KR101554829B1 - 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링 및 이를 포함하는 캐리어 헤드 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
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- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
- B24B37/32—Retaining rings
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링으로, 웨이퍼의 외측면와 접촉하는 제 1 리테이너링 부재; 상기 리테이너링 부재의 외측 및 상부에 구비되며, 웨이퍼의 외측면과 접촉하지 않는 제 2 리테이너링 부재; 및 상기 제 1 리테이너링 부재의 상부로부터 상기 제 2 리테이너링 부재로 전달되는 압력을 감소하기 위한 압력 감소 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링이 제공된다.
Description
본 발명은 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링 및 이를 포함하는 캐리어 헤드에 관한 것이다.
집적 회로는 일반적으로 도체, 반도체 또는 절연층을 연속 증착함으로써 기판, 특히 실리콘 웨이퍼 상에 형성된다. 각 층이 증착된 이후에, 층은 회로 특성이 발생되도록 에칭된다. 일련의 층들이 연속적으로 증착되고 에칭됨에 따라, 기판의 외부 또는 최상층 표면, 즉 기판의 노출면은 점차 비평면화된다. 이와 같이 비평면인 외부면은 집적 회로 제조자에게 문제가 된다. 기판 외부면이 평면이 아니면, 그 위에 놓이는 포토레지스트 층도 평면이 아니다.
포토레지스트 층은 일반적으로 포토레지스트 상에 광 화상을 집중시키는 포토리소그래피 장치(photolithographic devices)에 의해 패턴화된다. 기판의 외부면이 너무 울퉁불퉁하면, 외부면의 피크와 골 사이의 최대 높이 차이는 화상 장치의 포커스 깊이를 초과할 것이며, 기판 외부면에 광 화상을 적절하게 집중시킬 수 없다. 포커스 깊이가 개선된 새로운 포토리소그래피 장치를 설계하는 것은 상당히 비싼 작업이다. 또 집적회로 내에 이용되는 최소배선폭이 더 작아짐에 따라, 보다 단거리의 광 파장이 이용되어야 하며, 이로 인해 이용 가능한 포커스 깊이는 더욱 축소된다. 따라서 실질적인 평면 층 표면을 제공하기 위해 기판 표면을 주기적으로 평탄하게 할 필요가 있다.
화학 기계식 연마(Chemical Mechanical Polishing, 이하 CMP)는 평탄화의 한가지 방법으로서, 상기 화학 기계식 연마는 평탄화시키고자 하는 대상 웨이퍼(기판)가 연마 헤드에 장착되는데, 상기 기판의 연마 헤드 장착은 상기 연마 헤드의 하부면에 장착된 가요성 박막과 상기 기판의 접촉에 의하여 수행된다. 이후 가요성 박막과 접촉함으로써 헤드에 장착된 상기 기판은 상기 가요성 박막과의 접촉면에 대향하는 면이 회전하는 연마 패드에 접촉하게 된다. 이때 상기 헤드는 연마 패드에 대해 상기 기판을 가압하게 되며, 또한 상기 헤드는 기판과 연마패드 사이에서 추가의 이동을 제공하도록 회전한다. 연마제 및 적어도 하나의 화학 반응제를 포함하는 연마 슬러리는 연마 패드 상에 분포되어 패드와 기판 사이 계면에서 연마 화학 용액을 제공한다. 이러한 CMP 공정은 상당히 복잡하며, 단순 습식 샌딩(wet sanding)과는 다르다. CMP 공정에서, 슬러리 내의 반응제는 반응 사이트를 형성하기 위해 기판의 외부면과 반응한다. 반응 장소를 갖는 연마 패드와 연마 입자의 상호 작용에 의해 연마가 이루어진다.
특히 CMP 공정은 연마 속도, 마무리 정도 및 편평도는 패드 및 슬러리 조합, 기판과 패드 사이의 상대 속도, 및 패드에 대해 기판을 누르는 힘에 의해 결정된다. 편평도 및 마무리 정도가 불충분하면 기판은 결함이 있게 되므로, 연마 패드와 슬러리의 조합은 필요한 마무리 정도 및 편평도에 의해 선택된다. 이러한 조건 하에서, 연마속도에 의해 연마 장치의 최대 작업처리량이 정해진다. 연마 속도는 기판이 패드에 대해 압축되는 힘에 따라 달라진다. 특히, 이러한 힘이 커질수록, 연마 속도도 더 빨라진다. 캐리어 헤드가 불균일한 하중을 가한다면, 즉 캐리어 헤드가 기판의 한 영역에서만 더욱 큰 힘을 받게 된다면, 고압의 영역은 저압의 영역보다 더 신속하게 연마될 것이다. 따라서 하중이 불균일하면 기판은 불균일하게 연마될 것이다. 또환 CMP 공정의 한 가지 문제는 종종 기판의 엣지가 기판 중심과는 다른 속도(일반적으로 더 빠르고, 가끔씩 더 느린)로 연마되는 것이다.
"엣지 효과(edge effect)"로 불리는 이 문제는 하중이 기판에 균일하게 적용되는 경우에도 발생한다. 엣지 효과는 기판의 주변부, 예를 들어 기판의 최외각 5 내지 10 mm에서 일반적으로 발생하는데, 이러한 엣지 효과는 기판의 전체 편평도를 감소시키고, 기판의 주변부를 집적 회로 내에서 이용하기에 부적합하게 하며, 수율을 감소시킨다.
이러한 문제를 해결하고자 대한민국 공개특허 10-2012-0012099호는 맴브레인과 접촉하는 리테이너링를 소정 각도로 깍은 기술을 개시한다. 하지만, 이 기술은 리테이너링 자체를 가공하여야 한다는 문제와, 웨이퍼의 이탈을 방지하기 위하여 실질적으로 가장 강한 힘을 받는 리테이너 링의 접촉 면적으로 축소하여, 과도한 부하를 걸리게 하는 문제가 있다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 리테이너 링에 가압되는 압력을 웨이퍼 외측면과 접촉하는 부분과, 외측면과 접촉하지 않는 부분으로 압력으로 상이하게 분산시켜, 웨이퍼 엣지 효과를 감소시킬 수 있는 새로운 구조의 리테이너 링을 제공하는 것이다.
본 발명은 리테이너 링에 가압되는 압력을 웨이퍼 외측면과 접촉하는 부분과, 외측면과 접촉하지 않는 부분으로 압력으로 상이하게 분산시켜, 웨이퍼 엣지 효과를 감소시킬 수 있다. 특히 리테이너 링에 압력을 인가하기 위한 챔버를 변경하지 않고서도 리테이너링 구조만을 변경하여, 웨이퍼 엣지 효과를 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링의 압력 프로파일을 설명하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 리테이너링을 포함하는 캐리어 헤드의 엣지 현상을 설명하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링의 압력 프로파일을 설명하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 리테이너링을 포함하는 캐리어 헤드의 엣지 현상을 설명하는 도면이다.
도 7 및 8은 탄성부재로 고무 또는 스프링 대신, 별도의 탄성층(예를 들어 필름이나 멤브레인, 워셔 등)을 상기 제 1 리테이너링 부재(112)의 상부 또는 내부로 사용하는 예를 설명하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링의 압력 프로파일을 설명하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 리테이너링을 포함하는 캐리어 헤드의 엣지 현상을 설명하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링의 압력 프로파일을 설명하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 리테이너링을 포함하는 캐리어 헤드의 엣지 현상을 설명하는 도면이다.
도 7 및 8은 탄성부재로 고무 또는 스프링 대신, 별도의 탄성층(예를 들어 필름이나 멤브레인, 워셔 등)을 상기 제 1 리테이너링 부재(112)의 상부 또는 내부로 사용하는 예를 설명하는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다.
이하의 설명에서 본 발명에 대한 이해를 명확하게 하기 위해, 본 발명의 특징에 대한 공지의 기술에 대한 설명은 생략하기로 한다. 이하의 실시 예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 상세한 설명이며, 본 발명의 권리 범위를 제한하는 것이 아님은 당연할 것이다. 따라서, 본 발명과 동일한 기능을 수행하는 균등한 발명 역시 본 발명의 권리 범위에 속할 것이다.
본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여, 캐리어 헤드로부터 가압되는 압력을 받는 리테이너링의 압력 프로파일을 웨이퍼의 외측면과 접촉하는 내측과 접촉하지 않는 외측으로 나누고, 내측의 압력을 외측보다 낮게 하여 웨이퍼 엣지 문제를 해결한다.
본 발명의 일 실시예에서는 동일 리테이너링에서 상이하게 구성되는 탄성에 의하여 내측/외측의 압력 프로파일(이것은 실제 패드를 가압하는 압력을 의미한다)이 달라지게 되는데, 이하 도면을 이용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 리테이너링(110)은 웨이퍼(120)의 외측면과 직접 접촉하는 부분(이하 제 1 리테이너링 부재, 112)와, 상기 제 1 리테이너링 부재(112)의 외측과 상부와 동시 접촉을 하는 제 2 리테이너링 부재(111)를 포함하며, 웨이퍼의 이탈을 방지하기 위하여 캐리어 헤드로부터 아래쪽으로 가압되는 압력은,상기 제 2 리테이너링 부재(111)으로부터 제 1 리테이링으로 전달된다. 이때, 상기제 2 리테이너링 부재(111)보다 상기 제 1 리테이너링 부재(112)에서 보다 더 많이 감소되는데, 본 발명의 일 실시예에 압력 감소 수단으로 제 1 리테이너링 부재(112)와 제 2 리테이너링 부재(111) 사이의 탄성차를 이용하였다.
즉, 본 발명의 일 실시예에서는. 상기 제 2 리테이너링 부재(111) 보다 높은 탄성의 제 1 리테이너링 부재(112)에 의하여, 상기 제 2 리테이너링 부재(112)의 상부로부터 상기 제 1 리테이너링 부재로 전달되는 압력이 감소되는 기술 구성을 제공한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링의 압력 프로파일을 설명하는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 캐리어 헤드(미도시)의 상부로부터 공기 등을 통하여 압력(P1)이 아래쪽으로 가압된다. 상기 리테이너링의 가압은 다양한 구성과 방법을 통하여 구현될 수 있으며, 본 발명의 범위는 특정 캐리어 헤드의 가압 구조로 제한되지 않는다. 상기 압력은 제 2 리테이너링 부재(111)을 통하여 아래의 제 1 리테이너링 부재(112)로도 전달되며, 이로써 제 2 리테이너링 부재(111)과 제 1 리테이너링 부재(112)는 아래쪽으로 가압된다. 이때 상기 제 2 리테이너링 부재(111)보다 제 1 리테이너링 부재(112)의 탄성은 보다 높게 되며, 이로써 탄성 소재에 의한 ㅈ반발력 등으로 제 1 리테이너링 부재(112)의 아래쪽 압력(P3)은 최초 압력 P1보다 감소된다. 더 나아가, 상기 제 1 리테이너링 부재(112)의 압력(P3)는 낮은 탄성을 갖는 제 2 리테이너링 부재의 압력(P2)보다 낮게 형성된다.
따라서, 도 2에서의 압력 프로파일은 다음과 같이 정리될 수 있다.
P2 > P3
이러한 압력 감소는 상술한 바와 같이 하나의 압력을 받게 되는 동일 리테이너링에서, 내측 영역(웨이퍼 외측면과의 접촉 영역)의 압력을 보다 낮게 구성함으로써, 회전 연마시 웨이퍼의 슬립을 방지함과 동시에 웨이퍼의 과도 엣지 연마를 방지할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 리테이너링을 포함하는 캐리어 헤드의 엣지 현상을 설명하는 도면이다.
도 3을 참조하면, 보다 높은 압력을 가압되는 제 2 리테이너링 부재(111)에 의하여 패드(130)의 일부 영역(131)이 리바운드되나, 상기 리바운드 영역(131)은 웨이퍼(120)의 엣지 영역이 아니라, 보다 높은 탄성의 제 1 리테이너링 부재(112)에 형성된다. 그 결과, 웨이퍼 엣지 부분에서의 패드 리바운드로 인한 과도 연마 문제를 효과적으로 방지할 수 있다. 아울러, 리바운드된 패드에 의하여 제 1 리테이너링 부재(112)의 웨이퍼 고정 효과는 더욱 향상되는 장점이 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예는 리테이너링 자체의 탄성을 조절하는 방식과 달리, 고무와 같은 탄성 소재를 제 1 리테이너링 부재에 구비시켜, 압력을 조절하는 방식을 취한다. 이 때 제 1 리테이너링 부재는 제 2 리테이너링 부재와 동일한 탄성을 가져도 무방하다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 리테이너링은 웨이퍼(120)의 외측면과 직접 접촉하는 제 1 리테이너링 부재(112)와, 웨이퍼와 직접 접촉하지 않는 제 2 리테이너링 부재(111)를 포함한다. 하지만, 제 1 리테이너링 부재 자체의 탄성을 높게 하는 상기 구성과 달리, 본 실시예에서는 별도의 탄성 부재(113)를 제 1 리테이너링 부재(112)와 제 2 리테이너링 부재(111) 사이, 즉, 제 1 리테이너링 부재(112) 상부 또는 내측에 구비시킨다.
본 발명에서 상기 탄성 부재(113)는 제 1 리테이너링 부재(112)이나 제 2 리테이너링 부재(111) 보다 높은 탄성을 갖는 임의의 물질을 모두 포함하며, 이는 본 발명의 범위에 속한다. 또한 상기 탄성 부재(113)는 적어도 하나 이상이 상기 제 1 리테이너링 부재(112) 상부 및/또는 측면에 구비되며, 균일한 압력 프로파일을 위하여 하나 이상이 사용되는 것이 바람직하다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링의 압력 프로파일을 설명하는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 고무와 같은 탄성부재(113)에 의하여 제 1 리테이너링 부재(112)의 패드 인가 압력(P6)는 감소되며, 그 결과 상기 제 1 리테이너링 부재(112)의 패드 인가 압력(P6)은, 제 2 리테이너링 부재(112)의 패드 인가 압력(P5) 보다 낮아진다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 리테이너링을 포함하는 캐리어 헤드의 엣지 현상을 설명하는 도면이다.
도 6을 참조하면, 상기 제 2 리테이너링 부재(111)의 상부로부터 상기 제 1 리테이너링 부재(112)로 전달되는 압력을 감소하기 위한 압력 감소 수단으로 탄성 부재(113)를 사용함으로써 도 3에서와 같이 웨이퍼 엣지 부분에서의 패드 리바운드로 인한 과도 연마 문제를 효과적으로 방지할 수 있다. 아울러, 리바운드된 패드에 의하여 제 1 리테이너링 부재(112)의 웨이퍼 고정 효과는 더욱 향상되는 장점이 있다.
도 7 및 8은 탄성부재로 고무 또는 스프링 대신, 별도의 탄성층(예를 들어 필름이나 멤브레인, 워셔 등)을 상기 제 1 리테이너링 부재(112)의 상부 또는 내부로 사용하는 예를 설명하는 도면이다.
도 7 및 8을 참조하면, 제 1 리테이너링 부재(112) 보다 높은 탄성을 갖는 임의 물질로 이루어진 탄성층(114)을 제 1 리테이너링 부재(112)의 상부 또는 내측에 사용하여, 아래로 가해지는 압력을 제 1 리테이너링 부재(112)에서만 감소시키는 기술구성을 개시한다.
이상에서와 같이 본 발명은 상기한 실시 예에 한하여 설명하였지만, 이를 반드시 제한하는 것은 아닌 것으로 본 발명의 범주와 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 실시가 가능하다.
Claims (7)
- 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링으로,
웨이퍼의 외측면와 접촉하는 제 1 리테이너링 부재;
상기 제 1 리테이너링 부재의 외측면 및 상부면과 접촉하는 제 2 리테이너링 부재; 및
상기 제 2 리테이너링 부재의 상부로부터 상기 제 1 리테이너링 부재로 전달되는 압력을 감소하기 위한 압력 감소 수단;을 포함하며,
상기 압력 감소 수단은 상기 제 1 리테이너링 부재와 상기 제 2 리테이너링 부재 사이에 삽입된 상태로 구비된 탄성 부재이며,
상기 제 1 리테이너링 부재의 탄성력은 상기 제 2 리테이너링 부재의 탄성력과 동일하거나 보다 크고, 상기 압력 감소 수단의 탄성력은 상기 제 1,2 리테이너링 부재의 탄성력보다 크며,
이를 통해 상기 캐리어 헤드의 리테이너링은 그 상부로부터 받는 하나의 압력을 하부에 배치되는 패드 상으로 분리하여 전달하는 것을 특징으로 하는 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링. - 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 탄성 부재는 고무 또는 스프링을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링. - 제 1항에 있어서,
상기 탄성 부재는 상기 제 1 리테이너링 상부에 적어도 하나 이상 구비되는 것을 특징으로 하는 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링. - 제 1항에 있어서,
상기 탄성 부재는 상기 리테이너링 상부 또는 내부에 구비된 탄성층인 것을 특징으로 하는 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링. - 제 1항 및 제 4항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따른 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링을 포함하는 화학연마장치용 캐리어 헤드.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140175039A KR101554829B1 (ko) | 2014-12-08 | 2014-12-08 | 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링 및 이를 포함하는 캐리어 헤드 |
| CN201580066870.1A CN107112260A (zh) | 2014-12-08 | 2015-11-17 | 化学研磨装置用承载头的固定环以及包括其的承载头 |
| US15/532,964 US20180264621A1 (en) | 2014-12-08 | 2015-11-17 | Retainer ring for carrier head for chemical polishing apparatus and carrier head comprising same |
| PCT/KR2015/012336 WO2016093504A1 (ko) | 2014-12-08 | 2015-11-17 | 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링 및 이를 포함하는 캐리어 헤드 |
| TW104139470A TWI609454B (zh) | 2014-12-08 | 2015-11-26 | Cartridge ring for chemical polishing apparatus and carrier head containing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140175039A KR101554829B1 (ko) | 2014-12-08 | 2014-12-08 | 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링 및 이를 포함하는 캐리어 헤드 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101554829B1 true KR101554829B1 (ko) | 2015-10-06 |
Family
ID=54345198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140175039A KR101554829B1 (ko) | 2014-12-08 | 2014-12-08 | 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링 및 이를 포함하는 캐리어 헤드 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101554829B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190127118A (ko) * | 2018-05-03 | 2019-11-13 | 주식회사 케이씨텍 | 유지링 및 이를 포함하는 캐리어 헤드 |
| KR20200023731A (ko) * | 2018-08-27 | 2020-03-06 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 및 이에 사용되는 리테이너 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004276128A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
| KR100652315B1 (ko) | 2005-12-27 | 2006-11-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 화학적 기계적 연마장치의 폴리싱 헤드 |
-
2014
- 2014-12-08 KR KR1020140175039A patent/KR101554829B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004276128A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
| KR100652315B1 (ko) | 2005-12-27 | 2006-11-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 화학적 기계적 연마장치의 폴리싱 헤드 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190127118A (ko) * | 2018-05-03 | 2019-11-13 | 주식회사 케이씨텍 | 유지링 및 이를 포함하는 캐리어 헤드 |
| KR102121728B1 (ko) * | 2018-05-03 | 2020-06-12 | 주식회사 케이씨텍 | 유지링 및 이를 포함하는 캐리어 헤드 |
| KR20200023731A (ko) * | 2018-08-27 | 2020-03-06 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 및 이에 사용되는 리테이너 |
| KR102144846B1 (ko) * | 2018-08-27 | 2020-08-14 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 및 이에 사용되는 리테이너 |
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