KR101566435B1 - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역을 포함하는 기판, 상기 제2 영역에 형성되어 있는 유기막, 상기 유기막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 및 제2 영역에 위치하는 화소 전극, 상기 화소 전극의 일부를 노출하는 개구부를 포함하는 격벽, 상기 개구부 안에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 그리고 상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 공통 전극을 포함한다. 상기 제1 영역은 상기 개구부에 대응하여 위치하고, 제3 영역은 제2 영역들을 분리하는 트렌치를 포함한다.
유기 발광 표시 장치, 유기막, 불순물, 수분, 발광 영역 수축

Description

유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를방출하면서 발광한다.
유기 발광 표시 장치는 자체 발광형으로 별도의 광원이 필요 없으므로 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도, 시야각 및 대비비(contrast ratio)도 우수하다.
유기 발광 표시 장치는 일반적으로 기판 위에 박막 트랜지스터와 금속 배선이 형성되고 이들에 의한 요철을 완화하기 위하여 평탄화 유기막을 형성하고, 평탄화 유기막 위에 유기 발광 부재를 형성한다. 그런데 유기막은 유기물로 이루어져 있어서 내부에 불순물이나 수분 등이 존재할 수 있고 이러한 불순물이나 수분이 유기 발광 부재로 침투하여 발광 영역의 수축(emission area shrinkage)을 유발한다. 즉, 유기 발광 부재로 침투한 불순물이나 수분이 모서리 영역부터 열화시킴으로써, 발광 영역을 감소시킨다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 유기 발광 표시 장치에서 유기막에 존재하는 불순물이나 수분 등이 유기 발광 부재로 침투하여 발광 영역를 수축시키는 문제를 감소시키는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 유기막, 상기 유기막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 및 제2 영역에 위치하는 화소 전극, 상기 화소 전극의 일부를 노출하는 개구부를 포함하는 격벽, 상기 개구부 안에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 그리고, 상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 공통전극을 포함한다. 상기 제1 영역은 상기 개구부에 대응하여 위치하고, 제3 영역은 제2 영역들을 분리하는 트렌치를 포함한다.
상기 트렌치는 상기 유기막의 일부를 제거함으로써 형성되며, 트렌치의 측면의 일부는 상기 화소전극으로 덮여 있다.
상기 격벽은 상기 트렌치 내부를 채우며, 폴리이미드를 포함할 수 있다.
상기 기판가 상기 유기막 사이에는 트랜지스터를 포함하는 박막 구조물이 더 포함될 수 있다.
상기 유기막 위와 상기 트렌치의 측면 및 바닥면을 따라 형성된 차단층이 더 포함될 수 있다. 상기 차단층은 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.
상기 제1 영역은 상기 제2 영역 내에 위치하고, 상기 제3 영역은 상기 제2 영역을 둘러싸고 있다.
본 발명의 다른 실시예 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 위에 형성된 트랜지스터를 포함하는 박막 구조물, 상기 박막 구조물 위에 형성되어 있고, 트렌치를 가지는 유기막, 상기 박막 구조물 및 상기 유기막이 가지는 콘택홀을 통해 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소 전극, 상기 화소 전극 위에 형성되고 개구부를 포함하는 격벽, 상기 화소 전극 위에 형성된 유기 발광 부재 그리고, 상기 유기 발광 부재와 상기 격벽 위에 형성된 공통 전극을 포함한다.
상기 트렌치는 상기 기판의 일부를 노출시키며, 상기 화소 전극은 상기 트렌치의 측면의 일부를 덮는다.
상기 화소 전극과 상기 유기막 사이 및 상기 트렌치의 측면과 바닥면에는 차단층이 형성될 수 있다.
상기 차단층은 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.
상기 격벽은 상기 트렌치 내부를 채우고, 상기 차단층 위에 위치한다. 포함하
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 위에 트랜지스터를 포함한 박막 구조물을 형성하는 단계, 상기 박막 구조물 위에 유기막을 형성하는 단계, 상기 유기막을 제거하여 상기 트랜지스터를 노출하는 콘택홀 및 트렌치를 형성하는 단계, 상기 유기막에 함유된 불순물 또는 수분을 제거하는 단계, 상기 콘택홀 및 상기 유기막 위에 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 화소 전극 위 및 트렌치 내부에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막을 패터닝하여 상기 화소 전극의 일부를 노출하는 개구부를 형성하는 단계, 상기 개구부에 유기 발광 부재를 형성하는 단계, 그리고, 상기 유기 발광 부재 위에 공통 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 불순물 또는 수분을 제거하는 단계는 상기 유기막이 형성된 기판을 열처리하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 트렌치를 형성하는 단계는 상기 박막 구조물의 일부를 제거하여 상기 기판의 일부를 노출시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 화소 전극을 형성하는 단계에서는 상기 트렌치의 측면의 일부도 덮도록 화소 전극을 형성할 수 있다.
상기 화소 전극을 형성하는 단계 전에 차단층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 차단층을 형성하는 단계는 상기 유기막의 일부를 제거하여 상기 박막 구조물의 일부를 노출하는 홀 및 상기 트렌치를 형성하는 단계, 상기 홀, 상기 트렌치의 측면과 바닥면, 및 상기 유기막 위에 상기 차단 물질을 형성하는 단계 그리고 상기 홀의 측면 및 바닥 면에 형성된 상기 차단 물질을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 콘택홀을 형성하는 단계는 상기 홀에 의해 노출된 상기 박막 구조물의 일부를 제거하여 상기 트랜지스터를 노출시키는 단계를 포함할 수 있다.
이와 같이 함으로써 유기 발광 표시 장치의 발광 영역 수축을 개선 할 수 있다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저 도 1을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.
도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)(PX)를 포함한다.
신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(data line)(171), 구동 전압을 전달하는 복수의 구동 전압선(driving voltage line)(172) 등을포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다. 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있는 것으로 도시되어 있으나, 행 방향 또는 열 방향으로 뻗거나 그물 모양으로 형성될 수 있다.
각 화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(Qs), 구동 트랜지스터(driving transistor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 소자(organic light emitting element)(LD)를 포함한다.
스위칭 트랜지스터(Qs)는 제어 단자(control terminal), 입력 단자(input terminal) 및 출력 단자(output terminal)를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)으로부터 받은 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)으로부터 받은 데이터 신호를 구동 트랜지스터(Qd)에 전달한다.
구동 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 소자(LD)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기 가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.
축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지한다.
유기 발광 소자(LD)는 예를 들면 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)로서, 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.
스위칭 트랜지스터(Qs) 및 구동 트랜지스터(Qd)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)이지만, 이들 중 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 트랜지스터(Qs, Qd), 축전기(Cst) 및 유기 발광 소자(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.
경우에 따라서는 스위칭 트랜지스터(Qs)와 구동트랜지스터(Qd) 외에도 구동 트랜지스터(Qd)나 유기발광 소자(LD)의 문턱 전압 보상을 위한 다른 트랜지스터들이 더 있을 수 있다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이고, 도 3은 도 2의 III-III'선을 따라 자른 단면도이다.
도 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 각 화소(PX)는 기판(110) 위에 형 성된 발광 영역(A), 유기막 영역(B), 유기막 분리 영역(C) 및 콘택홀(255)을 포함한다.
발광 영역(A)는 광이 방출되는 영역이고, 유기막 영역(B)는 박막 트랜지스터 상부에 형성된 평탄화유기막이 형성된 영역이다. 유기막 영역(B)는 발광 영역(A)를 둘러싸고 있으며, 유기막 영역(B) 사이에는 유기막 분리 영역(C)이 존재한다. 유기막 영역(B) 내부에는 콘택홀(255)이 형성되어 있다.
그러면, 도 2에 도시된 유기 발광 표시 장치를 도 3을 참조하여 상세히 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 구동 트랜지스터(Qd)가 형성되어 있다. 기판(110) 위에는 이외에도 스위칭 트랜지스터를 포함하는 다른 박막 구조물(220)이 형성되어 있다. 이러한 박막 구조물 중에는 구동 트랜지스터를 덮는 절연막도 있을 수 있으며, 구동 트랜지스터(Qd)의 아래에도 다른 박막 구조물이 형성될 수 있다.
박막 구조물(220) 위에는 유기막 영역(B)에 대응하는 위치에 유기막(250)이 형성되어 있다. 유기막(250)은 폴리 아크릴레이트를 포함하며, 하부 구조를 평탄화시킨다. 유기막(250) 및 박막 구조물(220)에는 구동 트랜지스터(Qd) 위에 위치한 복수의 콘택홀(255) 및 트렌치(257)가 형성되어 있다. 트렌치(257)는 유기막 분리 영역(C)에 대응하는 위치에 형성되며, 기판(110)의 일부 영역을 노출시킨다.
유기막(250) 위에는 복수의 화소 전극(193)이 트렌치(257)의 상부 측벽을 일부 덮도록 형성되어 있다. 각 화소 전극(193)은 콘택홀(255)을 통하여 구동 트랜지 스터(Qd)와 연결되어 있다. 화소 전극(193)은 산화 인듐 주석(ITO, indium tin oxide), 산화 인듐 아연(IZO, indium zinc oxide)와 같은 투명 도전체를 포함할 수 있다.
화소 전극(193) 위에는 격벽(361)이 형성되어 있다. 격벽(361)은 화소 전극(193)을 노출하는 개구부(365)를 가진다. 격벽(3361)은 폴리이미드(polyimide)를 포함할 수 있다. 개구부(365)는 발광 영역(A)에 대응하도록 위치한다. 개구부(365) 내의 화소 전극(193) 위에는 유기 발광 부재(370)가 형성되어 있으며, 그 위에는 공통 전압(Vss)을 전달하는 공통 전극(470)이 형성되어 있다.
유기 발광 부재(370)는 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색을 나타낼 수 있다.
유기 발광 부재(370)가 백색을 나타낼 경우, 유기 발광 부재(370)는 격벽(361) 위에도 형성될 수 있으며, 빛을 내보내는 방향에 색필터가 포함될 수 있다.
공통 전극(270)은 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄, 은(Ag), 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치에서, 화소 전극(193), 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(470)은 유기 발광 소자(LD)를 이루며, 화소 전극(193)이 애노드, 공통 전극(470)이 캐소드가 될 수 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 기판(110)의 아래쪽이나 위쪽으로 빛을 내보내어 영상을 표시할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 한 실시예에서는 유기막(250)을 일부 제거하여 유기막 분리 영역(C)를 형성함으로써, 외부로 노출된 유기막(250)의 표면을 증가시킨다. 유기막 형성 후, 열처리 공정을 진행하면 증가된 유기막(250)의 표면을 통해 불순물과 수분의 방출이 증가하여 발광 영역의 수축을 감소시킬 수 있다.
그러면, 도 4 내지 도 7를 참고하여 도 2 및 3에 도시한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
도 4 내지 도 7은 도 3에 도시한 유기 발광 표시 장치를 제조하는 중간 단계를 나타내는 단면도이다.
도 4를 참고하면, 기판(110) 위에 복수의 구동 트랜지스터(Qd)를 포함한 박막 구조물(220) 및 감광성 유기물 따위로 만들어진 유기막(250)을 도포한다.
도 5를 참고하면, 유기막(250)을 노광, 현상하여 유기막(250) 및 박막 구조물(220)에 복수의 콘택홀(255) 및 트렌치(257)를 형성한다. 이후, 200C 내지 250C에서 30분 내지 1시간 열처리를 하여 유기막 내부에 존재하는 불순물 및 수분을 제거한다.
다른 실시예에 따르면, 자외선과 같은 광 조사에 의해 불순물을 제거할 수도 있다.
도 6을 참고하면, 유기막(250) 위에 산화 인듐 주석 또는 산화 인듐 아연을 포함한 투명 도전막을 형성한 후 패터닝하여 화소 전극(193)을 형성한다. 화소 전극(193)은 콘택홀(255)를 통해 구동 트랜지스터(Qd)와 연결된다. 화소 전극(193)은 트렌치(257)의 측면의 일부를 덮도록 형성되어, 유기막 내부에 남아 있을 수 있는 불순물 및 수분이 패터닝된 유기막(255)의 측면과 상부 표면의 경계부를 통해 방출되는 것을 차단할 수 있다.
도 7을 참고하면, 감광성 유기물을 도포하고 노광 및 현상하여 개구부(365)를 가지는 격벽(361)을 형성한다. 비감광성 유기물로 격벽(361)을 형성할 수도 있고, 이 경우에는 별도의 감광막을 사용하는 사진 식각 공정이 소요된다.
마지막으로, 도 3에 도시한 바와 같이, 유기 발광 부재(370)와 공통 전극(470)을 차례로 형성한다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 유기막(250) 상부 및 트렌치(257)의 측면 및 바닥면을 따라 형성된 차단층(270)을 제외하고는 도 3에 도시된 유기 발광 표시 장치와 동일한 구조를 갖는다. 따라서, 반복 설명은 생략한다.
도 3의 화소 전극(193)은 트렌치(257) 측면의 일부를 덮어 유기막(250)으로부터 방출될 수 있는 불순물 및 수분의 일부 경로를 차단할 수 있다. 반면, 도 8에서는 유기막(250)과 화소 전극(193) 사이와 트렌치(257)의 측면 및 바닥면을 따라 차단층(270)이 형성되어 있다. 차단층(270)은 불순물 및 수분을 통과시키지 않으며, 실리콘 질화물과 같은 무기물을 포함할 수 있다. 차단층(270)이 형성되어 있지 않은 콘택홀(255)의 측면 및 바닥 면에는 화소 전극(193)이 형성되어 있다. 화소 전극(193)은 불순물 및 수분을 효과적으로 차단하는 투명 도전막 또는 반사 금속을 포함할 수 있다. 즉, 유기막(250)의 표면은 차단층(250)과 화소 전극(193)에 의해 덮여 있어, 유기막(250)으로부터 방출될 수 있는 불순물 및 수분이 유기 발광 부재(370)로 침투하는 것을 감소시킬 수 있다.
도 9 내지 도 14를 참조하여 도 8에 도시된 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법에 대하여 설명한다.
도 9를 참고하면, 기판(110) 위에 복수의 구동 트랜지스터(Qd)를 포함한 박막 구조물(220) 및 감광성 유기물 따위로 만들어진 유기막(250)을 형성한다. 유기막(250)을 패터닝하여 홀(255') 및트렌치(257)을 형성한다.
도 10을 참고하면, 실리콘 질화물을 포함한 차단 물질층(270')이 유기막(250) 위에 형성된다. 차단 물질층(270')은 홀(255') 및 트렌치(257)의 측면 및 바닥면을 따라 형성된다.
도 11을 참고하면, 감광막(290)이 차단 물질층(270') 위에 형성된다. 감광막(290)은 패터닝되어 홀(255')의 측면 및 바닥면에 형성된 차단 물질층(270')을 노출시킨다.
도 12를 참고하면, 노출된 차단 물질층(270')을 패터닝된 감광막(290)을 마스크로 하여 제거함으로써 차단층(270)을 형성한다. 즉, 홀(255')의 측면 및 바닥면에 형성된 차단 물질층(270')은 제거되고 유기막(250) 및 박막 구조물(220)을 노출시킨다.
도 13을 참고하면, 홀(255')를 통해 노출된 박막 구조물(220)의 일부를 제거하여 구동 트랜지스터(Qd)를 노출시키는 콘택홀(255)을 형성한다.
도 14를 참고하면, 감광막(290)을 제거하고 산화 인듐 주석 또는 산화 인듐 아연을 포함하는 투명 도전막을 형성한다. 이후 투명 도전막을 패터닝하여, 차단 층(270)의 일부 위와 콘택홀(255)의 측면 및 바닥면을 따라 화소 전극(193)을 형성한다. 트렌치(257)의 측면 및 바닥 면에 형성된 투명 도전막은 제거되어 화소 전극(193)을 분리하고 차단층(270)을 노출시킨다.
도 8을 다시 참고하면, 감광성 유기물을 도포하고 패터닝하여 개구부(365)를 포함한 격벽(361)을 형성한다. 개구부(365)를 통해 노출된 화소 전극(193) 위에는 유기 발광 부재(370)를 형성한다. 유기 발광 부재(370) 위에는 공통 전극(470)을 형성한다.
도시하지는 않았지만 유기 발광 표시 장치는 공통 전극 상부에 형성된 추가의 보호막, 흡습막 등을 더 포함할 수 있으며, 유리 등으로 이루어진 밀봉 부재(encapsulation member)를 더 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 빛이 박막 트랜지스터 방향으로 출사되는 하부 방출 방식(Bottom emission)의 경우를 설명함에 따라, 화소 전극이 투명 도전막을 포함하는 경우를 설명하고 있다. 그러나, 빛이 공통 전극을 통해서 방출되는 상부 방출 방식(top emission)의 경우, 화소 전극은 반사막을 포함할 수 있으며 공통 전극은 반투명 도전막을 포함할 수 있다. 또한, 유기 발광 부재가 백색광을 방출하는 경우, 유기 발광 표시 장치는 색필터를 더 포함할 수 있다.
본 발명은 기타 다른 구조의 유기 발광 표시 장치에도 적용할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명 의 권리 범위에 속하는 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III'따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 도 3에 도시한 유기 발광 표시 장치를 제조하는 중간 단계에 있는 구조물의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 9 내지 도 14는 도 8에 도시한 유기 발광 표시 장치를 제조하는 중간 단계에 있는 구조물의 단면도이다.
<도면 부호의 설명>
110: 기판 193: 화소 전극
250: 유기막 255: 콘택홀
257: 트렌치 270:차단층
361: 격벽 365: 개구부
370: 유기 발광 부재 470: 공통 전극
Cst: 유지 축전기 ILD: 구동 전류
LD: 유기 발광 소자 PX: 화소
Qs: 스위칭 트랜지스터 Qd: 구동 트랜지스터

Claims (26)

  1. 제1 영역, 제2 영역 제3 영역을 포함하는 기판,
    상기 제2 영역에 형성되어 있는 유기막,
    상기 유기막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 및 제2 영역에 위치하는 화소 전극,
    상기 화소 전극의 일부를 노출하는 개구부를 포함하는 격벽,
    상기 개구부 안에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 그리고
    상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 공통 전극
    을 포함하며,
    상기 제1 영역은 상기 개구부에 대응하여 위치하고, 제3 영역은 제1 영역들을 둘러싸고 있는 트렌치를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 트렌치는 상기 유기막을 제거함으로써 형성되는 유기 발광 표시 장치
  3. 제2항에서,
    상기 화소 전극은 상기 트렌치의 측면의 일부를 따라 형성되는 부분을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 격벽은 상기 트렌치 내부를 채우는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 격벽은 폴리이미드(polyimide)를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제2항에서,
    상기 기판과 상기 유기막 사이에 트랜지스터를 포함하는 박막 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 유기막과 상기 박막 구조물은 상기 트랜지스터를 노출하는 콘택홀을 가지며,
    상기 화소 전극은 상기 콘택홀의 측면과 바닥면을 따라 형성되어 상기 트랜지스터와 연결되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 콘택홀은 상기 제2 영역 안에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제2항에서,
    상기 유기막 위와 상기 트렌치의 측면 및 바닥면을 따라 형성되어 있는 차단층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 차단층은 실리콘 질화물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 제1 영역은 상기 제2 영역 내에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 제3 영역은 상기 제2 영역을 둘러 싸고 있으며,
    상기 트렌치는 상기 제3 영역의 전체에 걸쳐 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  13. 기판 위에 형성된 트랜지스터를 포함하는 박막 구조물,
    상기 박막 구조물 위에 형성되어 있고, 트렌치를 가지는 유기막,
    상기 박막 구조물 및 상기 유기막이 가지는 콘택홀을 통해 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소 전극,
    상기 화소 전극 위에 형성되고 개구부를 포함하는 격벽,
    상기 화소 전극 위에 형성된 유기 발광 부재 그리고,
    상기 유기 발광 부재와 상기 격벽 위에 형성된 공통 전극을 포함하고,
    상기 트렌치는 상기 개구부 주변을 둘러싸고 있는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 트렌치는 상기 기판의 일부를 노출시키는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 화소 전극은 상기 트렌치의 측면의 일부를 덮는 유기 발광 표시 장치.
  16. 제15항에서,
    상기 격벽이 상기 트렌치의 내부를 채우는 유기 발광 표시 장치.
  17. 제13항에서,
    상기 화소 전극과 상기 유기막 사이 및 상기 트렌치의 측면과 바닥면에 형성되어 있는 차단층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  18. 제17항에서,
    상기 격벽은 상기 트렌치 내부의 상기 차단층 위에 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  19. 제17항에서,
    상기 차단층은 실리콘 질화물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  20. 발광 영역을 포함하는 기판 위에 트랜지스터를 포함한 박막 구조물을 형성하는 단계,
    상기 박막 구조물 위에 유기막을 형성하는 단계,
    상기 유기막을 제거하여 상기 트랜지스터를 노출하는 콘택홀 및 상기 발광 영역을 둘러싸는 트렌치를 형성하는 단계,
    상기 유기막에 함유된 불순물 또는 수분을 제거하는 단계,
    상기 콘택홀 및 상기 유기막 위에 화소 전극을 형성하는 단계,
    상기 화소 전극 위 및 상기 트렌치 내부에 절연막을 형성하는 단계,
    상기 절연막을 패터닝하여 상기 화소 전극 일부를 노출하는 개구부를 상기 발광 영역에 대응하도록 형성하는 단계,
    상기 개구부에 유기 발광 부재를 형성하는 단계 및,
    상기 유기 발광 부재 위에 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  21. 제20항에서,
    상기 불순물 또는 수분을 제거하는 단계는,
    상기 유기막이 형성된 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  22. 제20항에서,
    상기 트렌치를 형성하는 단계는,
    상기 박막 구조물의 일부를 제거하여 상기 기판의 일부를 노출시키는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  23. 제22항에서,
    상기 화소 전극을 형성하는 단계에서는,
    상기 트렌치의 측면의 일부도 덮도록 상기 화소 전극을 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  24. 제20항에서,
    상기 화소전극을 형성하는 단계 전에 차단층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
  25. 제24항에서,
    상기 차단층을 형성하는 단계는,
    상기 유기막의 일부를 제거하여 상기 박막 구조물의 일부를 노출하는 홀 및 상기 트렌치를 형성하는 단계,
    상기 홀, 상기 트렌치의 측면과 바닥면, 및 상기 유기막 위에 차단 물질층을 형성하는 단계 그리고,
    상기 홀의 측면 및 바닥 면에 형성된 상기 차단 물질층을 제거하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  26. 제25항에서,
    상기 콘택홀을 형성하는 단계는 상기 홀에 의해 노출된 상기 박막 구조물의 일부를 제거하여 상기 트랜지스터를 노출시키는 단계를포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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