KR101543015B1 - Semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents

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Abstract

실시 예는 반도체 제조장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a semiconductor manufacturing apparatus.

실시 예에 따른 반도체 제조장치는 히터를 구비한 반응 챔버; 상기 반응 챔버의 히터 열을 감지하는 보호 관 형태로 결합된 열 감지소자; 상기 보호 관의 경로를 따라 상기 반응 챔버의 하부에 결합되어 가스 누설을 방지하는 열 결합 부재를 포함하며, 상기 열 결합 부재는 상기 반응 챔버에 결합된 결합 바디; 상기 결합 바디의 하부에 결합된 피팅부; 상기 피팅부의 하부에 결합된 오링 결합부를 포함한다.A semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment includes: a reaction chamber having a heater; A heat sensing element coupled in the form of a protective tube for sensing a heater row of the reaction chamber; And a thermal coupling member coupled to the lower portion of the reaction chamber along the path of the protection tube to prevent gas leakage, the thermal coupling member comprising: a coupling body coupled to the reaction chamber; A fitting portion coupled to a lower portion of the coupling body; And an O-ring coupling portion coupled to a lower portion of the fitting portion.

반도체, 제조, 열 감지소자, 오링 Semiconductor, manufacturing, thermal sensing element, O-ring

Description

반도체 제조장치{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus,

실시 예는 반도체 제조장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a semiconductor manufacturing apparatus.

일반적으로, 반도체 제조 장치는 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition), MBE(Molecular Beam Epitaxy), CVD(chemical vapor deposition) 등의 결정 성장 장비를 이용한다. 이러한 결정 성장 장비는 웨이퍼 표면에 반도체 발광소자, HEMT, FET, 레이저 다이오드 등의 소자를 성장하는 데 이용된다. Generally, semiconductor manufacturing apparatuses use crystal growth equipment such as metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), molecular beam epitaxy (MBE), and chemical vapor deposition (CVD). Such crystal growth equipment is used to grow devices such as semiconductor light emitting devices, HEMTs, FETs, and laser diodes on the wafer surface.

반도체 제조공정을 포함하여 가스를 사용하는 모든 공정에서는 챔버 내부를 일정한 압력과 소정의 온도를 유지하게 된다. 상기 챔버에는 히터와 상기 히터의 온도를 감지하기 위한 열 감지부 등이 스테인레스 스틸로 된 튜브를 통해 결합된다. 이때, 가스 누설이 되지 않도록 완벽하게 실링해 주어야 한다.In all the processes using gas including the semiconductor manufacturing process, the pressure inside the chamber is maintained at a predetermined pressure and a predetermined temperature. In the chamber, a heater and a heat sensing unit for sensing the temperature of the heater are coupled through a tube made of stainless steel. At this time, it is necessary to seal completely to prevent gas leakage.

실시 예는 열 결합 부재의 오링 결합부를 히터로부터 안전하게 이격시켜 줄 수 있도록 한 반도체 제조장치를 제공한다.The embodiment provides a semiconductor manufacturing apparatus capable of securely separating the O-ring coupling portion of the heat coupling member from the heater.

실시 예는 열 결합 부재의 오링 결합부와 히터 사이에 VCR 피팅을 추가함으로써, 열 감지소자의 교체가 용이하도록 한 반도체 제조장치를 제공한다.The embodiment provides a semiconductor manufacturing apparatus that facilitates replacement of a heat sensing element by adding a VCR fitting between the O-ring coupling portion of the heat coupling member and the heater.

실시 예에 따른 반도체 제조장치는 히터를 구비한 반응 챔버; 상기 반응 챔버의 히터 열을 감지하는 보호 관 형태로 결합된 열 감지소자; 상기 보호 관의 경로를 따라 상기 반응 챔버의 하부에 결합되어 가스 누설을 방지하는 열 결합 부재를 포함하며, 상기 열 결합 부재는 상기 반응 챔버에 결합된 결합 바디; 상기 결합 바디의 하부에 결합된 피팅부; 상기 피팅부의 하부에 결합된 오링 결합부를 포함한다.A semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment includes: a reaction chamber having a heater; A heat sensing element coupled in the form of a protective tube for sensing a heater row of the reaction chamber; And a thermal coupling member coupled to the lower portion of the reaction chamber along the path of the protection tube to prevent gas leakage, the thermal coupling member comprising: a coupling body coupled to the reaction chamber; A fitting portion coupled to a lower portion of the coupling body; And an O-ring coupling portion coupled to a lower portion of the fitting portion.

실시 예는 열 결합 부재에 결합된 오링이 히터 열에 의해 변형되는 것을 방지할 수 있다.The embodiment can prevent the O-ring coupled to the heat coupling member from being deformed by the heat of the heater.

실시 예는 열 결합 부재에 결합된 오링의 변형을 방지하여 가스 누설을 방지할 수 있다.The embodiment can prevent deformation of the O-ring coupled to the heat-coupling member to prevent gas leakage.

실시 예는 열 결합 부재에 결합된 오링의 교체 시간을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the replacement time of the O-ring coupled to the thermal coupling member.

실시 예는 열 감지소자를 용이하게 교체할 수 있다.Embodiments can easily replace the heat sensing element.

이하, 실시 예에 대해 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 반도체 제조장치를 나타낸 측 단면도이다.1 is a side sectional view showing a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 반도체 제조장치(100)는 반응 챔버(120), 샤워헤드(122), 회전축(125), 서셉터(susceptor 또는 wafer carrier)(130), 히터 지지체(140), 히터(145), 전극 부재(147), 열 결합 부재(200)를 포함한다. 1, a semiconductor manufacturing apparatus 100 includes a reaction chamber 120, a showerhead 122, a rotation shaft 125, a susceptor or wafer carrier 130, a heater support 140, a heater (not shown) 145, an electrode member 147, and a heat coupling member 200.

상기 반응 챔버(120) 내에는 서셉터(130)가 구비되며, 상기 서셉터(130)의 상측에는 하나 이상의 포켓(135)이 형성된다. 여기서 상기 포켓(135) 중에서 적어도 하나는 지면이 오목한 구조로 형성된다. 상기 포켓(135)에는 웨이퍼(미도시)가 로딩된다. 상기 샤워헤드(122)는 반응 챔버(120) 내에 각종 소스 물질 등을 공급해 주며, 이러한 공급 구조에 대해 한정하지는 않는다.A susceptor 130 is provided in the reaction chamber 120 and one or more pockets 135 are formed on the susceptor 130. At least one of the pockets 135 is formed to have a concave surface. A wafer (not shown) is loaded in the pocket 135. The showerhead 122 supplies various source materials or the like to the reaction chamber 120, and is not limited to such a supply structure.

상기 회전축(125)은 서셉터(130)의 하부에 축 결합되며, 상기 서셉터(130)를 회전시켜 준다. 상기 히터 지지체(140)는 상기 서셉터(130)의 하부에 배치되며, 상기 히터(145)를 지지하게 된다. 상기 히터(145)에서 발생된 열은 상기 서셉터(130)의 하부를 가열하고, 반응 챔버(120)의 내부 온도를 높여주게 된다.The rotating shaft 125 is axially coupled to a lower portion of the susceptor 130 to rotate the susceptor 130. The heater support 140 is disposed below the susceptor 130 to support the heater 145. The heat generated by the heater 145 heats the lower portion of the susceptor 130 and increases the internal temperature of the reaction chamber 120.

상기 히터 지지체(140)의 하부에는 베이스 플레이트(137)가 배치되며, 상기 베이스 플레이트(137)는 수직하게 결합되는 전극 부재(147) 및 열 결합 부재(200) 등을 지지하게 된다.A base plate 137 is disposed under the heater support member 140 and the base plate 137 supports the electrode member 147 and the thermal coupling member 200 vertically coupled to each other.

상기 반응 챔버(120) 내에는 샤워헤드(122)를 통해 소스 물질 등이 공급되고, 내부의 서셉터(130)가 회전 축(125)에 의해 회전하고, 히터(145)에 의해 반응 챔버(120) 내부 및 서셉터(130)가 가열된다. 이때 상기 유입되는 소스(source) 물질들의 화학 반응에 의해 상기 포켓(135)에 로딩된 웨이퍼(미도시)의 표면에 반도체 박막이나 절연막 등이 형성된다.A source material or the like is supplied to the reaction chamber 120 through a showerhead 122. The susceptor 130 inside the susceptor 130 is rotated by the rotation axis 125 and the reaction chamber 120 And the susceptor 130 are heated. At this time, a semiconductor thin film, an insulating film, or the like is formed on the surface of the wafer (not shown) loaded into the pocket 135 by the chemical reaction of the introduced source materials.

여기서, 상기 반도체 제조장치(100)는 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition), MBE(Molecular Beam Epitaxy), CVD(chemical vapor deposition) 등의 장비를 포함하게 된다. 이러한 장비를 이용하여 웨이퍼(미도시)의 표면에 질화 갈륨계 반도체 발광소자, HEMT(high electron mobility transistor), FET(field effect transistor), 레이저 다이오드 등의 소자가 성장된다. Here, the semiconductor manufacturing apparatus 100 may include a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), a molecular beam epitaxy (MBE), and a chemical vapor deposition (CVD). Using such equipment, devices such as a gallium nitride semiconductor light emitting device, a high electron mobility transistor (HEMT), a field effect transistor (FET), and a laser diode are grown on the surface of a wafer (not shown).

도 2는 도 1의 히터 하부 구조를 상세하게 나타낸 사시도이다.2 is a perspective view showing the heater substructure of FIG. 1 in detail.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 히터(145)는 복수개의 전극부재(147)에 전기적으로 연결되며, 상기 전극 부재(147)는 파이프 형태로 형성되어, 상기 히터(145)의 양단에 각각 연결될 수 있다. 1 and 2, the heater 145 is electrically connected to a plurality of electrode members 147, and the electrode member 147 is formed in a pipe shape, Can be connected.

상기 전극 부재(147)는 상기 반응 챔버(120)의 하부로 노출되는 데, 이때 상기 전극 부재(147)는 제2오링 결합부(148)를 이용하여 결합될 수 있다. 즉, 상기 제2오링 결합부(148)는 상기 전극 부재(147)와의 결합시 가스 누설이 발생되지 않도록 실링하게 된다.The electrode member 147 is exposed to the lower portion of the reaction chamber 120 and the electrode member 147 can be coupled using the second O- That is, the second O-ring engaging portion 148 is sealed to prevent gas leakage when the second O-ring engaging portion 148 is engaged with the electrode member 147.

상기 열 결합 부재(200)는 히터 열 또는 웨이퍼의 온도를 감지하기 위한 구조로서, 열 감지소자(150), 결합 바디(160), 피팅부(fitting portion)(170), 제1오링 결합부(180), 결합 파이프(191,193,195)를 포함한다. 상기 열 결합 부재(200)는 적어도 하나를 포함하며, 상기 히터 주변에서 최적의 온도를 감지하기 위한 위치에 배치될 수 있으며, 그 배치 위치에 대해 한정하지는 않는다.The heat coupling member 200 is a structure for sensing the temperature of the heater row or the wafer and includes a heat sensing element 150, a coupling body 160, a fitting portion 170, a first O- 180, and coupling pipes 191, 193, 195. The heat-combining member 200 includes at least one heat-insulating member 200, and may be disposed at a position for sensing an optimal temperature around the heater, and the heat-insulating member 200 is not limited thereto.

상기 열 감지소자(150)는 보호 관(152)을 이용하여 상기 열 결합 부재(200)를 관통하고, 그 끝단이 상기 히터(145)의 주변에 배치된다. The heat sensing element 150 passes through the heat coupling member 200 using a protective pipe 152 and has an end disposed around the heater 145.

상기 열 감지소자(150)의 보호 관(152)을 삽입함에 따라 상기 반응 챔버(120)과의 결합 부분 등에는 가스 누설이 방지되도록 결합 바디(160)가 결합된다.As the protection tube 152 of the heat sensing element 150 is inserted, the coupling body 160 is coupled to the coupling portion with the reaction chamber 120 to prevent gas leakage.

상기 결합 바디(160)는 상기 반응 챔버(120)에 결합된 제1결합 파이프(191)에 연결되며, 상기 피팅부(170)에 결합된 제2결합 파이프(193)의 일단에 연결된다. 여기서, 상기 제1 및 제2결합 파이프(191,193)는 용접 등으로 일체로 결합될 수 있다.The coupling body 160 is connected to the first coupling pipe 191 coupled to the reaction chamber 120 and to one end of the second coupling pipe 193 coupled to the fitting portion 170. Here, the first and second coupling pipes 191 and 193 may be integrally joined by welding or the like.

상기 결합 바디(160)는 상부 바디(161) 및 하부 바디(162)를 포함하며, 상기 상부 바디(161) 및 하부 바디(162)는 볼트 등의 체결 수단으로 서로 체결될 수 있다. 또한 상기 상부 바디(161) 및 하부 바디(162) 사이에는 가스켓(163)이 결합된다. 상기 가스켓(163)은 상기 상부 바디(161)와 하부 바디(162) 사이를 밀봉해 주는 것으로, 실버 가스켓 또는 니켈(Ni) 가스켓으로 이용할 수 있다. The coupling body 160 includes an upper body 161 and a lower body 162. The upper body 161 and the lower body 162 may be fastened to each other by fastening means such as bolts. A gasket 163 is coupled between the upper body 161 and the lower body 162. The gasket 163 seals between the upper body 161 and the lower body 162 and may be used as a silver gasket or a nickel (Ni) gasket.

상기 피팅부(170)는 상기 결합 바디(160)의 하부에 연결되는 피팅 구조 예컨대, VCR 피팅 구조를 이용할 수 있다. 상기 피팅부(170)는 제2 결합 파이프(193)의 타단과 제3 결합 파이프(195)의 일단 사이에 연결된다. The fitting portion 170 may be a fitting structure connected to a lower portion of the coupling body 160, for example, a VCR fitting structure. The fitting portion 170 is connected between the other end of the second coupling pipe 193 and one end of the third coupling pipe 195.

상기 피팅부(170)는 VCR 피팅 구조는 암 나선과 수 나사선의 결합 구조를 제공하며, 상기 나사선 구조는 용이하게 결합 또는 분리될 수 있다.The fitting portion 170 provides a coupling structure of the female thread and the male thread, and the threaded structure can be easily combined or separated.

상기 제1오링 결합부(180)는 상부 바디의 외주변에 하부 바디의 내주변이 나사선으로 체결되는 구조이며, 상기 상부 바디와 하부 바디 사이에는 오링(O-ring)(181)이 삽입된다. 상기 제1오링 결합부(180)는 상기 오링(181)을 이용하여 가스 누설을 방지할 수 있다.The first O-ring coupling portion 180 has a structure in which the inner periphery of the lower body is fastened to the outer periphery of the upper body by a thread, and an O-ring 181 is inserted between the upper body and the lower body. The first O-ring coupling portion 180 can prevent gas leakage by using the O-ring 181. [

상기 제1오링 결합부(180)는 일단에는 상기 제3결합 파이프(195)의 타단에 결합되며, 타단에는 상기 열 감지소자(150)의 보호 관(152)이 결합된다.The first O-ring coupling part 180 is coupled to the other end of the third coupling pipe 195 at one end, and the protective pipe 152 of the heat sensing element 150 is coupled to the other end.

상기 제1오링 결합부(180)는 상기 결합 바디(160)과의 거리를 멀게 배치된다. 즉, 상기 제1오링 결합부(180)와 상기 결합 바디(160) 사이에 상기 피팅부(170)를 결합함으로써, 상기 제1오링 결합부(180)는 상기 결합 바디(160)로부터 멀리 이격될 수 있다. 상기 제1오링 결합부(180)와 상기 결합 바디(160) 사이의 거리(D)는 50~60mm 정도로 이격될 수 있다. The first O-ring coupling part 180 is disposed at a distance from the coupling body 160. That is, by fitting the fitting part 170 between the first O-ring coupling part 180 and the coupling body 160, the first O-ring coupling part 180 is separated from the coupling body 160 . The distance D between the first O-ring coupling part 180 and the coupling body 160 may be about 50 to 60 mm.

여기서, 상기 제1오링 결합부(180)는 상기 결합 바디(160) 또는 히터(145)로부터 기존(예: 20mm)보다 2배 이상으로 멀어지게 됨으로써, 열에 취약한 문제를 해결할 수 있다. 예컨대, 상기 제1오링 결합부(180)에 삽입된 오링(181)이 열에 의해 변형될 문제가 없다. 또한 상기 오링(181)의 변형으로 인한 가스 누설을 방지할 수 있다. 또한 상기 오링(181)이 변형될 때마다 상기 오링(181)을 교체하여야 하는 불편을 제거할 수 있다. 또한 상기 오링(181)의 교체시 주변에 파티클이 끼워 교체가 어려울 때, 상기 열 감지소자(150)를 절단하여야 하는 문제를 해결할 수 있다.Here, the first O-ring coupling portion 180 is separated from the coupling body 160 or the heater 145 by more than twice as much as conventional (for example, 20 mm), thereby solving the problem of being vulnerable to heat. For example, there is no problem that the O-ring 181 inserted into the first O-ring coupling part 180 is deformed by heat. Also, it is possible to prevent gas leakage due to deformation of the O-ring 181. Also, it is possible to eliminate the inconvenience of replacing the O-ring 181 every time the O-ring 181 is deformed. In addition, when the O-ring 181 is replaced, it is possible to solve the problem of cutting the heat sensing element 150 when the particles are difficult to replace due to the insertion of particles.

또한 상기 제1오링 결합부(180), 피팅부(170), 결합 바디(160)를 통해 반응 챔버(120)의 내부까지 보호 관(152)으로 삽입된 상기 열 감지소자(150)는 상기 피 팅부(170)의 일부를 분리하여 용이하게 교체할 수 있다. The heat sensing element 150 inserted into the protective tube 152 to the inside of the reaction chamber 120 through the first O-ring coupling part 180, the fitting part 170, and the coupling body 160, A part of the turning part 170 can be separated and replaced easily.

도 3은 실시 예에 따른 피팅부의 분해 사시도이며, 도 4는 피팅부의 결합 전 상태를 나타낸 도면이며, 도 5는 피팅부의 결합 상태를 나타낸 부분 단면도이다.FIG. 3 is an exploded perspective view of a fitting part according to an embodiment, FIG. 4 is a view showing a state before fitting of a fitting part, and FIG. 5 is a partial sectional view showing a fitting state of the fitting part.

도 3을 참조하면, 피팅부(170)는 수나사선부(170A), 수나사선 몸체(172), 가스켓(173), 암나사선부(173)를 포함한다. 상기 수나사선부(170A)는 내주변에 수나사선이 형성되며, 내부 구경이 서로 다르게 형성된다. 상기 수나사선부(170A)는 상기 수나사선 몸체(172)의 하부로 삽입되며 상측이 돌출된다. 상기 수나사선 몸체(172)의 연결 파이프(172A)는 제2결합 파이프(193)와 일체로 연결된다. 이때의 파이프 연결 방식은 용접 등으로 이용할 수 있다.3, the fitting portion 170 includes a male screw portion 170A, a male screw body 172, a gasket 173, and a female screw portion 173. The male thread portion 170A is formed with a male screw thread in the inner periphery and has different inner diameters. The male threaded portion 170A is inserted into the lower part of the male threaded body 172, and the upper side thereof is protruded. The connecting pipe 172A of the male screw body 172 is integrally connected to the second connecting pipe 193. [ At this time, the pipe connection method can be used by welding or the like.

상기 수나사선 몸체(172)와 대응되는 암 나사선부(170B)는 선단 외주변에 암 나사선(176)이 형성되며, 상기 암 나사선(176)의 직경은 상기 수나사선부(170A)의 내주변이 나사 결합될 수 있는 크기로 형성된다.The diameter of the female thread 176 is larger than the diameter of the female thread 170. The diameter of the female thread 176 is smaller than the diameter of the male thread 170. [ And is formed into a size that can be combined.

상기 수나사선 몸체(172)의 타단에는 제3결합 파이프(195)가 용접 등으로 결합된다. 상기 제3결합 파이프(195)의 구멍은 수나사선 몸체(172)의 연결 파이프(172A)의 구멍(155)와 동일한 관경으로 형성될 수 있다. 상기 구멍(155)에는 보호 관(도 1의 152)이 삽입된다.A third coupling pipe 195 is coupled to the other end of the male screw body 172 by welding or the like. The hole of the third coupling pipe 195 may be formed to have the same diameter as the hole 155 of the connecting pipe 172A of the male threaded body 172. A protective tube (152 in FIG. 1) is inserted into the hole 155.

이때 상기 암 나사선부(170B)의 선단(177)에는 가스켓(173)이 결합된다. 상기 가스켓(173)은 VCR 가스켓으로서, 예컨대 니켈(Ni) 가스켓을 사용할 수 있다. At this time, the gasket 173 is coupled to the tip end 177 of the female screw portion 170B. The gasket 173 may be a VCR gasket, for example, a nickel (Ni) gasket.

도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 암나사선부(170B)의 선단(177)에는 가스켓(173)이 결합되며, 상기 수나사선 몸체(170A)의 선단에는 비드(Bead)(175)가 형 성된다. 상기 수나사선부(170A)를 이동하여 상기 수나사선부(170A)의 내주변에 형성된 수나사선(178)과 상기 암 나사선부(170B)의 암 나사선(176)이 나사 결합된다. 여기서, 상기 수 나사선부(170A)와 암 나사선부(170B)는 몽키 렌치(lobster adustable wrench) 또는 스패너(spanner) 등의 공구를 사용하여 결합된다.4 and 5, a gasket 173 is coupled to the tip 177 of the female threaded portion 170B and a bead 175 is formed at the tip of the male threaded body 170A . The male thread 178 formed on the inner periphery of the male thread portion 170A is screwed to the female thread 176 of the female thread portion 170B by moving the male thread portion 170A. Here, the male screw portion 170A and female screw portion 170B are coupled using a tool such as a lobster adustable wrench or a spanner.

이때, 상기 수 나사선 몸체(170A)의 선단에 형성된 비드(175)가 상기 가스켓(173)을 눌러 밀착됨으로써, 가스 누설을 방지할 수 있다. 즉, 상기의 가스켓(173)이 VCR 피팅 구조인 상기 암 나선부(170B)와 수 나사선 몸체(172) 및 수 나사선부(170A) 사이의 결합 부분을 밀봉시켜 줄 수 있다. 또한 상기 암 나사선부(170B)이 상기 수 나사선부(170A)로부터 분리될 수 있다. 여기서, 상기 암 나사선부(170B)와 수 나사선부(170A)의 연결 위치는 서로 변경될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.At this time, the bead 175 formed at the tip of the male threaded body 170A is pressed by the gasket 173 to prevent gas leakage. That is, the gasket 173 can seal the joint portion between the female screw portion 170B, which is a VCR fitting structure, and the male screw body 172 and the male screw portion 170A. And the female screw portion 170B can be separated from the male screw portion 170A. Here, the connection positions of the female screw portion 170B and the male screw portion 170A may be mutually changed, but the invention is not limited thereto.

실시 예는 반응 챔버에 결합되는 열 결합 부재에서의 오링의 변형을 방지함으로써, 상기 오링의 변형에 따른 각 종 문제를 해결할 수 있다. 또한 상기 열 결합 부재에서 제1오링 결합부와 상기 결합 바디 사이에 VCR 피팅 구조의 피팅부를 나사선 방식으로 결합시켜 줌으로써, 열 감지 소자의 교체 또는 분리가 용이한다. The embodiment can solve various problems due to the deformation of the O-ring by preventing deformation of the O-ring in the heat-coupling member coupled to the reaction chamber. Further, the fitting of the VCR fitting structure between the first O-ring coupling portion and the coupling body in the thermal coupling member is screwed to facilitate replacement or separation of the thermal sensing element.

본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 전술한 실시 예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. Although the technical idea of the present invention has been specifically described according to the above preferred embodiments, it is to be noted that the above-described embodiments are intended to be illustrative and not restrictive. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention.

도 1은 실시 예에 따른 반도체 제조장치를 개략적으로 나타낸 측 단면도.1 is a side sectional view schematically showing a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment.

도 2는 도 1의 히터 하부 구조를 상세하게 나타낸 사시도.2 is a perspective view showing the heater substructure of FIG. 1 in detail;

도 3은 도 1의 피팅부의 분해 사시도.3 is an exploded perspective view of the fitting portion of Fig.

도 4는 도 3의 피팅부의 결합 전 상태를 나타낸 분해 사시도.FIG. 4 is an exploded perspective view showing the fitting portion of FIG. 3 before coupling; FIG.

도 5는 도 4의 피팅부의 결합 단면도.Fig. 5 is an assembled cross-sectional view of the fitting portion of Fig. 4; Fig.

Claims (6)

히터를 구비한 반응 챔버; 및A reaction chamber having a heater; And 상기 반응 챔버의 히터 열을 감지하는 보호 관 형태로 결합된 열 감지소자를 갖고, 상기 보호 관의 경로를 따라 상기 반응 챔버의 하부에 결합되어 가스 누설을 방지하는 열 결합 부재를 포함하며, And a thermal coupling member having a heat sensing element coupled in the form of a protective tube for sensing a heater row of the reaction chamber and coupled to a lower portion of the reaction chamber along the path of the protective tube to prevent gas leakage, 상기 열 결합 부재는,The heat- 상기 반응 챔버에 결합된 제1결합 파이프;A first coupling pipe coupled to the reaction chamber; 상기 제1결합 파이프에 결합된 제2결합 파이프;A second coupling pipe coupled to the first coupling pipe; 상기 제1 및 제2결합 파이프 사이에 연결되는 결합 바디;A coupling body coupled between the first and second coupling pipes; 상기 제2결합 파이프 아래에 제3결합 파이프;A third coupling pipe below the second coupling pipe; 상기 제2 및 제 3결합 파이프 사이에 연결되는 피팅부; 및A fitting portion connected between the second and third coupling pipes; And 상기 제3결합 파이프 및 상기 보호 관에 결합되는 오링 결합부를 포함하며,And an O-ring coupling portion coupled to the third coupling pipe and the protection pipe, 상기 결합 바디는 서로 체결되는 상부 및 하부 바디와, 상기 상부 및 하부 바디 사이를 밀봉하는 가스켓을 포함하며,The coupling body includes upper and lower bodies to be coupled to each other, and a gasket sealing between the upper and lower bodies, 상기 피팅부는 나사선 구조를 갖고 일부가 결합 또는 분리되며,Wherein the fitting portion has a threaded structure and a portion is joined or separated, 상기 열 감지 소자의 보호관은 상기 오링 결합부, 상기 피팅부, 및 상기 결합 바디를 통해 상기 반응 챔버의 내부까지 삽입되는 반도체 제조장치.Wherein the protective tube of the heat sensing element is inserted into the reaction chamber through the O-ring coupling portion, the fitting portion, and the coupling body. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 열 감지 소자는 그 선단이 히터 주변에 배치되고, 상기 반응 챔버에 적어도 하나를 포함하는 반도체 제조장치.Wherein the heat sensing element has its tip disposed around the heater and at least one in the reaction chamber. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 결합 바디와 오링 결합부는 50~60mm의 간격으로 이격되는 반도체 제조장치.Wherein the coupling body and the O-ring coupling portion are separated by an interval of 50 to 60 mm. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 피팅부는 VCR 피팅 구조를 포함하는 반도체 제조장치.Wherein the fitting portion includes a VCR fitting structure. 제 1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,5. The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 피팅부는 암나사선부 및 수나사선부, 상기 암나사선부 및 수나사선부 사이에 결합된 가스켓을 포함하며, 상기 암나사선부 또는 수나사선부는 서로 분리되는 반도체 제조장치. Wherein the fitting portion includes a gasket coupled between the female thread portion and the male thread portion, between the female thread portion and the male thread portion, and the female thread portion or the male thread portion is separated from each other. 제 1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,5. The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 결합 바디의 상부 및 하부 바디를 체결하는 체결 수단을 포함하며,And coupling means for coupling the upper and lower bodies of the coupling body, 상기 결합 바디의 가스켓은 실버 가스켓 또는 니켈 가스켓을 포함하는 반도체 제조장치.Wherein the gasket of the coupling body comprises a silver gasket or a nickel gasket.
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