KR101496552B1 - 웨이퍼 건조 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 건조 장치를 개시한다. 개시된 본 발명의 웨이퍼 건조 장치는, 배스; 및 상기 배스의 내면에 배치되고, 상기 웨이퍼 측으로 열을 가하기 위한 상부 램프 및 하부 램프를 포함하고, 상기 상부 램프는 상기 배스의 측벽에 형성되며, 상기 배스의 바텀 플레이트와 이격되어 배치되고, 상기 하부 램프는 상기 배스의 바텀 플레이트에 형성되며, 상기 상부 램프가 형성된 측벽과 이격되어 배치되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 따른 웨이퍼 건조 장치는, 상부 램프와 하부 램프 간의 열적 손상을 방지하며, 특히 상부 램프의 열적 손상을 방지하고, 램프의 수명을 연장한다. 또한, 웨이퍼 지지부의 열적 손상을 방지하여, 형태의 변형을 방지하고, 배스 내의 기류에 영향을 주어 웨이퍼에 몰림성 패턴의 발생을 방지할 수 있다.

Description

웨이퍼 건조 장치{Apparatus for drying wafer}
본 발명은 웨이퍼 건조 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 웨이퍼 지지부의 손상을 방지하고, 램프의 수명을 연장하고, 웨이퍼의 특정 부위에 뭉쳐있는 파티클을 개선하는 웨이퍼 건조 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판 세정 후에 진행하는 웨이퍼 건조 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 워터마크(water mark)와 파티클(particle)이 발생하지 아니하도록 기판을 완전하게 건조시키는 기판 건조 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 기판, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼를 이용하여 증착, 사진 및 식각 공정 등을 반복 수행함으로써 제조될 수 있다. 공정들을 거치는 동안 기판 상에는 각종 파티클, 금속 불순물, 유기 불순물 등과 같은 오염 물질이 잔존할 수 있다. 오염 물질은 반도체 소자의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치기 때문에, 반도체 제조시에는 기판에 잔존하는 오염 물질을 제거하는 세정공정이 수행된다. 이러한 세정 공정에서 탈 이온수(deionized water)와 같은 약액이 사용될 수 있고, 세정 공정 중 또는 후에 이와 같은 약액은 효율적으로 웨이퍼로부터 제거되어야 한다. 즉, 웨이퍼를 세정하기 위한 세정 장치에는 세정된 웨이퍼들을 건조하기 위한 건조 장치가 구비되고, 세정 공정 후에는 건조 공정을 수행하게 된다. 이러한 웨이퍼 건조 장치에는 배스, 웨이퍼 지지부 및 적외선 램프 등이 구비될 수 있으며, 웨이퍼들은 적외선 램프 등에 의해서 건조될 수 있다.
이 건조 공정 과정에서 워터마크나 파티클이 잔류할 수 있다. 반도체 기판이 대구경화됨에 따라 기판 건조시 기판 외측면에 워터마크 또는 파티클이 발생하지 않도록 하는 것은 더욱 중요하게 인식되고 있다. 또한, 웨이퍼들에 열이 균일하게 전달되지 않아서, 웨이퍼가 균일하게 건조되지 않을 수 있으며, 웨이퍼 상에 간헐적인 열적 편차로 인해 몰림성 패턴이 발생하는 문제점이 있다. 또한, 램프에 의해 웨이퍼 지지부의 형상이 변형되고, 램프 간의 열적 손상으로 램프의 수명이 단축되는 문제점이 있다.
본 발명은 상부 램프와 하부 램프 간의 열적 손상을 방지하며, 특히 상부 램프의 열적 손상을 방지하고, 램프의 수명을 연장하는 웨이퍼 건조 장치를 제공하는데 목적이 있다.
또한, 본 발명은 웨이퍼 지지부의 열적 손상을 방지하여, 형태의 변형을 방지하는 웨이퍼 건조 장치를 제공하는데 다른 목적이 있다.
또한, 본 발명은 배스 내의 기류에 영향을 주어 웨이퍼의 특정 부위에 뭉쳐있는 LLS(localized light scatterers)인 몰림성 패턴의 발생을 방지하는 웨이퍼 건조 장치를 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 웨이퍼 건조장치는, 배스; 및 상기 배스의 내면에 배치되고, 상기 웨이퍼 측으로 열을 가하기 위한 상부 램프 및 하부 램프를 포함하고, 상기 상부 램프는 상기 배스의 측벽에 형성되며, 상기 배스의 바텀 플레이트와 이격되어 배치되고, 상기 하부 램프는 상기 배스의 바텀 플레이트에 형성되며, 상기 상부 램프가 형성된 측벽과 이격되어 배치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 웨이퍼 건조 장치는 상부 램프와 하부 램프 간의 열적 손상을 방지하며, 특히 상부 램프의 열적 손상을 방지하고, 램프의 수명을 연장하는 제 1 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 건조 장치는 웨이퍼 지지부의 열적 손상을 방지하여, 형태의 변형을 방지하는 제 2 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 건조 장치는 배스 내의 기류에 영향을 주어 웨이퍼의 특정 부위에 뭉쳐있는 LLS(localized light scatterers)인 몰림성 패턴의 발생을 방지하는 제 3 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 분해 사시도를 도시한 도면이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 단면도를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 분해 사시도를 도시한 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 단면도를 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 부, 척, 웨이퍼 및 패드 등이 각 부, 척, 웨이퍼 및 패드 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 하부에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 분해 사시도를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 건조장치는 배스(100), 상부 램프(110), 하부 램프(120) 및 웨이퍼 지지부(130)를 포함한다. 웨이퍼 건조 장치의 내부에 배치되는 웨이퍼들(10)의 직경 방향이고, 상기 배스(100)의 바텀 플레이트(102)에 수평인 방향을 제 1 방향으로 정의한다. 상기 웨이퍼들(10)의 직경 방향이고, 상기 배스(100)의 바텀 플레이트(102)에 수직이며, 상기 제 1 방향과 직각을 이루는 방향을 제 2 방향으로 정의한다. 또한, 상기 웨이퍼들(10)의 직경 방향과 수직이고, 상기 배스(100)의 바텀 플레이트(102)에 수평이며, 상기 제 1 방향 및 제 2 방향과 직각을 이루는 방향을 제 3 방향으로 정의한다.
상기 배스(100)는 박스 형상을 가질 수 있다. 상기 배스(100)는 바텀 플레이트(102) 및 제 1 측벽 내지 제 4 측벽(101a,101b,101c,101d)으로 이루어진 4개의 측벽들을 포함할 수 있다. 상기 제 1 측벽(101a) 및 제 3 측벽(101c)은 대면하여 배치되고, 상기 제 2 측벽(101b) 및 제 4 측벽(101d)은 대면하여 배치된다. 상기 배스(100)의 바텀 플레이트(102)와 제 1 측벽 내지 제 4 측벽(101a,101b,101c,101d)은 각각 직각(90°)을 이루도록 형성될 수 있다. 이때, 제 1 측벽(101a) 및 제 3 측벽(101c)은 제 2 방향 및 제 3 방향으로 연장되도록 배치되고, 제 2 측벽(101b) 및 제 4 측벽(101d)은 제 1 방향 및 제 2 방향으로 연장되도록 배치될 수 있다.
도면에는 도시하지 않았으나, 상기 배스(100)의 서로 대면하는 적어도 한 쌍의 측벽은 각각 상기 배스(100)의 바텀 플레이트(102)와 둔각을 이루고 형성된다. 상기 배스(100)의 바텀 플레이트(102)와 둔각을 이루고 형성되는 측벽은 배스(100)의 제 1 측벽(101a) 및 제 3 측벽(101c)일 수 있다. 상기 배스(100)의 제 1 측벽(101a) 및 제 3 측벽(101c)에는 상부 램프(110)가 형성될 수 있다.
상기 웨이퍼 지지부(130)는 배스(100) 내측에서 웨이퍼들(10)을 지지하고 고정시킬 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(130)는 상기 배스(100) 내측에 배치되어, 상기 웨이퍼들(10)을 상기 배스(100) 내에 세울 수 있고, 상기 웨이퍼들(10)이 서로 이격되어 마주보도록 고정시킨다. 즉, 상기 웨이퍼들(10)은 상기 웨이퍼 지지부(130)에 의해서, 서로 일정한 간격으로 이격되어 세워지고, 정렬될 수 있다.
상기 웨이퍼 지지부(130)는 상기 웨이퍼들(10)의 외주면에 형성될 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(130)는 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(130)는 상기 웨이퍼들(10)의 직경과 수직 방향으로 연장될 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(130)는 제 3 방향으로 연장될 수 있다. 이로 인해, 상기 웨이퍼 지지부(130)는 웨이퍼들(10)을 일정하게 정렬할 수 있으며, 지지하고 고정시킬 수 있다.
또한, 상기 웨이퍼 지지부(130)는 다수 개로 형성될 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(130)는 웨이퍼들(10)의 일측면에 한 쌍 및 상기 일측면에 대향하는 다른 일측면에 한 쌍으로 형성될 수 있다. 상기 일측면에 형성되는 한 쌍의 웨이퍼 지지부 중 상측에 형성되는 웨이퍼 지지부는 상기 상부 램프(110)와 인접하고, 제 1 방향에서 중첩되도록 배치될 수도 있다.
종래 발명에서 웨이퍼 지지부는 상부 램프 및 하부 램프가 제 2 방향에서 중첩되도록 형성되어 열의 상승 기류 등으로 인해 형태가 변형이 되는 문제가 있다. 특히, 상기 일측면에 형성되는 한 쌍의 웨이퍼 지지부 중 상측에 형성되는 웨이퍼 지지부는 상기 상부 램프와 인접하며 상부 램프 및 하부 램프로부터 열적 영향을 더 크게 받아 그 변형이 더 문제가 될 수 있다.
하지만, 본 발명의 상기 웨이퍼 지지부(130)는 하기와 같이 상부 램프(110)는 배스(100)의 측벽에 하부 램프(120)는 배스(100)의 바텀 플레이트에 형성되어 상기 상부 램프(110)와 하부 램프(120)간 거리가 종래보다 멀어지도록 형성된다. 이로써, 상기 웨이퍼 지지부(130)는 램프들의 발열로 인한 영향을 적게 받으므로 외형에 변형이 발생하지 않는다. 도면에는 도시하지 않았지만, 로봇 암에 의해 상기 웨이퍼 지지부(130) 및 웨이퍼들(10) 배스(100) 내측으로 로딩 또는 언로딩될 수 있다.
한편, 상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)는 적외선을 발생시킨다. 즉, 상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)는 열을 발생시키는 발열부이다. 상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)가 발생시키는 열은 웨이퍼들(10)과의 거리 및 건조 시간 등에 의해서 달라질 수 있다.
상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)는 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)는 웨이퍼들(10)의 직경과 수직 방향으로 연장될 수 있다. 상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)는 제 3 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)는 상기 제 3 방향으로 연장되는 막대 형상 또는 봉 형상을 가질 수 있다. 상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)의 형성 위치를 단면도를 참조하여 자세히 설명한다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 단면도를 도시한 도면이다.
상기 도 2a를 정면도, 상기 도 2b를 평면도 및 상기 도 2c를 측면도로 정의한다. 도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 상기 상부 램프(110)는 상기 배스(100)의 측벽에 고정되어 형성된다. 상기 배스(100)의 제 1 측벽(101a) 및 제 3 측벽(101c)에 고정되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 상부 램프(110)는 상기 바텀 플레이트(102)와 이격되어 형성될 수 있다. 다수개의 발열부가 배스(100)의 동일한 측벽에서 제 2 방향으로 중첩되도록 형성되면, 열의 상승 기류 등으로 인해 램프 및 웨이퍼 지지부의 변형이 발생되는 문제점이 있다. 따라서, 상기 제 1 측벽(101a) 및 제 3 측벽(101c)에 형성되는 발열부는 상부 램프(110)만 배치될 수 있다.
또한, 상기 상부 램프(110)는 발열부로써, 웨이퍼들(10)을 건조하기 위한 구성이다. 측면도를 참조하면, 상기 상부 램프(110)는 웨이퍼들(10)의 측면에 형성될 수 있다. 즉, 제 1 방향에서 상기 웨이퍼들(10)과 상기 상부 램프(110)는 중첩되도록 형성될 수 있다. 이로 인해, 상기 웨이퍼들(10)의 중심과 상기 상부 램프(110)의 거리가 가까워지며, 동일 출력량 대비 웨이퍼들(10)의 건조 효과를 증가시킬 수 있다.
상기 하부 램프(120)는 상기 배스(100)의 바텀 플레이트(102)에 고정되어 형성된다. 상기 하부 램프(120)는 웨이퍼들(10)의 하부에 형성될 수 있다. 정면도 및 측면도를 참조하면, 상기 하부 램프(120)는 웨이퍼들(10)의 측면에 형성되지 않도록 배치되어, 제 1 방향에서 상기 웨이퍼들(10)과 상기 하부 램프(120)는 이격되어, 중첩되지 않도록 형성될 수 있다.
정면도를 참조하면, 상기 하부 램프(120)는 상기 배스(100)의 제 1 측벽(101a) 및 제 3 측벽(101c)과 이격되어 형성된다. 상기 상부 램프(110)의 상측에서 배스(100)를 평면으로 바라볼 때, 상기 상부 램프(110)와 상기 하부 램프(120)는 이격되어 형성될 수 있다. 또한, 평면도를 참조하면, 상기 하부 램프(120)는 제 2 방향으로 형성된 상기 상부 램프(110)의 사영(shadow)과 이격되어 형성된다. 즉, 상기 하부 램프(120)와 상기 상부 램프(110)는 제 2 방향에서 중첩되지 않는 위치에 형성된다.
상부 램프와 하부 램프가 모두 배스의 동일한 측벽에서 형성되고, 제 2 방향으로 중첩되도록 형성되는 경우, 하부 램프로부터 발생된 열의 상승 기류 등으로 인해, 상부 램프 및 웨이퍼 지지부의 변형이 발생되는 문제점이 있다. 본 발명에 따른 웨이퍼 건조 장치는 하부 램프와 상부 램프의 위치를 제 2 방향에서 중첩되지 않도록 이격하여 형성함으로써, 램프 및 웨이퍼 지지부의 변형을 방지하고, 램프의 수명을 연장할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 특정 부위에 뭉쳐있는 LLS(localized light scatterers), 즉, 몰림성 패턴을 개선할 수 있다.
또한, 상기 웨이퍼들(10)의 중심에서 상기 상부 램프(110)에 이르는 거리와 상기 웨이퍼들(10)의 중심에서 상기 하부 램프(120)에 이르는 거리가 동일하도록 상기 상부 램프(110) 및 하부 램프(120)가 배치될 수 있다. 상기 상부 램프(110)와 하부 램프(120)가 이격되어 형성됨에 따라 서로 간에 영향을 주지 않으며, 상기 상부 램프(110)와 하부 램프(120)의 출력이 동일할 경우, 상기 웨이퍼들(10)에 균일한 열 전달이 가능하다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 분해 사시도를 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 건조장치는 배스(200), 상부 램프(210), 하부 램프(220) 및 웨이퍼 지지부(230)를 포함한다. 웨이퍼 건조 장치의 내부에 배치되는 웨이퍼들(10)의 직경 방향이고, 상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)에 수평인 방향을 제 1 방향으로 정의한다. 상기 웨이퍼들(10)의 직경 방향이고, 상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)에 수직이며, 상기 제 1 방향과 직각을 이루는 방향을 제 2 방향으로 정의한다. 또한, 상기 웨이퍼들(10)의 직경 방향과 수직이고, 상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)에 수평이며, 상기 제 1 방향 및 제 2 방향과 직각을 이루는 방향을 제 3 방향으로 정의한다.
상기 웨이퍼 지지부(230)는 배스(200) 내측에서 웨이퍼들(10)을 지지하고 고정시킬 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(230)는 상기 배스(200) 내측에 배치되어, 상기 웨이퍼들(10)을 상기 배스(200) 내에 세울 수 있고, 상기 웨이퍼들(10)이 서로 이격되어 마주보도록 고정시킨다. 즉, 상기 웨이퍼들(10)은 상기 웨이퍼 지지부(230)에 의해서, 서로 일정한 간격으로 이격되어 세워지고, 정렬될 수 있다.
상기 웨이퍼 지지부(230)는 상기 웨이퍼들(10)의 외주면에 형성될 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(230)는 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 자세하게는, 상기 웨이퍼 지지부(230)는 상기 웨이퍼들(10)의 직경과 수직 방향으로 연장될 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(230)는 제 3 방향으로 연장될 수 있다. 이로 인해, 상기 웨이퍼 지지부(230)는 웨이퍼들(10)을 일정하게 정렬할 수 있으며, 지지하고 고정시킬 수 있다.
또한, 상기 웨이퍼 지지부(230)는 다수 개로 형성될 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(230)는 웨이퍼들(10)의 일측면에 한 쌍 및 상기 일측면에 대향하는 다른 일측면에 한 쌍으로 형성될 수 있다. 상기 일측면에 형성되는 한 쌍의 웨이퍼 지지부(230) 중 상측에 형성되는 웨이퍼 지지부(230)는 상기 상부 램프(210)와 인접하게 제 1 방향에서 중첩되는 위치에 배치될 수도 있다. 이러한 상기 일측면에 형성되는 한 쌍의 웨이퍼 지지부 중 상측에 형성되는 웨이퍼 지지부는 상기 상부 램프와 인접하며 상부 램프 및 하부 램프로부터 열적 영향을 더 크게 받아 그 변형이 더 문제가 될 수 있다.
하지만, 본 발명은 하기와 같이 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)가 형성되는 배스(200)의 측벽이 바텀 플레이트와 둔각을 이루고 형성되는 바, 상기 상부 램프(110)와 하부 램프(120)가 제 2 방향으로 중첩되지 않도록 형성된다. 이로써, 상기 웨이퍼 지지부(130)는 램프들의 발열로 인한 열적 상승 기류 등의 영향을 적게 받으므로 외형에 변형이 발생하지 않는다. 도면에는 도시하지 않았지만, 로봇 암에 의해 상기 웨이퍼 지지부(230) 및 웨이퍼들(10) 배스(200) 내측으로 로딩 또는 언로딩될 수 있다.
상기 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)는 적외선을 발생시킨다. 즉, 상기 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)는 열을 발생시키는 발열부이다. 상기 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)가 발생시키는 열은 웨이퍼들(10)과의 거리 및 건조 시간 등에 의해서 달라질 수 있다.
상기 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)는 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 자세하게는, 상기 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)는 웨이퍼들(10)의 직경과 수직 방향으로 연장될 수 있다. 더 자세하게는, 상기 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)는 제 3 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)는 상기 제 3 방향으로 연장되는 막대 형상 또는 봉 형상을 가질 수 있다. 상기 상부 램프(210) 및 하부 램프(220)의 형성 위치와 배스(200)의 형상에 대한 특징을 단면도를 참조하여 자세히 설명한다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 단면도를 도시한 도면이다.
상기 도 4a를 정면도, 상기 도 4b를 평면도 및 상기 도 4c를 측면도로 정의한다. 도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 상기 배스(200)는 바텀 플레이트(202) 및 제 1 측벽 내지 제 4 측벽(201a,201b,201c,201d)으로 이루어진 4개의 측벽들을 포함할 수 있다. 상기 제 1 측벽(201a) 및 제 3 측벽(201c)은 대면하여 형성되고, 상기 제 2 측벽(201b) 및 제 4 측벽(201d)은 대면하여 형성된다.
정면도를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 건조 장치의 배스(200)의 서로 대면하는 적어도 두 개의 측벽은 역사다리꼴 형상으로 형성될 수 있다. 상기 역사다리꼴 형상으로 형성되는 측벽은 배스(200)의 측벽 중 제 2 측벽(201b) 및 제 4 측벽(201d)일 수 있다. 또한, 상기 배스(200)의 서로 대면하는 적어도 한 쌍의 측벽은 각각 상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)와 둔각을 이루고 형성된다. 상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)와 둔각을 이루고 형성되는 측벽은 배스(200)의 제 1 측벽(201a) 및 제 3 측벽(201c)일 수 있다.
다수개의 발열부가 배스(200)의 제 2 방향으로 중첩되도록 형성되면, 열의 상승 기류 등으로 인해 상부 램프(210) 및 웨이퍼 지지부(230)의 변형이 발생된다. 이를 방지하기 위해 다수개의 발열부가 배치되는 배스(200)의 측벽은 바텀 플레이트(202)와 둔각을 이루도록 배치된다.
상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)와 제 1 측벽(201a) 및 제 3 측벽(201c)은 둔각으로 일정한 각도(θ)를 이루고 접하여 형성되고, 상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)와 제 2 측벽(201b) 및 제 4 측벽(201d)은 각각 직각(90°)을 이루도록 접하여 형성될 수 있다. 상기 각도(θ)는 90°~180°(둔각)로 형성될 수 있고, 바람직하게는, 120°~150°로 형성될 수 있고, 더 바람직하게는 135°로 형성될 수 있다. 또한, 제 2 측벽(201b) 및 제 4 측벽(201d)은 제 1 방향 및 제 2 방향으로 연장되도록 배치될 수 있다.
상기 상부 램프(210)는 상기 배스(200)의 측벽에 고정되어 형성된다. 상기 상부 램프(210)가 고정되는 측벽은 상기 배스(200)의 제 1 측벽(201a) 및 제 3 측벽(201c)일 수 있다. 상기 상부 램프(210)는 상기 바텀 플레이트(202)와 이격되어 형성된다. 측면도를 참조하면, 상기 상부 램프(210)는 웨이퍼들(10)의 측부에 형성될 수 있다. 즉, 제 1 방향에서 상기 웨이퍼들(10)과 상기 상부 램프(210)는 중첩되도록 형성될 수 있다. 이로 인해, 상기 웨이퍼들(10)과 상기 상부 램프(210)의 거리가 가깝게 형성되어 동일 출력량 대비 웨이퍼들(10)의 건조 효과를 증가시킬 수 있다.
또한, 상기 하부 램프(220)도 상기 상부 램프(210)와 같이, 상기 배스(200)의 측벽에 고정되어 형성된다. 상기 하부 램프(220)가 고정되는 측벽은 상기 배스(200)의 제 1 측벽(201a) 및 제 3 측벽(201c)일 수 있다. 상기 하부 램프(220)는 상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)에 접하거나, 이격되어 고정되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 하부 램프(220)는 웨이퍼들(10)의 측부 또는 하부에 형성될 수 있다.
정면도를 참조하면, 상기 하부 램프(220)는 상기 상부 램프(210)의 하부에서 상기 상부 램프(210)와 이격되어 형성된다. 또한, 상기 배스(200)의 형상으로 인해 상부 램프(210)와 하부 램프(220)는 모두 제 1 측벽(201a) 및 제 3 측벽(201c)에 형성되더라도, 바텀 플레이트(202)에 수직한 방향으로 중첩되지 않도록 형성된다. 상부 램프(210)와 하부 램프(220)가 배스(200)의 제 2 방향으로 중첩되도록 형성되면, 열의 상승 기류 등으로 인해 상부 램프(210) 및 웨이퍼 지지부(230)의 변형이 발생되나, 배스(200)의 측벽은 바텀 플레이트(202)와 둔각을 이루도록 배치되므로, 상기 상부 램프(210)와 하부 램프(220)는 제 2 방향으로 서로 이격되어 형성된다.
상기 상부 램프(210)의 상측에서 배스(200)를 평면으로 바라볼 때, 상기 상부 램프(210)와 상기 하부 램프(220)는 이격되어 형성될 수 있다. 또한, 평면도를 참조하면, 상기 배스(200)의 제 1 측벽(201a) 및 제 3 측벽(201c)은 상기 배스(200)의 바텀 플레이트(202)와 일정 각도(θ)를 갖도록 기울어지게 형성되고, 상기 하부 램프(220)는 제 2 방향으로 형성된 상기 상부 램프(210)의 사영(shadow)과 이격되어 형성된다. 즉, 상기 하부 램프(220)와 상기 상부 램프(210)는 제 2 방향에서 중첩되지 않는 위치에 형성된다.
상기 배스(200)의 제 1 측벽(201a) 및 제 3 측벽(201c)과 바텀 플레이트(202)가 이루는 각도(θ)는 바텀 플레이트(202)에 수직인 방향으로 상부 램프(210)와 하부 램프(220)가 중첩되지 않도록 하는 각도로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 웨이퍼들(10)의 중심에서 상기 상부 램프(210)에 이르는 거리와 상기 웨이퍼들(10)의 중심에서 상기 하부 램프(220)에 이르는 거리가 동일하도록 상기 상부 램프(210)와 하부 램프(220)가 배치될 수 있다. 상기 상부 램프(210)와 하부 램프(220)가 이격되어 형성됨에 따라 서로 간에 영향을 주지 않으며, 상기 상부 램프(210)와 하부 램프(220)의 출력이 동일할 경우, 상기 웨이퍼들(10)에 균일한 열 전달이 가능하다.
따라서, 본 발명에 따른 웨이퍼 건조 장치는, 상부 램프와 하부 램프 간의 열적 손상을 방지하며, 특히 상부 램프의 열적 손상을 방지하고, 램프의 수명을 연장한다. 또한, 웨이퍼 지지부의 열적 손상을 방지하여, 형태의 변형을 방지하고, 배스 내의 기류에 영향을 주어 웨이퍼의 특정 부위에 뭉쳐있는 LLS(localized light scatterers), 몰림성 패턴의 발생을 방지할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
10: 웨이퍼들 101a: 제 1 측벽
100: 배스 101b: 제 2 측벽
110: 상부 램프 101c: 제 3 측벽
120: 하부 램프 101d: 제 4 측벽
130: 웨이퍼 지지부 102: 바텀 플레이트

Claims (12)

  1. 배스;
    상기 배스 내측에 배치되고, 다수의 웨이퍼들을 지지하는 웨이퍼 지지부; 및
    상기 배스의 내면에 배치되고, 상기 웨이퍼 측으로 열을 가하기 위한 상부 램프 및 하부 램프를 포함하고,
    상기 상부 램프는 상기 배스의 측벽에 형성되며, 상기 배스의 바텀 플레이트와 이격되어 배치되고,
    상기 하부 램프는 상기 배스의 바텀 플레이트에 형성되며, 상기 상부 램프가 형성된 측벽과 이격되어 배치되고,
    상기 웨이퍼의 직경 방향이고, 상기 바텀 플레이트에 수직인 방향에서 형성된 상기 상부 램프의 사영(shadow)은 하부 램프와 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 램프는 웨이퍼들의 측부에 배치되고, 상기 하부 램프는 웨이퍼들의 하부에 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 램프의 상측에서 배스를 평면으로 바라볼 때,
    상기 배스의 양 측벽에 형성된 상기 상부 램프 사이에 상기 하부 램프가 상기 상부 램프와 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼들의 중심에서 상부 램프에 이르는 거리와 하부 램프에 이르는 거리는 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 램프가 형성되는 상기 배스의 측벽은 상기 배스의 바텀 플레이트와 둔각을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  7. 배스;
    상기 배스 내측에 배치되고, 다수의 웨이퍼들을 지지하는 웨이퍼 지지부; 및
    상기 배스의 내면에 배치되고, 상기 웨이퍼측으로 열을 가하기 위한 상부 램프 및 하부 램프를 포함하고,
    상기 배스의 서로 대면하는 적어도 한 쌍의 측벽은 각각 상기 배스의 바텀 플레이트와 둔각을 이루도록 형성되고,
    상기 상부 램프 및 하부 램프는 상기 측벽에 형성되고,
    상기 웨이퍼의 직경 방향이고, 상기 바텀 플레이트에 수직인 방향에서 형성된 상기 상부 램프의 사영(shadow)은 하부 램프와 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 둔각은 120°~150°인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  9. 삭제
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 하부 램프는 바텀 플레이트에 접하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 상부 램프의 상측에서 배스를 평면으로 바라볼 때,
    상기 배스의 양 측벽에 형성된 상기 상부 램프 사이에 상기 하부 램프가 상기 상부 램프와 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 웨이퍼들의 중심에서 상부 램프에 이르는 거리와 하부 램프에 이르는 거리는 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09162154A (ja) * 1995-12-08 1997-06-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR19980073442A (ko) * 1997-03-14 1998-11-05 김광호 웨이퍼 건조 장치
KR20110038483A (ko) * 2009-10-08 2011-04-14 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치
KR20130063813A (ko) * 2011-12-07 2013-06-17 삼성전자주식회사 기판 건조 장치 및 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09162154A (ja) * 1995-12-08 1997-06-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR19980073442A (ko) * 1997-03-14 1998-11-05 김광호 웨이퍼 건조 장치
KR20110038483A (ko) * 2009-10-08 2011-04-14 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치
KR20130063813A (ko) * 2011-12-07 2013-06-17 삼성전자주식회사 기판 건조 장치 및 방법

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