KR101497112B1 - Composition for heat shielding film, heat shielding film using same, and method of preparing heat shielding film - Google Patents
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Abstract
열선 차폐 필름용 조성물, 그의 제조 방법 및 그를 이용한 열선 차폐 필름을 제공하는 것으로서, 상기 열선 차폐 필름용 조성물은 상기 화학식 1 내지 15로 표현되는 착화합물 중 적어도 하나를 포함하는 금속 착화합물; 및 유기 용매를 포함한다.A composition for a heat ray shielding film, a process for producing the same, and a heat ray shielding film using the same, wherein the composition for a heat ray shielding film comprises a metal complex including at least one of the compounds represented by Chemical Formulas 1 to 15; And organic solvents.
Description
열선 차폐 필름용 조성물, 이를 이용하여 제조된 열선 차폐 필름 및 열선 차폐 필름의 제조 방법에 관한 것이다.Ray shielding film, a heat ray shielding film manufactured using the same, and a method for manufacturing a heat ray shielding film.
현대사회는 세계적으로 화석연료의 사용으로 인한 환경오염방지대책과 화석연료의 유한성으로 인한 에너지 절감 대책이라는 두 가지 상반된 목적을 동시에 해결할 수 있는 다양한 프로젝트들이 수립되고 있다. 특히 열에너지를 적절히 제어하여 생활에너지를 감소시키고, 쾌적하고 안락한 환경을 제공할 수 있는 열 에너지제어수단으로 기능성 필름인 열차단 필름에 대한 연구가 이루어지고 있다.In the modern world, various projects are being set up to solve the two opposing purposes of countermeasures against environmental pollution caused by the use of fossil fuels and countermeasures for energy saving due to the fineness of fossil fuels. Particularly, studies on heat short film as a functional film as a thermal energy control means which can provide a pleasant and comfortable environment by appropriately controlling heat energy by reducing life energy are being conducted.
자연 열에너지인 태양광은 가시광선, 자외선, 적외선으로 이루어져 있고, 이 중, 태양이나 물체가 내는 복사열의 대부분이 적외선으로 이루어져 있으므로 적외선을 열선이라고 한다. Sunlight, which is natural heat energy, is composed of visible light, ultraviolet light, and infrared light. Of these, most of the radiant heat emitted by the sun or object is infrared light, so infrared light is called heat ray.
태양광 전파장 중 열에너지에 기인하는 파장의 범위는 S 규격인 KS L 2016(창 유리용 필름)에 언급되어 있는 바와 같이, 380nm 내지 780nm의 가시광선 영역과 780nm 내지 2200nm의 적외선 영역이 95% 이상을 차지하고 있다. 이러한 태양광 영역의 파장을 열차단 필름을 사용하여 차단하고 있지만, 기존의 투명한 열차단 재료는 가시광선 제어가 불가능함에 따라 그 한계를 나타내고 있다. As mentioned in KS L 2016 (film for window glass) of the S standard, the wavelength range due to heat energy in the solar propagation field is 95% or more in the visible light region of 380 nm to 780 nm and the infrared region of 780 nm to 2200 nm Respectively. Although the wavelength of the sunlight area is blocked by using a heat shielding film, the existing transparent heat shielding material has a limitation due to the impossibility of visible light control.
따라서, 상기와 같은 열에너지인 태양광을 제어하기 위해 열차단 필름 개발에 대한 다양한 연구가 있었다. 그 중, 국내특허등록 제10-0861146호에 폴리에틸렌 필름의 상부에 폴리우레탄계, 에폭시계 또는 변성아크릴계 도료 중에서 하나를 선택하여 전처리막을 도포 형성하고, 그 상부에 액상 분사식으로 은막을 형성한 은 반사필름 및 그 제조방법이 기술되어 있다. 그러나 이 방법은 단순한 은막 형성 방법으로서 색조를 가미한 필름을 제조할 수 없고, 여러 층을 형성해야 하는 복잡한 제조 공정으로 실시하므로, 제조 단가가 높고, 생산성이 떨어지며, 또한 제조된 필름은 완전한 시야 차폐로 거울과 같은 형상이므로 건축 및 차량 등에 사용되는 필름과 같이 어느 정도의 가시 투과율을 나타내는 필름이 아닌 문제점이 있었다.Accordingly, there have been various studies on the development of heat shielding film to control the sunlight as the above-mentioned thermal energy. Among them, Korean Patent Registration No. 10-0861146 discloses a method in which one of a polyurethane, epoxy or modified acrylic paint is selected on top of a polyethylene film to form a pretreatment film, and a silver reflection film And a manufacturing method thereof are described. However, this method can not produce a film having a color tone as a simple silver film forming method, and is performed in a complicated manufacturing process in which a plurality of layers must be formed. Therefore, the manufacturing cost is high and the productivity is low. There is a problem that it is not a film which shows a certain visible transmittance like a film used for construction and a vehicle because it is like a mirror.
또한 일본 특허공개 2000－96034호 및 2000－169765호 등에는 열선 차폐 성분으로서 헥사보라이드(hexaboride) 미립자 단독, 또는 헥사보라이드 미립자와 인듐틴옥사이드(ITO) 미립자 및/또는 안티몬틴옥사이드(ATO) 미립자를 사용하여, 이를 포함하는 열선 차폐막이 기술되어 있다. 그러나 이 열선 차폐막은, 열선 차폐 성능을 높이기 위해서 열선 차폐 성분을 다량으로 첨가해야하며, 이는 가시광선 투과성을 저하시키는 문제가 있다. 또한 만약 열선 차폐 성분의 첨가량을 감소시키면, 가시광선 투과성은 높아지지만 열선 차폐성이 저하되기 때문에, 열선 차폐성과 가시광선 투과성을 동시에 만족시키는 것은 곤란했다. 더욱이, 열선 차폐 성분을 과량 사용하는 경우, 기재인 투명 수지의 물성, 특히 내충격성이나 인성이 저하되는 것과 같은 강도면의 결점도 갖고 있었다. Further, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2000-96034 and 2000-169765 disclose that hexaboride fine particles alone or hexavoid fine particles and indium tin oxide (ITO) fine particles and / or antimony tin oxide (ATO) A heat ray shielding film using the fine particles is disclosed. However, in order to improve the heat shielding performance, this heat shielding film must be added with a large amount of heat shielding component, which has a problem of lowering visible light transmittance. Further, if the addition amount of the heat ray shielding component is reduced, the visible ray transmittance is increased, but the heat ray shielding property is lowered. Therefore, it is difficult to simultaneously satisfy the heat ray shielding property and the visible light transmittance. Furthermore, when the heat ray shielding component is used in excess, it also has drawbacks such as a decrease in the physical properties, particularly impact resistance and toughness, of the transparent resin as a base material.
일본특허공개 소56-156606호, 소58-117228호 및 소63-281837호에는 ATO를 고분자 수지와 혼합하거나, 유기 용매에 용해시킨 고분자 수지에 첨가하거나, 또는 고분자 수지와 산화주석 미립자를 유기용매와 계면활성제와 혼합하여 제조한 코팅 조성물을 도포하여 열선차단 피막을 형성하는 방법이 제안되었다. 그러나 이 피막에 의해 충분한 적외선 차단기능을 발현시키기 위해서는 두꺼운 피막이 필요하며, 이와 같은 두꺼운 피막은 가시광선투과율이 낮아 투명성이 저하되는 결점이 있다.Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 56-156606, 58-117228 and 63-281837 disclose a method in which ATO is mixed with a polymer resin or added to a polymer resin dissolved in an organic solvent, or the polymer resin and tin oxide fine particles are dissolved in an organic solvent And a coating composition prepared by mixing with a surfactant is applied to form a heat ray shielding film. However, in order to exhibit sufficient infrared ray blocking function by this film, a thick film is required, and such a thick film has a drawback that transparency is lowered due to low visible light transmittance.
또한, 일본특허공개 평7-24957호, 평7-70363호, 평7-70481호, 평7-70482호, 평7-70445호 및 평8-41441호에는 ITO 미립자를 불활성가스 분위기에서 처리하거나 제조함으로 열선차단능력이 우수한 분말을 제조하는 방법을 사용하여 분산 조성물을 만들어 유기·무기 고분자와 혼합하여 열선차단이 1000nm이하에서 90%이상 차단할 수 있는 열선차단 피막을 형성하는 방법이 제안되었다. 하지만, ITO 미립자는 고가의 인듐을 주성분으로 하고, 또한 불활성가스 분위기에서 2차 처리를 실시함으로 미립자의 제조단가가 매우 고가로 되어 실용화에 한계가 있고, 또 자외선경화형 고분자수지와 혼합할 경우 층분리가 발생하거나 응집현상이 발생되며, 저장안정성이 나쁘다는 결점이 있다. In addition, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 7-24957, 7-70363, 7-70481, 7-70482, 7-70445 and 8-41441 disclose that ITO fine particles are treated in an inert gas atmosphere A method of preparing a dispersion composition by using a method of producing a powder having excellent heat ray shielding ability and forming a heat ray shielding film capable of blocking 90% or more of heat ray shielding below 1000 nm by mixing with organic / inorganic polymer has been proposed. However, since ITO fine particles are made of indium as a main component and the secondary treatment is carried out in an inert gas atmosphere, the production cost of the fine particles becomes very high, so that there is a limit in practical use. Further, when the ITO fine particles are mixed with the ultraviolet- Occurs or coagulation phenomenon occurs, and storage stability is poor.
일본특허공개 평9-324144호, 평9-310031호, 평9-316115호, 평9-316363호, 평10-100310호, 2000-169765호에는 제1 열선차단 미립자(ATO, ITO)와 제2 열선차단 조성물(근적외선 흡수제 또는 헥사보라이드 미립자 등)의 분산 조성물을 혼합하거나, 각각의 코팅 조성물을 혼합하는 방법으로 열선차단 특성이 우수한 피막을 형성하는 방법이 제안되었다. 그러나 이 경우 가시광선투과율이 현저하게 저하되는 현상을 나타내거나, 제2 열선차단 조성물의 분산 조성물 제조시 분산이 용이하지 않다는 결점이 있어 열선차단 피막을 낮은 비용으로 양산하는 것은 불가능하다.Japanese Unexamined Patent Publications Nos. 9-324144, 9-310031, 9-316115, 9-316363, 10-100310, and 2000-169765 disclose a method in which first heat blocking microparticles (ATO, ITO) A method of forming a film having excellent heat ray shielding properties by mixing a dispersion composition of a heat ray shielding composition (such as a near infrared absorber or hexaboride fine particles) or mixing each coating composition has been proposed. However, in this case, the visible ray transmittance is remarkably lowered, or the second heat ray blocking composition is not easily dispersed in the production of the dispersion composition, and it is impossible to mass-produce the heat ray blocking film at low cost.
본 발명의 일 구현예는 우수한 가시광선 투과성을 유지하면서 높은 열선 차폐성을 발휘할 수 있는 열선 차폐 필름용 열선 차폐 조성물을 제공하는 것이다.One embodiment of the present invention is to provide a heat ray shielding composition for a heat ray shielding film capable of exhibiting high heat ray shielding property while maintaining excellent visible light transmittance.
본 발명의 다른 일 구현예는 상기 열선 차폐 조성물을 포함하는 열선 차폐 필름을 제공하는 것이다.Another embodiment of the present invention is to provide a heat ray shielding film comprising the heat ray shielding composition.
본 발명의 다른 일 구현예는 상기 열선 차폐 필름을 간단한 공정으로, 경제적으로 제조할 수 있는 열선 차폐 필름의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another embodiment of the present invention provides a method for manufacturing a heat ray shielding film which can economically produce the heat ray shielding film by a simple process.
본 발명의 일 구현예는, 하기 화학식 1 내지 15로 표현되는 착화합물 중 적어도 하나를 포함하는 금속 착화합물; 및 유기 용매를 포함하는 차폐 필름용 조성물을 제공한다.One embodiment of the present invention is a metal complex comprising at least one of the following chemical formulas (1) to (15); And a composition for a shielding film comprising an organic solvent.
[화학식 1][Chemical Formula 1]
[화학식 2] (2)
[화학식 3](3)
[화학식 4][Chemical Formula 4]
[화학식 5][Chemical Formula 5]
[화학식 6][Chemical Formula 6]
(상기 화학식 1 내지 6에서, (In the above Chemical Formulas 1 to 6,
M은 금속 원자이고, R은 인 원자에 인접한 원자가 탄소인 유기기임.)M is a metal atom, and R is an organic group in which the atom adjacent to the phosphorus atom is carbon.
[화학식 7](7)
[화학식 8][Chemical Formula 8]
[화학식 9][Chemical Formula 9]
[화학식 10][Chemical formula 10]
[화학식 11](11)
[화학식 12][Chemical Formula 12]
[화학식 13][Chemical Formula 13]
[화학식 14][Chemical Formula 14]
[화학식 15][Chemical Formula 15]
(상기 화학식 7 내지 15에서, (In the above formulas 7 to 15,
M은 금속 원자이고, R1 및 R2는 서로 독립적으로, 인 원자에 인접한 원자가 탄소인 유기기임.)M is a metal atom, R 1 and R 2 are independently of each other, and the atom adjacent to the phosphorus atom is carbon.)
상기 화학식 1 내지 15에서, 상기 M은 F, Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Se, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, La, Ce,La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au 또는 이들의 조합일 수 있다. 또한, 상기 화학식 1 내지 15에서, 상기 R, R1 및 R2는 서로 독립적으로, F; Cl; Br; I; 치환 또는 치환되지 않은, C1 내지 C4의 알킬기; 치환 또는 치환되지 않은, C2 내지 C4의 알케닐기; 치환 또는 치환되지 않은, C2 내지 C4의 알키닐기; 치환 또는 치환되지 않은, C5 내지 C10의 사이클로알킬기; 치환 또는 치환되지 않은, C6 내지 C10의 아릴기; 알콕시기; 알킬아민기; 또는 알콕시아미드기일 수 있다.In the above Chemical Formulas 1 to 15, M is at least one element selected from the group consisting of F, Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Se, Y, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag, Cd, In, La, Ce, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Hf, Os, Ir, Pt, Au, or a combination thereof. In the above Chemical Formulas 1 to 15, R, R 1 and R 2 are independently of each other F; Cl; Br; I; A substituted or unsubstituted C1 to C4 alkyl group; A substituted or unsubstituted C2-C4 alkenyl group; A substituted or unsubstituted C2-C4 alkynyl group; A substituted or unsubstituted C5 to C10 cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted C6 to C10 aryl group; An alkoxy group; An alkylamine group; Or an alkoxy amide group.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 금속 염의 함량은 조성물 전체 100 중량%에 대하여, 1 중량% 내지 80 중량%일 수 있다. 상기 유기 용매의 함량은 조성물 전체 100 중량%에 대하여, 20 중량% 내지 99 중량%일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the content of the metal salt may be 1 wt% to 80 wt% with respect to 100 wt% of the entire composition. The content of the organic solvent may be 20 wt% to 99 wt% with respect to 100 wt% of the entire composition.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 조성물은 분산제를 더욱 포함할 수 있다. 상기 분산제는 아민가를 갖는 분산제, 산가를 갖는 분산제, 중성 분산제 또는 이들의 조합일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the composition may further comprise a dispersant. The dispersant may be a dispersant having an amine value, a dispersant having an acid value, a neutral dispersant, or a combination thereof.
상기 분산제의 함량은 상기 차폐 필름용 조성물 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 내지 99 중량부일 수 있다.The content of the dispersant may be 0.1 part by weight to 99 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition for a shielding film.
상기 차폐 필름용 조성물은 고분자 수지를 더욱 포함할 수 있다.The composition for a shielding film may further comprise a polymer resin.
상기 고분자 수지의 함량은 상기 차폐 필름용 조성물과 고분자 수지가 1 : 99 내지 95 : 5 중량비가 되도록 사용할 수 있다.The content of the polymer resin may be such that the composition for a shielding film and the polymer resin are in a weight ratio of 1: 99 to 95: 5.
본 발명의 다른 일 구현예는 상기 차폐 필름용 조성물로 제조된 차폐 필름을 제공한다.Another embodiment of the present invention provides a shielding film made of the composition for a shielding film.
본 발명의 또 다른 일 구현예는 상기 화학식 1 내지 15로 표현되는 착화합물 중 적어도 하나를 포함하는 금속 착화합물을 합성하는 단계; 상기 금속 착화합물을 유기 용매에 첨가하여 코팅 조성물을 제조하는 단계; 및 상기 코팅 조성물을 이용하여 필름을 제조하는 단계를 포함하는 차폐 필름의 제조 방법을 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method for fabricating a semiconductor device, comprising: synthesizing a metal complex compound comprising at least one of the complexes represented by Chemical Formulas 1 to 15; Adding the metal complex to an organic solvent to prepare a coating composition; And a process for producing a film using the coating composition.
상기 제조 방법은 상기 코팅 조성물에 고분자 수지를 첨가하는 단계를 더욱 포함할 수 있다.The manufacturing method may further include adding a polymer resin to the coating composition.
본 발명의 일 구현예에 따른 차폐 필름용 조성물은 가시광 투과율이 높고, 열선차폐 능력이 뛰어나며, 이로 인하여 열선 차폐용 필름을 제조하는데 유용하게 사용할 수 있다.The composition for a shielding film according to one embodiment of the present invention has high visible light transmittance and excellent heat ray shielding ability, and thus can be usefully used for manufacturing a heat ray shielding film.
도 1은 실시예 1, 3, 4 및 6과, 비교예 1에 따라 제조된 차폐 필름의 광투과 스펙트럼을 측정하여 나타내 그래프.
도 2는 태양 복사열 에너지 스펙트럼을 나타낸 그래프.1 is a graph showing the results of measurement of light transmission spectra of the shielding films prepared in Examples 1, 3, 4 and 6 and Comparative Example 1. Fig.
2 is a graph showing the solar radiation heat energy spectrum.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited thereto, and the present invention is only defined by the scope of the following claims.
본 명세서에서 "알킬"이란 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 포화된 탄화수소 라디칼을 의미하며, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, 이소-프로필, n-부틸, sec-부틸, tert-부틸 등을 포함할 수 있다.As used herein, "alkyl" means a straight or branched saturated hydrocarbon radical having from 1 to 4 carbon atoms, such as methyl, ethyl, n-propyl, iso-propyl, n- Butyl, and the like.
"알케닐"이란 탄소수 2 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 불포화 탄화수소를 의미하며, 하나 이상의 이중결합을 갖는다."Alkenyl" means a straight or branched chain unsaturated hydrocarbon having 2 to 4 carbon atoms, and has at least one double bond.
"알키닐"이란 탄소수 2 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 불포화 탄화수소를 의미하며, 하나 이상의 삼중결합을 갖는다."Alkynyl" means a straight or branched chain unsaturated hydrocarbon having 2 to 4 carbon atoms and has at least one triple bond.
"사이클로알킬"이란 탄소수 5 내지 10의 비방향족 탄화수소 환을 의미하며, 예를 들어 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 사이클로헥실 등을 포함할 수 있다."Cycloalkyl" means a non-aromatic hydrocarbon ring having 5 to 10 carbon atoms, and may include, for example, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, and the like.
““아릴기””란 탄소수 6 내지 10의 방향족기를 의미한다. &Quot; " Aryl group " means an aromatic group having 6 to 10 carbon atoms.
또한, ““치환””은 작용기의 적어도 하나의 수소가 알콕시기, 니트로아민기, 아마이드, 설파이드, 설폰기, 설포닐기 또는 에스테르기의 치환기로 치환된 것을 의미한다.Also, " " substituted " means that at least one hydrogen of the functional group is substituted with a substituent of an alkoxy group, a nitroamine group, an amide, a sulfide, a sulfonic group, a sulfonyl group or an ester group.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1 내지 15로 표현되는 착화합물 중 적어도 하나를 포함하는 금속 착화합물 및 유기 용매를 포함하는 차폐 필름용 조성물을 제공한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a composition for a shielding film comprising a metal complex containing at least one of the compounds represented by Chemical Formulas 1 to 15 and an organic solvent.
[화학식 1][Chemical Formula 1]
[화학식 2] (2)
[화학식 3](3)
[화학식 4][Chemical Formula 4]
[화학식 5][Chemical Formula 5]
[화학식 6][Chemical Formula 6]
상기 화학식 1 내지 6에서, M은 금속 원자이다. 구체적으로, M은 F, Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Se, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, La, Ce, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au 중 적어도 하나일 수 있고, Cu 또는 V가 가장 적절할 수 있다.In the above Chemical Formulas 1 to 6, M is a metal atom. Specifically, M is at least one element selected from the group consisting of F, Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Se, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, , In, La, Ce, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Hf, Ta, , And Au, and Cu or V may be most suitable.
상기 화학식 1 내지 6에서, R은 인 원자에 인접한 원자가 탄소인 유기기이다. 구체적으로는 R은 F; Cl; Br; I; 치환 또는 치환되지 않은, C1 내지 C4의 알킬기; 치환 또는 치환되지 않은, C2 내지 C4의 알케닐기; 치환 또는 치환되지 않은, C2 내지 C4의 알키닐기; 치환 또는 치환되지 않은, C5 내지 C10의 사이클로알킬기; 치환 또는 치환되지 않은, C6 내지 C10의 아릴기; 알콕시기; 알킬아민기; 또는 알콕시아미드기일 수 있다. 본 발명의 일 구현예에서, R은 C3 내지 C7의 알킬기일 수 있다.In the above Chemical Formulas 1 to 6, R is an organic group whose carbon atom adjacent to the phosphorus atom is carbon. Specifically, R is F; Cl; Br; I; A substituted or unsubstituted C1 to C4 alkyl group; A substituted or unsubstituted C2-C4 alkenyl group; A substituted or unsubstituted C2-C4 alkynyl group; A substituted or unsubstituted C5 to C10 cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted C6 to C10 aryl group; An alkoxy group; An alkylamine group; Or an alkoxy amide group. In one embodiment of the present invention, R may be an alkyl group of C3 to C7.
상기 화학식 1 내지 6으로 표현되는 금속 착화합물은 디-타입(di-type) 인산계 화합물이다.The metal complex compound represented by Chemical Formulas 1 to 6 is a di-type phosphate compound.
[화학식 7](7)
[화학식 8][Chemical Formula 8]
[화학식 9][Chemical Formula 9]
[화학식 10][Chemical formula 10]
[화학식 11](11)
[화학식 12][Chemical Formula 12]
[화학식 13][Chemical Formula 13]
[화학식 14][Chemical Formula 14]
[화학식 15][Chemical Formula 15]
상기 화학식 7 내지 15에서, In the above formulas (7) to (15)
M은 금속 원자이고, 상기 화학식 1 내지 6에서, M은 금속 원자이다. 구체적으로, M은 F, Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Se, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, La, Ce, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au 중 적어도 하나일 수 있고, Cu 또는 V가 가장 적절할 수 있다.M is a metal atom, and in the above Chemical Formulas 1 to 6, M is a metal atom. Specifically, M is at least one element selected from the group consisting of F, Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Se, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, , In, La, Ce, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Hf, Ta, , And Au, and Cu or V may be most suitable.
상기 화학식 7 내지 15에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로, 인 원자에 인접한 원자가 탄소인 유기기이다. 구체적으로는 R1 및 R2는 서로 독립적으로 F; Cl; Br; I 치환 또는 치환되지 않은, C1 내지 C4의 알킬기; 치환 또는 치환되지 않은, C2 내지 C4의 알케닐기; 치환 또는 치환되지 않은, C2 내지 C4의 알키닐기; 치환 또는 치환되지 않은, C5 내지 C10의 사이클로알킬기; 치환 또는 치환되지 않은, C6 내지 C10의 아릴기; 알콕시기; 알킬아민기; 또는 알콕시아미드기일 수 있다. 본 발명의 일 구현예에 있어서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 C3 내지 C7 알킬기일 수 있다. In the general formulas (7) to (15), R 1 and R 2 are independently of each other an organic group whose carbon atom adjacent to the phosphorus atom is carbon. Specifically, R 1 and R 2 are each independently of the other F; Cl; Br; I substituted or unsubstituted, C1-C4 alkyl group; A substituted or unsubstituted C2-C4 alkenyl group; A substituted or unsubstituted C2-C4 alkynyl group; A substituted or unsubstituted C5 to C10 cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted C6 to C10 aryl group; An alkoxy group; An alkylamine group; Or an alkoxy amide group. In one embodiment of the present invention, R 1 and R 2 independently of each other may be a C 3 to C 7 alkyl group.
상기 화학식 7 내지 15로 표현되는 착화합물은 모노-타입(mono-type) 인산계 화합물이다.The complexes represented by the above formulas (7) to (15) are mono-type phosphoric acid compounds.
상기 화학식 1 내지 15의 금속 착화합물은 인산계 화합물 구조의 중심 금속으로 세슘, 철, 구리, 아연, 팔라듐 등의 M을 사용한 착화합물로서, 이 착화합물을 이용하면, 가시광선의 투과율은 높이면서도 열선차폐율 및 자외선 차단율은 매우 우수한 차폐 필름을 제공할 수 있다.The metal complexes of the above Chemical Formulas 1 to 15 are complexes using M such as cesium, iron, copper, zinc, and palladium as the central metal of the phosphate compound structure. When this complex compound is used, the transmittance of visible light is increased, It is possible to provide a shielding film having an extremely excellent ultraviolet shielding ratio.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 금속 착화합물은 상기 화학식 1 내지 15 중 하나 또는 적어도 하나의 조합일 수 있고, 화학식 1 내지 6 중 적어도 하나와, 화학식 7 내지 15 중 적어도 하나를 조합하여 사용하는 것이 가시광선 투과율 및 열선 차폐율 제어면에서 보다 적절하다. 화학식 1 내지 6 중 적어도 하나와, 화학식 7 내지 15 중 적어도 하나를 조합하여 사용하는 경우, 이들의 혼합 비율은 특별히 한정할 필요없이, 적절하게 조절하면 된다. In one embodiment of the present invention, the metal complex may be a combination of one or at least one of the above chemical formulas (1) to (15), and at least one of chemical formulas (1) to (6) Is more suitable in terms of visible ray transmittance and heat ray shielding rate control. When at least one of formulas (1) to (6) is used in combination with at least one of formulas (7) to (15), the mixing ratio thereof is not particularly limited and may be suitably adjusted .
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 금속 착화합물의 함량은 조성물 전체 100 중량%에 대하여, 1 중량% 내지 80 중량%일 수 있고, 10 중량% 내지 40 중량%일 수 있다. 금속 착화합물의 함량이 상기 범위에 포함되는 경우, 적절한 열선 차폐율 및 가시광 투과율을 얻을 수 있다. 즉, 상기 금속 착화합물의 함량이 상기 범위보다 작은 경우 열선 차폐율이 저하될 수 있고, 금속 착화합물의 함량이 상기 범위를 초과하게 되면 가시광 투과율이 저하될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the content of the metal complex may be 1 wt% to 80 wt%, and 10 wt% to 40 wt%, based on 100 wt% of the entire composition. When the content of the metal complex compound is within the above range, an appropriate heat ray shielding ratio and visible light transmittance can be obtained. That is, when the content of the metal complex is less than the above range, the heat shielding ratio may be lowered, and if the content of the metal complex exceeds the above range, the visible light transmittance may be lowered.
상기 유기 용매는 메틸이소부틸케톤(Methyl isobutyl ketone), 톨루엔(Toluene), 노말메틸피로리돈(N-Methyl-2-pyrrolidone), 디메틸아세트마이드 (Dimethyl acetamide), 시클로헥사논(Cyclohexanone), 디메틸카보네이트(Dimethyl carbonate), 자일렌(Xylene), 부틸알콜(Buthyl alcohol), 에틸렌글리콜모노메틸에테르(Ethylene glycol monomethyl ether), 에틸렌글리콜모노에틸에테르(Ethylene glycol monoethyl ether), 에틸렌글리콜모노프로필에테르(Ethylene glycol monopropyl ether), 에틸렌글리콜모노부틸에테르(Ethylene glycol monobuthyl ether), 메틸에틸케톤(Methyl ethyl ketone), 메틸셀루솔브(Methyl cellosolve), 또는 에틸아세테이트(Ethyl acetate) 중에서 1종 또는 그 이상을 조합하여 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 유기 용매는 사용되는 물질 종류에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다. The organic solvent may be at least one selected from the group consisting of methyl isobutyl ketone, toluene, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylacetamide, cyclohexanone, dimethyl carbonate Dimethyl carbonate, xylene, buthyl alcohol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, monopropyl ether, ethylene glycol monobuthyl ether, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, or ethyl acetate may be used in combination. But is not limited thereto. The organic solvent may be appropriately selected depending on the type of the material used.
또한, 상기 유기 용매는 금속 착화합물을 분산시키기 위한 양이면 충분하나, 구체적으로 상기 조성물 전체 100 중량%에 대하여, 20 중량% 내지 99 중량%일 수 있고, 보다 좋게는 60 중량% 내지 90 중량%일 수 있다. 유기 용매의 함량이 상기 범위에 포함되는 경우, 미립자의 분산 공정 시 미립자 재응집 현상을 줄일 수가 있으며, 또한 바인더 수지와의 혼합 시 우수한 혼용성을 보여줄 수 있다. 만약, 유기 용매의 함량이 상기 범위를 벗어나는 경우에는 분산이 원활하지 않음으로 미립자의 재응집이 발생 할 수 있어 적절하지 않다.The organic solvent may be an amount sufficient to disperse the metal complex compound. Specifically, the organic solvent may be 20 wt% to 99 wt%, more preferably 60 wt% to 90 wt%, based on 100 wt% . When the content of the organic solvent is within the above range, the phenomenon of re-aggregation of fine particles can be reduced in the process of dispersing the fine particles, and excellent compatibility can be shown when mixing with the binder resin. If the content of the organic solvent is out of the above range, the dispersion may not be smooth, which may cause re-aggregation of the fine particles, which is not suitable.
상기 차폐 필름용 조성물은 금속 착화합물이 유기 용매에 보다 더 잘 분산되도록 분산제를 더욱 포함할 수도 있다. 이러한 분산제로는 아민가를 갖는 분산제, 산가를 가지는 분산제, 중성의 분산제 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 분산제의 구체적인 예로는 아크릴계, 글리콜계, 올레핀계, 인산계, 아민계, 폴리실리콘계, 폴리우레탄계, 폴리아미드계, 폴리실록산계 등을 사용할 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다. 상기 아크릴계 분산제의 예로는 Disperbyk-180 (BYK-Chemie, Germany)를 들 수 있다. The composition for a shielding film may further include a dispersant such that the metal complex is more dispersed in the organic solvent. Examples of such a dispersant include a dispersant having an amine value, a dispersant having an acid value, a neutral dispersant, or a combination thereof. Specific examples of the dispersing agent include acrylic, glycol, olefin, phosphoric acid, amine, polysilicon, polyurethane, polyamide, polysiloxane, and the like. An example of the acrylic dispersant is Disperbyk-180 (BYK-Chemie, Germany) .
상기 분산제 함량은 상기 차폐 필름용 조성물(즉, 금속 착화합물 및 유기 용매의 혼합 중량) 100 중량부에 대해 0.1 중량부 내지 99 중량부일 수 있고, 5 중량부 내지 50 중량부일 수 있다. 분산제의 함량이 상기 범위 보다 작으면 미립자의 분산이 안될 수도 있으며, 상기 범위 보다 높으면 과량의 분산제에 의해 미립자들 간의 재응집이 되어 겔링(Gelling)이 발생 할 수 있다. 또한 과량의 분산제로 인하여 코팅 필름 부착성이 저하될 수도 있다.The content of the dispersant may be 0.1 part by weight to 99 parts by weight and may be 5 parts by weight to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition for a shielding film (that is, the mixed weight of the metal complex and the organic solvent). When the content of the dispersing agent is less than the above range, the dispersion of the fine particles may not be performed. If the content of the dispersing agent is higher than the above range, re-aggregation may occur between the fine particles due to the excessive dispersing agent and gelling may occur. In addition, adhesion of the coating film may be deteriorated due to an excessive amount of the dispersing agent.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 차폐 필름용 조성물은 고분자 수지를 더욱 포함할 수 있다. 이때, 상기 고분자 수지의 함량은 상기 차폐 필름용 조성물(즉, 금속 착화합물 및 유기 용매의 혼합 중량)과 고분자 수지의 혼합 비율은 1 : 99 내지 95 : 5 중량비일 수 있고, 30 : 70 내지 60 : 40 중량비일 수 있다. In an embodiment of the present invention, the composition for a shielding film may further include a polymer resin. At this time, the mixing ratio of the polymer resin to the polymer resin may be 1:99 to 95: 5 by weight, and the mixing ratio of the composition for shielding film (that is, the mixed weight of the metal complex and the organic solvent) 40 weight ratio .
고분자 수지 함량이 상기 범위를 벗어나는 경우, 필름 코팅 시 요구하는 코팅막 두께를 얻을 수 없고, 또한 차폐층과 베이스 필름 사이의 부착력이 저하되는 문제점이 있을 수 있다.If the content of the polymer resin is out of the above range, the thickness of the coating film required for film coating can not be obtained, and the adhesion between the shielding layer and the base film may be deteriorated.
상기 고분자 수지로는 특별히 제한되지 않지만, 차폐층 코팅를 위하여 통상적으로 사용되는 투명성과 내광성이 우수한 피막을 형성할 수 있는 수지이면 제한 없이 사용할 수 있다. 이러한 고분자 수지로는 열경화형 고분자 수지, 자외선 경화형 고분자 수지를 들 수 있다. 또한, 고분자 수지 사이의 상용성이 있는 경우 열경화, 자외선경화 등 경화조건에 따라 1종류 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The polymer resin is not particularly limited, and any resin that can form a film having excellent transparency and light fastness, which is conventionally used for a shielding layer coating, can be used without limitation. Examples of such a polymer resin include a thermosetting polymer resin and an ultraviolet curing type polymer resin. Further, in the case of compatibility with the polymer resin, one type or two or more types may be used in combination according to the curing conditions such as heat curing and ultraviolet curing.
상기 열경화형 고분자 수지로는 폴리에틸렌(Polyethylene), 폴리프로필렌(Polypropylene), 폴리스티렌(Polystyrene), 폴리염화비닐(Polyvinyl chloride), 폴리염화비닐리덴(Polyvinylidene chloride), 불소수지(Fluoroplastics), 아크릴수지(Acrylic resin), 폴리아세트산비닐(Polyvinyl Acetate), 폴리아마이드(Polyamides), 폴리아세탈(Polyacetal), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리페닐렌옥사이드 (Polyphenylene oxide), 폴리에스테르(Polyester), 폴리설폰(Polysulfone), 폴리이미드(Polyimide), 페놀수지(Phenolic resin), 요소수지(Urea resin), 멜라민수지(Melamine resin), 알키드수지(Alkyd resin), 불포화폴리에스테르 수지(Unsaturated polyester resin), 에폭시수지(Epoxy resin), 규소수지(Silicone resins) 또는 폴리우레탄(Polyurethane) 등을 들 수 있고, 상기 자외선 경화형 고분자 수지로는 폴리에스테르(Polyester), 에폭시수지(Epoxy resin), 폴리우레탄(Polyurethane), 폴리에테르(Polyether), 아크릴수지(Acrylic resin) 또는 폴리아크릴아미드(Polyacrylamide] 등을 들 수 있다.Examples of the thermosetting polymer resin include polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, fluoroplastics, acrylic resins, resin, polyvinyl acetate, polyamides, polyacetal, polycarbonate, polyphenylene oxide, polyester, polysulfone, polysulfone, Polyimide, phenolic resin, urea resin, melamine resin, alkyd resin, unsaturated polyester resin, epoxy resin, Silicone resins or polyurethane. Examples of the ultraviolet curable polymer resin include polyester, epoxy resin, polyurethane, Carbon can be cited (Polyurethane), polyether (Polyether), acrylic resin (Acrylic resin) or polyacrylamide (Polyacrylamide] and the like.
본 발명의 다른 일 구현예는 상기 차폐 필름용 조성물로 제조된 차폐 필름을 제공한다. 상기 차폐 필름은 베이스 필름 및 차폐층을 포함하며, 이 차폐층은 상기 차폐 필름용 조성물을 사용하여 형성된 것으로서, 가시광선 투과율 및 열선차폐율을 제어할 수 있는 층이다. 상기 차폐층 두께는 1㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 차폐층 두께가 1㎛보다 얇으면 열선 차폐능력이 현저히 떨어지므로 적절하지 않고, 50㎛보다 두꺼우면 가시광선 투과율이 낮아져 필름이 어두워지므로 상업적으로 사용되기 어렵고, 제조비용(cost)이 현저히 높아지며, 필름에 헤이즈(haze)가 발생하여 적절하지 않다.Another embodiment of the present invention provides a shielding film made of the composition for a shielding film. The shielding film includes a base film and a shielding layer. The shielding layer is formed using the composition for a shielding film, and is a layer capable of controlling the visible light transmittance and the heat shielding ratio. The thickness of the shielding layer may be between 1 탆 and 50 탆. If the thickness of the shielding layer is thinner than 1 탆, the heat ray shielding ability is significantly lowered, and if it is thicker than 50 탆, the visible light transmittance is lowered and the film becomes darker and therefore it is difficult to be used commercially, Which is not suitable.
상기 베이스 필름은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리우레탄(PU), 나일론(Nylon) 등을 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The base film may use one or more of polyethylene terephthalate (PET), polyvinyl chloride (PVC), polyethylene (PE), polypropylene (PP), polyurethane (PU), and nylon , But is not limited thereto.
상기 차폐 필름은 근적외선 투과율 제어용 필름으로 사용될 수 있으며, 또한, 광학 필름 또는 열차단 필름으로도 사용될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.The shielding film may be used as a film for controlling near-infrared transmittance, and may also be used as an optical film or a heat shielding film, but is not limited thereto.
본 발명의 또 다른 일 구현예는 상기 화학식 1 내지 15로 표현되는 착화합물 중 적어도 하나를 포함하는 금속 착화합물을 합성하는 단계; 상기 금속 착화합물을 유기 용매에 첨가하여 코팅 조성물을 제조하는 단계; 및 상기 코팅 조성물을 이용하여 필름을 제조하는 단계를 포함하는 차폐 필름의 제조 방법을 제공한다. 이하, 상기 제조 방법에 대하여 보다 자세하게 설명하기로 한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method for fabricating a semiconductor device, comprising: synthesizing a metal complex compound comprising at least one of the complexes represented by Chemical Formulas 1 to 15; Adding the metal complex to an organic solvent to prepare a coating composition; And a process for producing a film using the coating composition. Hereinafter, the manufacturing method will be described in more detail.
먼저, 상기 화학식 1 내지 15로 표현되는 착화합물 적어도 하나를 포함하는 금속 착화합물을 형성한다.First, a metal complex containing at least one of the complexes represented by Chemical Formulas 1 to 15 is formed.
상기 금속 착화합물은 금속을 포함하는 제1 화합물과, 인을 포함하는 제2 화합물을 용매 중에서 혼합하고, 이 혼합물을 건조하여 제조할 수 있다.The metal complex can be prepared by mixing a first compound containing a metal and a second compound containing phosphorus in a solvent and drying the mixture.
상기 제1 화합물과 제2 화합물의 혼합비는 1 : 1 내지 1 : 2 몰비일 수 있다.The mixing ratio of the first compound and the second compound may be 1: 1 to 1: 2.
상기 제1 화합물에서 금속은 화학식 1 내지 15의 M에 해당하는 것으로서, 즉, F, Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Se, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, La, Ce, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au 또는 이들의 조합일 수 있다. 이러한 M을 포함하는 제1 화합물은, M 함유 아세테이트, M 함유 나이트레이트, M 함유 클로라이드, M 함유 설페이트, M 함유 설파이드, M 함유 플루오라이드, M 함유 옥사이드, M 함유 브로마이드, M 함유 나프테네이트(naphthenate) 또는 이들의 조합일 수 있다.In the first compound, the metal corresponds to M in the formulas (1) to (15), that is, F, Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Se, Yb, Ti, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, La, Ce, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au or a combination thereof. The first compound comprising M is selected from the group consisting of M containing acetate, M containing nitrate, M containing chloride, M containing sulfate, M containing sulfide, M containing fluoride, M containing oxide, M containing bromide, M containing naphthenate naphthenate, or a combination thereof.
상기 제2 화합물은 메틸포스포닉산, 에틸포스포닉산, 프로필포스포닉산, 부틸포스포닉산, 펜틸포스포닉산, 헥실포스포닉산, 헵틸포스포닉산, 부틸옥틸포스포닉산, 노닐포스포닉산, 데실포스포닉산, 운데실포스포닉산, 도데실포스포닉산, 트리데실포스포닉산, 테트라데실포스포닉산, 펜타데실포스포닉산, 헥사데실포스포닉산, 헵타데실포스포닉산, 옥타데실포스포닉산, 퍼플루오로포스포닉산, 퍼플루오로메틸포스포닉산, 퍼플루오로에틸포스포닉산, 퍼플루오로프로필포스포닉산, 퍼플루오로부틸포스포닉산, 디메틸포스포닉산, 디에틸포스포닉산, 디프로필포스포닉산, 디부틸포스포닉산, 디펜틸포스포닉산, 디헥실포스포닉산, 디헵틸포스포닉산, 디부틸옥틸포스포닉산, 디노닐포스포닉산, 디데실포스포닉산, 디운데실포스포닉산, 디도데실포스포닉산, 디트리데실포스포닉산, 디테트라데실포스포닉산, 디펜타데실포스포닉산, 디헥사데실포스포닉산, 디헵타데실포스포닉산, 디옥타데실포스포닉산, 메틸티오포스포닉산, 에틸티오포스포닉산, 프로필티오포스포닉산, 부틸티오포스포닉산, 펜틸티오포스포닉산, 헥실티오포스포닉산, 헵틸티오포스포닉산, 부틸옥틸티오포스포닉산, 노닐티오포스포닉산, 데실티오포스포닉산, 운데실티오포스포닉산, 도데실티오포스포닉산, 트리데실티오포스포닉산, 테트라데실티오포스포닉산, 펜타데실티오포스포닉산, 헥사데실티오포스포닉산, 헵타데실티오포스포닉산, 옥타데실티오포스포닉산, 퍼플루오로티오포스포닉산, 퍼플루오로메틸티오포스포닉산, 퍼플루오로에틸티오포스포닉산, 퍼플루오로프로필티오포스포닉산, 퍼플루오로부틸티오포스포닉산, 디메틸티오포스포닉산, 디에틸티오포스포닉산, 디프로필티오포스포닉산, 디부틸티오포스포닉산, 디펜틸티오포스포닉산, 디헥실티오포스포닉산, 디헵틸티오포스포닉산, 디부틸옥틸티오포스포닉산, 디노닐티오포스포닉산, 디데실티오포스포닉산, 디운데실티오포스포닉산, 디도데실티오포스포닉산, 디트리데실티오포스포닉산, 디테트라디실티오포스포닉산, 디펜타데실티오포스포닉산, 디헥사데실티오포스포닉산, 디헵타데실티오포스포닉산, 디옥타데실티오포스포닉산 또는 이들의 조합일 수 있다.The second compound is selected from the group consisting of methylphosphonic acid, ethylphosphonic acid, propylphosphonic acid, butylphosphonic acid, pentylphosphonic acid, hexylphosphonic acid, heptylphosphonic acid, butyloctylphosphonic acid, , Decylphosphonic acid, undecylphosphonic acid, dodecylphosphonic acid, tridecylphosphonic acid, tetradecylphosphonic acid, pentadecylphosphonic acid, hexadecylphosphonic acid, heptadecylphosphonic acid, octadecyl Phosphoric acid, phosphonic acid, perfluorophosphonic acid, perfluoromethylphosphonic acid, perfluoroethylphosphonic acid, perfluoropropylphosphonic acid, perfluorobutylphosphonic acid, dimethylphosphonic acid, diethyl Phosphonic acid, dipropylphosphonic acid, dibutylphosphonic acid, dipentylphosphonic acid, dihexylphosphonic acid, diheptylphosphonic acid, dibutyloctylphosphonic acid, dinonylphosphonic acid, didecylphosphine Phonetic acid, diundecylphosphonic acid, didodecylphosphoric acid Acid, ditridecylphosphonic acid, ditetradecylphosphonic acid, dipentadecylphosphonic acid, dihexadecylphosphonic acid, diheptadecylphosphonic acid, dioctadecylphosphonic acid, methylthiophosphonic acid, Ethyl thiophosphonic acid, propyl thiophosphonic acid, butyl thiophosphonic acid, pentyl thiophosphonic acid, hexyl thiophosphonic acid, heptyl thiophosphonic acid, butyl octyl thiophosphonic acid, nonyl thiophosphonic acid, decyl Thiophosphonic acid, undecylthiophosphonic acid, dodecylthiophosphonic acid, tridecylthiophosphonic acid, tetradecylthiophosphonic acid, pentadecylthiophosphonic acid, hexadecylthiophosphonic acid, heptadecylthio Phosphonic acid, octadecylthiophosphonic acid, perfluorothiophosphonic acid, perfluoromethylthiophosphonic acid, perfluoroethylthiophosphonic acid, perfluoropropylthiophosphonic acid, perfluorobutylthio Phosphonic acid, di Diethylthiophosphoronic acid, diethylthiophosphonic acid, diethylthiophosphonic acid, dipropylthiophosphonic acid, dibutylthiophosphonic acid, dipentylthiophosphonic acid, dihexylthiophosphonic acid, diheptylthiophosphonic acid, dibutyl Octyl thiophosphoric acid, octyl thiophosphonic acid, dinonyl thiophosphonic acid, didecyl thiophosphonic acid, diundecyl thiophosphonic acid, didodecyl thiophosphonic acid, ditridecyl thiophosphonic acid, ditetradecylthiophosphonic acid , Dipentadecylthiophosphonic acid, dihexadecylthiophosphonic acid, diheptadecylthiophosphonic acid, dioctadecylthiophosphonic acid, or a combination thereof.
상기 용매는 에탄올, 메탄올, 부탄올, 프로판올, 이소프로판올 등의 알코올, 에틸렌글리콜, 1,4-다이옥산, 아세트니트릴. 테트라하이드로퓨란, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭사이드, 피리딘 또는 이들의 조합일 수 있다.Examples of the solvent include alcohols such as ethanol, methanol, butanol, propanol and isopropanol, ethylene glycol, 1,4-dioxane, acetonitrile. Tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylsulfoxide, pyridine, or combinations thereof.
상기 혼합 공정은 2 시간 내지 24시간 동안 실시할 수 있고, 혼합 공정의 온도는 0℃ 내지 60℃일 수 있다. 상기 혼합 공정 시간 및 온도가 상기 범위일 때, 혼합공정 시간과 온도가 이 범위 이하이면 충분한 반응이 진행되지 않아 수득율이 낮아질 수 있다. The mixing process may be carried out for 2 to 24 hours, and the temperature of the mixing process may be 0 to 60 ° C. When the mixing process time and temperature are in the above ranges, if the mixing process time and temperature are below this range, sufficient reaction does not proceed and the yield may be lowered.
상기 건조 공정은 먼저, 사용된 용매 함량 100 중량부에 대하여, 30 중량부 내지 70 중량부가 증발되어 제거되도록 농축시키는 제1 공정과, 60 내지 95℃에서 12 내지 24시간 동안 건조하는 제2 공정으로 실시할 수 있다.The drying step may include a first step of evaporating 30 to 70 parts by weight of the solvent to 100 parts by weight of the solvent used and concentrating the same to remove the solvent, and a second step of drying at 60 to 95 캜 for 12 to 24 hours .
제조된 금속 착화합물을 유기 용매에 첨가하고, 혼합하여 코팅 조성물을 제조한다. 이때, 분산제를 더욱 첨가할 수도 있다. 상기 혼합 공정은 볼밀로 실시할 수 있다.The metal complexes thus prepared are added to an organic solvent and mixed to prepare a coating composition. At this time, a dispersant may be further added. The mixing process may be performed with a ball mill.
상기 유기 용매의 예로는 상술한 바와 같다. 상기 분산제로 상술한 분산제를 사용할 수 있다.Examples of the organic solvent are as described above. The above-mentioned dispersant may be used as the dispersant.
상기 금속 착화합물과 유기 용매의 혼합비는 1 중량% 내지 80 중량% : 99 중량% 내지 20 중량%일 수 있고, 보다 바람직하게는 10 중량% 내지 60 중량% : 90 중량% 내지 40 중량%일 수 있다.The mixing ratio of the metal complex and the organic solvent may be 1 wt% to 80 wt%: 99 wt% to 20 wt%, and more preferably 10 wt% to 60 wt%: 90 wt% to 40 wt% .
상기 분산제의 함량은 금속 착화합물과 유기 용매 혼합 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 내지 99 중량부일 수 있고, 5 중량부 내지 50 중량부일 수 있다.The content of the dispersant may be 0.1 to 99 parts by weight, and may be 5 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the mixture of the metal complex and the organic solvent.
상기 코팅 조성물은 금속 착화합물이 유기 용매에 분산되어 있는 상태일 수 있다.The coating composition may be in a state in which the metal complex is dispersed in an organic solvent.
상기 코팅 공정 전에, 코팅 조성물에 고분자 수지를 더욱 첨가하고 혼합하는 공정을 실시할 수도 있다. Before the coating step, a step of further adding and mixing a polymer resin into the coating composition may be performed.
상기 고분자 수지로는 상술한 것은 어떠한 것도 사용할 수 있다. 상기 고분자 수지의 함량은 금속 착화합물과 유기 용매의 혼합 중량과의 비율이 1 : 99 내지 95 : 5 중량비, 좋게는 30 : 70 내지 60 : 40 중량비가 되도록 사용할 수 있다.As the polymer resin, any of the above-mentioned materials can be used. The content of the polymer resin may be in the range of 1: 99 to 95: 5 by weight, preferably 30: 70: 60: 40 by weight, based on the combined weight of the metal complex and the organic solvent.
열선 차폐 조성물과 고분자 수지의 혼합비율이 상기 범위에 포함되는 경우, 필름 코팅 시 코팅 장비에 따른 코팅액 점도를 원활하게 조절할 수 있으며, 또한 코팅 후 건조 공정 시 코팅막의 평활도가 우수해지는 장점이 있을 수 있다. When the mixing ratio of the heat ray shielding composition and the polymer resin is within the above range, the viscosity of the coating liquid according to the coating equipment during film coating can be controlled smoothly, and the smoothness of the coating film can be improved in the drying process after coating .
상기 공정에서 유기 용매를 추가로 더욱 첨가할 수도 있다. 또한, 이 공정에서, 첨가제를 추가로 더욱 첨가할 수도 있다. 첨가제로는 유동성 조정제(실리카계, 우레아계, 폴리에틸렌왁스계), 소포제(실리콘계, 비실리콘 폴리머계 미네랄오일계, 에멀젼계), 경화촉진제(에폭시계, 이미드계) 등을 적절하게 사용할 수 있다.An organic solvent may further be added in the above process. Further, in this step, an additive may be further added. Examples of the additives include a fluidity adjuster (silica type, urea type, polyethylene wax type), defoaming agent (silicone type, non-silicone polymer type mineral oil type, emulsion type) and curing accelerator (epoxy type, imide type).
이어서, 얻어진 코팅 조성물을 이용하여 필름을 제조하는 단계로 차폐 필름을 제조한다. Then, a shielding film is prepared by preparing a film using the obtained coating composition.
상기 필름을 제조하는 단계는 상기 코팅 조성물을 기재에 코팅하는 공정을 실시할 수 있다. The step of preparing the film may be a step of coating the substrate with the coating composition.
상기 기재는 상술한 것은 어떠한 것도 사용할 수 있다. 상기 코팅 공정은 그라비아, 마이크로그라비아, 슬롯다이 등을 이용하여 실시할 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다.Any of the above can be used as the above description. The coating process may be performed using gravure, microgravure, slot die or the like, but is not limited thereto.
상기 코팅 공정 이후, 기재에 코팅된 조성물을 경화하는 공정을 더욱실시할 수도 있다. 이 경화 공정은 사용되는 고분자 수지종류에 따라 열경화 또는 자외선 경화로 실시할 수 있다.After the coating step, a step of curing the composition coated on the substrate may be further carried out. This curing process can be performed by thermal curing or ultraviolet curing depending on the type of polymer resin used.
고분자 수지로 열경화형 고분자 수지를 사용하는 경우, 경화 공정과 건조 공정이 동시에 이루어지므로, 이 경화 및 건조 공정은 50℃ 내지 140℃ 범위에서 단계적으로 실시하는 것이 적절하다.In the case of using the thermosetting polymer resin as the polymer resin, since the curing process and the drying process are performed at the same time, it is appropriate to carry out the curing and drying process stepwise in the range of 50 占 폚 to 140 占 폚.
또한 고분자 수지로 자외선 경화형 수지를 사용하는 경우에는, 수은, 메탈 등(metal lamp)을 사용하여 경화 공정을 실시한 후, 건조 공정을 더욱 실시할 수 있다. 상기 건조 공정은 50℃ 내지 140℃ 범위에서 실시할 수 있다.When an ultraviolet curable resin is used as the polymer resin, a drying step can be further performed after a curing process is performed using a mercury or metal lamp. The drying process may be performed at a temperature ranging from 50 ° C to 140 ° C.
이와 같이, 본 발명의 일 구현예에 따른 제조 방법은 복잡한 제법이나 고비용의 물리적인 성막법을 이용하지 않고, 간편한 방법으로 차폐 필름을 제조할 수 있다. 또한 제조된 차폐 필름은 우수한 가시광선 투과성을 유지하는 것과 동시에 높은 열선 차폐성을 발휘할 수 있다.As described above, the manufacturing method according to one embodiment of the present invention can produce a shielding film by a simple method without using a complicated manufacturing method or a high-cost physical film-forming method. Further, the shielding film produced can exhibit high heat ray shielding property while maintaining excellent visible light transmittance.
이하 본 발명의 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러한 하기한 실시예는 본 발명의 일 실시예일뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, examples and comparative examples of the present invention will be described. The following embodiments are only examples of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiments.
(바나듐계 미립자 사용)(Using vanadium-based fine particles)
(실시예 1)(Example 1)
5L 3구 둥근 플라스크 반응부에 에탄올 2L와 바나듐 아세테이트 17g(0.1mol) 및 부틸포스포닉산 14g(0.1mol)을 순차적으로 투입하여 실온에서 하루 동안 교반 하였다.2 L of ethanol, 17 g (0.1 mol) of vanadium acetate and 14 g (0.1 mol) of butylphosphonic acid were added sequentially to a 5 L three-neck round flask reaction part and stirred at room temperature for one day.
얻어진 교반 생성물을, 에탄올이 투입한 양의 절반이 남도록 진공 증발기로 농축하였다. 농축 공정에 따라 석출된 결정을 감압 필터 장치를 이용하여 얻고, 얻어진 결정은 열풍 건조기로 내부온도 80℃에서 하루 동안 건조 시켜 흰색의 고체 결정인 바나듐 금속 인산계 미립자 15.52g(수율 83%)을 얻었다. 제조된 바나듐 금속 인산계 미립자는 하기 화학식 1로 표현되는 착화합물로서, 이때 R은 부틸기이고, M은 V이다.The obtained stirring product was concentrated with a vacuum evaporator so that half of the amount of ethanol was left. The crystal precipitated by the concentration process was obtained by using a vacuum filter device, and the obtained crystals were dried at 80 캜 for one day at an internal temperature of 80 캜 to obtain 15.52 g (yield: 83%) of vanadium metal phosphate fine particles as white solid crystals . The produced vanadium metal phosphate fine particles are represented by the following formula (1), wherein R is a butyl group and M is V.
[화학식 1][Chemical Formula 1]
이어서, 200ml 폴리에틸렌 용기에 제조된 바나듐 금속 인산계 미립자(10g)와 분산제로 Disperbyk-180(5g, BYK-Chemie, Germany)을 메틸에틸케톤(100g)과 함께 혼합한 후, 직경 2㎜의 지르코니아 볼(zirconia ball) 100g을 투입하여 페인트쉐이커(대천산업) 장비로 24시간 동안 혼합하여, 상기 미립자가 전체적으로 균일하게 분산된 분산액 100g을 얻었다.Subsequently, Disperbyk-180 (5 g, BYK-Chemie, Germany) was mixed with methyl ethyl ketone (100 g) as a dispersant and vanadium metal phosphate fine particles (10 g) prepared in a 200 ml polyethylene container were mixed with a zirconia ball (100 g) of zirconia ball were charged and mixed with a paint shaker (Daecheon Industry) for 24 hours to obtain 100 g of a dispersion in which the fine particles were uniformly dispersed as a whole.
다음으로 메틸에틸케톤에 혼합된 아크릴 수지 100g(고형분 30 중량부, 즉 메틸에틸케톤 70g과 아크릴 수지 30g, SOKEN CO., Japan)에 상기 분산액 50g을 투입하고, 이 혼합물에 메틸에틸케톤 및 에틸 아세테이트 각각 10g 투입 후 한시간 동안 교반하여 아크릴 바인더에 상기 미립자가 균일하게 분산된 코팅액 170g을 제조하였다.Next, 50 g of the above dispersion was added to 100 g of an acrylic resin mixed in methyl ethyl ketone (solid content 30 parts by weight, i.e., 70 g of methyl ethyl ketone and 30 g of acrylic resin, SOKEN CO., Japan), and to this mixture were added methyl ethyl ketone and ethyl acetate And the mixture was stirred for one hour to prepare 170 g of a coating liquid in which the fine particles were uniformly dispersed in an acrylic binder.
상기 코팅액을 35㎛ 두께의 투명 폴리에틸렌테레프탈레이트로 이루어진 기재층에 바코터(Meyer Bar. 기배무역)로 균일하게 코팅한 후, 공기순환 건조기(아성산업)의 내부온도 50℃ 내지 140℃에서 단계적으로 3분간 경화(건조)하여 코팅층(차폐층) 두께가 4㎛인 미립자가 균일하게 분산된 차폐 필름을 제조하였다.
The coating solution was uniformly coated on a base layer made of transparent polyethylene terephthalate having a thickness of 35 탆 with a bar coater (Meyer Bar, Korea), and then dried in an air circulation drier (Shing Industries) at an internal temperature of 50 to 140 캜 And then cured (dried) for 3 minutes to prepare a shielding film in which fine particles having a thickness of 4 탆 of the coating layer (shielding layer) were uniformly dispersed.
(실시예 2)(Example 2)
상기 실시예 1에서 부틸포스포닉산 대신 부틸티오포스포닉산 15.4g(0.1mol)를 사용하여 하기 화학식 2로 표현되는 착화합물(이때 R은 부틸기이고, M은 V임)인 흰색 고체 결정 미립자 16.65g(수율 82%)를 제조한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 차폐 필름을 제조하였다.
[화학식 2]
(2)
(실시예 3)(Example 3)
5L 3구 둥근 플라스크 반응부에 에탄올 2L와 바나듐 아세테이트 17g(0.1mol), 디부틸포스피닉산 9g(0.05mol) 및 디부틸티오포스피닉산 10.6g(0.05mol)을 순차적으로 투입하여 실온에서 하루 동안 교반 하였다.In a 5 L three-neck round flask reaction part, 2 L of ethanol, 17 g (0.1 mol) of vanadium acetate, 9 g (0.05 mol) of dibutylphosphinic acid and 10.6 g (0.05 mol) of dibutylthiophosphinic acid were added sequentially, Lt; / RTI >
얻어진 교반 생성물을, 에탄올이 투입된 양의 절반이 남도록 진공 증발기로 농축시켰다. 농축 공정에 따라 석출된 결정을 감압 필터 장치를 이용하여 얻고, 얻어진 결정을 열풍 건조기로 내부온도 80℃에서 하루 동안 건조시켜 하기 화학식 8로 표현되는 착화합물(이때 R1 및 R2는 부틸기이고, M은 V임)인 흰색 고체 결정인 미립자 31.5g(수율 72%)을 얻었다.
[화학식 8]
[Chemical Formula 8]
상기 미립자를 이용하여 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 차폐 필름을 제조하였다.
A shielding film was prepared in the same manner as in Example 1 using the above-mentioned fine particles.
(구리계 미립자 사용)(Using copper-based fine particles)
(실시예 4)(Example 4)
상기 실시예 1에서 바나듐 아세테이트 대신 구리 아세테이트 18.2g(0.1mol)를 사용하여 하기 화학식 1로 표현되는 착화합물(이때 R은 부틸기이고, M은 Cu임)인 흰색 고체 결정인 구리 인산계 미립자 17.37g(수율 87%)를 얻었다.
[화학식 1]Using 18.2 g (0.1 mol) of copper acetate instead of vanadium acetate in Example 1, 17.37 g of copper phosphate-based fine particles as white solid crystals (in which R is a butyl group and M is Cu) represented by the following formula (Yield: 87%).
[Chemical Formula 1]
얻어진 미립자를 사용하여 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 차폐 필름을 제조하였다.
Using the obtained fine particles, a shielding film was produced in the same manner as in Example 1 above.
(실시예 5)(Example 5)
상기 실시예 1에서 바나듐 아세테이트 대신 구리 아세테이트 18.2g(0.1mol)를 사용하였고, 부틸포스포닉산 대신 부틸티오포스포닉산 15.4g(0.1mol)을 사용하여 하기 화학식 2로 표현되는 착화합물(이때 R은 부틸기이고, M은 Cu임)인 흰색 고체 결정인 구리 인산계 미립자 18.33g(수율 85%)를 얻었다.
[화학식 2]
(2)
얻어진 미립자를 사용하여 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 차폐 필름을 제조하였다.
Using the obtained fine particles, a shielding film was produced in the same manner as in Example 1 above.
(실시예 6)(Example 6)
상기 실시예 3에서 바나듐 아세테이트 대신 구리 아세테이트 18.5g(0.1mol)를 사용하여 하기 화학식 8로 표현되는 착화합물(이때 R은 부틸기이고, M은 Cu임)인 흰색 고체 결정인 구리 인산계 미립자 33.3g(수율 74%)를 얻었다.
[화학식 8]
[Chemical Formula 8]
얻어진 미립자를 사용하여 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 차폐 필름을 제조하였다.
Using the obtained fine particles, a shielding film was produced in the same manner as in Example 1 above.
(비교예 1)(Comparative Example 1)
메틸 에틸 케톤에 분산된 투명 아크릴 수지 100g(고형분30%, SOKEN CO., Japan)에 안티몬틴 옥사이드(ATO: antimonytin oxide, 고형분 30 중량부, 용매: 메틸 에틸 케톤, TChem CO., Korea)액을 50g 투입하고, 여기에 메틸에틸케톤 및 에틸 아세테이트를 각각 10g 투입한 후, 한시간 동한 교반하여 아크릴 바인더에 ATO 미립자가 균일하게 분산된 코팅 용액 170g을 제조하였다.Antimony tin oxide (ATO: antimony tin oxide, solid content: 30 parts by weight, solvent: methyl ethyl ketone, TChem CO., Korea) was added to 100 g of a transparent acrylic resin dispersed in methyl ethyl ketone (solid content 30%, SOKEN CO., Japan) And 10 g of methyl ethyl ketone and ethyl acetate were added thereto, respectively. Thereafter, stirring was performed for one hour to prepare 170 g of a coating solution in which ATO fine particles were uniformly dispersed in an acrylic binder.
얻어진 코팅 용액을 이용하여, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 실시하여, 코팅층 두께가 4㎛인 ATO 미립자가 균일하게 분산된 차폐 필름을 제조하였다.
Using the obtained coating solution, the same procedure as in Example 1 was carried out to prepare a shielding film in which ATO fine particles having a coating layer thickness of 4 占 퐉 were uniformly dispersed.
[열선차폐 필름의 평가][Evaluation of heat shielding film]
상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1에 따라 제조된 차폐 필름의 특성을 다음과 같이 평가하였다.The properties of the shielding films prepared according to Examples 1 to 6 and Comparative Example 1 were evaluated as follows.
1. 광학적 특성1. Optical properties
분광광도계(UV-3600, SHIMADZU CO., Japan)를 이용하여 380nm에서 1500nm까지 파장범위의 빛에 대한 투과도를 측정하였다.The transmittance for light in the wavelength range from 380 nm to 1500 nm was measured using a spectrophotometer (UV-3600, SHIMADZU CO., Japan).
(1) 가시광선투과율(Visible Light Transmittance: VLT):(1) Visible Light Transmittance (VLT):
가시광선투과율(VLT)은 분광 광도계를 사용하여 380nm에서 750nm까지를 파장간격 2nm마다 186 파장점의 분광 투과율을 측정하여 입사하는 일광의 광속에 대하여 투과 광속의 입사 광속에 대한 비로 ASTM E903-82 (JIS R 3106, KS L2514)의 기준에 따라 측정 후 계산한 값을 나타내었다. 일광이란 국제조명위원회(CIE: International Commission on Illumination)가 일광 조명 설계용의 합성 일광으로서, 태양 직사광과 산란광을 혼합한 것에 대해서 상대 분광 조도 분포를 준 것을 말하고, 광속이란 분광 방사속과 스펙트럼 시감도를 곱한 것을 파장 적분한 것이다.Visible light transmittance (VLT) was measured using a spectrophotometer from 380 nm to 750 nm by measuring the spectral transmittance of 186 wavelength points at a wavelength interval of 2 nm. The spectral transmittance was measured according to ASTM E903-82 JIS R 3106, KS L2514). The daylight is a daylighting design synthetic daylight, which is a combination of direct sunlight and scattered light. The luminous flux means the spectral radiance and spectral sensitivity It is the wavelength integration of the multiplication.
(2) 열선차폐율(IR Cut-off):(2) IR cut-off ratio:
열차폐율(IR Cut-off)은 분광 광도계를 사용하여 800nm에서 1400nm까지 파장범위에서 투과율을 측정한 후 전체 면적에서 투과된 면적의 적분값을 제외한 면적의 비율을 나타낸 것이다.
The IR cut-off is the ratio of the area excluding the integral of the transmitted area in the total area after measuring the transmittance in the wavelength range from 800 nm to 1400 nm using a spectrophotometer.
2. 내마모성(표면강도 측정)2. Abrasion resistance (surface strength measurement)
JIS K5651-1966에 준한 연필 경도를 측정하였다.
The pencil hardness according to JIS K5651-1966 was measured.
3. 부착성3. Adhesiveness
코팅 피막에 대한 크로스 커트 셀로테이프(Cross Cut Cellotape) 박리시험을 하였다. 즉, 차폐 필름의 코팅층에 1mm 간격으로 절단선을 가로 세로 각각 11매 넣어 1㎟의 눈금수를 100개를 만들어 그 위에 세로로 셀로테이프를 붙이고 급격히 떼어낸다. 이 조작을 3회 반복 실시하였다.A cross cut cellotape peeling test was performed on the coating film. In other words, 11 pieces of cutting lines are arranged at intervals of 1 mm on the coating layer of the shielding film to make 100 squares of 1 mm 2, and cellulotape is vertically placed thereon and then sharply peeled off. This operation was repeated three times.
○ : 가교 경화 피막의 박리가 없음○: No peeling of the crosslinked hard coat
△ : 박리눈 수가 1∼50인 경우B: When the number of peeled eyes is 1 to 50
×: 박리눈 수가 51∼100인 경우
X: When the number of peeling eyes is 51 to 100
4. 도막면 평활성4. Surface smoothness
경화된 후의 피막 평활성 정도를 외관 또는 전자현미경으로 관찰Observation of the degree of smoothness of the film after curing by appearance or electron microscope
○ : 표면이 거울면에 준 할 정도로 대단히 양호○: The surface is very good enough to conform to the mirror surface
△ : 표면에 약간 흐트러짐이 있다.?: There is some disorder on the surface.
× : 표면에 주름이 많이 있다.
X: There are many wrinkles on the surface.
5. 내후성5. Weatherability
카본 아크 선샤인 웨더 미터(Carbon arc sunshine weather-meter)에서 차폐 필름에 300시간 동안 조사 후 가시광선 투과율 및 일사 투과율이 동시에 초기값의 80% 이상을 유지하고 있는 것을 O, 80% 보다 낮은 것을 ×로 나타내었다.
In the carbon arc sunshine weather-meter, the visible light transmittance and the solar radiation transmittance simultaneously maintained at 80% or more of the initial value after 300 hours of irradiation on the shielding film, Respectively.
6. 저장 안정성6. Storage stability
실시예 1 내지 6 및 비교예 1에서 제조된 코팅액의 시간에 따른 경시변화를 상분리, 응집, 점도상승 등의 변화에 따라 나타내었다.The time course of the coating solution prepared in Examples 1 to 6 and Comparative Example 1 with time was shown in accordance with the changes such as phase separation, agglomeration and viscosity increase.
상기 평가 방법에 의해 측정된 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The results measured by the above evaluation method are shown in Table 1 below.
(VLT)Visible light transmittance
(VLT)
(IR Cut-off)Heat shielding rate
(IR Cut-off)
평활도Film surface
Smoothness
상기 표 1에 나타낸 결과로부터, 실시예 1 내지 6에 따라 제조된 차폐 필름은 비교예 1에 따라 제조된 차폐 필름에 비하여 가시광선 투과율은 약 10% 이상, 열선차폐율은 20% 이상 우수한, 즉 가시광선은 약 80% 정도 투과하며, 열선 차폐율은 약 84.3% 이상, 대체적으로 85% 이상인 열선차폐 필름 특성을 나타냄을 알 수 있다. 또한, 표면 강도, 부착성, 도막면 평활도, 내후성 및 저장 안정성 또한 우수함을 알 수 있다.From the results shown in Table 1, it can be seen that the shielding films prepared according to Examples 1 to 6 have a visible light transmittance of about 10% or more and a heat shielding rate of more than 20% Visible light transmittance is about 80%, and heat ray shielding rate is about 84.3% or more, generally 85% or more. Further, it can be seen that the surface strength, adhesion, smoothness of coating film surface, weather resistance and storage stability are also excellent.
실시예 1, 3, 4, 6 및 비교예 1에 따라 제조된 차폐 필름의 광 투과 스펙트럼(UV-Vis-NIR 투과율 그래프)을 측정하고, 그 결과를 도 1에 도시하였다. 도 1에 도시된 바와 같이 비교예 1의 차폐 필름과 비교하여 실시예 1, 3, 4 및 6의 차폐 필름이 우수한 가시광선 투과율 및 열선 차폐 특성을 나타냄을 알 수 있다. 특히, 실시예 1, 3, 4 및 6의 차폐 필름은 적외선, 특히 900 내지 1100 nm 영역의 근적외선을 효과적으로 흡수할 수 있음을 알 수 있다.The light transmission spectrum (UV-Vis-NIR transmittance graph) of the shielding films prepared according to Examples 1, 3, 4 and 6 and Comparative Example 1 was measured, and the results are shown in Fig. As shown in FIG. 1, the shielding films of Examples 1, 3, 4 and 6 exhibit excellent visible light transmittance and heat ray shielding properties, as compared with the shielding film of Comparative Example 1. In particular, it can be seen that the shielding films of Examples 1, 3, 4, and 6 can effectively absorb infrared rays, particularly near-infrared rays of 900 to 1100 nm.
또한, 이 결과를 태양 복사열 에너지 스펙트럼(ASTM E891)을 도시한 도 2의 800nm 내지 1400nm에서의 열 분포도와 비교하면, 실시예 1, 3, 4 및 6의 차폐 필름은 열선 차폐 필름으로서 높은 가시광 투과율 및 우수한 열선 차폐 기능을 나타내고 있음을 알 수 있다.Further, comparing these results with the thermal distribution at 800 to 1400 nm in FIG. 2 showing the solar radiation heat energy spectrum (ASTM E891), the shielding films of Examples 1, 3, 4 and 6 exhibited high visible light transmittance And excellent heat ray shielding function.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And it goes without saying that the invention belongs to the scope of the invention.
Claims (12)
유기 용매
를 포함하는 차폐 필름용 조성물.
[화학식 1]
[화학식 2]
(상기 화학식 1 내지 2에서,
M은 금속 원자이고, R은 인 원자에 인접한 원자가 탄소인 유기기임.)
[화학식 8]
(상기 화학식 8에서,
M은 금속 원자이고, R1 및 R2는 서로 독립적으로, 인 원자에 인접한 원자가 탄소인 유기기임.)A metal complex comprising at least one of the complexes represented by the following formulas (1), (2) and (8); And
Organic solvent
And a protective film.
[Chemical Formula 1]
(2)
(In the above Formulas 1 to 2,
M is a metal atom, and R is an organic group in which the atom adjacent to the phosphorus atom is carbon.
[Chemical Formula 8]
(In the formula (8)
M is a metal atom, R 1 and R 2 are independently of each other, and the atom adjacent to the phosphorus atom is carbon.)
상기 M은 F, Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Se, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, La, Ce, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au 또는 이들의 조합인 차폐 필름용 조성물.The method according to claim 1,
M is at least one element selected from the group consisting of F, Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Se, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, , La, Ce, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Or a combination thereof.
상기 R, R1 및 R2는 서로 독립적으로, F; Cl; Br; I; 치환 또는 치환되지 않은, C1 내지 C4의 알킬기; 치환 또는 치환되지 않은, C2 내지 C4의 알케닐기; 치환 또는 치환되지 않은, C2 내지 C4의 알키닐기; 치환 또는 치환되지 않은, C5 내지 C10의 사이클로알킬기; 치환 또는 치환되지 않은, C6 내지 C10의 아릴기; 알콕시기; 알킬아민기; 또는 알콕시아미드기인 차폐 필름용 조성물.The method according to claim 1,
R, R < 1 > and R < 2 >Cl;Br;I; A substituted or unsubstituted C1 to C4 alkyl group; A substituted or unsubstituted C2-C4 alkenyl group; A substituted or unsubstituted C2-C4 alkynyl group; A substituted or unsubstituted C5 to C10 cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted C6 to C10 aryl group; An alkoxy group; An alkylamine group; Or an alkoxyamide group.
상기 금속 착화합물의 함량은 조성물 전체 100 중량%에 대하여, 1 중량% 내지 80 중량%인 차폐 필름용 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the content of the metal complex compound is 1 wt% to 80 wt% with respect to 100 wt% of the total composition.
상기 유기 용매의 함량은 조성물 전체 100 중량%에 대하여, 20 중량% 내지 99 중량%인 차폐 필름용 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the content of the organic solvent is 20 wt% to 99 wt% with respect to 100 wt% of the entire composition.
상기 차폐 필름용 조성물은 분산제를 더욱 포함하는 것인 차폐 필름용 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the composition for a shielding film further comprises a dispersing agent.
상기 분산제의 함량은 상기 차폐 필름용 조성물 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 내지 99 중량부인 차폐 필름용 조성물.The method according to claim 6,
Wherein the content of the dispersing agent is 0.1 parts by weight to 99 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the composition for a shielding film.
상기 차폐 필름용 조성물은 고분자 수지를 더욱 포함하는 것인 차폐 필름용 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the composition for a shielding film further comprises a polymer resin.
상기 고분자 수지는 상기 차폐 필름용 조성물과 고분자 수지의 혼합 비율이 1 : 99 내지 95 : 5 중량비가 되도록 포함되는 것인 차폐 필름용 조성물.9. The method of claim 8,
Wherein the polymer resin includes the shielding film composition and the polymer resin in a mixing ratio of 1: 99 to 95: 5 by weight.
상기 금속 착화합물을 유기 용매에 첨가하여 코팅 조성물을 제조하는 단계; 및
상기 코팅 조성물을 이용하여 필름을 제조하는 단계
를 포함하는 차폐 필름의 제조 방법.
[화학식 1]
[화학식 2]
(상기 화학식 1 내지 2에서,
M은 금속 원자이고, R은 인 원자에 인접한 원자가 탄소인 유기기임.)
[화학식 8]
(상기 화학식 8에서,
M은 금속 원자이고, R1 및 R2는 서로 독립적으로, 인 원자에 인접한 원자가 탄소인 유기기임.)Synthesizing a metal complex comprising at least one of the complexes represented by the following formulas (1), (2) and (8);
Adding the metal complex to an organic solvent to prepare a coating composition; And
Preparing a film using the coating composition
Wherein the shielding film is made of a metal.
[Chemical Formula 1]
(2)
(In the above Formulas 1 to 2,
M is a metal atom, and R is an organic group in which the atom adjacent to the phosphorus atom is carbon.
[Chemical Formula 8]
(In the formula (8)
M is a metal atom, R 1 and R 2 are independently of each other, and the atom adjacent to the phosphorus atom is carbon.)
상기 코팅 조성물에 고분자 수지를 첨가하는 단계를 더욱 포함하는 것인 차폐 필름의 제조 방법.12. The method of claim 11,
And adding a polymer resin to the coating composition.
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|---|---|---|---|---|
| JP2004109904A (en) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Kureha Chem Ind Co Ltd | Heat ray shut-off body |
| JP2005146143A (en) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Seed Co Ltd | Ultraviolet-curing heat-ray-shielding hard coat composition |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2005146143A (en) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Seed Co Ltd | Ultraviolet-curing heat-ray-shielding hard coat composition |
| KR20080042834A (en) * | 2005-08-10 | 2008-05-15 | 도요 잉키 세이조 가부시끼가이샤 | Near-infrared absorbing material and use thereof |
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