KR101551543B1 - 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

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한양대학교 산학협력단
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Abstract

유기 발광 소자가 제공된다. 상기 유기 발광 소자는, 기판 상의 제1 전극, 상기 제1 전극 상의 하부 발광층, 상기 하부 발광층 상에 배치되고 전하를 생성하고 발광하는 전하생성 발광층, 상기 전하생성 발광층 상의 전자주입 지연층, 및 상기 전자주입 지연층 상의 제2 전극을 포함한다.

Description

유기 발광 소자 및 그 제조 방법{Organic light emitting diode and method fo fabricating the same}
본 발명은 유기 발광 소자 및 그 제조 방법에 관련된 것으로, 보다 상세하게는, 전하를 생성하고 발광하는 전하생성 발광층, 및 전자주입 지연층을 갖는 유기 발광 소자 및 그 제조 방법에 관련된 것이다.
유기 발광 소자는 유기 물질의 전계 발광 현상을 이용한 표시 소자이다. 유기 발광 소자는 애노드 전극 및 캐소드 전극 사이에 유기 발광 물질을 배치시키고, 애노드 전극 및 캐소드 전극 사이에 전류에 의해 유기 발광층 내부에서 전자와 정공이 결합하여 생성된 여기자(exciton)가 여기 상태에서 기저 상태로 떨어질 때 발생하는 에너지에 의해 광을 발생시킨다.
액정 표시 장치와 달리, 유기 발광 소자는 자발광 특성을 가져, 표시 장치의 두께 등을 감소 시킬 수 있다. 또한, 유기 발광 소자는 액정 표시 장치와 비교하여 전력, 휘도, 반응속도 등에서 우월한 특성을 가져, 차세대 디스플레이 장치로 연구 개발 중이다.
이러한 유기 발광 소자의 특성을 이용하여, 백색 유기 발광 소자를 개발하고, 이를 조명, LCD 백라이트, 광소자 등에 적용하기 위한 기술들이 연구 개발 중이다.
예를 들어, 대한민국 특허공개공보 10-2008-0088208(출원번호 10-2007-0030830)에는 단일 청색 호스트에 황색 또는 적색 도펀트 1을 undoped/doped(도펀트 1)/undoped 상태로 분포시킨 발광층, 또는 청색 호스트에 황색 또는 적색 도펀트 1과 청색 도펀트 2를 doped(도펀트 2)/doped(도펀트 1)/doped(도펀트 2) 상태로 분포시킨 발광층 등을 포함하는 유기 발광 소자를 개시하고 있다.
다른 예를 들어, 대한민국 특허공개공보 10-2011-0011202(출원번호 10-2009-0068742)에는, 단일 발광층을 갖는 백색 유기 발광 다이오드를 구현하기 위해, 정공 수송층 및 캐소드 사이에 2개 이상의 유기 발광 물질과 2개 이상의 무기 발광 물질이 분산되어 발광하는 발광층을 갖는 백색 유기 발광 다이오드가 개시되어 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 공정이 간소화된 유기 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 제조 단가가 감소된 유기 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는 단순화된 구조를 갖는 유기 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는 백색의 광을 방출하는 유기 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 유기 발광 소자를 제공한다.
상기 유기 발광 소자는, 기판 상의 제1 전극, 상기 제1 전극 상의 하부 발광층, 상기 하부 발광층 상에 배치되고, 전하를 생성하고, 발광하는 전하생성 발광층, 상기 전하생성 발광층 상의 전자주입 지연층, 및 상기 전자주입지연층 상의 제2 전극을 포함한다.
상기 전자주입 지연층의 두께는 20nm인 것을 포함할 수 있다.
상기 하부 발광층과 상기 전하생성 발광층에서 발광되는 광의 색은 서로 다른 것을 포함할 수 있다.
상기 전하생성 발광층은, 상기 하부 발광층 상에 배치되고 전하를 생성하는 제1 물질막, 및 상기 제1 물질막 상에 배치되고, 발광 물질이 도핑된 제2 물질막을 포함할 수 있다.
상기 제2 물질막은 상기 제1 물질막과 서로 다른 물질에 상기 발광 물질이 도핑된 것을 포함할 수 있다.
상기 발광 물질은 Ir(ppy)3, Ir(ppy)2(acac), Ir(mppy)3, Eu(dbm)3(Phen), Rubrene, Ir(btp)2(acac), Ir(piq)3, FIr6, Ir(piq)2(acac), Ir(fliq)2, Os(fppz)2(PPhMe2)2, Hex-Ir(phq)2acac, Hex-Ir(phq)3, Ir(Mphq)3, Ir(phq)2tpy, Ir(fbi)2acac, Ir(ppy)2Pc, PQ2Ir(dpm), 또는 Piq2Ir(dpm) 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 소자는, 상기 제1 전극 및 상기 하부 발광층 사이의 정공 주입층을 더 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
상기 유기 발광 소자의 제조 방법은, 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 하부 발광층을 형성하는 단계, 상기 하부 발광층 상에, 전하를 생성하고 발광하는 전하생성 발광층을 형성하는 단계, 상기 전하생성 발광층 상에 전자주입 지연층을 형성하는 단계, 및 상기 전자주입 지연층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 전하생성 발광층을 형성하는 단계는, 상기 하부 발광층 상에, 전하를 생성하는 제1 물질막을 형성하는 단계, 및 상기 제1 물질막 상에 발광 물질이 도핑된 제2 물질막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제2 물질막은, 상기 제2 물질막과 다른 물질에 상기 발광 물질이 도핑된 것을 포함할 수 있다.
상기 전자주입 지연층은 20nm의 두께로 형성되는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 유기 발광 소자는, 제1 전극 상의 하부 발광층, 및 상기 하부 발광층 상의 전하생성 발광층을 포함한다. 상기 전하생성 발광층은, 전하 생성 기능과 발광 기능을 동시에 수행하고, 상기 하부 발광층과 다른 색의 광을 방출할 수 있다. 이에 따라, 적은 수의 유기물층을 갖는 백색 유기 발광 소자가 구현될 수 있어, 제조 공정이 간소화되고, 제조 단가가 감소된 유기 발광 소자 및 그 제조 방법이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자에 포함된 전자주입 지연층을 설명하기 위한 것이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 전류 특성을 설명하기 위한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 발광 휘도 특성을 설명하기 위한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 발광 스펙트럼을 설명하기 위한 그래프이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 막이 다른 막 또는 기판상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막이 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 영역, 막들 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 영역, 막들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 소정영역 또는 막을 다른 영역 또는 막과 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 막질로 언급된 막질이 다른 실시 예에서는 제 2막질로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판(100)이 제공된다. 상기 기판(100)은 유리 기판 또는 고분자 기판일 수 있다. 상기 기판(100)은 플랙시블하고 투명한 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(100)은 PET 기판, PS 기판, PI 기판, PCV 기판, PVP 기판, 또는 PE 기판 중에서 어느 하나일 수 있다.
상기 기판(100) 상에 제1 전극(110)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(110)은 투명한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(110)은 ITO, Al-doped ZnO(AZO), Ga-doped ZnO(GZO), In,Ga-doped ZnO(IGZO), Mg-doped ZnO(MZO), Mo-doped ZnO, Al-doped MgO, Ga-doped MgO, F-doped SnO2, Nb-doped TiO2, 또는 CuAlO2 중에서 적어도 어느 하나의 물질로 형성될 수 있다.
이와는 달리, 상기 제1 전극(110)은 불투명한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(110)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 백금(Pt), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 카드늄(Cd), 또는 납(Pd) 중에서 적어도 어느 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 제1 전극(110)은 다층 막이 적층된 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(110)은 CuAlO2/Ag/CuAlO2, ITO/Ag/ITO, ZnO/Ag/ZnO, ZnS/Ag/ZnS, TiO2/Ag/TiO2, ITO/Au/ITO, WO3/Ag/WO3, 또는 MoO3/Ag/MoO3 중에서 어느 하나의 구조를 가질 수 있다.
상기 제1 전극(110) 상에 정공 주입층(120)이 형성될 수 있다. 상기 정공 주입층(120)은 NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, DMFL-TPD, DMFL-NPB, DPFL-TPD, DPFL-NPB, α-NPD, Spiro-TAD, BPAPF, NPAPF, NPBAPF, Spiro-2NPB, PAPB, 2,2'-Spiro-DBP, Spiro-BPA, TAPC, Spiro-TTB, β-TNB, HMTPD, αβ-TNB, α-TNB, β-NPP, PEDOT: PSS, 또는 PVK 중에서 적어도 어느 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 정공 주입층(120) 상에 하부 발광층(130)이 형성될 수 있다. 상기 하부 발광층(130)은 유기 물질로 형성된 발광층일 수 있다. 상기 하부 발광층(130)은 형광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 형광 물질은, Alq3, ADN, TBADN, TDAF, MADN, BSBF, TSBF, BDAF, TPB3, BPPF, TPBA, Spiro-Pye, p-Bpye, m-Bpye, DBpenta, DNP, DOPPP, DMPPP, TPyPA, BANE, 4P-NPB, BUBH-3, DBP, BAnFPye, BAnF6Pye, Coumarin 6, C545T, DMQA, TTPA, TPA, BA-TTB, BA-TAD, BA-NPB, BCzVBi, Perylene, TBPe, BCzVB, DPAVBi, DPAVB, FIrPic, BDAVBi, BNP3FL, MDP3FL, N-BDAVBi, Spiro-BDAVBi, DBzA, DSA-Ph, BCzSB, DPASN, Bepp2, FIrN4, DCM, DCM2, DCJT, DCJTB, Rubrene, N-DPAVBi-CN, PO-01, 또는 DCQTB 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 하부 발광층(130)에는 호스트/도펀트 시스템(host/dopant system)이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 호스트 물질은 mCP, TCP, TCTA, CBP, CDBP, DMFL-CBP, Spiro-CBP, DPFL-CBP, FL-2CBP, Spiro-2CBP, UGH2, UGH3, MPMP, DOFL-CBP, BST, BSB, CzSi, CzC, DFC, 26DCzPPy, FPCC, FPCA, BIPPA, BCPPA, DCDPA, TAPC, DTASi, BTPD, DmCBP, BCz1, BCz2, DCB, 또는 SimCP 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 도펀트 물질은 Ir(ppy)3, Ir(ppy)2(acac), Ir(mppy)3, Eu(dbm)3(Phen), Rubrene, Ir(btp)2(acac), Ir(piq)3, FIr6, Ir(piq)2(acac), Ir(fliq)2, Os(fppz)2(PPhMe2)2, Hex-Ir(phq)2acac, Hex-Ir(phq)3, Ir(Mphq)3, Ir(phq)2tpy, Ir(fbi)2acac, Ir(ppy)2Pc, PQ2Ir(dpm), 또느 Piq2Ir(dpm)와 같은 인광 물질을 포함할 수 있다.
상기 하부 발광층(130) 상에 전하생성 발광층(140)이 형성될 수 있다. 상기 전하생성 발광층(140)은 전하를 생성하고, 발광할 수 있다. 상기 전하생성 발광층(140)에서 발광되는 광의 색과 상기 하부 발광층(130)에서 발광되는 광의 색은 서로 상이할 수 있다. 이로 인해, 상기 하부 발광층(130) 및 상기 전하생성 발광층(140)을 포함하는 유기 발광 소자는 백색 광을 방출할 수 있다.
상기 전하생성 발광층(140)을 형성하는 단계는, 상기 하부 발광층(130) 상에 제1 물질막(141)을 형성하는 단계, 및 상기 제1 물질막(141) 상에 발광 물질이 도핑된 제2 물질막(142)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 물질막(141)은 전하 생성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질막(141)은 NPB, BCP, Alq3, α-NPD, Bphen, m-MTDATA, TCTA, TPBi, FeCl3 Li, F4-TCNQ, Cs2CO3, HAT-CC, Cs, Mg, WO3, Be203, Re207, SnO2, MoO3, V2O5, CuPc, 또는 Mg 중에서 적어도 어느 하나의 물질을 포함하거나, 또는 이 물질들이 적층된 구조로 형성될 수 있다.
상기 제2 물질막(142)은 상기 전하 생성 물질에 상기 발광 물질이 도핑된 것일 수 있다. 상기 제2 물질막(142)은 상기 제1 물질막(141)과 다른 전하 생성 물질에 상기 발광 물질이 도핑된 것일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질막(141)이 WO3인 경우, 상기 제2 물질막(142)은 NPB에 rubrene이 도핑된 것일 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 물질은 rubrene 외에, CBP, Alq3 등이 사용될 수 있다.
상기 전하생성 발광층(140) 상에 전자주입 지연층(150)이 형성될 수 있다. 상기 전자주입 지연층(150)은, 예를 들어, Ir(ppz)3, Cs2CO3, MoO3, CsF, Liq, 또는 LiF 중에서 적어도 어느 하나를 이용하여 형성될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자에 포함된 상기 전자주입 지연층(150)은 종래의 전자 수송층 및 전자 주입층과 비교하여 더 두꺼울 수 있다. 예를 들어, 종래에 유기 발광 소자에 포함된 전자 수송층 및 전자 주입층의 두께가 약 1nm 정도인 경우, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자에 포함된 상기 전자주입 지연층(150)이 두께는 약 20nm일 수 있다.
상기 전자주입 지연층(150) 상에 제2 전극(160)이 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(160)은, 상술된 상기 제1 전극(110)의 형성에 사용될 수 있는 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 제1 전극(110)에 양의 전압이 인가되고, 상기 제2 전극(160)에 음의 전압이 인가되는 경우, 상기 전하생성 발광층(140)에서 발생된 전자는 상기 하부 발광층(130)으로 이동하여 상기 제1 전극(110)으로 주입된 정공과 결합되어, 상기 하부 발광층(140)에서 발광될 수 있다. 상기 전하생성 발광층(140)에서 발생된 홀은 상기 제2 전극(160)에서 상기 전자주입 지연층(150)에서 지연된 후 상기 전하생성 발광층(140)으로 주입된 전자와 결합되어, 상기 전하생성 발광층(140)에서 발광될 수 있다. 상술된 바와 같이, 상기 하부 발광층(130)과 상기 전하생성 발광층(140)에서 발광되는 광의 색이 달라, 백색의 광이 방출될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자에 포함된 상기 전하생성 발광층(140)은, 전하 생성 기능과 발광의 기능을 동시에 수행할 수 있다. 이로 인해, 복수의 유기 발광층들을 이용하여 적층형 백색 유기 발광 소자를 구현하는 것과 비교하여, 적은 수의 유기 발광층을 이용하여 보다 단순화된 구조를 갖는 백색 유기 발광 소자가 구현될 수 있다. 이에 따라, 백색 유기 발광 소자의 제조 공정이 간소화되어, 제조 단가가 감소된 백색 유기 발광 소자 및 그 제조 방법이 제공될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자에 포함된 상기 전자주입 지연층(150)에 의해 전자가 제어되지 않는 경우, 상기 유기 발광 소자는 발광되지 않을 수 있다. 이하, 도 2를 참조하여 이를 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자에 포함된 전자주입 지연층을 설명하기 위한 것이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따라, ITO 양의 전극 상에 NPB 정공 주입층, DPBVi/BPhen 하부 발광층, WO3층 상에 rubrene이 도핑된 NPB를 갖는 전하생성 발광층, Liq 전자주입 지연층, 및 Al 음의 전극을 차례로 형성한 유기 발광 소자의 밴드 갭(band gap) 에너지가 도시된다.
상기 Al 음극의 일 함수(work function)는 4.3eV이며, 상기 Liq 전자주입 지연층의 HOMO 레벨 및 LUMO 레벨은 각각 5.4eV 및 2.1eV이다. 만약, 상기 Liq 전자 주입 지연층이 생략되는 경우, 상기 Al 음극의 일 함수와 상기 전하생성 발광층의 상기 rubrene이 도핑된 NPB층이 접하게 되고, 상기 Al 음극의 일 함수와 상기 rubrene이 도핑된 NPB층의 LUMO 레벨의 차이가 너무 크게 된다. 이에 따라, 상기 Al 음극으로부터 주입되는 전자가 상기 rubrene이 도핑된 NPB층으로 이동되는 것이 용이하지 않는다. 이에 따라, 상기 전자주입 지연층이 생략된 유기 발광소자는 발광되지 않을 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 전류 특성을 설명하기 위한 그래프이고, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 발광 휘도 특성을 설명하기 위한 그래프이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 유리 기판 상에 ITO 양의 전극, NPB 정공 주입층, Alq3 하부 발광층, WO3층 상에 1 wt%의 rubrene이 도핑된 NPB를 갖는 전하생성 발광층, Liq 전자주입 지연층, 및 Al 음의 전극을 차례로 형성한 유기 발광 소자를 이용하여 전압에 따른 전류 밀도(current density) 및 발광 휘도를 측정하였다.
도 3 및 도 4에서 알 수 있듯이, 전압이 증가할수록, 전류 밀도가 증가하고, 휘도가 증가되는 것을 확인할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 발광 스펙트럼을 설명하기 위한 그래프이다.
도 5를 참조하면, 실시 예는 도 3 및 도 4를 참조하여 설명된 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 소자를 이용하여 파장에 따른 광의 강도를 측정한 것을 나타내고, 비교 예는 전자주입 지연층이 생략된 유기 발광 소자를 이용하여 파장에 따른 광의 강도를 측정한 것이다. 즉, 비교 예는, 유리 기판 상에 ITO 양의 전극, NPB 정공 주입층, Alq3 하부 발광층, WO3층 상에 1 wt%의 rubrene이 도핑된 NPB를 갖는 전하생성 발광층, 및 Al 음의 전극을 갖는 유기 발광 소자를 이용하여 측정한 것이다.
도 5에서 알 수 있듯이, 전자주입 지연층이 생략된 비교 예에 따른 유기 발광 소자는 발광되지 않고, 본 발명의 실시 예에 따라 전자주입 지연층을 포함하는 유기 발광 소자는 발광되는 것을 확인할 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
100: 기판
110; 제1 전극
120: 정공 주입층
130: 하부 발광층
140: 전하발생 발광층
141: 제1 물질막
142: 제2 물질막
150: 전자주입 지연층
160; 제2 전극

Claims (11)

  1. 기판 상의 제1 전극;
    상기 제1 전극 상의 하부 발광층;
    상기 하부 발광층 상에 배치되고, 발광 물질이 도핑된 전하 생성 물질로 형성되어 전하를 생성하는 동시에 발광하는 전하생성 발광층;
    상기 전하생성 발광층 상의 전자주입 지연층; 및
    상기 전자주입 지연층 상의 제2 전극을 포함하는 유기 발광 소자.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 전자주입 지연층의 두께는 20nm인 것을 포함하는 유기 발광 소자.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 하부 발광층과 상기 전하생성 발광층에서 발광되는 광의 색은 서로 다른 것을 포함하는 유기 발광 소자.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 전하생성 발광층은,
    상기 하부 발광층 상에 배치되고 전하 생성 물질로 형성된 제1 물질막; 및
    상기 제1 물질막 상에 배치되고, 상기 발광 물질이 도핑된 전하 생성 물질로 형성된 제2 물질막을 포함하는 유기 발광 소자.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막은 서로 다른 전하 생성 물질을 포함하는 유기 발광 소자.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 발광 물질은 Ir(ppy)3, Ir(ppy)2(acac), Ir(mppy)3, Eu(dbm)3(Phen), Rubrene, Ir(btp)2(acac), Ir(piq)3, FIr6, Ir(piq)2(acac), Ir(fliq)2, Os(fppz)2(PPhMe2)2, Hex-Ir(phq)2acac, Hex-Ir(phq)3, Ir(Mphq)3, Ir(phq)2tpy, Ir(fbi)2acac, Ir(ppy)2Pc, PQ2Ir(dpm), 또는 Piq2Ir(dpm) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 발광 소자.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 하부 발광층 사이의 정공 주입층을 더 포함하는 유기 발광 소자.
  8. 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 하부 발광층을 형성하는 단계;
    상기 하부 발광층 상에, 발광 물질이 도핑된 전하 생성 물질로 형성되어 전하를 생성하는 동시에 발광하는 전하생성 발광층을 형성하는 단계;
    상기 전하생성 발광층 상에 전자주입 지연층을 형성하는 단계; 및
    상기 전자주입 지연층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 전하생성 발광층을 형성하는 단계는,
    상기 하부 발광층 상에, 전하 생성 물질을 포함하는 제1 물질막을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 물질막 상에, 상기 발광 물질이 도핑된 전하 생성 물질로 형성된 제2 물질막을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 물질막 및 상기 제2 물질막은 서로 다른 전하 생성 물질을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 전자주입 지연층은 20nm의 두께로 형성되는 것을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
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