KR101507392B1 - plasma reactor - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 반응기에 관한 것으로, 구체적으로는 기판(Wafer)의 면적이 넓어짐에 따라 같이 면적이 넓어지는 유전체 윈도우의 균열 및 파손을 막기 위해 복수개의 조각으로 유전체 윈도우를 구성한 플라즈마 반응기에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma reactor, and more particularly, to a plasma reactor in which a dielectric window is formed of a plurality of pieces to prevent cracking and breakage of a dielectric window having a wider area as the area of a wafer increases.

본 발명은 피처리 기판이 수용되는 공간을 갖는 진공챔버, 상기 진공 챔버에 설치되는 유전체 윈도우, 상기 유전체 윈도우 영역에 구비되며 유도코일이 권선된 복수 개의 페라이트 코어 및 상기 진공챔버 내부로 가스를 공급하기 위한 제1 가스공급부를 포함하고, 상기 유전체 윈도우는 상기 페라이트 코어와 접하는 영역에 둘 이상의 조각들로 형성된다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, which includes a vacuum chamber having a space for accommodating a substrate to be processed, a dielectric window provided in the vacuum chamber, a plurality of ferrite cores provided in the dielectric window region and having an induction coil wound therearound, And the dielectric window is formed of two or more pieces in an area in contact with the ferrite core.

본 발명의 플라즈마 반응기에 의하면, 진공 챔버의 천정을 형성하는 유전체 윈도우를 둘 이상의 조각으로 형성하여, 기판 및 진공챔버의 사이즈가 증가함에 구애받지 않고, 플라즈마 반응기의 처리 설비의 구성과 유지 보수의 효율을 높일 수 있다.According to the plasma reactor of the present invention, the dielectric window forming the ceiling of the vacuum chamber is formed into two or more pieces so that the construction of the processing facility of the plasma reactor and maintenance efficiency .

플라즈마 반응기, 유전체 윈도우, 페라이트 코어 Plasma reactor, dielectric window, ferrite core

Description

플라즈마 반응기{PLASMA REACTOR}[0001] Plasma Reactor [0002]

본 발명은 플라즈마 반응기에 관한 것으로, 구체적으로는 기판(Wafer)의 면적이 넓어짐에 따라 같이 면적이 넓어지는 유전체 윈도우의 균열 및 파손을 막기 위해 복수개의 조각으로 유전체 윈도우를 구성한 플라즈마 반응기에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma reactor, and more particularly, to a plasma reactor in which a dielectric window is formed of a plurality of pieces to prevent cracking and breakage of a dielectric window having a wider area as the area of a wafer increases.

반도체 소자의 초미세화 그리고 기판 사이즈의 증가 그리고 새로운 처리 대상물질의 등장 등의 여러 요인으로 인하여 반도체 제조 공정에서는 더욱 향상된 기판처리 기술이 요구되고 있다. 특히, 플라즈마를 이용한 반도체 제조 공정으로 건식 에칭 공정 분야나 물리적/화학적 기상 증착 분야에서는 이러한 기술적 요구에 대응하여 자기장을 이용하여 고밀도의 플라즈마를 균일하게 얻을 수 있는 플라즈마 반응기에 대한 기술 개발이 지속되고 있다. Due to various factors such as ultra-miniaturization of semiconductor devices, increase in substrate size, and appearance of new materials to be processed, further improved substrate processing technology is required in the semiconductor manufacturing process. Particularly, in the field of dry etching process or physical / chemical vapor deposition in a semiconductor manufacturing process using plasma, development of a plasma reactor capable of uniformly obtaining a high density plasma using a magnetic field in response to such technical requirements has been continued .

일반적으로 플라즈마 반응기의 압력을 낮추면 이온의 평균자유거리가 늘어나 기판에 충돌하는 이온의 에너지가 증가하고 이온들 간의 산란현상도 줄어들기 때문에 에칭에 유리한 것으로 알려져 있다. 그러나 압력이 낮아지면 전자들 역시 평균 자유거리가 늘어나 중성원자들과의 충돌이 감소하므로 플라즈마 상태를 유지하기가 어려워진다. 그러므로 낮은 압력에서도 플라즈마를 유지할 수 있도록 자기장을 이 용하여 전자들의 이동 거리를 증가시켜 중성원자들의 충돌 빈도를 놀펴 낮은 압력에서도 플라즈마가 유지될 수 있는 기술이 제안되고 있다. Generally, lowering the pressure of the plasma reactor is known to be advantageous for etching because the average free distance of the ions increases and the energy of the ions impinging on the substrate increases and the scattering phenomenon between the ions decreases. However, as the pressure is lowered, the electrons also increase in the average free distance, which reduces the collision with neutral atoms, making it difficult to maintain the plasma state. Therefore, a technique has been proposed in which plasma can be maintained at a low pressure by stimulating the collision frequency of neutral atoms by increasing the travel distance of electrons using a magnetic field so as to maintain the plasma even at a low pressure.

또한, 기판 사이즈가 증가함에 따라 기판이 처리되는 진공챔버의 사이즈도 증가되고 이로 인해 진공챔버의 천정을 형성하는 유전체 윈도우의 사이즈도 증가되고 있다. 일반적으로 유전체 윈도우는 석영 또는 세라믹 등의 절연물질이 사용된다. 그러나 상기한 유전체 윈도우는 사이즈가 증가함에 따라 균열 및 파손의 우려가 있기 때문에, 이를 해결하기 위한 수단이 요구되고 있다. In addition, as the substrate size increases, the size of the vacuum chamber in which the substrate is processed is also increased, thereby increasing the size of the dielectric window that forms the ceiling of the vacuum chamber. Generally, a dielectric window is used as an insulating material such as quartz or ceramics. However, as the size of the above-mentioned dielectric window increases, there is a risk of cracking and breakage. Thus, a means for solving this problem is required.

본 발명의 목적은 플라즈마 반응기를 구성하는 진공챔버에 구비되는 유전체 윈도우를 일체로 형성하지 않고 여러 조각으로 분리하여 진공챔버의 사이즈가 증가하여도 유전체 윈도우의 균열 및 파손을 방지하는 플라즈마 반응기를 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a plasma reactor in which a dielectric window provided in a vacuum chamber constituting a plasma reactor is separated into a plurality of pieces without integrally forming the dielectric window to prevent cracking and breakage of the dielectric window even when the size of the vacuum chamber is increased It has its purpose.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 피처리 기판이 수용되는 공간을 갖는 진공챔버, 상기 진공 챔버에 설치되는 유전체 윈도우, 상기 유전체 윈도우 영역에 구비되며 유도코일이 권선된 복수 개의 페라이트 코어 및 상기 진공챔버 내부로 가스를 공급하기 위한 제1 가스공급부를 포함하고, 상기 유전체 윈도우는 상기 페라이트 코어와 접하는 영역에 둘 이상의 조각들로 형성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel including a vacuum chamber having a space for accommodating a substrate to be processed, a dielectric window provided in the vacuum chamber, a plurality of ferrite cores provided in the dielectric window region, And a first gas supply part for supplying gas into the vacuum chamber, wherein the dielectric window is formed of two or more pieces in an area in contact with the ferrite core.

일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 조각들로 형성된 유전체윈도우는 유전체 윈도우를 제외한 영역에 지지체를 더 포함한다. In one embodiment, the dielectric window formed of the plurality of pieces further comprises a support in an area other than the dielectric window.

일 실시예에 있어서, 상기 유전체 윈도우와 지지체 간에는 서로 기밀성을 유지하기 위한 가스켓이 구비된다. In one embodiment, gaskets are provided between the dielectric window and the support to maintain airtightness.

일 실시예에 있어서, 상기 유전체 윈도우와 진공챔버 사이에는 플라즈마 공정에 의하여 유전체 윈도우의 훼손을 방지하기 위한 보호판이 더 포함된다. Between the dielectric window and the vacuum chamber, a protection plate is further included to prevent damage to the dielectric window by the plasma process.

일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 페라이트 코어는 방사형으로 배치된다. In one embodiment, the plurality of ferrite cores are arranged radially.

일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 페라이트 코어는 다각형 형상으로 일단이 서로 이웃하도록 형성된다. In one embodiment, the plurality of ferrite cores are formed in a polygonal shape so that their ends are adjacent to each other.

일 실시예에 있어서, 상기 페라이트 코어에 권선된 코일은 전원을 분배하여 공급하는 전원분배회로를 포함한다. In one embodiment, the coil wound on the ferrite core includes a power distribution circuit that distributes and supplies power.

일 실시예에 있어서, 상기 제1 가스공급부를 제외한 영역에 제2 가스 공급부를 포함한다. In one embodiment, a second gas supply unit is provided in an area other than the first gas supply unit.

일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 가스공급부에는 서로 다른 종류의 공정 가스가 분리되어 입력된다. In one embodiment, different types of process gases are separately input to the first and second gas supply units.

본 발명의 플라즈마 반응기에 의하면, 진공 챔버의 천정을 형성하는 유전체 윈도우를 둘 이상의 조각으로 형성하여, 기판 및 진공챔버의 사이즈가 증가함에 구애받지 않고, 플라즈마 반응기의 처리 설비의 구성과 유지 보수의 효율을 높일 수 있다.According to the plasma reactor of the present invention, the dielectric window forming the ceiling of the vacuum chamber is formed into two or more pieces so that the construction of the processing facility of the plasma reactor and maintenance efficiency .

본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.For a better understanding of the present invention, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified into various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described in detail below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Therefore, the shapes and the like of the elements in the drawings can be exaggeratedly expressed to emphasize a clearer description. It should be noted that in the drawings, the same members are denoted by the same reference numerals. Detailed descriptions of well-known functions and constructions which may be unnecessarily obscured by the gist of the present invention are omitted.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로서, 본 발명의 플라즈마 반응기를 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings, and the plasma reactor of the present invention will be described in detail.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시도이고, 도 2는 유전체 윈도우 및 페라이트 코어의 배치를 나타낸 사시도이며, 도 3은 도1의 플라즈마 반응기의 내부 구조를 나타내 단면도이다. FIG. 1 is a perspective view of a plasma reactor according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing an arrangement of a dielectric window and a ferrite core, and FIG. 3 is a sectional view showing the internal structure of the plasma reactor of FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 플라즈마 반응기는 바디를 구성하는 챔버하우징(12)과 상기 챔버하우징(12)의 천정을 형성하는 보호판(34)으로 구성되는 진공챔버(10)를 구비한다. 상기 진공챔버(10)의 내부에는 피처리 기판(16)이 놓이는 기판 지지대(14)가 구비된다. 챔버 하우징(12)의 하단에는 가스 배기를 위한 가스출구(11)가 구비되고 진공펌프(미도시)에 연결된다. 피처리 기판(W)은 예를 들 어, 반도체 장치를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 기판 또는 액정 디스플레이나 플라즈마 디스플레이 등의 제조를 위한 유리 기판이다. 1 to 3, the plasma reactor of the present invention includes a vacuum chamber 10 including a chamber housing 12 constituting a body and a protection plate 34 forming a ceiling of the chamber housing 12 do. A substrate support 14 on which the substrate 16 to be processed is placed is provided in the vacuum chamber 10. At the lower end of the chamber housing 12, a gas outlet 11 for gas exhaust is provided and connected to a vacuum pump (not shown). The substrate W to be processed is, for example, a silicon wafer substrate for manufacturing a semiconductor device or a glass substrate for manufacturing a liquid crystal display, a plasma display or the like.

상기 챔버 하우징(11)은 알루미늄, 스테인리스, 구리와 같은 금속 물질로 제작된다. 또는 코팅된 금속 예를 들어, 양극 처리된 알루미늄이나 니켈 도금된 알루미늄으로 제작될 수 있다. 또는 내화 금속(refractory metal)로 재작될 수 있다. 또 다른 대안으로 챔버 하우징(12)을 전체적으로 석영, 세라믹과 같은 전기적 절연 물질로 재작하는 것도 가능하며, 의도된 플라즈마 반응에 수행되기에 적합한 다른 물질로도 제작될 수 있다.The chamber housing 11 is made of a metal material such as aluminum, stainless steel, or copper. Or a coated metal such as anodized aluminum or nickel plated aluminum. Or a refractory metal. Alternatively, the chamber housing 12 may be entirely rewritten with an electrically insulating material such as quartz, ceramic, or other materials suitable for performing the intended plasma reaction.

상기 보호판(34)의 상부에는 원통형으로 형성되는 지지체(32)가 형성된다. 상기 지지체(32)의 내부에는 복수개의 페라이트 코어(50)와 상기 페라이트코어(50)와 접하는 유전체 윈도우(30)가 내장된다. 상기 보호판(34)에는 후술할 가스관(26)에 대응되도록 복수개의 통공(36)들이 형성된다. A support 32 formed in a cylindrical shape is formed on the protection plate 34. A plurality of ferrite cores (50) and a dielectric window (30) in contact with the ferrite core (50) are embedded in the support (32). A plurality of through holes 36 are formed in the protection plate 34 to correspond to a gas pipe 26 to be described later.

상기 페라이트 코어(50)는 방사형으로 배치되며, 각각의 페라이트 코어(50)들에는 유도코일(52)이 권선된다. 상기 페라이트 코어(50)는 "ㄷ"형상으로 형성되며, "ㄷ"의 개구된 부분, 자속 출입구가 진공챔버(10)의 내부로 향하도록 구비된다. 페라이트 코어(50)들의 개구된 두단 중 한단들은 중앙부에 구비되는 유전체 윈도우(30)와 공통으로 접하게 되며, 다른 일단들은 상기 지지체(32)의 가장자리 영역에 배치된 여러 조각들로 구성된 유전체 윈도우(30)와 접하게 된다. 상기 지지체(32)는 예를 들어 알루미늄 등과 같은 금속재질로 이루어진다. 방사형으로 배치된 복수 개의 페라이트 코어(50)에 의해 진공챔버(10)의 중앙 영역과 가장자리 영역에 자기장이 균일하게 유도되기 때문에 진공챔버(10) 내부로 플라즈마가 균일하게 발생한다.The ferrite core 50 is arranged radially, and each ferrite core 50 is wound with an induction coil 52. [ The ferrite core 50 is formed in a " C "shape, and has an opening portion" C " and a magnetic flux outlet port directed toward the inside of the vacuum chamber 10. One end of the two opened ends of the ferrite cores 50 are in common contact with the dielectric window 30 provided at the center portion and the other ends are connected to the dielectric window 30 . The support 32 is made of a metal material such as aluminum. A plurality of ferrite cores 50 disposed radially and uniformly induce a magnetic field in a central region and an edge region of the vacuum chamber 10 to uniformly generate plasma inside the vacuum chamber 10.

도 6은 도 3의 "A"부분을 확대한 부분확대 단면도이다. 6 is an enlarged partial cross-sectional view of the portion "A" in Fig.

상기 유전체 윈도우(30)와 지지체(32)는 서로 걸림턱을 가지고 결합되며, 서로 간에 기밀성을 유지하기 위한 가스켓(38)이 구비된다. 상기한 가스켓(38)은 "O"링을 사용하는 것이 바람직하다. The dielectric window 30 and the support 32 are coupled with each other with a latching jaw, and a gasket 38 is provided to maintain airtightness between the dielectric window 30 and the support 32. It is preferred that the gasket 38 use an "O" ring.

상기 지지체(32)의 상부에는 제1 가스공급부(20)가 구비된다. 상기 가스공급부(20)는 가스 공급원(미도시)에 연결되는 가스입구(22)가 구비되고, 내부에는 가스공급원으로부터 주입되는 가스를 균일하게 확산하기 위한 가스 샤워헤드(24)가 형성된다. 상기 제1 가스공급부(20)의 하부에는 공급된 가스가 진공챔버(10)로 유입될 수 있도록 복수개의 가스관(26)의 형성된다. 상기 가스관(26)은 유전체 윈도우(30), 지지체(32) 및 보호판(34)까지 관통되며, 진공챔버(10) 내부로 가스를 안내한다. A first gas supply unit 20 is provided on the support 32. The gas supply unit 20 is provided with a gas inlet 22 connected to a gas supply source (not shown), and a gas shower head 24 for uniformly diffusing gas injected from the gas supply source is formed therein. A plurality of gas pipes 26 are formed in the lower part of the first gas supply part 20 so that the supplied gas can be introduced into the vacuum chamber 10. The gas pipe 26 penetrates to the dielectric window 30, the support 32 and the protection plate 34 and guides the gas into the vacuum chamber 10.

도 4는 페라이트 코어에 권선된 코어의 전기적 연결을 나타낸 평면도이다. 4 is a plan view showing the electrical connection of the core wound on the ferrite core.

도 4를 참조하면, 페라이트 코어(50)에는 유도코일(52)이 권선된다. 상기 유도 코일(52)은 전원공급원(40)에 연결되어 플라즈마 유도를 위한 교류전원을 제공받는다. 상기 전원공급원(40)과 유도코일(52) 사이에는 임피던스 정합을 위한 임피던스 정합기(42)가 연결된다. 상기 각각의 페라이트 코어(50)에 권선된 유도코일(52)은 직렬로 연결되어 있으나, 병렬 또는 직렬 및 병렬혼합 방식 중 어느 하나의 방식으로 전원공급원(40)에 연결된다. Referring to FIG. 4, the ferrite core 50 is wound with an induction coil 52. The induction coil 52 is connected to a power source 40 and is supplied with AC power for plasma induction. An impedance matcher 42 for impedance matching is connected between the power source 40 and the induction coil 52. The induction coils 52 wound on the respective ferrite cores 50 are connected in series, but they are connected to the power source 40 in any one of a parallel type, a series and a parallel type.

도 5는 유도코일에 전원분배회로가 연결된 모습을 나타낸 도면이다. 5 is a view showing a state where a power distribution circuit is connected to an induction coil.

도 5를 참조하면, 각각의 유도코일(52)은 공통 접지되는 구성을 갖으며, 서로 병렬로 구성된다. 또한, 각각의 유도코일(52)은 전원분배 회로(60)와 연결된다. 전원공급원(40)을 통하여 공급된 교류전원은 임피던스 정합기(42)를 거쳐 전원분배회로(60)로 입력되고, 입력받은 전원은 각각의 유도코일(52)로 고르게 분배되는 것이다. Referring to FIG. 5, each induction coil 52 has a common grounded configuration and is configured in parallel with each other. Further, each of the induction coils 52 is connected to the power distributing circuit 60. The AC power supplied through the power supply source 40 is input to the power distribution circuit 60 via the impedance matcher 42 and the input power is distributed evenly to the respective induction coils 52. [

도 7 내지 도 8은 페라이트 코어의 다양한 배치를 나타낸 도면이다. 7 to 8 are views showing various arrangements of the ferrite core.

도 7을 참조하면, 페라이트 코어(50)는 방사형으로 배치되며, 개구부의 일단들은 서로 쌍을 이루어 지지체(32)의 상기 지지체(32)의 중앙부에 마련된 유전체 윈도우(30)와 접하고, 다른 일단들의 각각은 지지체(32)의 가장자리에 마련된 유전체 윈도우(30)들과 접하게 된다. 7, the ferrite core 50 is arranged radially, one ends of the openings are paired with each other to contact a dielectric window 30 provided at the center of the support 32 of the support 32, Each of which is in contact with the dielectric windows 30 provided at the edge of the support body 32.

도 8을 참조하면, 페라이트 코어(50)는 다각형의 형상으로 개구부의 일단들이 서로 이웃하도록 유전체 윈도우(30)와 접하게 구성된다. Referring to Fig. 8, the ferrite core 50 is configured to be in contact with the dielectric window 30 such that one ends of the openings are adjacent to each other in the shape of a polygon.

도 9은 본 발명에 따른 플라즈마 반응기에 2중 가스공급부가 구비된 모습을 나타낸 도면이다. 9 is a view showing a state in which a dual gas supply unit is provided in a plasma reactor according to the present invention.

도 9를 참조하면, 진공챔버(10)의 내부로 서로 다른 공정가스를 주입하기 위한 제1 가스 공급부(20)와 제2 가스공급부(70)가 구비된다. 제1 가스 공급부(20)는 진공챔버(10)를 기준으로 중앙부에 구비되며, 제2 가스공급부(70)는 진공챔버(10)의 가장자리 영역에 구비된다. Referring to FIG. 9, a first gas supply unit 20 and a second gas supply unit 70 for injecting different process gases into the vacuum chamber 10 are provided. The first gas supply part 20 is provided at a central portion with respect to the vacuum chamber 10 and the second gas supply part 70 is provided at an edge area of the vacuum chamber 10.

제1 및 제2 가스공급부(20, 70)는 각각의 가스 샤워헤드(24, 74)가 구비되고, 하부에는 제1 및 제2 가스를 안내하는 가스관(26, 76)들이 통공(36)들과 서로 대응된다. 이와 같은 구조에서, 진공 챔버(10)의 내부로 공급되는 공정 가스는 두 개의 가스 공급부(20, 70)를 통하여 중앙 영역과 가장자리 영역으로 공급되는 가스 의 용량을 각각 제어할 수 있어서 보다 균일한 플라즈마 발생과 처리가 가능하다. Each of the first and second gas supply units 20 and 70 is provided with gas shower heads 24 and 74 and gas pipes 26 and 76 for guiding the first and second gases are provided in the lower part thereof, Respectively. In such a structure, the process gas supplied to the inside of the vacuum chamber 10 can control the capacity of the gas supplied to the central region and the edge region through the two gas supply units 20 and 70, Generation and processing are possible.

이상에서 설명된 본 발명의 플라즈마 반응기의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그러므로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The embodiments of the plasma reactor of the present invention described above are merely illustrative and those skilled in the art will appreciate that various modifications and equivalent embodiments are possible without departing from the scope of the present invention. There will be. Therefore, it is to be understood that the present invention is not limited to the above-described embodiments. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims. It is also to be understood that the invention includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

이상과 같은 본 발명의 플라즈마 반응기는 반도체 집적 회로의 제조, 평판 디스플레이 제조, 태양전지의 제조와 같은 다양한 박막 형성을 위한 플라즈마 처리 공정에 매우 유용하게 이용될 수 있다.  The plasma reactor of the present invention as described above can be very usefully used in a plasma processing process for forming various thin films such as the manufacture of semiconductor integrated circuits, the manufacture of flat panel displays, and the production of solar cells.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시도이다. 1 is a perspective view of a plasma reactor according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 유전체 윈도우 및 페라이트 코어의 배치를 나타낸 사시도이다.2 is a perspective view showing the arrangement of the dielectric window and the ferrite core.

도 3은 도 1의 플라즈마 반응기의 내부 구조를 나타내 단면도이다.3 is a sectional view showing the internal structure of the plasma reactor of FIG.

도 4는 도 4는 페라이트 코어에 권선된 코어의 전기적 연결을 나타낸 평면도이다. 4 is a plan view showing an electrical connection of a core wound around a ferrite core.

도 5는 도 5는 유도코일에 전원분배회로가 연결된 모습을 나타낸 도면이다.5 is a view showing a state where a power distribution circuit is connected to an induction coil.

도 6은 도 3의 "A"부분을 확대한 부분확대 단면도이다.6 is an enlarged partial cross-sectional view of the portion "A" in Fig.

도 7 내지 도 8은 페라이트 코어의 다양한 배치를 나타낸 도면이다.7 to 8 are views showing various arrangements of the ferrite core.

도 9은 본 발명에 따른 플라즈마 반응기에 2중 가스공급부가 구비된 모습을 나타낸 도면이다. 9 is a view showing a state in which a dual gas supply unit is provided in a plasma reactor according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*Description of the Related Art [0002]

10: 진공 챔버 11: 가스 출구10: vacuum chamber 11: gas outlet

12: 챔버 하우징 14: 기판 지지대12: chamber housing 14: substrate support

16: 피처리 기판 20: 제1 가스공급부16: substrate to be processed 20: first gas supply part

22: 가스입구 24: 가스샤워헤드22: gas inlet 24: gas shower head

26: 가스관 30: 유전체 윈도우26: gas pipe 30: dielectric window

32: 지지체 34: 보호판32: Support body 34: Shield plate

36: 통공 38: 가스켓36: through hole 38: gasket

40: 전원 공급원 42: 임피던스 정합기40: Power source 42: Impedance matcher

43, 44: 바이어스 전원 46: 임피던스 정합기43, 44: bias power source 46: impedance matching device

50: 페라이트 코어 52: 유도코일50: ferrite core 52: induction coil

60: 전원분배회로 70: 제2 가스공급부60: power distribution circuit 70: second gas supply part

72: 가스입구 74: 가스샤워헤드72: gas inlet 74: gas shower head

76: 가스관 76: Gas pipe

Claims (9)

피처리 기판이 수용되는 공간을 갖는 진공챔버;A vacuum chamber having a space in which a substrate to be processed is accommodated; 상기 진공 챔버의 천장을 형성하도록 하나 이상의 조각들로 분리되어 설치되는 유전체 윈도우;A dielectric window separated and installed in one or more pieces to form a ceiling of the vacuum chamber; 상기 유전체 윈도우를 지지하기 위한 지지체;A support for supporting the dielectric window; 자속 출입구가 상기 진공챔버를 향하도록 상기 유전체 윈도우에 구비되며 유도코일이 권선된 복수 개의 페라이트 코어; 및A plurality of ferrite cores provided in the dielectric window such that a flux entrance is directed toward the vacuum chamber and an induction coil is wound; And 상기 진공챔버 내부로 가스를 공급하기 위한 제1 가스공급부를 포함하고And a first gas supply unit for supplying gas into the vacuum chamber 상기 복수 개의 페라이트 코어는 하나의 자속 출입구는 상기 진공챔버의 중심영역에 위치하고 다른 하나의 자속 출입구는 상기 진공챔버의 주변영역에 위치되도록 방사형으로 설치되어 균일한 플라즈마를 발생하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.Wherein the plurality of ferrite cores are radially provided so that one magnetic flux entrance is located in a central region of the vacuum chamber and the other magnetic flux entrance is located in a peripheral region of the vacuum chamber to generate a uniform plasma. . 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 복수개의 페라이트 코어는 다각형 형상으로 일단이 서로 이웃하도록 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기. Wherein the plurality of ferrite cores are formed in a polygonal shape so that one ends thereof are adjacent to each other. 제 1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 페라이트 코어에 권선된 코일은, The coil wound on the ferrite core is wound around the ferrite core, 전원을 분배하여 공급하는 전원분배회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.And a power distribution circuit for distributing and supplying power. 제 1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 플라즈마 반응기는 상기 진공챔버의 주변 영역으로 가스를 공급하기 위한 제2 가스 공급부를 포함하며, 상기 제1 공급부는 상기 진공챔버의 중심 영역으로 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기. Wherein the plasma reactor includes a second gas supply unit for supplying gas to a peripheral region of the vacuum chamber, and the first supply unit supplies gas to a central region of the vacuum chamber. 제 8항에 있어서, 9. The method of claim 8, 상기 제1 및 제2 가스공급부에는 서로 다른 종류의 공정 가스가 분리되어 입력되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.Wherein the first and second gas supply units are supplied with different types of process gas separately.
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