KR101576573B1 - 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법 및 이를 위한 제조 장치 - Google Patents

오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법 및 이를 위한 제조 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법 및 이를 위한 제조 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 챔버 내부에 흑린을 구비하고, 상기 챔버 내에 자외선을 조사하여 오존을 형성하는 과정에서 발생하는 활성산소를 이용하여 흑린의 식각을 통해 흑린 박막을 제조하는 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법 및 이를 위한 제조 장치에 관한 것이다.

Description

오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법 및 이를 위한 제조 장치{Black Phosphorous Thin Film Manufacturing Method and Manufacturing Apparatus Therefor Using Ozone Generation}
본 발명은 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법 및 이를 위한 제조 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 챔버 내부에 흑린을 구비하고, 상기 챔버 내에 자외선을 조사하여 오존을 형성하는 과정에서 발생하는 활성산소를 이용하여 흑린의 식각을 통해 흑린 박막을 제조하는 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법 및 이를 위한 제조 장치에 관한 것이다.
그래핀과 유사한 2차원 박막 재료들은 유연한 전기장치를 만드는데 있어 필수적이다.
그러나 상기 그래핀은 실리콘보다 전기 이동도가 뛰어난 반면, 밴드 갭의 생성이 어려운 단점이 있다.
상기 그래핀을 대체 가능한 물질로 평가받는 흑린(검은 인, black phosphorus)은 인과 원소는 같지만 성질이 다른 동소체로서, 철회색에 금속광택을 포함하며, 겉의 모양이 흑연과 비슷한 물질이다.
상기 흑린은 다수 층의 포스포린으로 구성된 반도체성 재료로서, 그래핀과 같이 층구조를 이루는 것을 특징으로 하며, 두께 또한 그래핀에 준하는 원자 두층 정도의 얇은 물질이고, 밴드 갭의 존재에 의해 그래핀 만큼 주목을 받고 있는 MoS2(molybdenum disulfide, 이황화몰리브데넘) 박막에 비해 이동도가 높은 것을 특징으로 한다.
특히, 그래핀이 가전자대와 전도대 사이에 직접 전자 밴드갭이 부족해 대표적인 반도체인 실리콘을 대체하는데 한계가 있는 반면, 흑린은 직접 밴드갭도 가지고 있을 뿐만 아니라, 두께에 따라서 밴드 갭의 조절이 가능하므로 가시광선에서 근적외선까지 폭 넓은 파장 범위에서도 작동이 가능한 장점을 가진다.
그러나 흑린은 공기 중 반응속도가 너무 높아 안정적이지 못한 문제점이 있다.
특히, 흑린의 높은 반응속도는 그 두께가 얇을수록 더욱 더 높아지며, 이는 테이핑과 같은 기계적인 방법으로 시편을 제조할 때에, 약 한 시간 이내에 흑린 산화물로 변하며 사라지는 문제점이 있으므로, 흑린 박막 제조 및 연구에 큰 어려움이 있는 문제점이 있다.
상기에 기재된 오존을 이용한 박막 제조와 유사한 선행기술로는 대한민국 공개특허공보 제10-2008-0089901호("트리메틸사일렌과 오존을 이용한 실리콘다이옥사이드 박막제조 방법", 2008.10.08.)가 있다.
그러나 오존을 이용한 박막 제조 장치 또는 방법은 오존의 보관 또는 이동이 수월하지 못한 문제점이 있어, 박막 제조 공정의 효율성이 떨어질 뿐만 아니라, 오존을 발생시키는 장치를 따로 구비해야 함으로써, 박막 제조 비용이 증가하는 문제점이 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2008-0089901호("트리메틸사일렌과 오존을 이용한 실리콘다이옥사이드 박막제조 방법", 2008.10.08.)
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 챔버 내부에 흑린을 구비하고, 상기 챔버 내에 자외선을 조사하여 오존을 형성하는 과정에서 발생하는 활성산소를 이용하여 흑린의 식각을 통해 흑린 박막을 제조하는 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법 및 이를 위한 제조 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법 및 이를 위한 제조 장치는 챔버 내에 흑린(black phosphorous)을 구비하는 흑린 준비단계; 및 상기 챔버 내에 자외선을 조사하여, 조사된 자외선과 산소와의 반응을 통해 오존을 생성하는 과정에서 발생되는 활성산소를 이용하여 흑린을 식각함으로써 흑린 박막을 형성하는 흑린 박막 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
특히, 상기 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법은 상기 흑린 박막 형성단계에서 형성된 흑린 박막을 광학이미지, 라만스펙트럼 중 선택되는 어느 하나 이상을 이용하여 식각의 여부를 확인하는 흑린 박막 식각확인단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법은 상기 흑린 박막 식각확인단계에서 식각의 여부가 확인된 흑린 박막을 세척하는 흑린 박막 세척단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또, 상기 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법은 상기 흑린 박막 세척단계에서 세척된 흑린 박막의 두께를 확인하는 흑린 박막 두께확인단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
아울러, 상기 챔버는 연속적으로 산소의 유입 및 배출이 가능하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 흑린 박막 형성단계는 상기 챔버 내부가 1기압을 유지하도록 하는 것을 특징으로 한다.
또, 상기 흑린 박막 세척단계는 탈이온수(deionized water)를 이용하여 흑린 박막을 세척하는 것을 특징으로 한다.
아울러, 상기 흑린 박막 두께확인단계는 광학이미지, 라만스펙트럼 및 주사탐침현미경(Atomic Force Microscope, AFM) 중 선택되는 어느 하나 이상을 이용하는 것을 특징으로 한다.
또한, 오존 발생을 이용한 흑린 박막 제조 방법을 위한 오존 발생을 이용한 흑린 박막 제조 장치에 있어서, 밀폐 가능하도록 형성되며, 연속적으로 산소의 유입 및 배출 가능하게 형성되는 챔버; 상기 챔버 내에 형성되며, 흑린이 위치되는 시료대; 상기 챔버 일측에 형성되는 자외선유입부를 통해 흑린으로 자외선을 조사하는 자외선조사부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또, 상기 자외선유입부는 석영이 구비되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법 및 이를 위한 제조 장치는 챔버 내부에 흑린을 구비하고, 상기 챔버 내에 자외선을 조사하여 오존을 형성하는 과정에서 발생하는 활성산소를 이용하여 흑린의 식각을 통해 흑린 박막을 제조함으로써, 이동 및 보관이 어려운 오존을 직접 형성하고 이에 따른 활성산소를 이용한 식각을 통해 흑린 박막을 형성하므로, 효율적이고 원하는 두께의 흑린 박막을 제조할 수 있는 장점이 있다.
특히, 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법 및 이를 위한 제조 장치는 박막으로 형성하기 어려운 흑린 박막을 오존을 직접 형성하고 이를 이용하여 흑린 박막을 제조함으로써, 그래핀 및 실리콘을 대체하여 디스플레이용 박막 트랜지스터, CPU, 메모리, 레이저, 광검출기 및 태양전지 기판 등에 활용 가능한 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법 및 이를 위한 제조 장치는 산소 환경에서 오존을 직접 형성하고 이를 이용하여 흑린 박막을 제조함으로써, 오존 발생 장치를 따로 구비할 필요가 없으므로, 흑린 박막의 제조 비용이 감소하는 장점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법을 나타낸 도면.
도 2는 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법의 흑린 준비단계를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법의 흑린 박막 형성단계를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법의 흑린 박막 식각확인단계를 나타낸 도면.
도 5는 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법의 흑린 박막 두께확인단계를 나타낸 도면.
이하, 상기한 바와 같은 특징을 가지는 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법 및 이를 위한 제조 장치를 첨부된 도면을 참조로 상세히 설명한다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법을 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법의 흑린 준비단계를 나타낸 도면이며, 도 3은 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법의 흑린 박막 형성단계를 나타낸 도면이고, 도 4는 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법의 흑린 박막 식각확인단계를 나타낸 도면이며, 도 5는 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법의 흑린 박막 두께확인단계를 나타낸 도면이다.
본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법(S1000)은 산소와 자외선의 반응에 의해 오존을 형성하고, 상기에 기재된 오존을 형성하는 과정에서 발생되는 활성산소를 이용하여 흑린을 식각함으로써, 흑린 박막을 제조하는 방법을 제공함에 목적이 있다.
상기의 목적에 의한 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법(S1000)은 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 흑린 준비단계(S100) 및 흑린 박막 형성단계(S200)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 흑린 준비단계(S100)는 흑린 박막을 형성하기 위해 흑린을 준비하는 단계로서, 밀폐되어 형성되되 산소의 유입 및 배출이 가능하도록 형성되는 챔버(100) 내에 흑린을 구비하는 단계이다.
이 때, 흑린은 상기 챔버(100) 내에 형성된 시료대(110) 상에 위치하며, 상기 시료대(110)는 무기물이 사용될 수 있으나, 챔버내에서 흑린 박막을 형성하기 위해서라면 이에 한정하지 않고 다양한 실시예가 가능함은 물론이다.
도 1과 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 흑린 박막 형성단계(S200)는 챔버(100) 내에 자외선을 조사하여, 조사된 자외선과 산소와의 반응을 통해 오존을 생성하는 과정에서 발생되는 활성산소를 이용하여 흑린을 식각함으로써, 얇은 두께를 가지는 흑린 박막을 형성하는 단계이다.
상기에 기재된 활성산소는 보통 산소에 비해 뚜렷하게 화학반응성이 풍부한 산소로서, 활성산소는 산소가 원자상태로 존재하거나, 산소분자가 준안정 상태로 활성화된 상태일 때 발생된다.
즉, 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법(S100)의 흑린 박막 형성단계(S200)는 자외선과 산소와의 반응에 의해 오존을 생성하는 과정에서 원자 상태의 산소가 발생되며, 이에 형성된 활성산소를 이용하여 흑린을 식각함으로써, 흑린 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
다시 말해, 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법(S1000)은 흑린의 식각 과정에서 산소와 자외선의 반응에 의해 오존을 직접 생성하고, 생성되는 오존에 의한 활성산소를 이용하여 흑린을 식각함으로써, 흑린 박막 형성을 위한 별도의 오존 발생 장치의 구비가 필요 없는 장점이 있다.
또한, 이동이 어려운 오존을 직접 생성하고, 이를 이용하여 흑린 박막 형성에 이용함으로써, 박막 제조의 효율성이 증가하는 장점이 있다.
구체적으로, 상기 흑린 박막 형성단계(S200)는 오존이 생성되는 상기 챔버(100) 내부에 약 500 sccm (standard cubic centimeter per minute)으로 산소를 유입하고, 중유를 통해 산소를 배출하여 공기의 역류를 방지함으로써, 챔버 내 산소만으로 1기압을 유지하도록 하는 것이 바람직하나 한정하지는 않는다.
아울러, 챔버(100) 내부의 온도는 15도 내지 45도 영역에서 흑린 박막을 형성하는 것이 부반응 없이 균일하고 효과적으로 제어하는데 바람직하나, 이 또한 한정하지 않고 다양한 실시예가 가능함은 물론이다.
도 1과 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법(S1000)은 상기 흑린 박막 형성단계(S200)에서 형성된 흑린 박막을 광학이미지, 라만스펙트럼 중 선택되는 어느 하나 이상을 이용하여 식각의 여부를 확인하는 흑린 박막 식각확인단계(S300)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기에 기재된 광학이미지 또는 라만스펙트럼을 이용하여 식각 여부를 확인하는 방법은 공지된 기술이므로, 상세한 설명은 생략하기로 한다.
이 때, 상기 흑린 박막 식각확인단계(S300)는 광학이미지 또는 라만스펙트럼을 이용하여 식각 여부를 확인하되, 흑린에 식각이 수행되지 않았을 경우, 다시 흑린 박막 형성단계(S200)에서 흑린의 식각을 수행해야 하므로, 상기 챔버(100) 내에 흑린을 구비한 상태에서 식각의 여부를 확인하는 것이 효율적이고 바람직하나, 한정하지는 않는다.
아울러, 상기 흑린 박막 식각확인단계(S300)는 절대적으로 흑린의 식각 여부를 확인할 수 있을 뿐만 아니라, 정확한 식각 여부를 확인하기 위해, 자외선이 조사되는 시간대에 따른 식각 여부를 상대적으로 확인하여, 정확한 식각 여부를 확인할 수 있는 등 다양한 실시예가 가능함은 물론이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법(S1000)은 상기 흑린 박막 식각확인단계(S300)에서 식각의 여부가 확인된 흑린 박막을 세척하는 흑린 박막 세척단계(S400)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 흑린 박막 세척단계(S400)는 상기 흑린 박막의 세척을 통해, 상기 흑린 박막 형성단계(S200)에서의 식각에 의해 발생된 이물질(흑린 산화막) 또는 외부에서 유입된 이물질 등을 세척하여 제거하는 단계이다.
이 때, 상기 흑린 박막 세척단계(S400)는 상기 흑린 박막 형성단계에서 형성된 흑린 산화막은 액상이므로, 이온이 제거된 탈이온수(deionized water)를 이용하여 식각을 통해 형성된 흑린 박막을 세척하는 것이 바람직하며, 탈이온수에 의한 세척에 의해 이온에 의한 흑린 박막으로의 간섭을 방지할 수 있다.
아울러, 상기 흑린 박막 세척단계(S400)는 흑린 박막을 탈이온수에 넣어 세척하는 것이 권장되나, 흑린 박막에 탈이온수를 직접 분사하여 세척하는 방법 등 다양한 실시예가 가능하므로 한정하지 않는다.
본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법(S1000)은 상기 흑린 박막 세척단계(S400)에서 세척된 흑린 박막의 두께를 확인하는 흑린 박막 두께확인단계(S500)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
도 1과 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 흑린 박막 두께확인단계(S500)는 상기 흑린 박막 세척단계(S400)에서 세척된 흑린 박막의 두께를 확인하는 단계이다.
이 때, 상기 흑린 박막 두께확인단계(S500)는 세척된 흑린 박막을 광학이미지, 라만스펙트럼, 원자힘현미경(Atomic Force Microscope, AFM), 주사터널링현미경(Scanning Tunneling Microscope, STM) 중 선택되는 어느 하나 이상을 이용하여 흑린 박막의 두께를 확인하는 것이 바람직하다.
특히, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 원자힘현미경은 박막의 표면을 매우 가는 금속 또는 반도체인 실리콘으로 형성되는 팁의 끝을 이용하여 원자간의 힘을 직접 측정함으로써, 정확한 흑린 박막의 두께를 측정 및 확인할 수 있다.
상기 주사터널링현미경은 박막 표면에 전자를 쏘아준 후, 전자가 터널링을 일으키는 현상으로부터 흑린 박막의 두께를 측정 및 확인할 수 있다.
상기에 기재된 바와 같이, 본 발명에 따른 흑린 박막 제조 방법은 대한민국 공개특허공보 제10-2008-0089901호("트리메틸사일렌과 오존을 이용한 실리콘다이옥사이드 박막제조 방법", 2008.10.08.)에 기재된 오존을 이용하여 고체의 실리콘 산화 박막을 형성하는 방법과 달리, 오존을 이용하여 흑린 액체의 산화막을 생성하고, 그 산화막을 물로 세척하여 박막을 식각하여 흑린 박막을 형성하는 차이점이 있다.
상기에 기재된 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법을 위한 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 장치(1000)는 도 2 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 밀폐 가능하도록 형성되며, 산소가 유입 및 배출 가능하게 형성되는 챔버(100)와 상기 챔버(100) 내에 형성되며, 흑린이 위치되는 시료대(110)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
아울러, 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 장치(1000)는 상기에 기재된 바와 같이, 상기 챔버(100) 내의 산소와 반응하여 오존을 생성하기 위해 자외선을 상기 챔버(100) 내의 흑린으로 조사하는 자외선조사부(200)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 때, 상기 챔버(100)는 일측에 자외선이 유입되는 자외선유입부(120)를 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 자외선유입부(120)는 흑린으로 자외선이 간섭 없이 조사가 가능한 위치 및 상기 흑린 박막 식각확인단계(S300)에서 대물렌즈를 통해 흑린의 식각 여부를 어려움 없이 확인할 수 있는 위치에 구비되는 것이 바람직하다.
아울러, 상기 자외선유입부(120)는 자외선의 투과율이 우수한 석영이 구비되는 것이 바람직하다.
이 때, 석영은 0.17mm 내지 0.5mm의 두께를 가지는 것이 바람직하며, 이는 광학이미지 또는 라만스펙트럼을 이용한 박막의 관찰 시, 작업거리가 작은 고배율의 대물렌즈를 사용하기 위함이다.
물론, 상기 자외선유입부(120)의 재질은 상기에 기재된 석영에 한정하지 않고, 자외선의 투과율이 우수하고, 대물렌즈를 통한 관찰이 용이하다면 다양한 재질의 실시예가 가능함은 물론이다.
상기에 기재된 바와 같이, 본 발명에 따른 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 장치(1000)는 흑린 박막 형성을 위한 별도의 오존 생성 장치의 구비가 필요하지 않아, 흑린 박막의 제조 효율성을 증가시킬 뿐만 아니라, 흑린 박막의 제조 단가를 낮출 수 있는 장점이 있다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형 가능함은 물론이다.
S1000 : 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법
S100 : 흑린 박막 준비단계
S200 : 흑린 박막 형성단계
S300 : 흑린 박막 식각확인단계
S400 : 흑린 박막 세척단계
S500 : 흑린 박막 두께확인단계
1000 : 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 장치
100 : 챔버
110 : 시료대
120 : 자외선유입부
200 : 자외선조사부

Claims (10)

  1. 챔버 내에 흑린(black phosphorous)을 구비하는 흑린 준비단계; 및
    상기 챔버 내에 자외선을 조사하여, 조사된 자외선과 산소와의 반응을 통해 오존을 생성하는 과정에서 발생되는 활성산소를 이용하여 흑린을 식각함으로써 흑린 박막을 형성하는 흑린 박막 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법은
    상기 흑린 박막 형성단계에서 형성된 흑린 박막을 광학이미지, 라만스펙트럼 중 선택되는 어느 하나 이상을 이용하여 식각의 여부를 확인하는 흑린 박막 식각확인단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법은
    상기 흑린 박막 식각확인단계에서 식각의 여부가 확인된 흑린 박막을 세척하는 흑린 박막 세척단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법은
    상기 흑린 박막 세척단계에서 세척된 흑린 박막의 두께를 확인하는 흑린 박막 두께확인단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 챔버는
    연속적으로 산소의 유입 및 배출이 가능하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 흑린 박막 형성단계는
    상기 챔버 내부가 1기압을 유지하도록 하는 것을 특징으로 하는 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법.
  7. 제 3항에 있어서,
    상기 흑린 박막 세척단계는
    탈이온수(deionized water)를 이용하여 흑린 박막을 세척하는 것을 특징으로 하는 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법.
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 흑린 박막 두께확인단계는
    광학이미지, 라만스펙트럼, 원자힘현미경(Atomic Force Microscope, AFM), 주사터널링현미경(Scanning Tunneling Microscope, STM) 중 선택되는 어느 하나 이상을 이용하는 것을 특징으로 하는 오존 생성을 이용한 흑린 박막 제조 방법.
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