KR101493588B1 - Particles having surface enhanced raman scattering activity, method for manufacturing the same, and method for identifying material on nonconductor surface and mehtod for analyzing electrochemical reaction on conductor surface using the particles having surface enhanced raman scattering activity - Google Patents
Particles having surface enhanced raman scattering activity, method for manufacturing the same, and method for identifying material on nonconductor surface and mehtod for analyzing electrochemical reaction on conductor surface using the particles having surface enhanced raman scattering activity Download PDFInfo
- Publication number
- KR101493588B1 KR101493588B1 KR20130015271A KR20130015271A KR101493588B1 KR 101493588 B1 KR101493588 B1 KR 101493588B1 KR 20130015271 A KR20130015271 A KR 20130015271A KR 20130015271 A KR20130015271 A KR 20130015271A KR 101493588 B1 KR101493588 B1 KR 101493588B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- raman scattering
- enhanced raman
- active particles
- metal
- solution
- Prior art date
Links
- 238000004416 surface enhanced Raman spectroscopy Methods 0.000 title claims abstract description 124
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 title claims description 33
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 20
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 17
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 11
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 11
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000012576 optical tweezer Methods 0.000 claims description 6
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 claims description 6
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- ULGGZAVAARQJCS-UHFFFAOYSA-N 11-sulfanylundecan-1-ol Chemical compound OCCCCCCCCCCCS ULGGZAVAARQJCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 ITO Substances 0.000 claims description 3
- 238000000840 electrochemical analysis Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 50
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 6
- AXBVSRMHOPMXBA-UHFFFAOYSA-N 4-nitrothiophenol Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=C(S)C=C1 AXBVSRMHOPMXBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 239000002078 nanoshell Substances 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N phenyl mercaptan Natural products SC1=CC=CC=C1 RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- VRVRGVPWCUEOGV-UHFFFAOYSA-N 2-aminothiophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1S VRVRGVPWCUEOGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004042 HAuCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 1
- OBMPJXWHIMIXSH-UHFFFAOYSA-N benzenethiol Chemical compound SC1=CC=CC=C1.SC1=CC=CC=C1 OBMPJXWHIMIXSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000000349 field-emission scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- AIRPJJGSWHWBKS-UHFFFAOYSA-N hydroxymethylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].OC[PH3+] AIRPJJGSWHWBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Substances [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogencarbonate Chemical compound [K+].OC([O-])=O TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- AKXUUJCMWZFYMV-UHFFFAOYSA-M tetrakis(hydroxymethyl)phosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].OC[P+](CO)(CO)CO AKXUUJCMWZFYMV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/65—Raman scattering
- G01N21/658—Raman scattering enhancement Raman, e.g. surface plasmons
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/44—Raman spectrometry; Scattering spectrometry ; Fluorescence spectrometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/44—Raman spectrometry; Scattering spectrometry ; Fluorescence spectrometry
- G01J3/4412—Scattering spectrometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/44—Raman spectrometry; Scattering spectrometry ; Fluorescence spectrometry
- G01J3/4412—Scattering spectrometry
- G01J2003/4418—Power spectrum
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/65—Raman scattering
- G01N2021/653—Coherent methods [CARS]
Abstract
표면증강라만산란 활성 입자 및 그 제조 방법과 상기 표면증강라만산란 활성 입자를 이용한 부도체 표면의 표면물질 식별 방법 및 도체 표면의 전기화학반응 분석 방법이 제공된다. 상기 표면증강라만산란 활성 입자의 제조 방법은, 마이크로 코어를 포함하는 마이크로 코어 용액과 금속 나노입자를 포함하는 금속 나노입자 용액을 준비하는 단계, 상기 금속 나노입자 용액을 숙성시키는 단계, 상기 마이크로 코어 용액에 상기 숙성된 금속 나노입자 용액을 혼합하여 상기 마이크로 코어 표면에 금속 흡착층을 형성하는 단계, 및 상기 금속 흡착층이 형성된 상기 마이크로 코어를 포함하는 상기 마이크로 코어 용액에 상기 숙성된 금속 나노입자 용액을 혼합한 후 무전해 도금 공정을 수행하여 상기 마이크로 코어 표면에 금속 마이크로 쉘을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.There is provided a surface-enhanced Raman scattering active particle, a method for producing the surface-enhanced Raman scattering active particle, and a method for identifying the surface material on the surface of the nonconductor using the surface-enhanced Raman scattering active particle and an electrochemical analysis method of the surface of the conductor. The method for preparing the surface enhanced Raman scattering active particles comprises the steps of: preparing a solution of a metal nanoparticle comprising a microcore solution containing a microcore and metal nanoparticles; aging the metal nanoparticle solution; Mixing the aged metal nanoparticle solution with a solution of the metal nanoparticles to form a metal adsorption layer on the surface of the microcore; and applying the aged metal nanoparticle solution to the microcore solution including the microcore formed with the metal adsorption layer And then performing an electroless plating process to form a metal microshell on the surface of the microcore.
Description
본 발명은 표면증강라만산란 활성 입자 및 그 제조 방법과, 상기 표면증강라만산란 활성 입자를 이용한 부도체 표면의 표면물질 식별 방법 및 도체 표면의 전기화학반응 분석 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a surface-enhanced Raman scattering active particle, a method for producing the surface-enhanced Raman scattering active particle, a method for identifying a surface material on the surface of the nonconductor using the surface-enhanced Raman scattering active particle, and a method for analyzing electrochemical reaction on the surface of the conductor.
표면증강라만산란은 표면물질을 식별하거나 검출하는데 이용되고 있다. 상기 표면증강라만산란을 위해 표면증강라만산란 활성 입자가 사용된다. 상기 표면증강라만산란 활성 입자로 표면증강라만산란 활성을 갖는 금속을 나노구에 형성한 금속 나노쉘을 사용하는 경우 라만 신호가 작아 표면분석에 효과적이지 못하고, 크기가 너무 작아 광학현미경으로 분간할 수 없어 사용 후 회수할 수 없으며, 분석대상의 표면을 오염시키는 문제가 있다. 또, 상기 금속 나노쉘을 포함하여 종래의 표면증강라만산란 활성 입자는 부도체 표면에서는 라만 신호를 발생시키지 못하여 부도체 표면의 물질을 식별할 수 없고, 상기 표면증강라만산란 활성 입자의 표면이 금속으로 제조되기 때문에 도체에 인가된 전압에 의해 수행되는 도체 표면에서의 전기화학반응을 분석하는데 사용할 수 없다.Surface enhanced Raman scattering is used to identify or detect surface materials. Surface enhanced Raman scattering active particles are used for the surface enhanced Raman scattering. When the metal nanoshell having the surface enhanced Raman scattering active particles and having the metal having the surface enhanced Raman scattering activity is used, it is not effective for the surface analysis due to the small Raman signal and can be distinguished by the optical microscope It can not be recovered after use, and there is a problem that the surface of the analyte is contaminated. In addition, the conventional surface-enhanced Raman scattering-active particles including the metal nanoshell can not generate a Raman signal on the surface of the non-conductive material, so that the surface of the non-conductive surface can not be identified. , It can not be used to analyze the electrochemical reaction at the conductor surface which is carried out by the voltage applied to the conductor.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 도체 표면뿐만 아니라 부도체 표면에서도 표면증강라만산란 활성을 갖는 표면증강라만산란 활성 입자를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a surface enhanced Raman scattering active particle having a surface enhanced Raman scattering activity not only on a conductor surface but also on a non-conductor surface.
본 발명은 상기 표면증강라만산란 활성 입자의 제조 방법을 제공한다.The present invention provides a method of preparing the surface-enhanced Raman scattering active particles.
본 발명은 상기 표면증강라만산란 활성 입자를 이용한 부도체 표면의 표면물질 식별 방법을 제공한다.The present invention provides a surface material identification method for an insulator surface using the surface-enhanced Raman scattering active particles.
본 발명은 상기 표면증강라만산란 활성 입자를 이용한 도체 표면의 전기화학반응 분석 방법을 제공한다.The present invention provides a method for analyzing the electrochemical reaction of a surface of a conductor using the surface-enhanced Raman scattering active particles.
본 발명의 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 명확해질 것이다.Other objects of the present invention will become apparent from the following detailed description and the accompanying drawings.
본 발명의 실시예들에 따른 표면증강라만산란 활성 입자의 제조 방법은, 마이크로 코어를 포함하는 마이크로 코어 용액과 금속 나노입자를 포함하는 금속 나노입자 용액을 준비하는 단계, 상기 금속 나노입자 용액을 숙성시키는 단계, 상기 마이크로 코어 용액에 상기 숙성된 금속 나노입자 용액을 혼합하여 상기 마이크로 코어 표면에 금속 흡착층을 형성하는 단계, 및 상기 금속 흡착층이 형성된 상기 마이크로 코어를 포함하는 상기 마이크로 코어 용액에 상기 숙성된 금속 나노입자 용액을 혼합한 후 무전해 도금 공정을 수행하여 상기 마이크로 코어 표면에 금속 마이크로 쉘을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The method for preparing the surface-enhanced Raman scattering active particles according to the embodiments of the present invention includes the steps of preparing a solution of a metal nanoparticle including a microcore solution containing a microcore and metal nanoparticles, Mixing the aged metal nanoparticle solution with the microcore solution to form a metal adsorption layer on the surface of the microcore, and mixing the microcore solution containing the microcore with the metal adsorption layer And mixing the aged metal nanoparticle solution and performing an electroless plating process to form a metal microshell on the surface of the microcore.
상기 마이크로 코어는 그 표면에 금속흡착 작용기를 포함하며, 상기 금속흡착 작용기는 정전흡착에 의해 상기 금속 나노입자와 결합할 수 있다.The microcore includes a metal adsorbing functional group on its surface, and the metal adsorbing functional group can bind to the metal nanoparticles by electrostatic adsorption.
상기 마이크로 코어는 폴리스티렌 비드이고, 상기 금속흡착 작용기는 아민기일 수 있다.The microcore may be a polystyrene bead, and the metal adsorbing functional group may be an amine group.
상기 금속 나노입자는 표면증강라만산란 활성을 가질 수 있다.The metal nanoparticles may have surface enhanced Raman scattering activity.
상기 금속 나노입자 용액은 1 ~ 5일 숙성될 수 있다.The metal nanoparticle solution may be aged 1 to 5 days.
상기 무전해 도금 공정은 3 ~ 7회 수행되는 것을 특징으로 하는 표면증강라만산란 활성 입자의 제조 방법.Wherein the electroless plating process is performed three to seven times.
상기 마이크로 코어는 0.1 ~ 1000㎛의 직경을 가질 수 있다.The microcore may have a diameter of 0.1 to 1000 탆.
본 발명의 실시예들에 따른 표면증강라만산란 활성 입자는 상기 제조 방법에 의해 제조될 수 있다.The surface-enhanced Raman scattering active particles according to the embodiments of the present invention can be produced by the above-mentioned production method.
상기 표면증강라만산란 활성 입자는 0.1 ~ 1000㎛의 직경을 가질 수 있다.The surface enhanced Raman scattering active particles may have a diameter of 0.1 to 1000 탆.
상기 표면증강라만산란 활성 입자는 마이크로피펫 또는 광학핀셋에 의해 이동될 수 있다.The surface-enhanced Raman scattering active particles can be moved by a micropipette or an optical tweezers.
본 발명의 실시예들에 따른 부도체 표면의 표면물질 식별 방법은, 상기 표면증강라만산란 활성 입자를 이용하여 부도체 표면의 표면물질을 식별하는 방법으로서, 상기 표면증강라만산란 활성 입자를 상기 부도체 표면 위에 배치하는 단계, 및 상기 표면증강라만산란 활성 입자에 대하여 표면증강라만산란 분광을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.A method for identifying a surface material on a nonconductor surface according to embodiments of the present invention is a method for identifying a surface material on the surface of an insulator using the surface enhanced Raman scattering active particles, And performing surface enhanced Raman scattering spectroscopy on the surface enhanced Raman scattering active particles.
상기 부도체는 실리콘, ITO, 및 유리를 포함할 수 있다.The nonconductor may comprise silicon, ITO, and glass.
상기 표면증강라만산란 활성 입자는 마이크로피펫 또는 광학핀셋에 의해 상기 부도체 표면에 배치될 수 있다.The surface enhanced Raman scattering active particles may be disposed on the nonconductor surface by a micropipette or an optical tweezers.
본 발명의 실시예들에 따른 도체 표면의 전기화학반응 분석 방법은, 상기 표면증강라만산란 활성 입자를 이용하여 도체 표면의 전기화학반응을 분석하는 방법으로서, 상기 표면증강라만산란 활성 입자의 표면을 절연층으로 코팅하는 단계, 상기 절연층으로 코팅된 상기 표면증강라만산란 활성 입자를 도체 위에 배치하는 단계, 및 상기 도체에 전압을 인가하여 상기 도체 표면에서의 전기화학반응을 분석하는 단계를 포함한다.The method for analyzing the electrochemical reaction of a surface of a conductor according to embodiments of the present invention is a method for analyzing an electrochemical reaction of a surface of a conductor using the surface-enhanced Raman scattering active particles, Depositing the surface-enhanced Raman scattering active particles coated with the insulating layer on a conductor, and analyzing an electrochemical reaction at the surface of the conductor by applying a voltage to the conductor .
상기 절연층은 상기 전기화학반응의 반응물 또는 생성물과 화학적 물리적 상호작용을 하지 않는 물질로 형성될 수 있다.The insulating layer may be formed of a material that does not chemically and physically interact with a reactant or a product of the electrochemical reaction.
상기 절연층은 MCU(11-mercaptoundecanol)로 형성될 수 있다.The insulating layer may be formed of MCU (11-mercaptoundecanol).
상기 절연층 코팅 단계는, 상기 표면증강라만산란 활성 입자를 세정하는 단계, 상기 MCU를 에탄올에 녹여 MCU 용액을 제조하는 단계, 및 상기 표면증강라만산란 활성 입자를 상기 MCU 용액에 넣어 일정시간 보관하는 단계를 포함할 수 있다.The step of coating the insulating layer may include the steps of cleaning the surface-enhanced Raman scattering active particles, dissolving the MCU in ethanol to prepare an MCU solution, and storing the surface-enhanced Raman scattering active particles in the MCU solution for a predetermined period of time Step < / RTI >
상기 전기화학반응 분석 단계는, 상기 표면증강라만산란 활성 입자에 대하여 표면증강라만산란 분광을 수행하는 단계, 및 선형 주사 전위법을 이용하여 상기 전기화학반응의 과정을 나타내는 순차적 스펙트럼을 획득하는 단계를 포함할 수 있다.The electrochemical reaction analysis step may include performing surface enhanced Raman scattering spectroscopy on the surface-enhanced Raman scattering active particles, and obtaining a sequential spectrum indicating a process of the electrochemical reaction using the linear scanning scattering method .
본 발명의 실시예들에 따른 표면증강라만산란 활성 입자는 도체 표면뿐만 아니라 부도체 표면에서도 표면증강라만산란 활성을 가질 수 있다. 이에 의해, 부도체 표면에서의 표면물질을 식별할 수 있다. 상기 표면증강라만산란 활성 입자는 마이크로 크기를 갖기 때문에 마이크로피펫 또는 광학핀셋 등에 의해 이동될 수 있어 사용 후 회수가 용이하고 재사용할 수 있다. 또, 입자 한 개를 이용하여 라만산란 분광을 수행할 수 있으며, 사용 후 회수할 수 있어 분석대상의 표면을 오염시키지 않는다. 또, 상기 표면증강라만산란 활성 입자를 절연층으로 코팅하여 사용함으로써 도체 표면의 전기화학반응을 분석할 수 있다. The surface enhanced Raman scattering active particles according to the embodiments of the present invention may have surface enhanced Raman scattering activity not only on the conductor surface but also on the nonconductor surface. This makes it possible to identify the surface material at the non-conductor surface. Since the surface enhanced Raman scattering active particles have a micro size, they can be moved by a micropipette or an optical tweezers, and can be easily recovered after use and can be reused. In addition, Raman scattering spectroscopy can be performed using one particle, and it can be recovered after use, so that the surface of the object to be analyzed is not contaminated. The surface enhanced Raman scattering active particles may be coated with an insulating layer to analyze the electrochemical reaction of the surface of the conductor.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표면증강라만산란 활성 입자의 제조 방법을 개략적으로 나타낸다.
도 2a 내지 도 2c는 도 1의 제조 방법에 따라 제조되는 표면증강라만산란 활성 입자의 변화 과정을 나타낸다.
도 3a는 4-니트로벤젠티올(nitrobenzenthiol)에 대한 본 발명의 실시예들에 따른 표면증강라만산란 활성 입자의 표면증강라만산란 스펙트럼을 상기 표면증강라만산란 활성 입자의 금 마이크로 쉘의 두께 별로 나타내고, 도 3b는 4-니트로벤젠티올(nitrobenzenthiol)에 대한 본 발명의 실시예들에 따른 표면증강라만산란 활성 입자의 표면증강라만산란 스펙트럼을 상기 표면증강라만산란 활성 입자의 제조에 사용된 금 나노입자 용액의 숙성 기간 별로 나타낸다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표면증강라만산란 활성 입자의 FESEM(Field Emission Scanning Electron Microscopy) 이미지를 나타내고, 도 4c는 상기 표면증강라만산란 활성 입자의 TEM(Transmission Electron Microscopy) 이미지를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 표면증강라만산란 활성 입자를 이용하여 표면물질을 식별하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 표면증강라만산란 활성 입자를 이용하여 부도체 표면의 표면물질을 식별하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 표면증강라만산란 활성 입자를 이용하여 도체 표면의 전기화학반응을 분석하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 도 7의 표면증강라만산란 스펙트럼을 나타낸다.1 schematically shows a method for producing surface-enhanced Raman scattering active particles according to embodiments of the present invention.
2A to 2C show the process of changing the surface-enhanced Raman scattering active particles produced according to the manufacturing method of FIG.
3a shows the surface enhanced Raman scattering spectrum of the surface enhanced Raman scattering active particles according to the embodiments of the present invention for 4-nitrobenzenthiol by the thickness of the gold microshell of the surface enhanced Raman scattering active particles, Figure 3b shows the surface enhanced Raman scattering spectra of the surface enhanced Raman scattering active particles according to the embodiments of the present invention for 4-nitrobenzenethiol, using the gold nanoparticle solution used in the preparation of the surface enhanced Raman scattering active particles .
FIGS. 4A and 4B show an FESEM (Field Emission Scanning Electron Microscopy) image of the surface enhanced Raman scattering active particles according to an embodiment of the present invention, FIG. 4C shows TEM (Transmission Electron Microscopy) images of the surface enhanced Raman scattering active particles, Image.
5 is a view for explaining a method of identifying a surface material using surface enhanced Raman scattering active particles according to embodiments of the present invention.
FIG. 6 is a view for explaining a method of identifying a surface material on the surface of an insulator using the surface-enhanced Raman scattering active particles according to the embodiments of the present invention.
FIG. 7 is a view for explaining a method of analyzing an electrochemical reaction of a surface of a conductor using surface-enhanced Raman scattering particles according to embodiments of the present invention.
Figure 8 shows the surface enhanced Raman scattering spectrum of Figure 7;
이하, 실시예들을 통하여 본 발명을 상세하게 설명한다. 본 발명의 목적, 특징, 장점은 이하의 실시예들을 통해 쉽게 이해될 것이다. 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고, 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 따라서, 이하의 실시예들에 의하여 본 발명이 제한되어서는 안 된다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples. The objects, features and advantages of the present invention will be easily understood by the following embodiments. The present invention is not limited to the embodiments described herein, but may be embodied in other forms. The embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure may be thorough and complete, and that those skilled in the art will be able to convey the spirit of the invention to those skilled in the art. Therefore, the present invention should not be limited by the following examples.
표면증강라만산란 활성 입자 및 그 제조 방법Surface enhanced Raman scattering active particles and method for producing the same
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표면증강라만산란 활성 입자의 제조 방법을 개략적으로 나타내고, 도 2a 내지 도 2c는 도 1의 제조 방법에 따라 제조되는 표면증강라만산란 활성 입자의 변화 과정을 나타낸다.FIG. 1 schematically shows a method for producing surface-enhanced Raman scattering active particles according to embodiments of the present invention, and FIGS. 2 (a) to 2 (c) show a process for changing the surface-enhanced Raman scattering active particles produced according to the method of FIG. .
도 1 및 도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 표면증강라만산란 활성 입자(1)의 제조 방법은 마이크로 코어(microcore, 10)를 포함하는 마이크로 코어 용액과 금속 나노입자(21)를 포함하는 금속 나노입자 용액을 준비하는 단계(S10), 금속 나노입자 용액을 숙성시키는 단계(S20), 마이크로 코어(10) 표면에 금속 흡착층(25)을 형성하는 단계(S30), 및 마이크로 코어(10) 표면에 금속 마이크로 쉘(metal microshell, 20)을 형성하는 단계(S40)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2A to 2C, a method of manufacturing the surface enhanced Raman scattering
마이크로 코어(10)를 포함하는 마이크로 코어 용액과 금속 나노입자(21)를 포함하는 금속 나노입자 용액을 준비한다(S10). A metal nanoparticle solution containing the microcore solution containing the
마이크로 코어(10)는, 예를 들어 고분자 비드(polymer bead) 또는 실리카 비드(silica bead)일 수 있다. 상기 고분자 비드는, 예를 들어 폴리스티렌 비드(polystyrene bead)일 수 있다. 마이크로 코어(10)는, 0.1 ~ 1000㎛의 크기(예를 들어, 직경)를 가질 수 있다. 마이크로 코어(10)는 그 표면에 금속흡착 작용기를 포함할 수 있다. 상기 금속흡착 작용기는 정전흡착(electrostatic adsorption)에 의해 금속 나노입자(21)와 결합할 수 있다. 즉, 금속 나노입자(21)는 상기 금속흡착 작용기에 의해 마이크로 코어(10) 표면에 흡착될 수 있다. 예를 들어, 상기 폴리스티렌 비드는 그 표면에 금속흡착 작용기로 아민기(-NH2)를 포함할 수 있다.The
금속 나노입자(21)는 금, 은, 백금 등의 표면증강라만산란 활성을 갖는 금속의 나노입자일 수 있다. 금속 나노입자(21)는, 1 ~ 30nm의 크기(예를 들어, 직경)를 가질 수 있다.The
상기 금속 나노입자 용액을 숙성시킨다(S20).The metal nanoparticle solution is aged (S20).
상기 금속 나노입자 용액이 숙성됨에 따라, 금속 나노입자(21)는 상기 금속 나노입자 용액 내에서 성장하고, 상기 금속 나노입자 용액의 제타 포텐셜(zeta potential)이 감소한다. 상기 금속 나노입자 용액의 숙성 기간에 따라 제조되는 표면증강라만산란 활성 입자(1)에 의한 표면증강라만산란 스펙트럼의 크기가 달라질 수 있다. 금속 나노입자(21)에 의해 형성된 금속 마이크로 쉘(20)에 의한 표면증강라만산란 스펙트럼을 최대화 또는 최적화하기 위해 상기 금속 나노입자 용액은 4℃ 온도에서 1 ~ 5일 숙성되는 것이 바람직하고, 2 ~ 4일 숙성되는 것이 더욱 바람직하며, 3일 숙성되는 것이 가장 바람직하다.As the metal nanoparticle solution ages, the
마이크로 코어(10) 표면에 금속 흡착층(25)을 형성한다(S30).A
상기 마이크로 코어 용액과 상기 숙성된 금속 나노입자 용액을 혼합하면, 금속 나노입자(21)는 상기 금속흡착 작용기와 결합하여 마이크로 코어(10) 표면에 흡착될 수 있다. 즉, 금속 나노입자(21)가 정전 흡착에 의해 상기 금속흡착 작용기와 결합하는 것에 의해 마이크로 코어(10) 표면에 금속 흡착층(25)이 형성될 수 있다.When the microcore solution and the aged metal nanoparticle solution are mixed, the
마이크로 코어(10) 표면에 금속 마이크로 쉘(20)을 형성한다(S40).A
금속 흡착층(25)이 형성된 마이크로 코어(10)를 포함하는 상기 마이크로 코어 용액과 상기 숙성된 금속 나노입자 용액을 혼합한 후 무전해 도금(electroless deposition) 공정을 수행한다. 이에 의해, 상기 숙성된 금속 나노입자 용액 내 금속 나노입자(21)가 금속 흡착층(25)에 도금되어 마이크로 코어(10) 표면에 금속 마이크로 쉘(20)이 형성될 수 있다. 상기 무전해 도금 공정의 횟수에 따라 제조되는 표면증강라만산란 활성 입자(1)에 의한 표면증강라만산란 스펙트럼의 크기가 달라질 수 있다. 금속 나노입자(21)에 의해 형성된 금속 마이크로 쉘(20)에 의한 표면증강라만산란 스펙트럼을 최대화 또는 최적화하기 위해 상기 무전해 도금 공정은 3 ~ 7회 수행되는 것이 바람직하고, 4~6회 수행되는 것이 더욱 바람직하며, 5회 수행되는 것이 가장 바람직하다.
The microcore solution including the
실시예Example
1. 금 나노입자 용액의 준비1. Preparation of gold nanoparticle solution
1M 농도 수산화 나트륨 0.5㎖와 THPC(Tetrakis Hydroxymethyl Phosphonium Chloride) 용액 1㎖를 탈이온수 45㎖에 첨가한 후 섞었다. 상기 THPC 용액은 물에 80% THPC 12㎕를 첨가하여 제조하였다. 상기 혼합 용액에 1%w/v HAuCl4 수용액 2㎖를 첨가 및 혼합하여 금 나노입자 용액을 준비하였다. 또, 표면에 아민기를 갖는 폴리스티렌 비드를 포함하는 폴리스티렌 비드 용액을 준비하였다.
0.5 ml of 1 M sodium hydroxide and 1 ml of THPC (Tetrakis Hydroxymethyl Phosphonium Chloride) solution were added to 45 ml of deionized water and mixed. The THPC solution was prepared by adding 12 [mu] l of 80% THPC in water. To the mixed solution, 2 ml of a 1% w / v HAuCl 4 aqueous solution was added and mixed to prepare a gold nanoparticle solution. In addition, a polystyrene bead solution containing polystyrene beads having amine groups on its surface was prepared.
2. 금 나노입자 용액의 숙성 2. Aging of gold nanoparticle solution
상기 금 나노입자 용액을 4℃ 온도에서 1일, 3일, 5일, 7일 숙성시켰다. 아래 표 1은 숙성 기간에 따른 금 나노입자 용액의 제타 포텐셜과 pH의 값을 나타낸다. The gold nanoparticle solution was aged at 4 ° C for 1 day, 3 days, 5 days, and 7 days. Table 1 below shows the values of zeta potential and pH of gold nanoparticle solutions according to aging period.
상기 표 1을 참조하면, 금 나노입자 용액의 숙성 시간이 1일에서 7일로 증가함에 따라 제타 포텐셜의 절대값이 33.44에서 16.52로 감소하였고, pH가 10.68에서 6.46으로 감소하였다.
Referring to Table 1, the absolute value of the zeta potential decreased from 33.44 to 16.52 and the pH decreased from 10.68 to 6.46 as the aging time of the gold nanoparticle solution increased from 1 day to 7 days.
3. 금 흡착층 형성 3. Gold adsorption layer formation
상기 폴리스티렌 비드 용액 0.5㎖와 물 5㎖를 원심분리기 튜브에 혼합하였다. 이 혼합물을 5분 동안 2000rpm으로 원심분리한 후 상청액을 제거하였고, 이와 같은 세정 공정을 3회 더 수행한 후 0.5㎖ 물 내에 재분산하였다. 이렇게 세정된 폴리스티렌 비드 용액에 상기 숙성된 금 나노입자 용액 5㎖를 첨가하였다. 이 혼합 용액이 담긴 상기 원심분리기 튜브를 몇 분동안 흔든 후 2시간 동안 정치시켰다. 상기 혼합 용액을 5분 동안 2000rpm으로 원심분리한 후 상청액을 제거하고, 물 5㎖를 첨가하였다. 원심분리, 상청액 제거, 및 물 첨가 등의 과정을 복수 회 수행하였다. 최종적으로 엷은 핑크색 입자들인 금 흡착층이 형성된 폴리스티렌 비드가 5㎖ 물에 재분산되었다.
0.5 ml of the polystyrene bead solution and 5 ml of water were mixed in a centrifuge tube. The mixture was centrifuged at 2000 rpm for 5 minutes, then the supernatant was removed, and the same washing process was repeated 3 times and redispersed in 0.5 ml of water. 5 ml of the aged gold nanoparticle solution was added to the polystyrene bead solution thus washed. The centrifuge tube containing the mixed solution was shaken for several minutes and allowed to stand for 2 hours. The mixed solution was centrifuged at 2000 rpm for 5 minutes, the supernatant was removed, and 5 ml of water was added. Centrifugation, supernatant removal, and water addition were performed a plurality of times. Finally, the polystyrene beads in which the gold adsorption layer was formed, which were pale pink particles, were redispersed in 5 ml of water.
4. 금 마이크로 쉘 형성4. Gold micro-shell formation
1%w/v HAuCl4 수용액을 1.8mmol 탄산 칼륨 용액 1ℓ에 첨가한 후 상기 용액이 무색이 될 때까지 섞어 금 전구체 용액을 제조하였다. 상기 금 전구체 용액 20㎖와 포름알데히드 140㎕를 상기 금 흡착층이 형성된 폴리스티렌 비드를 포함하는 폴리스티렌 비드 용액에 첨가하였다. 이 혼합 용액을 흔든 후 2분 내에 암청색 침전물을 획득하였다. 이 혼합 용액을 5분 동안 2000rpm으로 원심분리한 후 상청액을 제거하고 상술한 세정 공정을 수행하였다. 이 무전해 도금 공정을 5회 반복 수행하여 표면증강라만산란 활성을 갖는 금 마이크로 쉘을 형성하였다. A 1% w / v HAuCl4 aqueous solution was added to 1 l of a 1.8 mmol potassium carbonate solution, and the solution was mixed until the solution became colorless to prepare a gold precursor solution. 20 ml of the gold precursor solution and 140 포 of formaldehyde were added to the polystyrene bead solution containing the polystyrene beads in which the gold adsorption layer was formed. A dark blue-colored precipitate was obtained within 2 minutes after shaking the mixed solution. The mixed solution was centrifuged at 2000 rpm for 5 minutes, the supernatant was removed, and the above-described washing step was performed. This electroless plating process was repeated five times to form gold microshells having surface enhanced Raman scattering activity.
도 3a는 4-니트로벤젠티올(nitrobenzenthiol)에 대한 본 발명의 실시예들에 따른 표면증강라만산란 활성 입자의 표면증강라만산란 스펙트럼을 상기 표면증강라만산란 활성 입자의 금 마이크로 쉘의 두께 별로 나타내고, 도 3b는 4-니트로벤젠티올(4-nitrobenzenthiol, 4-NBT)에 대한 본 발명의 실시예들에 따른 표면증강라만산란 활성 입자의 표면증강라만산란 스펙트럼을 상기 표면증강라만산란 활성 입자의 제조에 사용된 금 나노입자 용액의 숙성 기간 별로 나타낸다.3a shows the surface enhanced Raman scattering spectrum of the surface enhanced Raman scattering active particles according to the embodiments of the present invention for 4-nitrobenzenthiol by the thickness of the gold microshell of the surface enhanced Raman scattering active particles, Figure 3b shows the surface enhanced Raman scattering spectra of the surface enhanced Raman scattering active particles according to embodiments of the present invention for 4-nitrobenzenthiol, 4-NBT in the preparation of the surface enhanced Raman scattering active particles. The aging period of the gold nanoparticle solution used is indicated by aging.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 무전해 도금 공정을 1회 또는 10회 수행하여 형성된 금 마이크로 쉘(1T, 10T)보다 무전해 도금 공정을 5회 수행하여 형성된 금 마이크로 쉘(5T)이 4-니트로벤젠티올에 대하여 표면증강라만산란 활성 스펙트럼이 가장 잘 나타났다. 또, 금 나노입자 용액을 1일, 5일, 또는 7일 숙성시켜 형성된 금 마이크로 쉘(1d, 5d, 7d)보다 금 나노입자 용액을 3일 숙성시켜 형성된 금 마이크로 쉘(3d)이 4-니트로벤젠티올에 대하여 표면증강라만산란 활성 스펙트럼이 가장 잘 나타났다.3A and 3B, the
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표면증강라만산란 활성 입자의 FESEM 이미지를 나타내고, 도 4c는 상기 표면증강라만산란 활성 입자의 TEM 이미지를 나타낸다.FIGS. 4A and 4B show FESEM images of the surface-enhanced Raman scattering active particles according to one embodiment of the present invention, and FIG. 4C show TEM images of the surface-enhanced Raman scattering active particles.
도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 상기 표면증강라만산란 활성 입자는 금속 마이크로 쉘 표면 또는 내부에 랜덤하게 분포된 공극을 가질 수 있다. 상기 공극의 크기는 1 ~ 30nm일 수 있다. 상기 공극에 의해 라만산란 효과가 증대될 수 있다.
Referring to FIGS. 4A to 4C, the surface-enhanced Raman scattering active particles may have voids randomly distributed on the surface or inside the metal microshell. The size of the void may be 1 to 30 nm. And the Raman scattering effect can be increased by the gap.
표면증강라만산란Surface enhanced Raman scattering 활성 입자를 이용한 부도체 표면의 표면물질 식별 방법 Identification of Surface Substance on Nonconductor Surfaces Using Active Particles
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 표면증강라만산란 활성 입자를 이용하여 표면물질을 식별하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining a method of identifying a surface material using surface enhanced Raman scattering active particles according to embodiments of the present invention.
도 5를 참조하면, 표면증강라만산란 활성 입자(1)의 크기는 0.1 ~ 1000㎛이므로 표면증강라만산란 활성 입자(1)는 마이크로피펫(100) 또는 광학핀셋(미도시)에 의해 운반 또는 이동될 수 있다. 표면증강라만산란 활성 입자(1)에 의한 표면증강라만산란를 이용하여 제1 표면물질을 식별한 후 마이크로피펫(100)을 이용하여 표면증강라만산란 활성 입자(1)를 이동시킨 후 표면증강라만산란을 이용하여 제2 표면물질을 식별할 수 있다. 즉, 복수 개가 아닌 하나의 입자만으로 표면물질을 식별할 수 있고, 사용 후 회수할 수 있어 표면증강라만산란 활성 입자(1)에 의해 분석대상의 표면 또는 표면물질이 오염되지 않는다. 또, 표면증강라면산란 활성 입자(1)는 사용 후 회수하여 재사용할 수 있어 경제적이다.
5, since the size of the surface-enhanced Raman scattering
실시예Example
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 표면증강라만산란 활성 입자를 이용하여 부도체 표면의 표면물질을 식별하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a view for explaining a method of identifying a surface material on the surface of an insulator using the surface-enhanced Raman scattering active particles according to the embodiments of the present invention.
도 6을 참조하면, 마이크로피펫을 이용하여 표면증강라만산란 활성 입자(1)를 p-APhTMS이 존재하는 실리콘막(Silicon), ITO막(Indium Tin Oxide), 및 유리막(Glass) 위에 올려놓고 표면증강라만산란 분광을 수행하여 라만산란 스펙트럼을 획득하였다. 상기 라만산란 스펙트럼은 상기 실리콘막, ITO막, 및 유리막 모두에서 p-APhTMS의 고유피크들을 나타냈다. 6, the surface-enhanced Raman scattering
종래의 표면증강라만산란 활성 입자는 금 또는 백금 등의 도체가 아닌 부도체의 표면물질에 대하여는 라만신호를 발생시키지 못해 부도체 표면의 물질을 식별하는데 사용할 수 없었다. 그러나, 본 발명의 실시예들에 따른 표면증강라만산란 활성 입자(1)를 이용하면 부도체 표면에서도 라만신호를 강하게 발생시킬 수 있어 부도체 표면의 물질을 식별할 수 있다.
Conventional surface-enhanced Raman scattering active particles can not generate Raman signals for non-conductive surface materials other than conductors such as gold or platinum and thus can not be used to identify materials on the surface of non-conductive surfaces. However, by using the surface-enhanced Raman scattering active particles (1) according to the embodiments of the present invention, it is possible to strongly generate Raman signals even on the surface of the non-conductive material, so that the material on the non-conductive surface can be identified.
표면증강라만산란 활성 입자를 이용한 도체 표면의 전기화학반응 분석 방법Electrochemical analysis of conductor surface using surface enhanced Raman scattering active particles
본 발명의 실시예들에 따른 도체 표면의 전기화학반응 분석 방법은, 상기 표면증강라만산란 활성 입자를 이용하여 도체 표면의 전기화학반응을 분석하는 방법으로서, 상기 표면증강라만산란 활성 입자의 표면을 절연층으로 코팅하는 단계, 상기 절연층으로 코팅된 상기 표면증강라만산란 활성 입자를 도체 위에 배치하는 단계, 및 상기 도체에 전압을 인가하여 상기 도체 표면에서의 전기화학반응을 분석하는 단계를 포함할 수 있다.The method for analyzing the electrochemical reaction of a surface of a conductor according to embodiments of the present invention is a method for analyzing an electrochemical reaction of a surface of a conductor using the surface-enhanced Raman scattering active particles, Depositing the surface-enhanced Raman scattering active particles coated with the insulating layer on a conductor, and analyzing an electrochemical reaction at the surface of the conductor by applying a voltage to the conductor .
상기 절연층은 상기 전기화학반응의 반응물 또는 생성물과 화학적 물리적 상호작용을 하지 않는 물질로 형성될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 용어인 상기 화학적 물리적 상호작용은 두 물질간 화학 반응 또는 물질 전달 등을 통하여 한 물질이 다른 물질에 의해 물성이 변하는 것을 의미할 수 있다. The insulating layer may be formed of a material that does not chemically and physically interact with a reactant or a product of the electrochemical reaction. As used herein, the term "chemical-physical interaction" may mean that a substance is changed by another substance through chemical reaction or mass transfer between the two substances.
상기 절연층은 MCU(11-mercaptoundecanol)로 형성될 수 있고, 상기 반응물은 4-니트로벤젠티올일 수 있다.The insulating layer may be formed of MCU (11-mercaptoundecanol), and the reactant may be 4-nitrobenzenethiol.
상기 절연층 코팅 단계는, 상기 표면증강라만산란 활성 입자를 세정하는 단계, 상기 MCU를 에탄올에 녹여 MCU 용액을 제조하는 단계, 및 상기 표면증강라만산란 활성 입자를 상기 MCU 용액에 넣어 일정시간 보관하는 단계를 포함할 수 있다.The step of coating the insulating layer may include the steps of cleaning the surface-enhanced Raman scattering active particles, dissolving the MCU in ethanol to prepare an MCU solution, and storing the surface-enhanced Raman scattering active particles in the MCU solution for a predetermined period of time Step < / RTI >
상기 전기화학반응 분석 단계는, 상기 표면증강라만산란 활성 입자에 대하여 표면증강라만산란 분광을 수행하는 단계, 및 선형 주사 전위법을 이용하여 상기 전기화학반응의 과정을 나타내는 순차적 스펙트럼을 획득하는 단계를 포함할 수 있다.
The electrochemical reaction analysis step may include performing surface enhanced Raman scattering spectroscopy on the surface-enhanced Raman scattering active particles, and obtaining a sequential spectrum indicating a process of the electrochemical reaction using the linear scanning scattering method .
실시예Example
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 표면증강라만산란 활성 입자를 이용하여 도체 표면의 전기화학반응을 분석하는 방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 8은 도 7의 표면증강라만산란 스펙트럼을 나타낸다. 도 7에는 설명을 용이하게 하기 위해 표면증강라만산란 활성 입자(1)가 과장되도록 크게 도시되어 있다. FIG. 7 is a view for explaining a method of analyzing the electrochemical reaction of a surface of a conductor using surface-enhanced Raman scattering particles according to embodiments of the present invention, and FIG. 8 is a surface enhanced Raman scattering spectrum of FIG. 7 . 7, the surface enhanced Raman scattering
도 7 및 도 8을 참조하면, 표면에 4-NBT(211)가 존재하는 도체(210) 위에 전해질 용액(220)이 제공된다. 도체(210)는 예를 들어, 백금일 수 있고, 전해질 용액(220)은 예를 들어, 0.1M 수산화 나트륨 용액일 수 있다. Referring to FIGS. 7 and 8, an
도체(210)에 작업 전극(231, working electrode)이 연결되고, 전해질 용액(220)에 상대 전극(232, counter electrode)과 기준 전극(233, reference electrode)이 연결될 수 있다. 작업 전극(231), 상대 전극(232), 및 기준 전극(233)은 일정 전위기(potentiostat, 235)에 연결된다.A working
표면증강라만산란 활성 입자(1)는 MCU로 코팅된 후 마이크로피펫을 이용하여 도체(210) 위에 배치된다.The surface enhanced Raman scattering
예를 들어 표면증강라만산란 활성 입자(1)를 MCU로 코팅하는 방법은 다음과 같다. For example, the method of coating the surface-enhanced Raman scattering active particles (1) with MCU is as follows.
1) 원심분리기 튜브(EP tube)에 표면증강라만산란 활성 입자(1)를 1mg 넣는다.1) Put 1 mg of the surface-enhanced Raman scattering active particle (1) in a centrifuge tube (EP tube).
2) 상기 원심분리기 튜브에 에탄올을 1㎖ 넣은 후 잘 흔들어 섞는다.2) Add 1 mL of ethanol to the centrifuge tube and shake well.
3) 상기 용액을 원심분리하여 표면증강라만산란 활성 입자(1)를 가라앉힌 뒤 상층액을 버린다.3) Centrifuge the solution to precipitate the surface-enhanced Raman scattering active particles (1) and discard the supernatant.
4) 상기 세정 과정을 1회 더 수행한다.4) The cleaning process is performed one more time.
5) MCU를 에탄올에 녹여 1mmol MCU 용액을 만든 후 1㎖를 세정된 표면증강라만산란 활성 입자(1)에 넣는다.5) MCU is dissolved in ethanol to make 1 mmol of MCU solution, and 1 ml of MCU is added to the cleaned surface-enhanced Raman scattering active particle (1).
6) 상기 MCU 용액을 24시간 냉장보관한다. 표면증강라만산란 활성 입자(1) 표면이 MCU의 자기 조립 단일막(self-assemble monolayer)으로 코팅된다.6) Keep the MCU solution refrigerated for 24 hours. The surface-enhanced Raman scattering active particles (1) surface is coated with a self-assemble monolayer of MCU.
7) 상기 MCU 용액을 에탄올로 3회 세정하고 증류수로 1회 세정한 후 상기 MCU가 코팅된 표면증강라만산란 활성 입자(1)를 사용한다.7) The MCU solution is washed with ethanol three times, washed once with distilled water, and then the surface-enhanced Raman scattering active particle (1) coated with the MCU is used.
상기 MCU로 코팅된 표면증강라만산란 활성 입자(1)를 4-NBT(211)가 존재하는 도체(210)인 백금 표면 위에 올려 놓은 후 표면증강라만산란 분광을 수행하였다. 상기 MCU는 4-NBT(211)와 화학적 물리적 상호작용을 하지 않으므로 도체(210) 표면에서의 4-NBT(211)의 전기화학반응을 분석하는데 표면증강라만산란 활성 입자(1)의 코팅 물질로 적합할 수 있다. The surface enhanced Raman scattering
도 8의 순차적 스펙트럼은 기준 전극(233) Ag/AgCl에 대하여 -0.2V에서 -1.1V까지 선형 주사 전위가 감소되는 동안 획득되었다. 전위가 -0.2V에서 -1.1V로 감소하면서 백금 표면의 4-NBT(211)는 전기화학반응에 의해 4-ABT(aminobenzenthiol)로 변하였고, -0.2V에서 4-NBT의 스펙트럼이 나타났고, -1.1V에서 4-ABT의 스펙트럼이 나타났다. 즉, 상기 전기화학반응에 의한 표면물질의 변화 과정은 MCU로 코팅된 표면증강라만산란 활성 입자(1)를 이용하여 분석될 수 있다. The sequential spectrum of FIG. 8 was obtained while the linear scan potential was reduced from -0.2 V to -1.1 V for the
이와 같이, 표면증강라만산란 활성 입자(1)의 금속 마이크로 쉘(20)은 MCU에 의해 코팅됨으로써 도체(210) 표면에서의 전기화학반응을 위해 제공되는 전압에 영향을 받지 않고 표면증강라만산란 활성을 나타낼 수 있다. 즉, 상기 MCU 코팅에 의해 표면증강라만산란 활성 입자(1)는 전기간섭을 최소화하면서 라만 신호를 강하게 발생시킬 수 있다. As described above, the
상술한 바와 같이, MCU에 의해 코팅된 표면증강라만산란 활성 입자(1)를 이용하여, 도체-전해질 용액 계면에 적용되는 전위(electrical potential)에서의 전기화학 반응 중에 획득되어지는 라만 스펙트럼에 의해 도체 표면에서의 화학 정보를 수집할 수 있고, 이에 의해 도체 표면에서의 전기화학반응을 분석할 수 있다. 예를 들어, 본 발명에 따른 도체 표면의 전기화학반응 분석 방법은 연료 전지 등의 금속 전극과 전해질 용액 계면에서의 전기화학 반응을 분석하는데 활용될 수 있다. 또, 상기 분석 결과는 연료 전지 등의 효율을 높이는 연구에 활용될 수 있다.
As described above, by using the surface enhanced Raman scattering
이제까지 본 발명에 대한 구체적인 실시예들을 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention have been described. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in an illustrative rather than a restrictive sense. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than by the foregoing description, and all differences within the scope of equivalents thereof should be construed as being included in the present invention.
1 : 표면증강라만산란 활성 입자 10 : 마이크로 코어
20 : 금속 마이크로 쉘 21 : 금속 나노입자
25 : 금속 흡착층 100 : 마이크로피펫
210 : 도체 211 : 표면물질(4-NBT)
220 : 전해질 용액 231 : 작업 전극
232 : 기준 전극 235 : 일정 전위기1: Surface enhanced Raman scattering active particle 10: Microcore
20: metal micro-shell 21: metal nanoparticle
25: metal adsorption layer 100: micropipette
210: conductor 211: surface material (4-NBT)
220
232: Reference electrode 235:
Claims (18)
상기 제1 금속 나노입자 용액과 상기 제2 금속 나노입자 용액을 숙성시키는 단계;
상기 마이크로 코어 용액에 상기 숙성된 제1 금속 나노입자 용액을 혼합하여 상기 마이크로 코어 표면에 금속 흡착층을 형성하는 단계; 및
상기 금속 흡착층이 형성된 상기 마이크로 코어를 포함하는 상기 마이크로 코어 용액에 상기 숙성된 제2 금속 나노입자 용액을 혼합한 후 무전해 도금 공정을 수행하여 상기 마이크로 코어 표면에 금속 마이크로 쉘을 형성하는 단계를 포함하는 표면증강라만산란 활성 입자의 제조 방법.Preparing a solution of a first metal nanoparticle and a solution of a second metal nanoparticle including a microcore solution containing a microcore and metal nanoparticles;
Aging the first metal nanoparticle solution and the second metal nanoparticle solution;
Mixing the aged first metal nanoparticle solution with the microcore solution to form a metal adsorption layer on the surface of the microcore; And
The step of mixing the aged second metal nanoparticle solution with the microcore solution including the microcore formed with the metal adsorption layer and then performing an electroless plating process to form a metal microshell on the surface of the microcore ≪ / RTI > wherein the surface-enhanced Raman scattering active particles have a mean particle size of less than <
상기 마이크로 코어는 그 표면에 금속흡착 작용기를 포함하며,
상기 금속흡착 작용기는 정전흡착에 의해 상기 금속 나노입자와 결합하는 것을 특징으로 하는 표면증강라만산란 활성 입자의 제조 방법. The method according to claim 1,
Wherein the microcore comprises a metal adsorbing functional group on its surface,
Wherein the metal adsorbing functional groups bind to the metal nanoparticles by electrostatic adsorption.
상기 마이크로 코어는 폴리스티렌 비드이고,
상기 금속흡착 작용기는 아민기인 것을 특징으로 하는 표면증강라만산란 활성 입자의 제조 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the microcore is a polystyrene bead,
Wherein the metal adsorbing functional group is an amine group.
상기 금속 나노입자는 표면증강라만산란 활성을 갖는 것을 특징으로 하는 표면증강라만산란 활성 입자의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the metal nanoparticles have a surface enhanced Raman scattering activity.
상기 제1 금속 나노입자 용액과 상기 제2 금속 나노입자 용액은 1 ~ 5일 숙성되는 것을 특징으로 하는 표면증강라만산란 활성 입자의 제조 방법. The method according to claim 1,
Wherein the first metal nanoparticle solution and the second metal nanoparticle solution are aged 1 to 5 days.
상기 무전해 도금 공정은 3 ~ 7회 수행되는 것을 특징으로 하는 표면증강라만산란 활성 입자의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the electroless plating process is performed three to seven times.
상기 마이크로 코어는 0.1 ~ 1000㎛의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 표면증강라만산란 활성 입자의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the microcore has a diameter of 0.1 to 1000 탆.
상기 표면증강라만산란 활성 입자는 0.1 ~ 1000㎛의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 표면증강라만산란 활성 입자9. The method of claim 8,
Wherein the surface-enhanced Raman scattering active particles have a diameter of 0.1 to 1000 탆.
상기 표면증강라만산란 활성 입자는 마이크로피펫 또는 광학핀셋에 의해 이동가능한 것을 특징으로 하는 표면증강라만산란 활성 입자.9. The method of claim 8,
Wherein the surface enhanced Raman scattering active particles are movable by a micropipette or an optical tweezers.
상기 표면증강라만산란 활성 입자를 상기 부도체 표면 위에 배치하는 단계; 및
상기 표면증강라만산란 활성 입자에 대하여 표면증강라만산란 분광을 수행하는 단계를 포함하는 부도체 표면의 표면물질 식별 방법.8. A method for identifying a surface material on an insulating surface using surface enhanced Raman scattering active particles produced by the method of any one of claims 1 to 7,
Disposing the surface enhanced Raman scattering active particles on the nonconductor surface; And
And performing surface enhanced Raman scattering spectroscopy on the surface enhanced Raman scattering active particles.
상기 부도체는 실리콘, ITO, 및 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 부도체 표면의 표면물질 식별 방법.12. The method of claim 11,
Characterized in that the nonconductor comprises silicon, ITO, and glass.
상기 표면증강라만산란 활성 입자는 마이크로피펫 또는 광학핀셋에 의해 상기 부도체 표면에 배치되는 것을 특징으로 하는 부도체 표면의 표면물질 식별 방법.12. The method of claim 11,
Wherein the surface enhanced Raman scattering active particles are disposed on the nonconductor surface by a micropipette or optical tweezers.
상기 표면증강라만산란 활성 입자의 표면을 절연층으로 코팅하는 단계;
상기 절연층으로 코팅된 상기 표면증강라만산란 활성 입자를 도체 위에 배치하는 단계; 및
상기 도체에 전압을 인가하여 상기 도체 표면에서의 전기화학반응을 분석하는 단계를 포함하는 도체 표면의 전기화학반응 분석 방법8. A method for analyzing an electrochemical reaction of a surface of a conductor using surface enhanced Raman scattering active particles produced by the method of any one of claims 1 to 7,
Coating the surface of the surface enhanced Raman scattering active particles with an insulating layer;
Disposing the surface enhanced Raman scattering active particles coated with the insulating layer on a conductor; And
And analyzing an electrochemical reaction on the surface of the conductor by applying a voltage to the conductor.
상기 절연층은 상기 전기화학반응의 반응물 또는 생성물과 화학적 물리적 상호작용을 하지 않는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 도체 표면의 전기화학반응 분석 방법.15. The method of claim 14,
Wherein the insulating layer is formed of a material that does not chemically and physically interact with the reactants or products of the electrochemical reaction.
상기 절연층은 MCU(11-mercaptoundecanol)로 형성되는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 도체 표면의 전기화학반응 분석 방법.16. The method of claim 15,
Wherein the insulating layer is formed of MCU (11-mercaptoundecanol).
상기 절연층 코팅 단계는,
상기 표면증강라만산란 활성 입자를 세정하는 단계,
상기 MCU를 에탄올에 녹여 MCU 용액을 제조하는 단계, 및
상기 표면증강라만산란 활성 입자를 상기 MCU 용액에 넣어 일정시간 보관하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도체 표면의 전기화학반응 분석 방법.17. The method of claim 16,
The insulating layer coating step may include:
Cleaning the surface enhanced Raman scattering active particles,
Dissolving the MCU in ethanol to prepare an MCU solution, and
And storing the surface enhanced Raman scattering active particles in the MCU solution for a predetermined period of time.
상기 전기화학반응 분석 단계는,
상기 표면증강라만산란 활성 입자에 대하여 표면증강라만산란 분광을 수행하는 단계, 및
선형 주사 전위법을 이용하여 상기 전기화학반응의 과정을 나타내는 순차적 스펙트럼을 획득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도체 표면의 전기화학반응 분석 방법.
15. The method of claim 14,
The electrochemical reaction analysis step may include:
Performing surface enhanced Raman scattering spectroscopy on the surface enhanced Raman scattering active particles, and
And obtaining a sequential spectrum indicating the process of the electrochemical reaction using a linear scan transfer method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20130015271A KR101493588B1 (en) | 2013-02-13 | 2013-02-13 | Particles having surface enhanced raman scattering activity, method for manufacturing the same, and method for identifying material on nonconductor surface and mehtod for analyzing electrochemical reaction on conductor surface using the particles having surface enhanced raman scattering activity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20130015271A KR101493588B1 (en) | 2013-02-13 | 2013-02-13 | Particles having surface enhanced raman scattering activity, method for manufacturing the same, and method for identifying material on nonconductor surface and mehtod for analyzing electrochemical reaction on conductor surface using the particles having surface enhanced raman scattering activity |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140101980A KR20140101980A (en) | 2014-08-21 |
| KR101493588B1 true KR101493588B1 (en) | 2015-02-16 |
Family
ID=51747040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20130015271A KR101493588B1 (en) | 2013-02-13 | 2013-02-13 | Particles having surface enhanced raman scattering activity, method for manufacturing the same, and method for identifying material on nonconductor surface and mehtod for analyzing electrochemical reaction on conductor surface using the particles having surface enhanced raman scattering activity |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101493588B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101734303B1 (en) | 2015-05-22 | 2017-05-12 | 한국기계연구원 | A particles having surface enhanced raman scattering activity and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101664900B1 (en) * | 2014-12-15 | 2016-10-12 | 한국외국어대학교 연구산학협력단 | Facile preparation of SERS-active nanostructured Au spheres |
| KR102224297B1 (en) * | 2016-08-16 | 2021-03-08 | 한국재료연구원 | A particles having surface enhanced raman scattering activity for selectively object detection and method for manufacturing the same |
| KR102112689B1 (en) | 2018-10-08 | 2020-05-20 | 한국표준과학연구원 | Composite Nanoparticle and the Fabrication Method Thereof |
| KR102112688B1 (en) * | 2018-10-08 | 2020-05-20 | 한국표준과학연구원 | Raman-Active Nanoparticle and the Fabrication Method Thereof |
| KR102246333B1 (en) * | 2019-09-05 | 2021-04-29 | 한국표준과학연구원 | Raman-active Particle for Surface Enhanced Raman Scattering and the Fabrication Method Thereof |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100004458A (en) * | 2008-07-04 | 2010-01-13 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | Micro-magnetic substance having surface-enhanced-raman-scattering acitivity |
| KR20100109264A (en) * | 2009-03-31 | 2010-10-08 | 서울대학교산학협력단 | Microsphere having hot spots and method for identifying chemicals through surface enhanced raman scattering using the same |
| KR20120056024A (en) * | 2010-11-24 | 2012-06-01 | 한국화학연구원 | Intra-nanogapped core-shell nanoparticle and preparation method thereof |
| KR20120087051A (en) * | 2011-01-27 | 2012-08-06 | 주식회사 사이언스앳홈 | Diagnosis of disease using surface-enhanced Raman scattering dots and optical imaging technology |
-
2013
- 2013-02-13 KR KR20130015271A patent/KR101493588B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100004458A (en) * | 2008-07-04 | 2010-01-13 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | Micro-magnetic substance having surface-enhanced-raman-scattering acitivity |
| KR20100109264A (en) * | 2009-03-31 | 2010-10-08 | 서울대학교산학협력단 | Microsphere having hot spots and method for identifying chemicals through surface enhanced raman scattering using the same |
| KR20120056024A (en) * | 2010-11-24 | 2012-06-01 | 한국화학연구원 | Intra-nanogapped core-shell nanoparticle and preparation method thereof |
| KR20120087051A (en) * | 2011-01-27 | 2012-08-06 | 주식회사 사이언스앳홈 | Diagnosis of disease using surface-enhanced Raman scattering dots and optical imaging technology |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101734303B1 (en) | 2015-05-22 | 2017-05-12 | 한국기계연구원 | A particles having surface enhanced raman scattering activity and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140101980A (en) | 2014-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101493588B1 (en) | Particles having surface enhanced raman scattering activity, method for manufacturing the same, and method for identifying material on nonconductor surface and mehtod for analyzing electrochemical reaction on conductor surface using the particles having surface enhanced raman scattering activity | |
| Huang et al. | Electrospun carbon nanofibers decorated with Ag–Pt bimetallic nanoparticles for selective detection of dopamine | |
| Lee et al. | Electrochemistry and optical absorbance and luminescence of molecule-like Au38 nanoparticles | |
| Jia et al. | Synthesis, characterization, and photocatalytic activity of Zn-doped SnO2 hierarchical architectures assembled by nanocones | |
| US11162902B2 (en) | Metasurfaces comprised of nanosphere oligomers with uniform narrow gap spacings, their method of fabrication and applications in sensing | |
| Meng et al. | Cubic In2O3 microparticles for efficient photoelectrochemical oxygen evolution | |
| Fang et al. | Metallization of silicon nanowires and SERS response from a single metallized nanowire | |
| US20090201496A1 (en) | Surface-enhanced raman scattering based on nanomaterials as substrate | |
| CN107976431B (en) | Surface enhanced Raman substrate based on metal nanoparticles and preparation method thereof | |
| Mercante et al. | Electronic tongue based on nanostructured hybrid films of gold nanoparticles and phthalocyanines for milk analysis | |
| KR20130093306A (en) | Copper(ii) oxide nanonods coated with palladium, a preparation method thereof, and gas sensor using the same | |
| KR102130066B1 (en) | An electrode having hierarchical structure, a semsor for ditecting glucose including the electrode, and a method for preparing the electrode | |
| Kim et al. | TiO2 nanowires from wet-corrosion synthesis for peptide sequencing using laser desorption/ionization time-of-flight mass spectrometry | |
| CN110715916A (en) | Metal nano dot matrix/single-layer graphene SERS substrate and preparation method and application thereof | |
| Yokoyama et al. | Aqueous electrophoretic deposition of citric-acid-stabilized copper nanoparticles | |
| Zhang et al. | Electrostatic self-assembly of 2D/2D Bi2WO6/ZnIn2S4 heterojunction with enhanced photocatalytic degradation of tetracycline hydrochloride | |
| CN111635144A (en) | Preparation method of reduced graphene oxide film capable of enhancing carbon dot fluorescence | |
| Walcarius | Zeolite-modified paraffin-impregnated graphite electrode | |
| Chu et al. | Room‐temperature synthesis and characterization of porous CeO2 thin films | |
| KR101544105B1 (en) | Laminate including flower-type gold nano particle and method for preparing the same | |
| JP4936114B2 (en) | Composite plating material and method for producing the same | |
| Kong et al. | Interfacial assembly of mesoporous nanopyramids as ultrasensitive cellular interfaces featuring efficient direct electrochemistry | |
| KR102002400B1 (en) | Graphene oxide reformed nanocomposite, laminate comprising the same, and method for preparing the same | |
| KR101412420B1 (en) | Surface enhanced raman scattering sensor and sensing method thereof | |
| US20150112180A1 (en) | Mesoporous neuronal electrode using surfactant and method of making the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180129 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190201 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200203 Year of fee payment: 6 |