KR101534796B1 - The Antenna of manufacture method using Plastic platting solution - Google Patents

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Abstract

본 발명은 PC(Poly Carbonate: 폴리카보네이트) PI(Poly Imide: 폴리이미드), PET(Polyetylene 폴리에틸렌) PP(polypropylene :폴리프로필렌)의 플라스틱 소재의 필름 표층에 레이저 마스킹(Laser Masking)을 통해 패턴을 형성하여 도금의 전처리 과정을 통해 레이저 가공 영역에만 금속층을 형성함으로써 전기, 전자적 특성을 제공하는 플라스틱 소재를 이용한 안테나 제조방법에 관한 것으로,
그 세부 절차는 플라스틱, 필름의 원판을 NFC 안테나 크기에 따라 통전이 될 수 있도록 비아홀을 포함하여 재단하는 제 1 공정; 비아홀이 포함되어 안테나 크기에 따라 재단된 플라스틱, 필름 원판의 표면에 안테나 패턴에 따라 도금시 seed가 안착될 수 있도록 미세한 균열을 발생시켜 레이저 마스킹 처리를 하는 제 2 공정;
레이저 마스킹 처리된 플라스틱, 필름을 화학약품으로 물성변화를 일으켜 표면에 데이지를 줘서 도금의 seed를 심어 밀착력을 가지는 금속막을 입히는 에칭절차를 진행하는 제 3 공정; 및 에칭 처리된 플라스틱, 필름 원판의 seed를 레이저 마스킹 부위만 도금절차를 통해 금속막을 형성시키는 제 4 공정;을 포함한다.
이에 따라, 본 발명은 PC(Poly Carbonate) PI(Poly Imade) 등의 필름의 소재에도 구현이 가능하고, 일반사출 구조물에 패턴을 구현하여 더 얇고 성능이 좋은 전기, 전자적 특성을 이용함으로서 공간, 원가 개선 효과를 제공한다.
The present invention forms a pattern by laser masking a surface layer of a plastic material of a plastic material such as PC (Poly Carbonate) PI (Poly Imide), PET (Polyethylene), and PP (Polypropylene) The present invention relates to a method of manufacturing an antenna using a plastic material that provides electric and electronic characteristics by forming a metal layer only in a laser processing region through a pretreatment process of plating,
The detailed procedure includes a first step of cutting a plastic or film disk including the via hole so as to be energized according to the NFC antenna size; A second step of forming a fine crack on the surface of the plastic plate or the original plate of the plastic plate, which is cut according to the antenna size, so that the seed can be seated upon plating according to the antenna pattern;
A third step of irradiating laser-masked plastic or film with a chemical agent to change the physical properties of the film, and then applying a daisy to the surface of the film, thereby plating a seed of plating to coat a metal film having adhesion; And a fourth step of forming the metal film through the plating process only on the laser masked portion of the seed of the etched plastic or film original plate.
Accordingly, the present invention can be applied to a film material such as PC (Poly Carbonate) PI (Poly Imade) and the like. By realizing a pattern in a general injection structure and using thinner and better electric and electronic properties, And provides an improvement effect.

Description

플라스틱 소재를 이용한 안테나 제조방법{The Antenna of manufacture method using Plastic platting solution}Technical Field [0001] The present invention relates to an antenna manufacturing method using a plastic material,

본 발명은 플라스틱 소재를 이용한 안테나 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 일반적인 PC, PI, PET, PP의 플라스틱 필름의 표층에 레이저 마스킹(Laser Masking)을 통해 패턴을 형성하여 도금의 전처리 과정을 통해 레이저 가공 영역에만 금속층을 형성함으로써 전기, 전자적 특성을 제공하는 플라스틱 소재를 이용한 안테나 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of manufacturing an antenna using a plastic material, and more particularly, to a method of manufacturing an antenna by forming a pattern on a surface of a plastic film of a general PC, PI, PET or PP by laser masking, To a method of manufacturing an antenna using a plastic material that provides electrical and electronic characteristics by forming a metal layer only in a laser machining area.

휴대폰 안테나 산업은 휴대폰 시장의 규모와 맞물려 급속도로 성장하고 있다. 기존의 휴대폰 시장은 하드웨어적인 요소가 소비자들의 구매욕을 자극하였지만 이제는 대부분 평준화 되어가 있는 상태이고, 이보다는 두께나 디자인 같은 외적 요소에 소비자들의 소비욕구가 옮겨지고 있는 실정이다. The mobile phone antenna industry is rapidly growing in line with the size of the mobile phone market. In the existing mobile phone market, hardware elements stimulated consumers 'purchase desires, but now they are mostly leveled. Consumers' desire for consumption is shifting to external factors such as thickness and design.

현재 사용되는 LDS, IMA Type 등 공간 효율을 극대화하는 방식의 안테나가 주를 이루며 기타 휴대폰의 경향에 따라 각각의 사용환경에 맞는 안테나를 채택하여 사용되고 있으며, 스마트폰의 보급이 확대됨에 따라 기능성 안테나들이 추가되면서 시장은 꾸준히 확장되고 있는 추세이다.Currently, antennas that maximize space efficiency such as LDS and IMA type are mainly used. Depending on the tendency of other mobile phones, antennas suitable for each usage environment are used. As the spread of smart phones is expanded, functional antennas The market has been steadily expanding as it has been added.

NFC(Near Field Communication)은 무선태그(RFID) 기술중 하나로 주파수 대역을 사용하는 비접촉식 통신기술로서, 통신거리 짧기 때문에 상대적으로 보안이 우수하고 가격이 저렴해 주목받는 차세대 근거리 통신기술이다. 즉, 데이터 읽기와 쓰기 기능을 모두 사용할 수 있기 때문에 기존에 RFID 사용을 위해 필요했던 동글이 필요하지 않으며 블루투스 등 기존의 근거리 통신기술과 비슷하지만 블루투수처럼 기간 설정을 하지 않아도 되는 장점이 있다.Near Field Communication (NFC) is a non-contact communication technology that uses a frequency band as one of radio tag (RFID) technologies. It is a next generation short-range communication technology that is attracting attention because its communication distance is short. In other words, since it can use both data reading and writing functions, it does not need the dongle that was needed for RFID use, and it is similar to the conventional short range communication technology such as Bluetooth, but it does not need to set the period as like a blue pitcher.

또한, 세계 휴대폰용 안테나 시장의 규모는 스마트폰에 탑재되는 안테나의 적용 개수의 급증과 NFC 안테나와 같이 다른 부품에 포함되는 경우도 있어 추정하기 어려운 상황이다. In addition, it is difficult to estimate the size of the global mobile phone antenna market due to the surge in the number of antennas installed in smartphones and the inclusion of NFC antennas in other components.

따라서 한정된 기기에만 사용되는 DMB 및 NFC 안테나를 제외하고 피처폰에는 통신용 메인안테나 1개와 LTE 안테나를 제외하고 피처폰에는 통신용 메인안테나 1개와 LTE 스마트폰에는 통신용 메인안테나 3개 및 기능성 안테나 3개가 장착될 경우 휴대폰용 안테나 수효는 크게 증가하고 있는 상태이다.Therefore, except for DMB and NFC antennas, which are used only for limited devices, except for one main antenna for communication and one LTE antenna, the feature phone has one main antenna for communication and three main antennas and three functional antennas for LTE smartphone , The number of antennas for mobile phones is increasing significantly.

종래의 F-PCB NFC(Near Field Communication) 안테나는 첨부된 도 1에서 도시된 바와 같이 안테나 크기에 따라 원판을 재단하여 드릴링 작업하고 Cu 도금 처리를 한 후 재단된 원판의 정면을 얇은 판과 판상의 조직이 소정의 방향으로 층을 이루어 겹쳐져 시트형상을 갖도록 라미네이션 절차를 진행후 노광 및 에칭 공정을 진행한다.(S30 단계참조)As shown in FIG. 1, a conventional F-PCB NFC (Near Field Communication) antenna is manufactured by cutting an original plate according to the size of an antenna, performing a drilling operation and Cu plating process and then cutting the front face of the cut original plate into a thin plate- The lamination process is performed so that the structures overlap each other in a predetermined direction so as to have a sheet shape, and then the exposure and etching processes are performed (refer to step S30)

이후, 표면도금을 진행하고 인쇄공정을 통해 안테나를 제조하게 된다.Then, the surface is plated and the antenna is manufactured through the printing process.

상기의 절차에 의해 생성된 F-PCB NFC 안테나는 PCB 기판의 PIECE로 이루어져 생산성이 떨어지며, 제조단가가 상승되는 문제가 있다.The F-PCB NFC antenna produced by the procedure described above is formed of the PI PCB of the PCB substrate, which results in a low productivity and an increase in manufacturing cost.

따라서, 스마트폰 내 적용되는 NFC 안테나는 휴대폰의 부품 중에서도 상당히 비싸서 제조원가를 줄이기 위해 많은 기업들이 경쟁하여 생산하는 부품으로 휴대폰의 소형화, 경량화, 박막 등의 부품 소재 개발이 대두되고 있으며, NFC 안테나 제조에 따라 원가 절감에 필요한 새로운 PPS 기술을 이용하여 NFC 안테나를 제공하기 위해 본 발명을 제시하고자 한다.
Therefore, NFC antennas applied in smartphones are very expensive among the parts of mobile phones, so that many companies compete to reduce the manufacturing cost, and the miniaturization, light weight, thin film and other parts are being developed. Accordingly, the present invention is proposed to provide an NFC antenna using a new PPS technique required for cost reduction.

1. 이동통신단말기용 박형 엔에프씨안테나의 제조방법(METHOD MANUFACTURING OF NFC ANTENNA) (특허출원번호 제10-2012-0037902호)1. METHOD MANUFACTURING OF NFC ANTENNA (Patent Application No. 10-2012-0037902) for a mobile communication terminal 2. 엔에프시용 루프안테나 제조방법(Loop antenna manufacturing method for NFC) (특허출원번호 제10-2013-0013831호)2. Loop antenna manufacturing method for NFC (Patent Application No. 10-2013-0013831)

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 일반적인 PC(Poly Carbonate: 폴리카보네이트) PI(Poly Imide: 폴리이미드), PET(Polyetylene 폴리에틸렌) PP(polypropylene :폴리프로필렌)의 플라스틱 소재의 필름 표층에 레이저 마스킹(Laser Masking)을 통해 패턴을 형성하여 도금의 전처리 과정을 통해 레이저 가공 영역에만 금속층을 형성함으로써 전기, 전자적 특성을 제공하는 플라스틱 소재를 이용한 안테나 제조방법을 제공하기 위한 것이다.Disclosure of the Invention The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a plastic film, which is made of plastic material such as general PC (poly carbonate) PI (polyimide), PET (polyethylene terephthalate) The present invention is to provide a method of manufacturing an antenna using a plastic material that provides electric and electronic characteristics by forming a pattern through laser masking and forming a metal layer only in a laser processing region through a pretreatment process of plating.

또한, 본 발명은 플라스틱(PC, ABS, PI, Nylon 등) 소재 위에 산업용 Laser 장비와 무전해 도금방식을 이용하여 레이저 형상을 따라 가공함으로 공간 및 효율성 우수하고 도금 타입으로 형성됨으로 다양한 형상의 안테나 제조 및 공간 집약적, 소형, 박막화를 추구하고 CASE에 한번에 여러개의 Pattern을 구현할 수 있는 플라스틱 소재를 이용한 안테나 제조방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention can be applied to a plastic (PC, ABS, PI, Nylon, etc.) material using an industrial laser device and an electroless plating method, And an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an antenna using a plastic material capable of implementing multiple patterns at once in a CASE pursuing space-intensive, compact, and thin.

그러나 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
However, the objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

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상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라스틱 소재를 이용한 안테나 제조방법은, 플라스틱, 필름의 원판을 NFC 안테나 크기에 따라 통전이 될 수 있도록 비아홀을 포함하여 재단하는 제 1 공정; 비아홀이 포함되어 안테나 크기에 따라 재단된 플라스틱, 필름 원판의 표면에 안테나 패턴에 따라 도금시 seed가 안착될 수 있도록 미세한 균열을 발생시켜 레이저 마스킹 처리를 하는 제 2 공정; 레이저 마스킹 처리된 플라스틱, 필름을 화학약품으로 물성변화를 일으켜 표면에 데이지를 줘서 도금의 seed를 심어 밀착력을 가지는 금속막을 입히는 에칭절차를 진행하는 제 3 공정; 및 에칭 처리된 플라스틱, 필름 원판의 seed를 레이저 마스킹 부위만 도금절차를 통해 금속막을 형성시키는 제 4 공정;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.In order to accomplish the above object, according to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an antenna using a plastic material, comprising the steps of: cutting a plate of a plastic or a film by cutting a via hole, ; A second step of forming a fine crack on the surface of the plastic plate or the original plate of the plastic plate, which is cut according to the antenna size, so that the seed can be seated upon plating according to the antenna pattern; A third step of irradiating laser-masked plastic or film with a chemical agent to change the physical properties of the film, and then applying a daisy to the surface of the film, thereby plating a seed of plating to coat a metal film having adhesion; And a fourth step of forming a metal film on the seed of the etched plastic film or the original plate through a plating process only in the laser masking region.

이때, 본 발명의 부가적인 특징에 따르면, 상기 플라스틱, 필름의 원판은 PC(Poly Carbonate: 폴리카보네이트) PI(Poly Imide: 폴리이미드), PET(Polyetylene 폴리에틸렌) 또는 PP(polypropylene :폴리프로필렌) 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 한다.At this time, according to an additional feature of the present invention, the original plate of the plastic or the film may be any one of PC (Poly Carbonate), PI (Poly Imide), PET (Polyethylene) .

또한, 본 발명의 부가적인 특징에 따르면, 제 3 공정의 에칭절차는 레이저 마스킹 된 플라스틱, 필름을 에스크린 30~50g/ℓ를 60~70℃온도에서 5분간 초음파 탈지를 한 후, 초음파 탈지시 사용된 에스크린 약품에 의한 플라스틱, 필름의 액화현상 개선하기 위해 물 초음파를 진행하는 제 1 단계; 염산 10vol%/ℓ를 상온에서 1 내지 2분동안 염산세 공정을 하고 염산 3㎖를 상온에서 활성화 공정을 진행하고 PdCl2 0.1~0.4g/ℓ, HCl 100~300㎖/ℓ, SnCl .2H2O 5~30g/ℓ을 플라스틱, 필름 표면에 도포하여 상온에서 1 내지 2분 동안 전착공정을 진행하는 제 2 단계; 강황산 10~50g/ℓ,황산 10~15㎖/ℓ을 도포하여 45~60℃온도에서 1 내지 2분 동안 에칭 공정을 진행하고, 플라스틱, 필름을 황산 40~80㎖/ℓ를 상온에서 1 내지 2분동안 활성화 공정이 진행한 후, 강황산 10~50g/ℓ,황산 10~15㎖/ℓ을 도포하여 45~60℃온도에서 1 내지 2분 동안 2차 에칭 공정이 진행하는 제 3 단계; 및 2차 에칭 공정이 이루어진 후, 황산 40~80㎖/ℓ를 상온에서 1 내지 2분 동안 활성화 공정을 진행하고 황산 10vol%/ℓ을 도포하여 상온에서 1 내지 2분 동안 중화절차를 진행하는 제 4 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an additional feature of the present invention, the etching procedure of the third step includes ultrasonic degreasing of the laser-masked plastic or film at a temperature of 60 to 70 DEG C for 30 minutes at a temperature of 30 to 50 g / A first step of advancing water ultrasonic waves in order to improve the liquefaction phenomena of the plastic and film caused by the used esculin drug; Hydrochloric 10vol% / the hydrochloride three step for 1-2 min at room temperature, ℓ and the activation process is conducted at room temperature and the hydrochloric acid 3㎖ PdCl 2 0.1 ~ 0.4g / ℓ, HCl 100 ~ 300㎖ / ℓ, SnCl .2H 2 O A second step of applying 5 to 30 g / l on the surface of a plastic film to conduct an electrodeposition process at room temperature for 1 to 2 minutes; 10 to 50 g / l of sulfuric acid and 10 to 15 ml / l of sulfuric acid, and the etching process is carried out at 45 to 60 ° C for 1 to 2 minutes. The plastic film is immersed in an aqueous solution containing sulfuric acid at 40 to 80 ml / After the activation process is performed for 2 minutes, the third etching step is carried out at 45 to 60 ° C for 1 to 2 minutes by applying 10 to 50 g / l of strong sulfuric acid and 10 to 15 ml / ; And the second etching step, the activation process is carried out at 40 to 80 ml / l of sulfuric acid at room temperature for 1 to 2 minutes, and 10 vol% / l of sulfuric acid is applied, and the neutralization process is carried out at room temperature for 1 to 2 minutes And the fourth step.

또한, 본 발명의 부가적인 특징에 따르면, 제 4 공정의 도금절차는 플라스틱, 필름의 하부면에 대해 Ni 5~6g/ℓ을 50~65℃ 온도에서 7 내지 10분동안 Ni 도금 절차를 진행하고, 하부면에 대해 Ni 도금된 플라스틱, 필름 전체를 금속구리, 가성소다, 포르말린을 이용하여 40~50℃ 온도에서 5 내지 6시간 동안 Cu 도금 절차를 진행하는 제 1 단계; 제 1 단계가 이루어진 후, PdCl2 0.1~0.4g/ℓ, HCl 100~300㎖/ℓ을 플라스틱, 필름 표면에 도포하여 상온에서 1 내지 2분 동안 전착공정을 진행하는 제 2 단계; 상기 공정에 의해 전착된 플라스틱, 필름의 상부면에 대해 Ni 5~6g/ℓ을 50~65℃ 온도에서 30분 동안 Ni 도금 절차를 진행하는 제 3 단계; 및 도금절차에 의해 플라스틱, 필름의 NFC 안테나에 묻어 있는 화학약품을 제거하기 위해 30초 정도 동안 초음파 세척을 실시하고 생성된 NFC 안테나의 변색을 방지하기 위해 Sodium Gluconate 80~100㎖/ℓ을 도포하여 45~55℃ 온도에서 1분 동안 변색방지 처리를 하는 제 4 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
Further, according to an additional feature of the present invention, the plating procedure of the fourth step comprises performing a Ni plating process for 5-10 minutes at a temperature of 50-65 deg. C at a temperature of 5-6 g / l of Ni, A first step of conducting the Cu plating process at a temperature of 40 to 50 DEG C for 5 to 6 hours by using Ni plated plastic against the lower surface and metal copper, caustic soda and formalin as a whole; After the first step, a second step of applying 0.1 to 0.4 g / l of PdCl 2 and 100 to 300 ml / l of HCl to the surface of a plastic film and conducting an electrodeposition process at room temperature for 1 to 2 minutes; A third step of conducting a Ni plating process for 5 minutes at a temperature of 50 to 65 ° C for 30 minutes with respect to the upper surface of the plastic or film electrodeposited by the above process, 5 to 6 g / l of Ni; And plating process, ultrasonic cleaning is carried out for about 30 seconds to remove chemicals on plastic and film NFC antennas. To prevent discoloration of the generated NFC antenna, 80-100 ml / L of sodium gluconate is applied And a fourth step of performing a color fading treatment at a temperature of 45 to 55 DEG C for 1 minute.

본 발명의 실시예에 따른 플라스틱 소재를 이용한 안테나 제조방법은, 일반적인 PC(Poly Carbonate: 폴리카보네이트) PI(Poly Imide: 폴리이미드), PET(Polyetylene 폴리에틸렌) PP(polypropylene :폴리프로필렌)의 플라스틱 소재의 필름 표층에 레이저 마스킹(Laser Masking)을 통해 패턴을 형성하여 도금의 전처리 과정을 통해 레이저 가공 영역에만 금속층을 형성함으로써 기존 F-PCB보다 원가 비율을 낮출 수 있는 효과를 제공한다.A method of manufacturing an antenna using a plastic material according to an embodiment of the present invention is a method of manufacturing an antenna using a plastic material such as general PC (poly carbonate) PI (polyimide), PET (polyetylene polyethylene) PP (polypropylene) By forming a pattern through laser masking on the surface of the film to form a metal layer only in the laser machining area through the pretreatment process of plating, the cost ratio can be lower than that of the existing F-PCB.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라스틱 소재를 이용한 안테나 제조방법은, 플라스틱(PC, ABS, PI, Nylon 등) 소재 위에 산업용 Laser 장비와 무전해 도금방식을 이용하여 레이저 형상을 따라 가공함으로 공간 및 효율성 우수하고 도금 타입으로 형성됨으로 다양한 형상의 안테나 제조 및 공간 집약적, 소형, 박막화를 추구하고 CASE에 한번에 여러개의 Pattern을 구현할 수 있는 효과를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing an antenna using a plastic material, the method comprising the steps of: laminating a plastic (PC, ABS, PI, Nylon, And is formed in a plating type. Thus, it is possible to manufacture various types of antennas, to pursue space-intensive, small-sized, and thin-walled antennas, and to realize multiple patterns at once in a case.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라스틱 소재를 이용한 안테나 제조방법은, PI(Poly Imide) Film의 특성상 도금된 상태에서의 SMT, 납땜이 가능하고, 케이스와 Film 등 어떤 형태의 부품에도 구현이 가능하므로 기구적인 제약이 없고 도금 방식의 안테나 제조공급으로서 생산성을 높일 수 있는 효과를 제공한다.In addition, the method of manufacturing an antenna using a plastic material according to another embodiment of the present invention is capable of soldering SMT in a plated state due to the characteristic of a PI (Poly Imide) film, So that there is no mechanical restriction and it is possible to increase the productivity by supplying and manufacturing the antenna of the plating method.

뿐만 아니라, PC(Poly Carbonate) PI(Poly Imade) 등의 필름의 소재에도 구현이 가능하고, 일반사출 구조물에 패턴을 구현하여 더 얇고 성능이 좋은 전기, 전자적 특성을 이용함으로서 공간, 원가 개선 효과를 제공한다.
In addition, it can be applied to film materials such as PC (Poly Carbonate) PI (Poly Imade), etc., and realizes space and cost improvement by utilizing patterns of thinner and better electric and electronic characteristics to provide.

도 1은 종래의 F-PCB NFC 안테나 제조공정을 도시한 흐름도
도 2는 본 발명에 따른 PPS를 이용한 안테나 제조공정을 도시한 흐름도
도 3 내지 도 5는 본 발명에 따른 PPS 소재에 레이저 마스킹을 위한 절차에 따른 상태를 도시한 그림
FIG. 1 is a flowchart showing a conventional F-PCB NFC antenna manufacturing process.
2 is a flowchart illustrating an antenna manufacturing process using a PPS according to the present invention.
FIGS. 3 to 5 are views showing a state of the PPS material according to the present invention,

이하, 본 발명의 바람직한 실시예의 상세한 설명은 첨부된 도면들을 참조하여 설명할 것이다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a detailed description of preferred embodiments of the present invention will be given with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

본 발명의 플라스틱 소재를 이용한 안테나 제조방법은 플라스틱 소재의 필름 표층에 레이저 마스킹(Laser Masking)을 통해 패턴을 형성하여 도금의 전처리 과정을 통해 레이저 가공 영역에만 금속층을 형성하도록 구성되어 있다.The method of manufacturing an antenna using the plastic material of the present invention is configured to form a pattern on a surface layer of a plastic film by laser masking to form a metal layer only in a laser processing region through a pretreatment process of plating.

상기 플라스틱 소재는 PC(Poly Carbonate: 폴리카보네이트) PI(Poly Imide: 폴리이미드), PET(Polyetylene 폴리에틸렌) PP(polypropylene :폴리프로필렌), ABS(acrylonitril+butadiene+styrene 복합수지) 수지는 아크릴로 니트릴, 부타디엔 및 스티렌의 3성분으로 이루어져 있으며 내충격성 열가소성 수지, PBT(PolyButylene Terephthalate : 폴리부틸렌테레프탈레이트)의 수지를 선택적으로 사용할 수 있다.
The plastic material may be selected from the group consisting of PC (Poly Carbonate), PI (Polyimide), PET (Polyethylene), PP (polypropylene) and ABS (acrylonitrile + butadiene + styrene) Butadiene, and styrene, and an impact-resistant thermoplastic resin and a resin of PBT (polybutylene terephthalate) can be selectively used.

이하, 본 발명의 실시예에 따라 플라스틱 소재를 이용한 안테나 제조방법에 대해 상세한 설명을 기술한다.Hereinafter, a method of manufacturing an antenna using a plastic material according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

일반적으로 PPS(Plastic platting solution)의 안테나 제조 공정은 플라스틱, 필름의 표층에 레이저 마스킹을 통해 패턴을 형성하는 것으로서, 본 발명에 따른 PPS NFC 안테나 제조방법은 첨부된 도 2에 도시된 바와 같이 플라스틱, 필름의 원판에 안테나의 크기에 따라 원판을 재단하고 드릴링 공정을 진행한다.2. Description of the Related Art [0002] Generally, a PPS (Plastic Plating Solution) antenna manufacturing process forms a pattern through laser masking on a surface layer of a plastic or a film. The PPS NFC antenna manufacturing method according to the present invention, The original plate is cut according to the size of the antenna on the original plate of the film, and the drilling process is carried out.

이때, 원판 재단시 플라스틱, 필름의 형태는 향후 진행될 레이저 공정 및 후가공의 양산성을 고려하여 재단되며, 레이저 공정과 도금 공정에 필요한 지그에 맞춰 가이드 홀 및 양면을 사용하여 통전이 될 수 있는 비아홀을 재단공정에서 미리 제작을 한다.In this case, the shape of the plastic or film at the time of cutting the original plate is cut considering the future mass production of the laser process and the post-process, and a via hole that can be energized by using a guide hole and both sides according to the jig necessary for the laser process and the plating process It is made in advance in the cutting process.

상기 드릴링 공정을 통해 형성된 원판에 패턴 형상에 따라 도금이 될 수 있도록 레이저 마스킹 처리를 하는데, 이때, 플라스틱, 필름의 표면에 도금시 seed가 안착될 수 있도록 10 ~ 15 미크론 깊이의 미세한 균열을 발생시키고, 1차적으로 정면물리적 에칭 공정을 진행한다.The laser masking process is performed to form a pattern on the original plate formed through the drilling process. At this time, fine cracks having a depth of 10 to 15 microns are generated on the surface of the plastic or film, , The frontal physical etching process is performed first.

상기 도금의 seed를 안착시키기 용이하게 만든 미세한 균열은 도금 전처리 과정 중 에칭 용액의 표면 에칭공정 중에 레이저 마스킹 된 부분만 좀 더 빠르고 깊게 에칭될 초기 조건을 만들어 주는 역할을 하게 된다.The fine cracks facilitating the deposition of the seeds of the plating serve to make the initial conditions that the laser-masked portions only become faster and deeply etched during the surface etching process of the plating solution during the plating pretreatment process.

상기 에칭 공정에서 플라스틱, 필름의 소재 성분인 주사슬을 파악하고 이 주사슬을 화학약품으로 물성변화를 일으켜 표면에 데이지를 줘서 도금의 필수요건인 seed를 심고 여기에 밀착력을 가지는 금속막을 입히게 된다.In the etching process, the main chain which is the material component of the plastic and the film is grasped, and the main chain is changed by the chemical property to give the daisy to the surface, thereby seeding the seed, which is an essential requirement of plating, and coating the metal film with the adhesion.

이후, 도금절차를 진행하는데, Cu 도금, Ni 도금을 순차적으로 진행하고, 선택적으로 Cu 도금, Ni 도금, Au 도금을 순차적으로 진행할 수도 있다. 통상적으로 도금은 ABS 사출도금의 형태로 플라스틱, 필름의 표면에 대해 전체 도금을 진행하지만, 본 발명의 도금절차는 전처리 과정중 선택영역에 대해 도금절차가 진행된다. 따라서, 도금 절차에서 알칼리, 산 계열의 화학약품은 필름의 표면에 데미지를 최소화하도록 레이저 마스킹 된 부분만 시간 및 농도조절을 통해 추가 에칭 효과를 제공할 수 있다.Thereafter, the plating process is performed, and Cu plating and Ni plating may be sequentially performed, and then Cu plating, Ni plating, and Au plating may be sequentially performed. Generally, the plating process is performed on the surface of the plastic film in the form of ABS injection plating, but the plating process of the present invention proceeds with the plating process for the selected region in the pretreatment process. Thus, in the plating process, alkaline, acid-based chemicals can provide additional etching effects through time and concentration control only to the laser-masked portions to minimize damage to the surface of the film.

이후, seed를 레이저 마스킹 부위만 심을 수 있는 공정을 거쳐 금속막을 형성시켜 도금을 마무리하고, NFC 안테나의 외형을 가공한다.
After that, the seed is subjected to a process that only a laser masking region can be planted, a metal film is formed to finish the plating, and the outer shape of the NFC antenna is processed.

보다 세부적으로, 본 발명에 따른 플라스틱, 필름의 소재 중 PI(Poly Imide), PC(Polycarbonate)를 통해 PPS(Plastic platting solution)의 안테나의 세부적인 제조공정을 살펴보면, 레이저 공정 및 후가공을 고려하여 플라스틱, 필름의 원판을 재단하며, 이때 가이드 홀 및 양면을 통전이 될 수 있도록 비아홀을 제작한다. In detail, the detailed manufacturing process of an antenna of a plastic platting solution (PPS) through PI (Poly Imide) and PC (Polycarbonate) among plastics and film materials according to the present invention will be described. , The original plate of the film is cut. At this time, a via hole is formed so that the guide hole and the both surfaces can be energized.

드릴링 공정을 통해 플라스틱, 필름의 형성된 원판 표면에 패턴 형상에 따라 도금시 seed가 안착될 수 있도록 미세한 균열을 발생시켜 도금이 될 수 있도록 레이저 마스킹 처리를 한다. 이때, 도금시 seed가 안착될 미세한 균열의 깊이는 10 ~ 15 미크론 깊이로 할 수 있다. Through the drilling process, laser masking treatment is performed so as to generate fine cracks so that the seeds can be seated when plating according to the pattern shape on the surface of the plastic or film formed disk. At this time, the depth of the fine crack to deposit the seed at plating may be 10-15 microns deep.

상기 도금의 seed를 안착시키기 용이하게 만든 미세한 균열은 도금 전처리 과정 중 에칭 용액의 표면 에칭공정 중에 레이저 마스킹 된 부분만 좀 더 빠르고 깊게 에칭될 초기 조건을 만들어 주는 역할을 하게 된다.The fine cracks facilitating the deposition of the seeds of the plating serve to make the initial conditions that the laser-masked portions only become faster and deeply etched during the surface etching process of the plating solution during the plating pretreatment process.

즉, 하기에 기술될 에칭 공정에서 상기 플라스틱, 필름의 소재 성분인 주사슬을 파악하고 이 주사슬을 화학약품으로 물성변화를 일으켜 표면에 데이지를 줘서 도금의 필수요건인 seed를 심고 여기에 밀착력을 가지는 금속막을 입히게 된다.That is, in the etching process described below, the main chain which is the material component of the plastic and the film is grasped, and the main chain is changed by the chemical property to give a daisy to the surface to plant the seed, which is an essential requirement of plating, The branches are coated with a metal film.

이후, 에칭 공정을 진행하는데 우선, PI(Poly Imide) sheet의 에칭공정은 레이저 마스킹 된 플라스틱, 필름을 에스크린 30~50g/ℓ를 60~70℃온도에서 5분간 초음파 탈지를 한 후, 물 초음파 공정을 통해 초음파 탈지시 사용된 에스크린 약품에 의한 플라스틱, 필름의 액화현상 개선한다.Then, the etching process of the PI (Poly Imide) sheet is performed by ultrasonically degreasing the laser-masked plastic and the film at a temperature of 60 to 70 ° C for 5 minutes at a temperature of 30 to 50 g / l of esculin, Process improves the liquefaction phenomena of plastic and film caused by escherin chemicals used in ultrasonic degreasing.

염산 10vol%/ℓ를 상온에서 1 내지 2분동안 염산세 공정을 하고 염산 3㎖를 상온에서 활성화 공정을 진행하고 PdCl2 0.1~0.4g/ℓ, HCl 100~300㎖/ℓ, SnCl .2H2O 5~30g/ℓ을 플라스틱, 필름 표면에 도포하여 상온에서 1 내지 2분 동안 전착공정을 진행한다.Hydrochloric 10vol% / the hydrochloride three step for 1-2 min at room temperature, ℓ and the activation process is conducted at room temperature and the hydrochloric acid 3㎖ PdCl 2 0.1 ~ 0.4g / ℓ, HCl 100 ~ 300㎖ / ℓ, SnCl .2H 2 O 5 to 30 g / l is applied to the surface of a plastic film and the electrodeposition process is carried out at room temperature for 1 to 2 minutes.

이후, 강황산 10~50g/ℓ,황산 10~15㎖/ℓ을 도포하여 45~60℃온도에서 1 내지 2분 동안 에칭 공정을 진행한다. 상기 에칭공정이 이루어진 후, 플라스틱, 필름을 황산 40~80㎖/ℓ를 상온에서 1 내지 2분동안 활성화 공정이 진행하고, 강황산 10~50g/ℓ,황산 10~15㎖/ℓ을 도포하여 45~60℃온도에서 1 내지 2분 동안 2차 에칭 공정이 진행된다. 2차 공정이 이루어진 후, 황산 40~80㎖/ℓ를 상온에서 1 내지 2분동안 활성화 공정이 진행하고 황산 10vol%/ℓ을 도포하여 상온에서 1 내지 2분 동안 중화절차를 진행한다.Then, 10 to 50 g / l of sulfuric acid and 10 to 15 ml / l of sulfuric acid are applied, and the etching process is performed at 45 to 60 ° C for 1 to 2 minutes. After the etching process, the activation process is carried out at 40 to 80 ml / l of sulfuric acid at room temperature for 1 to 2 minutes, and 10 to 50 g / l of sulfuric acid and 10 to 15 ml / The secondary etching process proceeds at a temperature of 45 to 60 DEG C for 1 to 2 minutes. After the secondary process is completed, the activation process proceeds at 40 to 80 ml / l of sulfuric acid at room temperature for 1 to 2 minutes, and 10 vol% / l of sulfuric acid is applied and the neutralization process is performed at room temperature for 1 to 2 minutes.

상기의 에칭공정이 마무리되면, 해당 재단되어 레이저 마스킹 및 에칭된 플라스틱, 필름에 대해 도금 절차를 진행하는데, 우선, 플라스틱, 필름의 하부면에 대해 Ni 5~6g/ℓ을 50~65℃ 온도에서 7 내지 10분동안 Ni 도금 절차를 진행하고, 하부면에 대해 Ni 도금된 플라스틱, 필름 전체를 금속구리, 가성소다, 포르말린을 이용하여 40~50℃ 온도에서 5 내지 6시간 동안 Cu 도금 절차를 진행하고, PdCl2 0.1~0.4g/ℓ, HCl 100~300㎖/ℓ을 플라스틱, 필름 표면에 도포하여 상온에서 1 내지 2분 동안 전착공정을 진행한다.When the above etching process is completed, the plating process is performed on the laser masking and the etched plastic and the film cut and cut. First, 5 to 6 g / l of Ni is applied to the lower surface of the plastic film at a temperature of 50 to 65 ° C The Ni plating process is carried out for 7 to 10 minutes and the Cu plating process is carried out for 5 to 6 hours at a temperature of 40 to 50 DEG C using Ni-plated plastic for the lower surface, metal copper, caustic soda, 0.1 to 0.4 g / l of PdCl 2 and 100 to 300 ml / l of HCl are applied to the surface of the plastic film, and the electrodeposition process is performed at room temperature for 1 to 2 minutes.

다시 상기 공정에 의해 전착된 플라스틱, 필름의 상부면에 대해 Ni 5~6g/ℓ을 50~65℃ 온도에서 30분동안 Ni 도금 절차를 진행하여 도금절차를 마무리한다.The plating process is finished by performing the Ni plating process for 5 minutes at a temperature of 50 to 65 ° C for 30 minutes on the upper surface of the plastic or film electrodeposited by the above process for 5 to 6 g /

상기 도금절차가 마무리된 플라스틱, 필름의 NFC 안테나가 생성되는데, 이때, 플라스틱, 필름의 NFC 안테나에 묻어 있는 화학약품을 제거하기 위해 30초 정도동안 초음파 세척을 실시하고 생성된 NFC 안테나의 변색을 방지하기 위해 Sodium Gluconate 80~100㎖/ℓ을 도포하여 45~55℃ 온도에서 1분 동안 변색방지 처리를 한다.
In this case, ultrasonic cleaning is performed for about 30 seconds in order to remove the chemicals on the plastic or film NFC antenna, and the discoloration of the generated NFC antenna is prevented Sodium Gluconate 80 ~ 100ml / ℓ is applied to prevent discoloration at 45 ~ 55 ℃ for 1 minute.

한편, 원판 재단 및 레이저 마스킹 된 상기 플라스틱, 필름의 소재 중 PC(Poly Carbonate: 폴리카보네이트) sheet의 에칭공정은 레이저 마스킹 된 플라스틱, 필름을 에스크린 30~50g/ℓ를 60~70℃온도에서 5분간 초음파 탈지를 한 후, On the other hand, in the etching process of PC (Poly Carbonate) sheet among the raw materials of the original plate and the laser-masked plastic or film, the laser masked plastic or film is irradiated with 30 to 50 g / After ultrasonic degreasing for a minute,

초음파 탈지된 플라스틱, 필름을 정면제 40~90g/ℓ에 침적하여 55~65℃온도에서 5 내지 15분 동안 침적탈지 절차를 진행하고, 물 초음파 공정을 통해 침적탈지시 사용된 정면제 약품에 의한 플라스틱, 필름의 액화현상 개선한다. The ultrasonic degreased plastic film was immersed in the front side at 40 to 90 g / l and subjected to the immersion degreasing process at a temperature of 55 to 65 ° C for 5 to 15 minutes, Plastic and film liquefaction phenomenon improves.

염산 10vol%/ℓ를 상온에서 1 내지 2분동안 염산세 공정을 하고 염산 3㎖를 상온에서 활성화 공정을 진행하고 PdCl2 0.1~0.4g/ℓ, HCl 100~300㎖/ℓ, SnCl .2H2O 5~30g/ℓ을 플라스틱, 필름 표면에 도포하여 상온에서 1 내지 2분 동안 전착공정을 진행한다.Hydrochloric 10vol% / the hydrochloride three step for 1-2 min at room temperature, ℓ and the activation process is conducted at room temperature and the hydrochloric acid 3㎖ PdCl 2 0.1 ~ 0.4g / ℓ, HCl 100 ~ 300㎖ / ℓ, SnCl .2H 2 O 5 to 30 g / l is applied to the surface of a plastic film and the electrodeposition process is carried out at room temperature for 1 to 2 minutes.

이후, 강황산 10~50g/ℓ,황산 10~15㎖/ℓ을 도포하여 45~60℃온도에서 1 내지 2분 동안 에칭 공정을 진행한다. 상기 에칭공정이 이루어진 후, 플라스틱, 필름을 황산 40~80㎖/ℓ를 상온에서 1 내지 2분동안 활성화 공정이 진행하고, 강황산 10~50g/ℓ,황산 10~15㎖/ℓ을 도포하여 45~60℃ 온도에서 1 내지 2분 동안 2차 에칭 공정이 진행된다. 2차 공정이 이루어진 후, 황산 40~80㎖/ℓ를 상온에서 1 내지 2분동안 활성화 공정이 진행하고 황산 10vol%/ℓ을 도포하여 상온에서 1 내지 2분 동안 중화절차를 진행한다.Then, 10 to 50 g / l of sulfuric acid and 10 to 15 ml / l of sulfuric acid are applied, and the etching process is performed at 45 to 60 ° C for 1 to 2 minutes. After the etching process, the activation process is carried out at 40 to 80 ml / l of sulfuric acid at room temperature for 1 to 2 minutes, and 10 to 50 g / l of sulfuric acid and 10 to 15 ml / The secondary etching process proceeds at a temperature of 45 to 60 DEG C for 1 to 2 minutes. After the secondary process is completed, the activation process proceeds at 40 to 80 ml / l of sulfuric acid at room temperature for 1 to 2 minutes, and 10 vol% / l of sulfuric acid is applied and the neutralization process is performed at room temperature for 1 to 2 minutes.

상기의 에칭 공정이 마무리되면, 해당 재단되어 레이저 마스킹 및 에칭된 플라스틱, 필름에 대해 도금 절차를 진행하는데, 우선, 플라스틱, 필름의 하부면에 대해 Ni 5~6g/ℓ을 50~65℃ 온도에서 7 내지 10분동안 Ni 도금 절차를 진행하고, 하부면에 대해 Ni 도금된 플라스틱, 필름 전체를 금속구리, 가성소다, 포르말린을 이용하여 40~50℃ 온도에서 5 내지 6시간 동안 Cu 도금 절차를 진행하고, PdCl2 0.1~0.4g/ℓ, HCl 100~300㎖/ℓ을 플라스틱, 필름 표면에 도포하여 상온에서 1 내지 2분 동안 전착공정을 진행한다.When the above etching process is completed, the plating process is performed on the laser masking and the etched plastic and the film cut and cut. First, 5 to 6 g / l of Ni is applied to the lower surface of the plastic film at a temperature of 50 to 65 ° C The Ni plating process is carried out for 7 to 10 minutes and the Cu plating process is carried out for 5 to 6 hours at a temperature of 40 to 50 DEG C using Ni-plated plastic for the lower surface, metal copper, caustic soda, 0.1 to 0.4 g / l of PdCl 2 and 100 to 300 ml / l of HCl are applied to the surface of the plastic film, and the electrodeposition process is performed at room temperature for 1 to 2 minutes.

다시 상기 공정에 의해 전착된 플라스틱, 필름의 상부면에 대해 Ni 5~6g/ℓ을 50~65℃ 온도에서 30분 동안 Ni 도금 절차를 진행하여 도금절차를 마무리한다.The plating process is finished by performing the Ni plating process for 5 minutes at a temperature of 50 to 65 ° C for 30 minutes on the upper surface of the plastic or film electrodeposited by the above process for 5 to 6 g /

상기 도금절차가 마무리된 플라스틱, 필름의 NFC 안테나가 생성되는데, 이때, 플라스틱, 필름의 NFC 안테나에 묻어 있는 화학약품을 제거하기 위해 30초 정도동안 초음파 세척을 실시하고 생성된 NFC 안테나의 변색을 방지하기 위해 Sodium Gluconate 80~100㎖/ℓ을 도포하여 45~55℃ 온도에서 1분 동안 변색방지 처리를 한다.In this case, ultrasonic cleaning is performed for about 30 seconds in order to remove the chemicals on the plastic or film NFC antenna, and the discoloration of the generated NFC antenna is prevented Sodium Gluconate 80 ~ 100ml / ℓ is applied to prevent discoloration at 45 ~ 55 ℃ for 1 minute.

상기의 공정에 의해 제조된 PPS(Plastic platting solution)의 NFC 안테나의 PI(Poly Imide)는 300℃ 까지의 온도에서 사용되는 상업적으로 유용한 열저항 비금속 재료로서 열역학적 성질 및 내열성이 우수하고, 유기절연체, 접착제, 복합재료, 코팅재료로 활용되고 HDT 260℃, Tm 338℃, 인장강도 800kg/cm2, 신도 10%, 굴곡탄성률 40kg/cm2 을 가지는 특성으로 도금된 상태에서는 SMT, 납땜이 가능하고, PC(Polycarbonate)는 난연재료로써 전기 절연성, 내열 및 내한성이 우수하여 각종 전자기기에 광범위하게 사용되는 것으로 절단, 이형 가공, 홀 가공이 용이한 재료로서, 도금방식의 안테나 제조시 전기, 전자적 특성이 우수한다.
The PI (Poly Imide) of an NFC antenna of a plastic platting solution (PPS) manufactured by the above process is a commercially available heat resistant non-metallic material used at temperatures up to 300 ° C. It has excellent thermodynamic properties and heat resistance, HDT 260 ° C, Tm 338 ° C, tensile strength 800 kg / cm 2 , elongation 10%, flexural modulus 40 kg / cm 2 (Polycarbonate) is a flame retardant material that is widely used in various electronic devices because it has excellent electrical insulation, heat resistance and cold resistance. It is easy to cut, mold release, and hole processing. As one of the materials, the electric and electronic characteristics are excellent when manufacturing a plating type antenna.

본 발명에 따른 PPS(Plastic platting solution)의 안테나 제조 공정의 레이저 마스킹 절차를 살펴보면, 먼저, 도 3에 제시된 바와 같이 재단된 플라스틱, 필름의 외관 상태를 확인한 후 마스킹 지그의 청결 및 이상유무를 확인하고 마스킹 지그 상에 레이저 마스킹에 필요한 마킹 위치를 확인하고 도 4에 제시된 바와 같이 재단된 플라스틱, 필름을 홀에 맞게 지그에 조립하고 안착 여부를 확인한다. As shown in FIG. 3, the laser masking procedure of the antenna manufacturing process of a plastic platting solution (PPS) according to the present invention will be described. First, after checking the appearance of the cut plastic and film, Confirm the marking position required for laser masking on the masking jig, assemble the cut plastic or film to the jig as shown in FIG.

이후, 첨부된 도 5에 도시된 바와 같이 홀에 맞게 안착되어 조립된 플라스틱, 필름을 레이저 마스킹을 실시하고, 레이저 마스킹 후 코팅막을 제거상태 및 외곽라인 떨림여부를 확인하고 에칭 공정을 진행한다.
Then, as shown in FIG. 5, the assembled plastic or film is seated on the hole and laser masking is performed. After the laser masking, the coating film is checked for the removed state and the peripheral line is shaken, and the etching process is performed.

이상과 같이, 본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
As described above, preferred embodiments of the present invention have been disclosed in the present specification and drawings, and although specific terms have been used, they have been used only in a general sense to easily describe the technical contents of the present invention and to facilitate understanding of the invention , And are not intended to limit the scope of the present invention. It is to be understood by those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention are possible in addition to the embodiments disclosed herein.

Claims (5)

삭제delete PC(Poly Carbonate: 폴리카보네이트) PI(Poly Imide: 폴리이미드), PET(Polyetylene 폴리에틸렌) 또는 PP(polypropylene :폴리프로필렌) 중 어느 하나로 구성된 플라스틱, 필름의 원판을 NFC 안테나 크기에 따라 통전이 될 수 있도록 비아홀을 포함하여 재단하는 제 1 공정; 비아홀이 포함되어 안테나 크기에 따라 재단된 플라스틱, 필름 원판의 표면에 안테나 패턴에 따라 도금시 seed가 안착될 수 있도록 미세한 균열을 발생시켜 레이저 마스킹 처리를 하는 제 2 공정; 레이저 마스킹 처리된 플라스틱, 필름을 화학약품으로 물성변화를 일으켜 표면에 데이지를 줘서 도금의 seed를 심어 밀착력을 가지는 금속막을 입히는 에칭절차를 진행하는 제 3 공정; 및 에칭 처리된 플라스틱, 필름 원판의 seed를 레이저 마스킹 부위만 도금절차를 통해 금속막을 형성시키는 제 4 공정;을 포함하여 구성된 플라스틱 소재를 이용한 안테나 제조방법에 있어서,
상기 제 3 공정의 에칭절차는
레이저 마스킹 된 플라스틱, 필름을 에스크린 30~50g/ℓ를 60~70℃온도에서 5분간 초음파 탈지를 한 후, 초음파 탈지시 사용된 에스크린 약품에 의한 플라스틱, 필름의 액화현상 개선하기 위해 물 초음파를 진행하는 제 1 단계;
염산 10vol%/ℓ를 상온에서 1 내지 2분동안 염산세 공정을 하고 염산 3㎖를 상온에서 활성화 공정을 진행하고 PdCl2 0.1~0.4g/ℓ, HCl 100~300㎖/ℓ, SnCl .2H2O 5~30g/ℓ을 플라스틱, 필름 표면에 도포하여 상온에서 1 내지 2분 동안 전착공정을 진행하는 제 2 단계;
강황산 10~50g/ℓ,황산 10~15㎖/ℓ을 도포하여 45~60℃온도에서 1 내지 2분 동안 에칭 공정을 진행하고, 플라스틱, 필름을 황산 40~80㎖/ℓ를 상온에서 1 내지 2분동안 활성화 공정이 진행한 후, 강황산 10~50g/ℓ,황산 10~15㎖/ℓ을 도포하여 45~60℃온도에서 1 내지 2분 동안 2차 에칭 공정이 진행하는 제 3 단계; 및
2차 에칭 공정이 이루어진 후, 황산 40~80㎖/ℓ를 상온에서 1 내지 2분 동안 활성화 공정을 진행하고 황산 10vol%/ℓ을 도포하여 상온에서 1 내지 2분 동안 중화절차를 진행하는 제 4 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라스틱 소재를 이용한 안테나 제조방법.
Plastic plate made of any one of PC (Poly Carbonate) PI (Polyimide), PET (Polyethylene) or PP (Polypropylene) A first step of cutting including a via hole; A second step of forming a fine crack on the surface of the plastic plate or the original plate of the plastic plate, which is cut according to the antenna size, so that the seed can be seated upon plating according to the antenna pattern; A third step of irradiating laser-masked plastic or film with a chemical agent to change the physical properties of the film, and then applying a daisy to the surface of the film, thereby plating a seed of plating to coat a metal film having adhesion; And a fourth step of forming a metal film on the seed of the etched plastic film or the original plate through a plating process only in a laser masked area,
The etching procedure of the third step
Laser masked plastic and film were ultrasonically degreased at 30 ~ 50g / ℓ at 60 ~ 70 ℃ for 5 minutes. Ultrasonic degreasing was used for ultrasonic degreasing to improve the liquefaction of plastics and films. ;
Hydrochloric 10vol% / the hydrochloride three step for 1-2 min at room temperature, ℓ and the activation process is conducted at room temperature and the hydrochloric acid 3㎖ PdCl 2 0.1 ~ 0.4g / ℓ, HCl 100 ~ 300㎖ / ℓ, SnCl .2H 2 O A second step of applying 5 to 30 g / l on the surface of a plastic film to conduct an electrodeposition process at room temperature for 1 to 2 minutes;
10 to 50 g / l of sulfuric acid and 10 to 15 ml / l of sulfuric acid, and the etching process is carried out at 45 to 60 ° C for 1 to 2 minutes. The plastic film is immersed in an aqueous solution containing sulfuric acid at 40 to 80 ml / After the activation process is performed for 2 minutes, the third etching step is carried out at 45 to 60 ° C for 1 to 2 minutes by applying 10 to 50 g / l of strong sulfuric acid and 10 to 15 ml / ; And
After the second etching step, the activation process is carried out at 40 to 80 ml / l of sulfuric acid at room temperature for 1 to 2 minutes, and 10 vol% / l of sulfuric acid is applied, and the neutralization process is carried out at room temperature for 1 to 2 minutes. The method of manufacturing an antenna using a plastic material according to claim 1,
삭제delete 삭제delete 제 2 항에 있어서,
제 4 공정의 도금절차는
플라스틱, 필름의 하부면에 대해 Ni 5~6g/ℓ을 50~65℃ 온도에서 7 내지 10분동안 Ni 도금 절차를 진행하고, 하부면에 대해 Ni 도금된 플라스틱, 필름 전체를 금속구리, 가성소다, 포르말린을 이용하여 40~50℃ 온도에서 5 내지 6시간 동안 Cu 도금 절차를 진행하는 제 1 단계
제 1 단계가 이루어진 후, PdCl2 0.1~0.4g/ℓ, HCl 100~300㎖/ℓ을 플라스틱, 필름 표면에 도포하여 상온에서 1 내지 2분 동안 전착공정을 진행하는 제 2 단계;
상기 공정에 의해 전착된 플라스틱, 필름의 상부면에 대해 Ni 5~6g/ℓ을 50~65℃ 온도에서 30분 동안 Ni 도금 절차를 진행하는 제 3 단계; 및
도금절차에 의해 플라스틱, 필름의 NFC 안테나에 묻어 있는 화학약품을 제거하기 위해 30초 정도 동안 초음파 세척을 실시하고 생성된 NFC 안테나의 변색을 방지하기 위해 Sodium Gluconate 80~100㎖/ℓ을 도포하여 45~55℃ 온도에서 1분 동안 변색방지 처리를 하는 제 4 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라스틱 소재를 이용한 안테나 제조방법.
3. The method of claim 2,
The plating procedure of the fourth step
Plated on the lower surface of the plastic and film at a temperature of 50 to 65 ° C for 7 to 10 minutes, and the Ni-plated plastic is applied to the lower surface of the film and the entire film is coated with metal copper, caustic soda , A first step of conducting a Cu plating process at a temperature of 40 to 50 DEG C for 5 to 6 hours using formalin
After the first step, a second step of applying 0.1 to 0.4 g / l of PdCl 2 and 100 to 300 ml / l of HCl to the surface of a plastic film and conducting an electrodeposition process at room temperature for 1 to 2 minutes;
A third step of conducting a Ni plating process for 5 minutes at a temperature of 50 to 65 ° C for 30 minutes with respect to the upper surface of the plastic or film electrodeposited by the above process, 5 to 6 g / l of Ni; And
Ultrasonic cleaning was performed for 30 seconds to remove the chemicals on plastic and film NFC antennas by plating process. To prevent discoloration of the NFC antenna, 80 ~ 100ml / ℓ of Sodium Gluconate was applied to obtain 45 And a fourth step of performing a discoloration prevention treatment at a temperature of ~ 55 ° C for one minute.
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