KR101521963B1 - Transparent and electronic heat generating body and Transparent resistance element, the producing method of it - Google Patents

Transparent and electronic heat generating body and Transparent resistance element, the producing method of it Download PDF

Info

Publication number
KR101521963B1
KR101521963B1 KR1020080086541A KR20080086541A KR101521963B1 KR 101521963 B1 KR101521963 B1 KR 101521963B1 KR 1020080086541 A KR1020080086541 A KR 1020080086541A KR 20080086541 A KR20080086541 A KR 20080086541A KR 101521963 B1 KR101521963 B1 KR 101521963B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vapor deposition
chemical vapor
transparent
resistive element
deposition
Prior art date
Application number
KR1020080086541A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20100027569A (en
Inventor
박재우
Original Assignee
한국과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국과학기술원 filed Critical 한국과학기술원
Priority to KR1020080086541A priority Critical patent/KR101521963B1/en
Publication of KR20100027569A publication Critical patent/KR20100027569A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101521963B1 publication Critical patent/KR101521963B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/84—Heating arrangements specially adapted for transparent or reflecting areas, e.g. for demisting or de-icing windows, mirrors or vehicle windshields
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/0014—Devices wherein the heating current flows through particular resistances
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/017—Manufacturing methods or apparatus for heaters

Abstract

본 발명은 투명한 투명전기발열체, 투명저항소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 투명전기발열체는 투명기판과; 상기 투명기판 표면의 적어도 일부에 형성된 투명저항소자를 포함하고, 상기 투명저항소자는 티타늄산화물을 주성분으로 포함하는 것을 특징으로 하고, 투명저항소자는 티타늄산화물을 주성분으로 포함하는 것을 특징으로 하고, 투명저항소자의 제조방법은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 표면의 적어도 일부에 투명저항소자를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 투명저항소자를 형성하는 단계는 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물을 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압 화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것을 특징으로 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent transparent electric heating element, a transparent resistive element, and a method of manufacturing the same. And a transparent resistive element formed on at least a part of the surface of the transparent substrate, wherein the transparent resistive element includes titanium oxide as a main component, and the transparent resistive element includes titanium oxide as a main component, A method of manufacturing a resistive element includes: preparing a substrate; And forming a transparent resistive element on at least a part of the surface of the substrate, wherein the step of forming the transparent resistive element includes a step of forming an organic compound containing titanium (Ti) as a precursor by chemical vapor deposition (CVD) A metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), an atomic layer deposition (ALD), a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), and a plasma enhanced vapor deposition (PECVD) ). ≪ / RTI >

티타늄산화물, 저항재료, 투명, 투명전기발열체, 투명저항소자. Titanium oxide, resistive material, transparent, transparent electric heating element, transparent resistive element.

Description

투명전기발열체, 투명저항소자 및 그 제조방법{Transparent and electronic heat generating body and Transparent resistance element, the producing method of it}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a transparent electric heating element, a transparent resistance element,

본 발명은 투명한 투명전기발열체, 투명저항소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent transparent electric heating element, a transparent resistance element and a method of manufacturing the same.

저항재료는 도전재료에 속하나, 그 특성이나 현상 및 응용은 전류를 흘리는데 주목적을 두고 있는 것이 아니므로 단순히 도체와는 구별된다. 어떤 물질의 전기 저항은 그 물질의 종류, 처리방법 및 주어진 조건 등에 의해 변하는데 이들의 특성이나 현상을 전기 응용에 연결시킨 것을 저항재료라 한다. 따라서, 저항재료는 회로에 저항을 연결하여 전류를 조정하거나, 전압을 강하시키며, 발생하는 주울열을 이용하거나, 발광현상을 광원으로 이용하기도 한다. Resistive materials belong to conductive materials, but their properties, developments and applications are not primarily aimed at shedding electrical currents, so they are simply distinguished from conductors. The electrical resistance of a substance depends on the type of the substance, the treatment method, and the given conditions. Therefore, the resistance material may be a resistance connected to a circuit to adjust the current, a voltage drop, a joule heat to be generated, or a light emission phenomenon as a light source.

이러한 저항재료는 용도에 따라 정밀저항, 전류조절용 저항, 전열저항, 부품저항, 측온저항체, 감온저항체 등으로 분류되어 이용되기도 한다. Such resistance materials may be classified into precision resistors, current regulating resistors, heat resistance resistors, component resistors, RTDs, and temperature sensors depending on the application.

또, 일반적으로 저항재료를 소재에 따라 분류하면 크게 금속 저항재료와 비금속 저항재료로 나뉘며, 금속 저항재료는 Cu, Ni, Fe 중의 어느 하나를 주성분으로 하고, 이와 고용체를 만드는 Mn, Cr과 같은 금속과의 합금이 주로 사용되며, 비금속 저항재료는 C, SiC, 금속산화물 등이 사용된다. In general, the resistance material is divided into a metal resistance material and a non-metal resistance material by classifying the resistance material according to the material. The metal resistance material is composed of one of Cu, Ni, and Fe as a main component and metals such as Mn and Cr And C, SiC, metal oxides and the like are used for the non-metal resistance material.

금속 저항재료는 단일 금속과 합금으로 되어있고, 단일 금속재료는 저항률이 작고, 온도계수가 크기 때문에 주로 온도와 저항의 관계가 직선성을 이용한 측온 저항이나, 고융점을 이용한 전열저항으로 사용되며, 여기에 대하여 합금재료는 저항률이 크고 온도계수가 작으므로 정밀저항, 전열저항, 조절저항 등으로 사용된다. 한편 비금속의 저항재료는 접촉저항을 이용하여 전열저항이나, 부품저항, 조절저항 등으로 사용된다. Since the metal resistance material is made of a single metal and an alloy, and the single metal material has a small resistivity and a large temperature coefficient, the relationship between temperature and resistance is used as a temperature resistance using a linearity or an electric resistance using a high melting point. The alloy material is used for precision resistance, heat resistance, regulating resistance and the like because the resistivity is high and the temperature coefficient is small. On the other hand, non-metallic resistance materials are used as heat resistance, component resistance, regulating resistance, etc. by using contact resistance.

전열용 금속 저항재료로서 대표적인 것은 Pt, W, Mo, Ta 및 합금으로서 Ni-Cr, Fe-Cr-Al 등이 주로 사용된다. 이 중 전열선으로 가장 많이 이용되는 것은 Ni-Cr합금선으로서 니크롬(Nichrome)선이라는 상품명으로 부르고 있으며, Ni 80%, Cr 20% 정도의 조성을 가지며, 대략 1000℃ 내외의 발열체로 특수한 성능을 가지고 있다. Typical examples of the metal resistance material for heat transfer include Pt, W, Mo, Ta, and Ni-Cr and Fe-Cr-Al as the alloys. Among these, Ni-Cr alloy wire is most commonly used as an electric wire, and is called Nichrome wire. It has a composition of about 80% Ni and 20% Cr and has a specific performance of about 1000 ℃. .

또, 전열용 비금속 저항재료로서는 SiC가 주성분인 막대 모양의 소결물이 가장 많이 사용되고, 실리코니트(Siliconit)라는 상품명으로 시판되며, 실리코니트는 상용 1450℃, 최고 1600℃에 견디므로, 대형 전기로의 발열체로서 널리 사용된다. As the non-metallic resistance material for heat transfer, rod-shaped sintered material mainly composed of SiC is most widely used and is sold under the trade name of Siliconit. Silicone knots can withstand commercial temperatures of 1450 ° C and maximum 1600 ° C, It is widely used as a heating element.

그러나, 이러한 종래의 전열용 금속 저항재료 및 비금속 저항재료는 그 물리적 특성상 투명하지 못하므로, 자동차 유리창 또는 기타 투명한 용도에 사용되는 경우 세선으로 발열선을 형성하여 사용해야하거나, 또는 적용하지 못하는 한계가 있었다. However, such conventional metal resistance materials for electric heating and non-metal resistance materials are not transparent due to their physical properties, and therefore, there has been a limitation in that a heating wire is used as a thin wire when used for automobile windows or other transparent applications.

특히, 자동차 유리창의 습기 제거 용도로 사용되는 경우에는 운전자의 시야에 방해되는 앞면 유리에는 사용되지 못하고, 뒷면 유리에만 세선으로 형성하여 발열선 및 라디오 등의 안테나 기능을 수행하도록 사용해야 하는 한계가 있었던 것이다.Particularly, when it is used for moisture removal of an automobile window, it can not be used for a front glass which is obstructed by a driver's view. For this reason, there has been a limit to use an antenna function such as a heating wire and a radio.

본 발명은 전기 인가에 의하여 열기를 제공하면서, 투명한 기판의 투명성을 저해하지 않아, 투명한 용도로 사용할 수 있고, 필요에 따라서는 투명기판에 형성된 투명저항소자를 라디오 등의 안테나로 사용할 수 있는 투명전기발열체를 제공하려는 것이다. The present invention can be used for transparent applications without impairing the transparency of a transparent substrate while providing heat by the application of electric power. If necessary, a transparent resistive element formed on a transparent substrate can be used as a transparent electric element To provide a heating element.

또한, 본 발명은 전기 인가에 의하여 열기를 제공하면서, 투명 또는 반투명, 불투명한 기판에 형성되어 있는 여러 가지 디자인에 영향을 주지 않도록 형성될 수 있고, 필요에 따라서는 라디오 등의 안테나로 사용할 수 있는 투명저항소자를 제공하려는 것이다. Further, the present invention can be formed so as not to affect various designs formed on a transparent or translucent, opaque substrate, while providing heat by electric power application, and can be used as an antenna such as a radio And to provide a transparent resistive element.

또한, 본 발명은 저온에서도 투명전기발열소자를 형성할 수 있어, 기판의 종류를 다양하게 선택할 수 있는 투명저항소자의 제조방법을 제공하려는 것이다.  It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a transparent resistive element which can form a transparent electric heating element even at a low temperature and can select various types of substrates.

본 발명의 일 구현예에 따른 투명전기발열체는 투명기판과, 투명기판 표면의 적어도 일부에 형성된 투명저항소자를 포함하고, 투명저항소자는 티타늄산화물을 주성분으로 포함하는 것을 특징으로 한다.The transparent electric heating element according to an embodiment of the present invention includes a transparent substrate and a transparent resistive element formed on at least a part of the surface of the transparent substrate, and the transparent resistive element includes titanium oxide as a main component.

즉, 투명기판 표면의 적어도 일부에 형성된 투명저항소자는 티타늄산화물을 주성분으로 포함하여 투명기판의 투명성을 저해하지 않는 수준의 투명성을 가짐으로서 투명기판의 투명성을 저해하지 않는다. 또, 이렇게 형성된 투명저항소자는 필요에 따라서 전기발열소자 또는 라디오 등의 안테나로서의 기능을 구현할 수 있다. That is, the transparent resistance element formed on at least a part of the surface of the transparent substrate contains titanium oxide as a main component and has a transparency level not hindering the transparency of the transparent substrate, so that transparency of the transparent substrate is not impaired. The transparent resistor element thus formed can realize a function as an electric heating element or a radio antenna as necessary.

티타늄산화물(TiOx)은 매우 낮은 비용으로 대량 생산될 수 있고 색소(pigments), 자외선 흡수제(UV-absorbers), 광촉매(photocatalyst), 광학 코팅(optical coatings), 가스 센서(gas sensors)와 같이 다양한 분야에서 중요하게 응용되고 있는 재료이다. 또한, 이는 최근에 TFT를 위한 고(高) 유전상수(high-k) 절연체나, 염료 감응 및 유기 태양 전지의 전자 수송층 등의 전자 분야에 있어서도 연구되고 있다. 그러나, 티타늄산화물(TiOx)을 전기발열소자로서의 전열저항재료나 라디오 등의 안테나 등으로 사용된 예는 그간 보고된 바 없다.Titanium oxide (TiO x ) can be mass produced at very low cost and can be used in a wide variety of applications such as pigments, UV absorbers, photocatalysts, optical coatings, gas sensors, It is an important material that is applied in the field. In addition, this has recently been studied in a high dielectric constant (high-k) insulator for TFT, an electron transport layer of dye sensitization and organic solar cell, and the like. However, there has never been reported an example in which titanium oxide (TiO x ) is used as an electric heating material as an electric heating element or an antenna such as a radio.

본 발명자는 티타늄산화물(TiOx)이 기본적으로 투명한 특성을 가지고 있고, 게다가 저항 특성을 가지고 있음에 착안하여 본 발명에 이르게 되었다.The inventors of the present invention came to the present invention in consideration of the fact that titanium oxide (TiO x ) has basically transparent characteristics and further has resistance characteristics.

특히, 투명저항소자의 주성분을 이루는 티타늄산화물(TiOx)은 TiOx (0<x≤2)인 것이 바람직하다. 즉, 투명저항소자로서 필요한 투명도를 제공하면서, 적당한 저항값에 의한 전기발열량 또는 라디오 등의 안테나 등의 기능을 제공할 수 있는 것이다. In particular, the titanium oxide (TiO x ) constituting the main component of the transparent resistance element is preferably TiO x (0 <x? 2). In other words, it is possible to provide an electric heating value by a proper resistance value or a function of an antenna such as a radio, while providing necessary transparency as a transparent resistance element.

또, 본 발명의 일 구현예에 따른 투명전기발열체는 투명저항소자의 380∼770㎚의 광(光) 파장대에서의 광투과율이 투명기판의 380∼770㎚의 광(光) 파장대에서의 광투과율보다 더 높은 것이 바람직하다. In addition, the transparent electric heating element according to an embodiment of the present invention is a transparent electric heating element in which the light transmittance of the transparent resistive element in the optical wavelength range of 380 to 770 nm is higher than that of the transparent substrate in the optical wavelength range of 380 to 770 nm Lt; / RTI &gt;

즉, 가시광선 영역에 속하는 380∼770㎚의 광(光) 파장대에서의 광투과율에 있어서, 투명저항소자의 광투과율이 투명기판의 광투과율보다 높음으로서 투명기판의 투명성을 저해하지 않으면서, 전기발열특성 또는 안테나 등의 기능을 발휘 할 수 있는 것이다. 특히, 투명저항소자의 380∼770㎚의 광(光) 파장대에서의 광투과율은 85%이상이고, 투명기판의 380∼770㎚의 광(光) 파장대에서의 광투과율은 80% 이상으로 함으로서, 투명전기발열체는 사용자의 적당한 시인성을 확보할 수 있는 것이다. That is, in the light transmittance at the optical (light) wavelength band of 380 to 770 nm belonging to the visible light region, the light transmittance of the transparent resistive element is higher than the light transmittance of the transparent substrate, It is possible to exert heat generating characteristics or functions such as an antenna. Particularly, the transparent resistive element has a light transmittance of 380 to 770 nm at an optical (light) wavelength band of 85% or more and a transparent substrate of 380 to 770 nm at a light wavelength of 80% The transparent electric heating element can secure a proper visibility of the user.

또, 본 발명의 일 구현예에 따른 투명전기발열체의 투명저항소자는 전기발열소자로서 적당한 전기발열효율을 가지기 위하여 고유저항이 0.1 ~ 100Ω㎝이고, 면저항이 0.1~ 10,000 ㏀/sq인 것이 바람직하고, 투명저항소자의 두께는 10nm ~ 10,000nm로 할 수 있다. 즉, 투명전기발열체의 사용용도 및 사용환경 등에 따라 적당한 고유저항 및 면저항 또는 적당한 두께를 가지는 투명저항소자를 형성하여 사용할 수 있다. The transparent resistance element of the transparent electric heating element according to an embodiment of the present invention preferably has an intrinsic resistance of 0.1 to 100? Cm and a sheet resistance of 0.1 to 10,000 k? / Sq in order to have a proper electric heating efficiency as an electric heating element , And the thickness of the transparent resistive element may be 10 nm to 10,000 nm. That is, a transparent resistive element having appropriate resistivity, sheet resistance, or appropriate thickness may be formed and used depending on the use of the transparent electric heating element, the use environment, and the like.

또, 본 발명의 일 구현예에 따른 투명전기발열체의 투명저항소자는 기판위에, 스핀코팅, 딥 코팅, 임프린팅, 스탬핑, 프린팅, 트랜스퍼 프린팅(transfer printing), 셀프어셈블리 기법, 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition), 상온이나 고온 증착법, 열 및 전자 빔(E-beam) 증착, 스퍼터링, 원자층 증착(atomic layer deposition), 및 PLD (Pulsed Laser Deposition) 중에서 선택된 하나의 방법으로 형성할 수 있다. 즉, 투명전기발열소자는 투명기판의 적어도 일부에 박막의 형태로 형성될 수 있으며, 필요에 따라 투명기판의 양면 또는 일면의 적당한 면적만큼 형성할 수도 있으며, 세선 형태의 패턴을 형성하여 사용될 수도 있다. The transparent resistive element of the transparent electric heating element according to an embodiment of the present invention may be formed on a substrate by spin coating, dip coating, imprinting, stamping, printing, transfer printing, self-assembly, chemical vapor deposition, vapor deposition at room temperature or high temperature, thermal and electron beam (E-beam) deposition, sputtering, atomic layer deposition, and PLD (Pulsed Laser Deposition). That is, the transparent electric heating element may be formed as a thin film on at least a part of the transparent substrate, and may be formed by a suitable area on both sides or one side of the transparent substrate, if necessary, or may be used by forming a fine line pattern .

여기에서 투명기판은 유리(glass) 또는 플라스틱 재질 등 투명기판으로 적용 될 수 있는 모든 기판을 사용할 수 있으며, 단, 투명전기발열소자인 티타늄산화물(TiOx)를 형성하는 방법상의 온도 등의 제조 환경에 견딜 수 있는 소재로 선택되어야 한다.Here, the transparent substrate may be any substrate that can be used as a transparent substrate such as a glass or a plastic material. However, in a manufacturing environment such as a temperature in a method of forming a titanium oxide (TiOx) It should be selected as a material that can withstand.

본 발명의 일 구현예인 투명저항소자는 티타늄산화물을 주성분으로 포함하는 것을 특징으로 하고, 이 때, 투명저항소자의 주성분을 이루는 티타늄산화물은 TiOx (0<x≤2)인 것이 바람직하다. 즉, 본 발명의 투명저항소자는 티타늄산화물을 주성분으로 포함함으로서 투명성을 가지고, 필요에 따라서 전기발열소자 또는 라디오 등의 안테나로서의 기능을 구현할 수 있는 것이다. The transparent resistive element according to an embodiment of the present invention includes titanium oxide as a main component. In this case, the titanium oxide constituting the main component of the transparent resistive element is preferably TiOx (0 <x? 2). That is, the transparent resistive element of the present invention has transparency by including titanium oxide as a main component, and can function as an antenna of an electric heating element or a radio, if necessary.

또, 투명저항소자는 380 ∼ 770㎚의 광(光) 파장대에서의 광투과율이 85% 이상이 됨으로서, 투명 또는 반투명, 불투명한 기판에 형성되어 있는 여러 가지 디자인에 영향을 주지 않으면서 전기저항소자로서의 기능을 제공할 수 있다. In addition, the transparent resistive element has a light transmittance of 85% or more in a light wavelength range of 380 to 770 nm, so that it is possible to obtain a transparent resistive element having a high light transmittance without affecting various designs formed on a transparent or translucent, opaque substrate. As shown in Fig.

이 때, 투명저항소자는 전기발열소자로서 적당한 전기발열효율을 가지기 위하여 고유비저항이 0.1 ~ 100Ω㎝이고, 면저항이 0.1 ~ 10,000 ㏀/sq인 것이 바람직하고, 투명저항소자의 두께는 10nm ~ 10,000nm로 할 수 있다. 즉, 투명저항소자의 사용용도 및 사용환경 등에 따라 적당한 고유저항 및 면저항 또는 적당한 두께를 가지는 투명저항소자를 형성하여 사용할 수 있다.At this time, the transparent resistive element preferably has an intrinsic specific resistance of 0.1 to 100? Cm and a sheet resistance of 0.1 to 10,000 k? / Sq in order to have an appropriate electric heating efficiency as an electric heating element, and the transparent resistive element has a thickness of 10 nm to 10,000 nm . That is, a transparent resistive element having appropriate resistivity, sheet resistance, or appropriate thickness may be formed and used depending on the intended use of the transparent resistive element, the use environment, and the like.

또, 본 발명의 일 구현예에 따른 투명저항소자는 기판위에, 스핀코팅, 딥 코팅, 임프린팅, 스탬핑, 프린팅, 트랜스퍼 프린팅(transfer printing), 셀프어셈블리 기법, 화학 증착법(chemical vapor deposition), 상온이나 고온 증착법, 열 및 전자 빔(E-beam) 증착, 스퍼터링, 원자층 증착(atomic layer deposition), 및 PLD (Pulsed Laser Deposition) 중에서 선택된 하나의 방법으로 형성할 수 있다. 즉, 투명저항소자는 기판의 적어도 일부에 박막의 형태로 형성될 수 있으며, 필요에 따라 기판의 양면 또는 일면의 적당한 면적만큼 형성할 수도 있으며, 세선 형태의 패턴으로 형성하여 사용될 수도 있다. The transparent resistive element according to an embodiment of the present invention may be formed on a substrate by spin coating, dip coating, imprinting, stamping, printing, transfer printing, self-assembly, chemical vapor deposition, Or by one method selected from high temperature deposition, thermal and electron beam (E-beam) deposition, sputtering, atomic layer deposition, and PLD (Pulsed Laser Deposition). That is, the transparent resistive element may be formed in the form of a thin film on at least a part of the substrate, and may be formed by a suitable area on both sides or one side of the substrate, if necessary, or may be formed in a fine line pattern.

본 발명의 일 구현예인 투명저항소자의 제조방법은 기판을 준비하는 단계와, 기판 표면의 적어도 일부에 투명저항소자를 형성하는 단계를 포함하고, 투명저항소자를 형성하는 단계는 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물을 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압 화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것을 특징으로 한다. A method of manufacturing a transparent resistive element, which is an embodiment of the present invention, includes the steps of preparing a substrate and forming a transparent resistive element on at least a part of a surface of the substrate, wherein the step of forming a transparent resistive element includes the steps of: ), An organic metal chemical vapor deposition (MOCVD), an atomic layer deposition (ALD), a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method, and the like. Low Pressure Chemical Vapor Deposition (PECVD) and Plasma Enhanced Vapor Deposition (PECVD).

증착할 때의 증착온도는 400℃ 이하의 온도에서 증착하는 것이 바람직하고, 300℃ 이하의 온도에서 증착하는 것이 더욱 바람직하다. 이로써, 투명저항소자를 설치할 기판의 선택에 있어서, 약 400℃ 이하의 온도 또는 바람직하기로는 약 300℃ 이하의 온도에서 물리적·화학적 변형이 없는 기판 소재를 선택할 수 있는 것이다. 즉, 400℃ 이상의 온도에서 내열성 및 치수안정성 등을 가지는 고가의 유리 기판이 아닌 저가의 유리 기판에도 본 발명의 투명저항소자를 형성할 수 있으며, 특히, 약 300℃ 이하의 유리전이온도를 가지는 폴리이미드계 수지 등의 플라스틱 재질의 기판에도 형성할 수 있는 것이다. The deposition temperature at the time of deposition is preferably 400 DEG C or less, and more preferably 300 DEG C or less. Thereby, in the selection of the substrate on which the transparent resistive element is to be provided, a substrate material free from physical and chemical deformation can be selected at a temperature of about 400 DEG C or less, or preferably about 300 DEG C or less. That is, the transparent resistive element of the present invention can be formed on a low-cost glass substrate other than an expensive glass substrate having heat resistance and dimensional stability at a temperature of 400 ° C or higher, And may be formed on a plastic substrate such as a mid-system resin.

또, 증착할 때의 분위기는 산소(O2), 오존(O3) 및 수증기(H2O) 중 선택된 1종 이상의 음이온 소스(Anion souce) 분위기에서 증착하는 것이 바람직하고, 특히, 음이온 소스 분위기에서 수증기(H2O)는 10 ~ 60℃의 온도로 제공됨으로서 전구체로서 티타늄을 포함하는 유기화합물과의 반응을 더욱 활발하게 할 수 있다. It is preferable that the atmosphere for deposition is deposited in an atmosphere of at least one selected from among oxygen (O 2 ), ozone (O 3 ) and water vapor (H 2 O) The water vapor (H 2 O) is provided at a temperature of 10 to 60 ° C., so that the reaction with the organic compound including titanium as a precursor can be made more active.

또, 증착할 때의 증착시간은 5초 ~ 50분 동안 증착할 수 있으며, 증착시의 투명저항소자의 두께 형성속도가 10nm/min ~ 1,000nm/min으로 증착하는 것이 더욱 바람직하며, 증착시의 투명저항소자의 두께는 10nm ~ 10,000nm가 되도록 증착할 수 있다. 이로써, 티타늄산화물을 주성분으로 포함하는 투명저항소자가 적당한 밀도와 두께를 가져 효율적인 전기발열효과 또는 효율적인 안테나의 기능 등을 발휘하도록 형성할 수 있는 것이다. The deposition time for the deposition can be from 5 seconds to 50 minutes, more preferably from 10 nm / min to 1,000 nm / min for the thickness of the transparent resistance element at the time of deposition, The thickness of the transparent resistive element can be 10 nm to 10,000 nm. As a result, a transparent resistance element containing titanium oxide as a main component has a proper density and thickness, so that it can be formed to exhibit an efficient electric heating effect or an efficient antenna function.

이 때, 본 발명의 일예에 따른 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물은 티타늄 테트라 알콕사이드(Titaniun tetra alkoxide ; Ti(OR)4, R은 알킬기), 티타늄 테트라 클로라이드(Titaniun tetra chloride ; TiCl4) 및 티타늄 테트라 다이알킬아민(Titanium tetra diaklyamine ; Ti(NR2)4, R은 알킬기) 중 선택된 1종 이상으로 할 수 있으며, 특히, 티타늄 테트라 이소프로폭사이드(TTIP ; Titanium Tetra IsoPropoxide)인 것이 바람직하다. 또, 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물은 50 ~ 250℃의 온도로 제공됨으로서 음이온 소스와의 반응을 더욱 활발하게 함으로서 티타늄산화물의 생성을 용이하게 할 수 있는 것이다. At this time, the organic compound containing titanium (Ti) as a precursor according to an embodiment of the present invention is titanium tetraalkoxide (Ti (OR) 4 , R is an alkyl group), titanium tetrachloride (TiCl 4 ) And titanium tetra diacylamine (Ti (NR 2 ) 4 , R is an alkyl group), and titanium tetraisopropoxide (TTIP) is particularly preferable Do. In addition, the organic compound containing titanium (Ti) as a precursor is provided at a temperature of 50 to 250 ° C, thereby making the reaction with the anion source more active, thereby facilitating the production of titanium oxide.

특히, 본 발명에 의한 투명저항소자의 제조방법은 유기금속 화학기상증착법(MOCVD)에 의하고, 증착단계에서 산소(O2), 오존(O2) 및 수증기(H2O) 중에서 선택된 1종의 분위기에서 음이온 소스와 반응을 잘할 수 있는 전구체로서 티타늄을 포함하는 유기화합물을 선택하여 사용함으로서 보다 저온에서 투명저항소자를 형성할 수 있으며, 이에 따라 저가의 경비로 대면적의 투명저항소자를 형성할 수 있어 바람직하다.In particular, the one selected from oxygen (O 2), ozone (O 2) and water vapor (H 2 O) production method of the transparent resistance device according to the present invention in the deposition step uihago the metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) A transparent resistive element can be formed at a lower temperature by using an organic compound including titanium as a precursor capable of reacting well with an anion source in an atmosphere, thereby forming a transparent resistive element having a large area at a low cost .

이를 통해 본 발명은 투명하면서 전기에 의한 발열 특성을 제공할 수 있고, 라디오 등의 안테나 등으로 활용할 수 있는 투명전기발열체, 투명저항소자 및 이의 제조방법을 제공하였다. Accordingly, the present invention provides a transparent electric heating element, a transparent resistance element, and a method for manufacturing the same, which can provide a transparent and electrically heat-generating property and can be utilized as an antenna for a radio or the like.

또, 본 발명은 지구상에 풍부한 티타늄산화물을 사용함으로서, 제조 공정이 저렴하여 제품의 양산성이 좋은 투명전기발열체, 투명저항소자 및 이의 제조방법을 제공하였다. Further, the present invention provides a transparent electric heating element, a transparent resistance element, and a method of manufacturing the same using a titanium oxide rich in earth because the manufacturing process is inexpensive.

특히, 본 발명은 약 400℃ 이하의 저온에서도 제조할 수 있어, 저가의 유리기판 및 유리전이온도가 낮은 플라스틱 기판 등을 사용할 수 있어, 그 응용의 폭을 넓힌 투명저항소자의 제조방법을 제공하였다. In particular, the present invention can provide a low-cost glass substrate and a low-glass transition temperature plastic substrate which can be manufactured even at a low temperature of about 400 ° C or lower, thereby providing a method of manufacturing a transparent resistive element with a wider application range .

이하에서는 본 발명인 투명전기발열체, 투명전기발열소자 및 이의 제조방법을 실시할 수 있는 형태에 대하여 첨부된 도면을 참고하여 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the transparent electric heating element, the transparent electric heating element, and the method for manufacturing the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예로서 투명저항소자를 실리콘 기판 및 유리기판 상에 각각 유기금속 화학기상증착법(MOCVD)으로 형성하였다. As an embodiment of the present invention, a transparent resistive element was formed on a silicon substrate and a glass substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), respectively.

우선 실시예의 일례로서 실리콘 기판상의 SiO2 유전층의 상부에 유기금속 화학기상증착법으로 전구체는 티타늄 테트라 이소프로폭사이드(TTIP ; Titanium Tetra IsoPropoxide) 약 20g을 소스 Canister에 충전하여 표 1의 실험예 1과 같은 조건으로 증착하였다. As an example of the first embodiment, about 20 g of titanium tetraisopropoxide (TTIP) is filled into a source canister on the SiO 2 dielectric layer on the silicon substrate by the metalorganic chemical vapor deposition method, Were deposited under the same conditions.

또, 실시예의 일례로서 유리기판상에 유기금속 화학기상증착법으로 전구체 는 티타늄 테트라 이소프로폭사이드(TTIP ; Titanium Tetra IsoPropoxide) 약 20g을 소스 Canister에 충전하여 표 1의 실험예 2와 같은 조건으로 증착하였다.  As an example of the embodiment, about 20 g of titanium tetraisopropoxide (TTIP) was filled in a source canister and deposited under the same conditions as Experimental Example 2 in Table 1 by a metalorganic chemical vapor deposition method on a glass substrate .

실험예 1Experimental Example 1 실험예 2Experimental Example 2 Base Pressure(Torr)Base Pressure (Torr) 0.030.03 0.030.03 Working Pressure(Torr)Working Pressure (Torr) 0.310.31 0.310.31 Deposition Temp.(℃)Deposition Temp. (° C) 250250 250250 SubstrateSubstrate SiO2/SiSiO 2 / Si 유리Glass PrecursorPrecursor TTIPTTIP TTIPTTIP Precursor Temp .(℃)Precursor Temp. (° C) 8080 8080 O2 gas MFC(sccm)O 2 gas MFC (sccm) 7070 7070 Deposition Time(min)Deposition Time (min) 1010 1010 두께(nm)Thickness (nm) 약 30nmAbout 30 nm 약 30nmAbout 30 nm

본 발명 실시예의 실험예 1의 조건으로 형성된 투명저항소자는 도 1의 SEM(Scanning Electron Microspcoe) 사진과 같이, 약 30nm의 두께로 비교적 균일하게 형성되었음을 알 수 있으며, 본 발명 실시예의 실험예 2의 조건으로 형성된 투명저항소자는 도 2 및 도 3의 SEM 사진과 같이 그 표면 및 두께가 비교적 균일하게 형성되었음을 알 수 있다. It can be seen that the transparent resistive element formed under the conditions of Experimental Example 1 of the embodiment of the present invention is relatively uniformly formed with a thickness of about 30 nm as in the SEM (Scanning Electron Microspec) photograph of FIG. 1, The transparent resistive element formed under the conditions can be seen to have a relatively uniform surface and thickness as shown in the SEM photographs of FIGS. 2 and 3.

또, 실시예의 실험예 1과 같이 실리콘 기판상에 형성된 투명저항소자의 전기저항치는 파라메트릭 분석기(parametric analyzer)를 사용하여 측정하였으며, 측정시의 투명저항소자의 두께는 약 30nm이고, 폭은 약 150um로 하였으며, 그 결과는 도 4 및 도 5와 같다. 즉, 면저항(sheet resistance)은 도 4의 길이별 저항치 그래프로부터 계산된 값으로 약 215㏀/sq로 측정되었으며, 고유저항은 0.65Ωcm로 계산되었다. 또, 인가전압에 대한 전류값으로부터 계산된 평균 저항은 도 5의 그래프와 같이 약 2만Ω으로 측정되었다. 즉, 실시예의 실험예 1과 같이 실리콘 기판상에 형성된 투명저항소자는 저항소자로서 거동하고 있음을 확인하였다. In addition, as in Experimental Example 1 of the embodiment, the electrical resistance value of the transparent resistive element formed on the silicon substrate was measured using a parametric analyzer. The thickness of the transparent resistive element at the time of measurement was about 30 nm, 150 mu m, and the results are shown in Fig. 4 and Fig. That is, the sheet resistance was measured to be about 215 k? / Sq as calculated from the resistance graph of length in FIG. 4, and the specific resistance was calculated to be 0.65? Cm. The average resistance calculated from the current value with respect to the applied voltage was measured to be about 20,000? As shown in the graph of FIG. That is, it was confirmed that the transparent resistance element formed on the silicon substrate behaves as a resistance element as in Experimental Example 1 of the embodiment.

또, 본 발명의 실시예의 실험예 2와 같이 유리기판상에 실험예 1과 동일한 증착조건으로 투명저항소자를 형성하기 전의 유리기판의 투명도 및 투명저항소자를 형성한 후의 투명도를 UV-vis spectra(Shimadzu UV-3101PC)를 통하여 측정하였으며, 그 결과로부터 티타늄산화물(TiO2)을 주성분으로 포함하는 투명저항소자 자체의 투명도를 계산한 결과는 도 6과 같다. The transparency of the glass substrate and the transparency after forming the transparent resistive element before forming the transparent resistive element on the glass substrate with the same deposition conditions as in Experimental Example 1 were measured with UV-vis spectra (Shimadzu UV-3101PC). From the results, the transparency of the transparent resistive element including titanium oxide (TiO 2 ) as a main component was calculated. The results are shown in FIG.

즉, 유리기판의 약 380∼770㎚의 광(光) 파장대에서의 광투과율은 약 90 내지 85%였고, 투명저항소자를 형성한 후의 약 380∼770㎚의 광(光) 파장대에서의 광투과율은 약 85%로서 유리기판 고유의 투명도와 거의 유사하게 발현되었고, 이 결과로부터 티타늄산화물(TiO2)을 주성분으로 포함하는 투명저항소자 자체의 투명도를 계산한 결과는 약 95 내지 99%였다. 즉, 본 발명의 실시예에 의한 투명저항소자는 약 380∼770㎚의 광(光) 파장대에서 약 95%이상의 광투과율을 가짐으로서, 투명유리기판의 투명도를 저해하지 않음을 알 수 있다. That is, the light transmittance of the glass substrate at a light wavelength range of about 380 to 770 nm was about 90 to 85%, and the light transmittance at an optical (light) wavelength band of about 380 to 770 nm after forming the transparent resistive element Was about 85%, which was almost similar to the inherent transparency of the glass substrate. From the result, the transparency of the transparent resistive element itself containing titanium oxide (TiO 2 ) as a main component was calculated to be about 95 to 99%. That is, it is understood that the transparent resistive element according to the embodiment of the present invention has a light transmittance of about 95% or more at an optical (light) wavelength band of about 380 to 770 nm, and does not hinder the transparency of the transparent glass substrate.

또, 본 발명 실시예의 실험예 2로부터 형성된 투명저항소자를 X-선 분석기(XRD : Rigaku사 Ultima-IV)를 통하여 측정하였으며, 그 결과는 도 7과 같다. 즉, 본 발명의 실시예는 비결정질의 티타늄산화물(TiOx)을 주성분으로 포함하고 있음을 알 수 있다. In addition, the transparent resistive element formed from Experimental Example 2 of the present invention example was measured with an X-ray analyzer (XRD: Rigaku Co., Ultima-IV). The results are shown in Fig. That is, it can be seen that the embodiment of the present invention includes amorphous titanium oxide (TiOx) as a main component.

도 1은 본 발명의 실시예 중 실리콘웨이퍼 상에 형성된 투명저항소자 단면의 SEM사진이다.1 is a SEM photograph of a cross section of a transparent resistive element formed on a silicon wafer in an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예 중 유리기판 상에 형성된 투명저항소자 단면 및 표면의 SEM사진이다. 2 is a SEM photograph of a cross-section and a surface of a transparent resistive element formed on a glass substrate in an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예 중 유리기판 상에 형성된 투명저항소자 단면의 SEM사진이다. 3 is a SEM photograph of a cross section of a transparent resistive element formed on a glass substrate in an embodiment of the present invention.

도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예의 저항측정 그래프이다. Figures 4 and 5 are graphs of resistance measurements of an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 실시예의 투명도를 측정한 그래프이다.6 is a graph showing transparency measured in an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 실시예의 투명저항소자의 X-ray 분석기로 측정한 그래프이다.7 is a graph of an X-ray analyzer of the transparent resistive element of the embodiment of the present invention.

Claims (25)

투명기판과;A transparent substrate; 상기 투명기판 표면의 적어도 일부에 형성된 투명저항소자를 포함하고,And a transparent resistive element formed on at least a part of the surface of the transparent substrate, 상기 투명저항소자는 티타늄산화물을 포함하며,Wherein the transparent resistive element comprises titanium oxide, 상기 투명저항소자는 380∼770㎚의 광(光) 파장대에서의 광투과율이 상기 투명기판의 380∼770㎚의 광(光) 파장대에서의 광투과율보다 더 높은 것을 특징으로 하는 투명전기발열체.Wherein the transparent resistive element has a light transmittance at an optical (light) wavelength band of 380 to 770 nm higher than a light transmittance at an optical (light) wavelength band of 380 to 770 nm of the transparent substrate. 제 1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 투명저항소자에 포함되는 티타늄산화물은 TiOx(0<x≤2)인 것을 특징으로 하는 투명전기발열체.Wherein the titanium oxide contained in the transparent resistive element is TiOx (0 < x &lt; = 2). 삭제delete 제 1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 투명저항소자의 380∼770㎚의 광(光) 파장대에서의 광투과율은 85%이상이고, 상기 투명기판의 380∼770㎚의 광(光) 파장대에서의 광투과율은 80%이상인 것을 특징으로 하는 투명전기발열체.The transparent resistive element has a light transmittance of 380 to 770 nm at an optical (light) wavelength band of 85% or more, and the transparent substrate has a light transmittance of 380 to 770 nm at a light wavelength of 80% A transparent electric heating element. 제 1항 또는 제 4항에 있어서, The method according to claim 1 or 4, 상기 투명저항소자는 고유저항이 0.1 ~ 100Ω㎝이고, 면저항이 1~ 10,000 ㏀/sq인 것을 특징으로 하는 투명전기발열체.Wherein the transparent resistive element has an intrinsic resistance of 0.1 to 100? Cm and a sheet resistance of 1 to 10,000? / Sq. 제 5항에 있어서, 6. The method of claim 5, 상기 투명저항소자는 두께가 10nm ~ 10,000nm인 것을 특징으로 하는 투명전기발열체.Wherein the transparent resistive element has a thickness of 10 nm to 10,000 nm. 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 7 has been abandoned due to the setting registration fee. 제 1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 투명저항소자는 상기 투명기판 위에, Wherein the transparent resistive element is formed on the transparent substrate, 스핀코팅, 딥 코팅, 임프린팅, 스탬핑, 프린팅, 트랜스퍼 프린팅(transfer printing), 셀프어셈블리 기법, 화학 증착법(chemical vapor deposition), 상온이나 고온 증착법, 열 및 전자 빔(E-beam) 증착, 스퍼터링, 원자층 증착(atomic layer deposition), 및 PLD (Pulsed Laser Deposition) 중에서 선택된 하나의 방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 투명전기발열체.But not limited to, spin coating, dip coating, imprinting, stamping, printing, transfer printing, self-assembly techniques, chemical vapor deposition, room temperature or high temperature deposition, thermal and electron beam (E-beam) An atomic layer deposition, and a pulsed laser deposition (PLD). 제 1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 투명기판은 유리(glass) 또는 플라스틱 재질인 것을 특징으로 하는 투명전기발열체.Wherein the transparent substrate is made of glass or a plastic material. 티타늄산화물을 포함하여Including titanium oxide 380 ∼ 770㎚의 광(光) 파장대에서 광투과율이 85% 이상인 것을 특징으로 하는 투명저항소자.And a light transmittance of 85% or more at an optical (light) wavelength band of 380 to 770 nm. 제 9항에 있어서, 10. The method of claim 9, 상기 티타늄산화물은 TiOx (0<x≤2)인 것을 특징으로 하는 투명저항소자.Wherein the titanium oxide is TiOx (0 < x? 2). 삭제delete 제 9항에 있어서, 10. The method of claim 9, 고유비저항이 0.1 ~ 100Ω㎝이고, 면저항이 0.1~ 10,000 ㏀/sq인 것을 특징으로 하는 투명저항소자.Wherein an intrinsic specific resistance is 0.1 to 100? Cm and a sheet resistance is 0.1 to 10,000? / Sq. 제 12항에 있어서, 13. The method of claim 12, 두께가 10nm ~ 10,000nm인 것을 특징으로 하는 투명저항소자.And a thickness of 10 nm to 10,000 nm. 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 14 has been abandoned due to the setting registration fee. 제 9항에 있어서, 10. The method of claim 9, 기판위에,On the substrate, 스핀코팅, 딥 코팅, 임프린팅, 스탬핑, 프린팅, 트랜스퍼 프린팅(transfer printing), 셀프어셈블리 기법, 화학 증착법(chemical vapor deposition), 상온이나 고온 증착법, 열 및 전자 빔(E-beam) 증착, 스퍼터링, 원자층 증착(atomic layer deposition), 및 PLD (Pulsed Laser Deposition) 중에서 선택된 하나의 방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 투명저항소자.But not limited to, spin coating, dip coating, imprinting, stamping, printing, transfer printing, self-assembly techniques, chemical vapor deposition, room temperature or high temperature deposition, thermal and electron beam (E-beam) An atomic layer deposition, and a pulsed laser deposition (PLD). 기판을 준비하는 단계;Preparing a substrate; 상기 기판 표면의 적어도 일부에 투명저항소자를 형성하는 단계를 포함하고, And forming a transparent resistive element on at least a part of the surface of the substrate, 상기 투명저항소자를 형성하는 단계는 The step of forming the transparent resistive element 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물을 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압 화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하며,As the precursor, an organic compound containing titanium (Ti) may be deposited by chemical vapor deposition (CVD), metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), atomic layer deposition (ALD), low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), and the deposition is performed by a method selected from the group consisting of a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method and a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물은 티타늄 테트라 알콕사이드(Titaniun tetra alkoxide ; Ti(OR)4, R은 알킬기), 티타늄 테트라 클로라이드(Titaniun tetra chloride ; TiCl4) 및 티타늄 테트라 다이알킬아민(Titanium tetra diaklyamine ; Ti(NR2)4, R은 알킬기) 중 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법.Titanium tetra alkoxide (Ti (OR) 4 , R is an alkyl group), titanium tetrachloride (TiCl 4 ), and titanium tetra dialkylamine (Titanium tetra alkoxide) diacylamine, Ti (NR 2 ) 4 , and R is an alkyl group). 제 15항에 있어서, 16. The method of claim 15, 상기 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 400℃이하의 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법.(CVD), metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), atomic layer deposition (ALD), low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), and the like are performed by the chemical vapor deposition (CVD) ) And plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is performed at a temperature of 400 DEG C or less. 제 15항에 있어서, 16. The method of claim 15, 상기 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 300℃이하의 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법.(CVD), metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), atomic layer deposition (ALD), low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), and the like are performed by the chemical vapor deposition (CVD) ) And plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is performed at a temperature of 300 ° C or less. 제 15항에 있어서, 16. The method of claim 15, 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 산소(O2), 오존(O3) 및 수증기(H2O) 중 선택된 1종 이상의 음이온 소스(Anion souce)분위기에서 증착하는 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법.A metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, an atomic layer deposition (ALD) method, a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method, a chemical vapor deposition method, And PECVD (Plasma Enhanced Vapor Deposition) may be performed using one or more selected anion sources selected from among oxygen (O 2 ), ozone (O 3 ), and water vapor (H 2 O) wherein the transparent conductive film is deposited in a nitrogen atmosphere. 제 18항에 있어서, 19. The method of claim 18, 음이온 소스 분위기에서 수증기(H2O)는 10 ~ 60℃의 온도로 제공되는 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법. Wherein the water vapor (H 2 O) is provided at a temperature of 10 to 60 ° C in an anion source atmosphere. 제 15항에 있어서, 16. The method of claim 15, 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 5초 ~ 50분 동안 증착하는 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법.A metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, an atomic layer deposition (ALD) method, a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method, a chemical vapor deposition method, And plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is performed for 5 seconds to 50 minutes. &Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 11. &lt; / RTI &gt; 제 15항에 있어서, 16. The method of claim 15, 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 투명저항소자의 두께 형 성속도가 10nm/min ~ 1,000nm/min으로 증착하는 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법.A metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, an atomic layer deposition (ALD) method, a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method, a chemical vapor deposition method, And a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method is characterized in that the transparent resistive element is deposited at a thickness forming rate of 10 nm / min to 1,000 nm / min. &Lt; / RTI &gt; 제 15항에 있어서, 16. The method of claim 15, 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 투명저항소자의 두께가 10nm ~ 10,000nm가 되도로 증착하는 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법.A metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, an atomic layer deposition (ALD) method, a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method, a chemical vapor deposition method, And a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, the deposition is performed so that the thickness of the transparent resistive element becomes 10 nm to 10,000 nm. 삭제delete 제 15항에 있어서, 16. The method of claim 15, 전구체로서 티타늄(Ti) 유기화합물은 티타늄 테트라 이소프로폭사이드(TTIP ; Titanium Tetra IsoPropoxide)인 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법.Wherein the titanium (Ti) organic compound as a precursor is titanium tetraisopropoxide (TTIP). 제 15항에 있어서, 16. The method of claim 15, 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물은 50 ~ 250℃의 온도로 제공되는 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법.Wherein the organic compound containing titanium (Ti) as a precursor is provided at a temperature of 50 to 250 占 폚.
KR1020080086541A 2008-09-03 2008-09-03 Transparent and electronic heat generating body and Transparent resistance element, the producing method of it KR101521963B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080086541A KR101521963B1 (en) 2008-09-03 2008-09-03 Transparent and electronic heat generating body and Transparent resistance element, the producing method of it

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080086541A KR101521963B1 (en) 2008-09-03 2008-09-03 Transparent and electronic heat generating body and Transparent resistance element, the producing method of it

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100027569A KR20100027569A (en) 2010-03-11
KR101521963B1 true KR101521963B1 (en) 2015-05-21

Family

ID=42178515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080086541A KR101521963B1 (en) 2008-09-03 2008-09-03 Transparent and electronic heat generating body and Transparent resistance element, the producing method of it

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101521963B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100222287B1 (en) * 1995-06-15 1999-10-01 사또 아끼오 Durable transparent plate and its manufacture

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100222287B1 (en) * 1995-06-15 1999-10-01 사또 아끼오 Durable transparent plate and its manufacture

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100027569A (en) 2010-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Sharmin et al. Depositions and characterization of sol–gel processed Al-doped ZnO (AZO) as transparent conducting oxide (TCO) for solar cell application
Gagaoudakis et al. The influence of deposition parameters on room temperature ozone sensing properties of InOx films
Fan et al. High density, non-porous anatase titania thin films for device applications
Yang et al. Room temperature deposition of Al-doped ZnO films on quartz substrates by radio-frequency magnetron sputtering and effects of thermal annealing
Hieber Structural and electrical properties of Ta and Ta nitrides deposited by chemical vapour deposition
Babar et al. Gallium doping in transparent conductive ZnO thin films prepared by chemical spray pyrolysis
Choi et al. Plasma-enhanced atomic layer deposition of TiO2 and Al-doped TiO2 films using N2O and O2 reactants
JP5581527B2 (en) Transparent conductive film, manufacturing method thereof, transparent electrode and solar cell
JP5296691B2 (en) Manufacturing method of conductor layer
Jin et al. Development of CVD Ti-containing films
KR101364138B1 (en) ZnSnO3 nanorods coated with palladium particles, a preparation method thereof, and gas sensor using the same
JP2008084824A (en) Manufacturing method of conductor
KR101659320B1 (en) Manufacturing method of sensor having Core-shell structured ZnO/WO3 nano wire and the detection of gas using the same
Wu et al. Microstructural and optical properties of Ta-doped ZnO films prepared by radio frequency magnetron sputtering
Jagtap et al. Thick film NTC thermistor for wide range of temperature sensing
JPH06128743A (en) Transparent electrically conductive film, production and target used therefor
Ahmadipour et al. Effect of thickness on humidity sensing properties of RF magnetron sputtered CaCu 3 Ti 4 O 12 thin films on alumina substrate
KR101521963B1 (en) Transparent and electronic heat generating body and Transparent resistance element, the producing method of it
Boratto et al. Deposition of Al2O3 by resistive evaporation and thermal oxidation of Al to be applied as a transparent FET insulating layer
KR20120112716A (en) Oxide film, process for producing same, target, and process for producing sintered oxide
KR101764214B1 (en) Heating structure and method of fabricating the same
Mukherjee et al. Tailoring the microstructural, optical, and electrical properties of nanocrystalline WO 3 thin films using Al doping
Thomas et al. Structural, electrical and optical properties of sol–gel processed lead titanate thin films
Lethy et al. Transparent and low resistive nanostructured laser ablated tungsten oxide thin films by nitrogen doping: II. Substrate temperature
CN110230029B (en) Preparation method of spinel-structured manganese-nickel oxide film

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180425

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee