KR101515719B1

KR101515719B1 - Probe station

Info

Publication number: KR101515719B1
Application number: KR1020130161300A
Authority: KR
Inventors: 윤천근; 조재원
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2013-12-23
Filing date: 2013-12-23
Publication date: 2015-04-27

Abstract

A probe station is disclosed. The probe station comprises: a chuck to support a substrate; a probe card arranged on the upper part of the chuck to electrically check semiconductor devices formed on the substrate; an electrostatic control unit which is connected to the chuck, and which is to apply control voltage to the chuck based on the electrostatic voltage measured in order to manage electrostatic voltage of the chuck within the range already set.

Description

Probe station < RTI ID = 0.0 >

본 발명의 실시예들은 프로브 스테이션에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 다수의 탐침들을 이용하여 실리콘웨이퍼와 같은 기판 상에 형성된 반도체 소자들에 대한 전기적인 검사를 위한 프로브 스테이션에 관한 것이다.Embodiments of the invention relate to a probe station. More particularly, the present invention relates to a probe station for electrical inspection of semiconductor devices formed on a substrate, such as a silicon wafer, using a plurality of probes.

집적 회로 소자들과 같은 반도체 소자들은 일반적으로 실리콘웨이퍼와 같은 기판 상에 일련의 처리 공정들을 반복적으로 수행함으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 기판 상에 막을 형성하는 증착 공정, 상기 막을 전기적 특성들을 갖는 패턴들로 형성하기 위한 식각 공정, 상기 패턴들에 불순물들을 주입 또는 확산시키기 위한 이온 주입 공정 또는 확산 공정, 상기 패턴들이 형성된 기판으로부터 불순물들을 제거하기 위한 세정 및 린스 공정 등을 반복적으로 수행함으로써 상기 반도체 소자들이 상기 기판 상에 형성될 수 있다.Semiconductor devices, such as integrated circuit devices, can generally be formed by repeatedly performing a series of process steps on a substrate, such as a silicon wafer. For example, a deposition process for forming a film on a substrate, an etching process for forming the film with patterns having electrical characteristics, an ion implantation process or diffusion process for implanting or diffusing impurities into the patterns, The semiconductor elements may be formed on the substrate by repeatedly performing a cleaning and rinsing process or the like to remove impurities from the substrate.

상기와 같이 반도체 소자들이 형성된 후 상기 반도체 소자들의 전기적인 특성들을 검사하기 위한 전기적인 검사 공정이 수행될 수 있다. 상기 검사 공정은 다수의 탐침들을 갖는 프로브 카드를 포함하는 프로브 스테이션과 전기적인 신호를 제공하기 위하여 상기 프로브 카드와 연결된 테스터에 의해 수행될 수 있다.After the semiconductor elements are formed as described above, an electrical inspection process for inspecting electrical characteristics of the semiconductor elements may be performed. The inspection process may be performed by a probe station including a probe card having a plurality of probes and a tester connected to the probe card to provide an electrical signal.

상기 프로브 스테이션은 검사 챔버와 상기 검사 챔버 내에 배치되어 상기 기판을 지지하는 척과 상기 기판 상에 형성된 반도체 소자들과 접촉하도록 구성된 다수의 탐침들을 갖는 프로브 카드를 포함할 수 있다.The probe station may include a probe card having a test chamber and a probe disposed in the test chamber and having a plurality of probes configured to contact semiconductor devices formed on the substrate and a chuck to support the substrate.

한편, 상기 검사 공정을 수행하는 동안 상기 척의 이동 과정에서 공기와의 마찰 등에 의해 상기 척에 정전기가 대전될 수 있으며, 상기 정전기 대전에 의한 정전 전압이 과도하게 상승될 경우 상기 반도체 소자들이 손상될 수 있다.Meanwhile, during the inspection process, static electricity may be charged in the chuck due to friction with air during movement of the chuck, and when the electrostatic voltage due to the electrostatic charge is excessively increased, the semiconductor devices may be damaged have.

상기 프로브 스테이션에는 상기 척으로부터 정전기를 제거하기 위한 제전 기구를 구비할 수 있다. 일 예로서, 대한민국 등록특허공보 제10-0745861호에는 상기 척으로부터 정전기를 제거하기 위한 제전 기구를 갖는 검사 장치가 개시되어 있다. 상기 제전 기구는 상기 척 상에 기판이 없는 상태 즉 검사 완료된 기판이 언로드되고 새로운 기판이 로드되는 동안 상기 척으로부터 정전기를 제거할 수 있다.The probe station may include a static eliminating mechanism for removing static electricity from the chuck. As an example, Korean Patent Registration No. 10-0745861 discloses an inspection apparatus having a static eliminating mechanism for removing static electricity from the chuck. The static elimination mechanism can remove static electricity from the chuck while the substrate is not on the chuck, that is, when the inspected substrate is unloaded and a new substrate is loaded.

그러나, 상기 검사 공정이 수행되는 동안에도 상기 척에는 정전기 대전이 발생될 수 있으며, 이 경우 상기 기판에 대한 검사 신뢰도가 저하될 수 있다. 특히, 상기 반도체 소자들의 집적도가 증가됨에 따라 상기 검사 공정에서의 정전기 영향이 상승될 수 있으며, 또한 상기 검사 공정을 수행하는 도중에 축적되는 정전기에 의해 상기 반도체 소자들이 손상될 우려가 있다.However, even during the inspection process, electrostatic charge may be generated on the chuck, and in this case, the inspection reliability of the substrate may be lowered. In particular, as the degree of integration of the semiconductor devices increases, the influence of static electricity in the inspection process may be increased, and the semiconductor devices may be damaged by static electricity accumulated during the inspection process.

본 발명의 실시예들은 기판을 지지하는 척의 대전 상태를 지속적으로 감시하고 상기 척의 대전 상태에 따라 반도체 소자들에 대한 검사 공정을 제어할 수 있는 프로브 스테이션을 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a probe station capable of continuously monitoring a charged state of a chuck for supporting a substrate and controlling an inspection process for semiconductor devices according to a charged state of the chuck.

본 발명의 실시예들에 따르면, 프로브 스테이션은 기판을 지지하기 위한 척과, 상기 척의 상부에 배치되어 상기 기판 상에 형성된 반도체 소자들을 전기적으로 검사하기 위한 프로브 카드와, 상기 척과 연결되며 상기 척의 정전 전압을 측정하고 상기 척의 정전 전압을 기 설정된 범위 내에서 관리하기 위하여 상기 측정된 정전 전압에 기초하여 상기 척에 제어 전압을 인가하는 정전기 제어 장치를 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, a probe station includes a chuck for supporting a substrate, a probe card disposed on the chuck for electrically inspecting semiconductor elements formed on the substrate, a probe card connected to the chuck, And an electrostatic control device for applying a control voltage to the chuck based on the measured electrostatic voltage so as to manage the electrostatic voltage of the chuck within a predetermined range.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 정전기 제어 장치는 상기 반도체 소자들을 검사하기 위한 검사 신호가 테스터로부터 인가되는 시간을 제외한 나머지 시간 동안 지속적으로 동작될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the electrostatic control device can be continuously operated for the remaining time except for a time when an inspection signal for inspecting the semiconductor elements is applied from the tester.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 정전기 제어 장치는 상기 척의 정전 전압을 측정하기 위한 정전 전압 측정부와, 상기 척에 제어 전압을 인가하기 위한 제어 전압 인가부와, 상기 정전 전압 측정부 및 상기 제어 전압 인가부와 연결되며 상기 측정된 정전 전압에 기초하여 상기 제어 전압 인가부로 제어 신호를 제공하는 제어부를 포함할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the electrostatic control apparatus includes an electrostatic voltage measuring unit for measuring an electrostatic voltage of the chuck, a control voltage applying unit for applying a control voltage to the chuck, And a control unit connected to the control voltage applying unit and providing a control signal to the control voltage applying unit based on the measured electrostatic voltage.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 척의 상부면 및 하부면에는 상기 정전기 제어 장치와 연결되는 제1 도전성 물질층 및 제2 도전성 물질층이 각각 구비될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the upper surface and the lower surface of the chuck may be provided with a first conductive material layer and a second conductive material layer, respectively, which are connected to the electrostatic control device.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 정전 전압 측정부의 제1 측정 라인은 상기 제1 도전성 물질층과 연결되고, 상기 정전 전압 측정부의 제2 측정 라인은 전기적으로 접지될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the first measurement line of the electrostatic voltage measurement unit may be connected to the first conductive material layer, and the second measurement line of the electrostatic voltage measurement unit may be electrically grounded.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 도전성 물질층은 연결 케이블의 중심 도체를 통해 테스터와 연결될 수 있으며, 상기 제1 측정 라인은 상기 중심 도체와 전기적으로 연결될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the first conductive material layer may be connected to the tester through the center conductor of the connection cable, and the first measurement line may be electrically connected to the center conductor.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 측정 라인에는 상기 제어부에 의해 동작되는 릴레이 스위치가 설치될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the first measurement line may include a relay switch operated by the control unit.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제어 전압 인가부의 제1 제어 라인은 상기 제1 도전성 물질층과 연결되고, 상기 제어 전압 인가부의 제2 제어 라인은 상기 제2 도전성 물질층과 연결될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the first control line of the control voltage applying unit may be connected to the first conductive material layer, and the second control line of the control voltage applying unit may be connected to the second conductive material layer.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 도전성 물질층은 연결 케이블의 중심 도체를 통해 테스터와 연결되고, 상기 제2 도전성 물질층은 상기 연결 케이블의 외부 도체를 통해 상기 테스터와 연결될 수 있으며, 상기 제1 제어 라인은 상기 중심 도체와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 제어 라인은 상기 외부 도체와 전기적으로 연결될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the layer of the first conductive material may be connected to the tester through the center conductor of the connecting cable, and the layer of the second conductive material may be connected to the tester through the outer conductor of the connecting cable, The first control line may be electrically connected to the center conductor, and the second control line may be electrically connected to the outer conductor.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 제어 라인 및 제2 제어 라인에는 상기 제어부에 의해 동작되는 제1 릴레이 스위치 및 제2 릴레이 스위치가 각각 설치될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the first relay switch and the second relay switch, which are operated by the control unit, may be installed in the first control line and the second control line, respectively.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 기판 상의 반도체 소자들을 전기적으로 검사하기 위한 검사 공정에서 상기 기판이 놓여지는 척의 정전 전압은 상기 반도체 소자들에 검사 신호가 인가되는 동안을 제외한 나머지 시간 동안 정전 전압 측정부에 의해 지속적으로 측정될 수 있으며, 상기 척의 정전 전압은 상기 측정된 정전 전압에 기초하여 상기 척에 제어 전압을 인가함으로써 목적하는 정전 전압으로 관리될 수 있다.According to embodiments of the present invention as described above, in an inspection process for electrically testing semiconductor elements on a substrate, the electrostatic voltage of the chuck on which the substrate is placed is maintained at a remaining time The electrostatic voltage of the chuck can be controlled to a desired electrostatic voltage by applying a control voltage to the chuck based on the measured electrostatic voltage.

특히, 상기 기판의 로드 및 언로드 시간 동안 척을 접지시켜 상기 척으로부터 정전기를 제거하는 종래 기술과 비교하여 상기 기판이 상기 척 상에 로드되어 있는 동안에도 상기 척의 정전기 관리가 가능하므로 상기 기판에 대한 검사 공정의 신뢰도가 크게 향상될 수 있다. 특히, 상기 반도체 소자들에 대한 검사 공정에서 검사 신호가 인가되는 시간만을 제외한 나머지 모든 시간 동안 지속적으로 상기 척의 정전기 관리가 가능하므로 상기 검사 공정의 신뢰도가 더욱 향상될 수 있다.In particular, compared to the prior art in which static electricity is removed from the chuck by grounding the chuck during the loading and unloading times of the substrate, it is possible to perform static electricity management of the chuck while the substrate is loaded on the chuck, The reliability of the process can be greatly improved. Particularly, since the static electricity of the chuck can be continuously maintained for the remaining time except for the time when the inspection signal is applied in the inspection process for the semiconductor devices, the reliability of the inspection process can be further improved.

또한, 단순히 상기 척을 접지시켜 상기 척의 정전 전압을 영전위에 가깝게 조절하는 종래 기술과 비교하여 상기 제어 전압의 인가를 통하여 상기 척의 정전 전압을 목적하는 수준으로 조절할 수 있으므로 상기 검사 공정에서 상기 척의 정전기로 인하여 상기 반도체 소자들이 손상되거나 상기 검사 공정의 신뢰도가 저하되는 문제점들이 충분히 제거될 수 있으며, 이에 더하여 상기와 같이 조절된 척의 정전 전압은 상기 검사 공정에서 유용하게 이용될 수도 있다.In addition, since the electrostatic voltage of the chuck can be adjusted to a desired level through application of the control voltage as compared with the prior art in which the chuck is simply grounded and the electrostatic voltage of the chuck is adjusted close to the electrostatic potential, Therefore, the problems that the semiconductor devices are damaged or the reliability of the inspection process is lowered can be sufficiently removed. In addition, the electrostatic voltage of the chuck controlled as described above may be usefully used in the inspection process.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 스테이션을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 정전기 제어 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3 및 도 4는 반도체 소자들에 대한 검사 공정과 척의 정전기 제어 공정을 설명하기 위한 타이밍도이다.1 is a schematic block diagram illustrating a probe station according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the electrostatic control apparatus shown in FIG. 1. FIG.
FIGS. 3 and 4 are timing charts for explaining an inspection process for semiconductor devices and an electrostatic control process of a chuck.

이하, 본 발명은 본 발명의 실시예들을 보여주는 첨부 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The invention will be described in more detail below with reference to the accompanying drawings showing embodiments of the invention. However, the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below, but may be embodied in various other forms. The following examples are provided so that those skilled in the art can fully understand the scope of the present invention, rather than being provided so as to enable the present invention to be fully completed.

하나의 요소가 다른 하나의 요소 또는 층 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로서 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들 또는 층들이 이들 사이에 게재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결되는 것으로서 설명되는 경우, 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.When an element is described as being placed on or connected to another element or layer, the element may be directly disposed or connected to the other element, and other elements or layers may be placed therebetween It is possible. Alternatively, if one element is described as being placed directly on or connected to another element, there can be no other element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and / or portions, but the items are not limited by these terms .

하기에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Furthermore, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as will be understood by those skilled in the art having ordinary skill in the art, unless otherwise specified. These terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be construed to have meanings consistent with their meanings in the context of the related art and the description of the present invention, and are to be interpreted as being ideally or externally grossly intuitive It will not be interpreted.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 영역은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 영역의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the present invention are described with reference to schematic illustrations of ideal embodiments of the present invention. Thus, changes from the shapes of the illustrations, e.g., changes in manufacturing methods and / or tolerances, are those that can be reasonably expected. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shapes of the areas illustrated in the drawings, but include deviations in the shapes, the areas described in the drawings being entirely schematic and their shapes Is not intended to illustrate the exact shape of the area and is not intended to limit the scope of the invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 스테이션을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic block diagram illustrating a probe station according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 스테이션(100)은 반도체 웨이퍼와 같은 기판(10) 상에 형성된 반도체 소자들에 대하여 전기적인 검사 공정을 수행하기 위하여 사용될 수 있다.Referring to FIG. 1, a probe station 100 according to an exemplary embodiment of the present invention may be used to perform an electrical inspection process on semiconductor devices formed on a substrate 10 such as a semiconductor wafer.

상기 프로브 스테이션(100)은 상기 전기적 검사 공정이 수행되는 공간을 제공하는 검사 챔버(102)를 포함할 수 있다. 상기 검사 챔버(102) 내에는 상기 기판(10)을 지지하기 위한 척(110)이 배치되며 상기 척(110)의 상부에는 상기 반도체 소자들을 전기적으로 검사하기 위한 프로브 카드(120)가 배치될 수 있다.The probe station 100 may include an inspection chamber 102 for providing a space in which the electrical inspection process is performed. A chuck 110 for supporting the substrate 10 is disposed in the inspection chamber 102 and a probe card 120 for electrically inspecting the semiconductor devices may be disposed on the chuck 110 have.

상기 척(110)은 스테이지(112) 상에 배치될 수 있으며, 상기 스테이지(112)는 상기 척(110)을 수평 방향으로 이동시키기 위한 수평 구동부(114) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 스테이지(112) 상에는 상기 척(110)을 수직 방향으로 이동시키기 위한 수직 구동부(116)가 배치될 수 있으며, 도시되지는 않았으나, 상기 척(110)을 회전시키기 위한 회전 구동부(미도시)가 상기 스테이지(112) 상에 더 구비될 수 있다.The chuck 110 may be disposed on a stage 112 and the stage 112 may be disposed on a horizontal driving unit 114 for moving the chuck 110 in a horizontal direction. A vertical driving unit 116 for moving the chuck 110 in the vertical direction may be disposed on the stage 112. Although not shown, a rotation driving unit (not shown) for rotating the chuck 110 May be further provided on the stage 112. [

상기 프로브 카드(120)는 상기 반도체 소자들과 접촉하여 상기 반도체 소자들에 전기적인 신호를 인가하기 위한 다수의 탐침들을 가질 수 있다. 상기 수직 구동부(116)는 상기 탐침들이 상기 반도체 소자들에 접촉되도록 상기 척(110)을 수직 방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 상기 프로브 카드(120)는 상기 전기적인 신호를 제공하는 테스터(130)와 전기적으로 연결될 수 있다. The probe card 120 may have a plurality of probes for contacting the semiconductor devices and applying an electrical signal to the semiconductor devices. The vertical driver 116 may move the chuck 110 vertically such that the probes are in contact with the semiconductor devices. In addition, the probe card 120 may be electrically connected to the tester 130 that provides the electrical signal.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 척(110)에는 상기 척(110)에 대전된 정전기를 제거하여 상기 척(110)의 정전 전압을 기 설정된 범위 내에서 관리하기 위한 정전기 제어 장치(140)가 연결될 수 있다. 상기 정전기 제어 장치(140)는 상기 척(110)의 정전 전압을 측정하고 상기 측정된 정전 전압에 기초하여 상기 척(110)에 제어 전압을 인가함으로써 상기 척(110)의 정전 전압을 기 설정된 범위 내에서 지속적으로 관리할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the chuck 110 is provided with an electrostatic control device 140 for removing static electricity charged on the chuck 110 to manage the electrostatic voltage of the chuck 110 within a predetermined range, Lt; / RTI > The electrostatic controller 140 measures the electrostatic voltage of the chuck 110 and applies a control voltage to the chuck 110 based on the measured electrostatic voltage to adjust the electrostatic voltage of the chuck 110 to a predetermined range Can be managed continuously.

도 2는 도 1에 도시된 정전기 제어 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the electrostatic control apparatus shown in FIG. 1. FIG.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 척(110)은 상기 기판(10)을 가열하기 위한 세라믹 히터(미도시)와 상기 세라믹 히터 상에 배치되는 척탑(미도시; chuck top)을 포함할 수 있다. 상기 척탑의 내부에는 상기 세라믹 히터에 의해 가열된 척탑을 냉각시키기 위한 냉매의 순환을 위하여 냉각 유로(미도시)가 구비될 수 있으며, 상기 척탑의 상부면에는 상기 기판을 고정시키기 위하여 상기 기판을 진공 흡착하는 복수의 진공홀들이 구비될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, although not shown in detail, the chuck 110 includes a ceramic heater (not shown) for heating the substrate 10 and a chuck (not shown) disposed on the ceramic heater top). A cooling channel (not shown) may be provided in the chuck tower for circulating a coolant for cooling the chuck tower heated by the ceramic heater. In order to fix the substrate on the upper surface of the chuck tower, A plurality of vacuum holes to be adsorbed can be provided.

또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 척(110)의 상부면 및 하부면에는 상대적으로 전기전도도가 높은 물질로 이루어진 제1 도전성 물질층(112) 및 제2 도전성 물질층(114)이 각각 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 및 제2 도전성 물질층들(112, 114)로는 금 도금층이 사용될 수 있다. 그러나, 상기 제1 및 제2 도전성 물질층들(112, 114)의 조성은 다양하게 변경 가능하므로 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다.2, a first conductive material layer 112 and a second conductive material layer 114, which are made of a material having relatively high electrical conductivity, are formed on the upper surface and the lower surface of the chuck 110, respectively, . For example, a gold plating layer may be used for the first and second conductive material layers 112 and 114. However, the composition of the first and second conductive material layers 112 and 114 may be variously changed, so that the scope of the present invention is not limited thereto.

한편, 상기 척(110)은 상기 반도체 소자들을 검사하기 위하여 전기적인 신호를 인가하는 테스터(130)와 연결 케이블을 통해 연결될 수 있다. 예를 들면, 상기 연결 케이블은 중심 도체(132)와 절연체를 거쳐서 상기 중심 도체(132)를 감싸는 망상 구조의 제1 외부 도체(134) 및 절연체를 거쳐서 상기 제1 외부 도체(132)를 감싸는 망상 구조의 제2 외부 도체(136)를 포함할 수 있다. 상기 연결 케이블의 중심 도체(132)는 상기 제1 도전성 물질층(112)과 연결될 수 있으며, 상기 연결 케이블의 제1 외부 도체(134)는 상기 제2 도전성 물질층(114)과 연결될 수 있다. 한편, 상기 제2 외부 도체(136)는 전기적으로 접지될 수 있다.The chuck 110 may be connected to the tester 130 through a connection cable to inspect the semiconductor devices. For example, the connection cable may include a first outer conductor 134 of a network structure that surrounds the center conductor 132 via a center conductor 132 and an insulator, and a second outer conductor 134 that surrounds the first outer conductor 132, And a second outer conductor 136 of the structure. The center conductor 132 of the connection cable may be connected to the first conductive material layer 112 and the first outer conductor 134 of the connection cable may be connected to the second conductive material layer 114. Meanwhile, the second outer conductor 136 may be electrically grounded.

상기 테스터(130)는 상기 반도체 소자들을 검사하기 위하여 상기 반도체 소자들이 상기 프로브 카드(120)의 탐침들과 접촉된 상태에서 상기 프로브 카드(120)의 탐침들을 통하여 상기 반도체 소자들에 검사 신호를 인가할 수 있으며, 아울러 상기 연결 케이블의 중심 도체(132)를 통하여 상기 척(110)의 제1 도전성 물질층(112)에 검사 신호를 인가할 수 있다.The tester 130 applies an inspection signal to the semiconductor elements through the probes of the probe card 120 in a state where the semiconductor elements are in contact with the probes of the probe card 120 to inspect the semiconductor elements And an inspection signal can be applied to the first conductive material layer 112 of the chuck 110 through the center conductor 132 of the connection cable.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 정전기 제어 장치(140)는 상기 척(110)의 정전 전압을 측정하기 위한 정전 전압 측정부(150)와 상기 척(110)에 제어 전압을 인가하기 위한 제어 전압 인가부(160) 및 상기 정전 전압 측정부(150)와 상기 제어 전압 인가부(160)와 연결되며 상기 정전 전압 측정부(150)에 의해 측정된 상기 척(110)의 정전 전압에 기초하여 상기 제어 전압 인가부(160)로 제어 신호를 제공하는 제어부(170)를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the electrostatic controller 140 includes an electrostatic voltage measuring unit 150 for measuring an electrostatic voltage of the chuck 110, a control unit 150 for applying a control voltage to the chuck 110, And a control voltage application unit 160 connected to the voltage application unit 160 and the electrostatic voltage measurement unit 150 and the control voltage application unit 160 and based on the electrostatic voltage of the chuck 110 measured by the electrostatic voltage measurement unit 150 And a control unit 170 for providing a control signal to the control voltage application unit 160.

특히, 상기 제어 전압 인가부(160)는 상기 정전 전압 측정부(150)에 의해 측정된 정전 전압이 기 설정된 범위를 벗어나는 경우 상기 측정된 정전 전압에 기초하여 플러스 또는 마이너스 영역의 제어 전압을 상기 척(110)에 인가할 수 있으며, 이에 따라 상기 척(110)의 정전 전압이 기 설정된 범위로 조절될 수 있다.In particular, when the electrostatic voltage measured by the electrostatic voltage measuring unit 150 is out of a predetermined range, the control voltage applying unit 160 applies a positive or negative control voltage to the chuck 150 based on the measured electrostatic voltage. The electrostatic voltage of the chuck 110 may be adjusted to a predetermined range.

예를 들면, 상기 정전 전압 측정부(150)의 제1 측정 라인(152)은 상기 척(110)의 제1 도전성 물질층(112)과 연결될 수 있으며, 상기 정전 전압 측정부(150)의 제2 측정 라인(154)은 전기적으로 접지될 수 있다. 상기 정전 전압 측정부(150)는 상기 척(110) 상에 축적된 정전기에 의한 정전 전압을 측정하여 아날로그 디지털 컨버터(172; ADC)를 통하여 상기 제어부(170)로 측정된 정전 전압 신호를 제공할 수 있다.For example, the first measurement line 152 of the electrostatic voltage measuring unit 150 may be connected to the first conductive material layer 112 of the chuck 110, 2 measurement line 154 may be electrically grounded. The electrostatic voltage measuring unit 150 measures the electrostatic voltage due to static electricity accumulated on the chuck 110 and provides the electrostatic voltage signal measured by the controller 170 through the analogue digital converter 172 .

또한, 상기 제어부(170)는 상기 측정된 정전 전압에 기초하여 제어 신호를 발생시킬 수 있으며, 상기 제어 신호는 디지털 아날로그 컨버터(174; DAC)를 통하여 상기 제어 전압 인가부(160)로 제공될 수 있다.The control unit 170 may generate a control signal based on the measured electrostatic voltage and the control signal may be provided to the control voltage applying unit 160 through a digital to analog converter 174 have.

상기 제어 전압 인가부(160)는 상기 제어 신호에 따라 상기 척(110)에 제어 전압을 인가할 수 있다. 예를 들면, 상기 제어 전압 인가부(160)의 제1 제어 라인(162)은 상기 척(110)의 제1 도전성 물질층(112)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 제어 전압 인가부(160)의 제2 제어 라인(164)은 상기 제2 도전성 물질층(114)과 전기적으로 연결될 수 있다.The control voltage application unit 160 may apply a control voltage to the chuck 110 according to the control signal. For example, the first control line 162 of the control voltage application unit 160 may be electrically connected to the first conductive material layer 112 of the chuck 110, The second control line 164 of the second conductive material layer 114 may be electrically connected to the second conductive material layer 114.

특히, 상기 정전기 제어 장치(140)의 배선들을 간소화하기 위하여 상기 제1 제어 라인(162)은 상기 연결 케이블의 중심 도체(132)와 연결될 수 있으며, 상기 제2 제어 라인(164)은 상기 연결 케이블의 제1 외부 도체(134)와 연결될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 상기 연결 케이블에는 상기 제어 전압 인가부(160)와의 연결을 위한 커넥터(미도시)가 구비될 수 있다.The first control line 162 may be connected to the center conductor 132 of the connection cable and the second control line 164 may be connected to the center conductor 132 of the connection cable in order to simplify the wiring of the electrostatic control device 140. [ The first outer conductor 134 of the first conductive layer 130 may be connected to the first outer conductor 134 of the second conductive layer 130. [ Although not shown, the connection cable may include a connector (not shown) for connection with the control voltage application unit 160.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 정전 전압 측정부(150)의 제1 측정 라인(152)은 상기 제1 제어 라인(162) 및 상기 연결 케이블의 중심 도체(132)를 통하여 상기 척(110)의 제1 도전성 물질층(112)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first measurement line 152 of the electrostatic voltage measuring unit 150 may be connected to the first control line 162 through the first control line 162 and the center conductor 132 of the connection cable, May be electrically connected to the first conductive material layer (112) of the first conductive layer (110).

그러나, 상술한 바와 다르게, 상기 정전 전압 측정부(150)의 제1 측정 라인(152) 및 상기 제어 전압 인가부(160)의 제1 및 제2 제어 라인들(162, 164)은 각각 별도의 라인들로 구성되어 상기 척(110)의 제1 및 제2 도전성 물질층들(112, 114)과 각각 연결될 수도 있다.However, unlike the above, the first measurement line 152 of the electrostatic voltage measuring unit 150 and the first and second control lines 162 and 164 of the control voltage applying unit 160 may be separate And may be connected to the first and second conductive material layers 112 and 114 of the chuck 110, respectively.

한편, 상기 제1 및 제2 제어 라인들(162, 164)에는 제1 및 제2 릴레이 스위치들(176, 178)이 각각 설치될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 릴레이 스위치들(176, 178)은 제어부(170)에 의해 동작될 수 있다. 특히, 상기 척(110)의 정전 전압을 측정하기 위하여 상기 제1 릴레이 스위치(176)가 닫힐 수 있으며, 상기 척(110)에 제어 전압을 인가하기 위하여 상기 제1 및 제2 릴레이 스위치들(176, 178)이 닫힐 수 있다.First and second relay switches 176 and 178 may be respectively installed in the first and second control lines 162 and 164 and the first and second relay switches 176 and 178 May be operated by the control unit 170. [ The first relay switch 176 may be closed to measure the electrostatic voltage of the chuck 110 and the first and second relay switches 176 and 176 may be closed to apply a control voltage to the chuck 110. [ , 178 can be closed.

그러나, 상기 제1 및 제2 릴레이 스위치들(176, 178)은 상기 테스터(130)로부터 검사 신호가 인가되는 동안에는 개방되어 상기 정전기 제어 장치(140)를 상기 척(110)과 테스터(130)로부터 전기적으로 격리시킬 수 있다.The first and second relay switches 176 and 178 are opened while the inspection signal is applied from the tester 130 so that the electrostatic control device 140 is disconnected from the chuck 110 and the tester 130 It can be electrically isolated.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 정전기 제어 장치(140)는 상기 반도체 소자들을 검사하기 위하여 상기 테스터(130)로부터 검사 신호가 인가되는 동안을 제외한 나머지 시간 동안 지속적으로 동작될 수 있다. 즉, 상기 제어부(170)는 상기 검사 신호가 인가되는 동안에는 상기 척(110)의 정전기 제어를 위한 일련의 동작들이 상기 반도체 소자들에 대한 검사 공정에 영향을 주지 않도록 하기 위하여 상기 제1 및 제2 릴레이 스위치들(176, 178)을 개방시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the electrostatic control device 140 may be continuously operated for a remaining time except for an inspection signal from the tester 130 to inspect the semiconductor devices. That is, the control unit 170 controls the first and second semiconductor devices so that a series of operations for controlling the electrostatic force of the chuck 110 do not affect the inspection process for the semiconductor devices while the inspection signal is being applied. The relay switches 176 and 178 can be opened.

도 3 및 도 4는 반도체 소자들에 대한 검사 공정과 척의 정전기 제어 공정을 설명하기 위한 타이밍도들이다.FIGS. 3 and 4 are timing charts for explaining an inspection process for semiconductor devices and an electrostatic control process of a chuck.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 척(110) 상에 기판(10)이 로드된 후 상기 기판(10)은 상기 척(110) 상에서 진공홀들을 통해 제공되는 진공압에 의해 고정될 수 있다.3 and 4, after the substrate 10 is loaded on the chuck 110, the substrate 10 may be clamped by vacuum pressure provided through the vacuum holes on the chuck 110 .

상기와 같이 기판(10)이 척(110) 상에 로드된 후 상기 기판(10)과 상기 프로브 카드(120)의 탐침들 사이에서 정렬 단계가 수행될 수 있다. 이때, 상기 척(110)은 상기 기판(10) 상의 반도체 소자들이 상기 탐침들에 대하여 정확히 정렬될 수 있도록 회전되거나 수평 방향으로 이동될 수 있다.After the substrate 10 is loaded on the chuck 110 as described above, an alignment step may be performed between the probes of the substrate 10 and the probe card 120. At this time, the chuck 110 may be rotated or moved in a horizontal direction so that the semiconductor elements on the substrate 10 can be accurately aligned with respect to the probes.

상기와 같이 정렬 단계가 완료된 후 상기 척(110)은 수직 방향으로 상승하여 상기 반도체 소자들과 상기 탐침들을 접촉시킨다. 이때, 상기 반도체 소자들의 전극 패드들과 상기 프로브 카드(120)의 탐침들 사이의 전기적인 접촉을 보다 안정적으로 수행하기 위하여 상기 척(110)에 대한 오버 드라이브 단계가 수행될 수 있다. 상기 오버 드라이브 단계는 상기 탐침들에 의해 상기 전극 패드들 상의 산화막이 일부 제거될 수 있도록 상기 척(110)이 기 설정된 검사 높이보다 더 높이 상승된 후 하강하고 이어서 상기 검사 높이로 재상승하는 일련의 동작들을 포함할 수 있다.After the alignment step is completed as described above, the chuck 110 rises in the vertical direction to contact the semiconductor elements and the probes. At this time, an overdrive step may be performed on the chuck 110 to more stably perform electrical contact between the electrode pads of the semiconductor devices and the probes of the probe card 120. The overdrive step may include a series of operations for raising the height of the chuck 110 higher than a predetermined inspection height and then descending and then re-rising to the inspection height so that the oxide film on the electrode pads can be partially removed by the probes Lt; / RTI >

상기와 같이 프로브 카드(120)의 탐침들이 상기 반도체 소자들과 접촉된 후 상기 프로브 카드(120)의 탐침들에 접촉된 반도체 소자들에 대한 검사 공정이 수행될 수 있다.After the probes of the probe card 120 are contacted with the semiconductor devices as described above, an inspection process may be performed on the semiconductor devices that are in contact with the probes of the probe card 120.

상기 기판(10) 상에는 복수의 반도체 소자들이 형성되어 있으므로, 상기와 같은 검사 공정은 상기 기판(10)에 대하여 수차례 반복적으로 수행될 수 있다. 특히, 상기 기판(10)에는 복수의 검사 영역들이 설정될 수 있으며, 하나의 영역에 대한 검사 공정이 완료되면 상기 스테이지(112)는 다음 영역으로 상기 척(110)을 이동시킬 수 있다.Since a plurality of semiconductor devices are formed on the substrate 10, the inspection process may be repeatedly performed on the substrate 10 several times. In particular, a plurality of inspection areas can be set on the substrate 10, and when the inspection process for one area is completed, the stage 112 can move the chuck 110 to the next area.

상술한 바와 같이 검사 공정의 반복적인 수행을 통하여 상기 기판(10) 상의 반도체 소자들에 대한 검사 공정이 모두 완료된 후 상기 기판(10)은 상기 척(110)으로부터 언로드될 수 있으며, 이어서 새로운 기판이 상기 척(110) 상으로 로드될 수 있다.The substrate 10 can be unloaded from the chuck 110 after the inspection process for the semiconductor elements on the substrate 10 is completed through repetitive execution of the inspection process as described above, And may be loaded onto the chuck 110.

한편, 상기 제어부(170)는 상기 테스터(130)와 내부 통신망을 통하여 서로 연결될 수 있으며, 상기 테스터(130)로부터 검사 신호가 인가되는 시간 정보를 수신할 수 있다.Meanwhile, the controller 170 may be connected to the tester 130 via an internal communication network, and may receive time information of the tester 130 to which the inspection signal is applied.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 정전 전압 측정부(150)를 통한 상기 척(110)의 정전기 대전 상태를 감시하는 동작과 상기 척(110)의 정전 전압 변화에 대응하여 상기 척(110)으로 제어 전압을 인가하는 제어 동작이 이루어지는 시간을 최대한 연장시키기 위하여 상기 정전기 제어 장치(140)는 상기 테스터(130)로부터 검사 신호가 인가되는 시간을 제외한 나머지 시간 동안 지속적으로 동작될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the operation of monitoring the electrostatic charge state of the chuck 110 through the electrostatic voltage measuring unit 150 and the operation of monitoring the electrostatic charging state of the chuck 110, The electrostatic control device 140 may be continuously operated for the remaining time except for a time period during which the inspection signal is applied from the tester 130 in order to maximally extend the time for performing the control operation of applying the control voltage to the tester 130.

특히, 상기 프로브 카드(120)의 탐침들이 상기 반도체 소자들의 전극 패드들에 접촉되어 있는 동안에도 상기 검사 신호가 인가되는 시간을 제외한 나머지 시간에는 상기 정전기 제어 장치(140)에 의한 정전 전압 감시 및 제어 동작이 수행될 수 있다. 즉 상기 제어부(170)는 상기 프로브 카드(120)의 탐침들과 상기 반도체 소자들의 전극 패드들 사이의 접촉 여부와는 상관없이 상기 테스터(130)로부터 수신되는 검사 신호의 인가 및 종료 시간에 각각 대응하여 상기 제1 및 제2 릴레이 스위치들(176, 178)을 닫고 개방함으로써 상기 척(110)에 대한 정전기 관리 시간을 최대한 연장시킬 수 있다.Particularly, even when the probes of the probe card 120 are in contact with the electrode pads of the semiconductor devices, the electrostatic voltage monitoring and control by the electrostatic controller 140 is performed for the remaining time except for the time when the inspection signal is applied. An operation can be performed. That is, the controller 170 controls the application and termination time of the test signal received from the tester 130, irrespective of whether the probes of the probe card 120 are in contact with the electrode pads of the semiconductor devices The electrostatic management time for the chuck 110 can be maximally extended by closing and opening the first and second relay switches 176 and 178.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제어 전압 인가부(160)를 통하여 상기 척(110)의 정전 전압을 상기 검사 공정에 필요로 하는 수준으로 조절하는 것이 가능하다. 예를 들면, 단순히 상기 척(110)을 접지시켜 상기 척(110)의 정전 전압을 영전위에 인접하도록 조절하는 것이 아니라, 상기 플러스 또는 마이너스 영역의 제어 전압을 상기 척(110)에 인가함으로써 상기 척(110)의 정전 전압을 예를 들면 영볼트 이하 수 내지 수십 마이너스 전압까지도 조절할 수도 있다.Also, according to an embodiment of the present invention, it is possible to adjust the electrostatic voltage of the chuck 110 to a level necessary for the inspection process through the control voltage application unit 160. [ For example, instead of simply grounding the chuck 110 to adjust the electrostatic voltage of the chuck 110 to be adjacent to the electrostatic field, by applying the positive or negative control voltage to the chuck 110, The electrostatic voltage of the capacitor 110 may be adjusted to, for example, less than or equal to zero volts and up to several tens of minus voltages.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 기판(10) 상의 반도체 소자들을 전기적으로 검사하기 위한 검사 공정에서 상기 기판(10)이 놓여지는 척(110)의 정전 전압은 상기 반도체 소자들에 검사 신호가 인가되는 동안을 제외한 나머지 시간 동안 정전 전압 측정부(150)에 의해 지속적으로 감시될 수 있으며, 상기 척(110)의 정전 전압은 상기 측정된 정전 전압에 기초하여 상기 척(110)에 제어 전압을 인가함으로써 목적하는 정전 전압으로 관리될 수 있다.According to embodiments of the present invention as described above, in an inspection process for electrically inspecting semiconductor elements on the substrate 10, the electrostatic voltage of the chuck 110, on which the substrate 10 is placed, The electrostatic voltage of the chuck 110 may be continuously monitored by the electrostatic voltage measuring unit 150 for the rest of the time except for the time during which the inspection signal is applied, And can be managed as a desired electrostatic voltage by applying a control voltage.

특히, 상기 기판(10)의 로드 및 언로드 시간 동안 척(110)을 접지시켜 상기 척(110)으로부터 정전기를 제거하는 종래 기술과 비교하여 상기 기판(10)이 상기 척(110) 상에 로드되어 있는 동안에도 상기 척(110)의 정전기 관리가 가능하므로 상기 기판(10)에 대한 검사 공정의 신뢰도가 크게 향상될 수 있다. 특히, 상기 반도체 소자들에 대한 검사 공정에서 상기 프로브 카드와 반도체 소자들의 접속 여부와 상관없이 상기 검사 신호가 인가되는 시간만을 제외한 나머지 시간 동안 지속적으로 상기 척(110)의 정전기 관리가 가능하므로 상기 검사 공정의 신뢰도가 더욱 향상될 수 있다.In particular, the substrate 10 is loaded on the chuck 110 as compared to the prior art in which static electricity is removed from the chuck 110 by grounding the chuck 110 during the loading and unloading times of the substrate 10 The reliability of the inspection process for the substrate 10 can be greatly improved since static electricity management of the chuck 110 is possible. Particularly, in the inspection process for the semiconductor devices, it is possible to continuously manage the static electricity of the chuck 110 for the remaining time except for the time when the inspection signal is applied, regardless of whether the probe card and the semiconductor devices are connected or not. The reliability of the process can be further improved.

또한, 단순히 상기 척(110)을 접지시켜 상기 척(110)의 정전 전압을 영전위에 가깝게 조절하는 종래 기술과 비교하여 상기 제어 전압의 인가를 통하여 상기 척(110)의 정전 전압을 목적하는 수준으로 조절할 수 있으므로 상기 검사 공정에서 상기 척(110)의 정전기로 인하여 상기 반도체 소자들이 손상되거나 상기 검사 공정의 신뢰도가 저하되는 것을 충분히 방지할 수 있으며, 이에 더하여 상기 척(110)의 정전 전압을 상기 검사 공정에서 유용하게 이용할 수도 있다.In comparison with the prior art in which the chuck 110 is simply grounded and the electrostatic voltage of the chuck 110 is adjusted close to zero, the electrostatic voltage of the chuck 110 is reduced to a desired level It is possible to sufficiently prevent the semiconductor devices from being damaged due to the static electricity of the chuck 110 or the reliability of the inspection process to be deteriorated in the inspection process. In addition, the electrostatic voltage of the chuck 110 can be checked It is also useful in process.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims It can be understood that

10 : 기판 100 : 프로브 스테이션
102 : 검사 챔버 110 : 척
120 : 프로브 카드 130 : 테스터
132 : 중심 도체 134 : 제1 외부 도체
136 : 제2 외부 도체 140 : 정전기 제어 장치
150 : 정전 전압 측정부 152 : 제1 측정 라인
154 : 제2 측정 라인 160 : 제어 전압 인가부
162 : 제1 제어 라인 164 : 제2 제어 라인
170 : 제어부 172 : AD 컨버터
174 : DA 컨버터 176 : 제1 릴레이 스위치
178 : 제2 릴레이 스위치10: substrate 100: probe station
102: test chamber 110: chuck
120: Probe card 130: Tester
132: center conductor 134: first outer conductor
136: second outer conductor 140: electrostatic control device
150: electrostatic voltage measuring unit 152: first measuring line
154: second measurement line 160: control voltage application unit
162: first control line 164: second control line
170: control unit 172: AD converter
174: DA converter 176: first relay switch
178: second relay switch

Claims

A chuck for supporting a substrate;
A probe card disposed on the chuck to electrically inspect semiconductor elements formed on the substrate; And
An electrostatic voltage measuring unit connected to the chuck for measuring an electrostatic voltage of the chuck, a control voltage applying unit for applying a control voltage to the chuck, and a control voltage applying unit for applying a control voltage to the chuck so that the electrostatic voltage of the chuck is controlled within a predetermined range. And a control unit for providing a control signal to the control voltage applying unit based on the electrostatic voltage measured by the electrostatic control unit,
Wherein a top surface and a bottom surface of the chuck are provided with a first conductive material layer and a second conductive material layer, respectively, which are connected to the electrostatic control device.

The probe station as set forth in claim 1, wherein the electrostatic control device is continuously operated for a remaining period of time except for a time at which an inspection signal for inspecting the semiconductor devices is applied from a tester.

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The probe station according to claim 1, wherein the first measurement line of the electrostatic voltage measurement unit is connected to the first conductive material layer, and the second measurement line of the electrostatic voltage measurement unit is electrically grounded.

6. The probe station of claim 5, wherein the first conductive material layer is connected to a tester through a center conductor of the connection cable, and the first measurement line is electrically connected to the center conductor.

7. The probe station of claim 6, wherein the first measurement line is provided with a relay switch operated by the control unit.

The probe of claim 1, wherein a first control line of the control voltage applying unit is connected to the first conductive material layer, and a second control line of the control voltage applying unit is connected to the second conductive material layer. station.

9. The apparatus of claim 8, wherein the first layer of conductive material is connected to a tester through a center conductor of a connecting cable, the layer of second conductive material is connected to the tester through an outer conductor of the connecting cable, Line is electrically connected to the center conductor, and the second control line is electrically connected to the outer conductor.

The probe station according to claim 9, wherein the first control line and the second control line are provided with a first relay switch and a second relay switch operated by the control unit, respectively.