KR101521874B1 - A coating electronic component with sulfurization, thermal-resistance and the same method. - Google Patents

A coating electronic component with sulfurization, thermal-resistance and the same method. Download PDF

Info

Publication number
KR101521874B1
KR101521874B1 KR1020140067336A KR20140067336A KR101521874B1 KR 101521874 B1 KR101521874 B1 KR 101521874B1 KR 1020140067336 A KR1020140067336 A KR 1020140067336A KR 20140067336 A KR20140067336 A KR 20140067336A KR 101521874 B1 KR101521874 B1 KR 101521874B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
silver
plating layer
plated
plating
layer
Prior art date
Application number
KR1020140067336A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150026774A (en
Inventor
이이근
Original Assignee
(주) 인광
이이근
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주) 인광, 이이근 filed Critical (주) 인광
Publication of KR20150026774A publication Critical patent/KR20150026774A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101521874B1 publication Critical patent/KR101521874B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/627Electroplating characterised by the visual appearance of the layers, e.g. colour, brightness or mat appearance
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1646Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165Multilayered product
    • C23C18/1653Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C25D3/64Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of silver
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Abstract

본 발명은 은도금 층이 시간이 경과되거나 온도상승으로, 황이 포함된 분위기에서 그 표면이 변색되어 손상을 받는 일이 없는 도금된 전기 및 전자부품과 이를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 나아가서, 발광소자(LED)를 실장한 발광장치용의, 황화 방지에 대한 내열성이 우수하고, 와이어 본딩성도 우수하며, 초기 광 반사율도 우수하고, 광 신뢰성도 우수한 도금구조를 갖는 반사면을 구비하는 발광소자 탑재용 지지체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 이러한 다층의 은합금 전해도금 구조를 갖고, 열이나 황화에 의해 변색되기 어렵고, 은 본래의 광택을 갖고, 접촉저항이 작은 전기부품용 도금 방법을 제공하고자 한다. 이러한 도금 방법은 도금용 지지체의 표면에 니켈 또는 동 하지 도금층을 형성하고, 은도금 층을 형성하고, 또한 상기 은도금 층 표면에 두께 0.001∼10.0㎛의 주석, 인듐, 아연, 망간, 니켈, 구리, 코발트, 카드늄, 팔라듐, 안티몬, 금 및 백금 중 2 이상의 금속과 은합금 도금층을 전해도금방법으로 형성하여 이루어지는 전기, 전자기기 부품에 관한 것이다.
An object of the present invention is to provide a plated electric and electronic part which does not suffer damage due to discoloration of a silver plating layer over time or in an atmosphere containing sulfur in an atmosphere containing sulfur and a method of manufacturing the same. Furthermore, it is an object of the present invention to provide a reflective surface for a light emitting device in which a light emitting element (LED) is mounted, which has excellent heat resistance against sulphidation, excellent wire bonding, excellent initial light reflectance, And it is an object of the present invention to provide a support for mounting a light emitting element.
A further object of the present invention is to provide a plating method for electric parts which has such a multi-layered silver-plated electrolytic plating structure and is hardly discolored due to heat or sulfidation, has inherent luster of silver, and has a small contact resistance. In this plating method, a nickel or copper underlying layer is formed on the surface of the plating support, a silver plating layer is formed, and a silver plating layer of tin, indium, zinc, manganese, nickel, copper, cobalt Electroplating, a metal plating layer of at least two of cadmium, palladium, antimony, gold and platinum and a silver-plated gold layer formed by an electrolytic plating method.

Description

내흑변성이 우수한 도금층을 갖는 전기, 전자기기 부품 및 그 제조방법. {A COATING ELECTRONIC COMPONENT WITH SULFURIZATION, THERMAL-RESISTANCE AND THE SAME METHOD.}ELECTRIC, ELECTRONIC DEVICE COMPONENTS AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME WITH A PLATED CURABLE WITH A GOOD GRADE MODIFICATION {A COATING ELECTRONIC COMPONENT WITH SULFURIZATION, THERMAL-RESISTANCE AND THE SAME METHOD.}

본 발명은 전기, 전자기기 표면에 반사면을 형성하기 위하여 도금된 금속이 시간이 경과됨에 따라 색상이 검게 변하는 문제점을 개선하기 위한 것으로, 특히 황을 함유하는 분위기에서 황과의 반응을 억제하고 열에 대한 변색을 방지하기 위하여 전자 및 전기 기기부품용 재료의 표면에 특정한 합금을 갖는 도금층을 형성하는 전기, 전자부품과 그 제조방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 발광다이오드용 금속 리드 프레임이나 인쇄회로기판, 또는 세라믹의 비도전성 기판에 설치된 리드 선, 리드 핀, 반사판이나 단자, 커넥터, 스위치 등의 전기 접점부품으로 이용하기에 적합한 내흑변성이 우수한 은(Ag) 전해도금 전자부품과 그 제조방법에 관한 것이다. 이와 더불어, 본 발명은 전해도금된 전자 부품이 우수한 내흑변성을 갖는 동시에 접촉 저항이 매우 낮고, 표면의 광 반사율이 높으며, 와이어와의 본딩(bonding)성과 광 반사 신뢰성까지도 탁월한 전해도금된 전자 및 전기 부품과 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention is to solve the problem that the color of the plated metal changes over time as time elapses in order to form a reflective surface on the surface of electronic and electronic devices. In particular, it suppresses the reaction with sulfur in an atmosphere containing sulfur, Electronic parts and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an electric and electronic part for forming a plating layer having a specific alloy on the surface of a material for electronic and electric device parts. More specifically, the invention relates to a method for producing a lead-free solder, which is suitable for use as an electrical contact part such as a lead wire, a lead pin, a reflector, a terminal, a connector, and a switch installed on a metal lead frame for a light- (Ag) electroplating electronic component and a manufacturing method thereof. In addition, the present invention relates to an electroplated electronic component and an electroplated electronic component, which has excellent black marking, low contact resistance, high light reflectance on the surface, excellent bonding with the wire, And a manufacturing method thereof.

일반적으로 발광다이오드(LED; Light Emitting Diode)와 같은 발광소자는 상당한 열을 외부로 방출하게 된다. 그리고 발광다이오드(LED)와 같은 발광소자를 탑재한 발광장치는, 밝기를 더욱 향상시키기 위한 광 반사면을 구비하게 된다. 광 반사면은 발광소자의 측면부와 바닥면에 반사하는 빛이 예를 들면, 조사의 주축방향을 향하도록 발광소자의 바닥 및 주변에 부착된다. 광 반사면은 주로 표면에 금속을 도금하여 형성되며, 여러 금속 중에서도 은을 도금하는 것이 광을 높게 반사시키므로 반사면으로 은(Ag) 도금층이 많이 채택되고 있다.
In general, a light emitting device such as a light emitting diode (LED) emits a considerable amount of heat to the outside. A light emitting device having a light emitting element such as a light emitting diode (LED) is provided with a light reflecting surface for further improving brightness. The light reflecting surface is attached to the bottom and periphery of the light emitting element such that light reflected on the side surface and the bottom surface of the light emitting element is directed, for example, in the main axis direction of irradiation. The light reflection surface is mainly formed by plating a metal on the surface. Among the various metals, since silver plating is highly reflective of light, a silver (Ag) plating layer is widely adopted as a reflection surface.

그러나, 은(Ag) 도금층은 황(Sulfur)이 포함되는 환경에서는, 시간이 경과되거나 온도가 상승함에 따라 은(Ag) 도금된 표면과 황이 반응하게 되고, 이 반응으로 색상이 점진적으로 검게 변하여 광 반사율이 저하된다는 문제가 있다. 이 때문에, 은(Ag)이 도금된 반사면에 유기물의 보호피막 층을 형성하는 방법이 시행되고 있다. 이들 대책은 그 나름대로 효과가 있지만, 발광다이오드(LED) 패키지 제조 시 전처리 및 제조과정의 고온 등에 의하여 은도금 층의 표면이 변하는 것을 방지하기 위한 유기물 보호피막 층이 많이 제거되거나 벗겨지고, 이에 따라 변색을 일으키는 황화반응을 방지하는 효과가 큰 폭으로 감소해 버림으로써, 발광소자의 발열에 기인하는 표면 변색이나 장치의 장시간 사용 시의 황화반응을 억제할 수 없는 점에서 만족할 만한 효과를 얻을 수 없다고 할 것이다.
However, in the silver (Ag) plating layer, when the silver (sulfide) is contained, the silver (Ag) plated surface reacts with sulfur as time elapses or as the temperature rises. There is a problem that the reflectance is lowered. For this reason, a method of forming a protective coating layer of an organic material on a reflective surface plated with silver (Ag) is being carried out. These countermeasures are effective in their own way. However, in the case of manufacturing a light emitting diode (LED) package, the organic protective film layer for preventing the surface of the silver plating layer from being changed due to the high temperature of the pretreatment and the manufacturing process is removed or peeled, The effect of preventing the sulfidation reaction caused is greatly reduced, so that the satisfactory effect can not be obtained because the surface discoloration due to the heat generation of the light emitting element and the sulfidation reaction at the time of use of the apparatus for a long time can not be suppressed .

이러한 점을 감안하여 전기 전자부품의 도금된 표면에서 발생하는 황과의 반응이나 열에 대하여 우수한 내흑변성을 갖는 은도금 반사면을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 은(Ag) 도금구조가 스위치 등과 같은 접점으로도 넓게 이용되지만(특허문헌 1,2 참조), 접점을 도금한 그 표면도 시간이 경과하거나 스위치 온, 오프 시의 방전으로 인한 온도상승으로 그 표면이 변색되는 손상을 받는 경우가 있다. 이러한 점을 고려하여 내흑변성이 우수한 도금 접점재료를 발명하는 것이 요구되어 진다.
In view of this point, it is desirable to form a silver plating reflective surface having excellent weathering resistance against reaction with sulfur or heat generated on the plated surface of the electric / electronic part. Further, although the silver (Ag) plating structure is widely used as a contact point such as a switch (see Patent Documents 1 and 2), the surface of the contact plated is also affected by a temperature rise due to elapse of time or discharge at switch- The surface may be damaged by discoloration. Taking this into consideration, it is required to invent a plating contact material having excellent black weatherability.

이와 같이, 시간의 경과나 발생되는 열에 의해 은도금 표면이 검게 변색되는 손상을 받는 일이 없는 도금구조를 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 각종 금속기재의 표면을 은으로 도금하여 내식성, 전기 접속성 등을 개량하는 방법을 종래부터 여러 가지 시도해 왔고, 근래에 발광다이오드에서는 은 특유의 반사 성능을 살린 반사면으로서 이용되고 있는 것으로, 발광다이오드에서는 바닥면과 일부 측면에도 은도금이 반사면으로 적용되고 있다. 이 경우에는 광 반사 기능은 물론 발광다이오드 발광소자의 실장 시, 골드와이어(Au wire)와의 본딩(bonding)성도 우수하기 때문이다. 그러나 은(Ag) 표면은 황과의 반응 및 열에 의해 검게 변색되기 쉽다고 하는 문제점을 가지고 있다.
In this manner, it is preferable to form a plating structure which is not susceptible to damage that the surface of the silver plating is discolored due to the passage of time or generated heat. In addition, various methods for improving the corrosion resistance, electrical connectivity, and the like by plating the surfaces of various metal substrates with silver have been conventionally attempted. In recent years, light emitting diodes have been used as reflective surfaces utilizing the reflection performance peculiar to silver, In the light emitting diode, silver plating is applied to the bottom surface and some side surfaces as a reflecting surface. In this case, not only the light reflection function but also the bonding with the gold wire is excellent when the light emitting diode light emitting device is mounted. However, the silver (Ag) surface has a problem of being easily discolored by reaction with sulfur and heat.

이러한 특징 때문에, 인쇄회로기판에서는 은 도금 시, 납땜 특성에 대한 요구에 부응하기 위하여 주석 또는 주석과 은 합금 층을 표면에 형성하는 것이 개시되어 있다(특허문헌 2 참조). 이 경우, 주석 또는 주석과 은 합금 층이 두꺼워지면 접촉 저항이 증대한다고 하는 문제가 발생하고, 은이 가지고 있는 본래의 광택 및 반사 성능이 저하되어 그 기능을 상실하게 된다. 이외에도 표면에 유기물을 코팅하여 은도금 층의 황화를 억제하는 것도 행하여지지만(특허문헌 3 참조), 유기물 박막은 발광다이오드를 패키징하는 과정에서 상당량이 제거되고, 이에 따라 내열성이 부족하게 되어 고온 하에서 내흑변성에 문제가 있다.
For this reason, in order to meet the demand for soldering characteristics in silver plating in a printed circuit board, it has been disclosed that a tin or tin and silver alloy layer is formed on the surface (see Patent Document 2). In this case, when the tin or tin and silver alloy layers are thickened, there arises a problem that the contact resistance is increased, and the inherent luster and reflection performance of silver deteriorates and the function thereof is lost. (See Patent Document 3), a considerable amount of the organic thin film is removed in the process of packaging the light emitting diode, resulting in insufficient heat resistance. Thus, the light emitting diode There is a problem with sex.

[특허문헌 1] 공개특허공보 10-2011-0007062호[Patent Document 1] Published Unexamined Patent Application No. 10-2011-0007062 [특허문헌 2] 공개특허공보 10-2007-0041759호[Patent Document 2] Published Unexamined Patent Application No. 10-2007-0041759 [특허문헌 3] 공개특허공보 특2000-0006010호[Patent Document 3] Published Unexamined Patent Application No. 2000-0006010

본 발명은 시간이 경과되거나 온도 상승에 의해 표면에 도금된 은(Ag)이 변색되거나, 황이 포함된 분위기에서 황과 반응하여 그 표면이 황화됨으로써 검게 변색되는 것을 방지하기 위한 은합금 도금층을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 발광다이오드와 같은 발광소자를 실장한 발광장치가 황이 함유된 분위기에서 황과 반응하여 표면이 황화되는 현상를 방지하는 동시에, 내열성이 우수한 은합금 전해도금 구조를 갖는 반사면을 구비하는 발광장치 탑재용 지지체를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이와 더불어 본 발명의 또 다른 목적은, 이러한 은합금 전해도금으로 인하여, 은 본래의 광택을 갖는 동시에 접촉저항이 적으며, 와이어와의 본딩(wire bonding)성도 우수한 은합금 전해도금 층을 갖는 전자 및 전기 기기 부품 및 그 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.
The present invention provides a silver-plated gold plating layer for preventing discoloration of silver (Ag) plated on the surface with time or temperature rise, or blackening of the surface due to sulfuration of the silver by reacting with sulfur in an atmosphere containing sulfur . In addition, the light emitting device mounted with the light emitting device such as the light emitting diode can prevent the phenomenon that the surface of the light emitting device reacts with sulfur in the atmosphere containing sulfur, and at the same time, the light emitting device with the reflecting surface having the silver alloy electroplating structure excellent in heat resistance And to provide a supporting member for a substrate. It is another object of the present invention to provide an electronic device having a silver-plated electroplating layer having an original silver luster and a small contact resistance due to the silver alloy electroplating, And a method of manufacturing the same.

위에서 설명된 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 예시의 목적을 위하여 개시된 것이고, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능한 것으로 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않는다.
It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. But are not limited to, the technical issues mentioned in.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않는다.
The technical objects to be achieved by the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명은 표면에 도금층이 형성된 전기, 전자 기기부품에 있어서, 상기 부품의 표면에 니켈 또는 동으로 이루어진 하지 도금층; 상기 하지 도금층 상부에 은(Ag) 도금층이 도금되고, 은 도금층 위에 전해도금으로 은합금 도금층이 형성되며, 상기 은합금 도금층은 3원계 이상으로 이루어진 은합금인 것에 특징이 있는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품에 관한 것이다.
According to an aspect of the present invention, there is provided an electric and electronic device part having a surface plated layer formed thereon, the surface of the part including a base plating layer made of nickel or copper; (Ag) plating layer is formed on the upper base plating layer, a silver plating layer is formed on the silver plating layer by electrolytic plating, and the silver plating layer is a silver alloy having a ternary system or higher. The present invention relates to an electric / electronic device component.

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 상기 은합금 도금층은 은과 주석, 인듐, 아연, 망간, 니켈, 구리, 코발트, 카드늄, 팔라듐, 팔라듐, 안티몬, 금 및 백금 중 2 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품에 관한 것이다.
The gist of the present invention is that the silver alloy plating layer is one containing at least two metals selected from silver and tin, indium, zinc, manganese, nickel, copper, cobalt, cadmium, palladium, palladium, antimony, gold and platinum And more particularly, to an electric and electronic device part having a plating layer excellent in weather resistance.

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 상기 은합금 도금층은 은(Ag) 85~97 wt%와 2 이상의 상기 금속이 3~ 15 wt%로 이루어진 것에 특징이 있는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품에 관한 것이다.
The gist of the present invention is that the silver-plated gold-plated layer is composed of 85 to 97 wt% of silver (Ag) and 3 to 15 wt% of the at least two metals, , And electronic component parts.

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 상기 은합금 도금층은 은 85~97 wt%와 주석 1~10 wt%, 아연 1~10 wt%로 이루어진 것에 특징이 있는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품에 관한 것이다.
Further, the gist of the present invention is that the silver-plated gold-plated layer is composed of 85 to 97 wt% of silver, 1 to 10 wt% of tin and 1 to 10 wt% of zinc, , And electronic component parts.

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 상기 은합금 도금층은 동 또는 니켈을 1~5 wt% 더 포함하는 것에 특징이 있는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품에 관한 것이다.
The gist of the present invention also relates to an electric and electronic device part having a plating layer excellent in the black marking property, characterized in that the above-mentioned silver-plated gold-plated layer further contains copper or nickel in an amount of 1 to 5 wt%.

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 상기 은합금 도금층은 Ag-Sn-Zn의 3원계와 Ag-Cu-Sn-Zn, Ag-Ni-Sn-Zn의 4원계 합금 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품에 관한 것이다.
It is a feature of the present invention that the silver alloy plating layer is any one of a ternary system of Ag-Sn-Zn and a quaternary alloy of Ag-Cu-Sn-Zn and Ag-Ni-Sn- To an electric and electronic device part having a plating layer excellent in weathering resistance.

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 상기 하지 도금층은 두께 0.001~10㎛인 것을 특징으로 하는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품에 관한 것이다.
Further, the gist of the present invention relates to an electric and electronic device part provided with a plating layer having an excellent black marking property, wherein the base plating layer has a thickness of 0.001 to 10 μm.

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 상기 은도금 층은 두께 0.001~100㎛인 것을 특징으로 하는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품에 관한 것이다.
Further, the gist of the present invention relates to an electric and electronic device part provided with a plating layer having an excellent black marking property, wherein the silver plating layer has a thickness of 0.001 to 100 탆.

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 상기 은합금 도금층은 두께 0.001~10㎛인 것을 특징으로 하는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품에 관한 것이다.
Further, the gist of the present invention relates to an electric and electronic device part having a plating layer having excellent black marking property, characterized in that the above-mentioned silver-plated gold-plated layer has a thickness of 0.001 to 10 μm.

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 상기 전기, 전자 기기부품이 발광소자 탑재용 지지체인 것을 특징으로 하는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품에 관한 것이다.
Further, the gist of the present invention relates to an electric and electronic device part provided with a plating layer having an excellent black marking property, characterized in that the above electric and electronic component parts are supports for mounting light emitting elements.

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 상기 전기 및 전자기기 부품의 표면에 도금층을 형성하는 방법에 있어서, 상기 전기, 전자기기 부품의 표면에 니켈 또는 동으로 이루어진 하지 도금층을 형성하는 단계; 상기 하지 도금층 위에 은도금 층을 도금하는 단계, 상기 은도금층 상에 3원계 이상으로 이루어진 은합금 도금층을 전해도금하는 단계;로 이루어진 전기, 전자기기 부품에 내흑변성이 우수한 도금층을 형성하는 방법에 관한 것이다.
The present invention also provides a method of forming a plating layer on a surface of an electrical and electronic device component, the method comprising: forming a base plating layer made of nickel or copper on the surface of the electrical and electronic component; Plating a silver plating layer on the underlying plating layer, and electrolytically plating a silver-plated silver plating layer having a ternary or higher system on the silver plating layer to form a plating layer having excellent black marking .

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 상기 하지도금 층을 형성하기 전에 전기, 전자기기 부품을 세정하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기, 전자기기 부품에 내흑변성이 우수한 도금층을 형성하는 방법에 관한 것이다.
It is a further feature of the present invention to further include a step of cleaning the electric and electronic parts before forming the underlying plating layer. ≪ / RTI >

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 상기 은도금 층 및 은합금 도금층은 전해도금법을 이용하는 것을 특징으로 하는 전기, 전자기기 부품에 내흑변성이 우수한 도금층을 형성하는 방법에 관한 것이다.
The gist of the present invention also relates to a method for forming a plating layer having excellent black marking on an electric and electronic device part characterized in that the silver plating layer and the silver-plated gold plating layer are formed by electrolytic plating.

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 상기 하지도금층은 니켈 또는 동 도금용액을 이용하여 도금을 하는 것을 특징으로 하는 전기, 전자기기 부품에 내흑변성이 우수한 도금층을 형성하는 방법에 관한 것이다.
Further, the gist of the present invention relates to a method of forming a plating layer having excellent black coloration on an electric and electronic device part, characterized in that the underlying plating layer is plated with nickel or a copper plating solution.

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 상기 은 도금층은 시안화은과 시안화칼륨으로 이루어진 은도금 용액에서 도금되는 것을 특징으로 하는 전기, 전자기기 부품에 내흑변성이 우수한 도금층을 형성하는 방법에 관한 것이다.
Further, the gist of the present invention is that the silver plating layer is plated in a silver plating solution composed of silver cyanide and potassium cyanide.

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 상기 은합금 도금층은 은과 주석, 인듐, 아연, 망간, 니켈, 구리, 코발트, 카드늄, 팔라듐, 팔라듐, 안티몬, 금 및 백금 중 2 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기, 전자기기 부품에 내흑변성이 우수한 도금층을 형성하는 방법에 관한 것이다.
The gist of the present invention is that the silver alloy plating layer is one containing at least two metals selected from silver and tin, indium, zinc, manganese, nickel, copper, cobalt, cadmium, palladium, palladium, antimony, gold and platinum The present invention relates to a method for forming a plating layer having an excellent black marking property on an electric and electronic device component.

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 전기, 전자기기 표면에 형성된 전기 접점에 있어서, 전기, 전자기기 부품의 표면에 니켈 또는 동으로 이루어진 하지 도금층; 상기 하지 도금층 위에 은도금 층이 형성되고, 은 도금층 위에 3원계 이상으로 이루어진 은합금 도금층;으로 도금된 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 접점에 관한 것이다.
Further, the gist of the present invention is to provide an electrical contact formed on the surface of an electric or electronic device, comprising: a ground plating layer made of nickel or copper on the surface of an electric or electronic component; An electroplating layer formed on the base plating layer, and a silver plating layer formed of a ternary system or the like on the silver plating layer.

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 상기 접점이 스위치 접점이나 전기, 전자기기 부품의 접점인 것을 특징으로 하는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 접점에 관한 것이다.
Further, the gist of the present invention relates to an electrical and electronic device contact point provided with a plating layer having an excellent black marking property, characterized in that the contact point is a contact point of a switch contact or an electric or electronic device part.

또한, 본 발명의 요지로 하는 것은, 위의 내흑변성이 우수한 도금층을 형성하는 방법으로 제조된 전기, 전자기기 부품을 포함하는 발광장치에 관한 것이다.
The gist of the present invention also relates to a light emitting device including an electrical and electronic device part manufactured by a method of forming a plating layer excellent in the above-mentioned black marking.

본 발명에 의하면, 발광소자의 온도상승이나 시간 경과에 의한 발광다이오드 패키지 지지체의 은(Ag) 도금층이 변색되거나, 특히 황이 포함된 분위기에서 황과 반응하여 변색되는 것을 방지하여 광반사에 대한 신뢰성을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다. 뿐만 아니라, 발광소자를 실장한 발광장치의, 골드 와이어(Au wire)와의 본딩성과 내열성이 우수하게 되고, 초기 광 반사율이 향상된 도금구조를 갖는 반사면을 구비하는 발광소자 탑재용 지지체가 제공된다.
According to the present invention, it is possible to prevent the silver (Ag) plating layer of the light emitting diode package support from rising due to temperature rise or lapse of time and preventing color change due to reaction with sulfur in an atmosphere containing sulfur, It is possible to obtain an effect of improving the reliability. There is also provided a support for mounting a light emitting device having a reflecting surface having a plating structure with improved bonding and heat resistance to a gold wire and an initial light reflectance of the light emitting device mounted with the light emitting device.

본 발명에 의하면, 높은 온도나 황이 포함된 분위기에서 황과의 반응을 방지하여 표면이 검게 변색되기 않고, 은 본래의 광택을 가지며, 표면에서의 전기저항 뿐만 아니라 접촉 저항이 작은 전기 접점재나 전기부품용 반사재, 그 외의 전자기기 부품용 코팅재로 제공된다.
According to the present invention, it is possible to prevent the reaction with sulfur in an atmosphere containing a high temperature or sulfur, thereby preventing the surface from becoming discolored, having an inherent luster of silver, having not only an electric resistance on the surface but also a small contact resistance, And a coating material for other electronic parts.

도 1은 본 발명의 도금 구조를 얻기 위한 은합금 전해도금 구조체의 형태의 일례를 도시하는 단면 설명도이다.
도 2(a), (b)는 본 발명의 도금 구조를 갖는 리드 프레임 형태의 일례를 도시하는 단면 모식도이다.
도 3(a), (b), (c)는 본 발명의 도금 구조를 형성하는 각 단계의 기판 형태들을 도시하는 단면 모식도이다.
1 is a cross-sectional explanatory view showing an example of the shape of a silver alloy electroplating structure for obtaining a plating structure of the present invention.
2 (a) and 2 (b) are cross-sectional schematic diagrams showing an example of a lead frame type having a plating structure of the present invention.
Figs. 3 (a), 3 (b) and 3 (c) are cross-sectional schematic diagrams showing substrate types of each step of forming the plating structure of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 은합금 전해도금 층을 갖는 전기, 전자부품과 그의 제조방법에 대하여 상세하게 설명하도록 한다. 본 발명의 전기, 전자부품에 은합금이 전해도금되는 다층의 도금 층 구조는 도 1에서 도시하는 바와 같이, 도금용 지지체(102)인 리드 프레임(Lead Frame) 표면에 우선, 탈지 등을 실시하여 표면에 부착되어 있는 유분을 제거하여 그 표면을 깨끗이 세정한 다음, 동 또는 니켈 하지 도금 층(103)을 0.001~10㎛ 형성하고, 은도금 층(104)을 0.001~100㎛ 형성하고, 은도금 층(104)의 표면 위에 두께 0.001∼10㎛의 은합금 도금층(105)을 전해도금하여 이루어지는 다층의 도금층을 갖는 구조이다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an electric and electronic component having a silver alloy electroplated layer according to an embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As shown in FIG. 1, the multilayered plating layer structure in which silver alloy is electroplated on the electric and electronic parts of the present invention is first subjected to degreasing or the like on the surface of the lead frame which is the plating supporting member 102 The surface of the copper or nickel base plating layer 103 is formed to a thickness of 0.001 to 10 μm and the silver plating layer 104 is formed to a thickness of 0.001 to 100 μm to form a silver plating layer 104 having a thickness of 0.001 to 10 mu m is electroplated with a gold plating layer 105 having a thickness of 0.001 to 10 mu m.

도금용 지지체(102)는, 전해도금이 가능한 전도체이고 금속판으로 이루어지는 것이 좋다. 예를 들면 동계 금속, 철계 금속, 알루미늄계 금속, 스테인리스 계열의 금속이 예시되지만 이러한 금속들에 한정되지 않는다. 한편, 통상적으로 동계 금속판을 이용하는 경우에는 도금용 지지체(102)에 은(Ag)도금을 실시하기 전에 하지(下地) 도금으로서 동 또는 니켈도금이 실시된다. 또한, 도금용 지지체(102)가 세라믹이나 수지를 베이스로 하는 경우에는 그 표면에 무전해 도금, 증착, 금속 층의 확산 형성에 의한 메탈라이징 가공으로 도전성의 피막을 형성할 수도 있다. 도금용 지지체(102)의 형상은 도 1에 도시하는 것에 한정하지 않고, 막대형상의 것이라도 좋다. 본 발명의 도금구조는 도금용 지지체가 금속선이나 와이어와 같이 길이가 긴 부재로 이루어질 수 있으며, 그 둘레 표면에 동 또는 니켈을 하지 도금한 하지도금 층, 은도금 층, 전해도금으로 은합금 전해도금 층이 순서대로 형성된 다층의 은도금 층을 가지는 것이다.
The support 102 for plating is preferably a conductor which can be electrolytically plated and is made of a metal plate. For example, a copper-based metal, an iron-based metal, an aluminum-based metal, and a stainless steel-based metal, but is not limited to these metals. On the other hand, in the case of using a copper-based metal plate, copper or nickel plating is performed as a base plating before the silver plating is performed on the plating support 102. In the case where the plating support 102 is made of ceramic or resin, it is also possible to form a conductive coating on its surface by electroless plating, vapor deposition, or metalizing by diffusion formation of the metal layer. The shape of the plating support 102 is not limited to that shown in Fig. 1, but may be rod-shaped. The plating structure of the present invention can be formed by a plating member such as a metal wire or a long member such as a wire, and a plating layer, a silver plating layer or a silver plating layer on which copper or nickel is plated, Layered silver-plated layer formed in this order.

본 발명에 의한 은합금 전해도금 층(105)의 두께는 0.001∼10.0㎛인 것이 바람직하다. 0.001∼10.0㎛의 두께를 갖는 은합금 도금 층(105)은 Au 와이어와의 본딩 특성과 초기 광 반사율도 우수하며, 시간이 경과하거나 열에 의해 은합금 도금 층(105)이 열에 의해 변색되거나 황이 포함된 분위기에서 황과 반응하여 황화가 촉진되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 양호한 광 반사성이나 표면 전기전도성을 갖는 동시에 은 특유의 광택을 가지며, 초기 광 반사율도 은과 같이 매우 우수한 수준으로, 골드와이어(Au wire)와의 본딩성(bonding)도 양호하게 된다. 은합금 도금층(105)의 두께가 0.001㎛ 이하이면 황이 함유된 분위기에서 내흑변성이 불충분하고 와이어 본딩성이 나쁘게 된다. 은합금 도금 층(105)의 두께 10.0㎛ 이상이면, 은 특유의 표면 특성인 광 반사성이나 표면 전기전도성이 저하되어 그 기능이 악화되기 시작하는 동시에 도금비용의 증가로 경제적으로도 손실이 되는 문제가 발생할 수 있다.
The thickness of the silver alloy electroplated layer 105 according to the present invention is preferably 0.001 to 10.0 mu m. The silver alloy plating layer 105 having a thickness of 0.001 to 10.0 mu m is excellent in bonding characteristics with the Au wire and in initial light reflectance, and the silver alloy plating layer 105 is discolored by heat, It is possible to inhibit the sulfurization reaction by reacting with sulfur in the atmosphere. In addition, it has good light reflectivity and surface electric conductivity, and has unique peculiar luster. Its initial light reflectance is also very good as in silver, and bonding with gold wire is good. If the thickness of the silver alloy plating layer 105 is 0.001 μm or less, the black marking is insufficient and the wire bonding property is poor in the atmosphere containing sulfur. If the thickness of the silver alloy plating layer 105 is 10.0 占 퐉 or more, there is a problem that the light reflectivity and surface electrical conductivity, which are peculiar surface characteristics of silver, deteriorate and the function starts to deteriorate, Lt; / RTI >

이러한 전해도금방법으로 형성된 은합금 도금층은 Ag-Sn-Zn의 3원계 은합금 도금층으로, 본 발명에서는 그 은합금 도금층의 은(Ag)이 85~97 wt%, 주석(Sn)이 1~10 wt%. 아연(Zn) 1~10 wt%인 것이 바람직하다. 은합금 도금층의 성분들 중 은(Ag)이 85 wt% 이하로 되면 은 본연의 특성인 전기전도성과 광 반사도가 떨어지는 문제가 발생되며, 97 wt% 이상이 되면 광 반사도는 높아지게 되나 황변색이 발생되기 쉽게 된다. 주석 및 아연의 경우 각각 1 wt% 이하가 되면 황변색이 되기 쉽게 되고, 10 wt% 이상이 되면 전기전도성이 떨어지는 동시에 골드와이어(Au wire)와의 본딩성과 광 반사도가 나쁘게 된다. 이외에도 구리(Cu), 니켈(Ni) 중 하나의 금속을 1~5 wt% 첨가한 4원계 은합금 도금층을 형성하는 것도 바람직하다.
The silver alloy plating layer formed by the electrolytic plating method is a ternary silver alloy plating layer of Ag-Sn-Zn. In the present invention, the silver alloy plating layer has a silver (Ag) content of 85 to 97 wt%, a tin (Sn) wt%. And 1 to 10 wt% of zinc (Zn) is preferable. When Ag (Ag) is less than 85 wt%, the electrical conductivity and optical reflectivity, which are characteristics of silver, are lowered. When the Ag content is more than 97 wt%, the light reflectance is increased, . In case of tin and zinc, when it is less than 1 wt%, sulfur tends to be discolored. When it is more than 10 wt%, the electrical conductivity is decreased and bonding with gold wire and light reflectivity become worse. In addition, it is also preferable to form a quaternary alloying gold plating layer in which 1 to 5 wt% of one of copper (Cu) and nickel (Ni) is added.

위와 같은 은합금 도금층을 형성하기 위하여 시안화은, 주석산나트륨, 시안화 동, 염화니켈, 황산아연, 시안화칼륨, 수산화나트륨, 광택제 및 레벨러 등의 3원계 및 4원계 은합금 전해도금의 용액구성에서 시안화은 첨가량은 전체 용액 첨가량을 100중량부로 하였을 때, 10~30 중량부 첨가한다. 시안화은(AgCN)이 하한치인 10 중량부 미만으로 유지하게 되면 피막이 버닝현상이 발생하여 색상의 광택이 없게 되고, 시안화은(AgCN) 첨가량이 상한치인 30 중량부를 초과하게 되면, 은(Ag)에 비하여 용액으로부터 합금되는 금속들의 전해 석출량이 감소하여 황변색이 쉽게 될 수 있다.
In order to form such a silver alloy gold plating layer, in the solution composition of ternary system and quaternary silver alloy gold electrolytic plating such as silver cyanide, sodium tartrate, cyanide copper, nickel chloride, zinc sulfate, potassium cyanide, sodium hydroxide, When the added amount of the whole solution is 100 parts by weight, 10 to 30 parts by weight are added. When silver cyanide (AgCN) is kept below the lower limit of 10 parts by weight, the coating film is burned and the color becomes lustrous. When the amount of silver (AgCN) added exceeds the upper limit of 30 parts by weight, The amount of electrolytic deposition of the metals to be alloyed with each other is reduced, so that the discoloration of sulfur can be facilitated.

위의 은합금 도금 층(105)의 은과 합금을 구성하는 3원계 및 4원계 금속으로서는, 주석, 니켈, 코발트, 인듐, 망간, 동, 아연, 카드늄, 팔라듐, 안티몬, 금 및 백금 등을 들 수 있으며 은과 이들 원소 중 2 이상의 원소로 구성된 합금으로 은합금도금 층을 형성할 수 있다. 그 중에서도, 주석, 인듐, 아연, 구리, 니켈, 금 및 백금은 황이 함유된 환경에서 내황화성이 우수하여 특히 바람직하다.
Examples of ternary and quaternary metal constituting the silver-plated alloy of the above-described silver alloy plating layer 105 include tin, nickel, cobalt, indium, manganese, copper, zinc, cadmium, palladium, antimony, gold, And a silver-plated gold-plated layer can be formed of silver and an alloy composed of two or more of these elements. Among them, tin, indium, zinc, copper, nickel, gold and platinum are particularly preferable because of their excellent sulfidation resistance in an environment containing sulfur.

본 발명의 도금구조는 동 또는 니켈 하지도금을 형성한 다음 하지도금층 위에 은도금 층을 구성하고 내황화 및 내열특성이 우수한 은합금 층을 전기도금으로 형성하는 구조로 은도금 층 위에 은을 함유하지 않는 다른 금속으로, 보호 도금층을 형성하고 가열에 의한 은도금 층과의 기계적 확산에 의해 은도금 층의 계면에서 다른 금속과 혼합하는 층을 이루는 형태와는 다른 것이며, 주석과 은을 전기도금으로 합금을 하여 표면의 변색을 억제하는 형태와는 주석을 주성분으로 하여 은 본연 광택과 골드와이어(Au wire) 본딩성이 떨어짐은 물론 표면 전기저항이 증가하는 점에서 다르다.
The plating structure of the present invention is a structure in which copper or nickel base plating is formed and then a silver plating layer is formed on the base plating layer and a silver alloy layer having excellent sulphiding resistance and heat resistance is formed by electroplating. And is formed by forming a protective plating layer with a metal and forming a layer to be mixed with another metal at the interface of the silver plating layer by mechanical diffusion with the silver plating layer by heating. The tin and silver are alloyed by electroplating, The mode of suppressing discoloration differs from that of tin as the main component in that the inherent brightness of silver and the gold wire (Au wire) are poor and the electrical resistance of the surface is increased.

은도금 층(104)은 도금용 지지체(102)의 표면에 일반적인 도금방법으로 은도금하여 얻을 수 있다. 무전해 도금 및 진공증착 등 그 외의 피막 형성법에 의해서 은도금 층(104)이 형성될 수 있으며, 은도금 층(104)의 두께는 0.001∼100㎛인 것이 바람직하다. 은도금하는 도금용 지지체(102)는 표면에 동 또는 니켈 등의 하지 도금(103)이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
The silver plating layer 104 can be obtained by silver plating on the surface of the plating support 102 by a general plating method. The silver plating layer 104 may be formed by other film formation methods such as electroless plating and vacuum deposition, and the thickness of the silver plating layer 104 is preferably 0.001 to 100 mu m. It is preferable that the plating support 103 for silver plating is formed on the surface thereof with a base plating 103 made of copper or nickel.

본 발명의 고신뢰성, 내흑변성을 갖는 은도금 구조체(101)는, 은합금 도금 층(105)의 두께가 0.001∼10㎛로 얇음에도 불구하고, 극히 우수한 은도금 층(104)의 색이 변하는 것을 방지하는 효과를 얻을 수 있다. 이것은 은합금 층을 전해도금으로 도금하여 은 도금층을 보호하는 층을 형성함으로써, 이와 같이 도금된 은합금 조직이 황화 작용을 억제하기 때문이라고 생각된다. 이러한 은도금 층(104)과 은합금 도금 층(105)은 각각 전해도금에 의해 형성할 수 있다.
The silver plating structure 101 having high reliability and black deformation of the present invention prevents the color of the silver plating layer 104 from being extremely excellent despite the thickness of the silver alloy plating layer 105 being as small as 0.001 to 10 占 퐉 The effect can be obtained. It is considered that this is because the silver alloy layer is plated with electrolytic plating to form a layer for protecting the silver plating layer. The silver-plated layer 104 and the silver-plated gold-plated layer 105 can be formed by electrolytic plating.

본 발명의 도금구조를 구비한 발광다이오드(LED) 탑재용 지지체의 형태의 일례를 도 2에 도시한다. 도면 번호 201은 은 및 은합금 전해도금 완료된 LED용 리드 프레임이고 202는 발광소재를 탑재한 Au 와이어 본딩 후이고 203은 패키징 완료된 발광장치에 대한 도면이다. 발광소자 탑재용 지지체(200)는, 발광소자(204)를 탑재하는 부분 또는 오목부(206)를 갖는 리드 프레임(Lead Frame)이라고 하는 기판이다. 리드 프레임 형태의 기판은 랜드(208)와 리드(209)로 이루어지고, 랜드(208)에 발광소자를 보다 용이하게 탑재할 수 있도록 오목부(206)가 형성될 수 있다. 발광소자(204)는 오목부(206)의 바닥면에 상부에 위치하여 발광소자(204)의 한쪽의 단자가 랜드(208)와 본딩와이어(205)를 통하여 전기가 통전하게 되고, 다른 쪽의 단자가 와이어(214)를 통하여 리드(209)와 통전하게 된다. 오목부(206)의 바닥면과 측면에는 반사면이 형성되어 있으며, 본 발명에 있어서는 반사면에 동 또는 니켈로 하지 도금을 실시한 후, 은도금을 하고 그 은도금 층의 상부 표면에 전해도금에 의해 은과 주석, 인듐, 망간, 동, 니켈, 코발트, 아연, 카드늄, 팔라듐, 안티몬, 금 및 백금 중 2개 이상의 금속과 3원계 이상의 합금으로 이루어진 은합금 전해도금 층을 형성하여 얻을 수 있다.
Fig. 2 shows an example of the shape of a support for mounting a light emitting diode (LED) having a plating structure of the present invention. Reference numeral 201 denotes a lead frame for silver and silver alloy electroplating completed with LED, reference numeral 202 denotes Au wire bonding after mounting a light emitting material, and reference numeral 203 denotes a packaged light emitting device. The support 200 for mounting a light emitting element is a substrate called a lead frame having a recess 206 or a portion on which the light emitting element 204 is mounted. The substrate in the form of a lead frame is composed of the land 208 and the lid 209 and the recess 206 can be formed so that the light emitting element can be mounted on the land 208 more easily. The light emitting element 204 is located on the bottom surface of the concave portion 206 so that one terminal of the light emitting element 204 is energized via the land 208 and the bonding wire 205, The terminal is energized with the lead 209 through the wire 214. In the present invention, the reflective surface is plated with copper or nickel, and then the upper surface of the silver plating layer is subjected to electroplating to form silver And a silver alloy electrolytic plating layer composed of at least two metals out of tin, indium, manganese, copper, nickel, cobalt, zinc, cadmium, palladium, antimony, gold and platinum and an alloy of ternary system or more.

도 2는 발광소자(204)가 실장된 발광장치에 대하여 도시한 것이다. 발광소자(204)의 실장 공정에서는 케이스의 몰드, 칩과의 와이어 본딩, 수지의 큐어(curing)를 위한 가열로 황화 방지 피막이 벗겨지거나 비산할 수 있다. 이에 은 도금 층의 변색방지 효과가 감소함에 따라 반사면에 도금된 금속이 고열에서 반응하거나 황이 함유된 환경에서 황과 반응하게 되고, 변색이 더욱 진행되는 것에 의해 반사율이 저하되는 것이 문제가 되고 있다. 발광소자(204)가 발광하면 발열이 수반하고, 종래의 은도금 층으로 이루어지는 반사면에 있어서는 이러한 발열에 의한 변색 방지 효과의 감소로 변색이 더욱 진행하게 된다.
2 shows the light emitting device in which the light emitting element 204 is mounted. In the mounting step of the light emitting element 204, the heating furnace antireflection film may be peeled off or scattered in order to mold the case, wire bonding with the chip, and curing the resin. As the effect of preventing the discoloration of the silver plating layer is reduced, there is a problem that the metal plated on the reflecting surface reacts with high temperature or reacts with sulfur in an environment containing sulfur, and the reflectance is lowered due to further progress of discoloration . When the light emitting element 204 emits light, heat generation is accompanied. On the reflective surface made of the conventional silver plating layer, the discoloration further proceeds due to the reduction of the discoloration preventing effect due to such heat generation.

이에 반하여, 본 발명의 발광소자 탑재용 지지체(200)의 반사면은 시간의 경과나 반사면의 온도상승 등에 의한 변색이 거의 발생하지 않아, 장기간에 걸쳐 높은 반사율을 유지할 수 있다. 즉, 발광소자(LED)용 고신뢰성 광 반사 은도금 층을 얻을 수 있다.
On the contrary, the reflective surface of the support 200 for mounting a light emitting element of the present invention hardly causes discoloration due to passage of time or temperature rise of the reflective surface, and can maintain a high reflectance for a long period of time. That is, a highly reliable light reflective silver plated layer for a light emitting device (LED) can be obtained.

한편, 도 2의 (b)는 기판의 리드(209) 부분이 와이어를 통하여 연결 되지 않고 flip chip(214)형태로 연결되는 구조를 나타낸다. 215는 측면의 반사면 및 패키지의 틀을 유지하는 수지이고, 216은 형광체 및 렌즈를 구성하는 수지를 나타내는 것이다.
2 (b) shows a structure in which the lead 209 of the substrate is connected in the form of a flip chip 214 without being connected through wires. Reference numeral 215 denotes a resin for retaining the reflective surface of the side surface and the frame of the package, and reference numeral 216 denotes a resin constituting the phosphor and the lens.

도 3은 본 발명을 응용한 PCB형 발광다이오드(LED) 패키징 구조의 일례를 도시한 것이다. 발광소자(LED)가 본 발명에 의한 은도금과 은합금 도금이 실시된 반사면(314)상에 배치되게 구성된다. 본 발명에 의한 반사면(314)이 은 고유의 광 반사성을 갖고, 또한 시간의 경과에 의한 열이나 황화에 기인하는 변색이 거의 발생하지 않기 때문에, 발광소자(LED)는 출사광량이 크고 또한 시간 경과에 의한 출사광량의 감소가 거의 없기 때문에 고신뢰성을 갖는다.
FIG. 3 illustrates an example of a PCB type light emitting diode (LED) packaging structure to which the present invention is applied. And the light emitting device (LED) is arranged on the reflection surface 314 on which the silver plating and the gold plating according to the present invention are performed. Since the reflective surface 314 according to the present invention has a light reflectivity inherent to silver and hardly causes discoloration due to heat or sulphation over time, the light emitting element (LED) Since there is almost no decrease in the amount of emitted light due to the passage of time, there is high reliability.

도 3의 (a), (b)와 (C)의 301, 311과 321은 발광다이오드(LED)용 PCB에 관한 것이고 302와 312와 발광다이오드를 탑재 및 와이어본딩 후의 배치도이며 322는 flip형 LED의 탑재 후의 배치도이다. 303, 313과 323은 패키징을 완료한 후의 배치도면인 것이다.
The reference numerals 301, 311 and 321 in FIGS. 3A, 3B and 3C relate to a PCB for a light emitting diode (LED), layouts 302 and 312, and mounting and wire bonding of light emitting diodes, Fig. 303, 313 and 323 are layout drawings after the packaging is completed.

본 발명의 도금 구조는 PCB제품의 금도금 등의 후처리를 대신할 수 있으며, 스위치 및 부스바와 같은 접점뿐만 아니라 단자에도 적용할 수 있다. 본 발명의 도금 구조를 갖는 스위치 접점이나 단자는 은 특유의 광택과 양호한 표면 전기전도성을 갖고, 장기간의 사용에 의해서도 열해 의하거나 황을 함유된 환경에서 황과의 반응을 방지하기 때문에 이들 표면 특성의 변화가 적다.
The plating structure of the present invention can be substituted for post treatment such as gold plating of PCB products, and can be applied to terminals as well as contacts such as switches and bus bars. Since the switch contacts and terminals having the plating structure of the present invention have a specific luster and good surface electrical conductivity and prevent the reaction with sulfur in an environment containing heat or containing sulfur even by prolonged use, Little change.

본 발명의 효과는 이하에 도시하는 실시예 1 내지 3에 의해 확인되는 것이다.The effects of the present invention are confirmed by Examples 1 to 3 shown below.

동합금 리드 프레임은 도 1의 도금용 지지체(102)와 동일한 것으로 도금시료 자재로 이용하였다. 이 도금시료의 일면에 0.5㎛의 동 또는 니켈의 하지도금을 실시한 후, 두께 0.5㎛의 은도금을 실시하여 기본시료로 하고, 이 기본시료에 이하의 각 실험 수준에 따라서 은과 주석, 인듐, 망간, 동, 니켈, 코발트, 아연, 카드늄, 팔라듐, 안티몬, 금 및 백금 중 2개 이상의 금속과 3원계 이상의 합금으로 이루어진 은합금 전해도금 층을 형성하기 위하여 전해도금을 실시하였다.
The copper alloy lead frame was the same as the plating support 102 of FIG. 1 and was used as a plating sample material. 0.5 μm of copper or nickel was plated on one surface of this plated sample, and silver plating with a thickness of 0.5 μm was applied to it as a basic sample. According to the following experimental levels, silver and tin, indium, manganese Electroplating was performed to form a silver alloy electroplating layer composed of at least two metals out of copper, nickel, cobalt, zinc, cadmium, palladium, antimony, gold and platinum and an alloy of ternary or higher system.

황변색 시험은 침적방식보다 황화를 가속 시험할 수 있는 가스발생 방식으로 하였으며, 물 50ml에 K2S 0.7g을 용해한 용액을 밀폐용기에 넣고, 시험시료를 용액에 직접 접촉이 되지 않도록 용기에 넣는다. 그리고 항온을 유지할 수 있는 오븐에 밀폐용기를 넣고 온도를 50도로 세팅 후 시간의 경과에 따라서 시료온도의 상승과 습도 및 황화에 의한 색상을 육안으로 다음과 같이 판별하도록 한다.
The yellow discoloration test is a gas generation method capable of accelerating the sulfuration rather than the immersion method. A solution of 0.7 g of K 2 S dissolved in 50 ml of water is placed in a sealed container, and the test sample is placed in a container . Then, the sealed container is placed in an oven capable of maintaining a constant temperature, and the temperature is set to 50 ° C. The rise of the sample temperature and the color due to humidity and sulphide are visually determined according to the elapsed time as follows.

판정 기준은,In addition,

○…표면에 황화가 거의 인정되지 않고 은 표면의 광택과 색조가 거의 유지○ ... Almost no sulphide is recognized on the surface, and the gloss and hue of the silver surface are almost maintained

△…표면에 황화가 약간 인정되지만, 은 표면의 광택과 색조를 어느 정도 유지△ ... Sulfur is slightly recognized on the surface, but the silver surface and gloss are maintained to some extent

X …표면에 황화가 진행되어 은 표면의 광택과 색조가 없음
X ... Sulfurization proceeds on the surface, and the silver surface does not have gloss and hue

초기 광 반사율은 본 발명의 3원계 및 4원계 은합금 전해도금된 LED 실장용 리드 프레임의 사출 및 패키징 완료 후 각각 350mA, 700mA의 전류를 통전하여, LED 발광 시 그 발현하는 빛에 의한 초기 광 반사율을 기존의 은도금된 LED 패키지 시료를 비교예로 하여 각각 측정하였다.
The initial light reflectance was determined by conducting currents of 350 mA and 700 mA respectively after completion of injection and packaging of the lead frame for ternary system and quaternary silver alloy electroplating of the present invention and the initial light reflectance Were measured using a conventional silver-plated LED package sample as a comparative example.

이러한 본 발명의 발광다이오드(LED), PCB 또한 전기 및 전자기기 부품용 다원계 은합금 전해도금 층 제조에 의해 얻어진 각종 부품의 표면은 대기 중의 황과 반응하여 변색되기 어렵고, 또한 접촉 저항이 은에 가까운 것이다. 특히, Au 와이어와의 본딩(bonding)성도 매우 우수하며, 은과 같은 광택을 구비함은 물론 시간의 경과에도 광 반사율이 유지되는 것이다. 은과 합금되는 금속에 따라서 각각의 특성에 기여하는 성질에 차이가 있으며, 그 중에서 동, 주석, 팔라듐, 니켈, 금, 인듐과 아연을 비교하면, 본 발명에 있어서 주석과 아연을 은과 합금하여 그 도금층으로 하는 경우외 이 은합금 도금층에 니켈과 구리를 포함하는 것이 다른 합금 금속보다 더욱 황화가 발생하지 않아 보다 바람직하다.
The light-emitting diode (LED), the PCB of the present invention, and the surface of various components obtained by the manufacture of a multi-element silver-clad electrodeposition plating layer for electric and electronic components are difficult to be discolored due to reaction with sulfur in the atmosphere, It is close. Particularly, bonding with the Au wire is also excellent, and the light reflectance is maintained even after the lapse of time as well as the luster like silver. When copper, tin, palladium, nickel, gold, indium and zinc are compared with each other in terms of their properties depending on the metal to be alloyed with silver, in the present invention, tin and zinc are alloyed with silver In the case of using the plating layer, it is more preferable that nickel and copper are contained in the copper alloy plating layer since no sulfuration occurs more than other alloying metals.

[실시예 1][Example 1]

도 2에 도시된 기판 형상의 리드 프레임에 니켈 하지도금 및 은도금, 3원계의 은합금 전해도금을 각각 실시하였다. 리드 프레임은 동합금을 이용하여 타발 가공에 의해 성형하였다. 성형된 리드 프레임을 탈지처리 후 세정하고, 니켈 도금용액(썰퍼민산 니켈 500g/L, 붕산 50g/L, 염화니켈 5g/L)으로 하지 니켈 도금을 실시하였다. 하지 니켈 도금의 피막두께는 0.3㎛이었다. 이어서, 은도금액(시안화은 90g/L, 시안화칼륨 100g/L)으로 도금피막 두께 0.5㎛의 은도금을 실시하였다. 은도금을 실시한 후, 3원계 은합금 전해도금액(시안화은 20g/L, 주석산나트륨 5 g/L, 황산아연 5g/L, 시안화칼륨 100g/L, 수산화나트륨 20g/L, 광택제 및 레벨러 각각 3ml/L)으로 도금 피막두께 0.2㎛의 Ag-Sn-Zn의 3원계 은합금 전해도금을 실시한 후, 세정 및 건조하여 다층 도금된 리드 프레임을 얻었다.
The substrate-shaped lead frame shown in Fig. 2 was subjected to nickel undercoating and silver plating and ternary silver-plated electroplating. The lead frame was formed by punching using a copper alloy. The molded lead frame was degreased, cleaned, and subjected to nickel plating with nickel plating solution (500 g / L of sodium hypophosphite, 50 g / L of boric acid and 5 g / L of nickel chloride). The coating thickness of the underlying nickel plating was 0.3 탆. Subsequently, silver plating with a plating film thickness of 0.5 占 퐉 was performed with a silver plating solution (90g / L of silver cyanide and 100g / L of potassium cyanide). (Silver cyanide 20 g / L, sodium tartrate 5 g / L, zinc sulfate 5 g / L, potassium cyanide 100 g / L, sodium hydroxide 20 g / L, brightener and leveler 3 ml / L ), Ag-Sn-Zn having a plating film thickness of 0.2 占 퐉, and then washed and dried to obtain a multi-layered lead frame.

[실시예 2][Example 2]

도 2에 도시된 기판 형상의 리드 프레임에 니켈 하지도금 및 은도금, 4원계 은합금 전해도금을 각각 실시하였다. 리드 프레임은 동합금을 이용하여 타발 가공에 의해 성형하였다. 성형된 리드 프레임을 탈지처리 후 세정하고, 니켈도금용액(설퍼민산 니켈 500g/L, 붕산 50g/L, 염화니켈 5g/L)으로 하지 니켈 도금을 실시하였다. 하지 니켈 도금의 피막두께는 0.3㎛이었다. 이어서, 은도금액(시안화은 90g/L, 시안화칼륨 100g/L)으로 도금피막 두께 0.5㎛의 은도금을 실시하였다. 은도금을 실시한 후, 4원계 은합금 전해도금액(시안화은 20g/L, 주석산나트륨 5g/L, 시안화동 3g/L, 황산아연 5g/L, 시안화칼륨 100g/L, 수산화나트륨 20g/L, 광택제 및 레벨러 각각 3ml/L)으로 도금 피막두께 0.2㎛의 Ag-Cu-Sn-Zn의 4원계 은합금 전해도금을 실시한 후, 세정 및 건조하여 다층 도금된 리드 프레임을 얻었다.
Nickel-plated and silver-plated, and quartz-based silver-plated electroplating were respectively performed on the lead frame of the substrate shape shown in Fig. The lead frame was formed by punching using a copper alloy. The molded lead frame was degreased, cleaned and then subjected to underlying nickel plating with a nickel plating solution (500 g / L of sulfuric anhydride nickel, 50 g / L of boric acid and 5 g / L of nickel chloride). The coating thickness of the underlying nickel plating was 0.3 탆. Subsequently, silver plating with a plating film thickness of 0.5 占 퐉 was performed with a silver plating solution (90g / L of silver cyanide and 100g / L of potassium cyanide). After the silver plating, the electrolytic copper plating solution was added to the electrolytic copper plating solution (copper cyanide 20 g / L, sodium tartarate 5 g / L, copper cyanide 3 g / L, zinc sulfate 5 g / L, potassium cyanide 100 g / L, sodium hydroxide 20 g / (3 ml / L each), and Ag-Cu-Sn-Zn plating with a plating film thickness of 0.2 占 퐉, followed by cleaning and drying to obtain a multi-layered lead frame.

[실시예 3][Example 3]

도 2에 도시된 기판 형상의 리드 프레임에 니켈 하지도금 및 은도금, 4원계 은합금 전해도금을 각각 실시하였다. 리드 프레임은 동합금을 이용하여 타발 가공에 의해 성형하였다. 성형된 리드 프레임을 탈지처리 후 세정하고, 니켈도금용액(설퍼민산 니켈 500g/L, 붕산 50g/L, 염화니켈 5g/L)으로 하지 니켈 도금을 실시하였다. 하지 니켈 도금의 피막두께는 0.3㎛이었다. 이어서, 은도금액(시안화은 90g/L, 시안화칼륨 100g/L)으로 도금피막 두께 0.5㎛의 은도금을 실시하였다. 은도금을 실시한 후, 4원계 은합금 전해도금액(시안화은 20g/L, 주석산나트륨 5g/L, 염화니켈 3g/L, 황산아연 5g/L, 시안화칼륨 100g/L, 수산화나트륨 20g/L, 광택제 및 레벨러 각각 3ml/L)으로 도금 피막두께 0.2㎛의 Ag-Ni-Sn-Zn의 4원계 은합금 전해도금을 실시한 후, 세정 및 건조하여 다층 도금된 리드 프레임을 얻었다.
Nickel-plated and silver-plated, and quartz-based silver-plated electroplating were respectively performed on the lead frame of the substrate shape shown in Fig. The lead frame was formed by punching using a copper alloy. The molded lead frame was degreased, cleaned and then subjected to underlying nickel plating with a nickel plating solution (500 g / L of sulfuric anhydride nickel, 50 g / L of boric acid and 5 g / L of nickel chloride). The coating thickness of the underlying nickel plating was 0.3 탆. Subsequently, silver plating with a plating film thickness of 0.5 占 퐉 was performed with a silver plating solution (90g / L of silver cyanide and 100g / L of potassium cyanide). L silver chloride, 20 g / L of sodium cyanide, 5 g / L of sodium tartarate, 3 g / L of nickel chloride, 5 g / L of zinc sulfate, 20 g / (3 ml / L each), and Ag-Ni-Sn-Zn having a plating film thickness of 0.2 占 퐉 was subjected to quartz-type gold electroplating and then washed and dried to obtain a multi-layered lead frame.

그리고 비교예와 함께 Au 와이어 본딩 특성, 초기 광반사율, 광속 신뢰성 및 황변색 테스트를 행하였다. 실시예 1 내지 3 에서 얻어진 리드 프레임의 시험분석 평가 결과를 표 1~4에 나타내었다.
The Au wire bonding characteristics, the initial light reflectance, the light flux reliability, and the yellow discoloration test were carried out together with the comparative example. The results of the test analysis and evaluation of the lead frames obtained in Examples 1 to 3 are shown in Tables 1 to 4.

표 1은 실험시료 도금 후에 사출 및 패키징 완료 후 전류를 통전하여 발광다이오드(LED) 발광시 초기 광 반사율 비교한 것이다.
Table 1 compares the initial light reflectance at the time of light emitting diode (LED) emission by energizing the current after completion of injection and packaging after plating the test sample.

종 류Kinds 인가전류Applied current 350mA350mA 700mA700mA 실시예 1Example 1 99.14%99.14% 99.23%99.23% 실시예 2Example 2 99.74%99.74% 100.14%100.14% 실시예 3Example 3 97.45%97.45% 97.60%97.60% 비교예Comparative Example 100%100% 100%100%

표 2는 물 50ml에 K2S 0.7g을 용해한 용액을 밀폐용기에 실험시료와 함께 오븐 내에 넣고, 온도는 50도를 유지하고 시간이 지남에 따른 변색 정도를 분석 비교한 것이다. 은합금 도금층을 형성한 실시예는 2시간 경과되어도 표면의 광택과 색조가 변화하지 않고 처음과 거의 같은 광택면을 유지하고 있으나, 비교예는 1시간이 경과되면 표면에 황화가 약간 나타나기 시작되고 2시간이 되면 황화가 진행되어 광택이 사라지고 색조가 사라지는 것을 알 수 있다.
Table 2 shows the results of analyzing the degree of discoloration over time by placing a solution of 0.7 g of K2S in 50 ml of water in an oven together with a test sample in a closed container, maintaining the temperature at 50 ° C. In the example in which the silver-plated gold layer was formed, the luster and tint of the surface did not change even after 2 hours had elapsed, and the gloss level remained almost the same as the initial one. In Comparative Example, however, As time progresses, the sulphide progresses, the gloss disappears, and the color tone disappears.

종 류Kinds 경과시간Elapsed time 1hr1hr 2hr2 hr 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 비교예Comparative Example ××

표 3에서는, 실험시료 도금 후에 사출 및 패키징 완료 후, 시험조건을 온도 85℃, 습도 85%의 고온 고습 환경에서, 인가전류 IF=150mA를 통전 LED 발광하여 시간의 경과에 따른 광반사 신뢰성 비교한 것이다.
In Table 3, after completion of injection and packaging after the test sample plating, the test conditions were compared with the light reflection reliability over time in the high temperature and high humidity environment of 85 ° C. and 85% will be.

구 분division 시간경과에 따른 광 신뢰성Optical reliability over time 0hr0hr 250hr250hr 500hr500 hr 750hr750hr 1000hr1000hr 실시예 1Example 1 100%100% 100.0%100.0% 99.9%99.9% 97.3%97.3% 92.8%92.8% 실시예 2Example 2 100%100% 100.3%100.3% 100.4%100.4% 99.5%99.5% 96.4%96.4% 실시예 3Example 3 100%100% 100.1%100.1% 99.4%99.4% 96.7%96.7% 92.6%92.6% 비교예Comparative Example 100%100% 99.5%99.5% 98.6%98.6% 92.6%92.6% 88.4%88.4%

표 3을 볼 때, 실시예가 시간이 지남에 따라 기존의 LED 패키지 시료를 가지고 시험한 비교예에 비해 광신뢰성이 매우 우수함을 알 수 있다. 특히 실시예는 500시간이 경과한 후에도 광신뢰성이 거의 감소하지 않으나, 비교예는 급격히 나빠지기 시작하면서 1000시간이 경과하면 광신뢰성 차이가 4% 이상이나 현격하게 벌어지는 것을 인지할 수 있다.
As can be seen from Table 3, the optical reliability is much better than the comparative example in which the embodiment was tested with the conventional LED package samples over time. In particular, the optical reliability of the embodiment is not substantially reduced even after 500 hours have elapsed. However, it can be seen that the comparative example begins to deteriorate sharply and the optical reliability difference is more than 4% when 1000 hours elapse.

표 4에서는, 시간경과에 따른 가장 우수한 광 신뢰성 특성을 보이고 있는 실시예 2의 Ag-Cu_Zn-Sn의 4원계 합금을 전해도금 후에 사출 및 패키징 완료 후, 미국 에너지스타의 LED조명 인증시험인 LM80을 실시한 결과를 나타낸 것이다. 시험조건을 온도 55, 85, 105℃에서 상대습도 12.3, 9.4, 4.2%의 환경에서, 인가전류 IF=450mA를 통전 LED 발광하여 6,000시간 동안 시간 경과에 따른 광속 신뢰성 비교한 것이다.In Table 4, after the electroplating of the quaternary alloy of Ag-Cu_Zn-Sn of Example 2, which exhibits the best optical reliability characteristics over time, after injection and packaging, the LED lighting certification test LM80 FIG. The test conditions were the luminous flux reliability over time of 6,000 hours by applying LED light emission with applied current IF = 450 mA at 55, 85, 105 ℃, 12.3, 9.4, and 4.2% RH.

표 4를 볼 때, 실시예 2에 대한 3가지 조건의 시험은 모두 시간이 지남에 따라 광속 신뢰성이 처음과 거의 차이가 없을 정도로 매우 우수함을 알 수 있다.
From Table 4, it can be seen that the test of the three conditions for Example 2 are all excellent over time, so that the light flux reliability is almost the same as the initial one.

Figure 112014052387239-pat00001
Figure 112014052387239-pat00001

본 발명은, 금속 은의 높은 광 반사 특성이나, 높은 전기전도도 및 골드 와이어(Au wire) 본딩 특성 등을 이용하여 각종 전기 및 전자기기의 표면에 다층 4원계 은합금 전해도금 층을 형성한 것에 있어서, 도금된 은 표면의 황화 및 변색방지에 적합하도록 적용될 수 있다. 특히, LED용 리드 프레임 및 반사판, PCB 후처리, 스위치, 부품 접점, 부품 단자, 진공 단열재, 연료 전지용의 도전부, IC 패키지의 리드 또는 리드선 등에 적합하게 적용할 수 있다.
The present invention provides a multilayer quartz-based silver alloy electroplating layer formed on the surface of various electric and electronic devices by using high light reflection characteristics of metal silver, high electrical conductivity and gold wire bonding characteristics, It can be applied to prevent sagging and discoloration of the plated silver surface. In particular, it can be suitably applied to LED lead frames and reflectors, PCB post-processing, switches, component contacts, component terminals, vacuum insulation, conductive parts for fuel cells, leads or lead wires of IC packages.

101 : 은도금 구조체 102 : 전기전도성 지지체
103 : 동 또는 니켈 하지 도금 층 104 : 은도금 층
105 : 은 합금도금 층
201 : 은 및 은합금 도금 완료된 LED용 리드 프레임
202 : 발광소자 탑재 및 와이어본딩 후
203 : 패키징 완료 204 : LED발광다이오드
205 : Au wire bonding 206 : 백색수지 하우징
207 : 형광체 및 실리콘 수지 301 : COB LED용 PCB
302 : 발광소자 탑재 및 와이어본딩 후
303 : 패키징 완료
304 : 은 및 은합금 도금 완료된 LED용 기판 및 회로부
311 : COM LED용 PCB 312 : 발광소자 탑재 및 와이어본딩 후
313 : 패키징 완료
314 : 은 및 은합금 도금 완료된 LED용 금속부(metal)
315 : 은 및 은합금 도금 완료된 LED용 회로부
101: silver plating structure 102: electrically conductive substrate
103: copper or nickel base plating layer 104: silver plating layer
105: Silver alloy plating layer
201: Lead frame for silver and silver-plated completed LED
202: After mounting light emitting element and after wire bonding
203: Completion of packaging 204: LED light emitting diode
205: Au wire bonding 206: White resin housing
207: Phosphor and silicone resin 301: PCB for COB LED
302: After mounting light emitting element and after wire bonding
303: Packaging completed
304: Substrate for LED and silver alloy plated LED and circuit part
311: PCB for COM LED 312: After mounting light emitting element and after wire bonding
313: Packaging completed
314: Metal for silver and silver-plated completed LED (metal)
315: Circuit parts for silver and silver alloy plated LED

Claims (19)

표면에 도금층이 형성된 전기, 전자기기 부품에 있어서,
상기 부품의 표면에 니켈 또는 동으로 이루어진 하지 도금층;
상기 하지 도금층 상부에 은(Ag) 도금층이 도금되고, 은 도금층 위에 전해도금으로 은합금 도금층이 형성되며,
상기 은합금 도금은 은(Ag) 85~97 wt%와 주석, 인듐, 아연, 망간, 니켈, 구리, 코발트, 카드늄, 팔라듐, 안티몬, 금 및 백금 중 2 이상의 금속을 3~15 wt% 포함하는 3원계 이상으로 이루어진 은합금인 것에 특징이 있는 내 흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품.
An electrical and electronic device part having a plated layer formed on its surface,
A base plating layer made of nickel or copper on the surface of the component;
A silver (Ag) plating layer is plated on the upper base plating layer, a silver plating layer is formed on the silver plating layer by electrolytic plating,
The silver alloy plating layer contains 3 to 15 wt% of at least two metals selected from the group consisting of silver (Ag) 85 to 97 wt% and tin, indium, zinc, manganese, nickel, copper, cobalt, cadmium, palladium, antimony, Wherein the plating layer is characterized by being a silver alloy having a ternary system or more.
삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 은합금 도금층은 은 85~97 wt%와 주석 1~10 wt%, 아연 1~10 wt%로 이루어진 것에 특징이 있는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품.
The method according to claim 1,
Wherein the silver alloy plating layer comprises 85 to 97 wt% of silver, 1 to 10 wt% of tin, and 1 to 10 wt% of zinc.
청구항 4에 있어서,
상기 은합금 도금층은 동 또는 니켈을 1~5 wt% 더 포함하는 것에 특징이 있는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품.
The method of claim 4,
Wherein the silver-plated gold-plated layer further comprises copper or nickel in an amount of 1 to 5 wt%.
청구항 1에 있어서,
상기 3원계 이상으로 이루어진 은합금은 Ag-Sn-Zn의 3원계와 Ag-Cu-Sn-Zn, Ag-Ni-Sn-Zn의 4원계 합금 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품.
The method according to claim 1,
Wherein the silver alloy having the ternary system or more is any one of a ternary system of Ag-Sn-Zn and a quaternary alloy of Ag-Cu-Sn-Zn and Ag-Ni-Sn-Zn. And an electric / electronic device part.
제 1항에 있어서,
상기 하지 도금층은 두께 0.001~10㎛인 것을 특징으로 하는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품.
The method according to claim 1,
Wherein the base plating layer has a thickness of 0.001 to 10 占 퐉.
제 1항에 있어서,
상기 은도금 층은 두께 0.001~100㎛인 것을 특징으로 하는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품.
The method according to claim 1,
Wherein the silver plating layer has a thickness of 0.001 to 100 占 퐉.
제 1항에 있어서,
상기 은합금 도금층은 두께 0.001~10㎛인 것을 특징으로 하는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품.
The method according to claim 1,
Wherein the silver-plated gold-plated layer has a thickness of 0.001 to 10 占 퐉.
제 1항에 있어서,
상기 전기, 전자기기 부품이 발광소자 탑재용 지지체인 것을 특징으로 하는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 부품.
The method according to claim 1,
An electrical and electronic device part having a plating layer excellent in weather resistance, characterized in that said electric and electronic component parts are supports for mounting light emitting elements.
전기전자기기 부품의 표면에 도금층을 형성하는 방법에 있어서,
상기 전기, 전자기기 부품의 표면에 니켈 또는 동으로 이루어진 하지 도금층을 형성하는 단계;
상기 하지 도금층 위에 은 도금층을 도금하는 단계,
상기 은 도금층 상에 3원계 이상으로 이루어진 은합금 도금층을 전해도금하는 단계;로 이루어지고,
상기 은합금 도금층은 은(Ag) 85~97 wt%와 주석, 인듐, 아연, 망간, 니켈, 구리, 코발트, 카드늄, 팔라듐, 안티몬, 금 및 백금 중 2이상의 금속을 3~15 wt% 포함하는 것에 특징이 있는 전기, 전자기기 부품에 내흑변성이 우수한 도금층을 형성하는 방법.
A method of forming a plating layer on a surface of an electric / electronic device component,
Forming a base plating layer made of nickel or copper on the surface of the electric and electronic parts;
Plating a silver plating layer on the underlying plating layer,
And electroplating a silver-plated gold plating layer made of a ternary system or the like on the silver plating layer,
The silver-plated gold-plated layer is a silver-plated layer containing 85 to 97 wt% of silver and 3 to 15 wt% of at least two metals selected from tin, indium, zinc, manganese, nickel, copper, cobalt, cadmium, palladium, antimony, A method of forming a plating layer excellent in the weathering resistance on an electric and electronic device part characterized by the following.
제 11항에 있어서,
상기 하지도금 층을 형성하기 전에 전기, 전자기기 부품을 세정하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기, 전자기기 부품에 내흑변성이 우수한 도금층을 형성하는 방법.
12. The method of claim 11,
The method of claim 1, further comprising the step of cleaning the electric and electronic parts before forming the underlying plating layer.
제 11항에 있어서,
상기 은도금 층 및 은합금 도금층은 전해도금법을 이용하는 것을 특징으로 하는 전기, 전자기기 부품에 내흑변성이 우수한 도금층을 형성하는 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the silver-plated layer and the silver-plated gold-plated layer are formed by an electrolytic plating method.
제 11항에 있어서,
상기 하지 도금층은 니켈 또는 동 도금용액을 이용하여 도금을 하는 것을 특징으로 하는 전기, 전자기기 부품에 내흑변성이 우수한 도금층을 형성하는 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the base plating layer is plated with nickel or a copper plating solution.
제 11항에 있어서,
상기 은 도금층은 시안화은과 시안화칼륨으로 이루어진 도금 용액에서 도금되는 것을 특징으로 하는 전기, 전자기기 부품에 내흑변성이 우수한 도금층을 형성하는 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the silver plating layer is plated in a plating solution composed of silver cyanide and potassium cyanide.
삭제delete 표면에 도금층이 형성된 전기접점에 있어서,
전기, 전자기기 부품의 표면에 니켈 또는 동으로 이루어진 하지 도금층;
상기 하지 도금층 위에 은 도금층이 형성되고,
상기 은 도금층 위에 3원계 이상으로 이루어진 은합금 도금층;으로 도금되고,
상기 은합금 도금층은 은(Ag) 85~97 wt%와 주석, 인듐, 아연, 망간, 니켈, 구리, 코발트, 카드늄, 팔라듐, 안티몬, 금 및 백금 중 2이상의 금속을 3~15 wt% 포함하는 것으로서, 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 접점.
In an electrical contact having a plated layer formed on its surface,
A base plating layer made of nickel or copper on the surfaces of electric and electronic parts;
A silver plating layer is formed on the underlying plating layer,
Wherein the silver plating layer is plated with a silver alloy plating layer composed of a ternary system or higher,
The silver-plated gold-plated layer is a silver-plated layer containing 85 to 97 wt% of silver and 3 to 15 wt% of at least two metals selected from tin, indium, zinc, manganese, nickel, copper, cobalt, cadmium, palladium, antimony, An electrical and electronic device contact point provided with a plating layer excellent in weather resistance.
청구항 17에 있어서,
상기 접점이 스위치 접점이나 전기, 전자기기 부품의 접점인 것을 특징으로 하는 내흑변성이 우수한 도금층을 구비한 전기, 전자기기 접점.
18. The method of claim 17,
Characterized in that the contact is a contact of a switch contact or an electrical or electronic device part.
청구항 11 내지 15 중 어느 한 항에 기재된 내흑변성이 우수한 도금층을 형성하는 방법으로 제조된 전기, 전자기기 부품을 포함하는 발광장치.A light emitting device comprising an electric and electronic device part manufactured by a method of forming a plating layer having an excellent black marking property according to any one of claims 11 to 15 .
KR1020140067336A 2013-08-30 2014-06-03 A coating electronic component with sulfurization, thermal-resistance and the same method. KR101521874B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130104247 2013-08-30
KR20130104247 2013-08-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150026774A KR20150026774A (en) 2015-03-11
KR101521874B1 true KR101521874B1 (en) 2015-05-27

Family

ID=52586839

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140067336A KR101521874B1 (en) 2013-08-30 2014-06-03 A coating electronic component with sulfurization, thermal-resistance and the same method.

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101521874B1 (en)
WO (1) WO2015030323A1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101636331B1 (en) * 2016-03-04 2016-07-05 박광인 Method for manufacturing decorative metal plate using cloisonne technique and decorative metal plate by the mehtod
US10483445B2 (en) * 2017-08-31 2019-11-19 Nichia Corporation Lead frame, package for light emitting device, light emitting device, and method for manufacturing light emitting device
CN115116742B (en) * 2022-08-23 2022-11-29 苏州聚生精密冲件有限公司 Capacitor manufacturing process for controlling capacitance resistance and soldering-free tin-copper conducting strip

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009079250A (en) * 2007-09-26 2009-04-16 Dowa Metaltech Kk Copper or copper alloy member having silver alloy layer formed as outermost surface layer, and manufacturing method therefor
KR20110007062A (en) * 2009-07-15 2011-01-21 교와덴센 가부시끼가이샤 Plating structure and method for manufacturing electric material

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5736770B2 (en) * 2010-12-27 2015-06-17 大日本印刷株式会社 LED substrate, method of manufacturing the same, and semiconductor device
KR101184796B1 (en) * 2010-12-29 2012-09-20 와이엠티 주식회사 board structure and method for manufacturing the same
KR101341159B1 (en) * 2011-09-16 2013-12-13 서울시립대학교 산학협력단 Method for plating light emitting diode lead frame having high reflectivity
JP5950563B2 (en) * 2011-12-14 2016-07-13 古河電気工業株式会社 Optical semiconductor device lead frame, optical semiconductor device lead frame manufacturing method, and optical semiconductor device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009079250A (en) * 2007-09-26 2009-04-16 Dowa Metaltech Kk Copper or copper alloy member having silver alloy layer formed as outermost surface layer, and manufacturing method therefor
KR20110007062A (en) * 2009-07-15 2011-01-21 교와덴센 가부시끼가이샤 Plating structure and method for manufacturing electric material

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150026774A (en) 2015-03-11
WO2015030323A1 (en) 2015-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5612355B2 (en) Plating structure and method of manufacturing electrical material
CN102804428B (en) LED lead frame or substrate, semiconductor device and LED lead frame or the manufacture method of substrate
KR101485226B1 (en) Lead frame for optical semiconductor device, manufacturing method of lead frame for optical semiconductor device, and optical semiconductor device
KR101586523B1 (en) Lead frame for optical semiconductor device, method for manufacturing same, and optical semiconductor device
US20080296604A1 (en) Light-emitting diode lead frame and manufacture method thereof
CN102257647B (en) Optical semiconductor device lead frame and manufacturing method thereof
JP5578960B2 (en) Lead frame for optical semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101521874B1 (en) A coating electronic component with sulfurization, thermal-resistance and the same method.
JP5871174B2 (en) LED lead frame or substrate, semiconductor device, and LED lead frame or substrate manufacturing method
JP2012107263A (en) Plating structure and coating method
KR101797660B1 (en) Electronic component with indium alloy electric plating layer having excellent blackening resistance and method using the same
JP6015231B2 (en) LED element mounting substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device using the LED element mounting substrate
JP5970922B2 (en) LED lead frame and optical semiconductor device using the same
JP2011228687A (en) Led lead frame or substrate, semiconductor device, and method of manufacturing led lead frame or substrate
JP6025026B2 (en) LED lead frame or substrate and manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2017092500A (en) Lead frame for led, optical semiconductor device, and method of manufacturing lead frame for led
JP6094695B2 (en) Manufacturing method of LED lead frame
JP2018022835A (en) Member for electronic component, led package, and led module
WO2013175591A1 (en) Plating structure and coating method
JP2012156409A (en) Light-emitting device for backlight
KR102146502B1 (en) Lead frame, light emitting diode package including the lead frame, and method of manufacturing the lead frame
CN109671833A (en) A kind of upside-down mounting COB and its manufacturing method
KR20150050089A (en) Lead frame for light emitting device package, manufacturing method thereof, and manufacturing method light emitting device package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180731

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200129

Year of fee payment: 5

R401 Registration of restoration