 바람직하게 사용할 수 있으며, 약 380 내지 780nm의 가시광 파장에서 적어도 70% 이상, 바람직하게는 80% 이상의 투과율을 갖는 것이 바람직하다.In particular, the transparent plastic substrate is preferably flexible and has high chemical stability, mechanical strength and transparency, and has a transmittance of at least 70% or more, preferably 80% or more at a visible light wavelength of about 380 to 780 nm .

상기 음극(170)은 일함수가 낮은 물질로 이루어지는 것이 바람직하며, 음극 형성 물질은 구체적으로 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 알루미늄, 은, 주석, 납, 스테인레스 스틸, 구리, 텅스텐 및 실리콘으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다.The negative electrode 170 is preferably made of a material having a low work function and the negative electrode forming material may be specifically selected from the group consisting of magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, aluminum, silver, tin, lead, Copper, tungsten, and silicon.

본 발명의 제1실시예에서 상기 양극(130)은 전해도금 또는 무전해 도금이 가능한 금속으로 이루어질 수 있으며, 이때, 상기 양극(130)은 금속 전극 패턴으로 이루어져, 상기 기판(120)의 내부에 함몰된 것을 특징으로 한다.In the first embodiment of the present invention, the anode 130 may be made of a metal capable of electroplating or electroless plating. In this case, the anode 130 may be a metal electrode pattern, .

보다 구체적으로, 상기 기판(120)은 철(凸)부(121) 및 요(凹)(122)를 포함할 수 있으며, 상기 양극(130)은 상기 기판(120)의 요(凹)부(122)에 위치하는 금속 전극 패턴으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이에 대해서는 후술하기로 한다.More specifically, the substrate 120 may include a convex portion 121 and a concave 122, and the anode 130 may be a concave portion of the substrate 120 And a metal electrode pattern formed on the second insulating layer. This will be described later.

계속해서 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광소자 (100)은 상기 양극(130) 및 상기 음극(170)의 사이에 위치하고, 정공수용체 및 전자수용체가 혼합된 발광층(150)을 포함할 수 있다.2, the organic electroluminescent device 100 according to the first embodiment of the present invention includes an anode 130 and a cathode 170. The anode 130 is disposed between the anode 130 and the cathode 170, (150).

상기 발광층(150)은 정공수용체와 전자수용체가 혼합된 벌크 이종 접합 구조를 가질 수 있다. The light emitting layer 150 may have a bulk heterojunction structure in which a hole receptor and an electron acceptor are mixed.

상기 정공수용체는 전기 전도성 고분자 또는 유기 저분자 반도체 물질 등과 같은 유기 반도체로서, 상기 전기 전도성 고분자는 폴리티오펜(polythiphene), 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene), 폴리플루오렌(polyfulorene), 폴리피롤(polypyrrole), 이들의 공중합체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있으며, 상기 유기 저분자 반도체 물질은 펜타센(pentacene), 안트라센(anthracene), 테트라센(tetracene), 퍼릴렌(perylene), 올리고티오펜(oligothiphene), 이들의 유도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.The hole-transporting material may be an organic semiconductor such as an electrically conductive polymer or an organic low-molecular semiconductor material. The electrically conductive polymer may be a polythiophene, polyphenylenevinylene, polyfulorene, polypyrrole, , Copolymers thereof, and combinations thereof. The organic low-molecular semiconductor material may be at least one selected from the group consisting of pentacene, anthracene, tetracene, perylene, Oligothiophenes, oligothiophenes, derivatives thereof, and combinations thereof.

또한, 상기 정공수용체는 바람직하게 폴리-3-헥실티오펜[poly-3-hexylthiophene, P3HT], 폴리-3-옥틸티오펜[poly-3-octylthiophene, P3OT], 폴리파라페닐렌비닐렌[poly-p-phenylenevinylene, PPV], 폴리(디옥틸플루오렌)[poly(9,9'-dioctylfluorene)], 폴리(2-메톡시,5-(2-에틸-헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)[poly(2-methoxy,5-(2-ethyle-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene, MEH-PPV], 폴리(2-메틸,5-(3',7'-디메틸 옥틸옥시))-1,4-페닐렌비닐렌[poly(2-methyl,5-(3',7'-dimethyloctyloxy))-1,4-phenylene vinylene, MDMOPPV] 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.The hole acceptor is preferably selected from the group consisting of poly-3-hexylthiophene (P3HT), poly-3-octylthiophene (P3OT), polyparaphenylenevinylene p-phenylenevinylene, PPV, poly (9,9'-dioctylfluorene), poly (2-methoxy, 5- (2-ethylhexyloxy) Poly (2-methyl-5- (3 ', 7'-dimethyloctyl) -1,4-phenylenevinylene, MEH-PPV] Oxy-1,4-phenylene vinylene, MDMOPPV], and a combination thereof. The poly (2-methyl) Lt; / RTI >

상기 전자수용체는 풀러렌(fullerene, C60) 또는 풀러렌 유도체, CdS, CdSe, CdTe [0026] 및 ZnSe 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 나노 입자일 수 있다. The electron acceptor may be any nanoparticle selected from the group consisting of fullerene (C60) or fullerene derivative, CdS, CdSe, CdTe, and ZnSe.

또한, 상기 전자수용체는 바람직하게 (6,6)-페닐-C61-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-phenyl-C61-butyric acid methyl ester; PCBM], (6,6)-페닐-C71-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-phenyl-C71-butyric acid methyl ester; C70-PCBM], (6,6)-티에닐-C61-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-thienyl-C61-butyric acid methyl ester; ThCBM], 탄소나노튜브 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.In addition, the electron acceptor is preferably (6,6) -phenyl-C61-butyric acid methyl ester [(6,6) -phenyl-C61-butyric acid methyl ester; PCBM], (6,6) -phenyl-C71-butyric acid methyl ester [(6,6) -phenyl-C71-butyric acid methyl ester; C70-PCBM], (6,6) -thienyl-C61-butyric acid methyl ester [(6,6) -thienyl-C61-butyric acid methyl ester; ThCBM], carbon nanotubes, and combinations thereof.

상기 발광층(150)은 상기 정공수용체로서 P3HT와 상기 전자수용체로서 PCBM의 혼합물로 이루어지는 것이 바람직하고, 이때 상기 P3HT와 PCBM의 혼합 중량 비율을 1:0.1 내지 1:2일 수 있다.The light emitting layer 150 preferably comprises a mixture of P3HT as the hole acceptor and PCBM as the electron acceptor, wherein the mixing weight ratio of P3HT and PCBM may be 1: 0.1 to 1: 2.

또한, 상기 유기전계발광소자 (100)는 상기 양극(130)과 상기 발광층(150) 사이에 정공전달층(140)을 더 포함할 수 있다.The organic electroluminescent device 100 may further include a hole transport layer 140 between the anode 130 and the emission layer 150.

상기 정공전달층(140)은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 폴리(스티렌설포네이트)(PSS), 폴리아닐린, 프탈로시아닌, 펜타센, 폴리디페닐 아세틸렌, 폴리(t-부틸)디페닐아세틸렌, 폴리(트리플루오로메틸)디페닐아세틸렌, 구리 프탈로시아닌(Cu-PC) 폴리(비스트리플루오로메틸)아세틸렌, 폴리비스(T-부틸디페닐)아세틸렌, 폴리(트리메틸실릴) 디페닐아세틸렌, 폴리(카르바졸)디페닐아세틸렌, 폴리디아세틸렌, 폴리페닐아세틸렌, 폴리피리딘아세틸렌, 폴리메톡시페닐아세틸렌, 폴리메틸페닐아세틸렌, 폴리(t-부틸)페닐아세틸렌, 폴리니트로페닐아세틸렌, 폴리(트리플루오로메틸)페닐아세틸렌, 폴리(트리메틸실릴)페닐아세틸렌, 이들의 유도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 정공전달물질을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 상기 PEDOT와 PSS의 혼합물을 사용할 수 있다.The hole transporting layer 140 may include at least one of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), poly (styrenesulfonate) (PSS), polyaniline, phthalocyanine, pentacene, polydiphenylacetylene, ) Poly (trimethylsilyl) di (triphenylmethyl) diphenyl acetylene, poly (trifluoromethyl) diphenylacetylene, copper phthalocyanine (Cu-PC) poly (bistrifluoromethyl) acetylene, (Meth) acrylates, such as phenylacetylene, poly (acetylenes), phenylacetylene, poly (carbazole) diphenylacetylene, polydiacetylene, polyphenylacetylene, polypyridine acetylene, polymethoxyphenylacetylene, polymethylphenylacetylene, (Trifluoromethyl) phenylacetylene, poly (trimethylsilyl) phenylacetylene, derivatives thereof, and combinations thereof, and preferably the hole transporting material selected from the group consisting of A mixture of PEDOT and PSS can be used.

또한, 상기 유기전계발광소자 (100)는 상기 음극(170)과 상기 발광층(150) 사이에 전자전달층(160)을 더 포함할 수 있다.The organic electroluminescent device 100 may further include an electron transport layer 160 between the cathode 170 and the emission layer 150.

상기 전자전달층(160)은 리튬플로라이드, 칼슘, 리튬 및 티타늄산화물(titanium oxide) 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 전자전달물질을 포함할 수 있다.The electron transport layer 160 may include any one of electron transport materials selected from the group consisting of lithium fluoride, calcium, lithium, and titanium oxide.

다만, 본 발명에서 상기 발광층, 정공전달층 및 전자전달층의 종류를 제한하는 것은 아니다.However, the type of the light emitting layer, the hole transporting layer, and the electron transporting layer is not limited in the present invention.

상술한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에서 상기 양극(130)은 전해도금 또는 무전해 도금이 가능한 금속으로 이루어질 수 있으며, 이때, 상기 양극(130)은 금속 전극 패턴으로 이루어져, 상기 기판(120)의 내부에 함몰된 것을 특징으로 한다.As described above, in the first embodiment of the present invention, the anode 130 may be made of a metal capable of electrolytic plating or electroless plating. In this case, the anode 130 may be a metal electrode pattern, 120).

즉, 본 발명에서 상기 양극이 상기 기판의 내부에 함몰되어 형성됨에 있어서, 상기 기판(120)은 철(凸)부(121) 및 요(凹)(122)를 포함할 수 있으며, 상기 양극(130)은 상기 기판(120)의 요(凹)부(122)에 위치하는 금속 전극 패턴으로 이루어 지는 것을 특징으로 한다.That is, in the present invention, when the anode is formed by being embedded in the substrate, the substrate 120 may include a convex portion 121 and a concave 122, 130 are formed of a metal electrode pattern located in a concave portion 122 of the substrate 120.

따라서, 상기 금속 전극 패턴이 위치하지 않는 영역, 즉, 상기 기판(120)의 철(凸)부(121)에 해당하는 영역을 통해 빛이 통과하여 발광될 수 있다.Therefore, the light can pass through the region where the metal electrode pattern is not located, that is, the region corresponding to the convex portion 121 of the substrate 120, and can emit light.

본 발명자들은 금속 전극 패턴의 광투과 효율이 상술한 주석도핑 산화인듐(ITO: tin-doped indium oxide)과 유사한 광투과 효율을 나타냄을 확인하였으며, 이로써, 이로써, 고가의 주석도핑 산화인듐을 금속 전극 패턴으로 대체할 수 있음을 확인하였다.The present inventors have confirmed that the light transmission efficiency of a metal electrode pattern exhibits a light transmission efficiency similar to that of the above-mentioned tin-doped indium oxide (ITO), whereby the expensive tin- Pattern can be replaced.

이때, 상기 금속 전극 패턴은 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag), 크롬(Cr), 철(Fe) 또는 코발트(Co) 중 적어도 어느 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으며, 금속메쉬층의 전체 두께는 0.1 내지 50㎛로 얇게 형성될 수 있다.At this time, the metal electrode pattern may be formed of at least one of copper (Cu), nickel (Ni), silver (Ag), chromium (Cr), iron (Fe), and cobalt (Co) The entire thickness of the layer may be formed to be as thin as 0.1 to 50 mu m.

다만, 상기 금속 전극 패턴은 전해도금 또는 무전해 도금이 가능한 물질인 것이 바람직하며, 따라서, 본 발명에서 상기 금속 전극 패턴의 종류를 제한하는 것은 아니다.However, it is preferable that the metal electrode pattern is a material which can be electroplated or electrolessly plated, and thus the kind of the metal electrode pattern is not limited in the present invention.

도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 유기전계발광소자를 도시하는 개략적인 단면도이다. 본 발명의 제2실시예에 따른 유기전계발광소자는 후술하는 바를 제외하고는 상술한 제1실시예와 동일할 수 있다.3 is a schematic cross-sectional view illustrating an organic electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention. The organic electroluminescent device according to the second embodiment of the present invention may be the same as the first embodiment except for the following.

먼저, 도 3을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기전계발광소자(200)는 서로 대향 배치되는 제1전극(230) 및 제2전극(270)을 포함한다. 이때, 상기 제1전극은 음극이고, 상기 제2전극은 양극일 수 있으며, 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 제1전극은 음극으로, 제2전극은 양극으로 명명하기로 한다.Referring to FIG. 3, the OLED 200 according to the second embodiment of the present invention includes a first electrode 230 and a second electrode 270 disposed opposite to each other. Here, the first electrode may be a cathode and the second electrode may be an anode. Hereinafter, for convenience of explanation, the first electrode is referred to as a cathode and the second electrode is referred to as an anode.

이때, 상기 양극(270) 및 음극(230)은 기판(210) 위에 위치할 수 있다.At this time, the anode 270 and the cathode 230 may be positioned on the substrate 210.

상기 기판(110)은 투명성을 갖는 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 이는 상술한 제1실시예와 동일하므로, 이하 구체적인 설명은 생략하기로 한다.The substrate 110 is not particularly limited as long as it has transparency, which is the same as that of the first embodiment, and thus a detailed description thereof will be omitted.

상기 양극(270)은 발광층으로부터 발광된 빛이 상기 기판(210)을 통과할 수 있는 경로가 될 수 있도록, 높은 투명도를 갖는 물질을 사용하는 것이 바람직하며, 약 4.5eV 이상의 높은 일함수, 낮은 저항을 갖는 전도성 물질을 사용하는 것이 바람직하다. The anode 270 preferably uses a material having a high transparency so that light emitted from the light emitting layer can pass through the substrate 210. The anode 270 may have a high work function of about 4.5 eV or more, Is preferably used.

상기 양극(270)을 형성하는 양극 형성 물질의 구체적인 예로는 주석도핑 산화인듐(ITO: tin-doped indium oxide), 불소도핑 산화주석(FTO: fluorine-doped tin oxide), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2-Sb2O3 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 투명산화물, 또는 전도성 고분자, 그라펜(graphene) 박막, 그라펜 산화물(graphene oxide) 박막, 탄소나노튜브 박막과 같은 유기 투명전극, 금속이 결합된 탄소나노 튜브 박막과 같은 유-무기 결합 투명전극 등을 사용할 수 있다.Specific examples of the anode forming material for forming the anode 270 include tin-doped indium oxide (ITO), fluorine-doped tin oxide (FTO), ZnO-Ga 2 O 3 , ZnO-Al 2 O 3, SnO 2 -Sb 2 O 3 , and those of the transparent oxide is selected from the group consisting of the combination, or a conductive polymer, graphene (graphene) thin film, the graphene oxide (graphene oxide) thin film, a carbon nanotube Organic-transparent electrodes such as thin films, and organic-inorganic transparent electrodes such as metal-bonded carbon nanotube thin films.

또한, 본 발명의 제2실시예에서 상기 음극(230)은 전해도금 또는 무전해 도금이 가능한 금속으로 이루어질 수 있으며, 이때, 상기 음극(230)은 금속 전극 패턴으로 이루어져, 상기 기판(120)의 내부에 함몰된 것을 특징으로 한다.In addition, in the second embodiment of the present invention, the cathode 230 may be formed of a metal capable of electroplating or electroless plating, wherein the cathode 230 is a metal electrode pattern, And is recessed inside.

즉, 본 발명에서 상기 음극(230)이 상기 기판의 내부에 함몰되어 형성됨에 있어서, 상기 기판(220)은 철(凸)부(221) 및 요(凹)(222)를 포함할 수 있으며, 상기 음극(230)은 상기 기판(220)의 요(凹)부(222)에 위치하는 금속 전극 패턴으로 이루어 지는 것을 특징으로 한다.That is, in the present invention, when the cathode 230 is formed by being embedded in the substrate, the substrate 220 may include a convex portion 221 and a concave 222, The cathode 230 is formed of a metal electrode pattern located in a concave portion 222 of the substrate 220.

따라서, 상기 금속 전극 패턴이 위치하지 않는 영역, 즉, 상기 기판(220)의 철(凸)부(221)에 해당하는 영역을 통해 빛이 통과하여 발광될 수 있다.Therefore, light can be emitted through the region where the metal electrode pattern is not located, that is, the region corresponding to the convex portion 221 of the substrate 220. [

계속해서 도 3을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기전계발광소자 (200)은 상기 양극(270) 및 상기 음극(230)의 사이에 위치하고, 정공수용체 및 전자수용체가 혼합된 발광층(250)을 포함할 수 있다.3, the organic electroluminescent device 200 according to the second embodiment of the present invention includes an anode 270 and a cathode 230, (250).

또한, 상기 유기전계발광소자(200)는 상기 양극(270)과 상기 발광층(250) 사이에 정공전달층(260)을 더 포함할 수 있고, 상기 음극(230)과 상기 발광층(250) 사이에 전자전달층(240)을 더 포함할 수 있다.The organic electroluminescent device 200 may further include a hole transport layer 260 between the anode 270 and the light emitting layer 250 and may be formed between the anode 230 and the light emitting layer 250. [ And may further include an electron transport layer 240.

이는 상술한 제1실시예와 동일하므로, 이하 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Since this is the same as the first embodiment, detailed description will be omitted below.

결국, 본 발명에서는 서로 대향 배치되는 제1전극 및 제2전극 중 적어도 어느 하나의 전극을 금속 전극 패턴으로 형성함으로써, 고가의 주석도핑 산화인듐을 금속 메쉬 패턴으로 대체할 수 있다.As a result, in the present invention, at least any one of the first electrode and the second electrode arranged opposite to each other is formed as a metal electrode pattern, whereby expensive tin-doped indium oxide can be replaced with a metal mesh pattern.

한편, 후술하는 금속 전극 패턴의 제조방법에서 알 수 있듯이, 본 발명에서는 금속 전극 패턴과 기판을 동시에 제조할 수 있다.Meanwhile, as can be seen from the manufacturing method of the metal electrode pattern described later, in the present invention, the metal electrode pattern and the substrate can be manufactured at the same time.

이하에서는, 상술한 바와 같은 금속 전극 패턴을 형성하는 방법에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of forming the metal electrode pattern as described above will be described.

도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 따른 금속 전극 패턴의 제조방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.4A to 4F are schematic cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a metal electrode pattern according to the present invention.

먼저, 도 4a를 참조하면, 본 발명에 따른 금속 전극 패턴의 제조방법에 사용되는 몰드용 기판을 형성하기 위한 베이스 부재(300)를 제공한다.First, referring to FIG. 4A, there is provided a base member 300 for forming a substrate for a mold used in a method of manufacturing a metal electrode pattern according to the present invention.

상기 베이스 부재(300)는 비전도성을 갖는 석영 또는 유리와 같은 투명 무기 기판이거나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리스티렌(PS), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌설포네이트(PES), 폴리옥시메틸렌(POM), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에테르설폰(PES) 및 폴리에테르이미드(PEI)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 다만, 본 발명에서 상기 베이스 부재의 종류를 한정하는 것은 아니다.The base member 300 may be a transparent inorganic substrate such as quartz or glass having a nonconductive property or a transparent inorganic substrate such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polystyrene (PS) ), Polyimide (PI), polyethylene sulfonate (PES), polyoxymethylene (POM), polyetheretherketone (PEEK), polyether sulfone (PES) and polyetherimide One plastic substrate can be used. However, the kind of the base member is not limited in the present invention.

다음으로, 상기 베이스 부재(300)의 상부에 제1금속 전극 패턴(310)을 형성한다.Next, a first metal electrode pattern 310 is formed on the base member 300.

상기 제1금속 전극 패턴(310)은, 전해도금법 또는 무전해 도금법에 의하여 후술하는 제2금속 전극 패턴을 형성하기 위한 것으로, 즉, 상기 제1금속 전극 패턴(310)의 형상에 따라, 후술하는 제2금속 전극 패턴의 형태가 결정될 수 있다.The first metal electrode pattern 310 is for forming a second metal electrode pattern to be described later by an electrolytic plating method or an electroless plating method. That is, according to the shape of the first metal electrode pattern 310, The shape of the second metal electrode pattern can be determined.

한편, 상기 제2금속 전극 패턴은 상술한 도 2의 양극 및 도 3의 음극에 해당한다.Meanwhile, the second metal electrode pattern corresponds to the anode of FIG. 2 and the cathode of FIG.

상기 제1금속 전극 패턴(310)은 도전성이 있는 금속으로 이루어지며, 예를 들어, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 알루미늄, 은, 주석, 납, 스테인레스 스틸, 구리 및 텅스텐으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 다만, 본 발명에서 상기 제1금속 전극 패턴의 종류를 제한하는 것은 아니다.The first metal electrode pattern 310 is made of a conductive metal and may be formed of a metal such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, aluminum, silver, tin, lead, And tungsten. However, the present invention is not limited to the first metal electrode pattern.

또한, 상기 제1금속 전극 패턴(310)은 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputturing) 등의 일반적인 막 형성 방법인 물리적 진공증착법을 이용하여 형성될 수 있다.In addition, the first metal electrode pattern 310 may be formed using a physical vacuum deposition method, which is a general film forming method such as evaporation or sputtering.

또한, 상기 제1금속 전극 패턴(310)은 공지된 식각방법에 의해 형성할 수 있으며, 예를 들어, 제1금속 전극 패턴층을 형성하고, 상기 제1금속 전극 패턴층의 상부에 포토레지스트막을 형성한 후에, 상기 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하며, 이후, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 제1금속 전극 패턴층을 식각함으로써, 제1금속 전극 패턴을 형성할 수 있다.The first metal electrode pattern 310 may be formed by a known etching method. For example, a first metal electrode pattern layer may be formed, and a photoresist film may be formed on the first metal electrode pattern layer. The photoresist film is exposed and developed to form a photoresist pattern and then the first metal electrode pattern is etched using the photoresist pattern as a mask to form a first metal electrode pattern .

다만, 본 발명에서 상기 제1금속 전극 패턴(310)의 형성방법을 제한하는 것은 아니다.However, the method of forming the first metal electrode pattern 310 is not limited in the present invention.

다음으로, 도 4b를 참조하면, 상기 제1금속 전극 패턴(310)의 상부에 크로메이트층(320)을 형성한다.Next, referring to FIG. 4B, a chromate layer 320 is formed on the first metal electrode pattern 310.

일반적으로 크로메이트층은 다음과 같은 기능을 갖는다.Generally, the chromate layer has the following functions.

예를 들어, 철(Fe)은 염(salt)이나 대기중의 수분, 이온에 의해 부식되는데, 철의 산화층은 크롬이나 알루미늄 등의 산화층과는 다르게 지속적으로 진행되므로 깊이 부식(depth corrosion)이 일어나게 된다. For example, iron (Fe) is corroded by salt or moisture and ions in the atmosphere. Since the oxidation layer of iron progresses differently from the oxidation layer of chromium and aluminum, depth corrosion occurs do.

이를 해소하기 위하여 아연(Zn) 또는 아연합금(Zn Alloy)을 표면에 도금하거나 피막하여 부식을 억제하는 방식이 보편화되었으며, 이러한 아연도금 또는 아연합금도금 금속은 내식성이 요구되는 자동차, 가전제품, 건축재료 등의 방청처리 금속으로서 널리 사용되고 있다.In order to solve this problem, a method of plating or coating a surface of zinc (Zn) or zinc alloy (Zn Alloy) on a surface has been popularized to suppress corrosion. Such zinc plating or Au alloy gold- And is widely used as an anti-rust treatment metal such as a material.

그러나 순수한 아연은 염수분무 등의 부식환경에 있어서, 아연도금 자체의 부식이 현저히 빠르게 진행되는 결점이 있다. 또, 순수한 아연은 부식 생성물로써 도전성인 산화아연(ZnO)를 생성하기 쉽고, 표면에 존재하는 부식 생성물에 의한 보호 효과가 결핍되는 것도 내식성을 감소시키는 요인으로 작용한다.However, pure zinc has drawbacks that the corrosion of the zinc plating itself progresses rapidly in the corrosive environment such as salt spray. In addition, pure zinc easily forms zinc oxide (ZnO), which is conductive as a corrosion product, and lacks a protective effect by corrosion products present on the surface, which also serves as a factor for reducing corrosion resistance.

따라서, 이러한 아연의 부식을 억제하기 위한 방법으로 아연 또는 아연합금 피막 위에 크롬(chromium)(Cr)을 코팅하는 크로메이트(chromate) 처리를 하는 것이 일반적이다.Therefore, as a method for suppressing the corrosion of zinc, it is common to perform a chromate treatment in which chromium (Cr) is coated on a zinc or zinc alloy coating.

크로메이트층을 형성하기 위한, 크로메이트 공정은 아연도금 공정을 수행한 뒤에 최종 처리에 해당되는 공정으로서, 통상 크로메이트 처리를 하기 위한 크로메이트 용액은 6가의 무수크롬산, 중크롬산나트륨, 산을 혼합한 용액을 사용하여 만들어질 수 있으며, 또한 3가 크롬을 이용하는 3가 크로메이트에 의해서도 크로메이트층을 형성할 수 있다.The chromate process for forming the chromate layer is a process corresponding to the final process after performing the zinc plating process. Usually, the chromate solution for performing the chromate treatment is a solution prepared by mixing a solution of hexavalent chromic acid anhydride, sodium dichromate, And a chromate layer can also be formed by trivalent chromate using trivalent chromium.

이러한, 공지된 크로메이트층을 형성하는 방법을 통해, 상기 제1금속 전극 패턴(310)의 상부에 크로메이트층(320)을 형성할 수 있다.The chromate layer 320 may be formed on the first metal electrode pattern 310 through a known method of forming the chromate layer.

한편, 본 발명에서 상기 제1금속 전극 패턴(310)의 상부에 크로메이트층(320)을 형성하는 것은 후술하는 제2금속 전극 패턴을 형성함에 있어 도전성을 갖으면서, 또한, 높은 이형성을 갖는 층을 형성하기 위함이다.Meanwhile, in the present invention, the formation of the chromate layer 320 on the first metal electrode pattern 310 is advantageous in forming a second metal electrode pattern, which will be described later, .

보다 구체적으로, 상기 크로메이트층(320)은 전도성을 갖고 있기 때문에, 후술하는 도금공정에서의 전극으로의 역할이 가능하며, 또한, 높은 이형성을 갖고 있기 때문에, 후술하는 도금공정에서 형성되는 제2금속 전극 패턴이 상기 크로메이트층(320)으로부터 분리되는 것이 용이할 수 있다.More specifically, since the chromate layer 320 has conductivity, it can serve as an electrode in a plating process, which will be described later, and has a high releasability. Therefore, the second metal It may be easy to separate the electrode pattern from the chromate layer 320.

즉, 상기 크로메이트 층은 전기적 전도성을 갖는 물질이면서 후속 도금공정에 형성되는 제1금속 전극 패턴과 제2금속 전극 패턴의 재질 사이에서 높은 이형성을 부가할 수 있다.That is, the chromate layer may have high releasability between the material of the first metal electrode pattern and the material of the second metal electrode pattern, which are electrically conductive materials and formed in the subsequent plating process.

다음으로, 도 4c를 참조하면, 상기 크로메이트층의 상부에 제2금속 전극 패턴(330)을 형성한다.Next, referring to FIG. 4C, a second metal electrode pattern 330 is formed on the chromate layer.

상기 제2금속 전극 패턴(330)은 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag), 크롬(Cr), 철(Fe) 또는 코발트(Co) 중 적어도 어느 하나 이상을 도금하는 무전해 도금 또는 전기 도금 공정을 수행하여 형성할 수 있다. 상기 도금층을 형성하는 무전해 도금 또는 전기 도금 공정은 당업계에서 자명한 것이므로, 이하 구체적인 설명은 생략하기로 하며, 다만, 본 발명에서 상기 도금층을 형성하는 방법 및 도금층의 재질을 한정하는 것은 아니다.The second metal electrode pattern 330 may be formed by electroless plating plating at least one of copper (Cu), nickel (Ni), silver (Ag), chrome (Cr), iron (Fe), and cobalt Or an electroplating process. Since the electroless plating or electroplating process for forming the plating layer is obvious in the art, a detailed description thereof will be omitted below, but the method of forming the plating layer and the material of the plating layer are not limited in the present invention.

한편, 상술한 바와 같이, 상기 크로메이트층은 전기적 전도성을 갖는 물질이기 때문에, 무전해 도금 또는 전기 도금 공정에서 전극의 역할을 하여, 상기 크로메이트층(320)의 상부에 상기 제2금속 전극 패턴(330)이 형성될 수 있다.As described above, since the chromate layer is an electrically conductive material, it functions as an electrode in the electroless plating or electroplating process, and the second metal electrode pattern 330 May be formed.

다음으로, 도 4d를 참조하면, 상기 제2금속 전극 패턴을 포함하는 기판의 전면(全面)에 경화성 고분자층(400)을 형성한다.Next, referring to FIG. 4D, a curable polymer layer 400 is formed on the entire surface of the substrate including the second metal electrode pattern.

상기 경화성 고분자는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드 (PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG),폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀폴리머(COP), 사이클로올레핀코폴리머(COC), 디시클로펜타디엔폴리머(DCPD), 시클로펜타디엔폴리머(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS), 실리콘수지, 불소수지, 변성에폭시수지 등을 사용할 수 있다. The curable polymer may be at least one selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), polyethylene sulfone (PES), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), polyimide (PI), ethylene vinyl acetate ), Amorphous polyethylene terephthalate (APET), polypropylene terephthalate (PPT), polyethylene terephthalate glycerol (PETG), polycyclohexylenedimethylene terephthalate (PCTG), modified triacetyl cellulose (TAC) (COP), cycloolefin copolymer (COC), dicyclopentadiene polymer (DCPD), cyclopentadiene polymer (CPD), polyarylate (PAR), polyetherimide (PEI), polydimethylsilonane ), A silicone resin, a fluororesin, and a modified epoxy resin.

또한, 상기 경화성 고분자는 상기 제2금속 전극 패턴을 포함하는 기판의 전면(全面)에 코팅된 후 열 경화, 자외선 경화, 습기 경화, 마이크로 웨이브 경화(microwave), 적외선(IR) 경화 등 사용되는 고분자의 특성에 맞는 경화방법으로 경화되어 경화성 고분자 층, 즉 유연기판으로 형성된다. The curable polymer is coated on the entire surface of the substrate including the second metal electrode pattern and then polymerized using a polymer such as thermosetting, ultraviolet curing, moisture curing, microwave curing, infrared (IR) And is formed into a curable polymer layer, that is, a flexible substrate.

이때, 상기 코팅은 닥터블레이딩(doctor blading), 바코팅(bar coating), 스핀코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating), 마이크로 그라비아 코팅(microgravure), 임프린팅 (imprinting), 잉크젯 프린팅(injet pringting), 스프레이(spray) 등 용액공정이 가능한 코팅방법으로 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.At this time, the coating may be applied by doctor blading, bar coating, spin coating, dip coating, microgravure, imprinting, inkjet printing but are not limited to, spraying, spraying, spraying, spraying, spraying, spraying, spraying,

다음으로, 도 4e를 참조하면, 상기 경화성 고분자층(400)과 상기 베이스 부재(300)를 분리한다.Next, referring to FIG. 4E, the curable polymer layer 400 and the base member 300 are separated.

상기 경화성 고분자층(400)과 상기 베이스 부재(300)를 분리함에 있어서, 상기 크로메이트층(320)은 이형층의 역할을 하게 된다.In separating the curable polymer layer 400 from the base member 300, the chromate layer 320 serves as a release layer.

즉, 상술한 바와 같이, 크로메이트층(320)은 높은 이형성을 가지고 있기 때문에, 상기 경화성 고분자층(400)과 상기 베이스 부재(300)를 분리함에 있어, 이형층의 역할을 하여, 결국, 제2금속 전극 패턴(330)을 포함하는 경화성 고분자층(400)과 제1금속 전극 패턴(310) 및 상기 제1금속 전극 패턴(310)의 상부에 위치하는 크로메이트층(320)을 포함하는 베이스 부재(300)로 분리될 수 있다.That is, as described above, since the chromate layer 320 has a high releasability, it functions as a release layer in separating the curable polymer layer 400 from the base member 300, A base member including a curable polymer layer 400 including a metal electrode pattern 330 and a first metal electrode pattern 310 and a chromate layer 320 located on the first metal electrode pattern 310 300). ≪ / RTI >

상기 경화성 고분자층(400)과 상기 베이스 부재(300)를 분리는 베이스 부재와 경화성 고분자층을 분리시킬 수 있는 모든 수단을 통해 수행될 수 있으며, 바람직하게는 물리적 힘을 가함으로써 수행될 수 있으며, 다만, 본 발명에서 이러한 분리방법을 제한하는 것은 아니다.The separation of the curable polymer layer 400 and the base member 300 may be performed by any means capable of separating the base member and the curable polymer layer, preferably by applying a physical force, However, this separation method is not limited in the present invention.

다음으로, 도 4f를 참조하면, 상기 경화성 고분자층(400)과 상기 베이스 부재(300)를 분리하여, 제2금속 전극 패턴(330)을 포함하는 경화성 고분자층(400)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 4F, the curable polymer layer 400 may be separated from the base member 300 to form the second metal electrode pattern 330.

한편, 도 4e에서는 설명의 편의를 위하여, 상기 경화성 고분자층(400)의 철(凸)부와 요(凹)의 단차가 큰 것으로 표현하였으나, 실제로는 상기 경화성 고분자층(400)의 철(凸)부와 요(凹)부의 단차가 크지 않다.4E, the convex portion and the concave portion of the curable polymer layer 400 are shown as being large in order to simplify the explanation. Actually, the convex portion and the concave portion of the curable polymer layer 400 are convex ) And the recessed portion are not large.

즉, 경화성 고분자층(400)의 철(凸)부와 요(凹)의 단차는 제1금속 전극 패턴(310) 및 상기 제1금속 전극 패턴(310)의 상부에 위치하는 크로메이트층(320) 등의 두께에 의해 결정될 수 있는데, 실제, 이러한 제1금속 전극 패턴과 크로메이트층은 마이크로 단위로 형성되기 때문에, 도 4f에서 도시된 바와 같이, 상기 경화성 고분자층(400)의 철(凸)부(411)와 요(凹)부(412)의 단차가 크지 않음을 이해할 수 있다. 실제 제2금속 전극 패턴(330)의 상면과 경화성 고분자층(400)의 철(凸)부(411)의 상면은 거의 평평한 수준으로 이해될 수 있을 것이다.That is, the step between the convex portion and the concave portion of the curable polymer layer 400 is formed by the first metal electrode pattern 310 and the chromate layer 320 located above the first metal electrode pattern 310, The first metal electrode pattern and the chromate layer are formed in units of micrometers. Therefore, as shown in FIG. 4F, the protruding portion of the curable polymer layer 400 411 and the recessed portion 412 are not large. The upper surface of the second metal electrode pattern 330 and the upper surface of the convex portion 411 of the curable polymer layer 400 may be substantially flat.

이때, 제2금속 전극 패턴(330)은 상술한 도 2의 양극 또는 도 3의 음극에 해당하며, 상기 경화성 고분자층(400)은 상술한 도 2 및 도 3의 기판에 해당한다.Here, the second metal electrode pattern 330 corresponds to the anode of FIG. 2 or the cathode of FIG. 3, and the curable polymer layer 400 corresponds to the substrate of FIGS. 2 and 3 described above.

즉, 상술한 도 2의 제1실시예를 예를 들어 설명하면, 상기 양극(130)은 금속 전극 패턴으로 이루어져, 상기 기판(120)의 내부에 함몰된 것을 특징으로 하며, 보다 구체적으로, 상기 기판(120)은 철(凸)부(121) 및 요(凹)(122)를 포함할 수 있으며, 상기 양극(130)은 상기 기판(120)의 요(凹)부(122)에 위치하는 금속 전극 패턴으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.2, the anode 130 is formed of a metal electrode pattern, and is embedded in the substrate 120. More specifically, the anode 130 is formed of a metal electrode pattern, The substrate 120 may include a convex portion 121 and a concave 122 and the anode 130 may be positioned on a concave portion 122 of the substrate 120 And a metal electrode pattern.

이와 마찬가지로, 제2금속 전극 패턴(330)을 포함하는 경화성 고분자층(400)은, 상기 제2금속 전극 패턴(330)이 상기 경화성 고분자층(400)의 내부에 함몰된 것을 특징으로 하며, 보다 구체적으로, 상기 경화성 고분자층(400)은 철(凸)부(411) 및 요(凹)(412)를 포함할 수 있으며, 상기 제2금속 전극 패턴(330)은 상기 경화성 고분자층(400)의 요(凹)부(412)에 위치하는 금속 전극 패턴으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.Similarly, in the curable polymer layer 400 including the second metal electrode pattern 330, the second metal electrode pattern 330 is embedded in the curable polymer layer 400, The curable polymer layer 400 may include a convex portion 411 and a concave portion 412. The second metal electrode pattern 330 may be formed on the curable polymer layer 400, And a metal electrode pattern located in the concave portion 412 of the metal plate.

이로써, 본 발명에 따른 기판의 내부에 함몰된 금속 전극 패턴을 제조할 수 있다.Thus, the metal electrode pattern embedded in the substrate according to the present invention can be manufactured.

한편, 상술한 바와 같이, 몰드용 기판을 형성하기 위한 베이스 부재(300)는 몰드용 기판의 형체를 그대로 유지한 채 높은 이형성을 기반하여 베이스 부재(300)가 상기 경화성 고분자층(400)으로부터 분리된 것이므로, 본 발명에 따른 몰드용 기판은 계속적인 재활용이 가능하다.Meanwhile, as described above, the base member 300 for forming the mold substrate is formed by separating the base member 300 from the curable polymer layer 400 based on high releasability while maintaining the shape of the substrate for the mold as it is. The substrate for a mold according to the present invention can be continuously recycled.

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

100, 200 : 유기전계발광소자 110, 210 : 기판
130 , 230 : 제1전극 150, 250 : 광활성층
170, 270 : 제2전극100, 200: organic electroluminescent device 110, 210: substrate
130, 230: first electrode 150, 250: photoactive layer
170, 270: second electrode

Claims (8)

베이스 부재를 제공하는 단계;
상기 베이스 부재의 상부에 제1금속 전극 패턴을 형성하는 단계;
상기 제1금속 전극 패턴의 상부에 크로메이트층을 형성하는 단계;
상기 크로메이트층의 상부에 제2금속 전극 패턴을 형성하는 단계;
상기 제2금속 전극 패턴을 포함하는 기판의 전면(全面)에 경화성 고분자층을 형성하는 단계; 및
상기 경화성 고분자층과 상기 베이스 부재를 분리하는 단계를 포함하는 금속 전극 패턴의 제조방법.Providing a base member;
Forming a first metal electrode pattern on the base member;
Forming a chromate layer on the first metal electrode pattern;
Forming a second metal electrode pattern on the chromate layer;
Forming a curable polymer layer on the entire surface of the substrate including the second metal electrode pattern; And
And separating the curable polymer layer and the base member from each other. 제 1 항에 있어서,
상기 제2금속 전극 패턴은 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag), 크롬(Cr), 철(Fe) 또는 코발트(Co) 중 적어도 어느 하나 이상을 도금하는 무전해 도금 또는 전기 도금 공정을 수행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 전극 패턴의 제조방법.The method according to claim 1,
The second metal electrode pattern may be formed by electroless plating or electroplating to coat at least one of copper (Cu), nickel (Ni), silver (Ag), chrome (Cr), iron (Fe), or cobalt Wherein the metal electrode pattern is formed by performing the following steps. 제 1 항에 있어서,
상기 경화성 고분자층과 상기 베이스 부재를 분리하는 단계는,
상기 제2금속 전극 패턴을 포함하는 상기 경화성 고분자층과, 상기 제1금속 전극 패턴 및 상기 제1금속 전극 패턴의 상부에 위치하는 상기 크로메이트층을 포함하는 상기 베이스 부재로 분리되는 것을 특징으로 하는 금속 전극 패턴의 제조방법.The method according to claim 1,
Separating the curable polymer layer and the base member from each other,
And the base metal member is separated into the curable polymer layer including the second metal electrode pattern and the chrome layer located above the first metal electrode pattern and the first metal electrode pattern. A method of manufacturing an electrode pattern. 제 3 항에 있어서,
상기 제2금속 전극 패턴을 포함하는 상기 경화성 고분자층은,
상기 제2금속 전극 패턴이 상기 경화성 고분자층의 내부에 함몰된 것을 특징으로 하는 금속 전극 패턴의 제조방법.The method of claim 3,
Wherein the curable polymer layer including the second metal electrode pattern comprises:
Wherein the second metal electrode pattern is embedded in the curable polymer layer. 제 4 항에 있어서,
상기 경화성 고분자층은 철(凸)부 및 요(凹)를 포함하며,
상기 제2금속 전극 패턴은 상기 경화성 고분자층의 요(凹)부에 위치하는 것을 특징으로 하는 금속 전극 패턴의 제조방법.5. The method of claim 4,
Wherein the curable polymer layer includes a convex portion and a concave portion,
Wherein the second metal electrode pattern is located in a concave portion of the curable polymer layer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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