KR101563633B1 - 중성자 흡수재 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR101563633B1
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한양대학교 산학협력단
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Abstract

본 발명은 중성자 흡수재에 관한 것으로서, 모재 상에 중성자 흡수 물질층 및 금속 코팅층의 이중층 구조가 적층된 구조인 것을 특징으로 하고, 본 발명에 따른 중성자 흡수재는 기계적 강도가 저해되지 않으면서도 중성자 흡수 물질의 함량을 최대 60%까지 끌어올려 단위 부피당 중성자 흡수능을 현저히 향상시킬 수 있다. 또한, 초고속 화염 용사에 의해 중성자 흡수 물질이 모재 상에 증착되어 모재와의 결합력이 우수하며, 기공율이 0.5 내지 1.5%로 낮아 기계적 특성이 우수하다. 또한, 본 발명에 따른 이중층 구조의 중성자 흡수재에 중성자 흡수 보조층을 도입하여 모재와 중성자 흡수 물질층과의 접합강도를 보다 향상시켜 보다 높은 기계적 특성을 가진다.

Description

중성자 흡수재 및 그 제조방법{Neutron absorber and method of the same}
본 발명은 중성자 흡수재에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기계적 강도가 우수하고, 단위 부피당 중성자 흡수능이 우수한 중성자 흡수재와 주조, 압연 등에 의하지 않고 분사에 의해 제조할 수 있는 중성자 흡수재의 제조방법에 관한 것이다.
최근 일본 후쿠시마 원자력 발전소 사고, 우크라이나 체르노빌 원자력 발전소 사고 등이 발생함에 따라 방사능에 대한 관심이 폭발적으로 증가하고 있다. 방사능의 한 종류인 중성자는 원자나 분자에 직접 작용하여 DNA나 단백질의 주요 구조를 변형시킬 수 있고, 생물의 생식세포에 작용하는 경우 돌연변이를 유도하여 기형을 유발할 확률을 증가시키며, 성체에 작용하는 경우 암 등의 질환을 발생시킨다.
한편, 중성자가 원자핵과의 핵반응에 의해 원자핵에 흡수되는 현상을 중성자 흡수반응이라고 하는데, 붕소(B), 카드뮴(Cd), 제논(Xe), 하프늄(Hf) 등은 이러한 중성자 흡수반응을 통해 중성자 수를 조절하는 특성이 있어 그 자체로 또는 가공되어 고준위 방사성 폐기물 저장 또는 원자로의 비상냉각시스템 등에 쓰이는 중성자 흡수재로 사용된다.
종래 중성자 흡수재는 판재와의 결합력을 증가시키기 위해 알루미늄 등의 기지금속과 혼합하여 사용하며, 일반적으로 주조, 압출 및 압연 등의 공정으로 제조되고 있다. 캐나다 Ceradyne사의 BORALTM은 두 개의 알루미늄 합금 판재 사이에 중성자 흡수물질인 B4C(Boron carbide)를 알루미늄과 함께 압연시켜 중성자 흡수재를 제조한다. 그러나 B4C 함량이 과다할 경우, 중성자 흡수재의 인성, 연성 등의 기계적 특성 및 가공성이 저하되며, blistering, bulging 등이 발생하여 판재와의 결합력이 저하되므로 최대 함량은 40중량%를 넘지 못하는 문제점이 있다.
상기 문제점을 해결하기 위해, 중성자 흡수 물질을 용융시키고 표면 담금질법(surface quencing)으로 빠르게 용융된 중성자 흡수 물질을 결정화 시키는 방법이 있으나, 여전히 그 함량이 50%를 초과하지 못하는 한계가 있다(특허문헌 1).
US 등록특허 제 6125912 호
따라서, 본 발명은 중성자 흡수물질과 판재와의 결합력이 우수하고, 중성자 흡수 물질이 균일하게 분포되어 있으며, 중성자 흡수 물질의 함량이 높아 중성자 흡수능이 우수한 중성자 흡수재를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 중성자 흡수 보조층을 더 구비하여 중성자 흡수 물질층의 중성자 흡수 물질의 의존도를 낮추어 보다 향상된 기계적 특성을 갖는 중성자 흡수재를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 상기 중성자 흡수재의 제조방법으로서, 주조, 압출 및 압연 등의 공정에 의하지 않고 분사 공정으로 제조할 수 있는 중성자 흡수재의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여, 모재, 상기 모재 상에 형성된 중성자 흡수 물질층 및 상기 중성자 흡수 물질층 상에 형성된 금속 코팅층을 포함하는 중성자 흡수재를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 중성자 흡수 물질층은 붕소, 가돌리늄, 사마륨, 카드뮴, 리튬, 디스프로슘, 이들의 혼합물 및 이들을 포함하는 화합물 중에서 선택되는 중성자 흡수 물질을 포함한다.
본 발명은 상기 중성자 흡수 물질층 내에 상기 중성자 흡수 물질의 함량이 5 내지 60 중량%인 것을 특징으로 하고, 특히, 50 중량% 이상 함유할 수 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 금속 코팅층은 알루미늄, 철, 니켈, 크롬, 구리, 이들의 혼합물 및 이들의 합금 중에서 선택되는 금속으로 이루어진다.
본 발명은 상기 모재와 중성자 흡수 물질층 사이에 중성자 흡수 보조층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 중성자 흡수 보조층은 알루미늄, 철, 니켈, 크롬, 구리, 이들의 혼합물 및 이들의 합금 중에서 선택되는 금속과, 붕소, 가돌리늄, 사마륨, 카드뮴, 리튬, 디스프로슘, 이들의 혼합물 및 이들을 포함하는 화합물 중에서 선택되는 중성자 흡수 물질을 더 포함하여 이루어진다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 중성자 흡수 물질층 내에 포함된 중성자 흡수 물질은 B4C, BN, B2O3, B(OH)3, Na2B4O7 및 이들의 혼합물 중에서 선택될 수 있고, 상기 중성자 흡수 보조층 내에 포함된 중성자 흡수 물질은 GdN, Gd2O3, Gd(OH)3 및 이들의 혼합물 중에서 선택될 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여, 하기 단계를 포함하는 중성자 흡수재의 제조방법을 제공한다.
(a) 중성자 흡수 물질을 포함한 제1 분말을 초음속 화염 용사(HVOF) 공정으로 분사하여 모재에 중성자 흡수 물질층을 형성하는 단계,
(b) 코팅용 금속 분말을 저온 분사(kinetic spray) 공정으로 분사하여 상기 중성자 흡수 물질층 상에 금속 코팅층을 형성하는 단계.
상기 제1 분말은 중성자 흡수 물질층을 형성하는 소재로서, 붕소, 가돌리늄, 사마륨, 카드뮴, 리튬, 디스프로슘, 이들의 혼합물 및 이들을 포함하는 화합물 중에서 선택되는 중성자 흡수 물질을 포함할 수 있으며, 상기 중성자 흡수 물질층 내에 상기 중성자 흡수 물질의 함량은 5 내지 60 중량%일 수 있다.
상기 코팅용 금속 분말은 알루미늄, 철, 니켈, 크롬, 구리, 이들의 혼합물 및 이들의 합금 중에서 선택되는 금속으로 이루어진 분말일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 (a) 단계 전에 중성자 흡수 물질을 포함한 제2 분말을 초음속 화염 용사(HVOF) 공정으로 분사하여 모재에 중성자 흡수 보조층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 분말은 알루미늄, 철, 니켈, 크롬, 구리, 이들의 혼합물 및 이들의 합금 중에서 선택되는 금속과, 붕소, 가돌리늄, 사마륨, 카드뮴, 리튬, 디스프로슘, 이들의 혼합물 및 이들을 포함하는 화합물 중에서 선택되는 중성자 흡수 물질을 포함한다.
본 발명에 따른 중성자 흡수재의 제조방법에서 초음속 화염 용사(HVOF) 공정은 분말을 불활성 기체인 이송가스에 의해서 분사 노즐로 이송한 후, 연료와 산소의 혼합가스인 공정 가스를 연소시키면서 동시에 분말을 분사하는 것으로서, 초음속 화염 용사 공정의 분사 온도는 2500 내지 3000 ℃일 수 있으며, 주입되어 연소되는 공정 가스압력은 0.5 내지 4 MPa일 수 있고, 상기 연료의 유량은 40 내지 60 NL/min, 상기 산소의 유량은 400 내지 500 NL/min이며, 상기 이송가스의 유량은 30 내지 150 NL/min일 수 있다.
또한, 저온 분사 공정의 분사온도는 200 내지 800 ℃일 수 있고, 저온 분사 공정의 공정가스는 불활성 기체일 수 있으며, 그 유량은 400 내지 500 NL/min이며, 압력은 0.5 내지 4 MPa이고, 상기 분사 속도는 600 내지 1200 m/s일 수 있다.
본 발명에 따른 중성자 흡수재는 중성자 흡수 물질층과 모재와의 결합이 우수하며, 금속기지와의 공극이 적어 기계적 강도가 우수하다. 또한, 중성자 흡수 물질을 60%까지 포함하므로 단위 부피당 더 많은 중성자를 흡수할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 중성자 흡수재는 모재와 중성자 흡수 물질층 사이에 중성자 흡수 보주층을 더 구비하여 중성자 흡수 물질층 자체의 중성자 흡수 물질 함량 의존도를 낮출 수 있어 보다 향상된 기계적 강도를 가질 수 있다.
도 1은 초고속 화염 용사 장치의 모식도이다.
도 2는 저온 분사 공정의 모식도이다.
도 3은 모재, 중성자 흡수 보조층, 중성자 흡수 물질층 및 금속 코팅층으로 이루어진 중성자 흡수재의 모식도이다.
도 4는 중성자 흡수 단면적이 증가되는 것을 나타내는 그림이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 중성자 흡수 물질층의 사진이다.
도 6은 중성자 흡수 물질층 상에 형성된 금속 코팅층의 단면을 나타낸 사진이다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
종래 중성자 흡수재는 중성자 흡수 물질과 모재와의 결합력을 증가시키기 위해 기지금속과 혼합하여 사용하며, 주조, 압출 및 압연 등 평형 프로세스 공정을 이용하고 모재와 결합시킨다. 상기 방법들에 의하는 경우 모재와의 결합력, 기공율 증가 등의 문제 때문에 기지금속과의 관계에서 중성자 흡수 물질의 함량이 최대 50%를 넘지 못하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 하기의 단계를 포함하는 중성자 흡수재의 제조방법을 제공한다.
(a) 중성자 흡수 물질을 포함한 제1 분말을 초음속 화염 용사(HVOF) 공정으로 분사하여 모재에 중성자 흡수 물질층을 형성하는 단계,
(b) 코팅용 금속 분말을 저온 분사 공정으로 분사하여 상기 중성자 흡수 물질층 상에 금속 코팅층을 형성하는 단계.
상기 (a) 단계의 중성자 흡수 물질층은 초고속 화염 용사(HVOF)에 의해 형성되는데, 중성자 흡수 물질이 다이아몬드 형태의 초음속 충격파에 의해 전부 또는 부분 용융된 상태로 분사되어 모재 상에 증착된다. 상기 방법에 의해 형성된 중성자 흡수층은 모재와의 결합력이 강하여 분리되기 어려울 뿐만 아니라 기지금속 사이에 균일하게 분포되어 공극율이 낮으며 따라서 중성자 흡수 물질의 함량을 최대 60%까지 높일 수 있다.
또한, 상기 (b) 단계의 금속 코팅층은 저온 분사(kinetic spray)에 의해 형성되는데, 저온 분사를 통해 코팅용 금속 분말은 소성변형이 일어남과 동시에 열이 발생하여 계면부에 금속성 결합(metallurgical bonding)을 형성하면서 상기 중성자 흡수 물질층 상에 적층되므로 형성된 금속 코팅층은 0.5% 정도의 낮은 기공율을 가지며, 외부의 수분은 표면장력에 의해 침투가 어려우며, 내외부의 기체는 투과가 가능하여, 외부 환경에 대해 영향을 받지 않으면서 안전하게 중성자 흡수 물질층을 보호할 수 있다.
상기 (a) 단계에 대해서 상세히 설명한다. 상기 (a)단계는 초고속 화염 용사 장치를 이용하여 중성자 흡수 물질층을 형성하는 것을 특징으로 한다. 하기 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 초고속 화염 용사 장치의 모식도이다.
하기 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 초고속 화염 용사 장치는 분말 주입구(1), 노즐 분사구(2), 산소 주입구(3), 연료 주입구(4), 연소구(5), 냉각수 출입구(6) 및 냉각수 배출구(7)로 구성된다.
상기 분말 주입구(1)에 중성자 흡수 물질을 포함한 제1 분말을 주입하고, 이송가스에 의해 노즐 분사구(2)로 이송시킨다. 산소 주입구(3)와 연료 주입구(4)로부터 각각 공정가스를 이루는 산소와 연료가 노즐로 이송하여 연소구(5)에서 혼합되어 연소 및 폭발하여 화염을 발생시킨다. 이 때, 노즐 입구의 온도는 약 3000 K이며, 중성자 흡수 물질을 포함한 분말은 전부 또는 부분 용융되어 다이아몬드 형태의 초음속 충격파에 의해 모재 상으로 분사되면서 적층된다.
상기 중성자 흡수 물질을 포함한 제1 분말은 중성자 흡수 물질과 기지금속을 포함한다. 중성자 흡수 물질은 붕소, 가돌리늄, 사마륨, 카드뮴, 리튬, 디스프로슘 중에서 선택되는 어느 하나, 또는 이들의 혼합물, 또는 이들을 포함하는 화합물일 수 있으며, 구체적으로 B4C, BN, B2O3 및 B(OH)3 중에서 선택되는 어느 하나 또는 그 이상일 수 있다. 기지금속은 주로 내식성이 우수한 알루미늄, 철, 니켈, 크롬, 구리, 이들의 혼합물 및 이들의 합금 중에서 선택되는 금속 분말 또는 세라믹 분말일 수 있으며, 특히 금속기지 복합재료(Metal Matrix Composite, MMC)를 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 (a) 단계의 상기 중성자 흡수 물질을 포함하는 분말의 직경은 5 내지 45 ㎛일 수 있다. 분사에 있어서 분말의 직경은 중성자 흡수재의 성능을 결정하는 중요한 인자인데, 상기 하한 미만이면 온도가 2500 내지 3000 ℃인 공정가스에 의해 분말의 용융이 극대화되어 기화될 수 있으며, 상기 상한 초과이면 용융되지 않은 분말 입자들이 증가할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 이송가스는 불활성 기체로 주로 N2 또는 He을 사용하며, 유량은 30 내지 150 NL/min일 수 있다. 이송가스의 유량은 중성자 흡수 물질층의 상태에 크게 영향을 미치는데, 상기 하한 미만이면 산화물의 분율이 높아져 기계적 특성이 약화되며, 상기 상한 초과이면 용융되지 않은 분말이 많이 존재하게 되어 모재와의 결합력이 낮아질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 공정가스는 산소와 연료를 포함하며, 온도는 2500 내지 3000 ℃일 수 있다. 상기 온도 하한이면 초고속 화염을 발생시키기에 부족하며, 상기 온도 초과이면 분말이 기화되어 중성자 흡수 물질의 특성이 변할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 공정가스의 유량은 분말을 용융시키는 열원과 분말의 분사 속도 증가에 의한 유지 시간(dwell time)을 고려하여, 연료는 40 내지 60 NL/min, 산소는 400 내지 500 NL/min일 수 있다.
상기 (b)단계에 대해 구체적으로 설명한다. 상기 (b)단계는 저온 분사(kinetic spray)에 의해 금속 코팅층을 형성하는 것을 특징으로 한다. 하기 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 저온 분사 공정의 모식도이다.
하기 도 2를 참조하면, 저온 분사 공정은 프로세스 컨트롤러(9)에서 공정 조건을 제어하며, 가스 컨트롤러(10)와 가스 히터(11)에서 공정가스를 가압 및 가열하여 공정가스의 운동에너지를 증가시킨다. 분말 공급장치(12) 내에 들어있는 코팅용 금속 분말을 노즐(13)로 이송하면 압축 및 가열된 공정가스가 분사되면서 코팅용 금속 분말에 운동에너지를 가하고 운동에너지를 받은 분말 입자는 분사되면서 서로 충돌하여 소성변형되어 중성자 흡수 물질층 상에 적층하여 금속 코팅층을 형성한다.
상기 공정가스는 불활성 기체인 N2나 He 등이며 이에 의해 한정되지 않으며, 공정가스의 온도는 200 내지 800 ℃일 수 있다. 공정가스의 온도는 금속 코팅층의 성질을 결정하는 중요한 인자인데, 상기 하한 미만이면 코팅용 금속 분말 입자들이 충돌하여 소성변형을 일으키기 부족하며, 상기 상한 초과이면 코팅용 금속 분말 입자의 운동에너지 보다 탄성에너지가 더 커지게 되어 분말 입자가 적층되지 않고 튕겨져 나갈 수 있다.
또한, 공정가스의 압력은 0.5 내지 4 MPa일 수 있다. 공정가스의 압력 역시 금속 코팅층의 성질을 결정하는 중요한 인자인데, 상기 하한 미만이면 코팅용 금속 분말 입자들이 충돌하여 소성변형을 일으키기 부족하며, 상기 상한 초과이면 운동에너지 보다 탄성에너지가 더 커지게 되어 분말 입자가 적층되지 않고 튕겨져 나갈 수 있으며, 가스 사용량이 많아져 생산단가를 높이는 요인이 된다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면 상기 (b) 단계의 코팅용 금속 분말의 직경은 5 내지 45 ㎛일 수 있다. 상기 하한 미만이면 분말의 운동에너지가 충분하지 않아 분사시 소성변형되는 정도가 작아질 수 있고, 상기 상한 초과이면 분말 입자를 충분히 가속시킬 수 없다.
또한, 본 발명은 상기 (a) 단계 전에 중성자 흡수 물질을 포함한 제2 분말을 초음속 화염 용사(HVOF) 공정으로 분사하여 모재에 중성자 흡수 보조층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 중성자 흡수 보조층은 중성자 흡수재의 모재와 중성자 흡수 물질층 사이에 도입되어, 모재와 중성자 흡수 물질층의 접합강도를 증가시키는 역할과, 중성자 흡수 물질층의 중성자 흡수 물질 의존도를 낮춤으로써 기계적 특성을 보완할 수 있는 역할을 한다.
상기 제2 분말은 알루미늄, 철, 니켈, 크롬, 구리, 이들의 혼합물 및 이들의 합금 중에서 선택되는 금속과, 붕소, 가돌리늄, 사마륨, 카드뮴, 리튬, 디스프로슘, 이들의 혼합물 및 이들을 포함하는 화합물 중에서 선택되는 중성자 흡수 물질을 포함한다.
또한, 본 발명은 중성자 흡수 물질층 및 금속 코팅층의 이중층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 중성자 흡수재를 제공한다.
본 발명에 따른 중성자 흡수재의 중성자 흡수 물질층은 1% 미만의 낮은 기공율을 가져 금속기지와의 공극이 발생하지 않으며, 중성자 흡수 물질이 모재에 균일하게 분산되어 있는 것을 특징으로 한다.
하기 도 4에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 중성자 흡수재는 중성자와 중성자 흡수 입자가 충돌하는 평균 자유 경로(mean free path)가 짧아져 거시적 중성자 흡수 단면적(macroscopic neutron absorption cross-section)을 증가시킨다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 하기 도 3에서 보는 바와 같이, 상기 중성자 흡수재의 모재와 중성자 흡수 물질층 사이에 중성자 흡수 보조층을 도입할 수 있다.
중성자 흡수 보조층을 도입함으로써 모재와 중성자 흡수 물질층의 접합강도를 증가시킬 수 있다. 상기 보조층은 내식성이 우수한 알루미늄, 철, 니켈, 크롬, 구리, 이들의 혼합물 및 이들의 합금 중에서 선택되는 기지금속으로 이루어지며, 상기 보조층은 초고속 화염 용사에 의해 형성될 수 있다.
또한, 상기 보조층은 중성자 흡수 물질을 더 포함하여 중성자 흡수 물질층의 중성자 흡수 물질 의존도를 낮춤으로써 기계적 특성을 보완할 수 있다. 일예로서 중성자 흡수 물질이 보론(B) 계열 화합물인 중성자 흡수 물질층에, 적은 함량의 가돌리늄(Gd)이나 사마륨(Sm)을 포함하는 보조층을 도입하여 중성자 흡수능을 더 높일 수 있다. 가돌리늄(Gd)이나 사마륨(Sm)은 보론(B)보다 중성자 흡수능은 높지만 고가이기 때문에 고함량으로 사용하는 경우는 드물고 가돌리늄(Gd)이나 사마륨(Sm)에 비해 주로 중성자 흡수능은 낮으나 상대적으로 저렴한 보론(B) 계열 화합물을 중성자 흡수 물질로 사용한다. 그러나 보론(B)은 낮은 중성자 흡수능을 보완하기 위해 함량을 많이 높일 경우 모재와의 결합력이 떨어지는 등 중성자 흡수재의 기계적 특성을 약화시킨다. 따라서, 보조층에 보론(B)보다 중성자 흡수능이 우수한 가돌리늄(Gd)을 적은 함량 포함시켜, 중성자 흡수 물질층과 보조층에서 모두 중성자 흡수가 일어나도록 하여 효율적으로 중성자 흡수 물질을 이용할 수 있다.
이하에서는 바람직한 실시예 등을 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 이들 실시예 등은 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이에 의하여 제한되지 않는다는 것은 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
<실시예>
1. 중성자 흡수 물질층 형성
모재는 사용후 핵연료 저장용기로서 내부식성이 우수한 스테인리스계열 금속을 사용하였다. 상기 모재를 표면 조도를 일정하게 하고, 표면에 존재하는 불순물 또는 오염 물질을 제거하기 위해 연마처리하였다. 연마 후 표면 조도를 증가시키기 위해 표면에 5 kg/cm2의 압력으로 직경 177~595 ㎛의 알루미나 분말을 이용하여 그릿-블라스팅(grit-blasting)을 실시하고, 초음파 세척하여 불순물을 제거함으로써 전처리를 완료하였다.
상기 전처리된 모재 표면에 중성자 흡수 물질인 B4C와 금속기지 복합재료(Metal Matrix Composite, MMC)인 알루미늄 합금의 혼합 분말을 초음속 화염 용사(HVOF)법으로 적층하였다.
초음속 유동 적층 성형 장비는 독일 CGT 사의 초음속 유동 적층성형 코팅 장비를 사용하였다. 공정가스로는 N2와 산소 연료를 사용하였으며, 가스 가열 및 가압 장치를 거친 질소 가스의 온도는 400℃, 압력은 2 MPa, 모재와의 분사 거리는 30 ㎜로 설정하였으며, 두꺼운 코팅층의 형성을 위해서 노즐의 이동 속도는 80 mm/s로 하여 모재 상에 중성자 흡수 물질층을 형성하였다(하기 도 5). 400 ㎛ 두께의 중성자 흡수 물질층이 형성되었으며, 노즐의 이동 시간과 적층 횟수에 따라 그 두께를 조절할 수 있다.
2. 금속 코팅층 형성
상기에서 형성된 중성자 흡수 물질층 상에 코팅용 금속 분말을 저온 분사하여 금속 코팅층을 적층하였다. 공정가스로는 N2를 사용하였으며, 가스 가열 및 가압 장치를 거친 N2 가스의 온도는 400℃, 압력은 2 MPa, 모재와의 분사 거리는 30 ㎜로 설정하였으며, 두꺼운 코팅 층의 형성을 위해서 노즐의 이동 속도는 80 mm/s로 하여 모재 상에 중성자 흡수 물질층을 형성하였다. 두께는 노즐의 이동 시간과 적층 횟수에 따라 그 두께를 조절하였다.
하기 도 6은 중성자 흡수 물질층 상에 형성된 금속 코팅층의 단면을 나타낸 사진이다. 중성자 흡수 물질층 위에 치밀하게 층이 형성된 것을 확인할 수 있다.

Claims (5)

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  4. (a) 중성자 흡수 물질을 포함한 직경 5 내지 45 ㎛의 제1 분말을 초음속 화염 용사(HVOF) 공정으로 분사하여 모재에 중성자 흡수 물질층을 형성하는 단계; 및
    (b) 직경 5 내지 45 ㎛의 코팅용 금속 분말을 저온 분사(kinetic spray) 공정으로 분사하여 상기 중성자 흡수 물질층 상에 금속 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 제1 분말은 붕소, 가돌리늄, 사마륨, 카드뮴, 리튬, 디스프로슘, 이들의 혼합물 및 이들을 포함하는 화합물 중에서 선택되는 중성자 흡수 물질을 포함하고,
    상기 코팅용 금속 분말은 알루미늄, 철, 니켈, 크롬, 구리, 이들의 혼합물 및 이들의 합금 중에서 선택되는 금속으로 이루어지며,
    상기 (a) 단계의 초음속 화염 용사 공정은 온도 2500 내지 3000 ℃, 유량 30 내지 150 NL/min의 조건에서 수행되고,
    상기 (b) 단계의 저온 분사 공정은 온도 200 내지 800 ℃, 압력 0.5 내지 4 MPa의 조건에서 수행되며,
    상기 중성자 흡수 물질층 내에 상기 중성자 흡수 물질의 함량은 5 내지 60 중량%인 것을 특징으로 하는 중성자 흡수재의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 (a) 단계 전에 중성자 흡수 물질을 포함한 제2 분말을 초음속 화염 용사(HVOF) 공정으로 분사하여 모재에 중성자 흡수 보조층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제2 분말은 알루미늄, 철, 니켈, 크롬, 구리, 이들의 혼합물 및 이들의 합금 중에서 선택되는 금속과, 붕소, 가돌리늄, 사마륨, 카드뮴, 리튬, 디스프로슘, 이들의 혼합물 및 이들을 포함하는 화합물 중에서 선택되는 중성자 흡수 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 중성자 흡수재의 제조방법.
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