KR101518172B1 - Method and apparatus for measureing on chip jitter tolerance for cdr circuits - Google Patents

Method and apparatus for measureing on chip jitter tolerance for cdr circuits Download PDF

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KR101518172B1 KR1020140059220A KR20140059220A KR101518172B1 KR 101518172 B1 KR101518172 B1 KR 101518172B1 KR 1020140059220 A KR1020140059220 A KR 1020140059220A KR 20140059220 A KR20140059220 A KR 20140059220A KR 101518172 B1 KR101518172 B1 KR 101518172B1
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강진구
손경섭
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인하대학교 산학협력단
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Abstract

A method and an apparatus for measuring on chip jitter tolerance for evaluating the performance of CDR circuits are suggested. The method comprises the stages of: applying a jitter to a cluck in a CDR circuit; adjusting phase changing speed by preset jitter frequency by adjusting the applied setting value of the jitter and adjusting the size of a phase which changes to the maximum by preset jitter size; and resampling and recovering input data in a phase detector of the CDR circuit into a cluck which contains jitter components.

Description

CDR 성능 평가를 위한 온 칩 지터톨러런스 측정 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR MEASUREING ON CHIP JITTER TOLERANCE FOR CDR CIRCUITS}METHOD AND APPARATUS FOR MEASUREING ON CHIP JITTER TOLERANCE FOR CDR CIRCUITS BACKGROUND OF THE INVENTION [0001]

본 발명은 CDR 성능 평가를 위한 온 칩 지터톨러런스 측정 방법 및 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 칩 내에서 CDR 회로에 지터 허용 오차를 측정하는 CDR 성능 평가를 위한 온 칩 지터톨러런스 측정 방법 및 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an on-chip jitter tolerance measurement method and apparatus for CDR performance evaluation. More particularly, to a method and apparatus for on-chip jitter tolerance measurement for CDR performance evaluation that measures jitter tolerance in a CDR circuit in a chip.

통신시스템에서 데이터 전송이 고속으로 이루어지면서, 하드웨어의 복잡성, 전력소모, 가격 등의 이유로 클록을 제외한 데이터만 수신단으로 보내는 방식이 사용되고 있다. 따라서, 고속으로 수신된 데이터에서 클록 신호를 추출하는 것이 필요하며, 추출된 클록을 이용하여 데이터를 복원하는 클록 데이터 복원회로(CDR)에 관한 연구가 활발히 이루어지고 있다.In a communication system, data transmission is performed at a high speed, and only data except clocks are sent to a receiving end because of hardware complexity, power consumption, and price. Therefore, it is necessary to extract the clock signal from the data received at a high speed, and research on a clock data recovery circuit (CDR) for recovering data using the extracted clock is actively conducted.

이러한, 클록 데이터 복원회로는 이더넷 수신기(Ethernet Receivers), 디스크 드라이브 읽기 쓰기 채널(disk drive read and write channels), 디지털 모바일 수신기(digital mobile receivers)와 같이 데이터에서 정확한 타이밍 정보를 추출하기 위한 고속 인터페이스 시스템에서 널리 사용된다.Such a clock data recovery circuit may include a high speed interface system for extracting accurate timing information from the data, such as Ethernet receivers, disk drive read and write channels, and digital mobile receivers. Is widely used.

이와 같이, 널리 사용되는 일반적인 클록 데이터 복원회로에는 주로 알렉산더 위상검출기(Alexander Phase Detector, Alexander PD)가 사용되는데, 알렉산더 위상검출기의 경우 지터 특성이 떨어지고, 전력 소비량이 크며 칩 면적을 많이 차지한다는 문제점이 있다.In general, the Alexander Phase Detector (Alexander PD) is used for a general clock data restoration circuit widely used. In the case of the Alexander Phase Detector, the jitter characteristic is low, the power consumption is large, have.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 데이터를 지터 성분이 포함된 클럭으로 리샘플링 하기 때문에 복원함으로써, 외부에 테스트 장비 없이 칩 내에서 CDR 회로에 지터 허용오차를 측정할 수 있는 CDR 성능 평가를 위한 온 칩 지터톨러런스 측정 방법 및 장치를 제공하는데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide an on-chip jitter detector for CDR performance evaluation, which can measure jitter tolerance in a CDR circuit in a chip without external test equipment by resampling data with a clock including a jitter component. And to provide a method and apparatus for measuring the tolerance.

일 측면에 있어서, 본 발명에서 제안하는 CDR 성능 평가를 위한 온 칩 지터톨러런스 측정 방법은 CDR 회로에서 클럭에 지터를 인가하는 단계; 인가되는 상기 지터의 설정 값을 조절하여, 설정 지터 주파수에 따라 위상이 변화하는 속도를 조절하고, 설정 지터 크기에 따라 최대로 변화되는 위상 크기를 조절하는 단계; 및 상기 CDR 회로의 위상 검출기에서 입력 데이터를 지터 성분이 포함된 클럭으로 리샘플링 하여 복원하는 단계를 포함한다.In one aspect, an on-chip jitter tolerance measurement method for evaluating CDR performance proposed in the present invention includes: applying jitter to a clock in a CDR circuit; Adjusting a set value of the applied jitter to adjust a speed at which the phase changes according to the set jitter frequency and adjusting a maximum changed phase size according to the set jitter size; And resampling and recovering the input data from the phase detector of the CDR circuit to a clock including a jitter component.

상기 지터 주파수 범위는 지터 허용오차 특성으로 CDR 루프 대역폭을 기준으로 위 또는 아래로 설정할 수 있다.The jitter frequency range can be set up or down based on the CDR loop bandwidth with jitter tolerance characteristics.

상기 지터는 칩 내에서 상기 CDR 회로부와 연결되어 지터 주파수와 지터 크기의 설정 값을 조절할 수 있고, 멀티 펄스 발생기와 변조 전하 펌프를 포함하는 지터 변조 회로이며, 상기 멀티 펄스 발생기에서 발생한 사각 펄스는 상기 변조 전하 펌프를 스위칭 시키고, 상기 CDR 회로부의 루프 필터 커패시터에 의하여 삼각 파형을 출력할 수 있다.Wherein the jitter modulation circuit is a jitter modulation circuit which is connected to the CDR circuit section in the chip to adjust a set value of a jitter frequency and a jitter size and includes a multi pulse generator and a modulation charge pump, The modulation charge pump can be switched and the triangular waveform can be outputted by the loop filter capacitor of the CDR circuit section.

다른 측면에 있어서, 본 발명에서 제안하는 CDR 성능 평가를 위한 온 칩 지터톨러런스 측정 장치는 위상 검출기, 전하 펌프, 루프 필터, 그리고 전압 제어 발진기를 포함하는 CDR 회로부; 및 칩 내에서 상기 CDR 회로부와 연결되어 지터 주파수와 지터 크기의 설정 값을 조절할 수 있는 지터 변조 회로부를 포함한다.In another aspect, an on-chip jitter tolerance measuring apparatus for CDR performance evaluation proposed in the present invention includes a CDR circuit unit including a phase detector, a charge pump, a loop filter, and a voltage-controlled oscillator; And a jitter modulation circuit section connected to the CDR circuit section in the chip to adjust a set value of a jitter frequency and a jitter size.

상기 지터 변조 회로부는 멀티 펄스 발생기와 변조 전하 펌프를 포함하며, 상기 멀티 펄스 발생기에서 발생한 사각 펄스는 상기 변조 전하 펌프를 스위칭 시키고, 상기 CDR 회로부의 상기 루프 필터 커패시터에 의하여 삼각 파형을 출력할 수 있다.The jitter modulation circuit section includes a multi-pulse generator and a modulation charge pump. The square pulse generated by the multi-pulse generator switches the modulation charge pump and outputs a triangular waveform by the loop filter capacitor of the CDR circuit section .

본 발명의 실시예들에 따르면 데이터를 지터 성분이 포함된 클럭으로 리샘플링 하기 때문에 복원함으로써, 외부에 테스트 장비 없이 칩 내에서 CDR 회로에 지터 허용오차를 측정할 수 있는 CDR 성능 평가를 위한 온 칩 지터톨러런스 측정 방법 및 장치를 제공할 수 있다. According to the embodiments of the present invention, since the data is resampled to the clock including the jitter component, the jitter tolerance can be measured in the CDR circuit in the chip without the external test equipment. A method and apparatus for measuring a tolerance can be provided.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 CDR 성능 평가를 위한 온 칩 지터톨러런스 측정 방법의 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 CDR 성능 측정을 위한 온 칩 지터 허용 오차 측정 회로를 나타내는 회로도이다.
도 3의 (a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 제안된 지터 변조기를 나타내며, 도 3의 (b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 지터 주파수/크기 변조 과정을 나타낸 도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 비트 에러 검출기를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 측정된 클럭 아이 다이어그램의 예를 나타낸 도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 CDR 회로에 지터 허용 오차와 제안된 기술을 사용하여 측정된 결과를 나타낸 도이다.
1 is a flowchart of an on-chip jitter tolerance measurement method for CDR performance evaluation according to an embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram illustrating an on-chip jitter tolerance measuring circuit for CDR performance measurement according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3A illustrates a jitter modulator according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3B illustrates a jitter frequency / amplitude modulation process according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.
4 shows a bit error detector according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram illustrating an example of a measured clock eye diagram according to an embodiment of the present invention.
6 is a diagram illustrating jitter tolerance and results measured using the proposed technique in a CDR circuit according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

고속 데이터 전달에서 완전한 신호 복원을 보장하기 위해, 클럭/ 데이터 복원 회로는 실질적인 지터(jitter)가 포함된 입력 데이터를 허용해야만 한다. 이러한 지터는 파워 노이즈, 주파수 불일치, 디바이스 노이즈 등에서 야기된다. To ensure complete signal recovery in high-speed data transfer, the clock / data recovery circuit must allow input data that contains substantial jitter. Such jitter is caused by power noise, frequency mismatch, and device noise.

그리고, 지터 허용 오차는 CDR 회로에 표준으로 사용되고, BER(bit error ratio)가 허용치를 지키면서 그 회로가 허용할 수 있는 입력 데이터 지터로 정의된다. 비용을 줄이기 위해, 칩 내에서 CDR 회로에 지터 허용 오차를 측정하는 기술은 필수적이다.
And, the jitter tolerance is defined as the input data jitter that is used as a standard in the CDR circuit and the tolerance of the bit error ratio (BER) is acceptable. To reduce cost, techniques for measuring jitter tolerance in the CDR circuitry within a chip are essential.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 CDR 성능 평가를 위한 온 칩 지터톨러런스 측정 방법의 순서도이다.1 is a flowchart of an on-chip jitter tolerance measurement method for CDR performance evaluation according to an embodiment of the present invention.

단계(110)은, CDR 회로에서 클럭에 지터(jitter)를 인가할 수 있다. 여기서, 지터는 칩 내에서 상기 CDR 회로와 연결되어 지터 주파수와 지터 크기의 설정 값을 조절할 수 있는 지터 변조 회로일 수 있다. 또한, 지터는 멀티 펄스 발생기와 변조 전하 펌프를 포함하는 지터 변조 회로이며, 멀티 펄스 발생기에서 발생한 사각 펄스는 상기 변조 전하 펌프를 스위칭 시키고, 상기 CDR 회로부의 루프 필터 커패시터에 의하여 삼각 파형을 출력할 수 있다.Step 110 may apply a jitter to the clock in the CDR circuit. Here, the jitter may be a jitter modulation circuit connected to the CDR circuit in the chip to adjust the jitter frequency and the set value of the jitter size. The jitter is a jitter modulation circuit including a multi-pulse generator and a modulation charge pump. A square pulse generated by the multi-pulse generator switches the modulation charge pump and outputs a triangular waveform by the loop filter capacitor of the CDR circuit. have.

단계(120)은, 지터 변조 회로는 인가되는 지터의 설정 값을 조절하여, 설정 지터 주파수에 따라 위상이 변화하는 속도가 조절하고, 설정 지터 크기에 따라 최대로 변화되는 위상 크기가 조절할 수 있다. 즉, 지터 변조 회로는 지터 주파수와 크기를 설정 값을 각각 디지털 방식으로 조절할 수 있다. In step 120, the jitter modulation circuit adjusts the set value of the applied jitter, adjusts the rate at which the phase changes according to the set jitter frequency, and adjusts the phase size that changes the maximum according to the set jitter size. That is, the jitter modulation circuit can digitally adjust the jitter frequency and magnitude respectively.

이 때, 지터 주파수 범위는 지터 허용오차 특성으로 CDR 루프 대역폭을 기준으로 위 또는 아래로 설정할 수 있다. 일반적인 지터 허용 오차 테스트는, 타깃 비트 오류 비(BER)내에서 CDR은 외부적인 지터로 변조된 데이터를 추적할 수 있다. 제안된 방법에서, 데이터는 외부적인 지터로 변조되지 않기 때문에 CDR은 내부적 변조 지터를 무시한다. 이것은 외부적으로나 내부적으로 지터 변조는 동등한 매커니즘을 가지고 있으며 서로 연관성이 있다. At this time, the jitter frequency range can be set up or down based on the CDR loop bandwidth as a jitter tolerance characteristic. Typical jitter tolerance tests allow the CDR to track data modulated with external jitter within the target bit error ratio (BER). In the proposed method, the CDR ignores the internal modulation jitter because the data is not modulated by external jitter. This externally or internally, the jitter modulation has an equivalent mechanism and is interrelated.

단계(130)은, CDR 회로의 위상 검출기에서 입력 데이터를 지터 성분이 포함된 클럭으로 리샘플링 하여 복원할 수 있다. In step 130, the phase detector of the CDR circuit can resamplify the input data by resampling the clock with the jitter component.

즉, CDR 회로에서 클럭에 지터를 인가하면, 설정 지터 주파수에 따라 위상이 변화하는 속도가 달라지고 설정 지터 크기에 따라 최대로 변화되는 위상 크기가 조절될 수 있다. 위상 검출기에서 입력 데이터를 지터 성분이 포함된 클럭으로 리샘플링 하기 때문에 복원된 데이터 역시 클럭과 같은 지터 성분을 가질 수 있다.
That is, when jitter is applied to the clock in the CDR circuit, a phase size at which the phase changes according to the set jitter frequency is changed and a phase size at which the maximum varies according to the set jitter size can be adjusted. Since the phase detector resamplifies the input data to the clock including the jitter component, the recovered data can also have the same jitter component as the clock.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 CDR 성능 측정을 위한 온 칩 지터 허용 오차 측정 회로를 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram illustrating an on-chip jitter tolerance measuring circuit for CDR performance measurement according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 칩 내에서 지터 허용오차를 측정하는 CDR 회로로, 일반적인 CDR 회로부(210)와 지터 변조 회로부(220)로 구성되어 있다. Referring to FIG. 2, a CDR circuit for measuring a jitter tolerance in a chip is composed of a general CDR circuit section 210 and a jitter modulation circuit section 220.

CDR 회로부(210)는 위상 검출기(211), 전하 펌프(212), 루프 필터(213), 그리고 전압 제어 발진기(214)를 포함할 수 있다. 여기서, 전압 제어 발진기(214)는 CDR의 클럭 소스원으로, 클럭을 이용하여 데이터를 샘플링하고 복원할 수 있다. 그리고, 이러한 샘플링은 위상 검출기(211)를 통하여 이루어지고, 위상 검출기에서 나온 업-다운 신호를 이용하여 전하 펌프(212)를 구동시킬 수 있다. 또한, 칩 내에서 지터 변조를 하기 위해서, 삼각 파형 변조기에 출력을 루프 필터(213)와 연결할 수 있다. The CDR circuitry 210 may include a phase detector 211, a charge pump 212, a loop filter 213, and a voltage controlled oscillator 214. Here, the voltage-controlled oscillator 214 is a clock source of the CDR, and can sample and recover data using a clock. This sampling is performed through the phase detector 211, and the charge pump 212 can be driven using the up-down signal from the phase detector. Further, in order to perform jitter modulation in the chip, the output can be connected to the loop filter 213 to the triangular wave modulator.

CDR 회로부(210)에 대해 더 구체적으로 설명하면, 위상 검출기(211)는 Up/Down 신호를 줄임으로써 전력 소비량을 절감하며, 향상된 지터 특성을 갖는 뱅뱅(bang-bang) 위상 검출기(BBPD)를 사용할 수 있다. More specifically, the phase detector 211 reduces the power consumption by reducing the up / down signal, and uses a bang-bang phase detector (BBPD) having improved jitter characteristics. .

전하 펌프(Charge Pump, CP)(212)는 위상 주파수 검출기의 출력으로 만들어진, 시간 정보를 가지고 있는 Up/Down 신호를 루프 필터 내의 커패시터에 전위 정보로 바꾸어 주는 역할을 한다. 여기서, Up 신호가 입력으로 들어와서 위쪽 전류 경로가 형성되면 부하 커패시터에 전하가 공급되어 제어전압이 높아진다. 반대로, Down 신호가 가해지면 아래쪽 전류원으로 경로가 열리게 되어 커패시터에 충전된 전하가 빠져나가기 때문에 제어전압이 낮아진다.A charge pump (CP) 212 converts the Up / Down signal having time information, which is made by the output of the phase frequency detector, into potential information in the capacitor in the loop filter. Here, when the up signal enters the input and the upper current path is formed, charge is supplied to the load capacitor to increase the control voltage. Conversely, when the Down signal is applied, the path is opened to the lower current source, and the charge is discharged to the capacitor, so that the control voltage is lowered.

또한, 루프 필터(Loop Filter)(213)는 전하 펌프를 통해 출력된 전류를 전압으로 바꾸어 전압 제어 발진기의 제어신호로 사용할 수 있게 하며, 입력에 포함되어 있는 잡음을 저역 통과 필터링한다. A loop filter 213 converts the current output through the charge pump into a voltage to be used as a control signal of the voltage-controlled oscillator, and low-pass-filters the noise included in the input.

또한, 루프 필터는 능동 필터(active filter)나 수동 필터(passive filter)를 사용할 수 있지만, 수동 필터를 사용하는 것이 바람직하다. 능동 필터의 능동 소자의 추가적인 사용은 위상 잡음, 복잡도(complexity) 그리고 비용을 증가시키기 때문이다. 그러나, 전압 제어 발진기에서 요구되는 제어전압이 전하 펌프를 통해 생성되는 전압보다 클 때에는 능동 필터를 사용하여야 한다. 더 높은 제어 전압이 전압 제어 발진기에 사용되면 전압 제어 발진기의 튜닝 범위가 넓어지거나 위상 잡음이 감소한다. In addition, the loop filter can use an active filter or a passive filter, but it is preferable to use a passive filter. The additional use of the active elements of the active filter increases phase noise, complexity and cost. However, if the control voltage required by the voltage controlled oscillator is greater than the voltage generated by the charge pump, an active filter should be used. When a higher control voltage is used in a voltage controlled oscillator, the tuning range of the voltage controlled oscillator is widened or phase noise is reduced.

그리고, 전압 제어 발진기(214)는 링 전압 제어 발진기(ring-VCO)를 사용하여 효율성을 향상시킬 수 있다. 전압의 입력신호를 주파수 제어신호로써 입력받아 제어신호에 해당하는 일정한 주파수를 출력한다. In addition, the voltage controlled oscillator 214 can improve the efficiency by using a ring voltage controlled oscillator (ring-VCO). And receives a voltage input signal as a frequency control signal and outputs a constant frequency corresponding to the control signal.

지터 변조 회로부(220)는 칩 내에서 상기 CDR 회로부와 연결되며, 지터 주파수와 크기를 설정 값을 각각 디지털 방식으로 조절할 수 있다. 그리고, 지터 변조 회로부(220)는 멀티 펄스 발생기(221)와 변조 전하 펌프(222)를 포함하며, 멀티 펄스 발생기(221)에서 발생한 사각 펄스는 상기 변조 전하 펌프(222)를 스위칭 시키고, CDR 회로부의 루프 필터 커패시터에 의하여 삼각 파형을 출력할 수 있다.The jitter modulation circuit unit 220 is connected to the CDR circuit unit in the chip, and can digitally adjust the set values of the jitter frequency and the magnitude. The jitter modulation circuit unit 220 includes a multi pulse generator 221 and a modulation charge pump 222. The square pulse generated by the multi pulse generator 221 switches the modulation charge pump 222, The triangular waveform can be outputted by the loop filter capacitor of FIG.

이 때, 주파수 범위는 지터 허용오차 특성으로 CDR 루프 대역폭을 기준으로 위 또는 아래로 설정할 수 있다. 일반적인 지터 허용 오차 테스트는, 타깃 비트 오류 비(BER) 내에서 CDR은 외부적인 지터로 변조된 데이터를 추적할 수 있다. 제안된 방법에서, 데이터는 외부적인 지터로 변조되지 않기 때문에 CDR은 내부적 변조 지터를 무시할 수 있다. 이것은 외부적으로나 내부적으로 지터 변조는 동등한 매커니즘을 가지고 있으며 서로 연관성이 있다.At this time, the frequency range can be set up or down based on the CDR loop bandwidth as a jitter tolerance characteristic. Typical jitter tolerance tests allow the CDR to track data modulated with external jitter within the target bit error ratio (BER). In the proposed method, the CDR can ignore the internal modulation jitter because the data is not modulated by external jitter. This externally or internally, the jitter modulation has an equivalent mechanism and is interrelated.

전압 제어 발진기는 CDR의 클럭 소스원이 될 수 있다. 이러한 클럭을 이용하여 데이터를 샘플링하고 복원할 수 있다. 이러한 샘플링은 위상 검출기를 통하여 이루어지고, 검출기에서 나온 업-다운 신호를 이용하여 전하 펌프를 구동시킬 수 있다. The voltage-controlled oscillator can be the clock source of the CDR. These clocks can be used to sample and recover the data. Such sampling is accomplished through a phase detector and the charge pump can be driven using the up-down signal from the detector.

또한, 지터 측정 회로부(230)가 더 포함되어, 지터 허용 오차를 측정할 수 있다. 여기서, 지터 측정 회로부(230)는 PRBS 생성기, PRBS 검출기로 구현할 수 있다. Further, the jitter measuring circuit unit 230 is further included to measure the jitter tolerance. Here, the jitter measuring circuit unit 230 may be implemented by a PRBS generator and a PRBS detector.

그리고, 칩 내에서 지터 변조를 하기 위해서, 삼각 파형 변조기에 출력을 루프 필터와 연결할 수 있다. 여기서, 변조기는 전압 제어 발진기 컨트롤 전압 위에 삼각 파형을 겹쳐 놓을 수 있다. 그리고, 컨트롤 전압 변화에 따라 전압 제어 발진기에서 나오는 클럭에 위상이 주기적으로 변화할 수 있다. Then, in order to perform jitter modulation in the chip, the output can be connected to the loop filter with a triangular wave modulator. Here, the modulator can place a triangular waveform over the voltage-controlled oscillator control voltage. The phase can be periodically changed with respect to the clock output from the voltage-controlled oscillator according to the control voltage change.

즉, CDR 회로에서 클럭에 지터를 인가하면, 설정 지터 주파수에 따라 위상이 변화하는 속도가 달라지고 설정 지터 크기에 따라 최대로 변화되는 위상 크기가 조절될 수 있다. 그리고, 위상 검출기에서 입력 데이터를 지터 성분이 포함된 클럭으로 리샘플링 하기 때문에 복원된 데이터 역시 클럭과 같은 지터 성분을 가질 수 있다.
That is, when jitter is applied to the clock in the CDR circuit, a phase size at which the phase changes according to the set jitter frequency is changed and a phase size at which the maximum varies according to the set jitter size can be adjusted. Since the phase detector resamplifies the input data to the clock including the jitter component, the recovered data can also have the same jitter component as the clock.

도 3의 (a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 제안된 지터 변조기를 나타내며, 도 3의 (b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 지터 주파수/크기 변조 과정을 나타낸 도이다.FIG. 3A illustrates a jitter modulator according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3B illustrates a jitter frequency / amplitude modulation process according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.

도 3의 (a)를 참조하면, 지터 변조기는 멀티-펄스 발생기와 변조 전하 펌프로 구성될 수 있다. 멀티-펄스 발생기에서 발생한 사각 펄스는 변조 전하 펌프를 스위칭 시키고 CDR 루프 필터 커패시터에 의하여 삼각 파형을 출력할 수 있다. Referring to FIG. 3 (a), the jitter modulator may be composed of a multi-pulse generator and a modulation charge pump. The square pulse generated by the multi-pulse generator can switch the modulation charge pump and output a triangular waveform by the CDR loop filter capacitor.

도 3의 (b)를 참조하면, 변조되는 지터에 주파수와 크기가 어떻게 결정되고 생성되는지 나타낼 수 있다. 여기서, 컨트롤 전압에 삼각 파형을 올려 주기적인 변화가 발생될 수 있다. 즉, 컨트롤 전압에 주기적 변화가 클럭에 위상 변화로 나타나고 지터 성분을 출력할 수 있다. Referring to FIG. 3 (b), it can be shown how the frequency and magnitude are determined and generated in the modulated jitter. Here, a periodic change may occur by raising the triangular waveform to the control voltage. That is, a periodic change in the control voltage appears as a phase change in the clock and can output a jitter component.

변조 전하 펌프에 사각펄스의 입력이 인가하는 경우, 펄스 주기가 변조되는 지터 주파수로 나타날 수 있다. 따라서, 사각 펄스에 의하여 변조 전하 펌프는 스위칭 동작을 할 수 있다. If a square pulse input is applied to the modulation charge pump, the pulse period may appear as a modulated jitter frequency. Therefore, the modulation charge pump can perform the switching operation by the square pulse.

전하 펌프에 설정 바이어스 전류에 따라 한 주기 동안 루프 필터 커패시터에 쌓이는 전하량이 변화하여 삼각 파형에 피크 값을 조절할 수 있다. 이 값은 한 위상이 최대로 이동하는 양과 비례함으로 지터에 크기를 결정할 수 있다. 또한, 멀티-펄스 발생기에 지연단과 변조 전하 펌프에 제어 전류는 병렬로 연결된 스위치에 의하여 각각 디지털 방식으로 조절 가능하다.
Depending on the set bias current in the charge pump, the amount of charge accumulated in the loop filter capacitor during one cycle can be varied to adjust the peak value in the triangular waveform. This value is proportional to the amount of movement of one phase to the maximum so that jitter can be sized. In addition, the delay current to the multi-pulse generator and the control current to the modulation charge pump are each digitally adjustable by a switch connected in parallel.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 비트 에러 검출기를 나타낸다. 4 shows a bit error detector according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, CDR 회로에서 복원된 데이터와 기준 클럭으로 생성된

Figure 112014046315862-pat00001
PRBS 패턴 데이터를 비교하여 비트 에러를 생성해 낼 수 있다. 이에 따라, 이 회로는 싱크(Sync) 신호에 따라 두 가지 동작으로 나누어질 수 있다. Referring to FIG. 4, data reconstructed in the CDR circuit and data
Figure 112014046315862-pat00001
The bit error can be generated by comparing the PRBS pattern data. Accordingly, this circuit can be divided into two operations according to the sync signal.

여기서, Sync = 1 일 때, 복원된 데이터와 기준 데이터를 비교하여 싱크를 맞출 수 있게 된다. 복원된 데이터에서 ‘1111111’패턴을 검출하고 그 순간마다 PRBS 신호 발생기를 리셋 시킬 수 있다. Here, when Sync = 1, the restored data and the reference data are compared with each other and the sync can be aligned. It is possible to detect the pattern '1111111' in the restored data and reset the PRBS signal generator every moment.

또한, 복원된 데이터와 기준 데이터의 싱크를 맞춘 상태에서 Sync = 0으로 바꾸는 경우에, 두 데이터 패턴을 비교하여 비트 에러를 출력할 수 있다.
In the case where Sync = 0 is set in synchronization with the restored data and the reference data, a bit error can be outputted by comparing two data patterns.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 측정된 클럭 아이 다이어그램의 예를 나타낸 도이다. 5 is a diagram illustrating an example of a measured clock eye diagram according to an embodiment of the present invention.

도 5의 (a)는 측정된 클럭 아이 다이어그램 @ 지터 주파수=5MHz, 지터 크기=0, 0.34UI, 068UI를 나타내고, 도 5의 (b)는 측정된 데이터 아이 다이어그램 @ 지터 주파수=5MHz, 지터 크기=0, 0.34UI, 068UI를 나타낼 수 있다.5A shows the measured clock eye diagram @ jitter frequency = 5 MHz, jitter size = 0, 0.34 UI, 068 UI, FIG. 5B shows measured data eye diagram @ jitter frequency = 5 MHz, = 0, 0.34 UI, and 068 UI.

제안된 회로는

Figure 112014046315862-pat00002
PRBS 패턴을 입력으로 테스트를 하고, CDR에 루프 대역폭은 10MHz이며, H-SPICE를 이용하여 시뮬레이션을 진행할 수 있다. 기본적으로 CDR에 클럭과 데이터에 피크 투 피크 지터는 각각 18.93ps, 26.92ps이다.The proposed circuit
Figure 112014046315862-pat00002
The PRBS pattern is tested as input, and the loop bandwidth of the CDR is 10 MHz, and the simulation can be performed using H-SPICE. Basically, the peak-to-peak jitter on the clock and data in the CDR is 18.93 ps and 26.92 ps, respectively.

도 5에 도시된 바와 같이, 지터 주파수 5MHz에서 지터 크기 변조(0, 0.34UI, 0.68UI)에 따른 (a) 클럭과 (b) 데이터에 아이 다이어그램 변화를 나타낼 수 있다. 따라서, 변조되는 지터에 크기가 증가할수록 아이가 닫히는 것을 확인할 수 있다.
As shown in FIG. 5, the eye diagram change can be represented by the (a) clock and the (b) data according to the jitter amplitude modulation (0, 0.34 UI, 0.68 UI) at the jitter frequency of 5 MHz. Therefore, it can be seen that as the size of the modulated jitter increases, the eye closes.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 CDR 회로에 지터 허용 오차와 제안된 기술을 사용하여 측정된 결과를 나타낸 도이다.6 is a diagram illustrating jitter tolerance and results measured using the proposed technique in a CDR circuit according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, CDR 회로에 지터 허용 오차와 제안된 기술에 의하여 측정된 결과가 나타나 있다. 지터 주파수에 따른 CDR에 지터 허용 오차와 제안된 기술로 측정한 결과 값을 보여준다. 여기서, 제안된 CDR은 10MHz에 루프 대역폭을 가지고 그 중심으로 100KHz ~ 20MHz에 지터 주파수 설정 범위를 가지도록 설계할 수 있다. 이론적으로, 지터 허용 오차는 루프 대역폭보다 낮은 지터 주파수에서-20dB로 감소하고 주파수가 클 경우 상수 값으로 일정하게 접근한다. 이와 같이, 제안된 기술로 측정된 지터 허용 오차 값은 루프 대역폭 근처에서 이론적 값과 유사한 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 6, jitter tolerance and the results measured by the proposed technique are shown in the CDR circuit. Jitter tolerance of CDRs according to jitter frequency and the results measured by the proposed technique are shown. Here, the proposed CDR has a loop bandwidth of 10 MHz and can be designed to have a jitter frequency setting range of 100 KHz to 20 MHz as its center. Theoretically, the jitter tolerance decreases to -20dB at a jitter frequency lower than the loop bandwidth and constantly approaches a constant value when the frequency is large. Thus, it can be seen that the jitter tolerance values measured by the proposed technique are similar to the theoretical values near the loop bandwidth.

그러므로, 본 발명은 외부에 테스트 장비 없이 칩 내에서 CDR 회로에 지터 허용오차를 측정할 수 있다. 그리고, 아날로그 방식에 지터 인가 방법을 사용하지만 구현이 용이하고 설계 스펙에 따라 자유롭게 설계 가능하며 디지털 방식으로 조절 가능하다. 이에 따라, 이 기술은 다양한 아날로그/디지털 CDR 기술에 사용될 수 있다.
Therefore, the present invention can measure the jitter tolerance in the CDR circuit in the chip without the external test equipment. The analog method uses a jittering method, but is easy to implement, freely programmable according to design specifications, and digitally adjustable. Accordingly, this technique can be used for various analog / digital CDR technologies.

이상에서 설명된 장치는 하드웨어 구성요소, 소프트웨어 구성요소, 및/또는 하드웨어 구성요소 및 소프트웨어 구성요소의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 실시예들에서 설명된 장치 및 구성요소는, 예를 들어, 프로세서, 컨트롤러, ALU(arithmetic logic unit), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor), 마이크로컴퓨터, FPA(field programmable array), PLU(programmable logic unit), 마이크로프로세서, 또는 명령(instruction)을 실행하고 응답할 수 있는 다른 어떠한 장치와 같이, 하나 이상의 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터를 이용하여 구현될 수 있다. 처리 장치는 운영 체제(OS) 및 상기 운영 체제 상에서 수행되는 하나 이상의 소프트웨어 애플리케이션을 수행할 수 있다. 또한, 처리 장치는 소프트웨어의 실행에 응답하여, 데이터를 접근, 저장, 조작, 처리 및 생성할 수도 있다. 이해의 편의를 위하여, 처리 장치는 하나가 사용되는 것으로 설명된 경우도 있지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는, 처리 장치가 복수 개의 처리 요소(processing element) 및/또는 복수 유형의 처리 요소를 포함할 수 있음을 알 수 있다. 예를 들어, 처리 장치는 복수 개의 프로세서 또는 하나의 프로세서 및 하나의 컨트롤러를 포함할 수 있다. 또한, 병렬 프로세서(parallel processor)와 같은, 다른 처리 구성(processing configuration)도 가능하다.The apparatus described above may be implemented as a hardware component, a software component, and / or a combination of hardware components and software components. For example, the apparatus and components described in the embodiments may be implemented within a computer system, such as, for example, a processor, controller, arithmetic logic unit (ALU), digital signal processor, microcomputer, field programmable array (FPA) A programmable logic unit (PLU), a microprocessor, or any other device capable of executing and responding to instructions. The processing device may execute an operating system (OS) and one or more software applications running on the operating system. The processing device may also access, store, manipulate, process, and generate data in response to execution of the software. For ease of understanding, the processing apparatus may be described as being used singly, but those skilled in the art will recognize that the processing apparatus may have a plurality of processing elements and / As shown in FIG. For example, the processing apparatus may comprise a plurality of processors or one processor and one controller. Other processing configurations are also possible, such as a parallel processor.

소프트웨어는 컴퓨터 프로그램(computer program), 코드(code), 명령(instruction), 또는 이들 중 하나 이상의 조합을 포함할 수 있으며, 원하는 대로 동작하도록 처리 장치를 구성하거나 독립적으로 또는 결합적으로(collectively) 처리 장치를 명령할 수 있다. 소프트웨어 및/또는 데이터는, 처리 장치에 의하여 해석되거나 처리 장치에 명령 또는 데이터를 제공하기 위하여, 어떤 유형의 기계, 구성요소(component), 물리적 장치, 가상 장치(virtual equipment), 컴퓨터 저장 매체 또는 장치, 또는 전송되는 신호 파(signal wave)에 영구적으로, 또는 일시적으로 구체화(embody)될 수 있다. 소프트웨어는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템 상에 분산되어서, 분산된 방법으로 저장되거나 실행될 수도 있다. 소프트웨어 및 데이터는 하나 이상의 컴퓨터 판독 가능 기록 매체에 저장될 수 있다.The software may include a computer program, code, instructions, or a combination of one or more of the foregoing, and may be configured to configure the processing device to operate as desired or to process it collectively or collectively Device can be commanded. The software and / or data may be in the form of any type of machine, component, physical device, virtual equipment, computer storage media, or device , Or may be permanently or temporarily embodied in a transmitted signal wave. The software may be distributed over a networked computer system and stored or executed in a distributed manner. The software and data may be stored on one or more computer readable recording media.

실시예에 따른 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 실시예를 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다. 상기된 하드웨어 장치는 실시예의 동작을 수행하기 위해 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 작동하도록 구성될 수 있으며, 그 역도 마찬가지이다.The method according to an embodiment may be implemented in the form of a program command that can be executed through various computer means and recorded in a computer-readable medium. The computer-readable medium may include program instructions, data files, data structures, and the like, alone or in combination. The program instructions to be recorded on the medium may be those specially designed and configured for the embodiments or may be available to those skilled in the art of computer software. Examples of computer-readable media include magnetic media such as hard disks, floppy disks and magnetic tape; optical media such as CD-ROMs and DVDs; magnetic media such as floppy disks; Magneto-optical media, and hardware devices specifically configured to store and execute program instructions such as ROM, RAM, flash memory, and the like. Examples of program instructions include machine language code such as those produced by a compiler, as well as high-level language code that can be executed by a computer using an interpreter or the like. The hardware devices described above may be configured to operate as one or more software modules to perform the operations of the embodiments, and vice versa.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. For example, it is to be understood that the techniques described may be performed in a different order than the described methods, and / or that components of the described systems, structures, devices, circuits, Lt; / RTI > or equivalents, even if it is replaced or replaced.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.

210: CDR 회로부 211: 위상 검출기
212: 전하 펌프 213: 루프 필터
214: 전압 제어 발진기 220: 지터 변조 회로부
221: 멀티 펄스 발생기 222: 변조 전하 펌프
230: 지터 측정 회로부
210: CDR circuit unit 211: phase detector
212: charge pump 213: loop filter
214: voltage-controlled oscillator 220: jitter modulation circuit
221: Multipulse generator 222: Modulation charge pump
230: jitter measuring circuit part

Claims (5)

CDR 성능 평가를 위한 온 칩 지터톨러런스 측정 방법에 있어서,
CDR 회로에서 클럭에 지터를 인가하는 단계;
인가되는 상기 지터의 설정 값을 조절하여, 설정 지터 주파수에 따라 위상이 변화하는 속도를 조절하고, 설정 지터 크기에 따라 최대로 변화되는 위상 크기를 조절하는 단계; 및
상기 CDR 회로의 위상 검출기에서 입력 데이터를 지터 성분이 포함된 클럭으로 리샘플링 하여 복원하는 단계를 포함하고,
상기 지터는 칩 내에서 상기 CDR 회로부와 연결되어 지터 주파수와 지터 크기의 설정 값을 조절할 수 있고, 멀티 펄스 발생기와 변조 전하 펌프를 포함하는 지터 변조 회로이며,
상기 멀티 펄스 발생기에서 발생한 사각 펄스는 상기 변조 전하 펌프를 스위칭 시키고, 상기 CDR 회로부의 루프 필터 커패시터에 의하여 삼각 파형을 출력하는 것
을 특징으로 하는 CDR 성능 평가를 위한 온 칩 지터톨러런스 측정 방법.
In an on-chip jitter tolerance measurement method for CDR performance evaluation,
Applying jitter to a clock in a CDR circuit;
Adjusting a set value of the applied jitter to adjust a speed at which the phase changes according to the set jitter frequency and adjusting a maximum changed phase size according to the set jitter size; And
Wherein the phase detector of the CDR circuit resamples and restores the input data to a clock including a jitter component,
Wherein the jitter is a jitter modulation circuit which is connected to the CDR circuit portion in the chip to adjust a jitter frequency and a set value of a jitter size and includes a multi pulse generator and a modulation charge pump,
The square pulse generated by the multi-pulse generator switches the modulation charge pump and outputs a triangular waveform by the loop filter capacitor of the CDR circuit portion
Chip jitter tolerance measurement method for CDR performance evaluation.
제1항에 있어서,
상기 지터 주파수 범위는 지터 허용오차 특성으로 CDR 루프 대역폭을 기준으로 위 또는 아래로 설정하는 것
을 특징으로 하는 CDR 성능 평가를 위한 온 칩 지터톨러런스 측정 방법.
The method according to claim 1,
The jitter frequency range is a jitter tolerance characteristic that is set up or down based on the CDR loop bandwidth
Chip jitter tolerance measurement method for CDR performance evaluation.
삭제delete 삭제delete CDR 성능 평가를 위한 온 칩 지터톨러런스 측정 장치에 있어서,
위상 검출기, 전하 펌프, 루프 필터, 그리고 전압 제어 발진기를 포함하는 CDR 회로부; 및
칩 내에서 상기 CDR 회로부와 연결되어 지터 주파수와 지터 크기의 설정 값을 조절할 수 있는 지터 변조 회로부를 포함하고,
상기 지터 변조 회로부는
멀티 펄스 발생기와 변조 전하 펌프를 포함하며,
상기 멀티 펄스 발생기에서 발생한 사각 펄스는 상기 변조 전하 펌프를 스위칭 시키고, 상기 CDR 회로부의 상기 루프 필터 커패시터에 의하여 삼각 파형을 출력하는 것
을 특징으로 하는 CDR 성능 평가를 위한 온 칩 지터톨러런스 측정 장치.
An on-chip jitter tolerance measuring apparatus for CDR performance evaluation,
A CDR circuit portion including a phase detector, a charge pump, a loop filter, and a voltage controlled oscillator; And
And a jitter modulation circuit unit connected to the CDR circuit unit in the chip to adjust a jitter frequency and a set value of the jitter size,
The jitter modulation circuit section
A multi-pulse generator and a modulation charge pump,
The square pulse generated by the multi-pulse generator switches the modulation charge pump and outputs a triangular waveform by the loop filter capacitor of the CDR circuit portion
Chip jitter tolerance measurement device for CDR performance evaluation.
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