KR101550262B1 - Electric heaters for semiconductor processing equipment - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an electric heater for semiconductor processing equipment, which lowers crack and breakage rates according to a chamber fatigue ratio, and has increased durability. In the electric heater for tube-type processing equipment, a wire mesh is attached onto the inner surface of at least one insulation block zone applied with high load among insulation block zones whose one end is closed or both ends are opened. A plurality of insulation blocks having a stepped cross section are stacked on at least one among the insulation block zones, so an edge groove for embedding a heating line is formed on the inner surface thereof. Therefore, crack and breakage due to a rapid change in the temperature of a chamber are prevented, thereby extending durability of the heater.

Description

반도체 처리장치용 전기히터{Electric heaters for semiconductor processing equipment}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an electric heater for a semiconductor processing apparatus,

본 발명은 반도체 웨이퍼의 산화, 확산, CVD 등의 열처리를 행하는 장치에 유리하게 이용되는 전기 히터에 관한 것으로, 특히 반도체 웨이퍼의 배치(batch)식 열처리 장치용 전기 히터로서 금속 저항 발열체 및 비금속 저항 발열체를 이용하여 세라믹 챔버내의 고온 환경을 유지하고 온도를 낮추는 것을 반복함에 있어서의 챔버 피로율에 따른 보온단열재 크랙 및 파손율을 낮게하여 내구성을 증대시킨 반도체 처리장치용 전기히터에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electric heater that is advantageously used in an apparatus for performing heat treatment such as oxidation, diffusion, and CVD of a semiconductor wafer, and more particularly to an electric heater for a batch- To an electric heater for a semiconductor processing apparatus which increases the durability by reducing the cracking and breakage rate of the heat insulating material according to the chamber fatigue ratio in repeating the high temperature environment in the ceramic chamber and lowering the temperature.

종래, 반도체 웨이퍼의 배치(batch)식 열처리 장치용 전기 히터로서는, 금속 저항 발열체를 이용한 것(일본 특허 공개 제2001-267261호 공보 참조) 및 비금속 저항 발열체를 이용한 것(일본 특허 제3307924호 공보 참조)이 알려져 있다.Conventionally, as electric heaters for a batch type heat treatment apparatus for semiconductor wafers, those using a metal resistance heating body (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-267261) and those using a non-metal resistance heating body (see Japanese Patent No. 3307924 ) Is known.

일본 특허 공개 제2001-267261호 공보에 기재한 것에서는, 금속 소선(素線)으로서, 철ㆍ크롬ㆍ알루미늄계이며 선 직경이 1∼3 ㎜ 정도인 라이트ㆍ게이지로 불리는 칸탈(상품명)선이나 동종의 재료가 사용되고 있다. 또한, 선 직경이 7∼10 ㎜In Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 2001-267261, as a metal wire, a cantalum (trade name) wire called iron-chrome-aluminum wire with a wire diameter of about 1 to 3 mm Homogeneous materials are being used. Further, when the wire diameter is 7 to 10 mm

정도의 헤비ㆍ게이지로 불리는 칸탈선이나 동종의 재료를 이용한 히터도 사용되고 있다. 이들 임의의 칸탈선이나 동등물을 발열체로서 사용한 히터의 경우에는, 히터 내부 온도가 1,200℃~1,250℃일 때에 발열체 온도는 최고 1250∼1300℃에 이르는 경우가 있고, 발열체가 1250℃ 보다도 높은 온도로 되면 크리프가 발생하여 손상되기 쉬워지기 때문에, 이 발열체를 사용하는 열처리 장치의 설정 온도는 1250℃ 이하 정도로 한정되어 있다. And a heater using the same kind of material is also used. In the case of a heater in which any arbitrary derailment or equivalent is used as a heating element, the temperature of the heating element may reach up to 1250 to 1300 占 폚 when the internal temperature of the heater is 1,200 占 폚 to 1,250 占 폚. The creep is generated and is liable to be damaged. Therefore, the set temperature of the heat treatment apparatus using the heat generating element is limited to about 1250 占 폚 or less.

반도체 빠른 공정 진행을 위하여 히터 내 온도 급상승 및 온도 급하강을 위한 크리프 강도가 높은 발열체 및 강제 배기 시스템이 적용되고 있는 추세이다. In order to accelerate the semiconductor process, a heating element with a high creep strength and a forced exhaust system for rapidly raising the temperature in the heater and lowering the temperature are being applied.

이러한 공정 조건의 변화는 종형 히터 로의 상부에서도 극심한 열선 변형 및 단열블록 크랙을 유발하고 있다. 강제 배기 시 극심한 열충격이 발생되고 이는 종국에 상부 단열블록 파손 및 추락되는 현상을 야기하게 됩니다.Such changes in the process conditions cause severe thermal line deformation and thermal block cracking even at the top of the vertical heater. A severe thermal shock occurs during forced evacuation and eventually causes the upper insulation block to break down and fall down.

반도체 소자는 기판상에 사진, 식각, 확산, 화학기상증착, 이온주입 등의 공정을 선택적으로 반복 수행하여 만들어진다.Semiconductor devices are fabricated by selectively repeating processes such as photolithography, etching, diffusion, chemical vapor deposition, and ion implantation on a substrate.

상술한 공정 중 빈번히 수행되는 공정의 하나인 확산공정은 고온 분위기하에서 기판 내에 원하는 도전형의 불순물을 확산시키는 공정을 수행한다. 그리고 확산공정이 이루어지는 확산로는 대략 500-1250도 범위에서 기판 표면에 상에 증착(Deposition) 또는 산화(Oxide)막을 형성하는 공정 등을 수행하기 위하여 이용되고 있다.The diffusion process, which is one of the processes frequently performed in the above-described processes, is a process of diffusing impurities of a desired conductivity type in a substrate under a high-temperature atmosphere. The diffusion furnace for performing the diffusion process is used to perform a process of forming a deposition or an oxide film on the surface of the substrate in a range of approximately 500-1250 degrees.

한편 최근의 반도체 가공 기술에서는 잘 알려져 있는 바와 같이, 근래의 확산로 장비는 종래보다 공정처리 시간 단축을 위하여 공정 처리를 위한 조건상태(대략 500-1250도)로 가열하는데 걸리는 시간, 균일하게 유지하는 시간, 스텐바이 상태(대기상태)로 냉각하는데 걸리는 시간을 짧게 하고 있다. (온도상승속도 20~100/min, 온도하강속도 3~50/min)On the other hand, as is well known in recent semiconductor processing technology, in recent diffusion equipment, the time required for heating to a condition condition (about 500-1250 degrees) Time, and the time taken to cool down to the standby state (standby state) is shortened. (Temperature rising speed 20 to 100 / min, temperature lowering speed 3 to 50 / min)

이러한 열처리 공정을 위해 사용되는 일반적인 열처리장치는, 내부에 피처리판이 선적되는 공정튜브와, 상기 공정튜브의 외부에 배치되어 공정튜브에 열을 가하는 히터(또는 발열 저항체)와 상기 히터를 포위하여 배치되는 단열 블록 들을 구비한다.A typical heat treatment apparatus used for such a heat treatment process includes a process tube in which a substrate to be processed is shipped, a heater (or a heat generating resistor) disposed outside the process tube to apply heat to the process tube, Respectively.

이러한 열처리 장치의 단열 블록은 반도체 기판에 대한 처리 속도 및 성능을 향상시키기 위한, 공정 조건 및 반복적인 진행에 맞추어 공정 튜브 내의 온도를 500~1200까지 균일하게 가열시킬 수 있도록 단열성을 일정하게 유지할 수 있어야 하며, 또한 반복적으로 이뤄지는 열처리 공정에 있어 각 배치(Batch) 간의 열선 지지 및 단열 특성을 안정정적으로 유지할 필요가 있다.The heat insulating block of such a heat treatment apparatus must be able to maintain a constant heat insulation property so as to uniformly heat the temperature in the process tube to 500 to 1200 in accordance with process conditions and repetitive progress to improve processing speed and performance of the semiconductor substrate In addition, it is necessary to maintain the heat ray support and thermal insulation characteristics between each batch stably and stably in the repeated heat treatment process.

그러나 근래 빠른 공정 조건에 따른 단열 블록의 크랙 및 이로 인한 단열 블록의 파손 발생이 종국에는 히터 수명을 감소시키는 주요한 요인이 되고 있다.In recent years, however, cracks in the heat insulating block due to rapid process conditions and damage to the heat insulating block due to the cracks have been a major factor in reducing the heater life.

특허 등록 공보 10-0622969 반도체 처리 장치용 전기 히터Patent Registration 10-0622969 Electric heater for semiconductor processing apparatus

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 열처리 공정 등 반도체 제조에 사용되는 히터에 있어서, 챔버용 히터 내부에 위치되는 단열 블록 표면, 또는 내부에 와이어 메쉬를 매입 고정하여서 급격한 온도상승 및 하강에 따른 파손을 방지하고자 했다.It is an object of the present invention to provide a heater used for manufacturing a semiconductor, such as a heat treatment process, in which a wire mesh is embedded on a surface of a heat insulating block located inside a heater for a chamber, So as to prevent breakage due to rapid temperature rise and drop.

다른 실시예로써 챔버용 히터 내부에 위치하는 단열 블록을 여러 조각으로 분리함으로서 상기 확산 로 내부에서의 열 충격에 의한 단열 블록의 크랙 및 파손을 차단하는 챔버용 히터를 제공하는데 있다.Another aspect of the present invention is to provide a heater for a chamber that blocks cracks and breakage of the heat insulating block due to thermal impact inside the diffusion furnace by separating the heat insulating block located inside the heater for the chamber into several pieces.

한편 또다른 실시예로써 챔버용 히터의 뚜껑존을 방사상으로 분할하여 복수의 블록을 형성해서 된 것에 의해 달성된다.On the other hand, as another embodiment, the lid zone of the heater for the chamber is radially divided to form a plurality of blocks.

즉 본 발명이 목적은 단열블록의 표면 또는 내부에 와이어 메시를 부착하여 크랙의 방지를 하는 것과 되도록 균열 요소를 적게하기 위해 단열블록을 여러개의 조각으로 분할한 구조로 달성하도록 했다.That is, an object of the present invention is to achieve a structure in which a heat-insulating block is divided into several pieces in order to prevent cracking by attaching a wire mesh to the surface or inside of the heat-insulating block and to reduce the number of cracking elements.

또, 통상적으로 열충격에 의한 열선 변형과 단열블록 파손은 하부에서 크게 발생됩니다.In addition, heat deflection and thermal block damage caused by thermal shock are usually generated in the lower part.

따라서 본 발명은 상부 단열블록 개선 적용을 통하여 열충격에 따른 단열블록 파손 및 공정 진행 중 단열블록 추락 위험을 방지하는데 그 목적이 있습니다.Accordingly, the present invention aims at preventing the thermal block damage due to the thermal shock and the risk of the thermal block falling during the process through application of the upper heat block improvement.

본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기에 설명될 것이며, 본 발명의 실시 예에 의해 알게 될 것이다.
Other objects and advantages of the present invention will be described hereinafter and will be understood by the embodiments of the present invention.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 수단으로서, SUMMARY OF THE INVENTION The present invention, as a means for solving the above problems,

통형의 반도체 처리 장치용 전기 히터로서, 복수의 단열블록 존 중 고부하가 걸리는 하나 이상의 단열블록 존의 내측 표면에 와이어 메시를 부착설치한 것으로 달성된다.An electric heater for a cylindrical semiconductor processing apparatus, wherein a wire mesh is attached to an inner surface of at least one heat block zone to which a high load is applied among a plurality of heat block zones.

그리고, 복수의 단열블록 존을 갖는 통형의 반도체 처리 장치용 전기 히터로서, 일단이 막힌 단열블록 내측 표면에 와이어 메시를 부착설치한 것으로 달성된다.The electric heater for a cylindrical semiconductor processing apparatus having a plurality of heat block zones is achieved by attaching a wire mesh to the inner surface of the heat insulating block with one end closed.

한편 복수의 단열블록 존을 갖는 통형의 반도체 처리 장치용 전기 히터로서, 일단이 막힌 뚜껑 존 단열블록을 방사상으로 복수로 분할 형성해서 달성된다. On the other hand, an electric heater for a cylindrical semiconductor processing apparatus having a plurality of heat blocking block zones is achieved by dividing a lid block insulating block having one end into a plurality of radial shapes.

이는 열팽창 수축에 의한 균열을 예방할 수 있을 것이다.This will prevent cracking due to thermal expansion shrinkage.

복수의 단열블록 존 중 어느하나 이상의 존에는 계단형 단면을 갖는 복수의 단열 블록이 적층되어 그 내측 표면에 열선 매입용 테두리홈을 갖게 형성된 것으로 달성된다.A plurality of heat insulating blocks each having a stepped cross section are laminated on at least one of the plurality of heat insulating block zones, and the inner surface of the plurality of heat insulating blocks is provided with a groove for heat ray embedding.

상기 복수의 단열블록의 결합시 노출되는 안쪽면에 와이어 메시를 부착 설치한 것으로 달성되고, 와이어 메시는 개별 단열블록의 제작시 개별 표면에 부착형성 시켜서 달성된다.And a wire mesh is attached to the inner surface exposed when the plurality of heat insulating blocks are coupled, and the wire mesh is achieved by attaching the wire mesh to the individual surface at the time of manufacturing the individual heat insulating block.

와이어 메시는 개별 단열블록의 적층으로 완성된 통형의 반도체 처리 장치용 전기 히터 내표면의 요철면에 맞게 일체로 부착형성 시킨 것으로 달성된다.The wire mesh is achieved by integrally adhering the wire mesh in conformity with the uneven surface of the inner surface of the electric heater for the cylindrical semiconductor processing device completed by stacking the individual heat insulating blocks.

복수의 단열블록 존 중 어느하나의 단열블록 존의 성형 제작시 와이어 메시를 매입 성형해서 된 것으로 달성된다.A wire mesh is formed by embossing at the time of forming and molding any one of the plurality of heat insulating block zones.

적층되는 복수의 단열 블록의 성형 제작시 와이어 메시를 매입 성형해서 달성된다.This is achieved by embossing a wire mesh at the time of forming and molding a plurality of heat insulating blocks to be laminated.

복수의 단열블록 존 중 어느하나의 단열블록 존 또는 복수의 단열블록에 부착시키는 와이어 메시를 단열블록의 표면에 밀착시키고 세라믹 본딩재로 덧칠하여 부착시키는 것으로 달성된다. A wire mesh to be adhered to any one of the plurality of heat insulating block zones or a plurality of heat insulating blocks is adhered to the surface of the heat insulating block and is overlaid with a ceramic bonding material.

물론 몰드에 의해 와이어 메시를 밀착 내재 시킨후 몰드 성형하여 와이어 메시를 포함시킬 수도 있을 것이다.
Of course, the wire mesh may be included by being closely embedded in the mold by the mold, followed by molding.

이러한 본 발명은 본 출원이의 1/4 크기의 미니로를 제작하여 자체실험 하였다.In the present invention, the mini-furnace having a size of 1/4 of that of the present application is manufactured and tested by itself.

로의 상승온도 500 ℃에서 1,000 ℃,Lt; RTI ID = 0.0 > 1000 C, < / RTI &

온도 상승조건 30 ℃/분,Temperature rise condition 30 占 폚 / min,

온도 하강조건 20 ℃/분,Temperature lowering condition of 20 캜 / min,

상기한 조건으로 실험 결과,As a result of the experiment under the above conditions,

세라믹 블록으로만 된 원통형 로에서는 258회에 크랙이 가기 시작했고 뚜껑은 358회에 크랙이 가고, 각각 736회와 937회에 파손이 발생하였다.In a cylindrical furnace made of ceramic blocks, cracks started to crack at 258 times, and the lid cracked at 358 times, resulting in breakage at 736 times and 937 times, respectively.

그리고 세라믹 블록을 작게 여러조각으로 한 본 발명의 제 3실시예의 원통형 로에서는 882회에 크랙이 가기 시작했고 1000회에도 파손되지 아니했다.In the cylindrical furnace of the third embodiment of the present invention in which the ceramic block was made into a small number of pieces, cracks began to be formed at 882 times, and the ceramic block was not broken even 1000 times.

그리고 본 발명의 제1 내지 제3 실시예의 어떤 단열블록존 이나 뚜껑 블록에서도 1000회가 되어도 크랙조차가 가지 아니했다.In addition, even when the heat insulating block zone or the lid block of the first to third embodiments of the present invention reaches 1,000 times, no crack occurs.

이상과 같은 실험에서 알 수 있듯이 단열블록을 여러 조각으로 나누고 또한 로의 내측면에 와이어 메시를 부착하면 할 수록 온도의 급변에 따른 크랙 및 파손 성이 크게 개선됨을 알 수 있었다.As can be seen from the above experiment, cracking and breakage due to sudden temperature change were significantly improved as the insulation block was divided into several pieces and the wire mesh was attached to the inner side of the furnace.

도 1은 일단이 막힌 원통형로로써 단열블록 존으로 형성된 본 발명의 제1 실시예의 단면도.
도 2는 양단이 개구된 원통형로로써 단열블록 존으로 형성된 본발명의 제2실시예의 단면도.
도 3은 일단이 막힌 원통형로로써 복수 단열블록으로 형성된 본 발명의 제 3 실시예의 반단면 사시도.
도 4는 상부존을 보인 요부확대 평단면도.
도 5는 하부존을 보인 요부확대 평단면도.
도 6은 본 발명의 제 3실시예의 뚜껑존을 보인 요부확대 단면도.
도 7은 본 발명의 제 3실시예의 복수의 단열블록의 요부 확대 단면도.
도 8은 본 발명에서 뚜껑 존을 분할 형성한 저면 사시도. 1 is a sectional view of a first embodiment of the present invention formed with a heat insulating block zone with a closed-end cylindrical furnace;
2 is a cross-sectional view of a second embodiment of the present invention formed with a heat insulating block zone as a cylindrical furnace with open ends at both ends.
Fig. 3 is a half-sectional perspective view of a third embodiment of the present invention in which a plurality of heat insulating blocks are formed with a closed-end cylindrical shape.
4 is an enlarged plan view of the main part showing the upper zone.
5 is an enlarged plan view of the main part showing the lower zone.
6 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of a lid zone of a third embodiment of the present invention.
7 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of a plurality of heat insulating blocks in a third embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a bottom perspective view of a lid zone divided and formed in the present invention; FIG.

본 발명에 따른 반도체 처리 장치용 전기 히터는 복수의 존으로 이루어진 통형의 반도체 처리 장치용 전기 히터로서, 복수의 존 중에서 고부하가 걸리는 적어도 하나의 존의 단열블록 존 또는 단열블록의 균열로 인한 파손을 방지하기위해 와이어 메시를 부착 설치하는 것을 특징으로 한다.An electric heater for a semiconductor processing apparatus according to the present invention is an electric heater for a tubular semiconductor processing apparatus composed of a plurality of zones and is characterized in that breakage due to cracking of a heat insulating block zone or an insulating block of at least one zone, A wire mesh is attached and installed.

도 1은 일단이 막힌 원통형로로써 단열블록 존으로 형성된 본 발명의 제1 실시예의 단면도에서와 같이,1 is a cross-sectional view of a first embodiment of the present invention formed with a heat insulating block zone as a closed-end cylindrical furnace,

본 발명에 따른 전기 히터가 사용되고 있는 반도체 처리 장치의 일례인 종형 확산로를 도시하고 있고, 종형 확산로는 반도체 웨이퍼에 열처리를 행하기 위한 프로세스 튜브(1)와, 이 프로세스 튜브(1)의 외주에 설치된 전기 히터(2)와, 보온통(4)에 적재되면서 반도체 웨이퍼를 복수 매 탑재하는 보우트(3)와, 보온통(4)을 지지하고 상하 이동하여 처리시에는 프로세스 튜브(1) 하단의 보우트 삽입 구멍을 폐쇄하는 플랜지 캡(5)등으로 구성되어 있다.A vertical diffusion furnace is an example of a semiconductor processing apparatus in which an electric heater according to the present invention is used. The vertical diffusion furnace includes a process tube 1 for performing heat treatment on a semiconductor wafer, A booth 3 for mounting a plurality of semiconductor wafers while being mounted on the heat insulating container 4 and a booth 3 for supporting the heat insulating container 4 and moving up and down to carry out processing, A flange cap 5 for closing the insertion hole, and the like.

전기 히터(2)는 엔드 존으로서의 원통형이 반으로 분할된 2개가 결합하여 원통을 이루게 한 하부 존(2a)으로 이루어지고, 역시 원통형이 반으로 분할된 2개가 결합하여 원통을 이루게 한 상부 존(2b)으로 구획되어 있고, 상기 조립된 원통형 히터(2)의 개구를 막는 하나의 뚜껑 존(2c)으로 이루어진다.The electric heater 2 is composed of a lower zone 2a in which two cylindrical halves as an end zone are joined to form a cylinder, and an upper zone 2a in which two halves of the cylinder are half- 2b, and one lid zone 2c for blocking the opening of the assembled cylindrical heater 2. The lid zone 2c is formed of a lid 2c.

이때 뚜껑존(2c)의 로 내측에 와이어 메시(10A)를 부착해서 고온과 냉각을 비교적 빠르게 주기적으로 온도 변화를 이루는 로내의 환경에서 단열 블록이 크랙 및 파손되는 것을 방지하도록 했다.At this time, by attaching the wire mesh 10A to the inside of the lid zone 2c, the heat insulating block is prevented from being cracked and broken in a furnace environment in which the temperature and the cooling are relatively rapidly and periodically changed.

한편, 도 2는 도 1과 같으나 뚜껑 존이 없는 즉 양측단이 개구된 형태의 본 발명의 제 2 실시예의 로로써 이때에는 원통형로의 어느하나의 단열블록 존(2a 또는 2b) 또는 전체의 단열블록존(2a, 2b)내측에 와이어 메시(10B, 10C)를 부착해서 고온과 냉각을 비교적 빠르게 주기적으로 온도 변화를 이루는 로내의 환경에서 단열 블록이 크랙 및 파손되는 것을 방지하도록 했다.FIG. 2 is a view of the second embodiment of the present invention, which is the same as FIG. 1 but without a lid zone, that is, both side openings. In this case, any one of the heat block zones 2a and 2b, The wire meshes 10B and 10C are attached to the inside of the block zones 2a and 2b to prevent the heat insulating block from being cracked and broken in a furnace environment in which the temperature and the cooling are relatively rapidly and periodically changed.

한편, 도 3은 일단이 막힌 원통형로로써 복수 단열블록으로 형성된 본 발명의 제 3 실시예의 반단면 사시도로써, 급격한 온도 변화에 따른 크랙 및 파손을 되도록 작은 다수의 단열 블록(2e)으로 분할하여 이를 방지하도록 한 것과, 그럼에도 불구하고 복수의 단열 블록(2e) 개개의 내측면에 와이어 메시(10E)를 부착 하여 급격한 온도 변화에 따른 크랙을 예방하도록 했다.3 is a half cross-sectional perspective view of a third embodiment of the present invention in which a plurality of heat insulating blocks are formed in a closed-end cylindrical shape. The heat insulating block 2e is divided into a plurality of small heat insulating blocks 2e The wire mesh 10E is attached to the inner surfaces of the plurality of heat insulating blocks 2e to prevent cracks due to rapid temperature changes.

이때 도 6은 본 발명의 제 3실시예에서 뚜껑 블록(2f)에 와이어 메시(10F)를 부착 형성한 실시예를 보인 것이고, 이때 제3실시 예의 원통형 몸체의 내측 표면에는 일체의 그 내측 표면에 맞는 와이어 메시(10G)를 부착형성해서 될 수도 있다.6 shows an embodiment in which the wire mesh 10F is attached to the lid block 2f in the third embodiment of the present invention in which the inner surface of the cylindrical body of the third embodiment is integrally formed with its inner surface Or may be formed by attaching a wire mesh 10G fitted thereto.

도 7은 단열블록 자체를 복수의 작은 크기로 나누어 조립형성케 한 것과 더불어 각 각 그 내측면으로 Z 자형 와이어 메시(10E)를 부착 형성한 것을 보인 도면이다.Fig. 7 is a view showing that the heat insulating block itself is divided into a plurality of small sizes, and the Z-shaped wire mesh 10E is attached to the inside surfaces of the insulating block itself.

도면중 미설명 부호 H는 열선이다.In the drawings, the reference numerals H are heat lines.

이러한 적층 단열블록(2e)의 결합으로 형성되는 테두리홈(A) 내부에 열선을 내장하여 설치를 간단하게 했으며, 특히 그 내측면에 상기에서 설명한 바와 같이 그 단면이 Z 자형 와이어 메시(10E)를 덧대어 부착형성한 구성으로 완성된다.As a result, the Z-shaped wire mesh 10E is formed on the inner surface of the edge groove A by inserting a hot wire inside the edge groove A formed by the combination of the laminated heat insulating blocks 2e. And is completed with a padding-attached structure.

상기 도면 제 6도의 제3 실시 예에서 알 수 있듯이 호형의 계단형 단면을 갖는 단열 블록이 적층되어 쌓이면서 로의 내측면에 요홈이 둘레 방향으로 형성되는 테두리홈(A)이 형성되고 그러한 내측 표면의 요철에 맞는 와이어 메시(10G)를 부착형성할 수 있다.As can be seen from the third embodiment of FIG. 6, the edge grooves A are formed on the inner surface of the furnace in the circumferential direction while the heat insulating blocks having arc-shaped step-like sections are stacked and piled, The wire mesh 10G can be attached and formed.

이때 그 단면이 Z 자형 와이어 메시(10E)는 복수의 단열 블록(2e) 개개의 제작시 내부에 매입 성형할 수도 있을 것이다.At this time, the Z-shaped wire mesh 10E may be embossed in the inside of each of the plurality of heat insulating blocks 2e.

그러면 온도 팽창 축소에 따른 열 파손은 물론 단열블록의 자체 강도도 물성도 탁월해 질 것이다.Then, the thermal strength of the heat insulating block as well as the heat damage due to the expansion and contraction of the temperature will be excellent.

한편 본원발명에서 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예로써 뚜껑 존을 분할 형성한 저면 사시도로써, 챔버용 히터의 뚜껑존을 방사상으로 분할하여 복수의 블록을 형성시켜 놓음으로써, 온도팽창에 및 수축에 따른 파손을 하나의 판체로 할때 보다 효과적일 것이다.FIG. 8 is a bottom perspective view of a lid zone formed by dividing a lid zone of a chamber heater according to another embodiment of the present invention, in which a lid zone of a chamber heater is radially divided to form a plurality of blocks, It would be more effective to make the damage according to the one case.

한편 본 발명에서 와이어 메시는 세라믹 실을 직조형으로 형성한 것을 말하며, 이것을 내 표면에 밀착하여 세라믹 본딩재로 덧칠 경화시켜서 부착 고정할 수도 있고,In the present invention, the wire mesh means a ceramic thread formed in a weaving shape. The wire mesh may be adhered to the inner surface of the ceramic mesh, adhered and fixed with a ceramic bonding material,

몰드를 형성하여 와이어 메시를 표면에 밀착하고 세라믹본드를 주입 성형하여서 구성시킬 수도 있다.
A mold is formed, the wire mesh is brought into close contact with the surface, and a ceramic bond is injection-molded.

상기에서는 실시예에 한정하여 설명했으나 어떤 형태의 로던 간에 고온을 집중적으로 받는 로의 부분이나 전체에 설계적 사항에 따라 설치 할 수 있을 것으로 이는 본 발명의 기술적 범주에 속한다 할 것이다.
Although the present invention has been described in detail in the foregoing, it will be understood that the present invention can be applied to any part or whole of the furnace which receives high temperature intensively in any type of furnace according to design specifications.

2: 전기히터 2a: 하부 존
2b: 상부 존 2c: 뚜껑 존
2e: 단열 블록 10A, 10B, 10C, 10E, 10G: 와이어 메시2: Electric heater 2a: Lower zone
2b: upper zone 2c: lid zone
2e: Insulation block 10A, 10B, 10C, 10E, 10G: Wire mesh

Claims (10)

복수의 단열블록 존을 갖는 통형의 반도체 처리 장치용 전기 히터로서, 상기 복수의 단열블록 존 중 어느 하나 이상의 단열블록 존의 내면에 단열블록의 파손을 방지하기 위해 세라믹 실을 직조형으로 형성한 와이어 메시가 매입되게 부착 설치된 것을 특징으로 한 반도체 처리장치용 전기히터.1. An electric heater for a cylindrical semiconductor processing apparatus having a plurality of heat block zones, comprising: a wire having a ceramic chamber formed in a warp shape to prevent breakage of the heat insulating block on the inner surface of any one of the plurality of heat block zones; Wherein the mesh is attached so as to be buried. 복수의 단열블록 존을 갖는 통형으로써 일단이 막힌 뚜껑 존을 갖는 반도체 처리 장치용 전기 히터로서, 상기 복수의 단열블록 존 중 어느 하나 이상의 단열블록 존의 내면에 단열블록의 파손을 방지하기 위해 세라믹 실을 직조형으로 형성한 와이어 메시가 매입되게 부착 설치된 것을 특징으로 한 반도체 처리장치용 전기히터.An electric heater for a semiconductor processing apparatus having a lid zone closed at one end by a cylinder having a plurality of heat block zones, characterized in that at least one of the plurality of heat block zones is provided with a ceramic chamber Wherein a wire mesh formed in a weave shape is embedded and installed. 복수의 단열블록 존을 갖는 통형으로써, 일단이 막힌 뚜껑 존을 갖는 반도체 처리 장치용 전기 히터로서, 상기 뚜껑 존의 단열블록 파손을 방지하기 위하여 복수로 분할 형성하되, 상기 뚜껑 존의 저면에 단열블록의 파손을 방지하기 위해 세라믹 실을 직조형으로 형성한 와이어 메시가 매입되게 부착 설치된 것을 특징으로 한 반도체 처리장치용 전기히터.An electric heater for a semiconductor processing apparatus having a lid zone with one end clogged in a cylindrical shape having a plurality of heat block zones, characterized in that a plurality of the electric heaters are formed in the lid zone so as to prevent breakage of the heat block, Characterized in that a wire mesh formed by weaving a ceramic yarn is embedded and installed so as to prevent breakage of the wire mesh. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 복수의 단열블록 존 중 어느하나 이상의 존에는 계단형 단면을 갖는 복수의 단열블럭이 적층되어 그 내측 표면에 열선 매입용 테두리홈(A)이 형성된 것을 특징으로 한 반도체 처리장치용 전기히터.The heat sink according to any one of claims 1 to 3, wherein at least one of the plurality of heat block zones has a plurality of heat insulating blocks each having a stepped cross section, And an electric heater for a semiconductor processing apparatus. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 복수의 단열블록 존 중 어느하나의 단열블럭 존 또는 복수의 단열블럭 존에 매입 부착시키는 와이어 메시는 단열블록 존의 표면에 밀착시키고 세라믹 본딩재로 덧칠하여 매입 부착시키는 것을 특징으로 한 반도체 처리장치용 전기히터.
The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the wire mesh embedded in and adhered to any one of the plurality of adiabatic block zones or the plurality of adiabatic block zones is brought into close contact with the surface of the adiabatic block zone, So that the electric heater is embedded.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR200199281Y1 (en) * 2000-04-01 2000-10-02 한아름주식회사 Anti separate structure of electric heat coil
JP2002270529A (en) * 2001-03-06 2002-09-20 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate treating apparatus

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