KR101511512B1 - Susceptor manufacturing apparatus with cooling fan - Google Patents

Susceptor manufacturing apparatus with cooling fan Download PDF

Info

Publication number
KR101511512B1
KR101511512B1 KR20130046418A KR20130046418A KR101511512B1 KR 101511512 B1 KR101511512 B1 KR 101511512B1 KR 20130046418 A KR20130046418 A KR 20130046418A KR 20130046418 A KR20130046418 A KR 20130046418A KR 101511512 B1 KR101511512 B1 KR 101511512B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
muffle
opening
chamber
susceptor
cooling
Prior art date
Application number
KR20130046418A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140127955A (en
Inventor
이철
Original Assignee
주식회사 케이엔제이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이엔제이 filed Critical 주식회사 케이엔제이
Priority to KR20130046418A priority Critical patent/KR101511512B1/en
Publication of KR20140127955A publication Critical patent/KR20140127955A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101511512B1 publication Critical patent/KR101511512B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/87—Ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Abstract

본 발명은 냉각팬을 구비한 서셉터 제조장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 단열챔버에 개폐가능한 개구부를 형성하고, 냉각팬으로 냉각가스를 강제로 순환시켜 머플을 신속하게 냉각할 수 있는 서셉터 제조장치에 관한 것이다.
본 발명에 의한 서셉터 제조장치는 기재를 내부에 적재하여 소정의 박막을 형성하는 머플(muffle); 상기 머플의 내부온도를 공정조건에 맞게 가열하는 히터; 상기 히터를 사이에 두고 상기 머플을 감싸 상기 머플의 내부온도를 일정하게 유지하며, 적어도 1 이상의 제1개구부가 형성되는 단열챔버; 상기 단열챔버를 감싸는 외부챔버; 및 상기 외부챔버의 내부로 냉각가스를 공급하여 상기 개구부를 통해 상기 단열챔버의 내부를 냉각시키는 냉각가스 공급수단;을 포함한다. The present invention relates to an apparatus for manufacturing a susceptor having a cooling fan, and more particularly, to an apparatus and a method for manufacturing a susceptor having a susceptor capable of rapidly cooling a muffle by forcibly circulating cooling gas through a cooling fan, Manufacturing apparatus.
The apparatus for manufacturing a susceptor according to the present invention comprises: a muffle for forming a predetermined thin film by stacking a substrate therein; A heater for heating the internal temperature of the muffle according to process conditions; A heat insulating chamber in which at least one or more first openings are formed by keeping the internal temperature of the muffle constant by wrapping the muffle with the heater interposed therebetween; An outer chamber surrounding the adiabatic chamber; And cooling gas supplying means for supplying a cooling gas into the outer chamber to cool the inside of the heat insulating chamber through the opening.

Description

냉각팬을 구비한 서셉터 제조장치{SUSCEPTOR MANUFACTURING APPARATUS WITH COOLING FAN}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a susceptor manufacturing apparatus having a cooling fan,

본 발명은 냉각팬을 구비한 서셉터 제조장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 단열챔버에 개폐가능한 개구부를 형성하고, 냉각팬으로 냉각가스를 강제로 순환시켜 머플을 신속하게 냉각할 수 있는 서셉터 제조장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an apparatus for manufacturing a susceptor having a cooling fan, and more particularly, to an apparatus and a method for manufacturing a susceptor having a susceptor capable of rapidly cooling a muffle by forcibly circulating cooling gas through a cooling fan, Manufacturing apparatus.

일반적으로 반도체나 평판디스플레이 또는 엘이디 제조공정에서 공정 수행을 위해 기판을 지지하는 서셉터가 이용된다. Generally, a susceptor is used to support a substrate for performing a process in a semiconductor, flat panel display or LED manufacturing process.

한편, 탄소 소재는 강도 및 모듈러스가 높고 열 쇼크 내성이 높으며 경량이므로 고온의 응용분야에서 관심을 끌고 있다. 탄소 소재는 엔지니어링 소재로서 널리 사용되는바, 그 응용분야로는 히터, 전기 콘택트, 고온 열교환기, 로켓 노즐, 비행기날개의 리딩에지(leading edge) 뿐 아니라 반도체나 엘이디 소자를 제조하기 위해 필요한 서셉터 등을 들 수 있다. 다양한 탄소 소재들 중에서, 엔지니어링 소재로서 가장 일반적으로 쓰이는 소재는 그라파이트이다.On the other hand, carbon materials have attracted attention in high temperature applications due to their high strength and modulus, high heat shock resistance and light weight. Carbon materials are widely used as engineering materials and their applications include heaters, electrical contacts, high temperature heat exchangers, rocket nozzles, leading edges of airplane wings, as well as susceptors for manufacturing semiconductors and LED devices And the like. Of the various carbon materials, graphite is the most commonly used material for engineering materials.

그러나, 그라파이트 소재의 경우 고온에서 내화학성이 떨어져 고온에서 산소나 암모니아가스 분위기에서는 사용할 수 없다. 따라서, 그라파이트 소재를 고온의 소재로서 광범위하게 사용되기 위하여 그 내화학성을 증가시키는 것이 매우 중요하다.However, the graphite material has low chemical resistance at high temperatures and can not be used at high temperatures in oxygen or ammonia gas atmosphere. Therefore, it is very important to increase the chemical resistance of the graphite material so as to be widely used as a high-temperature material.

따라서 그라파이트 소재에 SiC 및 Si3N4 코팅층을 형성하는 기술이 개시되고 있다. 이와 같이 코팅층이 형성된 그라파이트의 물리화학적 특성은 다양한 응용분야에서 요구되는 조건을 충족시켜 주며, 그라파이트 소재의 단점을 극복할 수 있는 가장 효과적인 방법으로 여겨지고 있다.Therefore, a technique of forming a SiC and Si3N4 coating layer on a graphite material has been disclosed. The physicochemical properties of the graphite having the coating layer formed therein satisfy the requirements in various application fields and are regarded as the most effective method to overcome the drawbacks of the graphite material.

도 1은 그라파이트 재질의 기재에 SiC박막이 증착된 LED 제조용 서셉터(S)를나타낸 것이다. 구체적으로 설명하면, LED 제조공정에는 사파이어 웨이퍼가 이용되는데, 사파이어 웨이퍼는 서셉터(S)에 의해 지지되어 여러 공정을 거쳐 제조되는 것이다. 통상 서셉터에는 사파이어 웨이퍼가 안착되는 다수의 포켓이 형성되어 있다. Fig. 1 shows a susceptor (S) for manufacturing an LED in which a SiC thin film is deposited on a substrate made of a graphite material. More specifically, a sapphire wafer is used for the LED manufacturing process, and the sapphire wafer is supported by the susceptor S and is manufactured through various processes. Usually, a plurality of pockets on which a sapphire wafer is seated is formed in the susceptor.

도 2 내지 도 4는 종래 서셉터 제조장치(1)를 나타낸 것이다. 도시된 바와 같이, 서셉터 제조장치(1)는 기재상에 소정의 박막을 증착하는 공정이 수행되는 머플(muffle,10)과, 상기 머플을 가열하는 히터(20)와, 상기 머플의 온도를 유지시키는 단열챔버(30)와, 상기 단열챔버(30)를 감싸는 외부챔버(40)를 포함한다. Figs. 2 to 4 show a conventional susceptor manufacturing apparatus 1. Fig. As shown, the susceptor manufacturing apparatus 1 includes a muffle 10 on which a process for depositing a predetermined thin film is performed on a substrate, a heater 20 for heating the muffle, And an outer chamber 40 which surrounds the heat insulating chamber 30. The heat insulating chamber 30 is formed of a heat insulating material.

또한 상기 외부챔버(40)와, 단열챔버(30)와, 머플(10)에는 반응가스가 공급되는 공급튜브(미도시)와, 가스를 배출하는 배출튜브(50)가 형성된다. The outer chamber 40, the heat insulating chamber 30 and the muffle 10 are formed with a supply tube (not shown) for supplying the reaction gas and a discharge tube 50 for discharging the gas.

도 5는 도 4의 히터(20) 내측으로 구비되는 머플(10)을 도시한 것이다. 상기 머플(10)의 일측면에는 반응가스가 공급되는 공급포트(11)가 형성된 것을 알 수 있다. Fig. 5 shows a muffle 10 provided inside the heater 20 of Fig. It can be seen that a supply port 11 through which the reaction gas is supplied is formed on one side of the muffle 10.

이와 같이 구성된 종래의 서셉터 제조장치의 작동상태를 설명한다. The operation state of the conventional susceptor manufacturing apparatus constructed as described above will be described.

도 3을 참조하면, 턴테이블(60)상에 지그(미도시)를 적재하고, 지그에는 복수의 기재(미도시)가 안착되어 있다. 이 상태에서 히터(20)를 작동시켜 분위기로 상기 머플(10)의 내부온도를 반응에 필요한 적정온도로 상승시킨다. 한편, 상기 머플(10)의 외측에는 단열챔버(30)가 구비되어 있어 머플(10)의 내부온도가 일정하게 유지되는 것이다. 이 상태에서 공급포트(11)로 반응가스를 공급하여 화학기상증착하여 기재상에 박막을 형성하는 것이다. 3, a jig (not shown) is mounted on the turntable 60, and a plurality of substrates (not shown) are seated on the jig. In this state, the heater 20 is operated to raise the internal temperature of the muffle 10 to an appropriate temperature necessary for the reaction. On the other hand, the heat insulating chamber 30 is provided on the outer side of the muffle 10 so that the internal temperature of the muffle 10 is kept constant. In this state, a reaction gas is supplied to the supply port 11 and chemical vapor deposition is performed to form a thin film on the substrate.

약 1,300 ℃온도에서 일정시간 공정을 진행하여 증착이 완료되면, 제조된 서셉터를 언로딩하고 다시 기재를 지그에 로딩하기 위하여 챔버의 하부리드를 개방해야 하는데, 이 때 하부리드를 개방하기 전에 머플 내부의 온도를 300℃이하로 냉각해야 한다. When the deposition is completed at a temperature of about 1,300 < 0 > C and the deposition is completed, the manufactured susceptor is unloaded and the lower lead of the chamber is opened to load the substrate into the jig again. The internal temperature should be cooled to 300 ° C or less.

종래에는 자연냉각으로 머플(10) 내부의 온도가 약 300℃까지 하강하면 챔버를 개방했다. 통상 머플(10) 내부 온도를 상기 온도까지 자연냉각하는데 약 13시간 정도가 소요되어 공정시간이 지연되는 문제점이 있었다. 특히, 머플은 공정온도를 일정하게 유지하기 위하여 외측에 단열챔버에 의해 감싸져 있기 때문에 냉각시간이 더욱 소요되는 것이다.
Conventionally, when the temperature inside the muffle 10 is lowered to about 300 ° C by natural cooling, the chamber is opened. It usually takes about 13 hours to naturally cool the inner temperature of the muffle 10 to the above temperature, thereby delaying the process time. In particular, the muffle takes longer cooling time because it is enclosed by the adiabatic chamber on the outside in order to keep the process temperature constant.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 단열챔버에 개폐가능한 개구부를 형성하고, 냉각팬으로 냉각가스를 강제로 순환시켜 머플을 신속하게 냉각할 수 있는 서셉터 제조장치를 제공함에 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a susceptor which can open and close an openable and closable opening in a heat insulating chamber, Device.

위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 의한 서셉터 제조장치는 기재를 내부에 적재하여 소정의 박막을 형성하는 머플(muffle); 상기 머플의 내부온도를 공정조건에 맞게 가열하는 히터; 상기 히터를 사이에 두고 상기 머플을 감싸 상기 머플의 내부온도를 일정하게 유지하며, 적어도 1 이상의 제1개구부가 형성되는 단열챔버; 상기 단열챔버를 감싸는 외부챔버; 및 상기 외부챔버의 내부로 냉각가스를 공급하여 상기 개구부를 통해 상기 단열챔버의 내부를 냉각시키는 냉각가스 공급수단;을 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a susceptor manufacturing apparatus comprising: a muffle for forming a predetermined thin film on a substrate; A heater for heating the internal temperature of the muffle according to process conditions; A heat insulating chamber in which at least one or more first openings are formed by keeping the internal temperature of the muffle constant by wrapping the muffle with the heater interposed therebetween; An outer chamber surrounding the adiabatic chamber; And a cooling gas supplying means for supplying a cooling gas into the outer chamber to cool the inside of the heat insulating chamber through the opening.

또한 상기 외부챔버의 내벽에는 냉각유로가 형성되는 것이 바람직하다. Further, it is preferable that a cooling passage is formed on the inner wall of the outer chamber.

또한 상기 제1개구부를 개폐하는 게이트밸브가 더 구비되는 것이 바람직하다. It is further preferable that a gate valve for opening and closing the first opening is further provided.

또한 상기 제1개구부를 개폐하도록 상기 게이트밸브를 작동시키는 상기 제1구동원을 포함하는 것이 바람직하다. And the first driving source for operating the gate valve to open and close the first opening.

또한 상기 제1구동원은 에어실린더인 것이 바람직하다. The first driving source is preferably an air cylinder.

또한 상기 냉각가스를 순환시키는 냉각팬이 더 구비되는 것이 바람직하다. And a cooling fan for circulating the cooling gas.

또한 상기 냉각팬은 상기 외부챔버의 상부에 구비되는 것이 바람직하다. Further, the cooling fan is preferably provided on the upper portion of the outer chamber.

또한 상기 외부챔버의 상면에는 제2개구부가 구비되며, 상기 제2개구부를 개폐하는 도어가 더 구비되는 것이 바람직하다. It is preferable that a second opening is provided on the upper surface of the outer chamber, and a door for opening and closing the second opening is further provided.

또한 상기 도어는 제2구동원에 의해 슬라이딩되어 상기 개구부를 개폐하는 것이 바람직하다. And the door is slid by the second driving source to open / close the opening.

또한 상기 제2구동원은 에어실린더인 것이 바람직하다. The second driving source is preferably an air cylinder.

또한 상기 도어의 슬라이딩 운동을 안내하는 안내부가 더 구비되는 것이 바람직하다. Further, it is preferable that a guide portion for guiding the sliding motion of the door is further provided.

또한 상기 냉각가스는 아르곤 또는 질소인 것이 바람직하다.
The cooling gas is preferably argon or nitrogen.

본 발명에 따르면, 단열챔버에 개폐가능한 개구부를 형성하여 외부챔버를 통해 공급되는 냉각가스를 단열챔버의 내부로 순환시켜 머플의 내부온도를 신속하게 냉각할 수 있는 효과가 있다. According to the present invention, it is possible to cool the inner temperature of the muffle by circulating the cooling gas supplied through the outer chamber to the inside of the heat insulating chamber by forming an openable and closable opening in the heat insulating chamber.

특히, 냉각팬을 냉각가스를 강제로 순환시켜 머플을 보다 신속하게 냉각할 수 있다.
In particular, it is possible to cool the muffle more quickly by forcibly circulating the cooling gas through the cooling fan.

도 1은 일반적인 LED 제조용 서셉터를 나타낸 것이다.
도 2 내지 도 5는 종래 서셉터 제조장치를 나타낸 것이다.
도 6 내지 도 10은 본 발명에 의한 서셉터 제조장치를 나타낸 것이다.
도 11은 본 발명에 의한 작동상태를 나타낸 것이다. Figure 1 shows a typical susceptor for manufacturing LEDs.
2 to 5 show a conventional susceptor manufacturing apparatus.
6 to 10 show an apparatus for manufacturing a susceptor according to the present invention.
11 shows an operating state according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 실시예의 구성 및 작용을 설명한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a configuration and an operation of an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 본 발명에 의한 서셉터 제조장치(100)는 머플(110)과, 히터(120)와, 단열챔버(130)와, 외부챔버(140)와, 냉각가스 공급수단(160)을 포함한다. 6 to 8, a susceptor manufacturing apparatus 100 according to the present invention includes a muffle 110, a heater 120, a heat insulating chamber 130, an outer chamber 140, (160).

상기 머플(110)은 기재를 내부에 적재하여 소정의 박막을 형성하는 구성요소이다. 상기 기재는 지그에 복수개 안착되고, 상기 지그는 턴테이블(150)에 적재되어 공정중에는 턴테이블(150)을 이용하여 기재를 회전시키면서 반응을 한다. The muffle 110 is a component that forms a predetermined thin film by loading a substrate therein. A plurality of the substrates are placed on the jig, and the jig is loaded on the turntable 150 and reacts while rotating the substrate using the turntable 150 during the process.

상기 히터(120)는 상기 머플(110)의 내부 온도를 공정조건에 맞게 상승시키는 구성요소이다. The heater 120 is a component that raises the internal temperature of the muffle 110 according to process conditions.

상기 단열챔버(130)는 상기 히터(120)를 사이에 두고 상기 머플(110)을 감싸도록 구성되며, 소재 및 구조 특성상 상기 머플(110)의 내부온도를 일정하게 유지시키는 구성요소이다. 본 실시예에서는 스테인리스 스틸 내에 석면을 충진하여 구성한다. The heat insulating chamber 130 is configured to surround the muffle 110 with the heater 120 interposed therebetween and maintains the internal temperature of the muffle 110 at a constant level due to its material and structure. In this embodiment, asbestos is filled in stainless steel.

상기 외부챔버(140)는 상기 단열챔버(130)를 감싸며 내부를 냉각하기 위해 냉각수가 흐르는 냉각유로(144)가 형성되어 있다. The outer chamber 140 surrounds the heat insulating chamber 130 and has a cooling passage 144 through which cooling water flows to cool the inside of the outer chamber 140.

특히, 본 실시예에서는 상기 단열챔버(130)의 하부에 제1개구부(131)가 등간격으로 4개 형성되어 있고, 상기 제1개구부(131)를 개폐하는 게이트밸브(132)가 형성되며, 상기 4개의 게이트밸브(132)를 각각 작동시켜 상기 제1개구부(131)를 개폐하는 제1구동원으로서 에어실린더(133)가 구비된다. Particularly, in this embodiment, four first openings 131 are formed at equal intervals at the lower part of the heat insulating chamber 130, a gate valve 132 for opening and closing the first openings 131 is formed, An air cylinder 133 is provided as a first driving source for opening and closing the first opening 131 by operating the four gate valves 132, respectively.

마찬가지로 상기 외부챔버(140)의 상면에는 제2개구부(141)가 형성되며, 상기 제2개구부(141)를 개폐하는 도어(142) 및 상기 도어(142)를 슬라이딩시키는 제2구동원으로서 에어실린더(143)가 구비된다. A second opening 141 is formed on the upper surface of the outer chamber 140 and a door 142 for opening and closing the second opening 141 and a second driving source for sliding the door 142 143 are provided.

또한, 본 실시예에서는 상기 외부챔버(140)의 상부에 리드(180)가 더 구비되는데, 상기 리드(180)를 통해 질소 또는 아르곤 등의 냉각가스를 공급한다. 이를 위해 냉각가스 공급수단(160)이 구비되는 것은 당연하다. In this embodiment, a lead 180 is further provided at an upper portion of the outer chamber 140, and a cooling gas such as nitrogen or argon is supplied through the lead 180. It is natural that the cooling gas supply means 160 is provided for this purpose.

이와 같이 공급된 냉각가스를 외부챔버(140) 내부에서 강제순환시키도록 냉각팬(171)이 리드(180)의 내부 상면에 설치되고, 상기 리드(180)의 상방에는 상기 냉각팬)171(을 구동하는 구동모터(172)가 구비된다. The cooling fan 171 is installed on the upper surface of the lead 180 so that the supplied cooling gas is forcedly circulated in the outer chamber 140 and the cooling fan 171 And a driving motor 172 for driving the motor.

도 9를 참조하면, 상기 외부챔버(140)의 상부에 형성된 제2개구부(141)를 개폐하는 도어(142)를 도시한 것이다. 도시된 바와 같이, 상기 도어(142)는 에어실린더(143)에 의해 슬라이딩되면서 제2개구부(141)를 개폐하여 냉각가스를 공급할 수 있다. 또한 상기 도어(142)는 안내에 의해 슬라이딩 운동한다. Referring to FIG. 9, a door 142 for opening and closing a second opening 141 formed in an upper portion of the outer chamber 140 is illustrated. As shown in the figure, the door 142 is slid by the air cylinder 143 to open and close the second opening 141 to supply the cooling gas. Further, the door 142 is slidably moved by guiding.

도 10을 참조하면, 단열챔버(130)에 형성된 제1개구부(131)를 개폐하는 게이트밸브(132)를 도시한 것이다. 도시된 바와 같이, 상기 게이트밸브(132)는 에어실린더(133)의 실린더 로드의 진퇴에 의해 제1개구부(131)를 폐쇄 또는 개방하도록 작동된다. Referring to FIG. 10, the gate valve 132 opens and closes the first opening 131 formed in the heat insulating chamber 130. As shown in the figure, the gate valve 132 is operated to close or open the first opening 131 by advancing and retracting the cylinder rod of the air cylinder 133.

도 11을 참조하여 본 발명에 의한 서셉터 제조장치의 작동상태를 설명한다. 히터(120)를 이용하여 머플(110)의 내부를 일정온도로 상승시켜 기재상에 소정의 박막을 형성한 다음, 공정이 완료되면, 에어실린더(133)으로 게이트밸브(132)를 작동시켜 제1개구부(131)를 개방한다. 또한 에어실린더(143)으로 도어(142)를 슬라이딩하여 제2개구부(141)를 개방한다. 이 상태에서 가스공급수단에서 제2개구부(141)를 통해 외부챔버(140)의 내부로 냉각가스를 공급한다. The operating state of the susceptor manufacturing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. The inside of the muffle 110 is raised to a predetermined temperature by using the heater 120 to form a predetermined thin film on the substrate. When the process is completed, the gate valve 132 is operated by the air cylinder 133, 1, the opening 131 is opened. Further, the door 142 is slid by the air cylinder 143 to open the second opening 141. In this state, the gas supply means supplies the cooling gas to the inside of the outer chamber 140 through the second opening 141.

상기 외부챔버(140)의 내부로 주입된 냉각가스는 제1개구부(131)를 통해 단열챔버(130)의 내부로 흐르게 되어 열교환을 통해 머플(110)을 신속하게 냉각할 수 있는 것이다. The cooling gas injected into the outer chamber 140 flows into the interior of the heat insulating chamber 130 through the first opening 131 to rapidly cool the muffle 110 through heat exchange.

한편, 단열챔버(130) 내부의 냉각가스는 머플(110)의 열을 빼앗아 온도가 상승하는데, 상승된 가스는 다시 제1개구부(131)를 통해 단열챔버(130)의 외부(외부챔버의 내부)로 빠져나오게 되며, 이때 외부챔버(140)의 냉각유로(144)를 통해 순환하는 냉각수와 열을 교환하여 다시 냉각된다. On the other hand, the cooling gas in the adiabatic chamber 130 takes the heat of the muffle 110 to raise the temperature, and the raised gas is supplied to the outside of the adiabatic chamber 130 through the first opening 131 At this time, the heat is exchanged with the cooling water circulating through the cooling channel 144 of the outer chamber 140, and is cooled again.

특히, 리드(180)의 상부에 구비된 냉각팬(171)을 작동시켜 외부챔버(140) 내부에서 가스흐름을 강제로 순환시키게 되면, 보다 신속하게 머플을 냉각시킬 수 있게 된다.
Particularly, when the cooling fan 171 provided in the upper portion of the lead 180 is operated to forcefully circulate the gas flow in the outer chamber 140, the muffle can be cooled more quickly.

100: 서셉터 제조장치 110: 머플
120: 히터 130: 단열챔버
131: 제1개구부 132: 게이트밸브
133: 에어실린더 140: 외부챔버
141: 제2개구부 142: 도어
143: 에어실린더 144: 냉각유로
150: 턴테이블 160: 가스공급수단
171: 냉각팬 172: 구동모터
180: 리드 100: susceptor manufacturing apparatus 110: muffle
120: heater 130: adiabatic chamber
131: first opening 132: gate valve
133: air cylinder 140: outer chamber
141: second opening 142: door
143: air cylinder 144: cooling channel
150: turntable 160: gas supply means
171: cooling fan 172: drive motor
180: Lead

Claims (12)

기재를 내부에 적재하여 박막을 형성하는 머플(muffle);
상기 머플의 내부온도를 공정조건에 맞게 가열하는 히터;
상기 히터를 사이에 두고 상기 머플을 감싸 상기 머플의 내부온도를 일정하게 유지하며, 적어도 1 이상의 제1개구부가 형성되는 단열챔버;
상기 단열챔버를 감싸며 제2개구부가 구비되는 외부챔버;
상기 외부챔버의 내부로 냉각가스를 공급하여 상기 개구부를 통해 상기 단열챔버의 내부를 냉각시키는 냉각가스 공급수단;
상기 냉각가스를 순환시키는 냉각팬; 및
상기 제2개구부를 개폐하는 도어;를 포함하며,
상기 도어는 제2구동원에 의해 슬라이딩되어 상기 제2개구부를 개폐하는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.
A muffle for laminating a substrate to form a thin film;
A heater for heating the internal temperature of the muffle according to process conditions;
A heat insulating chamber in which at least one or more first openings are formed by keeping the internal temperature of the muffle constant by wrapping the muffle with the heater interposed therebetween;
An outer chamber surrounding the heat insulating chamber and having a second opening;
Cooling gas supply means for supplying a cooling gas into the outer chamber to cool the inside of the heat insulating chamber through the opening;
A cooling fan circulating the cooling gas; And
And a door that opens and closes the second opening,
And the door is slid by the second driving source to open / close the second opening.
제1항에 있어서,
상기 외부챔버의 내벽에는 냉각유로가 형성되는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.
The method according to claim 1,
And a cooling channel is formed on the inner wall of the outer chamber.
제1항에 있어서,
상기 제1개구부를 개폐하는 게이트밸브가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.
The method according to claim 1,
And a gate valve for opening / closing the first opening.
제3항에 있어서,
상기 제1개구부를 개폐하도록 상기 게이트밸브를 작동시키는 제1구동원을 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.

The method of claim 3,
And a first driving source for operating the gate valve to open and close the first opening.

삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 냉각팬은 상기 외부챔버의 상부에 구비되는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.


The method according to claim 1,
And the cooling fan is provided on the upper portion of the outer chamber.


삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 도어의 슬라이딩 운동을 안내하는 안내부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a guide portion for guiding the sliding motion of the door.
제1항에 있어서,
상기 냉각가스는 아르곤 또는 질소인 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.
The method according to claim 1,
Wherein the cooling gas is argon or nitrogen.
KR20130046418A 2013-04-26 2013-04-26 Susceptor manufacturing apparatus with cooling fan KR101511512B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130046418A KR101511512B1 (en) 2013-04-26 2013-04-26 Susceptor manufacturing apparatus with cooling fan

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130046418A KR101511512B1 (en) 2013-04-26 2013-04-26 Susceptor manufacturing apparatus with cooling fan

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140127955A KR20140127955A (en) 2014-11-05
KR101511512B1 true KR101511512B1 (en) 2015-04-13

Family

ID=52451941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20130046418A KR101511512B1 (en) 2013-04-26 2013-04-26 Susceptor manufacturing apparatus with cooling fan

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101511512B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102444786B1 (en) * 2021-12-23 2022-09-19 주식회사 에이치피에스피 High Pressure Chamber to Improve Cooling Efficiency
KR102441994B1 (en) * 2021-12-27 2022-09-08 주식회사 에이치피에스피 Fast Cooling High Pressure Chamber
KR102606702B1 (en) * 2022-11-04 2023-11-29 주식회사 에이치피에스피 High pressure heat treatment apparatus and process gas line used therefor

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0726696U (en) * 1993-10-28 1995-05-19 石川島播磨重工業株式会社 Vacuum furnace
JPH0829069A (en) * 1994-07-08 1996-02-02 Kobe Steel Ltd Cooling method for hot isotropic pressure device
JP4063661B2 (en) * 2002-12-27 2008-03-19 株式会社日立国際電気 Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method
JP2013007549A (en) * 2011-06-27 2013-01-10 Tokyo Electron Ltd Heat treatment furnace, and heat treatment apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0726696U (en) * 1993-10-28 1995-05-19 石川島播磨重工業株式会社 Vacuum furnace
JPH0829069A (en) * 1994-07-08 1996-02-02 Kobe Steel Ltd Cooling method for hot isotropic pressure device
JP4063661B2 (en) * 2002-12-27 2008-03-19 株式会社日立国際電気 Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method
JP2013007549A (en) * 2011-06-27 2013-01-10 Tokyo Electron Ltd Heat treatment furnace, and heat treatment apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140127955A (en) 2014-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7624772B2 (en) Load lock apparatus, processing system and substrate processing method
KR100245289B1 (en) Cooling apparatus and cooling method for semiconductor wafers
US9224623B2 (en) Microwave irradiation apparatus
US20190148186A1 (en) High pressure steam anneal processing apparatus
KR101664939B1 (en) Load lock device
US20090184109A1 (en) Processing apparatus and process method
JP2016029700A (en) Substrate processing device and method
KR101610637B1 (en) Apparatus for film formation and method for film formation
KR101511512B1 (en) Susceptor manufacturing apparatus with cooling fan
JP2012517526A (en) Chemical vapor deposition system and chemical vapor deposition process
JP5933837B2 (en) System and method for processing a substrate
JP2012023073A (en) Substrate processing device and method for manufacturing substrate
US10425990B2 (en) Vacuum processing device
US20170254592A1 (en) Thermal treatment device
JP6554387B2 (en) Substrate cooling method in load lock apparatus, substrate transfer method, and load lock apparatus
JP2012069831A (en) Substrate processing device and method for manufacturing semiconductor device
KR101258658B1 (en) Apparatus for rapid thermal processing with double chambers
JP6116685B2 (en) Apparatus and method for heat treating an object
KR20110092417A (en) The apparatus and method for fabricating graphene
JP6184718B2 (en) Heat treatment furnace
US9105672B2 (en) Heat treatment apparatus
KR20140085584A (en) Substrate processing device and substrate processing method using same
KR102205384B1 (en) Substrate processing apparatus and cooling method of substrate
JPH0737827A (en) Heat treatment device
JP2008283143A (en) Treatment equipment, and transistor manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180410

Year of fee payment: 4