KR101541908B1 - Apparatus of manufacturing for ultra pure electronics grade sulphuric acid - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an apparatus for preparing ultra-pure sulfuric acid, which can prepare a sulfuric acid reliably and prevent a safety accident in advance. According to the present invention, the apparatus for preparing ultra-pure sulfuric acid includes: a steam evaporator which supplies steam to maintain the uniform temperature; a nitrogen gas injection device which is arranged on the lower end of an absorber and prevents impurities included in the outside air from entering; a mixing apparatus mixing water and the sulfuric acid; and a seal port which discharges waste gas. The steam evaporator includes: an inner housing which is formed in a cylindrical shape and stores sulfur trioxide (SO_3) while having multiple valves arranged on the upper and inner parts of the outer circumference surface; an outer housing which is configured to surround the outside of the inner housing and forms a space there-between; and a steam inlet pipe which is formed on the outer circumference surface of the outer housing and injects the steam in the space between the inner and outer housing. Accordingly, the apparatus for preparing ultra-pure sulfuric acid uniformly injects nitrogen into the lower end of the absorber to prepare the ultra-pure electronic grade sulfuric acid having 50 ppt or less iron and prevents the rapid exothermic reaction in advance, thereby reliably preparing a sulfuric acid and a safety accident in advance.

Description

초순수 전자급 황산 제조장치{APPARATUS OF MANUFACTURING FOR ULTRA PURE ELECTRONICS GRADE SULPHURIC ACID}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an apparatus for producing ultrapure water (hereinafter referred to as " ultrapure water &

본 발명은 초순수 전자급 황산 제조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 흡수탑 하단에 균일한 질소를 투입함으로써 철(iron, Fe) 기준 50ppt(part per trillion) 이하의 초순수 전자급 황산 제조를 가능하게 하며, 급격한 발열반응을 미연에 방지하여 안정적으로 황산을 제조하고 안전사고도 미연에 방지할 수 있는 초순수 전자급 황산 제조장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an apparatus for producing ultrapure water electronic sulfuric acid, and more particularly, to an ultrapure water electronic sulfuric acid production apparatus capable of producing ultrapure water electronic grade sulfuric acid of less than 50 ppt (part per trillion) based on iron (Fe) The present invention relates to an ultrapure water electronic grade sulfuric acid production apparatus capable of preventing sulfuric acid from being produced in a steep manner and preventing a safety accident from occurring.

황산은 화학 공업의 기본 생성물 중 하나로, 삼산화황(sulphur trioxide, SO₃)으로 산화되는 이산화황(sulphur dioxide, SO₃)으로부터 제조된다. 삼산화황은 진한 황산 중에서 물과 반응하여 황산을 생성한다.Sulfuric acid is one of the basic products of the chemical industry and is produced from sulfur dioxide (SO 3), which is oxidized to sulfur trioxide (SO 3). Sulfur dioxide reacts with water in concentrated sulfuric acid to produce sulfuric acid.

이산화황은 대개 황 원소의 연소에 의해 얻어지나, 폐황산으로부터 그 해리에 의해 얻어지기도 한다. 이산화황을 형성하는 대기 중 산소에 의한 황 원소의 연소는 강한 발열반응이다.Sulfur dioxide is usually obtained by combustion of sulfur elements, but may also be obtained by dissociation from spent sulfuric acid. The combustion of sulfur element by oxygen in the atmosphere forming sulfur dioxide is a strong exothermic reaction.

Figure 112014043043542-pat00001
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공업적으로는 이 반응을 액체 황에 대해 건조 공기를 산화제로 사용하여 연소 퍼니스(furnace)에서 분무 연소기를 이용하여 수행한다. 140∼150℃에서 액체 황을 노즐을 통해 미세 분할 소적 형태로 연소 챔버에 분무한다. 챔버로부터 방출되는 기체 혼합물 중의 이산화황의 농도는 일반적으로 공기를 사용하여 9∼11.5 부피%로 조정하며, 기체 혼합물 중에 함유된 산소는 삼산화황의 후속 생산에 충분하다. 그 후, 고온의 기체를, 폐열 보일러를 사용하여 약 450℃로 냉각시키고, 여기서 증기가 생성된다. 정제 공정은 필요하지 않다(문헌[K.H. Buechel et al., Industrielle Anorganische Chemie, 3rd edition, Verlag Chemie, Weinheim 1999, pp. 110-122] 참조).This reaction is industrially carried out using a spray burner in a combustion furnace using dry air as an oxidizing agent for liquid sulfur. At 140-150 [deg.] C, liquid sulfur is sprayed through the nozzle into the combustion chamber in the form of microspheres. The concentration of sulfur dioxide in the gas mixture discharged from the chamber is generally adjusted to 9 to 11.5% by volume using air, and the oxygen contained in the gas mixture is sufficient for subsequent production of sulfur trioxide. The hot gas is then cooled to about 450 캜 using a waste heat boiler, where steam is generated. A purification process is not required (K. H. Buechel et al., Industrielle Anorganische Chemie, 3rd edition, Verlag Chemie, Weinheim 1999, pp. 110-122).

대안으로, 이산화황은 폐황산으로부터 그 해리에 의해 재생할 수도 있다. 많은 공정에서, 특히 유기 화학, 석유 화학 및 금속 산업에서, 오염된 황산이 수득된다. 폐기물 문제 및 가능한 환경 오염을 피하는 가장 신뢰할 만한 방법은 하기 반응식에 따라 이산화황을 형성하는 열해리 및 추가적으로 사용될 수 있는 황산으로의 이산화황의 후속 전환이다.Alternatively, sulfur dioxide may be regenerated by its dissociation from spent sulfuric acid. In many processes, especially in the organic chemistry, petrochemical and metal industries, contaminated sulfuric acid is obtained. The most reliable method of avoiding waste problems and possible environmental contamination is thermal decomposition to form sulfur dioxide according to the following reaction formula and subsequent conversion of sulfur dioxide to sulfuric acid which can be used additionally.

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오늘날, 이산화황에서 삼산화황으로의 산화 및 삼산화황에서 황산으로의 전환은 실질적으로 접촉 공정, 특히 이 중 접촉 공정에 의해서만 수행되고 있다. 이산화황의 산화를 위한 접촉 공정은 하기 평형에 기초하며, 이것은 촉매 존재 하에서만 충분히 빨리 성립된다.Today, the oxidation from sulfur dioxide to sulfur trioxide and the conversion from sulfur trioxide to sulfuric acid is practically carried out only by the contact process, in particular the contact process. The contact process for the oxidation of sulfur dioxide is based on the following equilibrium, which is established only fast enough in the presence of the catalyst.

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평형은 온도가 증가함에 따라 출발 물질의 방향으로 이동하기 때문에, 가능한 한 낮은 온도에서 수행하여야 하며, 이때 온도의 하한은 촉매의 작동 온도에 의해 결정된다. 높은 이산화황 전환율은 형성된 삼산화황의 농도를 감소시키거나(이중 접촉 공정) 증가된 압력(5 bar) 하에서 작동시킴으로써(Ugine-Kuhlmann 공정) 얻을 수 있다. 오늘날 산업에서는 실질적으로 구리-비스무트 촉매만이 사용되고 있다.Since the equilibrium moves in the direction of the starting material as the temperature increases, it should be carried out at as low a temperature as possible, where the lower temperature is determined by the operating temperature of the catalyst. High sulfur dioxide conversion can be achieved by reducing the concentration of sulfur trioxide formed (dual contact process) or by operating under increased pressure (5 bar) (Ugine-Kuhlmann process). In today's industry, virtually only copper-bismuth catalysts are used.

삼산화황의 황산으로의 전환, 즉

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은 물 또는 저농도의 황산을 일정하게 첨가하면서 진한 황산 중에 삼산화황을 용해시킴으로써 수행한다.Conversion of sulfur trioxide to sulfuric acid, i.
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Is carried out by dissolving sulfur trioxide in concentrated sulfuric acid while adding water or a low concentration of sulfuric acid constantly.

황산은 화학 공업의 주요 생성물 중 하나로서 수많은 방식으로 사용된다. 중요한 사용 분야는 공비 혼합물 질산, 즉, 약 68%의 질산을 함유하는 공비 혼합물 조성 범위의 농도를 갖는 질산의 농도를 증가시켜, 질산 함량이 최대 100%인 진한 질산을 생산하는 것이다. 진한 질산은, 예를 들어 디니트로톨루엔의 제조에 필요하다. 이 공정에서는, 질산의 농도를 증가시키는 공정에서 얻어지는 묽은 황산의 증류에 의한 에너지 집약적 농축을 피하기 위해 86 중량% 이상의 황산을 포함하는 매우 농축된 황산 또는 95 중량% 이상의 농도를 갖는 다른 새로운 황산을 사용하는 것이 유익하다.Sulfuric acid is one of the major products of the chemical industry and is used in a number of ways. An important field of use is to increase the concentration of nitric acid with a concentration of the azeotropic mixture nitric acid, that is, a concentration in the azeotrope composition range containing about 68% nitric acid, to produce concentrated nitric acid having a nitric acid content of up to 100%. Deep nitric acid is needed, for example, for the production of dinitrotoluene. In this process, highly concentrated sulfuric acid containing at least 86 wt% sulfuric acid or other fresh sulfuric acid having a concentration of at least 95 wt% is used to avoid energy intensive concentration by distillation of diluted sulfuric acid obtained in the step of increasing the concentration of nitric acid .

한편, 제조된 황산의 품질은 설비의 설계 및 사용된 원료의 품질뿐만 아니라 설비에 사용된 구성 재료의 유형 및 품질에 의해 영향을 받는다. 이들은 목적하지 않은 금속 이온의 함량뿐만 아니라 입자의 함량에 상당한 영향을 준다.On the other hand, the quality of the sulfuric acid produced is influenced not only by the design of the plant and the quality of the raw materials used, but also by the type and quality of the constituent materials used in the plant. They have a considerable effect on the content of undesired metal ions as well as the content of particles.

증류 플라스크 내에서 SO3을 증발시키거나 발연 황산(oleum)으로부터 방출시킨 후 묽은 순수한 황산에 도입시킴으로써 비교적 고순도의 진한 황산을 제조하는 것이 공지되어 있다. 구체적인 실시양태에서, 증발은 종종 낙하 필름 증발기(falling film evaporator) 내에서 수행된다. 일반적으로, 순수한 황산을 제조하는데 사용되는 장비는 유리 또는 에나멜-라이닝(enamel-lined) 강으로 제조된다. 사용되는 품질에 따라, 상기 재료는 이온성 및/또는 미립자성 불순물을 걸러낼 수 있다.It is known to produce a relatively high purity concentrated sulfuric acid by evaporating SO 3 in a distillation flask or releasing it from fuming sulfuric acid and then introducing it into dilute pure sulfuric acid. In a specific embodiment, evaporation is often carried out in a falling film evaporator. In general, the equipment used to make pure sulfuric acid is made of glass or enamel-lined steel. Depending on the quality used, the material can filter ionic and / or particulate impurities.

그러나, 종래 황산을 제조하는 방법은 불균질 증발의 경우 기체 스트림이 미세 안개 형태의 액체 방울 및 그 안에 존재하는 임의의 불순물을 최종 생성물에 동반시키는 단점을 갖는다. 이는 특히 산업적 규모에서 통상적으로 사용되는 낙하 필름 증발기 내에서 증발을 수행할 때뿐만 아니라 증류 플라스크를 사용할 때에도 발생한다.However, the conventional method of producing sulfuric acid has the disadvantage that, in the case of heterogeneous vaporization, the gas stream entrains liquid droplets in the form of fine mist and any impurities present therein in the final product. This occurs not only when performing evaporation, but also when using a distillation flask, especially in drop film evaporators commonly used on an industrial scale.

또한, 종래 황산을 제조하는 기술은 급격한 발열반응이 일어나 초순수 전자급 황산의 순도와 안전성 및 생산성의 문제를 야기할 수 있다.In addition, the conventional technique for producing sulfuric acid may cause a problem of purity, safety, and productivity of ultrapure water electronic grade sulfuric acid due to a rapid exothermic reaction.

초순수 전자급 황산 제조의 또 다른 황산원료는 금속제련과 비료생산 등등의 과정에서 얻어지는 부산물인((By-product) 발연황산(oleum) 으로부터 고순도의 삼산화황(SO₃)을 쉽고 저렴하게 얻을 수 있다.Another source of sulfuric acid in ultrapure water electronic sulfuric acid production can easily and inexpensively obtain high purity sulfur trioxide (SO 3) from by-product fuming sulfuric acid (oleum), which is a by-product obtained in processes such as metal smelting and fertilizer production.

그리고, 종래의 일반 황산 제조기술은 순도가 전자급 황산이 아니므로 부산물로부터 얻어지는 고순도 SO₃,질소투입장치, 발열된 항산과 물의 혼합장치, 폐가스 이송을 위한 특별히 고안된 씰포트(seal port)가 필요없었으나, 초순수 전자급 황산(순도 철 기준 50ppt 이하)을 제조하기 위해서는 순도를 최우선적으로 고려해야 하고, 또한 안정적으로 조업을 할 수 있는 황산 제조장치가 요구되고 있는 실정이다.
Since conventional purity sulfuric acid manufacturing technology is not an electronic grade sulfuric acid, it does not require high purity SO 3 obtained from by-products, a nitrogen introducing device, a mixing device of heated acid-water and water, and a specially designed seal port for waste gas transfer However, in order to produce ultrapure water electronic grade sulfuric acid (50 ppt or less based on purity iron), a purity must be considered as a priority and a device for producing sulfuric acid capable of stable operation is required.

: 국내공개특허 제10-2014-0029425호(2014년 03월 10일 공개): Korean Patent Publication No. 10-2014-0029425 (published on Mar. 10, 2014) : 국내등록특허 제10-0485866호(2005년 04월 19일 등록): Domestic Registration No. 10-0485866 (Registered on Apr. 19, 2005) : 국내등록특허 제10-1006361호(2010년 12월 30일 등록): Domestic Registration No. 10-1006361 (Registered on December 30, 2010)

본 발명은 흡수탑 하단에 균일한 질소를 투입함으로써 철 기준 50ppt 이하의 초순수 전자급 황산 제조를 가능하게 하며, 급격한 발열반응을 미연에 방지하여 안정적으로 황산을 제조하고 안전사고도 미연에 방지할 수 있는 초순수 전자급 황산 제조장치를 제공하는데 있다.The present invention makes it possible to produce ultrapure water electronic grade sulfuric acid having an iron content of not more than 50 ppt by injecting uniform nitrogen into the bottom of the absorber and prevents sudden exothermic reactions beforehand to produce sulfuric acid stably and prevent safety accidents The present invention provides an apparatus for producing an ultrapure water electronic sulfuric acid.

본 발명이 해결하고자 하는 다양한 과제들은 이상에서 언급한 과제들에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
The various problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치는, 스팀을 공급하여 균일한 온도를 유지하기 위한 스팀증발기(100), 흡수탑(absorber) 하단에 위치하고 외부의 공기에 포함된 불순물의 유입을 방지하는 질소가스 주입장치(200), 물과 황산을 섞어주는 혼합장치(300) 및 폐가스를 배출하기 위한 씰포트(400)를 포함하는 초순수 전자급 황산 제조장치에 있어서, 상기 스팀증발기(100)는, 원통형으로 형성되고, 내측에 삼산화황(SO3)이 수용되며, 상측 및 내측 외주면에는 다수개의 밸브가 구비되는 내측 하우징(110); 상기 내측 하우징(110) 외측을 둘러싸도록 구성되고, 상기 내측 하우징(110)과의 사이에 이격 공간을 형성하는 외측 하우징(120); 및 상기 외측 하우징(120) 외주면에 형성되고, 상기 외측 하우징(120) 및 내측 하우징(110) 사이의 이격 공간에 스팀을 주입하기 위한 스팀유입관(130a, 130b, 130c)을 포함한다.The apparatus for producing ultrapure water electronic sulfuric acid according to the present invention comprises a steam evaporator 100 for maintaining a uniform temperature by supplying steam, a nitrogen evaporator 100 located at the lower end of the absorber for preventing inflow of impurities contained in the outside air, 1. An apparatus for producing ultrapure water electronic sulfuric acid, comprising: a gas injector (200); a mixing device (300) for mixing water and sulfuric acid; and a seal port (400) for discharging waste gas, wherein the steam evaporator An inner housing 110 in which sulfur trioxide SO 3 is accommodated in an inner side, and a plurality of valves are provided in an upper and an inner peripheral side; An outer housing 120 configured to surround the outer side of the inner housing 110 and forming a space between the inner housing 110 and the inner housing 110; And steam inlet pipes 130a, 130b and 130c formed on the outer circumferential surface of the outer housing 120 for injecting steam into the spaces between the outer housing 120 and the inner housing 110. [

상기 스팀유입관(130a, 130b, 130c)은, 제1 스팀유입관(130a), 제2 스팀유입관(130b) 및 제3 스팀 유입관을 포함하고, 상기 제1 스팀유입관(130a), 제2 스팀유입관(130b) 및 제3 스팀유입관(130c)은 120°의 간격으로 이격되게 배치되며, 상기 외측 하우징(120)의 수직면에서 일정한 각도로 기울어지도록 비스듬하게 형성될 수 있다.The steam inlet pipes 130a, 130b and 130c include a first steam inlet pipe 130a, a second steam inlet pipe 130b and a third steam inlet pipe. The first steam inlet pipe 130a, The second steam inlet pipe 130b and the third steam inlet pipe 130c are spaced apart from each other by an interval of 120 ° and may be formed obliquely to be inclined at a predetermined angle from a vertical plane of the outer housing 120.

상기 질소가스 주입장치(200)는, 삼산화황(SO3)과 질소(N2) 가스가 유입되어 혼합되는 주입통(210); 상기 주입통(210) 외주면 일측에 구비되고, 삼산화황(SO3)을 주입하기 위하여 구비되는 삼산화황(SO3) 유입관(220); 및 상기 삼산화황(SO3) 유입관(220)과 대향된 상기 주입통(210) 외주면 타측에 위치하고, 질소(N2) 가스를 주입하기 위하여 구비되는 질소(N2) 가스 유입관(230)을 포함할 수 있다.The nitrogen gas injector 200 includes an injection cylinder 210 into which sulfur trioxide (SO 3 ) and nitrogen (N 2 ) gas are introduced and mixed; The injection tube 210 is provided on the outer peripheral surface side, sulfur trioxide (SO 3), inlet pipe which is provided to the injection of sulfur trioxide (SO 3) (220); And the sulfur trioxide (SO 3), inlet pipe (220) and oppositely the injection tube 210 is located on the outer peripheral surface the other side, a nitrogen (N 2), nitrogen (N 2) gas inlet pipe 230 provided to the gas inlet .

상기 삼산화황(SO3) 유입관(220)은, 상기 주입통(210) 내측으로 연장 형성되고, 상기 삼산화황(SO3) 유입관(220)의 일단은 상기 주입통(210) 내측 하부 방향으로 절곡되게 구성될 수 있다.The SO 3 inlet pipe 220 is extended to the inside of the injection cylinder 210 and one end of the SO 3 inlet pipe 220 is bent in the downward direction inside the injection cylinder 210. . ≪ / RTI >

상기 혼합장치(300)는, 내측에 수용공간이 형성되어 초순수(Ultra pure water)(H2O)와 황산(H2SO4)이 혼합되는 혼합조(310); 상기 혼합조(310) 일측 외주면에 형성되고, 상기 혼합조(310) 내부로 초순수(Ultra pure water)(H2O)를 유입하기 위한 초순수 유입관(320); 상기 혼합조(310) 하부면 일측에 형성되고, 상기 혼합조(310) 내부로 황산(H2SO4)을 유입하기 위한 황산 유입관(330); 상기 혼합조(310) 내측에 위치하고, 나선형의 코일 형상으로 구성되는 회전코일(340); 및 상기 혼합조(310) 상부에서 혼합된 초순수(Ultra pure water)(H2O)와 황산(H2SO4)의 혼합물을 상기 혼합조(310) 외측으로 배출하기 위한 혼합 유출관(350)을 포함할 수 있다.The mixing apparatus 300 includes a mixing tank 310 in which an ultrapure water (H 2 O) and sulfuric acid (H 2 SO 4 ) are mixed, the mixing chamber 310 having a receiving space formed inside thereof; An ultrapure water inflow pipe 320 formed at an outer circumferential surface of one side of the mixing tank 310 for introducing ultra pure water (H 2 O) into the mixing tank 310; A sulfuric acid inflow pipe 330 formed at one side of the lower surface of the mixing tank 310 for introducing sulfuric acid (H 2 SO 4 ) into the mixing tank 310; A rotation coil 340 located inside the mixing chamber 310 and configured in a helical coil shape; And a mixed outflow pipe 350 for discharging a mixture of ultrapure water (H 2 O) and sulfuric acid (H 2 SO 4 ) mixed on the mixing tank 310 to the outside of the mixing tank 310, . ≪ / RTI >

상기 회전코일(340)은, 일단은 상기 황산 유입관(330)과 연결되고, 타단이 혼합 유출관(350) 위치까지 회전되어 연장 형성되며, 타단은 상기 혼합 유출관(350)과 일정한 이격거리를 가지도록 구성될 수 있다.The other end of the rotating coil 340 is connected to the sulfuric acid inflow pipe 330 and the other end is rotated to a position of the mixing outflow pipe 350 and the other end is connected to the mixing outflow pipe 350 at a predetermined distance . ≪ / RTI >

상기 씰포트(400)는, 내측에 공간이 형성되어 일정량의 물이 수용되는 씰포트 하우징(410); 상기 씰포트 하우징(410) 외주면에 형성되고, 상기 씰포트 하우징(410) 내측에 일정량의 물을 공급하는 물 유입관(420); 상기 물 유입관(420)과 일정 높이 이격된 하측에 구비되고, 상기 씰포트 하우징(410) 내측에 수용된 물의 상단 높이보다 높은 위치에 형성되는 가스 유입관(430); 상기 씰포트 하우징(410) 외주면 일측에 위치하고 상기 씰포트 하우징(410) 내측에 수용된 물의 높이를 조절하기 위하여 구비되는 오버플로우관(440); 상기 씰포트 하우징(410) 외주면 하측에 위치하고, 상기 씰포트 하우징(410) 내측에 수용된 물을 배출할 수 있도록 하는 드레인관(450); 및 상기 씰포트 하우징(410) 외주면 상단에 위치하고 상기 씰포트 하우징(410) 내측에서 수용된 폐가스를 외부로 배출하기 위한 가스 배출관(460)을 포함할 수 있다.The seal port 400 includes a seal port housing 410 having a space formed therein and receiving a predetermined amount of water; A water inlet pipe 420 formed on an outer circumferential surface of the seal port housing 410 to supply a predetermined amount of water to the inside of the seal port housing 410; A gas inlet pipe 430 provided at a lower side spaced apart from the water inlet pipe 420 by a predetermined height and formed at a position higher than an upper end height of water contained in the seal port housing 410; An overflow pipe (440) located at one side of the outer circumferential surface of the seal port housing (410) and provided to adjust the height of water contained in the seal port housing (410); A drain pipe 450 located below the outer circumferential surface of the seal port housing 410 and capable of discharging water contained in the seal port housing 410; And a gas discharge pipe 460 disposed at the upper end of the outer circumferential surface of the seal port housing 410 and discharging the waste gas contained in the seal port housing 410 to the outside.

상기 가스 유입관(430) 일단은 하측 방향으로 절곡되게 형성되어 상기 가스 유입관(430)을 통해 유입되는 가스가 상기 씰포트 하우징(410) 내측에 수용된 물속으로 배출될 수 있도록 할 수 있다.One end of the gas inlet pipe 430 is bent downward so that the gas introduced through the gas inlet pipe 430 can be discharged into the water accommodated inside the seal port housing 410.

기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치는 흡수탑 하단에 균일한 질소를 투입함으로써 철 기준 50ppt 이하의 초순수 전자급 황산 제조를 가능하게 하며, 급격한 발열반응을 미연에 방지하여 안정적으로 황산을 제조하고 안전사고도 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.The apparatus for producing ultrapure water electronic sulfuric acid according to the present invention enables the production of ultrapure water electronic grade sulfuric acid of not more than 50 ppt on the basis of iron by injecting uniform nitrogen into the bottom of the absorption tower and prevents the rapid exothermic reaction in advance to produce sulfuric acid stably It is possible to prevent a safety accident from occurring.

본 발명의 기술적 사상의 실시 예는, 구체적으로 언급되지 않은 다양한 효과를 제공할 수 있다는 것이 충분히 이해될 수 있을 것이다.
It will be appreciated that embodiments of the technical idea of the present invention can provide various effects not specifically mentioned.

도 1은 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 스팀증발기의 배치를 보여주기 위한 개략적인 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 질소가스 주입장치, 혼합장치 및 씰포트의 배치를 보여주기 위한 개략적인 도면이다.
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 스팀증발기를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 질소가스 주입장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 혼합장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 씰포트를 설명하기 위한 도면이다.
1 is a schematic view showing the arrangement of a steam evaporator in an apparatus for producing ultra-pure water electronic sulfuric acid according to the present invention.
2 is a schematic view showing the arrangement of a nitrogen gas injection device, a mixing device, and a seal port in an ultrapure water electronic sulfuric acid production apparatus according to the present invention.
3 and 4 are views for explaining a steam evaporator in an ultrapure water electronic sulfuric acid production apparatus according to the present invention.
5 is a view for explaining a nitrogen gas injection device in an ultrapure water electronic sulfuric acid production apparatus according to the present invention.
6 is a view for explaining a mixing apparatus in an ultrapure water electronic sulfuric acid production apparatus according to the present invention.
7 is a view for explaining a seal port in an ultrapure water electronic sulfuric acid production apparatus according to the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and how to accomplish them, will become apparent by reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thicknesses of layers and regions are exaggerated for clarity.

상단, 하단, 상면, 하면, 또는 상부, 하부 등의 용어는 구성요소에 있어 상대적인 위치를 구별하기 위해 사용되는 것이다. 예를 들어, 편의상 도면상의 위쪽을 상부, 도면상의 아래쪽을 하부로 명명하는 경우, 실제에 있어서는 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 상부는 하부로 명명될 수 있고, 하부는 상부로 명명될 수 있다.Terms such as top, bottom, top, bottom, or top, bottom, etc. are used to distinguish relative positions in components. For example, in the case of naming the upper part of the drawing as upper part and the lower part as lower part in the drawings for convenience, the upper part may be named lower part and the lower part may be named upper part without departing from the scope of right of the present invention .

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 고안의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1구성요소는 제2구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2구성요소는 제1구성요소로 명명될 수 있다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may be referred to as a first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the relevant art and are to be construed as ideal or overly formal in meaning unless explicitly defined in the present application Do not.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에 대한 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다.
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiments of an ultrapure water electronic sulfuric acid production apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 스팀증발기의 배치를 보여주기 위한 개략적인 도면이고, 도 2는 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 질소가스 주입장치, 혼합장치 및 씰포트의 배치를 보여주기 위한 개략적인 도면이며, 도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 스팀증발기를 설명하기 위한 도면이고, 도 5는 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 질소가스 주입장치를 설명하기 위한 도면이며, 도 6은 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 혼합장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 7은 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 씰포트를 설명하기 위한 도면이다.
FIG. 1 is a schematic view showing an arrangement of a steam evaporator in an ultrapure water electronic sulfuric acid production apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a schematic view showing the arrangement of a steam evaporator in an ultrapure water electronic sulfuric acid production apparatus according to the present invention. 3 and 4 are views for explaining a steam evaporator in an ultrapure water electro-sulfuric acid production apparatus according to the present invention, and FIG. 5 is a schematic view for explaining the arrangement of the ultra- 6 is a view for explaining a mixing device in an apparatus for producing ultrapure water electronic sulfuric acid according to the present invention, and FIG. 7 is a view for explaining a nitrogen gas introducing device in an apparatus for producing ultrapure water electronic sulfuric acid according to the present invention. Fig. 8 is a view for explaining a seal port. Fig.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치는 철 기준 50ppt 이하의 초순수 전자급 황산 제조를 가능하게 하며, 급격한 발열반응을 미연에 방지하여 안정적으로 황산을 제조하고 안전사고도 미연에 방지할 수 있다. 황산은 가장 중요한 기본 화학물질 중 하나로, 상업적 규모상 그 제조는 (1) 이산화황(SO2)의 제조단계, (2) 이산화황(SO2)에서 삼산화황(SO3)으로의 산화 단계, (3) 삼산화황(SO3)에서 황산(H2SO4)으로의 전화단계로 실시한다. 전형적인 황산의 제조 방법은 또한 문헌에서 접촉 공정이라고도 칭한다. 원소 황은 황산 제조에 있어서 출발 물질로서 작용할 수 있다. 그것은 정유소에서의 원유 또는 천연 가스의 탈황화에서, 또는 황화물 광석의 로스팅(roasting)에서 뿐만 아니라 석탄 화력 발전소로부터 유래된 플루 가스의 탈황화에서 발생한다. 황이 원료로서 작용하는 경우, 이산화황은 원자화 버너(atomization burner)에서 황의 연소에 의해 생성되고, 이로써 액체 황은 고압에서 버너 노즐 내로 가압된다.1 to 7, the apparatus for producing ultrapure water electronic sulfuric acid according to the present invention is capable of producing ultrapure water electronic grade sulfuric acid having a purity of 50 ppt or less based on iron, preventing sudden exothermic reaction in advance, Accidents can also be prevented. Sulfuric acid is one of the most important basic chemicals, commercial scale the manufacturing the oxidation step of (1) a step for preparing a sulfur dioxide (SO 2), (2) sulfur dioxide (SO 2) sulfur trioxide (SO 3) in (3) It is carried out in the telephone phase from sulfur trioxide (SO 3 ) to sulfuric acid (H 2 SO 4 ). A typical method for producing sulfuric acid is also referred to as a contact process in the literature. Elemental sulfur can act as a starting material in the manufacture of sulfuric acid. It occurs in the desulfurization of crude oil or natural gas at refineries, or in the roasting of sulphide ores, as well as in the desulfurization of flu gases from coal-fired power plants. When sulfur acts as a raw material, sulfur dioxide is produced by the combustion of sulfur in an atomization burner, whereby the liquid sulfur is pressurized into the burner nozzle at high pressure.

이산화황은 또한 황화수소를 함유하는 폐가스, 예를 들면 코크 오븐 가스의 정제에서 생성되는 것의 연소 또는 접촉 전환에 의해 생성될 수도 있다.Sulfur dioxide may also be produced by combustion or contact conversion of a waste gas containing hydrogen sulphide, for example, produced in the purification of coke oven gas.

본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치는 종래의 황산 제조장치에서 급격한 발열반응이 일어남으로써 야기되는 초순수 전자급 황산의 제조시 순도와 안정성 및 생산성의 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명에 따른 일 실시예에서는 본 발명에서 개선된 황산 제조 공정에 사용되는 장치들을 중점적으로 설명하기로 하고, 황산을 제조하는 공정은 공지된 구성이므로 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다. 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치는 스팀증발기(100), 질소가스 주입장치(200), 혼합장치(300) 및 씰포트(400)를 포함하여 구성될 수 있다.The apparatus for producing ultrapure water electronic sulfuric acid according to the present invention has been developed in order to solve the problem of purity, stability and productivity in the production of ultrapure water electronic grade sulfuric acid caused by the occurrence of a rapid exothermic reaction in a conventional apparatus for producing sulfuric acid. In an embodiment of the present invention, the devices used in the improved sulfuric acid production process will be mainly described, and the process for producing sulfuric acid is a well-known configuration, and thus a detailed description thereof will be omitted. The apparatus for producing ultrapure water electronic sulfuric acid according to the present invention may include a steam evaporator 100, a nitrogen gas injector 200, a mixing device 300, and a seal port 400.

상기 스팀증발기(100)는 3 방향으로 스팀을 공급하여 균일한 온도를 유지하기 위한 것으로, 삼산화황(SO3)을 증발시키기 위하여 구비되고, 상기 스팀증발기(100)는 발연 황산으로부터의 액체 방울(안개)의 방출을 극히 낮은 수준으로 유지시킬 수 있다. 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 상기 스팀증발기(100)는 내측 하우징(110), 외측 하우징(120) 및 스팀유입관(130a, 130b, 130c)을 포함한다.The steam evaporator 100 is provided for supplying steam in three directions to maintain a uniform temperature and is provided for evaporating sulfur trioxide (SO 3 ), and the steam evaporator 100 is provided with a liquid droplet ) Can be kept at an extremely low level. In the ultrapure water electronic sulfuric acid production apparatus according to the present invention, the steam evaporator 100 includes an inner housing 110, an outer housing 120, and steam inlet pipes 130a, 130b and 130c.

상기 내측 하우징(110)은 원통형으로 형성되고, 내측에 삼사화황(SO3)이 수용되며, 상기 내측 하우징(110) 상측 및 내측 외주면에는 다수개의 밸브가 구비될 수 있다. 상기 내측 하우징(110)은 외주면 상의 이격 공간으로 유입된 스팀에 의해 열이 전달받고, 상기 전달된 열은 내측에 수용된 삼산화황(SO3)을 증발시킬 수 있다.The inner housing 110 is formed in a cylindrical shape, inside the third and fourth generation, the sulfur (SO 3) a is received, the inner housing 110 and the upper inner peripheral surface may be provided with a plurality of valves. The inner housing 110 receives heat by the steam flowing into the spaced space on the outer circumferential surface, and the transferred heat can evaporate the sulfur trioxide SO 3 contained in the inner housing 110.

상기 외측 하우징(120)은 상기 내측 하우징(110) 외측에 구비되고, 상기 내측 하우징(110)의 외주면 보다 직경이 더 큰 원통형으로 형성될 수 있다. 상기 외측 하우징(120)은 내측에 내측 하우징(110)을 수용하는데, 상기 내측 하우징(110)에 수용된 삼산화황(SO3)의 높이보다 조금 더 높게 구성함으로써 삼산화황(SO3)을 증발시키는 스팀의 주입 효율을 최대화할 수 있다.The outer housing 120 may be formed on the outer side of the inner housing 110 and may have a larger diameter than the outer circumference of the inner housing 110. The outer housing 120 accommodates the inner housing 110 on the inner side and is configured to be slightly higher than the height of the sulfur trioxide SO 3 contained in the inner housing 110 to inject steam for evaporating sulfur trioxide SO 3 The efficiency can be maximized.

상기 스팀유입관(130a, 130b, 130c)은 상기 외측 하우징(120) 외주면에 형성되고, 상기 외측 하우징(120) 및 내측 하우징(110) 사이의 이격 공간에 스팀을 주입하기 위하여 구비될 수 있다. 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 상기 스팀유입관(130a, 130b, 130c)은 제1 스팀유입관(130a), 제2 스팀유입관(130b) 및 제3 스팀 유입관을 포함하는데, 상기 제1 스팀유입관(130a), 제2 스팀유입관(130b) 및 제3 스팀유입관(130c)은 상기 내측 하우징(110)으로의 열전달을 최대화하기 위하여 120°의 간격으로 이격되게 배치될 수 있다. 상기 제1 스팀유입관(130a), 제2 스팀유입관(130b) 및 제3 스팀유입관(130c)을 통해 주입된 스팀은 상기 내측 하우징(110) 및 내측 하우징(110) 사이의 이격 공간으로 유입되고, 이격공간으로 유입된 스팀은 내측 하우징(110)에 수용된 삼산화황(SO3)을 증발시키는 열원으로 작용할 수 있다. 상기 제1 스팀유입관(130a), 제2 스팀유입관(130b) 및 제3 스팀유입관(130c)은 상기 외측 하우징(120)의 수직면에서 일정한 각도로 기울어지도록 비스듬하게 형성될 수 있고, 이러한 구성에 의해 상기 내측 하우징(110) 및 외측 하우징(120) 사이의 이격 공간으로 유입되는 스팀의 내부저항을 최소화할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 상기 스팀유입관(130a, 130b, 130c)은 제1 스팀유입관(130a), 제2 스팀유입관(130b) 및 제3 스팀 유입관을 구비하여 스팀을 주입함으로써, 상기 스팀증발기(100) 내측의 온도 분포를 균일하게 할 수 있어 종래의 스팀증발기(100) 구조보다 온도 효율을 향상시킬 수 있다.The steam inlet pipes 130a, 130b and 130c are formed on the outer circumferential surface of the outer housing 120 and may be provided to inject steam into the spaces between the outer housing 120 and the inner housing 110. [ The steam inlet pipes 130a, 130b and 130c include a first steam inlet pipe 130a, a second steam inlet pipe 130b, and a third steam inlet pipe. In the ultrapure water electronic sulfuric acid producing apparatus according to the present invention, The first steam inlet pipe 130a, the second steam inlet pipe 130b and the third steam inlet pipe 130c are spaced apart by an interval of 120 ° in order to maximize the heat transfer to the inner housing 110 . Steam injected through the first steam inlet pipe 130a, the second steam inlet pipe 130b and the third steam inlet pipe 130c flows into the space between the inner housing 110 and the inner housing 110 And the steam introduced into the separated space may serve as a heat source for evaporating SO 3 contained in the inner housing 110. The first steam inlet pipe 130a, the second steam inlet pipe 130b and the third steam inlet pipe 130c may be formed obliquely to be inclined at a predetermined angle from the vertical plane of the outer housing 120, The internal resistance of the steam flowing into the spacing space between the inner housing 110 and the outer housing 120 can be minimized. In the ultrapure water electronic sulfuric acid production apparatus according to the present invention, the steam inlet pipes 130a, 130b and 130c include a first steam inlet pipe 130a, a second steam inlet pipe 130b and a third steam inlet pipe The temperature distribution inside the steam evaporator 100 can be uniformed by injecting steam, so that the temperature efficiency can be improved more than the conventional steam evaporator 100 structure.

상기 질소가스 주입장치(200)는 흡수탑(absorber) 하단에 위치하고, 삼산화황(SO3)의 흡수와 효율을 향상시켜 안정적인 압력 조건으로 조업이 원만하게 이루어질 수 있도록 하기 위하여 구비될 수 있다. 상기 질소가스 주입장치(200)는 질소(N2) 가스의 압력을 이용하여 외부의 공기에서 유입되는 불순물을 제거하기 위하여 구비될 수 있다. 종래의 질소가스 주입장치(200)에서는 질소(N2) 가스가 일측으로 편향(偏向)되어 흡수와 효율이 감소하고 압력이 불안정하여 안정적인 조업이 이루어지지 못하였으나, 본 발명에 따른 질소가스 주입장치(200)를 이용하여 질소(N2) 가스를 흡수탑 하부로 주입하면 상기 질소(N2) 가스가 균일하게 분산되어 삼산화황(SO3)의 흡수와 효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 상기 질소가스 주입장치(200)는 질소의 유입에 의해 내부 압력을 상승시켜 줌으로써 외부의 공기에 포함된 불순물의 유입을 방지할 수 있다. 상기 질소가스 주입장치(200)는 주입통(210), 삼산화황(SO3) 유입관 및 질소(N2) 가스 유입관(230)을 포함한다.The nitrogen gas injector 200 may be disposed at the lower end of the absorber to improve the absorption and efficiency of sulfur trioxide (SO 3 ), thereby enabling smooth operation under a stable pressure condition. The nitrogen gas injector 200 may be provided to remove impurities introduced from the outside air by using the pressure of nitrogen (N 2 ) gas. In the conventional nitrogen gas injector 200, the nitrogen (N 2 ) gas is deflected to one side, and the absorption and efficiency are decreased, and the stable operation is not achieved due to unstable pressure. However, 200 using nitrogen (N 2) When injecting gas into the absorption tower bottoms may have a nitrogen (N 2) gas is uniformly dispersed and improve the absorption efficiency of sulfur trioxide (SO 3). That is, in the apparatus for producing ultra-pure water sulfuric acid according to the present invention, the nitrogen gas injector 200 can prevent the inflow of impurities contained in the outside air by raising the internal pressure by the introduction of nitrogen. The nitrogen gas injector 200 includes an injection tube 210, a sulfur trioxide (SO 3 ) inlet tube, and a nitrogen (N 2 ) gas inlet tube 230.

상기 주입통(210)은 삼산화황(SO3)과 질소(N2) 가스가 유입되어 혼합되는 곳으로, 일정한 내측 공간이 형성된 통형상으로 구성될 수 있다. 본 발명에서 상기 주입통(210) 내측에는 삼산화황(SO3)의 유입 이외에 질소(N2) 가스의 유입이 동시에 이루어짐으로써 상기 주입통(210) 내측의 압력이 상승하고, 이에 따라 외부의 공기에 포함된 불순물의 유입이 방지될 수 있어 순도가 높은 전자급 황산을 제조할 수 있다.The injection cylinder 210 may be formed in a cylindrical shape having a constant inner space formed by mixing sulfur trioxide (SO 3 ) and nitrogen (N 2 ) gas. In the present invention, nitrogen (N 2 ) gas is simultaneously introduced into the injection cylinder 210 in addition to the inflow of sulfur trioxide (SO 3 ), so that the pressure inside the injection cylinder 210 rises, The introduction of the contained impurities can be prevented, so that the electron-rich sulfuric acid having high purity can be produced.

상기 삼산화황(SO3) 유입관(220)은 상기 주입통(210) 외주면 일측에 구비되고, 삼산화황(SO3)을 주입하기 위하여 구비될 수 있다. 상기 삼산화황(SO3) 유입관(220)은 상기 주입통(210) 내측으로 연장 형성되는데, 상기 삼산화황(SO3) 유입관(220)의 일단은 상기 주입통(210) 내측 하부 방향으로 절곡되게 구성될 수 있다. 상기한 구성에 의해 상기 삼산화황(SO3) 유입관(220)을 통해 주입된 삼산화황(SO3)은 상기 주입통(210) 내측 하부 방향으로 유입되어 상기 삼산화황(SO3)의 흡수 효율이 향상될 수 있다.The sulfur trioxide (SO 3 ) inlet pipe 220 is provided on one side of the outer circumferential surface of the injection cylinder 210 and may be provided for injecting sulfur trioxide (SO 3 ). The SO 3 inlet pipe 220 extends to the inside of the injection cylinder 210 and one end of the SO 3 inlet pipe 220 is bent in a downward direction inside the injection cylinder 210 Lt; / RTI > The above arrangement wherein the sulfur trioxide (SO 3), the inlet pipe 220 to a sulfur trioxide (SO 3) injected through is introduced into an inner bottom direction of the injection tube 210 is improved absorption efficiency of the sulfur trioxide (SO 3) .

상기 질소(N2) 가스 유입관(230)은 상기 삼산화황(SO3) 유입관(220)과 대향된 상기 주입통(210) 외주면 타측에 구비되고, 질소(N2) 가스를 주입하기 위하여 구비될 수 있다. 상기 질소(N2) 가스 유입관(230)은 상기 주입통(210) 내측으로 연장 형성되고, 상기 질소(N2) 가스의 유입에 의해 상기 주입통(210)의 내부 압력은 종래의 황산 제조장치에 채용된 주입통(210)보다 더 높게 상승하게 되는데, 이러한 질소(N2) 가스에 의해 상승된 내부 압력이 외부의 공기에 포함된 불순물의 유입을 방지하고, 결과적으로 순도가 높은 전자급 황산을 제조할 수 있다. 즉, 초순수 전자급 황산 제조장치에서 황산을 제조하기 위한 공정내의 압력이 불안하면 불순물이 증가하고 황산의 생산성이 저하되게 되는데, 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서와 같이 흡수탑 하단에 질소(N2) 가스를 투입함으로써 순도를 높일 수 있고 안정적인 초순수 전자급 황산을 생산할 수 있다.The nitrogen (N 2 ) gas inlet pipe 230 is provided on the other side of the outer circumferential surface of the injection cylinder 210 facing the sulfur trioxide (SO 3 ) inlet pipe 220 and is provided for injecting nitrogen (N 2 ) . The nitrogen (N 2 ) gas inlet pipe 230 is extended to the inside of the injection cylinder 210 and the internal pressure of the injection cylinder 210 is increased by the introduction of the nitrogen (N 2 ) The internal pressure raised by the nitrogen (N 2 ) gas prevents the inflow of the impurities contained in the external air, and as a result, the high purity electronic grade Sulfuric acid can be produced. That is, when the pressure in the process for producing sulfuric acid in the ultrapure water electronic sulfuric acid production apparatus is unstable, the impurities increase and the productivity of sulfuric acid decreases. In the apparatus for producing ultrapure water electronic sulfuric acid according to the present invention, (N 2 ) gas can be added to increase the purity and to produce stable ultrapure water electronic grade sulfuric acid.

상기 혼합장치(300)는 물과 황산을 섞어주는 장치로, 물과 황산이 혼합되는 지점에 배치될 수 있다. 초순수 전자급 황산의 제조 과정에서는 초순수(Ultra pure)의 물이 필수적으로 투입되어야 하는데, 이때 물과 황산이 반응하면 급격한 발열반응(100℃ 이상의 고온 반응)이 일어나게 되어 열교환기가 매우 불안정하게 되고, 이로 인하여 황산 제조 공정 전체가 과열되므로 생산성 저하와 초순수의 전자급 황산을 생산할 수 없다. 따라서, 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서와 같은 혼합장치(300)를 배치함으로써 물과 황산에 의한 급격한 발열반응을 미연에 방지하여 초순수 전자급 황산의 제조를 원활히 할 수 있고, 급격한 발열반응을 사전에 방지함으로써 안전사고도 예방할 수 있다. 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 상기 혼합장치(300)는 물과 황산을 간접적으로 접촉하게 함으로써 급격한 발열반응을 방지하여 안전한 조업과 온도 조절을 가능하게 할 수 있다. 상기 혼합장치(300)는 혼합조(310), 초순수 유입관(320), 황산 유입관(330), 회전코일(340) 및 혼합 유출관(350)을 포함한다.The mixing device 300 is a device for mixing water and sulfuric acid, and may be disposed at a point where water and sulfuric acid are mixed. In the process of producing ultrapure water electronic sulfuric acid, water of ultrapure must be introduced. When water and sulfuric acid are reacted, a sudden exothermic reaction (high temperature reaction at 100 ° C or more) occurs and the heat exchanger becomes very unstable. The whole sulfuric acid production process is overheated, so that the productivity is lowered and the electron-rich sulfuric acid of ultrapure water can not be produced. Therefore, by arranging the mixing device 300 as in the ultrapure water electronic sulfuric acid production apparatus according to the present invention, it is possible to prevent the rapid exothermic reaction caused by water and sulfuric acid in advance, thereby making it possible to smoothly manufacture ultrapure water electronic grade sulfuric acid, By preventing the reaction in advance, safety accidents can be prevented. In the apparatus for producing ultrapure water electronic sulfuric acid according to the present invention, the mixing device 300 can prevent sudden exothermic reaction by indirectly bringing water and sulfuric acid into contact with each other, thereby enabling safe operation and temperature control. The mixing device 300 includes a mixing tank 310, an ultrapure water inflow pipe 320, a sulfuric acid inflow pipe 330, a rotation coil 340, and a mixed outflow pipe 350.

상기 혼합조(310)는 내측에 수용공간이 형성된 통 형상으로 초순수(Ultra pure water)(H2O)와 황산(H2SO4)이 혼합될 수 있다. 상기 혼합조(310)는 하측 외주면에서 초순수(Ultra pure water)(H2O)와 황산(H2SO4)이 각각 유입되고, 상기 혼합조(310) 내부에서 혼합되며, 상기 혼합된 초순수(Ultra pure water)(H2O)와 황산(H2SO4)이 상측 외주면으로 유출될 수 있다.The mixing tank 310 may be a mixture of ultrapure water (H 2 O) and sulfuric acid (H 2 SO 4 ) in a cylindrical shape having a receiving space formed therein. Ultra pure water (H 2 O) and sulfuric acid (H 2 SO 4 ) are introduced into the mixing tank 310 from the lower outer circumferential surface, mixed in the mixing tank 310, and the mixed ultra pure water Ultra pure water (H 2 O) and sulfuric acid (H 2 SO 4 ) can flow out to the upper outer circumferential surface.

상기 초순수 유입관(320)은 상기 혼합조(310) 일측 외주면에 형성되고, 상기 혼합조(310) 내부로 초순수(Ultra pure water)(H2O)를 유입하기 위하여 구비될 수 있다. 상기 초순수 유입관(320)은 상기 혼합조(310)의 하부 측방향에 형성될 수 있다.The ultrapure water inflow pipe 320 is formed on the outer circumferential surface of one side of the mixing tank 310 and may be provided to introduce ultra pure water H 2 O into the mixing tank 310. The ultrapure water inflow pipe 320 may be formed in a lower side of the mixing chamber 310.

상기 황산 유입관(330)은 상기 혼합조(310) 하부면 일측에 형성되고, 상기 혼합조(310) 내부로 황산(H2SO4)을 유입하기 위하여 구비될 수 있다. 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치에서 상기 황산 유입관(330)은 상기 혼합조(310) 하부면 일측에 형성되고, 상기 혼합조(310) 내측에 위치하는 회전코일(340)의 일단과 연결될 수 있다. 상기 황산 유입관(330)은 상기 회전코일(340)의 일단과 연결되고, 상기 황산 유입관(330)을 통해 유입되는 황산(H2SO4)은 상기 회전코일(340)의 내부를 관통하여 상기 혼합조(310) 상부로 이송될 수 있다.The sulfuric acid inflow pipe 330 is formed at one side of the lower surface of the mixing tank 310 and may be provided to introduce sulfuric acid (H 2 SO 4 ) into the mixing tank 310. In the ultrapure water electronic sulfuric acid production apparatus according to the present invention, the sulfuric acid inflow pipe 330 is formed at one side of the lower surface of the mixing tank 310, and has one end of the rotation coil 340 located inside the mixing tank 310 Can be connected. The sulfuric acid inlet pipe 330 is connected to one end of the rotating coil 340 and the sulfuric acid (H 2 SO 4 ) flowing through the sulfuric acid inlet pipe 330 passes through the inside of the rotating coil 340 And may be transferred to an upper portion of the mixing tank 310.

상기 회전코일(340)은 상기 혼합조(310) 내측에 위치하고, 나선형의 코일 형상으로 구성될 수 있다. 상기 회전코일(340)은 일단이 상기 황산 유입관(330)과 연결되고, 타단이 혼합 유출관(350) 위치까지 회전되어 연장 형성될 수 있다. 상기 회전코일(340)은 내측이 중공되고, 중공된 회전코일(340) 내측으로 상기 황산 유입관(330)에서 유입된 황산이 이동될 수 있다. 상기 회전코일(340)의 타단은 혼합 유출관(350) 높이까지 연장 형성되는데, 상기 회전코일(340)의 타단은 상기 혼합 유출관(350)과 일정한 이격거리를 가지도록 구성될 수 있다. 상기 황산 유입관(330)을 통해 유입된 황산은 상기 회전코일(340)의 일단을 통해 유입되어 상기 회전코일(340)의 타단에서 배출되는데, 상기 회전코일(340)의 타단에서 배출된 황산은 상기 초순수 유입관(320)을 통해 유입된 초순수와 반응하게 되고, 이러한 구성에 의해 초순수(Ultra pure water)(H2O)와 황산(H2SO4)의 혼합에 의한 급격한 발열반응을 방지함으로써 안전한 조업과 온도 조절을 가능하게 할 수 있다.The rotation coils 340 may be located inside the mixing chamber 310 and may have a helical coil shape. One end of the rotation coil 340 may be connected to the sulfuric acid inflow pipe 330 and the other end may be extended to the position of the mixing outflow pipe 350 to be extended. The rotating coil 340 is hollow inside and the sulfuric acid introduced from the sulfuric acid inflow pipe 330 can be moved inside the hollow rotating coil 340. The other end of the rotation coil 340 extends to a height of the mixing outflow pipe 350. The other end of the rotation coil 340 may be spaced apart from the mixing outflow pipe 350 by a predetermined distance. The sulfuric acid introduced through the sulfuric acid inflow pipe 330 flows through one end of the rotary coil 340 and is discharged from the other end of the rotary coil 340. The sulfuric acid discharged from the other end of the rotary coil 340 And reacts with the ultrapure water introduced through the ultrapure water inflow pipe 320. By this configuration, it is possible to prevent a rapid exothermic reaction due to the mixing of ultrapure water (H 2 O) and sulfuric acid (H 2 SO 4 ) Safe operation and temperature control can be enabled.

상기 혼합 유출관(350)은 상기 혼합조(310) 상부에서 혼합된 초순수(Ultra pure water)(H2O)와 황산(H2SO4)의 혼합물을 상기 혼합조(310) 외측으로 배출하기 위하여 구비될 수 있다. 상기 혼합 유출관(350)은 상기 혼합조(310) 상부 일측 외주면에 형성될 수 있다.The mixed outflow pipe 350 discharges a mixture of ultra pure water (H 2 O) and sulfuric acid (H 2 SO 4 ) mixed in the upper part of the mixing tank 310 to the outside of the mixing tank 310 . The mixed outflow pipe 350 may be formed on the outer circumferential surface of one side of the mixing chamber 310.

상기 씰포트(400)는 초순수 전자급 황산 제조장치에서 생성되는 폐가스를 안정적으로 배출하고, 폐가스의 시스템(초순수 전자급 황산 제조장치) 내로의 역류를 방지하기 위하여 구비될 수 있다. 일반적으로 황산을 제조하는 과정에서는 폐가스가 필수적으로 탈기탑에 배출되어야 하는데, 본 발명에 따른 씰포트(Seal Port)(400)를 장착함으로써 안정적으로 폐가스가 배출됨과 동시에 배출된 폐가스가 공정 내로 유입되지 않도록 함으로써 황산을 제조하는 전체 공정이 원활하게 이루어질 수 있다. 상기 씰포트(400)는 씰포트 하우징(410), 물 유입관(420), 가스 유입관(430), 오버플로우관(440), 드레인관(450) 및 가스 배출관(460)을 포함한다.The seal port 400 may be provided to stably discharge the waste gas generated in the ultrapure water electro-sulfuric acid production apparatus and to prevent back flow into the waste gas system (ultrapure water electronic grade sulfuric acid production apparatus). Generally, in the process of producing sulfuric acid, the waste gas must be discharged to the degassing column. By installing the seal port 400 according to the present invention, waste gas is stably discharged and the discharged waste gas does not flow into the process The entire process of producing sulfuric acid can be smoothly performed. The seal port 400 includes a seal port housing 410, a water inflow pipe 420, a gas inflow pipe 430, an overflow pipe 440, a drain pipe 450, and a gas discharge pipe 460.

상기 씰포트 하우징(410)은 내측에 공간이 형성된 통 형상으로, 상기 씰포트 하우징(410) 내측에는 일정량의 물이 수용될 수 있다.The seal port housing 410 has a cylindrical shape with a space formed therein. A predetermined amount of water can be received inside the seal port housing 410.

상기 물 유입관(420)은 상기 씰포트 하우징(410) 외주면에 형성되고, 상기 씰포트 하우징(410) 내측에 일정량의 물을 공급하기 위하여 구비될 수 있다.The water inlet pipe 420 may be formed on an outer circumferential surface of the seal port housing 410 and may be provided to supply a predetermined amount of water to the inside of the seal port housing 410.

상기 가스 유입관(430)은 상기 물 유입관(420)과 일정 높이 이격된 하측에 구비되고, 상기 씰포트 하우징(410) 내측에 수용된 물의 상단 높이보다 높은 위치에 형성될 수 있다. 상기 가스 유입관(430)의 일측은 상기 씰포트 하우징(410) 내측으로 연장 형성되고, 상기 가스 유입관(430) 일단은 하측 방향으로 절곡되게 형성됨으로써 상기 가스 유입관(430)을 통해 유입되는 가스가 상기 씰포트 하우징(410) 내측에 수용된 물속으로 배출될 수 있다. 예를 들어, 상기 가스 유입관(430)을 통해 유입되는 가스는 SOx 가스일 수 있다.The gas inlet pipe 430 may be provided at a lower position spaced apart from the water inlet pipe 420 by a predetermined height and may be formed at a position higher than an upper end height of water contained in the seal port housing 410. One end of the gas inflow pipe 430 extends to the inside of the seal port housing 410 and one end of the gas inflow pipe 430 is bent downward to be introduced through the gas inflow pipe 430 Gas can be discharged into the water accommodated inside the seal port housing 410. For example, the gas introduced through the gas inlet pipe 430 may be SOx gas.

상기 오버플로우관(440)은 상기 씰포트 하우징(410) 외주면 일측에 위치하고 상기 씰포트 하우징(410) 내측에 수용된 물의 높이를 조절하기 위하여 구비될 수 있다. 상기 씰포트 하우징(410) 내측에 수용된 물이 일정 높이 이상이 되면 상기 오버플로우관(440)을 통해 상기 물이 외부로 배출될 수 있다.The overflow pipe 440 may be provided on one side of the outer circumferential surface of the seal port housing 410 and may be provided to adjust the height of water contained in the seal port housing 410. The water can be discharged to the outside through the overflow pipe 440 when the water received inside the seal port housing 410 reaches a predetermined height or more.

상기 드레인관(450)은 상기 씰포트 하우징(410) 외주면 하측에 위치하고, 상기 씰포트 하우징(410) 내측에 수용된 물을 배출할 수 있도록 하기 위하여 구비될 수 있다.The drain pipe 450 may be disposed below the outer circumferential surface of the seal port housing 410 to discharge the water contained in the seal port housing 410.

상기 가스 배출관(460)은 상기 씰포트 하우징(410) 외주면 상단에 위치하고 상기 씰포트 하우징(410) 내측에서 수용된 폐가스를 안정적으로 외부로 배출하기 위하여 구비될 수 있다.The gas discharge pipe 460 may be disposed at the upper end of the outer circumference of the seal port housing 410 and may be provided to stably discharge the waste gas contained in the seal port housing 410 to the outside.

상기한 구성에 의해 본 발명에 따른 초순수 전자급 황산 제조장치는 이하에서 설명되는 사용상의 이점을 갖는다.According to the above-described constitution, the apparatus for producing ultrapure water electronic sulfuric acid according to the present invention has an advantage of use as described below.

즉, 흡수탑 하단에 균일한 질소를 투입함으로써 철 기준 50ppt 이하의 초순수 전자급 황산 제조를 가능하게 하며, 급격한 발열반응을 미연에 방지하여 안정적으로 황산을 제조하고 안전사고도 미연에 방지할 수 있다.
That is, by injecting uniform nitrogen into the bottom of the absorption tower, ultrapure water electronic grade sulfuric acid having an iron content of 50 ppt or less can be produced, and a rapid exothermic reaction can be prevented beforehand, so that sulfuric acid can be stably produced and safety accidents can be prevented .

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 일 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. It is therefore to be understood that one embodiment described above is illustrative in all aspects and not restrictive.

100; 스팀증발기 110; 내측 하우징
120; 외측 하우징 130a, 130b, 130c; 스팀유입관
200; 질소가스 주입장치 210; 주입통
220; 삼산화황 유입관 230; 질소가스 유입관
300; 혼합장치 310; 혼합조
320; 초순수 유입관 330; 황산 유입관
340; 회전코일 350; 혼합 유출관
400; 씰포트 410; 씰포트 하우징
420; 물 유입관 430; 가스 유입관
440; 오버플로우관 450; 드레인관
460; 가스 배출관
100; Steam evaporator 110; Inner housing
120; Outer housings 130a, 130b, 130c; Steam inlet pipe
200; Nitrogen gas injector 210; Injection cylinder
220; Sulfur trioxide inlet pipe 230; Nitrogen gas inlet pipe
300; Mixing device 310; Mixing tank
320; An ultrapure water inflow pipe 330; Sulfuric acid inflow pipe
340; A rotating coil 350; Mixed effluent tube
400; Seal port 410; Seal port housing
420; A water inlet pipe 430; Gas inlet pipe
440; Overflow tube 450; Drain pipe
460; Gas discharge pipe

Claims (8)

스팀을 공급하여 균일한 온도를 유지하기 위한 스팀증발기(100), 흡수탑(absorber) 하단에 위치하고 외부의 공기에 포함된 불순물의 유입을 방지하는 질소가스 주입장치(200), 물과 황산을 섞어주는 혼합장치(300) 및 폐가스를 배출하기 위한 씰포트(400)를 포함하는 초순수 전자급 황산 제조장치에 있어서,
상기 스팀증발기(100)는,
원통형으로 형성되고, 내측에 삼산화황(SO3)이 수용되며, 상측 및 내측 외주면에는 다수개의 밸브가 구비되는 내측 하우징(110);
상기 내측 하우징(110) 외측을 둘러싸도록 구성되고, 상기 내측 하우징(110)과의 사이에 이격 공간을 형성하는 외측 하우징(120); 및
상기 외측 하우징(120) 외주면에 형성되고, 상기 외측 하우징(120) 및 내측 하우징(110) 사이의 이격 공간에 스팀을 주입하기 위한 스팀유입관(130a, 130b, 130c)을 포함하는 것을 특징으로 하는 초순수 전자급 황산 제조장치.
A steam evaporator 100 for maintaining a uniform temperature by supplying steam, a nitrogen gas injector 200 positioned at the lower end of the absorber for preventing inflow of impurities contained in the outside air, And a seal port (400) for discharging the waste gas, characterized in that:
The steam evaporator (100)
An inner housing (110) formed in a cylindrical shape, an inner housing (110) accommodating sulfur trioxide (SO 3 ) on the inner side, and a plurality of valves on the upper and inner peripheral surfaces;
An outer housing 120 configured to surround the outer side of the inner housing 110 and forming a space between the inner housing 110 and the inner housing 110; And
And steam inlet pipes 130a, 130b and 130c formed on the outer circumferential surface of the outer housing 120 for injecting steam into the spaces between the outer housing 120 and the inner housing 110 A device for producing ultrapure water electronic grade sulfuric acid.
제 1항에 있어서,
상기 스팀유입관(130a, 130b, 130c)은,
제1 스팀유입관(130a), 제2 스팀유입관(130b) 및 제3 스팀 유입관을 포함하고,
상기 제1 스팀유입관(130a), 제2 스팀유입관(130b) 및 제3 스팀유입관(130c)은 120°의 간격으로 이격되게 배치되며, 상기 외측 하우징(120)의 수직면에서 일정한 각도로 기울어지도록 비스듬하게 형성되는 것을 특징으로 하는 초순수 전자급 황산 제조장치.
The method according to claim 1,
The steam inlet pipes (130a, 130b, 130c)
A first steam inlet pipe 130a, a second steam inlet pipe 130b, and a third steam inlet pipe,
The first steam inlet pipe 130a, the second steam inlet pipe 130b and the third steam inlet pipe 130c are spaced apart from each other by an interval of 120 ° and are arranged at a predetermined angle from the vertical surface of the outer housing 120 Wherein the first electrode is formed obliquely so as to be inclined.
제 1항에 있어서,
상기 질소가스 주입장치(200)는,
삼산화황(SO3)과 질소(N2) 가스가 유입되어 혼합되는 주입통(210);
상기 주입통(210) 외주면 일측에 구비되고, 삼산화황(SO3)을 주입하기 위하여 구비되는 삼산화황(SO3) 유입관(220); 및
상기 삼산화황(SO3) 유입관(220)과 대향된 상기 주입통(210) 외주면 타측에 위치하고, 질소(N2) 가스를 주입하기 위하여 구비되는 질소(N2) 가스 유입관(230)을 포함하는 것을 특징으로 하는 초순수 전자급 황산 제조장치.
The method according to claim 1,
In the nitrogen gas injection device 200,
An injection cylinder 210 into which sulfur trioxide (SO 3 ) and nitrogen (N 2 ) gas are introduced and mixed;
The injection tube 210 is provided on the outer peripheral surface side, sulfur trioxide (SO 3), inlet pipe which is provided to the injection of sulfur trioxide (SO 3) (220); And
The sulfur trioxide (SO 3), the inlet pipe 220 and an opposing the injection tube 210 is located on the outer peripheral surface other end, the nitrogen is provided to inject the nitrogen (N 2) gas (N 2) comprises a gas inlet pipe 230, And the amount of the sulfuric acid contained in the sulfuric acid solution is controlled.
제 3항에 있어서,
상기 삼산화황(SO3) 유입관(220)은,
상기 주입통(210) 내측으로 연장 형성되고, 상기 삼산화황(SO3) 유입관(220)의 일단은 상기 주입통(210) 내측 하부 방향으로 절곡되게 구성된 것을 특징으로 하는 초순수 전자급 황산 제조장치.
The method of claim 3,
The sulfur trioxide (SO 3 ) inlet pipe 220,
Wherein one end of the sulfur trioxide (SO 3 ) inlet pipe (220) is formed to extend inward of the injection cylinder (210), and the one end of the sulfur trioxide (SO 3 )
제 1항에 있어서,
상기 혼합장치(300)는,
내측에 수용공간이 형성되어 초순수(Ultra pure water)(H2O)와 황산(H2SO4)이 혼합되는 혼합조(310);
상기 혼합조(310) 일측 외주면에 형성되고, 상기 혼합조(310) 내부로 초순수(Ultra pure water)(H2O)를 유입하기 위한 초순수 유입관(320);
상기 혼합조(310) 하부면 일측에 형성되고, 상기 혼합조(310) 내부로 황산(H2SO4)을 유입하기 위한 황산 유입관(330);
상기 혼합조(310) 내측에 위치하고, 나선형의 코일 형상으로 구성되는 회전코일(340); 및
상기 혼합조(310) 상부에서 혼합된 초순수(Ultra pure water)(H2O)와 황산(H2SO4)의 혼합물을 상기 혼합조(310) 외측으로 배출하기 위한 혼합 유출관(350)을 포함하는 것을 특징으로 하는 초순수 전자급 황산 제조장치.
The method according to claim 1,
The mixing device (300)
A mixing tank 310 in which an ultrapure water (H 2 O) and sulfuric acid (H 2 SO 4 ) are mixed, the mixing chamber 310 having a receiving space formed inside thereof;
An ultrapure water inflow pipe 320 formed at an outer circumferential surface of one side of the mixing tank 310 for introducing ultra pure water (H 2 O) into the mixing tank 310;
A sulfuric acid inflow pipe 330 formed at one side of the lower surface of the mixing tank 310 for introducing sulfuric acid (H 2 SO 4 ) into the mixing tank 310;
A rotation coil 340 located inside the mixing chamber 310 and configured in a helical coil shape; And
A mixed outflow pipe 350 for discharging a mixture of ultra pure water (H 2 O) and sulfuric acid (H 2 SO 4 ) mixed on the mixing tank 310 to the outside of the mixing tank 310 Wherein the ultrapure water comprises sulfuric acid.
제 5항에 있어서,
상기 회전코일(340)은,
일단은 상기 황산 유입관(330)과 연결되고, 타단이 혼합 유출관(350) 위치까지 회전되어 연장 형성되며,
타단은 상기 혼합 유출관(350)과 일정한 이격거리를 가지도록 구성되는 것을 특징으로 하는 초순수 전자급 황산 제조장치.
6. The method of claim 5,
The rotation coils 340,
One end of which is connected to the sulfuric acid inflow pipe 330 and the other end of which is extended to the position of the mixed outflow pipe 350,
And the other end is configured to have a constant separation distance from the mixed outflow pipe (350).
제 1항에 있어서,
상기 씰포트(400)는,
내측에 공간이 형성되어 일정량의 물이 수용되는 씰포트 하우징(410);
상기 씰포트 하우징(410) 외주면에 형성되고, 상기 씰포트 하우징(410) 내측에 일정량의 물을 공급하는 물 유입관(420);
상기 물 유입관(420)과 일정 높이 이격된 하측에 구비되고, 상기 씰포트 하우징(410) 내측에 수용된 물의 상단 높이보다 높은 위치에 형성되는 가스 유입관(430);
상기 씰포트 하우징(410) 외주면 일측에 위치하고 상기 씰포트 하우징(410) 내측에 수용된 물의 높이를 조절하기 위하여 구비되는 오버플로우관(440);
상기 씰포트 하우징(410) 외주면 하측에 위치하고, 상기 씰포트 하우징(410) 내측에 수용된 물을 배출할 수 있도록 하는 드레인관(450); 및
상기 씰포트 하우징(410) 외주면 상단에 위치하고 상기 씰포트 하우징(410) 내측에서 수용된 폐가스를 외부로 배출하기 위한 가스 배출관(460)을 포함하는 것을 특징으로 하는 초순수 전자급 황산 제조장치.
The method according to claim 1,
The seal port (400)
A seal port housing 410 having a space formed therein and receiving a predetermined amount of water;
A water inlet pipe 420 formed on an outer circumferential surface of the seal port housing 410 to supply a predetermined amount of water to the inside of the seal port housing 410;
A gas inlet pipe 430 provided at a lower side spaced apart from the water inlet pipe 420 by a predetermined height and formed at a position higher than an upper end height of water contained in the seal port housing 410;
An overflow pipe (440) located at one side of the outer circumferential surface of the seal port housing (410) and provided to adjust the height of water contained in the seal port housing (410);
A drain pipe 450 located below the outer circumferential surface of the seal port housing 410 and capable of discharging water contained in the seal port housing 410; And
And a gas discharge pipe (460) positioned at an upper end of the outer circumference of the seal port housing (410) and discharging waste gas accommodated in the seal port housing (410) to the outside.
제 7항에 있어서,
상기 가스 유입관(430) 일단은 하측 방향으로 절곡되게 형성되어 상기 가스 유입관(430)을 통해 유입되는 가스가 상기 씰포트 하우징(410) 내측에 수용된 물속으로 배출될 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 초순수 전자급 황산 제조장치.
8. The method of claim 7,
One end of the gas inlet pipe 430 is bent in a downward direction so that gas introduced through the gas inlet pipe 430 can be discharged into the water accommodated inside the seal port housing 410 A device for producing ultrapure water electronic grade sulfuric acid.
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