KR101522783B1 - 전원장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 부하용 구동 전원을 포함한 복수의 구동 전원을 출력하는 전원장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플랫 패널 디스플레이용 전원장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 전원장치에 있어서, 교류 전원을 변환하여 부하용 구동 전원을 포함한 복수의 구동 전원을 출력하는 전원장치이며, 상기 전원장치는, 상기 교류 전원의 온/오프 상태를 검출하고, 그 검출 결과로서, 상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨과 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨을 가지는 교류 전원 검출신호를 출력하는 교류 전원 검출부; 및 상기 교류 전원 검출부로부터 출력된 상기 교류 전원 검출신호가 인가되고, 상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨일 때 부하의 휘도를 저감하는 휘도 저감부;를 포함한다.

Description

전원장치{POWER SUPPLY}
본 발명은 부하용 구동 전원을 포함한 복수의 구동 전원을 출력하는 전원장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플랫 패널 디스플레이용 전원장치에 관한 것이다.
최근 들어, 디스플레이 산업은 고해상도와 대화면 등의 멀티미디어 시대 요구를 반영한 신기술의 플랫 패널 디스플레이(FPD : Flat Panel Display) 시장이 주를 이루고 있어 향후 시장성 측면에서 주도적 역할을 할 것으로 기대되고 있다.
기존 FPD TV의 경우 백라이트 광원으로 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)이 주로 사용되어 왔지만, 최근에는 전력소모 및 수명, 친환경성 등과 같은 다양한 장점으로 인해 발광 다이오드(LED : Light Emitting Diode)로 대체되고 있는 추세이다.
한편 현재 FPD TV용 전원장치는 홀드업 타임 규정(예를 들어 20ms ~ 60ms)을 만족하여야 한다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 장애 등의 이유로 인해 입력 교류전원(AC)이 차단된 이후에도 데이터 백업을 위해 일정시간(TH, 홀드업 타임) 동안 영상 보드 등의 구동 전원(예를 들어 12V 등)을 공급하여야 한다. 이를 위해 전원장치는 입력단의 캐패시터에 충전된 전압으로부터 상기와 같은 구동 전원을 공급하여 홀드업 타임을 유지하고 있다.
이러한 홀드업 타임을 짧은 시간 유지하는 것은 기본적인 토폴로지( Topology)만으로도 가능하지만, 보다 긴 시간을 유지하기 위해서는 입력단의 캐패시터의 용량을 증대하여야 한다.
그러나 홀드업 타임의 증대를 위해, 입력단의 캐패시터 용량을 증대할 경우, 소형화 및 코스트 측면에 있어서 매우 부담이 된다.
따라서 최근 들어 치열한 경쟁으로 인해 현재 FPD 등의 가격이 나날이 낮아지고 있는 바, FPD TV용 전원장치에 있어서도 홀드업 타임의 증대 뿐만 아니라, 코스트 저감, 소형화 등까지도 가능한 기술의 개발이 요구된다.
대한민국공개특허공보 제2010-0010484호
본 발명의 일 목적은, 교류 전원의 오프 신호 검출 시 부하의 휘도를 저감하는 구성을 채택함으로써, 부하용 구동 전원과 함께 출력되는 다른 구동 전원(예를 들면 전자 제품 영상 보드 등의 구동 전원)에 대한 홀드업 타임을 자연스럽게 증대시킬 수 있는 전원장치를 제공하는 데 있다.
또한 본 발명의 다른 목적은, 교류 전원의 오프 신호 검출 시 부하의 휘도를 저감하는 구성을 채택함으로써, 입력단의 캐패시터 수명을 증대시킬 수 있을 뿐 아니라 그 용량 또한 줄일 수 있어 소형화, 코스트 저감 등까지도 가능한 전원장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 상기 목적은, 교류 전원을 변환하여 부하용 구동 전원을 포함한 복수의 구동 전원을 출력하는 전원장치에 있어서, 상기 전원장치는, 상기 교류 전원의 온/오프 상태를 검출하고, 그 검출 결과로서, 상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨과 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨을 가지는 교류 전원 검출신호를 출력하는 교류 전원 검출부; 및 상기 교류 전원 검출부로부터 출력된 상기 교류 전원 검출신호가 인가되고, 상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨일 때 부하의 휘도를 저감하는 휘도 저감부;를 포함하되, 상기 휘도 저감부는, 제1 다이오드; 및 상기 교류 전원 검출신호가 인가되는 제1 스위칭부 및 상기 제1 스위칭부와 접지단에 연결됨과 함께 상기 제1 다이오드에 연결되는 제2 스위칭부를 포함하는 듀티폭 선택부;를 포함하는 전원장치가 제공됨에 의해 달성된다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 휘도 저감부는, 상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨일 때, 외부로부터 입력받은 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 유지하여 출력하고, 상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨일 때, 외부로부터 입력받은 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 저감하여 출력할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 휘도 저감부는, 상기 제1 다이오드와 연결된 제2 다이오드; 및 상기 제2 다이오드와 연결되고, 상기 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 저감하는 듀티폭 저감부;를 더 포함하고, 상기 듀티폭 선택부는, 상기 교류 전원 검출신호가 인가되며, 인가된 상기 교류 전원 검출신호의 신호 레벨에 따라, 상기 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 유지하여 출력하게 하거나 상기 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 저감하여 출력하게 할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 듀티폭 선택부는, 상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨인 경우, 상기 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 유지하여 출력하게 하고, 상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨인 경우, 상기 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 저감하여 출력하게 할 수 있다.
삭제
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 제1 스위칭부는, 상기 교류 전원 검출신호가 인가되는 베이스와, 접지단에 연결되는 이미터와, 상기 제2 스위칭부에 연결되는 컬렉터를 포함하는 NPN 트랜지스터이며, 상기 제2 스위칭부는, 상기 제1 스위칭부와 연결되는 베이스와, 상기 접지단에 연결되는 이미터와, 상기 제1 다이오드에 연결되는 컬렉터를 포함하는 NPN 트랜지스터일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 휘도 저감부는, 상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨인 경우, 상기 제1 스위칭부는 턴 온 됨과 함께 상기 제2 스위칭부는 턴 오프되어 상기 제1 및 제2 다이오드가 OR 회로로서 연결되고, 상기 제1 다이오드를 통해 상기 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 유지하여 출력하며, 상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨인 경우, 상기 제1 스위칭부는 턴 오프 됨과 함께 상기 제2 스위칭부는 턴 온 되어, 상기 듀티폭 저감부 및 상기 제2 다이오드를 통해 상기 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 저감하여 출력할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에서, 교류 전원을 변환하여 부하용 구동 전원을 포함한 복수의 구동 전원을 출력하는 전원장치에 있어서, 상기 전원장치는, 상기 교류 전원의 온/오프 상태를 검출하고, 그 검출 결과로서, 상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨과 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨을 가지는 교류 전원 검출신호를 출력하는 교류 전원 검출부; 및 상기 교류 전원 검출부로부터 출력된 상기 교류 전원 검출신호가 인가되고, 상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨일 때 부하의 휘도를 저감하는 휘도 저감부;를 포함하되, 상기 휘도 저감부는, 상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨일 때, 상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨일 때보다 상기 부하에 흐르는 전류를 저감시키며, 상기 휘도 저감부는, 상기 부하에 흐르는 전류를 세팅하는 단자에 연결됨과 함께 접지단에 연결되는 제1 저항; 상기 제1 저항에 병렬로 연결되는 제2 저항; 및 상기 교류 전원 검출신호가 인가되고, 상기 제2 저항에 직렬로 연결됨과 함께 상기 접지단에 연결되는 제3 스위칭부;를 포함할 수 있다.
삭제
본 발명의 다른 실시형태에서, 상기 제3 스위칭부는, 상기 교류 전원 검출신호가 인가되는 게이트와, 상기 접지단에 연결되는 소스와, 상기 제2 저항에 연결되는 드레인을 포함하는 MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에서, 상기 휘도 저감부는, 상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨일 때, 상기 제3 스위칭부가 턴 온 되어, 병렬로 연결된 상기 제1 및 제2 저항을 통한 전류가 상기 부하에 흐르며, 상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨일 때, 상기 제3 스위칭부가 턴 오프 되어, 상기 제1 저항을 통한 전류가 상기 부하에 흐를 수 있다.
본 발명의 일 실시형태 및 다른 실시형태에서, 상기 교류 전원 검출신호는, 상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨은 하이(high) 레벨이고, 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨은 로우(low) 레벨일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태 및 다른 실시형태에서, 상기 교류 전원 검출신호는,상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨은 로우(low) 레벨이고, 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨은 하이(high) 레벨일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태 및 다른 실시형태에서, 상기 부하는, 발광 다이오드(Light Emitting Diode)일 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 상기와 같은 구성을 포함하는 전원장치는, 교류 전원의 오프 신호 검출 시 부하의 휘도를 저감하는 구성을 채택함으로써 전력 소비가 많은 부하용 구동 전원을 저감할 수 있게 되고, 이에 따라 결국에는 부하용 구동 전원과 함께 출력되는 다른 구동 전원(예를 들면 전자 제품 영상 보드 등의 구동 전원)에 대한 홀드업 타임을 자연스럽게 증대시킬 수 있는 이점이 있다.
또한 상기와 같은 구성을 포함하는 전원장치는, 교류 전원의 오프 신호 검출 시 부하의 휘도를 저감하는 구성을 채택함으로써 전력 소비가 많은 부하용 구동 전원을 저감할 수 있게 되고, 이에 따라 입력단의 캐패시터 수명을 증대시킬 수 있을 뿐 아니라 그 용량 또한 줄일 수 있어 소형화, 코스트 저감 등까지도 가능하게 하는 이점이 있다.
도 1은 홀드업 타임을 설명하기 위한 도면.
도 2는 일반 전원장치의 개략 구성도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전원장치의 개략 구성도
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 교류 전원 검출부의 예시 회로도.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 휘도 저감부의 예시 회로도.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 휘도 저감부와 관련된 시뮬레이션 신호 파형도.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전원장치의 개략 구성도.
도 8은 부하에 사용되는 일반적인 DC/DC 출력단의 개략 구성도.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 휘도 저감부의 예시 회로도.
본 발명에 따른 전원장치의 상기 목적에 대한 기술적 구성을 비롯한 작용효과에 관한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 도면을 참조한 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.
또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다.
도 2는 일반 전원장치(100)의 개략 구성도를 나타낸 것으로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기와 같은 전원장치(100)는, 교류전원 입력부(120), 정류부(130), PFC(Power Factor Correction)부(140) 및 캐패시터(150)로 이루어지는 입력단과, DC/DC 출력단(160)을 포함할 수 있다.
먼저 교류전원 입력부(120)는, 교류전원(110)이 입력되며, 이때의 교류전원(110)은 상용전원을 포함할 수 있다.
또한 정류부(130)는 교류전원 입력부(120)로부터 출력되는 교류전원(110)을 정류하여 DC 전원으로 출력하게 된다.
이때 정류부(130)는 다이오드를 포함하는 정류 회로로 구현될 수 있는데, 일 예로 브리지 다이오드(Bridge Diode)를 포함할 수 있으며, 이 경우 교류전원(110)을 전파 정류한 DC 전원을 출력하게 된다.
또한 PFC(Power Factor Correction)부(140)는, 정류부(130)의 다음 단에 위치시킬 수 있으며, 전력효율을 향상시키기 위하여 전원장치에 절전 회로를 추가한 것으로 순간적인 파워 누출이 우려되는 트랜스포머, 안정기와 같은 구성 부품으로 가는 전력을 조절할 수 있다. 다만 상기 PFC부(140)는 전력효율 향상을 위한 추가적인 구성으로 반드시 필요한 것은 아니다.
또한 PFC부(140)는 전력소비량을 감소시키고 전류가 열로 전환되어 온도가 상승되는 것을 막는 역할을 하며, PFC 성능에 있어 우수한 특성을 보이는 부스트 토폴로지(Boost Topology)를 주로 채택하고 있다.
한편 정류부(130) 또는 PFC부(140) 다음 단에는 캐패시터(150)를 위치시킬 수 있는데, 이때 캐패시터(150)는 앞서에서도 언급한 바와 같이, 장애 등의 이유로 인해 교류전원(110)이 차단된 이후에도 데이터 백업을 위해 일정시간, 즉 홀드업 타임 동안 영상 보드 등의 구동 전원(예를 들어 12V 등)을 공급할 수 있다.
또한 DC/DC 출력단(160)은, 정류부(130) 또는 PFC(140)부로부터의 출력 전압을, LED 등의 부하를 구동시키기 위한 부하용 구동 전원을 포함한 다양한 복수의 직류 구동 전원으로 변환하여 출력하게 된다.
이때 DC/DC 출력단(160)은, 플라이백(Flyback) 컨버터의 형태로 구현될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 부하용 구동 전원을 포함한 다양한 직류 구동 전원을 변환 출력할 수 있는 것이라면 하프-브리지(Halfbridge) 컨버터, LLC 컨버터 등 그 어떠한 형태의 것도 가능하다.
한편 DC/DC 출력단(160)에서 출력되는 복수의 구동 전원은, 일예로 도 2에 도시된 바와 같이, LED 등과 같은 부하용 구동 전원(VLED), FPD 영상 보드에서의 구동 전원(VAV), 스탠바이 전압(VStby) 등으로 공급될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, PDP 등의 서스테인 구동 전압, 어드레스 구동 전압, 스캔 전압, 리셋 전압 등, FPD 등의 디스플레이를 구동시키는데 필요한 전원이라면 그 어떠한 것도 가능하다.
이때 부하용 구동 전원은 함께 출력되는 다른 구동 전원들보다 매우 큰 전압값으로 공급될 수 있는데, 예를 들어 LED 등과 같은 부하용 구동 전원(VLED)은 100V 내지 200V 등으로 공급될 수 있는 반면, FPD 영상 보드에서의 구동 전원(VAV)은 12V 내지 13V, 스탠바이 전압(VStby)은 5V 정도로 공급될 수 있다. 따라서 부하용 구동 전원은 함께 출력되는 다른 구동 전원들보다 그 전력 소비가 현저히 많게 된다.
한편 이상과 같은 일반 전원장치(100)에서는, 홀드업 타임을 증대시키기 위하여, 앞서에서도 언급한 바와 같이, 입력단의 캐패시터(150) 용량을 증대시키는 방식을 채택할 수 있으나, 이러한 방식은 소형화 및 코스트 측면에서 매우 부담이 될 수 있다.
이에 본 실시예에서는, 캐패시터(150)의 용량 증대 없이, 교류 전원(110)의 오프(교류 전원의 전압이 일정 전압 이하로 떨어진 상태) 신호 검출 시 LED 등과 같은 부하의 휘도를 저감하는 구성을 채택함으로써 전력 소비가 많은 부하용 구동 전원을 저감할 수 있게 되고, 이에 따라 결국에는 부하용 구동 전원과 함께 출력되는 다른 구동 전원, 특히 영상 보드 등의 구동 전원에 대한 홀드업 타임을 자연스럽게 증대시킬 수 있는 방식을 채택하고자 한다. 이하에서는 이에 대해 상세히 설명하기로 한다.
< 제1 실시예 >
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전원장치(200)의 개략 구성도를 나타낸 것으로서, 도 3에 도시된 바와 같이 본 실시예의 전원장치(200)는, 교류 전원 검출부(210) 및 휘도 저감부(220)를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 교류 전원 검출부(210)는, 교류 전원의 온/오프 상태를 검출하여, 그 검출결과인 교류 전원 검출신호(AC_DET)를 출력하는 것으로, 이때 교류 전원 검출신호(AC_DET)는, 통상적으로 FPD 등의 영상 보드 등을 안정화 상태에서 오프 시키기 위해 사용되게 된다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 교류 전원 검출부(210)의 예시 회로도를 나타낸 것으로서, 도 4에 도시한 바와 같이, 본 실시예의 교류 전원 검출부(210)는 션트 레귤레이터(211)와 트랜지스터(212)를 포함할 수 있다.
이때 상기 션트 레귤레이터(211)는 TL431 소자로 구현될 수 있고, 상기 트랜지스터(212)는 베이스가 상기 션트 레귤레이터(211)에 연결되어 있는 NPN 트랜지스터로 구현될 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
상기와 같이 구성된 본 실시예의 교류 전원 검출부(210)는, 교류 전원(AC)이 하이(high) 레벨(온 상태)이어서 상기 션트 레귤레이터(211)가 턴 온 되면, 상기 트랜지스터(212)는 턴 오프 되어 하이 레벨의 교류 전원 검출신호(AC_DET)를 출력하게 된다.
즉 본 실시예의 교류 전원 검출부(210)는, 교류 전원(AC)의 온 상태를 검출하고, 그 검출 결과로서, 교류 전원(AC)의 온 상태를 나타내는 하이 레벨의 교류 전원 검출신호(AC_DET)를 출력하게 된다.
또한 본 실시예에 따른 교류 전원 검출부(210)는, 교류 전원(AC)이 로우(low) 레벨(오프 상태)이어서 상기 션트 레귤레이터(211)가 턴 오프 되면, 상기 트랜지스터(212)는 턴 온 되어 로우 레벨의 교류 전원 검출신호(AC_DET)를 출력하게 된다.
즉 본 실시예의 교류 전원 검출부(210)는, 교류 전원(AC)의 오프 상태(교류 전원의 전압이 일정 전압 이하로 떨어진 상태)를 검출하고, 그 검출 결과로서, 교류 전원(AC)의 오프 상태를 나타내는 로우 레벨의 교류 전원 검출신호(AC_DET)를 출력하게 된다.
이상의 본 실시예에서는, 교류 전원 검출부(210)로부터 출력되는 교류 전원 검출신호(AC_DET)의 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 교류 전원(AC)의 온 상태를 나타내는 신호 레벨을 하이 레벨로, 교류 전원(AC)의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨을 로우 레벨로 하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
즉 본 실시예와는 달리, 교류 전원(AC)의 온 상태를 나타내는 신호 레벨을 로우 레벨로, 교류 전원(AC)의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨을 하이 레벨로 할 수도 있다.
다시 도 3으로 돌아와, 본 실시예에 따른 전원장치(200)는, 교류 전원 검출부(210)로부터 출력된 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 인가되고, 인가된 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨일 때, 즉 본 실시예에서는 로우 레벨일 때 부하의 휘도를 저감하는 휘도 저감부(220)를 포함할 수 있다.
이때 본 실시예의 휘도 저감부(220)는, 인가되는 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨, 즉 본 실시예에서는 하이 레벨일 때, 도 3에 도시된 바와 같이, 외부로부터 입력받은 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 유지하여 출력시킬 수 있으나, 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 로우 레벨일 때, 외부로부터 입력받은 PWM 신호의 듀티폭을 저감하여 출력시킬 수 있다.
상기와 같은 휘도 저감부(220)의 구체적인 예시 구성 및 그 동작에 대해서 설명하면 다음과 같다.
도 5는 본 실시예에 따른 휘도 저감부(220)의 예시 회로도를 나타낸 것이고 도 6은 본 실시예에 따른 휘도 저감부(220)와 관련된 시뮬레이션 신호 파형도를 나타낸다.
본 실시예에 따른 휘도 저감부(220)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 다이오드(D1), 제2 다이오드(D2), 듀티폭 저감부(221) 및 듀티폭 선택부(222)를 포함할 수 있다.
먼저 제1 다이오드(D1)와, 상기 제1 다이오드(D1)에 연결된 제2 다이오드(D2)는, 도 5에 도시된 바와 같이, PWM 디밍 신호가 출력되는 출력단으로서 구성될 수 있다.
듀티폭 저감부(221)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 다이오드(D2)와 연결되어 있으며, 외부로부터 입력된 PWM 디밍 신호(도 6의 (a)에 도시된 신호)의 듀티폭을 저감하여 제2 다이오드(D2)를 통해 출력할 수 있다.
듀티폭 선택부(222)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 다이오드(D1)와 연결되어 있으며, 교류 전원 검출부(210)로부터 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 인가되고, 인가된 교류 전원 검출신호(AC_DET)의 신호 레벨에 따라, 외부로부터 입력된 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 유지하여 출력하게 하거나 상기 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 저감하여 출력하게 할 수 있다.
다시 말해 본 실시예의 듀티폭 선택부(222)에서는, 교류 전원 검출부(210)로부터 인가된 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 하이 레벨인 경우, 외부로부터 인가된 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 유지하여 출력하게 하고, 교류 전원 검출부(210)로부터 인가된 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 로우 레벨인 경우, 상기 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 저감하여 출력하게 할 수 있는 것이다.
상기와 같은 듀티폭 선택부(222)에 대해 보다 구체적으로 살펴보면, 상기 듀티폭 선택부(222)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 스위칭부(SW1) 및 제2 스위칭부(SW2)를 포함할 수 있다.
먼저 본 실시예의 제1 스위칭부(SW1)는, 교류 전원 검출부(210)로부터 출력되는 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 인가되는 것으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 베이스(B), 이미터(E) 및 컬렉터(C)를 포함하는 NPN 트랜지스터로 구현될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 온/오프 스위칭 동작이 가능한 스위칭 소자라면 그 어떠한 것도 가능하다.
이때 제1 스위칭부(SW1)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 베이스(B)는 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 인가될 수 있고, 이미터(E)는 접지단에 연결될 수 있으며, 컬렉터(C)는 제2 스위칭부(SW2)에 연결될 수 있다.
한편 본 실시예의 제2 스위칭부(SW2)는, 제1 스위칭부(SW1) 및 상기 접지단에 연결됨과 함께 제1 다이오드(D1)에 연결될 수 있으며, 제1 스위칭부(SW1)와 마찬가지로 베이스(B), 이미터(E) 및 컬렉터(C)를 포함하는 NPN 트랜지스터로 구현될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 스위칭부(SW1)와 마찬가지로 온/오프 스위칭 동작이 가능한 스위칭 소자라면 그 어떠한 것도 가능하다.
이때 제2 스위칭부(SW2)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 베이스(B)는 제1 스위칭부(SW1)와 연결될 수 있고, 이미터(E)는 상기 접지단에 연결될 수 있으며, 컬렉터(C)는 제1 다이오드(D1)에 연결될 수 있다.
이상과 같이 구성된 본 실시예의 휘도 저감부(220)는, 도 5 및 도 6을 참조하면, 하기의 예시적인 동작을 수행할 수 있다.
도 6의 (c)에서의 DETH 부분에 도시된 바와 같이, 교류 전원 검출부(210)로부터 인가되는 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 하이 레벨(교류 전원의 온 상태 레벨)인 경우, 듀티폭 선택부(222)의 제1 스위칭부(SW1)는 턴 온 되고, 이에 따라 듀티폭 선택부(222)의 제2 스위칭부(SW2)는 턴 오프 되게 된다.
이 경우 듀티폭 선택부(222)의 제1 및 제2 다이오드(D1, D2)는 OR 회로로서 연결되게 되며, 이에 따라 외부로부터 입력된 PWM 디밍 신호(도 6의 (a)에 도시된 PWM)를 제1 다이오드(D1)를 통해 그 듀티폭을 유지하여 출력시킬 수 있게 된다. 즉 상기 제1 다이오드(D1)를 통해 출력된 신호는, 예를 들면 도 6의 (b)에서의 OUT유지 부분에 도시된 바와 같이, 도 6의 (a)에서의 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 그대로 유지한 형태로 출력되는 것이다.
한편 도 6의 (c)에서의 DETL 부분에 도시된 바와 같이, 교류 전원 검출부(210)로부터 인가되는 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 로우 레벨(교류 전원의 오프 상태 레벨)인 경우, 듀티폭 선택부(222)의 제1 스위칭부(SW1)는 턴 오프 되고, 이에 따라 듀티폭 선택부(222)의 제2 스위칭부(SW2)는 턴 온 되게 된다.
이 경우 제1 다이오드(D1)는 제2 스위칭부(SW2)의 턴 온으로 인하여 쇼트(Short)되게 되고, 이에 따라 듀티폭 저감부(221)에 의해 그 듀티폭이 저감된 PWM 신호가 제2 다이오드(D2)를 통해 출력되게 되는 것이다. 즉 상기 제2 다이오드(D2)를 통해 출력된 신호는, 예를 들면 도 6의 (b)에서의 OUT저감 부분에서 도시된 바와 같이, 외부로부터 입력된 PWM 디밍 신호(도 6의 (a)에 도시된 PWM)가 듀티폭 저감부(221)에 의해 그 듀티폭이 저감된 형태로 출력되는 것이다.
이상의 내용으로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기와 같이 구성된 본 실시예의 휘도 저감부(220)는, 교류 전원이 차단되어 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호(본 실시예에서는 로우 레벨의 교류 전원 검출신호)가 교류 전원 검출부(210)로부터 인가될 경우, 외부 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 저감하여 출력(도 6의 (b)에서의 OUT저감 부분과 같은 형태의 신호 출력)시킬 수 있으며, 이에 따라 발광 다이오드(LED) 등과 같은 부하의 휘도를 저감할 수 있게 되는 것이다.
즉 본 실시예의 휘도 저감부(220)는, 교류 전원이 차단되어 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호가 입력될 경우 부하의 휘도를 저감함으로써, 전력 소비가 많은 부하용 구동 전원(일예로 도 2에서 VLED)을 저감할 수 있게 되며, 결국에는 부하용 구동 전원과 함께 출력되는 다른 구동 전원, 특히 FPD TV 영상 보드 등의 구동 전원(일예로 도 2에서 VAV)에 대한 홀드업 타임을 자연스럽게 증대시킬 수 있게 된다.
따라서 본 실시예에 따른 전원장치(200)는, 상기와 같은 방식을 채택함으로써, 입력단의 캐패시터(일예로 도 2에서의 캐패시터(150)) 용량을 증대할 필요 없이 홀드업 타임을 증대시킬 수 있으며, 이에 따라 입력단의 캐패시터 수명을 증대할 수 있을 뿐 아니라 그 용량 또한 줄일 수 있으므로, 소형화, 코스트 저감 등까지도 가능하게 된다.
< 제2 실시예 >
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전원장치(300)의 개략 구성도를 나타낸 것으로서, 도 3에 도시된 제1 실시예의 전원장치(200)와 마찬가지로 교류 전원 검출부(310) 및 휘도 저감부(320)를 포함할 수 있다.
본 실시예의 교류 전원 검출부(310)는, 제1 실시예의 교류 전원 검출부(210)와 그 예시 구성 및 동작이 동일하므로 이에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다. 따라서 이하에서는 제1 실시예의 휘도 저감부(220)와는 상이한 본 실시예의 휘도 저감부(320)를 중심으로 설명하기로 한다.
본 실시예에 따른 전원장치(300)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 교류 전원 검출부(310)로부터 출력된 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 인가되고, 인가된 교류 전원 검출신호(AC_DET)가가 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨일 때, 부하의 휘도를 저감하는 휘도 저감부(320)를 포함할 수 있다.
이때 본 실시예의 휘도 저감부(320)는, 인가되는 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨일 때, 인가되는 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨일 때보다, LED 등의 부하에 흐르는 전류를 저감시킬 수 있다.
이때 교류 전원 검출신호(AC_DET)의 경우, 제1 실시예와 마찬가지로, 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨을 하이 레벨로, 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨을 로우 레벨로 하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 즉 교류 전원(AC)의 온 상태를 나타내는 신호 레벨을 로우 레벨로, 교류 전원(AC)의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨을 하이 레벨로 할 수도 있다.
상기와 같은 휘도 저감부(320)의 구체적인 예시 구성 및 그 동작에 대해서 설명하면 다음과 같다.
먼저 도 8은 부하에 사용되는 일반적인 DC/DC 출력단의 개략 구성도를 나타낸 것으로서, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 DC/DC 출력단의 IC의 경우, 부하 전류 세팅 단자(ISET)에 연결되는 전류 세팅 저항(RSET)을 이용하여 부하에 흐르는 전류를 제어한다.
즉 예를 들면, 부하가 도 8에 도시된 바와 같이 LED인 경우, LED에 흐르는 전류 세팅은, 상기 IC의 부하 전류 세팅 단자(ISET, 6번 핀)에 연결되는 전류 세팅 저항(RSET)을 이용할 수 있으며, 그때 LED 전류 세팅값은 일예로 다음의 수식을 통해 구할 수 있게 된다.
Figure 112013095462004-pat00001
본 실시예의 전원장치(300)는, 상기와 같은 부하 전류 세팅 단자(ISET) 및 저항(RSET) 구성을 이용하여 휘도 저감부(320)를 구현할 수 있는데, 도 9는 본 실시예의 휘도 저감부(320)의 예시 회로도를 나타낸 것이다.
본 실시예에 따른 휘도 저감부(320)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 저항(R1), 제2 저항(R2) 및 제3 스위칭부(SW3)를 포함할 수 있다.
이때 본 실시예의 제1 저항(R1)은, 도 9에 도시된 바와 같이, LED 등의 부하에 흐르는 전류를 세팅하는 단자 즉 도 8에서의 부하 전류 세팅 단자(ISET)와, 접지단에 연결될 수 있다.
또한 본 실시예의 제2 저항(R2)은, 제1 저항(R1)에 병렬로 연결될 수 있다
또한 본 실시예의 제3 스위칭부(SW3)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 교류 전원 검출부(310)로부터 출력되는 교류 전원 검출 신호(AC_DET)가 인가되고, 제2 저항(R2)에 직렬로 연결됨과 함께 상기 접지단에 연결될 수 있다
이때 제3 스위칭부(SW3)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 교류 전원 검출 신호(AC_DET)가 인가되는 게이트(G), 접지단에 연결되는 소스(S) 및 제2 저항(R2)에 연결되는 드레인(D)을 포함하는 MOSFET으로 구현될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 온/오프 스위칭 동작이 가능한 스위칭 소자라면 그 어떠한 것도 가능하다.
이상과 같이 구성된 본 실시예의 휘도 저감부(320)는, 도 8 및 도 9를 참조하면, 하기의 예시적인 동작을 수행할 수 있다.
교류 전원 검출부(310)로부터 인가되는 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 하이 레벨(교류 전원의 온 상태 레벨)인 경우, 제3 스위칭부(SW3)는 턴 온 되며, 이에 따라 병렬로 연결된 제1 및 제2 저항(R1, R2)을 통한 전류가 LED 등에 흐르게 된다.
반면 교류 전원 검출부(310)로부터 인가되는 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 로우 레벨(교류 전원의 오프 상태 레벨)인 경우, 제3 스위칭부(SW3)는 턴 오프 되며, 이에 따라 제1 저항(R1)을 통한 전류만이 LED 등에 흐르게 된다.
예를 들어 제1 저항(R1)이 7.68kΩ이고, 제1 저항(R1)에 병렬로 연결된 제2 저항(R2)이 6.9kΩ일 경우, 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 하이 레벨인 경우에는, 병렬로 연결된 제1 및 제2 저항(R1, R2)을 통한 전류가 LED 등에 흐르게 되며, 이때 도 8에서의 전류 세팅 저항(RSET)값은
Figure 112013095462004-pat00002
이 되므로 그 전류값은 앞서 언급한 수학식 1을 이용할 경우 240mA 정도가 된다.
반면 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 로우 레벨인 경우에는, 제1 저항(R1)을 통한 전류만이 LED 등에 흐르게 되며, 이때 도 8에서의 전류 세팅 저항(RSET)값은 제1 저항(R1)값인 7.68kΩ이 되므로 그 전류값은 앞서 언급한 수학식 1을 이용할 경우 120mA 정도가 된다.
즉 본 실시예의 휘도 저감부(320)는, 예를 들면, 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 하이 레벨, 즉 평상시에는 부하 전류 240mA 정도로 동작하게 하다가, 교류 전원이 차단되어 교류 전원 검출신호(AC_DET)가 로우 레벨로 변경되면 부하 전류 120mA 정도로 동작하게 함으로써 그 부하 전류를 평상시보다 현저히 저감시킬 수 있다.
이상의 내용으로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기와 같이 구성된 본 실시예의 휘도 저감부(320)는, 교류 전원이 차단되어 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호(본 실시예에서는 로우 레벨의 교류 전원 검출신호)가 교류 전원 검출부(310)로부터 인가될 경우, 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호(본 실시예에서는 하이 레벨의 교류 전원 검출신호)가 교류 전원 검출부(310)로부터 인가될 때(즉 평상시)보다 LED 등의 부하에 흐르는 전류를 저감시킬 수 있으며, 이에 따라 LED 등과 같은 부하의 휘도를 저감할 수 있게 되는 것이다.
즉 본 실시예의 휘도 저감부(320)는, 제1 실시예와 마찬가지로, 교류 전원이 차단되어 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호가 입력될 경우 부하의 휘도를 저감함으로써, 전력 소비가 많은 부하용 구동 전원(일예로 도 2에서 VLED)을 저감할 수 있게 되며, 결국에는 부하용 구동 전원과 함께 출력되는 다른 구동 전원, 특히 FPD TV 영상 보드 등의 구동 전원(일예로 도 2에서 VAV)에 대한 홀드업 타임을 자연스럽게 증대시킬 수 있게 된다.
따라서 본 실시예에 따른 전원장치(300)는, 상기와 같은 방식을 채택함으로써, 제1 실시예와 마찬가지로, 입력단의 캐패시터(일예로 도 2에서의 캐패시터(150)) 용량을 증대할 필요 없이 홀드업 타임을 증대시킬 수 있으며, 이에 따라 입력단의 캐패시터 수명을 증대할 수 있을 뿐 아니라 그 용량 또한 줄일 수 있으므로, 소형화, 코스트 저감 등까지도 가능하게 된다.
본 발명의 도면들에 도시된 다양한 요소들의 기능들은 적절한 소프트웨어와 관련되어 소프트웨어를 실행할 수 있는 하드웨어뿐만 아니라 전용 하드웨어의 이용을 통해 제공될 수 있다. 프로세서에 의해 제공될 때, 이런 기능은 단일 전용 프로세서, 단일 공유 프로세서, 또는 일부가 공유될 수 있는 복수의 개별 프로세서에 의해 제공될 수 있다.
본 명세서의 청구항들에서, 특정 기능을 수행하기 위한 수단으로서 표현된 요소는 특정 기능을 수행하는 임의의 방식을 포괄하고, 이러한 요소는 특정 기능을 수행하는 회로 요소들의 조합, 또는 특정 기능을 수행하기 위한 소프트웨어를 수행하기 위해 적합한 회로와 결합된, 펌웨어, 마이크로코드 등을 포함하는 임의의 형태의 소프트 웨어를 포함할 수 있다.
본 명세서에서 본 발명의 원리들의 '일 실시예' 등과 이런 표현의 다양한 변형들의 지칭은 이 실시예와 관련되어 특정 특징, 구조, 특성 등이 본 발명의 원리의 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 따라서, 표현 '일 실시예에서'와, 본 명세서 전체를 통해 개시된 임의의 다른 변형례들은 반드시 모두 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다.
본 명세서에서 ‘연결된다’ 또는 ‘연결하는’등과 이런 표현의 다양한 변형들의 지칭은 다른 구성요소와 직접적으로 연결되거나 다른 구성요소를 통해 간접적으로 연결되는 것을 포함하는 의미로 사용된다. 또한 본 명세서에서 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 아울러 본 명세서에서 사용되는 ‘포함한다’ 또는 ‘포함하는’으로 언급된 구성요소, 단계, 동작 및 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작, 소자 및 장치의 존재 또는 추가를 의미한다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 명세서를 통해 개시된 모든 실시예들과 조건부 예시들은, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 당업자가 독자가 본 발명의 원리와 개념을 이해하도록 돕기 위한 의도로 기술된 것으로, 당업자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
200, 300 : 전원장치 210, 310 : 교류 전원 검출부
220, 320 : 휘도 저감부 221 : 듀티폭 저감부
222 : 듀티폭 선택부 D1 : 제1 다이오드
D2 : 제2 다이오드 SW1 : 제1 스위칭부
SW2 : 제2 스위칭부 SW3 : 제3 스위칭부
R1 : 제1 저항 R2 : 제2 저항
AC_DET : 교류 전원 검출신호

Claims (14)

  1. 교류 전원을 변환하여 부하용 구동 전원을 포함한 복수의 구동 전원을 출력하는 전원장치에 있어서,
    상기 전원장치는,
    상기 교류 전원의 온/오프 상태를 검출하고, 그 검출 결과로서, 상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨과 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨을 가지는 교류 전원 검출신호를 출력하는 교류 전원 검출부; 및
    상기 교류 전원 검출부로부터 출력된 상기 교류 전원 검출신호가 인가되고, 상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨일 때 부하의 휘도를 저감하는 휘도 저감부;
    를 포함하되,
    상기 휘도 저감부는,
    제1 다이오드; 및
    상기 교류 전원 검출신호가 인가되는 제1 스위칭부 및 상기 제1 스위칭부와 접지단에 연결됨과 함께 상기 제1 다이오드에 연결되는 제2 스위칭부를 포함하는 듀티폭 선택부;를 포함하는 전원장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 휘도 저감부는,
    상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨일 때, 외부로부터 입력받은 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 유지하여 출력하고,
    상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨일 때, 외부로부터 입력받은 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 저감하여 출력하는 전원장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 휘도 저감부는,
    상기 제1 다이오드와 연결된 제2 다이오드; 및
    상기 제2 다이오드와 연결되고, 상기 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 저감하는 듀티폭 저감부;
    를 더 포함하고,
    상기 듀티폭 선택부는,
    상기 교류 전원 검출신호가 인가되며, 인가된 상기 교류 전원 검출신호의 신호 레벨에 따라, 상기 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 유지하여 출력하게 하거나 상기 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 저감하여 출력하게 하는 전원장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 듀티폭 선택부는,
    상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨인 경우, 상기 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 유지하여 출력하게 하고,
    상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨인 경우, 상기 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 저감하여 출력하게 하는 전원장치.
  5. 삭제
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1 스위칭부는,
    상기 교류 전원 검출신호가 인가되는 베이스와, 접지단에 연결되는 이미터와, 상기 제2 스위칭부에 연결되는 컬렉터를 포함하는 NPN 트랜지스터이며,
    상기 제2 스위칭부는,
    상기 제1 스위칭부와 연결되는 베이스와, 상기 접지단에 연결되는 이미터와, 상기 제1 다이오드에 연결되는 컬렉터를 포함하는 NPN 트랜지스터인 전원장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 휘도 저감부는,
    상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨인 경우, 상기 제1 스위칭부는 턴 온 됨과 함께 상기 제2 스위칭부는 턴 오프되어 상기 제1 및 제2 다이오드가 OR 회로로서 연결되고, 상기 제1 다이오드를 통해 상기 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 유지하여 출력하며,
    상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨인 경우, 상기 제1 스위칭부는 턴 오프 됨과 함께 상기 제2 스위칭부는 턴 온 되어, 상기 듀티폭 저감부 및 상기 제2 다이오드를 통해 상기 PWM 디밍 신호의 듀티폭을 저감하여 출력하는 전원장치.
  8. 교류 전원을 변환하여 부하용 구동 전원을 포함한 복수의 구동 전원을 출력하는 전원장치에 있어서,
    상기 전원장치는,
    상기 교류 전원의 온/오프 상태를 검출하고, 그 검출 결과로서, 상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨과 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨을 가지는 교류 전원 검출신호를 출력하는 교류 전원 검출부; 및
    상기 교류 전원 검출부로부터 출력된 상기 교류 전원 검출신호가 인가되고, 상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨일 때 부하의 휘도를 저감하는 휘도 저감부;
    를 포함하되,
    상기 휘도 저감부는,
    상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨일 때, 상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨일 때보다 상기 부하에 흐르는 전류를 저감시키며,
    상기 휘도 저감부는,
    상기 부하에 흐르는 전류를 세팅하는 단자에 연결됨과 함께 접지단에 연결되는 제1 저항;
    상기 제1 저항에 병렬로 연결되는 제2 저항; 및
    상기 교류 전원 검출신호가 인가되고, 상기 제2 저항에 직렬로 연결됨과 함께 상기 접지단에 연결되는 제3 스위칭부;
    를 포함하는 전원장치.
  9. 삭제
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제3 스위칭부는,
    상기 교류 전원 검출신호가 인가되는 게이트와, 상기 접지단에 연결되는 소스와, 상기 제2 저항에 연결되는 드레인을 포함하는 MOSFET인 전원장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 휘도 저감부는,
    상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨일 때, 상기 제3 스위칭부가 턴 온 되어, 병렬로 연결된 상기 제1 및 제2 저항을 통한 전류가 상기 부하에 흐르며,
    상기 교류 전원 검출신호가 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨일 때, 상기 제3 스위칭부가 턴 오프 되어, 상기 제1 저항을 통한 전류가 상기 부하에 흐르는 전원장치.
  12. 제1항 내지 제4항, 제6항 내지 제8항, 제10항 및 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 교류 전원 검출신호는,
    상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨은 하이 레벨이고, 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨은 로우 레벨인 전원장치.
  13. 제1항 내지 제4항, 제6항 내지 제8항, 제10항 및 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 교류 전원 검출신호는,
    상기 교류 전원의 온 상태를 나타내는 신호 레벨은 로우 레벨이고, 상기 교류 전원의 오프 상태를 나타내는 신호 레벨은 하이 레벨인 전원장치.
  14. 제1항 내지 제4항, 제6항 내지 제8항, 제10항 및 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부하는, 발광 다이오드(Light Emitting Diode)인 전원장치.
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대한전기학회 논문지(제목: 일체형 LED Package Board의 노이즈 제거 및 간소화된 전원 공급 회로 개발), 논문발표 2011년 6월 *
대한전기학회 논문지(제목: 일체형 LED Package Board의 노이즈 제거 및 간소화된 전원 공급 회로 개발), 논문발표 2011년 6월*

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