KR101529304B1 - Apparatus for processing substrate - Google Patents

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Abstract

기판처리장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판처리장치는, 본체의 좌측면, 우측면 또는 후면에서 히터를 본체의 내부로 삽입하고, 본체의 외측으로 노출되는 히터의 타단부측에 형성된 단자판을 본체에 결합하고, 단자판에 외부의 전원측을 접속하거나, 커버를 분리한 상태에서 단자판이 케이스의 외측으로 노출되도록 히터를 케이스의 내부에 설치한 다음, 단자판에 외부의 전원측을 접속하면 되므로, 히터의 설치 및 유지 보수가 간편한 효과가 있다. 그리고, 히터에서 방출된 복사열은 반사판에 의하여 반사된다. 따라서, 히터에서 방출된 복사열과 반사판에서 반사된 복사열에 의하여 기판이 가열되므로, 적은 에너지를 이용하여 기판을 고온으로 가열할 수 있는 효과가 있다.A substrate processing apparatus is disclosed. A substrate processing apparatus according to the present invention is characterized in that a heater is inserted into the inside of the main body from the left side, right side or rear side of the main body and a terminal plate formed on the other end side of the heater exposed to the outside of the main body is coupled to the main body, The heater is installed inside the case so that the terminal board is exposed to the outside of the case in a state where the cover is detached and then the external power source side is connected to the terminal board so that the installation and maintenance of the heater can be easily effected have. Radiant heat emitted from the heater is reflected by the reflector. Therefore, since the substrate is heated by the radiant heat emitted from the heater and the radiant heat reflected from the reflector, the substrate can be heated to a high temperature using a small amount of energy.

Description

기판처리장치 {APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 히터의 설치 및 유지 보수가 용이한 기판처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus in which the installation and maintenance of a heater is facilitated.

기판처리장치는, 평판 디스플레이의 제조시 사용되며, 증착(Vapor Deposition) 장치와 어닐링(Annealing) 장치로 대별된다.The substrate processing apparatus is used for manufacturing a flat panel display, and is roughly divided into a vapor deposition apparatus and an annealing apparatus.

증착 장치는 평판 디스플레이의 핵심 구성을 이루는 투명 전도층, 절연층, 금속층 또는 실리콘층을 형성하는 장치로서, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등과 같은 화학 기상 증착 장치와 스퍼터링(Sputtering) 등과 같은 물리 기상 증착 장치가 있다.The deposition apparatus is a device for forming a transparent conductive layer, an insulating layer, a metal layer, or a silicon layer which is a core constituent of a flat panel display, and is a chemical vapor deposition (LPCVD) or a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) Device and a physical vapor deposition apparatus such as sputtering.

그리고, 어닐링 장치는 기판에 막을 증착한 후, 증착된 막의 특성을 향상시키는 장치로써, 증착된 막을 결정화 또는 상변화 시키기 위하여 열처리하는 장치이다.And, the annealing apparatus is an apparatus for improving the characteristics of a deposited film after depositing a film on a substrate, and heat-treating the deposited film to crystallize or phase change the film.

일반적으로, 기판처리장치는 기판이 로딩되어 처리되는 공간인 챔버를 형성하는 본체를 포함하고, 상기 본체의 내부에는 상기 챔버에 로딩된 상기 기판을 가열하기 위한 히터가 설치된다.Generally, a substrate processing apparatus includes a body forming a chamber which is a space where a substrate is loaded and processed, and a heater for heating the substrate loaded in the chamber is installed in the body.

그런데, 종래의 기판처리장치는, 상기 히터로 전원을 공급하기 위한 결선작업을 상기 본체의 내부에서 수행하여야 하므로, 히터의 설치 및 유지 보수가 불편한 단점이 있었다.However, the conventional substrate processing apparatus is disadvantageous in that installation and maintenance of the heater are inconvenient because the wiring work for supplying power to the heater must be performed inside the main body.

기판처리장치와 관련한 선행기술은 한국공개특허공보 제10-2008-0088419호 등에 개시되어 있다.Prior art relating to a substrate processing apparatus is disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2008-0088419.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 히터의 설치 및 유지 보수가 간편한 기판처리장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus which is simple in installation and maintenance of a heater.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 내부에 기판이 투입되는 공간인 챔버가 형성된 본체; 및 상기 본체에 설치되며 상기 본체의 좌측면, 우측면 또는 후면 중, 적어도 어느 하나의 면 외측으로부터 전원을 공급받는 히터를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a main body having a chamber, And a heater installed in the main body and supplied with power from at least one of a left surface, a right surface, and a rear surface of the main body.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 본체의 좌측면, 우측면 또는 후면에서 히터를 본체의 내부로 삽입하고, 본체의 외측으로 노출되는 히터의 타단부측에 형성된 단자판을 본체에 결합하고, 단자판에 외부의 전원측을 접속하거나, 커버를 분리한 상태에서 단자판이 케이스의 외측으로 노출되도록 히터를 케이스의 내부에 설치한 다음, 단자판에 외부의 전원측을 접속하면 되므로, 히터의 설치 및 유지 보수가 간편한 효과가 있다.A substrate processing apparatus according to the present invention is characterized in that a heater is inserted into the inside of the main body from the left side, right side or rear side of the main body and a terminal plate formed on the other end side of the heater exposed to the outside of the main body is coupled to the main body, The heater is installed inside the case so that the terminal board is exposed to the outside of the case in a state where the cover is detached and then the external power source side is connected to the terminal board so that the installation and maintenance of the heater can be easily effected have.

그리고, 히터에서 방출된 복사열은 반사판에 의하여 반사된다. 따라서, 히터에서 방출된 복사열과 반사판에서 반사된 복사열에 의하여 기판이 가열되므로, 적은 에너지를 이용하여 기판을 고온으로 가열할 수 있는 효과가 있다.Radiant heat emitted from the heater is reflected by the reflector. Therefore, since the substrate is heated by the radiant heat emitted from the heater and the radiant heat reflected from the reflector, the substrate can be heated to a high temperature using a small amount of energy.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리장치의 사시도.
도 2는 도 1의 분해 사시도.
도 3은 도 2의 저면 사시도.
도 4는 도 1의 "A-A"선 단면도.
도 5a는 도 2에 도시된 지지블럭의 확대 사시도.
도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 지지블럭의 사시도.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 다른 기판처리장치의 일부 분해 사시도.
도 7은 도 6의 "B-B"선 단면도.1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention;
Fig. 2 is an exploded perspective view of Fig. 1; Fig.
Fig. 3 is a bottom perspective view of Fig. 2; Fig.
4 is a sectional view taken along the line "AA" in Fig.
FIG. 5A is an enlarged perspective view of the support block shown in FIG. 2; FIG.
Figure 5b is a perspective view of a support block according to another embodiment of the present invention;
6 is a partially exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention;
7 is a sectional view taken along the line "BB" in Fig. 6;

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시하여 도시한 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분히 상세하게 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 상호 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 특정 구조 및 특성은 일 실시예와 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미가 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에 도시된 실시예들의 길이, 면적, 두께 및 형태는, 편의상, 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that illustrate specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are mutually exclusive, but need not be mutually exclusive. For example, certain features, specific structures, and features described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with one embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is to be limited only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled. The length, area, thickness, and shape of the embodiments shown in the drawings may be exaggerated for convenience.

본 실시예를 설명함에 있어서, 기판의 처리라 함은 기판을 가열 및 냉각하는 공정, 기판에 소정의 막을 증착하기 위한 모든 공정, 기판에 증착된 소정의 막을 어닐링, 결정화 또는 상변화 하기 위한 모든 열처리 공정 등을 포함하는 개념으로 이해되어야 한다.In describing the present embodiment, the term " substrate processing " includes a process of heating and cooling the substrate, a process of depositing a predetermined film on the substrate, a process of annealing a predetermined film deposited on the substrate, Process, and the like.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 기판처리장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1 1st 실시예Example

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 분해 사시도이다.FIG. 1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an exploded perspective view of FIG.

도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리장치는 대략 직육면체 형상으로 형성된 본체(110)를 포함한다. 본체(110)의 내부에는 기판(50)(도 4 참조)이 투입되는 밀폐된 공간인 챔버(110a)가 형성되고, 전면에는 기판(50)이 출입하는 출입구(110b)가 형성된다.As shown in the figure, the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention includes a main body 110 formed in a substantially rectangular parallelepiped shape. A chamber 110a which is a closed space into which the substrate 50 (see FIG. 4) is inserted is formed in the main body 110, and an entrance 110b through which the substrate 50 enters and exits is formed on the front surface.

본체(110)는 상면은 개방되고 전면(前面)에는 출입구(110b)가 형성된 케이스(111)와 케이스(111)의 상단면(上端面)에 결합된 커버(113)를 가지며, 용융점이 600℃ 이상인 알루미늄으로 형성될 수 있다. 케이스(111)와 커버(113)에 의하여 형성되는 공간이 챔버(110a)이다.The main body 110 has a case 111 having an upper surface opened and a door 110b formed at a front surface thereof and a cover 113 coupled to an upper end surface of the case 111, Or more. The space formed by the case 111 and the cover 113 is a chamber 110a.

본체(110)의 일측에는 챔버(110a)를 진공상태로 만들고, 진공상태가 된 챔버(110a)의 진공을 유지하기 위한 진공펌프(미도시)측과 연통되는 연통공(110c)이 형성될 수 있다. 그리고, 본체(110)의 다른 일측에는 기판(50)의 처리에 필요한 가스를 챔버(110a)로 공급하기 위한 가스공급부(미도시) 및 사용된 가스를 배출하기 위한 가스배출부(미도시)가 설치될 수 있다.A chamber 110a is formed in a vacuum state at one side of the main body 110 and a communication hole 110c communicating with a vacuum pump (not shown) for maintaining a vacuum of the vacuum chamber 110a may be formed have. A gas supply part (not shown) for supplying the gas required for processing the substrate 50 to the chamber 110a and a gas discharge part (not shown) for discharging the used gas are provided on the other side of the main body 110 Can be installed.

본체(110)의 외면에는 강성(剛性)을 보강하기 위한 리브(115)가 형성된다. 리브(115)는 열 또는 압력에 의하여 본체(110)가 변형되는 것을 방지한다. 그리고, 본체(110)가 열에 의하여 변형되는 것을 더욱 방지하기 위하여, 본체(110)의 상면 및 하면에는 냉각관(116)이 각각 설치될 수 있고, 본체(110)의 하면에는 본체(110)를 슬라이딩시키기 위한 복수의 롤러(117)(도 3 참조)가 설치될 수 있다.A rib 115 for reinforcing rigidity is formed on the outer surface of the main body 110. The ribs 115 prevent the body 110 from being deformed by heat or pressure. In order to further prevent the main body 110 from being deformed by heat, a cooling pipe 116 may be installed on the upper and lower surfaces of the main body 110, A plurality of rollers 117 (see Fig. 3) for sliding can be provided.

케이스(111)의 전면에는 출입구(110b)를 개폐하는 도어(130)가 설치될 수 있다. 로봇(미도시)으로 기판(50)을 지지하여, 기판(50)을 챔버(110a)에 인입하거나 챔버(110a)로부터 인출할 때에는 도어(130)에 의하여 출입구(110b)는 개방된다. 그리고, 기판(50)을 챔버(110a)에 인입하여 기판(50)을 처리할 때에는 도어(130)에 의하여 출입구(110b)는 폐쇄된다. 출입구(110b)가 개폐되면, 챔버(110a)가 개폐됨은 당연하다.A door 130 may be provided on the front surface of the case 111 to open and close the door 110b. The door 110b is opened by the door 130 when the substrate 50 is supported by the robot (not shown) and the substrate 50 is drawn into the chamber 110a or drawn out from the chamber 110a. When the substrate 50 is drawn into the chamber 110a and the substrate 50 is processed, the door 110 closes the entrance 110b. It is a matter of course that the chamber 110a is opened and closed when the entrance 110b is opened and closed.

챔버(110a)의 진공이 누설되는 것을 방지하기 위하여, 케이스(111)와 도어(130) 사이에는 실링부재(미도시)가 개재될 수 있다.A sealing member (not shown) may be interposed between the case 111 and the door 130 to prevent the vacuum of the chamber 110a from leaking.

본체(110)의 내부에는 기판(50)을 가열하기 위한 히터(140) 및 히터(140)에서 발생된 열을 반사하는 반사판(160)이 설치되는데, 이를 도 1 내지 도 5b를 참조하여 설명한다. 도 3은 도 2의 저면 사시도이고, 도 4는 도 1의 "A-A"선 단면도이며, 도 5a는 도 2에 도시된 지지블럭의 확대 사시도이고, 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 지지블럭의 사시도이다.A heater 140 for heating the substrate 50 and a reflection plate 160 for reflecting the heat generated in the heater 140 are installed in the body 110 and will be described with reference to FIGS. 1 to 5B . FIG. 3 is a bottom perspective view of FIG. 2, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1, FIG. 5A is an enlarged perspective view of the support block shown in FIG. 2, FIG.

먼저, 반사판(160)에 대하여 설명한다.First, the reflection plate 160 will be described.

반사판(160)은 본체(110)의 내부 전후면, 상하면 및 양측면에 설치되어, 히터(140)를 감싸는 형태로 될 수 있다. 즉, 반사판(160)은 상호 연결되어 본체(110)와 대응되는 형상으로 형성될 수 있으며, 적외선을 반사하는 재질인 스테인레스 스틸로 형성되는 것이 바람직하다.The reflector 160 may be disposed on the front and rear surfaces, the upper and lower surfaces, and both side surfaces of the main body 110 so as to surround the heater 140. That is, the reflection plates 160 may be connected to each other so as to correspond to the body 110, and may be formed of stainless steel, which reflects infrared rays.

반사판(160)이 본체(110)와 대응되는 형상으로 형성되므로, 반사판(160)의 내부에도 챔버(160a)가 형성된다. 그리고, 기판(50)은 반사판(160)의 챔버(160a)에 로딩되어 처리된다.Since the reflection plate 160 is formed in a shape corresponding to the body 110, a chamber 160a is also formed in the reflection plate 160. [ Then, the substrate 50 is loaded into the chamber 160a of the reflector 160 and processed.

본체(110)의 내부 하면에는 반사판(160)을 본체(110)의 하면과 이격시켜 지지하는 복수의 지지돌기(121)가 형성될 수 있다. 반사판(160)을 본체(110)와 이격시키는 이유는 히터(140)에 의하여 가열된 반사판(160)의 열이 본체(110)를 통하여 외부로 방출되는 것을 방지하기 위함이다.A plurality of support protrusions 121 may be formed on the lower surface of the main body 110 to support the reflector 160 away from the lower surface of the main body 110. The reason why the reflector 160 is separated from the main body 110 is to prevent the heat of the reflector 160 heated by the heater 140 from being discharged to the outside through the main body 110. [

그리고, 본체(110)의 내부 전면, 후면, 양측면 및 상면에는 반사판(160)을 본체(110)로부터 이격시켜 지지하는 복수의 지지너트(123)가 각각 형성되고, 지지너트(123)에는 반사판(160)을 지지너트(123)에 밀착시키는 지지볼트(125)(도 4 참조)가 반사판(160)을 관통하여 체결된다.A plurality of support nuts 123 for supporting the reflector 160 away from the main body 110 are formed on the inner front surface, rear surface, both side surfaces and the upper surface of the main body 110, A support bolt 125 (see FIG. 4) for tightly attaching the support nut 160 to the support nut 123 is fastened through the reflector 160.

본체(110)의 내부 하면에는 기판(50)을 지지하는 복수의 지지핀(170)이 설치될 수 있다. 이때, 지지핀(170)의 하단부는 본체(110)의 내부 하면에 설치되고, 상단부측은 본체(110)의 내부 하면측에 설치된 반사판(160)을 관통하여 히터(140) 사이에 위치된다. 지지핀(170)의 상단부에 기판(50)이 탑재 지지된다.A plurality of support pins 170 for supporting the substrate 50 may be provided on the inner surface of the main body 110. At this time, the lower end of the support pin 170 is disposed on the inner bottom surface of the main body 110, and the upper end side of the support pin 170 is positioned between the heaters 140 through the reflector 160 installed on the inner bottom surface of the main body 110. A substrate 50 is mounted and supported on the upper end of the support pin 170.

본체(110)의 전면에는 출입구(110b)가 형성되므로, 출입구(110b)에는 반사판(160)이 설치되지 못한다. 이를 위하여, 출입구(110b)측의 열을 반사하기 위한 반사판(160)은 도어(130)의 내면에 설치될 수 있다. 그리고, 도어(130)의 운동을 반사판(160)이 방해하는 것을 방지하기 위하여, 반사판(160)은 도어(130)의 내면에 접촉 설치되는 것이 바람직하다.Since the entrance 110b is formed on the front surface of the main body 110, the reflection plate 160 can not be installed on the entrance 110b. To this end, the reflection plate 160 for reflecting the heat on the entrance 110b side may be installed on the inner surface of the door 130. In order to prevent the reflection plate 160 from interfering with the motion of the door 130, it is preferable that the reflection plate 160 is installed in contact with the inner surface of the door 130.

본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리장치는 본체(110)의 내부에 설치된 히터(140)가 본체(110)의 좌측면, 우측면 또는 후면 중 적어도 어느 하나의 면 외측으로부터 전원을 공급받는다.The substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention is supplied with power from a heater 140 disposed inside the main body 110 from at least one surface of the left side, right side, or rear side of the main body 110.

상세히 설명하면, 히터(140)는 바 형상으로 형성되어, 복수개가 본체(110)의 케이스(111)의 후면에서 전면을 향하거나, 케이스(111)의 좌측면에서 우측면을 향하거나, 케이스(111)의 우측면에서 좌측면을 향한다. 그리하여, 히터(140)의 일단부측은 본체(110)의 케이스(111)의 내부에 위치되고, 타단부측은 케이스(111)의 좌측면, 우측면 또는 후면 중, 적어도 어느 하나의 면에 삽입 지지된다. 따라서, 케이스(111)의 좌측면, 우측면 또는 후면 중, 히터(140)가 관통하는 면에는 관통공(110d)이 형성된다.The heater 140 is formed in a bar shape such that a plurality of heaters 140 are directed from the rear face to the front face of the case 111 of the body 110 or from the left face to the right face of the case 111, To the left side. The one end side of the heater 140 is positioned inside the case 111 of the main body 110 and the other end side is inserted and supported on at least one of the left side surface, the right side surface, or the rear surface of the case 111 . Therefore, a through hole 110d is formed in the surface of the left, right, or rear surface of the case 111 through which the heater 140 penetrates.

이때, 케이스(111)의 좌측면, 우측면 또는 후면에 삽입 지지되는 히터(140)의 타단부에는 외부의 전원을 공급받기 위한 단자판(142)이 형성되어 케이스(111)의 좌측면, 우측면 또는 후면에 결합된다. 그리고, 단자판(142)에 외부의 전원측과 접촉된 케이블(미도시) 또는 플러그(미도시)가 접속된다.At this time, a terminal plate 142 for receiving external power is formed at the other end of the heater 140 inserted and supported on the left, right, or rear surface of the case 111, Lt; / RTI > A cable (not shown) or a plug (not shown) in contact with the external power source side is connected to the terminal plate 142.

케이스(111)의 후면에서 전면측을 향하는 히터(140)의 일단부는 케이스(111)의 전면측에 위치된다. 그러면, 히터(140)의 길이가 길므로, 자중에 의하여 처질 수 있다. 이를 방지하기 위하여, 케이스(111)의 내부에 설치된 반사판(160) 중, 하측에 위치된 반사판(160)에는 히터(140)를 지지하는 복수의 지지블럭(151)이 설치될 수 있다.One end of the heater 140 facing the front side from the rear surface of the case 111 is located on the front side of the case 111. [ Then, since the length of the heater 140 is long, it can be deformed by its own weight. A plurality of support blocks 151 for supporting the heater 140 may be installed on the reflector 160 positioned below the reflector 160 installed inside the case 111. [

지지블럭(151)에는, 도 5a에 도시된 바와 같이, 히터(140)가 삽입 지지되는 지지공(151a)이 형성될 수 있다. 그리고, 도 5b에 도시된 바와 같이, 지지블럭(153)에는 히터(140)가 안치 지지되는 지지홈(153a)이 형성될 수 있다.As shown in FIG. 5A, the support block 151 may be formed with a support hole 151a through which the heater 140 is inserted. As shown in FIG. 5B, the support block 153 may be formed with a support groove 153a in which the heater 140 is supported.

본체(110)의 케이스(111)의 좌측면에서 우측면 또는 우측면에서 좌측면을 향하는 히터(140)는 일단부측이 대략 케이스(111)의 좌우방향 중앙부측에 위치되도록 짧게 형성되어 케이스(111)의 후면에서 전면을 향하는 히터(140)에 지지될 수 있다. 그리고, 케이스(111)의 좌측면에서 우측면 또는 우측면에서 좌측면을 향하는 히터(140)는 상대적으로 저온인 케이스(111)의 전면측 및 후면측에만 설치되는 것이 바람직하다.The heater 140 facing the left side from the right side or the right side of the left side of the case 111 of the main body 110 is formed so as to be located at the center side of the case 111 in the right- And can be supported by the heater 140 facing from the rear surface to the front surface. It is preferable that the heater 140 facing the left side from the right side or the right side on the left side of the case 111 is installed only on the front side and the rear side of the case 111 which is relatively low temperature.

반사판(160)의 챔버(160a)에서 기판(50)이 처리되고, 히터(140)는 반사판(160)의 챔버(160a)에 위치되므로, 히터(140)가 반사판(160)을 관통함은 당연하다. 그리고, 히터(140)가 관통하는 케이스(111)의 관통공(110d) 부위는 실링되어야 함은 당연하다.The substrate 50 is processed in the chamber 160a of the reflector 160 and the heater 140 is positioned in the chamber 160a of the reflector 160. The heater 140 penetrates the reflector 160, Do. It is a matter of course that the through hole 110d of the case 111 through which the heater 140 penetrates must be sealed.

케이스(111)와 커버(113) 사이에는 실링부재(미도시) 및 마모방지부재(미도시)가 각각 개재될 수 있고, 상기 마모방지부재는 테프론으로 형성되어 케이스(111)의 내면측 상단면(上端面)에 설치될 수 있다. 상기 마모방지부재는 금속재의 케이스(111)와 금속재의 커버(113)가 직접 접촉하는 것을 방지하여 파티클이 발생하는 것을 방지한다.A sealing member (not shown) and a wear preventing member (not shown) may be interposed between the case 111 and the cover 113. The wear preventing member may be formed of Teflon, (Upper end surface). The wear preventing member prevents direct contact between the case 111 of the metal member and the cover 113 of the metal material, thereby preventing particles from being generated.

본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리장치는 본체(110)의 좌측면, 우측면 또는 후면에서 히터(140)를 본체(110)의 내부로 삽입하고, 본체(110)의 외측으로 노출되는 히터(140)의 타단부측에 형성된 단자판(142)을 본체(110)에 결합하고, 단자판(142)에 외부의 전원측을 접속하면 되므로, 히터(140)의 설치 및 유지 보수가 간편하다.The substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention includes a heater 110 which is inserted into the main body 110 from the left side, right side or rear side of the main body 110, Since the terminal plate 142 formed on the other end side of the heater 140 is coupled to the main body 110 and the external power source side is connected to the terminal plate 142, the installation and maintenance of the heater 140 is simple.

그리고, 히터(140)에서 방출된 복사열은 스테인레스 스틸로 형성된 반사판(160)에 의하여 반사된다. 따라서, 히터(140)에서 방출된 복사열과 반사판(160)에서 반사된 복사열에 의하여 기판(50)이 가열되므로, 적은 에너지를 이용하여 기판(50)을 고온으로 가열할 수 있다.Radiation heat emitted from the heater 140 is reflected by the reflection plate 160 formed of stainless steel. Therefore, since the substrate 50 is heated by the radiant heat emitted from the heater 140 and the radiant heat reflected from the reflection plate 160, the substrate 50 can be heated to a high temperature using a small amount of energy.

제2 Second 실시예Example

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 다른 기판처리장치의 일부 분해 사시도이고, 도 7은 도 6의 "B-B"선 단면도로서, 제1실시예와의 차이점만을 설명한다.FIG. 6 is a partially exploded perspective view of the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line "B-B" in FIG. 6, and only differences from the first embodiment will be described.

도시된 바와 같이, 히터(240)는 반사판(260)의 챔버(260a)와 대략 대응되는 판형상으로 형성될 수 있다. 이때, 히터(240)의 일측면에는 외부의 전원을 공급받기 위한 단자판(242)이 형성되어 본체(210)의 케이스(211)의 좌측면, 우측면 또는 후면 중, 적어도 어느 하나의 면을 통하여 외부로 노출된다.As shown in the figure, the heater 240 may be formed in a plate shape substantially corresponding to the chamber 260a of the reflection plate 260. At this time, a terminal plate 242 for receiving external power is formed on one side of the heater 240, and the terminal plate 242 is connected to at least one of the left, right, and rear surfaces of the case 211 of the main body 210 Lt; / RTI >

단자판(242)이 외부로 노출되는 것을 허용하기 위하여, 케이스(211)의 후면, 좌측면 또는 우측면의 상단면(上端面) 중 단자판(242)이 위치되는 부위와 대응되는 부위의 상단면에는 단자판(242)이 위치되는 제1 연통홈(210e)이 형성되고, 반사판(260)에는 제1 연통홈(210e)과 대응되게 제2 연통홈(260f)이 형성된다.In order to allow the terminal plate 242 to be exposed to the outside, on the upper surface of the rear surface, the left surface, or the upper surface of the right side surface of the case 211 corresponding to the portion where the terminal plate 242 is positioned, A first communication groove 210e in which the first communication groove 242 is located and a second communication groove 260f in the reflection plate 260 in correspondence with the first communication groove 210e.

반사판(260) 중, 하측에 위치된 반사판(260)에는 히터(240)를 반사판(260)으로부터 이격시켜 지지하는 이격돌기(262)가 복수개 형성될 수 있다. 그리고, 히터(240)는 복수의 영역으로 구획될 수 있고, 구획된 각각의 히터(240)는 각각 독립적으로 전원을 공급받는다.A plurality of spaced apart protrusions 262 may be formed on the reflector 260 located below the reflector 260 to support the heater 240 away from the reflector 260. The heater 240 may be divided into a plurality of regions, and each of the divided heaters 240 is independently supplied with power.

제1 연통홈(210e)에 단자판(242)이 위치되므로, 단자판(242)이 위치되는 제1 연통홈(210e)의 부위는 실링되어야 함은 당연하다.Since the terminal plate 242 is positioned in the first communication groove 210e, the portion of the first communication groove 210e in which the terminal plate 242 is positioned must be sealed.

본 발명의 제2 실시예에 따른 기판처리장치는 커버(213)를 분리한 상태에서 단자판(242)이 케이스(211)의 외측으로 노출되도록 히터(240)를 케이스(211)의 내부에 설치한 다음, 외부의 전원측을 단자판(242)에 접속하면 되므로, 히터(240)의 설치 및 유지 보수가 간편하다.The substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention is provided with the heater 240 installed inside the case 211 so that the terminal plate 242 is exposed to the outside of the case 211 in a state in which the cover 213 is detached Next, since the external power source side is connected to the terminal board 242, the installation and maintenance of the heater 240 is simple.

상기와 같이 기술된 본 발명의 실시예들에 대한 도면은 자세한 윤곽 라인을 생략하여, 본 발명의 기술사상에 속하는 부분을 쉽게 알 수 있도록 개략적으로 도시한 것이다. 또한, 상기 실시예들은 본 발명의 기술사상을 한정하는 기준이 될 수 없으며, 본 발명의 청구범위에 포함된 기술사항을 이해하기 위한 참조적인 사항에 불과하다.The above-described embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in which the detailed contour lines are omitted and portions belonging to the technical idea of the present invention are easily seen. It should be noted that the above-described embodiments are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but merely as a reference for understanding the technical idea included in the claims of the present invention.

110: 본체
140: 히터
160: 반사판
170: 지지핀110:
140: heater
160: Reflector
170: Support pin

Claims (12)

내부에 기판이 투입되는 공간인 챔버가 형성된 본체 - 상기 본체는 상면은 개방되고 전면에는 상기 기판이 출입하는 출입구가 형성된 케이스와 상기 케이스의 상단면(上端面)에 결합된 커버를 가지고, 상기 케이스의 전면에는 상기 출입구를 개폐하는 도어가 설치됨 -; 및
상기 본체에 설치되며 상기 본체의 좌측면, 우측면 또는 후면 중, 적어도 어느 하나의 면 외측으로부터 전원을 공급받는 히터를 포함하며,
상기 히터는 판 형상으로 형성되고,
상기 히터의 일측면에는 외부의 전원을 공급받기 위한 단자판이 형성되어 상기 본체의 후면, 좌측면 또는 우측면 중, 적어도 어느 하나의 면을 통하여 외부로 노출된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And a cover coupled to an upper end surface of the case, wherein the case has an upper surface opened and a front surface formed with an entrance through which the substrate enters and exits, A door for opening and closing the entrance is installed on a front surface of the door; And
And a heater installed in the main body and supplied with power from at least one of a left side, a right side, and a rear side of the main body,
The heater is formed in a plate shape,
Wherein a terminal board for receiving external power is formed on one side of the heater and exposed to the outside through at least one of a rear surface, a left surface, and a right surface of the main body. 제1항에 있어서,
상기 본체의 내부에는 상기 히터에서 발생된 열을 반사하는 반사판이 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein a reflection plate for reflecting the heat generated from the heater is installed inside the body. 제2항에 있어서,
상기 반사판은 상기 본체와 대응되는 형상으로 형성되어 상기 히터를 감싸며, 자신의 내부에는 기판이 처리되는 공간인 챔버가 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.3. The method of claim 2,
Wherein the reflection plate is formed in a shape corresponding to the body and surrounds the heater, and a chamber, which is a space in which the substrate is processed, is formed in the reflection plate. 제2항에 있어서,
상기 반사판은 적외선을 반사하는 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.3. The method of claim 2,
Wherein the reflection plate is formed of a material reflecting infrared rays. 제4항에 있어서,
상기 반사판은 스테인레스 스틸인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.5. The method of claim 4,
Wherein the reflection plate is made of stainless steel. 제3항에 있어서,
상기 본체의 내부 하면에는 상기 반사판을 상기 본체로부터 이격시켜 지지하는 복수의 지지돌기가 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 3,
Wherein a plurality of support protrusions are formed on an inner bottom surface of the main body to support the reflector away from the main body. 제3항에 있어서,
상기 본체의 내부 전면, 후면, 양측면 및 상면에는 상기 반사판을 상기 본체로부터 이격시켜 지지하는 복수의 지지너트가 각각 형성되고,
상기 지지너트에는 상기 반사판을 상기 지지너트에 밀착시키는 지지볼트가 상기 반사판을 관통하여 체결된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 3,
A plurality of support nuts are formed on the inner front surface, rear surface, both side surfaces, and the upper surface of the main body so as to support the reflective plate away from the main body,
Wherein the support nut is fastened to the reflector through a support bolt that closely contacts the support plate with the support plate. 삭제delete 제3항에 있어서,
상기 본체의 후면, 좌측면 또는 우측면의 상단면(上端面)에는 상기 단자판이 위치되는 제1 연통홈이 형성되고,
상기 반사판에는 상기 제1 연통홈과 대응되게 제2 연통홈이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 3,
A first communication groove in which the terminal board is positioned is formed on an upper end surface of a rear surface, a left surface, or a right surface of the main body,
Wherein the reflection plate is formed with a second communication groove corresponding to the first communication groove. 제1항에 있어서,
상기 히터는 복수의 영역으로 구획되고, 구획된 각각의 상기 히터는 각각 독립적으로 전원을 공급받는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the heater is divided into a plurality of regions, and each of the divided heaters is independently supplied with power. 제3항에 있어서,
상기 본체의 내부 하면측에 설치된 상기 반사판에는 상기 히터를 상기 반사판으로부터 이격시켜 지지하는 이격돌기가 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 3,
Wherein the reflection plate provided on an inner bottom surface side of the main body is formed with spacing protrusions for supporting the heater away from the reflection plate. 제3항에 있어서,
상기 본체의 내부 하면에는 복수의 지지핀의 하단부가 설치되고,
상기 지지핀의 상단부측은 상기 본체의 내부 하면측에 설치된 상기 반사판 및 상기 히터를 관통하며,
상기 지지핀의 상단부에 상기 기판이 탑재 지지되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 3,
A lower end portion of a plurality of support pins is provided on an inner bottom surface of the main body,
Wherein an upper end side of the support pin passes through the reflector and the heater provided on an inner bottom surface side of the main body,
And the substrate is mounted and supported on an upper end of the support pin.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH08321470A (en) * 1995-05-26 1996-12-03 Tokyo Electron Ltd Processor
KR20010014741A (en) * 1999-04-16 2001-02-26 엔도 마코토 Substrate processing apparatus
JP2004014838A (en) * 2002-06-07 2004-01-15 Ulvac Japan Ltd Heating/cooling apparatus and vacuum treating apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08321470A (en) * 1995-05-26 1996-12-03 Tokyo Electron Ltd Processor
KR20010014741A (en) * 1999-04-16 2001-02-26 엔도 마코토 Substrate processing apparatus
JP2004014838A (en) * 2002-06-07 2004-01-15 Ulvac Japan Ltd Heating/cooling apparatus and vacuum treating apparatus

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