KR102599646B1 - Apparatus for semiconductor process and heating device for it - Google Patents

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Abstract

제1 온도로 가열되는 제1 가열부; 및 제2 온도로 가열되는 제2 가열부; 를 포함하되, 상기 제1 가열부는: 제1-1 코일; 상기 제1-1 코일로부터 제1 방향으로 이격되는 제1-2 코일; 및 상기 제1-2 코일로부터 상기 제1 방향으로 이격되는 제1-3 코일; 을 포함하고, 상기 제2 가열부는: 상기 제1-2 코일 및 상기 제1-3 코일 사이에 위치하는 제2-1 코일; 상기 제1-3 코일로부터 상기 제1 방향으로 이격되는 제2-2 코일; 및 상기 제2-2 코일로부터 상기 제1 방향으로 이격되는 제2-3 코일; 을 포함하며, 상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 높은 반도체 공정 설비 가열장치가 제공된다.a first heating unit heated to a first temperature; and a second heating unit heated to a second temperature; , wherein the first heating unit includes: a 1-1 coil; a 1-2 coil spaced apart from the 1-1 coil in a first direction; and a 1-3 coil spaced apart from the 1-2 coil in the first direction; , wherein the second heating unit includes: a 2-1 coil positioned between the 1-2 coil and the 1-3 coil; a 2-2 coil spaced apart from the 1-3 coil in the first direction; and a 2-3 coil spaced apart from the 2-2 coil in the first direction; A semiconductor processing equipment heating device is provided, wherein the second temperature is higher than the first temperature.

Description

반도체 공정 설비 및 반도체 공정 설비 가열장치{Apparatus for semiconductor process and heating device for it}Semiconductor process equipment and semiconductor process equipment heating device {Apparatus for semiconductor process and heating device for it}

본 발명은 반도체 공정 설비 가열장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 정밀한 온도 제어가 가능한 반도체 공정 설비 가열장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor processing equipment heating device, and more specifically, to a semiconductor processing facility heating device capable of precise temperature control.

전자산업이 발전함에 따라, 다양한 반도체에 대한 수요가 증가하고 있다. 반도체는 웨이퍼를 증착(deposition) 공정 등을 통해 제조될 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼가 저압 화학 기상 증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD) 공정을 통해 처리될 수 있다.As the electronics industry develops, demand for various semiconductors is increasing. Semiconductors can be manufactured through a wafer deposition process. For example, wafers may be processed through a Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) process.

이러한 증착 공정 등의 반도체 공정은 종형로(vertical furnace)를 사용하여 수행될 수 있다. 종형의 반도체 처리 장치에 복수 개의 웨이퍼들이 상하로 적층될 수 있다. 증착 공정 등은 복수 개의 웨이퍼들에게 동시에 수행될 수 있다. 증착 공정 등은 기체 등에 의해 수행될 수 있다. 종형로 내에 공급되는 기체의 종류는 복수 개일 수 있다. 복수 개의 종류의 기체들이 반응을 통해 증착 공정을 수행할 수 있다. 종형로의 온도가 기체들의 반응도 등에 영향을 미칠 수 있다. 따라서 종형로의 온도를 관리하기 위하여 다양한 가열장치에 대한 연구가 수행되고 있다.Semiconductor processes, such as these deposition processes, can be performed using a vertical furnace. A plurality of wafers may be stacked vertically in a vertical semiconductor processing device. A deposition process, etc. can be performed simultaneously on a plurality of wafers. The deposition process, etc. may be performed by gas or the like. There may be multiple types of gas supplied into the vertical furnace. A deposition process can be performed through the reaction of multiple types of gases. The temperature of the bell furnace can affect the reactivity of the gases. Therefore, research is being conducted on various heating devices to manage the temperature of the bell furnace.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 정밀한 온도 제어가 가능한 반도체 공정 설비 가열장치를 제공하는데 있다.The problem to be solved by the present invention is to provide a semiconductor processing equipment heating device capable of precise temperature control.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 웨이퍼의 두께 산포가 일정한 반도체 공정 설비 가열장치를 제공하는데 있다.The problem to be solved by the present invention is to provide a semiconductor processing equipment heating device with constant wafer thickness distribution.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 제조 과정이 용이한 반도체 공정 설비 가열장치를 제공하는데 있다.The problem to be solved by the present invention is to provide a semiconductor processing equipment heating device that is easy to manufacture.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 공정 설비 가열장치는 제1 온도로 가열되는 제1 가열부; 및 제2 온도로 가열되는 제2 가열부; 를 포함하되, 상기 제1 가열부는: 제1-1 코일; 상기 제1-1 코일로부터 제1 방향으로 이격되는 제1-2 코일; 및 상기 제1-2 코일로부터 상기 제1 방향으로 이격되는 제1-3 코일; 을 포함하고, 상기 제2 가열부는: 상기 제1-2 코일 및 상기 제1-3 코일 사이에 위치하는 제2-1 코일; 상기 제1-3 코일로부터 상기 제1 방향으로 이격되는 제2-2 코일; 및 상기 제2-2 코일로부터 상기 제1 방향으로 이격되는 제2-3 코일; 을 포함하며, 상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 높을 수 있다.In order to achieve the above problem, a semiconductor processing equipment heating device according to an embodiment of the present invention includes a first heating unit heated to a first temperature; and a second heating unit heated to a second temperature; , wherein the first heating unit includes: a 1-1 coil; a 1-2 coil spaced apart from the 1-1 coil in a first direction; and a 1-3 coil spaced apart from the 1-2 coil in the first direction; , wherein the second heating unit includes: a 2-1 coil located between the 1-2 coil and the 1-3 coil; a 2-2 coil spaced apart from the 1-3 coil in the first direction; and a 2-3 coil spaced apart from the 2-2 coil in the first direction; It includes, and the second temperature may be higher than the first temperature.

상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 공정 설비 제1 온도로 가열되는 제1 가열부; 및 제2 온도로 가열되는 제2 가열부; 를 포함하되, 상기 제1 가열부는 제1 방향으로 나열된 코일들을 포함하고, 상기 제2 가열부는 상기 제1 방향으로 나열된 코일들을 포함하며, 상기 제1 가열부의 코일들 중 일부는 상기 제2 가열부의 코일들 중 일부와 상기 제1 방향으로 교차 나열될 수 있다.In order to achieve the problem to be solved, a semiconductor processing equipment according to an embodiment of the present invention includes: a first heating unit heated to a first temperature; and a second heating unit heated to a second temperature; Including, wherein the first heating unit includes coils arranged in a first direction, the second heating unit includes coils arranged in the first direction, and some of the coils of the first heating unit include the coils of the second heating unit. Some of the coils may be cross-aligned in the first direction.

상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 공정 설비는 반도체 공정이 수행되는 공정부의 일부를 둘러싸는 제1 가열부가 위치하는 제1 구간; 및 상기 공정부의 일부를 둘러싸는 제2 가열부가 위치하는 제2 구간; 을 포함하되, 상기 제1 가열부는 제1 온도로 가열되며, 상기 제2 가열부는 제2 온도로 가열되고, 상기 제1 구간의 적어도 일부분은 상기 제2 구간의 적어도 일부분과 상기 공정부의 연장 방향으로 중첩되며, 상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 높을 수 있다.In order to achieve the problem to be solved, a semiconductor processing facility according to an embodiment of the present invention includes a first section where a first heating unit is located surrounding a portion of the process section where a semiconductor process is performed; and a second section where a second heating unit surrounding a portion of the process unit is located; Including, wherein the first heating unit is heated to a first temperature, the second heating unit is heated to a second temperature, and at least a portion of the first section is aligned with at least a portion of the second section in an extending direction of the process section. They overlap, and the second temperature may be higher than the first temperature.

기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 반도체 공정 설비 가열장치에 따르면, 정밀한 온도 제어가 가능할 수 있다.According to the semiconductor processing equipment heating device of the present invention, precise temperature control may be possible.

본 발명의 반도체 공정 설비 가열장치에 따르면, 웨이퍼의 두께 산포가 일정할 수 있다.According to the semiconductor processing equipment heating device of the present invention, the thickness distribution of the wafer can be constant.

본 발명의 반도체 공정 설비 가열장치에 따르면, 제조 과정이 용이할 수 있다.According to the semiconductor processing equipment heating device of the present invention, the manufacturing process can be easy.

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 반도체 공정 설비를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 A부분을 확대한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 반도체 공정 설비의 일부를 나타낸 부분 절단 사시도이다.
도 4는 본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 반도체 공정 설비 가열장치의 일부를 나타낸 측면도이다.
도 5는 본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 반도체 공정 설비 가열장치의 일부를 나타낸 측면도이다.1 is a cross-sectional view showing semiconductor processing equipment according to exemplary embodiments of the present invention.
Figure 2 is an enlarged cross-sectional view of portion A of Figure 1.
3 is a partially cut away perspective view showing a portion of semiconductor processing equipment according to exemplary embodiments of the present invention.
Figure 4 is a side view showing a portion of a semiconductor processing equipment heating device according to exemplary embodiments of the present invention.
Figure 5 is a side view showing a portion of a semiconductor processing equipment heating device according to exemplary embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 대하여 설명한다. 명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the attached drawings. The same reference signs may refer to the same elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 반도체 공정 설비를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing semiconductor processing equipment according to exemplary embodiments of the present invention.

이하에서, 도 1의 위쪽 방향을 제1 방향(D1), 오른쪽 방향을 제2 방향(D2), 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에 실질적으로 수직하고 후방을 향하는 방향을 제3 방향(D3)이라 칭할 수 있다.Hereinafter, the upward direction of FIG. 1 is referred to as the first direction D1, the right direction is referred to as the second direction D2, and the direction substantially perpendicular to the first direction D1 and the second direction D2 and facing backward is referred to as the first direction D1. It can be referred to as three directions (D3).

도 1을 참고하면, 반도체 공정 설비(B)가 제공될 수 있다. 반도체 공정 설비(B)는 하우징(3), 공정부(5), 수용부(7), 가열장치(1) 및 제어부(C)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, semiconductor processing equipment (B) may be provided. The semiconductor processing equipment (B) may include a housing (3), a process unit (5), a receiving unit (7), a heating device (1), and a control unit (C).

하우징(3)은 반도체 공정 설비(B)의 외관을 형성할 수 있다. 하우징(3)은 공정부(5), 수용부(7) 및 가열장치(1)를 둘러쌀 수 있다. 하우징(3)은 공정부(5), 수용부(7) 및 가열장치(1)를 외부로부터 격리시킬 수 있다. 실시 예들에서, 하우징(3)은 단열 물질을 포함할 수 있다.The housing 3 can form the exterior of the semiconductor processing equipment (B). The housing 3 may surround the process unit 5, the receiving unit 7, and the heating device 1. The housing 3 can isolate the process unit 5, the receiving unit 7, and the heating device 1 from the outside. In embodiments, housing 3 may include an insulating material.

공정부(5)는 수용부(7)를 둘러쌀 수 있다. 공정부(5)는 튜브 형상일 수 있다. 공정부(5)는 수용부(7)를 외부로부터 격리시킬 수 있다. 공정부(5)의 내부에 기체가 공급되어 반도체 공정이 진행될 수 있다. 반도체 공정은 증착 공정 등을 포함할 수 있다. 증착 공정은 저압 화학 기상 증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD) 공정 등을 포함할 수 있다. 실시 예들에서, 공정부(5)는 석영(quartz)을 포함할 수 있다. 공정부(5)는 유입부(51) 및 유출부(53)를 포함할 수 있다. 유입부(51)는 공정부(5)의 내부 공간과 외부를 연통시킬 수 있다. 유입부(51)는 관 형상일 수 있다. 유입부(51)를 통해 기체가 공정부(5)의 내부로 유입될 수 있다. 실시 예들에서, 유입부(51)는 공정부(5)의 하단에 위치할 수 있다. 유입부(51)를 통해 유입되는 기체의 종류는 복수 개일 수 있다. 유출부(53)는 공정부(5)의 내부 공간과 외부를 연통시킬 수 있다. 유출부(53)는 관 형상일 수 있다. 유출부(53)를 통해 기체가 공정부(5)의 외부로 유출될 수 있다.The process unit 5 may surround the receiving unit 7. The process unit 5 may have a tube shape. The process unit 5 can isolate the receiving unit 7 from the outside. Gas is supplied to the inside of the process unit 5 so that the semiconductor process can proceed. Semiconductor processes may include deposition processes, etc. The deposition process may include a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) process, etc. In embodiments, the process unit 5 may include quartz. The process unit 5 may include an inlet 51 and an outlet 53. The inlet 51 may communicate with the interior space of the process unit 5 and the outside. The inlet 51 may be tubular. Gas may flow into the inside of the process unit 5 through the inlet 51. In embodiments, the inlet 51 may be located at the bottom of the process unit 5. There may be multiple types of gas flowing through the inlet 51. The outlet 53 may communicate with the interior space of the process unit 5 and the outside. The outlet 53 may have a tubular shape. Gas may flow out of the process unit 5 through the outlet 53.

수용부(7)는 공정부(5)의 내부 공간에 위치할 수 있다. 수용부(7)는 반도체 웨이퍼(W)가 안착되는 수용턱(71)을 포함할 수 있다. 수용턱(71)은 반도체 웨이퍼(W)를 수용할 수 있다. 반도체 웨이퍼(W)는 증착 공정 등이 필요한 반도체 웨이퍼(W)를 포함할 수 있다. 수용턱(71)은 복수 개가 제공될 수 있다. 따라서 반도체 웨이퍼(W)는 복수 개가 수용될 수 있다. 수용턱들(71)은 서로 제1 방향(D1)으로 이격될 수 있다. 따라서 반도체 웨이퍼들(W)은 서로 제1 방향(D1)으로 이격될 수 있다. 수용부(7)는 지지부(73)에 의해 지지될 수 있다.The receiving part 7 may be located in the internal space of the processing part 5. The receiving portion 7 may include a receiving jaw 71 on which the semiconductor wafer W is seated. The receiving jaw 71 can accommodate a semiconductor wafer (W). The semiconductor wafer W may include a semiconductor wafer W that requires a deposition process, etc. A plurality of receiving jaws 71 may be provided. Therefore, a plurality of semiconductor wafers W can be accommodated. The receiving jaws 71 may be spaced apart from each other in the first direction D1. Accordingly, the semiconductor wafers W may be spaced apart from each other in the first direction D1. The receiving portion 7 may be supported by the supporting portion 73.

가열장치(1)는 하우징(3)과 공정부(5) 사이에 위치할 수 있다. 가열장치(1)는 공정부(5)를 둘러쌀 수 있다. 가열장치(1)는 공정부(5)를 가열할 수 있다. 보다 구체적으로, 가열장치(1)의 온도가 상승하여, 공정부(5)로 열이 전달될 수 있다. 가열장치(1)의 가열에 의해, 공정부(5)의 내부 공간에 있는 구성들의 온도는 상승될 수 있다. 실시 예들에서, 가열장치(1)는 열 복사(radiation)에 의해 공정부(5)를 가열할 수 있다. 가열장치(1)는 제1 예비 가열부(17), 제1 가열부(11), 제2 가열부(13), 제3 가열부(15) 및 제2 예비 가열부(19)를 포함할 수 있다.The heating device 1 may be located between the housing 3 and the process unit 5. The heating device 1 may surround the process unit 5. The heating device 1 can heat the process unit 5. More specifically, the temperature of the heating device 1 may increase and heat may be transferred to the process unit 5. By heating by the heating device 1, the temperature of the components in the internal space of the process unit 5 can be increased. In embodiments, the heating device 1 may heat the process unit 5 by thermal radiation. The heating device 1 may include a first preheating unit 17, a first heating unit 11, a second heating unit 13, a third heating unit 15, and a second preheating unit 19. You can.

제1 예비 가열부(17)는 제1 예비 온도로 가열될 수 있다. 실시 예들에서, 제1 예비 온도는 대략 섭씨 720도일 수 있다. 제1 예비 가열부(17)는 제어부(C)의 제어에 의하여 가열될 수 있다. 제1 예비 가열부(17)는 하우징(3)의 내부 공간 중, 하부에 위치할 수 있다. 제1 예비 가열부(17)는 지지부(73) 부근에 위치할 수 있다. 제1 예비 가열부(17)는 지지부(73) 부근을 가열할 수 있다. 제1 예비 가열부(17)는 코일을 포함할 수 있다. 코일은 금속 등을 포함할 수 있다. 코일은 복수 개가 제공될 수 있다. 실시 예들에서, 제1 예비 가열부(17)의 코일은 4개가 제공될 수 있다. 복수 개의 코일들은 제1 방향(D1)으로 배열될 수 있다. 복수 개의 코일들에 전류가 흘러, 코일들이 가열될 수 있다. 보다 구체적으로, 코일들의 저항에 의해 줄열(joule heat)이 발생하여 코일들의 온도가 상승될 수 있다. 제1 예비 가열부(17)가 배치되는 영역은 제1 예비구간(P1)이라 칭할 수 있다. 제1 예비구간(P1)은 하우징(3)의 바닥에서부터 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 제1 예비 가열부(17)에 의해 가열된 제1 예비구간(P1)의 온도는 제1 예비 온도와 유사할 수 있다.The first preliminary heating unit 17 may be heated to a first preliminary temperature. In embodiments, the first preliminary temperature may be approximately 720 degrees Celsius. The first preliminary heating unit 17 may be heated under the control of the control unit C. The first preliminary heating unit 17 may be located in the lower part of the internal space of the housing 3. The first preliminary heating unit 17 may be located near the support unit 73. The first preliminary heating unit 17 may heat the vicinity of the support unit 73. The first preliminary heating unit 17 may include a coil. The coil may contain metal, etc. A plurality of coils may be provided. In embodiments, four coils of the first preliminary heating unit 17 may be provided. A plurality of coils may be arranged in the first direction D1. An electric current may flow through a plurality of coils, thereby heating the coils. More specifically, Joule heat may be generated due to the resistance of the coils, thereby increasing the temperature of the coils. The area where the first preliminary heating unit 17 is disposed may be referred to as the first preliminary section P1. The first spare section P1 may extend from the bottom of the housing 3 in the first direction D1. The temperature of the first preliminary section P1 heated by the first preliminary heating unit 17 may be similar to the first preliminary temperature.

제1 가열부(11)는 제1 온도로 가열될 수 있다. 제1 온도는 제1 예비 온도보다 높을 수 있다. 실시 예들에서, 제1 온도는 대략 섭씨 730도일 수 있다. 제1 가열부(11)는 제어부(C)의 제어에 의하여 가열될 수 있다. 제1 가열부(11)는 하우징(3)의 내부 공간 중, 하부에서 제1 방향(D1)으로 이격된 부분에 위치할 수 있다. 제1 가열부(11)는 수용부(7)의 하부를 가열할 수 있다. 제1 가열부(11)는 코일을 포함할 수 있다. 코일은 복수 개가 제공될 수 있다. 실시 예들에서, 제1 가열부(11)의 코일은 8개가 제공될 수 있다. 복수 개의 코일들은 제1 방향(D1)으로 배열될 수 있다. 제1 가열부(11)가 배치되는 영역은 제1 구간(S1)이라 칭할 수 있다. 제1 구간(S1)은 하우징(3)의 바닥에서 제1 방향(D1)으로 일정 거리 이격된 곳에서부터, 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 제1 가열부(11)에 의해 가열된 제1 구간(S1)의 온도는 제1 온도와 유사할 수 있다. 제1 구간(S1)의 일부는 제1 예비구간(P1)과 중첩될 수 있다. 제1 구간(S1)의 하부는 제1 예비구간(P1)의 상부와 제1 방향(D1)으로 중첩될 수 있다. 즉, 제1 구간(S1)의 하단은 제1 예비구간(P1)의 상단보다 더 밑에 위치할 수 있다. 제1 구간(S1)과 제1 예비구간(P1)이 중첩되는 구간의 온도는 제1 예비 온도보다 높고, 제1 온도보다 낮을 수 있다.The first heating unit 11 may be heated to a first temperature. The first temperature may be higher than the first preliminary temperature. In embodiments, the first temperature may be approximately 730 degrees Celsius. The first heating unit 11 may be heated under the control of the control unit (C). The first heating unit 11 may be located in a portion of the inner space of the housing 3 spaced apart from the lower portion in the first direction D1. The first heating unit 11 may heat the lower portion of the receiving unit 7. The first heating unit 11 may include a coil. A plurality of coils may be provided. In embodiments, eight coils of the first heating unit 11 may be provided. A plurality of coils may be arranged in the first direction D1. The area where the first heating unit 11 is disposed may be referred to as the first section S1. The first section S1 may extend in the first direction D1 from a predetermined distance from the bottom of the housing 3 in the first direction D1. The temperature of the first section S1 heated by the first heating unit 11 may be similar to the first temperature. A portion of the first section S1 may overlap with the first preliminary section P1. The lower part of the first section S1 may overlap the upper part of the first preliminary section P1 in the first direction D1. That is, the bottom of the first section (S1) may be located lower than the top of the first preliminary section (P1). The temperature of the section where the first section S1 and the first preliminary section P1 overlap may be higher than the first preliminary temperature and lower than the first temperature.

제2 가열부(13)는 제2 온도로 가열될 수 있다. 제2 온도는 제1 온도보다 높을 수 있다. 실시 예들에서, 제2 온도는 대략 섭씨 740도일 수 있다. 제2 가열부(13)는 제어부(C)의 제어에 의하여 가열될 수 있다. 제2 가열부(13)는 하우징(3)의 내부 공간 중, 하부에서 제1 방향(D1)으로 이격된 부분에 위치할 수 있다. 제2 가열부(13)는 수용부(7)의 중간 부분을 가열할 수 있다. 제2 가열부(13)는 코일을 포함할 수 있다. 코일은 복수 개가 제공될 수 있다. 실시 예들에서, 제2 가열부(13)의 코일은 12개가 제공될 수 있다. 복수 개의 코일들은 제1 방향(D1)으로 배열될 수 있다. 제2 가열부(13)가 배치되는 영역은 제2 구간(S2)이라 칭할 수 있다. 제2 구간(S2)은 하우징(3)의 바닥에서 제1 방향(D1)으로 일정 거리 이격된 곳에서부터, 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 제2 가열부(13)에 의해 가열된 제2 구간(S2)의 온도는 제2 온도와 유사할 수 있다. 제2 구간(S2)의 일부는 제1 구간(S1)과 중첩될 수 있다. 제2 구간(S2)의 하부는 제1 구간(S1)의 상부와 제1 방향(D1)으로 중첩될 수 있다. 즉, 제2 구간(S2)의 하단은 제1 구간(S1)의 상단보다 더 밑에 위치할 수 있다. 제2 구간(S2)과 제1 구간(S1)이 중첩되는 구간의 온도는 제1 온도보다 높고, 제2 온도보다 낮을 수 있다.The second heating unit 13 may be heated to a second temperature. The second temperature may be higher than the first temperature. In embodiments, the second temperature may be approximately 740 degrees Celsius. The second heating unit 13 may be heated under the control of the control unit (C). The second heating unit 13 may be located in a portion of the inner space of the housing 3 spaced apart from the lower portion in the first direction D1. The second heating unit 13 may heat the middle portion of the receiving unit 7. The second heating unit 13 may include a coil. A plurality of coils may be provided. In embodiments, 12 coils of the second heating unit 13 may be provided. A plurality of coils may be arranged in the first direction D1. The area where the second heating unit 13 is disposed may be referred to as the second section S2. The second section S2 may extend in the first direction D1 from a predetermined distance from the bottom of the housing 3 in the first direction D1. The temperature of the second section S2 heated by the second heating unit 13 may be similar to the second temperature. A portion of the second section S2 may overlap with the first section S1. The lower part of the second section S2 may overlap the upper part of the first section S1 in the first direction D1. That is, the bottom of the second section S2 may be located lower than the top of the first section S1. The temperature of the section where the second section S2 and the first section S1 overlap may be higher than the first temperature and lower than the second temperature.

제3 가열부(15)는 제3 온도로 가열될 수 있다. 제3 온도는 제2 온도보다 높을 수 있다. 실시 예들에서, 제3 온도는 대략 섭씨 750도일 수 있다. 제3 가열부(15)는 제어부(C)의 제어에 의하여 가열될 수 있다. 제3 가열부(15)는 하우징(3)의 내부 공간 중, 하부에서 제1 방향(D1)으로 이격된 부분에 위치할 수 있다. 제3 가열부(15)는 수용부(7)의 상부를 가열할 수 있다. 제3 가열부(15)는 코일을 포함할 수 있다. 코일은 복수 개가 제공될 수 있다. 실시 예들에서, 제3 가열부(15)의 코일은 8개가 제공될 수 있다. 복수 개의 코일들은 제1 방향(D1)으로 배열될 수 있다. 제3 가열부(15)가 배치되는 영역은 제3 구간(S3)이라 칭할 수 있다. 제3 구간(S3)은 하우징(3)의 바닥에서 제1 방향(D1)으로 일정 거리 이격된 곳에서부터, 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 제3 가열부(15)에 의해 가열된 제3 구간(S3)의 온도는 제3 온도와 유사할 수 있다. 제3 구간(S3)의 일부는 제2 구간(S2)과 중첩될 수 있다. 제3 구간(S3)의 하부는 제2 구간(S2)의 상부와 제1 방향(D1)으로 중첩될 수 있다. 즉, 제3 구간(S3)의 하단은 제2 구간(S2)의 상단보다 더 밑에 위치할 수 있다. 제3 구간(S3)과 제2 구간(S2)이 중첩되는 구간의 온도는 제2 온도보다 높고, 제3 온도보다 낮을 수 있다.The third heating unit 15 may be heated to a third temperature. The third temperature may be higher than the second temperature. In embodiments, the third temperature may be approximately 750 degrees Celsius. The third heating unit 15 may be heated under the control of the control unit C. The third heating unit 15 may be located in a portion of the inner space of the housing 3 spaced apart from the lower portion in the first direction D1. The third heating unit 15 may heat the upper portion of the receiving unit 7. The third heating unit 15 may include a coil. A plurality of coils may be provided. In embodiments, the third heating unit 15 may be provided with eight coils. A plurality of coils may be arranged in the first direction D1. The area where the third heating unit 15 is disposed may be referred to as the third section S3. The third section S3 may extend in the first direction D1 from a predetermined distance from the bottom of the housing 3 in the first direction D1. The temperature of the third section S3 heated by the third heating unit 15 may be similar to the third temperature. A portion of the third section S3 may overlap with the second section S2. The lower part of the third section S3 may overlap the upper part of the second section S2 in the first direction D1. That is, the bottom of the third section (S3) may be located lower than the top of the second section (S2). The temperature of the section where the third section S3 and the second section S2 overlap may be higher than the second temperature and lower than the third temperature.

제2 예비 가열부(19)는 제2 예비온도로 가열될 수 있다. 제2 예비온도는 제3 온도보다 높을 수 있다. 실시 예들에서, 제2 예비 온도는 대략 섭씨 760도일 수 있다. 제2 예비 가열부(19)는 제어부(C)의 제어에 의하여 가열될 수 있다. 제2 예비 가열부(19)는 하우징(3)의 내부 공간 중, 상부에 위치할 수 있다. 제2 예비 가열부(19)는 공정부(5)의 상부를 가열할 수 있다. 제2 예비 가열부(19)는 코일을 포함할 수 있다. 코일은 복수 개가 제공될 수 있다. 실시 예들에서, 제2 예비 가열부(19)의 코일은 4개가 제공될 수 있다. 복수 개의 코일들은 제1 방향(D1)으로 배열될 수 있다. 제2 예비 가열부(19)가 배치되는 영역은 제2 예비구간(P2)이라 칭할 수 있다. 제2 예비구간(P2)은 하우징(3)의 천장에서부터 제1 방향(D1)의 반대 방향으로 연장될 수 있다. 제2 예비 가열부(19)에 의해 가열된 제2 예비구간(P2)의 온도는 제2 예비온도와 유사할 수 있다. 제2 예비구간(P2)의 일부는 제3 구간(S3)과 중첩될 수 있다. 제2 예비구간(P2)의 하부는 제3 구간(S3)의 상부와 제1 방향(D1)으로 중첩될 수 있다. 즉, 제2 예비구간(P2)의 하단은 제3 구간(S3)의 상단보다 더 밑에 위치할 수 있다. 제2 예비구간(P2)과 제3 구간(S3)이 중첩되는 구간의 온도는 제3 온도보다 높고, 제2 예비온도보다 낮을 수 있다.The second preliminary heating unit 19 may be heated to a second preliminary temperature. The second preliminary temperature may be higher than the third temperature. In embodiments, the second preliminary temperature may be approximately 760 degrees Celsius. The second preliminary heating unit 19 may be heated under the control of the control unit C. The second preliminary heating unit 19 may be located at the top of the internal space of the housing 3. The second preliminary heating unit 19 may heat the upper part of the process unit 5. The second preliminary heating unit 19 may include a coil. A plurality of coils may be provided. In embodiments, four coils of the second preliminary heating unit 19 may be provided. A plurality of coils may be arranged in the first direction D1. The area where the second preliminary heating unit 19 is disposed may be referred to as the second preliminary section P2. The second spare section P2 may extend from the ceiling of the housing 3 in a direction opposite to the first direction D1. The temperature of the second preliminary section P2 heated by the second preliminary heating unit 19 may be similar to the second preliminary temperature. A portion of the second preliminary section (P2) may overlap with the third section (S3). The lower part of the second preliminary section (P2) may overlap the upper part of the third section (S3) in the first direction (D1). That is, the lower end of the second preliminary section (P2) may be located lower than the upper end of the third section (S3). The temperature of the section where the second preliminary section (P2) and the third section (S3) overlap may be higher than the third temperature and lower than the second preliminary temperature.

중첩되는 구간들에 대한 보다 상세한 내용은 도 4 및 도 5를 참고하여 후술하도록 한다.More detailed information about the overlapping sections will be described later with reference to FIGS. 4 and 5.

제어부(C)는 가열장치(1)를 제어할 수 있다. 제어부(C)는 가열장치(1)의 온도를 상승시킬 수 있다. 보다 구체적으로, 제어부(C)는 가열장치(1)에 전류를 흘려 보내 가열장치(1)의 온도를 조절할 수 있다. 제어부(C)는 제1 예비 가열부(17), 제1 가열부(11), 제2 가열부(13), 제3 가열부(15) 및 제2 예비 가열부(19)에 다른 전류를 흘려 보낼 수 있다. 제1 예비 가열부(17), 제1 가열부(11), 제2 가열부(13), 제3 가열부(15) 및 제2 예비 가열부(19)의 각각의 온도는 다르게 가열될 수 있다. 가열장치(1)에 대한 보다 상세한 내용은 도 2 내지 도 5를 참고하여 후술하도록 한다.The control unit (C) can control the heating device (1). The control unit (C) can increase the temperature of the heating device (1). More specifically, the control unit (C) can control the temperature of the heating device (1) by sending current to the heating device (1). The control unit C applies different currents to the first preheating unit 17, the first heating unit 11, the second heating unit 13, the third heating unit 15, and the second preheating unit 19. You can let it flow. The respective temperatures of the first preheating unit 17, the first heating unit 11, the second heating unit 13, the third heating unit 15, and the second preheating unit 19 may be heated differently. there is. More detailed information about the heating device 1 will be described later with reference to FIGS. 2 to 5.

도 2는 도 1의 A부분을 확대한 단면도이며, 도 3은 본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 반도체 공정 설비의 일부를 나타낸 부분 절단 사시도이다.FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of portion A of FIG. 1, and FIG. 3 is a partially cut perspective view showing a portion of semiconductor processing equipment according to exemplary embodiments of the present invention.

도 2 및 도 3을 참고하면, 제1 가열부(11)는 제1-1 코일(111)을 포함할 수 있다. 제1-1 코일(111)은 제1 방향(D1) 및 제1 방향(D1)의 반대 방향으로 차례로 연장되는 곡선 구조일 수 있다. 제1-1 코일(111)은 하우징(3)의 내측을 따라 연장되는 띠 형상일 수 있다. 제1-1 코일(111)에 전류가 흐르면 줄열이 발생할 수 있다. 따라서 제1-1 코일(111)의 온도는 상승될 수 있다. 제1-1 코일(111)의 온도는 제1 온도가 될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3 , the first heating unit 11 may include a 1-1 coil 111. The 1-1 coil 111 may have a curved structure extending sequentially in the first direction D1 and in a direction opposite to the first direction D1. The 1-1st coil 111 may have a strip shape extending along the inside of the housing 3. When current flows through the 1-1 coil 111, Joule heat may occur. Accordingly, the temperature of the 1-1 coil 111 may increase. The temperature of the 1-1 coil 111 may be the first temperature.

제1 가열부(11)는 제1-1 받침부(112)를 더 포함할 수 있다. 제1-1 받침부(112)는 제1-1 코일(111)이 쳐지지 않도록 제1-1 코일(111)을 받쳐줄 수 있다. 제1-1 받침부(112)는 지지대(1121) 및 받침대(1123)를 포함할 수 있다. 받침대(1123)는 제1-1 코일(111)을 기준으로, 제1 방향(D1)의 반대 방향으로 이격 배치될 수 있다. 받침대(1123)는 제1-1 코일(111)이 가열되어 열팽창 되거나 중력에 의해 아래로 처질 때, 제1-1 코일(111)이 제1-1 코일(111)의 밑에 있는 다른 코일과 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 지지대(1121)는 받침대(1123)를 지지할 수 있다. 제1-1 받침부(112)는 단열 물질을 포함할 수 있다. 실시 예들에서, 제1-1 받침부(112)는 세라믹, 글래스 등을 포함할 수 있다. 제1-1 받침부(112)는 코일들 간에 접촉에 의해 온도가 변형되는 것을 방지할 수 있다.The first heating unit 11 may further include a 1-1 support unit 112. The 1-1 support portion 112 may support the 1-1 coil 111 so that the 1-1 coil 111 does not sag. The 1-1 pedestal 112 may include a support 1121 and a pedestal 1123. The pedestal 1123 may be spaced apart from the 1-1 coil 111 in a direction opposite to the first direction D1. The pedestal 1123 is in contact with the other coil under the 1-1 coil 111 when the 1-1 coil 111 is heated and thermally expanded or sags down due to gravity. You can prevent it from happening. The support 1121 may support the pedestal 1123. The 1-1 support portion 112 may include an insulating material. In embodiments, the 1-1 support portion 112 may include ceramic, glass, etc. The 1-1 support portion 112 can prevent temperature deformation due to contact between coils.

도 1에 도시된 다른 코일들도 제1-1 코일(111)과 동일 또는 유사한 형상일 수 있다. 다른 코일들도 제1-1 받침부(112)와 동일 또는 유사한 구성에 의해 지지될 수 있다.Other coils shown in FIG. 1 may also have the same or similar shape as the 1-1 coil 111. Other coils may also be supported by the same or similar configuration as the 1-1 support portion 112.

도 4는 본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 반도체 공정 설비 가열장치의 일부를 나타낸 측면도이다.Figure 4 is a side view showing a portion of a semiconductor processing equipment heating device according to exemplary embodiments of the present invention.

도 4를 참고하면, 가열장치(1)는 제1 가열부(11) 및 제2 가열부(13)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the heating device 1 may include a first heating unit 11 and a second heating unit 13.

제1 가열부(11)는 제1-1 코일(111), 제1-2 코일(113) 및 제1-3 코일(115)을 포함할 수 있다. 제1-2 코일(113)은 제1-1 코일(111)을 기준으로 제1 방향(D1)으로 이격될 수 있다. 제1-3 코일(115)은 제1-2 코일(113)을 기준으로 제1 방향(D1)으로 이격될 수 있다. 제1-1 코일(111), 제1-2 코일(113) 및 제1-3 코일(115)은 모두 같은 온도가 가열될 수 있다. 실시 예들에서, 제1-1 코일(111), 제1-2 코일(113) 및 제1-3 코일(115)은 모두 제1 온도로 가열될 수 있다.The first heating unit 11 may include a 1-1 coil 111, a 1-2 coil 113, and a 1-3 coil 115. The 1-2 coil 113 may be spaced apart from the 1-1 coil 111 in the first direction D1. The 1-3 coil 115 may be spaced apart from the 1-2 coil 113 in the first direction D1. The 1-1 coil 111, the 1-2 coil 113, and the 1-3 coil 115 may all be heated to the same temperature. In embodiments, the 1-1 coil 111, the 1-2 coil 113, and the 1-3 coil 115 may all be heated to the first temperature.

제1 가열부(11)는 제1-1 받침부(112), 제1-2 받침부(114) 및 제1-3 받침부(116)를 더 포함할 수 있다. 제1-1 받침부(112)는 제1-1 코일(111)을 밑에서 지지할 수 있다. 즉, 제1-1 코일(111)은 제1 방향(D1)의 반대 방향에서 제1-1 코일(111)이 제1 방향(D1)의 반대 방향으로 쳐지는 것을 받쳐줄 수 있다. 제1-2 받침부(114) 및 제1-3 받침부(116)는 각각 제1-2 코일(113) 및 제1-3 코일(115)을 지지할 수 있다.The first heating unit 11 may further include a 1-1 support part 112, a 1-2 support part 114, and a 1-3 support part 116. The 1-1 support portion 112 may support the 1-1 coil 111 from below. That is, the 1-1 coil 111 can support the 1-1 coil 111 being thrown in a direction opposite to the first direction D1. The 1-2 support portion 114 and the 1-3 support portion 116 may support the 1-2 coil 113 and the 1-3 coil 115, respectively.

제2 가열부(13)는 제2-1 코일(131), 제2-2 코일(133) 및 제2-3 코일(135)을 포함할 수 있다. 제2-1 코일(131)은 제1-2 코일(113)과 제1-3 코일(115)의 사이에 위치할 수 있다. 제2-2 코일(133)은 제1-3 코일(115)을 기준으로 제1 방향(D1)으로 이격될 수 있다. 제2-3 코일(135)은 제2-2 코일(133)을 기준으로 제1 방향(D1)으로 이격될 수 있다. 제2-1 코일(131), 제2-2 코일(133) 및 제2-3 코일(135)은 모두 같은 온도로 가열될 수 있다. 실시 예들에서, 제2-1 코일(131), 제2-2 코일(133) 및 제2-3 코일(135)은 모두 제2 온도로 가열될 수 있다. 제2 온도는 제1 온도보다 높을 수 있다.The second heating unit 13 may include a 2-1 coil 131, a 2-2 coil 133, and a 2-3 coil 135. The 2-1 coil 131 may be located between the 1-2 coil 113 and the 1-3 coil 115. The 2-2 coil 133 may be spaced apart from the 1-3 coil 115 in the first direction D1. The 2-3 coil 135 may be spaced apart from the 2-2 coil 133 in the first direction D1. The 2-1 coil 131, the 2-2 coil 133, and the 2-3 coil 135 may all be heated to the same temperature. In embodiments, the 2-1 coil 131, the 2-2 coil 133, and the 2-3 coil 135 may all be heated to the second temperature. The second temperature may be higher than the first temperature.

제1 가열부(11)의 코일들 중 적어도 일부가 제2 가열부(13)의 코일들 중 적어도 일부보다 제1 방향(D1)으로 이격되어 있으므로, 제1 온도로 가열되는 제1 가열부(11)가 배치되는 영역과 제2 온도로 가열되는 제2 가열부(13)가 배치되는 영역은 중첩될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 온도로 가열되는 제1 가열부(11)가 배치되는 영역과 제2 온도로 가열되는 제2 가열부(13)가 배치되는 영역은 제1 방향(D1)으로 중첩될 수 있다. 중첩되는 구역의 온도는 제1 온도보다 높고 제2 온도보다 낮을 수 있다. 따라서 제1 방향(D1)으로 갈수록 온도는 서서히 올라갈 수 있다. 제1 방향(D1)으로의 급격한 온도 변화는 방지될 수 있다. 제1 방향(D1)을 따라 발생하는 온도 변화가 완만하므로, 각 구역의 온도 제어는 용이할 수 있다. 원하는 구간에서 원하는 온도를 용이하게 획득할 수 있다. 반도체 공정 설비의 온도 관리는 정밀해질 수 있다. 각 구간에서 정밀한 온도 제어가 가능하므로, 반도체 웨이퍼들에 대한 증착 공정은 정밀하게 수행될 수 있다.Since at least some of the coils of the first heating unit 11 are spaced apart from at least some of the coils of the second heating unit 13 in the first direction D1, the first heating unit heated to the first temperature ( The area where 11) is placed and the area where the second heating unit 13 heated to the second temperature is placed may overlap. More specifically, the area where the first heating unit 11 heated to the first temperature is disposed and the area where the second heating unit 13 heated to the second temperature are disposed may overlap in the first direction D1. there is. The temperature of the overlapping zone may be higher than the first temperature and lower than the second temperature. Therefore, the temperature may gradually increase in the first direction D1. A sudden temperature change in the first direction D1 can be prevented. Since the temperature change that occurs along the first direction D1 is gradual, temperature control in each zone can be easy. The desired temperature can be easily obtained in the desired section. Temperature management of semiconductor processing equipment can become more precise. Since precise temperature control is possible in each section, the deposition process on semiconductor wafers can be performed precisely.

제1 예비 가열부(17, 도 1 참고)와 제1 가열부(11)도, 제1 가열부(11)와 제2 가열부(13)와 동일 또는 유사한 방식으로 배치될 수 있다. 제1 예비 가열부(17)와 제1 가열부(11)가 중첩되는 구간의 온도는, 제1 예비온도보다 높고 제1 온도보다 낮을 수 있다. 따라서 제1 방향으로 갈수록 온도는 일정하게 상승할 수 있다.The first preliminary heating unit 17 (see FIG. 1) and the first heating unit 11 may also be arranged in the same or similar manner as the first heating unit 11 and the second heating unit 13. The temperature of the section where the first preliminary heating unit 17 and the first heating unit 11 overlap may be higher than the first preliminary temperature and lower than the first temperature. Therefore, the temperature may increase steadily in the first direction.

제2 가열부(13)와 제3 가열부(15)도, 제1 가열부(11)와 제2 가열부(13)와 동일 또는 유사한 방식으로 배치될 수 있다. 제2 가열부(13)와 제3 가열부(15)가 중첩되는 구간의 온도는, 제2 온도보다 높고 제3 온도보다 낮을 수 있다. 따라서 제1 방향으로 갈수록 온도는 일정하게 상승할 수 있다.The second heating unit 13 and the third heating unit 15 may also be arranged in the same or similar manner as the first heating unit 11 and the second heating unit 13. The temperature of the section where the second heating unit 13 and the third heating unit 15 overlap may be higher than the second temperature and lower than the third temperature. Therefore, the temperature may increase steadily in the first direction.

제3 가열부(15)와 제2 예비 가열부(19)도, 제1 가열부(11)와 제2 가열부(13)와 동일 또는 유사한 방식으로 배치될 수 있다. 제3 가열부(15)와 제2 예비 가열부(19)가 중첩되는 구간의 온도는, 제3 온도보다 높고 제2 예비온도보다 낮을 수 있다. 따라서 제1 방향으로 갈수록 온도는 일정하게 상승할 수 있다.The third heating unit 15 and the second preliminary heating unit 19 may also be arranged in the same or similar manner as the first heating unit 11 and the second heating unit 13. The temperature of the section where the third heating unit 15 and the second preliminary heating unit 19 overlap may be higher than the third temperature and lower than the second preliminary temperature. Therefore, the temperature may increase steadily in the first direction.

반도체 공정 설비에는 복수 개의 종류의 기체들이 공급되어 반도체 웨이퍼 상에서 공정이 진행될 수 있다. 복수 개의 종류의 기체들이 만나 반응을 일으켜 공정이 진행될 수 있다. 이때 반도체 공정 설비에서 기체는 일 방향에서 공급될 수 있다. 보다 구체적으로, 기체는 유입부를 통해 공급될 수 있다. 그러나 반도체 웨이퍼들은 제1 방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 따라서 제1 방향으로 적층된 반도체 웨이퍼들에 도달하는 기체의 양은 상이할 수 있다. 기체의 양이 상이하면 각 반도체 웨이퍼들 상에서 적층되는 층의 두께는 상이해질 수 있다. 즉, 반도체 웨이퍼들의 두께분포는 반도체 웨이퍼의 적층 위치에 따라 달라질 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 방향으로 갈수록 도달하는 기체의 양은 적어질 수 있다. 따라서 제1 방향으로 갈수록 증착 공정이 수행된 반도체 웨이퍼의 두께는 얇아질 수 있다. 이에 따라 반도체 웨이퍼의 불량률은 상승할 수 있고, 반도체 공정의 수율은 하락할 수 있다.A plurality of types of gases are supplied to semiconductor processing equipment so that the process can proceed on a semiconductor wafer. A process can proceed when multiple types of gases meet and react. At this time, gas may be supplied from one direction in the semiconductor processing facility. More specifically, gas may be supplied through an inlet. However, the semiconductor wafers may be arranged to be spaced apart from each other in the first direction. Accordingly, the amount of gas reaching the semiconductor wafers stacked in the first direction may be different. If the amount of gas is different, the thickness of the layer stacked on each semiconductor wafer may be different. That is, the thickness distribution of semiconductor wafers may vary depending on the stacking position of the semiconductor wafers. More specifically, the amount of gas arriving may decrease as it moves toward the first direction. Therefore, the thickness of the semiconductor wafer on which the deposition process has been performed may become thinner as it moves in the first direction. Accordingly, the defect rate of semiconductor wafers may increase and the yield of the semiconductor process may decrease.

본 발명의 예시적인 실시 예들에 따르면, 제1 방향으로 갈수록 온도가 높아지도록 제어할 수 있다. 제1 온도로 가열되는 구간과 제2 온도로 가열되는 구간이 중첩되므로, 제1 방향으로 갈수록 온도는 일정하게 상승할 수 있다. 온도가 높으면 적은 양의 기체만으로도 충분한 반응이 일어날 수 있다. 따라서 제1 방향으로 갈수록 온도가 상승하면, 제1 방향으로 갈수록 도달하는 기체가 적어지더라도 충분한 반응이 일어날 수 있다. 이에 따라 반도체 웨이퍼의 두께 분포는 일정해질 수 있고, 반도체 공정의 수율은 향상될 수 있다.According to exemplary embodiments of the present invention, the temperature can be controlled to increase as it moves toward the first direction. Since the section heated to the first temperature overlaps with the section heated to the second temperature, the temperature may increase steadily in the first direction. When the temperature is high, a sufficient reaction can occur with only a small amount of gas. Therefore, if the temperature increases in the first direction, a sufficient reaction can occur even if the amount of gas arriving in the first direction decreases. Accordingly, the thickness distribution of the semiconductor wafer can be made constant, and the yield of the semiconductor process can be improved.

본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 반도체 공정 설비에 의하면, 제1 온도로 가열되는 제1 가열부와 제2 온도로 가열되는 제2 가열부를 교차로 배열하므로, 중첩 구간을 용이하게 형성할 수 있다. 중첩구간을 위해 코일의 형상을 변형시킬 필요가 없으므로 새로운 공정이 요구되지 않으며, 제조단가는 낮춰질 수 있다. 또한 코일을 받쳐주는 받침부의 형상도 간단해지므로 용이하게 제작할 수 있다.According to the semiconductor processing equipment according to exemplary embodiments of the present invention, the first heating unit heated to the first temperature and the second heating unit heated to the second temperature are arranged to alternate, so that an overlapping section can be easily formed. Since there is no need to modify the shape of the coil for the overlapping section, no new process is required, and manufacturing costs can be lowered. Additionally, the shape of the support portion that supports the coil is simplified, making it easy to manufacture.

도 5는 본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 반도체 공정 설비 가열장치의 일부를 나타낸 측면도이다.Figure 5 is a side view showing a portion of a semiconductor processing equipment heating device according to exemplary embodiments of the present invention.

이하에서, 도 4를 참고하여 설명한 것과 실질적으로 동일 또는 유사한 내용에 대한 설명은 편의를 위하여 생략될 수 있다.Hereinafter, description of content that is substantially the same or similar to that described with reference to FIG. 4 may be omitted for convenience.

도 5를 참고하면, 가열장치(1')는 제1 가열부(11') 및 제2 가열부(13')를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the heating device 1' may include a first heating unit 11' and a second heating unit 13'.

제1 가열부(11')는 제1-1 코일(111'), 제1-2 코일(113'), 제1-3 코일(115') 및 제1-4 코일(117')을 포함할 수 있다. 제1-2 코일(113')은 제1-1 코일(111')을 기준으로 제1 방향(D1)으로 이격될 수 있다. 제1-3 코일(115')은 제1-2 코일(113')을 기준으로 제1 방향(D1)으로 이격될 수 있다. 제1-4 코일(117')은 제1-3 코일(115')을 기준으로 제1 방향(D1)으로 이격될 수 있다. 제1-1 코일(111'), 제1-2 코일(113'), 제1-3 코일(115') 및 제1-4 코일(117')은 모두 같은 온도가 가열될 수 있다. 실시 예들에서, 제1-1 코일(111), 제1-2 코일(113), 제1-3 코일(115) 및 제1-4 코일(117')은 모두 제1 온도로 가열될 수 있다.The first heating unit 11' includes a 1-1 coil 111', a 1-2 coil 113', a 1-3 coil 115', and a 1-4 coil 117'. can do. The 1-2 coil 113' may be spaced apart from the 1-1 coil 111' in the first direction D1. The 1-3 coil 115' may be spaced apart from the 1-2 coil 113' in the first direction D1. The 1-4 coil 117' may be spaced apart from the 1-3 coil 115' in the first direction D1. The 1-1 coil 111', 1-2 coil 113', 1-3 coil 115', and 1-4 coil 117' may all be heated to the same temperature. In embodiments, the 1-1 coil 111, the 1-2 coil 113, the 1-3 coil 115, and the 1-4 coil 117' may all be heated to the first temperature. .

제2 가열부(13')는 제2-1 코일(131'), 제2-2 코일(133'), 제2-3 코일(135') 및 제2-4 코일(137')을 포함할 수 있다. 제2-1 코일(131')은 제1-2 코일(113')과 제1-3 코일(115')의 사이에 위치할 수 있다. 제2-2 코일(133')은 제1-3 코일(115')과 제1-4 코일(117') 사이에 위치할 수 있다. 제2-3 코일(135')은 제1-4 코일(117')을 기준으로 제1 방향(D1)으로 이격될 수 있다. 제2-4 코일(137')은 제2-3 코일(135')을 기준으로 제1 방향(D1)으로 이격될 수 있다. 제2-1 코일(131'), 제2-2 코일(133'), 제2-3 코일(135') 및 제2-4 코일(137')은 모두 같은 온도로 가열될 수 있다. 실시 예들에서, 2-1 코일(131'), 제2-2 코일(133'), 제2-3 코일(135') 및 제2-4 코일(137')은 모두 제2 온도로 가열될 수 있다. 제2 온도는 제1 온도보다 높을 수 있다.The second heating unit 13' includes a 2-1 coil 131', a 2-2 coil 133', a 2-3 coil 135', and a 2-4 coil 137'. can do. The 2-1 coil 131' may be located between the 1-2 coil 113' and the 1-3 coil 115'. The 2-2 coil 133' may be located between the 1-3 coil 115' and the 1-4 coil 117'. The 2-3 coil 135' may be spaced apart from the 1-4 coil 117' in the first direction D1. The 2-4th coil 137' may be spaced apart from the 2-3rd coil 135' in the first direction D1. The 2-1 coil 131', the 2-2 coil 133', the 2-3 coil 135', and the 2-4 coil 137' may all be heated to the same temperature. In embodiments, the 2-1 coil 131', the 2-2 coil 133', the 2-3 coil 135', and the 2-4 coil 137' are all heated to the second temperature. You can. The second temperature may be higher than the first temperature.

제1 방향(D1)으로 중첩되는 다른 온도의 코일이 2개 이상 존재하므로, 제1 방향(D1)으로 갈수록 온도는 더 완만하고 일정하게 상승할 수 있다. 반도체 공정 설비 내부의 온도 제어는 더욱 용이해질 수 있다.Since there are two or more coils of different temperatures overlapping in the first direction D1, the temperature may rise more gently and consistently in the first direction D1. Temperature control inside semiconductor processing facilities can become easier.

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Above, embodiments of the present invention have been described with reference to the attached drawings, but those skilled in the art will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical idea or essential features. You will understand that it exists. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive.

1: 가열장치
11: 제1 가열부
111: 제1-1 코일
112: 제1-1 받침부
1121: 지지대
1123: 받침대
13: 제2 가열부
15: 제3 가열부
17: 제1 예비 가열부
19: 제2 예비 가열부
3: 하우징
5: 공정부
7: 수용부
51: 유입부
53: 유출부
71: 수용턱
73: 지지부
C: 제어부
W: 웨이퍼
S1: 제1 구간
S2: 제2 구간
S3: 제3 구간
P1: 제1 예비구간
P2: 제2 예비구간1: Heating device
11: first heating unit
111: 1-1 coil
112: 1-1 support part
1121: support
1123: Pedestal
13: second heating unit
15: Third heating unit
17: First preliminary heating unit
19: Second preliminary heating unit
3: Housing
5: Fair Department
7: Receiving part
51: inlet
53: outlet
71: Receiving jaw
73: support part
C: Control section
W: wafer
S1: 1st section
S2: Second section
S3: Third section
P1: First reserve section
P2: Second reserve section

Claims (10)

제1 온도로 가열되는 제1 가열부; 및
제2 온도로 가열되는 제2 가열부; 를 포함하되,
상기 제1 가열부는:
제1-1 코일;
상기 제1-1 코일로부터 제1 방향으로 이격되는 제1-2 코일; 및
상기 제1-2 코일로부터 상기 제1 방향으로 이격되는 제1-3 코일; 을 포함하고,
상기 제2 가열부는:
상기 제1-2 코일 및 상기 제1-3 코일 사이에 위치하는 제2-1 코일;
상기 제1-3 코일로부터 상기 제1 방향으로 이격되는 제2-2 코일; 및
상기 제2-2 코일로부터 상기 제1 방향으로 이격되는 제2-3 코일; 을 포함하며,
상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 높은 반도체 공정 설비 가열장치.
a first heating unit heated to a first temperature; and
a second heating unit heated to a second temperature; Including,
The first heating unit:
1-1 coil;
a 1-2 coil spaced apart from the 1-1 coil in a first direction; and
a 1-3 coil spaced apart from the 1-2 coil in the first direction; Including,
The second heating unit:
a 2-1 coil located between the 1-2 coil and the 1-3 coil;
a 2-2 coil spaced apart from the 1-3 coil in the first direction; and
a 2-3 coil spaced apart from the 2-2 coil in the first direction; Includes,
The second temperature is higher than the first temperature. A semiconductor processing equipment heating device.
 제 1 항에 있어서,
제3 온도로 가열되는 제3 가열부를 더 포함하되,
상기 제3 온도는 상기 제2 온도보다 높은 반도체 공정 설비 가열장치.
According to claim 1,
It further includes a third heating unit heated to a third temperature,
A semiconductor processing equipment heating device wherein the third temperature is higher than the second temperature.
 제 1 항에 있어서,
제어부를 더 포함하며,
상기 제어부는 상기 제1 가열부가 상기 제1 온도로 가열되도록 상기 제1 가열부에 전압을 인가하고, 상기 제2 가열부가 상기 제2 온도로 가열되도록 상기 제2 가열부에 전압을 인가하는 반도체 공정 설비 가열장치.
According to claim 1,
It further includes a control unit,
The control unit applies a voltage to the first heating unit to heat the first heating unit to the first temperature, and applies a voltage to the second heating unit to heat the second heating unit to the second temperature. Equipment heating device.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1 가열부 및 상기 제2 가열부는 반도체 웨이퍼가 안착되는 수용부를 둘러싸는 반도체 공정 설비 가열장치.
According to claim 1,
A semiconductor processing equipment heating device wherein the first heating unit and the second heating unit surround a receiving unit on which a semiconductor wafer is mounted.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1 가열부는:
상기 제1-1 코일을 상기 제1 방향의 반대 방향에서 받쳐주는 제1-1 받침부;
상기 제1-2 코일을 상기 제1 방향의 반대 방향에서 받쳐주는 제1-2 받침부; 및
상기 제1-3 코일을 상기 제1 방향의 반대 방향에서 받쳐주는 제1-3 받침부; 를 더 포함하는 반도체 공정 설비 가열장치.
According to claim 1,
The first heating unit:
a 1-1 support portion supporting the 1-1 coil in a direction opposite to the first direction;
a 1-2 support portion supporting the 1-2 coil in a direction opposite to the first direction; and
a 1-3 support portion supporting the 1-3 coil in a direction opposite to the first direction; A semiconductor processing equipment heating device further comprising a.
 제 5 항에 있어서,
상기 제1-1 받침부, 상기 제1-2 받침부 및 상기 제1-3 받침부는 단열물질을 포함하는 반도체 공정 설비 가열장치.
According to claim 5,
A semiconductor process equipment heating device wherein the 1-1 support part, the 1-2 support part, and the 1-3 support part include an insulating material.
 제1 온도로 가열되는 제1 가열부; 및
제2 온도로 가열되는 제2 가열부; 를 포함하되,
상기 제1 가열부는 제1 방향으로 나열된 코일들을 포함하고,
상기 제2 가열부는 상기 제1 방향으로 나열된 코일들을 포함하며,
상기 제1 가열부의 코일들 중 일부는 상기 제2 가열부의 코일들 중 일부와 상기 제1 방향으로 교차 나열되는 반도체 공정 설비 가열장치.
a first heating unit heated to a first temperature; and
a second heating unit heated to a second temperature; Including,
The first heating unit includes coils arranged in a first direction,
The second heating unit includes coils arranged in the first direction,
A semiconductor process equipment heating device wherein some of the coils of the first heating unit are cross-aligned with some of the coils of the second heating unit in the first direction.
 제 7 항에 있어서,
상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 높은 반도체 공정 설비 가열장치.
According to claim 7,
The second temperature is higher than the first temperature. A semiconductor processing equipment heating device.
 반도체 공정이 수행되는 공정부의 일부를 둘러싸는 제1 가열부가 위치하는 제1 구간; 및
상기 공정부의 일부를 둘러싸는 제2 가열부가 위치하는 제2 구간; 을 포함하되,
상기 제1 가열부는 제1 온도로 가열되며,
상기 제2 가열부는 제2 온도로 가열되고,
상기 제1 구간의 적어도 일부분은 상기 제2 구간의 적어도 일부분과 상기 공정부의 연장 방향으로 중첩되며,
상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 높은 반도체 공정 설비.
A first section where a first heating unit surrounding a portion of the process section where a semiconductor process is performed is located; and
a second section where a second heating unit surrounding a portion of the process unit is located; Including,
The first heating unit is heated to a first temperature,
The second heating unit is heated to a second temperature,
At least a portion of the first section overlaps with at least a portion of the second section in an extension direction of the process section,
The second temperature is higher than the first temperature.
 제 9 항에 있어서,
상기 제1 구간과 상기 제2 구간이 중첩되는 구간의 온도는 상기 제1 온도와 상기 제2 온도 사이인 반도체 공정 설비.
According to clause 9,
The temperature of the section where the first section and the second section overlap is between the first temperature and the second temperature.
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